KR20160148893A - 유리판 천공 드릴날 구조 및 천공 방법 - Google Patents

Abstract

파손 및 크랙에 취약한 유리판의 소형 홀을 안정적으로 천공할 수 있는 유리판 천공 드릴 및 천공 방법이 개시된다. 드릴 하부의 측둘레부를 선단부 방향으로 직경이 감소되는 원뿔형태로 형성하고, 측둘레부 단면을 반원 형태로 하여 유리 이물이 배출될 수 있는 배출공간을 형성함으로써, 유리판의 소형 홀 천공시 유리판의 파손 및 크랙을 방지할 수 있는 유리판 천공 드릴을 제공한다.

Description

유리판 천공 드릴 및 천공 방법{Drill for Glass Hole Pierce and Method for Drilling Glass}

본 발명은 유리판 천공 드릴에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유리판 천공시 발생되는 파손 및 크랙을 방지하기 위한 유리판 천공 드릴 및 천공 방법에 관한 것이다.

일반적으로 유리판은 그 용도에 따라 차이는 있지만 유리의 특성 때문에 취착부분에 구멍을 천공시키는 것이 필수적으로, 유리판의 천공을 위한 여러 가지 드릴 형태가 알려져 있다. 또한, 이러한 드릴을 이용하여 유리판을 천공하기 위한 방법으로, 유리판을 고정장치에 고정시키고 드릴을 유리판 상부에 배치하여 유리판 상부에서 하부로 천공시키거나, 드릴을 유리판 상부 및 하부에 배치하여 유리판 한쪽면을 소정 깊이로 천공하고, 나머지 천공할 깊이는 유리판 반대쪽면을 천공는 방법이 알려져 있다.

도 1은 종래의 유리판 천공 드릴 구조를 나타내는 도면이다.

도 1을 참조하면, 종래 유리판(110) 천공 드릴(100)은 측둘레부(101)가 원통으로 형성되고, 홀 가공시 유리판(110)에 침입하는 드릴(100)의 선단부(102)가 둥근 형태를 가지고 있기 때문에 유리판(110)을 천공하기 위해 유리판(110) 상부에 드릴(100) 진입시, 유리판(110)과 접촉되는 선단부(102)의 면적이 넓으므로 유리판(110) 파손 및 크랙에 매우 취약하다. 또한, 유리판(110) 천공시 배출되는 유리 이물이 빠르게 배출되지 못하기 때문에 유리판(110) 표면이 손상되거나 파손을 초래할 수 있다. 따라서, 종래의 드릴(100)을 이용하여 유리판(110)의 소형 홀을 가공하기 위해서는 사전에 천공할 위치에 워터젯등을 이용하여 미세한 1차 홀(103)을 가공한 후 드릴(100)로 1차 홀(103) 부위를 천공해야만 안정적인 천공을 수행할 수 있다. 하지만 이는 1차 홀(103)을 미리 가공해야 하는 번거로움과 작업 효율이 떨어지는 단점이 있다.

PCT/JP2011/069331

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것이다. 즉, 드릴 하부의 측둘레부를 선단부 방향으로 직경이 감소되는 원뿔형태로 형성하고, 측둘레부 단면을 반원 형태로 하여 유리 이물이 배출될 수 있는 배출공간을 형성함으로써, 유리판에 소형 홀 천공시 유리판의 파손 및 크랙을 방지할 수 있는 유리판 천공 드릴을 제공하는데 있다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은 유리판의 가장자리 면을 가공하는 외면 가공부, 상기 외면 가공부 하부에 위치하며, 상기 유리판 내면을 가공하는 내면 가공부 및 상기 내면 가공부 하부에 위치하며, 상기 유리판 홀을 가공하는 홀 가공부를 포함하고, 상기 홀 가공부의 선단부는 상기 유리판과 접촉되는 접촉면적을 최소화한다.

상기 홀 가공부는, 상기 선단부를 향하여 직경이 축소되며, 원뿔 형태로 형성된 측둘레부, 상기 측둘레부 상부에 위치하며, 원통으로 형성된 외주부 및 상기 가공된 홀에 발생되는 챔퍼를 가공하기 위한 챔퍼 가공부를 포함할 수 있다.

상기 측둘레부의 단면은 반원 형태로 형성될 수 있다.

상기 홀 가공부는, 상기 유리판의 홀 가공시 발생되는 유리 이물을 가공과 동시에 제거하기 위해, 상기 단면이 반원 형태로 형성된 상기 측둘레부의 나머지 공간에 해당하는 배출공간을 더 포함할 수 있다.

