JP2006224201A - Grinding wheel - Google Patents

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臣之典 関家
Setsuo Yamamoto
節男 山本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a grinding wheel provided with a plurality of grinding wheel segments composed of a vitrified bond grinding wheel capable of preventing the occurrence of chipping even if the grinding wheel has high porosity. <P>SOLUTION: The grinding wheel is provided with a grinding wheel base 431 and a plurality of the grinding wheel segments 432 arranged on a prescribed circumference centering around the rotational axial center of the grinding wheel base on the grinding wheel mounting face of the grinding wheel base. The grinding wheel segment is composed of the vitrified bond grinding wheel formed by bonding super-abrasive grains with a vitrified bond and provided with innumerable pores. The front end face 432e, which specifies the front face in the rotational direction of the grinding wheel base, of the grinding wheel segment is formed into a convex curved face. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、超砥粒をビトリファイドボンドで結合したビトリファイドボンド砥石からなる複数の砥石セグメントを備えた研削ホイールに関する。   The present invention relates to a grinding wheel including a plurality of grindstone segments made of a vitrified bond grindstone in which superabrasive grains are bonded by vitrified bond.

当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、IC、LSI等の回路が複数個形成された半導体ウエーハは、個々のチップに分割される前にその裏面を研削装置によって研削して所定の厚さに形成されている。半導体ウエーハの裏面を効率的に研削するために、一般に粗研削ユニットと仕上げ研削ユニットを備えた研削装置が用いられている。粗研削ユニットには比較的粒径が大きいダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドまたはメタルボンドで結合したビトリファイドボンド砥石またはメタルボンド砥石が用いられ、仕上げ研削ユニットには粒径が小さいダイヤモンド砥粒をレジンボンドで結合したレジンボンド砥石が用いられている。   As is well known to those skilled in the art, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer in which a plurality of circuits such as ICs and LSIs are formed is ground by a grinding device on the back surface before being divided into individual chips. It is formed in the thickness. In order to efficiently grind the back surface of a semiconductor wafer, a grinding apparatus having a rough grinding unit and a finish grinding unit is generally used. The rough grinding unit uses a vitrified bond or metal bond grindstone in which diamond grains with a relatively large particle diameter are bonded by vitrified bond or metal bond, and the finish grinding unit uses diamond bond grains with a small particle diameter by resin bond. A bonded resin bond grindstone is used.

ビトリファイドボンド砥石は、二酸化珪素などを主成分とするボンド材で砥粒を結合しているため砥粒保持力が強いので、研削能力が維持される反面、砥粒を強固に保持するため自生発刃作用が不十分であるという特性がある。一方、レジンボンド砥石は、柔軟なレジンボンド材で砥粒を結合しているため被加工物への当たりがソフトであるとともに、砥粒保持力が弱いので自生発刃作用が良好である。このような砥石の特性から、ビトリファイドボンド砥石は主に粗研削砥石として用いられ、レジンボンド砥石は主に仕上げ研削砥石として用いられている。   Vitrified bond grindstones are bonded with a silicon dioxide or other bond material, and the abrasive grains are bonded together, so the abrasive holding power is strong. There is a characteristic that the blade action is insufficient. On the other hand, the resin-bonded grindstone is soft against the workpiece because it is bonded with a soft resin-bonding material, and has a good abrasive action because of its weak abrasive holding power. Due to such characteristics of the grindstone, the vitrified bond grindstone is mainly used as a rough grinding grindstone, and the resin bond grindstone is mainly used as a finish grinding grindstone.

しかるに、レジンボンド砥石は上述したようにレジンボンド材が柔軟であるため、砥粒の粒径が2μm以下になると、研削中に砥粒がレジンボンドの内部に押し込まれて研削能力が低下し、研削焼けが発生する。従って、レジンボンド砥石は、粒径が4〜6μm(#2000)以上の砥粒を用いなければならず、微細な仕上げ研削が困難となる。   However, as described above, the resin bond grindstone is flexible in the resin bond material, and when the grain size of the abrasive grains is 2 μm or less, the abrasive grains are pushed into the resin bond during grinding, and the grinding ability is reduced. Grinding burn occurs. Therefore, the resin bond grindstone must use abrasive grains having a particle diameter of 4 to 6 μm (# 2000) or more, and fine finish grinding becomes difficult.

なお、ビトリファイドボンド砥石は上述したように砥粒保持力が強いので、0.5μm(#8000)以下の砥粒であっても研削中に砥粒がビトリファイドボンド内に押し込まれることがなく研削能力が維持される。しかしながら、ビトリファイドボンド砥石は、上述したようにビトリファイドボンドが砥粒を強固に保持するため自生発刃作用が不十分であり、研削面にスジ状の傷を生じさせるという問題がある。   Since the vitrified bond grindstone has a strong abrasive grain holding force as described above, even if the abrasive grain is 0.5 μm (# 8000) or less, the abrasive is not pushed into the vitrified bond during grinding. Is maintained. However, the vitrified bond grindstone has a problem in that the vitrified bond firmly holds the abrasive grains as described above, so that the self-generated blade action is insufficient, and a streak-like scratch is generated on the ground surface.

