KR20160150028A - 도금 처리 방법 및 도금 처리 부품 그리고 도금 처리 시스템 - Google Patents

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타카시 타나까
노부타카 미즈타니
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

무전해 도금으로 형성한 도금층의 박리를 방지하여, 도금 처리에 대한 신뢰성 및 도금 처리에 의해 제조한 부품에 대한 신뢰성을 향상시키는 것이다. 본 발명에서는, 도금 처리 방법, 도금 처리 방법에 따라 제조한 도금 처리 부품, 도금 처리 방법에 따라 도금 처리 부품을 제조하는 도금 처리 시스템(1)에 있어서, 무전해 도금에 의해 형성한 제 1 무전해 도금층(38)의 표면에 무전해 도금에 의해 구리 합금으로 이루어지는 제 2 무전해 도금층(39)을 형성하는 것으로 했다. 상기 제 1 무전해 도금층(38)은 구리의 확산을 방지하는 배리어층이며, 코발트 또는 코발트 합금으로 이루어지는 것으로 해도 된다. 또한, 상기 제 2 무전해 도금층(39)은 표면에 구리를 전해 도금하기 위한 시드층이며, 구리와 니켈의 합금으로 이루어지는 것으로 해도 된다.

Description

도금 처리 방법 및 도금 처리 부품 그리고 도금 처리 시스템{PLATING METHOD, PLATED COMPONENT, AND PLATING SYSTEM}
본 발명은 도금 처리 방법 및 도금 처리 방법에 따라 제조한 도금 처리 부품, 그리고, 도금 처리 방법에 따라 도금 처리 부품을 제조하는 도금 처리 시스템에 관한 것이다.
전자 기기의 소형화·다기능화에 수반하여, 반도체 부품의 내부에 형성되는 회로의 고밀도화 및 고속화가 요구되고 있다. 이 때문에, 예를 들면 반도체 부품으로 사용되는 실리콘 기판에서는, 복수 층의 배선 기판을 적층하고, 각 층 간을 실리콘 관통 전극으로 접속한다. 이 실리콘 관통 전극에는, 전기 저항이 낮고 신뢰성이 높은 구리가 이용된다.
실리콘 기판에 구리를 이용한 실리콘 관통 전극을 형성하는 경우에는, 실리콘 기판에 형성한 오목부의 표면에 각종의 도금 처리를 실시한다. 먼저, 실리콘 기판에 형성한 오목부의 표면에 코발트 텅스텐 보론(Co－W－B)을 무전해 도금한다. 이에 의해, 구리의 확산을 방지하기 위한 배리어층을 형성한다. 이 후, 배리어층의 표면에 구리를 무전해 도금한다. 이에 의해, 구리의 단일막으로 이루어지는 시드층을 형성한다. 이 후, 구리로 이루어지는 시드층의 표면에 구리를 전해 도금한다. 이에 의해, 실리콘 기판에 형성한 오목부에 구리를 충전한다.
일본특허공개공보 2010-185113호
상기 종래의 도금 처리에 있어서는, 배리어층의 표면에 구리의 단일막으로 이루어지는 시드층을 형성할 시, 배리어층이 실리콘 기판으로부터 박리되는 현상이 확인되었다. 또한, 상기 종래의 도금 처리에 있어서는, 실리콘 관통 전극을 형성 후에 실리콘 기판의 표면으로부터 실리콘 관통 전극(배리어층, 시드층, 충전한 구리)이 박리되는 현상이 확인되었다.
이와 같이, 무전해 도금으로 형성한 막의 표면에 무전해 도금으로 구리의 단일막을 형성한 경우에는 박리가 발생하여, 도금 처리에 대한 신뢰성 및 도금 처리에 의해 제조한 부품에 대한 신뢰성이 저하될 우려가 있다.
본 발명에서는, 도금 처리 방법에 있어서, 무전해 도금에 의해 형성한 제 1 무전해 도금층의 표면에 무전해 도금에 의해 구리 합금으로 이루어지는 제 2 무전해 도금층을 형성하는 것으로 했다.
