KR20170059199A - 유기 박막 트랜지스터의 제조방법, 유기 박막 트랜지스터, 그리고 박막의 표면 처리 장치 - Google Patents

유기 박막 트랜지스터의 제조방법, 유기 박막 트랜지스터, 그리고 박막의 표면 처리 장치 Download PDF

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Abstract

기판 위에 게이트 전극 및 게이트 절연체를 형성하는 단계, 상기 게이트 절연체 위에 자기조립막 전구체로부터 자기조립막을 형성하는 단계, 그리고 상기 자기조립막 위에 유기 반도체를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 자기조립막을 형성하는 단계와 상기 유기 반도체를 형성하는 단계 사이에 상기 자기조립막 표면에 적어도 2개 방향으로 마찰력을 가하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 상기 방법으로 제조된 유기 박막 트랜지스터와 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다. 또한, 상기 방법의 수행에 사용되는 박막의 표면 처리 장치에 관한 것이다.

Description

유기 박막 트랜지스터의 제조방법, 유기 박막 트랜지스터, 그리고 박막의 표면 처리 장치{METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, AND DEVICE OF TREATING SURFACE OF THIN FILM}
유기 박막 트랜지스터와 그 제조 방법, 그리고 박막의 표면 처리 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등의 평판 표시 장치는 복수 쌍의 전기장 생성 전극과 그 사이에 들어 있는 전기 광학 활성층을 포함한다. 액정 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 액정층을 포함하고, 유기 발광 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 유기 발광층을 포함한다.
한 쌍을 이루는 전기장 생성 전극 중 하나는 통상 스위칭 소자에 연결되어 전기 신호를 인가받고, 전기 광학 활성층은 이 전기 신호를 광학 신호로 변환함으로써 영상을 표시한다.
평판 표시 장치에서는 스위칭 소자로서 삼단자 소자인 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 사용하며, 이 박막 트랜지스터를 제어하기 위한 주사 신호를 전달하는 게이트선(gate line)과 화소 전극에 인가될 신호를 전달하는 데이터선(data line)이 평판 표시 장치에 구비된다.
이러한 박막 트랜지스터 중에서, 규소(Si)와 같은 무기 반도체 대신 유기 반도체를 포함하는 유기 박막 트랜지스터(organic thin film transistor, OTFT)에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
유기 박막 트랜지스터는 유기 물질의 특성상 섬유(fiber) 또는 필름(film)과 같은 형태로 만들 수 있어서 가요성 표시 장치(flexible display device)의 핵심 소자로 주목받고 있다.
유기 박막 트랜지스터 소자에서 유기 반도체의 정렬도를 향상시키기 위하여 절연체 표면에 자기조립막을 형성할 수 있다. 이 때, 절연체 표면의 자기조립막의 평탄도는 유기 박막 트랜지스터 소자의 전하 이동 특성을 결정하는 데에 중요하다.
일 구현예는 기계적 세정 방식에 의해 절연체 표면, 및/또는 전극 표면에 형성된 자기조립막에 존재하는 다중 막과 파티클을 제거하여 자기조립막의 평탄도를 향상시킴으로써, 유기 박막 트랜지스터 소자의 전하 이동 특성을 높이려는 것이다.
일 구현예에 따르면, 기판 위에 게이트 전극 및 게이트 절연체를 형성하는 단계, 상기 게이트 절연체 위에 자기조립막 전구체로부터 자기조립막을 형성하는 단계, 그리고 상기 자기조립막 위에 유기 반도체를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 자기조립막을 형성하는 단계와 상기 유기 반도체를 형성하는 단계 사이에 상기 자기조립막 표면에 적어도 2개 방향으로 마찰력을 가하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공한다.
상기 마찰력을 가하는 단계는 상기 자기조립막 표면을 적어도 2개 방향으로 러빙(rubbing)하는 것을 포함할 수 있다.
상기 마찰력을 가하는 단계는 플레이트(plate), 드럼(drum), 또는 이들의 조합을 상기 자기조립막(150) 표면과 마찰시키는 것을 포함할 수 있다.
상기 마찰은 상기 기판과 실질적으로 수직인 회전 축을 가지는 플레이트(plate)의 회전에 의한 마찰, 상기 기판과 실질적으로 평행한 회전 축을 가지는 드럼(drum)의 회전에 의한 마찰, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 회전은 2,000 rpm 이하의 속도로 수행될 수 있다.
상기 플레이트의 적어도 일면, 그리고 상기 드럼의 표면은 천(cloth)이 적용되어 있는 부분을 포함할 수 있다.
상기 마찰은 상기 자기조립막이 형성된 기판의 수평 방향 이동에 의한 마찰을 포함할 수 있다.
