KR20170016968A - Flat edge design for better uniformity and increased edge lifetime - Google Patents

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Abstract

기판 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크가 설명된다. 에지 배제 마스크는 에지를 갖는 에지 영역을 포함하며, 에지는 기판에 대해 20o 또는 그 미만의 경사각(inclination angle)을 갖도록 적응된다. An edge exclusion mask for layer deposition on a substrate is described. The edge exclusion mask comprises an edge region having an edge and the edge is adapted to have an inclination angle of 20 o or less with respect to the substrate.

Description

더 우수한 균일성 및 증가된 에지 수명을 위한 편평한 에지 설계{FLAT EDGE DESIGN FOR BETTER UNIFORMITY AND INCREASED EDGE LIFETIME}[0001] FLAT EDGE DESIGN FOR BETTER UNIFORMITY AND INCREASED EDGE LIFETIME FOR BETTER EQUALIZATION &

[0001] 본원에서 설명되는 실시예들은, 층 증착을 위한 마스크들, 및 마스크들을 활용한 층 증착을 위한 방법들 및 장치들에 관한 것이다. 본원에서 설명되는 실시예들은 특히, 편평한 에지(flat edge)를 갖는 에지 배제 마스크(edge exclusion mask)들, 및 편평한 에지를 갖는 에지 배제 마스크를 이용하여 층들을 증착하는 방법들 및 장치들에 관한 것이며, 구체적으로, 기판 상에 층을 증착하도록 구성된 마스크 구조들, 기판 상에 층을 증착하기 위한 장치들, 및 기판 위에 층을 증착하는 방법들에 관한 것이다. [0001] The embodiments described herein relate to masks for layer deposition, and methods and apparatus for layer deposition utilizing masks. The embodiments described herein are particularly directed to methods and apparatus for depositing layers using edge exclusion masks with flat edges and edge exclusion masks with flat edges, And more particularly to mask structures configured to deposit a layer on a substrate, devices for depositing a layer on a substrate, and methods of depositing a layer on a substrate.

[0002] 기판 상에 재료를 증착하기 위한 몇 가지 방법들이 공지되어 있다. 예를 들어, 기판들은 물리 기상 증착(PVD) 프로세스, 화학 기상 증착(CVD) 프로세스, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 프로세스 등에 의해 코팅될 수 있다. 프로세스는, 프로세스 장치 또는 프로세스 챔버 내에서 수행되며, 코팅될 기판이 프로세스 장치 또는 프로세스 챔버 내에 위치된다. 증착 재료가 장치 내에 제공된다. 복수의 재료들, 또한 그 재료들의 산화물들, 질화물들, 또는 탄화물들이 기판 상에서의 증착을 위해 사용될 수 있다. [0002] Several methods for depositing material on a substrate are known. For example, the substrates may be coated by a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, The process is performed in a process apparatus or a process chamber, and a substrate to be coated is placed in the process apparatus or the process chamber. An evaporation material is provided in the apparatus. A plurality of materials, as well as oxides, nitrides, or carbides of the materials, may be used for deposition on the substrate.

[0003] 코팅된 재료들은 몇몇 적용예들에서 그리고 몇몇 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예를 들어, 적용예에는, 반도체 디바이스들을 생성하는 것과 같은, 마이크로일렉트로닉스(microelectronics) 분야가 있다. 또한, 디스플레이들을 위한 기판들은 PVD 프로세스에 의해 종종 코팅된다. 추가적인 적용예들은, 절연 패널들, 유기 발광 다이오드(OLED) 패널들, TFT를 구비한 기판들, 컬러 필터들 등을 포함한다. [0003] Coated materials may be used in some applications and in some technical fields. For example, in applications, there is the field of microelectronics, such as creating semiconductor devices. In addition, substrates for displays are often coated by a PVD process. Additional applications include insulating panels, organic light emitting diode (OLED) panels, substrates with TFTs, color filters, and the like.

[0004] 코팅 프로세스들에서는, 예를 들어, 코팅될 구역(area)을 더 잘 정의(define)하기 위해, 마스크들을 사용하는 것이 유용할 수 있다. 몇몇 적용예들에서는, 기판의 파트(part)들만이 코팅되어야 하고, 코팅되지 않을 파트들은 마스크에 의해 커버된다. 몇몇 적용예들에서, 이를테면, 대면적(large area) 기판 코팅 장치들에서, 기판의 에지를 코팅으로부터 배제하는 것이 유용할 수 있다. 예를 들어, 에지 배제 마스크에 의해 에지를 배제하는 경우, 코팅이 없는 기판 에지들을 제공할 수 있고 기판의 이면(backside)의 코팅을 방지할 수 있다. 예를 들어, 그 밖의 많은 적용예들 중 하나로서, LCD TV 층 증착은 코팅되지 않은 기판 에지를 필요로 한다. 전술한 마스크는 기판의 이러한 구역을 커버한다. 하지만, 마스크를 이용하여 마스킹 또는 블로킹하는 것은 도달하는(arriving) 원자들, 분자들 및 클러스터들의 부가적인 섀도잉 효과(shadowing effect)들을 추가적으로 초래할 수 있고, 이는 신뢰할 수 없는 층 두께 및 시트 저항 균일성을 초래할 수 있다. [0004] In coating processes, it may be useful to use masks, for example, to better define the area to be coated. In some applications, only parts of the substrate need to be coated, and parts that are not to be coated are covered by the mask. In some applications, such as in large area substrate coating devices, it may be useful to exclude the edge of the substrate from the coating. For example, if the edge is eliminated by an edge exclusion mask, it is possible to provide substrate edges without coating and prevent coating of the backside of the substrate. For example, as one of many other applications, LCD TV layer deposition requires an uncoated substrate edge. The mask described above covers this area of the substrate. However, masking or blocking with a mask may additionally result in additional shadowing effects of arriving atoms, molecules and clusters, which may result in unreliable layer thickness and sheet resistance uniformity ≪ / RTI >

[0005] 하지만, 재료 증착 프로세스에서의, 에지 배제 마스크일 수 있는 마스크는 또한, 기판 전방의 마스크의 위치로 인해서, 증착 재료에 노출된다. 코팅되지 않은 마스크들 및 코팅된 마스크들의 영향들은 복잡할 수 있고 그리고 증착될 재료에 의존할 수 있다.[0005] However, in the material deposition process, the mask, which may be an edge exclusion mask, is also exposed to the deposition material due to the position of the mask in front of the substrate. The effects of uncoated masks and coated masks can be complicated and can depend on the material to be deposited.

[0006] 상기 내용에 비추어, 본원에서 설명되는 실시예들은, 종래 기술의 문제점들 중 적어도 일부를 극복할 수 있는, 마스크, 특히 에지 배제 마스크, 에지 배제 마스크를 포함하는, 층 증착을 위한 장치, 및 기판의 에지들을 마스킹하기 위한 방법을 제공한다. [0006] In view of the foregoing, it should be understood that the embodiments described herein may be embodied in an apparatus for depositing layers, including a mask, in particular an edge exclusion mask, an edge exclusion mask, To provide a method for masking edges.

[0007] 상기 내용에 비추어, 독립 청구항 제 1 항, 제 11 항 및 제 13 항에 따른, 에지 배제 마스크, 기판 상의 층 증착을 위한 장치 및 방법이 제공된다. 본 실시예들의 추가의 양상들, 장점들 및 특징들이 종속 청구항들, 상세한 설명 및 첨부 도면들로부터 명백하다. [0007] In view of the above, an edge exclusion mask according to independent claims 1, 11 and 13, apparatus and method for layer deposition on a substrate are provided. Further aspects, advantages and features of the embodiments are apparent from the dependent claims, the description and the accompanying drawings.

[0008] 일 실시예에 따르면, 기판 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크가 제공된다. 에지 배제 마스크는 에지를 갖는 에지 영역을 포함하며, 에지는 기판에 대해 20o 또는 그 미만의 경사각(inclination angle)을 갖도록 적응된다. [0008] According to one embodiment, an edge exclusion mask for layer deposition on a substrate is provided. The edge exclusion mask comprises an edge region having an edge and the edge is adapted to have an inclination angle of 20 o or less with respect to the substrate.

[0009] 제 2 실시예에 따르면, 기판 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크가 제공된다. 에지 배제 마스크는 에지를 갖는 에지 영역을 포함하며, 에지는 기판에 대해 20o 또는 그 미만의 경사각을 갖도록 적응되고, 추가로, 에지 영역은, 에지로부터 5 mm의 거리에서, 3 mm 또는 그 미만의 두께, 특히 2 mm 또는 그 미만의 두께를 갖는다. [0009] According to a second embodiment, an edge exclusion mask for layer deposition on a substrate is provided. The edge exclusion mask comprises an edge region having an edge and the edge is adapted to have an inclination angle of 20 o or less with respect to the substrate and further wherein the edge region has a width of 3 mm or less at a distance of 5 mm from the edge In particular a thickness of 2 mm or less.

[0010] 다른 실시예에 따르면, 기판 상의 층 증착을 위한 장치가 제공된다. 장치는, 층 증착을 위한 챔버; 에지를 갖는 에지 영역을 포함하는 에지 배제 마스크 ― 에지는 기판에 대해 20o 또는 그 미만의 경사각을 갖도록 적응됨 ― ; 및 층을 형성하는 증착 재료를 위한 증착 소스를 포함한다. [0010] According to another embodiment, an apparatus for depositing a layer on a substrate is provided. The apparatus comprises: a chamber for layer deposition; An edge exclusion mask-edge comprising an edge region having an edge adapted to have an inclination angle of 20 o or less with respect to the substrate; And a deposition source for the deposition material forming the layer.