또한 본 발명에서는, 도금 처리 부품에 있어서, 무전해 도금에 의해 형성한 제 1 무전해 도금층의 표면에 무전해 도금에 의해 구리 합금으로 이루어지는 제 2 무전해 도금층을 형성하는 것으로 했다.
또한 본 발명에서는, 도금 처리 시스템에 있어서, 표면에 무전해 도금에 의해 제 1 무전해 도금층을 형성하기 위한 제 1 무전해 도금층 형성부와, 상기 제 1 무전해 도금층의 표면에 무전해 도금에 의해 구리 합금으로 이루어지는 제 2 무전해 도금층을 형성하기 위한 제 2 무전해 도금층 형성부를 가지는 것으로 했다.
또한, 상기 제 1 무전해 도금층은 구리의 확산을 방지하는 배리어층인 것으로 했다.
또한, 상기 제 1 무전해 도금층은 코발트 또는 코발트 합금으로 이루어지는 것으로 했다.
또한, 상기 제 2 무전해 도금층은 구리와 니켈의 합금인 것으로 했다.
또한, 상기 제 2 무전해 도금층은 표면에 구리를 전해 도금하기 위한 시드층인 것으로 했다.
본 발명에서는, 무전해 도금으로 형성한 도금층의 박리를 방지할 수 있어, 도금 처리에 대한 신뢰성 및 도금 처리에 의해 제조한 부품에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 도금 처리 시스템을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도금 처리 장치를 나타내는 정면도이다.
도 3은 도금 처리 방법을 나타내는 설명도이다.
도 4는 도금 처리 부품을 나타내는 설명도이다.
이하에, 본 발명에 따른 도금 처리 방법 및 도금 처리 부품 그리고 도금 처리 시스템의 구체적인 구성에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한 이하의 설명에서는, 도금 처리 부품으로서 실리콘 기판을 이용하고, 실리콘 기판에 실리콘 관통 전극을 형성하는 경우의 도금 처리 방법에 대하여 도금 처리 시스템을 이용하여 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 도금 처리 시스템(1)은 전단부에 반입반출부(2)를 형성한다. 반입반출부(2)에는 복수 매(예를 들면, 25 매)의 기판(3)(여기서는, 반도체 웨이퍼)을 수용한 캐리어(4)가 반입 및 반출되고, 좌우에 나열되어 배치된다.
또한, 도금 처리 시스템(1)은 반입반출부(2)의 후부에 반송부(5)를 형성한다. 반송부(5)는 전측에 기판 반송 장치(6)를 배치하고, 또한 후측에 기판 전달대(7)를 배치한다. 이 반송부(5)에서는, 반입반출부(2)에 배치된 어느 캐리어(4)와 기판 전달대(7)와의 사이에서 기판 반송 장치(6)를 이용하여 기판(3)을 반송한다.
또한, 도금 처리 시스템(1)은 반송부(5)의 후부에 처리부(8)를 형성한다. 처리부(8)는, 중앙에 전후로 연장되는 기판 반송 장치(9)를 배치하고, 또한 기판 반송 장치(9)의 양측에 밀착층 형성 장치(10), 촉매층 형성 장치(11), 제 1 무전해 도금층 형성 장치(12), 제 2 무전해 도금층 형성 장치(13), 전해 도금층 형성 장치(14)를 나열하여 배치한다. 이 처리부(8)에서는, 기판 전달대(7) 및 각 장치(10 ~ 14)의 사이에서 기판 반송 장치(9)를 이용하여 기판(3)을 반송하고, 각 장치(10 ~ 14)를 이용하여 기판(3)의 처리를 행한다.
이 도금 처리 시스템(1)은 제어부(15)(컴퓨터)를 가지고 있고, 제어부(15)에 마련한 기록 매체(16)에 기록된 각종의 프로그램에 따라 제어된다. 또한, 기록 매체(16)는 각종의 설정 데이터 또는 프로그램을 저장하고 있고, ROM 또는 RAM 등의 메모리, 또는 하드 디스크, CD-ROM, DVD-ROM 또는 플렉시블 디스크 등의 디스크 형상 기록 매체 등의 공지의 것으로 구성된다.
