KR20160124280A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus and, more specifically, relates to a substrate processing apparatus which performs a substrate processing such as etching, deposition, etc. for a substrate. The present invention discloses a substrate processing apparatus, comprising: a chamber body whose upper side is open; a substrate supporting unit installed in the chamber body, supporting a substrate; a top plate installed in an opening of the chamber body, forming a closed processing space, and forming a gas injection pathway on its bottom surface; an auxiliary place combined with a bottom surface of the top plate, forming the gas injection pathway, and forming a plurality of gas diffusion holes to spray the gas from the gas injection pathway to its lower side; and a shower head unit installed in a lower side of the auxiliary plate, forming a plurality of processing gas injection holes to spray the processing gas to a processing space, wherein the shower head unit is washed by the gas sprayed by the gas diffusion holes formed in the auxiliary plate, spraying the gas sprayed by the gas diffusion holes to the processing space. The present invention is designed to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing thermal deformation or damage despite a supply of high-temperature gas.

Description

기판처리장치 {Substrate processing apparatus}[0001] Substrate processing apparatus [

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대하여 식각, 증착 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing such as etching and deposition on a substrate.

기판처리장치는, 기판에 대하여 식각, 증착 등 기판처리를 수행하는 장치를 말한다.The substrate processing apparatus refers to an apparatus that performs substrate processing such as etching, vapor deposition, and the like on a substrate.

그리고 상기 기판처리장치는, 기판처리공정에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로서 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 공정챔버의 상측에 설치되어 처리공간 내에 기판처리를 위한 가스를 공급하는 샤워헤드부와, 공정챔버 내에 설치되어 피처리기판을 지지하는 기판지지부를 포함한다.The substrate processing apparatus may be configured in various ways according to the substrate processing process. For example, the substrate processing apparatus may include a process chamber for forming an enclosed process space, a shower disposed above the process chamber for supplying a gas for processing the substrate into the process space, A head portion, and a substrate supporting portion provided in the process chamber and supporting the substrate to be processed.

상기와 같은 구성을 가지는 기판처리장치는, 가스의 공급과 함께 전자기장에 의하여 처리공간 내에 플라즈마를 형성함으로서 기판처리공정을 수행하게 된다.The substrate processing apparatus having the above-described structure performs the substrate processing process by forming a plasma in the processing space by the electromagnetic field together with the supply of the gas.

그리고 상기 기판처리장치는, 일정회수의 기판처리공정을 수행한 후에 파티클을 제거하는 세정공정을 거치게 된다.The substrate processing apparatus is subjected to a cleaning process for removing particles after a predetermined number of substrate processing steps.

여기서 세정공정은, 다양한 방법에 의하여 수행이 가능하며, 일예로서, 원격플라즈마를 이용하여 가스를 해리된 상태로 샤워헤드부로 공급함으로써 샤워헤드부 및 공정챔버의 내부에 대한 세정공정을 수행할 수 있다.Here, the cleaning process can be performed by various methods. For example, the cleaning process for the interior of the showerhead and the process chamber can be performed by supplying the gas to the showerhead in a dissociated state using a remote plasma .

그런데, 상기와 같이 원격플라즈마를 이용하여 가스를 해리된 상태로 샤워헤드부로 공급될 때, 고열의 가스에 의하여 샤워헤드부 또는 확산플레이트의 변형이 발생되거나 파손될 수 있는 문제점이 있다.However, when the gas is supplied to the shower head in a state in which the gas is dissipated using the remote plasma as described above, the shower head or the diffusion plate may be deformed or damaged due to the high temperature gas.

또한 상기와 같이 원격플라즈마를 이용하여 가스를 해리된 상태로 샤워헤드부로 공급될 때, 그 공급구조에 따라서 샤워헤드부 내부의 세정이 원활하게 수행되지 못하는 문제점이 있다.Also, when the gas is supplied to the shower head in a state where the gas is dissipated using the remote plasma as described above, the inside of the shower head can not be cleaned smoothly according to the supply structure.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판처리장치의 최상측인 탑플레이트 내부에 가스가 흐르는 가스유로를 오목하게 형성하고 저면에 보조플레이트를 결합시킴으로써, 고온의 가스의 공급에도 불구하고 열변형 또는 파손이 최소화될 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to solve the above problems by providing a gas flow path through which gas flows in the top plate of the substrate processing apparatus, A substrate processing apparatus capable of minimizing thermal deformation or breakage.

