KR20160145500A - Grinding wheel - Google Patents

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Abstract

The object of the present invention is to provide a grinding wheel capable of achieving at least one of reduction in a working load and longevity improvement of the grinding wheel. The grinding wheel is a grinding wheel (37, 47) including diamond abrasive grains and boron compound and grinding a workpiece. The average particle diameter X of the diamond abrasive grains is 3 m<=X<=10. The average particle diameter ratio Z of the boron compound to the diamond abrasive grains is 00.8<=Z<=3.0. Preferably, the workpiece is a SiC wafer. The average mouth ratio Z is 1.2<=Z<=2.0.

Description

연삭 지석{GRINDING WHEEL}{GRINDING WHEEL}

본 발명은, 피가공물을 연삭하는 연삭 지석에 관한 것이다.The present invention relates to a grinding wheel for grinding a workpiece.

반도체 제조에 이용되는 기판을 연삭하기 위해서, 붕소 화합물을 첨가한 연삭 지석이 이용되고 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 붕소 화합물은, 고체 윤활성을 갖기 때문에, 연삭 가공에 의한 가공점에서의 발열이나 지석의 소모를 억제하는 효과가 있다.Background Art [0002] A grinding stone to which a boron compound is added is used for grinding a substrate used in semiconductor manufacturing (see, for example, Patent Document 1). Since the boron compound has solid lubricity, it has an effect of suppressing generation of heat at the machining point and consumption of grinding stone by grinding.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2012-056013호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-056013

그러나, 특허문헌 1에 기재된 연삭 지석은, 경질 기판(예컨대, SiC 기판)을 연삭하는 경우, 지석에 가해지는 가공 부하가 커지기 때문에 지석의 소모량도 커져 교환 빈도가 높아진다. 또한, 유리 등의 열전도가 나쁜 재료를 연삭하는 경우에는, 가공하여 발생한 열의 축적을 억제하기 위해 가공 속도를 높일 수 없다. 그래서, 연삭 지석은, 가공물의 가공 특성을 양호하게 유지하면서, 생산성을 더 향상시킬 것이 요구되고 있다.However, in the grinding wheel disclosed in Patent Document 1, when grinding a hard substrate (for example, SiC substrate), the machining load applied to the grinding wheel becomes large, so the consumption of the grinding wheel becomes large and the frequency of replacement becomes high. Further, in the case of grinding a material having a poor thermal conductivity such as glass, the processing speed can not be increased in order to suppress accumulation of heat generated by machining. Therefore, grinding wheels are required to further improve productivity while satisfactorily maintaining the machining characteristics of the workpiece.

본 발명은, 상기를 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은, 가공 부하의 저감과, 장수명화 중 적어도 한쪽을 달성할 수 있는 연삭 지석을 제공하는 것에 있다.The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a grinding wheel capable of achieving at least one of a reduction in a machining load and a longevity increase.

본 발명에 따르면, 피가공물을 연삭하는 연삭 지석으로서, 상기 연삭 지석은 다이아몬드 지립과 붕소 화합물을 미리 정해진 체적비로 포함하고, 상기 다이아몬드 지립의 평균 입경 X는 3 ㎛≤X≤10 ㎛이며, 상기 붕소 화합물의 상기 다이아몬드 지립에 대한 평균 입경비 Z는 0.8≤Z≤3.0인 것을 특징으로 하는 연삭 지석이 제공된다.According to the present invention, there is provided a grinding wheel for grinding a workpiece, wherein the grinding stone comprises diamond abrasive grains and a boron compound at a predetermined volume ratio, the average grain size X of the diamond abrasive grains satisfies 3 탆 X 횞 10 탆, Wherein an average particle diameter ratio Z of the compound to the diamond abrasive grains is 0.8? Z? 3.0.

바람직하게는, 연삭 지석의 가공 대상인 피가공물은 SiC 웨이퍼이며, 상기 평균 입경비 Z는 1.2≤Z≤2.0인 것이 보다 바람직하다.Preferably, the work to be processed in the grinding wheel is a SiC wafer, and the average mouth ratio Z is more preferably 1.2? Z? 2.0.

본원 발명의 연삭 지석은, 다이아몬드 지립의 입경에 대한 붕소 화합물의 입경(입경비)을 제어함으로써 가공 품질을 높이면서, 연삭 지석의 가공 부하의 저감, 방열성의 향상, 장수명화(소모량을 저감)를 달성할 수 있다.The grinding wheel of the present invention can reduce the processing load of the grinding stone, improve the heat dissipation, and increase the longevity (reduce consumption) by controlling the grain size (grain size ratio) of the boron compound to the grain size of the diamond abrasive grains Can be achieved.

