KR20160140511A - 반사형 포토마스크와 반사형 마스크 블랭크 - Google Patents

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KR20160140511A
KR20160140511A KR1020160065936A KR20160065936A KR20160140511A KR 20160140511 A KR20160140511 A KR 20160140511A KR 1020160065936 A KR1020160065936 A KR 1020160065936A KR 20160065936 A KR20160065936 A KR 20160065936A KR 20160140511 A KR20160140511 A KR 20160140511A
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auxiliary
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KR1020160065936A
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마르쿠스 벤데르
토르스덴 쉐델
Original Assignee
어드밴스드 마스크 테크놀로지 센터 게엠바하 운트 코 카게
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Abstract

반사형 포토마스크는 저 열팽창 물질의 기판 층(115)을 구비하는 기판(110)을 포함한다. 기판 층(115)은 저 열팽창 물질의, 제1 구조적 구성의 본체 부위(112)와 제2 구조적 구성의 보조 부위(111)를 포함한다. 보조 부위(111)는 기판(110)의 패턴부(211)를 둘러싸는 프레임부(220) 내에 형성된다. 다층 거울(125)은 기판(110)의 제1 표면상에 형성된다. 다층 거울(125)의 반사율은 15nm 이하의 노광 파장에서 적어도 50%이다. 다층 거울(125)을 관통하여 연장하는 프레임 트렌치(310)는 프레임부(220)에서 기판(110)을 노출시킨다. 보조 부위(111)는 대역 외 방사를 위하여 산란 중심을 포함할 수 있다.

Description

반사형 포토마스크와 반사형 마스크 블랭크{REFLECTIVE PHOTOMASK AND REFLECTION-TYPE MASK BLANK}
본 발명은 반사형 포토마스크와 반사형 마스크 블랭크에 관한 것이다.
극자외선 리소그래피(Extreme Ultraviolet Lithography, EUVL)는 일반적으로 약 13.5nm의 노광 파장의 광을 이용하고, 20nm 미만의 해상도를 가진 반도체 마이크로 전자장치의 대량 생산을 위한 가장 유망한 차세대 리소그래피 기술이다. 극자외선 리소그래피는 반사광학과 다층 거울을 포함하는 반사형 포토마스크에 기초한다. 노광 중에, 이미지 패턴 밖의 포토마스크의 부분으로부터 반사되는 빛은 이미지 패턴이 투영되는, 또한 추가적인 노출 단계를 위해 지정된 목표 기판 위의 조사 영역과 인접하는 영역으로 이탈할 수 있다. 일반적으로, 블랙보더(black border)나 쉐도우 프레임(shadow frame)은 목표 기판 위의, 이미지 패턴 밖의 포토마스크의 부분에서 이후 또는 이전의 노출 단계를 위하여 지정된 조사 영역으로 반사되는 노출 광의 누출을 억제한다.
반사형 포토마스크의 노광 특성을 더욱 개선하는 것이 실시예들의 목적이다.
상기 목적은 독립항들의 주제 사항을 통하여 달성된다. 종속항들은 추가의 실시예들을 나타낸다.
일 실시예에 따르면, 반사형 포토마스트는 저 열팽창 물질의 기판 층을 포함하는 기판을 포함한다. 상기 기판 층은 저 열팽창 물질의, 제1 구조적 구성의 본체 부위와 제2 구조적 구성의 보조 부위를 포함한다. 보조 부위는 기판의 패턴부를 둘러싸는 프레임부 내에 형성된다. 다층의 거울이 상기 기판의 제1 표면 위에 형성된다. 15nm 이하의 노광 파장에서 다층 거울의 반사율은 적어도 50%이다. 프레임 트렌치는 다층 거울을 관통하여 연장하고 프레임부에서 상기 기판을 노출한다.
또 다른 실시예에 따르면, 반사형 마스크 블랭크는 저 열팽창 물질의 기판 층을 포함하는 기판을 포함한다. 상기 기판 층은 저 열팽창 물질의, 제1 구조적 구성의 본체 부위와, 제2 구조적 구성의 보조 부위를 포함한다. 보조 부위는 기판의 패턴부를 둘러싸는 프레임부 내에 형성된다. 다층의 거울이 상기 기판의 제1 표면 위에 형성된다. 15nm 이하의 노광 파장에서 다층 거울의 반사율은 적어도 50%이다.
당업자는 다음의 상세한 설명을 읽음에 따라, 또한 첨부한 도면을 봄에 따라 추가적인 특징과 이점을 인식할 것이다.
패턴부와 모서리부 사이의 반사형 다층 구조에서 프레임 트렌치는 국소적으로 조사 파장에 대하여 반사율을 감소시키고, 필드 가장자리를 따라 노광 파장 범위에서의 화학선 미광의 효과를 약화시킨다.
또한 대역 외 파장 범위에서 효과적인 산란 중심을 도입하여 대역 외 파장 범위에서의 대역 외 방사선에 대한, 프레임부에서의 반사율을 현저하게 감소시킨다.
이렇게 대역 외 미광을 억제하는 것으로 포토마스크의 영사 품질을 개선한다.
도 1A는 일 실시예에 따른, 저 열팽창 물질의 국소적으로 수정된 기판 층을 가진 반사형 포토마스크의 도식적인 평면도이다.
도 1B는 B-B선을 따라 도 1A의 반사형 포토마스크의 일부분을 관통하는 도식적인 수직 단면도이다.
도 2A는 실시예들의 배경을 논의하기 위한, 반사형 포토리소그래피를 사용하는 포토리소그래피 장치에서의 광 경로의 일부분을 보여주는 도식적인 그림이다.
도 2B는 실시예들의 효과를 이해하기에 유용한 배경을 논의하기 위한, 도 2A의 포토리소그래피 장치에 의해 조사된 목표 기판 위의 네 개의 조사 영역에 대한 도식적인 평면도이다.