본 발명은, 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 상측이 개구된 챔버본체와; 상기 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지부와; 상기 챔버본체의 개구에 설치되어 밀폐된 처리공간을 형성하며 저면에 가스분사유로가 형성된 탑플레이트와; 상기 탑플레이트의 저면에 결합되어 상기 가스분사유로를 형성하며 상기 가스분사유로로부터 가스를 하측으로 분사하도록 복수의 가스확산공들이 형성된 보조플레이트와; 상기 보조플레이트의 하측에 설치되어 공정가스를 처리공간으로 분사하도록 다수의 공정가스분사공들이 형성된 샤워헤드부와; 상기 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지부를 포함하며, 상기 샤워헤드부는, 상기 보조플레이트에 형성된 상기 가스확산공들에 의하여 분사된 가스에 의하여 세정되고 상기 가스확산공들에 의하여 분사된 가스를 처리공간으로 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object of the present invention. A substrate support disposed in the chamber body and supporting the substrate; A top plate provided in the opening of the chamber body to form a closed process space and having a gas injection channel formed on the bottom thereof; An auxiliary plate coupled to a bottom surface of the top plate to form the gas injection passage and having a plurality of gas diffusion holes formed therein to inject gas from the gas injection passage downward; A shower head provided below the auxiliary plate and having a plurality of process gas injection holes for injecting the process gas into the process space; And a substrate support installed in the chamber body for supporting the substrate, wherein the shower head is cleaned by the gas injected by the gas diffusion holes formed in the auxiliary plate, and the gas injected by the gas diffusion holes Is sprayed into the processing space.

상기 탑플레이트는, 평면형상이 직사각형 형상을 가지며, 중앙에 외부로부터 가스를 공급받도록 상하로 관통된 주입공이 형성되며, 상기 가스분사유로는, 상기 주입공를 기준으로 상하로 분기되는 한 쌍의 메인분기유로와, 상기 각 메인분기유로의 끝단에서 상기 메인분기유로와 수직을 이루어 좌우로 분기되는 한 쌍의 제2분기유로와, 상기 각 제2분기유로의 끝단에서 상하로 분기되는 한 쌍의 제3분기유로와, 상기 각 제3분기유로의 끝단에서 좌우로 분기되는 한 쌍의 제4분기유로를 포함하며, 상기 각 가스확산공은, 상기 각 제4분기유로의 끝단에 대응되어 형성될 수 있다.Wherein the top plate has a rectangular shape in plan view and is formed with an injection hole vertically passing through the center so as to receive gas from the outside, the gas injection path including a pair of main branches branched upward and downward with respect to the injection hole, A pair of second branch flow paths branched vertically from the ends of the main branch flow paths perpendicularly to the main branch flow paths and a pair of second branch flow paths branched vertically at the ends of the respective second branch flow paths, And a pair of fourth branch passages branched from the end of each of the third branch passages to the left and right, and each of the gas diffusing holes may be formed corresponding to an end of each of the fourth branch passages .

상기 복수의 가스확산공들은, 상기 주입공으로부터의 거리가 모두 동일하게 형성되는 것이 바람직하다.Preferably, the plurality of gas diffusion holes are formed to have the same distance from the injection hole.

상기 보조플레이트의 상면은, 상기 주입공에 대응되는 위치에서 상측으로 돌출된 돌출부가 설치될 수 있다.The upper surface of the auxiliary plate may be provided with a protruding portion protruding upward from a position corresponding to the injection hole.

상기 돌출부는, 상기 주입공을 향하여 뾰족하게 형성되며, 상기 주입공의 내주면은, 상기 돌출부의 형상에 대응되어 상기 주입공의 외주면과 평행을 이루는 확장부가 형성될 수 있다.The projecting portion may be formed to be pointed toward the injection hole and the inner circumferential surface of the injection hole may be formed with an extension portion corresponding to the shape of the projecting portion and parallel to the outer circumferential surface of the injection hole.

상기 돌출부의 저부의 최대폭의 크기(D2)는, 상기 주입공의 내경(D1)보다 크고, 상기 확장부의 가장 큰 외경(D3)보다 작은 것이 바람직하다.It is preferable that the maximum width D2 of the bottom of the protrusion is larger than the inner diameter D1 of the injection hole and smaller than the largest outer diameter D3 of the extension.