상기 마찰력은 상기 자기조립막 표면의 소정의 면적(area)을 가지는 영역에 동시에 가해질 수 있다.
상기 자기조립막을 형성하는 단계는 침지(dipping), 증착, 또는 스핀 코팅의 방식으로 수행될 수 있다.
상기 자기조립막은 상기 절연체 바로 위에 형성될 수 있다.
상기 자기조립막 전구체는 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
X-Y-Z
상기 화학식 1에서,
X는 -SiX1X2X3, -COOH, -SOOH, -PO3H, -SO3H2, -COCl, -PO3H, -SO2Cl, -OPOCl2, -POCl2 또는 이들의 조합이고, 여기서 X1, X2 및 X3는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 히드록시기 또는 할로겐기이고,
Y는 -(CH2)n- (n은 0 내지 30의 정수) 또는 -(CF2)m- (m은 0 내지 30의 정수) 또는 이들의 조합이고,
Z는 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 할로알킬기, 할로겐기, 티올기, 아민기, 니트로기 또는 이들의 조합이다.
상기 자기조립막을 형성하는 단계와 상기 자기조립막 표면에 마찰력을 가하는 단계 사이에 상기 자기조립막 표면에 액상물질을 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 액상물질은 헥산, 사이클로헥산, 클로로포름, 아니솔, 메시틸렌, 크실렌, 톨루엔, 케톤, 에테르, 아세테이트, 알코올, 아미드, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 자기조립막을 형성하는 단계와 상기 액상물질을 도포하는 단계 사이에 상기 자기조립막을 열, 음파, 산, 염기 또는 이들의 조합으로 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 음파 처리는 상기 자기조립막 표면에 도포되는 액상물질과 동종 또는 이종인 액상물질에 상기 자기조립막을 침지시킨 상태에서 수행될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 지면과 실질적으로 수직 또는 평행한 회전 축을 가지는 회전체를 포함하고, 상기 회전체는 상기 박막의 표면에서 회전하여 상기 박막의 표면에 적어도 2개 방향으로 마찰력을 가하는 박막의 표면 처리 장치를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상술한 방법으로 제조된 유기 박막 트랜지스터를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 유기 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
자기조립막의 평탄도를 향상시킴으로써, 이의 위에 형성되는 유기 반도체 박막의 내부 결정 크기를 증가시킬 수 있고, 결과적으로 유기 박막 트랜지스터 소자의 전하 이동 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이고,
도 2는 다른 구현예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이고,
도 3 내지 도 5은 도 1의 박막 트랜지스터의 일 구현예에 따른 제조 방법을 차례로 도시한 단면도이고,
도 6은 상기 조기조립단층 표면에 마찰력이 가해지는 일 예를 설명하는 개략도이고,
도 7은 상기 조기조립단층 표면에 마찰력이 가해지는 다른 일 예를 설명하는 개략도이고,
도 8은 실시예 1에 따른 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 보여주는 그래프이고,
도 9는 실시예 2에 따른 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 보여주는 그래프이고,
도 10은 비교예 1에 따른 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 보여주는 그래프고,
도 11은 실시예 1에 따른 자기조립막 표면의 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지이고,
도 12는 실시예 2에 따른 자기조립막 표면의 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지이고,
도 13은 비교예 1에 따른 자기조립막 표면의 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지이고,
도 14는 실시예 1에 따른 유기반도체의 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지이고,
도 15는 실시예 1에 따른 유기반도체의 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지이고,
도 16은 비교예 1에 따른 유기반도체의 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현 예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 일 구현예에 따른 유기 박막 트랜지스터에 대하여 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
투명한 유리, 실리콘 또는 플라스틱 따위로 만들어진 기판(110) 위에 게이트 전극(124)이 형성되어 있다.
게이트 전극(124)은 게이트 신호를 전달하는 게이트선(도시하지 않음)과 연결되어 있다.
게이트 전극(124) 위에는 게이트 절연체(140)가 형성되어 있다.
게이트 절연체(140)는 유기 물질, 무기 물질 또는 이들의 조합으로 만들어질 수 있으며, 유기 물질의 예로는 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol)계 화합물, 폴리이미드(polyimide)계 화합물, 폴리아크릴(polyacryl)계 화합물, 폴리스티렌(polystyrene)계 화합물, 벤조시클로부탄(benzocyclobutane, BCB) 따위의 용해성 고분자 화합물을 들 수 있고, 무기 물질의 예로는 질화규소(SiNx), 산화알루미늄(Al2O3) 및 산화규소(SiO2)를 들 수 있으며, 단일막 또는 2층 이상의 적층막일 수 있다.
게이트 절연체(140) 위에는 자기조립막(150)이 형성되어 있다.