도 2C는 실시예들의 효과를 이해하기에 유용한 배경을 논의하기 위한, 도 2A의 포토리소그래피 장치에 의해 조사된 조사 영역들의 임계 치수 상의 미광의 영향을 나타내는 도식적인 그림이다.
도 3A는 실시예들의 효과를 논의하기 위한, 균일한 기판 층에 기초하는 포토마스크의 프레임 트렌치의 도식적인 단면도이다.
도 3B는 일 실시예에 따른, 산란 중심을 포함하는 기판 층에 기초하는 포토마스크의 프레임 트렌치의 도식적인 단면도이다.
도 4는 실시예들의 효과를 이해하기에 유용한 배경을 논하기 위한, 저 열팽창 물질의 대역 외 반사율을 보여주는 도식적인 그림이다.
도 5A는 또 다른 실시예에 따른, 저 열팽창 물질의 국소적으로 수정된 기판 층과 추가적인 보조 층들을 가진 반사형 포토마스크의 도식적인 평면도이다.
도 5B는 B-B선을 따라 도 5A의 반사형 포토마스크의 일부분을 관통하는 도식적인 수직 단면도이다.
도 6A는 흡수체 층이 없는 위상 변이 마스크를 나타내는 일 실시예에 따른 반사형 포토마스크의 일측을 관통하는 도식적인 수직 단면도이다.
도 6B는 흡수체 층을 가진 위상 변이 마스크를 나타내는 일 실시예에 따른 반사형 포토마스크의 일측을 관통하는 도식적인 수직 단면도이다.
도 7A는 추가적인 실시예에 따른 반사형 마스크 블랭크의 도식적인 평면도이다.
도 7B는 B-B선을 따르는 도 7A의 반사형 마스크 블랭크의 일부분의 도식적인 수직 단면도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 반사형 마스크 블랭크와 추가적인 보조 층들의 일부분의 도식적인 수직 단면도이다.
도 9는 위상 변이 반사형 포토마스크를 위한 마스크 블랭크들을 나타내는 일 실시예에 따른 반사형 마스크 블랭크와 추가적인 보조 층들의 일부분의 도식적인 수직 단면도이다.
첨부한 도면들은 본 발명에 대한 추가적인 이해를 제공하기 위하여 포함되었으며, 본 명세서에 통합되어 그 일부를 구성한다. 도면들은 본 발명의 실시예들을 나타내고, 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 역할을 한다. 본 발명의 다른 실시예들과 의도된 이점들은 다음의 상세한 설명에 대한 참조에 의하여 더욱 이해되면서 쉽게 인정될 것이다.
다음의 상세한 설명에서, 그 일부를 이루면서, 그리고 본 발명이 실시되는 구체적인 실시예들을 도시하는 방법으로서 보여지는, 첨부하는 도면들에 의해 참조가 이루어진다. 다른 실시예들도 이용될 수 있으며, 그리고 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않으면서 구조적, 논리적 변경이 만들어질 수 있다고 이해되어야 한다. 예를 들어, 하나의 실시예를 위하여 도시되거나 설명된 특징들은 또 다른 실시예를 산출하기 위하여, 다른 실시예들에서 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 본 발명은 이러한 변형과 변경을 포함하는 것으로 의도되었다. 특정 언어를 사용하여 예시들이 설명되었으며, 이는 첨부된 청구항들의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 도면들은 크기 조정되지 않았으며, 오로지 설명의 목적을 위함이다. 명확성을 위하여, 다르게 언급되지 않는다면, 동일한 요소들은 다른 도면들에서 일치하는 참조로 지정되었다.
“가지는”, “함유하는”, “포함하는”, “구성하는”의 용어들과 그와 유사한 것들은 열려 있으며, 그 용어들은 명시된 구조들, 요소들 또는 특징들의 존재를 나타내지만 추가적인 요소들이나 특징들을 배제하지는 않는다. 문맥이 명확하게 다르게 나타내지 않는다면 각종 관사들은 단수뿐만 아니라 복수를 포함하는 것으로 의도된다.
도 1A와 1B는 15nm 이하의, 예를 들어 1nm 내지 15nm의 범위의 노광 파장을 위한 반사형 포토마스크(200)을 보여준다. 일 실시예에 따르면, 상기 포토마스크는 10nm 내지 15nm 범위의, 예를 들어 약 13.5nm의 노광 파장을 위한 극자외선 리소그래피(Extreme Ultraviolet Lithography, EUVL) 마스크이다. 또 다른 실시예에 따르면, 상기 포토마스크는 1nm 내지 10nm 범위의, 예를 들어 약 6.7nm의 노광 파장을 위한 초과 극자외선 리소그래피(Beyond Extreme Ultraviolet Lithography, BEUVL) 마스크이다.
포토마스크(200)의 두 개의 평행의 주 표면(201, 202)은 전방 측에는 그 위로 노광 방사선이 충돌하는 노광면(201)을, 후방에는 장착면(202)를 포함한다. 일 실시예에 따르면, 포토마스크(200)는 수 센티미터 길이의 모서리를 가진 직사각형 모양을 가질 수 있다. 주 표면(201, 202)에 직교하는 방향은 수직 방향이며, 주 표면(201, 202)에 평행한 방향은 수평 방향이다. 측면(203)은 주 표면(201, 202)을 연결한다.
노광면(201) 위로 보면, 프레임부(220)는 반사형 포토마스크(200)의 패턴부(211)를 둘러싸고, 패턴부(211)는 하나의 단일 칩에 할당된 이미지, 또는 다수의 칩들에 할당된 이미지를 포함할 수 있으며, 모서리부(219)는 프레임부(220)를 포토마스크(200)의 외부 측면(203)으로부터 분리한다. 또 다른 실시예에 따르면 포토마스크(200)는 다수의 패턴부들(211)을 포함할 수 있고, 여기에서 각각의 패턴부들(211)은 하나의 단일 칩에 할당되고, 또한 각각의 패턴부들(211)은 프레임부(220)에 의해 둘러 쌓인다.
