KR20170038532A - 인쇄 조성물, 상기 인쇄 조성물로 제조된 경화막, 적층체, 경화막 형성방법 및 적층체 제조방법 - Google Patents

인쇄 조성물, 상기 인쇄 조성물로 제조된 경화막, 적층체, 경화막 형성방법 및 적층체 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 명세서는 인쇄 조성물, 상기 인쇄 조성물로 제조된 경화막, 적층체, 경화막 형성방법 및 적층체 제조방법에 관한 것이다.

Description

인쇄 조성물, 상기 인쇄 조성물로 제조된 경화막, 적층체, 경화막 형성방법 및 적층체 제조방법{PRINTING COMPOSITION, CURED FILM MANUFACTURED BY THE PRINTING COMPOSITION, LAMINATE, METHOD FOR FORMING THE CURED FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE LAMINATE}
본 명세서는 인쇄 조성물, 상기 인쇄 조성물로 제조된 경화막, 적층체, 경화막 형성방법 및 적층체 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치, 반도체 소자 등의 전자 소자는 기판 상에 수많은 층들의 패턴이 형성되어 제작된다. 이러한 패턴을 형성하기 위해서 지금까지는 포토리소그래피 공정이 주로 많이 사용되어 왔다. 그러나, 포토리소그래피 공정은 소정의 패턴 마스크를 제작해야 하고, 화학적 에칭, 스트립핑 과정을 반복해야 하므로 제작공정이 복잡하고, 환경에 유해한 화학 폐기물을 다량 발생시키는 문제점이 있다. 이는 곧 제작비용의 상승으로 연결되어 제품의 경쟁력을 떨어뜨린다. 이러한 포토리소그래피 공정의 단점을 해결하기 위한 새로운 패턴 형성방법으로서 인쇄롤을 이용한 롤 프린팅 방법이 제안되었다.
롤 프린팅 방법은 다양한 방법이 있지만, 크게 그라비아 인쇄 및 리버스 오프셋 인쇄방법의 2가지로 대별될 수 있다.
그라비아 인쇄는 오목판에 잉크를 묻혀 여분의 잉크를 긁어내고 인쇄를 하는 인쇄방식으로서, 출판용, 포장용, 셀로판용, 비닐용, 폴리에틸렌용 등의 다양한 분야의 인쇄에 적합한 방법으로서 알려져 있으며, 표시 소자에 적용되는 능동 소자나 회로 패턴의 제작에 상기 그라비아 인쇄방법을 적용하기 위한 연구가 이루어지고 있다. 그라비아 인쇄는 전사롤을 이용하여 기판상에 잉크를 전사하기 때문에, 원하는 표시 소자의 면적에 대응하는 전사롤을 이용함으로써, 대면적의 표시 소자의 경우에도, 1회의 전사에 의해 패턴을 형성할 수 있게 된다.
리버스 오프셋 인쇄는 인쇄롤에 잉크를 도포하고 요판인 클리쉐의 돌출부과 접촉된 잉크는 클리쉐에 의해 인쇄롤로부터 제거되고 인쇄롤에 남은 잉크패턴을 피인쇄체에 전사하여 패턴을 형성하는 인쇄방식이다.
이러한 그라비아 인쇄 및 리버스 오프셋 인쇄는 기판 상에 레지스트용인 잉크 패턴을 형성할 뿐만 아니라, 표시 소자의 각종 패턴들, 예를 들어 액정 표시 소자의 경우, TFT 뿐만 아니라 상기 TFT와 접속되는 게이트 라인 및 데이터 라인, 화소 전극, 캐패시너용 금속 패턴을 패터닝하는데 사용될 수 있다.
대한민국 특허공개공보 제10-2008-0090890호
본 명세서는 인쇄 조성물, 상기 인쇄 조성물로 제조된 경화막, 적층체, 경화막 형성방법 및 적층체 제조방법을 제공하고자 한다.
본 명세서는 인쇄 조성물에 있어서, 상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 4중량% 이상 25중량% 이하인 페놀계 고분자, 4중량% 이상 25중량% 이하인 에폭시계 고분자, 0.1중량% 이상 6중량% 이하인 아민계 가교제, 및 50중량% 이상 90중량% 이하인 용매를 포함하는 인쇄 조성물을 제공한다.