[0011] 추가의 실시예에 따르면, 기판 상의 층 증착을 위한 방법이 제공된다. 방법은, 에지 배제 마스크로 기판의 일부를 마스킹하는 단계 ― 에지 배제 마스크는 에지를 갖는 에지 영역을 포함하고, 에지는 기판에 대해 20o 또는 그 미만의 경사각을 갖도록 적응됨 ― ; 및 기판 상에 층의 재료를 증착하는 단계를 포함한다. [0011] According to a further embodiment, a method is provided for layer deposition on a substrate. The method includes the steps of masking a portion of the substrate with an edge exclusion mask, wherein the edge exclusion mask comprises an edge region having an edge, the edge adapted to have an inclination angle of 20 o or less with respect to the substrate; And depositing a material of the layer on the substrate.

[0012] 본 실시예들의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 발명의 실시예들의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 발명의 실시예들에 관한 것이고, 아래에서 설명된다.
도 1a는 최신 기술(state of the art)에 따른, 기판의 에지를 마스킹하는 데에 일반적으로 사용되는 마스크 구조를 도시한다.
도 1b는 최신 기술에 따른, 일반적인 마스크 구조 상의, 특히 에지 배제 마스크 상의 층 증착의 시나리오(scenario)를 도시한다.
도 2a는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 편평한 에지를 갖는 에지 배제 마스크를 도시한다.
도 2b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 에지 배제 마스크와 같은 마스크 구조를 도시한다.
도 3은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 마스크 구조, 특히, 편평한 에지를 갖는 에지 배제 마스크의 측단면도를 도시한다.
도 4는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 에지 배제 마스크와 같은 마스크 구조를 도시한다.
도 5는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판 상의 층 증착을 위한 방법을 예시하는 흐름도를 도시한다.
도 6은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 에지 배제 마스크를 활용하는, 기판 상의 층 증착을 위한 장치를 도시한다.
[0012] In the manner in which the above-recited features of the embodiments can be understood in detail, a more particular description of embodiments of the invention, briefly summarized above, may be made with reference to the embodiments. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings relate to embodiments of the present invention and are described below.
Figure 1A shows a mask structure commonly used for masking the edges of a substrate, according to the state of the art.
Figure IB shows a scenario of layer deposition on a general mask structure, in particular on an edge rejection mask, in accordance with the state of the art.
Figure 2a shows an edge exclusion mask with a flat edge, in accordance with the embodiments described herein.
Figure 2B illustrates a mask structure, such as an edge exclusion mask, in accordance with embodiments described herein.
Figure 3 shows a side cross-sectional view of a mask structure, in particular an edge exclusion mask with a flat edge, according to embodiments described herein.
Figure 4 illustrates a mask structure, such as an edge exclusion mask, in accordance with the embodiments described herein.
Figure 5 shows a flow diagram illustrating a method for layer deposition on a substrate, in accordance with embodiments described herein.
Figure 6 illustrates an apparatus for depositing layers on a substrate utilizing an edge exclusion mask, in accordance with embodiments described herein.

[0013] 이제, 본원에서 설명되는 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이고, 다양한 실시예들 중 하나 또는 그 초과의 예들은 도면들에서 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 실시예들의 설명으로서 제공되고, 실시예들의 제한으로서 의도되지 않는다. 추가로, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 또는 설명되는 피처(feature)들은, 또 다른 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명은 그러한 변형들 및 변화들을 포함하도록 의도된다. [0013] Reference will now be made in detail to the various embodiments described herein, and examples of one or more of the various embodiments are illustrated in the drawings. In the following description of the drawings, like reference numerals refer to like components. Only differences for the individual embodiments are described. Each example is provided as a description of embodiments and is not intended as a limitation of the embodiments. Additionally, features that are illustrated or described as part of one embodiment may be used with other embodiments or with other embodiments to produce yet another embodiment. The description is intended to include such variations and modifications.

[0014] 몇몇 실시예들에 따르면, 마스크 구조 또는 "에지 배제 마스크"는 코팅될 기판의 적어도 에지를 커버하는 마스크로서 이해되어야 한다. 마스크는 몇몇 파트들 또는 부분들로 구성될 수 있는데, 마스크는 프레임을 형성할 수 있고, 하나 또는 그 초과의 개구(aperture)들을 정의한다. 마스크의 프레임은 다시 몇 개의 프레임 부분들 또는 프레임 파트들을 가질 수 있다. 이는, 상이한 파트들로부터 조립된 프레임들이 일체형 프레임들(integral frames)보다 생산시 더 비용 효율적인 것으로 여겨지기 때문에, 유리할 수 있다. [0014] According to some embodiments, the mask structure or "edge exclusion mask" should be understood as a mask covering at least the edge of the substrate to be coated. A mask can be composed of several parts or parts, which can form a frame and define one or more apertures. The frame of the mask may again have several frame parts or frame parts. This may be advantageous because the frames assembled from different parts are considered to be more cost effective in production than integral frames.

[0015] 에지 배제 마스크는, 기판의 에지가 증착 재료 없이 또는 실질적으로 증착 재료 없이 유지되어야 하는 경우에 바람직하다. 이는, 코팅된 기판의 추후의 적용예 및/또는 핸들링에 기인하여 기판의 정의된 구역만이 코팅되어야 하는 경우일 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 파트로서 사용될 기판은 미리 정의된 치수들을 가져야 한다. 대면적 기판들은, 기판의 에지를 섀도잉(shadow)하기 위해 그리고/또는 기판의 이면 코팅을 방지하기 위해, 에지 배제 마스크를 사용하여 코팅된다. 이러한 접근법은 기판들 상에 신뢰가능하고 일정한 코팅을 허용한다. [0015] An edge exclusion mask is preferred where the edge of the substrate must be maintained without or substantially without deposition material. This may be the case where only defined areas of the substrate need to be coated due to subsequent application and / or handling of the coated substrate. For example, the substrate to be used as a display part must have predefined dimensions. Large area substrates are coated using an edge exclusion mask to shadow the edge of the substrate and / or to prevent backcoating of the substrate. This approach allows a reliable and uniform coating on the substrates.

[0016] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 에지 배제 마스크는 에지를 갖는 에지 영역을 포함한다. 이후, 에지는 기판에 대해 20o 또는 그 미만의 경사각을 갖도록 적응된다. 따라서, 마스크 상에 증착 재료가 증착되더라도, 마스크 상에 증착된 재료에 의해 개구의 바운더리(boundary)가 영향을 덜 받게 된다. 추가의 실시예들에 따르면, 장치 및 방법들은 상기 설명된 바와 같은 에지 배제 마스크를 포함한다. [0016] According to embodiments described herein, an edge exclusion mask includes an edge region having an edge. The edge is then adapted to have an inclination angle of 20 o or less with respect to the substrate. Thus, even if an evaporation material is deposited on a mask, the boundary of the aperture is less influenced by the material deposited on the mask. According to further embodiments, the apparatus and methods include an edge exclusion mask as described above.

[0017] 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들은 섀도잉 효과들을 감소시키는 것을 허용하며, 이에 의해, 증착 프로세스들에서 에지 배제 마스크를 사용할 때, 기판 상의 코팅의 균질성(homogeneity) 및 증가된 에지 수명을 제공한다. [0017] Thus, the embodiments described herein permit reducing shadowing effects, thereby providing homogeneity of the coating on the substrate and increased edge lifetime when using edge exclusion masks in deposition processes.

[0018] 몇몇 실시예들에 따르면, 대면적 기판들은 적어도 0.67 m2의 크기를 가질 수 있다. 크기는, 약 0.67 m2 내지 약 8 m2, 보다 특정하게는 약 2 m2 내지 약 9 m2 또는 심지어 12 m2 까지일 수 있다. 기판들은 본원에서 설명되는 바와 같은 대면적 기판들이고, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 마스크 구조들, 장치들, 및 방법들이 이러한 기판들에 대해 제공된다. 예를 들어, 대면적 기판 또는 캐리어는, 약 0.67 m2 기판들(0.73 m × 0.92 m)에 상응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2 기판들(1.1 m × 1.3 m)에 상응하는 GEN 5, 약 4.29 m2 기판들(1.95 m × 2.2 m)에 상응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2 기판들(2.2 m × 2.5 m)에 상응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 8.7 m2 기판들(2.85 m × 3.05 m)에 상응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12 와 같은 훨씬 더 큰 세대들 및 상응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다. [0018] According to some embodiments, large area substrates may have a size of at least 0.67 m 2 . The size ranges from about 0.67 m 2 to about 8 m 2 , more specifically from about 2 m 2 To about 9 m 2 Or even up to 12 m 2 . Substrates are large area substrates as described herein, and mask structures, devices, and methods in accordance with the embodiments described herein are provided for such substrates. For example, a large area substrate or carrier may have a GEN 4.5 corresponding to about 0.67 m 2 substrates (0.73 m x 0.92 m), a GEN 5 corresponding to about 1.4 m 2 substrates (1.1 m x 1.3 m) GEN 7.5 corresponding to 4.29 m 2 substrates (1.95 m × 2.2 m), GEN 8.5 corresponding to about 5.7 m 2 substrates (2.2 m × 2.5 m), or even about 8.7 m 2 substrates (2.85 m × 3.05 m). ≪ / RTI > Much larger generations such as GEN 11 and GEN 12 and corresponding substrate areas can similarly be implemented.

[0019] 기판은 재료 증착에 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예를 들어, 기판은, 유리(예를 들어, 소다-라임 유리, 보로실리케이트 유리, 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들 또는 임의의 다른 재료 또는 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 재료들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료로 제조될 수 있다. [0019] The substrate may be made of any material suitable for material deposition. For example, the substrate can be coated (e.g., by coating) with a glass (e.g., soda-lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, compound materials, carbon fiber materials, A combination of materials that can be < RTI ID = 0.0 > chemically < / RTI >

[0020] 몇몇 실시예들에 따르면, "마스크 구조", 또는 "에지 배제 마스크" 또는 "마스크 부분(mask portion)"이라는 용어는, 마스크 재료의 피스(piece), 이를테면 탄소 섬유 재료, 또는 알루미늄, 티탄(titan), 스테인리스 스틸, 인바 (Invar) 등과 같은 금속에 대해 사용된다. 마스크는, 코팅될, 기판의 파트를 커버한다. 마스크는, 도가니, 타겟 등과 같은, 증착 재료의 소스와 코팅될 기판 사이에 위치된다. [0020] The term "mask structure ", or" edge exclusion mask "or " mask portion ", according to some embodiments, refers to a piece of mask material, such as a carbon fiber material, ), Stainless steel, Invar, and the like. The mask covers the part of the substrate to be coated. The mask is positioned between a source of evaporation material, such as a crucible, a target, and the substrate to be coated.