자기조립막(150)은 예컨대 절연체에 대하여 친화성을 가지는 일단 또는 양단을 가지는 자기 조립 단층 전구체로부터 만들어질 수 있다.
상기 자기 조립 단층(150)의 전구체는 예컨대 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
X-Y-Z
상기 화학식 1에서,
X는 -SiX1X2X3, -COOH, -SOOH, -PO3H, -SO3H2, -COCl, -PO3H, -SO2Cl, -OPOCl2, -POCl2 또는 이들의 조합이고, 여기서 X1, X2 및 X3는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 히드록시기 또는 할로겐기이고,
Y는 -(CH2)n- (n은 0 내지 30의 정수) 또는 -(CF2)m- (m은 0 내지 30의 정수) 또는 이들의 조합이고,
Z는 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 할로알킬기, 할로겐기, 티올기, 아민기, 니트로기 또는 이들의 조합이다.
예컨대 상기 자기조립막(150)의 전구체는 하기 그룹 1에 나열된 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 1]
Figure pat00001
한편, 게이트 절연체(140) 및 자기조립막(150) 위에는 유기 반도체(154)가 형성되어 있다.
유기 반도체(154)는 펜타센(pentacene)과 그 전구체, 테트라벤조포피린(tetrabenzoporphyrin)과 그 유도체, 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene)과 그 유도체, 폴리플러렌(polyfluorene)과 그 유도체, 폴리티닐렌비닐렌(polythienylenevinylene)과 그 유도체, 폴리티오펜(polythiophene)과 그 유도체, 폴리티아졸(polythiazol)과 그 유도체, 폴리티에노티오펜(polythienothiophene)과 그 유도체, 폴리아릴아민(polyarylamine)과 그 유도체, 프탈로시아닌(phthalocyanine)과 그 유도체, 금속화 프탈로시아닌(metallized phthalocyanine) 또는 그의 할로겐화 유도체, 페릴렌테트라카르복실산 이무수물(perylenetetracarboxylic dianhydride, PTCDA), 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물(naphthalenetetracarboxylic dianhydride, NTCDA) 또는 이들의 이미드 유도체, 페릴렌(perylene) 또는 코로넨(coronene)과 그들의 치환기를 포함하는 유도체와 이들의 공중합체 중에서 선택된 적어도 하나로 만들어질 수 있다.
자기조립막(150)은 유기 반도체(154)와 게이트 절연체(140) 사이에 형성되어 유기 반도체 물질의 분자 정렬도를 향상시켜 박막 트랜지스터의 채널이 형성되는 부분의 결함(defects)을 줄일 수 있고 전하 이동도를 개선할 수 있다.
자기조립막(150) 위에는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)이 형성되어 있다.
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 게이트 전극(124)을 중심으로 마주하고 있다. 소스 전극(173)은 데이터 신호를 전달하는 데이터선(도시하지 않음)과 전기적으로 연결되어 있다.
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
도 1에서는 박막 트랜지스터의 일 예로서 상부 접촉(top contact) 구조의 박막 트랜지스터에 대해서만 설명하였지만, 이에 한정되지 않고 하부 접촉(bottom contact) 구조를 포함한 모든 구조의 박막 트랜지스터에 동일하게 적용될 수 있다.
도 2는 다른 구현예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다. 2에 도시된 유기 박막 트랜지스터는 하부 접촉(bottom contact) 구조를 가진다.
일 예로 도 1에 도시한 바와 같이 자기조립막(150)은 게이트 절연체(140)의 바로 위에 형성될 수 있지만, 다른 일 예로 도 2에 도시한 바와 같이 자기조립막(150, 160)은 게이트 절연체(140)의 바로 위, 및/또는, 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)의 바로 위에 형성될 수 있다. 도 2를 참고하면, 유기 반도체(154)와 게이트 절연체(140) 사이에 형성되는 자기조립막(150)은 유기 반도체 물질의 분자 정렬도를 향상시켜 박막 트랜지스터의 채널이 형성되는 부분의 결함(defects)을 줄일 수 있고 전하 이동도를 개선할 수 있고, 유기 반도체(154)와 소스 전극(173) 사이 및 유기 반도체(154)와 드레인 전극(175) 사이에 형성되는 자기조립막(160)은 전하 주입층으로서 역할을 하여 이들 사이의 접촉 저항을 낮추고 전하 이동성을 높일 수 있다.
자기조립막(160)의 전구체는 예컨대 티올계 화합물, 티오아세틸계 화합물, 디설파이드계 화합물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
예컨대 자기조립막(160)의 전구체는 하기 그룹 2에 나열된 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2]
Figure pat00002
상기 자기조립막(160)의 전구체는 예컨대 상기 그룹 2에 도시된 펜타플루오로벤젠티올(pentafluorobenzenethiol)과 같이 불소 함유 티올계 화합물을 포함할 수 있다.