도 1은 실시형태에 따른 연삭 지석이 장착된 연삭 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 2는 조연삭용 연삭 지석의 붕소 화합물의 평균 입경에 대한 소모율(%)을 나타낸 도면이다.
도 3은 조연삭용 연삭 지석의 붕소 화합물의 평균 입경에 대한 최대 연삭 하중(N)을 나타낸 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram showing a configuration example of a grinding machine equipped with a grinding stone according to an embodiment. Fig.
Fig. 2 is a graph showing the percent consumption (%) of the average particle size of the boron compound in the ground grinding stone for rough grinding.
3 is a graph showing the maximum grinding load (N) with respect to the average grain size of the boron compound in the grinding stone for rough grinding.

본 발명을 실시하기 위한 실시형태에 대해, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절하게 조합할 수 있다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러 가지 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiments. The constituent elements described below include those which can be readily devised by those skilled in the art and substantially the same. Further, the structures described below can be suitably combined. In addition, various omissions, substitutions or modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

[실시형태][Embodiment Mode]

도 1은 실시형태에 따른 연삭 지석이 장착된 연삭 장치의 구성예를 나타낸 도면이다. 또한, 동 도면에 있어서의 X축 방향은 연삭 장치(10)의 폭 방향이고, Y축 방향은 연삭 장치(10)의 안길이 방향이며, Z축 방향은 수직 방향이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram showing a configuration example of a grinding machine equipped with a grinding stone according to an embodiment. Fig. In the drawing, the X-axis direction is the width direction of the grinding apparatus 10, the Y-axis direction is the bearing direction of the grinding apparatus 10, and the Z-axis direction is the vertical direction.

연삭 장치(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 피가공물인 웨이퍼(W)를 복수 장 수용한 제1 카세트(11) 및 제2 카세트(12)와, 제1 카세트(11)로부터 웨이퍼(W)를 반출하는 반출 수단과 제2 카세트(12)에 연삭을 종료한 웨이퍼(W)를 반입하는 반입 수단을 겸용하는 공통의 반출입 수단(13)과, 웨이퍼(W)의 중심 위치 맞춤을 행하는 위치 맞춤 수단(14)과, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 수단(15, 16)과, 웨이퍼(W)를 흡인 유지하는 3개의 척테이블(17∼19)과, 이들 척테이블(17∼19)을 각각 회전 가능하게 지지하여 회전하는 턴테이블(20)과, 각 척테이블(17∼19)에 유지된 웨이퍼(W)에 가공으로서의 연삭 처리를 행하는 가공 수단인 연삭 수단(30, 40)과, 연삭 후의 웨이퍼(W)를 세정하는 세정 수단(51)과, 연삭 후의 척테이블(17∼19)을 세정하는 세정 수단(52)을 구비하고 있다.1, the grinding apparatus 10 includes a first cassette 11 and a second cassette 12 which accommodate a plurality of wafers W as workpieces, (13) for carrying out carrying-out means for taking out the wafer (W) and for bringing the wafer (W) finished in the grinding to the second cassette (12) A transfer means 15 and 16 for transferring the wafer W, three chuck tables 17 to 19 for sucking and holding the wafer W, 19, which are rotatably supported by the respective chuck tables 17 to 19, grinding means 30, 40 as processing means for grinding the wafer W held by the chuck tables 17 to 19, A cleaning means 51 for cleaning the wafer W after grinding, and a cleaning means 52 for cleaning the chuck tables 17 to 19 after grinding.

상기 연삭 장치(10)에 있어서는, 제1 카세트(11)에 수용된 웨이퍼(W)가 반출입 수단(13)의 반출 동작에 의해 위치 맞춤 수단(14)으로 반송되고, 여기서 중심 위치 맞춤이 행해진 후, 반송 수단(15)에 의해 척테이블(17∼19), 동 도면에서는 척테이블(17) 상으로 반송되어 배치된다. 본 실시형태에 있어서의 3개의 척테이블(17∼19)은, 턴테이블(20)에 대하여 둘레 방향으로 등간격으로 배치되고, 각각이 회전 가능함과 더불어 턴테이블(20)의 회전에 따라 XY 평면 위를 이동하는 구성이다. 척테이블(17∼19)은, 웨이퍼(W)를 흡인 유지한 상태에서 미리 정해진 각도, 예컨대 반시계 방향으로 120° 회전함으로써 연삭 수단(30)의 바로 아래에 위치된다.In the grinding apparatus 10, the wafer W held in the first cassette 11 is transferred to the positioning means 14 by the carrying-out operation of the loading / unloading means 13, And transferred onto the chuck tables 17 to 19 by the transfer means 15, and chuck table 17 in the figure. The three chuck tables 17 to 19 according to the present embodiment are arranged at regular intervals in the circumferential direction with respect to the turntable 20 and are rotatable with each other and are arranged on the XY plane in accordance with the rotation of the turntable 20 Moving configuration. The chuck tables 17 to 19 are positioned immediately below the grinding means 30 by rotating the wafer W in a predetermined angle, for example, in a counterclockwise direction by 120 degrees in a state in which the wafer W is attracted and held.

