KR20170043647A - 홀 기전력 신호 검출 회로 및 전류 센서 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 스피닝 커런트법에 의한 제1 및 제2 홀 소자 구동 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
도 3은 도 1에 도시하는 홀 기전력 신호 검출 회로에 있어서의 차동 신호 A1의 시간적 변화를 설명하기 위한 설명도이다.
도 4는 도 1에 도시하는 홀 기전력 신호 검출 회로에 있어서의 차동 신호 A2의 시간적 변화를 설명하기 위한 설명도이다.
도 5는 극성이 다른 스파이크 신호의 상쇄를 설명하기 위한 설명도이다.
도 6은 제1 실시 형태에 있어서의 홀 기전력 신호 검출 회로의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 7은 도 6의 홀 신호 피드백 네트워크의 구성의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 8은 제2 실시 형태에 있어서의 홀 기전력 신호 검출 회로의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 9는 도 8의 홀 신호 피드백 네트워크의 구성의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 10은 도 8의 홀 신호 피드백 네트워크의 변형예이다.
도 11은 제3 실시 형태에 있어서의 홀 기전력 신호 검출 회로의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 12는 제4 실시 형태에 있어서의 홀 기전력 신호 검출 회로의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 13은 제5 실시 형태에 있어서의 홀 기전력 신호 검출 회로의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 14는 도 13의 피드백 네트워크 컨트롤러의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
13, 14, 43, 44 : 스피닝 커런트 스위치
15, 16, 45, 46 : 홀 소자 구동 전류원
17 : 증폭단
18 : 초퍼 스위치
19, 51 : 출력단
20, 62 : 출력 신호 피드백 네트워크
21 : 피드백 초퍼 스위치
22 : 발진기
23 : 초퍼 클럭 생성기
24, 48 : 가산 노드
31, 47, 49 : 홀 신호 피드백 네트워크
31a, 47a : 복수 홀 코먼 전압 산출부
31b, 47b : 복수 홀 코먼 전압 제어부
101, 111, 121 : 비교부
102, 112, 122 : 가변 전류원
Claims (13)
- 복수의 단자를 갖는 제1 홀 소자와,
복수의 단자를 갖는 제2 홀 소자와,
상기 제1 홀 소자에 제1 홀 기전력 신호를 생성시키기 위해서, 상기 제1 홀 소자의 복수의 단자에 제1 순으로 구동 전류를 공급하는 제1 구동 전류 공급부와,
상기 제2 홀 소자에 제2 홀 기전력 신호를 생성시키기 위해서, 해당 제2 홀 기전력 신호에 중첩하는 스파이크 성분의 극성이 상기 제1 홀 기전력 신호에 중첩하는 스파이크 성분의 극성과 반대로 되는 제2 순으로 상기 제2 홀 소자의 복수의 단자에 구동 전류를 공급하는 제2 구동 전류 공급부와,
상기 제1 및 상기 제2 홀 기전력 신호의 코먼 전압이 기준 전압과 일치하도록 피드백 제어하는 제1 피드백 제어부와,
상기 제1 홀 기전력 신호를 제1 전류로 변환하는 제1 Gm 증폭기와,
상기 제2 홀 기전력 신호를 제2 전류로 변환하는 제2 Gm 증폭기와,
출력 전압과 상기 기준 전압의 차를 분압한 전압을 피드백하는 피드백부와,
상기 분압한 전압을 변조하는 변조 스위치와,
상기 변조된 전압을 피드백 전류로 변환하는 피드백용 Gm 증폭기와,
상기 제1 전류와 상기 제2 전류와 상기 피드백 전류를 가산하는 전류 가산부와,
상기 전류 가산부의 출력 신호를 복조하는 복조 스위치와,