이하 상기 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법에 대하여 도 3 내지 도 5를 도 1과 함께 참고하여 설명한다.
도 3 내지 도 5은 도 1의 박막 트랜지스터의 일 구현예에 따른 제조 방법을 차례로 도시한 단면도이다.
도 3를 참고하면, 기판(110) 위에 도전층을 스퍼터링으로 적층한 후 사진 식각하여 게이트 전극(124)을 형성한다.
다음 도 4를 참고하면, 게이트 전극(124) 위에 게이트 절연체(140)를 형성한다. 게이트 절연체(140)는 예컨대 화학기상증착과 같은 건식 공정 또는 스핀 코팅, 잉크젯 인쇄와 같은 용액 공정으로 형성할 수 있다.
이어서 게이트 절연체(140) 위에 자기조립막(150)을 형성한다.
자기조립막(150)을 형성하기 이전에 게이트 절연체(140)의 표면을 전처리(pre-treatment)할 수 있다. 상기 전처리는 게이트 절연체(140)의 표면이 후술하는 자기조립막(150)의 전구체들과 용이하게 반응하도록 활성화하는 단계이다. 상기 전 처리는 생략할 수도 있다. 상기 전 처리는 게이트 절연체(140)를 산소 플라즈마 처리하거나, UV-오존 처리하는 것일 수 있다.
자기조립막(150)은 예컨대 침지(dipping), 증착, 또는 스핀 코팅의 방식으로 수행될 수 있다. 자기조립막(150)은 예컨대 용액 공정으로 수행될 수 있다. 상기 용액 공정에서 용매로서 예컨대 헥산 등의 지방족 탄화수소 용매; 아니솔, 메시틸렌, 자이렌 등의 방향족 탄화수소 용매; 메틸이소부틸케톤, 1-메틸-2-피롤리디논, 아세톤 등의 케톤계 용매; 사이클로헥사논, 테트라하이드로퓨란, 이소프로필에테르 등의 에테르계 용매; 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 등의 아세테이트계 용매; 이소프로필알코올, 부틸알코올 등의 알코올계 용매; 디메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매; 실리콘계 용매; 또는 이들의 조합이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5를 참고하면, 게이트 절연체(140) 위에 자기조립막 전구체(151)를 공급하면 자기조립막 전구체(151)는 자기 정렬에 의해 게이트 절연체(140) 위에 정렬된다.
그러나, 도 5에 도시한 바와 같이, 자기조립막 전구체(151)가 단일 막(single layer)이 아닌 다중막(multi-layer)을 형성하거나 파티클(particle) 형태로서 존재할 수 있다. 이는 게이트 절연체(140) 및 자기조립막 전구체(151) 간의 반응성, 그리고 자기조립막 전구체(151) 상호 간의 반응성이 서로 비슷하여, 그리고 자기조립막 전구체(151) 상호 간에 중합 반응이 일어나는 것에 기인한다. 상기 파티클은 예컨대 자기조립막 전구체(151)의 모이어티끼리 반응하여 형성될 수 있다. 이와 같이 게이트 절연체(140) 표면에 형성되는 다중 막이나 파티클은 게이트 절연체(140) 표면의 거칠기(roughness)를 증가시켜, 결과적으로 유기 박막 트랜지스터 소자의 신뢰성을 저해할 수 있다.
일 구현예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법은 자기조립막 전구체(151)으로부터 형성된 자기조립막(150)의 표면에 소정의 처리를 가하는 단계를 포함한다.
상기 표면 처리는 자기조립막(150)을 형성한 후 유기 반도체(154)를 형성하기 전에 자기조립막(150) 표면에 마찰력을 가하는 것일 수 있다. 상기 마찰력은 랜덤(random) 방향으로 가해지며, 적어도 2개의 방향으로 가해질 수 있다.
이에 따라, 자기조립막(150)의 표면에 부착되어 있는 파티클이나 다중 막을 효율적으로 제거할 수 있어, 결과적으로 박막의 평탄도를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 유기 반도체(154)의 정렬도가 높아지고 반도체의 그레인 크기(grain size)가 증가하여, 결과적으로 유기 박막 트랜지스터의 신뢰성 향상으로 이어질 수 있다.
예를 들어, 상기 마찰력을 가하는 단계는 자기조립막(150) 표면을 적어도 2개 방향으로 러빙(rubbing)하는 과정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 마찰력을 가하는 단계는 플레이트(plate), 드럼(drum), 또는 이들의 조합을 상기 자기조립막(150) 표면과 마찰시키는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 플레이트(plate)란 소정의 두께를 가지는 평판을 의미하며, 두께나 평판의 면적은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 드럼(drum)은 원통형 형상을 가지는 입체를 의미하며, 원통의 길이나 너비는 특별히 한정되지 않는다.