또한, 본 명세서는 상기 인쇄 조성물로 제조된 경화막을 제공한다.
또한, 본 명세서는 기판, 상기 기판 상에 구비된 제1 금속 또는 금속산화물층, 상기 제1 금속 또는 금속산화물층 상에 구비된 제2 금속 또는 금속산화물층 및 상기 제2 금속 또는 금속산화물층 상에 구비되고 상기 인쇄 조성물로 제조된 레지스트 패턴을 포함하는 적층체를 제공한다.
또한, 본 명세서는 기판 상에 인쇄 조성물을 이용하여 막을 형성하는 단계; 및 상기 막을 경화하여 경화막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 인쇄 조성물은 상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 4중량% 이상 25중량% 이하인 페놀계 고분자, 4중량% 이상 25중량% 이하인 에폭시계 고분자, 0.1중량% 이상 6중량% 이하인 아민계 가교제, 및 50중량% 이상 90중량% 이하인 용매를 포함하는 것인 경화막 형성방법을 제공한다.
또한, 본 명세서는 기판 상에 제1 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계; 상기 제1 금속 또는 금속산화물층 상에 구비된 제2 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 금속 또는 금속산화물층 상에 구비되고 인쇄 조성물을 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 인쇄 조성물은 상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 4중량% 이상 25중량% 이하인 페놀계 고분자, 4중량% 이상 25중량% 이하인 에폭시계 고분자, 0.1중량% 이상 6중량% 이하인 아민계 가교제, 및 50중량% 이상 90중량% 이하인 용매를 포함하는 것인 적층체 제조방법을 제공한다.
본 명세서의 인쇄 조성물로 제조된 막 또는 패턴은 염화철계 식각액에 대하여 내산성을 갖는 장점이 있다.
본 명세서의 인쇄 조성물로 제조된 막 또는 패턴을 이용하여 2 층 이상의 금속 또는 금속산화막을 동시에 식각할 수 있다.
도 1은 2층의 금속 또는 금속산화물층의 식각을 위해 2회의 식각공정을 수행하는 공정을 나타낸다.
도 2는 2층의 금속 또는 금속산화물층의 식각을 위해 1회의 식각공정을 수행하는 공정을 나타낸다.
이하에서 본 명세서에 대하여 상세히 설명한다.
본 명세서는 인쇄 조성물에 있어서, 상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 4중량% 이상 25중량% 이하인 페놀계 고분자, 4중량% 이상 25중량% 이하인 에폭시계 고분자, 0.1중량% 이상 6중량% 이하인 아민계 가교제, 및 50중량% 이상 90중량% 이하인 용매를 포함하는 인쇄 조성물을 제공한다.
상기 인쇄 조성물은 오프셋 인쇄 조성물일 수 있으며, 구체적으로 리버스 오프셋 인쇄 조성물일 수 있다.
상기 페놀계 고분자는 페놀기를 갖는 단량체로 중합된 고분자라면 특별히 한정하지 않으며, 페놀기를 갖는 단일 단량체로 중합된 고분자이거나, 페놀기를 갖는 2종 이상의 단량체로 중합된 공중합체이거나, 페놀기를 갖는 단량체 이외에 추가의 단량체와 함께 중합된 공중합체일 수 있다.
상기 페놀계 고분자의 중량평균분자량은 1,000 내지 20,000일 수 있다.
상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 페놀계 고분자의 함량은 4중량% 이상 25중량% 이하일 수 있다.
상기 에폭시 고분자의 에폭시 당량은 150 g/eq 이상 500 g/eq이하일 수 있다. 여기서, 에폭시는 탄소 사슬에 의해 결합되어 있는 2원자의 탄소와 결합하는 -O-원자단을 의미하며, 예를 들면, 에폭시에틸기(에틸렌옥사이드), 옥세타닐기 등일 수 있다.
