KR20170022976A - A new type of quartz crystal blank with double convex structure and its processing technology - Google Patents
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Abstract
본 발명이 제공하는 양면이 볼록구조를 갖는 신형 압전 석영 웨이퍼는, 중앙 부재(1), 보호 프레임(2) 및 연결부(3)를 포함하며, 보호 프레임(2) 내에는 캐비티가 설치되고, 캐비티 내에는 중앙 부재(1)가 설치되며, 중앙 부재(1)의 상단 표면에는 돌기Ⅰ(4)가 설치되고, 중앙 부재(1)의 바닥면에는 돌기Ⅱ(5)가 설치되며, 보호 프레임(2)의 두 개의 장변(長邊)과 중앙 부재(1)의 두 개의 장변(長邊) 사이에는 관통홈A(6)이 형성되고, 보호 프레임(2)의 두 개의 단변(短邊)과 중앙 부재(1)의 두 개의 단변(短邊) 사이에는 관통홈B(7)가 형성되며, 관통홈A(6)와 관통홈B(7)는 연통되며, 연결부(3)는 임의의 하나의 관통홈B(7) 내에 설치된다. 본 발명의 유익한 효과는 소형화 석영 웨이퍼의 대량생산에 사용될 수 있고, 주변에서 발생하는 기생 발진을 감소시킬 수 있으며, 석영 웨이퍼의 중심의 에너지 트래핑 효과를 강화시킬 수 있음으로써, 가공 정밀도를 높이고, 제품의 통일성을 대폭 향상시킬 수 있다. A new type of piezoelectric quartz wafer having a convex structure on both sides provided by the present invention includes a central member 1, a protective frame 2 and a connecting portion 3. A cavity is provided in the protective frame 2, A protrusion 11 is provided on the upper surface of the central member 1 and a protrusion 11 is provided on the bottom surface of the central member 1 and a protective frame 11 A through groove 6 is formed between two long sides of the central member 1 and two long sides of the central member 1 and two short sides of the protective frame 2 A through groove B 7 is formed between the two short sides of the central member 1 and the through groove A 6 and the through groove B 7 communicate with each other, (7). The beneficial effect of the present invention is that it can be used in the mass production of miniaturized quartz wafers and can reduce parasitic oscillations occurring in the periphery and enhance the energy trapping effect of the center of the quartz wafer, Can be greatly improved.
Description
본 발명은 압전 석영 웨이퍼 구조에 관한 것으로서, 특히 양면이 볼록 구조를 갖는 신형 압전 석영 웨이퍼 및 그 가공공정에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
현재, 석영 크리스탈 공진기는 통상적으로 압전 석영 웨이퍼(Quartz wafer) 및 패키지 쉘로 구성되는데, 압전 석영 웨이퍼는 직사각형 또는 원형의 형상을 가지고, 패키지 쉘의 재료는 세라믹, 유리 등으로 구성된다. 압전 석영 웨이퍼의 상하 양면은 전극이 증착되어야 하고, 전극은 밀봉 패키징된 리드선을 통해 패키지 쉘 중의 베이스시트의 핀과 연결된다. 교류전압은 핀을 통해 석영 웨이퍼의 상하 전극에 연통되어 석영 웨이퍼에 역 압전효과를 발생시킴으로써 진동을 발생시키게 된다. 석영 크리스탈 공진기는 그 주파수의 정확성과 안정성 등 특성으로 인해 이동전자장치, 핸드폰, 이동통신장치 등 전자업계에 광범위하게 응용되고 있다.At present, a quartz crystal resonator is usually composed of a quartz wafer and a package shell. The piezoelectric quartz wafer has a rectangular or circular shape, and the material of the package shell is composed of ceramic, glass or the like. The upper and lower surfaces of the piezoelectric quartz wafer must be deposited with electrodes, and the electrodes are connected to the pins of the base sheet in the package shell through seal-packed lead wires. The AC voltage is communicated with the upper and lower electrodes of the quartz wafer through the fin to generate a reverse piezoelectric effect in the quartz wafer, thereby generating vibration. Quartz crystal resonators are widely used in electronic industries such as mobile electronic devices, mobile phones, and mobile communication devices due to their frequency accuracy and stability characteristics.