상기 가스는, 원격플라즈마발생장치를 거쳐 해리된 상태로 상기 가스분사유로로 주입될 수 있다.The gas can be injected into the gas injection path in a state of being disassociated via a remote plasma generator.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 탑플레이트의 저면에 가스분사유로를 형성하고 보조플레이트에 의하여 가스분사유로를 복개하도록 함으로써, 고온의 가스의 유입에 의한 보조플레이트의 변형 또는 파손을 방지하여 안정적인 가스의 공급이 가능한 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention prevents the deformation or breakage of the auxiliary plate due to the inflow of the high temperature gas by forming the gas injection path on the bottom surface of the top plate and covering the gas injection path with the aid of the auxiliary plate, Can be supplied.

구체적으로, 종래기술에 따르면 보조플레이트에 유로홈을 형성하여 가스공급유로를 형성함에 따라 고온 또는 반응성이 강한 가스가 유입되는 경우 유로홈이 형성된 부분에서 변형 또는 파손이 발생되는 문제점이 있는데, 본 발명의 경우 상대적으로 두꺼운 탑플레이트에 가스공급유로를 위한 유로홈을 형성하고 보조플레이트를 복개함으로써 보조플레이트가 상대적으로 구조보강이 되어 고온의 가스의 유입에 의한 보조플레이트의 변형 또는 파손을 방지하여 안정적인 가스의 공급이 가능한 이점이 있다.Specifically, according to the related art, there is a problem that deformation or breakage occurs at a portion where a flow path groove is formed when a gas having a high temperature or a high reactivity is introduced due to forming a gas supply path by forming a flow path groove in the auxiliary plate. A channel groove for a gas supply passage is formed in a relatively thick top plate and the auxiliary plate is overlapped to prevent relative deformation or breakage of the auxiliary plate due to inflow of a high temperature gas, Can be supplied.

또한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 탑플레이트를 관통하여 형성된 주입공에 대응되는 위치에서 보조플레이트에 돌출부를 추가로 형성함으로써, 고온의 가스에 대한 열변형 또는 파손을 방지하고, 가스의 균일한 분배가 가능하여 안정적인 가스의 공급이 가능한 이점이 있다.Further, the substrate processing apparatus according to the present invention further comprises a protrusion on the auxiliary plate at a position corresponding to the injection hole formed through the top plate, thereby preventing thermal deformation or breakage of the high temperature gas, It is possible to distribute the gas and supply the stable gas.

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리장치에서 탑플레이트의 저면을 보여주는 저면도이다.
도 3은, 도 1의 기판처리장치의 보조플레이트의 상면을 보여주는 평면도이다.
도 4는, 도 1의 기판처리장치에서 변형된 돌출부를 보여주는 보조플레이트의 일부평면도이다.
도 5는, 도 2 또는 도 4에서 가스유로형성부의 Ⅴ-Ⅴ방향의 단면을 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
Fig. 2 is a bottom view showing a bottom surface of the top plate in the substrate processing apparatus of Fig. 1; Fig.
3 is a plan view showing an upper surface of an auxiliary plate of the substrate processing apparatus of FIG.
Fig. 4 is a partial plan view of an auxiliary plate showing a protrusion deformed in the substrate processing apparatus of Fig. 1; Fig.
5 is a cross-sectional view showing a cross section in the V-V direction of the gas flow path forming portion in Fig. 2 or Fig. 4;

이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상측이 개구된 챔버본체(110)와; 챔버본체(110)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지부(130)와; 챔버본체(110)의 개구에 설치되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 저면에 가스분사유로홈(124)이 형성된 탑플레이트(120)와; 탑플레이트(120)의 저면에 결합되어 가스가 흐르는 가스분사유로(121)를 가스분사유로홈(124)과 함께 형성하며 가스분사유로(121)로부터 가스를 하측으로 전달하도록 복수의 가스확산공(211)들이 형성된 보조플레이트(210)와; 보조플레이트(210)의 하측에 설치되어 가스를 가스분사유로(121)로부터 처리공간(S)으로 분사하도록 다수의 가스분사공(221)들이 형성된 샤워헤드부(220)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber body 110 having an opened upper side; A substrate support 130 installed on the chamber body 110 to support the substrate 10; A top plate 120 provided at an opening of the chamber body 110 to form a closed process space S and having a gas injection flow path groove 124 formed at the bottom thereof; A plurality of gas diffusion holes (not shown) are formed on the bottom surface of the top plate 120 to form gas injection passages 121 through which the gas flows, together with the gas injection passage grooves 124, 211) are formed; And a showerhead 220 provided below the auxiliary plate 210 and having a plurality of gas injection holes 221 formed therein to inject gas from the gas injection path 121 into the processing space S. [