상기 에폭시 고분자는 에폭시기를 갖는 고분자라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면 상기 에폭시 고분자는 비스페놀 A형 에폭시 고분자, 비스페놀 F형 에폭시 고분자, 비페놀형 에폭시 고분자, 페놀 노볼락형 에폭시 고분자, 크레졸 노볼락형 에폭시 고분자 및 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 고분자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 에폭시 고분자의 함량은 4중량% 이상 25중량% 이하일 수 있다.
페놀계 고분자의 히드록시기와 에폭시 고분자의 에폭시기가 서로 반응하여 가교를 형성함으로써, 2 이상의 금속 또는 금속 산화물층을 동시에 식각할 수 있는 식각액(예를 들면, 염화철계 식각액)에 대하여 내산성을 가질 수 있다.
상기 인쇄 조성물에서, 페놀계 고분자 100 중량부를 기준으로, 에폭시 고분자는 2 중량부 이상 500 중량부 이하일 수 있다. 이 경우 페놀계 고분자와 에폭시계 고분자가 서로 반응함으로써, 내산성이 높은 막을 형성할 수 있는 장점이 있다.
상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 상기 페놀계 고분자와 에폭시계 고분자의 중량의 합은 10중량% 이상 30중량% 이하일 수 있다. 이 경우 금속 또는 금속산화물층의 식각액이 인쇄 조성물로 제조된 경화막에 침투하여 금속 또는 금속산화물층에 도달할 수 없는 충분한 막두께를 확보하고, 미세패턴을 구현할 수 있는 인쇄특성을 가질 수 있다.
상기 아민계 가교제는 아민기(-NH₂)를 갖는 화합물이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면 하기 화학식 1 내지 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
[화학식 2]
Figure pat00002
[화학식 3]
Figure pat00003
[화학식 4]
Figure pat00004
상기 화학식 1 내지 4에 있어서, a 및 b는 각각 1-3의 정수이고, c 및 d는 각각 1-2의 정수이고, e 및 f는 각각 1-5의 정수이다.
상기 아민계 가교제는 하기 화학식 5 내지 8로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00005
[화학식 6]
Figure pat00006
[화학식 7]
Figure pat00007
[화학식 8]
Figure pat00008
상기 아민계 가교제는 상기 화학식 5 내지 8로 표시되는 화합물 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 아민계 가교제의 함량은 0.1중량% 이상 6중량% 이하일 수 있다. 이 경우 에폭시 고분자와 페놀계 고분자의 가교반응에 참여하고 가교반응 후 반응에 참여하지 않는 아민계 가교제가 없어나 적은 장점이 있다.
상기 용매는 2 종 이상의 용매를 포함할 수 있으며, 예를 들면 끊는점이 100℃미만인 제1 용매 및 끊는점이 100℃이상인 제2 용매를 포함할 수 있다.
상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 용매의 함량은 50중량% 이상 90중량% 이하일 수 있다.
상기 용매의 총 중량을 기준으로, 상기 제1 용매의 함량은 65중량% 이상 99중량% 이하일 수 있다. 이 경우, 잉크의 점도가 적절하여 균일한 도포가 가능하며 도포시 토출량의 조절이 가능한 장점이 있다.
상기 용매의 총 중량을 기준으로, 상기 제2 용매의 함량은 1중량% 이상 35중량% 이하일 수 있다. 이 경우, 도포된 도막의 급격한 건조를 방지하면서, 도막 내 과도하게 잔류하여 패턴의 선폭이 증가하지 않아 패턴의 형태가 유지되는 장점이 있다.
상기 제1 용매는 끊는점이 100℃미만이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 디메틸카보네이트, 메탄올, 메틸에틸케톤, 아세톤, 이소프로필알코올, 에틸아세테이트, 에탄올, 프로판올 및 노말핵산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 용매는 끊는점이 100℃이상이라면 특별히 한정하지 않으나, 락톤계 용매일 수 있다.
상기 락톤계 용매는 감마부티로락톤, 감마바레로락톤, 델타바레로락톤, 감마카프로락톤, 델타카프로락톤 및 엡실론카프로락톤 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 인쇄 조성물은 계면활성제를 더 포함할 수 있으며, 구체적으로 1종 또는 2종 이상의 계면활성제를 더 포함할 수 있다.
상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 상기 계면활성제의 함량은 0.001중량% 이상 0.5중량% 이하일 수 있다.