상기 외주부의 직경은 상기 유리판의 최종 가공되는 홀 직경보다 작은 크기의 직경으로 형성될 수 있다.

상기 챔퍼 가공부는 상기 외주부에 의해 가공된 홀 크기를 확장하며 동시에 챔퍼 가공할 수 있다.

상기 홀 가공부의 입도(grain size)는 300~500mesh로 형성될 수 있다.

상기 외면 가공부는, 상기 유리판의 가장자리면을 빠르게 황삭 가공하는 황삭 가공부 및 상기 유리판의 가장자리면을 고운입자로 정삭 가공하는 정삭 가공부를 포함할 수 있다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은 선단부를 향하여 직경 축소되어 원뿔 형태로 형성되고, 단면이 반원 형태로 형성된 측둘레부, 상기 측둘레부 상부에 위치하며, 원통으로 형성된 외주부 및 상기 가공된 홀에 발생되는 챔퍼를 가공하기 위한 챔퍼 가공부를 포함하는 유리판 천공 드릴의 천공 방법에 있어서, 상기 유리판의 한쪽 면으로부터 상기 선단부를 침입시키고, 가공되는 홀 크기를 점차적으로 확장시키는 제1 단계, 상기 제1 단계에서 형성된 홀의 내주면을 원통 형상의 둘레면이 되도록 하는 제2 단계 및 상기 제2 단계에서 형성된 홀을 최종 확장하고, 챔퍼 가공하는 제3 단계를 포함한다.

상기 제1 단계에서 상기 유리판의 홀 가공시 발생되는 유리 이물은, 단면이 반원 형태로 된 상기 측둘레부의 나머지 공간에 해당하는 배출공간을 통해 홀 가공과 동시에 제거될 수 있다.

상기 제2 단계에서 형성되는 상기 홀 직경은 상기 유리판의 최종 가공되는 홀 직경보다 작을 수 있다.

본 발명에 따르면, 유리판에 소형 홀을 천공하기 위한 드릴 하부의 측둘레부를 선단부 방향으로 직경이 감소되도록 원뿔형태로 형성하고, 측둘레부 단면을 반원 형태로 형성하여 선단부가 유리판과 접촉되는 부위를 최소로 함으로써, 드릴이 유리판 진입시 유리판의 파손 및 크랙을 방지할 수 있다.

또한, 드릴 하부에 유리이물을 배출할 수 있는 배출공간이 형성됨으로써 천공시 발생되는 유리 이물을 천공과 동시에 빠르게 배출할 수 있다.

또한, 드릴 상부에 챔퍼 가공부를 구비하여 유리판 천공과 동시에 챔퍼를 가공할 수 있어 작업 효율을 높일 수 있다.

본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 종래의 유리판 천공 드릴 구조를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 유리판 천공 드릴 구조를 나타내는 도면이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 유리판 천공 드릴에 의한 천공 방법을 나타내는 도면이다.
도 6(a)는 본 발명의 천공 드릴을 이용하여 가공한 유리판의 홀 이미지이다.
도 6(b)는 종래의 천공 드릴을 이용하여 가공한 유리판의 홀 이미지이다.

본 발명은 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

이하, 본 발명에 따른 실시 예들을 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

도 2는 본 발명의 유리판 천공 드릴 구조를 나타내는 도면이다.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 유리판 천공 드릴(200)은 외면 가공부(210), 내면 가공부(220) 및 홀 가공부(230)를 포함한다.

외면 가공부(210)는 유리판의 가장자리면을 가공할 때 이용될 수 있다. 가공할 유리판의 가장자리면을 드릴(200)의 외면 가공부(210)와 접촉될 수 있도록 평행하게 위치시키고, 드릴(200)을 회전시켜 외면 가공부(210)의 형상에 맞도록 유리판 가장자리면을 가공할 수 있다. 또한, 유리판 가장자리면을 가공하기 위해 외면 가공부(210)는 황삭 가공부(211)와 정삭 가공부(212)를 포함할 수 있다.

