KR20170063220A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170063220A
KR20170063220A KR1020150169337A KR20150169337A KR20170063220A KR 20170063220 A KR20170063220 A KR 20170063220A KR 1020150169337 A KR1020150169337 A KR 1020150169337A KR 20150169337 A KR20150169337 A KR 20150169337A KR 20170063220 A KR20170063220 A KR 20170063220A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
substrate
discharge
gas
nozzle
Prior art date
Application number
KR1020150169337A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101909182B1 (ko
Inventor
김재용
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020150169337A priority Critical patent/KR101909182B1/ko
Priority to CN201611075932.8A priority patent/CN106816399B/zh
Priority to US15/363,062 priority patent/US10032657B2/en
Publication of KR20170063220A publication Critical patent/KR20170063220A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101909182B1 publication Critical patent/KR101909182B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
    • H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
    • H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
    • H01L2021/60187—Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 지지판을 가지는 기판 지지 유닛 및 상기 지지판에 지지된 기판의 저면으로 액을 공급하는 저면 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 저면 액 공급 유닛은 바디 및 기판의 저면으로 처리액을 토출하며, 상기 바디에 결합되는 액 토출 노즐을 포함하되, 상기 바디의 상면에는 상기 바디에 잔류되는 액을 배출하는 배출구가 형성된다. 이로 인해 바디에 잔류된 액은 배출구를 통해 배출될 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and method for treating substrate}
본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 증착, 애싱, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 또한 이러한 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류된 파티클을 세정 처리하는 세정 공정이 수행된다.
세정 공정은 스핀 헤드에 지지된 기판의 양면으로 세정액을 공급하여 이루어진다. 기판의 저면은 스핀 헤드와 기판 사이에 위치된 노즐 부재에 의해 세정 처리된다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 노즐 부재는 복수 개의 노즐들 및 바디를 포함한다. 복수 개의 노즐들은 바디에 결합되며, 위를 향하는 토출단을 가진다. 각각의 노즐은 기판의 중심으로 액을 토출하기 위해 서로 인접하게 위치된다. 노즐들로부터 토출된 액은 기판의 중심으로부터 원심력에 의해 가장자리 영역으로 확산된다.
그러나 토출된 액 중 일부는 기판으로부터 비산되어 바디에 잔류된다. 특히 노즐들의 사이 공간에 잔류된 액은 쉽게 배출되지 않는다. 잔류된 액은 시간이 지남에 따라 그 크기가 커지게 되며, 일정 크기 이상이 되면, 터지면서 기판의 저면에 부착된다. 이에 따라 기판의 건조 불량을 유발한다. 또한 바디에 잔류하며 서로 상이한 성질을 가지는 액들은 반응하여 퓸(Fume)을 발생하고, 이 퓸은 기판을 오염시킨다.
한국 공개 특허: 제2008-0011792호
본 발명은 기판의 저면에 액을 토출하는 노즐 부재에 잔류된 액을 제거할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 지지판을 가지는 기판 지지 유닛 및 상기 지지판에 지지된 기판의 저면으로 액을 공급하는 저면 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 저면 액 공급 유닛은 바디 및 기판의 저면으로 처리액을 토출하며, 상기 바디에 결합되는 액 토출 노즐을 포함하되, 상기 바디의 상면에는 상기 바디에 잔류되는 액을 배출하는 배출구가 형성된다.
상기 저면 액 공급 유닛은 상기 배출구에 음압을 제공하는 석션 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 액 토출 노즐은 복수 개로 제공되며, 상기 배출구는 서로 인접하는 2 개의 상기 액 토출 노즐들 사이에 위치될 수 있다.
또한 상기 액 토출 노즐은 복수 개로 제공되며, 상기 배출구는 상기 바디의 중심축과 상기 액 토출 노즐 간에 사이에 위치될 수 있다.
또한 상기 액 토출 노즐은 복수 개로 제공되며, 상기 배출구는 상기 액 토출 노즐들보다 상기 바디의 중심에서 멀리 이격되게 위치될 수 있다.
