KR20160136913A - 인을 포함하는 양자점 제조방법 및 이에 의해 제조되는 양자점 - Google Patents

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KR20160136913A
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Abstract

본 발명은 환원제를 사용하여 인(P) 화합물을 활성화시키는 단계; 상기 활성화된 인(P) 화합물에 인듐(In) 이온을 첨가하여 InP 코어를 합성하는 단계; 및 상기 InP 코어를 감싸는 쉘층을 형성하는 단계;를 포함하도록 한 인을 포함하는 양자점 제조방법 및 이에 의해 제조되는 양자점에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 화학적으로 안정한 인(P)을 InP 화학반응에 직접 사용함으로써 제조비용을 줄여서 저가의 양자점 제조를 가능하도록 하고, 상온 및 상압의 대기 조건에서 제조가 이루어지도록 하여 다루기가 편할 뿐만 아니라 안전성을 확보할 수 있다.

Description

인을 포함하는 양자점 제조방법 및 이에 의해 제조되는 양자점{Method for manufacturing of quantum dots including phosphorus and quantum dot thereof}
본 발명은 양자점 제조방법 및 이에 의해 제조되는 양자점에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학적으로 안정한 인을 포함하는 양자점 제조방법 및 이에 의해 제조되는 양자점에 관한 것이다.
일반적으로, 물질은 그 크기가 나노미터로 작아지면, 벌크상태에서 볼 수 없었던 새로운 물리적 특성을 가지게 되는데, 이는 물질들이 작아지면서 나노미터 수준의 크기가 되면서 해당 물질의 벌크(Bulk) 대비 표면적/부피 비율이 비정상적으로 커지기 때문이다.
이와 같은 나노 물질 중에는 약 2~10 nm 직경의 나노크기에 해당하는 반도체 물질인 양자점(QD; quantum dot)이 있는데, 이는 일정한 크기 이하로 작아지면, 벌크상태의 반도체 물질 내의 전자운동 특성이 더욱 제약을 받게 되어, 벌크상태와는 발광 파장이 달라지는 양자제한(quantum confinement) 효과를 내는 물질이다. 이러한 양자점은 여기원(excitation source)으로부터 빛을 받아 에너지 여기 상태에 이르면, 자체적으로 해당하는 에너지 밴드 갭(band gap)에 따른 에너지를 방출하게 된다. 따라서, 양자점의 크기를 조절하면 해당 밴드 갭을 조절할 수 있게 되어, 다양한 파장대의 에너지를 얻을 수 있고, 이로 인해 원래의 물성과는 전혀 다른 광학적, 전기적 및 자기적 특성을 보이게 된다.
이러한 양자점은 최근에는 광범위한 범위의 용도, 예컨대 디스플레이, 태양 에너지 변환, 분자 및 세포 이미징 등을 비롯하여 다양한 분야에 사용되기 위한 연구가 진행되고 있다.
종래의 양자점과 관련된 기술로는, 한국공개특허 제10-2009-0114112호의 "코어-다중쉘 구조의 양자점 나노 입자 및 이의 용도"가 제시된 바 있는데, 이는 Cd 화합물을 포함하는 양자점 코어; 상기 코어 상에 형성되며 In 화합물을 포함하는 내부쉘; 및 상기 양자점 코어-내부쉘의 표면에 형성되며 Zn 화합물을 포함하는 외부쉘의 코어-다중쉘 구조를 가진다.
이와 같이, 종래의 양자점은 Cd 화합물, 특히 CdSe(Cadmium Selenide)를 기반으로 하는 양자점에 대한 연구가 집중되고 있다. 그러나 최근에는 Cd-free 양자점에 대한 수요 증가와 상업화가 요구되고 있다. RoHS(Restriction of Hazardous Substances, Restriction of the use of Hazardous Substances in EEE) 규정에 따른 Cd의 사용이 규제는 2018년까지 유예되기는 했지만, 이러한 규제에 따라 CdSe 계열의 물질을 대신하여 InP 계열의 물질을 사용하는 InP(Indium Phosphide) 기반의 양자점이 발광성에 있어서 CdSe에 필적하기 때문에 시장에서의 요구가 늘어가고 있는 추세이다.