[0021] 에지 배제 마스크는, 기판의 구역(area)의 약 1% 내지 약 5%, 특정하게는 약 5% 내지 약 1%, 훨씬 더 특정하게는, 기판 구역의 약 1% 내지 약 2%를 커버할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 에지 배제 마스크에 의해 커버되거나, 섀도잉되거나 또는 마스킹되는, 기판의 구역은, 기판의 주변부에 위치된다. [0021] The edge exclusion mask covers from about 1% to about 5%, especially from about 5% to about 1%, and more particularly, from about 1% to about 2% of the substrate area of the substrate . According to some embodiments, the area of the substrate that is covered, shadowed, or masked by an edge exclusion mask is located at the periphery of the substrate.

[0022] 몇몇 실시예들에 따르면, "마스크 개구"라는 용어는 마스크의 윈도우(window)로서 이해되어야 하며, 증착 프로세스 동안 증착 재료는 마스크의 윈도우를 통과할 수 있다. "마스크 개구"는 또한 코팅 윈도우로서 지칭될 수 있는데, 이는 마스크 개구가, 코팅 재료가 상부에 증착되는 기판의 구역을 정의하기 때문이다. 개구의 바운더리 또는 내측 바운더리가 코팅 윈도우의 제한부(limitation)에 의해 정의된다. 예를 들어, 마스크가 새 것이거나 새롭게(freshly) 세정된 것이고 그리고 증착 프로세스에서 아직 사용되지 않은 경우, 개구의 바운더리는 마스크 재료로 이루어진다. 마스크가 증착 프로세스에서 사용되고 증착 재료가 마스크 상에 증착된 경우, 개구의 바운더리는 마스크 상에 증착된 재료에 의한, 코팅 윈도우의 제한부일 수 있다. [0022] According to some embodiments, the term "mask opening" should be understood as the window of the mask, and the deposition material may pass through the window of the mask during the deposition process. The "mask opening" may also be referred to as a coating window because the mask opening defines the area of the substrate over which the coating material is deposited. The boundaries or inner boundaries of the openings are defined by the limitation of the coating window. For example, if the mask is fresh or freshly cleaned and not yet used in a deposition process, the opening boundary is made of the mask material. When a mask is used in the deposition process and the deposition material is deposited on the mask, the boundary of the opening may be a limiting part of the coating window, due to the material deposited on the mask.

[0023] 상이한 실시예들에 따르면, 에지 배제 마스크는 PVD 증착 프로세스들, CVD 증착 프로세스 또는 이들의 조합을 위해 사용될 수 있다. 마스크의 에지는 그 주변의 원자들, 분자들, 및 클러스터들에 영향을 미칠 수 있다. 이러한 영향들은 더 복잡할 수 있는데, 이는 "재료의 스트림"이 난류들(turbulences) 등에 의해 영향을 받을 수 있고 그리고 에지가 반드시 날카로운 컷-오프(sharp cut-off) 에지로서 간주될 수는 없기 때문이다. 특히, 더 복잡한 영향들이 코너들에서 이웃하는 측부 부분들로부터 겹칠(superimpose) 수 있다. [0023] According to different embodiments, edge exclusion masks may be used for PVD deposition processes, CVD deposition processes, or a combination thereof. The edges of the mask can affect the surrounding atoms, molecules, and clusters. These effects can be more complicated because the "stream of material" can be affected by turbulences, etc., and the edge can not necessarily be regarded as a sharp sharp-off edge to be. In particular, more complex effects may be superimposed from neighboring side portions at the corners.

[0024] 도 1a는 기판(100)의 예를 도시한다. 기판의 최외측 경계(border)가 110으로 표시된다. 경계(110)는 또한 기판의 최외측 라인으로서 설명될 수 있고, 이러한 최외측 라인을 지나서 기판의 재료가 종료된다. 기판의 에지(120)가 기판의 주변부를 포함할 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같은 에지(120)는 기판의 경계(110)를 포함하는 구역일 수 있다. 에지(120)는, 경계(110)로부터 기판(100)의 표면 상으로 연장하는 폭(W)을 가질 수 있다. 이러한 에지(120)는 프로세싱되는 기판 상에서 에지 배제 마스크(140)에 의해 정의되며, 에지 배제 마스크(140)는 기판(100) 상에 하나 또는 그 초과의 층들을 증착하는 동안 활용된다. 에지(120)는 기판과 에지 배제 마스크 사이의 중첩부(overlap)를 정의한다. [0024] 1A shows an example of a substrate 100. Fig. The outermost border of the substrate is indicated by 110. [ The boundary 110 may also be described as the outermost line of the substrate, and the material of the substrate past this outermost line is terminated. The edge 120 of the substrate may comprise the periphery of the substrate. The edge 120 as used herein may be a zone that includes the boundary 110 of the substrate. The edge 120 may have a width W that extends from the boundary 110 onto the surface of the substrate 100. This edge 120 is defined by an edge exclusion mask 140 on the substrate to be processed and an edge exclusion mask 140 is utilized during deposition of one or more layers on the substrate 100. The edge 120 defines an overlap between the substrate and the edge exclusion mask.

[0025] 폭(W)은 전체 기판에 대해 대칭적일 수 있는데, 즉 각각의 코너 구역 및 각각의 측부 부분이 동일한 폭을 가질 수 있지만, 또한 기판의 적용예에 따라서, 측부 마다(from side to side) 달라질 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 기판의 에지는 기판을 코팅하기 위해 사용되는 마스크의 개구에 의해 정의될 수 있다. 예를 들어, 에지 배제 마스크의 개구는, 코팅되는 기판의 구역에 영향을 미치고, 에지와 같은 기판의 구역을 커버한다. 따라서, 기판의 에지는, 에지 배제 마스크가 사용되는 코팅 프로세스 동안 코팅되지 않고 에지 배제 마스크에 의해 커버되는, 기판의 구역으로서 정의될 수 있다. [0025] The width W may be symmetrical with respect to the entire substrate, i.e., each corner section and each side section may have the same width, but may also vary from side to side, depending on the application of the substrate. have. According to some embodiments, the edge of the substrate may be defined by the opening of the mask used to coat the substrate. For example, the opening of the edge exclusion mask affects the area of the substrate to be coated and covers the area of the substrate, such as an edge. Thus, the edge of the substrate can be defined as the area of the substrate, which is covered by the edge exclusion mask without being coated during the coating process in which the edge exclusion mask is used.

[0026] 마스크는 기판의 에지 상에서의 재료들의 증착을 감소시키거나 방해한다. 하지만, 마스크를 이용하여 마스킹 또는 블로킹하는 것은 도달하는 원자들, 분자들 및 클러스터들의 부가적인 섀도잉 효과들을 추가적으로 초래할 수 있고, 이는 신뢰할 수 없는 층 두께 및 시트 저항 균일성을 초래할 수 있다. 특히 기판의 4개의 코너들이 부가적인 섀도잉 효과들에 의해 영향을 받는데, 이는 2개의 섀도잉 파트들이 이러한 지점들에서 서로 만나기 때문이다. [0026] The mask reduces or prevents the deposition of materials on the edge of the substrate. However, masking or blocking with a mask may additionally result in additional shadowing effects of the arriving atoms, molecules and clusters, which may result in unreliable layer thickness and sheet resistance uniformity. In particular, the four corners of the substrate are affected by additional shadowing effects, since the two shadowing parts meet each other at these points.

[0027] 도 1b에서, 마스크(140) 상의 층 생성이 예시된다. 마스크는, 하나 또는 그 초과의 증착 프로세스들 이후 연속적 층(400)에 의해 커버되며, 라인들은 마스크(140) 상의 증착 재료의 성장들을 나타낸다. 제 1 증착 기간 이후, 층(401)이 마스크(140) 위에 형성된다. 층(401)은, 증착 소스 어레인지먼트( deposition source arrangement)를 대면하는(facing), 마스크의 표면 상에 코팅될 것이다. 제 2 증착 기간은 층(402)을 초래하며, 층(402)은 층(401)보다 더 많은 양으로 마스크의 에지 내로 연장한다. 층(402)은 기판과 마스크 간의 중첩(overlapping) 영역의 추가의 성장을 초래할 것이다. 이러한 성장은 기판 상에 섀도잉 효과를 유발하여, 신뢰할 수 없는 층 두께, 신뢰할 수 없는 시트 저항 균일성 및 마스크 에지의 수명 감소를 초래한다. 동일한 결과가, 층(403)을 초래하는 제 3 증착 시간에 적용된다. 비록 도 1b가 마스크 상에 3개의 층들을 초래하는 3개의 증착 기간들을 나타내고 있기는 하지만, 섀도잉 층들의 이러한 개념은 연속적인 프로세스라는 것을 이해해야 한다. [0027] In Fig. 1B, layer creation on mask 140 is illustrated. The mask is covered by the continuous layer 400 after one or more deposition processes, and the lines represent the growth of the deposition material on the mask 140. After the first deposition period, a layer 401 is formed over the mask 140. Layer 401 will be coated on the surface of the mask, facing the deposition source arrangement. The second deposition period results in a layer 402, which extends into the edge of the mask in an amount greater than the layer 401. Layer 402 will result in additional growth of the overlapping region between the substrate and the mask. This growth causes a shadowing effect on the substrate, resulting in unreliable layer thickness, unreliable sheet resistance uniformity and reduced life of the mask edge. The same result is applied to the third deposition time resulting in layer 403. [ Although Figure 1b shows three deposition periods resulting in three layers on the mask, it should be understood that this concept of shadowing layers is a continuous process.