상기 계면활성제의 종류는 특별히 한정하지 않으며, 당 기술분야에서 일반적으로 사용되는 것을 채용할 수 있다.
본 명세서는 상기 인쇄 조성물로 제조된 경화막을 제공한다.
상기 경화막은 기재 또는 하부막의 일면의 전체에 도포된 막이거나, 기재 또는 하부막의 일면의 일부만 구비될 수 있다.
상기 경화막의 두께는 용도에 따라 변경될 수 있다.
상기 경화막은 기재 또는 하부막의 일면에 구비된 패턴형태일 수 있다.
상기 경화막이 패턴형태인 경화막의 경우 선폭, 선고 및 선간격은 패턴의 용도에 따라 변경될 수 있으며, 구체적으로, 상기 패턴이 미세패턴인 경우 패턴의 선폭은 3㎛ 이하일 수 있다.
본 명세서는 기판, 상기 기판 상에 구비된 제1 금속 또는 금속산화물층, 상기 제1 금속 또는 금속산화물층 상에 구비된 제2 금속 또는 금속산화물층 및 상기 제2 금속 또는 금속산화물층 상에 구비되고 상기 인쇄 조성물로 제조된 레지스트 패턴을 포함하는 적층체를 제공한다.
상기 기판의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 유리 기판, 후막의 플라스틱 기판 또는 박막의 플라스틱 필름일 수 있다.
상기 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN; Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(PEEK; Polyetheretherketone) 및 폴리이미드(PI; polyimide) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 기판의 두께는 15㎛ 이상 2mm 이하일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 제1 금속 또는 금속 산화물층은 제2 금속 또는 금속 산화물층과 재질이 상이하다면 특별히 한정되지 않으나, 상기 제1 금속 또는 금속 산화물층은 금속산화물로 제조된 제1 금속산화물층일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 금속 또는 금속 산화물층은 산화인듐층일 수 있다.
상기 제2 금속 또는 금속 산화물층은 제1 금속 또는 금속 산화물층과 재질이 상이하다면 특별히 한정되지 않으나, 상기 제2 금속 또는 금속 산화물층은 금속으로 제조된 제2 금속층일 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 금속 또는 금속 산화물층은 구리층일 수 있다.
상기 적층체는 제1 금속 또는 금속산화물층 및 제2 금속 또는 금속산화물층 사이에 구비된 배리어층이 더 구비될 수 있다.
상기 배리어층은 제1 금속 또는 금속산화물층 및 제2 금속 또는 금속산화물층의 금속간의 확산(diffusion) 및/또는 투습을 방지하는 층이며, 상기 배리어층은 제1 금속 또는 금속산화물층 및 제2 금속 또는 금속산화물층의 금속간의 확산 및/또는 투습을 방지할 수 있다면 재질을 특별히 한정하지 않으나, 상기 배리어층은 제3 금속 또는 금속산화물층일 수 있다.
상기 제1 금속 또는 금속산화물층이 산화인듐층이고, 제2 금속 또는 금속산화물층이 구리층인 경우, 제2 금속 또는 금속산화물층인 구리층의 투습 방지 및 열에 의한 확산을 방지하기 위해, 상기 배리어층으로서 구리-니켈 합금층이 산화인듐층과 구리층 사이에 구비될 수 있다.
상기 레지스트 패턴은 상기 인쇄 조성물로 제조된 것이며, 상기 레지스트 패턴은 제1 금속 또는 금속 산화물층 및 제2 금속 또는 금속 산화물층을 동시에 식각하는 식각액에 대하여 내산성(acid resistance)을 갖는 것일 수 있다.
상기 제1 금속 또는 금속 산화물층은 산화인듐층이며, 제2 금속 또는 금속 산화물층은 구리층인 경우, 상기 레지스트 패턴은 상기 산화인듐층 및 구리층을 동시에 식각하는 일괄 식각액에 대하여 내산성을 갖는 것일 수 있다.
여기서, 일괄 식각액에 대한 내산성은 일괄 식각액을 사용하여 식각 과정을 진행한 결과 식각 전후의 레지스트 패턴에 의해 보호된 하부 금속패턴의 표면에 핀홀(pin-hole)이 형성되지 않는 것을 기준으로 평가하였으며 레지스트 패턴에 의해 보호된 하부 금속패턴의 표면에 핀홀이 발생하지 않을 경우 내산성이 있다고 판단될 수 있다.