상기 도금 처리 시스템(1)에 있어서, 밀착층 형성 장치(10)는 기판(3)의 표면에 커플링제로 이루어지는 밀착층을 형성하기 위한 장치이다. 촉매층 형성 장치(11)는, 밀착층의 표면에 촉매로 이루어지는 촉매층을 형성하기 위한 장치이다. 제 1 무전해 도금층 형성 장치(12)는, 촉매층의 표면에 배리어층(제 1 무전해 도금층)을 무전해 도금에 의해 형성하기 위한 장치이다. 제 2 무전해 도금층 형성 장치(13)는, 배리어층의 표면에 시드층(제 2 무전해 도금층)을 무전해 도금에 의해 형성하기 위한 장치이다. 전해 도금층 형성 장치(14)는, 시드층의 표면에 충전층(전해 도금층)을 전해 도금에 의해 형성하기 위한 장치이다. 이들 각 장치(10 ~ 14)는 공지의 구성의 장치를 이용할 수 있다.
제 1 무전해 도금층 형성 장치(12)와 제 2 무전해 도금층 형성 장치(13)는, 사용하는 도금액의 종류가 상이할 뿐이며 동일한 구성의 장치를 이용할 수 있다. 예를 들면, 제 1 무전해 도금층 형성 장치(12)와 제 2 무전해 도금층 형성 장치(13)는, 도 2에 나타내는 구성의 도금 처리 장치를 이용할 수 있다. 또한 이하의 설명에서는, 제 2 무전해 도금층 형성 장치(13)에 대하여 설명한다.
제 2 무전해 도금층 형성 장치(13)는, 기판 유지부(17)와 처리액 공급부(18)와 처리액 회수부(19)를 가지고, 이들을 제어부(15)로 제어한다. 여기서, 기판 유지부(17)는 기판(3)을 유지하면서 회전시킨다. 처리액 공급부(18)는 기판(3)에 각종의 처리액(세정액, 도금액, 린스액, 건조액 등)을 공급한다. 처리액 회수부(19)는 기판(3)에 공급된 각종의 처리액을 회수한다.
기판 유지부(17)는 처리실(20)의 내부 대략 중앙에 상하로 연장시킨 회전축(21)을 회전 가능하게 마련하고 있다. 회전축(21)의 상단에는 원판 형상의 턴테이블(22)이 수평으로 장착되어 있다. 턴테이블(22)의 외주 가장자리에는, 복수 개의 기판 유지체(23)가 원주 방향으로 등간격을 두고 장착되어 있다.
또한, 기판 유지부(17)는 회전축(21)에 기판 회전 기구(24)와 기판 승강 기구(25)를 접속하고 있다. 이들 기판 회전 기구(24) 및 기판 승강 기구(25)는 제어부(15)로 회전 제어 및 승강 제어된다.
이 기판 유지부(17)는, 턴테이블(22)의 기판 유지체(23)로 기판(3)을 수평으로 유지한다. 또한, 기판 유지부(17)는 기판 회전 기구(24)를 구동시킴으로써 턴테이블(22)에 유지한 기판(3)을 회전시킨다. 또한, 기판 유지부(17)는 기판 승강 기구(25)를 구동시킴으로써 턴테이블(22) 또는 기판(3)을 승강시킨다.
처리액 공급부(18)는 처리실(20)의 내부에 가이드 레일(26)을 마련하고, 가이드 레일(26)에 암(27)을 이동 가능하게 장착하고 있다. 암(27)의 선단 하부에는 노즐(28)이 하방을 향해 장착되어 있다. 이 암(27)에는 제어부(15)로 구동 제어되는 노즐 이동 기구(29)가 접속되어 있다.
또한, 처리액 공급부(18)는 노즐(28)에 처리액 공급원(30)을 유량 조정기(31)를 개재하여 접속한다. 유량 조정기(31)는 제어부(15)로 유량 제어 및 개폐 제어된다. 또한, 노즐(28)은 처리액을 기판(3)을 향해 토출하는 것이며, 처리액의 종류에 따라 상이한 토출구를 가지는 것이어도 되고, 또한, 처리액의 종류에 상관없이 공통의 토출구를 가지는 것이어도 된다. 처리액 공급원(30)은 세정액 또는 도금액 등의 복수 종류의 처리액을 선택적으로 공급하는 것이다. 유량 조정기(31)는 처리액의 종류에 따라 유량을 조정하는 것이다.