황삭 가공부(211)는 천공 드릴(200)의 상부에 위치하며, 유리판의 가장자리면을 빠른 속도의 황삭 가공할 때 이용된다. 황삭 가공부(211)는 외부면에 적어도 하나의 V형 그루브를 가질 수 있으며, 상기 V형 그루브의 중심을 통과하는 방사선(radial line)은 V형 그루브와 소정의 각도를 이룰 수 있다. 상기 각도는 바람직하게는 약 15ㅀ 내지 40ㅀ가 될 수 있으나, 각도는 황삭 가공의 용도에 따라 변경될 수 있다. 또한, 도 2에의 황삭 가공부(211)에는 단일 V형 그루브만을 도시하고 있으나, 이는 황삭 가공 용도에 따라 복수의 V형 그루브를 가질 수 있다.

황삭 가공부(211)의 재질은 스테인레스(SUS316F)재질이 바람직하며, 입도(grain size)는 300~500mesh로 형성될 수 있으나 바람직하게는 500mesh로 형성될 수 있다. 이는 유리판 가장자리를 빠른 속도로 황삭 가공을 위한 것이다.

정삭 가공부(212)는 황삭 가공부(211) 하부에 위치하며, 유리판의 가장자리면을 가공 수치에 맞도록 최종 정삭 가공시 이용된다. 정삭 가공부(212)도 황삭 가공부(211)와 동일하게 외부면에 적어도 하나의 V형 그루브를 가질 수 있으며, 상기 V형 그루브의 중심을 통과하는 방사선은 V형 그루브와 소정의 각도를 이룰 수 있다. 상기 각도는 바람직하게는 약 15° 내지 40°가 될 수 있으나, 각도는 정삭 가공에 따라 변경될 수 있다. 또한, 도 2에의 정삭 가공부(212)에는 단일 V형 그루브만을 도시하고 있으나, 이는 정삭 가공 용도에 따라 복수의 V형 그루브를 가질 수 있다. 정삭 가공부(212)의 재질은 스테인레스(SUS316F)재질이 바람직하며, 입도(grain size)는 800~1,000mesh로 형성될 수 있으나 바람직하게는 800mesh로 형성될 수 있다. 이는 유리판 가공시 고운 입자로 치핑을 최소화하여 가공의 최종 정삭 가공을 위한 것이다.

내면 가공부(220)는 유리판의 내부면을 가공할 때 이용될 수 있다. 가공할 유리판의 내부면을 드릴(200)의 내면 가공부(220)와 접촉될 수 있도록 평행하게 위치시키고, 드릴(200)을 회전시켜 내부면을 가공 형상에 맞게 이동하며 유리판 내부면을 가공할 수 있다. 내면 가공부(220)는 적어도 하나의 V형 그루브를 가질 수 있으며, 상기 V형 그루브의 중심을 통과하는 방사선은 V형 그루브와 소정의 각도를 이룰 수 있다. 상기 각도는 내부면 가공 용도에 따라 변경될 수 있다. 또한, 내부 가공부의 직경과 입도는 가공될 유리판 내부면 크기 및 용도에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 내면 가공부(220)의 재질은 스테인레스(SUS316F)재질이 바람직하며, 입도(grain size)는 300~500mesh로 형성될 수 있으나 바람직하게는 500mesh로 형성될 수 있다.

홀 가공부(230)는 상기 내면 가공부(220) 하부에 위치하며, 유리판의 소형 홀을 안정적으로 가공할 때 이용된다. 또한, 홀 가공부(230)는 측둘레부(231), 외주부(232), 챔퍼 가공부(233)를 포함할 수 있다.

측둘레부(231)는 선단부(234)를 향하여 직경 축소되는 원뿔형태로 형성되며, 단면은 반원형태로 형성될 수 있다. 또한, 측둘레부(231)가 선단부(234)를 향하여 직경 축소되어 있으므로, 드릴축(Y)에 대하여 경사 각도(α)를 갖는다. 당연히 천공에 사용되는 홀 가공부(230)는 이와 같이 경사져 있기 때문에 종래의 드릴(100)과 같은 둥근 형태의 형상을 갖고 있지 않다. 상기 경사 각도(α)는 드릴(200)의 중심 어긋남의 크기, 유리판의 두께, 유리판의 관통 구멍에 허용되는 정밀도 및 관통 구멍의 구경 등에 의해 적절히 결정되어 특정되지 않지만, 본 발명에 따른 천공 드릴(200)의 측둘레부(231)는 마모도 유지를 위해 10°~15° 정도가 바람직하다. 또한, 측둘레부(231)의 재질은 스테인레스(SUS316F)재질이 바람직하며, 입도는 300~500mesh로 형성될 수 있으나 바람직하게는 500mesh로 형성될 수 있다. 이는 유리판 홀 가공시 빠른 속도로 소형 홀을 천공하기 위한 것이다.

