JP2017519109A - Flat edge design for improved uniformity and longer edge life - Google Patents

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Abstract

基板上の層堆積のためのエッジ除外マスクが記載される。エッジ除外マスクは、基板に対して20°以下の傾斜角を有するように適合されているエッジを有するエッジ領域を含む。【選択図】図2AAn edge exclusion mask for layer deposition on a substrate is described. The edge exclusion mask includes an edge region having edges that are adapted to have a tilt angle of 20 ° or less with respect to the substrate. [Selection] Figure 2A

Description

本書に記載された実施形態は、層堆積用のマスク並びにマスクを利用する層堆積用の方法及び装置に関する。本書に記載された実施形態は、詳細には、平坦なエッジを有するエッジ除外マスク並びに平坦なエッジを有するエッジ除外マスクを用いて層を堆積させる方法及び装置に関し、具体的には、基板上に層を堆積させるように構成されたマスク構造体、基板上に層を堆積させる装置、並びに基板上に層を堆積させる方法に関する。   Embodiments described herein relate to a mask for layer deposition and a method and apparatus for layer deposition utilizing the mask. Embodiments described herein relate in particular to an edge exclusion mask having a flat edge and a method and apparatus for depositing a layer using an edge exclusion mask having a flat edge, specifically on a substrate. The present invention relates to a mask structure configured to deposit a layer, an apparatus for depositing a layer on a substrate, and a method for depositing a layer on a substrate.

基板上に材料を堆積させるための幾つかの方法が知られている。例えば、基板は、物理的気相堆積(PVD)プロセス、化学気相堆積(CVD)プロセス、プラズマ化学気相堆積(PECVD)プロセス等によって被覆されうる。プロセスは、被覆されるべき基板が置かれる処理装置又はプロセスチャンバの中で実行される。堆積材料が、装置の中に供給される。複数の材料が、またそれらの酸化物、窒化物又は炭化物も、基板上の堆積に使用されうる。   Several methods are known for depositing material on a substrate. For example, the substrate can be coated by a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, and the like. The process is performed in a processing apparatus or process chamber in which the substrate to be coated is placed. Deposited material is fed into the apparatus. Multiple materials, and their oxides, nitrides or carbides can also be used for deposition on the substrate.

被覆された材料が、幾つかの用途及び幾つかの技術分野において使用されうる。例えば、一つの用途が、半導体デバイスを生成するなどのマイクロエレクトロニクスの分野にある。また、ディスプレイ用の基板が、PVDプロセスによって、多くの場合、被覆される。更なる用途は、絶縁パネル、有機発光ダイオード(OLED)パネル、TFT基板、カラーフィルタなどを含む。   The coated material can be used in several applications and several technical fields. For example, one application is in the field of microelectronics, such as producing semiconductor devices. Also, substrates for displays are often coated by a PVD process. Further applications include insulating panels, organic light emitting diode (OLED) panels, TFT substrates, color filters, and the like.

被覆プロセスにおいて、例えば、被覆されるべき領域をより良く画定するために、マスクを使用することが、有益であり得る。幾つかの用途において、基板の一部のみが被覆されるべきであり、被覆されるべきでない部分が、マスクによって覆われる。大面積基板被覆装置などの幾つかの用途において、基板のエッジを被覆から除外することが、有益であり得る。例えば、エッジ除外マスクによるエッジの除外により、被覆されていない基板エッジを提供し、基板の裏側の被覆を防止することが可能である。例えば、他の多くの用途のうちの1つとしてのLCD TVの層堆積は、被覆されていない基板エッジを必要とする。上記のマスクは、基板のこの領域を覆う。しかしながら、マスクによるマスキング又はブロッキングは、到達する原子、分子及びクラスタの更なる追加的なシャドウイング効果を招き、信頼できない層の厚さ及びシート抵抗の均一性をもたらし得る。   In the coating process, it may be beneficial to use a mask, for example, to better define the area to be coated. In some applications, only a portion of the substrate should be coated and the portion that should not be covered is covered by a mask. In some applications, such as large area substrate coating equipment, it may be beneficial to exclude the edge of the substrate from the coating. For example, the exclusion of an edge with an edge exclusion mask can provide an uncoated substrate edge and prevent coating of the back side of the substrate. For example, LCD TV layer deposition as one of many other applications requires an uncoated substrate edge. The above mask covers this area of the substrate. However, masking or blocking with a mask can lead to additional additional shadowing effects of arriving atoms, molecules and clusters, resulting in unreliable layer thickness and sheet resistance uniformity.

しかしながら、エッジ除外マスクであり得る、材料堆積プロセスにおけるマスクも、基板の前にマスクが位置するため、堆積材料に曝される。被覆されないマスクと被覆されたマスクの影響は、複雑であり得、堆積されるべき材料に依存し得る。   However, the mask in the material deposition process, which can be an edge exclusion mask, is also exposed to the deposition material because the mask is located in front of the substrate. The effects of uncoated and coated masks can be complex and can depend on the material to be deposited.

上記を考慮して、本書に記載された実施形態は、マスク、特にエッジ除外マスク、エッジ除外マスクを備える層堆積装置、及び当技術分野における問題の少なくとも幾つかを克服し得る、基板のエッジをマスキングする方法を提供する。   In view of the above, embodiments described herein provide a mask, particularly an edge exclusion mask, a layer deposition apparatus comprising an edge exclusion mask, and an edge of a substrate that can overcome at least some of the problems in the art. Provide a method for masking.

上記に照らして、独立請求項1、11及び13により、基板上の層堆積用のエッジ除外マスク、装置及び方法が、提供される。本実施形態の更なる態様、利点及び特徴が、従属請求項、明細書、及び添付の図面から明らかである。   In light of the above, independent claims 1, 11 and 13 provide an edge exclusion mask, apparatus and method for layer deposition on a substrate. Further aspects, advantages and features of this embodiment are evident from the dependent claims, the description and the attached drawings.

一実施形態によれば、基板上の層堆積用のエッジ除外マスクが提供される。エッジ除外マスクは、基板に対して20°以下の傾斜角を有するように適合されているエッジを有するエッジ領域を含む。   According to one embodiment, an edge exclusion mask for layer deposition on a substrate is provided. The edge exclusion mask includes an edge region having edges that are adapted to have a tilt angle of 20 ° or less with respect to the substrate.

第二の実施形態によれば、基板上の層堆積用のエッジ除外マスクが提供される。エッジ除外マスクは、基板に対して20°以下の傾斜角を有するように適合されているエッジを有するエッジ領域を含み、更にエッジ領域は、エッジから5mmの距離において、3mm以下の厚さ、特に2mm以下の厚さを有する。   According to a second embodiment, an edge exclusion mask for layer deposition on a substrate is provided. The edge exclusion mask includes an edge region having an edge adapted to have a tilt angle of 20 ° or less relative to the substrate, and the edge region has a thickness of 3 mm or less at a distance of 5 mm from the edge, in particular It has a thickness of 2 mm or less.

別の実施形態によれば、基板上の層堆積用の装置が提供される。装置は、層堆積用のチャンバ、基板に対して20°以下の傾斜角を有するように適合されているエッジを有するエッジ領域を備えるエッジ除外マスク、及び層を形成する材料を堆積させるための堆積源を含む。   According to another embodiment, an apparatus for layer deposition on a substrate is provided. The apparatus includes a chamber for layer deposition, an edge exclusion mask with an edge region having an edge adapted to have a tilt angle of 20 ° or less with respect to the substrate, and deposition for depositing the material forming the layer. Including sources.

別の実施形態によれば、基板上の層堆積用の方法が提供される。本方法は、基板に対して20°以下の傾斜角を有するように適合されているエッジを有するエッジ領域を備えるエッジ除外マスクを用いて、基板の一部をマスキングすること、及び基板上に層の材料を堆積させることを含む。   According to another embodiment, a method for layer deposition on a substrate is provided. The method includes masking a portion of a substrate with an edge exclusion mask comprising an edge region having an edge that is adapted to have a tilt angle of 20 ° or less relative to the substrate, and a layer on the substrate. Depositing the material.