[0028] 상기 내용에 비추어, 도 1b는, 증착 프로세스 동안 통상의 에지 배제 마스크들을 사용할 때 일어날 수도 있는 문제를 예시한다. 따라서, 마스크 상의 재료의 증착으로 인해, 마스크 개구의 바운더리가 마스크 상에 증착되는 재료에 의해 영향을 받게 되어, 섀도잉 효과를 초래한다. 더욱이, 예를 들어, 캐리어 내의 기판을 마스킹하는 동안, 마스킹 어레인지먼트(masking arrangement)의 진동 또는 다른 가속(acceleration)은 코팅 층(400)으로부터의 입자 생성을 초래한다. 입자 생성은 제어될 수 없으며, 그에 따라, 원치않는 입자들이, 프로세싱될 기판 표면에 또한 적용될 가능성이 존재한다. 따라서, 마스크 구조, 특히 마스크의 에지의 설계가, 기판들의 프로세싱 동안 그리고/또는 유지보수(maintenance) 동안, 원치않는 영향들을 초래할 수 있다. [0028] In view of the above, FIG. 1B illustrates a problem that may occur when using conventional edge exclusion masks during the deposition process. Thus, due to the deposition of the material on the mask, the boundary of the mask opening is affected by the material deposited on the mask, resulting in a shadowing effect. Moreover, for example, during masking of a substrate in a carrier, vibration or other acceleration of a masking arrangement results in particle generation from the coating layer 400. [ Particle generation can not be controlled, and thus there is a possibility that unwanted particles will also be applied to the substrate surface to be processed. Thus, the design of the mask structure, especially the edge of the mask, can result in undesirable effects during processing of the substrates and / or during maintenance.

[0029] 본원에서 설명되는 실시예들의 에지 설계는 기판 구역 가까이에서 매우 편평한 형상을 갖는다. 따라서, 증착 재료가 마스크 상에 증착되더라도, 마스크 상에 증착되는 재료에 의해 개구의 바운더리가 영향을 덜 받게 된다. 결과적으로, 본원에서 설명되는 실시예들은 섀도잉 효과들을 감소시키는 것을 허용하며, 그리고 증착 프로세스들에서 에지 배제 마스크를 사용할 때, 기판 상의 코팅의 균질성 및 증가된 에지 수명을 제공한다. [0029] The edge design of the embodiments described herein has a very flat shape near the substrate area. Thus, even if the deposition material is deposited on the mask, the boundary of the opening is less influenced by the material deposited on the mask. As a result, the embodiments described herein permit reducing shadowing effects, and provide uniformity of the coating on the substrate and increased edge lifetime when using edge exclusion masks in deposition processes.

[0030] 따라서, 도 2a에 예시되는, 본원에서 설명되는 실시예들의 에지 설계는, 에지 윤곽(contour)/형상의 영향을 감소시키며, 그리고 통상의 에지 설계들과 비교하여 더 우수한 균일성 및 증가된 에지 수명을 허용한다. [0030] Thus, the edge design of the embodiments described herein, illustrated in FIG. 2A, reduces the effect of edge contour / shape and provides better uniformity and increased edge lifetime compared to conventional edge designs .

[0031] 도 2a와 관련하여, 에지(200)를 갖는 에지 영역(201)을 포함하는, 기판(100) 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크(240)가 도시된다. 에지 영역(201)은, 에지(200) 상에서 끝나는, 기판에 이웃하는 마스크의 영역에 대응한다. 에지(200)는 바람직하게는 편평한 에지이며, 본원에서 사용되는 바와 같이, "편평한 에지"는 얕은, 낮은(low) 두께의 에지를 지칭한다. 기판을 대면하는 제 1 표면(210) 및 증착 소스 어레인지먼트를 대면하는 대향(opposing) 표면(220)이 또한 도시된다. 제 1 표면은, 이를테면 지지 어레인지먼트, 보호 실드, 기판 캐리어 또는 냉각 프레임과 같은 상이한 어레인지먼트들을 수용하도록 적응된다. 대향 표면은 아래에 있는 어레인지먼트들이 코팅되는 것을 막을 수 있다. 대향 표면은 증착 소스에 노출되고, 증착 재료에 의해 코팅되어, 에지 배제 마스크(240) 상에 코팅되는 재료의 층을 형성할 수 있다. 도 2a에 나타낸 바와 같이, 하나 또는 그 초과의 상이한 영역들이 에지 배제 마스크(240) 내에 제공될 수 있다. 예를 들어, 주변 영역(203)은, 마스크의 외주(outer perimeter)로부터 연장하는, 마스크의 영역에 대응할 수 있다. 추가의 영역, 예를 들어 중간 영역(202)은, 에지 영역(201)과 주변 영역(203) 사이에서 연장하는, 마스크의 영역에 대응할 수 있다. 대안적인 실시예들에 따르면, 중간 영역은 회피될 수도 있다. 중간 영역을 회피함으로써, 주변 영역(203)은, 마스크의 외주로부터 에지 영역(201)으로 연장하는, 마스크의 영역에 대응할 수 있다. [0031] 2a, an edge exclusion mask 240 for layer deposition on a substrate 100 is shown, including an edge region 201 having an edge 200. In Fig. The edge region 201 corresponds to the region of the mask adjacent to the substrate, which ends on the edge 200. The edge 200 is preferably a flat edge, and as used herein, a "flat edge" refers to a shallow, low thickness edge. A first surface 210 facing the substrate and an opposing surface 220 facing the deposition source arrangement are also shown. The first surface is adapted to accommodate different arrangements, such as a support arrangement, a protective shield, a substrate carrier, or a cooling frame. The opposing surfaces can prevent the underlying arrangements from being coated. The opposing surface may be exposed to a deposition source and coated with an evaporation material to form a layer of material coated on the edge exclusion mask 240. As shown in FIG. 2A, one or more different regions may be provided in the edge exclusion mask 240. For example, the peripheral region 203 may correspond to an area of the mask that extends from the outer perimeter of the mask. A further area, for example an intermediate area 202, may correspond to an area of the mask that extends between the edge area 201 and the peripheral area 203. According to alternative embodiments, the intermediate area may be avoided. By avoiding the intermediate region, the peripheral region 203 can correspond to the region of the mask, which extends from the periphery of the mask to the edge region 201. [

[0032] 따라서, 본 발명의 실시예들은, 마스크의 에지 영역이 너무 큰 두께를 가질 때에 일어날 수 있는 섀도잉 효과들을 감소시키거나 제거함으로써, 기판 상에서의, 바람직하게는, 기판의 외측 영역들에서의 코팅의 임의의 불균질성(inhomogeneity)을 감소시키거나 제거한다. 예를 들어, 본원에서 설명되는 실시예들의 에지 설계는, 에지까지의 10 mm 거리에서 5 %의 코팅 균일성을 제공한다. [0032] Thus, embodiments of the present invention are useful for reducing or eliminating shadowing effects that may occur when the edge region of the mask has too large a thickness, Thereby reducing or eliminating any inhomogeneity. For example, the edge design of the embodiments described herein provides 5% coating uniformity at a 10 mm distance to the edge.

[0033] 또한, 추가의 실시예들에 따르면, 에지 배제 마스크의 에지는 기판에 대해 20o 또는 그 미만의 경사각을 가질 수 있고, 특정하게는, 에지는 기판에 대해 15o 또는 그 미만의 경사각을 가질 수 있고, 보다 특정하게는, 에지는 기판에 대해 10o 또는 그 미만의 경사각을 가질 수 있다. 에지의 경사각은, 증착 소스의 기하형상(geometry) 및 방향상의 특징들을 고려하여 선택될 수 있다. [0033] Also, according to further embodiments, the edge of the edge exclusion mask may have an inclination angle of 20 o or less with respect to the substrate, and in particular, the edge may have an inclination angle of 15 o And more particularly, the edge may have an inclination angle of 10 o or less with respect to the substrate. The inclination angle of the edge can be selected in consideration of the geometry and orientation characteristics of the deposition source.

[0034] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 에지 배제 마스크의 에지 영역은, 에지로부터 5 mm의 거리에서, 3 mm 또는 그 미만의 두께를 가질 수 있고, 특정하게는, 에지 영역은 2 mm 또는 그 미만의 두께를 가질 수 있고, 보다 특정하게는, 에지 영역은 1 mm 의 두께를 가질 수 있다. [0034] According to different embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the edge region of the edge exclusion mask may have a thickness of 3 mm or less, at a distance of 5 mm from the edge, The edge region may have a thickness of 2 mm or less, and more particularly, the edge region may have a thickness of 1 mm.

[0035] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 대향 표면(220)은 제 1 표면(210)에 대해 2개 또는 그 초과의 상이한 경사각들을 가질 수 있다. 또한, 상이한 실시예들에 따르면, 2개 또는 그 초과의 상이한 경사각들은 0o 내지 70o 일 수 있고, 특정하게는, 2개 또는 그 초과의 상이한 경사각들은 10o 내지 50o 일 수 있고, 보다 특정하게는, 2개 또는 그 초과의 상이한 경사각들은 20o 내지 45o 일 수 있다. [0035] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the opposing surface 220 may have two or more different tilt angles relative to the first surface 210. Also, according to different embodiments, two or more different tilt angles may be between 0 o and 70 o , and specifically, two or more different tilt angles may be between 10 o and 50 o , In particular, two or more different inclination angles may be between 20 o and 45 o .