このような問題を解消するために、砥粒をビトリファイドボンドで結合された砥粒層に気孔を形成し自生発刃作用を良好にしたビトリファイドボンド砥石が提案されている。(例えば、特許文献1参照)
特開2003−136410号公報
In order to solve such a problem, a vitrified bond grindstone has been proposed in which pores are formed in an abrasive grain layer in which abrasive grains are bonded by vitrified bond to improve the self-sharpening action. (For example, see Patent Document 1)
JP 2003-136410 A

上記公報に開示されたビトリファイドボンド砥石は、砥粒をビトリファイドボンドで結合された砥粒層に形成される気孔が連続気孔である。従って、気孔率を高くすると砥石の強度が低下して所定の研削圧力を得ることができない。事実、上記公報に開示されたビトリファイドボンド砥石の気孔率は25〜45容量%であり、自生発刃作用が必ずしも良好とはいえない。   In the vitrified bond grindstone disclosed in the above publication, pores formed in an abrasive layer in which abrasive grains are bonded by vitrified bonds are continuous pores. Therefore, when the porosity is increased, the strength of the grindstone is lowered and a predetermined grinding pressure cannot be obtained. In fact, the vitrified bond grindstone disclosed in the above publication has a porosity of 25 to 45% by volume, and the spontaneous blade action is not necessarily good.

そこで、本出願人は、強度を確保して気孔率を高め、自生発刃作用を良好にするために、気孔率が75〜95容量%であるビトリファイドボンド砥石を特願2004−150003号として提案した。   Therefore, the present applicant has proposed a vitrified bond grindstone having a porosity of 75 to 95% by volume as Japanese Patent Application No. 2004-150003 in order to ensure strength, increase the porosity, and improve the self-generated blade action. did.

而して、上述したビトリファイドボンド砥石は、気孔率が75〜95容量%であることから、経時的に研削水の影響や研削抵抗等の外力の影響を受けて部分的に欠けが発生した。特に、ビトリファイドボンド砥石からなる複数の砥石セグメントを備えた研削ホイールの場合には、回転方向前端面と内側面および外側面との接続部において上記欠けの発生が顕著に現れる。この欠けた砥石の微砕粉が被加工物であるウエーハと砥石との間に挟まり、ウエーハの研磨面にスクラッチを生じさせるとともに、砥石の消耗を早めるという問題が生じた。   Thus, since the vitrified bond grindstone described above has a porosity of 75 to 95% by volume, chipping occurred partially due to the influence of external force such as grinding water and grinding resistance over time. In particular, in the case of a grinding wheel provided with a plurality of grindstone segments made of vitrified bond grindstones, the occurrence of the above-described chipping appears remarkably at the connecting portion between the front end surface in the rotational direction and the inner and outer surfaces. The chipped grindstone pulverized powder is sandwiched between the wafer, which is a workpiece, and the grindstone, causing scratches on the polished surface of the wafer and increasing the consumption of the grindstone.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、気孔率が高い砥石であっても欠けの発生を防止することができるビトリファイドボンド砥石からなる複数の砥石セグメントを備えた研削ホイールを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and the main technical problem thereof includes a plurality of grindstone segments made of a vitrified bond grindstone capable of preventing the occurrence of chipping even with a grindstone having a high porosity. It is to provide a grinding wheel.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、砥石基台と、該砥石基台の砥石装着面における該砥石基台の回転軸芯を中心とした所定の円周上に配設された複数の砥石セグメントとを具備し、該砥石セグメントが超砥粒をビトリファイドボンドで結合するとともに無数の気孔を備え、該気孔の気孔率が75〜95容量%であるビトリファイドボンド砥石からなっている研削ホイールにおいて、
該砥石セグメントは、該砥石基台の該砥石装着面側の面を規定する被装着面と、該被装着面と反対側の面を規定する研削作用面と、内周側の面を規定する内側面と、外周側の面を規定する外側面と、該砥石基台の回転方向前側の面を規定する前端面と、該前端面と反対側の面を規定する後端面とを有し、少なくとも該前端面が凸状の湾曲面に形成されている、
ことを特徴とする研削ホイールが提供される。
In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a grindstone base and a grindstone mounting surface of the grindstone base are arranged on a predetermined circumference centering on a rotation axis of the grindstone base. A plurality of grindstone segments, the grindstone segments are combined with superabrasive grains by vitrified bonds, and have countless pores, and the porosity of the pores is 75 to 95% by volume. In grinding wheel,
The grindstone segment defines a mounted surface that defines a surface on the grindstone mounting surface side of the grindstone base, a grinding action surface that defines a surface opposite to the mounted surface, and an inner peripheral surface. An inner surface, an outer surface that defines an outer peripheral surface, a front end surface that defines a front surface in the rotational direction of the grindstone base, and a rear end surface that defines a surface opposite to the front end surface; At least the front end surface is formed in a convex curved surface;
A grinding wheel is provided.

上記砥石セグメントは、上記後端面が凸状の湾曲面に形成されていることが望ましい。また、上記凸状の湾曲面は、円弧面であることが望ましい。更に、上記気孔は、独立気孔であることが望ましい。   As for the above-mentioned grindstone segment, it is desirable for the above-mentioned rear end surface to be formed in the convex curved surface. The convex curved surface is preferably an arc surface. Furthermore, the pores are preferably independent pores.

