KR20170036494A - 고순도 락타이드의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 락트산을 160℃ 내지 180℃까지 승온한 이후 감압하는 제1승온 및 갑압 단계; 제1승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물에 반응 촉매를 첨가하고 1℃/분 내지 10℃/분의 속도로 180℃ 내지 210℃까지 승온한 이후, 5 torr/분 내지 20 torr/분의 속도로 0.001 torr 내지 1 torr까지 감압하는 단계를 포함하는 제2승온 및 갑압 단계; 및 상기 제2승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물을 강하막 반응기에 투입하는 락타이드 석출 단계;를 포함하는 락타이드의 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 고순도 락타이드의 제조 방법에 관한 것이다.
폴리락타이드 수지는 하기 화학식으로 표시되는 반복 단위를 포함하는 수지로서, 바이오매스(biomass)를 기반으로 하기 때문에, 원유 기반의 기존 수지에 비하여 제조시 이산화탄소의 배출이 적고, 재생 자원으로의 활용이 가능하며, 매립시 생분해 가능하여 친환경적인 소재로 관심을 받고 있다.
[화학식]
한편, 일반적으로 폴리락타이드 수지는 락트산(lactic acid)을 직접 축중합하거나, 락타이드(lactide) 단량체를 유기 금속 촉매 하에 개환 중합(ring opening polymerization)하는 방법으로 제조된다. 그 중, 개환 중합을 통한 폴리락타이드 수지의 제조 방법은 상대적으로 큰 분자량의 수지를 얻을 수 있고 중합 조절이 유리하여 상업적으로 적용되고 있다.
공업적으로 제조된 락타이드 단량체는 수분, 락트산, 락토일락테이트, 락타이드, 메조락타이드, 올리고머류 등이 혼재되어 있는 상태인데, 락타이드를 폴리락타이드 합성에 사용하기 위해서는 중합 과정에 영향을 주는 불순물들을 분리정제 공정을 통해 제거햐야 하며, 락타이드 단량체 중에 존재하는 불순물들의 함량을 매우 엄격하게 제어해야 한다.
특히, 락타이드 단량체에 포함될 수 있는 수분은 미량 존재하더라도 중합공정에서 락티드와 메조락티드를 가수분해시켜 젖산을 생성하고 락토일락테이트를 만들 수 있으며, 올리고머류는 중합시 물성 발현에 부정적 영향을 끼치기 때문에 대부분이 제거되어야 한다.
한국특허공개 제2006-0081123호에서는 저분자량 폴리유산을 가열 및 가압시키는 단계를 통하여 크루드 락타이드를 제조하는 방법을 개시하고 있는데, 높은 온도 및 압력 조건을 적용함도 락타이드 제조 수율이 약 90% 정도에 머무르고 있으며, 라세미화 반응이 진행된 메조 락티드가 생성되어 최종 제조된 락타이드의 순도가 또한 높지 않아서 별도의 정제 공정이 필요한 것으로 보인다.
본 발명은 상대적으로 짧은 시간 이내에 불순물을 미미한 함량으로 포함하는 고순도의 락타이드를 높은 효율로 제공하는 고순도 락타이드 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
발명의 일 구현예에 따르면, 락트산을 160℃ 내지 180℃까지 승온한 이후 감압하는 제1승온 및 갑압 단계; 제1승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물에 반응 촉매를 첨가하고 1℃/분 내지 10℃/분의 속도로 180℃ 내지 210℃까지 승온한 이후, 5 torr/분 내지 20 torr/분의 속도로 0.001 torr 내지 1 torr까지 감압하는 단계를 포함하는 제2승온 및 갑압 단계; 및 상기 제2승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물을 다발관 강하막 반응기에 투입하는 락타이드 석출 단계;를 포함하는, 락타이드의 제조 방법이 제공될 수 있다.
이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 폴리락타이드 수지의 제조 방법에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
락트산(lactic acid)로부터 락타이드를 제조하는 이전에 알려진 방법에 의해서는 일정 수준 이상의 순도와 반응 수율을 확보하기 어려우며, 최종 결과물에 다량의 불순물, 예를 들어 젖산, 수분, 메조락티드, 락토일락테이트 또는 올리고머류 등이 포함됨에 따라 별도의 정제 공정이 필요로 하였다.