포토마스크(200)는 저 열팽창 물질(Low Thermal Expansion Material, LTEM)의 적어도 하나의 기판 층(115)을 포함하는 기판(110)을 포함한다. 정의에 따라, 상기 저 열팽창 물질은 1 ppm/K 보다 낮은 열팽창 계수를 가지고 있고, 선택된 유리, 세라믹 또는 유리-세라믹으로 구성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 저 열팽창 물질은 산화규소와 산화티타늄으로부터 형성되거나 또는 그들을 포함하는 티타니아-실리케이트 유리이며, 열팽창 계수는 +0/-10 ppb/°C에 의해 제한된다. 상기 티타니아-실리케이트 유리의 내부 구조적 구성은 단상의 과냉각 액체일 수 있다. 상기 기판(110)은 기판 층(115)의 일측 또는 양측에 추가적인 층을 포함할 수 있다.
반사형 다층 구조(120)가 상기 기판(110)의 제1 표면을 덮으며, 반면, 제1 표면의 반대측의 기판(110)의 제2 표면은 반사형 포토마스크(200)의 장착면(202)를 형성한다. 반사형 다층 구조(120)는 적어도 하나의 다층 거울(125)을 포함할 수 있다. 상기 다층 거울(125)은 적어도 20 개의, 예를 들어 40에서 50 사이의 이중층들(122)를 포함할 수 있으며, 각각의 이중층(122)은 노광 파장에서 서로 다른 굴절율을 가지는 물질의 두 층들(122a, 122b)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 이중층(122)의 하나의 층(122a)은 실리콘 층이며 다른 한 층(122b)는 몰리브덴 층이다. 실리콘과 몰리브덴의 상이한 굴절율은 다층 거울(125)이 최대 반사가 보통 약 13.5nm인 브래그 반사기로서 유효하게 한다. 노광 파장이 11nm에서 15nm인 범위에서의 반사형 다층 구조(120)의 최소 반사율은 적어도 50%, 예를 들어 60%를 초과한다. 반사형 다층 구조(120)는 다층 거울(125)의 양측에 추가의 층을 포함할 수 있다.
반사형 다층 구조(120)가 흡수체 스택(130)과 기판 (110) 사이에 끼이도록, 흡수체 스택(130)이 기판(110)의 반대편의 반사형 다층 구조(120)의 표면에 배치된다. 상기 흡수체 스택(130)은 노광 파장에서 적어도 50%의 흡광율을 가진 흡수체 층(135)을 적어도 하나 포함한다. 흡수체 층(135)은 금속 질화물, 예를 들어, 질화 탄탈이나 질화 티탄과 같은 전이 금속 질화물에 기초할 수 있으며, 그리고 약 10nm내지 약 90nm의 두께를 가질 수 있다. 흡수체 층(135)은 추가적인 주성분, 예를 들어, 질화붕소탄탈(TaBN)을 형성하기 위한 붕소(B)를 포함할 수 있는 질화탄탈이나, 또는 질화크롬(CrN)과 같은 크롬(Cr)을 포함하는 물질에 기초할 수 있다. 흡수체 스택(130)은 흡수체 층(135)의 일측 혹은 양측에 추가적인 층을 포함할 수 있다.
패턴부(211) 안에서, 패턴 트렌치(320)가 전방 측으로부터 흡수체 스택(130)을 관통하여 연장하고 반사형 다층 구조(120)의 일부를 노출시킨다. 프레임부(220) 안에서 프레임 트렌치(310)가 전방 측으로부터 흡수체 스택(130)과 반사형 다층 구조(120)를 관통하여 기판(110)까지, 또는 그 안으로 연장할 수 있다. 프레임 트렌치(310)는 기판(110) 안으로 연장할 수도 있고 연장하지 않을 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 프레임 트렌치(310)는 기판 층(110) 안으로 적어도 50nm, 예를 들어 약 70nm의 깊이(ds)까지 연장할 수 있다. 프레임부(220)에서 기판 층(115)은 보조 부위(111)를 포함하고, 여기에서 상기 보조 부위(111)는 보조 부위(111) 외부의 기판 층(115)의 잔여 본체 부위(112)와 같은 성분을 포함하지만, 다른 구조적 구성을 갖는다.
보조 부위(111)에서, 노광 파장 밖의 대역 외 파장 범위에서의 기판(110)의 반사율은 동일한 파장 범위에서의 본체 부위(112)의 반사율에 대하여 현저하게 감소하는데, 여기에서 상기 대역 외 파장 범위는 20nm 내지 500nm, 예를 들어 100nm 내지 300nm 범위일 수 있다.
보조 부위와 본체 부위(111, 112)의 상이한 구조적 구성은, 보조 부위(111)가 대역 외 파장 범위에서 빛을 산란시키는 산란 중심(111z)을 포함하도록 한다. 산란 중심(111z)은, 더 적은 빛이 포토마스크(200)의 전방 측과 목표 기판상으로 다시 반사되도록 프레임 트렌치(310)를 통해 기판(110)상에 모든 방향에서 임의적으로 충돌하는 빛을 산란시킨다.