本発明による研削ホイールはビトリファイドボンド砥石からなる複数の砥石セグメントの前端面が凸状の湾曲面に形成されているので、研削抵抗が湾曲面によって緩和されるため、欠けが発生し難い。   In the grinding wheel according to the present invention, since the front end surfaces of a plurality of grindstone segments made of vitrified bond grindstones are formed on convex curved surfaces, the grinding resistance is relaxed by the curved surfaces, so that chipping hardly occurs.

以下、本発明に従って構成された研削ホイールの好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a grinding wheel constructed according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

図1には、本発明に従って構成された研削ホイールが装備された研削装置の斜視図が示されている。
図示の実施形態における研削装置は、略直方体状の装置ハウジング2を具備している。装置ハウジング2の図1において右上端には、静止支持板21が立設されている。この静止支持板21の内側面には、上下方向に延びる2対の案内レール22、22および23、23が設けられている。一方の案内レール22、22には荒研削手段としての荒研削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール23、23には仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット4が上下方向に移動可能に装着されている。
FIG. 1 shows a perspective view of a grinding apparatus equipped with a grinding wheel constructed in accordance with the present invention.
The grinding device in the illustrated embodiment includes a device housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape. A stationary support plate 21 is erected on the upper right end of the device housing 2 in FIG. Two pairs of guide rails 22, 22 and 23, 23 extending in the vertical direction are provided on the inner surface of the stationary support plate 21. A rough grinding unit 3 as rough grinding means is mounted on one guide rail 22, 22 so as to be movable in the vertical direction, and a finish grinding unit 4 as finish grinding means is vertically installed on the other guide rail 23, 23. It is mounted to move in the direction.

荒研削ユニット3は、ユニットハウジング31と、該ユニットハウジング31の下端に回転自在に装着されたホイールマウント32に装着された研削ホイール33と、該ユニットハウジング31の上端に装着されホイールマウント32を矢印32aで示す方向に回転せしめる電動モータ34と、ユニットハウジング31を装着した移動基台35とを具備している。研削ホイール33は、図2に示すように環状の砥石基台331と、該砥石基台331の下面に装着されたビトリファイドボンド砥石からなる複数の砥石セグメント332とによって構成されている。砥石基台331には雌ネジ穴331a形成されており、この雌ネジ穴331aにホイールマウント32を挿通して配設された締結ネジ333(図1参照)を螺合することにより、ホイールマウント32に装着される。砥石セグメント332は、粒径が略10μm程度のダイヤモンド砥粒を二酸化珪素を主成分とするビトリファイドボンドで結合して直方体に形成されている。なお、複数の砥石セグメント332は、砥石基台331の砥石装着面(下面)における砥石基台331の回転軸芯を中心とした所定の円周上に配設される。   The rough grinding unit 3 includes a unit housing 31, a grinding wheel 33 attached to a wheel mount 32 rotatably attached to the lower end of the unit housing 31, and a wheel mount 32 attached to the upper end of the unit housing 31 with an arrow. An electric motor 34 that rotates in the direction indicated by 32a and a moving base 35 on which the unit housing 31 is mounted are provided. As shown in FIG. 2, the grinding wheel 33 includes an annular grindstone base 331 and a plurality of grindstone segments 332 made of a vitrified bond grindstone mounted on the lower surface of the grindstone base 331. A female screw hole 331a is formed in the grindstone base 331, and a wheel mount 32 is inserted by screwing a fastening screw 333 (see FIG. 1) disposed through the wheel mount 32 into the female screw hole 331a. It is attached to. The grindstone segment 332 is formed in a rectangular parallelepiped shape by combining diamond abrasive grains having a particle size of approximately 10 μm with vitrified bonds mainly composed of silicon dioxide. The plurality of grindstone segments 332 are disposed on a predetermined circumference around the rotation axis of the grindstone base 331 on the grindstone mounting surface (lower surface) of the grindstone base 331.

上記移動基台35には被案内レール351、351が設けられており、この被案内レール351、351を上記静止支持板21に設けられた案内レール22、22に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニット3が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における荒研削ユニット3は、上記移動基台35を案内レール22、22に沿って移動させ研削ホイール33を研削送りする研削送り機構36を具備している。研削送り機構36は、上記静止支持板21に案内レール22、22と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド361と、該雄ねじロッド361を回転駆動するためのパルスモータ362と、上記移動基台35に装着され雄ねじロッド361と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ362によって雄ねじロッド361を正転および逆転駆動することにより、荒研削ユニット3を上下方向(後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向)に移動せしめる。   Guided rails 351 and 351 are provided on the moving base 35, and the guided rails 351 and 351 are movably fitted to the guide rails 22 and 22 provided on the stationary support plate 21. The rough grinding unit 3 is supported so as to be movable in the vertical direction. The rough grinding unit 3 in the form shown in the figure includes a grinding feed mechanism 36 that moves the moving base 35 along the guide rails 22 and 22 and feeds the grinding wheel 33 by grinding. The grinding feed mechanism 36 includes a male screw rod 361 that is disposed on the stationary support plate 21 in a vertical direction parallel to the guide rails 22 and 22 and is rotatably supported, and a pulse motor 362 for rotationally driving the male screw rod 361. And a female screw block (not shown) that is mounted on the moving base 35 and is screwed with the male screw rod 361. By driving the male screw rod 361 forward and reverse by a pulse motor 362, the rough grinding unit 3 is moved up and down. It is moved in the direction (direction perpendicular to the holding surface of the chuck table described later).