종래의 InP 제법으로는 인듐(In) 전구체를 용매에 녹이고, 고온에서 인(P) 전구체를 주입하는 방법이 있으나, 이는 고가이면서 독성 물질인 P(TMS)3를 사용하는 문제점을 가지고 있다. 다른 종래의 InP 제법으로는 인듐 전구체와 인 전구체를 동시에 넣고 서서히 온도를 올려서 입자를 형성하는 방법이 있으나, 그린-옐로우(Green-yellow) 이외의 발광색을 내는 물질의 제조가 어렵다는 문제점을 가진다.
또한 현재까지 알려진 인 전구체는 고가이고, 보관과 사용이 어려우며, 상온 및 상압대기 중에서 다루기가 불편하다는 문제점을 가진다.
상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 화학적으로 안정한 인(P)을 InP 화학반응에 직접 사용함으로써 양자점의 제조비용을 줄이고, 안전성을 확보하는데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적들은 이하의 실시례에 대한 설명을 통해 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일측면에 따르면, 환원제를 사용하여 인(P) 화합물을 활성화시키는 단계; 상기 활성화된 인(P) 화합물에 인듐(In) 이온을 첨가하여 InP 코어를 합성하는 단계; 및 상기 InP 코어를 감싸는 쉘층을 형성하는 단계;를 포함하는, 인을 포함하는 양자점 제조방법이 제공된다.
상기 인(P) 화합물을 활성화시키는 단계는, 상기 환원제가 메탈 하이드라이드(Metal hydride), 메탈 보로하이라이드(Metal borohydride), 알킬 아민(Alkyl amine), 아릴 아민(Aryl amine) 및 터미널 올레핀(Terminal olefin)을 가지는 분자 중에서 어느 하나일 수 있다.
상기 인(P) 화합물을 활성화시키는 단계는, 인(P) 화합물, 상기 환원제 및 유기용매를 혼합 및 가열하여 인(P) 화합물을 활성화시킬 수 있다.
상기 인(P) 화합물을 활성화시키는 단계는, 상기 유기용매 10ml를 기준으로 하여, 상기 인(P) 화합물 0.05~5mmol과 상기 환원제 0.05~5mmol을 혼합하여, 100~340℃로 0.1~48시간 동안 유지함으로써 인(P) 화합물을 활성화시킬 수 있다.
상기 InP 코어를 합성하는 단계는, In3+가 존재하는 금속염에 해당하는 In 소스와, 미리스틱애씨드(myristic acid), 알킬애씨드(alkyl acid) 및 아릴애씨드(aryl acid) 중에서 어느 하나와, 유기용매를 혼합 및 가열하여 용해시킨 후, 냉각시켜서 인듐 용액을 만드는 단계; 및 상기 인듐 용액을 상기 활성화된 인(P) 화합물에 투입하여 입자를 성장시키는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 인듐 용액을 만드는 단계는, 상기 유기용매 10ml를 기준으로 하여, 상기 In 소스 0.05~5mmol과, 상기 미리스틱애씨드(myristic acid), 알킬애씨드(alkyl acid) 및 아릴애씨드(aryl acid) 중에서 어느 하나 0.1~10mmol을 혼합하여, 50~340℃로 진공에서 0.1~48시간 용해시킨 다음, 상온에서 냉각시킬 수 있다.
상기 쉘층을 형성하는 단계는, 상기 입자를 성장시킨 결과물에 징크 솔트(Zinc salt)를 투입하여, 1차로 열처리후 냉각시키는 단계; 상기 1차로 열처리후 냉각시킨 결과물에 알킬 티올(alkyl thiol), 알킬 티오이소시아네이트(alkyl thioisocyanate), 아릴 티올(aryl thiol) 및 아릴 티오이소시아네이트(aryl thioisocyanate) 중에서 어느 하나를 투입하여, 2차로 열처리 후 냉각시키는 단계; 및 상기 2차로 열처리후 냉각시킨 결과물에 용매를 넣어서 입자를 떨어뜨려 회수하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 1차로 열처리후 냉각시키는 단계는, 상온에서 상기 유기용매 10ml를 기준으로 하여 상기 징크 솔트(Zinc salt) 0.1~10mmol을 투입하여, 100~340℃로 승온시켜서 0.1~48시간 동안 열처리후, 상온에서 냉각시킬 수 있다.