이동통신전자가 급속히 발전함에 따라, 부품의 소형화 요구가 갈수록 높아지고 있어, 석영 크리스탈 공진기의 소형화 역시 피할 수 없는 추세이다. 석영 크리스탈 공진기의 소형화 발전 과정에서 종래의 설계 구조는 이미 생산하기 매우 어려울 뿐만 아니라, 그 비용 또한 비교적 높다. 종래의 커팅, 부식 등 공정 방식 역시 초소형 석영 웨이퍼를 가공해내기 어려워, 이미 소형화의 요구를 만족시키기가 어렵다. As mobile communication electronics rapidly develops, miniaturization of parts is increasingly demanded, and miniaturization of quartz crystal resonator is also inevitable. Miniaturization of quartz crystal resonator In the process of power generation, the conventional design structure is not only very difficult to produce, but also the cost is relatively high. Conventional processing methods such as cutting and erosion are also difficult to process ultra small quartz wafers and it is difficult to satisfy the demand for miniaturization already.
석영 크리스탈 공진기의 공진 주파수가 다소 낮을 경우, 에너지 트래핑 효과를 높이고 석영 웨이퍼의 주변효과를 저하시키기 위해서는 석영 웨이퍼의 외형을 바꾸어야 한다. 통상적으로 회전 밀링 연마방식을 사용하여, 석영 웨이퍼의 외형을 바꾸는데, 양면 볼록 곡면 구조가 바로 이에 해당된다. 하지만, 회전 밀링 공정은 안정성이 떨어지고, 중복성이 낮기 때문에, 그 비용은 줄곧 높은 가격대를 유지하고 있다. 따라서, 석영 웨이퍼 기술력을 향상시키는 것이 시급하다. If the resonance frequency of the quartz crystal resonator is somewhat low, it is necessary to change the appearance of the quartz wafer in order to increase the energy trapping effect and lower the peripheral effect of the quartz wafer. Usually, by using the rotary milling polishing method, the outer shape of the quartz wafer is changed, which is a double convex curved surface structure. However, since the rotary milling process is not stable and has low redundancy, the cost remains high. Therefore, it is urgent to improve the quartz wafer technology.
본 발명의 목적은 종래 기술의 단점을 극복하기 위하여, 저 비용의 소형화 석영 웨이퍼의 대량 생산에 응용될 수 있고, 주변에 발생하는 기생발진을 감소시키고, 석영 웨이퍼의 중심의 에너지 트래핑 효과를 강화시킬 수 있으며, 제품의 통일성을 대폭 향상시킬 수 있는 양면이 볼록 구조를 갖는 신형 압전 석영 웨이퍼 및 그 가공공정을 제공하고자 한다. It is an object of the present invention to overcome the disadvantages of the prior art and to provide a method of manufacturing a quartz wafer which can be applied to the mass production of a low-cost miniaturized quartz wafer, reduce parasitic oscillations occurring in the periphery and enhance the energy trapping effect of the center of the quartz wafer And it is intended to provide a new type of piezoelectric quartz wafer having a double-sided convex structure capable of significantly improving the uniformity of products and a processing process thereof.
본 발명의 목적은 이하 기술방안을 통해 구현된다. The object of the present invention is realized through the following technical solutions.
양면이 볼록 구조를 갖는 신형 압전 석영 웨이퍼 및 그 가공공정은, 중앙 부재, 보호 프레임 및 연결부를 포함하며; 상기 중앙 부재와 보호 프레임은 모두 직사각형의 형상을 띠고, 보호 프레임 내에는 캐비티가 설치되고, 캐비티 내에는 중앙 부재가 설치되며, 중앙 부재의 상단 표면에는 돌기Ⅰ가 설치되고, 중앙 부재의 바닥면에는 돌기Ⅱ가 설치되며, 보호 프레임의 두 개의 장변(長邊)과 중앙 부재의 두 개의 장변(長邊) 사이에는 관통홈A이 형성되고, 보호 프레임의 두 개의 단변(短邊)과 중앙 부재의 두 개의 단변(短邊) 사이에는 관통홈B가 형성되며, 관통홈A와 관통홈B는 연통되며, 상기 보호 프레임의 임의의 하나의 단변과 중앙 부재 사이에는 연결부에 의해 서로 연결되며, 연결부는 임의의 하나의 관통홈B 내에 설치된다. A new type piezoelectric quartz wafer having a convex structure on both sides and a processing step thereof includes a central member, a protective frame and a connection portion; The central member and the protection frame all have a rectangular shape, a cavity is provided in the protective frame, a central member is provided in the cavity, a projection I is provided on the upper surface of the central member, A through hole A is formed between two long sides of the protective frame and two long sides of the central member and two short sides of the protective frame and a central member A through groove B is formed between the two short sides and the through groove A communicates with the through groove B and is connected to each other by a connecting portion between any one short side of the protective frame and the central member, Is provided in any one of the through-holes (B).
