KR20170059442A

KR20170059442A - 자기 센서에서 자기 간섭의 능동적 밸런싱/소거를 위한 시스템 및 방법

Info

Publication number: KR20170059442A
Application number: KR1020177007856A
Authority: KR
Inventors: 지안 쑤; 아론 세이볼드
Original assignee: 본스인코오포레이티드
Priority date: 2014-09-26
Filing date: 2015-09-25
Publication date: 2017-05-30
Also published as: WO2016049423A2; WO2016049423A3; US10302710B2; US20160091574A1; CN107110664B; EP3198230A4; CN107110664A; EP3198230B1; KR102198156B1; EP3198230A2; JP2017529536A; JP6590915B2

Abstract

제1 자기 필드를 가지는 제1 자석을 포함하는 감지 시스템. 일 실시예에서, 감지 시스템은 또한 제1 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제1 고정자와 제1 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제2 고정자를 포함한다. 제1 컬렉터는 제1 고정자로부터 제1 자기 필드를 수집하기 위해 구성되며, 제2 컬렉터는 제2 고정자로부터 제1 자기 필드를 수집하기 위해 구성되고, 자기 감지 소자는 제1 자기 필드를 감지하기 위해 구성된다. 또한 감지 시스템은 제2 자기 필드를 가지는 제2 자석, 제3 자기 필드를 가지는 제3 자석을 포함한다. 제3 자석은 제3 자기 필드가 제2 자기 필드에 대칭하도록 위치설정된다.

Description

자기 센서에서 자기 간섭의 능동적 밸런싱/소거를 위한 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD FOR ACTIVE BALANCING/CANCELLATION OF MAGNETIC INTERFERENCE IN A MAGNETIC SENSOR}

관련 출원에 대한 교차 참조

본 출원은 2014년 9월 26일에 출원된 미국 가출원 번호 62/055,791의 혜택을 주장하며, 그 전체 내용이 본 명세서에 참조로서 포함된다.

기술 분야

본 발명의 실시예는 자기 센서, 특히 토크 및/또는 각센서 또는 토크 및/또는 인덱스 센서에서의 자기 간섭을 밸런싱하는 것 및/또는 소거하는 것에 관한 것이다.

토크 및 각 센서는 통상적으로 자기 감지 소자를 포함한다. 자기 감지 소자는 일반적으로 자석 또는 다른 자기 구성 요소를 포함한다. 종종 센서들 중 하나에서의 자석은 다른 센서에서의 감지 소자와 간섭한다. 이러한 간섭은 "크로스 토크(cross-talk)"로서 지칭된다. 무엇보다도, 크로스 토크는 부정확한 센서 측정값으로 이어질 수 있다.

크로스 토크를 감소시키기 위해, 두 센서간의 거리가 물리적으로 증가될 수 있거나 자기적 차폐가 센서들 중 어느 하나 또는 둘 모두에 사용될 수 있다. 이러한 해법 모두는 부피가 큰/거대한 센서 패키지 또는 열등한 센서 성능을 초래할 수 있다.

본 발명의 실시예는, 일례로 제1 자기 필드를 가지는 제1 자석을 포함하는 감지 시스템을 제공함으로써 이러한 문제점의 영향을 해결하거나 감소시키는 것을 돕는다. 또한 감지 시스템은 제1 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제1 고정자; 제1 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제2 고정자; 제1 고정자로부터 제1 자기 필드를 수집하기 위해 구성된 제1 컬렉터; 그리고 제2 고정자로부터 제1 자기 필드를 수집하기 위해 구성된 제2 컬렉터를 포함한다. 자기 감지 소자는 제1 자기 필드를 감지하기 위해 구성된다. 또한 감지 시스템은 제2 자기 필드를 가지는 제2 자석; 그리고 제3 자기 필드를 가지는 제3 자석을 포함한다. 제3 자석은 제3 자기 필드가 제2 자기 필드에 대칭하도록 위치설정된다.