상기 액 토출 노즐들의 토출단은 상기 배출구에 비해 높게 위치될 수 있다. 상기 바디는 상면이 상기 지지판으로부터 위로 돌출되도록 상기 지지판 내에 삽입되며, 상기 지지판과 독립되게 위치될 수 있다. 상기 바디의 상면에는 상부홈이 형성되되, 상기 상부홈에는 상기 액 토출 노즐이 위치되고, 상기 배출구는 상기 상부홈을 형성하는 상기 바디의 바닥면에 형성될 수 있다. 상기 저면 액 공급 유닛은 가스가 토출되는 측부 토출 라인을 가지며, 상기 바디에 결합되는 가스 노즐을 더 포함하되, 상기 측부 토출 라인은 상기 가스 노즐의 외측부을 향하도록 제공될 수 있다. 상기 가스 노즐은 기판의 저면으로 가스를 토출하는 상부 토출 라인을 더 가질 수 있다. 상기 측부 토출 라인은 상기 상부 토출 라인으로부터 분기될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 가스 노즐은 상기 액 토출 노즐보다 상기 바디의 중심축에 가깝게 위치되며, 상기 측부 토출 라인은 복수 개로 제공되며, 상기 가스 노즐의 외주면을 감싸도록 배열되게 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 액 토출 노즐들은 상기 가스 노즐을 감싸도록 위치될 수 있다. 상기 측부 토출 라인은 상기 바디의 상면에 인접한 높이에 제공되며, 상기 바디의 상면과 평행한 방향으로 가스를 분사하도록 제공될 수 있다.
또한 상기 측부 토출 라인은 상기 바디의 상면에서 상기 가스 노즐과 상기 배출구의 사이 영역으로 가스가 토출되도록 하향 경사지게 제공될 수 있다.
또한 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 지지판을 가지는 기판 지지 유닛 및 상기 지지판에 지지된 기판의 저면으로 액을 공급하는 저면 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 저면 액 공급 유닛은 바디, 기판의 저면으로 처리액을 토출하며, 상기 바디에 결합되는 액 토출 노즐, 그리고 가스가 토출되는 측부 토출 라인을 가지며, 상기 바디에 결합되는 가스 노즐을 더 포함하되, 상기 측부 토출 라인은 상기 가스 노즐의 외측부을 향하도록 제공된다.
상부에서 바라볼 때 상기 가스 노즐은 상기 액 토출 노즐보다 상기 바디의 중심축에 가깝게 위치되며, 상기 측부 토출 라인은 복수 개로 제공되며, 상기 가스 노즐의 외주면을 감싸도록 배열되게 위치될 수 있다. 상기 바디의 상면에는 상기 바디에 잔류되는 액을 배출하는 배출구가 형성될 수 있다. 상기 저면 액 공급 유닛은 상기 배출구에 음압을 제공하는 석션 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 액 토출 노즐은 복수 개로 제공되며, 상기 배출구는 서로 인접하는 2 개의 상기 액 토출 노즐들 사이에 위치될 수 있다.
또한 상기 액 토출 노즐은 복수 개로 제공되며, 상기 배출구는 상기 가스 노즐과 상기 액 토출 노즐 간에 사이에 위치될 수 있다.
또한 상기 액 토출 노즐은 복수 개로 제공되며, 상기 배출구는 상기 액 토출 노즐들보다 상기 가스 노즐에서 멀리 이격되게 위치될 수 있다.
상기 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법으로는 상기 기판의 저면으로 액을 토출하는 액 토출 단계 및 상기 가스 노즐로부터 가스를 토출하여 상기 바디에 잔류된 액을 제거하는 가스 토출 단계를 포함한다.
상기 가스 토출 단계에는 상기 가스 노즐로부터 토출된 가스에 의해 상기 잔류된 액은 블로우되어 상기 배출구로 배출될 수 있다. 상기 배출구에 제공된 음압에 의해 상기 잔류된 액은 흡입될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 저면을 세정하기 위한 노즐을 지지하기 위해 지지판에 제공되는 바디에는 배출구가 형성되므로, 바디에 잔류된 액은 배출구를 통해 배출될 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 바디에 지지된 가스 노즐로부터 바디의 상면으로 토출되는 가스에 인해 바디에 잔류된 액을 제거할 수 있다.
