KR20160146719A - Negative photosensitive resin composition, partition, and optical element - Google Patents

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Abstract

상면에 저노광량으로 충분한 발잉크성을 갖는 발잉크층의 형성이 가능하고 친잉크화 처리를 거쳐도 우수한 발잉크성을 지속할 수 있는 격벽의 제조에 사용 가능한 네거티브형 감광성 수지 조성물, 상면에 발잉크층을 갖고 미세하고 고정밀도의 패턴 형성이 가능하고, 친잉크화 처리를 거쳐도 우수한 발잉크성을 지속할 수 있는 광학 소자의 격벽, 및 상기 격벽으로 나누어진 개구부에 잉크가 균일 도포되어, 양호한 정밀도로 형성된 도트를 갖는 광학 소자의 제공. 알칼리 가용성 수지, 가교제, 광산 발생제, 그리고 플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기와 가수분해성기를 갖는 가수분해성 실란 화합물을 함유하는 발잉크제를 함유하는 네거티브형 감광성 수지 조성물, 그 네거티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 경화막 및 격벽, 및 기판 표면에 복수의 도트와 인접하는 도트 사이에 위치하는 상기 격벽을 갖는 광학 소자.A negative photosensitive resin composition which is capable of forming a repellent ink layer having a sufficient ink repellency at a low exposure amount on an upper surface thereof and which can be used for the production of barrier ribs capable of maintaining excellent ink repellency even after an ink- A partition wall of an optical element having an ink layer and capable of forming a fine and highly precise pattern and capable of maintaining good ink repellency even after an ink fusing treatment and an opening uniformly coated with an opening divided by the partition wall, Provided is an optical element having dots formed with good precision. A negative-working photosensitive resin composition comprising an alkali-soluble resin, a crosslinking agent, a photoacid generator, and a repellent agent containing a fluoroalkyl group and / or a hydrolyzable silyl compound having a fluoroalkyl group and a hydrolyzable group, An optical element having a cured film and barrier ribs formed using the composition, and barrier ribs located between the plurality of dots and adjacent dots on the substrate surface.

Description

네거티브형 감광성 수지 조성물, 격벽 및 광학 소자{NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PARTITION, AND OPTICAL ELEMENT}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a negative photosensitive resin composition, a barrier rib and an optical element,

본 발명은 네거티브형 감광성 수지 조성물, 격벽 및 광학 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a negative-working photosensitive resin composition, a partition wall and an optical element.

유기 EL (Electro-Luminescence) 소자, 양자 도트 디스플레이, TFT (Thin Film Transistor) 어레이, 박막 태양 전지 등의 광학 소자의 제조에 있어서는, 발광층 등의 유기층을 도트로 하여, 잉크젯 (IJ) 법으로 패턴 인쇄하는 방법을 사용하는 경우가 있다. 이러한 방법에 있어서는, 형성하고자 하는 도트의 윤곽을 따라 격벽을 형성하고, 그 격벽으로 둘러싸인 구획 (이하, 「개구부」 라고도 한다) 내에, 유기층의 재료를 함유하는 잉크를 주입하고, 이것을 건조 및/또는 가열 등을 함으로써 원하는 패턴의 도트를 형성한다.In the production of optical elements such as organic EL (Electro-Luminescence) elements, quantum dot displays, TFT (Thin Film Transistor) arrays and thin film solar cells, organic layers such as light emitting layers are used as dots, There is a case to use the method. In this method, a partition wall is formed along the contour of a dot to be formed, and ink containing a material for the organic layer is injected into a partition surrounded by the partition (hereinafter also referred to as " opening " Heating or the like to form dots of a desired pattern.

상기 방법에 있어서는, 인접하는 도트 사이에 있어서의 잉크의 혼합 방지와 도트 형성에 있어서의 잉크의 균일 도포를 위해, 격벽 상면은 발잉크성을 갖고, 한편, 격벽 측면을 포함하는 격벽으로 둘러싸인 도트 형성용의 개구부는 친잉크성을 가질 필요가 있다.In this method, in order to prevent mixing of the ink between adjacent dots and to uniformly apply the ink in the dot formation, the upper surface of the partition has ink-repellency and the dot formation The opening of the mask needs to have an inkphilic property.

그래서, 상면에 발잉크성을 갖는 격벽을 얻기 위해, 발잉크제를 함유시킨 감광성 수지 조성물을 사용하여, 포토리소그래피법에 의해, 도트의 패턴에 대응하는 격벽을 형성하는 방법이 알려져 있다. 감광성 수지로는, 크게 분류하여, 라디칼 중합형의 감광성 수지와 카티온 중합형의 감광성 수지가 사용되고 있다. 그러나, 라디칼 중합형의 감광성 수지 조성물에 있어서는, 최표면의 경화는, 산소에 의해 저해되는 것이 알려져 있다. 그 때문에, 발잉크제를 함유시킨 감광성 수지 조성물을 사용하여, 최표면에 충분한 발잉크성을 발현시키기 위해서는, 노광량이 넉넉하게 필요하고, 그 결과로서, 감도, 패터닝 형상, 잔사 등에 영향을 미치는 경우가 있었다.In order to obtain barrier ribs having ink repellency on the upper surface, there is known a method of forming barrier ribs corresponding to dot patterns by photolithography using a photosensitive resin composition containing a repellent agent. As the photosensitive resin, radical polymerization type photosensitive resin and cationic polymerization type photosensitive resin are widely used. However, in a radical polymerization type photosensitive resin composition, it is known that curing of the outermost surface is inhibited by oxygen. Therefore, in order to develop sufficient ink repellency on the outermost surface by using a photosensitive resin composition containing a repellent agent, a sufficient amount of exposure is required, and as a result, when the sensitivity, patterning shape, .

한편, 카티온 중합형의 감광성 수지를 사용한 경우에는, 상기와 같은 표면 경화에 관련된 산소 저해의 영향을 잘 받지 않고, 적은 노광량으로, 표면에 발잉크성을 부여하는 것이 가능하다. 이와 같은 카티온 중합형의 감광성 수지와 발잉크제를 조합한 조성물로서, 특허문헌 1 에는, 탄소 원자수 4 ∼ 6 의 플루오로알킬기를 갖는 불포화 화합물 유래의 구조 단위를 함유하는 부가 중합체로 이루어지는 발액제와, 카티온 중합형의 감광성 수지를 조합한 조성물이 기재되어 있다.On the other hand, when a cationic polymerization type photosensitive resin is used, it is possible to impart the ink repellency to the surface with a small exposure dose without being affected by the oxygen inhibition associated with the above surface hardening. As a composition comprising such a cationic polymerization type photosensitive resin and a repelling ink agent, Patent Document 1 discloses a composition comprising a copolymer comprising a structural unit derived from an unsaturated compound having a fluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms, A composition comprising a liquid agent and a cationic polymerization type photosensitive resin is described.

국제 공개 제2012/057058호International Publication No. 2012/057058

특허문헌 1 에 기재된 발액제는, 격벽의 형성시에, 적은 노광량으로 격벽 표면에 고정되지만, 격벽 형성 후에 도트에 남는 불순물의 제거 등을 목적으로 하여 실시되는, 예를 들어, 알칼리 수용액에 의한 세정 처리, 자외선 세정 처리, 자외선/오존 세정 처리, 엑시머 세정 처리, 코로나 방전 처리, 산소 플라즈마 처리 등의 친잉크화 처리에 대한 내성이 충분하지 않다.The liquid repellent agent described in Patent Document 1 is fixed to the surface of the partition wall with a small exposure dose at the time of forming the partition wall, but the liquid repellent agent is not cleaned by, for example, cleaning with an aqueous alkaline solution Resistance to the ink-affinity treatment such as treatment, ultraviolet cleaning treatment, ultraviolet / ozone cleaning treatment, excimer cleaning treatment, corona discharge treatment and oxygen plasma treatment is not sufficient.

본 발명은 상기 관점에서 이루어진 것으로서, 격벽 상면에 저노광량으로 충분한 발잉크성을 갖는 발잉크층의 형성이 가능하고, 또한 그 발잉크층이 친잉크화 처리를 거쳐도, 우수한 발잉크성을 지속할 수 있는 격벽의 제조에 사용 가능한 네거티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above point, and it is an object of the present invention to provide an ink repellent ink composition which can form a repellent ink layer having sufficient ink repellency at a low exposure dose on the upper surface of a partition wall, Which can be used for the production of barrier ribs that can be used for a negative photosensitive resin composition.

본 발명은, 상면에 충분한 발잉크성을 갖는 발잉크층을 갖고, 미세하고 정밀도가 높은 패턴의 형성이 가능한 격벽이고, 친잉크화 처리를 거쳐도, 우수한 발잉크성을 지속할 수 있는 광학 소자의 격벽을 제공하는 것을 과제로 한다.An object of the present invention is to provide an optical element which has a repellent ink layer having a sufficient ink repellency on the upper surface and which is capable of forming a fine and highly precise pattern, And to provide a barrier rib of the electrode.

또, 본 발명은, 격벽으로 나누어진 개구부에 잉크가 균일하게 도포되어, 양호한 정밀도로 형성된 도트를 갖는 광학 소자, 구체적으로는, 유기 EL 소자, 양자 도트 디스플레이, TFT 어레이 또는 박막 태양 전지의 제공을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide an optical element having dots uniformly coated with openings divided into barrier ribs and formed with good precision, specifically, an organic EL element, a quantum dot display, a TFT array or a thin film solar cell The purpose.

본 발명은 이하의 [1] ∼ [15] 의 구성을 갖는 네거티브형 감광성 수지 조성물, 격벽 및 광학 소자를 제공한다.The present invention provides a negative-working photosensitive resin composition, a partition, and an optical element having the following structures [1] to [15].

[1] 알칼리 가용성 수지 (A) 와, 가교제 (B) 와, 광산 발생제 (C) 와, 플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기와 가수분해성기를 갖는 가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 단량체 및/또는 부분 가수분해 (공)축합물로서 함유하는 발잉크제 (D) 를 함유하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.[1] A method for producing a fluorine-containing polymer, which comprises reacting an alkali-soluble resin (A), a crosslinking agent (B), a photo acid generator (C), a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group and a hydrolyzable silane compound (s1) And / or a partially hydrolyzable (co) condensate. The negative-working photosensitive resin composition according to claim 1,

[2] 상기 발잉크제 (D) 중의 불소 원자의 함유율이 1 ∼ 40 질량% 인 상기 [1] 에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물.[2] The negative-type photosensitive resin composition according to [1], wherein the content of fluorine atoms in the repellent agent (D) is 1 to 40 mass%.

[3] 상기 발잉크제 (D) 는, 규소 원자에 4 개의 가수분해성기가 결합한 가수분해성 실란 화합물 (s2) 를 단량체 및/또는 부분 가수분해 (공)축합물로서 함유하는 상기 [1] 또는 [2] 에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물.[3] The ink-repellent agent (D) as described in [1] or [2], wherein the ink-repellent agent (D) contains a hydrolyzable silane compound (s2) having four hydrolyzable groups bonded to a silicon atom as monomers and / 2]. ≪ / RTI >

[4] 상기 발잉크제 (D) 는, 탄화수소기와 가수분해성기만을 갖는 가수분해성 실란 화합물 (s3) 을 단량체 및/또는 부분 가수분해 (공)축합물로서 함유하는 상기 [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물.[4] The ink-repellent agent (D) as described in any one of [1] to [3] above, wherein the repellent silane compound (s3) having only a hydrocarbon group and a hydrolyzable group as a monomer and / The negative-type photosensitive resin composition described in any one of < 1 >

[5] 상기 발잉크제 (D) 는, 카티온 중합성기와 가수분해성기를 갖고 불소 원자를 함유하지 않는 가수분해성 실란 화합물 (s4) 를 단량체 및/또는 부분 가수분해 (공)축합물로서 함유하는 상기 [1] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물.[5] The ink-repellent agent (D) is a composition comprising a cationically polymerizable group and a hydrolyzable silane compound (s4) having a hydrolyzable group and containing no fluorine atom as a monomer and / or a partially hydrolyzed (co) The negative-working photosensitive resin composition according to any one of [1] to [4] above.

[6] 상기 알칼리 가용성 수지 (A) 의 함유량이, 네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 전체 고형분 중, 10 ∼ 90 질량% 인 상기 [1] ∼ [5] 중 어느 1 항에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물.[6] The positive photosensitive resin composition according to any one of the above items [1] to [5], wherein the content of the alkali-soluble resin (A) is 10 to 90% by mass of the total solid content in the negative- Composition.

[7] 상기 가교제 (B), 및 광산 발생제의 함유량이, 알칼리 가용성 수지 (A) 의 100 질량부에 대하여, 각각 2 ∼ 50 질량부, 및 0.1 ∼ 20 질량부인 상기 [1] ∼ [6] 중 어느 1 항에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물.[7] The photosensitive resin composition according to any one of [1] to [6], wherein the content of the crosslinking agent (B) and the photoacid generator is 2 to 50 parts by mass and 0.1 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the alkali- (2) The negative-type photosensitive resin composition according to any one of (1) to (3) above.

[8] 상기 발잉크제 (D) 의 함유량이, 알칼리 가용성 수지 (A) 의 100 질량부에 대하여 0.01 ∼ 20 질량부인 상기 [1] ∼ [7] 중 어느 1 항에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물.[8] The negative-tone photosensitive resin composition according to any one of [1] to [7], wherein the content of the ink-repellent agent (D) is 0.01 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the alkali- .

[9] 추가로, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 2-프로판올로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 용매 (E) 를 함유하는 상기 [1] ∼ [8] 중 어느 1 항에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물.[9] The ink composition according to any one of [1] to [8], further comprising at least one solvent selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate and 2- ) As described in any one of [1] to [8] above.

[10] 상기 용매 (E) 의 함유량이, 네거티브형 감광성 수지 조성물 전체량에 대하여 50 ∼ 99 질량% 인 상기 [1] ∼ [9] 중 어느 1 항에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물.[10] The negative-working photosensitive resin composition according to any one of the above-mentioned [1] to [9], wherein the content of the solvent (E) is 50 to 99% by mass with respect to the total amount of the negative-working photosensitive resin composition.

[11] 기판 표면을 도트 형성용의 복수의 구획으로 나누는 형태로 형성된 격벽으로서, 상기 [1] ∼ [10] 중 어느 하나에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물의 경화막으로 이루어지는 격벽.[11] A partition made of a cured film of the negative photosensitive resin composition according to any one of [1] to [10], wherein the partition is formed by dividing the substrate surface into a plurality of sections for dot formation.

[12] 폭이 100 ㎛ 이하이고, 격벽간의 거리 (패턴의 폭) 가 300 ㎛ 이하이고, 높이가 0.05 ∼ 50 ㎛ 인 상기 [11] 에 기재된 격벽.[12] A partition according to the above [11], wherein the width is 100 μm or less, the distance between the partition walls (width of the pattern) is 300 μm or less, and the height is 0.05 to 50 μm.

[13] 기판 표면에 복수의 도트와, 인접하는 도트 사이에 위치하는 격벽을 갖는 광학 소자로서, 상기 격벽이 상기 [11] 또는 [12] 에 기재된 격벽으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.[13] An optical element having a plurality of dots on a surface of a substrate and barrier ribs positioned between adjacent dots, wherein the barrier ribs are formed of barrier ribs as described in [11] or [12] above.

[14] 상기 도트가 잉크젯법으로 형성되어 있는 상기 [13] 에 기재된 광학 소자.[14] The optical element according to [13], wherein the dot is formed by an ink-jet method.

[15] 상기 광학 소자가, 유기 EL 소자, 양자 도트 디스플레이, TFT 어레이 또는 박막 태양 전지인 상기 [13] 또는 [14] 에 기재된 광학 소자.[15] The optical element described in [13] or [14], wherein the optical element is an organic EL element, a quantum dot display, a TFT array, or a thin film solar cell.

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물을 사용함으로써, 격벽 상면에 저노광량으로 충분한 발잉크성을 갖는 발잉크층의 형성이 가능하고, 또한 그 발잉크층이 친잉크화 처리를 거쳐도, 우수한 발잉크성을 지속할 수 있는 격벽의 제조가 가능하다.By using the negative-working photosensitive resin composition of the present invention, it is possible to form a repellent ink layer having sufficient ink repellency at a low exposure amount on the upper surface of the partition wall, and even when the repellent ink layer is subjected to the ink- It is possible to manufacture a barrier wall capable of sustaining the characteristics.

또, 본 발명의 격벽은, 상면에 충분한 발잉크성을 갖는 발잉크층을 갖고, 미세하고 정밀도가 높은 패턴의 형성이 가능하고, 당해 격벽으로 나누어진 개구부에 잉크가 균일하게 도포되어, 양호한 정밀도로 형성된 도트를 갖는 광학 소자를 사용하여 이루어지는 유기 EL 소자, 양자 도트 디스플레이, TFT 어레이 또는 박막 태양 전지를 제공할 수 있다.The partition wall of the present invention is a partition wall having an ink repellent layer having sufficient ink repellency on the upper surface and capable of forming a fine and highly precise pattern and uniformly applying ink to the opening divided by the partition wall, An organic EL device, a quantum dot display, a TFT array, or a thin film solar cell using an optical element having dots formed thereon.

도 1A 는, 본 발명의 실시형태의 격벽의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 1B 는, 본 발명의 실시형태의 격벽의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 1C 는, 본 발명의 실시형태의 격벽의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 1D 는, 본 발명의 실시형태의 격벽의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 2A 는, 본 발명의 실시형태의 광학 소자의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 2B 는, 본 발명의 실시형태의 광학 소자의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
1A is a process diagram schematically showing a manufacturing method of a partition wall according to an embodiment of the present invention.
Fig. 1B is a process diagram schematically showing a manufacturing method of a partition wall according to an embodiment of the present invention.
Fig. 1C is a process diagram schematically showing a manufacturing method of a partition wall according to an embodiment of the present invention.
FIG. 1D is a process diagram schematically showing a manufacturing method of a barrier rib in the embodiment of the present invention.
2A is a process diagram schematically showing a manufacturing method of an optical element according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2B is a process diagram schematically showing a manufacturing method of an optical element according to an embodiment of the present invention.

본 명세서에 있어서의 용어의 정의를 이하에 정리하여 설명한다.The definitions of terms in this specification are summarized below.

「(메트)아크릴로일기」 는, 「메타크릴로일기」 와 「아크릴로일기」 의 총칭이다. (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴산, (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴아미드, 및 (메트)아크릴 수지도 이에 준한다.The "(meth) acryloyl group" is a general term for "methacryloyl group" and "acryloyl group". (Meth) acryloyloxy group, (meth) acrylic acid, (meth) acrylate, (meth) acrylamide and (meth) acrylic resins.

식 (x) 로 나타내는 기를 간단히 기 (x) 로 기재하는 경우가 있다.The group represented by the formula (x) may be simply referred to as group (x).

식 (y) 로 나타내는 화합물을 간단히 화합물 (y) 로 기재하는 경우가 있다.The compound represented by the formula (y) may be simply referred to as the compound (y).

여기서, 식 (x) 및 식 (y) 는 임의의 식을 나타내고 있다.Here, the expressions (x) and (y) represent arbitrary expressions.

「측사슬」 이란, 탄소 원자로 이루어지는 반복 단위가 주사슬을 구성하는 중합체에 있어서, 주사슬을 구성하는 탄소 원자에 결합하는 수소 원자 또는 할로겐 원자 이외의 기이다. 불소 원자 함유 단위 등의 「단위」 는, 중합 단위를 나타낸다.The "side chain" is a polymer other than a hydrogen atom or a halogen atom bonded to a carbon atom constituting the main chain in a polymer in which the repeating unit composed of carbon atoms constitutes the main chain. The "unit" of the fluorine atom-containing unit and the like represents a polymerization unit.

「감광성 수지 조성물의 전체 고형분」 이란, 감광성 수지 조성물이 함유하는 성분 중, 후술하는 경화막을 형성하는 성분을 가리키고, 감광성 수지 조성물을 140 ℃ 에서 24 시간 가열하여 용매를 제거한 잔존물로부터 구한다. 또한, 전체 고형분량은 주입량으로부터도 계산할 수 있다.Refers to a component that forms a cured film to be described later among the components contained in the photosensitive resin composition. The photosensitive resin composition is heated at 140 占 폚 for 24 hours to obtain a residue from which the solvent has been removed. In addition, the total solid content can also be calculated from the amount of injection.

수지를 주성분으로 하는 조성물의 경화물로 이루어지는 막을 「수지 경화막」 이라고 한다.The film comprising the cured product of the composition containing the resin as the main component is referred to as " resin cured film ".

감광성 수지 조성물을 도포한 막을 「도막」, 그것을 건조시킨 막을 「건조막」 이라고 한다. 그 「건조막」 을 경화시켜 얻어지는 막은 「수지 경화막」 이다. 또, 「수지 경화막」 을 간단히 「경화막」 이라고 하는 경우도 있다.The film coated with the photosensitive resin composition is referred to as a " coating film ", and the film obtained by drying it is referred to as a " dried film ". The film obtained by curing the "dry film" is a "resin cured film". Also, the " resin cured film " may be simply referred to as a " cured film ".

「격벽」 은, 소정의 영역을 복수의 구획으로 나누는 형태로 형성된 수지 경화막의 일 형태이다. 격벽으로 나누어진 구획, 즉 격벽으로 둘러싸인 개구부에, 예를 들어, 이하의 「잉크」 가 주입되어 「도트」 가 형성된다.The " barrier rib " is a form of a resin cured film formed by dividing a predetermined region into a plurality of sections. For example, the following " ink " is injected into an opening surrounded by the partition, that is, the partition surrounded by the partition, to form a " dot ".

「잉크」 란, 건조, 경화 등을 한 후에, 광학적 및/또는 전기적인 기능을 갖는 액체를 총칭하는 용어이다.The term " ink " is a generic term for a liquid having optical and / or electrical functions after drying, curing and the like.

유기 EL 소자, 액정 소자의 컬러 필터 및 TFT (Thin Film Transistor) 어레이 등의 광학 소자에 있어서는, 각종 구성 요소로서의 도트를, 그 도트 형성용의 잉크를 사용하여 잉크젯 (IJ) 법에 의해 패턴 인쇄하는 경우가 있다. 「잉크」 에는, 이러한 용도에 사용되는 잉크가 포함된다.In an optical element such as an organic EL element, a color filter of a liquid crystal element, and a TFT (Thin Film Transistor) array, a dot as various constituent elements is pattern printed by an inkjet (IJ) method using the ink for forming the dot There is a case. The " ink " includes an ink used for such use.