상기 일괄 식각액은 염화철계 식각액 또는 황산/과수계일 수 있으며, 구체적으로, 상기 일괄 식각액은 염화철계 식각액일 수 있으며, 상기 염화철계 식각액은 염화철과 염산을 포함할 수 있다.
2층 이상의 금속 또는 금속산화물층을 삭각하는 경우 일반적으로, 각각의 금속 또는 금속산화물층을 식각할 수 있는 식각액으로 최상층부터 최하층의 금속 또는 금속산화물층을 순차적으로 식각하며, 금속 또는 금속산화물층을 식각할 때, 각각의 식각액에 내산성이 있는 레지스트 패턴을 형성하여 식각한 후 제거하고, 새로운 레지스트 패턴을 형성하고 제거하는 여러 단계의 공정을 거쳤다.
예를 들면, 도 1과 같이, 2층의 금속 또는 금속산화물층의 식각을 위해 2회의 식각-린스공정을 수행하여 금속패턴을 형성할 수 있다.
상기 금속패턴을 형성하기 위한 공정단계를 줄이기 위해, 2층 이상의 금속 또는 금속산화물층을 동시에 식각할 수 있는 일괄식각액을 적용하여 1회의 식각-린스공정으로 금속패턴을 형성할 수 있다. 그러나, 상기 일괄식각액을 적용하여 금속패턴을 형성하려면, 일괄식각액에 내산성이 있는 레지스트 패턴을 사용해야 한다.
이를 위해, 본 명세서의 잉크 조성물은 일괄식각액에 내산성을 갖는 경화막 및 레지스트 패턴을 제조할 수 있는 장점이 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 잉크 조성물로 제조된 레지스트 패턴은 2층의 금속 또는 금속산화물층을 동시에 식각할 수 있는 일괄식각액으로 1회의 식각공정을 수행하여 금속 또는 금속산화물패턴을 형성할 수 있다.
본 명세서는 기판 상에 인쇄 조성물을 이용하여 막을 형성하는 단계; 및 상기 막을 경화하여 경화막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 인쇄 조성물은 상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 4중량% 이상 25중량% 이하인 페놀계 고분자, 4중량% 이상 25중량% 이하인 에폭시계 고분자, 0.1중량% 이상 6중량% 이하인 아민계 가교제, 및 50중량% 이상 90중량% 이하인 용매를 포함하는 것인 경화막 형성방법을 제공한다.
상기 경화막 형성방법에서, 상기 잉쇄 조성물, 경화막 및 적층체에 대한 설명을 인용할 수 있다.
기판 상에 인쇄 조성물을 이용하여 막을 형성하는 방법은 특별히 한정하지 않으나, 잉크젯 프린팅, 스크린프린팅, 그라비아 인쇄, 리버스 오프셋 인쇄 또는 롤 프린팅 등일 수 있으며, 바람직하게, 그라비아 인쇄, 리버스 오프셋 인쇄 또는 롤 프린팅일 수 있다.
상기 막을 경화하는 방법은 특별히 한정하지 않으나 광에 노출하거나 열을 가하여 경화할 수 있다.
본 명세서는 기판 상에 제1 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계; 상기 제1 금속 또는 금속산화물층 상에 구비된 제2 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 금속 또는 금속산화물층 상에 구비되고 인쇄 조성물을 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 인쇄 조성물은 상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 4중량% 이상 25중량% 이하인 페놀계 고분자, 4중량% 이상 25중량% 이하인 에폭시계 고분자, 0.1중량% 이상 6중량% 이하인 아민계 가교제, 및 50중량% 이상 90중량% 이하인 용매를 포함하는 것인 적층체 제조방법을 제공한다.
상기 적층체 제조방법에서, 상기 잉쇄 조성물, 경화막, 적층체 및 경화막 형성방법에 대한 설명을 인용할 수 있다.
상기 제1 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 제1 금속 또는 금속산화물을 증착하여 제1 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계일 수 있다.