도 1은 일반적인 세정 부재를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 세정 부재를 보여주는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 저면 액 공급 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5의 저면 액 공급 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 7 및 도 8은 도 5의 바디에 잔류된 액을 측부 토출 라인로부터 토출된 가스에 의해 제거하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 9 및 도 10은 도 5의 바디에 잔류된 액을 배출구에 의해 제거하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 11은 도 5의 바디의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 6의 배출구의 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 13은 도 6의 배출구의 또 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
이하, 도 3 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버들(260)이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 기판처리부(260)들이 제공된다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 챔버(260)에는 기판(W)에 대해 액 처리하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버들(260)은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
기판 처리 장치(300)는 기판(W)을 액 처리한다. 본 실시예에는 기판의 액 처리 공정을 세정 공정으로 설명한다. 이러한 액 처리 공정은 세정 공정에 한정되지 않으며, 사진, 애싱, 그리고 식각 등 다양하게 적용 가능하다. 도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 기판 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 상면 액 공급 유닛(380), 그리고 저면 액 공급 유닛(400)을 포함한다.
처리 용기(320)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(320)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부 회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수 라인(322b,326b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
기판 지지 유닛(340)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(340)은 지지판(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 회전 구동 부재를 가진다. 지지판(342)는 대체로 원형의 판 형상으로 제공되며, 상면 및 저면을 가진다. 하부면은 상부면에 비해 작은 직경을 가진다. 상면 및 저면은 그 중심축이 서로 일치하도록 위치된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 상면으로부터 위로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지판(340)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 지지판(342)의 반경 방향을 따라 외측 위치와 내측 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 외측 위치는 내측 위치에 비해 지지판(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지판(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 외측 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 내측 위치에 위치된다. 내측 위치는 척핀(346)과 기판(W)의 측부가 서로 접촉되는 위치이고, 외측 위치는 척핀(346)과 기판(W)이 서로 이격되는 위치이다.
회전 구동 부재(348,349)는 지지판(342)를 회전시킨다. 지지판(342)는 회전 구동 부재(348,349)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재(348,349)는 지지축(348) 및 구동부(349)를 포함한다. 지지축(348)은 제3방향(16)을 향하는 통 형상을 가진다. 지지축(348)의 상단은 지지판(342)의 저면에 고정 결합된다. 일 예에 의하면, 지지축(348)은 지지판(342)의 저면 중심에 고정 결합될 수 있다. 구동부(349)는 지지축(348)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 지지축(348)은 구동부(349)에 의해 회전되고, 지지판(342)는 지지축(348)과 함께 회전 가능하다.
승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 지지판(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 기판(W)이 지지판(340)에 로딩되거나, 언로딩될 때 지지판(340)이 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 지지판(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
상면 액 공급 유닛(380)은 기판(W)의 상면으로 처리액을 공급한다. 기판의 상면은 패턴이 형성된 패턴면일 수 있다. 상면 액 공급 유닛(380)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다. 상면 액 공급 유닛(380)은 이동 부재(381) 및 노즐(390)을 포함한다.
이동 부재(381)는 노즐(390)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐(390)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐(390)이 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 전처리 위치 및 후처리 위치를 포함한다. 전처리 위치는 노즐(390)이 제1공급 위치에 처리액을 공급하는 위치이고, 후처리 위치는 노즐(390)이 제2공급 위치에 처리액을 공급하는 위치로 제공된다. 제1공급 위치는 제2공급 위치보다 기판(W)의 중심에 더 가까운 위치이고, 제2공급 위치는 기판의 단부를 포함하는 위치일 수 있다. 선택적으로 제2공급 위치는 기판의 단부에 인접한 영역일 수 있다.