상기 돌기Ⅰ및 돌기Ⅱ는 원형 돌기, 직사각형 돌기 또는 사다리꼴 돌기이다. The projection I and the projection II are a circular projection, a rectangular projection, or a trapezoidal projection.
상기 연결부의 형상은 직사각형 또는 사다리꼴의 형상이다. The shape of the connecting portion is a rectangular or trapezoidal shape.
상기 압전 석영 웨이퍼의 길이는 0.8~3.2mm 이다. The length of the piezoelectric quartz wafer is 0.8 to 3.2 mm.
상기 압전 석영 웨이퍼의 폭은 0.6~2.5mm 이다. The width of the piezoelectric quartz wafer is 0.6 to 2.5 mm.
상기 중앙 부재, 보호 프레임 및 연결부의 재료는 모두 석영이다. The material of the central member, the protective frame and the connecting portion are all quartz.
압전 석영 웨이퍼의 가공공정은 다음 단계를 포함한다. The processing steps of the piezoelectric quartz wafer include the following steps.
S1: 일정 규격의 석영기판을 취출하여, 석영 기판의 상, 하부 표면에 연마, 폴리싱 처리를 한다.S1: A quartz substrate of a certain standard is taken out, and the upper and lower surfaces of the quartz substrate are polished and polished.
S2: 스핀 코팅 또는 분무 방식으로 석영 기판 표면에 두께가 균일한 포토 에칭 레지스트 보호층(ER)을 형성하고, 광식각으로 포토 에칭 레지스트 보호층(ER) 표면을 노광시켜 식각할 패턴을 형성한다. S2: A photoetching resist protective layer (ER) having a uniform thickness is formed on the surface of the quartz substrate by spin coating or spraying, and a photoetching resist protective layer (ER) surface is exposed by an optical angle to form a pattern to be etched.
S3: 습식 식각 또는 건식 식각 방식을 통해 석영 기판 상부 표면을 식각함으로써, 석영 기판 표면에 돌기Ⅰ및 돌기Ⅱ를 형성하되, 돌기Ⅰ및 돌기Ⅱ의 식각 깊이는 습식 식각 또는 건식 식각의 반응 시간 제어를 통해 결정한다. S3: The protrusion I and protrusion II are formed on the surface of the quartz substrate by etching the upper surface of the quartz substrate by the wet etching or the dry etching method. The etching depth of the protrusion I and the protrusion II can be controlled by controlling the reaction time of the wet etching or the dry etching .
S4: S3 단계의 포토 에칭 레지스트 보호층(ER)을 제거한 후 석영 기판 표면을 깨끗이 세척한다. S4: The photoetching resist protective layer (ER) in step S3 is removed, and then the surface of the quartz substrate is cleaned.
S5: 세척 완료 후, 우선 스핀 코팅 또는 분무 방식으로 석영 기판 표면에 두께가 균일한 포토 에칭 레지스트 보호층(ER)을 형성하고, 다시 광식각으로 포토 에칭 레지스트 보호층(ER) 표면을 노광시켜 식각할 패턴을 형성한다. Step S5: After the cleaning is completed, first, a photoetching resist protective layer (ER) having a uniform thickness is formed on the surface of the quartz substrate by spin coating or spraying, and the photoetching resist protective layer (ER) Thereby forming a pattern to be formed.
