KR101232892B1 - Shower head and Substrate Processing Device having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정가스가 공급되는 제 1공급관이 구비되는 챔버 및 기판을 지지하는 서셉터 및 상기 서셉터로 상기 공정가스를 분사하는 샤워헤드를 포함하되, 상기 샤워헤드는 적어도 하나 이상의 토출공이 형성되는 본체 및 상기 제 1공급관으로부터 상기 공정가스가 공급되는 제 2공급관 및 상기 제 2공급관으로부터 공급되는 상기 공정가스를 분사공이 형성되는 경사판의 상부와 상기 분사공을 통하여 상기 본체의 내부로 확산시키는 토출부를 포함한다.The substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber having a first supply pipe through which a process gas is supplied, a susceptor for supporting a substrate, and a shower head for injecting the process gas into the susceptor, wherein the shower head is at least one. The main body through which the discharge hole is formed, the second supply pipe through which the process gas is supplied from the first supply pipe, and the process gas supplied from the second supply pipe, the upper part of the inclined plate through which the injection hole is formed, and the inside of the main body through the injection hole. And a discharge portion for diffusing.

Description

샤워헤드 및 이를 이용한 기판 처리 장치{Shower head and Substrate Processing Device having the same}Shower head and Substrate Processing Device having the same

본 발명은 샤워헤드 및 이를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판에 공정가스를 분사하는 샤워헤드 및 이를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a showerhead and a substrate processing apparatus using the same, and more particularly, to a showerhead for injecting a process gas to the substrate and a substrate processing apparatus using the same.

일반적으로 기판 처리 장치는 기판에 식각공정, 증착공정등과 같은 단위 공정을 수행하는 장치를 통칭한다. In general, the substrate treating apparatus is generally referred to as an apparatus for performing a unit process such as an etching process, a deposition process, or the like on a substrate.

기판 처리 장치는 공정이 이루어지는 챔버와 챔버 내부에서 기판을 지지하는 서셉터, 그리고 상기 서셉터의 상부에서 공정가스를 분사하는 샤워헤드를 구비한다. 따라서, 기판은 챔버 내부의 서셉터에 의해 지지되며, 샤워헤드는 기판을 향하여 공정가스를 분사한다.The substrate processing apparatus includes a chamber in which a process is performed, a susceptor supporting a substrate in the chamber, and a shower head injecting a process gas from the upper portion of the susceptor. Thus, the substrate is supported by a susceptor inside the chamber, and the showerhead injects process gas towards the substrate.

기판으로 분사되는 공정가스는 공급관을 통하여 샤워헤드의 내부에서 1차적으로 확산된 이후, 서셉터의 상부에 위치하는 기판으로 분사된다. 이는 공정가스를 기판의 전면에 균일하게 분사하기 위한 것으로, 공정가스가 기판의 전면에 균일하게 분사되면 고품질의 기판을 생산할 수 있기 때문이다. The process gas injected to the substrate is first diffused in the shower head through the supply pipe, and then injected into the substrate located above the susceptor. This is because the process gas is uniformly sprayed on the front surface of the substrate, and if the process gas is uniformly sprayed on the front surface of the substrate, a high quality substrate can be produced.

그러나, 종래의 샤워헤드는 샤워헤드의 내부에서 1차적으로 분사되는 공정가스가 균일하게 확산되지 못하여, 샤워헤드로부터 분사되는 공정가스가 서셉터에 지지되는 기판으로 균일하게 분사되지 못하는 문제점이 있었다. However, the conventional shower head has a problem that the process gas sprayed primarily in the shower head may not be uniformly spread, and the process gas sprayed from the shower head may not be uniformly sprayed onto the substrate supported by the susceptor.