이동 부재(381)는 지지축(386), 아암(382), 그리고 구동기(388)를 포함한다. 지지축(386)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 제3방향을 향하는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(386)은 승강 이동이 가능하도록 제공된다. 아암(382)은 지지축(386)의 상단에 결합된다. 아암(382)은 지지축(386)으로부터 수직하게 연장된다. 아암(382)의 끝단에는 노즐(390)이 고정 결합된다. 지지축(386)이 회전됨에 따라 노즐(390)은 아암(382)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(390)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 아암(382)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐(390)이 이동되는 경로는 공정 위치에서 기판(W)의 중심축과 일치될 수 있다. 예컨대, 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 린스액은 순수(H20)일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA) 액일 수 있다.
저면 액 공급 유닛(400)은 기판(W)의 저면을 세정 처리한다. 저면 액 공급 유닛(400)은 기판(W)의 저면으로 액을 공급한다. 기판(W)의 저면은 패턴이 형성되는 면과 반대되는 비패턴면일 수 있다. 저면 액 공급 유닛(400)은 상면 액 공급 유닛(380)과 동시에 액을 공급할 수 있다. 도 5는 도 4의 저면 액 공급 유닛을 보여주는 단면도이고, 도 6은 도 5의 저면 액 공급 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 저면 액 공급 유닛(400)은 바디(410), 액 토출 노즐(430), 가스 노즐(470), 그리고 석션 부재(490)를 포함한다.
바디(410)는 지지판(342)과 이에 지지된 기판(W) 사이에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 바디(410)는 지지판(342)의 중심과 일치하도록 위치될 수 있다. 바디(410)는 지지판(342)과 독립되게 위치된다. 바디(410)는 지지판(342)의 회전에 영향을 받지 않도록 위치된다. 바디(410)는 지지판(342)의 중앙 영역에서 지지판(342)과 이격되도록, 지지판(342) 내에 삽입되게 위치될 수 있다. 바디(410)는 각각이 상면(412) 및 저면을 가지는 원형의 판 형상으로 제공된다. 바디(410)의 상면(412)은 중심으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공된다. 바디(410)의 저면은 상면에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 바디(410)의 저면은 지지판(342)보다 작은 직경을 가진다. 따라서 바디(410)의 상면(412) 및 저면을 잇는 측면은 바디(410)의 중심으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 바디(410)의 상면(412)은 지지판(342)으로부터 위로 돌출되게 위치된다.
액 토출 노즐(430)은 기판(W)의 저면으로 처리액을 공급한다. 액 토출 노즐(430)로부터 토출된 처리액은 기판(W)의 저면을 세정 처리한다. 액 토출 노즐(430)은 위를 향하는 액 토출단을 가진다. 예컨대, 액 토출단은 수직 위를 향하도록 제공될 수 있다. 액 토출 노즐(430)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 액을 토출할 수 있다. 액 토출 노즐들(430)은 바디(410)에 고정 결합된다. 액 토출 노즐들(430)은 바디(410)의 중심으로부터 이격되게 위치된다. 액 토출 노즐들(430)은 바디(410)의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 액 토출 노즐(430)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 액 토출 노즐들(430)로부터 토출되는 처리액은 케미칼 및 린스액을 포함할 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 린스액은 순수(H20)일 수 있다. 선택적으로 액 토출단은 위로 갈수록 기판(W)의 중심으로부터 멀어지게 상향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다.
가스 노즐(470)은 가스를 토출한다. 가스 노즐(470)은 바디(410)의 상면(412)에 고정 결합된다. 가스 노즐(470)은 바디(410)의 중심축 상에 위치된다. 가스 노즐(470)은 2 이상의 방향으로 가스를 토출한다. 가스 노즐(470)에는 상부 토출 라인(472) 및 측부 토출 라인(474)이 제공된다. 상부 토출 라인(472)은 가스 노즐(470)의 상단에 형성된 상부 토출단을 포함하며, 측부 토출 라인(474)은 가스 노즐(470)의 외측부에 형성된 상부 토출단을 포함하도록 제공된다. 상부 토출단은 수직 위를 향하도록 제공될 수 있다. 상부 토출 라인(472)로부터 토출되는 가스는 기판(W)의 저면으로 공급된다. 상부 토출 라인(472)로부터 토출된 가스는 기판(W)의 저면을 건조 처리한다. 예컨대, 가스는 비활성 가스 또는 에어일 수 있다. 비활성 가스는 질소 가스(N2)일 수 있다.