여기서 도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도로서, 도 3에서 Ⅰ-Ⅰ방향의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus according to the present invention, taken along the line I-I in FIG.

상기 챔버본체(110)는, 상측이 개구되어 탑플레이트(120) 등의 결합에 의하여 기판처리공정 수행을 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The chamber body 110 may be configured to have a closed processing space S for performing a substrate processing process by coupling the top plate 120 and the like.

또한 상기 챔버본체(110)는, 기판(10)의 도입 및 배출을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 형성된다.Also, the chamber body 110 is formed with one or more gates 111 for introducing and discharging the substrate 10.

한편 상기 챔버본체(110)는, 처리공간(S) 내부의 진공압 유지 및 배기를 위하여 배기시스템과 연결되며, 플라즈마 형성을 위하여 다양한 방식의 전원이 인가될 수 있다.Meanwhile, the chamber body 110 is connected to an exhaust system for maintaining and evacuating vacuum pressure in the processing space S, and various types of power sources may be applied for plasma formation.

전원인가방식의 예로서, 후술하는 기판지지부(130)를 제외한 구성, 즉 챔버본체(120), 탑플레이트(120) 등이 접지되고, 기판지지부(130)가 하나 이상의 RF전원이 인가될 수 있다.As an example of the power applying method, a configuration except for the substrate supporting part 130 described later, that is, the chamber body 120, the top plate 120, and the like are grounded, and the substrate supporting part 130 can be powered by one or more RF power .

상기 기판지지부(130)는, 챔버본체(110)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The substrate support 130 may be provided in the chamber body 110 to support the substrate 10, and may have various configurations.

예로서, 상기 기판지지부(130)는, 챔버본체(110) 내에 고정설치되거나, 챔버본체(110)에 대하여 상하로 이동되도록 설치될 수 있다.For example, the substrate support 130 may be fixedly installed in the chamber body 110, or may be installed to move up and down with respect to the chamber body 110.

또한 상기 기판지지부(130)는, 기판처리공정 수행시 기판(10)의 흡착고정을 위한 정전척(미도시), 기판(10)을 가열하기 위한 히터 등이 설치되는 등 다양한 구성이 가능하다.The substrate support 130 may have various structures such as an electrostatic chuck (not shown) for fixing the substrate 10 by suction during a substrate processing process, a heater for heating the substrate 10, and the like.

또한 상기 기판지지부(130)는, 기판(10)의 도입 및 배출을 위하여 승강에 의하여 기판(10)을 승하강 시키는 복수의 리프트핀들이 설치될 수 있다.The substrate support 130 may be provided with a plurality of lift pins for moving up and down the substrate 10 by lifting and lowering for introduction and discharge of the substrate 10.

상기 탑플레이트(120)는, 챔버본체(110)의 개구에 설치되어 챔버본체(110)와 함께 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 저면에 가스분사유로홈(121)이 형성되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The top plate 120 has a structure in which a processing space S is formed in an enclosure of the chamber body 110 to be sealed together with the chamber body 110 and a gas injection flow path groove 121 is formed in the bottom surface, Configuration is possible.

한편 상기 탑플레이트(120)는, 기판처리의 대상인 기판(10)의 형상에 대응되는 형상을 가지며, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 직사각형 기판(10)를 그 처리대상으로 하는 경우 직사각형 형상을 가질 수 있다.1 and 2, when the rectangular substrate 10 is to be processed, the top plate 120 has a shape corresponding to the shape of the substrate 10, Shape.

상기 탑플레이트(120)는, 중앙부분에 외부로부터 후술하는 가스분사유로(121)로의 가스 공급을 위한 주입공(122)이 관통하여 형성된다.The top plate 120 is formed at its center portion with an injection hole 122 for supplying gas from the outside to the gas injection path 121, which will be described later.