상기 2차로 열처리후 냉각시키는 단계는, 상온에서 상기 유기용매 10ml를 기준으로 하여 상기 알킬 티올(alkyl thiol), 알킬 티오이소시아네이트(alkyl thioisocyanate), 아릴 티올(aryl thiol) 및 아릴 티오이소시아네이트(aryl thioisocyanate) 중에서 어느 하나 0.1~20mmol을 투입하여, 100~340℃로 승온시켜서 0.1~48시간 동안 열처리후, 상온에서 냉각시킬 수 있다.
상기 InP 코어를 합성하는 단계는, In3+가 존재하는 금속염에 해당하는 In 소스와, 징크 솔트(Zinc salt)와, 미리스틱애씨드(myristic acid), 알킬애씨드(alkyl acid) 및 아릴애씨드(aryl acid) 중에서 어느 하나와, 유기용매를 혼합 및 가열하여 용해시킨 후 냉각시켜서 인듐 용액을 만드는 단계; 및 상기 인듐 용액을 상기 활성화된 인(P) 화합물에 투입하여 입자를 성장시키는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 인듐 용액을 만드는 단계는, 상기 유기용매 10ml를 기준으로 하여, 상기 In 소스 0.05~5mmol, 상기 징크 솔트(Zinc salt) 0.1~10mmol, 상기 미리스틱애씨드(myristic acid), 알킬애씨드(alkyl acid) 및 아릴애씨드(aryl acid) 중에서 어느 하나 0.1~10mmol을 혼합하여 100~200℃로 진공에서 0.1~48시간 동안 용해시킨 후, 상온에서 냉각시킬 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 발명의 일측면에 따른 인을 포함하는 양자점 제조방법에 의하여 제조되는, 인을 포함하는 양자점이 제공된다.
본 발명에 따른 인을 포함하는 양자점 제조방법 및 이에 의해 제조되는 양자점에 의하면, 화학적으로 안정한 인(P) 화합물을 InP 화학반응에 직접 사용함으로써 제조비용을 줄여서 저가의 양자점 제조를 가능하도록 하고, 상온 및 상압의 대기 조건에서 제조가 이루어지도록 하여 다루기가 편할 뿐만 아니라 안전성을 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시례에 따른 인을 포함하는 양자점 제조방법을 도시한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시례에 따른 인을 포함하는 양자점 제조방법에서 InP 제조를 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고, 여러 가지 실시례를 가질 수 있는 바, 특정 실시례들을 도면에 예시하고, 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니고, 본 발명의 기술 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 식으로 이해되어야 하고, 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시례에 한정되는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시례를 상세히 설명하며, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 이에 대해 중복되는 설명을 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시례에 따른 인을 포함하는 양자점 제조방법을 도시한 흐름도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시례에 따른 인을 포함하는 양자점 제조방법에서 InP 제조를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시례에 따른 인을 포함하는 양자점 제조방법은 환원제를 사용하여 인(P) 화합물을 활성화시키는 단계(S11)와, 활성화된 인(P) 화합물에 인듐(In) 이온(In3+)을 첨가하여 InP 코어를 합성하는 단계(S12)와, InP 코어를 감싸는 쉘층을 형성하는 단계(S13)를 포함할 수 있다.
인(P) 화합물을 활성화시키는 단계(S11)는 화학적으로 안정한 원소에 해당하는 인(P) 화합물을 환원제를 이용하여 강제로 활성화하고, 이를 InP 입자의 형성에 이용할 수 있도록 한다.