[0036] 2개 또는 그 초과의 상이한 경사각들을 갖는 에지 배제 마스크는, 충분한 높이를 제공함과 동시에, 편평한 에지를 갖는 낮은 두께의 에지 영역을 제공한다는 장점을 갖는다. 에지 배제 마스크의 충분한 높이는, 이를테면 지지 어레인지먼트, 보호 실드, 기판 캐리어 또는 냉각 프레임과 같은 상이한 어레인지먼트들을 수용하기 위해 필요하다. 편평한 에지를 갖는 낮은 두께의 에지 영역은, 단지 하나의 경사각 만을 갖는 현재의 에지 배제 마스크들에 대해 흔히 있는 바와 같이, 마스크의 에지 영역이 너무 큰 두께를 가질 때 일어날 수 있는 섀도잉 효과들을 감소시키거나 제거함으로써, 기판 상의 코팅의 임의의 불균질성을 감소시키거나 제거한다. 편평한 에지를 갖는 낮은 두께의 에지 영역은 에지 수명을 더 증가시킨다. [0036] An edge exclusion mask having two or more different inclination angles has the advantage that it provides a sufficient height while providing a low thickness edge area with flat edges. A sufficient height of the edge exclusion mask is needed to accommodate different arrangements, such as a support arrangement, a protective shield, a substrate carrier or a cooling frame. A low-thickness edge region with a flat edge reduces shadowing effects that can occur when the edge region of the mask has too large a thickness, as is common for current edge rejection masks with only one tilt angle Or eliminates any unevenness of the coating on the substrate. A low-thickness edge region with a flat edge further increases the edge lifetime.

[0037] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 주변 영역은 기판에 대해 5o 또는 그 미만의 경사각을 가질 수 있고, 특정하게는, 주변 영역은 기판에 대해 2o 또는 그 미만의 경사각을 가질 수 있고, 보다 특정하게는, 주변 영역은 기판에 대해 0o의 경사각을 가질 수 있다. 추가의 실시예들에 따르면, 중간 영역은 기판에 대해 30o 내지 70o의 경사각을 가질 수 있고, 특정하게는, 중간 영역은 기판에 대해 40o 내지 60o의 경사각을 가질 수 있고, 보다 특정하게는, 중간 영역은 기판에 대해 약 45o의 경사각을 가질 수 있다. [0037] According to different embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the peripheral region may have an inclination angle of 5 o or less with respect to the substrate, and in particular, about 2 o or may have an inclination angle of less, and more specifically, the peripheral region may have an inclination angle of 0 o with respect to the substrate. According to a further example, the intermediate region may have an inclination angle of 30 o to 70 o with respect to the substrate, specifically, the intermediate region may have an inclination angle of 40 o to 60 o with respect to the substrate, than a , The intermediate region may have an inclination angle of about 45 degrees relative to the substrate.

[0038] 미리 결정된 수의 증착 실행(run)들 이후, 마스크 상의, 보다 특정하게는, 마스크의 대향 표면 상의 코팅된 재료는, 예를 들어, 기판 또는 증착 설비의 다른 파트들 상으로, 제어되지 않은 방식으로 이동하는 형성 입자(forming particle)들을 분리(detach)시킬 수 있다. 이러한 입자들은 프로세싱되는 기판들에 유해한 영향들을 미칠 수 있으며, 경우에 따라서는 심지어 기판들을 파괴할 수 있다. [0038] After a predetermined number of deposition runs, the coated material on the mask, and more particularly on the opposing surface of the mask, can be transferred, for example, onto the substrate or other parts of the deposition facility in an uncontrolled manner Thereby detaching moving particles that are moving. These particles can have deleterious effects on the substrates being processed and, in some cases, even destroy the substrates.

[0039] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 이러한 영향을 보상하기 위해, 그 표면 상에 돌출부(protrusion)들을 갖는 마스크가 제공되며, 이는 입자들의 분리를 감소시킬 수 있다. 도 2b는 대향 표면(220)을 갖는 에지 배제 마스크(240)를 도시한다. 대향 표면(220)은 돌출부들(215)을 포함할 수 있고, 특정하게는, 대향 표면의 70 % 또는 그 초과가 돌출부들을 포함할 수 있고, 보다 특정하게는, 대향 표면의 90 % 또는 그 초과가 돌출부들을 포함할 수 있다. 도 2b에 나타낸 바와 같이, 에지 배제 마스크(240)는, 프레임을 형성할 수 있는 2개 또는 그 초과의 마스크 부분들로 구성될 수 있다. 에지 배제 마스크(240)가 2개 또는 그 초과의 마스크 부분들로 구성되는 경우, 도 2a에 도시된 바와 같이, 제 1 표면(210)은 연결 파트(260)에 의해 2개 또는 그 초과의 마스크 부분들의 맞물림(engagement)을 가능하게 하도록 적응될 수 있다. 2개 또는 그 초과의 마스크 부분들은, 2개 또는 그 초과의 마스크 부분들 사이에 조정가능한 중첩 영역을 추가로 가질 수 있다. [0039] According to the embodiments described herein, in order to compensate for this effect, a mask with protrusions on its surface is provided, which can reduce the separation of the particles. 2B illustrates an edge exclusion mask 240 having an opposing surface 220. As shown in FIG. The opposing surface 220 can include protrusions 215 and specifically, 70% or more of the opposing surface can include protrusions, and more particularly, 90% or more of the opposing surface May include protrusions. As shown in FIG. 2B, the edge exclusion mask 240 may be composed of two or more mask portions capable of forming a frame. When the edge exclusion mask 240 is comprised of two or more mask portions, the first surface 210 is connected by two or more masks (not shown) And can be adapted to enable engagement of portions. Two or more mask portions may additionally have an adjustable overlap region between two or more mask portions.

[0040] 도 3은 기판(100)의 측면도를 예시하며, 기판의 에지는 마스크(240)에 의해 섀도잉된다. 마스크는 기판으로부터 2 mm 내지 8 mm의 갭(300)을 갖도록 제공되는 바, 즉, 기판 표면을 섀도잉하는, 마스크의 부분은 기판 표면과 접촉하지 않는다. 다른 실시예들에 따르면, 마스크는 또한, 기판과 직접적으로 접촉할 수 있는 바, 예를 들어, 어떠한 갭도 없을 수 있거나, 0 mm 내지 8 mm의 갭이 있을 수 있다. 도 3의 화살표들(305)은 증착 동안 증착될 코팅 물질을 예시한다. [0040] FIG. 3 illustrates a side view of substrate 100, where the edge of the substrate is shadowed by mask 240. The mask is provided with a gap 300 of 2 mm to 8 mm from the substrate, i.e., the portion of the mask that does not contact the substrate surface, which shadows the substrate surface. According to other embodiments, the mask may also be in direct contact with the substrate, for example, without any gaps, or may have gaps of 0 mm to 8 mm. Arrows 305 in FIG. 3 illustrate the coating material to be deposited during deposition.

[0041] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 추가의 실시예들에 따르면, 기판의 코팅된 구역의 코너들에서의 두께 균일성은, 코너들에서의 컷-아웃(cut-out)들을 갖는 에지 배제 마스크에 의해 개선될 수 있다. 결과적으로, 합쳐질(add up) 수 있고, 그에 따라 불충분한 층 두께를 초래할 수 있는, 코너들에서의 에지 배제 마스크의 섀도잉 효과들이 감소될 수 있다. [0041] According to further embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the thickness uniformity at the corners of the coated area of the substrate is determined by the edge with cut-outs at the corners, Can be improved by an exclusion mask. As a result, the shadowing effects of the edge exclusion masks at the corners, which can be added up and thus result in insufficient layer thickness, can be reduced.

[0042] 도 4에 나타낸 바와 같이, 마스크 프레임의 중간에 개구를 갖는 에지 배제 마스크(240)가 제공될 수 있다. 개구는 돌출부를 가질 수 있는데, 즉, 마스크의 나머지 부분과 비교하여, 4개의 코너들에서의 마스크 프레임은 리세스(recess) 또는 컷아웃을 가질 수 있다. 이는, 예를 들어 코너 구역들(442)에 예시되고, 기판 및 마스크(240)의 중첩부의 폭(WC), 즉, 기판의 에지(110) 및 개구를 형성하는 마스크의 바운더리의 거리는, 기판 및 마스크(240)의 중첩부의 폭(WS), 즉, 마스크 프레임의 측부 부분들(440)에서의 기판의 에지(110)와 개구를 형성하는 마스크의 바운더리의 거리와 비교하여, 코너 구역들(442)에서 더 작다. 코너 구역들(442)은 길이(L) 및 폭(H)을 가질 수 있으며, 이는 예를 들어, 2 cm 내지 6 cm, 바람직하게는 3 cm 내지 5 cm 일 수 있다. 상이한 구현예들에 따르면, 길이 및 폭은 각각의 측부들에서 동일할 수 있거나, 또는 이들은 상이할 수 있다. 예를 들어, 이들은 각각의 마스크의 전체 측부 길이의 거의 동일한 비율을 가질 수 있다. [0042] As shown in Fig. 4, an edge exclusion mask 240 having an opening in the middle of the mask frame may be provided. The aperture can have protrusions, i.e., compared to the rest of the mask, the mask frame at the four corners can have a recess or cutout. This is illustrated for example in corner areas 442 and the width of the overlap of the substrate and mask 240, W C , i.e. the distance between the edge of the substrate 110 and the boundary of the mask forming the opening, and the width (W s), overlap portions of the mask 240, i.e., as compared to the edge 110 and the opening distance of the boundary of the mask for forming the substrate in the side portions 440 of the mask frame, the corner section (442). The corner regions 442 may have a length L and a width H, which may be, for example, 2 cm to 6 cm, preferably 3 cm to 5 cm. According to different embodiments, the length and width may be the same at each side, or they may be different. For example, they may have approximately the same ratio of the total side length of each mask.