本実施形態の上述の特徴が、詳細に理解され得るように、上記で簡単に要約した本発明の実施形態のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られうる。添付の図面は、本発明の実施形態に関連し、以下に説明される。   A more detailed description of the embodiments of the present invention, briefly summarized above, may be obtained by reference to the embodiments so that the above-described features of the embodiments can be understood in detail. The accompanying drawings relate to embodiments of the invention and are described below.

最新技術による、基板のエッジをマスクするために通常用いられるマスク構造体を示す。Fig. 2 shows a mask structure normally used for masking the edge of a substrate according to the state of the art. 最新技術による、通常のマスク構造体上の、詳細にはエッジ除外マスク上の層堆積のシナリオを示す。Shown is a scenario of layer deposition on a normal mask structure, in particular on an edge exclusion mask, according to the state of the art. 本書に記載された実施形態による、平坦なエッジを有するエッジ除外マスクを示す。FIG. 6 illustrates an edge exclusion mask having flat edges, according to embodiments described herein. FIG. 本書に記載された実施形態による、エッジ除外マスクなどのマスク構造体を示す。FIG. 6 illustrates a mask structure, such as an edge exclusion mask, according to embodiments described herein. FIG. 本書に記載された実施形態による、マスク構造体、詳細には、平坦なエッジを有するエッジ除外マスクの側面断面図を示す。FIG. 4 shows a side cross-sectional view of a mask structure, in particular, an edge exclusion mask having flat edges, according to embodiments described herein. 本書に記載された実施形態による、エッジ除外マスクなどのマスク構造体を示す。FIG. 6 illustrates a mask structure, such as an edge exclusion mask, according to embodiments described herein. FIG. 本書に記載された実施形態による、基板上の層堆積の方法を説明するフローチャートを示す。FIG. 4 shows a flowchart illustrating a method of layer deposition on a substrate, according to embodiments described herein. FIG. 本書に記載された実施形態による、エッジ除外マスクを利用する基板上の層堆積用の装置を示す。FIG. 4 illustrates an apparatus for layer deposition on a substrate utilizing an edge exclusion mask, according to embodiments described herein. FIG.

次に、本書に記載された種々の実施形態への言及が、詳細になされ、その1つ以上の例が、図中に説明される。図面についての以下の記述の中で、同じ参照番号は、同じ構成要素を指す。個々の実施形態に関する相違のみが、記載される。各々の例は、本実施形態の説明のために提供され、本実施形態の限定を意図しない。更に、一つの実施形態の一部として図示又は記載された特徴は、他の実施形態において又は他の実施形態と共に用いられて、更に別の実施形態を生み出すことができる。本記述はそのような修正及び変形を含む、ということが意図される。   Reference will now be made in detail to the various embodiments described herein, one or more examples of which are illustrated in the figures. Within the following description of the drawings, the same reference numbers refer to the same components. Only the differences with respect to the individual embodiments are described. Each example is provided for explanation of the present embodiment and is not intended to limit the present embodiment. Moreover, features illustrated or described as part of one embodiment can be used in or with other embodiments to yield still another embodiment. This description is intended to include such modifications and variations.

幾つかの実施形態によれば、マスク構造体又は「エッジ除外マスク」は、被覆されるべき基板の少なくともエッジを覆うマスクとして理解されるべきである。マスクは、幾つかの部品又は部分から構成されてもよく、それらが、1つ以上の開孔を画定するフレームを形成することができる。マスクのフレームが、同様に、幾つかのフレーム部分又はフレーム部品を有してもよい。様々な部品から組立てられるフレームは、一体型フレームよりも生産上の費用効率が高いと信じられるので、このことは有利であり得る。   According to some embodiments, a mask structure or “edge exclusion mask” should be understood as a mask covering at least the edges of the substrate to be coated. The mask may be composed of several parts or portions, which can form a frame that defines one or more apertures. The frame of the mask may likewise have several frame parts or frame parts. This can be advantageous because frames assembled from various parts are believed to be more cost effective in production than monolithic frames.

基板のエッジが、堆積材料のない、又はほぼない状態に保持されるべきである場合、エッジ除外マスクが望ましい。被覆された基板のその後の用途及び/又は取扱いのため、基板の定められた領域のみが被覆されるべきである場合、このことは当てはまり得る。例えば、ディスプレイ部品として用いられる基板は、所定の寸法を有するべきである。大面積基板は、基板のエッジをシャドウイングするため、及び/又は基板の裏側被覆を防止するため、エッジ除外マスクを用いて被覆される。このアプローチは、信頼できる、基板上の一定の被覆を可能にする。   An edge exclusion mask is desirable when the edge of the substrate is to be kept free or nearly free of deposited material. This may be the case if only a defined area of the substrate is to be coated for subsequent use and / or handling of the coated substrate. For example, a substrate used as a display component should have a predetermined dimension. Large area substrates are coated with an edge exclusion mask to shadow the edges of the substrate and / or to prevent backside coating of the substrate. This approach allows reliable and consistent coating on the substrate.

本書に記載された実施形態によれば、エッジ除外マスクは、エッジを有するエッジ領域を含む。その後、エッジは、基板に対して20°以下の傾斜角を有するように適合される。従って、堆積材料がマスク上に堆積される場合に、開孔の境界が、マスク上の堆積材料によって受ける影響が少なくなる。別の実施形態によれば、装置及び方法は、上記のようなエッジ除外マスクを含む。   According to embodiments described herein, the edge exclusion mask includes an edge region having edges. The edge is then adapted to have a tilt angle of 20 ° or less with respect to the substrate. Therefore, when the deposition material is deposited on the mask, the aperture boundary is less affected by the deposition material on the mask. According to another embodiment, an apparatus and method includes an edge exclusion mask as described above.

従って、本書に記載された実施形態は、シャドウイング効果を低減することを可能にし、これにより、堆積プロセスにおいてエッジ除外マスクを用いる場合に、基板上の被覆の同質性及びエッジ寿命の延びを提供する。   Thus, the embodiments described herein can reduce shadowing effects, thereby providing coating homogeneity and increased edge life when using an edge exclusion mask in the deposition process. To do.

幾つかの実施形態によれば、大面積基板は、少なくとも0.67mのサイズを有しうる。サイズは、約0.67m〜約8mであり得、より具体的には、約2m〜約9m、又は12mにまでさえなり得る。本書に記載される実施形態による、マスク構造体、装置及び方法が提供される基板は、本書に記載されるように、大面積基板である。例えば、大面積基板又はキャリアは、約0.67m基板(0.73m x 0.92m)に対応するGEN4.5、約1.4m基板(1.1m x 1.3m)に対応するGEN5、約4.29m基板(1.95m x 2.2m)に対応するGEN7.5、約5.7m基板(2.2m x 2.5m)に対応するGEN8.5、又は約8.7m基板(2.85m x 3.05m)に対応するGEN10でさえありうる。GEN11及びGEN12などのさらに大きな世代並びに対応する基板面積が、同様に実施され得る。 According to some embodiments, the large area substrate may have a size of at least 0.67 m 2 . The size can be from about 0.67 m 2 to about 8 m 2 , more specifically from about 2 m 2 to about 9 m 2 , or even 12 m 2 . The substrate on which mask structures, apparatus and methods are provided according to embodiments described herein is a large area substrate, as described herein. For example, the large area substrate or carrier is GEN 4.5 corresponding to about 0.67 m 2 substrate (0.73 m × 0.92 m), GEN 5 corresponding to about 1.4 m 2 substrate (1.1 m × 1.3 m). GEN7.5 corresponding to about 4.29 m 2 substrate (1.95 m × 2.2 m), GEN 8.5 corresponding to about 5.7 m 2 substrate (2.2 m × 2.5 m), or about 8.7 m It can even be GEN10 corresponding to 2 substrates (2.85 m x 3.05 m). Larger generations such as GEN11 and GEN12 and corresponding substrate areas can be implemented as well.