S6: 습식 식각, 건식 식각, 레이저 식각, 물리적 샌드블라스트 등 방식을 통해, 석영기판 상부 표면을 식각함으로써, 관통홈A 및 관통홈B를 형성한다. S6: The upper surface of the quartz substrate is etched by a wet etching, a dry etching, a laser etching, a physical sandblast, or the like to form a through groove A and a through groove B.
S7: 포토 에칭 레지스트 보호층(ER)을 제거한 후 석영 기판 표면을 깨끗이 세척하여, 양면이 볼록구조를 갖는 압전 석영 웨이퍼를 제작한다. S7: After removing the photoetching resist protective layer (ER), the surface of the quartz substrate is thoroughly cleaned to produce a piezoelectric quartz wafer having convex structures on both sides.
S8: 석영 기판에 절단 위치결정공을 가공한다. S8: The quartz substrate is processed with a cutting position determining ball.
S9: 레이저 절단 또는 블레이드 절단의 방식으로, 절단 위치결정공을 따라 석영 기판을 절단 및 분리함으로써, 석영 웨이퍼의 가공을 완성한다. S9: The quartz wafer is cut and separated along the cut-and-locate positioning holes in the manner of laser cutting or blade cutting, thereby completing the processing of the quartz wafer.
본 발명은 이하 장점을 구비한다.The present invention has the following advantages.
(1) 본 발명의 중앙 부재의 상단 표면에는 돌기Ⅰ이 설치되고, 중앙 부재의 바닥면에는 돌기Ⅱ가 설치되어, 돌기Ⅰ및 돌기Ⅱ는 주변에서 발생하는 기생 발진을 감소시킬 수 있고, 석영 웨이퍼의 중심의 에너지 트래핑 효과를 강화시킬 수 있다. (1) The protrusion I is provided on the upper surface of the central member of the present invention, and the protrusion II is provided on the bottom surface of the center member. The protrusion I and protrusion II can reduce the parasitic oscillation generated in the periphery, Thereby enhancing the energy trapping effect at the center.
(2) 본 발명은 소형화 석영 웨이퍼의 대량생산에 사용될 수 있고, 웨이퍼와 결정체의 제작효율을 대폭 향상시켰으며, 통일성 또한 향상시킨다. (2) The present invention can be used for mass production of miniaturized quartz wafers, greatly improving the production efficiency of wafers and crystals, and improving uniformity.
(3) 보호 프레임이 외부 충격을 받을 경우, 그 충격은 중앙 부재에 전달되지 않으므로, 중앙 부재를 보호한다. (3) When the protective frame is subjected to an external impact, the impact is not transmitted to the central member, so the central member is protected.
도 1은 본 발명의 실시예 1의 구조도이다.
도 2는 도 1의 부감도이다.
도 3은 도 2의 A-A의 투시도이다.
도 4는 도 1의 저면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 1의 석영기판에 기반한 제작공정 가공을 완료한 제품의 부감도이다.
도 6은 도 5의 저면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 2의 구조도이다.
도 8은 도 7의 부감도이다.
도 9는 도 7의 저면도이다.
도 10은 본 발명의 실시예 2의 석영기판에 기반한 제작공정 가공을 완료한 제품의 부감도이다.
도 11은 도 10의 저면도이다. 1 is a structural view of
2 is the sub-sensitivity of Fig.
3 is a perspective view of AA of Fig.
4 is a bottom view of Fig.
FIG. 5 is a side view of a product obtained by completing a fabrication process based on the quartz substrate of Example 1 of the present invention. FIG.
6 is a bottom view of Fig.
7 is a structural view of
8 is the sub-sensitivity of Fig.
9 is a bottom view of Fig.
10 is a side view of a product obtained by completing the manufacturing process based on the quartz substrate of the second embodiment of the present invention.
11 is a bottom view of Fig.
이하 첨부도면을 결합하여 본 발명에 대해 좀 더 구체적으로 설명하나, 본 발명의 보호범위는 아래의 설명에 국한되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the scope of protection of the present invention is not limited to the following description.