본 발명에서 환원제는 메탈 하이드라이드(Metal hydride), 메탈 보로하이라이드(Metal borohydride), 알킬 아민(Alkyl amine), 아릴 아민(Aryl amine) 및 터미널 올레핀(Terminal olefin)을 가지는 분자 중에서 어느 하나일 수 있는데, Oleylamine, octadecylamikne 등과 같은 롱 체인 알킬 아민(Long chain alkyl amine) 뿐만 아니라, 나아가서 하이드라이드(Hydride)(H-)를 공급하는 물질이라면 가능하다. 환원제는 예시적으로 NaBH4 또는 LiAlH4일 수 있다. 또한 메탈 하이드라이드와 메탈 보로하이드라이드에서 메탈은 Na, K, Li, LiAl 등일 수 있다. 또한 터미널 올레핀(Terminal olefin)을 가지는 분자로는 ODE(1-octadecene)를 예로 들 수 있다.
인(P) 화합물을 활성화시키는 단계(S11)는 예컨대 인(P) 화합물, 환원제 및 유기용매를 혼합 및 가열하여 인(P) 화합물을 활성화시킬 수 있는데, 이 경우 유기용매 10ml를 기준으로 하여, 인(P) 화합물 0.05~5mmol과 환원제 0.05~5mmol을 혼합하여, 100~340℃로 0.1~48시간 동안 유지함으로써 인(P) 화합물을 활성화시킬 수 있다. 본 발명에서 인(P) 화합물로는 예컨대 백린, 적린, 흑린, 인산화물(P2O5) 등을 들 수 있다. 또한 본 발명에서 유기용매는 예컨대 ODE(1-octadecene), TOPO, TOP, Tri-cotylamine 등을 들 수 있으며, 이 밖에도 끓는 점이 높은 고온성 유기용매라면 모두 가능하다.
InP 코어를 합성하는 단계(S12)는 예컨대, In3+가 존재하는 금속염에 해당하는 In 소스와, 미리스틱애씨드(myristic acid), 알킬애씨드(alkyl acid) 및 아릴애씨드(aryl acid) 중에서 어느 하나와, 유기용매를 혼합 및 가열하여 용해시킨 후, 냉각시켜서 인듐 용액을 만들 수 있는데, 인듐 용액을 활성화된 인(P) 화합물에 투입하여 입자를 성장시킬 수 있다. In 소스는 예컨대 인듐 아세테이트(Indium acetate)를 들 수 있다. 여기서 인듐 용액을 만드는 단계는 유기용매 10ml를 기준으로 하여, In 소스 0.05~5mmol과, 미리스틱애씨드(myristic acid), 알킬애씨드(alkyl acid) 및 아릴애씨드(aryl acid) 중에서 어느 하나 0.1~10mmol을 혼합하여, 50~340℃로 진공에서 0.1~48시간 용해시킨 다음, 상온에서 냉각시킬 수 있다.
InP 코어를 합성하는 단계(S13)는 다른 예로서, In3+가 존재하는 금속염에 해당하는 In 소스와, 징크 솔트(Zinc salt)와, 미리스틱애씨드(myristic acid), 알킬애씨드(alkyl acid) 및 아릴애씨드(aryl acid) 중에서 어느 하나와, 유기용매를 혼합 및 가열하여 용해시킨 후 냉각시켜서 인듐 용액을 만드는 단계와, 인듐 용액을 활성화된 인(P) 화합물에 투입하여 입자를 성장시키는 단계를 포함할 수 있다. In3+가 존재하는 금속염에 해당하는 In 소스로는 예컨대 인듐 아세테이트(Indium acetate)를 들 수 있다. 징크 솔트(Zinc salt)는 예컨대 징크 아세테이트(Zinc acetate)일 수 있다. 여기서 인듐 용액을 만드는 단계는, 유기용매 10ml를 기준으로 하여, In 소스 0.05~5mmol, 징크 솔트(Zinc salt) 0.1~10mmol, 미리스틱애씨드(myristic acid), 알킬애씨드(alkyl acid) 및 아릴애씨드(aryl acid) 중에서 어느 하나 0.1~10mmol을 혼합하여 100~200℃로 진공에서 0.1~48시간 동안 용해시킨 후, 상온에서 냉각시킬 수 있다.