연삭 수단(30)은, 척테이블(17∼19)에 유지된 웨이퍼(W)를 조연삭하는 것으로서, 베이스(21)의 Y축 방향에 있어서의 단부에 세워진 벽부(22)에 마련되어 있다. 연삭 수단(30)은, 벽부(22)에 있어서 Z축 방향으로 설치된 한 쌍의 가이드 레일(31)에 가이드되고, 또한 모터(32)의 구동에 의해 상하 이동하는 지지부(33)에 지지되며, 지지부(33)의 상하 이동에 따라 Z축 방향으로 상하 이동하도록 구성되어 있다. 연삭 수단(30)은, 회전 가능하게 지지된 스핀들(34a)을 회전시키는 모터(34)와, 스핀들(34a)의 선단에 휠 마운트(35)를 통해 장착되어 웨이퍼(W)의 이면을 연삭하는 연삭휠(36)을 구비하고 있다. 연삭휠(36)은, 그 하면에 원환형으로 고착된 조연삭용 연삭 지석(37)을 구비하고 있다. 또한, 조연삭이란, 웨이퍼(W)를 원하는 두께까지 박화하는 연삭이다.The grinding means 30 is for grinding the wafer W held on the chuck tables 17 to 19 and is provided on the wall portion 22 erected at the end portion of the base 21 in the Y axis direction. The grinding means 30 is guided by a pair of guide rails 31 provided in the Z-axis direction in the wall portion 22 and is supported by the support portion 33 which moves up and down by the drive of the motor 32, And is configured to move up and down in the Z-axis direction in accordance with the upward and downward movement of the support portion 33. [ The grinding means 30 includes a motor 34 for rotating the spindle 34a rotatably supported and a grinding wheel 30 for grinding the back surface of the wafer W mounted on the tip of the spindle 34a via the wheel mount 35 And a grinding wheel 36. The grinding wheel 36 is provided with a grinding stone 37 for coarse grinding which is fixed to the lower surface thereof in a circular shape. The coarse grinding is grinding in which the wafer W is thinned to a desired thickness.

조연삭은, 연삭휠(36)이 모터(34)에 의해 스핀들(34a)이 회전함으로써 회전하고, 또한 Z축 방향의 아래쪽으로 연삭 이송됨으로써, 회전하는 연삭 지석(37)이 웨이퍼(W)의 이면에 접촉함으로써, 척테이블(17)에 유지되어 연삭 수단(30)의 바로 아래에 위치된 웨이퍼(W)의 이면을 연삭함으로써 행해진다. 여기서, 척테이블(17)에 유지되어 웨이퍼(W)의 조연삭이 종료되면, 턴테이블(20)이 반시계 방향으로 미리 정해진 각도만큼 회전함으로써, 조연삭된 웨이퍼(W)가 연삭 수단(40)의 바로 아래에 위치된다.The grinding wheel 36 is rotated by the rotation of the spindle 34a by the motor 34 and is further grinded downward in the Z axis direction so that the rotating grinding wheel 37 is moved to the rear side of the wafer W Is performed by grinding the back surface of the wafer W held by the chuck table 17 and located immediately below the grinding means 30. [ When the turntable 20 is rotated counterclockwise by a predetermined angle when the turntable 20 is held on the chuck table 17 and the grinding of the wafer W is completed, Lt; / RTI &gt;