본 발명의 다른 실시예는 자기 센서의 자기 필드를 감지하는 방법을 제공한다. 자기 센서는 제1 자기 필드를 가지는 제1 자석, 제1 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제1 고정자, 제1 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제2 고정자를 포함한다. 자기 센서는 제1 고정자로부터 제1 자기 필드를 수집하기 위해 구성된 제1 컬렉터, 제2 고정자로부터 제1 자기 필드를 수집하기 위해 구성된 제2 컬렉터를 추가로 포함한다. 자기 필드를 감지하는 방법은 제2 자석으로부터 제2 자기 필드를 수용하는 것과 제3 자기 필드가 제2 자기 필드에 대칭하도록 제3 자기 필드를 가지는 제3 자석을 위치설정 하는 것을 포함한다.

또 다른 실시예에서, 본 발명은 제1 자기 센서를 포함하는 감지 시스템을 제공한다. 제1 자기 센서는 제1 자기 필드를 가지는 제1 자석, 제1 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제1 고정자, 제1 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제2 고정자, 제1 고정자로부터 제1 자기 필드를 수집하기 위해 구성된 제1 컬렉터, 제2 고정자로부터 제1 자기 필드를 수집하기 위해 구성된 제2 컬렉터, 제1 자기 필드를 감지하기 위해 구성된 자기 감지 소자를 포함한다. 감지 시스템은 제2 자기장을 가지는 제2 자석을 추가로 포함하고, 제1 고정자와 제2 고정자가 실질적으로 유사한 양의 제2 자기 필드를 수용하도록 위치설정된다.

본 발명의 다른 양태는 상세한 설명과 첨부된 도면을 고려함으로써 명백해질 것이다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 센서의 단면, 개략도이다.
도 2는 도 1의 센서와 통신하고 이 센서에서 사용하기 위한 제어 시스템의 블록 선도이다.
도 3은 도 1의 센서의 일 부분의 단면, 개략도이며 특정 자기 플럭스 선을 도시한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서의 단면, 개략도이다.
도 5는 도 4의 센서의 일 부분의 단면, 개략도이며 특정 자기 플럭스 선을 도시한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서의 단면 개략도이다.
도 7은 도 6의 센서의 일 부분의 단면 개략도이며 자기 플럭스 선을 추가로 포함한다.

본 발명의 임의의 실시예가 상세하게 설명되기 전에, 본 발명이 후속하는 설명에 제시되거나 후속하는 도면에 도시된 구성요소의 구축 및 배열의 세부사항으로 제한되지 않음을 이해해야 한다. 본 발명은 다른 실시예가 가능하고, 다양한 방식으로 실시 또는 수행될 수 있다.

도 1은 일 실시예에 따른 제1 센서(100)를 도시한다. 도시된 실시예에서, 제1 센서(100)는 입력 샤프트(105)와 출력 샤프트(110)를 포함하는 차량 조향 시스템과 연계하여 사용된다. 입력 샤프트(105)와 출력 샤프트(110)는 토션 바(미도시)를 통해 연결된다. 토션 바는 사전결정되거나 알려진 양의 비틀림 강성도 또는 비틀림 스프링 상수를 가진다. 출력 샤프트(110)에 대한 입력 샤프트(105)의 회전 운동은 가해진 토크에 비례하는 입력 샤프트(105)와 출력 샤프트(110) 사이의 상대 각변위를 생성한다. 일부 실시예에서, 제1 센서(100)는 입력 샤프트(105)와 출력 샤프트(110) 사이의 토크 및/또는 조향 각을 탐지하거나 감지한다.

센서(100)는 입력 샤프트(105)에 결합된 제1 자석(115), 출력 샤프트(110)에 결합된 제1 및 제2 고정자(120, 125)를 포함한다. 다른 실시예에서, 제1 고정자(120)와 제2 고정자(125)는 입력 샤프트(105)에 결합되지만, 제1 자석(115)은 출력 샤프트(110)에 결합된다.