상기 제1 금속 또는 금속 산화물층이 제1 금속산화물층인 경우, 상기 제1 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 제1 금속산화물을 증착하여 제1 금속산화물층을 형성하는 단계일 수 있다.
상기 제1 금속 또는 금속 산화물층이 산화인듐층인 경우, 상기 제1 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 산화인듐을 증착하여 산화인듐층을 형성하는 단계일 수 있다.
상기 제2 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계는 상기 제1 금속 또는 금속산화물층 상에 제2 금속 또는 금속산화물을 증착하여 제2 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계일 수 있다.
상기 제2 금속 또는 금속 산화물층이 제2 금속층인 경우, 상기 제2 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계는 상기 제1 금속 또는 금속산화물층 상에 제2 금속을 증착하여 제2 금속층을 형성하는 단계일 수 있다.
상기 제2 금속 또는 금속 산화물층이 구리층인 경우, 상기 제2 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계는 상기 제1 금속 또는 금속산화물층 상에 구리를 증착하여 구리층을 형성하는 단계일 수 있다.
상기 레지스트 패턴을 형성하는 단계는 상기 제2 금속 또는 금속산화물층 상에 상기 인쇄 조성물을 이용하여 오프셋 인쇄법으로 레지스트 패턴을 전사하는 단계 및 상기 전사된 레지스트 패턴을 경화하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 적층체 제조방법은 상기 레지스트 패턴이 형성되지 않은 제1 금속 또는 금속 산화물층 및 제2 금속 또는 금속 산화물층을 동시에 식각액으로 식각하여 제1 금속 또는 금속 산화물 패턴층 및 제2 금속 또는 금속 산화물 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 식각액은 2 이상의 금속 또는 금속 산화물층을 식각할 수 있는 일괄 식각액이며, 본 명세서에서 상기 식각액은 제1 금속 또는 금속 산화물층 및 제2 금속 또는 금속 산화물층을 동시에 식각하는 일괄 식각액일 수 있다.
상기 제1 금속 또는 금속 산화물층이 산화인듐층이며, 상기 제2 금속 또는 금속 산화물층이 구리층인 경우, 상기 식각액은 상기 산화인듐층 및 구리층을 동시에 식각하는 일괄 식각액일 수 있다.
상기 제1 금속 또는 금속 산화물층이 산화인듐층이며, 상기 제2 금속 또는 금속 산화물층이 구리층인 경우, 상기 일괄 식각액은 염화철계 식각액 또는 황산/과수계일 수 있으며, 구체적으로, 상기 일괄 식각액은 염화철계 식각액일 수 있으며, 상기 염화철계 식각액은 염화철과 염산을 포함할 수 있다.
상기 식각하는 단계 이후에 상기 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 레지스트 패턴을 제거하는 방법은 특별히 한정하지 않으며, 상기 레지스트 패턴을 현상할 수 있는 현상액으로 제거할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 명세서를 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것일 뿐, 본 명세서를 한정하기 위한 것은 아니다.
[실시예]
페놀계 고분자, 에폭시계 고분자 및 아민계 고분자를 포함하는 인쇄 조성물을 제조했다. 이때, 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 하기 표 1과 같이 페놀계 고분자, 에폭시계 고분자 및 아민계 고분자의 함량을 조절하고 잔량의 용매를 추가하여 실시예 1 내지 4의 인쇄조성물을 각각 제조했다. 이때, 용매로서 용매의 총 중량을 기준으로, 아세톤 80중량%와 감마부티로락톤 20중량%을 사용했다.