처리액 회수부(19)는 턴테이블(22)의 주위에 원환 형상의 회수 컵(32)을 배치하고 있다. 회수 컵(32)의 상단부에는 턴테이블(22)(기판(3))보다 한층 큰 사이즈의 개구를 형성하고 있다. 또한, 회수 컵(32)의 하단부에는 배액 드레인(33)과 배기 드레인(34)을 접속하고 있다. 또한, 회수 컵(32)은 처리액의 종류에 따라 상이한 배액 드레인(33)과 연통하는 구성으로 해도 된다.
도금 처리 시스템(1)은 이상에 설명한 바와 같이 구성되어 있다. 또한, 상기 도금 처리 시스템(1)에서는 하우징의 내부에 각 장치(10 ~ 14)를 일체적으로 수용하고 있는데, 각각 또는 몇 개의 장치(10 ~ 14)를 조합하여 다른 하우징에 수용한 것이어도 된다. 또한 상기 도금 처리 시스템(1)에서는, 제 1 무전해 도금층 형성 장치(12)와 제 2 무전해 도금층 형성 장치(13)를 각각 마련하고 있는데, 공통의 도금층 형성 장치를 이용해도 된다.
상기 도금 처리 시스템(1)에서는, 이하에 설명하는 바와 같이 하여 기판(3)에 도금 처리를 실시한다(도 3 및 도 4 참조). 또한, 도금 처리 시스템(1)에서 처리하는 기판(3)에는, 실리콘 관통 전극을 형성하는 위치에 미리 공지의 방법으로 오목부(35)가 형성된다.
도금 처리 시스템(1)은 오목부(35)가 형성된 기판(3)을 밀착층 형성 장치(10)로 반송하고, 밀착층 형성 장치(10)에서 기판(3)의 오목부(35)의 표면에 밀착층(36)을 형성한다(밀착층 형성 공정). 밀착층 형성 장치(10)에서는, 기판(3)의 오목부(35)의 표면에 실란 커플링제 등의 커플링제를 흡착시킴으로써, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 커플링제의 자기 조직화 단분자막(SAM : Self Assembled Monolayer)으로 이루어지는 밀착층(36)을 형성한다. 이 밀착층(36)을 형성함으로써, 이 후의 촉매층(37)의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
이어서, 도금 처리 시스템(1)은 밀착층(36)이 형성된 기판(3)을 촉매층 형성 장치(11)로 반송하고, 촉매층 형성 장치(11)에서 밀착층(36)의 표면에 촉매층(37)을 형성한다(촉매층 형성 공정). 촉매층 형성 장치(11)에서는, 밀착층(36)의 표면에 나노 입자의 팔라듐 등의 촉매 금속을 흡착시킴으로써, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 촉매 금속막으로 이루어지는 촉매층(37)을 형성한다. 이 촉매층(37)을 형성함으로써, 이 후의 제 1 무전해 도금층(38)의 형성을 촉진시킬 수 있다.
이어서, 도금 처리 시스템(1)은, 촉매층(37)이 형성된 기판(3)을 제 1 무전해 도금층 형성 장치(12)로 반송하고, 제 1 무전해 도금층 형성 장치(12)에서 촉매층(37)의 표면에 제 1 무전해 도금층(38)을 형성한다(제 1 무전해 도금층 형성 공정). 제 1 무전해 도금층 형성 장치(12)에서는, 코발트 텅스텐 보론(Co-W-B)을 포함하는 도금액을 이용하여 무전해 도금 처리를 행함으로써, 도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이, 촉매층(37)의 표면에 코발트 텅스텐 보론으로 이루어지는 막 형상의 제 1 무전해 도금층(38)을 형성한다. 이 제 1 무전해 도금층(38)을 형성함으로써, 이 후의 제 2 무전해 도금층(39)에 함유되는 구리의 확산을 방지할 수 있다. 이 때문에, 제 1 무전해 도금층(38)은 배리어층으로서 기능한다.