상기 복조 스위치에서 복조한 신호를 증폭해서 상기 출력 전압으로서 출력하는 출력단과,
상기 기준 전압을 생성하는 기준 신호 생성 회로
를 구비하는 홀 기전력 신호 검출 회로. - 제1항에 있어서,
상기 제1 피드백 제어부는,
상기 제1 및 상기 제2 홀 기전력 신호의 평균 코먼 전압을 산출하는 복수 홀 코먼 전압 산출부와,
복수 홀 코먼 전압 제어부를 구비하고,
상기 복수 홀 코먼 전압 제어부는,
상기 복수 홀 코먼 전압 산출부에서 산출한 평균 코먼 전압과 상기 기준 전압의 비교 결과에 따라서, 상기 평균 코먼 전압과 상기 기준 전압을 일치시키는 복수 홀 코먼 전압 제어 신호를 출력하는 비교기와,
당해 비교기로부터 출력되는 상기 복수 홀 코먼 전압 제어 신호에 기초하여 홀 구동 보정 전류를 생성하고 상기 제1 구동 전류 공급부 및 상기 제2 구동 전류 공급부에 출력하는 가변 전류원을 구비하는 홀 기전력 신호 검출 회로. - 제1항에 있어서,
복수의 단자를 갖는 제3 홀 소자와,
복수의 단자를 갖는 제4 홀 소자와,
상기 제3 홀 소자에 제3 홀 기전력 신호를 생성시키기 위해서, 상기 제3 홀 소자의 복수의 단자에 상기 제1 순으로 구동 전류를 공급하는 제3 구동 전류 공급부와,
상기 제4 홀 소자에 제4 홀 기전력 신호를 생성시키기 위해서, 상기 제4 홀 소자의 복수의 단자에 상기 제2 순으로 구동 전류를 공급하는 제4 구동 전류 공급부와,
상기 제3 홀 기전력 신호를 제3 전류로 변환하는 제3 Gm 증폭기와,
상기 제4 홀 기전력 신호를 제4 전류로 변환하는 제4 Gm 증폭기
를 더 구비하고,
상기 제1 피드백 제어부는,
상기 제1, 상기 제2, 상기 제3 및 상기 제4 홀 기전력 신호의 코먼 전압이 상기 기준 전압과 일치하도록 피드백 제어하고,
상기 전류 가산부는,
상기 제1, 상기 제2, 상기 제3 및 상기 제4 전류와 상기 피드백 전류를 가산하는 홀 기전력 신호 검출 회로. - 제3항에 있어서,
상기 제1 피드백 제어부는,
상기 제1, 상기 제2, 상기 제3 및 상기 제4 홀 기전력 신호의 평균 코먼 전압을 산출하는 복수 홀 코먼 전압 산출부와,
복수 홀 코먼 전압 제어부를 구비하고,
상기 복수 홀 코먼 전압 제어부는,
상기 복수 홀 코먼 전압 산출부에서 산출한 평균 코먼 전압과 상기 기준 전압의 비교 결과에 따라서, 상기 평균 코먼 전압과 상기 기준 전압을 일치시키는 복수 홀 코먼 전압 제어 신호를 출력하는 비교기와,
당해 비교기로부터의 복수 홀 코먼 전압 제어 신호에 기초하여 홀 구동 보정 전류를 생성하고, 상기 제1, 상기 제2, 상기 제3 및 상기 제4 구동 전류 공급부에 출력하는 가변 전류원을 구비하는 홀 기전력 신호 검출 회로. - 제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 제1 피드백 제어부는,
상기 제1, 상기 제2, 상기 제3 및 상기 제4 홀 기전력 신호 중, 중첩하는 스파이크 성분의 극성이 서로 다른 2개의 신호에 기초하여, 상기 피드백 제어하는 홀 기전력 신호 검출 회로. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 출력 전압과 상기 기준 전압을 입력하고, 상기 출력단의 코먼 전압이 상기 기준 전압과 일치하도록 피드백 제어하는 제2 피드백 제어부를 더 구비하는 홀 기전력 신호 검출 회로. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전류 가산부에서 가산된 전류를 전압으로 변환해서 증폭하고, 상기 복조 스위치에 출력하는 증폭단을 더 구비하는 홀 기전력 신호 검출 회로. - 제7항에 있어서,
상기 증폭단은 코먼 전압 조정 단자를 갖고,
상기 출력 전압과 상기 기준 전압을 입력하고, 상기 출력단의 코먼 전압이 상기 기준 전압과 일치하도록 상기 코먼 전압 조정 단자에 제어 신호를 피드백하는 제3 피드백 제어부를 더 구비하는 홀 기전력 신호 검출 회로. - 복수의 단자를 갖는 제1 홀 소자와,
복수의 단자를 갖는 제2 홀 소자와,