쉘층을 형성하는 단계(S13)는 상기의 입자를 성장시킨 결과물에 징크 솔트(Zinc salt)를 투입하여, 1차로 열처리후 냉각시키는 단계와, 1차로 열처리후 냉각시킨 결과물에 알킬 티올(alkyl thiol), 알킬 티오이소시아네이트(alkyl thioisocyanate), 아릴 티올(aryl thiol) 및 아릴 티오이소시아네이트(aryl thioisocyanate) 중에서 어느 하나를 투입하여, 2차로 열처리 후 냉각시키는 단계와, 2차로 열처리후 냉각시킨 결과물에 용매를 넣어서 입자를 떨어뜨려 회수하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서 1차로 열처리후 냉각시키는 단계는 상온에서 유기용매 10ml를 기준으로 하여 징크 솔트(Zinc salt) 0.1~10mmol을 투입하여, 100~340℃로 승온시켜서 0.1~48시간 동안 열처리후, 상온에서 냉각시킬 수 있다. 또한 2차로 열처리후 냉각시키는 단계는 상온에서 유기용매 10ml를 기준으로 하여 알킬 티올(alkyl thiol), 알킬 티오이소시아네이트(alkyl thioisocyanate), 아릴 티올(aryl thiol) 및 아릴 티오이소시아네이트(aryl thioisocyanate) 중에서 어느 하나 0.1~20mmol을 투입하여, 100~340℃로 승온시켜서 0.1~48시간 동안 열처리후, 상온에서 냉각시킬 수 있다.
본 발명에 따른 인을 포함하는 양자점은 상기한 본 발명에 따른 인을 포함하는 양자점 제조방법에 의해 제조될 수 있고, InP를 코어로 하고, 코어를 감싸는 쉘이 Zn 화합물, 예컨대 ZnS 또는 ZnSe일 수 있는데, 이에 따라 일례로 InP/ZnS 코어/쉘로 이루어진 나노결정의 반도체 양자점일 수 있다. 이하에서, 본 발명에 따른 인을 포함하는 양자점 제조방법에 대해서 예를 들어 설명하기로 한다.
[실시례 1]
1. 원소 인(P) 화합물 활성화
0.1mmol 적린(P)과, 0.5mmol LiAlH4와 ODE(1-octadecene) 10ml를 섞고, 280℃까지 온도를 올린 다음, 이 상태를 24시간 유지하여 활성화된 인(P) 전구체 용액을 제조한다.
2. 활성화 인(P) 화합물 이용 InP 합성
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.2mmol과, 미리스틱애씨드(myristic acid) 0.65mmol과, ODE(1-octadecene) 10mL를 섞고, 120℃로 진공에서 3시간 동안 완전하게 녹인 후, 상온으로 냉각하여 인듐 용액을 제조한 다음, 냉각된 인듐 용액을 이전 과정에서 활성화시킨 인(P) 전구체 용액에 투입하여 일정시간 입자를 성장시킨다. 한편 이 과정에서 InP를 회수할 수 있는데, 이 경우 입자를 성장시킨 결과물에 에탄올을 과량으로 넣어서 입자를 떨어뜨림으로써 회수할 수 있다.
3. 활성화 인(P) 화합물 이용 InP/ZnS 코어/쉘 양자점 합성
이전 과정에서 입자를 성장시킨 결과물에 상온에서 징크 아세테이트(zinc acetate) 0.2mmol을 투입후, 280℃로 승온시켜서 30분 동안 열처리한 다음 상온에서 냉각시킨다. 이렇게 냉각을 마친 결과물에 상온에서 DDT(1-dodecanethiol) 1mmol을 투입후 280℃로 승온시켜서 30분 동안 열처리 후 상온에서 냉각한 다음, 이에 에탄올을 과량으로 넣어서 입자를 떨어뜨려 InP/ZnS 코어/쉘 양자점을 회수한다.