이어서, 도금 처리 시스템(1)은 제 1 무전해 도금층(38)이 형성된 기판(3)을 제 2 무전해 도금층 형성 장치(13)로 반송하고, 제 2 무전해 도금층 형성 장치(13)에서 제 1 무전해 도금층(38)의 표면에 제 2 무전해 도금층(39)을 형성한다(제 2 무전해 도금층 형성 공정). 제 2 무전해 도금층 형성 장치(13)에서는, 구리와 니켈을 포함하는 도금액을 이용하여 무전해 도금 처리를 행함으로써, 도 4의 (d)에 나타내는 바와 같이, 제 1 무전해 도금층(38)의 표면에 구리와 니켈의 합금으로 이루어지는 막 형상의 제 2 무전해 도금층(39)을 형성한다. 이 구리 합금으로 이루어지는 제 2 무전해 도금층(39)을 형성함으로써, 이 후의 구리의 전해 도금층(40)의 형성을 용이하게 할 수 있다. 이 때문에, 제 2 무전해 도금층(39)은 시드층으로서 기능한다.
이어서, 도금 처리 시스템(1)은 제 2 무전해 도금층(39)이 형성된 기판(3)을 전해 도금층 형성 장치(14)로 반송하고, 전해 도금층 형성 장치(14)에서 제 2 무전해 도금층(39)의 표면에 전해 도금층(40)을 형성하여, 기판(3)에 형성된 오목부(35)를 전해 도금층(40)으로 충전한다(전해 도금층 형성 공정). 전해 도금층 형성 장치(14)에서는, 구리를 포함하는 도금액을 이용하여 전해 도금 처리를 행함으로써, 도 4의 (e)에 나타내는 바와 같이, 제 2 무전해 도금층(39)의 표면에 구리로 이루어지는 전해 도금층(40)을 형성한다. 이에 의해, 기판(3)에 실리콘 관통 전극을 형성할 수 있다.
이와 같이, 상기 도금 처리 시스템(1)에서는, 무전해 도금에 의해 형성한 제 1 무전해 도금층(38)의 표면에 무전해 도금에 의해 구리와 니켈의 합금으로 이루어지는 제 2 무전해 도금층(39)을 형성함으로써, 도금 처리를 실시한 부품(도금 처리 부품, 여기서는 기판(3))을 제조한다.
제조된 부품에 대하여 점착 테이프를 이용한 박리 시험을 한 바, 기판(3)으로부터 실리콘 관통 전극이 박리되는 현상은 발생하지 않았다. 또한, 부품의 제조 과정(특히 제 2 무전해 도금층 형성 공정)에서도 제 1 무전해 도금층(38) 등이 박리되는 현상은 발생하지 않았다. 이에 대해서는 이하와 같이 상정된다. 즉, 종래에 있어서는, 제 1 무전해 도금층(배리어층)의 표면에 형성한 제 2 무전해 도금층(시드층)이 구리의 단일 금속막으로 형성되어 있기 때문에, 제 2 무전해 도금층의 내부의 응력(막 스트레스)이 높고, 제 1 무전해 도금층과 제 2 무전해 도금층 간의 밀착력이 저하되어, 제 1 무전해 도금층과 제 2 무전해 도금층 간에 박리가 발생하는 것이라고 상정된다. 이에 대하여, 본 발명에서는, 제 1 무전해 도금층(38)의 표면에 형성된 제 2 무전해 도금층(39)이 구리의 단일 금속막이 아닌 구리와 니켈의 합금(구리 합금)으로 형성되어 있다. 이 때문에, 제 2 무전해 도금층(39)의 내부의 응력(막 스트레스)이 저감되어, 제 1 무전해 도금층(38)과 제 2 무전해 도금층(39) 간의 밀착력이 증대되고, 제 1 무전해 도금층(38)과 제 2 무전해 도금층(39) 간에 박리가 발생하지 않았던 것이라고 상정된다. 또한, 제 2 무전해 도금층(39)의 표면에 전해 도금층(40)을 형성한 후에 있어서는, 구리 합금으로 이루어지는 제 2 무전해 도금층(39)이 완충층으로서 기능함으로써 박리가 발생하지 않았던 것이라고 상정된다. 또한, 제 2 무전해 도금층(39)의 형성 시에 있어서는, 코발트 텅스텐 보론으로 이루어지는 제 1 무전해 도금층(38)에 구리와 니켈을 함유하는 도금액을 이용함으로써 구리에 의한 제 1 무전해 도금층(38)의 침식이 억제되는 것도 기여하고 있는 것이라고 추측된다.