基板は、材料堆積に適した任意の材料から作られうる。例えば、基板は、ガラス(例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス等)、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料又は堆積プロセスによって被覆されることのできる任意の他の材料若しくは材料の組合せからなる群から選択される材料から作られうる。   The substrate can be made from any material suitable for material deposition. For example, the substrate can be glass (eg, soda lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, composite material, carbon fiber material, or any other material or combination of materials that can be coated by a deposition process. Can be made from a material selected from the group consisting of:

幾つかの実施形態によれば、「マスク構造体」、「エッジ除外マスク」又は「マスク部分」という用語が、炭素繊維材料又はアルミニウム、チタン、ステンレス鋼、インバー等の金属などの1個のマスク材料に対して用いられる。マスクが、被覆されるべき基板の一部を覆う。マスクが、被覆されるべき基板と、るつぼ、ターゲットなどの堆積材料源との間に置かれる。   According to some embodiments, the term “mask structure”, “edge exclusion mask” or “mask portion” refers to a single mask, such as a carbon fiber material or a metal such as aluminum, titanium, stainless steel, invar, etc. Used for materials. A mask covers a portion of the substrate to be coated. A mask is placed between the substrate to be coated and a source of deposition material such as a crucible, target.

エッジ除外マスクは、基板の面積の約1‰から約5%、詳細には、約5‰と約1%の間、更により詳細には、基板の面積の約1%と約2%の間を覆い得る。幾つかの実施形態によれば、エッジ除外マスクによって覆われている、シャドウイングされている、又はマスキングされている基板の領域は、基板の周囲に位置する。   The edge exclusion mask is about 1 ‰ to about 5% of the area of the substrate, specifically between about 5 ‰ and about 1%, and even more particularly between about 1% and about 2% of the area of the substrate. Can cover. According to some embodiments, the area of the substrate that is covered, shadowed, or masked by the edge exclusion mask is located around the substrate.

幾つかの実施形態によれば、「マスク開孔」という用語は、堆積プロセス中に堆積材料が通過し得る、マスクのウインドウと解釈されるべきである。「マスク開孔」はまた、被覆材料が堆積される基板の領域を定めるので、被覆ウインドウとして表され得る。開孔の境界又は内側境界は、被覆ウインドウの限界によって定められる。例えば、マスクが新しい又は新たに洗浄され、堆積プロセスにおいて未だ使用されていない場合、開孔の境界は、マスク材料からなる。マスクが、堆積プロセスで使用され、堆積材料がマスク上に堆積されている場合、開孔の境界は、マスク上の堆積材料による被覆ウインドウの限界であり得る。   According to some embodiments, the term “mask opening” should be interpreted as a window of the mask through which the deposition material can pass during the deposition process. A “mask aperture” can also be represented as a coating window because it defines the area of the substrate on which the coating material is deposited. The perforation boundary or inner boundary is defined by the limits of the covering window. For example, if the mask is fresh or freshly cleaned and not yet used in the deposition process, the aperture boundary consists of the mask material. If a mask is used in the deposition process and the deposition material is deposited on the mask, the aperture boundary can be the limit of the coating window by the deposition material on the mask.

異なる実施形態によれば、エッジ除外マスクは、PVD堆積プロセス、CVD堆積プロセス又はその組合せに対して利用され得る。マスクのエッジは、その近くにある原子、分子及びクラスタに影響を及ぼし得る。「材料のストリーム」は、乱流等によって影響されることがあり、またエッジは、鋭いカットオフエッジとは必ずしも見なすことができないので、これらの影響は、より複雑であり得る。特に、より複雑な影響が、コーナーにおいて隣接する側部から重なり合う。   According to different embodiments, the edge exclusion mask may be utilized for PVD deposition processes, CVD deposition processes, or combinations thereof. The edge of the mask can affect nearby atoms, molecules and clusters. These effects can be more complex since “streams of material” can be affected by turbulence and the like, and edges cannot always be considered sharp cut-off edges. In particular, more complex effects overlap from adjacent sides at the corners.

図1Aは、基板100の例を示す。基板の最も外側の縁が、110で表される。縁110はまた、それを越えると基板の材料が途切れる、基板の最も外側の線として記載され得る。基板のエッジ120は、基板の周囲を含み得る。エッジ120は、本書で用いられる場合、基板の縁110を含む領域であり得る。エッジ120は、縁110から基板100の表面上に延びる幅Wを有し得る。エッジ120は、基板100上での1つ以上の層の堆積中に利用されるエッジ除外マスク140によって、処理される基板上に定められ得る。エッジ120は、エッジ除外マスクと基板の間のオーバラップを定める。   FIG. 1A shows an example of a substrate 100. The outermost edge of the substrate is represented by 110. The edge 110 can also be described as the outermost line of the substrate beyond which the substrate material breaks. The edge 120 of the substrate may include the perimeter of the substrate. The edge 120, as used herein, can be a region that includes the edge 110 of the substrate. The edge 120 may have a width W that extends from the edge 110 onto the surface of the substrate 100. The edge 120 may be defined on the substrate being processed by an edge exclusion mask 140 that is utilized during the deposition of one or more layers on the substrate 100. Edge 120 defines the overlap between the edge exclusion mask and the substrate.

幅Wは、基板全体について対称的、すなわち、各コーナー領域及び各側部は、同じ幅を有し得るが、基板の用途に応じて、側ごとに変わってもよい。幾つかの実施形態によれば、基板のエッジは、基板を被覆するために用いられるマスクの開孔によって定められ得る。例えば、エッジ除外マスクの開孔は、被覆される基板の領域に影響を与え、エッジなどの基板の領域を覆う。従って、基板のエッジは、エッジ除外マスクによって覆われ、エッジ除外マスクが用いられる被覆プロセス中に被覆されない基板の領域と定義され得る。   The width W is symmetrical about the entire substrate, ie, each corner region and each side may have the same width, but may vary from side to side depending on the application of the substrate. According to some embodiments, the edge of the substrate may be defined by the apertures of the mask used to coat the substrate. For example, the opening of the edge exclusion mask affects the area of the substrate to be coated and covers the area of the substrate such as the edge. Thus, the edge of the substrate can be defined as the area of the substrate that is covered by the edge exclusion mask and not covered during the coating process in which the edge exclusion mask is used.

マスクは、基板のエッジ上への材料の堆積を減少させ又は妨げる。しかしながら、マスクによるマスキング又はブロッキングは、到達する原子、分子及びクラスタの更なる追加的なシャドウイング効果を招き、信頼できない層の厚さ及びシート抵抗の均一性をもたらし得る。特に基板の4つのコーナーは、2つのシャドウイング部品が、これらの点で互いに出会うので、追加的なシャドウイング効果によって影響される。   The mask reduces or prevents material deposition on the edge of the substrate. However, masking or blocking with a mask can lead to additional additional shadowing effects of arriving atoms, molecules and clusters, resulting in unreliable layer thickness and sheet resistance uniformity. In particular, the four corners of the substrate are affected by the additional shadowing effect, since the two shadowing parts meet each other at these points.

図1Bにおいて、マスク140上の層の生成が説明される。マスクは、1つ以上の堆積プロセスの後に、連続的な層400で覆われる。ここで、線は、マスク140上の堆積材料の成長を示す。第一の堆積期間の後に、層401が、マスク140の上に形成される。層401は、堆積源アレンジメントに面するマスクの表面上に被覆されるであろう。第二の堆積期間は層402をもたらし、層402は、層401より大きい量でマスクのエッジに延びる。層402は、基板とマスクの間のオーバラップ領域の更なる成長をもたらすであろう。この成長は、基板上のシャドウイング効果を引き起こし、信頼できない層の厚さ、信頼できないシート抵抗均一性及びマスクエッジの寿命短縮をもたらす。同じ結果が、層403をもたらす第三の堆積期間に適用される。図1Bは、マスク上の3つの層をもたらす3つの堆積期間に言及するけれども、シャドウイング層のこのコンセプトは、連続的なプロセスであるということが、理解されるべきである。   In FIG. 1B, the generation of a layer on the mask 140 is illustrated. The mask is covered with a continuous layer 400 after one or more deposition processes. Here, the lines indicate the growth of the deposited material on the mask 140. After the first deposition period, a layer 401 is formed on the mask 140. Layer 401 will be coated on the surface of the mask facing the deposition source arrangement. The second deposition period results in layer 402, which extends to the edge of the mask in a greater amount than layer 401. Layer 402 will provide further growth of the overlap region between the substrate and the mask. This growth causes a shadowing effect on the substrate, resulting in unreliable layer thickness, unreliable sheet resistance uniformity and reduced mask edge lifetime. The same result applies for the third deposition period resulting in layer 403. Although FIG. 1B refers to three deposition periods resulting in three layers on the mask, it should be understood that this concept of the shadowing layer is a continuous process.