[0043] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 제 1 중첩부, 즉 제 1 폭(Ws)은 2 mm 내지 8 mm, 특히 3 mm 내지 6 mm 일 수 있다. 이들의 추가의 선택적 구현예로서, 제 2 중첩부, 즉 폭(Wc)은 0.0 mm 내지 4 mm, 특히 1 mm 내지 3 mm 일 수 있다. 기판의 에지는, 증착 재료가 실질적으로 없도록 유지되어야 하는 기판의 구역, 또는 증착된 재료의 층 두께가, 마스크되지 않은 기판 부분과 비교하여 적어도 25% 의 값으로 감소되는 기판의 구역으로서 정의될 수 있다. [0043] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first overlap, i.e. the first width, Ws, may be between 2 mm and 8 mm, in particular between 3 mm and 6 mm. As a further optional embodiment of these, the second overlap, i.e. width Wc, can be from 0.0 mm to 4 mm, in particular from 1 mm to 3 mm. The edge of the substrate can be defined as the area of the substrate where the deposition material should be kept substantially free or the area of the substrate where the layer thickness of the deposited material is reduced to a value of at least 25% have.

[0044] 이들의 몇몇 구현예들에 따르면, 심지어, 코너 구역들에서 음의(negative) 중첩부, 즉, 갭이 있는 것이 가능하다. 또한, 추가의 실시예들에 따르면, 기판 상에 구역을 가질 수 있고, 이는 기판의 코팅되지 않은 또는 실질적으로 코팅되지 않은 에지 내에서 증착되며, 증착된 구역은 직사각형 형상을 갖는다. 따라서, 에지 배제 마스크가 제공되고, 이러한 에지 배제 마스크는 코너들에서 더 고차(higher order)의 섀도잉 효과들을 보상하기 위해 직사각형 형태에서 약간 벗어난다. [0044] According to some of these embodiments, it is even possible to have a negative overlap, i.e., a gap, in the corner areas. Further, according to further embodiments, the substrate may have zones thereon, which are deposited in an uncoated or substantially uncoated edge of the substrate, and the deposited zones have a rectangular shape. Thus, an edge exclusion mask is provided, which edge slightly deviates from the rectangular shape to compensate for higher order shadowing effects at the corners.

[0045] 편평한 에지를 갖는 낮은 두께의 에지 영역을 구비하는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 에지 배제 마스크는, 더 높은 두께를 갖는 에지 배제 마스크보다 더 낮은 안정성을 나타낼 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 에지 배제 마스크는 마스크 둘레를 따라 이격된 하나 또는 그 초과의 립(rip)들을 포함할 수 있다. 이러한 립들은 마스크 구조의 형태 안정성(form stability)을 높이는 장점을 갖는다. 따라서, 본 실시예들의 에지 배제 마스크는, 평탄한 에지를 갖는 낮은 두께의 에지 영역에 관계없이 안정성을 허용한다. [0045] Edge exclusion masks according to embodiments described herein, having edge regions of low thickness with flat edges, may exhibit lower stability than edge exclusion masks with higher thicknesses. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, edge exclusion masks may include one or more rips spaced along the mask. These lips have the advantage of increasing the form stability of the mask structure. Thus, the edge exclusion masks of the present embodiments allow for stability regardless of the low thickness edge area with flat edges.

[0046] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 에지 배제 마스크는 L-형상 부재, 예를 들어, 이를테면 10 mm 또는 그 미만의 두께를 갖는 얇은 부재로서, 냉각 프레임 쪽으로 상승할(rise) 수 있으며, 냉각 프레임에 부착된다. L-형상은 냉각 프레임에 대한 어댑터로의 마스크의 연결을 허용할 수 있다. [0046] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, an edge exclusion mask may be an L-shaped member, for example a thin member having a thickness of, for example, 10 mm or less, And may be attached to the cooling frame. The L-shape may allow connection of the mask to the adapter for the cooling frame.

[0047] 추가의 실시예들에 따르면, 기판 상에 재료의 층을 증착하기 위한 방법이 제공된다. 도 5는 설명되는 방법의 흐름도를 도시한다. 기판이 증착 장치의 챔버에 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 기판은 상기 설명된 바와 같은 대면적 기판일 수 있으며, 그리고 증착 장치는 도 6에 예시적으로 도시된 바와 같은 증착 챔버일 수 있다. [0047] According to further embodiments, a method for depositing a layer of material on a substrate is provided. Figure 5 shows a flow chart of the method described. A substrate may be provided in the chamber of the deposition apparatus. According to some embodiments, the substrate may be a large area substrate as described above, and the deposition apparatus may be a deposition chamber as exemplarily shown in Fig.

[0048] 마스킹 어레인지먼트가 챔버(612) 내의 기판 쪽으로 이동하며, 그리고 기판의 일부, 예를 들어 기판의 에지가 마스크에 의해 커버된다(502). 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 마스킹에는, 본원에서 설명되는 바와 같은 에지를 갖는 에지 영역을 포함하는 에지 배제 마스크가 제공된다. 마스크는 돌출부들을 갖는 개구를 제공하며, 이러한 개구는 증착 프로세스 동안 증착 재료가 통과하도록 허용한다. 그러한 에지 배제 마스크의 예들이 도 2a 내지 도 4를 참조하여 설명된다. 기판의 마스킹 이후, 층이 증착되며(504), 그에 따라, 섀도잉 효과들이 감소되고, 따라서, 기판 상에서의 코팅의 더 우수한 균일성 및 증가된 에지 수명을 허용하는데, 이는 에지가 증착된 재료 없이 또는 실질적으로 증착된 재료 없이 유지되기 때문이다. [0048] The masking arrangement moves towards the substrate in the chamber 612, and a portion of the substrate, e.g., the edge of the substrate, is covered by the mask (502). According to embodiments described herein, masking is provided with an edge exclusion mask comprising an edge region having an edge as described herein. The mask provides an opening with protrusions that allow the deposition material to pass through during the deposition process. Examples of such edge exclusion masks are described with reference to Figures 2A-4. After masking the substrate, a layer is deposited 504, thereby reducing shadowing effects, thus allowing for better uniformity of coating on the substrate and increased edge lifetime, which allows the edge to be deposited without the deposited material Or substantially without deposited material.

[0049] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예에 따르면, 기판 상에 재료의 층을 증착하기 위한 방법 및 기판의 에지를 커버하기 위한 마스크는 대면적 기판들을 위해 사용된다. 추가의 실시예들에 따르면, 증착되는 층은 금속 층 또는 세라믹 층이다. [0049] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a method for depositing a layer of material on a substrate and a mask for covering an edge of the substrate are used for large area substrates. According to further embodiments, the deposited layer is a metal layer or a ceramic layer.

[0050] 도 6은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판 상의 층 증착을 위한 장치의 개략도를 도시한다. 증착 장치(600)는 PVD 또는 CVD 프로세스와 같은 증착 프로세스를 위해 적응되며, 그리고 층 증착을 위한 챔버(612)를 포함한다. 하나 또는 그 초과의 기판들(100)이 기판 운반 디바이스(620) 상에 위치되는 것으로 도시된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 챔버(612) 내의 기판(100)의 위치를 조정하는 것을 허용하도록, 기판 지지부가 이동가능할 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 바와 같은 대면적 기판들의 경우, 수직 기판 배향 또는 본질적으로 수직인 기판 배향을 가지고 증착이 실행될 수 있다. 운반 디바이스는 하부 롤러들(622)을 가질 수 있고, 하부 롤러들은 하나 또는 그 초과의 구동부(drive)들, 예를 들어 모터들에 의해 구동된다. 구동부들은 롤러의 회전을 위해 샤프트에 의해 롤러(622)에 연결될 수 있고, 그에 따라, 예를 들어, 벨트, 기어 시스템 등으로 롤러들을 연결함으로써, 하나의 모터가 하나 초과의 롤러를 구동시키는 것이 가능하다. [0050] Figure 6 shows a schematic view of an apparatus for layer deposition on a substrate, according to embodiments described herein. The deposition apparatus 600 is adapted for a deposition process such as a PVD or CVD process, and includes a chamber 612 for layer deposition. One or more of the substrates 100 are shown positioned on the substrate transport device 620. According to some embodiments, the substrate support may be moveable to allow adjustment of the position of the substrate 100 in the chamber 612. In particular, in the case of large area substrates such as those described herein, deposition may be performed with a vertical substrate orientation or an essentially vertical substrate orientation. The conveying device may have lower rollers 622 and the lower rollers are driven by one or more drives, for example motors. The actuators can be connected to the roller 622 by a shaft for rotation of the rollers, thereby allowing one motor to drive more than one roller, for example by connecting the rollers to a belt, gear system, or the like Do.

[0051] 수직인 위치 또는 본질적으로 수직인 위치의 기판들의 지지부를 위해 롤러들(624)이 사용될 수 있다. 기판들은 수직일 수 있거나, 또는 예를 들어 5o 까지 수직 위치로부터 약간 벗어날 수 있다. 1 m2 내지 9 m2의 기판 크기들을 갖는 대면적 기판들은 매우 얇은데, 예를 들어, 1 mm 미만, 이를테면 0.7 mm 또는 심지어 0.5 mm 이다. 기판을 지지하기 위해 그리고 기판들을 고정된(fixed) 위치에 제공하기 위해, 기판들의 프로세싱 동안 기판들은 캐리어 내에 제공된다. 따라서, 기판들은, 캐리어 내에서 지지되는 동안, 예를 들어, 복수의 롤러들 및 구동부들을 포함하는 운반 시스템에 의해 운반될 수 있다. 예를 들어, 내부에 기판들을 구비한 캐리어는 롤러들(624) 및 롤러들(622)의 시스템에 의해 지지된다. [0051] Rollers 624 may be used for the support of the substrates in a vertical position or an essentially vertical position. Substrates may be vertical, or, or, for example, may be slightly deviate from the vertical position to the 5 o. 1 m 2 Large-area substrates with substrate sizes of about 9 m 2 are very thin, for example less than 1 mm, such as 0.7 mm or even 0.5 mm. In order to support the substrate and to provide the substrates in a fixed position, the substrates are provided in the carrier during processing of the substrates. Thus, the substrates may be carried by a transport system including, for example, a plurality of rollers and drivers, while being supported within the carrier. For example, a carrier with substrates inside is supported by a system of rollers 624 and rollers 622.