보조 부위(111) 내의 산란 중심(111z)은 기판(110)의 저 열팽창 물질의 구조적 구성이 본체 부위(112) 내의 저 열팽창 물질의 구조적 구성과 국소적으로 상이한 것에서 비롯된다. 일 실시예에 따르면, 보조 부위(111) 내의 저 열팽창 물질의 결정상, 결정 형태, 그리고 결정 배향 중 적어도 하나가 본체 부위(112) 내의 결정상, 결정 형태, 또는 결정 배향과 다르다. 예를 들어, 보조 부위(111)는, 완전히 비정질일 수 있는, 또는 보조 부위(111) 또는 산란 중심(111z)보다 더욱 비정질일 수 있는 본체 부위(112)와 비교하여 더 높은 등급의 미세 결정이나 결정립을 포함할 수 있다.
산란 중심(111z)은 산화규소, 산화티탄의 나노스케일 또는 마이크로스케일의 미세 결정일 수 있고, 또는 규소와 티타늄 원자 모두를 포함하는 미세 결정일 수 있다. 또 다른 실시예에 따르면, 산란 중심(111z)은 본체 부위(112)를 형성하는 저 열팽창 물질의 구조 내 결함일 수 있다.
산란 중심(111z)을 포함하는 보조 부위(111)는 프레임 트렌치(310)의 수직 투영부에 형성될 수 있다. 보조 부위(111) 내에서, 산란 중심(111z)은 하나의 산란 평면 또는 수직 방향으로 서로 이격되는 하나 이상의 평행한 산란 평면들을 따라 배열될 수 있으며, 여기에서 산란 평면들은 기판(110)의 제1 평면에 평행한 평탄 면일 수도 있고 또는 곡선 면일 수도 있다. 산란 평면을 포함하는 보조 부위(111)의 수직 연장은 1mm 내지 4mm의 전형적인 범위 내, 예를 들어 2.5mm 내지 3mm 의 범위 내일 수 있다. 보조 부위(111)의 측면 연장은 프레임 트렌치(310)의 폭으로부터 최대 50%, 예를 들어 최대 10% 벗어날 수 있다. 보조 부위(111)는 연속적인 구조를 형성할 수 있으며 또는 프레임 트렌치(310)를 따라 늘어서는 수 개의 점들을 포함할 수 있다. 보조 부위(111)는 산란 중심(111z)을 포함한 수 개의 스팟(spot)을 포함할 수 있고, 여기에서 이웃하는 스팟 사이의 수평 및/또는 수직 거리는 예를 들어 적어도 40μm일 수 있다.
보조 부위(111) 는 기판(110)의 제1 표면 또는 LTEM 기판 층(115)과 직접적으로 인접하여 또는 그 바로 옆에 형성될 수 있고, 또는 기판(110)의 제2 표면 또는 반사형 다층 구조(120) 반대편의 기판 층(115)을 따라 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에 따르면, 산란 평면은 제1 표면과 제2 표면 모두와 이격된, LTEM 기판 층(115)의 중앙부에 형성된다.
산란 중심들(111z)은 프레임부(220)에 조밀하게 배치되고, 패턴부(211) 주위로 비연속적인 프레임을 형성할 수 있다. 주 표면(201, 202)에 평행한 단일의 산란 중심(111z)의 수평 치수는 0.5μm 내지 2μm 범위, 예를 들어 약 1μm일 수 있다. 수평적 형태는 원형, 계란형, 타원형 또는 모따기나 둥근 모서리를 가진 직사각형일 수 있다. 수직적 연장은 1μm 내지 10μm의 범위, 예를 들어 약 5μm일 수 있다. 동일한 수평면 내의 이웃하는 산란 중심들(111z) 사이의 평균 중심 거리는 해당하는 수평 치수의 2배에서 20배 범위, 예를 들어 2배에서 10배 범위이거나 2배에서 4배 범위이다.
산란 중심들(111z)은 동일한 평면에 형성될 수 있으며, 또는 서로로부터 수 마이크론 이격될 수 있는 두 개 이상의 평면에 형성될 수 있다. 예를 들어, 인접하는 산란 중심들(111z)은 서로 다른 평면들에 형성될 수 있고, 또는 두 개 이상의 산란 중심들(111z)이 세트가 동일한 수직 축을 따라, 예를 들어, 각각 서로의 수직적 투영에 배열되도록 형성될 수도 있다. 산란 중심(111z)을 형성하는데 인가되는 총 전력은 2W까지일 수 있고, 펄스 당 에너지는 25μJ 내지 100μJ 범위, 예를 들어 약 50μJ일 수 있다.
작은 확장과 유사한 조성 때문에, 보조 부위(111)는 LTEM 기판 층(115)의 열팽창 특성에는 불리한 영향을 거의 미치지 않는다.
도 2A 내지 2C는 포토리소그래피 장치(400), 예를 들어 EUVL이나 BEUVL 장치에서의 반도체 웨이퍼(600)의 노광시 미광의 출처와 효과를 보여준다. 반사형 광학 시스템(410)은 패턴부(211)와 패턴부(211)를 둘러싸는 모서리부(212)를 가진 반사형 포토마스크(200)로 노광 빔(405)을 유도한다. 상기 노광 빔(405)은 포토마스크(200)에서 반사되고, 반도체 웨이퍼(600) 상으로 입사한다. 노광 빔(405)은 패턴부(211)를 스캔하고, 패턴부(211)에서 각인된 패턴을 반도체 웨이퍼(600) 상의 포토레지스트 층(601)으로 전송하며, 여기에서 온전한 패턴부(211)가 단일의 조사 영역(F1)으로 영사된다. 제1 조사 영역(F1)의 노광 중에, 스캐너가 다음의 조사 영역(F2)이 제1 조사 영역(F1)과 겹치지 않도록 충분히 넓은 스캐닝 거리만큼 수평 방향(407)을 따라 반도체 웨이퍼(600)를 이동시킬 수 있다.