상기 제1 홀 소자에 제1 홀 기전력 신호를 생성시키기 위해서, 상기 제1 홀 소자의 복수의 단자에 제1 순으로 구동 전류를 공급하는 제1 구동 전류 공급부와,
상기 제2 홀 소자에 제2 홀 기전력 신호를 생성시키기 위해서, 해당 제2 홀 기전력 신호에 중첩하는 스파이크 성분의 극성이 상기 제1 홀 기전력 신호에 중첩하는 스파이크 성분의 극성과 반대로 되는 제2 순으로 상기 제2 홀 소자의 복수의 단자에 구동 전류를 공급하는 제2 구동 전류 공급부와,
상기 제1 및 상기 제2 홀 기전력 신호의 코먼 전압이 제1 기준 전압과 일치하도록 피드백 제어하는 제1 피드백 제어부와,
상기 제1 홀 기전력 신호를 제1 전류로 변환하는 제1 Gm 증폭기와,
상기 제2 홀 기전력 신호를 제2 전류로 변환하는 제2 Gm 증폭기와,
출력 전압과 제2 기준 전압의 차를 분압한 전압을 피드백하는 피드백부와,
상기 분압한 전압을 변조하는 변조 스위치와,
상기 변조된 전압을 피드백 전류로 변환하는 피드백용 Gm 증폭기와,
상기 제1 전류와 상기 제2 전류와 상기 피드백 전류를 가산하는 전류 가산부와,
상기 전류 가산부의 출력 신호를 복조하는 복조 스위치와,
상기 복조 스위치에서 복조한 신호를 증폭해서 상기 출력 전압으로서 출력하는 출력단과,
상기 제1 기준 전압과 상기 제2 기준 전압을 생성하는 기준 신호 생성 회로를 구비하고, 상기 제1 기준 전압과 상기 제2 기준 전압은, 소정의 출력 온도 특성을 갖는 단일의 전압원에 기초하여 생성되는 홀 기전력 신호 검출 회로. - 제9항에 있어서, 상기 전압원의 출력 온도 특성은, 일정한 홀 기전력 신호 검출 회로.
- 복수의 단자를 갖는 제1 홀 소자와,
복수의 단자를 갖는 제2 홀 소자와,
상기 제1 홀 소자에 제1 홀 기전력 신호를 생성시키기 위해서, 상기 제1 홀 소자의 복수의 단자에 제1 순으로 구동 전류를 공급하는 제1 구동 전류 공급부와,
상기 제2 홀 소자에 제2 홀 기전력 신호를 생성시키기 위해서, 해당 제2 홀 기전력 신호에 중첩하는 스파이크 성분의 극성이 상기 제1 홀 기전력 신호에 중첩하는 스파이크 성분의 극성과 반대로 되는 제2 순으로 상기 제2 홀 소자의 복수의 단자에 구동 전류를 공급하는 제2 구동 전류 공급부와,
상기 제1 및 상기 제2 홀 기전력 신호의 코먼 전압이 기준 전압과 일치하도록, 상기 제1 및 상기 제2 홀 기전력 신호의 평균 코먼 전압을 산출하고, 산출한 평균 코먼 전압에 기초하여, 피드백 제어하는 제1 피드백 제어부와,
상기 제1 홀 기전력 신호를 제1 전류로 변환하는 제1 Gm 증폭기와,
상기 제2 홀 기전력 신호를 제2 전류로 변환하는 제2 Gm 증폭기와,
상기 제1 전류와 상기 제2 전류를 가산하는 전류 가산부와,
상기 전류 가산부로부터의 출력 신호를 증폭해서 출력하는 홀 기전력 신호 검출 회로. - 복수의 단자를 갖는 제1 홀 소자와,
복수의 단자를 갖는 제2 홀 소자와,
상기 제1 홀 소자에 제1 홀 기전력 신호를 생성시키기 위해서, 상기 제1 홀 소자의 복수의 단자에 제1 순으로 구동 전류를 공급하는 제1 구동 전류 공급부와,
상기 제2 홀 소자에 제2 홀 기전력 신호를 생성시키기 위해서, 해당 제2 홀 기전력 신호에 중첩하는 스파이크 성분의 극성이 상기 제1 홀 기전력 신호에 중첩하는 스파이크 성분의 극성과 반대로 되는 제2 순으로 상기 제2 홀 소자의 복수의 단자에 구동 전류를 공급하는 제2 구동 전류 공급부와,
상기 제1 및 상기 제2 홀 기전력 신호의 코먼 전압이 기준 전압과 일치하도록 피드백 제어하는 제1 피드백 제어부와,
상기 제1 홀 기전력 신호를 제1 전류로 변환하는 제1 Gm 증폭기와,
상기 제2 홀 기전력 신호를 제2 전류로 변환하는 제2 Gm 증폭기와,
상기 제1 전류와 상기 제2 전류를 가산하는 전류 가산부와,
상기 전류 가산부로부터의 출력 신호를 증폭해서 출력하는 홀 기전력 신호 검출 회로. - 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 홀 기전력 신호 검출 회로를 갖는 전류 센서.