상기 마찰은 일 예로 기판(110)과 실질적으로 수직인 회전 축을 가지는 플레이트(plate)를 자기조립막(150)의 표면에서 회전시키거나, 다른 일 예로 기판(110)과 실질적으로 평행한 회전 축을 가지는 드럼(drum)을 자기조립막(150)의 표면에서 회전시킴으로써 발생될 수 있다. 이를 대신하여, 또는 이와 동시에, 기판(110)을 수평 방향으로 이동시킴으로써 자기조립막(150) 표면과 상기 플레이트/드럼 간의 마찰을 일으킬 수도 있다.
도 6은 상기 조기조립단층 표면에 마찰력이 가해지는 일 예를 설명하는 개략도이고, 도 7은 상기 조기조립단층 표면에 마찰력이 가해지는 다른 일 예를 설명하는 개략도이다.
도 6을 참고하면, 자기조립막(150)이 형성되어 있는 기판(미도시)과 실질적으로 수직인 회전 축(200a)을 가지는 플레이트(200)를 자기조립막(150) 위에서 회전시킴으로써 플레이트(200)를 자기조립막(150) 표면과 마찰시킨다. 플레이트(200) 위에는 플레이트(200)와 결합된 막대(210)가 위치하며 막대(210)를 회전시킴으로써 플레이트(200)가 회전하여 자기조립막(150)의 표면과 플레이트(200)가 접하는 영역에서 마찰력이 발생한다. 도 6을 참고하면, 상기 마찰력은 자기조립막(150) 표면의 소정의 면적(area)을 가지는 영역, 즉, 자기조립막(150)의 표면과 플레이트(200)가 접하는 영역에 동시에 가해질 수 있고, 이에 따라 자기조립막(150)의 전체 면적에 걸쳐 파티클 제거가 가능하다. 도 6에서와 같이 플레이트(200)가 회전할 경우 마찰력은 무수히 많은 방향으로 자기조립막(150) 표면에 가해질 수 있다.
도 7을 참고하면, 자기조립막(150)이 형성되어 있는 기판(미도시)과 실질적으로 평행한 회전 축(300a)을 가지는 드럼(300)을 자기조립막(150) 위에서 회전시킴으로써 드럼(300)을 자기조립막(150) 표면과 마찰시킨다. 도 7에서 드럼(300)이 전 후 방향으로 회전할 경우 마찰력은 적어도 2개 방향으로 자기조립막(150) 표면에 가해질 수 있다.
도 6 및 7에서, 플레이트(200) 및 드럼(300)의 회전 속도는 예컨대 약 2,000 rpm 이하일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 6 및 7을 참고하면, 플레이트(200) 및 드럼 (300)은 자기조립막(150) 표면과 표면과 마찰되는 부분에 천(cloth)이 적용될 수 있다. 상기 천은 자기조립막(150) 표면의 파티클과 소정의 결합성을 가지고 이에 따라 파티클은 상기 천과 결합하여 자기조립막(150) 표면으로부터 제거될 수 있다. 상기 천의 재료는 특별히 제한되지 않으며 자기조립막(150)의 전구체의 물성을 고려하여 선택할 수 있다.
한편, 자기조립막(150)을 형성하는 단계와 자기조립막(150) 표면에 마찰력을 가하는 단계 사이에 자기조립막(150) 표면에 액상물질을 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 액상물질은 자기조립막(150) 표면에 도포되어, 자기조립막(150) 표면에 존재하는 파티클이 효율적으로 제거될 수 있도록 하는 보조 역할을 한다. 상기 액상물질은 예컨대 헥산, 사이클로헥산, 클로로포름, 아니솔, 메시틸렌, 크실렌, 톨루엔, 케톤, 에테르, 아세테이트, 알코올, 아미드, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 자기조립막(150)의 전구체의 물성을 고려하여 선택할 수 있다. 자기조립막(150)에 상기 액상물질을 도포한 후 상기 액상물질이 건조되기 이전에 자기조립막(150) 표면에 마찰력을 가하는 단계를 수행할 수 있다.
한편, 자기조립막(150)을 형성하는 단계와 상기 액상물질을 도포하는 단계 사이에 자기조립막(150)을 열처리, 음파 처리, 또는 산 및/또는 염기 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 음파 처리는 자기조립막(150) 표면에 도포되는 액상물질과 동종 또는 이종인 액상물질에 자기조립막(150)을 침지시킨 상태에서 진행될 수 있고 예컨대 1분 내지 10분 동안 실시할 수 있다. 상기 열처리는 예를 들어 100℃ 내지 200℃에서 10분 내지 60분 동안 실시할 수 있다.