포토리소그래피 장치(400)는 모서리부(212)를 가리는, 또한 노광 빔(405)의 미사용부에 대하여 자연적으로 반사적인 조리개(420)를 더 포함할 수 있다. 조리개(420)와 패턴부(211)의 모서리 사이의 정렬에서의 안전 여백과 다른 효과들은 패턴부(211)와 직접적으로 인접하는 모서리부(212)의 일부분으로부터 반사되는 미광이 이웃하는 조사 영역(F2)과 겹치도록, 미광 영역(f1)에서 반도체 웨이퍼(600) 상에 충돌하도록 유발할 수 있다.
도 2B는 제1 조사 영역(F1)의 노광에 기인하는, 또한 이웃하는 조사 영역들(F2, F3)과 겹치는 미광 영역(f1)을 보여준다. 제1, 제2, 제3, 제4 조사 영역(F1, F2, F3, F4)의 노광으로 인한 미광 영역들(f1, f2, f3, f4)의 폭은 200μm 내지 850μm의 범위에 있다. 교차 노드들을 따라, 세 개의 이웃하는 조사 영역의 미광 영역(f2, f2, f4)은 미광 영역(f1)과 함께 겹칠 수 있으며 노광 방사와 대역 외 조사로부터의 추가적인 미광 조사의 효과가 더해진다.
평행선들을 포함하는 스트라이프 패턴에서, 상기 추가적인 조사는 특징들의 크기의 변화를 초래한다. 예를 들어, 전형적인 EUV 레지스트 재료에서, 임계 특징들에 대한 노광 방사와 대역 외 조사로부터의 미광에 대한 추가적인 노광은 임계 치수(Critical Dimension, CD)의 하락을 초래한다. 도 2C에서 도시된 것과 같이, 27nm의 밀집한 선들과 비영사 영역인 F4에 대하여, 초래된 조사 영역 F2에서의 임계 치수 하락은 5nm 이상일 수 있다.
일반적으로, 패턴부(211)와 모서리부(212) 사이의 반사형 다층 구조에서 프레임 트렌치는 국소적으로 조사 파장, 예를 들어, EUVL 장치의 영사 특성이 지정되는 목표 파장 범위를 지정하는 협의의 화학 방사선에 대하여 반사율을 감소시키고, 필드 가장자리를 따라 노광 파장 범위에서의 화학선 미광의 효과를 약화시킨다.
도 1A 내지 1B에서 도시된 바와 같이, 본 실시예들은 100nm 내지 300nm의 대역 외 파장 범위에서 효과적인, 그리고 또한 노광 파장 외의 대역 외 파장 범위에서의 대역 외(out-of-band, OOB) 방사선에 대한, 프레임부(220)에서의 반사율을 현저하게 감소시키는 산란 중심(111z)을 도입하고, 여기에서 OOB 방사선은 넓은 의미로 정의되는데, 포토레지스트에 일정량 효과를 미치는 방사선을 포함하지만 EUVL 장치의 영사 특성이 지정되는 목표 파장 범위는 배제한다. 더 적은 OOB 방사선이 패턴부(220) 주위의 임계 지역에서 반사형 포토마스크(200)로부터 반사되고 미광 영역들(f1, f2, f3, f4)에서의 전체 방사는 현저하게 감소한다. OOB 방사선의 원천은 스캐너의 플라즈마 소스에 의하여 부산물로서 발생되는 빛일 수 있다.
도 3A 내지 3B는 프레임부(220)에서 프레임 트렌치(310)의 수직 투영에 산란 중심(111z)이 있는 또한 없는 반사형 포토마스크(200, 299)를 비교한다. 흡수체 층(135)에 더하여, 흡수체 스택(130)은 후술되는 바와 같이 반사방지 층(139)과 버퍼 층(131)을 포함할 수 있다.
도 3A에서, 유입되는 OOB 방사선(610)은 기판 층(115)에서 산란 중심(111z)이 없는 포토마스크(299)의 프레임 트렌치(310)을 통해 지나간다. 프레임 트렌치(310)의 아래쪽의 공기/기판 계면은 유입되는 OOB 방사선(610)의 제1 부분(621)를 반사하고, 기판 층(115)의 뒤쪽의 또 다른 계면은 유입되는 OOB 방사선(610)의 제2 부분(622)를 반사한다. 제1, 제2 부분(621, 622) 모두는 프레임 트렌치(310)를 통하여 반사될 수 있으며 조사 영역 밖의 목표 기판으로 입사될 수 있다.
도 3B에서, 실시예들에 따르면, 반사형 포토마스크(200)의 보조 부위(111)의 산란 중심(111z)은, 더 적은 OOB 방사선(610)이 프레임 트렌치(310)의 수직적 투영에서 기판 층(115)의 뒤 쪽의 계면에 도달하도록, 서로 다른 방향으로 임의적으로 LTEM 기판 층(115)으로 입사하는 OOB 방사선(610)을 흡수 그리고/또는 분산한다. 기판 층(115)의 뒤 쪽의 계면에서 또한 프레임 트렌치(310)를 통하여 반사되는 OOB 방사선의 제2 부분(621)은 도 3A에 비하여 현저하게 감소한다.
산란 중심(111z)은 저 열팽창 물질의 유효 굴절율을 국소적으로 예를 들어, 열 팽창 계수에 불리한 영향 없이 적어도 10% 수정한다. 일 실시예에 따르면, 산란 중심(111z)은 단펄스, 예를 들어, 532nm의 파장의 레이저 방사에 의하여 생성되며, 여기에서 레이저 조사는 전방 측이나 후방 측으로부터 수행될 수 있다.