前記を考慮すると、図1Bは、堆積プロセス中に従来のエッジ除外マスクを用いる場合に起こり得る問題を図解する。従って、マスク上の材料の堆積のため、マスク開孔の境界は、シャドウイング効果をもたらすマスク上の堆積材料によって影響を受ける。更に、例えば、キャリア内の基板のマスキング中におけるマスキングアレンジメントの振動又は他の加速が、被覆層400からの微粒子の生成をもたらす。微粒子の生成は制御することができないので、望ましくない微粒子もまた、処理されるべき基板表面に加えられる可能性がある。従って、マスク構造体及び詳細にはマスクのエッジの設計は、保守管理中及び/又は基板の処理中に望ましくない効果をもたらし得る。   In view of the above, FIG. 1B illustrates a possible problem when using a conventional edge exclusion mask during the deposition process. Thus, due to the deposition of material on the mask, the boundary of the mask aperture is affected by the deposited material on the mask that provides a shadowing effect. Further, for example, vibration or other acceleration of the masking arrangement during masking of the substrate in the carrier results in the generation of particulates from the coating layer 400. Since the generation of microparticles cannot be controlled, undesirable microparticles can also be added to the substrate surface to be treated. Thus, the design of the mask structure and in particular the edge of the mask can have undesirable effects during maintenance and / or processing of the substrate.

本書に記載された実施形態のエッジ設計は、基板に近い領域において非常に平坦な形状を有する。従って、堆積材料がマスク上に堆積される場合に、開孔の境界が、マスク上の堆積材料によって受ける影響が少なくなる。その結果、本書に記載された実施形態は、シャドウイング効果を低減することを可能にし、堆積プロセスにおいてエッジ除外マスクを用いる場合に、基板上の被覆の同質性及びエッジ寿命の延びをもたらす。   The edge design of the embodiments described herein has a very flat shape in the region close to the substrate. Therefore, when the deposition material is deposited on the mask, the aperture boundary is less affected by the deposition material on the mask. As a result, the embodiments described herein can reduce the shadowing effect and result in coating homogeneity on the substrate and increased edge life when using an edge exclusion mask in the deposition process.

従って、図2Aに示される、本書に記載された実施形態のエッジ設計は、エッジ輪郭/形状の影響を減少させ、従来のエッジ設計と比べて、より良い均一性とエッジ寿命の延びを可能にする。   Thus, the edge design of the embodiment described herein, shown in FIG. 2A, reduces the effect of edge contour / shape and allows better uniformity and extended edge life compared to conventional edge designs. To do.

図2Aに関して、エッジ200を有するエッジ領域201を備える、基板100上の層堆積用のエッジ除外マスク240が、示される。エッジ領域201は、基板と隣接するマスクの領域に対応し、エッジ200上で終わる。エッジ200は、好ましくは平坦なエッジであり、本書で用いられる場合、「平坦なエッジ」とは、浅く低い厚さのエッジを指す。基板に面する第一の表面210及び堆積源アレンジメントに面する反対表面220もまた示される。第一の表面は、支持アレンジメント、保護シールド、基板キャリア、又は冷却フレームなどの、種々のアレンジメントを受けるように適合される。反対表面は、下にあるアレンジメントを、被覆されないよう保護し得る。反対表面は、堆積源に曝され、堆積材料によって被覆され、エッジ除外マスク240上に被覆材料の層を形成し得る。図2Aに示されるように、1つ以上の異なる領域が、エッジ除外マスク240の中に設けられ得る。例えば、周辺領域203が、マスクの外周から延びるマスクの領域に対応し得る。別の領域、例えば中間領域202が、エッジ領域201と周辺領域203の間に延びるマスクの領域に対応し得る。代替的な実施形態によれば、中間領域は、避けられ得る。中間領域を避けることにより、周辺領域203は、マスクの外周からエッジ領域201まで延びるマスクの領域に対応し得る。   With reference to FIG. 2A, an edge exclusion mask 240 for layer deposition on the substrate 100 comprising an edge region 201 having an edge 200 is shown. Edge region 201 corresponds to the region of the mask adjacent to the substrate and ends on edge 200. Edge 200 is preferably a flat edge, and as used herein, “flat edge” refers to a shallow, low-thickness edge. A first surface 210 facing the substrate and an opposite surface 220 facing the deposition source arrangement are also shown. The first surface is adapted to receive various arrangements, such as a support arrangement, a protective shield, a substrate carrier, or a cooling frame. The opposite surface may protect the underlying arrangement from being covered. The opposite surface may be exposed to a deposition source and covered with a deposition material to form a layer of coating material on the edge exclusion mask 240. As shown in FIG. 2A, one or more different regions may be provided in the edge exclusion mask 240. For example, the peripheral region 203 may correspond to a mask region extending from the outer periphery of the mask. Another region, for example the intermediate region 202, may correspond to the region of the mask that extends between the edge region 201 and the peripheral region 203. According to an alternative embodiment, the intermediate region can be avoided. By avoiding the intermediate region, the peripheral region 203 can correspond to the region of the mask that extends from the outer periphery of the mask to the edge region 201.

従って、本実施形態は、マスクのエッジ領域の厚さが大きすぎる場合に起こり得るシャドウイング効果を減少又は除去することによって、好ましくは基板の外側領域において、基板上の被覆の非同質性を減少又は除去する。例えば、本書に記載された実施形態のエッジ設計は、エッジまで10mmの距離において5%の被覆均一性をもたらす。   Thus, this embodiment reduces the non-homogeneity of the coating on the substrate, preferably in the outer region of the substrate, by reducing or eliminating shadowing effects that can occur if the thickness of the edge region of the mask is too large. Or remove. For example, the edge design of the embodiments described herein provides 5% coverage uniformity at a distance of 10 mm to the edge.

更に、別の実施形態によれば、エッジ除外マスクのエッジは、基板に対して20°以下の傾斜角を有し得、詳細には、エッジは、基板に対して15°以下の傾斜角を有し得、より詳細には、エッジは、基板に対して10°以下の傾斜角を有し得る。エッジの傾斜角は、堆積源の形状寸法及び方向上の特性を考慮して選択され得る。   Further, according to another embodiment, the edge of the edge exclusion mask may have an inclination angle of 20 ° or less with respect to the substrate, and in particular, the edge has an inclination angle of 15 ° or less with respect to the substrate. More specifically, the edge may have a tilt angle of 10 ° or less with respect to the substrate. The angle of inclination of the edge can be selected taking into account the geometry and orientation characteristics of the deposition source.

本書に記載された他の実施形態と組合わせることができる異なる実施形態によれば、エッジ除外マスクのエッジ領域は、エッジから5mmの距離において、3mm以下の厚さを有し得、詳細には、エッジ領域は、2mm以下の厚さを有し得、より詳細には、エッジ領域は、1mmの厚さを有し得る。   According to different embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the edge region of the edge exclusion mask can have a thickness of 3 mm or less at a distance of 5 mm from the edge, in particular The edge region may have a thickness of 2 mm or less, and more particularly the edge region may have a thickness of 1 mm.

本書に記載された他の実施形態と組合わせることができる幾つかの実施形態によれば、反対表面220は、第一の表面210に対して、2つ以上の異なる傾斜角を有し得る。更に、異なる実施形態によれば、2つ以上の異なる傾斜角は、0°と70°の間であり得、詳細には、2つ以上の異なる傾斜角は、10°と50°の間であり得、より詳細には、2つ以上の異なる傾斜角は、20°と45°の間であり得る。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the opposite surface 220 can have two or more different tilt angles relative to the first surface 210. Further, according to different embodiments, the two or more different tilt angles may be between 0 ° and 70 °, in particular, the two or more different tilt angles may be between 10 ° and 50 °. There may be, and more particularly, two or more different tilt angles may be between 20 ° and 45 °.