上記仕上げ研削ユニット4も荒研削ユニット3と同様に構成されており、ユニットハウジング41と、該ユニットハウジング41の下端に回転自在に装着されたホイールマウント42に装着された研削ホイール43と、該ユニットハウジング41の上端に装着されホイールマウント42を矢印42aで示す方向に回転せしめる電動モータ44と、ユニットハウジング41を装着した移動基台45とを具備している。研削ホイール43は、図3に示すように環状の砥石基台431と、該砥石基台431の砥石装着面(下面)に装着されたビトリファイドボンド砥石からなる複数の砥石セグメント432とによって構成されている。砥石基台431には雌ネジ穴431aが形成されており、この雌ネジ穴431aにホイールマウント42を挿通して配設された締結ネジ433(図1参照)を螺合することにより、ホイールマウント42に装着される。なお、複数の砥石セグメント432は、砥石基台431の砥石装着面(下面)における砥石基台431の回転軸芯を中心とした所定の円周上に配設される。   The finish grinding unit 4 is also configured in the same manner as the rough grinding unit 3, and includes a unit housing 41, a grinding wheel 43 attached to a wheel mount 42 rotatably attached to a lower end of the unit housing 41, and the unit. An electric motor 44 that is mounted on the upper end of the housing 41 and rotates the wheel mount 42 in the direction indicated by the arrow 42a, and a moving base 45 on which the unit housing 41 is mounted are provided. As shown in FIG. 3, the grinding wheel 43 includes an annular grindstone base 431 and a plurality of grindstone segments 432 made of a vitrified bond grindstone mounted on the grindstone mounting surface (lower surface) of the grindstone base 431. Yes. A female screw hole 431a is formed in the grindstone base 431, and by fastening a fastening screw 433 (see FIG. 1) disposed by inserting the wheel mount 42 into the female screw hole 431a, a wheel mount is obtained. 42 is attached. The plurality of grindstone segments 432 are arranged on a predetermined circumference around the rotation axis of the grindstone base 431 on the grindstone mounting surface (lower surface) of the grindstone base 431.

ここで、上記ビトリファイドボンド砥石からなるセグメント432について説明する。砥石セグメント432は、粒径が1μm以下のダイヤモンド砥粒を二酸化珪素を主成分とするビトリファイドボンドで結合して形成されているとともに、砥粒層に独立気孔を備えている。独立気孔を備えたビトリファイドボンド砥石を得るには、砥粒とビトリファイドボンド材と発泡剤と有機物粒子とを混錬して造粒し顆粒物を生成し、この顆粒物を成型用の金型に充填して所定の形状に加圧成型し、この成型物を焼成炉で焼成することにより、独立気孔を備えたビトリファイドボンド砥石が得られる。即ち、上記成型物を焼成する過程で有機物粒子が焼失し、その周りを取り囲んでいるビトリファイドボンドとダイヤモンド砥粒と発泡剤が有機物粒子が焼失した空間にハニカム構造体を作り、連通しない独立した気孔を形成する。なお、独立気孔の気孔率は70〜95容積%であることが望ましい。このように、気孔率が70〜95容積%の独立気孔を有するビトリファイドボンド砥石を構成することにより、自生発刃作用が良好で研削性に優れているとともに、その強度を確保することができる。   Here, the segment 432 made of the vitrified bond grindstone will be described. The grindstone segment 432 is formed by bonding diamond abrasive grains having a grain size of 1 μm or less with vitrified bonds containing silicon dioxide as a main component, and has independent pores in the abrasive grain layer. In order to obtain a vitrified bond grindstone with independent pores, the abrasive grains, vitrified bond material, foaming agent and organic particles are kneaded and granulated to form granules, which are filled in a mold for molding. Then, a vitrified bond grindstone having independent pores can be obtained by press-molding into a predetermined shape and firing the molded product in a firing furnace. That is, the organic particles are burned out in the process of firing the molded product, and the honeycomb structure is formed in a space where the organic particles are burned out by vitrified bonds, diamond abrasive grains, and the foaming agent surrounding the organic particles. Form. The porosity of the independent pores is preferably 70 to 95% by volume. Thus, by comprising a vitrified bond grindstone having independent pores with a porosity of 70 to 95% by volume, the self-generated blade action is good, the grindability is excellent, and the strength can be ensured.