도 4는 OOB 방사선을 위한 입사광의 파장에 대한 상대적인 반사율을 표시한다. 일반적인 LTEM 물질에 있어서, 반사율은 약 120nm에서 최고치를 보이며, 그리고 게다가, 170nm 내지 300nm 파장 범위에서 강한 반사율의 증가를 보인다. 반면, 반도체 웨이퍼상의 포토레지스트 층을 위한 일반적인 포토레지스트는 노광 파장에서의 방사선에는 물론 민감하고, 200nm 또는 300nm의 파장까지의 방사선에도 어느 정도 또한 민감하다. 그러므로 대역 외 미광을 억제하는 것은 포토마스크(200)의 영사 품질을 개선한다.
도 5A 내지 5B는 일 실시예에 따른 도 1A 내지 1B의 포토마스크(200)의 세부사항을 나타낸다.
LTEM 기판 층(115)에 더하여, 기판(110)은 반사형 다층 구조(120)와 기판 층(115) 사이에 끼워진 전도성 계면 층(119)을 포함할 수 있다. 전도성 계면 층(119)은 예시로서, 탄탈룸(Ta)이나 크롬(Cr)을 포함하는, 또는 그들로 구성된 금속 필름일 수 있다. 전도성 계면 층(119)은 패턴부(211)의 다층 거울(125)의 일 부분을 모서리부(212)와 적어도 국소적으로 연결할 수 있고, 이미지 패턴이 정전기 전하에 의하여 왜곡되지 않도록 노광 시의 패턴부(211)의 전하 축적(charge-up)을 방지할 수 있다. 프레임 트렌치(310)는 전도성 계면 층(119)의 상부 모서리까지 연장할 수 있고, 전도성 계면 층(119) 안으로 연장할 수 있으며, 그리고/또는 전도성 계면 층(119)을 부분적으로 관통할 수도 있는데, 여기에서 전도성 계면 층(119)의 잔여 부분은 패턴부(211)와 모서리부(212) 사이의 다리를 형성한다.
기판(110)은 포토마스크(200)의 후방 측으로 전도성 표면 필름(114)을 더욱 포함할 수 있다. 전도성 표면 필름(114)은 노광시 포토마스크(200)의 정전 흡착을 가능하게 하는 전도성 물질의 박막일 수 있다. 예를 들어, 전도성 표면 필름(114)은 질화크롬(CrN)의 필름일 수 있다. 또 다른 실시예에 따르면, 전도성 표면 필름(114)은 약 532nm의 파장에서 또는 190nm 내지 640nm의 범위의 또 다른 파장에서 레이저 조사에 대하여 매우 투명한 투명 전도성 물질일 수 있다.
다층 거울(125)에 더하여, 반사형 다층 구조(120)는 기판(110) 반대측의 이중층(122)이 배열되는 쪽에 캐핑층(capping layer)(129)을 포함할 수 있다. 캐핑층(129)은 루테늄(Ru)으로 구성된 또는 그것을 포함하는 층일 수 있으며, 약 2nm 내지 4nm의 범위의 두께를 가진다. 캐핑층(129)은 흡수체 스택(130)의 제조시에 다층 스택을 보호할 수 있다. 또 다른 실시예에 따르면 캐핑층(129)은 산화티탄(TiO) 층일 수 있다.
흡수체 층(135)에 더하여, 흡수체 스택(130)은 흡수체 층(135)과 반사형 다층 구조(120) 사이에 형성되는 버퍼 층(131)을 포함할 수 있다. 버퍼 층(131)은 흡수체 층(135)에 흡수체 패턴의 형성시 에칭 정지 층으로서 유효할 수 있다.
포토마스크(200)의 전방 측으로 향해 있는 흡수체 스택(130)의 표면에서, 흡수체 스택(130)은 반사방지 층(139)을 포함할 수 있다. EUV 노광 파장보다는 보통 더 긴 검사 파장에서, 반사방지 층(139)은 흡수체 층(135)보다 덜 반사된다. 일반적으로, 반사율은 각각의 검사 파장에서 12% 미만이다. 반사방지 층(139)은 금속 질화물, 예를 들어, 질화 티탄이나 질화 탄탈과 같은 전이 금속 질화물을 포함하거나 또는 그들로 구성될 수 있으며, 염소, 불소, 아르곤, 수소 또는 산소를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 추가 성분을 더 포함할 수 있다. 반사방지 층(139)은 상기 추가 성분 또는 그들의 전구체를 포함하는 분위기에서 흡수체 층(130)의 일 부분을 처리하는 것으로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에 따르면, 반사방지 층(139)은 질화 규소층일 수 있으며, 또는 예를 들어 TaBO와 같은 추가의 주요 성분을 포함할 수 있는 산화 탄탈로부터 형성될 수 있고, 또는 크롬을 포함하는 물질, 예를 들어 산화 크롬(CrOx)일 수 있다.
도 6A와 6B는 반사형 다층 구조(120)의 다층 거울(125)을 위하여 서술된 대로, 이중층(122)을 가진 추가의 다층 거울(117)을 포함하는 기판(110)을 가진 위상 변이 타입의 반사형 포토마스크(200)를 나타낸다. 반사형 다층 구조(120)의 다층 거울(125)을 관통하여 연장하는 패턴 트렌치(320)는 추가의 다층 거울(117) 안까지 연장하지는 않는다. 기판(110)은 모든 패턴 트렌치(320)가 동일한 깊이를 갖도록 보장하기 위한, 또한 패턴 트렌치(320)를 에칭할 때 추가의 다층 거울(117)을 보호하기 위한 에칭 정지 층(118)을 더 포함할 수 있다.
도 6A의 포토마스크(200)는 어떤 흡수 층도 없으며, 그리고 패턴 정보는 다층 거울(125) 내에서 반사된 노광 방사선의 부분과 추가의 다층 거울(117) 내에서 반사된 노광 방사선의 부분과의 위상 차이로서 오로지 전송된다.