또한 센서(100)는 제1 컬렉터(130)와 제2 컬렉터(135)를 포함한다. 제1 컬렉터(130)와 제2 컬렉터(135)는 각각 제1 고정자(120)와 제2 고정자(125)에 근접하여(예를 들어, 일 실시예에서 약 0.2mm 내지 약 2.0mm 거리 내에) 위치한다. 제1 및 제2 컬렉터(130, 135)는 각각 제1 고정자(120)와 제2 고정자(125)의 적어도 일 부분에 걸쳐 있다.

제1 컬렉터(130)와 제2 컬렉터(135)는 적어도 하나의 자기 감지 소자(140)에 자기적으로 결합된다. "자기적으로 결합된다"는 용어는 일반적으로 제1 구성요소와 제2 구성요소 사이의 자기적 소통으로서 규정될 수 있고, 그래서 제1 구성요소는 제2 구성요소로부터 자기 플럭스를 수용할 수 있으며, 또는 그 반대도 가능하다. 그러한 소통은 사용된 자석의 강도와 구성요소 사이의 거리에 의존한다. 일부 실시예에서, 자기적으로 결합되기 위해, 제1 구성요소는 제2 구성요소로부터 대략 0.2mm 내지 2.0mm의 거리에 있다. 자기 감지 소자(140)는 제1 컬렉터(130)와 제2 컬렉터(135) 사이의, 또는 그 근처의 제1 자석(115)의 제1 자기 플럭스(300)(도 3)를 탐지한다. 일부 실시예에서, 자기 감지 소자(140)는 Hall 효과 센서이다.

또한 도 1은 제2 자기 센서(200)를 도시한다. 제2 센서(200)는 제1 센서(100)에 근접하여 위치하고 제2 자석(205)을 포함한다. 또한 일부 실시예에서, 제2 센서(200)는 제3 및 제4 고정자, 제3 및 제4 컬렉터, 그리고 제2 자기 감지 소자를 포함한다. 그러한 실시예에서, 제3 및 제4 고정자, 제3 및 제4 컬렉터, 그리고 제2 자기 감지 소자는 제1 및 제2 고정자(120, 125), 제1 및 제2 컬렉터(130, 135), 그리고 자기 감지 소자(140)와 실질적으로 유사하다. 일부 실시예에서, 제1 센서(100)와 제2 센서(200)는 회전 각 및 토크 센서와 같은 더 큰 센서 또는 센서 조립체 둘 모두의 부분이다. 일부 실시예에서, 제2 센서(200)는 회전 센서일 수 있지만 제1 센서(100)는 토크 센서일 수 있고, 또는 그 반대도 가능하다.

도시된 실시예에서, 제1 센서(100)는 제3 자석 또는 미러 자석(210)을 포함한다. 도시된 바와 같이, 미러 자석(210)은 미러 자석(210)의 미러 자기 플럭스(275)(도 3)가 제2 센서(200)의 제2 자석(205)의 제2 자기 플럭스(250)(도 3)에 대칭하도록 제2 자석(205)에 대칭하게 위치설정된다. 일부 실시예에서, 미러 자석(210)은 전체 센서의 부분일 수도 있고 부분이 아닐 수도 있는 제3 센서 내에 추가적으로 사용된다. 다른 실시예에서, 미러 자석(210)은 제2 자석(205)의 제2 자기 플럭스(250)를 상쇄하기 위해서만 사용된다.