다시 도 1을 참고하면, 자기조립막(150)의 표면 처리를 완료한 후, 자기조립막(150) 위에 유기 반도체(154)를 형성한다. 유기 반도체(154)는 화학기상증착과 같은 건식 공정 또는 스핀 코팅, 잉크젯과 같은 용액 공정으로 형성할 수 있다.
상술한 바와 같이, 자기조립막(150)을 형성한 후 유기 반도체(154)를 형성하기 전에 자기조립막(150) 표면에 적어도 2개 방향으로 마찰력을 가함으로써, 자기조립막(150)의 표면에 부착되어 있는 파티클이나 다중 막을 효율적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라 자기조립막(150)의 전체 면적에 걸쳐 제거가 가능하다. 이에 따라. 자기조립막(150)의 평탄도가 향상되어, 유기 반도체와 절연체 간의 접촉 저항을 낮추고 채널 특성을 개선할 수 있다.
상기 유기 박막 트랜지스터는 다양한 표시 장치에 적용될 수 있다. 상기 표시 장치는 예컨대 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치, 전기 영동 표시 장치 등 일 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
다른 일 구현예에 따르면, 상기 자기조립막의 표면에 마찰력을 가하는 박막의 표면 처리 장치를 제공한다.
상기 박막의 표면 처리 장치는 지면과 실질적으로 수직 또는 평행한 회전 축을 가지는 회전체를 포함하고, 상기 회전체는 상기 박막의 표면에서 회전하여 상기 박막의 표면에 적어도 2개 방향으로 마찰력을 가한다. 상기 박막의 표면과 접촉하는 부분에 천(cloth)이 적용될 수 있다. 도 6을 참고하면, 상기 박막의 표면 처리 장치(400)는 지면과 실질적으로 수직인 회전 축을 가지는 플레이트(200)를 포함하며, 플레이트(200)가 회전함에 따라 상기 박막의 표면에 마찰력을 가하여 박막의 표면을 개질할 수 있다. 플레이트(200)의 하부 면에는 천(cloth)이 적용될 수 있다. 도 6에 도시된 박막의 표면 처리 장치는 상기 박막 표면의 소정의 면적(area)을 가지는 영역에 동시에 마찰력을 가할 수 있다. 도 7을 참고하면, 지면과 실질적으로 평행한 회전 축을 가지는 드럼(300)이 회전함에 따라 상기 박막의 표면에 마찰을 가하여 박막의 표면을 개질할 수 있다. 드럼(300)의 표면에는 천(cloth)이 적용될 수 있다. 상기 박막은 상술한 자기조립막일 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
유기 박막 트랜지스터의 제조
실시예 1
SiO2 층, 및 인(P)이 도핑된 Si 기판 (SiO2/P doped Si) 위에 자기조립막을 형성시키고, 그 위에 유기 반도체를 증착한 후, 소스와 드레인 전극을 적층하여 상부 접촉 구조의 유기 박막 트랜지스터를 제작한다.
상기 SiO2/P doped Si 기판에 O2 플라즈마 처리를 100W 및 60초 조건에서 진행하여 수산화기를 활성화시킨다. 이어서, 옥타데실트리메톡시실란을 트리클로로에틸렌 용매에 용해시켜 용액 (octadecyltrimethoxysilane in trichloroethylene solution)을 준비하고, 상기 용액을 상기 플라즈마 처리된 기판에 스핀 코팅한다. 스핀 코팅은 먼저 10초간 상기 용액을 상기 기판에 웨팅시킨 후에 20초 및 3,000rpm 조건으로 진행한다. 이어서 NH4OH vapor 에 밤새 상기 기판을 노출시켜 자기조립막을 형성한다.
그 후, 형성된 자기조립막을 톨루엔 용매에 침지하여 3분간 초음파 세정을 실시한다. 그 후, 상기 자기조립막 표면에 톨루엔 용매를 도포한 후 클린 룸 면봉 (clean room swab)을 이용하여 상기 자기조립막 표면을 러빙(rubbing)하여 기계적 세정을 실시한다.
실시예 2
초음파 세정으로서 박막을 아세톤 및 이소프로필알콜에 순차로 침지시킨 후, 박막 표면에 아세톤 및 이소프로필알콜을 순차로 도포하여 기계적 세정을 실시하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 유기 박막 트랜지스터를 제작한다.
비교예 1
초음파 세정을 실시한 후, 톨루엔 용매의 도포 및 러빙의 실시를 생략하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 유기 박막 트랜지스터를 제작한다.