2つ以上の異なる傾斜角を有するエッジ除外マスクは、十分な高さを提供すると同時に、平坦なエッジを有する低い厚さのエッジ領域を提供するという利点を有する。エッジ除外マスクの十分な高さは、支持アレンジメント、保護シールド、基板キャリア又は冷却フレームなどの異なるアレンジメントを受けるために必要である。平坦なエッジを有する低い厚さのエッジ領域は、1つの傾斜角しか有していない現行のエッジ除外マスクに当てはまるように、マスクのエッジ領域の厚さが大きすぎる場合に起こり得るシャドウイング効果を減少又は除去することによって、基板上の被覆の非同質性を減少又は除去する。平坦なエッジを有する低い厚さのエッジ領域は、更に、エッジの寿命を延長する。   An edge exclusion mask having two or more different tilt angles has the advantage of providing a sufficient thickness while providing a low thickness edge area with flat edges. A sufficient height of the edge exclusion mask is necessary to receive different arrangements such as support arrangements, protective shields, substrate carriers or cooling frames. A low-thickness edge region with a flat edge has shadowing effects that can occur if the mask edge region is too thick, as is the case with current edge exclusion masks that have only one tilt angle. By reducing or eliminating, non-homogeneity of the coating on the substrate is reduced or eliminated. A low thickness edge region with a flat edge further extends the lifetime of the edge.

本書に記載された他の実施形態と組合わせることができる異なる実施形態によれば、周辺領域は、基板に対して5°以下の傾斜角を有し得、詳細には、周辺領域は、基板に対して2°以下の傾斜角を有し得、より詳細には、周辺領域は、基板に対して0°の傾斜角を有し得る。別の実施形態によれば、中間領域は、基板に対して30°から70°の傾斜角を有し得、詳細には、中間領域は、基板に対して40°から60°の傾斜角を有し得、より詳細には、中間領域は、基板に対して約45°の傾斜角を有し得る。   According to different embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the peripheral region may have a tilt angle of 5 ° or less with respect to the substrate, in particular, the peripheral region may be a substrate Can have a tilt angle of 2 ° or less, and more particularly the peripheral region can have a tilt angle of 0 ° to the substrate. According to another embodiment, the intermediate region can have a tilt angle of 30 ° to 70 ° with respect to the substrate, in particular the intermediate region has a tilt angle of 40 ° to 60 ° with respect to the substrate. More particularly, the intermediate region may have a tilt angle of about 45 ° relative to the substrate.

所定の数の堆積運転の後に、マスク上の、より詳細にはマスクの反対表面上の被覆材料は、形成されている微粒子を分離し得る。微粒子は、制御されない仕方で、例えば基板上に又は堆積設備の他の部分に移動する。これらの微粒子は、処理された基板に有害な影響を及ぼすことがあり、場合によっては、それらを損なうことさえある。   After a predetermined number of deposition operations, the coating material on the mask, and more particularly on the opposite surface of the mask, can separate the particulates that are formed. The particulates move in an uncontrolled manner, for example on the substrate or to other parts of the deposition facility. These particulates can have detrimental effects on the treated substrate and in some cases even damage them.

本書に記載された実施形態によれば、この影響を補償するために、表面に突起を有するマスクが提供され、これは微粒子の分離を減少させ得る。図2Bは、反対表面220を有するエッジ除外マスク240を示す。反対表面220は、突起215を備え得、詳細には、反対表面の70%以上が、突起を備え得、より詳細には、反対表面の90%以上が、突起を備え得る。図2Bに示されるように、エッジ除外マスク240は、フレームを形成することができる2つ以上のマスク部分から構成され得る。エッジ除外マスク240が、2つ以上のマスク部分から構成される場合、第一の表面210は、図2Aに示されるように、接続部260による2つ以上のマスク部分の係合を容易にするように適合され得る。2つ以上のマスク部分は、2つ以上のマスク部分間の調節可能なオーバラップ領域を、更に有し得る。   According to the embodiments described herein, a mask having protrusions on the surface is provided to compensate for this effect, which may reduce the separation of particulates. FIG. 2B shows an edge exclusion mask 240 having an opposite surface 220. The opposite surface 220 can comprise protrusions 215, in particular 70% or more of the opposite surface can comprise protrusions, and more particularly 90% or more of the opposite surface can comprise protrusions. As shown in FIG. 2B, the edge exclusion mask 240 can be comprised of two or more mask portions that can form a frame. If the edge exclusion mask 240 is comprised of more than one mask portion, the first surface 210 facilitates engagement of the two or more mask portions by the connection 260, as shown in FIG. 2A. Can be adapted as such. The two or more mask portions may further have an adjustable overlap region between the two or more mask portions.

図3は、基板100の側面図を示し、基板のエッジが、マスク240によってシャドウイングされる。マスクは、基板から2mm〜8mmの間隙300を有するように提供される。すなわち、基板表面をシャドウイングするマスクの部分は、基板表面と接触していない。他の実施形態によれば、マスクは、基板と直接接触してもよい。例えば、間隙がなくてもよいし、又は間隙が、0mm〜8mmであってもよい。図3の矢印305は、堆積中に堆積されるべき被覆材料を示す。   FIG. 3 shows a side view of the substrate 100 where the edge of the substrate is shadowed by the mask 240. The mask is provided with a gap 300 between 2 mm and 8 mm from the substrate. That is, the portion of the mask that shadows the substrate surface is not in contact with the substrate surface. According to other embodiments, the mask may be in direct contact with the substrate. For example, there may be no gap, or the gap may be 0 mm to 8 mm. Arrow 305 in FIG. 3 indicates the coating material to be deposited during deposition.

本書に記載された他の実施形態と組合わせることができる別の実施形態によれば、基板の被覆された領域のコーナーにおける厚さの均一性は、コーナーに切欠きを有するエッジ除外マスクによって改善することができる。その結果、足し合わされて、不十分な層の厚さをもたらし得る、コーナーにおけるエッジ除外マスクのシャドウイング効果が、低減され得る。   According to another embodiment that can be combined with other embodiments described herein, the thickness uniformity at the corners of the coated area of the substrate is improved by an edge exclusion mask having notches in the corners. can do. As a result, the shadowing effect of the edge exclusion mask at the corners, which can be added together, resulting in insufficient layer thickness, can be reduced.

図4に示されるように、マスクフレームの中央に開孔を有するエッジ除外マスク240が、提供され得る。開孔は、突起部を有し得る。すなわち、マスクの残り部分に比べて、4つのコーナーにおいてマスクフレームは、凹部又は切欠き有し得る。これは、例えば、コーナー領域442において示され、コーナー領域442において、マスク240と基板のオーバラップの幅Wc、すなわち、開孔を形成しているマスクの境界と基板のエッジ110の間隔が、マスクフレームの側部440における、マスク240と基板のオーバラップの幅Ws、すなわち、開孔を形成しているマスクの境界と基板のエッジ110の間隔に比べて、短い。コーナー領域442は、長さLと幅Hを有することができ、例えば、2cm〜6cm、好ましくは3cm〜5cmであり得る。別の実施態様によれば、長さと幅は、それぞれの側で等しくてもよいし、異なってもよい。例えば、それらは、それぞれのマスクの側部の全長のおおよそ同じ割合を有してもよい。   As shown in FIG. 4, an edge exclusion mask 240 having an opening in the center of the mask frame may be provided. The aperture may have a protrusion. That is, the mask frame may have a recess or notch at the four corners compared to the rest of the mask. This is shown, for example, in a corner region 442 where the overlap width Wc of the mask 240 and the substrate, that is, the distance between the boundary of the mask forming the opening and the edge 110 of the substrate is The width Ws of the overlap between the mask 240 and the substrate at the side portion 440 of the frame, that is, the distance between the boundary of the mask forming the opening and the edge 110 of the substrate is short. The corner region 442 can have a length L and a width H, for example, 2 cm to 6 cm, preferably 3 cm to 5 cm. According to another embodiment, the length and width may be equal on each side or different. For example, they may have approximately the same proportion of the total length of the sides of each mask.

本書に記載された他の実施形態と組合わせることができる幾つかの実施形態によれば、第一のオーバラップ、すなわち、第一の幅Wsは、2mm〜8mm、詳細には3mm〜6mmであり得る。別の任意選択の実施態様として、第二のオーバラップ、すなわち、幅Wcは、0.0mm〜4mm、詳細には1mm〜3mmであり得る。基板のエッジは、堆積材料がほぼない状態に保たれるべきである、又は堆積材料の層の厚さが、マスキングされない基板部分と比べて少なくとも25%の値に減少する基板の領域と定義され得る。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the first overlap, i.e. the first width Ws, is between 2 mm and 8 mm, in particular between 3 mm and 6 mm. possible. As another optional embodiment, the second overlap, ie the width Wc, can be 0.0 mm to 4 mm, in particular 1 mm to 3 mm. The edge of the substrate is defined as the area of the substrate where the deposition material should be kept almost free or the thickness of the layer of deposition material is reduced to a value of at least 25% compared to the unmasked portion of the substrate. obtain.