제1 고정자(120)는 제1 측부(121), 제2 측부(122), 그리고 제1 주연부(124)를 포함한다. 제2 고정자(125)는 제1 측부(126), 제2 측부(127), 그리고 제2 주연부(129)를 포함한다. 도 1의 실시예에 도시된 바와 같이, 제1 자석(115)은 제1 고정자(120)의 제1 측부(121)와 제2 고정자(125)의 제1 측부(126)에 인접하여 위치설정된다. 게다가, 도시된 바와 같이, 제1 자석(115)은 도시된 기준 좌표 시스템의 x-축에 평행하게 뻗어있는 축방향으로, 제1 고정자(120)와 제2 고정자(125) 사이에 위치설정된다. 도시된 실시예와 같은 일부 실시예에서, 제1 자석(115)은 축방향으로, 제1 고정자(120)의 제2 측부(122)의 제1 표면과 제2 고정자(125)의 제2 측부(127)의 제2 표면 사이에 위치설정된다. 제2 자석(205)은 제2 고정자(125)의 제2 측부(127)에 인접하여 위치설정되고 미러 자석(210)은 제1 고정자(120)의 제2 측부(122)에 인접하여 위치설정된다.

자기 감지 소자(140)는 제어 시스템(212)(도 2)에 전기적으로 결합된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제어 시스템(212)은 메모리(220)와 프로세서(225)를 가지는 제어기(215)를 포함한다. 제어기(215)는 제1 자석(115)의 제1 자기 플럭스(300)에 관하여 자기 감지 소자(140)로부터 신호를 수용한다. 신호는 자기 플럭스의 크기 및/또는 극성에 관한 정보 또는 데이터를 포함할 수 있다. 신호는 아날로그 또는 디지털 신호일 수 있다. 일부 실시예에서, 신호는 자기 플럭스의 변화와 관련된 정보를 제공한다. 도시된 바와 같이, 일부 실시예에서 제어기(215)는 입력/출력(I/O: input/output) 인터페이스(230) 및 파워 서플라이(235)에 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 실시예에서, 제어기(215)는 제2 센서(200)에 추가로 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 실시예에서, 제어기(215)는 반도체 칩 상에 부분적으로 또는 전체적으로 구현된다.

메모리(220)는 예를 들어 프로그램 저장 영역과 데이터 저장 영역을 포함한다. 프로그램 저장 영역과 데이터 저장 영역은 판독 전용 메모리("ROM": read-only memory), 랜덤 액세스 메모리("RAM": random access memory)[예를 들어, 동적 RAM("DRAM": dynamic RAM), 동기식 DRAM("SDRAM": synchronous DRAM), 등], 전기적 소거 프로그램 가능 판독 전용 메모리("EEPROM": electrically erasable programmable read-only memory), 플래시 메모리, 하드 디스크, SD 카드 등과 같은 상이한 종류의 메모리 또는 다른 적절한 자기적, 광학적, 물리적 또는 전기적 메모리 디바이스의 조합을 포함할 수 있다. 프로세서(225)는 메모리(220)에 연결되며 소프트웨어 명령어를 실행한다. 센서(100) 및/또는 제어기(215)의 구현예에 포함된 소프트웨어는 제어기(215)의 메모리(220)에 저장될 수 있다. 소프트웨어는 예를 들어 펌웨어, 하나 이상의 애플리케이션, 프로그램 데이터, 필터, 룰러, 하나 이상의 프로그램 모듈 및 기타 실행가능한 명령어를 포함한다. 제어기(215)는 무엇보다도 본 명세서에 설명된 제어 프로세스와 방법에 관련된 명령어를 메모리(220)로부터 검색하고, 수행하기 위해 구성된다. 다른 구성에서, 제어기(215)는 추가적인, 더 적은, 또는 상이한 구성요소들을 포함한다.

I/O 인터페이스(230)는 예를 들어 다른 제어기나 컴퓨터와 같은 주연 디바이스로 제어기(215)를 연결하기 위해 구성된다. I/O 인터페이스(230)는 유선 연결, 무선 연결, 또는 유선 및 무선 연결의 조합일 수 있다. 일부 실시예에서, I/O 인터페이스(230)는 센서(100)와 연관된 측정 데이터를 통신하기 위해 구성된다. 일부 실시예에서, I/O 인터페이스(230)는 제어기(215)를 사용자-인터페이스로 전기적으로 연결하기 위해 사용된다. 파워 서플라이(235)는 센서(100)의 다른 구성요소 뿐만 아니라 제어기(215)에도 공칭 전압을 공급한다. 일부 실시예에서, 파워 서플라이(235)는 (예를 들어, 배터리로부터의)제1 전압에 의해 전원공급되며, 제어기(215)와 센서(100)의 다른 구성요소로 공칭 전압을 제공한다.