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DE102018005676B4 (de) * | 2018-07-19 | 2025-05-08 | Tdk-Micronas Gmbh | Hall-Sensor und Verfahren zum Betreiben eines solchen |
EP3686619B1 (en) * | 2019-01-28 | 2022-12-07 | Melexis Technologies SA | Bridge magnetic sensor with dummy resistor structure |
EP3699554B1 (en) * | 2019-02-19 | 2021-07-28 | Integrated Device Technology, Inc. | Position sensor system, particularly for detecting rotary movement and method for detecting errors in a position sensor system |
JP2020178453A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | 日本電産株式会社 | モータ |
DE102019134077B4 (de) * | 2019-12-12 | 2021-07-22 | Infineon Technologies Ag | Signalverarbeitungsschaltung für einen Hall-Sensor und Signalverarbeitungsverfahren |
CN111289928B (zh) * | 2020-03-10 | 2022-03-15 | 无锡力芯微电子股份有限公司 | 霍尔器件测试系统和测试方法 |
JP7361648B2 (ja) * | 2020-03-27 | 2023-10-16 | エイブリック株式会社 | 磁気センサ装置 |
CN111443229B (zh) * | 2020-04-17 | 2022-03-04 | 南京新捷中旭微电子有限公司 | 一种具有导线定位功能的霍尔电流传感器 |
US11567107B2 (en) * | 2020-12-31 | 2023-01-31 | Texas Instruments Incorporated | Differential hall sensor |
CN113567761A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-10-29 | 成都通量科技有限公司 | 一种cmos全集成电磁检测的射频前端传感器 |
US12231048B2 (en) * | 2022-01-11 | 2025-02-18 | Mediatek Inc. | Apparatus and method for controlling transient boost circuit of voltage regulator through feedback signals obtained by differential sensing applied to output capacitor |
CN114551715B (zh) * | 2022-02-07 | 2025-05-02 | 厦门市必易微电子技术有限公司 | 信号处理电路及其信号处理方法和霍尔传感电路 |
DE112023001219T5 (de) * | 2022-03-03 | 2025-01-16 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Stromsensor und Stromerkennungsverfahren |
CN115469251B (zh) * | 2022-09-14 | 2025-02-18 | 无锡晟朗微电子有限公司 | 一种全集成闭环霍尔传感器装置 |
CN116736104B (zh) * | 2023-08-14 | 2023-12-08 | 天津普智芯网络测控技术有限公司 | 一种自动测试霍尔开关器件动作延迟时间的方法和系统 |
CN116930671B (zh) * | 2023-09-19 | 2023-11-21 | 成都光创联科技有限公司 | 一种用于电流驱动光器件性能测试的电路和方法 |
CN117538591B (zh) * | 2024-01-09 | 2024-04-12 | 赛卓电子科技(上海)股份有限公司 | 一种减小霍尔电流旋转时产生残余误差的方法及电路 |
CN120074409A (zh) * | 2025-04-28 | 2025-05-30 | 上海思立微电子科技有限公司 | 信号处理电路及霍尔检测装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10285001A (ja) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Toshiba Corp | コンパレータ回路 |
KR20120046393A (ko) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | 주식회사 에이디텍 | 온도보상형 발진기 |
US20140103921A1 (en) * | 2012-10-16 | 2014-04-17 | Melexis Technologies N.V. | Circuit and method for biasing a plate-shaped sensor element of semiconductor material |
JP2014517919A (ja) * | 2011-04-27 | 2014-07-24 | アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー | 磁界センサを自己較正または自己テストするための回路および方法 |
JP2014167422A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ホール起電力信号検出回路及びその電流センサ |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE59108800D1 (de) * | 1991-12-21 | 1997-08-28 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Offsetkompensierter Hallsensor |
DE59609727D1 (de) * | 1996-03-02 | 2002-10-31 | Micronas Gmbh | Monolithisch integrierte Sensorschaltung |
DE10032530C2 (de) * | 2000-07-05 | 2002-10-24 | Infineon Technologies Ag | Verstärkerschaltung mit Offsetkompensation |