실시예 1Example 1
도 1~도 4에 도시된 바와 같이, 양면이 볼록구조를 갖는 신형 압전 석영 웨이퍼는, AT 커팅형을 이용하며, 이 커팅형은 석영 크리스탈 공진기에 보편적으로 응용된다. 그 중 웨이퍼의 장변은 X축에 평행하고, X축은 석영 웨이퍼의 전기축이며, 단변은 Z'축에 평행하고, 두께 방향은 Y'축에 평행하다. 또한 석영 웨이퍼의 장변이 Z'축에 평행하고, 폭은 X축에 평행하며, 두께 방향은 Y'축에 평행하는 것을 배제하지 않는다. 상기 압전 석영 웨이퍼는 중앙 부재(1), 보호 프레임(2) 및 연결부(3)를 포함하고, 중앙 부재(1), 보호 프레임(2) 및 연결부(3)의 재료는 모두 석영이며, 상기 중앙 부재(1)와 보호 프레임(2)은 모두 직사각형의 형상이고, 보호 프레임(2) 내에는 캐비티가 설치되고, 캐비티 내에는 중앙 부재(1)가 설치되며, 중앙 부재(1)의 상단 표면에는 돌기Ⅰ(4)가 설치되고, 중앙 부재의 바닥면에는 돌기Ⅱ(5)가 설치되어, 돌기Ⅰ(4)및 돌기Ⅱ(5)는 주변에 발생하는 기생 발진을 감소시키고 석영 웨이퍼의 중심의 에너지 트래핑 효과를 강화시킬 수 있다. 상기 보호 프레임(2)의 두 개의 장변과 중앙 부재(1)의 두 개의 장변 사이에는 관통홈A(6)이 설치된다. 도 1~도 4에서 도시하는 바와 같이, 보호 프레임(2)의 두 개의 단변과 중앙 부재(1)의 두 개의 단변 사이에는 관통홈B(7)이 설치되며, 관통홈A(6)와 관통홈B(7)은 연통되게 형성되며, 상기 보호 프레임(2)의 임의의 하나의 단변과 중앙 부재(1)는 연결부(3)에 의해 서로 연결되고, 연결부(3)는 임의의 하나의 관통홈B(7)에 설치된다. As shown in Figs. 1 to 4, a new piezoelectric quartz wafer having a convex structure on both sides uses an AT cutting type, and this cutting type is universally applied to a quartz crystal resonator. Among them, the long side of the wafer is parallel to the X axis, the X axis is the electric axis of the quartz wafer, the short side is parallel to the Z 'axis, and the thickness direction is parallel to the Y' axis. Further, it is not excluded that the long side of the quartz wafer is parallel to the Z 'axis, the width is parallel to the X axis, and the thickness direction is parallel to the Y' axis. The piezoelectric quartz wafer includes a
상기 돌기Ⅰ(4)및 돌기Ⅱ(5)는 원형 돌기, 직사각형 돌기 또는 사다리꼴 돌기이다. 상기 연결부(3)의 형상은 직사각형 또는 사다리꼴이며, 본 실시예에서의 돌기Ⅰ(4)및 돌기Ⅱ(5)는 모두 직사각형 돌기이며, 본 실시예에서의 연결부(3)는 모두 직사각형의 형상을 가진다. The projections I (4) and II (5) are circular projections, rectangular projections or trapezoid projections. The shape of the connecting
상기 압전 석영 웨이퍼의 길이는 0.8~3.2mm 인 것으로, 본 실시예에서의 길이는 1.6mm 이고, 상기 압전 석영 웨이퍼의 폭은 0.6~2.5mm 인 것으로, 본 실시예에서의 폭은 1.2mm 이며, 상기 석영 웨이퍼의 공진 주파수는 t=1664/F 이고, t는 석영 웨이퍼의 두께를 나타내고, 단위는 ㎛이고; F는 공진 주파수를 나타내며, 단위는 MHz이며, 본 실시예에서의 석영 웨이퍼의 공진 주파수는 8MHz~70MHz 사이이다. The length of the piezoelectric quartz wafer is 0.8 to 3.2 mm. The length of the piezoelectric quartz wafer in this embodiment is 1.6 mm, and the width of the piezoelectric quartz wafer is 0.6 to 2.5 mm. In this embodiment, the width is 1.2 mm, The resonant frequency of the quartz wafer is t = 1664 / F, t is the thickness of the quartz wafer, and the unit is μm; F represents the resonance frequency, and the unit is MHz, and the resonance frequency of the quartz wafer in this embodiment is between 8 MHz and 70 MHz.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 양면이 볼록구조를 갖는 신형 압전 석영 웨이퍼의 가공 단계는 다음과 같다. As shown in Figs. 5 and 6, the processing steps of the new piezoelectric quartz wafer having the convex structure on both sides are as follows.