상기 주입공(122)은, 공정처리를 위한 공정가스, NF3와 같은 세정가스 등의 가스가 유입되는 구성으로서, 가스의 공급, 특히 원격플라즈마발생장치(Remote plasma generator; 350)를 거쳐 해리된 가스가 안정적으로 유입될 수 있는 구조이면 어떠한 구조도 가능하다.The injection hole 122 is a structure in which a gas such as a process gas for a process process or a cleaning gas such as NF 3 is introduced and is supplied through a remote plasma generator 350, Any structure is possible as long as the gas can be stably introduced.

한편, 상기 탑플레이트(120)의 저면에 형성되는 가스분사유로홈(121)은, 후술하는 보조플레이트(210)가 복개됨으로써 가스분사유로(121)를 형성하도록 탑플레이트(120)의 저면에 형성된다.The gas injection path groove 121 formed on the bottom surface of the top plate 120 is formed on the bottom surface of the top plate 120 so as to form the gas injection path 121 by overlapping the auxiliary plate 210, do.

여기서 상기 가스분사유로(121)는, 주입공(122)을 통하여 유입된 가스를 후술하는 보조플레이트(210) 상의 복수의 지점까지 유도한 후 가스를 하측으로, 즉 샤워헤드부(220)로 전달하는 구성으로 다양하게 형성될 수 있다.Here, the gas injection path 121 guides the gas introduced through the injection hole 122 to a plurality of points on the auxiliary plate 210 to be described later, and then transfers the gas to the lower side, that is, to the shower head 220 As shown in FIG.

예를 들면, 상기 탑플레이트(120)가 평면형상이 직사각형 형상을 가지며, 중앙에 외부로부터 가스를 공급받도록 상하로 관통된 주입공(122)이 형성될 때, 가스분사유로(211)는, 주입공(122)으로부터 순차적으로 n회(n은 1이상의 자연수) 한 쌍의 분기유로들로 분기될 수 있다. 여기서 상기 각 가스확산공(211)은, 가스분사유로(121)의 분기된 각 최종단에 대응되어 형성될 수 있다.For example, when the top plate 120 has a rectangular shape and the injection holes 122 are vertically penetrated to receive gas from the outside at the center, Can be branched into a pair of branching flow paths sequentially n times (n is a natural number equal to or larger than 1) from the hole 122. Here, each of the gas diffusion holes 211 may be formed corresponding to each branched end of the gas injection path 121.

보다 구체적으로, 상기 가스분사유로(121)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 주입공(122)를 기준으로 상하로 분기되는 한 쌍의 메인분기유로(121a)와, 각 메인분기유로(121a)의 끝단에서 메인분기유로(121a)와 수직을 이루어 좌우로 분기되는 한 쌍의 제2분기유로(121b)와, 각 제2분기유로(121b)의 끝단에서 상하로 분기되는 한 쌍의 제3분기유로(121c)와, 각 제3분기유로(121c)의 끝단에서 좌우로 분기되는 한 쌍의 제4분기유로(121d)를 포함할 수 있다.2, the gas injection path 121 includes a pair of main branch flow paths 121a branched upward and downward with respect to the injection hole 122, A pair of second branch flow paths 121b branched vertically from the main branch flow path 121a at the end of the second branch flow path 121b and a pair of second branch flow paths 121b branched vertically from the end of each second branch flow path 121b, A branch path 121c and a pair of fourth branch paths 121d branched from the end of each third branch path 121c to the left and right.

여기서 후술하는 각 가스확산공(211)은, 각 제4분기유로(121d)의 끝단에 대응되어 형성됨이 바람직하다.Here, it is preferable that each of the gas diffusion holes 211 to be described later is formed so as to correspond to the end of each fourth branch passage 121d.

또한 상기 제1 내지 제4분기유로(121a, 121b, 121c, 121d)들 등으로 구성되는 가스분사유로(121)는, 주입공(122)으로부터 후술하는 각 가스확산공(211)들까지의 거리가 일정하도록 형성되는 유로로서 그 숫자 및 패턴이 다양하게 형성될 수 있다.The gas injection passage 121 composed of the first to fourth branch passages 121a, 121b, 121c and 121d has a distance from the injection hole 122 to each of the gas diffusion holes 211 The number and the pattern of the flow path formed to be constant can be variously formed.