DE102004029941B3 (de) * | 2004-06-21 | 2005-12-15 | Infineon Technologies Ag | System zur Auswertung eines Sensorsignals |
EP1637898A1 (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-22 | Liaisons Electroniques-Mecaniques Lem S.A. | Continuously calibrated magnetic field sensor |
JP2006126012A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Asahi Kasei Microsystems Kk | 磁電変換システム及び磁電変換装置並びにその制御回路 |
US8154281B2 (en) * | 2008-04-17 | 2012-04-10 | Infineon Technologies Ag | Sensor system wherein spinning phases of the spinning current hall sensor are lengthened in residual offset adjustment |
CN102109360B (zh) * | 2009-12-24 | 2012-07-11 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 线性霍尔传感器的信号处理电路 |
CN101886933B (zh) * | 2010-07-16 | 2012-06-06 | 灿瑞半导体(上海)有限公司 | 带温度补偿的霍尔开关电路 |
US8896303B2 (en) * | 2011-02-08 | 2014-11-25 | Infineon Technologies Ag | Low offset vertical Hall device and current spinning method |
US9622623B2 (en) * | 2011-07-19 | 2017-04-18 | Christopher Marshal KEE | Enclosure systems |
DE102012216388A1 (de) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | Infineon Technologies Ag | Hall-sensoren mit erfassungsknoten mit signaleinprägung |
CN202330528U (zh) * | 2011-11-28 | 2012-07-11 | 河北工业大学 | 双轴磁通门电流传感器 |
JP5802187B2 (ja) * | 2012-01-30 | 2015-10-28 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホール起電力信号検出回路及びその電流センサ |
CN102692544B (zh) * | 2012-06-08 | 2015-07-08 | 彭磊 | 一种静电电压测量装置及方法 |
DK201270411A (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-07 | Gn Resound As | BTE hearing aid having two driven antennas |
JP5732031B2 (ja) * | 2012-12-26 | 2015-06-10 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | パイプライン型a/dコンバータ |
US9164155B2 (en) * | 2013-01-29 | 2015-10-20 | Infineon Technologies Ag | Systems and methods for offset reduction in sensor devices and systems |
CN103197122B (zh) * | 2013-04-12 | 2015-04-08 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 一种电流检测电路以及应用其的开关型调节器 |
-
2015
- 2015-09-25 EP EP15844535.3A patent/EP3176593B1/en active Active
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10285001A (ja) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Toshiba Corp | コンパレータ回路 |
KR20120046393A (ko) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | 주식회사 에이디텍 | 온도보상형 발진기 |
JP2014517919A (ja) * | 2011-04-27 | 2014-07-24 | アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー | 磁界センサを自己較正または自己テストするための回路および方法 |
US20140103921A1 (en) * | 2012-10-16 | 2014-04-17 | Melexis Technologies N.V. | Circuit and method for biasing a plate-shaped sensor element of semiconductor material |
JP2014167422A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ホール起電力信号検出回路及びその電流センサ |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
일본 공표특허공보 특표2014-517919호(2014.07.24.) 1부. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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EP3176593B1 (en) | 2021-07-07 |
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WO2016047149A1 (ja) | 2016-03-31 |
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