KR20170048725A - 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 발광소자는 제1도전형 반도체층과, 상기 제1도전형 반도체층 상에 InGaN 조성의 다수개의 양자우물과 양자벽을 포함하는 활성층과, 상기 활성층 상에 제2도전형 반도체층을 포함하고, 상기 양자우물은 제1양자우물과 상기 제1양자우물보다 인듐 조성비가 높은 제2양자우물이 교대로 배치된다.
Description
실시예는 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템에 관한 것으로, 특히 서로 다른 인듐 조성비를 가진 다수개의 양자우물을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
발광소자(light emitting diode)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공이 결합하여 전도대(conduction band)와 가전대(valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하고, 상기 에너지가 빛으로 발산되면 발광소자가 된다.
질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(blue) 발광소자, 녹색(green) 발광소자, 및 자외선(UV) 발광소자는 상용화되어 널리 사용되고 있다.
한편, 빛이 발산되는 활성층은 양자우물과 양자벽이 교대로 배치되나, 양자우물과 양자벽 간의 격자 불일치(lattice mismatch)로 인해 고품위 박막을 얻기 어려운 문제가 있으며, 랜덤한 위치에 인듐이 집중되어 캐리어가 구속되는 문제가 있다.
실시예는 서로 다른 인듐 조성비를 가진 다수개의 양자우물을 배치하여 캐리어 구속 효율이 향상된 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자는 제1도전형 반도체층과, 상기 제1도전형 반도체층 상에 InGaN 조성의 다수개의 양자우물과 양자벽을 포함하는 활성층과, 상기 활성층 상에 제2도전형 반도체층을 포함하고, 상기 양자우물은 제1양자우물과 상기 제1양자우물보다 인듐 조성비가 높은 제2양자우물이 교대로 배치된다.
실시예는 서로 다른 인듐 조성비를 가진 다수개의 양자우물을 배치하여 캐리어 구속(Carrier Confinement) 효율을 높여 광효율을 향상시키는 효과가 있다.
실시예는 인듐 조성비가 높은 양자우물에 캐리어 구속 효율을 높여 랜덤한 위치에 캐리어가 구속되는 문제를 해결하는 효과가 있다.
실시예는 양자우물과 양자벽을 교대로 배치되어 생기는 스트레스를 완화시키는 효과가 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자의 밴드갭 다이어그램이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자의 밴드갭 다이어그램이다.
도 4는 실시예에 따른 발광소자의 밴드갭 에너지를 나타내는 도면이다.
도 5는 종래기술에 따른 발광소자의 발광 강도 예시도이고, 도 6은 실시예에 따른 발광소자의 발광 강도 예시도이다.
도 7은 종래기술에 따른 발광소자의 발광 강도 예시도이고, 도 8은 실시예에 따른 발광소자의 발광 강도 예시도이다.
도 9는 종래기술에 따른 발광소자의 전위 영역 예시도이고, 도 10은 실시예에 따른 발광소자의 전위 영역 예시도이다.
도 11은 종래기술에 따른 발광소자의 홀 집중도 예시도이고, 도 12는 실시예에 따른 발광소자의 홀 집중도 예시도이다.
도 13은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 14와 도 15는 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 시스템의 실시예들을 나타낸 분해 사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자의 밴드갭 다이어그램이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자의 밴드갭 다이어그램이다.
도 4는 실시예에 따른 발광소자의 밴드갭 에너지를 나타내는 도면이다.
도 5는 종래기술에 따른 발광소자의 발광 강도 예시도이고, 도 6은 실시예에 따른 발광소자의 발광 강도 예시도이다.
도 7은 종래기술에 따른 발광소자의 발광 강도 예시도이고, 도 8은 실시예에 따른 발광소자의 발광 강도 예시도이다.
도 9는 종래기술에 따른 발광소자의 전위 영역 예시도이고, 도 10은 실시예에 따른 발광소자의 전위 영역 예시도이다.
도 11은 종래기술에 따른 발광소자의 홀 집중도 예시도이고, 도 12는 실시예에 따른 발광소자의 홀 집중도 예시도이다.