「발잉크성」 이란, 상기 잉크를 튕기는 성질이고, 발수성과 발유성의 양방을 갖는다. 발잉크성은, 예를 들어, 잉크를 적하했을 때의 접촉각에 의해 평가할 수 있다. 「친잉크성」 은 발잉크성과 상반되는 성질이고, 발잉크성과 동일하게 잉크를 적하했을 때의 접촉각에 의해 평가할 수 있다. 또는, 잉크를 적하했을 때의 잉크의 젖음 확산의 정도 (잉크의 젖음 확산성) 를 소정의 기준으로 평가함으로써 친잉크성을 평가할 수 있다.The term " ink repellency " means a property of repelling the ink, and has both water repellency and oil repellency. The ink repellency can be evaluated, for example, by the contact angle when the ink is dripped. The " inkphilic property " is a property that is inferior to that of the ink on ink, and can be evaluated by the contact angle when the ink is dripped in the same manner as the ink performance. Alternatively, the inkphilicity can be evaluated by evaluating the degree of wetting diffusion of the ink when the ink is dripped (wettability of the ink) on a predetermined basis.

「도트」 란, 광학 소자에 있어서의 광 변조 가능한 최소 영역을 나타낸다. 유기 EL 소자, 액정 소자의 컬러 필터, 및 유기 TFT 어레이의 광학 소자에 있어서는, 흑백 표시의 경우에 1 도트 = 1 화소이고, 컬러 표시의 경우에는, 예를 들어, 3 도트 (R (적색), G (녹색), B (청색) 등) = 1 화소이다.The " dot " refers to the minimum light-modulating area in the optical element. In the case of the organic EL element, the color filter of the liquid crystal element, and the optical element of the organic TFT array, one dot = one pixel in the case of monochrome display and three dots (R (red) G (green), B (blue), etc.) = 1 pixel.

이하, 본 발명의 실시형태를 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 특별히 설명이 없는 경우, % 는 질량% 를 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. In the present specification, unless otherwise specified,% represents mass%.

[네거티브형 감광성 수지 조성물][Negative photosensitive resin composition]

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 알칼리 가용성 수지 (A) 와, 가교제 (B) 와, 광산 발생제 (C) 와, 플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기와 가수분해성기를 갖는 가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 단량체 및/또는 부분 가수분해 (공)축합물로서 함유하는 발잉크제 (D) 를 함유한다.The negative-working photosensitive resin composition of the present invention comprises an alkali-soluble resin (A), a crosslinking agent (B), a photo acid generator (C), a hydrolyzable silane having a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group and a hydrolyzable group (D) containing a compound (s1) as a monomer and / or a partially hydrolyzed (co) condensate.

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 추가로 필요에 따라, 용매 (E), 그 밖의 임의 성분을 함유한다.The negative-working photosensitive resin composition of the present invention further contains, if necessary, a solvent (E) and other optional components.

(알칼리 가용성 수지 (A))(Alkali-soluble resin (A))

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 알칼리 가용성 수지 (A) 로는, 활성 광선의 조사 (노광) 에 의해 광산 발생제 (C) 가 발생하는 산의 작용에 의해, 가교제 (B) 와 결합하여, 가교되어 알칼리 불용이 되는 카티온 중합형의 알칼리 가용성 수지 (A) 이면, 특별히 제한없이 사용 가능하다.As the alkali-soluble resin (A) in the negative-working photosensitive resin composition of the present invention, it is preferable that the alkali-soluble resin (A) is combined with the crosslinking agent (B) by the action of an acid generated by the photoacid generator (C) , And a cationically polymerizable alkali-soluble resin (A) which is cross-linked and becomes alkali-insoluble, can be used without particular limitation.

알칼리 가용성 수지 (A) 로는, 페놀류와 알데히드류, 추가로 필요에 따라, 각종 변성제를 첨가하여 중축합함으로써 제조되는 미변성 또는 변성의 노볼락형 페놀 수지, 비닐페놀 수지 (이하, 「폴리비닐페놀」 이라고도 한다), N-(4-하이드록시페닐)메타크릴아미드의 공중합체, 하이드로퀴논모노메타크릴레이트 공중합체 등을 들 수 있다. 또, 술포닐이미드계 폴리머, 카르복실기 함유 폴리머, 페놀성 수산기를 함유하는 아크릴계 수지, 술폰아미드기를 갖는 아크릴계 수지나, 우레탄계의 수지 등, 여러 가지 알칼리 가용성의 고분자 화합물도 사용할 수 있다.Examples of the alkali-soluble resin (A) include non-modified or modified novolac phenolic resins and vinylphenol resins (hereinafter referred to as " polyvinylphenol resins ") prepared by polycondensation of phenols and aldehydes, ), A copolymer of N- (4-hydroxyphenyl) methacrylamide, a hydroquinone monomethacrylate copolymer, and the like. A variety of alkali-soluble polymer compounds such as a sulfonylimide polymer, a carboxyl group-containing polymer, an acrylic resin containing a phenolic hydroxyl group, an acryl resin having a sulfonamide group, and a urethane resin can also be used.

알칼리 가용성 수지 (A) 로는, 노볼락형 페놀 수지, 또는 비닐페놀 수지가 바람직하다.As the alkali-soluble resin (A), a novolak type phenol resin or a vinylphenol resin is preferable.

노볼락형 페놀 수지를 제조하기 위해서 사용되는 페놀류 및 알데히드류로는, 국제 공개 제2013/133392호의 예를 들어, 단락 [0021], [0022] 에 기재된 것 등을 들 수 있다.Examples of the phenols and aldehydes used for producing the novolak-type phenol resin include those described in paragraphs [0021] and [0022] of International Publication No. 2013/133392.

상기 노볼락형 페놀 수지 중에서도, 입수 용이성, 금속 불순물의 적음 등의 점에서, 페놀류로서 크레졸류, 자일레놀류 등을 사용한 노볼락형 페놀 수지 등이 바람직하고, 크레졸류를 사용한 노볼락형 페놀 수지 (이하, 「크레졸 노볼락 수지」 라고도 한다) 가 특히 바람직하다.Of the novolak type phenolic resins, novolak type phenolic resins using cresols, xylenols, and the like are preferably used as the phenols from the viewpoints of availability and less metal impurities, and novolak type phenol resins (Hereinafter also referred to as " cresol novolak resin ") is particularly preferable.

폴리비닐페놀로는, 비닐페놀의 단독 중합체, 비닐페놀과 이것과 공중합 가능한 단량체의 공중합체 등을 들 수 있다.Examples of the polyvinyl phenol include a homopolymer of vinylphenol, a copolymer of vinylphenol and a monomer copolymerizable therewith, and the like.

폴리비닐페놀은, 4-비닐페놀, 3-비닐페놀, 2-비닐페놀, 2-메틸-4-비닐페놀, 2,6-디메틸-4-비닐페놀 등의 비닐페놀을 단독 또는 2 종 이상 조합하고, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥사이드 등의 중합 개시제를 사용하여, 라디칼 중합시킴으로써 얻을 수 있다.The polyvinyl phenol may be a vinylphenol such as 4-vinylphenol, 3-vinylphenol, 2-vinylphenol, 2-methyl-4-vinylphenol and 2,6-dimethyl- , And radical polymerization using a polymerization initiator such as azobisisobutyronitrile or benzoyl peroxide.

비닐페놀과 공중합 가능한 단량체로는, 예를 들어, 이소프로페닐페놀, 아크릴산, 메타크릴산, 스티렌, 무수 말레산, 말레산이미드, 아세트산비닐 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 비닐페놀의 단독 중합체가 바람직하고, 4-비닐페놀의 단독 중합체가 특히 바람직하다.Examples of the monomer copolymerizable with vinylphenol include isopropenylphenol, acrylic acid, methacrylic acid, styrene, maleic anhydride, maleic acid imide, vinyl acetate, and the like. Among them, a homopolymer of vinylphenol is preferable, and a homopolymer of 4-vinylphenol is particularly preferable.

알칼리 가용성 수지 (A) 의 질량 평균 분자량 (Mw) 은, 500 ∼ 20,000 이 바람직하고, 2,000 ∼ 15,000 이 특히 바람직하다. 알칼리 가용성 수지 (A) 의 질량 평균 분자량 (Mw) 이 지나치게 낮으면, 노광 영역의 가교 반응이 일어나도 분자량이 충분히 증대되지 않기 때문에, 알칼리 현상액에 용해되기 쉬워진다. 알칼리 가용성 수지 (A) 의 질량 평균 분자량 (Mw) 이 지나치게 크면, 노광 영역과 미노광 영역의 알칼리 현상액에 대한 용해도의 차가 작아지기 때문에, 양호한 레지스트 패턴을 얻는 것이 어려워진다.The weight average molecular weight (Mw) of the alkali-soluble resin (A) is preferably 500 to 20,000, particularly preferably 2,000 to 15,000. If the mass average molecular weight (Mw) of the alkali-soluble resin (A) is too low, the molecular weight can not be sufficiently increased even if a crosslinking reaction occurs in the exposed area, so that the resin tends to be dissolved in an alkali developing solution. When the mass average molecular weight (Mw) of the alkali-soluble resin (A) is too large, the difference in solubility between the exposed region and the unexposed region with respect to the alkali developing solution becomes small, so that it becomes difficult to obtain a good resist pattern.

또한, 질량 평균 분자량 (Mw) 이란, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의해, 테트라하이드로푸란을 이동상으로 하여 측정되는, 표준 폴리스티렌을 기준으로 하여 환산한 질량 평균 분자량을 의미한다. 또, 수평균 분자량 (Mn) 이란, 동일한 GPC 로 측정한 수평균 분자량을 의미한다.The mass-average molecular weight (Mw) means a mass-average molecular weight of a polystyrene standard based on standard polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC) using tetrahydrofuran as a mobile phase. The number average molecular weight (Mn) means the number average molecular weight measured by the same GPC.

알칼리 가용성 수지 (A) 로는 시판품을 사용해도 되고, 예를 들어, 크레졸 노볼락 수지의 시판품으로는, EP4020G (Mw : 9,000 ∼ 14,000), EPR5010G (Mw : 7,000 ∼ 12,500) (이상, 상품명, 아사히 유기재 공업사 제조), 폴리비닐페놀의 시판품으로는, 마루카 린카 M (상품명, 마루젠 석유 화학사 제조) 등을 들 수 있다.As the commercially available products of cresol novolak resins, for example, EP4020G (Mw: 9,000 to 14,000) and EPR5010G (Mw: 7,000 to 12,500) (trade names, Ltd.) and commercially available products of polyvinyl phenol include Marukarinka M (trade name, manufactured by Maruzen Petrochemical Co., Ltd.).

알칼리 가용성 수지 (A) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고 2 종 이상을 병용해도 된다.The alkali-soluble resin (A) may be used alone or in combination of two or more.

네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 전체 고형분 중의 알칼리 가용성 수지 (A) 의 함유량은, 10 ∼ 90 질량% 가 바람직하고, 30 ∼ 85 질량% 가 보다 바람직하고, 40 ∼ 80 질량% 가 특히 바람직하다. 함유량이 상기 범위이면, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 현상성이 양호해진다.The content of the alkali-soluble resin (A) in the total solid content in the negative-working photosensitive resin composition is preferably 10 to 90% by mass, more preferably 30 to 85% by mass, and particularly preferably 40 to 80% by mass. When the content is within the above range, the developability of the negative-working photosensitive resin composition is improved.

(가교제 (B))(Crosslinking agent (B))

가교제 (B) 는, 활성 광선의 조사 (노광) 에 의해, 광산 발생제 (C) 가 발생하는 산의 작용에 의해, 상기 알칼리 가용성 수지 (A) 와 결합하여, 알칼리 가용성 수지 (A) 를 가교시킴으로써 알칼리 불용으로 할 수 있는 화합물 (감산 (感酸) 물질) 이다.The crosslinking agent (B) binds to the alkali-soluble resin (A) by the action of an acid generated by the photoacid generator (C) by irradiation of an actinic ray (exposure) A compound capable of becoming insoluble in alkali (a reducing substance).

가교제 (B) 로는, 멜라민계, 벤조구아나민계, 우레아계 및 이소시아네이트계의 화합물, 다관능성 에폭사이드기 함유 화합물, 옥세탄계 화합물 등의 저분자 가교제, 알콕시알킬화멜라민 수지 혹은 알콕시알킬화우레아 수지와 같은 알콕시알킬화아미노 수지 등의 고분자 가교제 등이 바람직하다.Examples of the crosslinking agent (B) include low-molecular crosslinking agents such as melamine-based, benzoguanamine-based, urea-based and isocyanate-based compounds, polyfunctional epoxide group-containing compounds and oxetane-based compounds, alkoxyalkylated melamine resins or alkoxyalkylated urea resins A polymer crosslinking agent such as alkylated amino resin and the like are preferable.

멜라민계 화합물로는, 예를 들어, 멜라민, 메톡시메틸화멜라민, 에톡시메틸화멜라민, 프로폭시메틸화멜라민, 부톡시메틸화멜라민, 헥사메틸올멜라민 등을 들 수 있다.Examples of the melamine compound include melamine, methoxymethylated melamine, ethoxymethylated melamine, propoxymethylated melamine, butoxymethylated melamine, and hexamethylol melamine.

벤조구아나민계 화합물로는, 예를 들어, 벤조구아나민, 메틸화벤조구아나민 등을 들 수 있다.Examples of the benzoguanamine compound include benzoguanamine, methylated benzoguanamine, and the like.

우레아계 화합물로는, 예를 들어, 우레아, 모노메틸올우레아, 디메틸올우레아, 알콕시메틸렌우레아, N-알콕시메틸렌우레아, 에틸렌우레아, 에틸렌우레아카르복실산, 테트라키스(메톡시메틸)글리콜우릴 등을 들 수 있다. 이소시아네이트계 화합물로는, 예를 들어, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,4-시클로헥실디이소시아네이트, 톨루엔디이소시아네이트, 비스이소시아네이트메틸시클로헥산, 비스이소시아네이트메틸벤젠, 에틸렌디이소시아네이트 등을 들 수 있다.Examples of the urea compound include urea, monomethylol urea, dimethylol urea, alkoxymethylene urea, N-alkoxymethylene urea, ethylene urea, ethylene urea carboxylic acid, tetrakis (methoxymethyl) glycoluril . Examples of the isocyanate compound include hexamethylene diisocyanate, 1,4-cyclohexyldiisocyanate, toluene diisocyanate, bisisocyanate methylcyclohexane, bisisocyanate methylbenzene, and ethylene diisocyanate.

다관능성 에폭사이드기 함유 화합물로는, 1 분자 중에 벤젠 고리 또는 복소 고리를 1 개 이상 함유하고, 또한 에폭시기를 2 개 이상 함유하고 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 비스페놀아세톤디글리시딜에테르, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트, 테트라글리시딜-m-자일렌디아민, 테트라글리시딜-1,3-비스(아미노에틸)시클로헥산, 테트라페닐글리시딜에테르에탄, 트리페닐글리시딜에테르에탄, 비스페놀헥사플루오로아세토디글리시딜에테르, 4,4'-비스(2,3-에폭시프로폭시)-옥타플루오로비페닐, 트리글리시딜-p-아미노페놀, 테트라글리시딜메타자일렌디아민 등을 들 수 있다.The polyfunctional epoxide group-containing compound preferably contains at least one benzene ring or heterocyclic ring in one molecule and further contains two or more epoxy groups. For example, there may be mentioned bisphenol acetone diglycidyl ether, phenol novolak epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, triglycidyl isocyanurate, tetraglycidyl-m-xylenediamine, tetraglycidyl- 3-bis (aminoethyl) cyclohexane, tetraphenyl glycidyl ether ethane, triphenyl glycidyl ether ethane, bisphenol hexafluoroacetated diglycidyl ether, 4,4'-bis Phenoxy) -oxafluorobiphenyl, triglycidyl-p-aminophenol, tetraglycidyl metha xylene diamine, and the like.

옥세탄계 화합물로는, 1 분자 중에 옥세타닐기를 2 개 이상 함유하고 있는 것이 바람직하고, 예를 들어, 자일릴렌비스옥세탄, 3-에틸-3{[3-에틸옥세탄-3-일)메톡시]메틸}옥세탄 등을 들 수 있다.The oxetane-based compound preferably contains two or more oxetanyl groups in one molecule, and examples thereof include xylylene bisoxetane, 3-ethyl-3 {[3-ethyloxetan-3-yl] Methoxy] methyl} oxetane, and the like.

알콕시알킬화멜라민 수지 혹은 알콕시알킬화우레아 수지로는, 메톡시메틸화멜라민 수지, 에톡시메틸화멜라민 수지, 프로폭시메틸화멜라민 수지, 부톡시메틸화멜라민 수지, 메톡시메틸화우레아 수지, 에톡시메틸화우레아 수지, 프로폭시메틸화우레아 수지, 부톡시메틸화우레아 수지 등을 들 수 있다.Examples of the alkoxyalkylated melamine resins or alkoxyalkylated urea resins include methoxymethylated melamine resins, ethoxymethylated melamine resins, propoxymethylated melamine resins, butoxymethylated melamine resins, methoxymethylated urea resins, ethoxymethylated urea resins, Methylated urea resin, and butoxymethylated urea resin.

가교제 (B) 로는, 시판품을 사용해도 되고, 예를 들어, 알콕시메틸화아미노 수지의 시판품으로는, PL-1170, PL-1174, UFR65, CYMEL300, CYMEL303 (이상, 미츠이 사이텍사 제조), BX-4000, 니카락 MW-30, MX290, MW-100LM (이상, 산와 케미컬사 제조) 등을 들 수 있다.PL-1170, PL-1174, UFR65, CYMEL300, CYMEL303 (manufactured by Mitsui Cytec), BX-4000 (trade name) , NIKARAK MW-30, MX290, MW-100LM (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), and the like.

가교제 (B) 는, 단독으로 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 그 배합량은, 알칼리 가용성 수지 (A) 의 100 질량부에 대하여, 2 ∼ 50 질량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 30 질량부이고, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 25 질량부이다. 가교제 (B) 의 사용량이 지나치게 적으면, 가교 반응이 충분히 진행되는 것이 곤란해져, 알칼리 현상액을 사용한 현상 후의 레지스트 패턴의 잔막률이 저하되거나, 레지스트 패턴의 팽윤이나 사행 등의 변형이 발생하기 쉬워진다. 가교제 (B) 의 사용량이 지나치게 많으면, 해상도가 저하될 우려가 있다.The crosslinking agent (B) may be used alone or in combination of two or more. The blending amount thereof is preferably 2 to 50 parts by mass, more preferably 5 to 30 parts by mass, and still more preferably 10 to 25 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (A). When the amount of the cross-linking agent (B) is too small, it is difficult for the cross-linking reaction to proceed sufficiently, and the residual film ratio of the resist pattern after development using an alkali developing solution is lowered and the resist pattern is more likely to be deformed . If the amount of the cross-linking agent (B) used is too large, the resolution may be lowered.

(광산 발생제 (C))(Photoacid generator (C))

광산 발생제 (C) 는, 활성 광선을 조사함으로써, 분해되어 산을 발생하는 화합물이면, 특별히 제한되지 않는다. 카티온 중합형의 알칼리 가용성 수지 (A) 를 사용한 감광성 수지 조성물에 있어서, 일반적으로 광산 발생제로서 사용되는 화합물 중에서, 임의의 화합물을 선택하여 사용할 수 있다.The photoacid generator (C) is not particularly limited as long as it is a compound capable of decomposing to generate an acid upon irradiation with an actinic ray. In the photosensitive resin composition using the cationically polymerizable alkali-soluble resin (A), any of the compounds generally used as the photoacid generator may be selected and used.

또한, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서는, 광산 발생제 (C) 로부터 생성되는 산은, 상기 알칼리 가용성 수지 (A) 와 가교제 (B) 의 결합에 관련됨과 함께, 발잉크제 (D) 가 함유하는 함불소 가수분해성 실란 화합물 (s1) 의 가수분해 반응에 대해 촉매로서 기능한다. 통상적으로 가수분해성 실란 화합물을 함유하는 조성물에는, 아울러 산촉매를 배합한다. 그에 의해, 반응이 서서히 진행되어, 저장 안정성이 문제가 되는 경우가 있지만, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서는, 광산 발생제 (C) 와는 별도로 산을 배합할 필요는 없기 때문에, 저장 안정성은 양호하다.In the negative-working photosensitive resin composition of the present invention, the acid generated from the photoacid generator (C) is related to the bond between the alkali-soluble resin (A) and the crosslinking agent (B) And functions as a catalyst for the hydrolysis reaction of the fluorine-containing hydrolyzable silane compound (s1) contained therein. Usually, an acid catalyst is added to a composition containing a hydrolyzable silane compound. As a result, the reaction progresses slowly and storage stability becomes a problem. However, in the negative photosensitive resin composition of the present invention, since it is not necessary to form an acid separately from the photoacid generator (C), the storage stability Good.

광산 발생제 (C) 는, 활성 광선의 조사에 의해 분해되어 산을 발생한다. 그 활성 광선으로서 구체적으로는, 자외광, X 선, 전자선 등의 고에너지선을 들 수 있다. 네거티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 광학 소자용의 격벽을 제조하는 경우, 노광에는, i 선 (365 ㎚), h 선 (405 ㎚) 및 g 선 (436 ㎚) 이 바람직하게 사용된다. 광산 발생제 (C) 로는, 노광에 사용되는 광선의 파장에 있어서, 흡광도가 큰 광산 발생제를 선택하는 것이 바람직하다.The photoacid generator (C) is decomposed by irradiation with an actinic ray to generate an acid. Specific examples of the active rays include high energy rays such as ultraviolet rays, X rays, and electron rays. When the negative type photosensitive resin composition is used to manufacture barrier ribs for optical elements, i-line (365 nm), h-line (405 nm) and g-line (436 nm) are preferably used for exposure. As the photoacid generator (C), it is preferable to select a photoacid generator having a high absorbance at a wavelength of a light beam used for exposure.

광산 발생제로서 구체적으로는, 오늄염계 광산 발생제나 비이온계 광산 발생제를 들 수 있다. 오늄염계 광산 발생제로는, 예를 들어, 하기 식 (C1) 또는 (C2) 로 나타내는 트리페닐술포늄 골격을 갖는 화합물의 오늄염이나 요오드늄염계 화합물을 들 수 있다. 또한, 화합물 (C1) 및 (C2) 에 있어서, 트리페닐술포늄 골격의 페닐기의 수소 원자가 치환된 화합물도 광산 발생제로서 사용 가능하다.Specific examples of the photoacid generator include onium salt-based photoacid generators and nonionic-based photoacid generators. Examples of the onium salt photoacid generator include an onium salt and an iodonium salt based compound of a compound having a triphenylsulfonium skeleton represented by the following formula (C1) or (C2). In the compounds (C1) and (C2), a compound in which the hydrogen atom of the phenyl group in the triphenylsulfonium skeleton is substituted can also be used as a photoacid generator.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

식 (C1) 및 (C2) 중, Xa- 및 Xb- 는 아니온을 나타낸다. 구체적으로는, 인계의 아니온, 예를 들어, PF6 -, (Rf1)nPF6-n - (Rf1 은 플로로알킬기, n 은 1 ∼ 3) 등을 들 수 있고, 술폰산염계의 아니온, 예를 들어, RaSO3 - (Ra 는 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 18 의 아릴기) 등을 들 수 있다. RaSO3 - 의 Ra 로는, 예를 들어, -CF3, -C4F9, -C8F17 등의 퍼플루오로알킬기, -C6F5 등의 퍼플루오로아릴기, -Ph-CH3 (단, Ph 는 페닐기를 나타낸다) 등의 아릴기 등을 들 수 있다.In the formulas (C1) and (C2), Xa - and Xb - represent an anion. Specifically, the anion of phosphorus, for example, PF 6 - , (R f1 ) n PF 6 -n - (R f1 is a fluoroalkyl group, n is 1 to 3) An anion such as R a SO 3 - (R a is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms which may be partially or wholly substituted with a fluorine atom). Examples of R a in R a SO 3 - include perfluoroalkyl groups such as -CF 3 , -C 4 F 9 and -C 8 F 17 , perfluoroaryl groups such as -C 6 F 5 , Ph-CH 3 (wherein Ph represents a phenyl group), and the like.