연삭 수단(40)은, 척테이블(17∼19)에 유지된 웨이퍼(W)를 마무리 연삭하는 것으로서, 벽부(22)에 있어서 Z축 방향으로 설치된 한 쌍의 가이드 레일(41)에 가이드되고, 또한 모터(42)의 구동에 의해 상하 이동하는 지지부(43)에 지지되며, 지지부(43)의 상하 이동에 따라 Z축 방향으로 상하 이동하도록 구성되어 있다. 연삭 수단(40)은, 회전 가능하게 지지된 스핀들(44a)을 회전시키는 모터(44)와, 스핀들(44a)의 선단에 휠 마운트(45)를 통해 장착되어 웨이퍼(W)의 이면을 연삭하는 연삭휠(46)을 구비하고 있다. 연삭휠(46)은, 그 하면에 원환형으로 고착된 마무리 연삭용 연삭 지석(47)을 구비하고 있다. 즉, 연삭 수단(40)은, 연삭 수단(30)과 기본 구성은 동일하고, 연삭 지석(37, 47)의 종류만이 상이한 구성으로 되어 있다. 또한, 마무리 연삭이란, 웨이퍼(W)를 원하는 두께까지 박화함과 더불어, 조연삭에 의해 웨이퍼(W)의 이면에 생긴 연삭조흔(硏削條痕)을 제거하는 연삭이다.The grinding means 40 grinds the wafer W held on the chuck tables 17 to 19 and is guided by a pair of guide rails 41 provided in the Z axis direction in the wall portion 22, And is supported by the support portion 43 that moves up and down by the drive of the motor 42 and is configured to move up and down in the Z axis direction in accordance with the upward and downward movement of the support portion 43. [ The grinding means 40 includes a motor 44 for rotating a spindle 44a rotatably supported and a grinding means 40 for grinding the back surface of the wafer W mounted on the tip of the spindle 44a through a wheel mount 45 And a grinding wheel 46. The grinding wheel 46 is provided with a grinding stone 47 for finish grinding fixed on the lower surface thereof in a circular shape. In other words, the basic structure of the grinding means 40 is the same as that of the grinding means 30, and only the kinds of grinding stones 37 and 47 are different from each other. The finish grinding is grinding in which the wafer W is thinned to a desired thickness and the grinding streaks formed on the back surface of the wafer W are removed by rough grinding.

마무리 연삭은, 연삭휠(46)이 모터(44)에 의해 스핀들(44a)이 회전함으로써 회전하고, 또한 Z축 방향의 아래쪽으로 연삭 이송됨으로써, 회전하는 연삭 지석(47)이 웨이퍼(W)의 이면에 접촉함으로써, 척테이블(17)에 유지되어 연삭 수단(40)의 바로 아래에 위치된 웨이퍼(W)의 이면을 연삭함으로써 행해진다. 여기서, 척테이블(17)에 유지되어 웨이퍼(W)의 마무리 연삭이 종료되면, 턴테이블(20)이 반시계 방향으로 미리 정해진 각도만큼 회전함으로써, 도 1에 도시된 초기 위치로 되돌아간다. 이 위치에서, 이면이 마무리 연삭된 웨이퍼(W)는, 반송 수단(16)에 의해 세정 수단(51)으로 반송되고, 세정에 의해 연삭 부스러기가 제거된 후에, 제2 카세트(12)로 반출입 수단(13)의 반입 동작에 의해 반입된다. 또한, 세정 수단(52)은, 마무리 연삭된 웨이퍼(W)가 반송 수단(16)에 의해 들어 올려져 빈 상태가 된 척테이블(17)의 세정을 행한다. 또한, 다른 척테이블(18, 19)에 유지된 웨이퍼(W)에 대한 조연삭, 마무리 연삭, 다른 척테이블(18, 19)에 대한 웨이퍼(W)의 반출입 등도 턴테이블(20)의 회전 위치에 따라 동일하게 행해진다.In the finish grinding, the grinding wheel 46 is rotated by the rotation of the spindle 44a by the motor 44 and is further grinded downward in the Z-axis direction so that the rotating grinding stone 47 is moved in the Z- By grinding the back surface of the wafer W held by the chuck table 17 and located immediately below the grinding means 40. [ Here, when the finishing grinding of the wafer W is held on the chuck table 17, the turntable 20 is rotated counterclockwise by a predetermined angle to return to the initial position shown in Fig. In this position, the wafer W whose back surface is ground is finely ground is transported to the cleaning means 51 by the transporting means 16, and after the grinding debris is removed by cleaning, the wafer W is transported to the second cassette 12 (13). The cleaning means 52 performs cleaning of the chuck table 17 in which the finely ground wafer W is lifted by the carrying means 16 and becomes empty. The grinding of the wafer W held on the other chuck tables 18 and 19 and the grinding and finishing grinding and the carrying out of the wafers W to and from the other chuck tables 18 and 19 are also carried out at the rotational positions of the turntable 20 .

바람직하게는, 본 실시형태의 연삭 지석으로 연삭하는 웨이퍼(W)는, SiC(실리콘 카바이드)를 포함하는 SiC 웨이퍼이다. SiC 웨이퍼는, 실리콘으로 구성된 웨이퍼보다도 경질의 것이다.Preferably, the wafer W to be ground with the grinding stone of the present embodiment is a SiC wafer including SiC (silicon carbide). SiC wafers are harder than wafers made of silicon.