幾つかの実施態様によれば、コーナー領域に負のオーバラップ、すなわち間隙があることが可能ですらある。更に、別の実施形態によれば、被覆されない又はほぼ被覆されない基板のエッジの内部に堆積される基板の領域が、長方形であってもよい。従って、コーナーにおける高次のシャドウイング効果を補償するために、長方形からわずかに逸脱するエッジ除外マスクが提供される。   According to some embodiments, there may even be a negative overlap, i.e. a gap, in the corner area. Furthermore, according to another embodiment, the area of the substrate deposited inside the edge of the uncoated or substantially uncoated substrate may be rectangular. Thus, an edge exclusion mask that deviates slightly from the rectangle is provided to compensate for higher-order shadowing effects at the corners.

平坦なエッジを有する低い厚さのエッジ領域を有する、本書に記載された実施形態によるエッジ除外マスクは、高い厚さを有するエッジ除外マスクよりも低い安定性を示し得る。本書に記載された他の実施形態と組合わせることができる幾つかの実施形態によれば、エッジ除外マスクは、マスク周囲に沿って間隔をおかれた1つ以上のリップ(rip)を含み得る。リップは、マスク構造体の形状安定性を向上させる利点を有する。従って、本実施形態のエッジ除外マスクは、平坦なエッジを有する低い厚さのエッジ領域にかかわらず、安定を可能にする。   An edge exclusion mask according to embodiments described herein having a low thickness edge region with a flat edge may exhibit less stability than an edge exclusion mask having a high thickness. According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the edge exclusion mask can include one or more lips spaced along the perimeter of the mask. . The lip has the advantage of improving the shape stability of the mask structure. Therefore, the edge exclusion mask of the present embodiment enables stability regardless of the low-thickness edge region having a flat edge.

本書に記載された他の実施形態と組合わせることができる幾つかの実施形態によれば、エッジ除外マスクは、それが取り付けられている冷却フレームに向かって、L字形の部材、例えば、厚さが10mm以下などの薄い部材、として直立していてもよい。L字形は、冷却フレームへのアダプタへのマスクの接続を可能にし得る。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the edge exclusion mask is an L-shaped member, eg, a thickness, toward the cooling frame to which it is attached. May be upright as a thin member such as 10 mm or less. The L shape may allow connection of the mask to the adapter to the cooling frame.

更なる実施形態によれば、基板上に材料の層を堆積させる方法が提供される。図5は、記載された方法のフロー図を示す。基板が、堆積装置のチャンバ内に準備され得る。幾つかの実施形態によれば、基板は、上記のような大面積基板であってよく、堆積装置は、図6に例示的に示されるような堆積チャンバであってよい。   According to a further embodiment, a method for depositing a layer of material on a substrate is provided. FIG. 5 shows a flow diagram of the described method. A substrate can be prepared in the chamber of the deposition apparatus. According to some embodiments, the substrate may be a large area substrate as described above, and the deposition apparatus may be a deposition chamber as exemplarily shown in FIG.

マスキングアレンジメントが、チャンバ612内で基板の方に動かされ、基板の一部、例えば基板のエッジが、マスクによって覆われる502。本書に記載された実施形態によれば、マスキングは、本書に記載されるようなエッジを有するエッジ領域を含むエッジ除外マスクを備える。マスクは、堆積材料が堆積プロセス中に通過するのを可能にする、突起部を有する開孔を提供する。そのようなエッジ除外マスクの例が、図2A〜図4に関して記載される。基板のマスキング後に、層が堆積される504。ここでは、シャドウイング効果が低減されるので、基板上の被覆の均一性が改善され、またエッジ寿命が延びる。これは、エッジが、堆積材料がない、又はほぼない状態に保たれるからである。   The masking arrangement is moved toward the substrate within chamber 612 and a portion of the substrate, eg, the edge of the substrate, is covered 502 by the mask. According to the embodiments described herein, the masking comprises an edge exclusion mask that includes an edge region having edges as described herein. The mask provides apertures with protrusions that allow the deposition material to pass through during the deposition process. An example of such an edge exclusion mask is described with respect to FIGS. After masking the substrate, a layer is deposited 504. Here, the shadowing effect is reduced, so that the coating uniformity on the substrate is improved and the edge life is extended. This is because the edges are kept free or nearly free of deposited material.

本書に記載された他の実施形態と組合わせることができる幾つかの実施形態によれば、基板上に材料の層を堆積させる方法及び基板のエッジを覆うマスクが、大面積基板の対して使用される。更なる実施形態によれば、堆積層は、金属層又はセラミック層である。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, a method of depositing a layer of material on a substrate and a mask covering the edge of the substrate is used for large area substrates. Is done. According to a further embodiment, the deposited layer is a metal layer or a ceramic layer.

図6は、本書に記載された実施形態による、基板上の層堆積用の装置の概略図を示す。堆積装置600は、PVD又はCVDプロセスなどの堆積プロセスに適合され、層堆積用のチャンバ612を含む。1つ以上の基板100が基板輸送装置620に置かれているのが示される。幾つかの実施形態によれば、基板支持体は、チャンバ612内の基板100の位置を調整することを可能にするために可動であり得る。特に、本書に記載されるような大面積基板に対して、垂直な基板配向又は本質的に垂直な基板配向を有する堆積が行われ得る。輸送装置は、1つ以上のドライバ、例えばモータによって駆動される下側ローラ622を有し得る。ドライバは、ローラの回転用のシャフトによってローラ622に接続させることができ、例えば、ベルト、ギヤシステム等でローラを接続することによって、1つのモータが、1つより多いローラを駆動することが可能である。   FIG. 6 shows a schematic diagram of an apparatus for layer deposition on a substrate, according to embodiments described herein. The deposition apparatus 600 is adapted for a deposition process, such as a PVD or CVD process, and includes a chamber 612 for layer deposition. One or more substrates 100 are shown placed on the substrate transport device 620. According to some embodiments, the substrate support may be movable to allow adjustment of the position of the substrate 100 within the chamber 612. In particular, for large area substrates as described herein, deposition can be performed having a vertical substrate orientation or an essentially vertical substrate orientation. The transport device may have a lower roller 622 driven by one or more drivers, eg, motors. The driver can be connected to the roller 622 by a shaft for rotating the roller, for example, one motor can drive more than one roller by connecting the roller with a belt, gear system, etc. It is.

ローラ624が、基板を垂直な位置又は本質的に垂直な位置に支持するために用いられ得る。基板は、垂直であり得、又は例えば5°まで、垂直な位置からわずかに外れていてもよい。1m〜9mの基板サイズを有する大面積基板は、非常に薄く、例えば、1mm未満、例えば、0.7mm又は0.5mmでさえある。基板を支持し、固定された位置に基板を提供するために、基板は、基板の処理中にキャリア内に提供される。従って、基板は、キャリア内に支持されながら、例えば複数のローラ及びドライバを含む輸送システムによって輸送され得る。例えば、その中に基板を有するキャリアが、ローラ622及びローラ624のシステムによって支持される。 Roller 624 can be used to support the substrate in a vertical or essentially vertical position. The substrate may be vertical or may be slightly off the vertical position, for example up to 5 °. Large area substrate having a substrate size of 1m 2 ~9m 2 is very thin, e.g., less than 1 mm, for example, even 0.7mm or 0.5 mm. In order to support the substrate and provide the substrate in a fixed position, the substrate is provided in a carrier during processing of the substrate. Thus, the substrate can be transported by a transport system including, for example, a plurality of rollers and a driver while being supported in a carrier. For example, a carrier having a substrate therein is supported by a roller 622 and roller 624 system.