측둘레부(231)가 선단부(234)를 향하여 경사져 있기 때문에 유리판 홀 가공시 유리판의 상면에 접속되는 선단부(234)의 면적이 종래의 드릴(100)에 비교하여 접촉 면적이 최소화되고, 유리판의 홀 가공을 위해 측둘레부(231)의 선단부(234) 진입 후 점차 증가되는 측둘레부(231)의 직경에 따라 홀 크기를 점차적으로 확장하여 가공할 수 있기 때문에 홀 가공시 유리판의 파손이나 크랙을 방지할 수 있다.

또한, 측둘레부(231)는 단면이 반원 형태로 형성되기 때문에 나머지 공간에 해당하는 빈공간인 배출공간(235)이 형성될 수 있다. 배출공간(235)은 측둘레부(231)가 유리판 홀 가공을 진행할 때 발생되는 유리 파편 및 이물을 배출할 수 있는 배출공간(235)이 된다. 배출공간(235)을 통해 홀 가공시에 발생되는 이물들이 빠르게 배출될 수 있으므로, 홀 가공시 이물에 의해 발생되는 크랙 및 치핑 발생을 최소화 할 수 있다.

외주부(232)는 측둘레부(231) 상부에 위치하며, 원통형태로 형성될 수 있다. 측둘레부(231)에 의해 유리판의 홀이 안정적으로 확장되면 외주부(232)의 직경에 맞게 홀이 원통 형태의 내주면이 형성되도록 가공될 수 있다. 외주부(232)의 직경은 최종 가공되는 홀 크기보다 작은 크기의 직경을 가질 수 있다. 예를 들어, 직경이 1.2mm의 소형 홀 가공시에는 외주부(232)의 직경을 1.2mm 보다 작은 1.1mm의 직경을 가질 수 있다. 이는, 본 발명에 따른 천공 드릴(200)을 이용하여 가공하는 홀 크기는 직경이 대략 1mm 정도로 상당히 작은 소형 홀을 가공하는 바, 홀 가공시 발생되는 외부 환경에 의한 흔들림에 의해 홀 크기의 오차가 발생될 수 있어 최종적으로 가공되는 홀 크기보다 작은 크기의 직경을 갖는 것이 바람직하다.

또한, 외주부(232)의 재질은 측둘레부(231)의 재질과 동일한 스테인레스(SUS316F)재질이 바람직하며, 입도는 300~500mesh로 형성될 수 있으나 바람직하게는 500mesh로 형성될 수 있다. 이는 유리판 홀 가공시 빠른 속도로 소형 홀을 천공하기 위한 것이다.

챔퍼 가공부(233)는 외주부(232) 상부에 위치한다. 챔퍼 가공부 하부(233a)는 원통 형태로 형성될 수 있으며, 직경은 외주부(232)의 직경보다 작을 수 있다. 예를 들어, 직경이 1.2mm의 소형 홀 가공시에는 직경을 0.7mm로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 챔퍼 가공부 상부(233b)는 천공 드릴(200) 하부를 향하여 직경 축소되는 원뿔 형태로 형성되며, 드릴축(Y)에 대하여 경사 각도(β)를 갖는다. 상기 경사 각도(β)는 챔퍼 가공부위의 각도, 유리판의 두께, 관통 구멍의 구경 등에 의해 적절히 결정되어 특정되지 않지만, 본 발명에 따른 챔퍼 가공부 상부(233b)의 각도는 45°가 바람직하다. 챔퍼 가공부(233)의 재질은 스테인레스(SUS316F)재질이 바람직하며, 입도는 300~500mesh로 형성될 수 있으나 바람직하게는 500mesh로 형성될 수 있다. 이는 유리판 홀 가공시 빠른 속도로 소형 홀을 천공하기 위한 것이다.

챔퍼 가공부(233)는 유리판의 홀 가공시 측둘레부(231) 및 외주부(232)에 의한 유리판의 홀 가공 진행이 완료되면, 챔퍼 가공부(233)를 이용하여 홀을 제작하고자 하는 치수에 맞게 홀 크기를 좀 더 넓게 확장하고, 홀의 챔퍼 부위를 가공하여 유리판의 천공 진행을 한번의 가공 공정으로 완료한다. 상기한 바와 같이, 홀 가공시 챔퍼 가공부(233)를 이용하여 원하는 치수에 맞게 홀을 확장하면서 홀의 챔퍼 부위를 동시에 가공하는 것이 가능하기 때문에 공정 간소화 및 생산성을 향상 시킬 수 있다.