본 발명의 목적은 공정가스를 고르게 분사하는 샤워헤드 및 이를 이용한 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
An object of the present invention is to provide a shower head for spraying the process gas evenly and a substrate processing apparatus using the same.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정가스가 공급되는 제 1공급관이 구비되는 챔버 및 기판을 지지하는 서셉터 및 상기 서셉터로 상기 공정가스를 분사하는 샤워헤드를 포함하되, 상기 샤워헤드는 적어도 하나 이상의 토출공이 형성되는 본체 및 상기 제 1공급관으로부터 상기 공정가스가 공급되는 제 2공급관 및 상기 제 2공급관으로부터 공급되는 상기 공정가스를 분사공이 형성되는 경사판의 상부와 상기 분사공을 통하여 상기 본체의 내부로 확산시키는 토출부를 포함한다. The substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber having a first supply pipe through which a process gas is supplied, a susceptor for supporting a substrate, and a shower head for injecting the process gas into the susceptor, wherein the shower head is at least one. The main body through which the discharge hole is formed, the second supply pipe through which the process gas is supplied from the first supply pipe, and the process gas supplied from the second supply pipe, the upper part of the inclined plate through which the injection hole is formed, and the inside of the main body through the injection hole. And a discharge portion for diffusing.

상기 제 2공급관과 상기 토출부는 복수개로 구비될 수 있다.The second supply pipe and the discharge portion may be provided in plurality.

상기 공정가스는 상기 경사판에 의하여 상기 본체의 내부로 확산될 수 있다. The process gas may be diffused into the main body by the inclined plate.

상기 경사판은 복수개로 구비되어, 간격을 두고 겹겹이 포개질 수 있다.The inclined plate may be provided in plural, and may be stacked in layers at intervals.

상기 공정가스는 복수개의 상기 경사판 사이로 확산될 수 있다.The process gas may be spread between a plurality of the inclined plates.

복수개의 상기 경사판에 형성되는 상기 분사공의 내경은 상기 제 2공급관의 내경에 비해 점차 좁게 형성될 수 있다. The inner diameter of the injection hole formed in the plurality of inclined plates may be gradually narrower than the inner diameter of the second supply pipe.

한편, 본 발명에 따른 샤워헤드는 적어도 하나 이상의 토출공이 형성되는 본체 및 공정가스가 공급되는 공급관 및 상기 공급관으로부터 공급되는 상기 공정가스를 분사공이 형성되는 경사판의 상부와 상기 분사공을 통하여 상기 본체의 내부로 확산시키는 토출부를 포함한다. On the other hand, the shower head according to the present invention is the body of the main body through which the at least one discharge hole is formed, the supply pipe to which the process gas is supplied and the process gas supplied from the supply pipe to the top of the inclined plate in which the injection hole is formed and the injection hole of the main body And a discharge part for diffusing therein.

상기 공급관과 상기 토출부는 복수개로 구비될 수 있다.The supply pipe and the discharge portion may be provided in plurality.

상기 공정가스는 상기 경사판에 의하여 상기 본체의 내부로 확산될 수 있다. 상기 경사판은 복수개로 구비되어, 간격을 두고 겹겹이 포개질 수 있다.The process gas may be diffused into the main body by the inclined plate. The inclined plate may be provided in plural, and may be stacked in layers at intervals.

상기 공정가스는 복수개의 상기 경사판 사이로 확산될 수 있다.The process gas may be spread between a plurality of the inclined plates.

복수개의 상기 경사판에 형성되는 상기 분사공의 내경은 상기 공급관의 내경에 비해 점차 좁게 형성될 수 있다.The inner diameter of the injection hole formed in the plurality of inclined plate may be gradually narrower than the inner diameter of the supply pipe.

본 발명에 따른 샤워헤드 및 이를 이용한 기판 처리 장치는 샤워헤드의 내부로 분사되는 공정가스를 균일하게 확산할 수 있어, 기판처리의 품질을 고르게 할 수 있는 효과가 있다.
The showerhead and the substrate processing apparatus using the showerhead according to the present invention can uniformly diffuse the process gas injected into the showerhead, thereby having an effect of uniformizing the quality of the substrate treatment.