[비교예]
상기 실시예에서, 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 하기 표 1과 같이 페놀계 고분자, 에폭시계 고분자 및 아민계 고분자의 함량을 조절하여 비교예 1 내지 4의 인쇄조성물을 각각 제조한 것을 제외하고 실시예와 동일하게 제조했다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4
페놀계 고분자 10 10 10 10 10 10 20 0
에폭시계 고분자 10 10 10 10 10 10 0 20
화학식 5 0.1 - - - 0.05 20 0.1 0.1
화학식 6 - 0.1 - - - - - -
화학식 7 - - 0.1 - - - - -
화학식 8 - - - 0.1 - - - -
[실험예 1]
실시예 1-4 및 비교예 1-4의 잉크 조성물을 각각 기판 상에 ITO, 구리가 순차적으로 구비된 기판의 구리 상에 전면 도포한 후 식각액에 약 1분 침지하여 식각 전후의 하부층의 표면을 관찰했다. 이때, 하부 금속층인 구리의 변색 및 pin-hole 생성 여부 관찰했으며, О는 레지스트 잉크의 하부 금속층인 구리의 변색 및 식각으로 인한 Pinhole이 관찰되지 않는 경우이며, Ⅹ는 Pin-hole이 관찰되는 경우를 나타낸다.
일괄 식각액, 구리의 식각액 및 산화인듐(ITO)의 식각액으로 각각 식각한 결과를 하기 표 2와 같이 나타냈다.
Figure pat00009
* 일괄 식각액: 구리 및 ITO를 동시에 식각할 수 있는 식각액 (염화철과 염산으로 조성됨)
* 구리 식각액: 구리만 식각할 수 있는 식각액 (황산 및 기타 첨가제로 조성됨)
* ITO 식각액: ITO만 식각할 수 있는 식각액 (염산 및 기타 첨가제로 조성됨)
10: 기재
20: 제1 금속 또는 금속산화물층
30: 제2 금속 또는 금속산화물층
40: 레지스트 패턴
100: 기재
200: 제1 금속 또는 금속산화물층
300: 제2 금속 또는 금속산화물층
400: 레지스트 패턴

Claims (25)

  1. 인쇄 조성물에 있어서,
    상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로,
    4중량% 이상 25중량% 이하인 페놀계 고분자,
    4중량% 이상 25중량% 이하인 에폭시계 고분자,
    0.1중량% 이상 6중량% 이하인 아민계 가교제, 및
    50중량% 이상 90중량% 이하인 용매를 포함하는 인쇄 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 상기 페놀계 고분자와 에폭시계 고분자의 중량의 합은 10중량% 이상 30중량% 이하인 것인 인쇄 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 아민계 가교제는 하기 화학식 1 내지 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것인 인쇄 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00010

    [화학식 2]
    Figure pat00011

    [화학식 3]
    Figure pat00012

    [화학식 4]
    Figure pat00013

    상기 화학식 1 내지 4에 있어서,
    a 및 b는 각각 1-3의 정수이고,
    c 및 d는 각각 1-2의 정수이고,
    e 및 f는 각각 1-5의 정수이다.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 아민계 가교제는 하기 화학식 5 내지 8로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것인 인쇄 조성물:
    [화학식 5]
    Figure pat00014

    [화학식 6]
    Figure pat00015

    [화학식 7]
    Figure pat00016

    [화학식 8]
    Figure pat00017
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 용매는 끊는점이 100℃미만인 제1 용매 및 끊는점이 100℃이상인 제2 용매를 포함하는 것인 인쇄 조성물.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 제1 용매는 디메틸카보네이트, 메탄올, 메틸에틸케톤, 아세톤, 이소프로필알코올, 에틸아세테이트, 에탄올, 프로판올 및 노말핵산 중 적어도 하나를 포함하는 것인 인쇄 조성물.
  7. 청구항 5에 있어서, 상기 제2 용매는 락톤계 용매인 것인 인쇄 조성물.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 락톤계 용매는 감마부티로락톤, 감마바레로락톤, 델타바레로락톤, 감마카프로락톤, 델타카프로락톤 및 엡실론카프로락톤 중 적어도 하나를 포함하는 것인 인쇄 조성물.
  9. 청구항 5에 있어서, 상기 용매의 총 중량을 기준으로, 상기 제1 용매의 함량은 65중량% 이상 99중량% 이하이며, 상기 제2 용매의 함량은 1중량% 이상 35중량% 이하인 것인 인쇄 조성물.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 에폭시 고분자의 에폭시 당량은 150 g/eq 이상 500 g/eq이하인 것인 인쇄 조성물.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 에폭시 고분자는 비스페놀 A형 에폭시 고분자, 비스페놀 F형 에폭시 고분자, 비페놀형 에폭시 고분자, 페놀 노볼락형 에폭시 고분자, 크레졸 노볼락형 에폭시 고분자 및 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 것인 인쇄 조성물.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 인쇄 조성물은 계면활성제를 더 포함하는 것인 인쇄 조성물.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로, 상기 계면활성제의 함량은 0.001중량% 이상 0.5중량% 이하인 것인 인쇄 조성물.