도 6B에서, 포토마스크(200)는 기판(110) 내의 추가의 다층 거울(117) 외에도 적어도 하나의 흡수체층(135)을 포함하는 흡수체 스택(130)을 포함한다. 추가의 상세사항을 위하여, 참조가 이전의 도5A와 5B에 대한 설명으로 이루어진다.
보조 부위(111)는 프레임 트렌치(310) 그리고/또는 패턴 트렌치(320)를 가진 흡수체 패턴을 형성 후 또는 그 형성 전에 형성될 수 있다. 도 7A와 7B는 그 안에서 산란 중심(111z)이 패턴 트렌치(320)와 프레임 트렌치(310) 전에 형성되는 마스크 블랭크(500)를 나타낸다.
마스크 블랭크(500)의 기판(110)은 적어도 하나의 저 열팽창 물질의 기판 층(115)을 포함한다. 반사형 다층 구조(120)는 기판(110)의 제1 표면을 덮는다. 반사형 다층 구조(120)가 흡수체 스택(130)과 기판(110) 사이에 끼이도록, 흡수체 스택(130)은 기판(110) 반대편의 반사형 다층 구조(120)의 표면에 배치된다. 흡수체 스택(130)은 연속적이고, 균일한 두께의 패턴 없는 구조이다. 더 상세한 사항과 관련하여, 참조가 도 1A 내지 1B의 포토마스크(200)의 설명으로 이루어진다.
도 8은 도 5A와 5B의 포토마스크(200)의 제조를 위한 반사형 마스크 블랭크(500)를 나타낸다.
도 9의 반사형 마스크 블랭크(500)에서, 기판(110)은 도 6B의 포토마스크(200)의 제조를 위하여, 반사형 다층 구조(120) 내의 다층 거울(125)과 기판(110) 내의 추가의 다층 거울(117) 사이에 끼이는 에칭 정지 층(118)을 추가적으로 포함한다. 추가의 실시예에 따르면, 도 9의 반사형 마스크 블랭크(500)은 도 6A에 도시된 타입의 포토마스크(200)의 제조를 위하여 흡수체 스택(130)을 결여할 수 있다.
구체적인 실시예들이 여기에서 묘사되고 설명되었지만, 당업자는 다양한 대체 그리고/또는 균등한 구현이 본 발명의 범위를 벗어나지 않고도 보여지고 설명된 구체적인 실시예들을 대신할 수 있음을 인식할 것이다. 본 출원은 여기에서 논의된 구체적인 실시예들의 그 어떤 개조나 변형을 커버하도록 의도된다. 그러므로 본 발명은 오직 청구항 및 이들의 균등물에 의해서만 제한되는 것으로 의도된다.
110: 기판 111: 보조 부위
112: 본체 부위 115: 기판 층
120: 반사형 다층 구조 125: 다층 거울
130: 흡수체 스택 135: 흡수체 층
200: 반사형 포토 마스크 211: 패턴부
220: 프레임부 310, 320: 프레임 트렌치
500: 마스크 블랭크 600: 반도체 웨이퍼

Claims (22)

  1. 저 열팽창 물질의 기판 층(115)을 포함하는 기판(110); 상기 기판 층(115)은 저 열팽창 물질의, 제1 구조적 구성의 본체 부위(112)와 제2 구조적 구성의 보조 부위(111)를 포함하고, 보조 부위(111)는 기판(110)의 패턴부(211)를 둘러싸는 프레임부(220) 내에 형성되며,
    기판(110)의 제1 표면 상에 형성되는 다층 거울(125);을 포함하고, 15nm이하의 노광 파장에서 상기 다층 거울(125)의 반사율은 적어도 50%이며, 다층 거울(125)을 관통하여 연장하는 프레임 트렌치(310)는 프레임부(220)에서 기판(110)을 노출시키는 것을 특징으로 하는 반사형 포토 마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    저 열팽창 물질의 본체 부위(112)의 열팽창 계수는 1ppm/K 미만인 것을 특징으로 하는 반사형 포토마스크.
  3. 제1항에 있어서,
    보조 부위(111)는 100nm 내지 300nm 범위의 대역 외 파장에서의 방사를 위한 산란 중심(111z)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 포토마스크.
  4. 제3항에 있어서,
    대역 외 파장 범위에서, 보조 부위(111)의 평균 반사율은 본체 부위(112)의 평균 반사율의 최대 50%인 것을 특징으로 하는 반사형 포토마스크.
  5. 제1항에 있어서,
    기판(110) 반대편의 다층 거울(125) 상에 형성되는 흡수체 스택(130);을 더 포함하고, 주요 노광 파장에서의 흡수체 스택(130)의 흡수율은 적어도 50%이고, 패턴 트렌치(320)가 패턴부(211)에서 다층 거울(125)의 일부를 노출시키는 것을 특징으로 하는 반사형 포토마스크.
  6. 제1항에 있어서,
    프레임 트렌치(310)가 패턴부(211)를 감싸는 연속적인 프레임을 형성하는 것을 특징으로 하는 반사형 포토마스크.
  7. 제1항에 있어서,
    프레임부(220)의 유효 굴절율은 본체 부위(112)의 유효 굴절율과 적어도 10% 상이한 것을 특징으로 하는 반사형 포토마스크.
  8. 제1항에 있어서,
    본체 부위(112)는 비정질인 것을 특징으로 하는 반사형 포토마스크.
  9. 제1항에 있어서,
    보조 부위(111)는 제1 표면과 적어도 5nm 거리에 있는 것을 특징으로 하는 반사형 포토마스크.
  10. 제1항에 있어서,
    보조 부위(111)는 532nm 길이의 파장의 레이저 펄스의 조사에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반사형 포토마스크.
  11. 제1항에 있어서,
    노광 파장은 6nm 내지 14nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 반사형 포토마스크.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    보조 부위(111)는 프레임부(220)를 따라 연속적인 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 반사형 포토마스크.