上記砥石セグメント432は、砥石基台431の砥石装着面(下面)側の面を規定する被装着面432aと、該被装着面432aと反対側の面を規定する研削作用面432bと、内周側の面を規定する内側面432cと、外周側の面を規定する外側面432dと、砥石基台431の回転方向430に対して前側の面を規定する前端面432eと、該前端面432eと反対側の面(回転方向430に対して後側の面)を規定する後端面432fとを有している。そして、図示の実施形態においては、前端面432eと後端面432fが凸状の湾曲面、更に具体的には円弧面に形成されている。なお、砥石セグメント432の前端面432eと後端面432fは、図4に示すように内側面432cおよび外側面432dと交わる部分に面取り432g、432gおよび432h、432hを施して凸状の湾曲面に形成してもよい。   The grindstone segment 432 includes a mounted surface 432a that defines a surface on the grindstone mounting surface (lower surface) side of the grindstone base 431, a grinding action surface 432b that defines a surface opposite to the mounted surface 432a, and an inner circumference. An inner side surface 432c that defines the side surface, an outer side surface 432d that defines the outer side surface, a front end surface 432e that defines the front side surface relative to the rotational direction 430 of the grindstone base 431, and the front end surface 432e, And a rear end surface 432f that defines an opposite surface (a surface on the rear side with respect to the rotation direction 430). In the illustrated embodiment, the front end surface 432e and the rear end surface 432f are formed as convex curved surfaces, more specifically, arcuate surfaces. The front end surface 432e and the rear end surface 432f of the grindstone segment 432 are formed into convex curved surfaces by chamfering 432g, 432g, 432h, and 432h at portions that intersect the inner side surface 432c and the outer side surface 432d as shown in FIG. May be.

上述したように構成されたビトリファイドボンド砥石からなる複数の砥石セグメント432は、その被装着面432a側を図5に示すように砥石基台431の砥石装着面(下面)における砥石基台431の回転軸芯を中心とした所定の円周上に設けられた環状の凹部431bに嵌合する。このとき砥石セグメント432は、被固定面432aと凹部431bとの間に接着剤を介在することにより、砥石基台431の砥石装着面(下面)に固着する。   The plurality of grindstone segments 432 made of the vitrified bond grindstone configured as described above rotate the grindstone base 431 on the grindstone mounting surface (lower surface) of the grindstone base 431 as shown in FIG. It fits into an annular recess 431b provided on a predetermined circumference centered on the shaft core. At this time, the grindstone segment 432 is fixed to the grindstone mounting surface (lower surface) of the grindstone base 431 by interposing an adhesive between the fixed surface 432a and the recess 431b.

図1に戻って説明を続けると、上記移動基台45には被案内レール451、451が設けられており、この被案内レール451、451を上記静止支持板21に設けられた案内レール23、23に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユニット4が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における仕上げ研削ユニット4は、上記移動基台45を案内レール23、23に沿って移動させ研削ホイール43を研削送りする送り機構46を具備している。送り機構46は、上記静止支持板21に案内レール23、23と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド461と、該雄ねじロッド461を回転駆動するためのパルスモータ462と、上記移動基台45に装着され雄ねじロッド461と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ462によって雄ねじロッド461を正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニット4を上下方向(後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向)に移動せしめる。   Returning to FIG. 1, the description will be continued. Guided rails 451, 451 are provided on the moving base 45, and the guided rails 451, 451 are provided on the guide rails 23, provided on the stationary support plate 21, The finish grinding unit 4 is supported so as to be movable in the vertical direction. The finish grinding unit 4 in the illustrated form includes a feed mechanism 46 that moves the moving base 45 along the guide rails 23 and 23 and feeds the grinding wheel 43 by grinding. The feed mechanism 46 includes a male screw rod 461 that is disposed on the stationary support plate 21 in parallel with the guide rails 23 and 23 in a vertical direction and is rotatably supported, and a pulse motor 462 for rotationally driving the male screw rod 461. , A female screw block (not shown) mounted on the moving base 45 and screwed with the male screw rod 461 is provided, and the male screw rod 461 is driven forward and reverse by a pulse motor 462 to move the finish grinding unit 4 in the vertical direction. It is moved in a direction (perpendicular to the holding surface of the chuck table described later).

図示の実施形態における研削装置は、上記静止支持板21の前側において装置ハウジング2の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル5を具備している。このターンテーブル5は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印5aで示す方向に適宜回転せしめられる。ターンテーブル5には、図示の実施形態の場合それぞれ120度の位相角をもって3個のチャックテーブル6が水平面内で回転可能に配置されている。このチャックテーブル6は、円盤状の基台61とポーラスセラミック材によって円盤状に形成され吸着保持チャック62とからなっており、吸着保持チャック62上(保持面)に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル6は、図1に示すように図示しない回転駆動機構によって矢印6aで示す方向に回転せしめられる。ターンテーブル5に配設された3個のチャックテーブル6は、ターンテーブル5が適宜回転することにより被加工物搬入・搬出域A、荒研削加工域B、および仕上げ研削加工域Cおよび被加工物搬入・搬出域Aに順次移動せしめられる。   The grinding apparatus in the illustrated embodiment includes a turntable 5 disposed so as to be substantially flush with the upper surface of the apparatus housing 2 on the front side of the stationary support plate 21. The turntable 5 is formed in a relatively large-diameter disk shape, and is appropriately rotated in a direction indicated by an arrow 5a by a rotation driving mechanism (not shown). In the illustrated embodiment, three chuck tables 6 are arranged on the turntable 5 so as to be rotatable in a horizontal plane with a phase angle of 120 degrees. The chuck table 6 includes a disk-shaped base 61 and a suction holding chuck 62 formed in a disk shape by a porous ceramic material, and a workpiece placed on the suction holding chuck 62 (holding surface). Suction is held by operating a suction means (not shown). The chuck table 6 configured as described above is rotated in a direction indicated by an arrow 6a by a rotation driving mechanism (not shown) as shown in FIG. The three chuck tables 6 arranged on the turntable 5 have a workpiece loading / unloading zone A, a rough grinding zone B, a finish grinding zone C, and a workpiece by appropriately rotating the turntable 5. It is sequentially moved to the loading / unloading area A.