본 발명자들은, 락트산(lactic acid)을 소정의 온도까지 승온하고 감압하는 제1승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물에 반응 촉매를 첨가하고 특정의 승온 속도로 180℃ 내지 210℃까지 승온하고 감압하는 제2승온 및 갑압 단계를 적용하는 경우, 상대적으로 짧은 시간 이내에 불순물을 미미한 함량으로 포함하는 고순도의 락타이드를 높은 효율로 제공할 수 있다는 점을 실험을 통해서 확인하고 발명을 완성하였다.
구체적으로, 상기 일 구현예의 락타이드의 제조 방법은 락트산을 160℃ 내지 180℃까지 승온한 이후 감압하는 제1승온 및 갑압 단계; 제1승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물에 반응 촉매를 첨가하고 1℃/분 내지 10℃/분의 속도로 180℃ 내지 210℃까지 승온한 이후, 5 torr/분 내지 20 torr/분의 속도로 0.001 torr 내지 1 torr까지 감압하는 단계를 포함하는 제2승온 및 갑압 단계; 및 상기 제2승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물을 다발관 강하막 반응기에 투입하는 락타이드 석출 단계;를 포함하는;를 포함할 수 있다.
이러한 제1승온 및 갑압 단계 및 제2승온 및 감압 단계를 통하여 활성화 에너지 장벽을 낮춰 락타이드 생성속도를 빠르게 진행시키며 이에 따라 기타유기산 성분에 해당하는 불순물 및 메조락티드의 효율적 억제 조절이 가능하며, 이에 따라 최종 얻어지는 락타이드는 젖산, 메조락티드, 락토일락테이트 또는 올리고머류 등이 거의 포함되지 않는 높은 순도, 예를 들어 99%이상의 순도를 가질 수 있다.
상기 일 구현예의 락타이드 제조 방법에서는, 상기 제1승온 및 갑압 단계에서의 승온 속도가 상기 제2승온 및 갑압 단계에서의 승온 속도 보다 높을 수 있다.
구체적으로, 상기 제1승온 및 갑압 단계는 145 내지 155℃의 온도 상태의 락트산을 5℃/분 내지 15℃/분의 속도로 160℃ 내지 180℃까지 승온한 이후, 10 torr/분 내지 50 torr/분의 속도로 상압으로부터 10 torr 내지 50 torr까지 갑압하는 단계를 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 이러한 제1승온 및 감압 단계를 통하여 활성화 에너지 장벽을 낮추어 라세미화 반응을 최소화 시키기 때문에 최종 제조되는 락티드의 순도가 올라갈 수 있으며, 메조 락티드 분율 및 젖산 다이머 생성을 억제되기 때문에 상기 락타이드의 제조 방법의 수율이 높아질 수 있다.
또한, 상기 제1승온 및 감압 단계 이후에, 상기 제2승온 및 갑압 단계는 제1승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물에 반응 촉매를 첨가하고 1℃/분 내지 10℃/분의 속도로 180℃ 내지 210℃까지 승온한 이후, 5 torr/분 내지 20 torr/분의 속도로 0.001 torr 내지 1 torr까지 감압하는 단계를 포함할 수 있다.
이러한 제2승온 및 감압 단계를 통하여 안정적인 촉매반응을 통해 부반응물 생성을 억제시킬 수 있으며, 이에 따라 최종 제조되는 락타이드의 순도가 올라갈 수 있으며, 중합과 해중합의 동시반응으로 증가되는 분자량으로 인해 지속적인 반응유도를 위한 온도증가가 필수적 때문에 정확한 온도조절을 통해 상기 락타이드의 제조 방법의 수율이 높아질 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제2승온 및 갑압 단계에서, 상기 반응 촉매를 첨가 이후에, 1℃/분 내지 10℃/분의 속도로 180℃ 내지 200℃까지 승온할 수 있다.
또한, 상기 제2승온 및 갑압 단계 완료 상태에서, 상기 제2승온 및 갑압 단계의 결과물을 1시간 내지 10시간 동안 유지하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제2승온 및 갑압 단계 완료 상태 이후에 반응 조건을 그대로 유지한 상태로 1시간 내지 10시간 지나는 과정에서 부반응물 생성속도보다 중합반응과 해중합 반응이 동시에 이루어지기 때문에, 이에 따라 기타의 불순물의 생성이 억제되고 고순도의 락타이드가 형성될 수 있다.
한편, 상기 락타이드의 제조 방법은 상기 제2승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물을 다발관 강하막 반응기에 투입하는 락타이드 석출 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물을 다발관 강하막 반응기에 투입함에 따라, 증류나 추출증류와 비교하여 에너지 소모가 적으며 제3의 물질을 사용하지 않아도 되는 특징을 가지고 있으며, 이에 따라 락타이드 고형화에 의한 공정라인 막힘 문제와 고순도 정제효율성 문제, 용매회수 및 순환공정에 대한 문제점 없이 공정운용을 용이하게 할 수 있는 경제적 효과를 구현할 수 있다.
상기 다발관 강하막 반응기에 투입되는 상기 제2승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물은 유기 용매 또는 수계 용매를 실질적으로 포함하고 있지 않을 수 있으며, 예를 들어 상기 다발관 강하막 반응기에 투입되는 상기 제2승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물은 유기 용매 또는 수계 용매 1중량% 이하로 포함할 수 있다.
상기 다발관 강하막 반응기로는 통상적으로 알려진 다발관 강하막 반응기를 사용할 수 있으며, 예를 들어 수직관 내경 0.1 내지 10 cm 및 수직관 길이 100 내지 1000 cm이고 수직관 개수2 내지 10개를 구비한 다발관 강하막 반응기를 사용할 수 있으며, 상기 다발관 강하막 반응기의 개략적인 구조는 도4에 나타낸 바와 같다.
한편, 상기 락타이드의 제조 방법은 상기 제1승온 및 갑압 단계 이전에, 상온에서 락트산을 가열하여 상기 140 내지 160℃의 온도 상태로 승온하는 단계;를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 제1승온 및 갑압 단계 이전에 락트산은 140 내지 160℃의 온도로 유지될 수 있다.
즉, 상기 락트산을 160℃ 내지 180℃까지 승온한 이후 감압하는 제1승온 및 갑압하는 단계 이전에 락트산을 140 내지 160℃의 온도 상태로 승온하고 유지한 이후에 제1승온 단계에서 상술한 속도로 160℃ 내지 180℃까지 승온할 수 있다. 상기 락트산을 상온에서 급격히 승온하거나 140 내지 160℃의 온도 상태로 승온한 이후 급격히 160℃ 내지 180℃까지 재승온하는 경우, 미반응물이 과량 존재하거나 라세미화 반응의 가속화 및 락티드 수율이 하락을 초래하게 되어 기술적으로 불리할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 반응 촉매를 첨가하기 이전에 제1승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물의 온도를 5 내지 20℃ 올리는 단계를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 제2승온 및 갑압 단계에서 승온하는 대상은 제1승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물을 165℃ 내지 180℃로 승온한 이후 반응 촉매를 첨가한 상태일 수 있다. 상기 반응 촉매를 첨가하기 이전에 상기 제1승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물의 온도를 5 내지 20℃ 올림에 따라서, 최적조건의 촉매반응으로 인해 메조 락티드와 같은 부반응물 생성이 억제되고 이에 따른 락티드 수율이 크게 증가될 수 있다.
한편, 상기 락타이드의 제조 방법에서는 제1승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물에 반응 촉매를 첨가할 수 있다.
상기 중합 촉매는 산화납, 산화칼슘, 산화알루미늄, 산화철, 염화칼슘, 초산아연, 파라톨루엔 슬폰산, 염화 제1 주석, 황산 제1 주석, 산화 제1 주석, 산화 제2 주석, 옥틸산 제1 주석, 테트라페닐 주석, 주석분말 및 사염화 티탄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 중합 촉매는 락트산 100중량부 대비 0.0005 내지 5 중량부로 사용될 수 있다.
상기 일 구현예에서는 상기 제1승온 및 감압 단계 및 상기 제2승온 및 감압 단계를 거친 결과물로부터 락타이드를 수득하기 위하여 상기 결과물을 100℃이하로 냉각하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이러한 냉각 단계를 통하여 상기 상기 제1승온 및 감압 단계 및 상기 제2승온 및 감압 단계를 거친 결과물이 고체상의 고순도 락타이드로 석출될 수 있다.
상기 제조되는 락타이드는 99%이상의 순도를 가질 수 있다. 상기 순도는 상기 락타이드의 제조 방법으로부터 얻어진 락타이드 고체 성분 중 불순물의 함량을 측정하여 결정할 수 있다.
상기 락타이드의 제조 방법의 수율은 90%이상, 또는 94%이상일 수 있다. 상기 락타이드의 제조 방법의 수율은 최초 사용한 락트산과 최종 얻어지는 락타이드을 중량을 측정하여 결정할 수 있다.
상기 반응 단계에서는 적절한 반응기를 사용하여 락타이드를 제조할 수 있으며, 상기 중합 단계에서 사용될 수 있는 반응기는 특별히 한정되지 않으며, 비제한적인 예로, 다양한 형태의 임펠러(impeller)가 구비된 반응기 등이 사용될 수 있다.
본 발명에 따르면, 잔류하는 단량체의 함량을 최소화하고 결정화 효율을 크게 높일 수 있으며, 아울러 최종 제조되는 폴리락타이드 수지의 투명도가 크게 저하되는 것을 방지할 수 있는 폴리락타이드 수지의 제조 방법과 이로부터 제조된 폴리락타이드 수지가 제공될 수 있다.
도1을 실시예1에서 최초 사용한 젖산(a) 및 최종 제조된 락타이드(b) 각각의 IR을 나타낸 것이다.
도2는 실시예1에서 최종 얻어진 락타이드의 GC 측정 결과를 나타낸 것이다.
도3은 실시예1에서 최종 얻어진 락타이드의 H1-NMR를 나타낸 것이다.
도4는 실시예 및 비교예에서 사용한 강하막 반응기의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다.
도2는 실시예1에서 최종 얻어진 락타이드의 GC 측정 결과를 나타낸 것이다.
도3은 실시예1에서 최종 얻어진 락타이드의 H1-NMR를 나타낸 것이다.
도4는 실시예 및 비교예에서 사용한 강하막 반응기의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다.
발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[
실시예
및
비교예
:
락타이드의
제조]
실시예
1
기계식 교반기, 응축기 (Condenser) 및 질소 주입구(N2 inlet) 및 Dean-stack trap이 있는 500ml 4구 둥근 플라스크 (4-neck round bottom flask) 반응장치를 준비하고, 상기 4구 플라스크에 85 wt% 농도의 젖산 (Lactic acid, Aldrich) 270g을 넣고 교반시키면서 150 ℃로 질소기체 하에 10분 동안 퍼지하였다.
상기 4구 플라스크의 내부온도를 분당 10 ℃로 170 ℃까지 올린 후 760 torr에서 20 torr까지 분당 30 torr로 서서히 감압하면서 반응을 진행하였으며 (승온1), 젖산 65 %의 발생수가 빠져 나갈 때까지 1시간 동안 유지시키면서 반응하였다. 이때 감압을 빨리 진행할 경우 반응기 내부 젖산이 Dean-stack trap으로 넘어갈 수 있기 때문에, 감압 속도를 유지하면서 젖산이 Dean-stack trap으로 넘어가는지 확인하였다.
이후 상기 4구 플라스크의 내부온도를 180 ℃로 온도를 올린 후, 촉매 Sn(Oct)2를 사용한 락타이드 100중량부 대비0.03 중량부로 투입하고 200 ℃까지 분당 5 ℃로 서서히 승온한 후 분당 10torr로 서서히 감압하여 0.1 torr가 될 때까지 반응시킨 후 3시간 유지하였다 (승온2).
이후 90℃로 냉각시킨 리시버(receiver)에 수득된 결과물을 강하막 반응기에 투입하여 30℃로 냉각시킨 다음 결정성장이 충분히 되도록 시간을 준 후 락타이드 결정을 확인 후 석출하는 과정을 5회 이상 진행한다. 락타이드가 흰색의 바늘형태로 성장된 것을 확인한 다음 여과하고 40℃에서 3시간동안 감압 건조하여 GC를 이용하여 분석하였다.
<기체 크로마토그래피(GC) 조건>
1) 컬럼: HP5-MS (컬럼 길이: 30m, 내부직경: 0.25mm, 필름두께: 0.25μm)
2) GC 장치: 기체 크로마토그래피 모델 Agilent 7890
3) 캐리어 기체: 헬륨
4) 검출기: 화염 이온화 검출기(FID)
도1에는 최초 사용한 젖산(a) 및 최종 제조된 락타이드(b) 각각의 IR을 나타내었다. 도2에는 최종 얻어진 락타이드의 GC 측정 결과를 나타내었으며, 도3에는 최종 얻어진 락타이드의 H1-NMR를 나타내었다.
상기 사용한 강하막 반응기에 관한 구체적인 내용은 표1에 기재한 바와 같으며, 상기 강하막 반응기의 구조의 개략적인 내용은 도4에 나타낸 바와 같다.
| 락티드 정제에 사용된 강하막 다발관 장치의 사양 | |
| 수직관 내경 (cm) | 2 |
| 수직관 길이 (cm) | 500 |
| 수직관 개수 | 2 |
실시예
2 및 3
하기 표2의 젖산을 사용한 점을 제외하고, 실시예1과 동일한 방법으로 락타이드를 제조하였다.
비교예
1
교반기를 갖춘 500 ml 4구 둥근플라스크 반응장치 및 질소 주입구 (N2 inlet) 및 Dean-stack trap을 준비한다. 4구 플라스크에 85 wt% 농도의 젖산 (Lactic acid, Aldrich) 270 g을 넣고 교반 시키면서 150 ℃로 질소기체 하에 10분동안 퍼지하였다.
이후 상기 4구 플라스크의 내부온도를 170 ℃로 온도를 올린 후 0.1 torr까지 감압한 이후 1시간 동안 유지하였다. 그리고, 90℃로 냉각시킨 리시버(receiver)에 수득된 락티드를 하막 반응기에 투입하여 30℃로 냉각시킨 다음 결정성장이 충분히 되도록 시간을 준 후 락타이드 결정을 확인 후 석출하는 과정을 5회 이상 진행한다. 락타이드가 흰색의 바늘형태로 성장된 것을 확인한 다음 여과하고 40℃에서 3시간동안 감압 건조하여 GC를 이용하여 분석하였다.
비교예
2
교반기를 갖춘 500 ml 4구 둥근플라스크 반응장치 및 질소 주입구 (N2 inlet) 및 Dean-stack trap을 준비한다. 4구 플라스크에 85 wt% 농도의 젖산 (Lactic acid, Aldrich) 270 g을 넣고 교반 시키면서 150 ℃로 질소기체 하에 10분동안 퍼지하였다.
상기 4구 플라스크에 촉매 Sn(Oct)2를 사용한 락타이드 100중량부 대비0.03 중량부로 투입한 이후, 반응기의 온도를 240 ℃까지 20℃/분의 속도로 승온하고 압력을 10torr로 하여 반응시킨 후 3시간 유지하였다.
이후 90℃로 냉각시킨 리시버(receiver)에 수득된 락티드를 강하막 반응기에 투입하여 30℃로 냉각시킨 다음 결정성장이 충분히 되도록 시간을 준 후 락타이드 결정을 확인 후 석출하는 과정을 5회 이상 진행한다. 락타이드가 흰색의 바늘형태로 성장된 것을 확인한 다음 여과하고 40℃에서 3시간동안 감압 건조하여 GC를 이용하여 분석하였다.
| 젖산종류 | 락티드 (GC %) | 불순물 | ||||
| 수율 | 순도 | 산가 (meq/kg) |
메조락티드 | 올리고머 | ||
| 실시예1 | 젖산 시약(Aldrich) | 95.1 | 99.9 | 5 | 0.0 | 0.0 |
| 실시예2 | E.coli유래 젖산 (85중량%) | 94.8 | 99.9 | 7 | 0.0 | 0.0 |
| 실시예3 | 옥수수유래 젖산 (85중량%) | 95.0 | 99.9 | 6 | 0.0 | 0.0 |
| 비교예1 | 젖산 시약(Aldrich) | 85.2 | 99.1 | 8 | 0.0 | 0.0 |
| 비교예2 | 젖산 시약(Aldrich) | 86.6 | 99.3 | 10 | 0.0 | 0.0 |
상기 표2에서 확인되는 바와 같이, 실시예에서는 99.7%이상의 고순도의 폴리락타이드를 94% 이상의 수율로 얻어질 수 있는데 반하여, 비교예에서는 99.3% 이하의 순도를 갖는 락타이드가 상대적으로 낮은 수율로 얻어졌다.
즉, 실시예에서는 젖산으로부터 락타이드 제조시, 정확한 온도, 압력의 반응프로파일을 통해 반응조건을 적용하여 고순도의 락타이드를 높은 효율로 제조할 수 있으며, 이와 같이 제조된 락타이드는 별도의 분리 정제 시설을 거칠 필요 없이 바로 폴리락타이드 제조 공정에 사용 가능하다.
Claims (13)
- 락트산을 160℃ 내지 180℃까지 승온한 이후 감압하는 제1승온 및 갑압 단계;
제1승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물에 반응 촉매를 첨가하고 1℃/분 내지 10℃/분의 속도로 180℃ 내지 210℃까지 승온한 이후, 5 torr/분 내지 20 torr/분의 속도로 0.001 torr 내지 1 torr까지 감압하는 단계를 포함하는 제2승온 및 갑압 단계;
및
상기 제2승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물을 강하막 반응기에 투입하는 락타이드 석출 단계;를 포함하는, 락타이드의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제조되는 락타이드는 99%이상의 순도를 갖는, 락타이드의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제1승온 및 갑압 단계에서의 승온 속도가 상기 제2승온 및 갑압 단계에서의 승온 속도 보다 높은, 락타이드의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제1승온 및 갑압 단계는 145 내지 155℃의 온도 상태의 락트산을 5℃/분 내지 15℃/분의 속도로 160℃ 내지 180℃까지 승온한 이후, 10 torr/분 내지 50 torr/분의 속도로 상압으로부터 10 torr 내지 50 torr까지 갑압하는 단계를 포함하는, 락타이드의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제2승온 및 갑압 단계에서, 상기 반응 촉매를 첨가 이후에, 1℃/분 내지 10℃/분의 속도로 180℃ 내지 200℃까지 승온하는, 락타이드의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제2승온 및 감압 단계의 결과물을 100℃이하로 냉각하는 단계;를 더 포함하는 락타이드의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제1승온 및 갑압 단계 이전에, 상온에서 락트산을 가열하여 상기 140 내지 160℃의 온도 상태로 승온하는 단계;를 더 포함하는, 락타이드의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 반응 촉매를 첨가하기 이전에 제1승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물의 온도를 5 내지 20℃ 올리는 단계를 더 포함하는, 락타이드의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제2승온 및 갑압 단계 완료 상태에서, 상기 제2승온 및 갑압 단계의 결과물을 1시간 내지 10시간 동안 유지하는 단계를 더 포함하는, 락타이드의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 중합 촉매는 산화납, 산화칼슘, 산화알루미늄, 산화철, 염화칼슘, 초산아연, 파라톨루엔 슬폰산, 염화 제1 주석, 황산 제1 주석, 산화 제1 주석, 산화 제2 주석, 옥틸산 제1 주석, 테트라페닐 주석, 주석분말 및 사염화 티탄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 락타이드의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 중합 촉매는 락트산 100중량부 대비 0.0005 내지 5 중량부로 사용되는, 락타이드의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 다발관 강하막 반응기에 투입되는 상기 제2승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물은 유기 용매 또는 수계 용매를 1중량% 이하로 함유하는, 락타이드의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제2승온 및 갑압 단계에서 얻어진 결과물은 10℃ 내지 40℃로 냉각되는 단계를 더 포함하는, 락타이드의 제조 방법.
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Citations (1)
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| KR20060081123A (ko) | 2005-01-07 | 2006-07-12 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈및 그 제조방법 |
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