  14. 청구항 1 내지 13 중 어느 한 항에 따른 인쇄 조성물로 제조된 경화막.
  15. 기판,
    상기 기판 상에 구비된 제1 금속 또는 금속산화물층,
    상기 제1 금속 또는 금속산화물층 상에 구비된 제2 금속 또는 금속산화물층 및
    상기 제2 금속 또는 금속산화물층 상에 구비되고 청구항 1 내지 13 중 어느 한 항에 따른 인쇄 조성물로 제조된 레지스트 패턴을 포함하는 적층체.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 제1 금속 또는 금속 산화물층은 제1 금속산화물층이며, 제2 금속 또는 금속 산화물층은 제2 금속층인 것인 적층체.
  17. 청구항 15에 있어서, 상기 레지스트 패턴은 제1 금속 또는 금속 산화물층 및 제2 금속 또는 금속 산화물층을 동시에 식각하는 식각액에 대하여 내산성(acid resistance)을 갖는 것인 적층체.
  18. 청구항 15에 있어서, 상기 제1 금속 또는 금속 산화물층은 산화인듐층이며, 제2 금속 또는 금속 산화물층은 구리층이고, 상기 레지스트 패턴은 상기 산화인듐층 및 구리층을 동시에 식각하는 염화철계 식각액에 대하여 내산성을 갖는 것인 적층체.
  19. 기판 상에 인쇄 조성물을 이용하여 막을 형성하는 단계; 및
    상기 막을 경화하여 경화막을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 인쇄 조성물은 상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로,
    4중량% 이상 25중량% 이하인 페놀계 고분자,
    4중량% 이상 25중량% 이하인 에폭시계 고분자,
    0.1중량% 이상 6중량% 이하인 아민계 가교제, 및
    50중량% 이상 90중량% 이하인 용매를 포함하는 것인 경화막 형성방법.
  20. 기판 상에 제1 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계;
    상기 제1 금속 또는 금속산화물층 상에 구비된 제2 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 금속 또는 금속산화물층 상에 구비되고 인쇄 조성물을 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 인쇄 조성물은 상기 인쇄 조성물의 총 중량을 기준으로,
    4중량% 이상 25중량% 이하인 페놀계 고분자,
    4중량% 이상 25중량% 이하인 에폭시계 고분자,
    0.1중량% 이상 6중량% 이하인 아민계 가교제, 및
    50중량% 이상 90중량% 이하인 용매를 포함하는 것인 적층체 제조방법.
  21. 청구항 20에 있어서, 상기 제1 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 제1 금속 또는 금속산화물을 증착하여 제1 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계인 것인 적층체 제조방법.
  22. 청구항 20에 있어서, 상기 제2 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계는 상기 제1 금속 또는 금속산화물층 상에 제2 금속 또는 금속산화물을 증착하여 제2 금속 또는 금속산화물층을 형성하는 단계인 것인 적층체 제조방법.
  23. 청구항 20에 있어서, 상기 레지스트 패턴을 형성하는 단계는 상기 제2 금속 또는 금속산화물층 상에 상기 인쇄 조성물을 이용하여 오프셋 인쇄법으로 레지스트 패턴을 전사하는 단계 및 상기 전사된 레지스트 패턴을 경화하는 단계를 포함하는 것인 적층체 제조방법.
  24. 청구항 20에 있어서, 상기 적층체 제조방법은 상기 레지스트 패턴이 형성되지 않은 제1 금속 또는 금속 산화물층 및 제2 금속 또는 금속 산화물층을 동시에 식각액으로 식각하여 제1 금속 또는 금속 산화물 패턴층 및 제2 금속 또는 금속 산화물 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 적층체 제조방법.
  25. 청구항 24에 있어서, 상기 식각하는 단계 이후에 상기 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것인 적층체 제조방법.
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