도 3은 제2 자석(205)의 제2 자기 플럭스(250)와 미러 자석(210)의 제3 또는 미러 자기 플럭스(275)를 도시한다. 관련 기술에 공지된 바와 같이, 자석은 자기 필드를 발생시키고, 자기 필드는 자기 플럭스 또는 자기 플럭스 선에 의해 도시될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 미러 자기 플럭스(275)는 제2 자기 플럭스(250)에 대칭한다. 그러므로, 제2 자기 플럭스(250)와 미러 자기 플럭스(275)는 서로를 상쇄시킨다. 결과적으로, 감지 소자에 영향을 미치는 유일한 플럭스는 제1 자기 플럭스(300)이다. 즉, 자기 감지 소자(140)는 제1 자기 플럭스(300)만을 탐지한다. 물론, 대칭성이 이상적이지 못한 경우 제2 및/또는 제3 자석으로부터의 소량 또는 미소한 양의 간섭이 발생하게 된다.

작동에서, 토크가 시스템상에 가해지는 경우, 토션 바(미도시)는 입력 샤프트(105)와 출력 샤프트(110) 사이의 상대 각변위를 조정한다. 입력 샤프트(105)와 출력 샤프트(110)의 상대 각변위는 자석(115)[입력 샤프트(105)에 결합됨]과 제1 및 제2 고정자(120, 125)[출력 샤프트(110)에 결합됨] 사이의 각변위와 동등하다. 시스템의 제로 위치는 시스템상에 토크가 가해지지 않거나 제로 토크가 가해지고 자석(115)과 제1 및 제2 고정자(120, 125) 사이에 제로 각변위가 있는 위치이다. 제로 위치에서, 자석(115)과 제1 및 제2 고정자(120, 125)는 자기 필드의 알짜 제로 자기 플럭스 또는 자기 필드의 알짜 제로 축방향 자기 플럭스를 생성한다.

토크가 시스템상에 가해질 때, 자석(115)과 제1 및 제2 고정자(120, 125) 사이에는 각변위가 있다. 자석(115)과 제1 및 제2 고정자(120, 125) 사이의 각변위는 제1 자기 플럭스(300)의 변화(예를 들어, 자기 필드의 자기 플럭스의 크기 및/또는 극성의 변화)를 초래한다. 각변위가 보다 클수록, 자기 플럭스도 더욱 커진다. 제2 회전 방향에서의 제2 각변위는 제1 자기 플럭스(300)가 제1 방향과 반대인 제2 방향을 가지도록 유발하지만, 제1 회전 방향에서의 제1 각변위는 제1 자기 플럭스(300)가 제1 방향을 가지도록 유발한다.

도 4는 제2 자석(205')을 가지는 제2 센서(200')에 근접하여 위치한 제1 센서(100')의 제2 실시예를 도시한다. 도시된 실시예에서, 미러 자석(210')은 미러 자석(210')의 미러 자기 플럭스(275')(도 5)가 제2 자석(205')의 제2 자기 플럭스(250')(도 5)에 대칭하도록 위치설정된다.

도 4의 실시예에 도시된 바와 같이, 제1 자석(115)은 제1 고정자(120)의 제1 측부(121)에 인접하고 제2 고정자(125)의 제1 측부(126)에 인접하여 위치설정된다. 도시된 바와 같이, 제1 자석(115)은 도시된 좌표 시스템의 x 축과 축방향으로 정렬되고 제1 고정자(120)와 제2 고정자(125) 사이에 위치설정된다. 제2 자석(205')은 제2 고정자(125)의 제2 주연부(129)에 인접하여 위치설정되고 미러 자석(210)은 제1 고정자(120)의 제1 주연부(124)에 인접하여 위치설정된다. 또한, 제2 자석(205')과 미러 자석(210')은 센서(100')의 종방향 축에 대해 반경방향으로 정렬된다.