도 3 내지 도 5는 본 발명의 유리판 천공 드릴에 의한 천공 방법 나타내는 도면이다. 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 천공 드릴에 의한 천공 방법을 상세히 설명한다.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 유리판 천공 방법은, 유리판의 한쪽 면으로부터 측둘레부(231)의 선단부(234)를 침입시키고, 가공되는 홀 크기를 점차적으로 확장시키는 제1 단계, 상기 제1 단계에서 형성된 홀의 내주면을 원통 형상의 둘레면이 되도록 하는 제2 단계, 상기 제2 단계에서 형성된 홀을 최종 확장하고, 챔퍼 가공하는 제3 단계를 포함할 수 있다.

도 3에서와 같이 가공되는 홀 크기를 점차적으로 확장하며 가공하는 제1 단계에서는 유리판(110) 상부면에 측둘레부(231)의 선단부(234)를 천공하는 위치에 맞추고, 드릴(200)을 하강하면서 선단부(234)를 유리판(110)에 침입시켜 천공을 진행한다. 선단부(234)가 유리판(110)에 침입할 때 본 발명의 천공 드릴(200)은 측둘레부(231)가 선단부(234)를 향하여 경사져 있기 때문에 유리판(110) 상부에 접촉하는 면적을 종래의 면적에 비해 최소화 할 수 있다. 따라서 유리판 천공시 유리판의 파손이나 크랙을 방지할 수 있으며, 안정적으로 홀 크기를 확장하면서 천공할 수 있다.

또한, 단면이 반원 형태로 형성된 측둘레부(231)의 나머지 공간에 해당하는 빈공간인 배출공간(235)이 형성되어 유리판(110) 천공시 발생되는 유리 파편 및 이물을 천공과 동시에 빠르게 배출할 수 있어, 홀 가공시 이물에 의해 발생되는 크랙 및 치핑 발생을 최소화 할 수 있다.

도 4에서와 같이 제2 단계에서는 제1 단계에서 형성된 홀의 내주면을 홀 가공부(230)의 외주부(232)를 이용하여 원통 형상의 둘레면이 되도록 가공될 수 있다. 여기서 외주부(232)의 직경은 유리판(110)에 최종 가공되는 홀 직경보다 작은 직경으로 형성되기 때문에, 제2 단계에서 형성되는 홀 직경은 최종 홀 직경보다 작은 크기의 직경으로 천공된다. 이는, 홀 가공시 외부 환경에 의한 흔들림에 의해 발생되는 홀 크기의 오차를 방지하기 위함이다.

도 5에서와 같이 제3 단계에서는 상기 제2 단계에서 형성된 홀을 최종 확장하고, 천공 홀에 형성된 챔퍼를 가공한다. 챔퍼 가공부(233)는 외주부(232) 상부에 바로 배치되기 때문에, 외주부(232)에 의해 유리판(110)의 홀 가공 진행이 완료되면, 챔퍼 가공부(233)를 이용하여 최종 홀에 맞게 홀 크기를 확장하고, 홀의 챔퍼 부위를 가공하여 유리판(110)의 천공 진행을 완료한다. 상기한 바와 같이 천공 진행 후 챔퍼 가공부(233)를 이용하여 홀 확장과 챔퍼 가공을 동시 진행하는 것이 가능하기 때문에 공정 간소화 및 생산성을 향상시킬 수 있다.

도 6(a)는 본 발명의 천공 드릴을 이용하여 가공한 유리판의 홀 이미지이며, 도 6(b)는 종래의 천공 드릴을 이용하여 가공한 유리판의 홀 이미지이다.

도 6(a) 및 도6(b)를 참조하면, 도 6(b)와 같이 종래의 천공 드릴(100)을 이용하여 유리판 홀을 가공한 홀은 홀 주위에 크랙 및 치핑이 발생되어 불량발생과 가공효율이 떨어지나, 6(a)와 같이 본 발명의 천공 드릴(200)을 이용한 유리판의 홀은 홀 주위에 크랙 및 치핑 발생 없이 안정적으로 홀이 천공된 것을 확인 할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유리판 천공 드릴(200)은 측둘레부(231)를 선단부(234) 방향으로 직경이 감소되도록 원뿔형태로 형성하고, 측둘레부(231) 단면을 반원 형태로 형성하여 선단부(234)가 유리판과 접촉되는 부위를 최소로 함으로써, 드릴(200)이 유리판 진입시 유리판의 파손 및 크랙을 방지하여 안정적으로 천공할 수 있다.