여기서, SiC 웨이퍼인 웨이퍼(W)에 조연삭 또는 마무리 연삭을 행하기 위한 연삭 지석(37, 47)은, 다이아몬드 지립과 붕소 화합물을 본드로 결합하여 구성된다. 다이아몬드 지립이란, 천연 다이아몬드, 합성 다이아몬드, 금속 피복 합성 다이아몬드 중 적어도 어느 하나 이상이다. 또한, 붕소 화합물이란, B4C(탄화붕소), CBN(입방정 질화붕소) 및 HBN(육방정 질화붕소) 중 적어도 어느 하나 이상이다. 연삭 지석(37, 47)은, 다이아몬드 지립과 붕소 화합물을 본드인 비트리파이드 본드, 레진 본드 및 메탈 본드 중 어느 하나로 혼련하여 소결, 또는 니켈 도금에 의해 고정하여 구성되어 있다. 바람직하게는, 다이아몬드 지립과 붕소 화합물의 체적비는 1:1∼1:3이다.Here, the grinding wheels 37 and 47 for performing rough grinding or finishing grinding on the wafer W, which is a SiC wafer, are constituted by bonding a diamond abrasive grains and a boron compound with a bond. The diamond abrasive is at least one of natural diamond, synthetic diamond, and metal-coated synthetic diamond. The boron compound is at least one or more of B 4 C (boron carbide), CBN (cubic boron nitride) and HBN (hexavalent boron nitride). The grinding wheels 37 and 47 are constituted by kneading diamond abrasive grains and a boron compound with any one of a non-tripide bond, a resin bond and a metal bond, and sintering or fixing by a nickel plating. Preferably, the volume ratio of the diamond abrasive to the boron compound is 1: 1 to 1: 3.

붕소 화합물의 평균 입경을 Y[㎛], 다이아몬드 지립의 평균 입경을 X[㎛]로 한 경우에, 연삭 지석(37)에 있어서의 붕소 화합물의 다이아몬드 지립에 대한 평균 입경비 Z(=Y/X)는 0.8≤Z≤3.0이다. 여기서, 평균 입경비 Z를 0.8 이상으로 하는 것은, 0.8 미만이면, 붕소 화합물이 연삭 지석(37)을 무르게 하는 구조재(필러)로서의 기능이나 역할이 커지기 때문이다. 한편, 평균 입경비 Z를 3.0 이하로 하는 것은 3.0을 초과하면, 주지립인 다이아몬드 지립이 지립으로서의 기능보다도 구조재로서의 기능·역할이 커져, 연삭 가공에 기여하기 어려워지기 때문이다. 또한, 다이아몬드 지립의 평균 입경 X는 3 ㎛≤X≤10 ㎛이다. 여기서, 다이아몬드 지립의 평균 입경 X를 10 ㎛ 이하로 하는 것은, 전자 디바이스가 형성된 실리콘 웨이퍼보다도 경질의 SiC 웨이퍼인 웨이퍼(W)의 연삭 가공 용도로는, 평균 입경 X가 10 ㎛ 이하인 다이아몬드 지립을 이용하는 것이 적당하기 때문이다.The average particle size ratio Z (= Y / X) of the boron compound to the diamond abrasive grains in the grinding stone 37 can be obtained when the average particle size of the boron compound is Y [占 퐉] and the average particle size of the diamond abrasive grains is X [ ) Is 0.8? Z? 3.0. Here, if the average particle size ratio Z is set to 0.8 or more, if the boron compound is less than 0.8, the function or role of the boron compound as a structural material (filler) for making the grinding stone 37 loose becomes large. On the other hand, when the average particle size ratio Z is set to 3.0 or less, when the ratio exceeds 3.0, the function and role of the diamond abrasive grain as the structural material becomes greater than the function as the abrasive grain, so that it becomes difficult to contribute to the grinding processing. The average grain size X of diamond abrasive grains is 3 占 퐉? X? 10 占 퐉. Here, the average particle diameter X of the diamond abrasive grains is set to 10 mu m or less. In order to grind the wafer W, which is a hard SiC wafer than the silicon wafer on which electronic devices are formed, diamond abrasive grains having an average particle diameter X of 10 mu m or less are used Because it is appropriate.

본 실시형태에서는, SiC 웨이퍼인 웨이퍼(W)를 조연삭하기 위한 연삭 지석(37)에 있어서의 다이아몬드 지립의 평균 입경 X는 3 ㎛≤X≤10 ㎛인 것이 바람직하다. 조연삭용 연삭 지석(37)에서는, 평균 입경 X가 3 ㎛를 하회하는 다이아몬드 지립을 이용하면, 조연삭에 걸리는 소요 시간이 길어짐과 더불어, 연삭 지석(37)이 물러지기 때문이다. SiC 웨이퍼인 웨이퍼(W)를 마무리 연삭하기 위한 연삭 지석(47)에 있어서의 다이아몬드 지립의 평균 입경 X는 마무리 연삭용 연삭 지석으로서 조연삭용 연삭 지석보다도 평균 입경이 작은 것이 바람직하며, 예컨대, 0.5 ㎛≤X≤1 ㎛이다.In the present embodiment, it is preferable that the average grain size X of diamond abrasive grains in the grinding wheel 37 for roughing the wafer W which is an SiC wafer is 3 mu m &lt; = X &lt; = 10 mu m. In the rough grinding stone for rough grinding 37, if diamond abrasive grains having an average grain diameter X of less than 3 탆 are used, the time required for rough grinding is prolonged and the grinding stone 37 is retracted. The average grain size X of the diamond abrasive grains in the grinding wheel 47 for finishing the wafer W which is the SiC wafer is preferably smaller than that of the grinding stone for rough grinding as a finishing grinding stone for finishing grinding, Mu m &lt; / = 1 mu m.