측부 토출 라인(474)은 상부 토출 라인(472)이 향하는 방향과 수직한 방향을 향하도록 제공된다. 측부 토출 라인(474)은 복수 개로 제공된다. 각각의 측부 토출 라인(474)은 상부 토출 라인(472)로부터 분기될 수 있다. 측부 토출 라인(474)로부터 토출된 가스는 도 7 및 도 8과 같이, 바디(410)에 잔류된 액을 제거한다. 측부 토출 라인(474)로부터 토출된 가스는 바디(410)에 잔류된 액을 블로우(Blow)한다. 각각의 측부 토출 라인(474)은 가스 노즐(470)의 외주면을 감싸도록 배열되게 형성된다. 각각의 측부 토출 라인(474)은 서로 동일 높이에 위치된다. 각각의 측부 토출 라인(474)은 바디(410)의 상면(412)에 인접하게 위치된다. 일 예에 의하면, 각각의 측부 토출 라인(474)은 가스 노즐(470)의 상단에 비해 바디(410)의 상면(412)에 더 가깝게 위치될 수 있다.
선택적으로 각각의 측부 토출 라인(474)은 가스 노즐(470)의 중심축으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하게 제공될 수 있다. 하향 경사진 방향으로 토출되는 가스는 바디(410)의 상면(412)에서 가스 노즐(470)과 액 토출 노즐(430) 사이 영역 또는 가스 노즐(470)과 배출구(414) 사이 영역으로 토출될 수 있다.
석션 부재(490)는 바디(410)에 잔류된 액을 제거한다. 석션 부재(490)는 바디(410)에 잔류된 액을 석션 처리한다. 석션 부재(490)는 바디(410)에 형성된 배출구(414)에 음압을 제공한다. 다음은 석션 부재(490)에 설명하기 앞서, 바디(410)에 형성된 배출구(414)에 대해 설명한다. 배출구(414)는 바디(410)의 상면(412)에 형성된다. 바디(410)의 상면(412)에 잔류되는 액은 배출구(414)를 통해 배출된다. 배출구(414)는 복수 개로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 배출구(414)들은 가스 노즐(470)을 감싸도록 위치된다. 배출구(414)들은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 일 예에 의하면, 배출구(414)는 가스 노즐(470)과 액 토출 노즐(430) 사이에 위치될 수 있다. 가스에 의해 잔류된 액은 배출구(414)로 석션되거나, 바디(410)의 외측부로 블로우될 수 있다.
석션 부재(490)는 배출 라인(492), 통합 라인(494), 분리 라인(496), 그리고 음압 부재가를 포함한다. 배출 라인(492)은 복수 개로 제공된다. 배출 라인(492)은 배출구(414)와 일대일 대응되는 개수로 제공된다. 배출 라인(492)은 배출구(414)에 일대일 대응되도록 연결된다. 통합 라인(494)은 각각의 배출 라인(492)과 통하도록 제공된다. 통합 라인(494)은 각각의 배출 라인(492)이 하나로 통합되는 라인으로 제공될 수 있다. 통합 라인(494)에는 음압 부재가 설치된다. 음압 부재로부터 제공된 음압은 각각의 배출구(414)에 제공된다. 분리 라인(496)은 통합 라인(494)으로부터 분기되는 라인으로 제공된다, 분리 라인(496)은 복수 개로 제공된다. 각각의 분리 라인(496)은 서로 상이한 회수통(499)에 연결된다. 일 예에 의하면, 분리 라인(496)들은 액 토출 노즐들(430)로부터 토출되는 액의 종류와 일대일 대응되는 개수로 제공될 수 있다. 분리 라인(496)들은 액 토출 노즐들(430)로부터 토출되는 액들이 각 회수통(499)에 종류 별로 분리 배출되도록 액의 배출을 안내한다. 각각의 분리 라인(496)에는 밸브가 설치된다. 각각의 밸브는 제어기(미도시)에 의해 개폐된다. 각각의 밸브는 독립 구동이 가능하다.