한편 상기 가스분사유로(121)는, 알루미늄, 또는 알루미늄 합금 등의 재질의 탑플레이트(120)에서 기계 가공에 의하여 적절한 단면 형상으로 형성될 수 있다.On the other hand, the gas injection path 121 may be formed in a suitable cross-sectional shape by machining in a top plate 120 made of aluminum, aluminum alloy, or the like.

한편 상기 탑플레이트(120)는, 주입공(122)으로 주입되는 가스와 별도의 가스를 공급위한 공정가스공급공(미도시)가 적절한 위치에 상하로 관통하여 형성될 수 있다.Meanwhile, the top plate 120 may be formed by vertically passing through a process gas supply hole (not shown) for supplying a gas other than the gas injected into the injection hole 122 at an appropriate position.

여기서 상기 공정가스공급공은, 후술하는 보조플레이트(210)를 관통하여 형성된 공급공(미도시)을 통하여 후술하는 샤워헤드부(220)로 공정가스를 공급하게 된다.Here, the process gas supply hole supplies a process gas to a showerhead unit 220, which will be described later, through a supply hole (not shown) formed through an auxiliary plate 210 to be described later.

상기 보조플레이트(210)는, 탑플레이트(120)의 저면에 결합되어 가스분사유로홈(124)과 함께 가스분사유로(121)를 형성하며 가스분사유로(121)로부터 가스를 하측으로 전달하도록 복수의 가스확산공(211)들이 형성되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The auxiliary plate 210 is coupled to the bottom surface of the top plate 120 to form a gas injection path 121 together with the gas injection path groove 124 and to inject gas from the gas injection path 121 downward Of the gas diffusion holes 211 are formed.

예로서, 상기 보조플레이트(210)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 탑플레이트(120)의 저면 전체에 결합됨으로써 가스분사유로(121)를 형성할 수 있다.For example, the auxiliary plate 210 may be coupled to the entire bottom surface of the top plate 120, as shown in FIGS. 1 and 2, to form the gas injection path 121.

또한 상기 보조플레이트(210)는, 탑플레이트(120)의 저면 중 가스분사유로홈(124)이 형성된 부분만을 복개하도록 설치될 수 있다.Further, the auxiliary plate 210 may be installed so as to cover only the portion where the gas injection passage grooves 124 are formed in the bottom surface of the top plate 120.

상기 복수의 가스확산공(211)들은, 가스분사유로(121)로부터 가스를 하측으로, 즉 샤워헤드부(220)로의 가스 전달형태에 따라서 그 숫자 및 크기가 결정될 수 있다.The number and size of the plurality of gas diffusion holes 211 can be determined depending on the type of gas delivery from the gas injection channel 121 to the gas downward, that is, to the shower head 220.

한편, 상기 복수의 가스확산공(211)들은, 균일한 가스공급효과를 얻기 위하여 주입공(122)으로부터의 거리가 모두 동일하게 형성되는 것이 바람직하다.It is preferable that the plurality of gas diffusion holes 211 have the same distance from the injection holes 122 in order to obtain a uniform gas supply effect.

또한 상기 보조플레이트(210)의 상면은, 주입공(122)에 대응되는 위치에서 상측으로 돌출된 돌출부(212)가 추가로 설치됨이 바람직하다.The upper surface of the auxiliary plate 210 may further include a protrusion 212 projecting upward from a position corresponding to the injection hole 122.

상기와 같이, 주입공(122)에 대응되는 위치에서 상측으로 돌출된 돌출부(212)가 추가로 설치되면 고온, 즉 해리된 가스가 주입공(122)을 통하여 공급될 때 가스의 균일한 분배 및 보조플레이트(210)의 열충격을 완화시켜 열변형 또는 파손을 방지할 수 있게 된다.As described above, when the projection 212 protruding upward from the position corresponding to the injection hole 122 is additionally provided, the uniform distribution of the gas when the high-temperature, dissociated gas is supplied through the injection hole 122 The thermal shock of the auxiliary plate 210 can be relaxed to prevent thermal deformation or breakage.