도 13은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 14와 도 15는 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 시스템의 실시예들을 나타낸 분해 사시도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(100)는 기판(103), 기판(103) 상에 버퍼층(105), 버퍼층(105) 상에 제1도전형 반도체층(112), 제1도전형 반도체층(112) 상에 활성층(114), 활성층(114) 상에 제2도전형 반도체층(116), 제2도전형 반도체층(116) 상에 투광성 전극(120), 제1도전형 반도체층(112) 상에 제1전극(131)과 투광성 전극(120) 상에 제2전극(132)을 포함할 수 있다.
활성층(114)은 제1도전형 반도체층(112)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2도전형 반도체층(116)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 활성층(114)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 활성층(114)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
활성층(114)은 다수개의 양자우물, 양자벽을 포함할 수 있다. 예컨대, 활성층(114)은 제1도전형 반도체층(112) 상에 제1양자벽(114B1)과 제2양자벽(114B2)을 포함하는 양자벽(114B)과, 제1양자벽(114B1)과 제2양자벽(114B2) 사이에 배치되는 양자우물(114W)을 포함할 수 있다.
실시예는 양자우물(114W1) 내의 특정 영역에 인듐의 농도를 조절하여 랜덤한 위치에 인듐이 집중되어 캐리어가 구속되지 않고 상기 특정 영역에서 캐리어가 구속되어 발광 효율이 향상될 수 있다.
기판(103)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예컨대, 기판(103)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 기판(103) 위에는 요철 구조가 형성될 수 있고, 상기 요철 구조의 단면은 원형, 타원형 또는 다각형일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이때, 기판(103) 위에는 버퍼층(105)이 형성될 수 있다. 버퍼층(105)은 이후 형성되는 발광구조물의 재료와 기판(103)의 격자 부정합을 완화시켜 줄 수 있으며, 버퍼층의 재료는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
제1도전형 반도체층(112)은 버퍼층(105) 상에 배치될 수 있다. 제1도전형 반도체층(112)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 제1도전형 반도체층(112)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 제1도전형 반도체층(112a)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(112)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. 제1도전형 반도체층(112) 상에는 전극이 더 배치될 수 있다.
제1도전형 반도체층(112)은 매립형 산화물층(140) 상에 배치될 수 있다.제1도전형 반도체층(112)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 제1도전형 반도체층(112)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 제1도전형 반도체층(112)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 제1도전형 반도체층(112)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. 제1도전형 반도체층(112) 상에는 전극이 더 배치될 수 있다.
제2도전형 반도체층(116)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 제2도전형 반도체층(116)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 제2도전형 반도체층(116)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다.
제2도전형 반도체층(116)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 제2도전형 반도체층(116)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층을 보호할 수 있다.
투광성 전극(120)은 제2도전형 반도체층(116)의 상면에 배치될 수 있다. 이를 통해 투광성 전극(120)은 발광구조물(110)과 제2전극(132)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제1전극(131)은 제1도전형 반도체층(112a) 상에 배치될 수 있다. 제1전극(131)은 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo, Ti/Au/Ti/Pt/Au, Ni/Au/Ti/Pt/Au, Cr/Al/Ni/Cu/Ni/Au 등에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제2전극(132)은 투광성 전극(120) 상에 배치될 수 있고, 외부 전원에 연결되어 발광구조물(110)에 전원을 제공할 수 있다. 제2전극(132)은 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo, Ti/Au/Ti/Pt/Au, Ni/Au/Ti/Pt/Au, Cr/Al/Ni/Cu/Ni/Au 등에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자의 밴드갭 다이어그램이다.
도 2를 참조하면, 활성층(114)은 다수개의 양자우물과 양자벽을 포함할 수 있다. 예컨대, 활성층(114)은 제1도전형 반도체층(112) 상에 제1양자벽(114B1)과 제2양자벽(114B2)을 포함하는 양자벽(114B)과, 제1양자벽(114B1)과 제2양자벽(114B2) 사이에 배치되는 양자우물(114W)을 포함할 수 있다.
양자우물(114W)은 인듐(In)의 농도가 서로 다른 제1양자우물(114W1)과 제2양자우물(114W2)을 포함할 수 있고, 제1양자우물(114W1)과 제2양자우물(114W2)은 교대로 배치될 수 있다.