S1: 일정 규격의 석영기판(8)을 취출하여, 석영 기판(8)의 상, 하부 표면에 연마, 폴리싱 처리를 한다.S1: A
S2: 스핀 코팅 또는 분무 방식으로 석영 기판(8) 표면에 두께가 균일한 포토 에칭 레지스트 보호층(ER)을 형성하고, 광식각으로 포토 에칭 레지스트 보호층(ER) 표면을 노광시켜 식각할 패턴을 형성한다. S2: A photoetching resist protective layer ER having a uniform thickness is formed on the surface of the
S3: 습식 식각 또는 건식 식각 방식을 통해 석영 기판(8) 상부 표면을 식각함으로써, 석영 기판(8) 표면에 돌기Ⅰ(4) 및 돌기Ⅱ(5)를 형성하고, 돌기Ⅰ(4) 및 돌기Ⅱ(5)의 식각 깊이는 습식 식각 또는 건식 식각의 반응 시간 제어를 통해 결정한다. S3: The upper surface of the
S4: S3 단계의 포토 에칭 레지스트 보호층(ER)을 제거한 후 석영 기판(8) 표면을 깨끗이 세척한다. S4: The photoetching resist protective layer ER in step S3 is removed, and then the surface of the
S5: 세척 완료 후, 우선 스핀 코팅 또는 분무 방식으로 석영 기판(8) 표면에 두께가 균일한 포토 에칭 레지스트 보호층(ER)을 형성하고, 다시 광식각으로 포토 에칭 레지스트 보호층(ER) 표면을 노광시켜 식각할 패턴을 형성한다. S5: After the cleaning is completed, first, a photoetching resist protective layer ER having a uniform thickness is formed on the surface of the
S6: 습식 식각, 건식 식각, 레이저 식각, 물리적 샌드블라스트 등 방식을 통해, 석영기판(8) 상부 표면을 식각함으로써, 관통홈A(6) 및 관통홈B(7)을 형성한다. S6: The top surface of the
S7: 포토 에칭 레지스트 보호층(ER)을 제거한 후 석영 기판(8) 표면을 깨끗이 세척하여, 양면이 볼록구조를 갖는 압전 석영 웨이퍼를 제작한다. S7: After removing the photoetching resist protective layer (ER), the surface of the quartz substrate (8) is thoroughly cleaned to produce a piezoelectric quartz wafer having a convex structure on both sides.
S8: 석영 기판(8)에 절단 위치결정공(9)을 가공한다. S8: The
S9: 레이저 절단 또는 블레이드 절단의 방식으로, 절단 위치결정공(9)을 따라 석영 기판(8)을 절단 및 분리함으로써, 석영 웨이퍼의 가공을 완성한다. S9: The
실시예 2Example 2
도 7~도 9에 도시된 바와 같이, 본 실시예 2와 실시예 1의 차이점은, 상기 보호 프레임(2)의 임의의 하나의 단변과 중앙 부재(1) 사이에는 두 개의 연결부(3)가 연결되어 형성되는데, 두 개의 연결부(3)는 중앙 부재(1)와 보호 프레임(2) 사이의 기계적 강도를 강화한다. 7 to 9, the difference between the second embodiment and the first embodiment is that two connecting
상술한 바는 단지 본 발명의 바람직한 실시형태인 것으로, 본 발명은 본 문장에서 밝히는 형태에 국한되지 않는 것으로 이해하여야 하고, 기타 실시예를 배제하는 것으로 간주해서는 아니 되며, 여러 가지 기타 조합, 석영 및 환경에 사용할 수 있으며, 또한 본 문장의 상술한 범위 내에서 상기 가르침 또는 해당분야 기술 및 지식에 기반 하여 변경할 수 있다. 당업자에 의한 변경 및 변화는 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않으며, 모두 본 발명 청구항의 청구보호범위에 속한다. It is to be understood that the foregoing is merely a preferred embodiment of the present invention and that the present invention should not be construed as being limited to the forms disclosed in the present specification and should not be construed as excluding other embodiments, Environment, and may also be modified based on the teachings or the skill and knowledge in the field within the scope of the present text. Modifications and variations by those skilled in the art are within the spirit and scope of the present invention and all fall within the scope of the claims of the present invention.