이상과 같이, 붕소 화합물의 다이아몬드 지립에 대한 평균 입경비 Z를 0.8≤Z≤3.0으로 하고, 다이아몬드 지립의 평균 입경 X를 3 ㎛≤X≤10 ㎛로 함으로써, 웨이퍼(W)를 연삭할 때에, 붕소 화합물의 고체 윤활성의 특성이 효과적으로 작용하여, 연삭 지석(37)의 가공 부하를 저감할 수 있다. 따라서, 연삭 지석(37)의 가공 부하를 저감함으로써, 연삭 지석(37)에 의해 1장의 웨이퍼(W)를 연삭할 때의 연삭 지석(37)의 소모량을 저감할 수 있게 되고, 결과적으로 장수명화를 도모할 수 있다. 또한, 연삭 지석(37)에 의한 피가공물의 연삭 가공시에 가공점에서의 발열을 억제할 수 있고, 연삭 속도를 빠르게 할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다. 이상으로부터, 연삭 장치(10)에 있어서의 연삭 지석(37)의 소모 정도도 낮게 억제되고, 지석의 교환 빈도를 저감할 수 있어, 연삭 장치(10)에 있어서의 연삭 가공 전체로서의 생산성을 향상시킬 수 있다. 연삭 지석(37)은, 평균 입경비 Z가 0.8≤Z≤3.0이기 때문에, 가공 부하의 저감과, 장수명화 중 적어도 한쪽을 달성할 수 있다.As described above, when the average particle diameter ratio Z of the boron compound to the diamond abrasive grains is 0.8? Z? 3.0 and the average particle diameter X of the diamond abrasive grains is 3 mu m? X? 10 mu m, The solid lubricity characteristics of the boron compound act effectively and the working load of the grinding stone 37 can be reduced. Therefore, by reducing the processing load on the grinding stone 37, it is possible to reduce the consumption amount of the grinding stone 37 when grinding a single wafer W by the grinding stone 37. As a result, . Further, at the time of grinding the workpiece by the grinding stone 37, heat generation at the machining point can be suppressed, the grinding speed can be increased, and productivity can be improved. As described above, the degree of consumption of the grinding stone 37 in the grinding apparatus 10 is also suppressed to be low, and the frequency of replacement of the grinding stone can be reduced, thereby improving the productivity as a whole grinding process in the grinding apparatus 10 . Since the grinding stone 37 has an average particle size ratio Z of 0.8? Z? 3.0, at least one of the reduction of the working load and the longevity of the grinding stone 37 can be achieved.

또한, 본 실시형태에서는, SiC 웨이퍼인 웨이퍼(W)에 조연삭을 행하기 위한 연삭 지석(37)은, 평균 입경비 Z가 1.2≤Z≤3.0인 것이 바람직하다. 이 경우, 연삭 지석(37)은, 연삭 중의 소모를 억제할 수 있고, 장수명화를 달성할 수 있다.In the present embodiment, it is preferable that the grinding wheel 37 for grinding the wafer W, which is a SiC wafer, has an average particle size ratio Z of 1.2? Z? 3.0. In this case, the grinding stone 37 can suppress consumption during grinding, and longevity can be achieved.

또한, 본 실시형태에서는, SiC 웨이퍼인 웨이퍼(W)에 조연삭을 행하기 위한 연삭 지석(37)은, 평균 입경비 Z가 0.8≤Z≤2.0인 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 연삭 지석(37)은, 가공 부하의 저감을 달성할 수 있다.Further, in the present embodiment, it is more preferable that the grinding wheel 37 for grinding the wafer W, which is a SiC wafer, has an average particle size ratio Z of 0.8? Z? 2.0. In this case, the grinding stone 37 can achieve a reduction in the machining load.