일 예에 의하면, 도 9 및 도 10과 같이 액 토출 노즐(430)로부터 케미칼이 토출되면 분리 라인(496)들 중 하나인 제1분리 라인(496a)이 개방되고, 케미칼은 제1분리 라인(496a)과 연결된 제1회수통(499a)으로 배출될 수 있다. 또한 액 토출 노즐(430)로부터 린스액이 토출되면 제1분리 라인(496a)과 상이한 제2분리 라인(496b)이 개방되고, 린스액은 제2분리 라인(496b)과 결된 제2회수통(499b)으로 배출될 수 있다.
상술한 실시예에는 바디(410)에 잔류된 액을 제거하기 위해 가스 노즐(470)의 측부 토출 라인(474)로부터 가스를 토출하고, 배출구(414)를 통해 액을 배출하는 것으로 설명하였다. 그러나 저면 액 공급 유닛(400)은 측부 토출 라인(474) 및 배출구(414) 중 어느 하나만 제공될 수 있다.
또한 도 11과 같이, 바디(410)의 상면(412)에는 상부홈(418)이 형성될 수 있다. 상부홈(418)은 바디(410)의 내측면 및 바닥면에 의해 형성될 수 있다. 상부홈(418)에는 액 토출 노즐들(430) 및 가스 노즐(470)이 제공될 수 있다. 배출구(414)는 바디(410)의 바닥면에 형성될 수 있다. 이에 따라 상부홈(418) 내에 잔류된 액은 배출구(414)를 통해 배출되고, 그 잔류된 액 중 일부가 비산될지라도, 기판(W)의 저면에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또한 도 12와 같이 배출구(414)는 서로 인접한 2 개의 액 토출 노즐들(430) 사이에 위치될 수 있다.
또한 도 13과 같이 배출구(414)는 액 토출 노즐들(430)보다 바디(410)의 중심에서 멀리 이격되게 위치될 수 있다.
선택적으로 배출구(414)는 가스 노즐(470)과 액 토출 노즐(430) 사이에, 서로 인접한 2 개의 액 토출 노즐들(430) 사이에, 그리고 액 토출 노즐들(430)보다 바디(410)의 중심에서 멀리 이격되는 위치에 각각 형성될 수 있다.
400: 저면 액 공급 유닛 410: 바디
414: 배출구 430: 액 토출 노즐
470: 가스 노즐 474: 측부 토출 라인
472: 상부 토출 라인 490: 석션 부재

Claims (25)

  1. 기판을 지지하는 지지판을 가지는 기판 지지 유닛과;
    상기 지지판에 지지된 기판의 저면으로 액을 공급하는 저면 액 공급 유닛을 포함하되,
    상기 저면 액 공급 유닛은,
    바디와;
    기판의 저면으로 처리액을 토출하며, 상기 바디에 결합되는 액 토출 노즐을 포함하되,
    상기 바디의 상면에는 상기 바디에 잔류되는 액을 배출하는 배출구가 형성되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 저면 액 공급 유닛은,
    상기 배출구에 음압을 제공하는 석션 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 액 토출 노즐은 복수 개로 제공되며,
    상기 배출구는 서로 인접하는 2 개의 상기 액 토출 노즐들 사이에 위치되는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 액 토출 노즐은 복수 개로 제공되며,
    상기 배출구는 상기 바디의 중심축과 상기 액 토출 노즐 간에 사이에 위치되는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 액 토출 노즐은 복수 개로 제공되며,
    상기 배출구는 상기 액 토출 노즐들보다 상기 바디의 중심에서 멀리 이격되게 위치되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 액 토출 노즐들의 토출단은 상기 배출구에 비해 높게 위치되는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 바디는 상면이 상기 지지판으로부터 위로 돌출되도록 상기 지지판 내에 삽입되며, 상기 지지판과 독립되게 위치되는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 바디의 상면에는 상부홈이 형성되되,
    상기 상부홈에는 상기 액 토출 노즐이 위치되고,
    상기 배출구는 상기 상부홈을 형성하는 상기 바디의 바닥면에 형성되는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 저면 액 공급 유닛은,