제2양자우물(114W2)의 인듐(In) 조성비는 제1양자우물(114W1)의 인듐 조성비의 2배일 수 있다. 제1양자우물(114W1)의 폭은 3nm 이상 3.5nm 이하일 수 있고, 제2양자우물(114W2)의 폭은 0.1nm 이상 3nm 이하일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 제1양자우물(114W1)의 인듐 조성비는 10%이고, 제2양자우물(114W2)의 인듐 조성비는 20%일 수 있다.
즉, 양자우물(114W1) 내의 제2양자우물(114W2)에서 캐리어 구속(carrier confinement)을 도와 제2양자우물(114W2)에서 캐리어의 존재 확률을 높이고 발광 재결합(radiateve recombination)을 촉진하여 발광 효율을 개선할 수 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자의 밴드갭 다이어그램이다.
도 3을 참조하면, 활성층(114)은 다수개의 양자우물과 양자벽을 포함할 수 있다. 예컨대, 활성층(114)은 제1도전형 반도체층(112) 상에 제1양자벽(114B1)과 제2양자벽(114B2)을 포함하는 양자벽(114B)과, 제1양자벽(114B1)과 제2양자벽(114B2) 사이에 배치되는 양자우물(114W)을 포함할 수 있다.
양자우물(114W)은 인듐(In)의 농도가 서로 다른 제1양자우물(114W1), 제2양자우물(114W2), 및 제3양자우물(114W3)을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 제1양자우물(114W1), 제2양자우물(114W2), 제3양자우물(114W3)은 교대로 배치될 수 있다.
제2양자우물(114W2)의 인듐(In) 조성비는 제1양자우물(114W1)의 인듐 조성비의 2배일 수 있다. 제1양자우물(114W1)의 폭은 3nm 이상 3.5nm 이하일 수 있고, 제2양자우물(114W2)의 폭은 0.1nm 이상 3nm 이하일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 제1양자우물(114W1)의 인듐 조성비는 10%이고, 제2양자우물(114W2)의 인듐 조성비는 20%일 수 있다.
제3양자우물(114W3)의 인듐(In) 조성비는 제1양자우물(114W1)의 인듐 조성비의 1.5배일 수 있다. 제3양자우물(114W3)의 폭은 0.1nm 이상 3nm 이하일 수 있고, 제3양자우물(114W3)의 인듐 조성비는 15%일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다.
즉, 양자우물(114W)내의 제2양자우물(114W2) 및 제3양자우물(114W3)에서 캐리어 구속(carrier confinement)을 도와 제2양자우물(114W2) 및 제3양자우물(114W3)에서 캐리어의 존재 확률을 높이고 발광 재결합(radiateve recombination)을 촉진하여 발광 효율을 개선할 수 있다.
도 4는 실시예에 따른 발광소자의 밴드갭 에너지를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 도 2의 실시예에 따른 발광소자의 위치에 따른 밴드갭 에너지를 나타낸 것으로, 240nm 내지 260nm 영역의 밴드갭 에너지가 인듐의 조성비에 기초하여 증가하는 것을 알 수 있다.
도 5는 종래기술에 따른 발광소자의 발광 강도 예시도이고, 도 6은 실시예에 따른 발광소자의 발광 강도 예시도이다.
도 5와 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자는 서로 다른 인듐 조성비를 가진 다수개의 양자우물을 배치하여 에너지가 3(eV)일 때, 종래기술(도 5)은 발광 강도가 7.00E21이고, 실시예(도 6)는 발광 강도가 1.10E22로서, 발광 강도가 1.5배 이상 개선되는 것을 알 수 있다.
도 7은 종래기술에 따른 발광소자의 발광 강도 예시도이고, 도 8은 실시예에 따른 발광소자의 발광 강도 예시도이다.
도 7과 도 8을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자는 실시예에 따른 발광소자는 서로 다른 인듐 조성비를 가진 다수개의 양자우물을 배치하여, 파장이 415(nm)일 때, 종래기술(도 7)은 발광 강도가 5.60E19이고, 실시예(도 8)는 발광 강도가 8.50E19로서, 발광 강도가 1.5배 이상 개선되는 것을 알 수 있다.
도 9는 종래기술에 따른 발광소자의 전위 영역 예시도이고, 도 10은 실시예에 따른 발광소자의 전위 영역 예시도이다.