図示の研削装置は、被加工物搬入・搬出域Aに対して一方側に配設され研削加工前の被加工物である半導体ウエーハをストックする第1のカセット7と、被加工物搬入・搬出域Aに対して他方側に配設され研削加工後の被加工物である半導体ウエーハをストックする第2のカセット8と、第1のカセット7と被加工物搬入・搬出域Aとの間に配設され被加工物の中心合わせを行う中心合わせ手段9と、被加工物搬入・搬出域Aと第2のカセット8との間に配設されたスピンナー洗浄手段11と、第1のカセット7内に収納された被加工物である半導体ウエーハを中心合わせ手段9に搬出するとともにスピンナー洗浄手段11で洗浄された半導体ウエーハを第2のカセット8に搬送する被加工物搬送手段12と、中心合わせ手段9上に載置され中心合わせされた半導体ウエーハを被加工物搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル6上に搬送する被加工物搬入手段13と、被加工物搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル6上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハを洗浄手段11に搬送する被加工物搬出手段14を具備している。なお、上記第1のカセット7には、半導体ウエーハ15が表面に保護テープ16が貼着された状態で複数枚収容される。このとき、半導体ウエーハ15は、裏面15bを上側にして収容される。   The illustrated grinding apparatus includes a first cassette 7 that is disposed on one side with respect to a workpiece loading / unloading area A and stocks a semiconductor wafer that is a workpiece before grinding, and a workpiece loading / unloading. Between the second cassette 8 which is disposed on the other side with respect to the area A and stocks the semiconductor wafer which is the workpiece after grinding, and between the first cassette 7 and the workpiece loading / unloading area A Centering means 9 for centering the workpiece to be disposed, a spinner cleaning means 11 disposed between the workpiece loading / unloading area A and the second cassette 8, and a first cassette 7 Workpiece transporting means 12 for transporting the semiconductor wafer, which is a work piece contained in the semiconductor wafer, to the centering means 9 and transporting the semiconductor wafer cleaned by the spinner cleaning means 11 to the second cassette 8, and centering Placed on means 9 Workpiece loading means 13 for transporting the aligned semiconductor wafer onto the chuck table 6 positioned in the workpiece loading / unloading area A, and on the chuck table 6 positioned in the workpiece loading / unloading area A A workpiece unloading means 14 for conveying the ground semiconductor wafer placed on the cleaning means 11 to the cleaning means 11 is provided. Note that a plurality of semiconductor wafers 15 are accommodated in the first cassette 7 with the protective tape 16 attached to the surface. At this time, the semiconductor wafer 15 is accommodated with the back surface 15b facing upward.

図示の実施形態における研削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
第1のカセット7に収容された研削加工前の被加工物である半導体ウエーハ15は被加工物搬送手段12の上下動作および進退動作により搬送され、中心合わせ手段9に載置され6本のピン91の中心に向かう径方向運動により中心合わせされる。中心合わせ手段9に載置され中心合わせされた半導体ウエーハ15は、被加工物搬入手段14の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル6の吸着保持チャック62上に載置される。そして、図示しない吸引手段を作動して、半導体ウエーハ15を吸着保持チャック62上に吸引保持する。次に、ターンテーブル5を図示しない回転駆動機構によって矢印5aで示す方向に120度回動せしめて、半導体ウエーハを載置したチャックテーブル6を荒研削加工域Bに位置付ける。
The grinding apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
A semiconductor wafer 15 which is a workpiece before grinding, which is accommodated in the first cassette 7, is conveyed by the vertical movement and advancing / retreating operation of the workpiece conveyance means 12, placed on the centering means 9 and six pins. Centered by radial movement toward the center of 91. The semiconductor wafer 15 placed and centered on the centering means 9 is placed on the suction holding chuck 62 of the chuck table 6 positioned in the workpiece loading / unloading area A by the turning operation of the workpiece loading means 14. Placed. Then, a suction means (not shown) is operated to suck and hold the semiconductor wafer 15 on the suction holding chuck 62. Next, the turntable 5 is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 5a by a rotation drive mechanism (not shown), and the chuck table 6 on which the semiconductor wafer is placed is positioned in the rough grinding area B.