또한, 이들 오늄염에 있어서는, 카티온부가 조사된 광을 흡수하고, 아니온부가 산의 발생원이 된다.Further, in these onium salts, the cationic portion absorbs the irradiated light and becomes the source of the anionic addition acid.

화합물 (C1) 및 (C2) 에 있어서, 예를 들어, 노광을 i 선 (365 ㎚) 으로 실시하는 경우에 사용되는 화합물로는, 하기 식 (C1-1) 로 나타내는 트리페닐술포늄·노나플루오로부탄술포네이트, 혹은 하기 식 (C2-1) 및 (C2-2) 로 나타내는 각각 트리아릴술포늄·PF6 염 및 트리아릴술포늄·특수 인계 염이, 파장 365 ㎚ 에 있어서의 흡광도가 큰 점이나, 입수하기 쉬운 점에서 바람직하다.In the compounds (C1) and (C2), for example, the compound used when the exposure is carried out with i-line (365 nm) includes triphenylsulfonium nonafluoro Or a triarylsulfonium · PF 6 salt and a triarylsulfonium · special phosphorus salt represented by the following formulas (C2-1) and (C2-2), respectively, have a large absorbance at a wavelength of 365 nm And is preferable in terms of easiness to obtain.

[화학식 2](2)

Figure pct00002
Figure pct00002

식 (C2-2) 중, Rf1 은 플로로알킬기, n 은 1 ∼ 3 이다.In the formula (C2-2), R f1 is a fluoroalkyl group, and n is 1 to 3.

요오드늄염계 화합물로는, 트리플루오로메탄술폰산디페닐요오드늄, 트리플루오로메탄술폰산(p-tert-부톡시페닐)페닐요오드늄, p-톨루엔술폰산디페닐요오드늄, p-톨루엔술폰산(p-tert-부톡시페닐)페닐요오드늄 등을 들 수 있다.Examples of the iodonium salt compound include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, phenyl iodonium trifluoromethanesulfonate (p-tert-butoxyphenyl), diphenyl iodonium p-toluenesulfonate, p-toluenesulfonic acid (p -tert-butoxyphenyl) phenyliodonium, and the like.

오늄염계 광산 발생제는 시판품을 사용할 수도 있다. 예를 들어, TPSP-PFBS (화합물 (C1-1), 상품명, 토요 합성 공업사 제조), CPI-100P (화합물 (C2-1), 상품명, 산아프로사 제조), CPI-210S (화합물 (C2-2), 상품명, 산아프로사 제조) 를 들 수 있다.Commercially available onium salt photoacid generators may be used. CPI-210S (compound (C2-1), trade name, manufactured by SANA PRO), TPSP-PFBS (compound (C1-1), trade name, manufactured by Toyobo Co., 2), trade name, manufactured by SANA PRO.

비이온계 광산 발생제로는, 예를 들어, 나프탈이미드 골격, 니트로벤젠 골격, 디아조메탄 골격, 페닐아세토페논 골격, 티오키토산 골격, 트리아진 골격을 갖고, 염소 원자, 알칸술폰산, 아릴술폰산 등이 결합한 구조를 갖는 화합물을 들 수 있다.Examples of the nonionic system photoacid generator include a naphthalimide skeleton, a nitrobenzene skeleton, a diazomethane skeleton, a phenylacetophenone skeleton, a thiokitosan skeleton, and a triazine skeleton, and a chlorine atom, an alkanesulfonic acid, an arylsulfonic acid And the like.

이와 같은 화합물로서 구체적으로는, 하기 식 (C3), 하기 식 (C4), 하기 식 (C5), 하기 식 (C6), 및 하기 식 (C7) 로 각각 나타내는 나프탈이미드 골격, 니트로벤젠 골격, 디아조메탄 골격, 페닐아세토페논 골격, 또는 티오키토산 골격을 갖고, 알칸술폰산, 아릴술폰산 등이 결합한 구조를 갖는 화합물을 들 수 있다. 또, 하기 식 (C8) 에 나타내는 트리아진 골격과 염소 원자를 갖는 화합물을 들 수 있다. 또한 하기 식 (C9) 로 나타내는 디알킬글리옥심의 술포닐 화합물, 하기 식 (C10) 으로 나타내는 술포닐옥시이미노아세토니트릴 등을 들 수 있다.Specific examples of such a compound include naphthalimide skeleton represented by the following formula (C3), the following formula (C4), the following formula (C5), the following formula (C6) , A diazomethane skeleton, a phenylacetophenone skeleton, or a thiochitosan skeleton, and having a structure in which alkanesulfonic acid, arylsulfonic acid, etc. are bonded. Further, a compound having a triazine skeleton and a chlorine atom shown by the following formula (C8) can be mentioned. A sulfonyl compound of a dialkylglyoxime represented by the following formula (C9), sulfonyloxyiminoacetonitrile represented by the following formula (C10), and the like.

또한, 화합물 (C3), (C4), (C6), 및 (C7) 에 있어서는, 각 화합물의 골격을 형성하는 벤젠 고리의 수소 원자가 치환된 화합물도 광산 발생제로서의 기능을 갖는다.In the compounds (C3), (C4), (C6), and (C7), the compound in which the hydrogen atom of the benzene ring forming the skeleton of each compound is substituted also has a function as a photoacid generator.

[화학식 3](3)

Figure pct00003
Figure pct00003

식 (C3) ∼ (C7), (C9), 및 (C10) 에 있어서의 Rb1 ∼ Rb5, Rb7 및 Rb9 는, 각각 독립적으로 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 직사슬형, 분기형 또는 고리형 (단, 부분적으로 고리형 구조를 갖는 것도 포함한다) 의 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 18 의 아릴기이다. 구체적으로는, -CF3, -C4F9, -C8F17 등의 퍼플루오로알킬기, -C6F5 등의 퍼플루오로아릴기, -Ph-CH3 등의 아릴기 등을 들 수 있다. 식 (C8), (C9), 및 (C10) 에 있어서의 Rb6, Rb8 및 Rb10 은, 각각 독립적으로 치환기를 가져도 되는 탄소수 1 ∼ 18 의 유기기이다.R b1 to R b5 , R b7 and R b9 in the formulas (C3) to (C7), (C9) and (C10) each independently represents a linear, branched or cyclic alkyl group which may be partially or wholly substituted with a fluorine atom, An alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms in a branched or cyclic form (including partially cyclic structures). Specific examples include perfluoroalkyl groups such as -CF 3 , -C 4 F 9 and -C 8 F 17 , perfluoroaryl groups such as -C 6 F 5, and aryl groups such as -Ph-CH 3 . . R b6 , R b8 and R b10 in formulas (C8), (C9) and (C10) each independently represent an organic group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent.

또한, 이들의 비이온계 광산 발생제에 있어서는, 염소 원자, 알칸술폰산, 아릴술폰산 등이 결합한 부분이 산의 발생원이 된다.In these non-ionic photoacid generators, a portion in which a chlorine atom, an alkane sulfonic acid, an aryl sulfonic acid, or the like is bonded becomes a source of an acid.

비이온계 광산 발생제로는, 예를 들어, 노광을 i 선 (365 ㎚) 으로 실시하는 데에 사용되는 화합물로는, 하기 식 (C3-1) 로 나타내는 N-트리플루오로메탄술폰산-1,8-나프탈이미드, 하기 식 (C6-1) 로 나타내는 2-페닐-2-(p-톨루엔술포닐옥시)아세토페논, 및 하기 식 (C8-1) 로 나타내는 2-(4-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등이 파장 365 ㎚ 에 있어서의 흡광도가 큰 점이나 입수하기 쉬운 점에서 바람직하다.Examples of the nonionic system photoacid generator include N-trifluoromethanesulfonic acid-1 represented by the following formula (C3-1) as a compound used for carrying out exposure with i-line (365 nm) 2-phenyl-2- (p-toluenesulfonyloxy) acetophenone represented by the following formula (C6-1) and 2- (4-methoxy Styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine are preferred because of their high absorbance at a wavelength of 365 nm or because they are easy to obtain.

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

비이온계 광산 발생제는 시판품을 사용할 수도 있다. 예를 들어, NHNI-TF (화합물 (C3-1), 상품명, 토요 합성 공업사 제조) 를 들 수 있다.Commercially available products may be used for the nonionic system photoacid generators. For example, NHNI-TF (compound (C3-1), trade name, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) can be mentioned.

또, 이들의 오늄염계 광산 발생제 및 비이온계 광산 발생제로부터 광의 작용으로 발생하는 산은, 염산, 알칸술폰산, 아릴술폰산, 부분적으로 또는 완전하게 불소화된 아릴술폰산, 알칸술폰산 등이다.Examples of the acid generated by the action of light from the onium salt-based photoacid generator and the nonionic system photoacid generator include hydrochloric acid, alkanesulfonic acid, arylsulfonic acid, partially or fully fluorinated arylsulfonic acid, alkanesulfonic acid, and the like.

광산 발생제 (C) 는, 상기 화합물의 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.As the photoacid generator (C), one of the above compounds may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

광산 발생제 (C) 의 함유량은, 알칼리 가용성 수지 (A) 의 100 질량부에 대하여 0.1 ∼ 20 질량부가 바람직하고, 0.5 ∼ 10 질량부가 보다 바람직하고, 1 ∼ 8 질량부가 특히 바람직하다. 광산 발생제 (C) 의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 상면에 충분한 발잉크성을 갖는 미세하고 정밀도가 높은 패턴의 형성이 가능한 격벽이 얻어진다.The content of the photoacid generator (C) is preferably from 0.1 to 20 parts by mass, more preferably from 0.5 to 10 parts by mass, and particularly preferably from 1 to 8 parts by mass, per 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (A). By setting the content of the photoacid generator (C) within the above range, a partition wall capable of forming a fine and highly precise pattern having sufficient ink repellency on the upper surface can be obtained.

(발잉크제 (D))(The ink-repellent agent (D))

본 발명에 있어서의 발잉크제 (D) 는, 플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기와 가수분해성기를 갖는 가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 함유한다. 발잉크제 (D) 는, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 단독이어도 되고, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 과, 후술하는 임의 성분으로서의 가수분해성 실란 화합물 (s1) 이외의 가수분해성 실란 화합물의 혼합물로 해도 된다. 발잉크제 (D) 는, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 함유하는 가수분해성 실란 화합물만으로 구성되는 것이 바람직하다.The repelling ink (D) in the present invention contains a hydrolyzable silane compound (s1) having a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group and a hydrolyzable group. The repellent silane compound (s1) may be used singly or as a mixture of a hydrolyzable silane compound (s1) and a hydrolyzable silane compound other than the hydrolyzable silane compound (s1) You can. The repellent ink (D) is preferably composed of only the hydrolyzable silane compound containing the hydrolyzable silane compound (s1).

발잉크제 (D) 는, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 단량체 및/또는 부분 가수분해 (공)축합물로서 함유한다. 즉, 발잉크제 (D) 는, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 단량체로서 함유해도 되고, 그 부분 가수분해 축합물로서 함유해도 된다. 또, 발잉크제 (D) 가 가수분해성 실란 화합물 (s1) 이외의 가수분해성 실란 화합물을 함유하는 경우에는, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 과 그 이외의 가수분해성 실란 화합물의 부분 가수분해 (공)축합물로서 함유해도 된다. 또한 가수분해성 실란 화합물 (s1) 은, 단량체, 그 부분 가수분해 축합물, 및 다른 가수분해성 실란 화합물과의 부분 가수분해 (공)축합물에서 선택되는 2 종 이상의 혼합물로서 발잉크제 (D) 에 함유되어도 된다.The repellent ink (D) contains the hydrolyzable silane compound (s1) as a monomer and / or a partially hydrolyzed (co) condensation product. That is, the repellent silane compound (s1) may be contained as a monomer or may be contained as a partial hydrolyzed condensate thereof. When the repellent silane compound (s1) contains a hydrolyzable silane compound other than the hydrolyzable silane compound (s1), partial hydrolysis (co) of the hydrolyzable silane compound (s1) and other hydrolyzable silane compound It may be contained as a condensate. The hydrolyzable silane compound (s1) is a mixture of two or more selected from monomers, partially hydrolyzed condensates thereof, and partially hydrolyzed (co) condensates with other hydrolyzable silane compounds, .

이하에 있어서, 발잉크제 (D) 가 특정한 가수분해성 실란 화합물을 함유하는이란, 그 가수분해성 실란 화합물을 단량체 및/또는 부분 가수분해 (공)축합물로서 함유하는 것을 의미한다. 여기서, 「단량체 및/또는 부분 가수분해 (공)축합물」 은, 상기에 있어서의 정의의 범위와 동일하다.In the following, it is meant that the repellent agent (D) contains a specific hydrolyzable silane compound and contains the hydrolyzable silane compound as a monomer and / or partial hydrolyzed (co) condensate. Here, the " monomer and / or partially hydrolyzed (co) condensation product " is the same as that defined above.

발잉크제 (D) 는, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 이 플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기를 가지므로, 이것을 함유하는 네거티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 경화막을 형성하는 과정에서 상면으로 이행하는 성질 (상면 이행성) 및 발잉크성을 갖는다. 발잉크제 (D) 를 사용함으로써, 얻어지는 격벽의 상면을 포함하는 상층부는, 발잉크제 (D) 가 조밀하게 존재하는 층 (이하, 「발잉크층」 이라고 하는 경우도 있다) 이 되어, 격벽 상면에 발잉크성이 부여된다. 이와 같은 발잉크층은, 주로, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 함유하는 가수분해성 실란 화합물의 경화물로 형성되므로, 자외선/오존 세정 처리 등의 친잉크화 처리를 거쳐도, 우수한 발잉크성을 지속할 수 있는 점에서 유리하다.Since the hydrolyzable silane compound (s1) has a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group, the negative tone photosensitive resin composition containing the hydrolyzable silane compound (s1) (Top surface transition property) and ink repellency. By using the repellent agent (D), the upper layer portion including the upper surface of the resulting partition wall becomes a layer in which the repellent ink (D) is densely present (hereinafter also referred to as a " repellent ink layer " Ink repellency is imparted to the upper surface. Since such a ink layer is mainly formed of a cured product of a hydrolyzable silane compound containing a hydrolyzable silane compound (s1), excellent ink repellency can be obtained even when it is subjected to an inking treatment such as an ultraviolet / ozone cleaning treatment It is advantageous in terms of sustainability.

발잉크제 (D) 중의 불소 원자의 함유율은, 상면 이행성과 발잉크성의 관점에서, 1 ∼ 40 질량% 가 바람직하고, 5 ∼ 35 질량% 가 보다 바람직하고, 10 ∼ 30 질량% 가 특히 바람직하다. 발잉크제 (D) 의 불소 원자의 함유율이 상기 범위의 하한값 이상이면, 경화막 상면에 양호한 발잉크성을 부여할 수 있고, 상한값 이하이면, 네거티브형 감광성 수지 조성물 중의 다른 성분과의 상용성이 양호해진다.The content of fluorine atoms in the repellent agent (D) is preferably from 1 to 40% by mass, more preferably from 5 to 35% by mass, and particularly preferably from 10 to 30% by mass, from the viewpoints of top surface migration and ink repellency . If the content of fluorine atoms in the repellent agent (D) is not less than the lower limit of the above range, good ink repellency can be imparted to the upper surface of the cured film. If the content is less than the upper limit, compatibility with other components in the negative- .

발잉크제 (D) 는, 바람직하게는, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 함유하는 가수분해성 실란 화합물의 실질적으로 단량체로 이루어지는 혼합물 (이하, 「혼합물 (M)」 이라고도 한다), 또는 그 혼합물 (M) 의 부분 가수분해 (공)축합물이다. 그 혼합물 (M) 은, 플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기와 가수분해성기를 갖는 가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 필수 성분으로서 함유하고, 임의로 가수분해성 실란 화합물 (s1) 이외의 가수분해성 실란 화합물을 함유한다.The ink-repellent agent (D) is preferably a mixture (hereinafter sometimes referred to as a "mixture (M)") of a substantially monomer of a hydrolyzable silane compound containing a hydrolyzable silane compound (s1) M). ≪ / RTI > The mixture (M) contains, as an essential component, a hydrolyzable silane compound (s1) having a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group and a hydrolysable group, and optionally a hydrolyzable silane compound (s1) other than the hydrolyzable silane compound Lt; / RTI >

또한, 가수분해성 실란 화합물이 실질적으로 단량체라는 것은, 가수분해성 실란 화합물에 대하여, 전체량이 단량체인 것만을 의미하는 것은 아니며, 2 ∼ 10 량체 정도의 저분자량의 부분 가수분해 축합물을 함유하고 있어도 되고, 나아가서는, 그 부분 가수분해 축합물만으로 이루어져 있어도 되는 것을 의미한다.The fact that the hydrolyzable silane compound is substantially a monomer does not mean that the total amount of the hydrolyzable silane compound is a monomer but may include a partial hydrolysis and condensation product of a low molecular weight of about 2 to 10 , And further, it may consist of only the partially hydrolyzed condensate.

혼합물 (M) 이 임의로 함유하는 가수분해성 실란 화합물로는, 이하의 가수분해성 실란 화합물 (s2) ∼ (s4) 를 들 수 있다. 또한, 그 밖의 가수분해성 실란 화합물을 함유하고 있어도 된다. 혼합물 (M) 이 임의로 함유하는 가수분해성 실란 화합물로는, 가수분해성 실란 화합물 (s2) 가 특히 바람직하다. 또한, 발잉크제 (D) 가 가수분해성 실란 화합물 (s4) 를 함유하는 경우에는, 발잉크제 (D) 는 혼합물 (M) 으로 이루어지는 것이 바람직하다. 가수분해성 실란 화합물 (s4) 를 함유하지 않는 경우에는, 발잉크제 (D) 는 혼합물 (M) 으로 이루어져도 되고, 그 부분 가수분해 (공)축합물이어도 된다.Examples of the hydrolyzable silane compound optionally contained in the mixture (M) include the following hydrolyzable silane compounds (s2) to (s4). In addition, other hydrolyzable silane compounds may be contained. As the hydrolyzable silane compound optionally contained in the mixture (M), the hydrolyzable silane compound (s2) is particularly preferable. When the repellent silane compound (s4) is contained in the repellent agent (D), the repellent agent (D) is preferably composed of the mixture (M). When the hydrolyzable silane compound (s4) is not contained, the repellent agent (D) may be composed of the mixture (M) or may be a partially hydrolyzed (co) condensation product thereof.

가수분해성 실란 화합물 (s2) ; 규소 원자에 4 개의 가수분해성기가 결합한 가수분해성 실란 화합물.A hydrolyzable silane compound (s2); Hydrolyzable silane compounds having four hydrolyzable groups bonded to silicon atoms.

가수분해성 실란 화합물 (s3) ; 규소 원자에 결합하는 기로서, 탄화수소기와 가수분해성기만을 갖는 가수분해성 실란 화합물.A hydrolyzable silane compound (s3); A hydrolyzable silane compound having only a hydrocarbon group and a hydrolyzable group as a group bonded to a silicon atom.

가수분해성 실란 화합물 (s4) ; 카티온 중합성기와 가수분해성기를 갖고, 불소 원자를 함유하지 않는 가수분해성 실란 화합물.A hydrolyzable silane compound (s4); A hydrolyzable silane compound having a cationically polymerizable group and a hydrolyzable group and containing no fluorine atom.

이하, 가수분해성 실란 화합물 (s1) ∼ (s4), 및 그 밖의 가수분해성 실란 화합물에 대하여 설명한다.Hereinafter, the hydrolyzable silane compounds (s1) to (s4) and other hydrolyzable silane compounds will be described.

<1> 가수분해성 실란 화합물 (s1)&Lt; 1 > The hydrolyzable silane compound (s1)

가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 사용함으로써, 발잉크제 (D) 는 불소 원자를 플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기의 형태로 갖고, 우수한 상면 이행성과 발잉크성을 갖는다. 가수분해성 실란 화합물 (s1) 이 갖는 이들의 성질을 보다 높은 레벨로 하기 위해서는, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 은, 플루오로알킬기, 퍼플루오로알킬렌기 및 퍼플루오로알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 갖는 것이 보다 바람직하고, 퍼플루오로알킬기를 갖는 것이 특히 바람직하다. 또, 에테르성 산소 원자를 함유하는 퍼플루오로알킬기도 바람직하다. 즉, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 로서 가장 바람직한 화합물은, 퍼플루오로알킬기 및/또는 에테르성 산소 원자를 함유하는 퍼플루오로알킬기를 갖는 화합물이다.By using the hydrolyzable silane compound (s1), the repellent agent (D) has a fluorine atom in the form of a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group, and has excellent surface migration and ink repellency. The hydrolyzable silane compound (s1) is preferably at least one selected from the group consisting of a fluoroalkyl group, a perfluoroalkylene group and a perfluoroalkyl group, in order to increase the properties of the hydrolyzable silane compound (s1) And more preferably one having a perfluoroalkyl group. A perfluoroalkyl group containing an etheric oxygen atom is also preferable. That is, the most preferred compound as the hydrolyzable silane compound (s1) is a compound having a perfluoroalkyl group and / or a perfluoroalkyl group containing an etheric oxygen atom.

가수분해성기로는, 알콕시기, 할로겐 원자, 아실기, 이소시아네이트기, 아미노기, 아미노기의 적어도 1 개의 수소가 알킬기로 치환된 기 등을 들 수 있다. 가수분해 반응에 의해 수산기 (실란올기) 가 되고, 또한 분자 사이에서 축합 반응하여, Si-O-Si 결합을 형성하는 반응이 원활하게 진행되기 쉬운 점에서, 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알콕시기 또는 할로겐 원자가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기 또는 염소 원자가 보다 바람직하고, 메톡시기 또는 에톡시기가 특히 바람직하다.Examples of the hydrolyzable group include groups in which at least one hydrogen of an alkoxy group, a halogen atom, an acyl group, an isocyanate group, an amino group or an amino group is substituted with an alkyl group. An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable since it is a hydroxyl group (silanol group) by a hydrolysis reaction, and a reaction for condensation reaction between molecules to form a Si- A halogen atom is preferable, a methoxy group, an ethoxy group or a chlorine atom is more preferable, and a methoxy group or an ethoxy group is particularly preferable.