도 5는 제2 자석(205')의 제2 자기 플럭스(250')와 미러 자석(210')의 제3 또는 미러 자기 플럭스(275')를 도시한다. 도시된 바와 같이, 미러 자기 플럭스(275')는 제2 자기 플럭스(250')에 대칭한다. 그러므로, 제2 자기 플럭스(250')와 미러 자기 플럭스(275')는 서로를 상쇄시킨다. 따라서, 자기 감지 소자(140)는 제1 자기 플럭스(300)만을 탐지한다.

도 6은 제2 자석(205")을 가지는 제2 센서(200")에 근접하여 위치한 제1 센서(100")의 제3 실시예를 도시한다. 이 경우, 제2 자석(205")은 최종 필드가 센서(100")의 종방향 축에 대해 대칭하는 방식으로 자화된다. 이러한 실시예에서, 제2 자석(205")은 제1 센서(100")의 제1 고정자 및 제2 고정자(120, 125)로부터 실질적으로 동일한 거리에 위치설정된다. 제2 자석(205")의 그러한 위치설정은 제1 및 제2 고정자(120, 125)와 제1 및 제2 컬렉터(130, 135)에 대칭인 제2 자기 플럭스(250")(도 7)를 초래하고, 그래서 제1 및 제2 고정자(120, 125)와 제1 및 제2 컬렉터(130, 135)는 대략 동일한 자기 플럭스를 수용한다. 그러므로, 자기 감지 소자(140)는 제1 자기 플럭스(300)만을 탐지한다. 도시된 바와 같이, 제2 자석(205")은 제1 및 제2 고정자(120, 125)로부터 반경방향으로 분리된다.

그러므로, 본 발명은 무엇보다도 자기 센서, 특히 토크 및/또는 각 센서에서의 자기 간섭을 밸런싱 및/또는 소거하기 위한 시스템과 방법을 제공한다. 본 발명의 다양한 특징 및 장점이 다음의 청구범위에서 제시된다.