半導体ウエーハ15を保持したチャックテーブル6は、荒研削加工域Bに位置付けられると図示しない回転駆動機構によって矢印6aで示す方向に回転せしめられる。一方、荒研削ユニット3の研削ホイール33は、矢印32aで示す方向に回転せしめられつつ研削送り機構36によって所定量下降する。この結果、チャックテーブル6上の半導体ウエーハ15の裏面15bに荒研削加工が施される。なお、この間に被加工物搬入・搬出域Aに位置付けられた次のチャックテーブル6上には、上述したように研削加工前の半導体ウエーハ15が載置される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ15をチャックテーブル6上に吸引保持する。次に、ターンテーブル5を矢印5aで示す方向に120度回動せしめて、荒研削加工された半導体ウエーハ15を保持しているチャックテーブル6を仕上げ研削加工域Cに位置付け、研削加工前の半導体ウエーハ15を保持したチャックテーブル6を荒研削加工域Bに位置付ける。   When the chuck table 6 holding the semiconductor wafer 15 is positioned in the rough grinding region B, the chuck table 6 is rotated in a direction indicated by an arrow 6a by a rotation driving mechanism (not shown). On the other hand, the grinding wheel 33 of the rough grinding unit 3 is lowered by a predetermined amount by the grinding feed mechanism 36 while being rotated in the direction indicated by the arrow 32a. As a result, rough grinding is performed on the back surface 15 b of the semiconductor wafer 15 on the chuck table 6. During this time, the semiconductor wafer 15 before grinding is placed on the next chuck table 6 positioned in the work carry-in / out area A as described above. Then, the semiconductor wafer 15 is sucked and held on the chuck table 6 by operating a suction means (not shown). Next, the turntable 5 is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 5a, the chuck table 6 holding the semiconductor wafer 15 subjected to rough grinding is positioned in the finish grinding region C, and the semiconductor before grinding is processed. The chuck table 6 holding the wafer 15 is positioned in the rough grinding area B.

このようにして、荒研削加工域Bに位置付けられたチャックテーブル6上に保持された荒研削加工前の半導体ウエーハ15の裏面15bには荒研削ユニット3によって荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Cに位置付けられたチャックテーブル6上に載置され荒研削加工された半導体ウエーハ15の裏面15bには仕上げ研削ユニット4によって仕上げ研削加工が施される。なお、荒研削加工時および仕上げ研削加工時においては、研削ホイール33の砥石セグメント332および研削ホイール43の砥石セグメント432には研削水が供給される。次に、ターンテーブル5を矢印5aで示す方向に120度回動せしめて、仕上げ研削加工した半導体ウエーハ15を保持したチャックテーブル6を被加工物搬入・搬出域Aに位置付ける。なお、荒研削加工域Bにおいて荒研削加工された半導体ウエーハ15を保持したチャックテーブル6は仕上げ研削加工域Cに、被加工物搬入・搬出域Aにおいて研削加工前の半導体ウエーハ15を保持したチャックテーブル6は荒研削加工域Bにそれぞれ移動せしめられる。   In this manner, the rough grinding unit 3 performs the rough grinding on the back surface 15b of the semiconductor wafer 15 before the rough grinding, which is held on the chuck table 6 positioned in the rough grinding region B, and finish grinding. The back surface 15b of the semiconductor wafer 15 placed on the chuck table 6 positioned in the region C and subjected to rough grinding is subjected to finish grinding by the finish grinding unit 4. During rough grinding and finish grinding, grinding water is supplied to the grindstone segment 332 of the grinding wheel 33 and the grindstone segment 432 of the grinding wheel 43. Next, the turntable 5 is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 5a, and the chuck table 6 holding the semiconductor wafer 15 subjected to finish grinding is positioned in the workpiece loading / unloading area A. The chuck table 6 holding the semiconductor wafer 15 subjected to rough grinding in the rough grinding region B is held in the finish grinding region C, and the chuck holding the semiconductor wafer 15 before grinding in the workpiece loading / unloading region A. The table 6 is moved to the rough grinding area B, respectively.

なお、荒研削加工域Bおよび仕上げ研削加工域Cを経由して被加工物搬入・搬出域Aに戻ったチャックテーブル6は、ここで仕上げ研削加工された半導体ウエーハ15の吸着保持を解除する。そして、被加工物搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル6上の仕上げ研削加工された半導体ウエーハ15は、被加工物搬出手段14によってスピンナー洗浄手段11に搬出される。スピンナー洗浄手段11に搬送された半導体ウエーハ15は、ここで裏面15a(研削面)および側面に付着している研削屑が洗浄除去されるとともに、スピン乾燥される。このようにして洗浄およびスピン乾燥された半導体ウエーハ15は、被加工物搬送手段12によって第2のカセット8に搬送され収納される。   The chuck table 6 that has returned to the workpiece loading / unloading zone A via the rough grinding zone B and the finish grinding zone C releases the suction holding of the semiconductor wafer 15 that has been ground here. Then, the finish-ground semiconductor wafer 15 on the chuck table 6 positioned in the workpiece carry-in / carry-out area A is carried out to the spinner cleaning means 11 by the workpiece carry-out means 14. The semiconductor wafer 15 transported to the spinner cleaning means 11 is spin-dried while the grinding debris adhering to the back surface 15a (grinding surface) and the side surface is cleaned and removed. The semiconductor wafer 15 thus cleaned and spin-dried is transported and stored in the second cassette 8 by the workpiece transport means 12.