한편, 상기 돌출부(212)는, 주입공(122)을 향하여 뾰족하게 형성됨이 바람직하며, 주입공(122)은, 돌출부(212)의 형상에 대응되어 내경이 증가하는 확장부(123)가 형성됨이 바람직하다.It is preferable that the protrusion 212 is formed to be pointed toward the injection hole 122 and the injection hole 122 is formed with an extension 123 corresponding to the shape of the protrusion 212, .

여기서 상기 돌출부(212)는, 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 가스의 흐름이 한 쌍의 메인분기유로(121a)로 분기됨을 고려하여, 한 쌍의 메인분기유로(121a)로 가면서 하측으로 경사를 이루도록 형성될 수 있다.2 to 5, the protruding portion 212 may be formed in the lower main groove 121a of the main branch passage 121a and the lower main groove 121b of the main branch passage 121a, As shown in FIG.

이때 원활한 가스의 흐름을 유도하기 위하여 돌출부(212)의 외주면 및 주입공(122)의 내주면이 서로 평행하게 형성됨이 바람직하다.At this time, it is preferable that the outer circumferential surface of the protrusion 212 and the inner circumferential surface of the injection hole 122 are formed parallel to each other to induce smooth gas flow.

또한 상기 돌출부(212)는, 주입공(122)의 수직단면이 원형으로 형성됨이 일반적임을 고려하여 원뿔 등의 뿔형상으로 형성되며 하측으로 경사를 이루도록 형성될 수 있다.In addition, the protrusion 212 may be formed in a conical shape such as a cone in consideration of the fact that the vertical cross section of the injection hole 122 is formed in a circular shape, and may be inclined downward.

이때 원활한 가스의 흐름을 유도하기 위하여 돌출부(212)의 외주면 및 주입공(122)의 내주면이 서로 평행하게 형성됨이 바람직하다.At this time, it is preferable that the outer circumferential surface of the protrusion 212 and the inner circumferential surface of the injection hole 122 are formed parallel to each other to induce smooth gas flow.

한편 돌출부(212)가 뿔형상을 이루는 경우 가스의 흐름을 유도하기 위하여, 돌출부(212)의 저부의 최대폭의 크기(D2)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 주입공(122)의 내경(D1)보다 크고, 확장부(123)의 가장 큰 외경(D3)보다 작은 것이 바람직하다.5, the maximum width D2 of the bottom portion of the protruding portion 212 is set to be larger than the inner diameter D2 of the injection hole 122 D1) and smaller than the largest outer diameter (D3) of the extension portion (123).

상기 샤워헤드부(220)는, 보조플레이트(210)의 하측에서 설치되며 가스를 처리공간(S)으로 분사하도록 다수의 가스분사공(221)들이 형성되는 등 다양한 구성이 가능하다.The shower head 220 may be installed at a lower side of the auxiliary plate 210 and may have a variety of configurations such as a plurality of gas injection holes 221 for injecting gas into the processing space S.

이때 상기 샤워헤드부(220)는, 보조플레이트(210)에 형성된 가스확산공(211)들을 통하여 전달된 가스를 처리공간(S)으로 분사한다.At this time, the shower head 220 injects the gas delivered through the gas diffusion holes 211 formed in the auxiliary plate 210 into the processing space S.

여기서 상기 가스가 세정가스인 경우, 상기 샤워헤드부(220)는, 보조플레이트(210)에 형성된 가스확산공(211)들을 통하여 전달된 가스에 의하여 세정되고 가스확산공(211)들에 의하여 분사된 가스를 처리공간으로 분사한다.When the gas is a cleaning gas, the shower head 220 is cleaned by the gas delivered through the gas diffusion holes 211 formed in the auxiliary plate 210 and is sprayed by the gas diffusion holes 211 The gas is injected into the processing space.