Claims

감지 시스템이며,
제1 자기 필드를 가지는 제1 자석;
제1 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제1 고정자;
제1 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제2 고정자;
제1 고정자로부터 제1 자기 필드를 수집하기 위해 구성된 제1 컬렉터;
제2 고정자로부터 제1 자기 필드를 수집하기 위해 구성된 제2 컬렉터;
제1 자기 필드를 감지하기 위해 구성된 자기 감지 소자;
제2 자기 필드를 가지는 제2 자석; 그리고
제3 자기 필드를 가지는 제3 자석으로서, 제3 자기 필드가 제2 자기 필드에 대칭하도록 위치설정된 제3 자석
을 포함하는 감지 시스템.
제1항에 있어서,
제1 자석이 제1 자기 센서의 부분이며 제2 자석이 제2 자기 센서의 부분인 감지 시스템.
제1항에 있어서,
제3 자기 필드가 자기 감지 소자의 장소에서 제2 자기 필드를 실질적으로 상쇄하는 감지 시스템.
제1항에 있어서,
제1 자석에 결합된 입력 샤프트와 제1 고정자 및 제2 고정자에 결합된 출력 샤프트를 추가로 포함하는 감지 시스템.
제4항에 있어서,
자기 감지 소자가 입력 샤프트와 출력 샤프트 사이의 토크에 관한 자기 필드를 감지하기 위해 구성된 감지 시스템.
제4항에 있어서,
자기 감지 소자가 입력 샤프트와 출력 샤프트 사이의 위치에 관한 자기 필드를 감지하기 위해 구성된 감지 시스템.
제1항에 있어서,
감지 시스템이며,
제2 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제3 고정자;
제2 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제4 고정자;
제3 고정자로부터 제2 자기 필드를 수집하기 위해 구성된 제3 컬렉터;
제4 고정자로부터 제2 자기 필드를 수집하기 위해 구성된 제4 컬렉터; 그리고
제2 자기 필드를 감지하기 위해 구성된 제2 자기 감지 소자를 추가로 포함하는 감지 시스템.
제1항에 있어서,
제1 자석이 제1 고정자의 제1 측부와 제2 고정자의 제1 측부에 인접하여 위치하고, 제2 자석이 제1 고정자의 제2 측부에 인접하여 위치하고, 제3 자석이 제2 고정자의 제2 측부에 인접하여 위치한 감지 시스템.
제1항에 있어서,
제1 자석이 축방향으로 제2 고정자로부터 가장 먼 제1 고정자의 표면과 제1 고정자로부터 가장 먼 제2 고정자의 표면 사이에 축방향으로 위치하는 감지 시스템.
제9항에 있어서,
제2 자석이 반경 방향으로 제2 고정자의 주연부에 인접하여 위치하고, 제3 자석이 반경 방향으로 제1 고정자의 주연부에 인접하여 위치하는 감지 시스템.
감지 시스템이며,
제1 자기 센서로서,
제1 자기 필드를 가지는 제1 자석,
제1 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제1 고정자,
제1 자기 필드를 수용하기 위해 구성된 제2 고정자.
제1 고정자로부터 제1 자기 필드를 수집하기 위해 구성된 제1 컬렉터,
제2 고정자로부터 제1 자기 필드를 수집하기 위해 구성된 제2 컬렉터, 그리고
제1 자기 필드를 감지하기 위해 구성된 자기 감지 소자
를 포함하는 제1 자기 센서; 그리고
제2 자기 필드를 가지는 제2 자석으로서, 제1 고정자와 제2 고정자가 실질적으로 유사한 양의 제2 자기 필드를 수용하도록 위치설정되는 제2 자석
을 포함하는 감지 시스템.
제11항에 있어서,
제2 자석이 제2 자기 센서의 부분인 감지 시스템.
감지 시스템의 자기 필드를 감지하는 방법이며,
제1 자석으로 제1 자기 필드를 제공하는 단계;
제1 고정자로 제1 자기 필드의 적어도 일 부분을 수용하는 단계;
제2 고정자로 제1 자기 필드의 적어도 일 부분을 수용하는 단계;
제1 컬렉터로 제1 고정자로부터 제1 자기 필드의 적어도 일 부분을 수집하는 단계;
제2 컬렉터로 제2 고정자로부터 제1 자기 필드의 적어도 일 부분을 수집하는 단계;
제2 자석으로부터 제2 자기 필드를 수용하는 단계; 그리고
제3 자기 필드가 제2 자기 필드에 대칭하도록 제3 자기 필드를 가지는 제3 자석을 위치설정하는 단계
를 포함하는 방법.
제13항에 있어서,
제3 자석을 위치설정하는 단계가 자기 감지 소자에서 제2 자기 필드를 상쇄하는 제3 자기 필드를 포함하는 방법.
제13항에 있어서,
제1 고정자의 제1 측부와 제2 고정자의 제1 측부에 인접한 제1 장소에 제1 자석을 위치설정하는 단계;
제1 고정자의 제2 측부에 인접한 제2 장소에 제2 자석을 위치설정하는 단계;
제2 고정자의 제2 측부에 인접한 제3 장소에 제3 자석을 위치설정하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
제13항에 있어서,
제1 자석을 축방향으로 제2 고정자로부터 가장 먼 제1 고정자의 표면과 제1 고정자로부터 가장 먼 제2 고정자의 표면 사이에 축방향으로 위치설정하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
제16항에 있어서,
제2 자석을 반경 방향으로 제2 고정자의 주연부와 인접한 제2 장소에 위치설정하는 단계; 그리고
제3 자석을 반경 방향으로 제1 고정자의 주연부에 인접한 제3 장소에 위치설정하는 단계
를 추가로 포함하는 방법.