上述した仕上げ研削加工時には図5に示すように研削ホイール43の砥石基台431に設けられた切削水供給通路431cを通して砥石セグメント432に矢印で示すように切削水が供給されるが、砥石セグメント432はビトリファイドボンド砥石からなり気孔率が70〜95容積%と非常に高いことから、切削水の影響や研削抵抗等の外力の影響を受けて部分的に欠けが発生し易い。しかるに、図示の実施形態におけるビトリファイドボンド砥石からなる砥石セグメント432は、図3に示すように前端面432eと後端面432fが円弧面に形成され、また図3に示すように前端面432eと後端面432fが内側面432cおよび外側面432dと交わる部分に面取り432g、432gおよび432h、432hを施して凸状の湾曲面に形成されているので、切削抵抗が緩和されるため、欠けが発生し難い。なお、切削時においては、砥石セグメント432の前端面432eに作用する切削抵抗が大きいので、少なくとも前端面432eを凸状の湾曲面に形成する必要がある。   At the time of the above-described finish grinding, as shown in FIG. 5, the cutting water is supplied to the grindstone segment 432 through the cutting water supply passage 431c provided in the grindstone base 431 of the grinding wheel 43 as indicated by the arrow. Is made of vitrified bond grindstone and has a very high porosity of 70 to 95% by volume. Therefore, chipping is likely to occur partially due to the influence of cutting water and external forces such as grinding resistance. However, the grindstone segment 432 made of the vitrified bond grindstone in the illustrated embodiment has a front end face 432e and a rear end face 432f formed in an arcuate surface as shown in FIG. 3, and a front end face 432e and a rear end face as shown in FIG. Since portions 432f intersect with the inner side surface 432c and the outer side surface 432d are chamfered 432g, 432g, 432h, and 432h to form a convex curved surface, the cutting resistance is alleviated, so that chipping is unlikely to occur. At the time of cutting, since the cutting resistance acting on the front end surface 432e of the grindstone segment 432 is large, at least the front end surface 432e needs to be formed in a convex curved surface.

本発明に従って構成された研削ホイールが装備された研削装置の斜視図。1 is a perspective view of a grinding apparatus equipped with a grinding wheel constructed according to the present invention. 図1に示す研削装置に装備される荒研削ユニットを構成する研削ホイールの斜視図。The perspective view of the grinding wheel which comprises the rough grinding unit with which the grinding apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 本発明に従って構成された研削ホイールの一実施形態を示す斜視図。1 is a perspective view showing one embodiment of a grinding wheel constructed according to the present invention. 本発明に従って構成された研削ホイールを構成する砥石セグメントの他の実施形態を示す斜視図。The perspective view which shows other embodiment of the grindstone segment which comprises the grinding wheel comprised according to this invention. 図3に示す研削ホイールの要部を拡大して示す断面図。Sectional drawing which expands and shows the principal part of the grinding wheel shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

2:装置ハウジング
3:荒研削ユニット
33:研削ホイール
332:砥石セグメント
4:仕上げ研削ユニット
43:研削ホイール
432:砥石セグメント
5:ターンテーブル
6:チャックテーブル
7:第1のカセット
8:第2のカセット
9:中心合わせ手段
11:スピンナー洗浄手段
12:被加工物搬送手段
13:被加工物搬入手段
14:被加工物搬出手段
15:半導体ウエーハ
2: Equipment housing 3: Rough grinding unit 33: Grinding wheel 332: Whetstone segment
4: Finish grinding unit 43: Grinding wheel 432: Grinding wheel segment 5: Turntable 6: Chuck table 7: First cassette 8: Second cassette 9: Centering means 11: Spinner cleaning means 12: Workpiece conveying means 13: Workpiece carry-in means 14: Workpiece carry-out means 15: Semiconductor wafer

Claims (4)

砥石基台と、該砥石基台の砥石装着面における該砥石基台の回転軸芯を中心とした所定の円周上に配設された複数の砥石セグメントとを具備し、該砥石セグメントが超砥粒をビトリファイドボンドで結合するとともに無数の気孔を備え、該気孔の気孔率が75〜95容量%であるビトリファイドボンド砥石からなっている研削ホイールにおいて、
該砥石セグメントは、該砥石基台の該砥石装着面側の面を規定する被装着面と、該被装着面と反対側の面を規定する研削作用面と、内周側の面を規定する内側面と、外周側の面を規定する外側面と、該砥石基台の回転方向前側の面を規定する前端面と、該前端面と反対側の面を規定する後端面とを有し、少なくとも該前端面が凸状の湾曲面に形成されている、
ことを特徴とする研削ホイール。
A grindstone base and a plurality of grindstone segments arranged on a predetermined circumference centering on a rotation axis of the grindstone base on a grindstone mounting surface of the grindstone base, the grindstone segment being super In a grinding wheel composed of a vitrified bond grindstone in which abrasive grains are bonded with vitrified bonds and provided with innumerable pores, and the porosity of the pores is 75 to 95 vol%.
The grindstone segment defines a mounted surface that defines a surface on the grindstone mounting surface side of the grindstone base, a grinding action surface that defines a surface opposite to the mounted surface, and an inner peripheral surface. An inner surface, an outer surface that defines an outer peripheral surface, a front end surface that defines a front surface in the rotational direction of the grindstone base, and a rear end surface that defines a surface opposite to the front end surface; At least the front end surface is formed in a convex curved surface;
A grinding wheel characterized by that.
該砥石セグメントは、該後端面が凸状の湾曲面に形成されている、請求項1記載の研削ホイール。   The grinding wheel according to claim 1, wherein the rear end surface of the grindstone segment is formed into a convex curved surface. 該凸状の湾曲面は、円弧面である、請求項1又は2記載の研削ホイール。   The grinding wheel according to claim 1, wherein the convex curved surface is an arc surface. 該気孔は、独立気孔からなっている、請求項1から3のいずれかに記載のビトリファイドボンド砥石。   The vitrified bond grindstone according to any one of claims 1 to 3, wherein the pores are independent pores.
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