[0052] 증착 재료 소스(미도시)가 챔버(612) 내에 제공되어, 코팅될 기판의 측부와 대면한다. 증착 재료 소스는 기판 상에 증착될 증착 재료를 제공한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 증착 재료 소스는, 증착 재료를 상부에 구비한 타겟일 수 있거나 또는 기판(100) 상에서의 증착을 위해 재료가 방출되도록(released) 허용하는 임의의 다른 어레인지먼트일 수 있다. 재료 소스는 회전가능한 타겟일 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 재료 소스는, 그 소스를 포지셔닝(position)하고 그리고/또는 교체하도록 이동가능할 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 재료 소스는 또한 평면형(planar) 타겟일 수 있다. [0052] A source of evaporation material (not shown) is provided in the chamber 612 to face the side of the substrate to be coated. The source of deposition material provides a deposition material to be deposited on the substrate. According to the embodiments described herein, the source of deposition material may be a target having an evaporation material on top, or any other arrangement that allows material to be released for deposition on the substrate 100 . The material source may be a rotatable target. According to some embodiments, the material source may be movable to position and / or replace its source. According to other embodiments, the material source may also be a planar target.

[0053] 몇몇 실시예들에 따르면, 증착 재료는, 증착 프로세스 및 코팅된 기판의 추후의 적용예에 따라 선택될 수 있다. 예를 들어, 소스의 증착 재료는, 세라믹 재료, 금속, 이를테면 알루미늄, 몰리브덴, 티타늄, 구리 등, 실리콘, 인듐 주석 산화물, 및 다른 투명(transparent) 전도성 산화물들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료일 수 있다. 이러한 재료들을 포함할 수 있는 산화물-층들, 질화물-층들, 또는 탄화물-층들은, 소스로부터 재료를 제공함으로써, 또는 반응성 증착에 의해, 즉, 소스로부터의 재료가 프로세싱 가스로부터의 산소, 질소, 또는 탄소와 같은 원소들과 반응하는 것에 의해 증착될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 실리콘 산화물들, 실리콘 산질화물들, 실리콘 질화물들, 알루미늄 산화물, 알루미늄 산질화물들과 같은 박막 트랜지스터 재료들이 증착 재료로서 사용될 수 있다. [0053] According to some embodiments, the deposition material may be selected according to the deposition process and the subsequent application of the coated substrate. For example, the source evaporation material may be a material selected from the group consisting of ceramic materials, metals such as aluminum, molybdenum, titanium, copper, etc., silicon, indium tin oxide, and other transparent conductive oxides . The oxide-layers, nitride-layers, or carbide-layers that may include these materials can be formed by providing the material from a source, or by reactive deposition, i.e., Lt; RTI ID = 0.0 > carbon. ≪ / RTI > According to some embodiments, thin film transistor materials such as silicon oxides, silicon oxynitrides, silicon nitrides, aluminum oxides, aluminum oxynitrides can be used as the deposition material.

[0054] 증착 장치(600)는 마스크 구조(240)를 포함하는 마스킹 어레인지먼트를 포함한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 마스크(240)는 에지(200)를 갖는 에지 영역(201)을 포함하는 에지 배제 마스크이고, 에지는 기판에 대해 20o 또는 그 미만의 경사각을 갖도록 적응된다. 에지 배제 마스크는 기판(100)의 에지들이 증착 재료에 의해 코팅되지 않도록 보장한다. 일 예로서, 재료는 스퍼터링되거나, 또한 기화될(vaporized) 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판(100)의 에지는, 에지 배제 마스크(240)로 인해, 증착 재료 없이 유지된다. [0054] The deposition apparatus 600 includes a masking arrangement including a mask structure 240. According to some embodiments, the mask 240 is an edge exclusion mask that includes an edge region 201 with an edge 200, and the edge is adapted to have an inclination angle of 20 o or less with respect to the substrate. The edge exclusion masks ensure that the edges of the substrate 100 are not coated by the deposition material. As an example, the material may be sputtered or also vaporized. According to the embodiments described herein, the edge of the substrate 100 is maintained without the deposition material, due to the edge exclusion mask 240.

[0055] 도 6에서, 좌측 에지 배제 마스크는, 연결되어 마스크 프레임을 형성하는 개별적인 프레임 부분들(601, 602, 603, 604, 605, 606, 607, 608, 609 및 610)을 포함하는 것으로 도시되어 있다. 특히 대면적 기판들을 위한 마스크 구조에는, 본질적으로 L-형상일 수 있고 그리고 코너 구역 또는 코너 구역의 적어도 상당한 부분을 포함할 적어도 4개의 코너 부분들(601, 603, 606, 및 608), 및 마스크 프레임을 형성하기 위해 코너 파트들과 연결되는 측부 부분들이 제공될 것이다. 프레임 부분들(601-610)은 설부-및-홈(tongue-and-groove) 어레인지먼트로 배열될 수 있다. 설부-및-홈 어레인지먼트는 상대적으로 서로에 대한 프레임 부분들의 고정된 위치들을 제공한다. 또한, 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 프레임 부분들의 설부-및-홈 어레인지먼트들은, 프레임 부분들이 서로로부터 떨어져 이동하는 것을 허용한다. 설부-및-홈 어레인지먼트는, 증착 재료가 통과할 수 있는 갭을 야기시키지 않으면서, 프레임 부분들이 서로로부터 떨어져 슬라이딩할 수 있게 한다. 단순함을 이유로, 부분들(601-610)과 함께, 좌측 마스크 구조(240) 만이 도시된다. 유사하게, 마스크 프레임을 형성하기 위해, 프로세싱 시스템 내의 하나 초과의 마스크 구조들 또는 모든 마스크 구조들에 하나 초과의 부분이 제공될 수 있다. [0055] 6, the left edge exclusion mask is shown to include individual frame portions 601, 602, 603, 604, 605, 606, 607, 608, 609, and 610 that are connected to form a mask frame. In particular, the mask structure for large area substrates may include at least four corner portions 601, 603, 606, and 608 that may be essentially L-shaped and include at least a substantial portion of the corner region or corner region, Side portions connected to the corner parts for forming the frame will be provided. The frame portions 601-610 may be arranged in a tongue-and-groove arrangement. The tongue-and-groove arrangements provide relatively fixed positions of the frame portions relative to each other. Also, according to some embodiments described herein, tongue-and-groove arrangements of frame portions allow frame portions to move away from one another. The tongue-and-groove arrangement allows the frame portions to slide away from each other, without causing a gap through which the deposition material can pass. For reasons of simplicity, only the left mask structure 240 is shown, with portions 601-610. Similarly, more than one portion may be provided in more than one mask structures or all mask structures in a processing system to form a mask frame.

[0056] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 챔버들(612)은 진공 챔버들로서 제공될 수 있다. 챔버들은 진공 분위기에서 기판들을 프로세싱 및/또는 코팅하도록 적응된다. 압력은 10 mbar 미만, 예를 들어, 1 × 10-7 mbar 내지 1 × 10-1 mbar일 수 있다. 따라서, 증착 시스템은, 진공 플랜지들(613)에 연결될 수 있고 그리고, 1 × 10-7 mbar 의 압력과 같이, 증착 시스템이 특정 적용예를 위해 동작가능하게 할 수 있을 정도로 충분히 낮은 프로세싱 챔버(612) 내의 압력을 달성할 수 있게 하는, 펌핑 시스템(미도시)을 포함할 수 있다. PVD 프로세스들과 같은 증착 동안의 압력(즉, 증착 압력)은 0.1 Pa 내지 1 Pa일 수 있다. 특정 실시예들에 대해, 예를 들어, 프로세싱 가스가 아르곤, 및 산소 또는 질소 중 적어도 하나를 포함하는 PVD 적용예들에 대해, 아르곤 부분압은 0.1 Pa 내지 1 Pa 일 수 있고 그리고, 산소, 수소 및/또는 질소 부분압은 0.1 Pa 내지 1 Pa 일 수 있다. CVD 적용예들에 대한 압력 범위들은, 특히 상기 주어진 범위들 중의 높은 압력단에서, 약 100배 더 클 수 있다. [0056] According to exemplary embodiments that may be combined with other embodiments described herein, one or more chambers 612 may be provided as vacuum chambers. The chambers are adapted to process and / or coat substrates in a vacuum environment. The pressure may be less than 10 mbar, for example, 1 x 10 -7 mbar to 1 x 10 -1 mbar. Thus, deposition systems, be connected to the vacuum flange 613 and may, 1 × 10 -7 mbar as pressure, sufficiently low processing chamber (612 so the vapor deposition system can be operatively for the particular application (Not shown), which is capable of achieving the pressure within the chamber (not shown). The pressure during deposition such as PVD processes (i. E., Deposition pressure) may be between 0.1 Pa and 1 Pa. For certain embodiments, for PVD applications where, for example, the processing gas comprises argon and at least one of oxygen and nitrogen, the argon partial pressure may be from 0.1 Pa to 1 Pa and oxygen, / RTI > and / or the nitrogen partial pressure may be from 0.1 Pa to 1 Pa. The pressure ranges for CVD applications may be about 100 times larger, especially at high pressure stages in the given ranges.

[0057] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 상의 층 증착을 위한 방법 및 장치는 도 2a 내지 도 4와 관련하여 상기 설명된 바와 같은 에지 배제 마스크를 포함한다. [0057] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a method and apparatus for layer deposition on a substrate includes an edge exclusion mask as described above with respect to Figures 2A-4.