    가스가 토출되는 측부 토출 라인을 가지며, 상기 바디에 결합되는 가스 노즐을 더 포함하되,
    상기 측부 토출 라인은 상기 가스 노즐의 외측부을 향하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 가스 노즐은 기판의 저면으로 가스를 토출하는 상부 토출 라인을 더 가지는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 측부 토출 라인은 상기 상부 토출 라인으로부터 분기되는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때 상기 가스 노즐은 상기 액 토출 노즐보다 상기 바디의 중심축에 가깝게 위치되며,
    상기 측부 토출 라인은 복수 개로 제공되며, 상기 가스 노즐의 외주면을 감싸도록 배열되게 위치되는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때 상기 액 토출 노즐들은 상기 가스 노즐을 감싸도록 위치되는 기판 처리 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 측부 토출 라인은 상기 바디의 상면에 인접한 높이에 제공되며, 상기 바디의 상면과 평행한 방향으로 가스를 분사하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 측부 토출 라인은 상기 바디의 상면에서 상기 가스 노즐과 상기 배출구의 사이 영역으로 가스가 토출되도록 하향 경사지게 제공되는 기판 처리 장치.
  16. 기판을 지지하는 지지판을 가지는 기판 지지 유닛과;
    상기 지지판에 지지된 기판의 저면으로 액을 공급하는 저면 액 공급 유닛을 포함하되,
    상기 저면 액 공급 유닛은,
    바디와;
    기판의 저면으로 처리액을 토출하며, 상기 바디에 결합되는 액 토출 노즐과;
    가스가 토출되는 측부 토출 라인을 가지며, 상기 바디에 결합되는 가스 노즐을 더 포함하되,
    상기 측부 토출 라인은 상기 가스 노즐의 외측부을 향하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때 상기 가스 노즐은 상기 액 토출 노즐보다 상기 바디의 중심축에 가깝게 위치되며,
    상기 측부 토출 라인은 복수 개로 제공되며, 상기 가스 노즐의 외주면을 감싸도록 배열되게 위치되는 기판 처리 장치.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    상기 바디의 상면에는 상기 바디에 잔류되는 액을 배출하는 배출구가 형성되는 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 저면 액 공급 유닛은,
    상기 배출구에 음압을 제공하는 석션 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 액 토출 노즐은 복수 개로 제공되며,
    상기 배출구는 서로 인접하는 2 개의 상기 액 토출 노즐들 사이에 위치되는 기판 처리 장치.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 액 토출 노즐은 복수 개로 제공되며,
    상기 배출구는 상기 가스 노즐과 상기 액 토출 노즐 간에 사이에 위치되는 기판 처리 장치.
  22. 제18항에 있어서,
    상기 액 토출 노즐은 복수 개로 제공되며,
    상기 배출구는 상기 액 토출 노즐들보다 상기 가스 노즐에서 멀리 이격되게 위치되는 기판 처리 장치.
  23. 제18항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 기판의 저면으로 액을 토출하는 액 토출 단계와;
    상기 가스 노즐로부터 가스를 토출하여 상기 바디에 잔류된 액을 제거하는 가스 토출 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 가스 토출 단계에는 상기 가스 노즐로부터 토출된 가스에 의해 상기 잔류된 액은 블로우되어 상기 배출구로 배출되는 기판 처리 방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 배출구에 제공된 음압에 의해 상기 잔류된 액은 흡입되는 기판 처리 방법.