가수분해성 실란 화합물 (s1) 은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The hydrolyzable silane compound (s1) may be used alone or in combination of two or more.

가수분해성 실란 화합물 (s1) 로는, 하기 식 (dx-1) 로 나타내는 화합물이 바람직하다.As the hydrolyzable silane compound (s1), a compound represented by the following formula (dx-1) is preferable.

(A-RF11)a-Si(RH11)bX11 (4-a-b) … (dx-1)(AR F11 ) a- Si (R H11 ) b X 11 (4-ab) (dx-1)

식 (dx-1) 중, RF11 은, 적어도 1 개의 플루오로알킬렌기를 함유하는, 에테르성 산소 원자를 함유하고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 16 의 2 가의 유기기이다.In formula (dx-1), R F11 is a divalent organic group having 1 to 16 carbon atoms which may contain an etheric oxygen atom and contains at least one fluoroalkylene group.

RH11 은 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기이다.R H11 is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

a 는 1 또는 2, b 는 0 또는 1, a + b 는 1 또는 2 이다.a is 1 or 2, b is 0 or 1, and a + b is 1 or 2.

A 는 불소 원자 또는 하기 식 (Ia) 로 나타내는 기이다.A is a fluorine atom or a group represented by the following formula (Ia).

-Si(RH12)cX12 (3-c) … (Ia)-Si (R H12 ) c X12 (3-c) (Ia)

RH12 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기이다.R H12 is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

c 는 0 또는 1 이다.c is 0 or 1;

X11 및 X12 는 각각 독립적으로 가수분해성기이다.X 11 and X 12 are each independently a hydrolyzable group.

X11 이 복수개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이해도 되고 동일해도 된다.When a plurality of X &lt; 11 &gt; exist, they may be different from each other or may be the same.

X12 가 복수개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이해도 되고 동일해도 된다.When a plurality of X &lt; 12 &gt; exist, they may be different from each other or may be the same.

A-RF11 이 복수개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이해도 되고 동일해도 된다.When a plurality of AR F11 exist, they may be the same or different.

화합물 (dx-1) 은, 2 또는 3 관능성의 가수분해성 실릴기를 1 개 또는 2 개 갖는 함불소 가수분해성 실란 화합물이다.The compound (dx-1) is a fluorinated hydrolyzable silane compound having one or two hydrolyzable silyl groups having two or three functionalities.

RH11 및 RH12 는 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 3 의 탄화수소기가 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.Each of R H11 and R H12 is independently a hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, and a methyl group is particularly preferable.

식 (dx-1) 중, a 가 1 이고, b 가 0 또는 1 인 것이 특히 바람직하다.Of the formula (dx-1), it is particularly preferable that a is 1 and b is 0 or 1.

X11 및 X12 의 구체예 및 바람직한 양태는 상기한 바와 같다.Specific examples and preferred embodiments of X &lt; 11 &gt; and X &lt; 12 &gt; are as described above.

가수분해성 실란 화합물 (s1) 로는, 하기 식 (dx-1a) 로 나타내는 화합물이 특히 바람직하다.As the hydrolyzable silane compound (s1), a compound represented by the following formula (dx-1a) is particularly preferable.

T-RF12-Q11-SiX11 3 … (dx-1a)TR F12 -Q 11 -SiX 11 3 ... (dx-1a)

식 (dx-1a) 중, RF12 는 탄소 원자수 2 ∼ 15 의 에테르성 산소 원자를 함유하고 있어도 되는 퍼플루오로알킬렌기이다.In formula (dx-1a), R F12 is a perfluoroalkylene group which may contain an etheric oxygen atom having 2 to 15 carbon atoms.

T 는 불소 원자 또는 하기 식 (Ib) 로 나타내는 기이다.T is a fluorine atom or a group represented by the following formula (Ib).

-Q12-SiX12 3 … (Ib)-Q 12 -SiX 12 3 ... (Ib)

X11 및 X12 는 각각 독립적으로 가수분해성기이다.X 11 and X 12 are each independently a hydrolyzable group.

3 개의 X11 은 서로 상이해도 되고 동일해도 된다.The three X &lt; 11 &gt; may be the same or different.

3 개의 X12 는 서로 상이해도 되고 동일해도 된다.The three X 12 may be the same or different.

Q11 및 Q12 는 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 불소 원자를 함유하지 않는 2 가의 유기기를 나타낸다.Q 11 and Q 12 each independently represent a divalent organic group containing no fluorine atom having 1 to 10 carbon atoms.

식 (dx-1a) 에 있어서, T 가 불소 원자인 경우, RF12 는, 탄소 원자수 4 ∼ 8 의 퍼플루오로알킬렌기, 또는 탄소 원자수 4 ∼ 10 의 에테르성 산소 원자를 함유하는 퍼플루오로알킬렌기가 바람직하고, 탄소 원자수 4 ∼ 8 의 퍼플루오로알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 6 의 퍼플루오로알킬렌기가 특히 바람직하다.In the formula (dx-1a), when T is a fluorine atom, R F12 is a perfluoroalkylene group having 4 to 8 carbon atoms or a perfluoroalkylene group containing an etheric oxygen atom having 4 to 10 carbon atoms A perfluoroalkylene group having 4 to 8 carbon atoms is more preferable, and a perfluoroalkylene group having 6 carbon atoms is particularly preferable.

또, 식 (dx-1a) 에 있어서, T 가 기 (Ib) 인 경우, RF12 는, 탄소 원자수 3 ∼ 15 의 퍼플루오로알킬렌기, 또는 탄소 원자수 3 ∼ 15 의 에테르성 산소 원자를 함유하는 퍼플루오로알킬렌기가 바람직하고, 탄소 원자수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬렌기가 특히 바람직하다.In the formula (dx-1a), when T is the group (Ib), R F12 represents a perfluoroalkylene group having 3 to 15 carbon atoms or an etheric oxygen atom having 3 to 15 carbon atoms Is preferable, and a perfluoroalkylene group having 4 to 6 carbon atoms is particularly preferable.

RF12 가 상기한 기인 경우, 발잉크제 (D) 가 양호한 발잉크성을 갖고, 또한 화합물 (dx-1a) 는 용매에 대한 용해성이 우수하다.When R F12 is the above group, the repelling agent (D) has good ink repellency and the compound (dx-1a) has excellent solubility in solvents.

RF12 의 구조로는, 직사슬 구조, 분기 구조, 고리 구조, 부분적으로 고리를 갖는 구조 등을 들 수 있고, 직사슬 구조가 바람직하다. Examples of the structure of R F12 include a linear chain structure, a branched chain structure, a cyclic structure, and a structure having a partially cyclic structure, and a linear chain structure is preferable.

RF12 의 구체예로는, 예를 들어, 국제 공개 제2014/046209호의 단락 [0043] 에 기재된 것 등을 들 수 있다.Specific examples of R F12 include, for example, those described in paragraph [0043] of International Publication No. 2014/046209.

Q11 및 Q12 는, 우측의 결합손에 Si 가, 좌측의 결합손에 RF12 가 각각 결합하는 것으로 표시했을 경우, 구체적으로는, -(CH2)i1- (i1 은 1 ∼ 5 의 정수), -CH2O(CH2)i2- (i2 는 1 ∼ 4 의 정수), -SO2NR1-(CH2)i3- (R1 은 수소 원자, 메틸기, 또는 에틸기이고, i3 은 1 ∼ 4 의 정수이고, R1 과 (CH2)i3 의 탄소 원자수의 합계는 4 이하의 정수이다), 또는 -(C=O)-NR1-(CH2)i4- (R1 은 상기와 동일하고, i4 는 1 ∼ 4 의 정수이고, R1 과 (CH2)i4 의 탄소 원자수의 합계는 4 이하의 정수이다) 로 나타내는 기가 바람직하다. Q11 및 Q12 로는, i1 이 2 ∼ 4 의 정수인 -(CH2)i1- 이 보다 바람직하고, -(CH2)2- 가 특히 바람직하다.Q 11 and Q 12 are represented by - (CH 2 ) i 1 - (i 1 is an integer of 1 to 5, when Si is bonded to the right hand and R F12 is bonded to the left hand, ), -CH 2 O (CH 2 ) i2 - (i2 is an integer of 1 ~ 4), -SO 2 NR 1 - (CH 2) i3 - (R 1 is a hydrogen atom, a methyl group, or ethyl group, i3 is 1 is an integer of 1-4, R 1 and (CH 2) i3 sum of the carbon atoms is an integer of less than 4), or - (C = O) -NR 1 - (CH 2) i4 - (R 1 is the identical to, i4 is preferably a group represented by an integer from 1 ~ 4, R 1 and (CH 2) the sum of the number of carbon atoms in the i4 is an integer of less than 4). As Q 11 and Q 12 , - (CH 2 ) i 1 -, in which i 1 is an integer of 2 to 4, is more preferable, and - (CH 2 ) 2 - is particularly preferable.

또한, RF12 가 에테르성 산소 원자를 함유하지 않는 퍼플루오로알킬렌기인 경우, Q11 및 Q12 로는, -(CH2)i1- 로 나타내는 기가 바람직하다. i1 은 2 ∼ 4 의 정수가 보다 바람직하고, 2 가 특히 바람직하다.When R F12 is a perfluoroalkylene group containing no etheric oxygen atom, groups represented by - (CH 2 ) i1 - are preferable as Q 11 and Q 12 . i1 is more preferably an integer of 2 to 4, and particularly preferably 2.

RF12 가 에테르성 산소 원자를 함유하는 퍼플루오로알킬기인 경우, Q11 및 Q12 로는, -(CH2)i1-, -CH2O(CH2)i2-, -SO2NR1-(CH2)i3-, 또는 -(C=O)-NR1-(CH2)i4- 로 나타내는 기가 바람직하다. 이 경우에 있어서도, Q11 및 Q12 로는, -(CH2)i1- 이 보다 바람직하다. i1 은 2 ∼ 4 의 정수가 더욱 바람직하고, i1 은 2 가 특히 바람직하다.When R F12 is a perfluoroalkyl group containing an etheric oxygen atom, roneun Q 11 and Q 12, - (CH 2) i1 -, -CH 2 O (CH 2) i2 -, -SO 2 NR 1 - ( CH 2) i3 -, or - (C = O) -NR 1 - (CH 2) i4 - groups are preferred as shown. In this case also, - (CH 2 ) i 1 - is more preferable as Q 11 and Q 12 . i1 is more preferably an integer of 2 to 4, and i1 is particularly preferably 2.

T 가 불소 원자인 경우, 화합물 (dx-1a) 의 구체예로는, 예를 들어, 국제 공개 제2014/046209호의 단락 [0046] 에 기재된 것 등을 들 수 있다.When T is a fluorine atom, specific examples of the compound (dx-1a) include, for example, those described in paragraph [0046] of International Publication No. 2014/046209.

T 가 기 (Ib) 인 경우, 화합물 (dx-1a) 의 구체예로는, 예를 들어, 국제 공개 제2014/046209호의 단락 [0047] 에 기재된 것 등을 들 수 있다.When T is the group (Ib), specific examples of the compound (dx-1a) include, for example, those described in paragraph [0047] of International Publication No. 2014/046209.

본 발명에 있어서, 화합물 (dx-1a) 로는, 그 중에서도, F(CF2)6CH2CH2Si(OCH3)3 또는 F(CF2)3OCF(CF3)CF2O(CF2)2CH2CH2Si(OCH3)3 이 특히 바람직하다.Roneun In the present invention, the compound (dx-1a), among them, F (CF 2) 6 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3 or F (CF 2) 3 OCF ( CF 3) CF 2 O (CF 2 ) 2 CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3 is particularly preferred.

혼합물 (M) 에 있어서의 가수분해성 실란 화합물 (s1) 의 함유 비율은, 그 혼합물 또는 그 혼합물로부터 얻어지는 부분 가수분해 (공)축합물에 있어서의 불소 원자의 함유율이 1 ∼ 40 질량% 가 되는 비율인 것이 바람직하다. 그 불소 원자의 함유율은, 보다 바람직하게는 5 ∼ 35 질량% 이고, 특히 바람직하게는 10 ∼ 30 질량% 이다. 가수분해성 실란 화합물 (s1) 의 함유 비율이 상기 범위의 하한값 이상이면, 경화막의 상면에 양호한 발잉크성을 부여할 수 있고, 상한값 이하이면, 그 혼합물 중의 다른 가수분해성 실란 화합물이나 네거티브형 감광성 수지 조성물 중의 다른 성분과의 상용성이 양호해진다.The content ratio of the hydrolyzable silane compound (s1) in the mixture (M) is such that the ratio of the fluorine atom content in the partially hydrolyzed (co) condensate obtained from the mixture or the mixture thereof to 1 to 40 mass% . The fluorine atom content is more preferably 5 to 35% by mass, and particularly preferably 10 to 30% by mass. If the content of the hydrolyzable silane compound (s1) is not lower than the lower limit of the above range, good ink repellency can be imparted to the upper surface of the cured film. If the content is lower than the upper limit value, the other hydrolyzable silane compound or the negative photosensitive resin composition The compatibility with other components in the composition is improved.

<2> 가수분해성 실란 화합물 (s2)&Lt; 2 > The hydrolyzable silane compound (s2)

규소 원자에 4 개의 가수분해성기가 결합한 가수분해성 실란 화합물 (s2) 를 혼합물 (M) 에 함유시킴으로써, 발잉크제 (D) 를 함유하는 네거티브형 감광성 수지 조성물을 경화시켜 이루어지는 경화막에 있어서, 발잉크제 (D) 가 상면 이행한 후의 조막성 (造膜性) 을 높일 수 있다. 즉, 가수분해성 실란 화합물 (s2) 중의 가수분해성기의 수가 많으므로, 상면 이행한 후에, 발잉크제 (D) 끼리가 양호하게 축합되어, 상면 전체에 얇은 막을 형성하여 발잉크층이 되는 것으로 생각된다.In a cured film obtained by curing a negative photosensitive resin composition containing a repellent agent (D) by containing a hydrolyzable silane compound (s2) having silicon atoms bonded to four hydrolyzable groups in a mixture (M) It is possible to increase the film-forming property after the upper surface of the layer (D) has shifted. That is, since the number of hydrolyzable groups in the hydrolyzable silane compound (s2) is large, it is thought that the ink D is well condensed after the top surface is transferred, and a thin film is formed on the entire upper surface, do.

또, 혼합물 (M) 에 가수분해성 실란 화합물 (s2) 를 함유시킴으로써, 부분 가수분해 축합물로 한 경우에는, 발잉크제 (D) 는 탄화수소계의 용매에 용해되기 쉬워진다.When the hydrolyzable silane compound (s2) is contained in the mixture (M), when the partially hydrolyzed condensate is used, the ink D is easily dissolved in the hydrocarbon solvent.

가수분해성 실란 화합물 (s2) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The hydrolyzable silane compound (s2) may be used singly or in combination of two or more kinds.

가수분해성기로는, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 의 가수분해성기와 동일한 것을 사용할 수 있다.As the hydrolyzable group, the same hydrolyzable group as the hydrolyzable group of the hydrolyzable silane compound (s1) can be used.

가수분해성 실란 화합물 (s2) 는, 하기 식 (dx-2) 로 나타낼 수 있다.The hydrolyzable silane compound (s2) can be represented by the following formula (dx-2).

SiX2 4 … (dx-2)SiX 2 4 ... (dx-2)

식 (dx-2) 중, X2 는 가수분해성기를 나타내고, 4 개의 X2 는 서로 상이해도 되고 동일해도 된다. X2 로는, 상기 X11 및 X12 와 동일한 기가 사용된다.In the formula (dx-2), X 2 represents a hydrolyzable group, and four X 2 may be the same or different. As X 2 , the same groups as X 11 and X 12 are used.

화합물 (dx-2) 의 구체예로는, 이하의 화합물을 들 수 있다. 또, 화합물 (dx-2) 로는, 필요에 따라, 그 복수개, 예를 들어, 2 ∼ 10 개를 미리 부분 가수분해 축합하여 얻은 부분 가수분해 축합물을 사용해도 된다.Specific examples of the compound (dx-2) include the following compounds. As the compound (dx-2), a partial hydrolysis-condensation product obtained by partially hydrolyzing and condensing a plurality of such compounds, for example, 2 to 10, may be used, if necessary.

Si(OCH3)4, Si(OC2H5)4, Si(OCH3)4 의 부분 가수분해 축합물, 또는 Si(OC2H5)4 의 부분 가수분해 축합물. Si (OCH 3) 4, Si (OC 2 H 5) 4, Si (OCH 3) 4 parts of the product of hydrolysis and condensation, or Si (OC 2 H 5) 4 partially hydrolyzed condensate of.

혼합물 (M) 에 있어서의 가수분해성 실란 화합물 (s2) 의 함유 비율은, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 의 1 몰에 대하여, 1 ∼ 20 몰이 바람직하고, 3 ∼ 18 몰이 특히 바람직하다. 함유 비율이 상기 범위의 하한값 이상이면, 발잉크제 (D) 의 조막성이 양호하고, 상한값 이하이면, 발잉크제 (D) 의 발잉크성이 양호하다.The content of the hydrolyzable silane compound (s2) in the mixture (M) is preferably 1 to 20 moles, more preferably 3 to 18 moles, per 1 mole of the hydrolyzable silane compound (s1). If the content of the ink D is less than the lower limit of the above range, the film forming property of the ink D is good, and if it is not more than the upper limit value, the ink repellency of the ink D is good.

<3> 가수분해성 실란 화합물 (s3)&Lt; 3 > The hydrolyzable silane compound (s3)

상기 혼합물 (M) 에 있어서, 가수분해성 실란 화합물 (s2) 를 사용하는 경우, 예를 들어, 감광성 수지 조성물을 경화시켜 이루어지는 격벽에 있어서, 그 상면의 단부에 융기가 형성되는 경우가 있다. 이 융기는, 주사형 전자 현미경 (SEM) 등에 의해 관찰되는 레벨의 미소한 것이지만, 다른 부분보다 F 및/또는 Si 의 함유량이 많은 것이 확인되었다.In the case of using the hydrolyzable silane compound (s2) in the mixture (M), for example, a bulge may be formed at the end of the upper surface of the partition wall formed by curing the photosensitive resin composition. This ridge was microscopic at a level observed by a scanning electron microscope (SEM) or the like, but it was confirmed that the content of F and / or Si was larger than other portions.

상기 융기는, 격벽 등으로서 특별히 지장을 초래하는 것은 아니지만, 본 발명자는, 가수분해성 실란 화합물 (s2) 의 일부를, 가수분해성기의 수가 적은 가수분해성 실란 화합물 (s3) 으로 치환함으로써, 상기 융기의 발생이 억제되는 것을 알아내었다.However, the present inventors have found that, by replacing a part of the hydrolyzable silane compound (s2) with the hydrolyzable silane compound (s3) having a small number of hydrolyzable groups, The occurrence of which is suppressed.

가수분해성기의 수가 많은 가수분해성 실란 화합물 (s2) 에 의해 생성되는 실란올기끼리의 반응에 의해, 발잉크제 (D) 의 조막성은 증가하지만, 그 높은 반응성 때문에, 상기 융기가 일어나는 것으로 생각된다. 그래서, 가수분해성 실란 화합물 (s2) 의 일부를, 가수분해성기의 수가 적은 가수분해성 실란 화합물 (s3) 으로 치환함으로써, 실란올기끼리의 반응이 억제되어, 상기 융기의 발생이 억제되는 것으로 생각된다.The film forming property of the ink repellent agent (D) is increased by the reaction between the silanol groups formed by the hydrolyzable silane compound (s2) having a large number of hydrolyzable groups, but the ridges are thought to occur due to the high reactivity thereof. Thus, it is considered that the substitution of a part of the hydrolyzable silane compound (s2) with the hydrolyzable silane compound (s3) having a small number of hydrolyzable groups suppresses the reaction between the silane groups and suppresses the occurrence of the ridges.

가수분해성 실란 화합물 (s3) 은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The hydrolyzable silane compound (s3) may be used alone or in combination of two or more.

가수분해성기로는, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 의 가수분해성기와 동일한 것을 사용할 수 있다.As the hydrolyzable group, the same hydrolyzable group as the hydrolyzable group of the hydrolyzable silane compound (s1) can be used.

가수분해성 실란 화합물 (s3) 으로는, 하기 식 (dx-3) 으로 나타내는 화합물이 바람직하다.As the hydrolyzable silane compound (s3), a compound represented by the following formula (dx-3) is preferable.

(RH5)j-SiX5 (4-j) … (dx-3) (R H5) j -SiX 5 ( 4-j) ... (dx-3)

식 (dx-3) 중, RH5 는 탄소 원자수 1 ∼ 20 의 탄화수소기이다.In the formula (dx-3), R H5 is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.

X5 는 가수분해성기이다.X 5 is a hydrolyzable group.

j 는 1 ∼ 3 의 정수이고, 바람직하게는 2 또는 3 이다.j is an integer of 1 to 3, preferably 2 or 3.

RH5 가 복수개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이해도 되고 동일해도 된다.When there are a plurality of R H5 , they may be the same or different.

X5 가 복수개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이해도 되고 동일해도 된다.When a plurality of X &lt; 5 &gt; exist, they may be the same or different.

RH5 로는, j 가 1 인 경우에는, 탄소 원자수 1 ∼ 20 의 지방족 탄화수소기 또는 탄소 원자수 6 ∼ 10 의 방향족 탄화수소기를 들 수 있고, 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 알킬기, 페닐기 등이 바람직하다. j 가 2 또는 3 인 경우에는, RH5 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기가 바람직하고, 탄소 원자수 1 ∼ 3 의 탄화수소기가 보다 바람직하다.As R H5 , when j is 1, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms can be exemplified, and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a phenyl group and the like are preferable . When j is 2 or 3, R H5 is preferably a hydrocarbon group of 1 to 6 carbon atoms, more preferably a hydrocarbon group of 1 to 3 carbon atoms.

X5 로는, 상기 X11 및 X12 와 동일한 기가 사용된다.As X 5 , the same groups as X 11 and X 12 are used.

화합물 (dx-3) 의 구체예로는, 예를 들어, 국제 공개 제2014/046209호의 단락 [0063] 에 기재된 것 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound (dx-3) include, for example, those described in paragraph [0063] of International Publication No. 2014/046209.

혼합물 (M) 에 있어서의 가수분해성 실란 화합물 (s3) 의 함유 비율은, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 의 1 몰에 대하여, 1 ∼ 10 몰이 바람직하고, 3 ∼ 8 몰이 특히 바람직하다. 함유 비율이 상기 범위의 하한값 이상이면, 격벽 상면의 단부의 융기를 억제할 수 있다. 상한값 이하이면, 발잉크제 (D) 의 발잉크성이 양호하다.The content of the hydrolyzable silane compound (s3) in the mixture (M) is preferably 1 to 10 moles, more preferably 3 to 8 moles, per 1 mole of the hydrolyzable silane compound (s1). If the content ratio is not less than the lower limit of the above range, the rise of the end portion of the upper surface of the partition can be suppressed. If it is not more than the upper limit value, the ink repellency of the repellent agent (D) is good.

<4> 가수분해성 실란 화합물 (s4)&Lt; 4 > The hydrolyzable silane compound (s4)

혼합물 (M) 은 임의로 카티온 중합성기와 가수분해성기를 갖고, 불소 원자를 함유하지 않는 가수분해성 실란 화합물 (s4) 를 함유하는 것이 바람직하다. 혼합물 (M) 에 가수분해성 실란 화합물 (s4) 를 함유시킴으로써, 카티온 중합성기를 개재하여, 예를 들어, 감광성 수지 조성물이 함유하는 가교제 (B) 와 반응하여, 발잉크층에 있어서의 발잉크제 (D) 의 정착성을 높이는 효과가 얻어진다.It is preferable that the mixture (M) optionally contains a hydrolyzable silane compound (s4) having a cationically polymerizable group and a hydrolyzable group and not containing a fluorine atom. The hydrolyzable silane compound (s4) is contained in the mixture (M), for example, by reacting with the cross-linking agent (B) contained in the photosensitive resin composition via the cationic polymerizable group, An effect of enhancing the fixability of the toner (D) can be obtained.

가수분해성 실란 화합물 (s4) 로는, 하기 식 (dx-4) 로 나타내는 화합물이 바람직하다.As the hydrolyzable silane compound (s4), a compound represented by the following formula (dx-4) is preferable.

(E-Q6)s-Si(RH6)tX6 (4-s-t) … (dx-4) (EQ 6) s -Si (R H6) t X 6 (4-st) ... (dx-4)

식 (dx-4) 중, E 는 카티온 중합성기, 예를 들어, 옥세타닐기, 에폭시기, 글리시독시기 또는 3,4-에폭시시클로헥실기이다.In the formula (dx-4), E is a cationic polymerizable group, for example, an oxetanyl group, an epoxy group, a glycidoxy group or a 3,4-epoxycyclohexyl group.

Q6 은 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 불소 원자를 함유하지 않는 2 가의 유기기이다.Q 6 is a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms and not containing a fluorine atom.

RH6 은 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기이다.R H6 is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

X6 은 가수분해성기이다.X 6 is a hydrolyzable group.

s 는 1 또는 2, t 는 0 또는 1, s + t 는 1 또는 2 이다.s is 1 or 2, t is 0 or 1, and s + t is 1 or 2.

E-Q6 이 복수개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이해도 되고 동일해도 된다.When a plurality of EQ 6 exist, they may be the same or different.

X6 이 복수개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이해도 되고 동일해도 된다.When a plurality of X &lt; 6 &gt; exist, they may be the same or different.

X6 으로는, 상기 X11 및 X12 와 동일한 기가 사용된다.As X 6 , the same groups as X 11 and X 12 are used.

Q6 으로는, 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1 ∼ 3 의 알킬렌기가 특히 바람직하다.As Q 6 , an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms is particularly preferable.

RH6 으로는, 상기 RH11 및 RH12 와 동일한 기가 사용된다.As R H6 , the same groups as R H11 and R H12 are used.

화합물 (dx-4) 의 구체예로는, E-(CH2)2-Si(OCH3)3, E-(CH2)3-Si(OCH3)3, E-(CH2)3-Si(OCH2CH3)3, E-(CH2)3-Si(CH3)(OCH2CH3)2 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등이 바람직하다.Concrete examples of the compound (dx-4) is, E- (CH 2) 2 -Si (OCH 3) 3, E- (CH 2) 3 -Si (OCH 3) 3, E- (CH 2) 3 - Si (OCH 2 CH 3 ) 3 , E (CH 2 ) 3 -Si (CH 3 ) (OCH 2 CH 3 ) 2 and the like. Among them, preferred are 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyl di Ethoxy silane and the like.

혼합물 (M) 에 있어서의 가수분해성 실란 화합물 (s4) 의 함유량은, 혼합물 (M) 의 전체량에 대하여 0 ∼ 99 몰% 가 바람직하고, 15 ∼ 80 몰% 가 보다 바람직하고, 15 ∼ 50 몰% 가 특히 바람직하다. 가수분해성 실란 화합물 (s4) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The content of the hydrolyzable silane compound (s4) in the mixture (M) is preferably 0 to 99 mol%, more preferably 15 to 80 mol%, and more preferably 15 to 50 mol% based on the total amount of the mixture (M) % Is particularly preferable. The hydrolyzable silane compound (s4) may be used alone or in combination of two or more.

<5> 그 밖의 가수분해성 실란 화합물&Lt; 5 > Another hydrolyzable silane compound

혼합물 (M) 은, 추가로 가수분해성 실란 화합물 (s1) ∼ (s4) 이외의 가수분해성 실란 화합물의 1 종 또는 2 종 이상을, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 함유할 수 있다. 혼합물 (M) 에 있어서의 그 밖의 가수분해성 실란 화합물의 함유량은, 혼합물 (M) 의 전체량에 대하여 합계로 40 몰% 이하가 바람직하고, 10 몰% 이하가 보다 바람직하다.The mixture (M) may further contain one or more kinds of hydrolyzable silane compounds other than the hydrolyzable silane compounds (s1) to (s4) within a range that does not impair the effect of the present invention. The content of other hydrolyzable silane compounds in the mixture (M) is preferably not more than 40 mol%, more preferably not more than 10 mol%, based on the total amount of the mixture (M).

그 밖의 가수분해성 실란 화합물로는, 에틸렌성 이중 결합을 갖는 기와 가수분해성기를 갖고, 불소 원자를 함유하지 않는 가수분해성 실란 화합물, 메르캅토기와 가수분해성기를 갖고, 불소 원자를 함유하지 않는 가수분해성 실란 화합물, 옥시알킬렌기와 가수분해성기를 갖고, 불소 원자를 함유하지 않는 가수분해성 실란 화합물, 아미노기 또는 이소시아네이트기와 가수분해성기를 갖고, 불소 원자를 함유하지 않는 가수분해성 실란 화합물 등을 들 수 있다.Examples of other hydrolyzable silane compounds include a hydrolyzable silane compound having a group having an ethylenic double bond and a hydrolyzable group and containing no fluorine atom, a hydrolyzable silane compound having a mercapto group and a hydrolyzable group, A hydrolyzable silane compound having an oxyalkylene group and a hydrolyzable group and containing no fluorine atom, a hydrolyzable silane compound having an amino group or an isocyanate group and a hydrolyzable group and containing no fluorine atom, and the like.

에틸렌성 이중 결합을 갖는 기와 가수분해성기를 갖고, 불소 원자를 함유하지 않는 가수분해성 실란 화합물의 구체예로는, 예를 들어, 국제 공개 제2014/046209호의 단락 [0057] 에 기재된 것 등을 들 수 있다.Examples of the hydrolyzable silane compound having a group having an ethylenic double bond and a hydrolyzable group and containing no fluorine atom include those described in paragraph [0057] of International Publication No. 2014/046209 have.

메르캅토기와 가수분해성기를 갖고, 불소 원자를 함유하지 않는 가수분해성 실란 화합물의 구체예로는, HS-(CH2)3-Si(OCH3)3, HS-(CH2)3-Si(CH3)(OCH3)2 등을 들 수 있다.Specific examples of the hydrolyzable silane compound having a mercapto group and a hydrolyzable group and containing no fluorine atom include HS- (CH 2 ) 3 -Si (OCH 3 ) 3 , HS- (CH 2 ) 3 -Si CH 3 ) (OCH 3 ) 2 , and the like.

옥시알킬렌기와 가수분해성기를 갖고, 불소 원자를 함유하지 않는 가수분해성 실란 화합물의 구체예로는, CH3O(C2H4O)kSi(OCH3)3 (폴리옥시에틸렌기 함유 트리메톡시실란) (예를 들어, k 는 약 10 이다) 등을 들 수 있다.Specific examples of the hydrolyzable silane compound having an oxyalkylene group and a hydrolyzable group and containing no fluorine atom include CH 3 O (C 2 H 4 O) k Si (OCH 3 ) 3 (polyoxyethylene group-containing trimethylene (For example, k is about 10), and the like.

아미노기와 가수분해성기를 갖고, 불소 원자를 함유하지 않는 가수분해성 실란 화합물로는, 예를 들어, C6H5NH(CH2)3Si(OCH3)3 (페닐아미노프로필트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.Examples of the hydrolyzable silane compound having an amino group and a hydrolyzable group and containing no fluorine atom include C 6 H 5 NH (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 (phenylaminopropyltrimethoxysilane) and the like .

이소시아네이트기와 가수분해성기를 갖고, 불소 원자를 함유하지 않는 가수분해성 실란 화합물로는, 예를 들어, NCO(CH2)3Si(OC2H5)3 (이소시아네이트프로필트리에톡시실란) 등을 들 수 있다.Examples of the hydrolyzable silane compound having an isocyanate group and a hydrolyzable group and containing no fluorine atom include NCO (CH 2 ) 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 (isocyanate propyltriethoxysilane) have.

<6> 발잉크제 (D)&Lt; 6 >

발잉크제 (D) 는, 혼합물 (M) 또는 그 부분 가수분해 (공)축합물이다.The ink-repellent agent (D) is a mixture (M) or a partially hydrolyzed (co) condensation product thereof.

발잉크제 (D) 의 일례로서, 화합물 (dx-1a) 를 필수 성분으로서 함유하고, 화합물 (dx-2) 및 화합물 (dx-4) 를 임의 성분으로서 함유하고, 화합물 (dx-1a) 중의 기 T 가 불소 원자인 혼합물 (M) 을 들 수 있다. 각 화합물의 함유량은 상기한 대로가 바람직하다.As an example of the ink-repellent agent (D), the compound (dx-1a) is contained as an essential component and the compound (dx-2) and the compound (dx- And a mixture (M) in which the group T is a fluorine atom. The content of each compound is preferably as described above.

발잉크제 (D) 를 상기와 같은 혼합물 (M) 의 형태로 네거티브형 감광성 수지 조성물에 함유시키는 경우, 발잉크제 (D) 를 미리 부분 가수분해 축합하는 공정을 생략할 수 있어, 생산성의 점에서 유리하다. 또한, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 저장 안정성의 점에서 바람직하다.In the case where the negative type photosensitive resin composition contains the repellent agent (D) in the form of the mixture (M) as described above, the step of partially hydrolyzing and condensing the repellent agent (D) can be omitted, . In addition, from the viewpoint of storage stability of the negative-working photosensitive resin composition, it is preferable.

발잉크제 (D) 의 다른 일례로서, 화합물 (dx-1a) 를 필수 성분으로서 함유하고, 화합물 (dx-2) 및 화합물 (dx-3) 을 임의 성분으로서 함유하고, 화합물 (dx-1a) 중의 기 T 가 불소 원자인 혼합물 (M) 의 부분 가수분해 축합물인 발잉크제 (D1) 의 평균 조성식을 하기 식 (II) 에 나타낸다. 발잉크제 (D) 로서 부분 가수분해 축합물을 사용하면, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 현상 제거부 (개구부) 에 있어서의 잔사를 저감시킬 수 있는 점에서 유리하다.As another example of the ink-repellent agent (D), the compound (dx-1a) is contained as an essential component, the compound (dx-2) and the compound (dx- (II) shows the average composition formula of the repellent ink (D1) which is a partially hydrolyzed condensation product of the mixture (M) in which the group T is a fluorine atom. Use of a partial hydrolysis-condensation product as the ink-repellent agent (D) is advantageous in that residues in developer rejection (openings) of the negative-type photosensitive resin composition can be reduced.

[T-RF12-Q11-SiO3/2]n1·[SiO2]n2·[(RH5)j-SiO(4-j)/2]n3 … (II) [TR F12 -Q 11 -SiO 3/2] n1 · [SiO 2] n2 · [(R H5) j -SiO (4-j) / 2] n3 ... (II)

식 (II) 중, n1 ∼ n3 은 구성 단위의 합계 몰량에 대한 각 구성 단위의 몰분율을 나타낸다. n1 > 0, n2 ≥ 0, n3 ≥ 0, n1 + n2 + n3 = 1 이다. 그 밖의 각 부호는, 상기 서술한 바와 같다. 단, T 는 불소 원자이다.In the formula (II), n1 to n3 represent the molar fraction of each constituent unit with respect to the total molar amount of the constituent units. n1 > 0, n2 &gt; 0, n3 &gt; 0, n1 + n2 + n3 = The other symbols are as described above. Provided that T is a fluorine atom.

또한, 발잉크제 (D1) 은, 실제는 가수분해성기 또는 실란올기가 잔존한 생성물 (부분 가수분해 축합물) 이므로, 이 생성물을 화학식으로 나타내는 것은 곤란하다.Further, since the repellent agent D1 is actually a product (partially hydrolyzed condensate) in which a hydrolyzable group or silanol group remains, it is difficult to express this product in the formula.

식 (II) 로 나타내는 평균 조성식은, 발잉크제 (D1) 에 있어서, 가수분해성기 또는 실란올기 모두가 실록산 결합이 되었다고 가정했을 경우의 화학식이다.The average composition formula represented by the formula (II) is a formula when it is assumed that both the hydrolyzable group and the silanol group in the repellent agent (D1) are siloxane bonds.

또, 식 (II) 에 있어서, 화합물 (dx-1a), (dx-2), 및 (dx-3) 에서 각각 유래하는 단위는, 랜덤하게 배열되어 있는 것으로 추측된다.It is presumed that the units derived from the compounds (dx-1a), (dx-2) and (dx-3) in the formula (II) are randomly arranged.

식 (II) 로 나타내는 평균 조성식 중의 n1 : n2 : n3 은, 혼합물 (M) 에 있어서의 화합물 (dx-1a), (dx-2), 및 (dx-3) 의 주입 조성과 일치한다.N1: n2: n3 in the average composition formula represented by the formula (II) corresponds to the injection composition of the compounds (dx-1a), (dx-2) and (dx-3) in the mixture (M).

각 성분의 몰비는, 각 성분의 효과의 밸런스로부터 설계되는 것이 바람직하다.The molar ratio of each component is preferably designed from the balance of effects of each component.

n1 은, 발잉크제 (D1) 에 있어서의 불소 원자의 함유율이, 상기 바람직한 범위가 되는 양에 있어서, 0.02 ∼ 0.4 가 바람직하고, 0.02 ∼ 0.3 이 특히 바람직하다.n1 is preferably from 0.02 to 0.4, more preferably from 0.02 to 0.3, in an amount such that the content of fluorine atoms in the repellent agent (D1) falls within the above preferable range.

n2 는, n3 = 0 인 경우에는 0 ∼ 0.98 이 바람직하고, n3 > 0 인 경우에는 0.05 ∼ 0.6 이 바람직하다.n2 is preferably 0 to 0.98 when n3 = 0, and is preferably 0.05 to 0.6 when n3 > 0.

n3 은, 0 ∼ 0.5 가 바람직하다.n3 is preferably 0 to 0.5.

또한, 상기 각 성분의 바람직한 몰비는, 화합물 (dx-1a) 중의 T 가 기 (Ib) 인 경우도 동일하다.The preferable molar ratio of the respective components is the same when T in the compound (dx-1a) is the group (Ib).

또, 상기 각 성분의 바람직한 몰비는, 혼합물 (M) 이 가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 함유하고, 가수분해성 실란 화합물 (s2), 및 가수분해성 실란 화합물 (s3) 을 임의로 함유하는 경우에 있어서도, 동일하게 적용할 수 있다. 즉, 발잉크제 (D) 를 얻기 위한 혼합물 (M) 에 있어서의 가수분해성 실란 화합물 (s1) ∼ (s3) 의 바람직한 주입량은, 각각 상기 n1 ∼ n3 의 바람직한 범위에 상당한다.The preferable molar ratio of the above components is such that even when the mixture (M) contains the hydrolyzable silane compound (s1), optionally the hydrolyzable silane compound (s2) and the hydrolyzable silane compound (s3) The same can be applied. That is, the preferable amount of the hydrolyzable silane compounds (s1) to (s3) in the mixture (M) for obtaining the ink for ink D repre- sents a preferable range of n1 to n3.

발잉크제 (D) 를 혼합물 (M) 의 부분 가수분해 축합물로 하는 경우의 수평균 분자량 (Mn) 은, 500 이상이 바람직하고, 1,000,000 미만이 바람직하고, 10,000 미만이 특히 바람직하다.The number average molecular weight (Mn) when the repellent agent (D) is a partial hydrolyzed condensate of the mixture (M) is preferably 500 or more, more preferably 1,000,000 or less, and particularly preferably 10,000 or less.

수평균 분자량 (Mn) 이 상기 하한값 이상이면, 감광성 수지 조성물을 사용하여 격벽을 형성할 때, 발잉크제 (D) 가 상면 이행하기 쉽다. 상기 상한값 미만이면, 발잉크제 (D) 의 용매에 대한 용해성이 양호해진다.When the number average molecular weight (Mn) is not lower than the lower limit value, when the partition wall is formed using the photosensitive resin composition, the ink D is liable to migrate to the upper surface. If it is less than the upper limit, the solubility of the solvent of the repellent agent (D) becomes better.

발잉크제 (D) 의 수평균 분자량 (Mn) 은, 제조 조건에 의해 조절할 수 있다.The number average molecular weight (Mn) of the releasing agent (D) can be controlled by the production conditions.

발잉크제 (D) 는, 상기 서술한 혼합물 (M) 을, 공지된 방법에 의해 가수분해 및 축합 반응시킴으로써 제조할 수 있다.The ink-repellent agent (D) can be produced by subjecting the above-mentioned mixture (M) to a hydrolysis and condensation reaction by a known method.

상기 반응에는, 통상적으로 사용되는 염산, 황산, 질산, 인산 등의 무기산, 혹은 아세트산, 옥살산, 말레산 등의 유기산을 촉매로서 사용하는 것이 바람직하다. 또, 필요에 따라, 수산화나트륨, 수산화테트라메틸암모늄 (TMAH) 등의 알칼리 촉매를 사용해도 된다.As the reaction, an inorganic acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid or phosphoric acid, or an organic acid such as acetic acid, oxalic acid or maleic acid is preferably used as a catalyst. If necessary, an alkali catalyst such as sodium hydroxide or tetramethylammonium hydroxide (TMAH) may be used.

상기 반응에는 공지된 용매를 사용할 수 있다.A known solvent may be used for the reaction.

상기 반응으로 얻어지는 발잉크제 (D) 는, 용매와 함께, 용액의 성상으로 감광성 수지 조성물에 배합해도 된다.The repellent agent (D) obtained by the above reaction may be added to the photosensitive resin composition together with the solvent in the form of a solution.

발잉크제 (D) 의 함유량은, 알칼리 가용성 수지 (A) 의 100 질량부에 대하여 0.01 ∼ 20 질량부가 바람직하고, 0.1 ∼ 10 질량부가 보다 바람직하고, 0.2 ∼ 3 질량부가 특히 바람직하다. 발잉크제 (D) 의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 상면에 충분한 발잉크성을 갖는 격벽이 얻어진다.The content of the repellent agent (D) is preferably from 0.01 to 20 parts by mass, more preferably from 0.1 to 10 parts by mass, and particularly preferably from 0.2 to 3 parts by mass, per 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (A). By setting the content of the repelling agent (D) within the above range, a partition wall having sufficient ink repellency on the upper surface is obtained.

(용매 (E))(Solvent (E))

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 용매 (E) 를 함유함으로써 점도가 저감되어, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 기재 표면에 대한 도포를 하기 쉬워진다. 그 결과, 균일한 막두께의 네거티브형 감광성 수지 조성물의 도막을 형성할 수 있다.The negative photosensitive resin composition of the present invention contains the solvent (E), whereby the viscosity is reduced, and the negative type photosensitive resin composition can be easily applied onto the substrate surface. As a result, a coating film of a negative-type photosensitive resin composition having a uniform film thickness can be formed.

용매 (E) 로는 공지된 용매가 사용된다. 용매 (E) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.As the solvent (E), a known solvent is used. As the solvent (E), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

용매 (E) 로는, 알킬렌글리콜알킬에테르류, 알킬렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 알코올류, 솔벤트나프타류 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 알킬렌글리콜알킬에테르류, 알킬렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 및 알코올류로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 용매가 바람직하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 2-프로판올로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 용매가 더욱 바람직하다.Examples of the solvent (E) include alkylene glycol alkyl ethers, alkylene glycol alkyl ether acetates, alcohols and solvent naphtha. Among them, at least one solvent selected from the group consisting of alkylene glycol alkyl ethers, alkylene glycol alkyl ether acetates, and alcohols is preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, di And at least one solvent selected from the group consisting of ethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate and 2-propanol is more preferable.

네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 용매 (E) 의 함유 비율은, 조성물 전체량에 대하여 50 ∼ 99 질량% 가 바람직하고, 60 ∼ 95 질량% 가 보다 바람직하고, 65 ∼ 90 질량% 가 특히 바람직하다.The content of the solvent (E) in the negative-type photosensitive resin composition is preferably 50 to 99% by mass, more preferably 60 to 95% by mass, and particularly preferably 65 to 90% by mass with respect to the total amount of the composition .

(그 밖의 성분)(Other components)

본 발명에 있어서의 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 추가로 필요에 따라, 착색제, 열가교제, 고분자 분산제, 분산 보조제, 실란 커플링제, 미립자, 경화 촉진제, 증점제, 가소제, 소포제, 레벨링제, 크레이터링 방지제 등의 다른 첨가제를 1 종 또는 2 종 이상 함유해도 된다.The negative-working photosensitive resin composition of the present invention may further contain a colorant, a thermal crosslinking agent, a polymer dispersant, a dispersion auxiliary, a silane coupling agent, a fine particle, a hardening accelerator, a thickener, a plasticizer, a defoaming agent, And the like may be contained.

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 상기 각 성분의 소정량을 혼합하여 얻어진다. 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 양호한 저장 안정성을 갖는다.The negative-working photosensitive resin composition of the present invention is obtained by mixing predetermined amounts of the respective components. The negative-working photosensitive resin composition of the present invention has good storage stability.

또, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물을 사용하면, 저노광량으로, 상면에 양호한 발잉크성을 갖는 발잉크층을 갖는 격벽의 제조가 가능하다. 또한 그 발잉크층이, 자외선/오존 세정 처리 등의 친잉크화 처리를 거쳐도, 우수한 발잉크성을 지속할 수 있는 격벽의 제조가 가능하다.In addition, when the negative photosensitive resin composition of the present invention is used, it is possible to manufacture a barrier rib having a ink repellent layer having good ink repellency on the top surface at a low exposure dose. Further, even if the ink layer of the ink is subjected to an ink-lubrication treatment such as an ultraviolet / ozone cleaning treatment, it is possible to manufacture a partition wall capable of sustaining excellent ink-repellency.

본 발명에 의해 제조할 수 있는 격벽은, 상면에 충분한 발잉크성을 갖는 발잉크층을 갖고, 미세하고 정밀도가 높은 패턴의 형성이 가능하다.The partition wall that can be produced by the present invention has a depression ink layer having sufficient ink repellency on the upper surface, and it is possible to form a fine and highly precise pattern.

본 발명에 의하면, 격벽으로 나누어진 개구부에, 잉크가 균일하게 도포되어 양호한 정밀도로 형성된 도트를 갖는 광학 소자, 구체적으로는, 유기 EL 소자, 양자 도트 디스플레이, TFT 어레이, 박막 태양 전지 등을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an optical element having dots uniformly coated with ink and formed with good precision, specifically, an organic EL element, a quantum dot display, a TFT array, a thin film solar cell and the like .

[격벽][septum]

본 발명의 격벽은, 기판 표면을 도트 형성용의 복수의 구획으로 나누는 형태로 형성된 상기의 네거티브형 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어진다. 그 격벽은, 예를 들어, 기판 등의 기재의 표면에, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물을 도포하고, 필요에 따라, 건조시켜 용매 등을 제거한 후, 도트 형성용의 구획이 되는 부분에 마스킹을 실시하고, 노광한 후, 필요에 따라, 가열하여, 현상함으로써 얻어진다.The barrier rib of the present invention comprises a cured product of the negative photosensitive resin composition formed in such a manner that the surface of the substrate is divided into a plurality of sections for dot formation. The barrier rib can be formed by applying the negative photosensitive resin composition of the present invention to the surface of a base material such as a substrate and removing the solvent or the like as necessary after drying to form a masking portion Followed by exposure, if necessary, heating and development.

이하에, 본 발명의 실시형태의 격벽의 제조 방법의 일례를 도 1A ∼ 1D 를 사용하여 설명하지만, 격벽의 제조 방법은 이하에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 제조 방법은, 네거티브형 감광성 수지 조성물이 용매 (E) 를 함유하는 것으로서 설명한다.Hereinafter, an example of a method of manufacturing a barrier rib in the embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1A to 1D, but the method of manufacturing the barrier rib is not limited to the following. In addition, the following production method is explained as the case where the negative photosensitive resin composition contains the solvent (E).

도 1A 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 의 일방의 주면 전체에 네거티브형 감광성 수지 조성물을 도포하여 도막 (21) 을 형성한다. 이 때, 도막 (21) 중에는 발잉크제 (D) 가 전체적으로 용해되어, 균일하게 분산되어 있다. 발잉크제 (D) 는, 가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 함유하는 가수분해성 실란 화합물의 혼합물 (M) 이어도 되고, 이들의 부분 가수분해 (공)축합물이어도 된다. 또한, 도 1A 중, 발잉크제 (D) 는 모식적으로 나타나 있고, 실제로 이와 같은 입자 형상으로 존재하고 있는 것은 아니다.1A, a negative photosensitive resin composition is applied to the entire one main surface of the substrate 1 to form a coating film 21. As shown in Fig. At this time, the ink D is entirely dissolved in the coating film 21 and is uniformly dispersed. The ink-repellent (D) may be a mixture (M) of a hydrolyzable silane compound containing a hydrolyzable silane compound (s1), or may be a partially hydrolyzed (co) condensation product thereof. Note that, in Fig. 1A, the repellent agent (D) is shown schematically and does not actually exist in such a particle shape.

다음으로, 도 1B 에 나타내는 바와 같이, 도막 (21) 을 건조시켜, 건조막 (22) 으로 한다. 건조 방법으로는, 가열 건조, 감압 건조, 감압 가열 건조 등을 들 수 있다. 용매 (E) 의 종류에 따라 다르기도 하지만, 가열 건조의 경우, 가열 온도는 50 ∼ 120 ℃ 가 바람직하고, 90 ∼ 115 ℃ 가 보다 바람직하다.Next, as shown in Fig. 1B, the coating film 21 is dried to form a dried film 22. As shown in Fig. Examples of the drying method include heat drying, vacuum drying, and drying under reduced pressure. Depending on the type of the solvent (E), the heating temperature is preferably 50 to 120 ° C, more preferably 90 to 115 ° C in the case of heat drying.

이 건조 과정에 있어서, 발잉크제 (D) 는 건조막의 상층부로 이행한다. 또한, 네거티브형 감광성 수지 조성물이 용매 (E) 를 함유하지 않는 경우이어도, 도막 내에서 발잉크제 (D) 의 상면 이행은 동일하게 달성된다.In this drying process, the ink D is transferred to the upper layer of the dried film. Also, even when the negative photosensitive resin composition does not contain the solvent (E), the top surface migration of the repelling agent (D) in the coating film is achieved in the same manner.

다음으로, 도 1C 에 나타내는 바와 같이, 격벽으로 둘러싸이는 개구부에 상당하는 형상의 마스킹부 (31) 를 갖는 포토마스크 (30) 를 개재하여, 건조막 (22) 에 대해 활성 광선을 조사하여 노광한다. 건조막 (22) 을 노광한 후의 막을 노광막 (23) 이라고 칭한다. 노광막 (23) 에 있어서, 노광부 (23A) 는 광 경화되어 있고, 비노광부 (23B) 는 건조막 (22) 과 동일한 상태이다. 노광은, 건조막 (22) 이 활성 광선을 흡수하여, 광산 발생제 (C) 가 분해되어 산을 발생함으로써 실시된다. 발생한 산에 의해, 알칼리 가용성 수지 (A) 와 가교제 (B) 가 결합하는 반응이 진행됨과 함께, 발잉크제 (D) 의 가수분해 축합에 의한 경화 반응이 진행된다.Next, as shown in Fig. 1C, the dry film 22 is exposed to an actinic ray through a photomask 30 having a masking portion 31 having a shape corresponding to the opening surrounded by the partition wall . The film after the dry film 22 is exposed is referred to as an exposure film 23. In the exposure film 23, the exposed portion 23A is photo-cured and the unexposed portion 23B is in the same state as the dried film 22. The exposure is carried out by the dry film 22 absorbing the active ray and decomposing the photoacid generator (C) to generate an acid. The reaction between the alkali-soluble resin (A) and the crosslinking agent (B) proceeds by the generated acid, and the curing reaction by the hydrolysis and condensation of the repelling agent (D) proceeds.

조사하는 광으로는, 가시광 ; 자외선 ; 원자외선 ; KrF 엑시머 레이저 광, ArF 엑시머 레이저 광, F2 엑시머 레이저 광, Kr2 엑시머 레이저 광, KrAr 엑시머 레이저 광 및 Ar2 엑시머 레이저 광 등의 엑시머 레이저 광 ; X 선 ; 전자선 등을 들 수 있다.As the light to be irradiated, visible light; UV-rays ; Deep ultraviolet light; Excimer laser lights such as KrF excimer laser light, ArF excimer laser light, F 2 excimer laser light, Kr 2 excimer laser light, KrAr excimer laser light and Ar 2 excimer laser light; X-rays; Electron beam and the like.

조사하는 광으로는, 파장 100 ∼ 600 ㎚ 의 광이 바람직하고, 300 ∼ 500 ㎚ 의 광이 보다 바람직하고, i 선 (365 ㎚), h 선 (405 ㎚) 또는 g 선 (436 ㎚) 을 포함하는 광이 특히 바람직하다. 또, 필요에 따라 330 ㎚ 이하의 광을 커트해도 된다.As the light to be irradiated, light having a wavelength of 100 to 600 nm is preferable, light having a wavelength of 300 to 500 nm is more preferable, and i-line (365 nm), h-line (405 nm) Is particularly preferable. If necessary, light of 330 nm or less may be cut.

노광 방식으로는, 전체면 일괄 노광, 스캔 노광 등을 들 수 있다. 동일 지점에 대해 복수회로 나누어 노광해도 된다. 이 때, 복수회의 노광 조건은 동일해도 되고 동일하지 않아도 상관없다.Examples of the exposure method include whole-surface batch exposure and scan exposure. It may be exposed by dividing a plurality of circuits at the same point. At this time, a plurality of exposure conditions may or may not be the same.

노광량은, 상기 어느 노광 방식에 있어서도, 예를 들어, 5 ∼ 1,000 mJ/㎠ 가 바람직하고, 5 ∼ 500 mJ/㎠ 가 보다 바람직하고, 5 ∼ 300 mJ/㎠ 가 더욱 바람직하고, 5 ∼ 200 mJ/㎠ 가 특히 바람직하고, 5 ∼ 50 mJ/㎠ 가 가장 바람직하다. 또한, 노광량은, 조사하는 광의 파장, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 조성, 도막의 두께 등에 따라 적절히 호적화된다. 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서는, 이와 같은 저노광량에서의 충분한 경화가 가능하다.The exposure dose is preferably 5 to 1,000 mJ / cm 2, more preferably 5 to 500 mJ / cm 2, still more preferably 5 to 300 mJ / cm 2, and more preferably 5 to 200 mJ / / Cm &lt; 2 &gt; is particularly preferable, and 5 to 50 mJ / cm &lt; 2 &gt; The exposure amount is appropriately customized according to the wavelength of the light to be irradiated, the composition of the negative-type photosensitive resin composition, the thickness of the coating film, and the like. In the negative-working photosensitive resin composition of the present invention, sufficient curing at such a low exposure dose is possible.

단위 면적당의 노광 시간은 특별히 제한되지 않고, 사용하는 노광 장치의 노광 파워, 필요한 노광량 등으로부터 설계된다. 또한, 스캔 노광의 경우, 광의 주사 속도로부터 노광 시간이 구해진다.The exposure time per unit area is not particularly limited, and is designed from the exposure power of the exposure apparatus to be used, the necessary exposure amount, and the like. Further, in the case of the scan exposure, the exposure time is obtained from the scanning speed of light.

단위 면적당의 노광 시간은, 통상적으로 1 ∼ 60 초간 정도, 바람직하게는 1 ∼ 30 초이다.The exposure time per unit area is usually about 1 to 60 seconds, preferably 1 to 30 seconds.

노광 후, 광산 발생제 (C) 가 분해되어 발생한 산을, 건조막 (22) 중에 확산시켜, 그 막 내에서 반응을 균일하게 실시할 목적에서 가열을 실시해도 된다. 가열의 조건으로는, 70 ∼ 120 ℃, 바람직하게는 90 ∼ 115 ℃ 이고, 1 ∼ 5 분간 정도, 바람직하게는 1 ∼ 3 분간이다.After the exposure, the acid generated by decomposition of the photoacid generator (C) may be diffused into the dry film 22, and heating may be performed for the purpose of uniformly performing the reaction in the film. The heating is carried out at 70 to 120 ° C, preferably 90 to 115 ° C, for about 1 to 5 minutes, preferably for 1 to 3 minutes.

다음으로, 도 1D 에 나타내는 바와 같이, 알칼리 현상액을 사용한 현상을 실시하여, 노광막 (23) 의 노광부 (23A) 에 대응하는 부위만으로 이루어지는 격벽 (4) 이 형성된다. 격벽 (4) 으로 둘러싸인 개구부 (5) 는, 노광막 (23) 에 있어서 비노광부 (23B) 가 존재하고 있던 부위이다. 도 1D 는, 현상에 의해 비노광부 (23B) 가 제거된 후의 상태를 나타내고 있다. 비노광부 (23B) 는, 상기에서 설명한 바와 같이, 발잉크제 (D) 가 상층부로 이행하고 그것보다 아래의 층에 거의 발잉크제 (D) 가 존재하지 않는 상태에서, 알칼리 현상액에 의해 용해되어 제거되기 때문에, 발잉크제 (D) 는 개구부 (5) 에는 거의 잔존하지 않는다.Next, as shown in Fig. 1D, development using an alkaline developer is performed to form a partition 4 composed of only the portion corresponding to the exposed portion 23A of the exposure film 23. The opening portion 5 surrounded by the partition wall 4 is a portion where the non-visible portion 23B was present in the exposure film 23. FIG. 1D shows a state after the non-visible portion 23B is removed by development. As described above, the unexposed portion 23B is dissolved by the alkali developing solution in a state in which the ink D is transferred to the upper layer and the ink D is substantially absent from the lower layer So that the ink D is hardly left in the opening portion 5.

또한, 도 1D 에 나타내는 격벽 (4) 에 있어서, 그 상면을 포함하는 최상층은 발잉크층 (4A) 이다. 노광시에, 최상층에 고농도로 존재하는 발잉크제 (D) 는, 광산 발생제 (C) 가 발생한 산을 촉매로 하여 경화되어, 발잉크층이 된다. 또, 노광시, 발잉크제 (D) 의 주변에 존재하는 알칼리 가용성 수지 (A) 와 가교제 (B), 및 그 이외의 광 경화 성분도 강고하게 광 경화되어, 발잉크제 (D) 와 함께 발잉크층에 정착된다.In addition, in the partition 4 shown in Fig. 1D, the uppermost layer including the upper surface is the ink repellent layer 4A. At the time of exposure, the repellent ink (D) present in the highest concentration on the uppermost layer is cured with the acid generated by the photoacid generator (C) as a catalyst to form a repellent layer. In addition, at the time of exposure, the alkali-soluble resin (A), the crosslinking agent (B), and other photo-curing components present in the periphery of the ink D are strongly cured by light, And is fixed to the ink layer.

또한 발잉크제 (D) 가 가수분해성 실란 화합물 (s4) 를 함유하는 경우, 발잉크제 (D) 가 서로 결합함과 동시에, 알칼리 가용성 수지 (A) 와 가교제 (B), 및 그 이외의 광 경화 성분과 함께 광 경화되어, 발잉크제 (D) 가 강고하게 결합된 발잉크층 (4A) 을 형성한다.When the repellent silane compound (s4) is contained in the repellent silane compound (s4), the repellent agent (D) binds to each other, and the alkali soluble resin (A) and the crosslinking agent (B) And is photo-cured together with the curing component to form a repellent ink layer 4A in which the repelling ink D is firmly bonded.

상기의 어느 경우도, 발잉크층 (4A) 의 하측에는, 주로 알칼리 가용성 수지 (A) 와 가교제 (B), 및 그 이외의 광 경화 성분이 광 경화되어, 발잉크제 (D) 를 거의 함유하지 않는 층 (4B) 이 형성된다.In any of the cases described above, the alkali-soluble resin (A), the crosslinking agent (B), and other photo-curing components are photo-cured mainly on the lower side of the ink repellent layer (4A) Layer 4B is formed.

이와 같이 하여, 발잉크제 (D) 는, 발잉크층 (4A) 및 하부층 (4B) 을 포함하는 격벽에 충분히 정착되어 있기 때문에, 현상시에 개구부에 마이그레이트하는 일이 거의 없다.In this manner, since the ink D is sufficiently fixed on the partition walls including the ink repellent layer 4A and the lower layer 4B, the repellent ink D is hardly migrated to the openings at the time of development.

현상 후, 격벽 (4) 을 추가로 가열해도 된다. 가열 온도는 130 ∼ 250 ℃ 가 바람직하고, 150 ∼ 230 ℃ 가 더욱 바람직하고, 가열 시간은 20 ∼ 60 분간 정도, 바람직하게는 30 ∼ 60 분간이다.After development, the partition wall 4 may be further heated. The heating temperature is preferably 130 to 250 ° C, more preferably 150 to 230 ° C, and the heating time is about 20 to 60 minutes, preferably 30 to 60 minutes.

가열에 의해, 격벽 (4) 의 경화는 보다 강고한 것이 되어, 발잉크제 (D) 는, 발잉크층 (4A) 내에 보다 강고하게 정착된다.By heating, the hardening of the partition wall 4 becomes stronger, and the ink D is more firmly fixed in the ink repellent layer 4A.

이와 같이 하여 얻어지는 본 발명의 수지 경화막 및 격벽 (4) 은, 노광이 저노광량으로 실시되는 경우이어도, 상면에 양호한 발잉크성을 갖는다. 또, 격벽 (4) 에 있어서는, 현상 후, 개구부 (5) 에 발잉크제 (D) 가 존재하는 일이 거의 없어, 개구부 (5) 에 있어서의 잉크의 균일한 도공성을 충분히 확보할 수 있다.The resin cured film and the partition wall 4 of the present invention thus obtained have good ink repellency on the upper surface even when exposure is performed at a low exposure dose. In the barrier ribs 4, there is almost no presence of the repellent agent D in the openings 5 after development, and the uniformity of the ink in the openings 5 can be sufficiently secured .

또한, 개구부 (5) 의 친잉크성을 보다 확실하게 얻는 것을 목적으로 하여, 가열 후, 개구부 (5) 에 존재할 가능성이 있는 네거티브형 감광성 수지 조성물의 현상 잔사 등을 제거하기 위해서, 격벽 (4) 이 부착된 기판 (1) 에 대해, 자외선/오존 처리를 실시해도 된다. 이 경우, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 얻어지는 격벽 상부의 발잉크층은, 자외선/오존 처리에 대한 충분한 내성을 갖는 것이다.In order to more reliably obtain the ink affinity of the openings 5, the barrier ribs 4 are formed in order to remove development residues and the like of the negative-type photosensitive resin composition that may be present in the openings 5 after heating, Ultraviolet / ozone treatment may be performed on the substrate 1 to which the substrate 1 is attached. In this case, the ink repellent layer on the partition wall obtained by using the negative photosensitive resin composition of the present invention has sufficient resistance to ultraviolet / ozone treatment.

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물로 형성되는 격벽 (이하, 본 발명의 격벽이라고도 한다) 은, 예를 들어, 폭이 100 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 통상적으로 폭은 5 ㎛ 이상이 바람직하다. 또, 인접하는 격벽간의 거리 (패턴의 폭) 는 300 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100 ㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 통상적으로 인접하는 격벽간의 거리 (패턴의 폭) 는 10 ㎛ 이상이 바람직하다.The barrier ribs formed by the negative photosensitive resin composition of the present invention (hereinafter also referred to as barrier ribs of the present invention) are preferably, for example, 100 탆 or less in width and particularly preferably 20 탆 or less. Normally, the width is preferably 5 占 퐉 or more. The distance (width of the pattern) between adjacent barrier ribs is preferably 300 占 퐉 or less, and particularly preferably 100 占 퐉 or less. Normally, the distance between the adjacent barrier ribs (pattern width) is preferably 10 m or more.

격벽의 높이는 0.05 ∼ 50 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.2 ∼ 10 ㎛ 인 것이 특히 바람직하다.The height of the barrier rib is preferably 0.05 to 50 탆, particularly preferably 0.2 to 10 탆.

본 발명의 격벽은, 상기 폭으로 형성되었을 때의 가장자리 부분에 요철이 적어 직선성이 우수하고, 이와 같은 정밀도가 높은 패턴 형성이 가능하므로, 특히, 유기 EL 소자용의 격벽으로서 유용하다.The barrier ribs of the present invention are particularly useful as barrier ribs for organic EL devices because they have small irregularities at the edge portions when formed with the above width and are excellent in linearity and can form patterns with high precision.

본 발명의 격벽은, IJ 법 (잉크젯법) 으로 패턴 인쇄를 실시할 때, 그 개구부를 잉크 주입 영역으로 하는 격벽으로서 이용할 수 있다. IJ 법으로 패턴 인쇄를 실시할 때, 본 발명의 격벽을, 그 개구부가 원하는 잉크 주입 영역과 일치하도록 형성하여 사용하면, 격벽 상면이 양호한 발잉크성을 가지므로, 격벽을 초과하여, 원하지 않는 개구부, 즉 잉크 주입 영역에 잉크가 주입되는 것을 억제할 수 있다. 또, 격벽으로 둘러싸인 개구부는, 잉크의 젖음 확산성이 양호하므로, 잉크를 원하는 영역에 백화 등이 발생하지 않고 균일하게 인쇄하는 것이 가능해진다.The partition wall of the present invention can be used as a partition wall having an opening portion as an ink injection region when pattern printing is performed by the IJ method (inkjet method). When the pattern printing is carried out by the IJ method, when the barrier rib of the present invention is formed so as to coincide with the desired ink injection region, the upper surface of the barrier rib has good ink repellency, That is, the injection of ink into the ink injection region can be suppressed. In addition, since the opening portion surrounded by the barrier ribs has good wetting property of the ink, it is possible to uniformly print the ink in a desired region without whitening or the like.

본 발명의 격벽을 사용하면, 상기한 바와 같이, IJ 법에 의한 패턴 인쇄를 정교하게 실시할 수 있다. 따라서, 본 발명의 격벽은, 도트가 IJ 법으로 형성되는 기판 표면에, 복수의 도트와 인접하는 도트 사이에 위치하는 격벽을 갖는 광학 소자, 특히 유기 EL 소자, 양자 도트 디스플레이, TFT 어레이 등의 격벽으로서 유용하다.By using the barrier rib of the present invention, pattern printing by the IJ method can be finely performed as described above. Accordingly, the barrier ribs of the present invention can be applied to an optical element having a plurality of dots and barrier ribs positioned between adjacent dots on the substrate surface formed by the IJ method, in particular, a barrier rib such as an organic EL element, a quantum dot display, .

[광학 소자][Optical element]

본 발명의 실시형태의 광학 소자로는, 기판 표면에 복수의 도트와 인접하는 도트 사이에 위치하는 본 발명의 격벽을 갖는 유기 EL 소자, 양자 도트 디스플레이, TFT 어레이 또는 박막 태양 전지를 들 수 있다. 상기의 유기 EL 소자, 양자 도트 디스플레이, TFT 어레이, 또는 박막 태양 전지에 있어서, 도트는 IJ 법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.The optical element of the embodiment of the present invention includes an organic EL element, a quantum dot display, a TFT array, or a thin film solar cell having a partition wall of the present invention located between a plurality of dots and adjacent dots on a substrate surface. In the organic EL device, the quantum dot display, the TFT array, or the thin film solar cell, it is preferable that the dots are formed by the IJ method.

유기 EL 소자란, 유기 박막의 발광층을 양극과 음극으로 사이에 끼운 구조이고, 본 발명의 격벽은, 유기 발광층을 가르는 격벽 용도, 유기 TFT 층을 가르는 격벽 용도, 도포형 산화물 반도체를 가르는 격벽 용도 등에 사용할 수 있다.The organic EL element is a structure in which a light emitting layer of an organic thin film is sandwiched between an anode and a cathode. The partition of the present invention can be used for a partition wall separating an organic light emitting layer, a partition wall separating an organic TFT layer, Can be used.

또, 유기 TFT 어레이 소자란, 복수의 도트가 평면에서 보았을 때 매트릭스상으로 배치되고, 각 도트에 화소 전극과 이것을 구동시키기 위한 스위칭 소자로서 TFT 가 형성되고, TFT 의 채널층을 포함하는 반도체층으로서 유기 반도체층이 사용되는 소자이다. 유기 TFT 어레이 소자는, 예를 들어, 유기 EL 소자 혹은 액정 소자 등에, TFT 어레이 기판으로서 구비된다.The organic TFT array element is a semiconductor layer in which a plurality of dots are arranged in a matrix when viewed in a plane and TFTs are formed as pixel elements and switching elements for driving the pixel electrodes in each dot, An organic semiconductor layer is used. The organic TFT array element is provided as, for example, an organic EL element, a liquid crystal element, or the like as a TFT array substrate.

본 발명의 실시형태의 광학 소자인, 예를 들어, 유기 EL 소자에 대해, 상기에서 얻어진 격벽을 사용하여, 개구부에 IJ 법에 의해 도트를 형성하는 예를 이하에 설명한다.An example of forming the dots by the IJ method in the openings using the above-described partition for the organic EL element, which is the optical element of the embodiment of the present invention, will be described below.

또한, 본 발명의 실시형태의 광학 소자인 유기 EL 소자 등에 있어서의 도트의 형성 방법은 이하에 한정되지 않는다.Further, the method of forming dots in an organic EL element or the like which is an optical element of an embodiment of the present invention is not limited to the following.

도 2A 및 도 2B 는, 도 1D 에 나타내는 기판 (1) 상에 형성된 격벽 (4) 을 사용하여 유기 EL 소자를 제조하는 방법을 모식적으로 나타내는 것이다. 여기서, 기판 (1) 상의 격벽 (4) 은, 개구부 (5) 가 제조하고자 하는 유기 EL 소자의 도트의 패턴에 일치하도록 형성된 것이다.Figs. 2A and 2B schematically show a method of manufacturing an organic EL device using a partition wall 4 formed on a substrate 1 shown in Fig. 1D. Here, the barrier ribs 4 on the substrate 1 are formed so that the openings 5 coincide with the dot pattern of the organic EL element to be manufactured.

도 2A 에 나타내는 바와 같이, 격벽 (4) 으로 둘러싸인 개구부 (5) 에, 잉크젯 헤드 (9) 로부터 잉크 (10) 를 적하하여, 개구부 (5) 에 소정량의 잉크 (10) 를 주입한다. 잉크로는, 도트의 기능에 맞춰, 유기 EL 소자용으로서 공지된 잉크가 적절히 선택되어 사용된다.The ink 10 is dropped from the ink jet head 9 into the opening 5 surrounded by the partition wall 4 and a predetermined amount of the ink 10 is injected into the opening 5 as shown in Fig. As the ink, a known ink for the organic EL element is appropriately selected and used in accordance with the function of the dot.

이어서, 사용한 잉크 (10) 의 종류에 따라, 예를 들어, 용매의 제거나 경화를 위해서, 건조 및/또는 가열 등의 처리를 실시하여, 도 2B 에 나타내는 바와 같이, 격벽 (4) 에 인접하는 형태로 원하는 도트 (11) 가 형성된 유기 EL 소자 (12) 를 얻는다.Next, for example, in order to remove or cure the solvent, a drying and / or heating treatment is performed depending on the kind of the ink 10 to be used, and as shown in Fig. 2B, To obtain the organic EL element 12 having the desired dot 11 formed thereon.

본 발명의 실시형태의 광학 소자인, 특히, 유기 EL 소자, 양자 도트 디스플레이, TFT 어레이 또는 박막 태양 전지는, 본 발명의 격벽을 사용함으로써, 제조 과정에 있어서, 격벽으로 나누어진 개구부에 잉크가 고르게 균일하게 젖어 퍼지는 것이 가능하고, 이로써 양호한 정밀도로 형성된 도트를 갖는 것이 가능해진다.In particular, an organic EL device, a quantum dot display, a TFT array, or a thin film solar cell, which is an optical element of the embodiment of the present invention, uses the barrier rib of the present invention, It is possible to uniformly spread and spread, thereby making it possible to have dots formed with good precision.

유기 EL 소자는, 예를 들어, 이하와 같이 제조할 수 있지만 이것에 한정되지 않는다.The organic EL device can be manufactured, for example, as follows but is not limited thereto.

유리 등의 투광성 기판에 주석 도프 산화 인듐 (ITO) 등의 투광성 전극을 스퍼터법 등에 의해 성막한다. 이 투광성 전극은, 필요에 따라 패터닝된다.A light-transmitting electrode such as tin-doped indium oxide (ITO) is formed on a transparent substrate such as glass by a sputtering method or the like. This transparent electrode is patterned as required.

다음으로, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여, 도포, 노광 및 현상을 포함하는 포토리소그래피법에 의해, 각 도트의 윤곽을 따라, 평면에서 보았을 때 격자상으로 격벽을 형성한다.Next, by using the negative-working photosensitive resin composition of the present invention, partition walls are formed in a lattice form in a plan view along the outline of each dot by a photolithography method including coating, exposure and development.

다음으로, 도트 내에, IJ 법에 의해, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 정공 저지층 및 전자 주입층의 재료를, 각각 도포하고, 건조시켜, 이들의 층을 순차 적층한다. 도트 내에 형성되는 유기층의 종류 및 수는 적절히 설계된다.Next, the hole injecting layer, the hole transporting layer, the light emitting layer, the hole blocking layer and the electron injecting layer are applied to the dots by the IJ method, respectively, and dried, and these layers are successively laminated. The type and the number of organic layers formed in the dots are appropriately designed.

마지막으로, 알루미늄 등의 반사 전극을 증착법 등에 의해 형성한다.Finally, reflective electrodes such as aluminum are formed by vapor deposition or the like.

또, 양자 도트 디스플레이는, 예를 들어, 상기 유기 EL 소자의 제조에 있어서, 발광층을 양자 도트층으로 하는 것 이외에는 동일하게 하여 제조할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.The quantum dot display can be produced in the same manner as, for example, in the production of the organic EL device except that the light emitting layer is a quantum dot layer. However, the present invention is not limited to this.

또한 본 발명의 실시형태의 광학 소자는, 예를 들어, 이하와 같이 제조되는 청색광 변환형의 양자 도트 디스플레이에도 응용 가능하다.The optical element of the embodiment of the present invention can also be applied to, for example, a blue light conversion type quantum dot display manufactured as follows.

유리 등의 투광성 기판에, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여, 각 도트의 윤곽을 따라, 평면에서 보았을 때 격자상으로 격벽을 형성한다.A negative photosensitive resin composition of the present invention is used for a light-transmitting substrate such as glass to form a lattice-like partition wall in a plan view along the outline of each dot.

다음으로, 도트 내에, IJ 법에 의해 청색광을 녹색광으로 변환하는 나노 입자 용액, 청색광을 적색광으로 변환하는 나노 입자 용액, 및 필요에 따라 청색의 컬러 잉크를 도포하고, 건조시켜, 모듈을 제조한다. 청색을 발색하는 광원을 백라이트로서 사용하고, 상기 모듈을 컬러 필터 대체로서 사용함으로써, 색 재현성이 우수한 액정 디스플레이가 얻어진다.Next, a nanoparticle solution for converting blue light into green light by a IJ method, a nanoparticle solution for converting blue light into red light, and a blue color ink, if necessary, are applied and dried in the dots to produce a module. By using a light source that emits blue light as a backlight and using the module as a substitute for a color filter, a liquid crystal display excellent in color reproducibility can be obtained.

TFT 어레이는, 예를 들어, 이하와 같이 제조할 수 있지만 이것에 한정되지 않는다.The TFT array can be manufactured, for example, as follows, but is not limited thereto.

유리 등의 투광성 기판에, 알루미늄이나 그 합금 등의 게이트 전극을 스퍼터법 등에 의해 성막한다. 이 게이트 전극은 필요에 따라 패터닝된다.A gate electrode made of aluminum or an alloy thereof is formed on a light-transmitting substrate such as glass by a sputtering method or the like. This gate electrode is patterned as required.

다음으로, 질화규소 등의 게이트 절연막을 플라즈마 CVD 법 등에 의해 형성한다. 게이트 절연막 상에 소스 전극, 및 드레인 전극을 형성해도 된다. 소스 전극 및 드레인 전극은, 예를 들어, 진공 증착이나 스퍼터링으로, 알루미늄, 금, 은, 구리, 그들의 합금 등의 금속 박막을 형성하여 제조할 수 있다. 소스 전극 및 드레인 전극을 패터닝하는 방법으로는, 금속 박막을 형성한 후, 레지스트를 도장하고, 노광 및 현상하여, 전극을 형성시키고자 하는 부분에 레지스트를 남기고, 그 후, 인산이나 왕수 등으로 노출시킨 금속을 제거하고, 마지막으로 레지스트를 제거하는 수법을 들 수 있다. 또, 금 등의 금속 박막을 형성시킨 경우에는, 미리 레지스트를 도장하고, 노광 및 현상하여, 전극을 형성시키고 싶지 않은 부분에 레지스트를 남기고, 그 후, 금속 박막을 형성한 후, 금속 박막과 함께 포토레지스트를 제거하는 수법도 있다. 또, 은, 구리 등의 금속 나노 콜로이드 등을 사용하여, 잉크젯법 등의 수법에 의해, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성해도 된다.Next, a gate insulating film such as silicon nitride is formed by a plasma CVD method or the like. A source electrode and a drain electrode may be formed on the gate insulating film. The source electrode and the drain electrode can be manufactured by forming a thin metal film of aluminum, gold, silver, copper, or an alloy thereof by vacuum deposition or sputtering, for example. As a method of patterning the source electrode and the drain electrode, a resist is coated, a resist is coated, a resist is left on a portion where an electrode is to be formed by exposure and development, and then exposed to phosphoric acid or aqua regia Removing the metal to be removed, and finally removing the resist. When a metal thin film such as gold is formed, a resist is coated in advance, exposed and developed to leave a resist on a portion where the electrode is not to be formed. After that, a metal thin film is formed, There is also a method of removing the photoresist. In addition, a source electrode and a drain electrode may be formed by a method such as ink jet method using metal nano colloid such as silver or copper.

다음으로, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여, 도포, 노광 및 현상을 포함하는 포토리소그래피법에 의해, 각 도트의 윤곽을 따라, 평면에서 보았을 때 격자상으로 격벽을 형성한다.Next, by using the negative-working photosensitive resin composition of the present invention, partition walls are formed in a lattice form in a plan view along the outline of each dot by a photolithography method including coating, exposure and development.

다음으로 도트 내에 반도체 용액을 IJ 법에 의해 도포하고, 용액을 건조시킴으로써 반도체층을 형성한다. 이 반도체 용액으로는, 유기 반도체 용액, 무기의 도포형 산화물 반도체 용액 등도 사용할 수 있다. 소스 전극 및 드레인 전극은, 이 반도체층을 형성한 후에, 잉크젯법 등의 수법을 사용하여 형성되어도 된다.Next, the semiconductor solution is coated in the dot by the IJ method, and the solution is dried to form the semiconductor layer. As this semiconductor solution, an organic semiconductor solution, an inorganic coated oxide semiconductor solution, or the like can be used. The source electrode and the drain electrode may be formed by using an inkjet method or the like after the semiconductor layer is formed.

마지막으로, ITO 등의 투광성 전극을 스퍼터법 등에 의해 성막하고, 질화규소 등의 보호막을 성막함으로써 형성한다.Finally, a transparent electrode such as ITO is formed by a sputtering method or the like, and a protective film such as silicon nitride is formed.

실시예Example

이하에 실시예를 사용하여, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 예 1, 2, 3 이 실시예이고, 예 4 가 비교예이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. Examples 1, 2 and 3 are examples, and Example 4 is a comparative example.

각 측정은 이하의 방법으로 실시하였다.Each measurement was carried out in the following manner.

[수평균 분자량 (Mn)][Number average molecular weight (Mn)]

분자량 측정용의 표준 시료로서 시판되고 있는 중합도가 상이한 여러 종류의 단분산 폴리스티렌 중합체의 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 를, 시판되는 GPC 측정 장치 (토소사 제조, 장치명 : HLC-8320GPC) 를 사용하여 측정하여, 폴리스티렌의 분자량과 유지 시간 (리텐션 타임) 의 관계를 기초로 검량선을 작성하였다.Gel permeation chromatography (GPC) of various types of monodispersed polystyrene polymers having different degrees of polymerization, which are commercially available as standard samples for measuring molecular weights, was carried out using a commercially available GPC measuring apparatus (manufactured by Tosoh Corporation, HLC-8320GPC) And a calibration curve was prepared based on the relationship between the molecular weight of the polystyrene and the retention time (retention time).

시료를 테트라하이드로푸란으로 1.0 질량% 로 희석시키고, 0.5 ㎛ 의 필터에 통과시킨 후, 그 시료에 대한 GPC 를, 상기 GPC 측정 장치를 사용하여 측정하였다.The sample was diluted with tetrahydrofuran to 1.0% by mass and passed through a 0.5 탆 filter, and the GPC of the sample was measured using the above GPC measuring device.

상기 검량선을 사용하여, 시료의 GPC 스펙트럼을 컴퓨터 해석함으로써, 그 시료의 수평균 분자량 (Mn) 을 구하였다.Using the calibration curve, the GPC spectrum of the sample was subjected to computer analysis to determine the number average molecular weight (Mn) of the sample.

[물 접촉각][Water contact angle]

정적법에 의해, JIS R3257 「기판 유리 표면의 젖음성 시험 방법」 에 준거하여, 기재 상의 측정 표면의 3 지점에 물방울을 얹고, 각 물방울에 대해 측정하였다. 액적은 2 ㎕/방울이고, 측정은 20 ℃ 에서 실시하였다. 접촉각은, 3 측정값의 평균값 (n = 3) 으로 나타낸다.According to JIS R3257 &quot; Wettability Test Method of Substrate Glass Surface &quot;, water droplets were placed on three points of the measurement surface on the substrate and measured for each water droplet by the static method. The droplet was 2 占 퐇 / drop, and the measurement was carried out at 20 占 폚. The contact angle is expressed by an average value of three measured values (n = 3).

[PGMEA 접촉각][PGMEA contact angle]

정적법에 의해, JIS R3257 「기판 유리 표면의 젖음성 시험 방법」 에 준거하여, 기재 상의 측정 표면의 3 지점에 PGMEA 방울을 얹고, 각 PGMEA 방울에 대해 측정하였다. 액적은 2 ㎕/방울이고, 측정은 20 ℃ 에서 실시하였다. 접촉각은, 3 측정값의 평균값 (n = 3) 으로 나타낸다.According to JIS R3257 &quot; Wettability Test Method of Substrate Glass Surface &quot;, the PGMEA droplets were placed at three points of the measurement surface on the substrate and measured for each PGMEA droplet by the static method. The droplet was 2 占 퐇 / drop, and the measurement was carried out at 20 占 폚. The contact angle is expressed by an average value of three measured values (n = 3).

합성예 및 실시예에서 사용한 화합물의 약어는 이하와 같다.Abbreviations of the compounds used in Synthesis Examples and Examples are as follows.

(알칼리 가용성 수지 (A))(Alkali-soluble resin (A))

EP4020G (상품명, 아사히 유기재 공업사 제조, 크레졸 노볼락 수지, (질량 평균 분자량 (Mw) : 11,600, 용해 속도 : 164 (옹스트롬/초)).Cresol novolak resin (mass average molecular weight (Mw): 11,600, dissolution rate: 164 (angstrom / sec) manufactured by Asahi Organic Materials Industry Co., Ltd.).

(가교제 (B))(Crosslinking agent (B))

MW-100LM ; 니카락 MW-100LM (상품명, 산와 케미컬사 제조, 헥사메톡시메틸멜라민을 기본 골격으로 하는 메틸화멜라민 수지)MW-100LM; NIKARAK MW-100LM (methylated melamine resin having a basic skeleton of hexamethoxymethyl melamine, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.)

(광산 발생제 (C)(Photoacid generator (C)

CPI-210S ; 상품명, 산아프로사 제조, 상기 식 (C2-2) 로 나타내는 화합물.CPI-210S; Trade name, manufactured by SANA PRO, and represented by the formula (C2-2).

(발잉크제 (D) 의 원료로서의 가수분해성 실란 화합물)(A hydrolyzable silane compound as a raw material of the ink-repellent agent (D)),

가수분해성 실란 화합물 (dx-1a) 에 상당하는 화합물 (d-11) : CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH3)3 (D-11) corresponding to the hydrolyzable silane compound (dx-1a): CF 3 (CF 2 ) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3

가수분해성 실란 화합물 (dx-2) 에 상당하는 화합물 (d-21) : Si(OC2H5)4.(D-21) corresponding to the hydrolyzable silane compound (dx-2): Si (OC 2 H 5 ) 4 .

가수분해성 실란 화합물 (dx-3) 에 상당하는 화합물 (d-31) : CH3Si(OCH3)3.Compound (d-31) corresponding to the hydrolyzable silane compound (dx-3): CH 3 Si (OCH 3) 3.

가수분해성 실란 화합물 (dx-3) 에 상당하는 화합물 (d-32) : C6H5Si(OCH3)3.(D-32) corresponding to the hydrolyzable silane compound (dx-3): C 6 H 5 Si (OCH 3 ) 3 .

(비교예에 사용하는 발잉크제 (Dcf) (탄소 원자수 4 ∼ 6 의 플루오로알킬기를 갖는 불포화 화합물 유래의 구조 단위를 함유하는 부가 중합체) 의 제조에 사용한 화합물)(A compound used in the production of a repelling ink agent (Dcf) (an addition polymer containing a structural unit derived from an unsaturated compound having a fluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms) used in a comparative example)

C6FMA : CH2=C(CH3)COOCH2CH2(CF2)6F C6FMA: CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 CH 2 (CF 2) 6 F

MAA : 메타크릴산MAA: methacrylic acid

GMA : 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

MMA : 메틸메타크릴레이트MMA: methyl methacrylate

MEK : 메틸에틸케톤 (용매)MEK: methyl ethyl ketone (solvent)

V-65 : (상품명, 와코우 화학 공업사 제조 (2,2'-아조비스(2.4디메틸발레로니트릴) (중합 개시제))V-65: (trade name, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. (2,2'-azobis (2.4 dimethylvaleronitrile) (polymerization initiator))

(용매 (E))(Solvent (E))

PGMEA : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트.PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate.

PGME : 프로필렌글리콜모노메틸에테르.PGME: Propylene glycol monomethyl ether.

[합성예 1 : 발잉크제 (D1) 의 합성 및 (D1-1) 액의 조제][Synthesis Example 1: Synthesis of repelling ink (D1) and preparation of (D1-1) solution]

교반기를 구비한 50 ㎤ 의 3 구 플라스크에, 상기 화합물 (d-11) 의 0.38 g, 및 상기 화합물 (d-21) 의 2.35 g 을 넣고, 발잉크제 (D1) 의 원료 혼합물을 얻었다. 이어서, 그 원료 혼합물에 PGME 의 5.56 g 을 넣고, 용액 (원료 용액) 으로 하였다.0.38 g of the compound (d-11) and 2.35 g of the compound (d-21) were added to a 50 cm 3 three-necked flask equipped with a stirrer to obtain a raw material mixture of the repelling agent (D1). Then, 5.56 g of PGME was added to the raw material mixture to obtain a solution (raw material solution).

얻어진 원료 용액에, 실온에서 교반하면서, 1.0 질량% 질산 수용액을 1.71 g 적하하였다. 적하 종료 후, 추가로 5 시간 교반하여, (D1) 을 10 질량% 로 함유하는 PGME 용액인 (D1-1) 액을 얻었다. 얻어진 (D1-1) 액의 용매를 제외한 조성물의 함불소 함유율 (불소 원자의 질량%) 은 20.0 질량% 이다. 또, (D1-1) 액의 용매를 제외한 조성물의 수평균 분자량 (Mn) 은 773 이었다.To the obtained raw material solution, 1.71 g of a 1.0 mass% nitric acid aqueous solution was added dropwise while stirring at room temperature. After completion of the dropwise addition, the solution was further stirred for 5 hours to obtain a solution (D1-1) which was a PGME solution containing (D1) in an amount of 10% by mass. The fluorine content (% by mass of fluorine atoms) of the resulting composition except for the solvent of the liquid (D1-1) was 20.0% by mass. The number average molecular weight (Mn) of the composition excluding the solvent of the liquid (D1-1) was 773.

[합성예 2 : 발잉크제 (D2) 의 합성 및 (D2-1) 액의 조제][Synthesis Example 2: Synthesis of repelling ink (D2) and preparation of (D2-1) solution]

교반기를 구비한 50 ㎤ 의 3 구 플라스크에, 상기 화합물 (d-11) 의 0.38 g, 상기 화합물 (d-21) 의 1.11 g, 및 상기 화합물 (d-31) 의 0.72 g 을 넣고, 발잉크제 (D2) 의 원료 혼합물을 얻었다. 이어서, 그 원료 혼합물에 PGME 의 6.36 g 을 넣고, 용액 (원료 용액) 으로 하였다.0.38 g of the compound (d-11), 1.11 g of the compound (d-21) and 0.72 g of the compound (d-31) were placed in a 50 cm 3 three-necked flask equipped with a stirrer, To obtain a raw material mixture of (D2). Subsequently, 6.36 g of PGME was added to the raw material mixture to obtain a solution (raw material solution).

얻어진 원료 용액에, 실온에서 교반하면서, 1.0 질량% 질산 수용액을 1.43 g 적하하였다. 적하 종료 후, 추가로 5 시간 교반하여, (D2) 를 10 질량% 로 함유하는 PGME 용액인 (D2-1) 액을 얻었다. 얻어진 (D2-1) 액의 용매를 제외한 조성물의 함불소 함유율 (불소 원자의 질량%) 은 20.0 질량% 이다. 또, (D2-1) 액의 용매를 제외한 조성물의 수평균 분자량 (Mn) 은 810 이었다.1.43 g of a 1.0 mass% nitric acid aqueous solution was added dropwise to the obtained raw material solution while stirring at room temperature. After completion of the dropwise addition, the solution was further stirred for 5 hours to obtain a solution (D2-1) which was a PGME solution containing (D2) at 10% by mass. The fluorine content (% by mass of fluorine atoms) of the resulting composition (D2-1) excluding the solvent was 20.0% by mass. The number average molecular weight (Mn) of the composition excluding the solvent of the (D2-1) liquid was 810.

[합성예 3 : 발잉크제 (D3) 의 합성 및 (D3-1) 액의 조제][Synthesis Example 3: Synthesis of repelling ink (D3) and preparation of (D3-1) solution]

교반기를 구비한 50 ㎤ 의 3 구 플라스크에, 상기 화합물 (d-11) 의 0.38 g, 상기 화합물 (d-21) 의 0.74 g, 및 상기 화합물 (d-32) 의 0.71 g 을 넣고, 발잉크제 (D1) 의 원료 혼합물을 얻었다. 이어서, 그 원료 혼합물에 PGME 의 7.18 g 을 넣고, 용액 (원료 용액) 으로 하였다.0.38 g of the compound (d-11), 0.74 g of the compound (d-21) and 0.71 g of the compound (d-32) were placed in a 50 cm 3 three-necked flask equipped with a stirrer, To obtain a raw material mixture of the (D1). Subsequently, 7.18 g of PGME was added to the raw material mixture to obtain a solution (raw material solution).