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    보조 부위(111)는 프레임부(220)를 따라 늘어서는 고립 부위를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 포토마스크.
  14. 저 열팽창 물질의 기판 층(115)을 포함하는 기판(110); 상기 기판 층(115)은 저 열팽창 물질의, 제1 구조적 구성의 본체 부위(112)와 제2 구조적 구성의 보조 부위(111)를 포함하고, 보조 부위(111)는 기판(110)의 패턴부(211)를 둘러싸는 프레임부(220) 내에 형성되며,
    기판(110)의 제1 표면 상에 형성되는 다층 거울(125);을 포함하고, 15nm이하의 노광 파장에서 상기 다층 거울(125)의 반사율은 적어도 50%인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.
  15. 제14항에 있어서,
    저 열팽창 물질의 본체 부위(112)의 열팽창 계수는 1ppm/K 미만인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.
  16. 제14항에 있어서,
    보조 부위(111)는 100nm 내지 300nm 범위의 대역 외 파장에서의 방사를 위한 산란 중심(111z)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.
  17. 제16항에 있어서,
    대역 외 파장 범위에서, 보조 부위(111)의 평균 반사율은 본체 부위(112)의 평균 반사율의 최대 50%인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.
  18. 제14항에 있어서,
    기판(110) 반대편의 다층 거울(125)의 표면 상에 형성되는 흡수체 스택(130);을 더 포함하고, 주요 노광 파장에서의 흡수체 스택(130)의 흡수율은 적어도 50%인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.
  19. 제14항에 있어서,
    프레임부(220)는 연속적인 프레임을 형성하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.
  20. 제14항에 있어서,
    프레임부(220)의 유효 굴절율은 본체 부위(112)의 유효 굴절율과 적어도 10% 상이한 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.
  21. 제14항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
    보조 부위(111)는 프레임부(220)를 따라 연속적인 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.
  22. 제14항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
    보조 부위(111)는 프레임부(220)를 따라 늘어서는 고립 부위를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.
KR1020160065936A 2015-05-29 2016-05-27 반사형 포토마스크와 반사형 마스크 블랭크 KR20160140511A (ko)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116909086A (zh) * 2017-02-25 2023-10-20 Asml荷兰有限公司 图案形成装置及其制造方法、设计方法以及计算机程序产品
KR20190038981A (ko) * 2017-10-01 2019-04-10 주식회사 에스앤에스텍 정전 파괴 방지용 블랭크 마스크 및 포토마스크
US10802393B2 (en) * 2017-10-16 2020-10-13 Globalfoundries Inc. Extreme ultraviolet (EUV) lithography mask
SG11202005918UA (en) * 2017-12-27 2020-07-29 Hoya Corp Substrate with conductive film, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method
DE102018204626A1 (de) * 2018-03-27 2019-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsmaske sowie Verfahren zu deren Herstellung
US11048158B2 (en) * 2018-04-18 2021-06-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for extreme ultraviolet lithography mask treatment
DE102020114882A1 (de) 2020-06-04 2021-12-09 Asm Automation Sensorik Messtechnik Gmbh Magnetostriktiver Positions-Sensor mit Detektorspule in einem Chip

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2961126B2 (ja) * 1995-02-13 1999-10-12 セントラル硝子株式会社 三次元光メモリーガラス素子からなる記録媒体及びその記録方法
CN100454485C (zh) * 2004-12-10 2009-01-21 凸版印刷株式会社 反射型光掩模坯料、反射型光掩模及半导体装置的制造方法
EP1833080B1 (en) 2004-12-10 2010-09-22 Toppan Printing Co., Ltd. Reflective photomask blank, reflective photomask, and method for manufacturing semiconductor device using same
KR100735532B1 (ko) * 2006-03-21 2007-07-04 삼성전자주식회사 기판 내에 팽창부를 포함하는 포토마스크 및 포토마스크의표면 평탄화 방법
KR100791338B1 (ko) * 2006-08-07 2008-01-03 삼성전자주식회사 레지스트레이션이 보정된 포토마스크 및 포토마스크의레지스트레이션 보정 방법
JP2009088166A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Toppan Printing Co Ltd 反射型マスクブランク及び反射型マスク
JP4663749B2 (ja) * 2008-03-11 2011-04-06 大日本印刷株式会社 反射型マスクの検査方法および製造方法
WO2009136564A1 (ja) * 2008-05-09 2009-11-12 Hoya株式会社 反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法
JP5559948B2 (ja) * 2010-03-12 2014-07-23 Ｈｏｙａ株式会社 多層反射膜付基板の製造方法および反射型マスクブランクの製造方法
US8735030B2 (en) * 2010-04-15 2014-05-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Method and apparatus for modifying a substrate surface of a photolithographic mask
KR101691024B1 (ko) * 2010-11-29 2016-12-30 삼성전자주식회사 반사형 극자외선 마스크 및 그의 제조 방법
KR101679687B1 (ko) * 2011-03-17 2016-11-28 삼성전자주식회사 반사형 극자외선 마스크 및 그의 제조 방법
JP5953833B2 (ja) * 2012-03-08 2016-07-20 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクおよびその製造方法
US8658333B2 (en) * 2012-06-04 2014-02-25 Nanya Technology Corporation Reflective mask
US9069253B2 (en) 2013-03-13 2015-06-30 Nanya Technology Corportion Mask structure
US9046781B2 (en) 2013-03-15 2015-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and method for reflective-type mask
CN104345546A (zh) * 2013-07-24 2015-02-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻掩膜版及其制作方法
JP6260149B2 (ja) * 2013-08-30 2018-01-17 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランクおよび反射型マスク
KR102262761B1 (ko) * 2013-09-06 2021-06-09 도판 인사츠 가부시키가이샤 반사형 포토마스크 및 그 제조 방법

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