이상에 설명한 바와 같이, 상기 도금 처리 시스템(1)(도금 처리 시스템(1)에서 이용하는 도금 처리 방법, 도금 처리 시스템(1)에서 제조한 도금 처리 부품)에서는, 무전해 도금에 의해 형성한 제 1 무전해 도금층(38)의 표면에 무전해 도금에 의해 구리 합금으로 이루어지는 제 2 무전해 도금층(39)을 형성함으로써, 무전해 도금으로 형성한 도금층(제 1 무전해 도금층(38), 제 2 무전해 도금층(39))의 박리를 방지할 수 있어, 도금 처리에 대한 신뢰성 및 도금 처리에 의해 제조한 부품에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한 상기 설명에서는, 기판(3)에 실리콘 관통 전극을 형성하는 경우에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 반도체 부품 등에 형성되는 돌기 형상의 전극(범프)을 형성하는 경우 등에도 적용할 수 있다. 또한, 밀착층(36) 또는 촉매층(37) 또는 전해 도금층(40)의 형성은 임의이며, 또한 이들을 형성할 시 사용하는 재료도 적절히 선택할 수 있다. 또한, 제 1 무전해 도금층(38)은 특별히 재료가 한정되는 것은 아니지만, 배리어층으로 기능시키기 위해서는 코발트 또는 코발트 합금을 함유하는 재료가 바람직하다. 또한, 제 2 무전해 도금층(39)은 구리와 니켈의 합금에 한정되지 않고, 구리의 단일 금속막보다 내부 스트레스가 작아지는 구리 합금을 이용해도 된다.
1 : 도금 처리 시스템
3 : 기판
12 : 제 1 무전해 도금층 형성 장치
13 : 제 2 무전해 도금층 형성 장치
36 : 밀착층
37 : 촉매층
38 : 제 1 무전해 도금층
39 : 제 2 무전해 도금층
40 : 전해 도금층

Claims (11)

  1. 무전해 도금에 의해 형성한 제 1 무전해 도금층의 표면에 무전해 도금에 의해 구리 합금으로 이루어지는 제 2 무전해 도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 도금 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 무전해 도금층은 구리의 확산을 방지하는 배리어층인 것을 특징으로 하는 도금 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 무전해 도금층은 코발트 또는 코발트 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도금 처리 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 무전해 도금층은 구리와 니켈의 합금인 것을 특징으로 하는 도금 처리 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 무전해 도금층은 표면에 구리를 전해 도금하기 위한 시드층인 것을 특징으로 하는 도금 처리 방법.
  6. 무전해 도금에 의해 형성한 제 1 무전해 도금층의 표면에 무전해 도금에 의해 구리 합금으로 이루어지는 제 2 무전해 도금층을 형성한 것을 특징으로 하는 도금 처리 부품.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 무전해 도금층은 구리의 확산을 방지하는 배리어층인 것을 특징으로 하는 도금 처리 부품.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 무전해 도금층은 코발트 또는 코발트 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도금 처리 부품.
  9. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 무전해 도금층은 구리와 니켈의 합금인 것을 특징으로 하는 도금 처리 부품.
  10. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 무전해 도금층은 표면에 구리를 전해 도금하기 위한 시드층인 것을 특징으로 하는 도금 처리 부품.
  11. 표면에 무전해 도금에 의해 제 1 무전해 도금층을 형성하기 위한 제 1 무전해 도금층 형성부와,
    상기 제 1 무전해 도금층의 표면에 무전해 도금에 의해 구리 합금으로 이루어지는 제 2 무전해 도금층을 형성하기 위한 제 2 무전해 도금층 형성부
    를 가지는 것을 특징으로 하는 도금 처리 시스템.
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