얻어진 원료 용액에, 실온에서 교반하면서, 1.0 질량% 질산 수용액을 0.99 g 적하하였다. 적하 종료 후, 추가로 5 시간 교반하여, (D3) 을 10 질량% 로 함유하는 PGME 용액인 (D3-1) 액을 얻었다. 얻어진 (D3-1) 액의 용매를 제외한 조성물의 함불소 함유율 (불소 원자의 질량%) 은 20.0 질량% 이다. 또, (D3-1) 액의 용매를 제외한 조성물의 수평균 분자량 (Mn) 은 880 이었다.To the obtained raw material solution, 0.99 g of a 1.0 mass% nitric acid aqueous solution was added dropwise while stirring at room temperature. After completion of the dropwise addition, the solution was further stirred for 5 hours to obtain a solution (D3-1) which was a PGME solution containing 10% by mass of (D3). The fluorine content (% by mass of fluorine atoms) of the obtained composition (D3-1) excluding the solvent was 20.0% by mass. The number average molecular weight (Mn) of the composition excluding the solvent of the (D3-1) solution was 880.

[합성예 4 : 발잉크제 (Dcf) 의 합성 및 (Dcf-1) 액의 조제][Synthesis Example 4: Synthesis of repeller ink (Dcf) and preparation of (Dcf-1) solution]

교반기를 구비한 내용적 1 ℓ 의 오토클레이브에, MEK 의 420.0 g, C6FMA 의 86.4 g, MAA 의 18.0 g, GMA 의 21.6 g, MMA 의 54.0 g 및 V-65 의 0.8 g 을 주입하고, 질소 분위기하에서 교반하면서, 50 ℃ 에서 24 시간 중합시켜, 조 (粗) 공중합체를 합성하였다. 얻어진 조공중합체의 용액에, 헥산을 첨가하여 재침전 정제한 후, 진공 건조시켰다. 얻어진 고형물에, PGMEA 의 14643 g 을 첨가하고 교반하여, 발잉크제 (Dcf) 를 10 질량% 로 함유하는 PGMEA 용액인 (Dcf-1) 액을 얻었다. 얻어진 (Dcf-1) 액의 용매를 제외한 조성물의 함불소 함유율 (불소 원자의 질량%) 은 27.4 질량% 이다. 또, (Dcf-1) 액의 용매를 제외한 조성물은, 수평균 분자량 (Mn) 이 49,325 이었다.420.0 g of MEK, 86.4 g of C6FMA, 18.0 g of MAA, 21.6 g of GMA, 54.0 g of MMA and 0.8 g of V-65 were charged into an internal 1 L autoclave equipped with a stirrer, At 50 DEG C for 24 hours to synthesize a crude copolymer. Hexane was added to the obtained solution of the pore polymer to perform re-precipitation purification, followed by vacuum drying. To the solid obtained, 14643 g of PGMEA was added and stirred to obtain a (Dcf-1) solution which was a PGMEA solution containing 10% by mass of a repellent agent (Dcf). The fluorine content (% by mass of fluorine atoms) of the resulting composition excluding the solvent of the (Dcf-1) solution was 27.4% by mass. The composition excluding the solvent of the (Dcf-1) solution had a number average molecular weight (Mn) of 49,325.

합성예 1 ∼ 4 에서 얻어진 발잉크제 용액에 있어서의 발잉크제 (D) 의 불소 원자 함유율, 및 수평균 분자량 (Mn) 을, 발잉크제 (D) 의 주입량 조성 (몰%) 과 함께, 아울러 표 1 에 나타낸다.The fluorine atom content and the number average molecular weight (Mn) of the repellent agent (D) in the solution for a repellent agent obtained in Synthesis Examples 1 to 4 were measured together with the composition (mol% Table 1 also shows.

Figure pct00005
Figure pct00005

[예 1][Example 1]

(네거티브형 감광성 수지 조성물의 조제)(Preparation of negative-type photosensitive resin composition)

(D1-1) 액의 0.967 g (고형분은 0.097 g, 나머지는 PGME (용매)), EP4020G 의 19.34 g, MW-100LM 의 4.84 g, CPI-210S 의 0.73 g, 및 PGMEA 의 74.1 g 을 500 ㎤ 의 교반용 용기에 넣고, 30 분간 교반하여, 네거티브형 감광성 수지 조성물 1 을 조제하였다.(19.34 g of EP4020G, 4.84 g of MW-100LM, 0.73 g of CPI-210S and 74.1 g of PGMEA) of 500 cm &lt; 3 &gt; , And the mixture was stirred for 30 minutes to prepare a negative-working photosensitive resin composition 1.

(경화막 (격벽) 의 제조)(Production of a cured film (partition wall)

10 ㎝ 사방의 유리 기판을, 에탄올로 30 초간 초음파 세정하고, 이어서, 5 분간의 자외선/오존 세정을 실시하였다. 자외선/오존 세정에는, 자외선/오존 발생 장치로서, PL7-200 (센 엔지니어링사 제조) 을 사용하였다. 또한, 이하의 모든 자외선/오존 처리에 대해서도, 자외선/오존 발생 장치로서 본 장치를 사용하였다.A glass substrate of 10 cm square was ultrasonically cleaned with ethanol for 30 seconds and then subjected to ultraviolet / ozone cleaning for 5 minutes. For ultraviolet / ozone cleaning, PL7-200 (Sen Engineering) was used as an ultraviolet / ozone generator. Also, with respect to all of the following ultraviolet / ozone treatment, this apparatus was used as an ultraviolet / ozone generator.

세정 후의 유리 기판 표면에, 스피너를 사용하여, 네거티브형 감광성 수지 조성물 1 을 도포한 후, 핫 플레이트 상에서 100 ℃ 의 온도 조건에서, 2 분간의 건조 처리를 실시하여, 막두께 2.5 ㎛ 의 건조막을 형성하였다. 얻어진 건조막의 표면에, 막측으로부터, 개공 (開孔) 패턴 (2.5 ㎝ × 5 ㎝) 을 갖는 포토마스크 (그 패턴부의 영역 이외에 광 조사가 되는 포토마스크) 를 개재하여 50 ㎛ 의 간극을 두고, 고압 수은 램프의 자외선을 25 ㎽/㎠ 로 1 초간, 2 초간, 5 초간 또는 10 초간 조사하였다.The negative photosensitive resin composition 1 was coated on the cleaned glass substrate surface using a spinner and dried on a hot plate at a temperature of 100 캜 for 2 minutes to form a dry film having a thickness of 2.5 탆 Respectively. On the surface of the obtained dried film, a 50 占 퐉 gap was provided through a photomask (photomask having light irradiation in addition to the region of the pattern portion) having an opening pattern (2.5 cm 占 5 cm) from the film side, The ultraviolet rays of the mercury lamp were irradiated at 25 mW / cm 2 for 1 second, 2 seconds, 5 seconds, or 10 seconds.

이어서, 노광 처리가 된 유리 기판을, 2.38 질량% 테트라메틸수산화암모늄 수용액에 40 초간 침지시켜 현상하고, 미노광 부분의 건조막을 물에 의해 씻어내고, 건조시켰다. 이어서, 이것을 핫 플레이트 상, 230 ℃ 에서 50 분간 가열함으로써, 상기 개공 패턴부를 제외한 영역에 네거티브형 감광성 수지 조성물 1 의 경화막 (격벽) 이 형성된 4 종류의 유리 기판 (1) 을 얻었다.Subsequently, the exposed glass substrate was immersed in an aqueous solution of 2.38% by mass of tetramethylammonium hydroxide for 40 seconds to develop, and the dried film of the unexposed portions was rinsed with water and dried. Subsequently, this was heated on a hot plate at 230 占 폚 for 50 minutes to obtain four kinds of glass substrates (1) in which a cured film (partition wall) of a negative photosensitive resin composition 1 was formed in a region except for the opening pattern portion.

(평가)(evaluation)

상기에서 얻어진 네거티브형 감광성 수지 조성물 1 및 경화막 (격벽) 이 형성된 유리 기판 (1) 에 대해, 이하의 평가를 실시하였다. 평가 결과를 네거티브형 감광성 수지 조성물의 조성과 함께 표 2 에 나타낸다.The following evaluations were performed on the negative photosensitive resin composition 1 and the glass substrate 1 on which the cured films (partitions) were formed. The evaluation results are shown in Table 2 together with the composition of the negative-type photosensitive resin composition.

<발잉크성 (격벽)·친잉크성 (도트)·현상 잔사>&Lt; ink-repellent property (partition wall), inkphilic property (dot)

얻어진 유리 기판 (1) 의 경화막, 즉 격벽 표면 (노광 부분) 의 PGMEA 에 대한 접촉각과, 현상에 의해 건조막 (미노광 부분) 이 제거된 부분, 즉 도트 부분 (유리 기판 표면) 의 물에 대한 접촉각을 측정하였다. 이 때, 도트 부분의 물에 대한 접촉각에 의해 현상 잔사에 대한 평가도 실시하였다. 평가는 이하의 기준으로 실시하였다.The contact angle of the obtained cured film of the glass substrate 1 with respect to the PGMEA of the partition wall surface (exposed portion) and the contact angle with respect to the portion of the dried portion (unexposed portion) removed, that is, The contact angle was measured. At this time, the development residue was also evaluated by the contact angle of the dot portion with respect to water. The evaluation was carried out according to the following criteria.

(기준)(standard)

○ (양호) : 물의 접촉각이 30 도 미만○ (Good): When the contact angle of water is less than 30 degrees

× (불량) : 물의 접촉각이 30 도 이상× (poor): The contact angle of water is 30 degrees or more

그 후, 유리 기판 (1) 중, 노광 시간을 10 초간으로 하여 경화막을 제조한 것에 대해, 경화막이 형성된 측의 표면 전체에, 자외선/오존 조사를 1 분간 실시하였다. 1 분 조사 후의 경화막 (격벽) 표면의 PGMEA 에 대한 접촉각 및 유리 기판 표면의 물에 대한 접촉각을 측정하였다. 측정 방법은 상기와 동일하다.Thereafter, a cured film was prepared from the glass substrate 1 with an exposure time of 10 seconds. On the entire surface of the side where the cured film was formed, ultraviolet / ozone irradiation was performed for 1 minute. The contact angle of the surface of the cured film (partition wall) with respect to PGMEA and the contact angle of water on the surface of the glass substrate after 1 minute irradiation were measured. The measurement method is the same as described above.

<저장 안정성><Storage stability>

네거티브형 감광성 수지 조성물을 유리제 스크루병으로, 23 ℃ (실온) 에서 1 개월 보존하였다. 1 개월 보존 후, 상기의 경화막 (격벽) 의 제조와 동일한 방법으로 세정한 10 ㎝ × 10 ㎝ 의 유리 기판 표면에, 스피너를 사용하여, 네거티브형 감광성 수지 조성물을 도포하여, 도막을 형성하였다. 또한 100 ℃ 에서 2 분간, 핫 플레이트 상에서 건조시켜, 막두께 2 ㎛ 의 건조막을 형성하였다. 건조막의 외관을 육안으로 관찰하여, 이하의 기준에 의해 평가하였다.The negative photosensitive resin composition was stored in a glass screw bottle at 23 占 폚 (room temperature) for 1 month. After preserving for one month, a negative photosensitive resin composition was applied to the surface of a 10 cm x 10 cm glass substrate cleaned in the same manner as in the production of the above-mentioned cured film (partition wall) using a spinner to form a coating film. And further dried on a hot plate at 100 DEG C for 2 minutes to form a dry film having a thickness of 2 mu m. The appearance of the dried film was visually observed and evaluated according to the following criteria.

(기준)(standard)

○ (양호) : 건조막 상의 이물질이 5 개 이하이다.(Good): the number of foreign substances on the dried film is 5 or less.

× (불량) : 건조막 상의 이물질이 6 개 이상이고, 또한 유리 기판의 중심부로부터 방사상의 줄무늬 모양이 관찰되었다.X (defective): 6 or more foreign substances on the dried film, and a radial stripe pattern was observed from the center of the glass substrate.

[예 2][Example 2]

(D1-1) 액 대신에 (D2-1) 액을 사용한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여, 네거티브형 감광성 수지 조성물 2 및 네거티브형 감광성 수지 조성물 2 의 경화막이 형성된 유리 기판 (2) 을 제조하고, 예 1 과 동일하게 하여 평가하였다.(2) in which a negative-working photosensitive resin composition 2 and a negative-working photosensitive resin composition 2 were formed was prepared in the same manner as in Example 1, except that the solution (D2-1) was used instead of the solution , And evaluated in the same manner as in Example 1.

[예 3][Example 3]

(D1-1) 액 대신에 (D3-1) 액을 사용한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여, 네거티브형 감광성 수지 조성물 3 및 네거티브형 감광성 수지 조성물 3 의 경화막이 형성된 유리 기판 (3) 을 제조하고, 예 1 과 동일하게 하여 평가하였다.(3) in which the cured film of the negative photosensitive resin composition 3 and the negative photosensitive resin composition 3 were formed was prepared in the same manner as in Example 1, except that the solution of (D3-1) was used in place of the solution of the negative photosensitive resin composition , And evaluated in the same manner as in Example 1.

[예 4][Example 4]

(D1-1) 액 대신에 (Dcf-1) 액을 사용한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여, 네거티브형 감광성 수지 조성물 4 및 네거티브형 감광성 수지 조성물 4 의 경화막이 형성된 유리 기판 (4) 을 제조하고, 예 1 과 동일하게 하여 평가하였다.(4) in which the cured film of the negative photosensitive resin composition 4 and the negative photosensitive resin composition 4 were formed was produced in the same manner as in Example 1 except that the (Dcf-1) solution was used in place of the (Dcf-1) , And evaluated in the same manner as in Example 1.

예 2 ∼ 4 의 평가 결과를 네거티브형 감광성 수지 조성물의 조성과 함께 표 2 에 나타낸다.The evaluation results of Examples 2 to 4 are shown in Table 2 together with the composition of the negative-type photosensitive resin composition.

Figure pct00006
Figure pct00006

표 2 로부터, 예 1, 2 및 3 에서 얻어진 경화막은, 본 발명의 발잉크제를 사용했기 때문에, 노광량이 낮아도 양호한 발잉크성을 나타내고, 또한 자외선/오존 조사 후에도 높은 발잉크성을 유지하고, 또한 유리 기판 표면은 양호한 친수성을 갖는 것을 알 수 있다. 또 저장 안정성도 높은 것을 알 수 있다. 한편, 예 4 에서는, 본 발명에 관계없는 발잉크제를 사용했기 때문에, 자외선/오존 조사 후에는, 높은 발잉크성이 유지되어 있지 않은 것을 알 수 있다.It can be seen from Table 2 that the cured films obtained in Examples 1, 2 and 3 exhibit good ink repellency even when the exposure amount is low and high ink repellency even after irradiation with ultraviolet rays / ozone, It is also understood that the surface of the glass substrate has good hydrophilicity. The storage stability is also high. On the other hand, in Example 4, since a repellent agent irrelevant to the present invention was used, it was found that the high ink repellency was not maintained after ultraviolet / ozone irradiation.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 격벽은, 발잉크성이 양호하고, 자외선/오존 조사 후에도 발잉크성의 유지가 가능하고, 그 격벽으로 나누어진 개구부에 잉크가 균일하게 도포되어, 양호한 정밀도로 형성된 도트를 갖는 광학 소자용으로서 유용하다. 또, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 여러 가지 광학 소자의, 특히, 유기 EL 소자의 발광층 등의 유기층, 양자 도트 디스플레이의 양자 도트층이나 정공 수송층, TFT 어레이의 도체 패턴이나 반도체 패턴, TFT 의 채널층을 이루는 유기 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 배선 및 소스 배선, 박막 태양 전지 등에 있어서, IJ 법에 의한 패턴 인쇄를 실시할 때의 격벽 형성용의 조성물로서 바람직하게 사용할 수 있다.The barrier ribs formed using the negative photosensitive resin composition of the present invention are excellent in ink repellency and capable of maintaining the ink repellency even after irradiation with ultraviolet rays and ozone and uniformly apply the ink to the openings divided by the partition walls, And is useful as an optical element having dots formed with good precision. In addition, the negative-working photosensitive resin composition of the present invention can be applied to various types of optical elements, in particular, an organic layer such as a light emitting layer of an organic EL element, a quantum dot layer or a hole transport layer of a quantum dot display, a conductor pattern or a semiconductor pattern of a TFT array, As a composition for forming a barrier rib when pattern printing is performed by the IJ method in an organic semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, a gate wiring and a source wiring, a thin film solar cell, .

또한, 2014년 4월 25일에 출원된 일본 특허출원 2014-092092호의 명세서, 특허청구의 범위, 도면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 명세서의 개시로서 받아들이는 것이다.Further, the entire contents of the specification, claims, drawings and summary of Japanese Patent Application No. 2014-092092 filed on April 25, 2014 are incorporated herein by reference and are to be taken as the disclosure of the specification of the present invention.

1 … 기판
21 … 도막
22 … 건조막
23 … 노광막
23A … 노광부
23B … 비노광부
4 … 격벽
4A … 발잉크층
5 … 개구부
31 … 마스킹부
30 : 포토마스크
9 … 잉크젯 헤드
10 … 잉크
11 … 도트
12 … 유기 EL 소자.
One … Board
21 ... Coat
22 ... Dry film
23 ... Exposure film
23A ... Exposure
23B ... Unexposed portion
4 … septum
4A ... Ink layer
5 ... Opening
31 ... Masking portion
30: Photomask
9 ... Inkjet head
10 ... ink
11 ... dot
12 ... Organic EL device.

Claims (15)

알칼리 가용성 수지 (A) 와, 가교제 (B) 와, 광산 발생제 (C) 와, 플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기와 가수분해성기를 갖는 가수분해성 실란 화합물 (s1) 을 단량체 및/또는 부분 가수분해 (공)축합물로서 함유하는 발잉크제 (D) 를 함유하는, 네거티브형 감광성 수지 조성물.A method for producing a photosensitive resin composition, which comprises mixing an alkali-soluble resin (A), a crosslinking agent (B), a photo acid generator (C), and a hydrolyzable silane compound (s1) having a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group and a hydrolyzable group, (D) as a hydrolyzable (co) condensate of a negative-type photosensitive resin composition. 제 1 항에 있어서,
상기 발잉크제 (D) 중의 불소 원자의 함유율이 1 ∼ 40 질량% 인, 네거티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
, And the content of fluorine atoms in the repellent agent (D) is 1 to 40% by mass.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 발잉크제 (D) 는, 규소 원자에 4 개의 가수분해성기가 결합한 가수분해성 실란 화합물 (s2) 를 단량체 및/또는 부분 가수분해 (공)축합물로서 함유하는, 네거티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(D) comprises a hydrolyzable silane compound (s2) in which four hydrolyzable groups are bonded to a silicon atom as a monomer and / or a partially hydrolyzed (co) condensate.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발잉크제 (D) 는, 탄화수소기와 가수분해성기만을 갖는 가수분해성 실란 화합물 (s3) 을 단량체 및/또는 부분 가수분해 (공)축합물로서 함유하는, 네거티브형 감광성 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
(D) comprises a hydrocarbon group and a hydrolyzable silane compound (s3) having only a hydrolyzable group as a monomer and / or a partially hydrolyzed (co) condensate.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발잉크제 (D) 는, 카티온 중합성기와 가수분해성기를 갖고, 불소 원자를 함유하지 않는 가수분해성 실란 화합물 (s4) 를 단량체 및/또는 부분 가수분해 (공)축합물로서 함유하는, 네거티브형 감광성 수지 조성물.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The above-mentioned repellent agent (D) is a negative resist composition which contains a cationically polymerizable group and a hydrolyzable group and contains a hydrolyzable silane compound (s4) containing no fluorine atom as a monomer and / or a partially hydrolyzed (co) Type photosensitive resin composition.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지 (A) 의 함유량이, 네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 전체 고형분 중 10 ∼ 90 질량% 인, 네거티브형 감광성 수지 조성물.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the content of the alkali-soluble resin (A) is 10 to 90 mass% of the total solid content in the negative-working photosensitive resin composition.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가교제 (B), 및 광산 발생제의 함유량이, 알칼리 가용성 수지 (A) 의 100 질량부에 대하여, 각각 2 ∼ 50 질량부, 및 0.1 ∼ 20 질량부인, 네거티브형 감광성 수지 조성물.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the content of the crosslinking agent (B) and the photoacid generator is 2 to 50 parts by mass and 0.1 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (A), respectively.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발잉크제 (D) 의 함유량이, 알칼리 가용성 수지 (A) 의 100 질량부에 대하여 0.01 ∼ 20 질량부인, 네거티브형 감광성 수지 조성물.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the content of the ink-repellent agent (D) is 0.01 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (A).
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
추가로, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 2-프로판올로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 용매 (E) 를 함유하는, 네거티브형 감광성 수지 조성물.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
(E) selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate and 2-propanol, By weight based on the total weight of the photosensitive resin composition.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 용매 (E) 의 함유량이, 네거티브형 감광성 수지 조성물 전체량에 대하여 50 ∼ 99 질량% 인, 네거티브형 감광성 수지 조성물.
10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the content of the solvent (E) is 50 to 99% by mass with respect to the total amount of the negative-working photosensitive resin composition.
기판 표면을 도트 형성용의 복수의 구획으로 나누는 형태로 형성된 격벽으로서, 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물의 경화막으로 이루어지는, 격벽.A barrier rib formed of a cured film of a negative photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 10, formed in such a manner that the substrate surface is divided into a plurality of sections for dot formation. 제 11 항에 있어서,
폭이 100 ㎛ 이하이고, 격벽간의 거리 (패턴의 폭) 가 300 ㎛ 이하이고, 높이가 0.05 ∼ 50 ㎛ 인, 격벽.
12. The method of claim 11,
A width of 100 mu m or less, a distance between barrier ribs (pattern width) of 300 mu m or less, and a height of 0.05 to 50 mu m.
기판 표면에 복수의 도트와, 인접하는 도트 사이에 위치하는 격벽을 갖는 광학 소자로서, 상기 격벽이 제 11 항 또는 제 12 항에 기재된 격벽으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 광학 소자.An optical element having a plurality of dots on a surface of a substrate and barrier ribs positioned between adjacent dots, wherein the barrier ribs are formed of barrier ribs as defined in claim 11 or 12. 제 13 항에 있어서,
상기 도트가 잉크젯법으로 형성되어 있는, 광학 소자.
14. The method of claim 13,
Wherein the dot is formed by an ink-jet method.
제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
상기 광학 소자가, 유기 EL 소자, 양자 도트 디스플레이, TFT 어레이 또는 박막 태양 전지인, 광학 소자.
The method according to claim 13 or 14,
Wherein the optical element is an organic EL element, a quantum dot display, a TFT array or a thin film solar cell.
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