평가 1
실시예 1 및 2와 비교예 1에 따른 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 평가하였다. 전하 이동도는 Semiconductor Analyzer(4200-SCS, KEITHLEY 사 제조)를 사용하여 평가한다.
그 결과는 표 1 및 도 8 내지 10과 같다.
전하이동도(㎠/Vs)
실시예 1 8.43
실시예 2 6.52
비교예 1 3.07
도 8은 실시예 1에 따른 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 보여주는 그래프이고, 도 9는 실시예 2에 따른 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 보여주는 그래프이고, 도 10은 비교예 1에 따른 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 보여주는 그래프이다.
표 1 및 도 8 내지 10을 참고하면, 소정의 기계적 세정 과정을 거친 실시예 1 및 2에 따른 유기 박막 트랜지스터는 기계적 세정 과정을 거치지 않은 비교예 1에 따른 유기 박막 트랜지스터와 비교하여 전하 이동도가 우수함을 알 수 있다.
평가 2
실시예 1 및 2와 비교예 1에 따른 유기 박막 트랜지스터의 자기조립막 표면 특성을 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지와 표면 거칠기를 통해 확인한다.
그 결과는 표 2 및 도 11 내지 13과 같다.
표면거칠기 (nm)
실시예 1 0.22 이하
실시예 2 0.72 이하
비교예 1 1.67 이하
도 11은 실시예 1에 따른 자기조립막 표면의 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지이고, 도 12는 실시예 2에 따른 자기조립막 표면의 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지이고, 도 13은 비교예 1에 따른 자기조립막 표면의 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지이다.
표 2 및 도 11 내지 13을 참고하면, 소정의 기계적 세정 과정을 거친 실시예 1 및 2에 따른 유기 박막 트랜지스터는 기계적 세정 과정을 거치지 않은 비교예 1에 따른 유기 박막 트랜지스터와 비교하여 절연체 위에 형성된 자기조립막이 표면 거칠기가 양호하여 평탄도가 개선됨을 알 수 있다.
평가 3
실시예 1 및 2와 비교예 1에 따른 유기 박막 트랜지스터의 유기 반도체 정렬도를 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지를 통해 확인한다.
그 결과는 도 14 내지 16과 같다.
도 14는 실시예 1에 따른 유기반도체의 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지이고, 도 15는 실시예 1에 따른 유기반도체의 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지이고, 도 16은 비교예 1에 따른 유기반도체의 원자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 이미지이다.
도 14 내지 16을 참고하면, 소정의 기계적 세정 과정을 거친 실시예 1 및 2에 따른 유기 박막 트랜지스터는 기계적 세정 과정을 거치지 않은 비교예 1에 따른 유기 박막 트랜지스터와 비교하여 유기 반도체의 정렬도가 우수함을 알 수 있다.
110: 기판 124: 게이트 전극
140: 게이트 절연체 150, 160: 자기조립막
151: 자기조립막 전구체 154: 유기 반도체
173: 소스 전극 175: 드레인 전극

Claims (20)

  1. 기판 위에 게이트 전극 및 게이트 절연체를 형성하는 단계,
    상기 게이트 절연체 위에 자기조립막 전구체로부터 자기조립막을 형성하는 단계, 그리고
    상기 자기조립막 위에 유기 반도체를 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 자기조립막을 형성하는 단계와 상기 유기 반도체를 형성하는 단계 사이에 상기 자기조립막 표면에 적어도 2개 방향으로 마찰력을 가하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 마찰력을 가하는 단계는 상기 자기조립막 표면을 적어도 2개 방향으로 러빙(rubbing)하는 것을 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  3. 제1항에서,
    상기 마찰력을 가하는 단계는 플레이트(plate), 드럼(drum), 또는 이들의 조합을 상기 자기조립막(150) 표면과 마찰시키는 것을 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  4. 제3항에서,
    상기 마찰은 상기 기판과 실질적으로 수직인 회전 축을 가지는 플레이트(plate)의 회전에 의한 마찰, 상기 기판과 실질적으로 평행한 회전 축을 가지는 드럼(drum)의 회전에 의한 마찰, 또는 이들의 조합을 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  5. 제4항에서,
    상기 회전은 2,000 rpm 이하의 속도로 수행되는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  6. 제3항에서,
    상기 플레이트의 적어도 일면, 그리고 상기 드럼의 표면은 천(cloth)이 적용되어 있는 부분을 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  7. 제3항에서,
    상기 마찰은 상기 자기조립막이 형성된 기판의 수평 방향 이동에 의한 마찰을 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  8. 제1항에서,
    상기 마찰력은 상기 자기조립막 표면의 소정의 면적(area)을 가지는 영역에 동시에 가해지는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  9. 제1항에서,
    상기 자기조립막을 형성하는 단계는 침지, 증착, 또는 스핀 코팅의 방식으로 수행되는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  10. 제1항에서,
    상기 자기조립막은 상기 절연체 바로 위에 형성되는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  11. 제10항에서,
    상기 자기조립막 전구체는 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법:
    [화학식 1]
    X-Y-Z
    상기 화학식 1에서,
    X는 -SiX1X2X3 , -COOH, -SOOH, -PO3H, -SO3H2, -COCl, -PO3H, -SO2Cl, -OPOCl2, -POCl2 또는 이들의 조합이고, 여기서 X1 , X2 및 X3는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 히드록시기 또는 할로겐기이고,
    Y는 -(CH2)n- (n은 0 내지 30의 정수) 또는 -(CF2)m- (m은 0 내지 30의 정수) 또는 이들의 조합이고,
    Z는 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 할로알킬기, 할로겐기, 티올기, 아민기, 니트로기 또는 이들의 조합이다.