또한, 본 실시형태에서는, SiC 웨이퍼인 웨이퍼(W)에 조연삭을 행하기 위한 연삭 지석(37)은, 평균 입경비 Z가 1.2≤Z≤2.0인 것이 더욱 바람직하다. 이 경우, 연삭 지석(37)은, 가공 부하의 저감과, 장수명화 모두를 달성할 수 있다.Further, in the present embodiment, it is more preferable that the grinding wheel 37 for grinding the wafer W, which is a SiC wafer, has an average particle size ratio Z of 1.2? Z? 2.0. In this case, the grinding stone 37 can achieve both reduction in the working load and longevity.

실시예Example

다음에, 본 발명의 발명자들은, 본 발명의 효과를 확인하기 위해서, 붕소 화합물의 평균 입경이 상이한 조연삭용 연삭 지석(37)을 제조하여, SiC 웨이퍼인 웨이퍼(W)에 조연삭했을 때의 연삭 지석(37)의 소모율과, 최대 연삭 하중을 측정하였다. 결과를 도 2 및 도 3에 나타낸다. 도 2는 조연삭용 연삭 지석의 붕소 화합물의 평균 입경에 대한 소모율(%)을 나타낸 도면이고, 도 3은 조연삭용 연삭 지석의 붕소 화합물의 평균 입경에 대한 최대 연삭 하중(N)을 나타낸 도면이다.Next, in order to confirm the effect of the present invention, the inventors of the present invention have found that a grinding stone for rough grinding (37) having different average particle diameters of boron compounds is manufactured, and the grinding wheel The consumption rate of the grinding stone 37 and the maximum grinding load were measured. The results are shown in Fig. 2 and Fig. FIG. 2 is a graph showing the percent consumption (%) of the boron compound in the ground grinding stone for rough grinding, and FIG. 3 is a graph showing the maximum grinding load N in relation to the average grain size of the boron compound to be.

도 2 및 도 3에서 이용된 조연삭용 연삭 지석(37)은, 붕소 화합물로서 CBN을 이용하고, SiO2를 주성분으로 하는 본드에 의해 다이아몬드 지립과 혼련하여 소결한 것이다. 도 2 및 도 3에서 이용된 조연삭용 연삭 지석(37)은, 다이아몬드 지립의 평균 입경 X가 4 ㎛, 붕소 화합물과 다이아몬드 지립의 체적비가 1:1이며, 붕소 화합물의 평균 입경 Y를 3 ㎛∼20 ㎛ 사이에서 변화시켰다.2 and 3, CBN is used as a boron compound, and the abrasive grains are kneaded and sintered with diamond abrasive grains by a bond mainly composed of SiO 2 . 2 and 3, the average particle diameter X of the diamond abrasive grains is 4 탆, the volume ratio of the boron compound to the diamond abrasive is 1: 1, and the average particle diameter Y of the boron compound is 3 탆 To 20 [mu] m.

도 2 및 도 3 중의 횡축은, 붕소 화합물의 평균 입경 Y 및 평균 입경비 Z를 나타낸다. 도 2 중의 종축은, 연삭 지석(37)의 소모율이다. 이 소모율은, 실제의 연삭량에 대한 연삭 지석(37)의 소모량(%)이다. 도 3 중의 종축은, 조연삭 가공 중에 가해진 하중의 최대치(N)이다. 또한, 도 2 및 도 3에서는, 동일 평균 입경 Y의 붕소 화합물의 평균 입경 Y를 포함한 조연삭용 연삭 지석(37)을 복수 제조하고, 각 연삭 지석(37)을 이용하여 피가공물로서의 SiC 웨이퍼를 조연삭했을 때의 소모율과 최대 연삭 하중을 측정하였다. 또한, 도 2 및 도 3에는 소모율과 최대 연삭 하중의 평균치를 점선으로 나타낸다.2 and 3, the abscissa represents the average particle diameter Y of the boron compound and the average particle diameter ratio Z. The ordinate in Fig. 2 indicates the consumption rate of the grinding stone 37. This consumption rate is the consumption amount (%) of the grinding stone 37 to the actual grinding amount. The ordinate in Fig. 3 is the maximum value N of the load applied during the rough grinding. 2 and 3, a plurality of ground grinding wheels 37 including the average particle diameter Y of the boron compound having the same average particle diameter Y are manufactured, and the respective SiC wafers as the workpiece The wear rate and the maximum grinding load at the time of rough grinding were measured. In Figs. 2 and 3, the consumed rate and the average value of the maximum grinding load are indicated by dotted lines.