[실시례 2]
실시례 2의 경우, 상기한 실시례 1의 과정과 동일하되, 2.의 활성화 인(P) 화합물 이용 InP 합성 과정을 다음과 같이 실시한다.
활성화 인(P) 화합물 이용 InP 합성
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.2mmol과 징크 아세테이트(Zinc acetate) 0.2mmol과, 미리스틱애씨드(myristic acid) 1.1mmol과, ODE(1-octadecene) 10ml를 섞고 120℃에서 진공에서 3시간 동안 완전하게 녹인 다음, 상온으로 냉각시킴으로써 인듐 용액을 제조하고, 냉각된 인듐 용액을 이전 과정에서 활성화시킨 인(P) 전구체 용액에 투입하여 일정시간 입자를 성장시킨다. 여기서도 InP를 회수할 수 있는데, 이 경우 입자를 성장시킨 결과물에 에탄올을 과량으로 넣어서 입자를 떨어뜨림으로써 회수할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따르면, 화학적으로 안정한 인(P)을 InP 화학반응에 직접 사용함으로써 제조비용을 줄여서 저가의 양자점 제조를 가능하도록 하고, 상온 및 상압의 대기 조건에서 제조가 이루어지도록 하여 다루기가 편할 뿐만 아니라 안전성을 확보할 수 있다.
이와 같이 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 이루어질 수 있음은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시례에 한정되어서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이러한 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (15)

  1. 환원제를 사용하여 인(P) 화합물을 활성화시키는 단계;
    상기 활성화된 인(P) 화합물에 인듐(In) 이온을 첨가하여 InP 코어를 합성하는 단계; 및
    상기 InP 코어를 감싸는 쉘층을 형성하는 단계;
    를 포함하는, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 인(P) 화합물을 활성화시키는 단계는,
    상기 환원제가 메탈 하이드라이드(Metal hydride), 메탈 보로하이라이드(Metal borohydride), 알킬 아민(Alkyl amine), 아릴 아민(Aryl amine) 및 터미널 올레핀(Terminal olefin)을 가지는 분자 중에서 어느 하나인, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 인(P) 화합물을 활성화시키는 단계는,
    인(P) 화합물, 상기 환원제 및 유기용매를 혼합 및 가열하여 인(P) 화합물을 활성화시키는, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 인(P) 화합물을 활성화시키는 단계는,
    상기 유기용매 10ml를 기준으로 하여, 상기 인(P) 화합물 0.05~5mmol과 상기 환원제 0.05~5mmol을 혼합하여, 100~340℃로 0.1~48시간 동안 유지함으로써 인(P) 화합물을 활성화시키는, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 InP 코어를 합성하는 단계는,
    In3+가 존재하는 금속염에 해당하는 In 소스와, 미리스틱애씨드(myristic acid), 알킬애씨드(alkyl acid) 및 아릴애씨드(aryl acid) 중에서 어느 하나와, 유기용매를 혼합 및 가열하여 용해시킨 후, 냉각시켜서 인듐 용액을 만드는 단계; 및
    상기 인듐 용액을 상기 활성화된 인(P) 화합물에 투입하여 입자를 성장시키는 단계;
    를 포함하는, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 인듐 용액을 만드는 단계는,
    상기 유기용매 10ml를 기준으로 하여, 상기 In 소스 0.05~5mmol과, 상기 미리스틱애씨드(myristic acid), 알킬애씨드(alkyl acid) 및 아릴애씨드(aryl acid) 중에서 어느 하나 0.1~10mmol을 혼합하여, 50~340℃로 진공에서 0.1~48시간 용해시킨 다음, 상온에서 냉각시키는, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 쉘층을 형성하는 단계는,
    상기 입자를 성장시킨 결과물에 징크 솔트(Zinc salt)를 투입하여, 1차로 열처리후 냉각시키는 단계;