  12. 제1항에서,
    상기 자기조립막을 형성하는 단계와 상기 자기조립막 표면에 마찰력을 가하는 단계 사이에 상기 자기조립막 표면에 액상물질을 도포하는 단계를 더 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 액상물질은 헥산, 사이클로헥산, 클로로포름, 아니솔, 메시틸렌, 크실렌, 톨루엔, 케톤, 에테르, 아세테이트, 알코올, 아미드, 또는 이들의 조합을 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  14. 제12항에서,
    상기 자기조립막을 형성하는 단계와 상기 액상물질을 도포하는 단계 사이에 상기 자기조립막을 열, 음파, 산, 염기, 또는 이들의 조합으로 처리하는 단계를 더 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  15. 제14항에서,
    상기 음파 처리는 상기 자기조립막 표면에 도포되는 액상물질과 동종 또는 이종인 액상물질에 상기 자기조립막을 침지시킨 상태에서 수행되는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  16. 지면과 실질적으로 수직 또는 평행한 회전 축을 가지는 회전체를 포함하고,
    상기 회전체는 상기 박막의 표면에서 회전하여 상기 박막의 표면에 적어도 2개 방향으로 마찰력을 가하는 박막의 표면 처리 장치.
  17. 제16항에서,
    상기 회전체는 지면과 실질적으로 수직인 회전 축을 가지는 플레이트(plate), 지면과 실질적으로 평행한 회전 축을 가지는 드럼(drum), 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 플레이트의 적어도 일면, 그리고 상기 드럼의 표면은 천(cloth)이 적용되어 있는 부분을 포함하는 박막의 표면 처리 장치.
  18. 제16항에서,
    상기 박막은 자기조립막인 박막의 표면 처리 장치.
  19. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따라 제조된 유기 박막 트랜지스터.
  20. 제19항에 따른 유기 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190065642A (ko) * 2017-12-04 2019-06-12 한국화학연구원 유기절연체 표면처리 기술 및 이를 이용한 박막 트랜지스터
KR20190069946A (ko) * 2017-12-12 2019-06-20 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단 표면 개질된 고분자막의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전자소자의 제조방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10388895B2 (en) * 2017-11-07 2019-08-20 Shenzhen China Star Optoelectonics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic thin film transistor with charge injection layer and manufacturing method thereof

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101086159B1 (ko) * 2005-01-07 2011-11-25 삼성전자주식회사 불소계 고분자 박막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
KR101157270B1 (ko) * 2006-02-17 2012-06-15 삼성전자주식회사 유기박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된유기박막 트랜지스터
TWI365551B (en) * 2007-12-14 2012-06-01 Ind Tech Res Inst Method of fabricating a electrical device
KR101508780B1 (ko) * 2008-09-18 2015-04-03 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된 유기 박막 트랜지스터
US9276226B2 (en) * 2010-05-19 2016-03-01 Northwestern University Organic-inorganic hybrid multilayer gate dielectrics for thin-film transistors
CN103094325B (zh) * 2011-11-02 2016-08-10 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及其制造方法
KR101958990B1 (ko) * 2012-05-04 2019-03-15 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR102450399B1 (ko) * 2015-10-06 2022-09-30 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법, 그리고 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 전자 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190065642A (ko) * 2017-12-04 2019-06-12 한국화학연구원 유기절연체 표면처리 기술 및 이를 이용한 박막 트랜지스터
KR20190069946A (ko) * 2017-12-12 2019-06-20 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단 표면 개질된 고분자막의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전자소자의 제조방법
US11050024B2 (en) 2017-12-12 2021-06-29 Center For Advanced Soft Electronics Method of manufacturing surface-modified polymer film and method of fabricating organic electronic device comprising the same

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