堆積材料源(図示せず)が、基板の被覆されるべき側に面してチャンバ612内に設けられる。堆積材料源が、基板上に堆積されるべき堆積材料を供給する。本書に記載される実施形態によれば、堆積材料源は、その上に堆積材料を有するターゲット又は基板100上の堆積のために材料が放出されることを可能にする任意の他のアレンジメントであってよい。材料源は、回転型ターゲットであってもよい。幾つかの実施形態によれば、材料源は、源を位置決め及び/又は交換するために可動であってもよい。他の実施形態によれば、材料源は、平面ターゲットであってもよい。   A source of deposition material (not shown) is provided in the chamber 612 facing the side to be coated of the substrate. A source of deposition material provides a deposition material to be deposited on the substrate. According to the embodiments described herein, the source of deposition material is a target having a deposition material thereon or any other arrangement that allows the material to be released for deposition on the substrate 100. It's okay. The material source may be a rotating target. According to some embodiments, the material source may be movable to position and / or replace the source. According to other embodiments, the material source may be a planar target.

幾つかの実施形態によれば、堆積材料は、堆積プロセス及び被覆された基板のその後の用途に従って、選択され得る。例えば、源の堆積材料は、セラミック材料、アルミニウム、モリブデン、チタン、銅などの金属、ケイ素、インジウムすず酸化物、及び他の透明導電性酸化物からなる群から選択される材料であってよい。そのような材料を含むことができる酸化物層、窒化物層又は炭化物層は、源から材料を供給することにより、又は反応性堆積、すなわち、源からの材料が、処理ガスからの酸素、窒化物又は炭素のような元素と反応することにより、堆積されることができる。幾つかの実施形態によれば、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムのような薄膜トランジスタ材料が、堆積材料として用いられうる。   According to some embodiments, the deposition material may be selected according to the deposition process and the subsequent use of the coated substrate. For example, the source deposition material may be a material selected from the group consisting of ceramic materials, metals such as aluminum, molybdenum, titanium, copper, silicon, indium tin oxide, and other transparent conductive oxides. An oxide layer, nitride layer or carbide layer that can contain such a material is supplied by supplying material from the source or by reactive deposition, ie the material from the source is oxygenated from the process gas, nitrided It can be deposited by reacting with an element such as an object or carbon. According to some embodiments, thin film transistor materials such as silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride, aluminum oxide, aluminum oxynitride can be used as the deposition material.

堆積装置600は、マスク構造体240を含むマスキングアレンジメントを含む。幾つかの実施形態によれば、マスク240は、基板に対して20°以下の傾斜角を有するように適合されているエッジ200を有するエッジ領域201を含むエッジ除外マスクである。エッジ除外マスクは、基板100のエッジが堆積材料で被覆されないことを保証する。一例として、材料は、スパッタリングされ、又は気化することもできる。本書に記載された実施形態によれば、基板100のエッジは、エッジ除外マスク240のために堆積材料がないままである。   The deposition apparatus 600 includes a masking arrangement that includes a mask structure 240. According to some embodiments, the mask 240 is an edge exclusion mask that includes an edge region 201 having an edge 200 that is adapted to have a tilt angle of 20 ° or less relative to the substrate. The edge exclusion mask ensures that the edge of the substrate 100 is not covered with the deposition material. As an example, the material can be sputtered or vaporized. According to the embodiments described herein, the edge of the substrate 100 remains free of deposited material due to the edge exclusion mask 240.

図6において、左のエッジ除外マスクは、接続されてマスクフレームを形成する個別のフレーム部分601,602,603,604,605,606,607,608,609及び610を含むように示される。特に大面積基板用のマスク構造体は、本質的にL字形であり得、またコーナー領域又はコーナー領域の少なくとも重要な部分を含む、少なくとも4つのコーナー部601,603,606,及び608、並びにコーナー部分を接続して、マスクフレームを形成する側部を備えるであろう。フレーム部分601〜610は、さね継ぎ配列で配列され得る。さね継ぎ配列は、互いに対してフレーム部分の固定された位置を与える。更に、本書に記載された幾つかの実施形態によれば、フレーム部分のさね継ぎ配列は、互いから離れるフレーム部分の運動を可能にする。さね継ぎ配列は、堆積材料が通過し得る間隙を引き起こすことなく、フレーム部分が互いから離れてスライドすることを可能にする。簡単にするため、左のマスク構造体240のみが、部分601〜610とともに示される。同様に、処理システム内の1つより多い又は全てのマスク構造体が、マスクフレームを形成する、1つより多い部分を備え得る。   In FIG. 6, the left edge exclusion mask is shown to include individual frame portions 601, 602, 603, 604, 605, 606, 607, 608, 609 and 610 that are connected to form a mask frame. The mask structure, particularly for large area substrates, can be essentially L-shaped and includes at least four corner portions 601, 603, 606, and 608, including corner regions or at least significant portions of corner regions, and corners. The portions will be connected and provided with side portions forming a mask frame. The frame portions 601-610 can be arranged in a splice arrangement. The tongue joint arrangement provides a fixed position of the frame portions relative to each other. Further, according to some embodiments described herein, the frame portion tongue-and-groove arrangement allows movement of the frame portions away from each other. The tongue joint arrangement allows the frame portions to slide away from each other without causing a gap through which the deposited material can pass. For simplicity, only the left mask structure 240 is shown with portions 601-610. Similarly, more than one or all mask structures in the processing system may comprise more than one portion forming a mask frame.

本書に記載された他の実施形態と組合わせることができる代表的な実施形態によれば、1つ以上のチャンバ612が、真空チャンバとして提供され得る。チャンバは、真空環境において基板を処理する及び/又は被覆するように適合される。圧力は、10mbar未満、例えば、1x10−7mbarから1x10−1mbarの間であり得る。従って、堆積システムは、真空フランジ613に接続されることができ、堆積システムが特定の応用のために稼働できるようにするのに十分に低い、処理チャンバ612内の圧力、例えばlx10−7mbarの圧力を達成することができるポンピングシステム(図示せず)を含み得る。PVDプロセスなどの堆積中の圧力(すなわち、堆積圧力)は、0.1Paから1Paの間であり得る。処理ガスがアルゴン及び酸素又は窒素のうちの少なくとも1つを含む、特定の実施形態、例えばPVDの適用の場合、アルゴンの分圧は、0.1Paから1Paの間であり得、酸素、水素及び/又は窒素の分圧は、0.1Paから1Paの間であり得る。CVDの適用の場合の圧力範囲は、上記範囲の特に高圧側の端において、約2桁大きいことがある。   According to exemplary embodiments that can be combined with other embodiments described herein, one or more chambers 612 can be provided as a vacuum chamber. The chamber is adapted to process and / or coat the substrate in a vacuum environment. The pressure can be less than 10 mbar, for example between 1 × 10 −7 mbar and 1 × 10 −1 mbar. Thus, the deposition system can be connected to a vacuum flange 613, and the pressure in the processing chamber 612, eg, a pressure of lx10-7 mbar, low enough to allow the deposition system to operate for a particular application. Can include a pumping system (not shown). The pressure during deposition (ie deposition pressure), such as a PVD process, can be between 0.1 Pa and 1 Pa. For certain embodiments, such as PVD applications, where the process gas comprises at least one of argon and oxygen or nitrogen, the partial pressure of argon can be between 0.1 Pa and 1 Pa, oxygen, hydrogen and The partial pressure of nitrogen can be between 0.1 Pa and 1 Pa. The pressure range for CVD applications may be about two orders of magnitude greater, particularly at the high pressure end of the above range.

本書に記載された他の実施形態と組合わせることができる幾つかの実施形態によれば、基板上の層堆積の方法及び装置は、図2Aから図4に関して上で記載されたようなエッジ除外マスクを含む。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, a method and apparatus for layer deposition on a substrate is provided for edge exclusion as described above with respect to FIGS. 2A-4. Includes a mask.

上記は、本書に記載された実施形態に向けられているが、その基本的な範囲から逸脱することなく、他の及び更なる実施形態を考え出すこともでき、その範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。   While the foregoing is directed to the embodiments described herein, other and further embodiments may be devised without departing from the basic scope thereof, the scope of which is Determined by range.