    상기 1차로 열처리후 냉각시킨 결과물에 알킬 티올(alkyl thiol), 알킬 티오이소시아네이트(alkyl thioisocyanate), 아릴 티올(aryl thiol) 및 아릴 티오이소시아네이트(aryl thioisocyanate) 중에서 어느 하나를 투입하여, 2차로 열처리 후 냉각시키는 단계; 및
    상기 2차로 열처리후 냉각시킨 결과물에 용매를 넣어서 입자를 떨어뜨려 회수하는 단계;
    를 포함하는, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 1차로 열처리후 냉각시키는 단계는,
    상온에서 상기 유기용매 10ml를 기준으로 하여 상기 징크 솔트(Zinc salt) 0.1~10mmol을 투입하여, 100~340℃로 승온시켜서 0.1~48시간 동안 열처리후, 상온에서 냉각시키는, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 2차로 열처리후 냉각시키는 단계는,
    상온에서 상기 유기용매 10ml를 기준으로 하여 상기 알킬 티올(alkyl thiol), 알킬 티오이소시아네이트(alkyl thioisocyanate), 아릴 티올(aryl thiol) 및 아릴 티오이소시아네이트(aryl thioisocyanate) 중에서 어느 하나 0.1~20mmol을 투입하여, 100~340℃로 승온시켜서 0.1~48시간 동안 열처리후, 상온에서 냉각시키는, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 InP 코어를 합성하는 단계는,
    In3+가 존재하는 금속염에 해당하는 In 소스와, 징크 솔트(Zinc salt)와, 미리스틱애씨드(myristic acid), 알킬애씨드(alkyl acid) 및 아릴애씨드(aryl acid) 중에서 어느 하나와, 유기용매를 혼합 및 가열하여 용해시킨 후 냉각시켜서 인듐 용액을 만드는 단계; 및
    상기 인듐 용액을 상기 활성화된 인(P) 화합물에 투입하여 입자를 성장시키는 단계;
    를 포함하는, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 인듐 용액을 만드는 단계는,
    상기 유기용매 10ml를 기준으로 하여, 상기 In 소스 0.05~5mmol, 상기 징크 솔트(Zinc salt) 0.1~10mmol, 상기 미리스틱애씨드(myristic acid), 알킬애씨드(alkyl acid) 및 아릴애씨드(aryl acid) 중에서 어느 하나 0.1~10mmol을 혼합하여 100~200℃로 진공에서 0.1~48시간 동안 용해시킨 후, 상온에서 냉각시키는, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 쉘층을 형성하는 단계는,
    상기 입자를 성장시킨 결과물에 징크 솔트(Zinc salt)를 투입하여, 1차로 열처리후 냉각시키는 단계;
    상기 1차로 열처리후 냉각시킨 결과물에 알킬 티올(alkyl thiol), 알킬 티오이소시아네이트(alkyl thioisocyanate), 아릴 티올(aryl thiol) 및 아릴 티오이소시아네이트(aryl thioisocyanate) 중에서 어느 하나를 투입하여, 2차로 열처리 후 냉각시키는 단계; 및
    상기 2차로 열처리후 냉각시킨 결과물에 용매를 넣어서 입자를 떨어뜨려 회수하는 단계;
    를 포함하는, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 1차로 열처리후 냉각시키는 단계는,
    상온에서 상기 유기용매 10ml를 기준으로 하여 상기 징크 솔트(Zinc salt) 0.1~10mmol을 투입하여, 100~340℃로 승온시켜서 0.1~48시간 동안 열처리후, 상온에서 냉각시키는, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 2차로 열처리후 냉각시키는 단계는,
    상온에서 상기 유기용매 10ml를 기준으로 하여 상기 알킬 티올(alkyl thiol), 알킬 티오이소시아네이트(alkyl thioisocyanate), 아릴 티올(aryl thiol) 및 아릴 티오이소시아네이트(aryl thioisocyanate) 중에서 어느 하나 0.1~20mmol을 투입하여, 100~340℃로 승온시켜서 0.1~48분 동안 열처리후, 상온에서 냉각시키는, 인을 포함하는 양자점 제조방법.
  15. 청구항 1 내지 청구항 14 중에서 어느 한 항에 기재된 인을 포함하는 양자점 제조방법에 의하여 제조되는, 인을 포함하는 양자점.
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