KR1020150169337A 2015-11-30 2015-11-30 기판 처리 장치 및 방법 KR101909182B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150169337A KR101909182B1 (ko) 2015-11-30 2015-11-30 기판 처리 장치 및 방법
CN201611075932.8A CN106816399B (zh) 2015-11-30 2016-11-29 基板处理装置及方法
US15/363,062 US10032657B2 (en) 2015-11-30 2016-11-29 Apparatus and method for treating a substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150169337A KR101909182B1 (ko) 2015-11-30 2015-11-30 기판 처리 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170063220A true KR20170063220A (ko) 2017-06-08
KR101909182B1 KR101909182B1 (ko) 2018-12-10

Family

ID=58777485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150169337A KR101909182B1 (ko) 2015-11-30 2015-11-30 기판 처리 장치 및 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10032657B2 (ko)
KR (1) KR101909182B1 (ko)
CN (1) CN106816399B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102317139B1 (ko) * 2020-05-07 2021-10-26 무진전자 주식회사 기판 세정 장치
KR20230029174A (ko) * 2021-08-24 2023-03-03 (주) 디바이스이엔지 백 노즐 어셈블리를 포함하는 기판 처리장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7221657B2 (ja) * 2018-11-12 2023-02-14 キオクシア株式会社 基板処理装置
KR102240924B1 (ko) * 2019-07-18 2021-04-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 회전 어셈블리
KR20220095614A (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 세메스 주식회사 백 노즐 유닛 및 백 노즐 유닛을 포함하는 기판 처리 장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0822974A (ja) 1994-07-06 1996-01-23 Hitachi Ltd 乾燥装置
JP3360052B2 (ja) * 1999-11-19 2002-12-24 山口日本電気株式会社 現像装置
JP3777542B2 (ja) * 2001-04-03 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 ノズル装置及び塗布装置及び塗布方法
JP2007158161A (ja) * 2005-12-07 2007-06-21 Elpida Memory Inc ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法
KR20080011792A (ko) 2006-07-31 2008-02-11 삼성전자주식회사 반도체 기판 세정 장치 및 방법
KR100895032B1 (ko) 2007-08-08 2009-04-24 세메스 주식회사 스핀 헤드
KR100923268B1 (ko) 2007-08-29 2009-10-23 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법
JP5012651B2 (ja) * 2008-05-14 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
JP5058085B2 (ja) * 2008-07-02 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
JP5156661B2 (ja) * 2009-02-12 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5301505B2 (ja) * 2009-08-27 2013-09-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
KR101177005B1 (ko) 2010-01-07 2012-08-27 세메스 주식회사 기판 세정 장치
JP2012064800A (ja) 2010-09-16 2012-03-29 Sumco Corp ウェーハ洗浄装置
JP6017262B2 (ja) * 2012-10-25 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102317139B1 (ko) * 2020-05-07 2021-10-26 무진전자 주식회사 기판 세정 장치
CN113617721A (zh) * 2020-05-07 2021-11-09 无尽电子有限公司 基板清洁装置
CN113617721B (zh) * 2020-05-07 2023-01-31 艾斯宜株式会社 基板清洁装置
KR20230029174A (ko) * 2021-08-24 2023-03-03 (주) 디바이스이엔지 백 노즐 어셈블리를 포함하는 기판 처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN106816399A (zh) 2017-06-09
KR101909182B1 (ko) 2018-12-10
US10032657B2 (en) 2018-07-24
US20170153550A1 (en) 2017-06-01
CN106816399B (zh) 2021-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101909182B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101776019B1 (ko) 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101623412B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20170110199A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20160033358A (ko) 기판 처리 장치
KR101329319B1 (ko) 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
KR20140112299A (ko) 기판처리장치
KR101979606B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 버블 제거 방법
KR102096945B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101870664B1 (ko) 기판처리장치
KR101870666B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102121239B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102380461B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR101591960B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20180013327A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20140090588A (ko) 기판 처리 방법
KR20160064743A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101979602B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102450031B1 (ko) 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102410311B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20140144800A (ko) 기판처리장치
KR102284471B1 (ko) 처리액 노즐 및 기판 처리 장치
KR102193031B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102180009B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
US20240066564A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant