KR20160131171A - 배터리를 포함하는 메모리 모듈 - Google Patents

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KR20160131171A
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임상국
박종범
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Abstract

본 기술은 메인 시스템 보드의 소켓에 끼워지는 메모리 모듈을 포함한다. 본 기술에 따른 메모리 모듈은 일면 및 상기 일면에 대향하는 타면을 갖는 직사각 플레이트 형상의 모듈 기판, 상기 모듈 기판의 일면 및 타면 중 적어도 어느 한 면 이상에 실장된 복수의 제1메모리들, 상기 모듈 기판의 일면 및 타면 중 어느 한 면에 실장된 제2메모리 및 컨트롤러, 및 상기 모듈 기판의 일면 및 타면 중 적어도 어느 한 면 이상에 탑재된 복수의 배터리들을 포함할 수 있다.

Description

배터리를 포함하는 메모리 모듈{Memory module including battery}
본 발명은 메모리 모듈에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 메인 시스템 보드의 소켓에 끼워지는 메모리 모듈에 관한 것이다.
일반적으로 서버 컴퓨터 시스템은 메인 시스템 보드에 CPU, 하드디스크, 메모리, 그래픽, 수동소자들 및 전원공급장치 등과 같은 각종 전자부품들을 설치하여 구성된다. 그리고, 이러한 서버 컴퓨터 시스템에서의 메모리 모듈은 모듈 기판상에 패키지 상태로 복수 개의 디램들 및 디램들의 동작을 컨트롤할 수 있는 복수 개의 메모리 컨트롤러들이 실장된 디램 DIMM(Dual In-line Memory Module) 형태로 제작되어, 메모리 컨트롤러와 디램들 사이의 데이터 트랜잭션(transaction)이 이루어지게 된다.
그런데, 서버 컴퓨터 시스템을 포함한 통상의 컴퓨터는 전원이 갑자기 파워 오프(Power Off)되는 경우에 디램의 데이터를 소실할 수가 있다. 이것은 디램이 전원을 인가받지 않는 경우에 데이터를 잃어 버리는 휘발성 메모리이기 때문이다. 따라서, 휘발성의 디램이 가지는 데이터 소실의 문제를 보완하고자, 메모리 모듈로서 비휘발성 메모리인 낸드(NAND)가 함께 탑재된 NVDIMM(Non-volatile DIMM)이 제안되었다.
NVDIMM은 모듈 기판상에 휘발성의 디램과 비휘발성의 낸드가 함께 탑재되고, 또한, NVDIMM 컨트롤러가 탑재된 구조를 가지며, 전원이 공급되는 평상시(normal state)에는 메모리 컨트롤러와 디램 사이에서 데이터 트랜잭션이 이루어지지만, 파워-아웃(power-out)이 일어나거나 영구 데이터(permanent data) 저장이 필요한 경우에는 NVDIMM 컨트롤러가 메모리 컨트롤러 대신 통제 권한을 확보하여 디램과 낸드 사이의 데이터 트랜잭션이 이루어지게 된다.
한편, NVDIMM을 포함하는 서버 컴퓨터 시스템에 있어서, 메인 시스템 보드 상에는 슈퍼-캡(Super-cap) 구조의 배터리가 함께 탑재된다. 따라서, 외부로부터 서버 컴퓨터 시스템에 더 이상 전원이 공급되지 않는 경우, NVDIMM은 평상시에 전원을 보관하고 있던 슈퍼-캡의 전원을 이용해 동작하게 된다.
이러한 슈퍼-캡 구조의 배터리는, 도 1에 도시된 바와 같이, HDD 타입(A), PCI 카드 타입(B) 및 사용자(custom) 타입(C) 중 적어도 어느 하나의 타입으로 서버 컴퓨터 시스템의 메인 시스템 보드에 탑재되고 있다.
본 발명의 실시 예는 메인 시스템 보드 공간의 활용성을 높일 수 있는 메모리 모듈을 제공한다.
실시 예에 따른 메모리 모듈은, 일면 및 상기 일면에 대향하는 타면을 갖는 직사각 플레이트 형상의 모듈 기판; 상기 모듈 기판의 일면 및 타면 중 적어도 어느 한 면 이상에 실장된 복수의 제1메모리들; 상기 모듈 기판의 일면 및 타면 중 어느 한 면에 실장된 제2메모리 및 컨트롤러; 및 상기 모듈 기판의 일면 및 타면 중 적어도 어느 한 면 이상에 탑재된 복수의 배터리들;을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 메모리 모듈에 있어서, 상기 제1메모리들은 상기 모듈 기판의 일면 상에 상기 모듈 기판의 장변 방향을 따라 그의 중심부에는 실장됨이 없이 중심부를 기준으로 그 양측에 대칭되게 일정 간격으로 실장되고, 상기 제2메모리 및 상기 컨트롤러는 상기 모듈 기판의 일면에서 상기 모듈 기판의 장변 방향 중심부에 상기 모듈 기판의 단변 방향을 따라 상호 이격하게 실장되며, 상기 배터리들은 상기 제1메모리들이 실장된 상기 모듈 기판의 일면 부분들과 대향하는 타면 부분들 상에 각각 탑재될 수 있다.
실시 예에 따른 메모리 모듈은 상기 모듈 기판의 타면과 상기 배터리 사이에 개재된 절연부재를 더 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 메모리 모듈에 있어서, 상기 제1메모리들은 상기 모듈 기판의 일면 및 타면 상에서 상기 모듈 기판의 장변 방향을 따라 중심부들에 실장됨이 없이 중심부들을 기준으로 그 양측에 대칭되게 일정 간격으로 실장되고, 상기 제2메모리는 상기 모듈 기판의 타면에서 상기 제1메모리가 실장되지 않은 상기 모듈 기판의 장변 방향 중심부에 실장되며, 상기 컨트롤러들은 상기 모듈 기판의 일면에서 상기 제1메모리가 실장되지 않은 상기 모듈 기판의 장변 방향 중심부에 실장되고, 상기 배터리들은 상기 모듈 기판의 일면 및 타면에서 각 제1메모리들의 상부에 각각 탑재될 수 있다.
실시 예에 따른 메모리 모듈은 상기 제1메모리들과 상기 배터리들 사이에 개재된 히트싱크를 더 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 메모리 모듈은 상기 히트싱크와 상기 배터리들 사이에 개재된 열계면체(TIM)을 더 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 메모리 모듈은 상기 모듈 기판의 일면 상에 상기 모듈 기판의 단변 방향을 따라 상기 컨트롤러와 이격해서 실장된 RCD(Register Clock Driver)를 더 포함할 수 있다.
본 기술은 슈퍼-캡 구조를 갖는 NVDIMM용 배터리를 메모리 모듈 위에 탑재시킴으로써 메인 시스템 보드 상의 공간 사용을 없앨 수 있다. 이에 따라, 본 기술을 이용하는 경우, 메인 시스템 보드 상에의 많은 수의 NVDIMM의 탑재시에도 효율적인 메인 시스템 보드 공간 활용이 가능하여 다른 시스템 컴포넌트 탑재에 제약을 주지 않을 수 있다.
또한, 본 기술은 각 NVDIMM 별로 필요한 슈퍼-캡의 수가 각 메모리 모듈에 탑재되므로, NVDIMM 탑재 수(density)를 늘리더라도 슈퍼-캡의 수를 늘리거나 하는 제약을 받지 않을 수 있다.
도 1은 종래 서버 컴퓨터 시스템에서의 슈퍼-캡 구조 배터리의 탑재 타입을 설명하기 위한 사진.
도 2 및 도 3은 실시 예에 따른 메모리 모듈의 정면도 및 배면도.
도 4 및 도 5는 실시 예에 따른 메모리 모듈의 메인 시스템 보드에의 결합 상태를 도시한 도 2의 A-A' 선에 따른 단면도.
도 6 및 도 7은 실시 예에 따른 메모리 모듈의 정면도 및 배면도.
도 8은 실시 예에 따른 메모리 모듈의 메인 시스템 보드에의 결합 상태를 도시한 도 6의 B-B' 선에 따른 단면도.
도 9는 다양한 실시 예들에 따른 메모리 모듈들이 적용된 전자 시스템의 블록도.
이하, 첨부 도면을 참조하여 다양한 실시 예에 따른 메모리 모듈을 상세하게 설명하도록 한다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 실시 예에 따른 메모리 모듈(100)은 서버 컴퓨터 시스템의 메인 시스템 보드(110)에 장착되는 것으로서, 모듈 기판(10)과 복수의 제1메모리들(20) 및 스위치들(30), 제2메모리(40), 컨트롤러(50) 및 배터리(60)를 포함하는 NVDIMM 구조로 이루어질 수 있다.
상기 모듈 기판(10)은 대체로 직사각의 플레이트 형상으로 마련될 수 있으며, 일면(10a) 및 상기 일면(10a)에 대향하는 타면(10b)을 가질 수 있다. 또한, 모듈 기판(10)은 메인 시스템 보드(110)와의 전기적 연결을 위해, 즉, 메인 시스템 보드(110)의 소켓(112)에 끼워지는 장변 방향(LD; Long Direction)의 아래쪽 일단부 양측면에 배열된 복수의 전극 패드들(12)을 포함할 수 있다. 여기서, 도시하지 않았으나, 모듈 기판(10)은 그의 일면(10a) 및 타면(10b) 각각에 회로 패턴이 형성되고, 또한, 내부에 상기 일면(10a) 및 타면(10b)에 형성된 회로들을 연결하기 위한 비아 패턴이 형성된 구조를 갖는 것으로 이해될 수 있다.
상기 제1메모리들(20)은 패키지 형태로 제작된 휘발성의 디램을 포함할 수 있으며, 이러한 디램으로 이루어진 제1메모리들(20)은 모듈 기판(10)의 일면(10a) 상에 실장되되 모듈 기판(10)의 장변 방향(LD)을 따라 중심부에는 실장됨이 없이 중심부를 기준으로 그 양측에 상호 대칭되게 일정 간격으로 수 개씩이 실장될 수 있다. 예를 들어 디램으로 이루어진 제1메모리들(20)은 모듈 기판(10)의 일면(10a) 상에 장변 방향(LD)의 중심부를 기준으로 그 양측에 네 개씩이 상호 대칭되게 실장될 수 있다.
상기 스위치들(30)은 컨트롤러(50)의 컨트롤신호에 따라 디램으로 이루어진 제1메모리들(20)을 온/오프시키기 위해 실장되는 것으로서, 모듈 기판(10)의 일면(10a) 상에 상기 모듈 기판(10)의 단변 방향(SD; Short Direction)으로 각 제1메모리들(20)과 이격하여 각각 실장될 수 있다. 여기서, 스위치(30)의 구조는 통상의 메모리 모듈에 실장되는 그것과 동일하거나 유사한 것으로 이해될 수 있으며, 따라서, 본 실시 예에서는 이에 대한 상세한 도시 및 설명은 생략하도록 한다.
상기 제2메모리(40)는 실시 예에 따른 메모리 모듈(100)이 NVDIMM을 구성하도록 낸드를 포함할 수 있으며, 이러한 낸드로 이루어진 제2메모리(40)는 모듈 기판(10)의 일면(10a)에서 제1메모리들(20)이 실장되지 않은 모듈 기판(10)의 장변 방향(LD)의 중심부에 실장될 수 있다. 낸드로 이루어진 제2메모리(40)는 원치 않는 파워-아웃이 일어나거나 영구 데이터 저장이 필요한 경우, 컨트롤러(50)에 컨트롤 신호에 따라 동작될 수 있다.
상기 컨트롤러(50)는 NVDIMM 컨트롤러를 포함할 수 있으며, 모듈 기판(10)의 일면(10a) 상에서 상기 모듈 기판(10)의 장변 방향(LD) 중심부에 모듈 기판(10)의 단변 방향(SD)을 따라 제2메모리(40)와 이격하여 실장될 수 있다. 이러한 컨트롤러(50)는 스위치들(30)의 온/오프 컨트롤은 물론 파워-아웃이 일어나거나 낸드로 이루어진 제2메모리(50)에의 영구 데이터 저장이 필요한 경우 디램으로 이루어진 제1메모리(20)와 낸드로 이루어진 제2메모리(50) 사이에 데이터 트랜젝션이 이루어지도록 역할할 수 있다.
상기 배터리들(60)은 슈퍼-캡(Super-Cap) 구조로 마련될 수 있으며, 외부로부터 서버 컴퓨터 시스템에 더 이상의 전원이 공급되지 않는 경우에 NVDIMM으로 이루어진 실시 예에 따른 메모리 모듈(100)에 전원을 공급하도록 역할한다. 이러한 슈퍼-캡 구조의 배터리들(60)은 제1메모리들(20), 스위치들(30), 제2메모리(40) 및 컨트롤러(50)가 실장되지 않는 모듈 기판(10)의 타면(10b) 상에 탑재될 수 있다. 예를 들어, 슈퍼-캡 구조의 배터리들(60)은 제1메모리들(20) 및 스위치들(30)이 실장된 모듈 기판(10)의 일면(10a) 부분들과 대향하는 타면(10b) 부분들 상에 각각 탑재될 수 있다.
한편, 슈퍼-캡 구조로 이루어진 배터리들(60)은 열에 민감하기 때문에, 모듈 기판(10)의 타면(10b) 상에 배터리(60)를 탑재할 경우 제1메모리들(20) 및 제2메모리(40)의 구동 중에 발생되는 열로 인해 배터리(60)의 결함이 유발될 수 있다.
따라서, 도 5에 도시된 바와 같이, 모듈 기판(10)의 타면(10b)과 배터리(60) 사이에 절연부재(70)가 개재될 수 있으며, 이러한 절연부재(70)는 별도의 절연판 또는 모듈 기판(10)의 타면(10b) 상에 형성되는 절연막 중 어느 하나일 수 있다.
전술한 바와 같이, 실시 예에 따른 메모리 모듈(100)은 제1메모리들(20), 스위치들(30), 제2메모리(40) 및 컨트롤러(50)가 모듈 기판(10)의 일면(10a) 상에 실장되고, 복수의 배터리들(60)이 모듈 기판(10)의 타면(10b) 상에 탑재되는 구조를 갖는다.
따라서, 실시 예에 따른 메모리 모듈은 슈퍼-캡 구조로 이루어지는 NVDIMM용 배터리를 포함하게 되므로, 서버 컴퓨터 시스템의 메인 시스템 보드에는 별도의 NVDIMM용 배터리를 탑재할 필요가 없게 된다. 그러므로, 실시 예에 따른 메모리 모듈을 적용하는 경우, 메인 시스템 보드 상에 많은 수의 NVDIMM 탑재시에도 효율적인 메인 시스템 보드 공간 활용이 가능하여 다른 시스템 컴포넌트 탑재에 제약을 주지 않을 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 메모리 모듈은 슈퍼-캡 구조를 갖는 NVDIMM용 배터리가 필요한 수만큼 탑재되므로 메인 시스템 보드에의 NVDIMM 탑재 수(density)를 늘리더라도 슈퍼-캡 구조의 배터리 수를 따로 늘려야 하는 등의 제약을 받지 않을 수 있다.
게다가, 전술한 실시 예와 같이, 메모리 모듈은 모듈 기판의 한 면에만 메모리를 실장하고 반대 면에는 슈퍼-캡 구조의 배터리를 탑재하여 저용량 NVDIMM을 구성하게 되므로, 서버 컴퓨터 사용자는 메인 시스템 보드의 소켓들 간격에 영향을 받음이 없이 소켓들을 풀(fully)로 사용할 수 있게 된다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 실시 예에 따른 메모리 모듈(200)은 NVDIMM 구조로 이루어지며, 이전 실시 예와 비교해서 상대적으로 고용량을 가질 수 있다. 본 실시 예에서 이전 실시 예와 동일한 부분은 동일한 도면부호를 부여하도록 한다.
고용량 NVDIMM 구조의 메모리 모듈(200)은 모듈 기판(10), 제1메모리들(20), 스위치들(30), 제2메모리(40), 컨트롤러(50), 배터리(60) 및 히트싱크(90)를 포함할 수 있다. 또한 실시 예에 따른 메모리 모듈(200)은 RCD(Register Clock Driver; 80)를 더 포함할 수 있다.
상기 모듈 기판(10)은 일면(10a) 및 상기 일면(10a)에 대향하는 타면(10b)을 갖는 직사각 플레이트 형상으로 마련될 수 있으며, 또한, 모듈 기판(10)은 그의 일면(10a) 및 타면(10b) 각각에 회로패턴(도시안됨)이 형성되고, 그의 내부에 비아 패턴(도시안됨)이 형성되며, 메인 시스템 보드(110)의 소켓(112)에 끼워지는 장변 방향(LD)의 아래쪽 일단부 양측면에 복수의 전극 패드들(12)이 배열된 구조를 가질 수 있다.
상기 제1메모리들(20)은 패키징된 디램을 포함할 수 있으며, 이러한 제1메모리들(20)은 모듈 기판(10)의 일면(10a) 및 타면(10b) 상에 각각 모듈 기판(10)의 장변 방향(LD)을 따라 그의 중심부에는 실장됨이 없이 중심부를 기준으로 그 양측에 상호 대칭되게 일정 간격으로 수 개씩이 실장될 수 있다. 본 실시 예에서, 제1메모리들(20)은 모듈 기판(10)의 일면(10a) 및 타면(10b) 상에 각각 장변 방향(LD)의 중심부를 기준으로 네 개씩이 상호 대칭되게 실장될 수 있다.
상기 스위치들(30)은 제1메모리들(20)의 온/오프를 제어하기 위해 마련되는 것으로, 모듈 기판(10)의 일면(10a) 및 타면(10b) 상에 상기 모듈 기판(10)의 단변 방향(SD)으로 각 제1메모리(20)와 이격하여 각각 실장될 수 있다.
상기 제2메모리(40)는 NVDIMM을 구성하도록 비휘발성의 낸드를 포함할 수 있다. 이러한 제2메모리(40)는 모듈 기판(10)의 일면(10a) 또는 타면(10b) 중 어느 한 면, 예를 들어, 타면(10b) 상에서 제1메모리들(20)이 실장되지 않은 모듈 기판(10)의 장변 방향(LD) 중심부에 실장될 수 있다. 낸드로 이루어진 제2메모리(50)는 영구 데이터를 저장하거나, 디램으로 이루어진 제1메모리(20)와 데이터 트랜젝션이 이루어질 수 있다.
상기 컨트롤러(50)는 NVDIMM 컨트롤러인 것으로 이해될 수 있으며, 모듈 기판(10)의 일면(10a) 및 타면(10b) 중에서 제2메모리(40)가 실장되지 않은 나머지 타면(10b) 또는 일면(10a) 상의 상기 모듈 기판(10)의 장변 방향(LD) 중심부에 실장될 수 있다. 이러한 컨트롤러(50)는 낸드로 이루어진 제2메모리(50)에 영구 데이터 저장이 이루어지도록 역할함은 물론, 서버 컴퓨터 시스템의 원치 않는 파워-아웃이 일어난 경우, 디램으로 이루어진 제1메모리(20)와 낸드로 이루어진 제2메모리(50) 사이에 데이터 트랜젝션이 이루어지도록 역할할 수 있다.
상기 RCD(80)는 모듈 기판(10)의 일면(10a) 상에서 상기 모듈 기판(10)의 단변 방향(SD)을 따라 컨트롤러(50)와 이격해서 실장될 수 있다. 이러한 RCD는 통상의 메모리 모듈에 실장되는 그것들과 동일하거나 유사할 수 있으며, 따라서, 본 실시 예에서는 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
상기 히트싱크(90)는 제1 및 제2 메모리들(20, 40)과 스위치들(30), 컨트롤러(50) 및 RCD(80)가 실장된 모듈 기판(10)의 일면(10a) 및 타면(10b) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 히트싱크(90)는 대체로 모듈 기판(10)의 일면(10a) 전체 상부에 배치되는 전면부(90a), 대체로 모듈 기판(10)의 타면(10b) 전체에 배치되는 후면부(90b), 그리고, 모듈 기판(10)의 위쪽 장변 위로 연장하여 전면부(90a)와 후면부(90b)를 연결하는 연결부(90c)를 포함할 수 있으며, 상기 전면부(90a)와 후면부(90b) 및 연결부(90c)는 일체형으로 이루어질 수 있다. 이러한 히트싱크(90)는 제1 및 제2 메모리들(20, 40)와 접촉하게 설치될 수 있으며, 이에 따라, 실시 예에 따른 메모리 모듈(200)에서의 제1 및 제2 메모리들(20, 40)의 구동 중에 발생하는 열은 히트싱크(90)를 통해 신속하게 분산 및 외부로 방출될 수 있다.
상기 배터리들(60)은 슈퍼-캡 구조로 이루어질 수 있으며, 외부로부터 서버 컴퓨터 시스템에 더 이상의 전원이 공급되지 않는 경우에 NVDIMM으로 이루어진 본 실시 예의 메모리 모듈(100)에 전원을 공급하도록 역할한다. 이러한 배터리들(60)은 모듈 기판(10)의 일면(10a) 및 타면(10b) 모두에서 제1메모리들(20) 상부의 히트싱크(90) 부분들 상에 각각 열계면체(Thermal Interface Material; 62)를 개재하여 탑재될 수 있다.
이와 같은 실시 예에 따른 메모리 모듈(200)은 모듈 기판(10)의 일면(10a) 및 타면(10b) 모두에 디램으로 이루어진 제1메모리들(20)이 실장된 것과 관련하여, 이전 실시 예에의 그것과 비교해서 상대적으로 고용량의 NVDIMM을 구현할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 메모리 모듈(200)은 히트싱크(90)가 추가 탑재되는 것으로 인해 열에 의한 동작 결함 발생이 없거나 적을 수 있다.
게다가, 실시 예에 따른 메모리 모듈(200)은 이전 실시 예의 그것과 마찬가지로 슈퍼-캡 구조로 이루어진 복수 개의 배터리들이 탑재된 구성을 가지므로, 서버 컴퓨터 시스템에 적용하는 경우에 메인 시스템 보드에 별도의 NVDIMM용 배터리를 탑재할 필요가 없어서 효율적인 메인 시스템 보드 공간 활용이 가능하도록 할 수 있다.
전술한 다양한 실시 예들에 따른 메모리 모듈들은 다양한 종류의 전자 시스템에 적용될 수 있다.
도 9를 참조하면, 다양한 실시 예들에 따른 메모리 모듈들이 적용된 전자 시스템(1000)은 컨트롤러(1100), 입출력장치(1200) 및 메모리장치(1300)를 포함할 수 있다. 컨트롤러(1100), 입출력장치(1200) 및 메모리장치(1300)는 데이터들이 이동하는 통로를 제공하는 버스(1500)를 통하여 결합될 수 있다.
예를 들어, 컨트롤러(1100)는 적어도 하나의 마이크로프로세서, 디지털신호프로세서, 마이크로컨트롤러, 그리고 이들과 유사한 기능을 수행할 수 있는 논리소자들 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 입출력장치(1200)는 키패드, 키보드 및 표시 장치 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
메모리장치(1300)는 데이터 및/또는 컨트롤러(1100)에 의해 실행되는 명령어 등을 저장할 수 있다. 이러한 메모리장치(1300)는 다양한 실시 예에 따른 메모리 모듈을 포함할 수 있다.
이와 같은 전자 시스템(1000)은 통신 네트워크로 데이터를 전송하거나 통신 네트워크로부터 데이터를 수신하기 위한 인터페이스(1400)를 더 포함할 수 있다. 인터페이스(1400)는 유무선 형태일 수 있다. 예컨대, 인터페이스(1400)는 안테나 또는 유무선 트랜시버 등을 포함할 수 있다.
한편, 도시하지 않았으나, 전자 시스템(1000)은 응용 칩셋(Application Chipset) 및 카메라 이미지 프로세서 등을 더 포함할 수 있다.
전자 시스템(1000)은 모바일 시스템, 개인용 컴퓨터, 산업용 컴퓨터 또는 다양한 기능을 수행하는 로직 시스템 등으로 구현될 수 있다. 예컨대, 모바일 시스템은 개인 휴대용 정보 단말기(PDA; Personal Digital Assistant), 휴대용 컴퓨터, 웹 타블렛(web tablet), 모바일폰(mobile phone), 스마트폰(smart phone), 무선폰(wireless phone), 랩톱(laptop) 컴퓨터, 메모리 카드, 디지털 뮤직 시스템 (digital music system), 그리고, 정보 전송/수신 시스템 중 어느 하나일 수 있다.
전자 시스템(1000)이 무선 통신을 수행할 수 있는 장비인 경우에, 전자 시스템(1000)은 CDMA(Code Division Multiple Access), GSM(Global System for Mobile communication), NADC(North American Digital Cellular), E-TDMA(Enhanced-Time Division Multiple Access), WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access), CDMA2000, LTE(Long Term Evolution), Wibro(Wireless Broadband Internet)과 같은 통신 시스템에서 사용될 수 있다.
이상, 여기에서는 본 발명을 특정 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구의 범위는 본 발명의 정신과 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 알 수 있다.
10: 모듈 기판 12: 전극 패드
20: 디램 30: 스위치
40: 낸드 50: 컨트롤러
60: 슈퍼 캡 62: 열계면체
70: 절연부재 80: RCD
90: 히트싱크 100,200: 메모리 모듈
110: 메인 시스템 보드 112: 소켓
LD: 장변 방향 SD: 단변 방향

Claims (16)

  1. 일면 및 상기 일면에 대향하는 타면을 갖는 직사각 플레이트 형상의 모듈 기판;
    상기 모듈 기판의 일면 및 타면 중 적어도 어느 한 면 이상에 실장된 복수의 제1메모리들;
    상기 모듈 기판의 일면 및 타면 중 어느 한 면에 실장된 제2메모리 및 컨트롤러; 및
    상기 모듈 기판의 일면 및 타면 중 적어도 어느 한 면 이상에 탑재된 복수의 배터리들;
    을 포함하는 메모리 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 모듈 기판은 메인 시스템 보드의 소켓에 끼워지는 그의 장변 방향 일단부의 양측면에 배열된 복수의 전극 패드들을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1메모리는 디램을 포함하고, 상기 제2메모리는 낸드를 포함하며, 상기 컨트롤러는 NVDIMM 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1메모리들, 상기 제2메모리 및 상기 컨트롤러는 상기 모듈 기판의 일면 상에 실장되고, 상기 배터리는 상기 모듈 기판의 타면 상에 탑재된 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1메모리들은 상기 모듈 기판의 일면 상에 상기 모듈 기판의 장변 방향을 따라 그의 중심부에는 실장됨이 없이 중심부를 기준으로 그 양측에 대칭되게 일정 간격으로 실장되고,
    상기 제2메모리 및 상기 컨트롤러는 상기 모듈 기판의 일면에서 상기 모듈 기판의 장변 방향 중심부에 상기 모듈 기판의 단변 방향을 따라 상호 이격하게 실장되며,
    상기 배터리들은 상기 제1메모리들이 실장된 상기 모듈 기판의 일면 부분들과 대향하는 타면 부분들 상에 각각 탑재된 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 모듈 기판의 일면 상에 상기 모듈 기판의 단변 방향으로 각 제1메모리들과 이격하여 각각 실장된 스위치들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 모듈 기판의 타면과 상기 배터리 사이에 개재된 절연부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 절연부재는 절연판 또는 절연막인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1메모리들 및 상기 배터리들은 상기 모듈 기판의 일면 및 타면 모두에 실장되고, 상기 제2메모리는 상기 모듈 기판의 일면 또는 타면 중 어느 한 면 상에 실장되며, 상기 컨트롤러는 상기 제2메모리가 실장되지 않은 상기 모듈 기판의 타면 또는 일면 중 어느 한 면 상에 실장된 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1메모리들은 상기 모듈 기판의 일면 및 타면 상에서 상기 모듈 기판의 장변 방향을 따라 중심부들에 실장됨이 없이 중심부들을 기준으로 그 양측에 대칭되게 일정 간격으로 실장되고,
    상기 제2메모리는 상기 모듈 기판의 타면에서 상기 제1메모리가 실장되지 않은 상기 모듈 기판의 장변 방향 중심부에 실장되며,
    상기 컨트롤러들은 상기 모듈 기판의 일면에서 상기 제1메모리가 실장되지 않은 상기 모듈 기판의 장변 방향 중심부에 실장되고,
    상기 배터리들은 상기 모듈 기판의 일면 및 타면에서 각 제1메모리들의 상부에 각각 탑재된 것을 특징으로 메모리 모듈.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 모듈 기판의 일면 및 타면 상에 상기 모듈 기판의 단변 방향으로 각 제1메모리와 이격하여 각각 실장된 스위치들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1메모리들과 상기 배터리들 사이에 개재된 히트싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 히트싱크는 대체로 모듈 기판의 일면 전체 상부에 배치되는 전면부, 대체로 모듈 기판의 타면 전체에 배치되는 후면부, 및 상기 모듈 기판의 장변 위로 연장하여 상기 전면부와 후면부를 연결하는 연결부를 포함하는 일체형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 히트싱크와 상기 배터리들 사이에 개재된 열계면체(TIM)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 모듈 기판의 일면 상에 상기 모듈 기판의 단변 방향을 따라 상기 컨트롤러와 이격해서 실장된 RCD(Register Clock Driver)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 배터리는 슈퍼-캡(Super-Cap) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
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