1: 중앙 부재 2: 보호 프레임
3: 연결부 4: 돌기Ⅰ
5: 돌기Ⅱ 6: 관통홈 A
7:관통홈 B 8: 석영 기판
9: 절단 위치고정공1: central member 2: protective frame
3: connection part 4: projection I
5: projection Ⅱ 6: through groove A
7: Through-hole B 8: Quartz substrate
9: Cutting position fixing hole
Claims (7)
중앙 부재(1), 보호 프레임(2) 및 연결부(3)를 포함하며; 상기 중앙 부재(1)와 보호 프레임(2)은 모두 직사각형의 형상으로 형성되고, 보호 프레임(2) 내에는 캐비티가 설치되고, 캐비티 내에는 중앙 부재(1)가 설치되며, 중앙 부재(1)의 상단 표면에는 돌기Ⅰ(4)이 설치되고, 중앙 부재(1)의 바닥면에는 돌기Ⅱ(5)가 설치되며, 보호 프레임(2)의 두 개의 장변(長邊)과 중앙 부재(1)의 두 개의 장변(長邊) 사이에는 관통홈A(6)이 형성되고, 보호 프레임(2)의 두 개의 단변(短邊)과 중앙 부재(1)의 두 개의 단변(短邊) 사이에는 관통홈B(7)가 형성되며, 관통홈A(6)와 관통홈B(7)는 연통되며, 상기 보호 프레임(2)의 임의의 하나의 단변과 중앙 부재(1) 사이에는 연결부(3)에 의해 서로 연결되며, 연결부(3)는 임의의 하나의 관통홈B(7) 내에 설치되는, 양면이 볼록 구조를 갖는 신형 압전 석영 웨이퍼. In a new piezoelectric quartz wafer having a convex structure on both sides,
A central member (1), a protective frame (2) and a connecting portion (3); The central member 1 and the protection frame 2 are both formed in a rectangular shape. A cavity is provided in the protective frame 2, a central member 1 is provided in the cavity, A protrusion II is provided on the bottom surface of the central member 1 and two long sides of the protective frame 2 and a central member 1 are provided on the top surface of the center frame 1, A through hole 6 is formed between two short sides of the central frame 1 and two short sides of the protective frame 2 and two short sides of the central member 1, And the through hole 6 communicates with the through hole 7 so that a connecting portion 3 is formed between any one short side of the protective frame 2 and the central member 1. [ , And the connecting portion (3) is provided in any one of the through-holes (B) (7).
상기 돌기Ⅰ(4) 및 돌기Ⅱ(5)는 원형 돌기, 직사각형 돌기 또는 사다리꼴 돌기인, 양면이 볼록 구조를 갖는 신형 압전 석영 웨이퍼. The method according to claim 1,
The protrusion I (4) and the protrusion II (5) are circular protrusions, rectangular protrusions or trapezoid protrusions, and both sides have a convex structure.
상기 연결부(3)의 형상은 직사각형 또는 사다리꼴의 형상인 것을 특징으로 하는, 양면이 볼록 구조를 갖는 신형 압전 석영 웨이퍼. The method according to claim 1,
Wherein the connecting portion (3) has a rectangular or trapezoidal shape, and both sides have a convex structure.
상기 압전 석영 웨이퍼의 길이는 0.8~3.2mm인 것을 특징으로 하는, 양면이 볼록 구조를 갖는 신형 압전 석영 웨이퍼. The method according to claim 1,
Wherein the piezoelectric quartz wafer has a length of 0.8 to 3.2 mm.
상기 압전 석영 웨이퍼의 폭은 0.6~2.5mm인 것을 특징으로 하는, 양면이 볼록 구조를 갖는 신형 압전 석영 웨이퍼. The method according to claim 1,
Wherein the piezoelectric quartz wafer has a width of 0.6 to 2.5 mm.