[0058] 전술한 바가 본원에서 설명된 실시예들에 관한 것이지만, 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 실시예들의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고 고안될 수 있고, 실시예들의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.[0058] While the foregoing is directed to the embodiments described herein, other and further embodiments may be devised without departing from the basic scope thereof, and the scope of the embodiments is determined by the following claims.

Claims (14)

기판(100) 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크(edge exclusion mask)(240)로서,
에지(200)를 갖는 에지 영역(201)을 포함하며,
상기 에지는 상기 기판에 대해 20o 또는 그 미만의 경사각(inclination angle)을 갖도록 적응되는,
기판(100) 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크(240).
An edge exclusion mask (240) for depositing a layer on a substrate (100)
And an edge region (201) having an edge (200)
Wherein the edge is adapted to have an inclination angle of 20 o or less with respect to the substrate,
An edge exclusion mask (240) for layer deposition on a substrate (100).
제 1 항에 있어서,
상기 에지 영역(201)은, 상기 에지(200)로부터 5 mm의 거리에서, 3 mm 또는 그 미만의 두께, 특히 2 mm 또는 그 미만의 두께를 갖는,
기판(100) 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크(240).
The method according to claim 1,
The edge region 201 has a thickness of 3 mm or less, especially 2 mm or less, at a distance of 5 mm from the edge 200,
An edge exclusion mask (240) for layer deposition on a substrate (100).
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 마스크는, 상기 기판을 대면하는 제 1 표면(210) 및 증착 소스 어레인지먼트(arrangement)를 대면하는 대향(opposing) 표면(220)을 포함하며, 상기 대향 표면(220)은 상기 제 1 표면(210)에 대해 2개 또는 그 초과의 상이한 경사각들을 갖는,
기판(100) 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크(240).
3. The method according to claim 1 or 2,
The mask includes a first surface (210) facing the substrate and an opposing surface (220) facing a deposition source arrangement, the opposing surface (220) comprising a first surface Lt; RTI ID = 0.0 > 2, < / RTI > or more,
An edge exclusion mask (240) for layer deposition on a substrate (100).
제 3 항에 있어서,
상기 2개 또는 그 초과의 상이한 경사각들은 0o 내지 70o 인,
기판(100) 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크(240).
The method of claim 3,
Said two or more different inclination angles being between 0 o and 70 o ,
An edge exclusion mask (240) for layer deposition on a substrate (100).
이전의 항들 중 어느 한 항에 있어서,
중간 영역(202)을 더 포함하는,
기판(100) 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크(240).
5. A method according to any one of the preceding claims,
Further comprising an intermediate region (202)
An edge exclusion mask (240) for layer deposition on a substrate (100).
제 5 항에 있어서,
상기 중간 영역은 40o 내지 60o의 경사각을 갖는,
기판(100) 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크(240).
6. The method of claim 5,
The intermediate region having an inclination angle of 40 o to 60 o,
An edge exclusion mask (240) for layer deposition on a substrate (100).
이전의 항들 중 어느 한 항에 있어서,
주변 영역(203)을 더 포함하는,
기판(100) 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크(240).
5. A method according to any one of the preceding claims,
Further comprising a peripheral region (203)
An edge exclusion mask (240) for layer deposition on a substrate (100).
이전의 항들 중 어느 한 항에 있어서,
상기 마스크의 표면은 돌출부들(215)을 포함하는,
기판(100) 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크(240).
5. A method according to any one of the preceding claims,
The surface of the mask includes protrusions (215)
An edge exclusion mask (240) for layer deposition on a substrate (100).
이전의 항들 중 어느 한 항에 있어서,
2개 또는 그 초과의 마스크 부분들(601-610)을 포함하고, 상기 2개 또는 그 초과의 마스크 부분들은 중첩(overlapping) 영역을 가지며, 상기 2개 또는 그 초과의 마스크 부분들 사이의 중첩 영역은 조정가능한,
기판(100) 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크(240).
5. A method according to any one of the preceding claims,
Two or more mask portions (601-610), wherein the two or more mask portions have overlapping regions, and wherein overlapping regions between the two or more mask portions Lt; / RTI >
An edge exclusion mask (240) for layer deposition on a substrate (100).
이전의 항들 중 어느 한 항에 있어서,
상기 마스크는, 마스크 둘레를 따라 이격되는 하나 또는 그 초과의 립(rip)들을 포함하는,
기판(100) 상의 층 증착을 위한 에지 배제 마스크(240).
5. A method according to any one of the preceding claims,
Wherein the mask comprises one or more rips spaced along the periphery of the mask,
An edge exclusion mask (240) for layer deposition on a substrate (100).
기판 상의 층 증착을 위한 방법으로서,
에지 배제 마스크(240)로 상기 기판의 일부를 마스킹하는 단계 ― 상기 에지 배제 마스크는, 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른, 에지(200)를 갖는 에지 영역(201)을 포함함 ― ; 및
상기 기판 상에 층의 재료를 증착하는 단계를 포함하는,
기판 상의 층 증착을 위한 방법.
A method for layer deposition on a substrate,
Masking a portion of the substrate with an edge exclusion mask 240, the edge exclusion mask comprising an edge region 201 having an edge 200 according to any one of the preceding claims. -; And
And depositing a material of the layer on the substrate.
A method for depositing a layer on a substrate.
제 11 항에 있어서,
증착되는 층은 금속 층 또는 세라믹 층인,
기판 상의 층 증착을 위한 방법.
12. The method of claim 11,
The deposited layer may be a metal layer or a ceramic layer,
A method for depositing a layer on a substrate.
기판 상의 층 증착을 위한 장치(600)로서,
내부에서의 층 증착을 위한 챔버(612);
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른, 에지(200)를 갖는 에지 영역(201)을 포함하는 에지 배제 마스크(240); 및
상기 층을 형성하는 증착 재료를 위한 증착 소스를 포함하는,
기판 상의 층 증착을 위한 장치(600).
An apparatus (600) for depositing a layer on a substrate,
A chamber 612 for layer deposition inside;
An edge exclusion mask (240) comprising an edge region (201) having an edge (200) according to any one of claims 1 to 10; And
And a deposition source for the deposition material forming the layer.
Apparatus (600) for depositing a layer on a substrate.
제 13 항에 있어서,
상기 증착 소스는, 금속 또는 세라믹 재료를 증착하도록 구성되는,
기판 상의 층 증착을 위한 장치(600).
14. The method of claim 13,
Wherein the deposition source is configured to deposit a metal or ceramic material,
Apparatus (600) for depositing a layer on a substrate.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220070573A (en) * 2017-09-27 2022-05-31 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Shadow frame with sides having a varied profile for improved deposition uniformity

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3058075B1 (en) * 2016-11-02 2019-05-10 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives DETOURAGE PLATFORM HAVING A REMOVABLE PART
JP7141989B2 (en) * 2018-09-28 2022-09-26 芝浦メカトロニクス株式会社 Deposition equipment
JP7013533B1 (en) 2020-08-06 2022-02-15 ヤス カンパニー リミテッド Optimized length mask frame
WO2023041185A1 (en) * 2021-09-20 2023-03-23 Applied Materials, Inc. Mask frame support element, edge exclusion mask, mask frame element, substrate support, substrate processing apparatus, and method of manufacturing one or more devices on a substrate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120038518A (en) * 2009-07-23 2012-04-23 엠에스지 리쏘글라스 아게 Method for producing a structured coating on a substrate, coated substrate, and semi-finished product having a coated substrate
KR20120074583A (en) * 2010-12-28 2012-07-06 엘지디스플레이 주식회사 Mask
KR20140034126A (en) * 2012-04-05 2014-03-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Flip edge shadow frame
KR20140059225A (en) * 2011-08-09 2014-05-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Adjustable mask

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1060624A (en) * 1996-08-20 1998-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sputtering device
JP3449459B2 (en) * 1997-06-02 2003-09-22 株式会社ジャパンエナジー Method for manufacturing member for thin film forming apparatus and member for the apparatus
US6051122A (en) * 1997-08-21 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Deposition shield assembly for a semiconductor wafer processing system
JP2000017422A (en) * 1998-07-07 2000-01-18 Toray Ind Inc Mask for patterning conductive film
JP2000119841A (en) * 1998-10-12 2000-04-25 Toray Ind Inc Mask for electrically conductive film patterning
US7670436B2 (en) * 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
US7579067B2 (en) * 2004-11-24 2009-08-25 Applied Materials, Inc. Process chamber component with layered coating and method
WO2008079722A2 (en) * 2006-12-19 2008-07-03 Applied Materials, Inc. Non-contact process kit
EP2423350B1 (en) * 2010-08-27 2013-07-31 Applied Materials, Inc. Carrier for a substrate and a method for assembling the same
CN201826007U (en) * 2010-10-14 2011-05-11 北京京东方光电科技有限公司 Anti-adhesion plate and membrane deposition equipment
CN103140913B (en) * 2010-10-29 2016-09-28 应用材料公司 Deposition ring and electrostatic chuck for physical vapor deposition chamber
CN201962346U (en) * 2010-11-09 2011-09-07 宁波江丰电子材料有限公司 Anti-adhesion plate structure for vacuum sputtering
WO2013026493A1 (en) 2011-08-25 2013-02-28 Applied Materials, Inc. Corner cut mask
US10676817B2 (en) * 2012-04-05 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Flip edge shadow frame

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120038518A (en) * 2009-07-23 2012-04-23 엠에스지 리쏘글라스 아게 Method for producing a structured coating on a substrate, coated substrate, and semi-finished product having a coated substrate
KR20120074583A (en) * 2010-12-28 2012-07-06 엘지디스플레이 주식회사 Mask
KR20140059225A (en) * 2011-08-09 2014-05-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Adjustable mask
KR20140034126A (en) * 2012-04-05 2014-03-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Flip edge shadow frame

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220070573A (en) * 2017-09-27 2022-05-31 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Shadow frame with sides having a varied profile for improved deposition uniformity

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Publication number Publication date
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