그리고 상기 샤워헤드부(220)는, 가스의 분사구조에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 도 1에 도시된 바와 같이, 보조플레이트(210)의 하측에 간격을 두고 설치되며 다수의 분사공(229)들이 형성된 분사플레이트로 구성될 수 있다.1, the shower head unit 220 may include a plurality of spray holes 229 spaced below the auxiliary plate 210, and may include a plurality of spray holes 229, As shown in FIG.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

110 : 챔버본체 120 : 탑플레이트
210 : 보조플레이트 220 : 샤워헤드부
130 : 기판지지부110: chamber body 120: top plate
210: auxiliary plate 220: shower head
130:

Claims (9)

상측이 개구된 챔버본체와;
상기 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지부와;
상기 챔버본체의 개구에 설치되어 밀폐된 처리공간을 형성하고, 중앙에 외부로부터 가스를 공급받도록 상하로 관통된 주입공이 형성되며, 저면에 가스분사유로홈이 형성된 탑플레이트와;
상기 탑플레이트의 저면에 결합되어 상기 주입공을 통하여 주입된 가스가 흐르는 가스분사유로를 상기 가스분사유로홈과 함께 형성하며 상기 가스분사유로로부터 가스를 하측으로 전달하도록 복수의 가스확산공들이 형성된 보조플레이트와;
상기 보조플레이트의 하측에 설치되어 상기 가스확산공으로부터 전달된 가스를 처리공간으로 분사하도록 다수의 가스분사공들이 형성된 샤워헤드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber body having an upper opening;
A substrate support disposed in the chamber body and supporting the substrate;
A top plate formed at the opening of the chamber body to form a closed process space, an injection hole formed vertically through the center so as to receive gas from the outside, and a gas injection flow path groove formed at the bottom;
A plurality of gas diffusion holes are formed in the gas injection path so as to form a gas injection path through which the gas injected through the injection hole flows together with the gas injection path, A plate;
And a showerhead provided below the auxiliary plate and having a plurality of gas injection holes for injecting the gas delivered from the gas diffusion holes into the processing space. 청구항 1에 있어서,
상기 가스분사유로는, 상기 주입공으로부터 순차적으로 n회(n은 1이상의 자연수) 한 쌍의 분기유로들로 분기되며,
상기 각 가스확산공은, 상기 가스분사유로의 분기된 각 최종단에 대응되어 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the gas injection path is branched into a pair of branching passages sequentially from the injection hole n times (n is a natural number of 1 or more)
Wherein each of the gas diffusion holes is formed corresponding to each of the branched ends of the gas injection path. 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 가스확산공들은, 상기 주입공으로부터의 거리가 모두 동일하게 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of gas diffusion holes have the same distance from the injection hole. 청구항 1에 있어서,
상기 보조플레이트의 상면은, 상기 주입공에 대응되는 위치에서 상측으로 돌출된 돌출부가 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the upper surface of the auxiliary plate is provided with a projection projecting upward from a position corresponding to the injection hole. 청구항 4에 있어서,
상기 돌출부는, 상기 주입공을 향하여 뾰족하게 형성되며,
상기 주입공은, 상기 돌출부의 형상에 대응되어 상기 주입공의 내경이 증가하는 확장부가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 4,
The projecting portion is formed to be pointed toward the injection hole,
Wherein the injection hole is formed with an extension portion corresponding to the shape of the protrusion and increasing the inner diameter of the injection hole. 청구항 4에 있어서,
상기 돌출부의 저부의 최대폭의 크기는, 상기 주입공의 내경보다 크고, 상기 확장부의 가장 큰 외경보다 작은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 4,
Wherein the maximum width of the bottom portion of the projecting portion is larger than the inside diameter of the injection hole and smaller than the largest outside diameter of the extending portion. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 가스는, 상기 샤워헤드부 및 상기 챔버본체를 세정하는 세정가스이며,
상기 세정가스는, 원격플라즈마발생장치를 거쳐 해리된 상태로 상기 가스분사유로로 주입되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the gas is a cleaning gas for cleaning the showerhead and the chamber body,
Wherein the cleaning gas is injected into the gas injection path in a disassociated state via a remote plasma generator. 청구항 7에 있어서,
상기 샤워헤드부는, 상기 보조플레이트에 형성된 상기 가스확산공들에 의하여 전달된 가스에 의하여 세정되고 상기 가스확산공들에 의하여 전달된 가스를 처리공간으로 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 7,
Wherein the shower head ejects gas, which is cleaned by the gas delivered by the gas diffusion holes formed in the auxiliary plate, and transferred by the gas diffusion holes into the processing space. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 샤워헤드부는, 상기 보조플레이트의 저면으로부터 간격을 두고 설치되며 상기 가스분사공들이 형성된 분사플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the shower head includes an injection plate spaced apart from a bottom surface of the auxiliary plate and having the gas injection holes formed therein.
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