또한, 천공 드릴(200) 하부에 유리이물을 배출할 수 있는 배출공간(235)이 형성됨으로써 천공시 발생되는 유리 이물을 천공과 동시에 빠르게 배출할 수 있기 때문에 유리 이물에 따른 유리판의 파손 및 크랙을 방지할 수 있으며, 챔퍼 가공부(233)를 이용하여 유리판 천공과 동시에 챔퍼를 가공할 수 있어 작업 효율을 높일 수 있다.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.

210 : 외면 가공부 211 : 황삭 가공부
212 : 정삭 가공부 220 : 내면 가공부
230 : 홀 가공부 231 : 측둘레부
232 : 외주부 233 : 챔퍼 가공부
234 : 선단부 235 : 배출공간

Claims (11)

1. 유리판의 가장자리 면을 가공하는 외면 가공부;
   상기 외면 가공부 하부에 위치하며, 상기 유리판 내면을 가공하는 내면 가공부; 및
   상기 내면 가공부 하부에 위치하며, 상기 유리판 홀을 가공하는 홀 가공부를 포함하고,
   상기 홀 가공부의 선단부는 상기 유리판과 접촉되는 접촉면적을 최소화하는 것인 유리판 천공 드릴.
2. 제1항에 있어서, 상기 홀 가공부는,
   상기 선단부를 향하여 직경이 축소되며, 원뿔 형태로 형성된 측둘레부;
   상기 측둘레부 상부에 위치하며, 원통으로 형성된 외주부; 및
   상기 가공된 홀에 발생되는 챔퍼를 가공하기 위한 챔퍼 가공부를 포함하는 것인 유리판 천공 드릴.
3. 제2항에 있어서,
   상기 측둘레부의 단면은 반원 형태로 형성되는 것인 유리판 천공 드릴.
4. 제3항에 있어서, 상기 홀 가공부는,
   상기 유리판의 홀 가공시 발생되는 유리 이물을 가공과 동시에 제거하기 위해, 상기 단면이 반원 형태로 형성된 상기 측둘레부의 나머지 공간에 해당하는 배출공간을 더 포함하는 것인 유리판 천공 드릴.
5. 제2항에 있어서,
   상기 외주부의 직경은 상기 유리판의 최종 가공되는 홀 직경보다 작은 크기의 직경으로 형성되는 것인 유리판 천공 드릴.
6. 제2항에 있어서,
   상기 챔퍼 가공부는 상기 외주부에 의해 가공된 홀 크기를 확장하며 동시에 챔퍼 가공하는 것인 유리판 천공 드릴.
7. 제1항에 있어서,
   상기 홀 가공부의 입도(grain size)는 300~500mesh로 형성되는 것인 유리판 천공 드릴.
8. 제1항에 있어서, 상기 외면 가공부는,
   상기 유리판의 가장자리면을 빠르게 황삭 가공하는 황삭 가공부; 및
   상기 유리판의 가장자리면을 고운입자로 정삭 가공하는 정삭 가공부를 포함하는 것인 유리판 천공 드릴.
9. 선단부를 향하여 직경 축소되어 원뿔 형태로 형성되고, 단면이 반원 형태로 형성된 측둘레부; 상기 측둘레부 상부에 위치하며, 원통으로 형성된 외주부; 및 상기 가공된 홀에 발생되는 챔퍼를 가공하기 위한 챔퍼 가공부를 포함하는 유리판 천공 드릴의 천공 방법에 있어서,
   상기 유리판의 한쪽 면으로부터 상기 선단부를 침입시키고, 가공되는 홀 크기를 점차적으로 확장시키는 제1 단계;
   상기 제1 단계에서 형성된 홀의 내주면을 원통 형상의 둘레면이 되도록 하는 제2 단계; 및
   상기 제2 단계에서 형성된 홀을 최종 확장하고, 챔퍼 가공하는 제3 단계를 포함하는 유리판의 천공 방법.
10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 단계에서 상기 유리판의 홀 가공시 발생되는 유리 이물은, 단면이 반원 형태로 된 상기 측둘레부의 나머지 공간에 해당하는 배출공간을 통해 홀 가공과 동시에 제거되는 것인 유리판의 천공 방법.
11. 제9항에 있어서,
    상기 제2 단계에서 형성되는 상기 홀 직경은 상기 유리판의 최종 가공되는 홀 직경보다 작은 것인 유리판의 천공 방법.

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