도 2에 따르면, 평균 입경비 Z를 1.2 이상 또한 3.0 이하로 함으로써, 평균 입경비 Z를 1.2 미만 또는 3.0을 초과하는 값으로 하는 경우보다도, 연삭 지석(37)의 소모율을 10% 정도 이하로 억제할 수 있는 것이 분명해졌다. 또한, 도 3에 따르면, 평균 입경비 Z를 0.8 이상 또한 2.0 이하로 함으로써, 평균 입경비 Z를 2.0을 초과하는 값으로 하는 경우보다도, 최대 연삭 하중을 억제(즉, 가공 부하의 저감)할 수 있는 것이 분명해졌다. 또한, 도 2에 따르면, 평균 입경비 Z를 0. 8 미만으로 하면, 연삭 지석(37)의 소모율이 커지는 것이 분명해졌다.2, the consumption rate of the grinding stone 37 can be suppressed to about 10% or less, as compared with the case where the average mouth ratio Z is set to be 1.2 or more and 3.0 or less, It became clear what we could do. 3, it is possible to suppress the maximum grinding load (that is, reduce the machining load) by setting the average mouth ratio Z to be equal to or larger than 0.8 and equal to or smaller than 2.0, as compared with the case where the average mouth ratio Z is set to a value exceeding 2.0 It became clear that there was. 2, it is apparent that the consumption ratio of the grinding stone 37 becomes larger when the average mouth ratio Z is less than 0. 8.

이와 같이, 도 2 및 도 3에 따르면, 연삭 지석(37)은, 평균 입경비 Z를 0.8 이상 또한 3.0 이하로 함으로써, 장수명화와 가공 부하의 저감 중 적어도 한쪽을 달성할 수 있고, 평균 입경비 Z를 1.2 이상 또한 2.0 이하로 함으로써, 장수명화와 가공 부하의 저감 모두를 달성할 수 있는 것이 분명해졌다.2 and 3, at least one of the longevity improvement and the reduction of the machining load can be achieved by setting the average mouth ratio Z to be equal to or more than 0.8 and equal to or less than 3.0 in the grinding stone 37, It has become clear that by making Z greater than or equal to 1.2 and less than or equal to 2.0, both longevity improvement and reduction in machining load can be achieved.

또한, 전술한 실시형태 및 실시예에서는, 주로 연삭 지석(37)에 대해서 기재하고 있지만, 본 발명은, 마무리 연삭용 연삭 지석(47)에 이용하여도 좋다.In the above-described embodiments and examples, mainly the grinding stone 37 is described, but the present invention may be applied to the grinding stone 47 for finishing grinding.

10 : 연삭 장치 11 : 제1 카세트
12 : 제2 카세트 13 : 반출입 수단
15, 16 : 반송 수단 17∼19 : 척테이블
20 : 턴테이블 30, 40 : 연삭 수단
37 : 조연삭용 연삭 지석 47 : 마무리 연삭용 연삭 지석
W : 웨이퍼(피가공물)10: Grinding device 11: First cassette
12: second cassette 13: carry-in / out means
15, 16: conveying means 17 to 19: chuck table
20: Turntable 30, 40: Grinding means
37: Grinding stone for rough grinding 47: Grinding stone for finishing grinding
W: Wafer (workpiece)

Claims (4)

피가공물을 연삭하는 연삭 지석으로서,
상기 연삭 지석은 다이아몬드 지립과 붕소 화합물을 미리 정해진 체적비로 포함하고,
상기 다이아몬드 지립의 평균 입경 X는 3 ㎛≤X≤10 ㎛이며,
상기 붕소 화합물의 상기 다이아몬드 지립에 대한 평균 입경비 Z는 0.8≤Z≤3.0인 것을 특징으로 하는 연삭 지석.A grinding wheel for grinding a workpiece,
Wherein the grinding wheel comprises diamond abrasive grains and a boron compound at a predetermined volume ratio,
The average particle diameter X of the diamond abrasive grains is 3 占 퐉? X? 10 占 퐉,
Wherein an average particle diameter ratio Z of the boron compound to the diamond abrasive grains is 0.8? Z? 3.0. 제1항에 있어서,
상기 피가공물은 SiC 웨이퍼이고, 상기 평균 입경비 Z는 1.2≤Z≤2.0인 것인, 연삭 지석.The method according to claim 1,
Wherein the workpiece is a SiC wafer and the average mouth ratio Z is 1.2? Z? 2.0. 제1항에 있어서,
상기 다이아몬드 지립과 상기 붕소 화합물의 상기 미리 정해진 체적비는 1:1∼1:3인 것인, 연삭 지석.The method according to claim 1,
Wherein the predetermined volume ratio of the diamond abrasive to the boron compound is 1: 1 to 1: 3. 제1항에 있어서,
상기 붕소 화합물은, 탄화붕소, 입방정 질화붕소(CBN) 및 육방정 질화붕소(HBN)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 연삭 지석.The method according to claim 1,
Wherein the boron compound is selected from the group consisting of boron carbide, cubic boron nitride (CBN), and hexagonal boron nitride (HBN).
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