도 9와 도 10을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자는 서로 다른 인듐 조성비를 가진 다수개의 양자우물을 배치하여, 240nm 내지 260nm 영역의 전위 영역이 부분적으로 증가하는 것을 알 수 있다.
도 11은 종래기술에 따른 발광소자의 홀 집중도 예시도이고, 도 12는 실시예에 따른 발광소자의 홀 집중도 예시도이다.
도 11과 도 12를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자는 실시예에 따른 발광소자는 서로 다른 인듐 조성비를 가진 다수개의 양자우물을 배치하여, 240nm 내지 260nm 영역에서 홀 집중도가 향상되는 것을 알 수 있다.
도 13은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
본 발명에 따른 발광 소자 패키지는 앞서 설명한 바와 같은 구조의 발광 소자가 장착될 수 있다.
발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체부(205)와, 패키지 몸체부(205) 상에 배치된 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과, 패키지 몸체부(205) 상에 배치되어 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(230)가 포함된다.
패키지 몸체부(205)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
발광 소자(100)는 패키지 몸체부(205) 상에 배치되거나 제3 전극층(213) 또는 제4 전극층(214) 상에 배치될 수 있다.
발광 소자(100)는 제3 전극층(213) 및/또는 제4 전극층(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 발광 소자(100)가 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 각각 와이어를 통해 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
몰딩부재(230)는 발광 소자(100)를 포위하여 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 몰딩부재(230)에는 형광체(232)가 포함되어 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
도 14와 도 15는 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 시스템의 실시예들을 나타낸 분해 사시도이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 광원 모듈(2200)은 본 발명에 따른 발광소자(100) 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.
또한, 도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 조명 장치는 커버(3100), 광원부(3200), 방열체(3300), 회로부(3400), 내부 케이스(3500), 소켓(3600)을 포함할 수 있다. 광원부(3200)는 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
103; 기판
105; 버퍼층
112; 제1도전형 반도체층
114; 활성층
116; 제2도전형 반도체층
120; 투광성 전극
131; 제1전극
132; 제2전극
105; 버퍼층
112; 제1도전형 반도체층
114; 활성층
116; 제2도전형 반도체층
120; 투광성 전극
131; 제1전극
132; 제2전극
Claims (11)
- 제1도전형 반도체층;
상기 제1도전형 반도체층 상에 InGaN 조성의 다수개의 양자우물과 양자벽을 포함하는 활성층;
상기 활성층 상에 제2도전형 반도체층을 포함하고,
상기 양자우물은 제1양자우물과 상기 제1양자우물보다 인듐 조성비가 높은 제2양자우물이 교대로 배치되는 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 제2양자우물의 인듐 조성비는 상기 제1양자우물의 인듐 조성비의 2배인 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1양자우물의 폭은 3nm 이상 3.5nm 이하인 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 제2양자우물의 폭은 0.1nm 이상 3nm 이하인 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1양자우물의 인듐 조성비는 10%이고, 상기 제2양자우물의 인듐 조성비는 20%인 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1양자우물보다 인듐 조성비가 크고, 제2양자우물 조성비보다 인듐 조성비가 낮은 제3양자우물을 더 포함하고, 상기 제3양자우물은 상기 제1양자우물과 교대로 배치되는 발광소자. - 제6항에 있어서,
상기 제3양자우물의 인듐 조성비는 상기 제1양자우물의 인듐 조성비보다 높은 발광소자. - 제6항에 있어서,
제3양자우물의 인듐 조성비는 제1양자우물의 인듐 조성비의 1.5배인 발광소자. - 제6항에 있어서,
상기 제3양자우물의 폭은 0.1nm 이상 3nm 이하인 발광소자. - 제6항에 있어서,
상기 제3양자우물의 인듐 조성비는 15%인 발광소자. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 발광소자를 포함하는 조명 시스템.
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|---|---|---|---|---|
| KR20080033666A (ko) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | 엘지전자 주식회사 | 질화물계 발광 소자 |
| KR20110072424A (ko) * | 2009-12-22 | 2011-06-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 |
| KR20120034952A (ko) * | 2010-10-04 | 2012-04-13 | 한국광기술원 | 질화물계 반도체 발광소자 |
-
2015
- 2015-10-27 KR KR1020150149167A patent/KR102432225B1/ko active IP Right Grant
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