상기 중앙 부재(1), 보호 프레임(2) 및 연결부(3)의 재료는 모두 석영인 것을 특징으로 하는, 양면이 볼록 구조를 갖는 신형 압전 석영 웨이퍼. The method according to claim 1,
Wherein the central member (1), the protective frame (2), and the connecting portion (3) are all quartz.
S1: 일정 규격의 석영기판(8)을 취출하여, 석영 기판(8)의 상, 하부 표면에 연마, 폴리싱 처리를 하는 단계;
S2: 스핀 코팅 또는 분무 방식으로 석영 기판(8) 표면에 두께가 균일한 포토 에칭 레지스트 보호층(ER)을 형성하고, 광식각으로 포토 에칭 레지스트 보호층(ER) 표면을 노광시켜 식각할 패턴을 형성하는 단계;
S3: 습식 식각 또는 건식 식각 방식을 통해 석영 기판(8) 상부 표면을 식각함으로써, 석영 기판(8) 표면에, 돌기Ⅰ(4) 및 돌기Ⅱ(5)를 형성하되, 돌기Ⅰ 및 돌기 Ⅱ의 식각 깊이는 습식 식각 또는 건식 식각의 반응 시간 제어를 통해 결정되는 단계;
S4: S3 단계의 포토 에칭 레지스트 보호층(ER)을 제거한 후 석영 기판(8) 표면을 깨끗이 세척하는 단계;
S5: 세척 완료 후, 우선 스핀 코팅 또는 분무 방식으로 석영 기판(8) 표면에 두께가 균일한 포토 에칭 레지스트 보호층(ER)을 형성하고, 다시 광식각으로 포토 에칭 레지스트 보호층(ER) 표면을 노광시켜 식각할 패턴을 형성하는 단계;
S6: 습식 식각, 건식 식각, 레이저 식각, 물리적 샌드블라스트 등 방식을 통해, 석영기판(8) 상부 표면을 식각함으로써, 관통홈A(6) 및 관통홈B(7)을 형성하는 단계;
S7: 포토 에칭 레지스트 보호층(ER)을 제거한 후 석영 기판(8) 표면을 깨끗이 세척하여, 양면이 볼록구조를 갖는 압전 석영 웨이퍼를 제작하는 단계;
S8: 석영 기판(8)에 절단 위치결정공(9)을 가공해내는 단계;
S9: 레이저 절단 또는 블레이드 절단의 방식으로, 절단 위치결정공(9)을 따라 석영 기판(8)을 절단 및 분리함으로써, 석영 웨이퍼의 가공을 완성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 압전 석영 웨이퍼의 가공공정.
In a method of processing a piezoelectric quartz wafer,
S1: removing a quartz substrate 8 of a predetermined standard, polishing and polishing the upper and lower surfaces of the quartz substrate 8;
S2: A photoetching resist protective layer ER having a uniform thickness is formed on the surface of the quartz substrate 8 by spin coating or spraying, and a pattern to be etched by exposing the photoetching resist protective layer (ER) ;
S3: The upper surface of the quartz substrate 8 is etched by wet etching or dry etching to form the projections I (4) and II (5) on the surface of the quartz substrate 8, and the projections I and II Etching depth is determined by controlling the reaction time of wet etching or dry etching;
S4: cleaning the surface of the quartz substrate 8 after removing the photoetching resist protective layer ER in step S3;
S5: After the cleaning is completed, first, a photoetching resist protective layer ER having a uniform thickness is formed on the surface of the quartz substrate 8 by spin coating or spraying, and then the photoetching resist protective layer (ER) Forming a pattern to be etched by exposure;
S6: etching the top surface of the quartz substrate 8 to form through-holes 6 and through-holes 7 by wet etching, dry etching, laser etching, physical sandblasting or the like;
S7: removing the photoetching resist protective layer (ER), and then cleaning the surface of the quartz substrate (8) cleanly to produce a piezoelectric quartz wafer having a convex structure on both sides;
S8: machining the cutting position hole 9 on the quartz substrate 8;
S9: Completion of machining of the quartz wafer by cutting and separating the quartz substrate 8 along the cutting and positioning hole 9 in the manner of laser cutting or blade cutting. Wafer processing process.
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