Claims (14)

エッジ(200)を有するエッジ領域(201)を備える、基板(100)上の層堆積のためのエッジ除外マスク(240)であって、前記エッジが、前記基板に対して20°以下の傾斜角を有するように適合されている、エッジ除外マスク(240)。   An edge exclusion mask (240) for layer deposition on a substrate (100) comprising an edge region (201) having an edge (200), wherein the edge is inclined at an angle of 20 ° or less with respect to the substrate An edge exclusion mask (240) adapted to have 前記エッジ領域(201)が、前記エッジ(200)から5mmの距離において、3mm以下の厚さ、詳細には2mm以下の厚さを有する、請求項1に記載のマスク。   The mask according to claim 1, wherein the edge region (201) has a thickness of 3 mm or less, in particular a thickness of 2 mm or less, at a distance of 5 mm from the edge (200). 前記マスクが、前記基板に面する第一の表面(210)及び堆積源アレンジメントに面する反対表面(220)を備え、前記反対表面(220)が、前記第一の表面(210)に対する、2つ以上の異なる傾斜角を有する、請求項1又は2に記載のマスク。   The mask comprises a first surface (210) facing the substrate and an opposite surface (220) facing a deposition source arrangement, the opposite surface (220) being 2 to the first surface (210). The mask according to claim 1, wherein the mask has two or more different inclination angles. 前記2つ以上の異なる傾斜角が、0°から70°の間である、請求項3に記載のマスク。   The mask of claim 3, wherein the two or more different tilt angles are between 0 ° and 70 °. 中間領域(202)を更に備える、請求項1から4のいずれか一項に記載のマスク。   The mask according to any one of claims 1 to 4, further comprising an intermediate region (202). 前記中間領域が、40°〜60°の傾斜角を有する、請求項5に記載のマスク。   The mask according to claim 5, wherein the intermediate region has an inclination angle of 40 ° to 60 °. 周辺領域(203)を更に備える、請求項1から6のいずれか一項に記載のマスク。   The mask according to any one of claims 1 to 6, further comprising a peripheral region (203). 前記マスクの前記表面が、突起(215)を備える、請求項1から7のいずれか一項に記載のマスク。   The mask according to any one of the preceding claims, wherein the surface of the mask comprises a protrusion (215). 2つ以上のマスク部分(601〜610)を備え、前記2つ以上のマスク部分が、オーバラップ領域を有し、前記2つ以上のマスク部分の間の前記オーバラップ領域が、調整可能である、請求項1から8のいずれか一項に記載のマスク。   Two or more mask portions (601-610) are provided, the two or more mask portions have an overlap region, and the overlap region between the two or more mask portions is adjustable The mask according to any one of claims 1 to 8. 前記マスクが、前記マスクの周囲に沿って間隔をおかれた1つ以上のリップを備える、請求項1から9のいずれか一項に記載のマスク。   10. A mask according to any one of the preceding claims, wherein the mask comprises one or more lips spaced along the perimeter of the mask. 基板上の層堆積のための方法であって、
請求項1から10のいずれか一項に記載の、エッジ(200)を有するエッジ領域(201)を備えるエッジ除外マスク(240)で、前記基板の一部をマスキングすることと、
前記基板上に前記層の材料を堆積させることと
を含む、方法。
A method for layer deposition on a substrate, comprising:
Masking a portion of the substrate with an edge exclusion mask (240) comprising an edge region (201) having an edge (200) according to any one of claims 1 to 10;
Depositing the material of the layer on the substrate.
前記堆積された層が、金属層又はセラミック層である、請求項11に記載の方法。   The method of claim 11, wherein the deposited layer is a metal layer or a ceramic layer. 基板上の層堆積のための装置(600)であって、
その中での層堆積のためのチャンバ(612)と、
請求項1から10のいずれか一項に記載の、エッジ(200)を有するエッジ領域(201)を備えるエッジ除外マスク(240)と、
前記層を形成する材料を堆積させるための堆積源と
を備える、装置(600)。
An apparatus (600) for layer deposition on a substrate, comprising:
A chamber (612) for layer deposition therein;
An edge exclusion mask (240) comprising an edge region (201) having an edge (200) according to any one of claims 1 to 10,
An apparatus (600) comprising a deposition source for depositing the material forming the layer.
前記堆積源が、金属又はセラミック材料を堆積させるように構成されている、請求項13に記載の装置。   The apparatus of claim 13, wherein the deposition source is configured to deposit a metal or ceramic material.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7013533B1 (en) 2020-08-06 2022-02-15 ヤス カンパニー リミテッド Optimized length mask frame
JP2022104964A (en) * 2017-09-27 2022-07-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Shadow frame with sides with different profiles to improve sedimentation uniformity

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3058075B1 (en) * 2016-11-02 2019-05-10 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives DETOURAGE PLATFORM HAVING A REMOVABLE PART
JP7141989B2 (en) * 2018-09-28 2022-09-26 芝浦メカトロニクス株式会社 Deposition equipment
WO2023041185A1 (en) * 2021-09-20 2023-03-23 Applied Materials, Inc. Mask frame support element, edge exclusion mask, mask frame element, substrate support, substrate processing apparatus, and method of manufacturing one or more devices on a substrate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1060624A (en) * 1996-08-20 1998-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sputtering device
JP2000017422A (en) * 1998-07-07 2000-01-18 Toray Ind Inc Mask for patterning conductive film
JP2000119841A (en) * 1998-10-12 2000-04-25 Toray Ind Inc Mask for electrically conductive film patterning
US20120164771A1 (en) * 2010-12-28 2012-06-28 Jae Hyuk Lee Mask
WO2013151786A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-10 Applied Materials, Inc. Flip edge shadow frame
JP2014529011A (en) * 2011-08-25 2014-10-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Mask structure, apparatus and method for depositing a layer on a rectangular substrate

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3449459B2 (en) * 1997-06-02 2003-09-22 株式会社ジャパンエナジー Method for manufacturing member for thin film forming apparatus and member for the apparatus
US6051122A (en) * 1997-08-21 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Deposition shield assembly for a semiconductor wafer processing system
US7670436B2 (en) * 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
US7579067B2 (en) * 2004-11-24 2009-08-25 Applied Materials, Inc. Process chamber component with layered coating and method
WO2008079722A2 (en) * 2006-12-19 2008-07-03 Applied Materials, Inc. Non-contact process kit
DE102009034532A1 (en) * 2009-07-23 2011-02-03 Msg Lithoglas Ag Process for producing a structured coating on a substrate, coated substrate and semifinished product with a coated substrate
EP2423350B1 (en) * 2010-08-27 2013-07-31 Applied Materials, Inc. Carrier for a substrate and a method for assembling the same
CN201826007U (en) * 2010-10-14 2011-05-11 北京京东方光电科技有限公司 Anti-adhesion plate and membrane deposition equipment
CN103140913B (en) * 2010-10-29 2016-09-28 应用材料公司 Deposition ring and electrostatic chuck for physical vapor deposition chamber
CN201962346U (en) * 2010-11-09 2011-09-07 宁波江丰电子材料有限公司 Anti-adhesion plate structure for vacuum sputtering
CN103890226A (en) * 2011-08-09 2014-06-25 应用材料公司 Adjustable mask
US10676817B2 (en) * 2012-04-05 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Flip edge shadow frame

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1060624A (en) * 1996-08-20 1998-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sputtering device
JP2000017422A (en) * 1998-07-07 2000-01-18 Toray Ind Inc Mask for patterning conductive film
JP2000119841A (en) * 1998-10-12 2000-04-25 Toray Ind Inc Mask for electrically conductive film patterning
US20120164771A1 (en) * 2010-12-28 2012-06-28 Jae Hyuk Lee Mask
JP2014529011A (en) * 2011-08-25 2014-10-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Mask structure, apparatus and method for depositing a layer on a rectangular substrate
WO2013151786A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-10 Applied Materials, Inc. Flip edge shadow frame

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022104964A (en) * 2017-09-27 2022-07-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Shadow frame with sides with different profiles to improve sedimentation uniformity
JP7224511B2 (en) 2017-09-27 2023-02-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Shadow frame with sides with different profiles to improve deposition uniformity
JP7013533B1 (en) 2020-08-06 2022-02-15 ヤス カンパニー リミテッド Optimized length mask frame
JP2022032010A (en) * 2020-08-06 2022-02-24 ヤス カンパニー リミテッド Mask frame having optimized length

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