도 1은 본 실시예에 따른 샤워헤드 및 이를 이용한 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 샤워헤드 및 이를 이용한 기판 처리 장치를 설명하기 위한 샤워헤드의 토출부 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a showerhead and a substrate processing apparatus using the same according to the present embodiment.
2 is a cross-sectional view of a discharge part of the shower head for explaining the shower head and the substrate processing apparatus using the same according to the present embodiment.

이하, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. 그러나 본 실시예는 기판 처리 장치뿐만 아니라 샤워헤드가 구비되는 다양한 장치에서 사용될 수 있다.
Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present embodiment can be used not only in a substrate processing apparatus but also in various apparatuses having a showerhead.

도 1은 본 실시예에 따른 샤워헤드 및 이를 이용한 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a showerhead and a substrate processing apparatus using the same according to the present embodiment.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판(S)의 처리 공간을 제공하는 챔버(10)와 공급되는 공정가스를 기판(S)의 표면으로 분사하는 샤워헤드(20)와 기판(S)을 지지하는 서셉터(30)와 공정가스를 챔버(10)의 내부로 공급하는 제 1공급관(120)을 포함한다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber 10 that provides a processing space of the substrate S and a shower head 20 that injects the supplied process gas onto the surface of the substrate S. And a susceptor 30 supporting the substrate S and a first supply pipe 120 supplying a process gas into the chamber 10.

챔버(10)의 내부에는 제 1공급관(120)으로부터 공급되는 공정가스를 챔버(10)의 내부로 균일하게 분사할 수 있는 샤워헤드(20)가 설치된다. The shower head 20 is installed inside the chamber 10 to uniformly inject the process gas supplied from the first supply pipe 120 into the chamber 10.

샤워헤드(20)는 공급되는 공정가스가 고르게 기판(S)의 표면으로 분사되도록 본체(21)의 바닥면에 복수개의 토출공(22)이 형성된다. 또한, 본체(21)의 내부에는 제 1공급관(120)에 연통되어, 공정가스를 샤워헤드(20)의 내부로 공급하는 제 2공급관(121)과 제 2공급관(121)으로부터 공급되는 공정가스를 샤워헤드(20)의 내부로 고르게 분사하는 토출부(100)가 설치된다. The shower head 20 has a plurality of discharge holes 22 formed in the bottom surface of the main body 21 so that the process gas supplied is evenly sprayed to the surface of the substrate (S). In addition, the inside of the main body 21 is in communication with the first supply pipe 120, the process gas supplied from the second supply pipe 121 and the second supply pipe 121 for supplying the process gas into the shower head 20. Discharge part 100 for spraying the evenly into the shower head 20 is installed.

서셉터(30)는 샤워헤드(20)에 대향되도록, 샤워헤드(20)의 하부에 위치된다. 도 2는 본 실시예에 따른 샤워헤드 및 이를 이용한 기판 처리 장치를 설명하기 위한 샤워헤드의 토출부 단면도이다.The susceptor 30 is positioned below the showerhead 20 so as to face the showerhead 20. 2 is a cross-sectional view of a discharge part of the shower head for explaining the shower head and the substrate processing apparatus using the same according to the present embodiment.

도 2에 도시된 바와 같이, 토출부(100)는 토출본체(130), 경사판(110)을 포함한다. 토출본체(130)는 제 1공급관(120)으로부터 공정가스가 공급되는 제 2공급관(121)의 출구에 연통된다. 또한, 토출본체(130)의 하부에는 경사판(110)이 설치된다.As shown in FIG. 2, the discharge unit 100 includes a discharge body 130 and an inclined plate 110. The discharge body 130 communicates with the outlet of the second supply pipe 121 through which the process gas is supplied from the first supply pipe 120. In addition, the inclined plate 110 is installed below the discharge body 130.

경사판(110)은 경사면을 가지는 뿔대의 형상으로 형성되는 제 1경사판(111), 제 2경사판(112), 제 3경사판(113)으로 구비될 수 있다. The inclined plate 110 may be provided as a first inclined plate 111, a second inclined plate 112, and a third inclined plate 113 formed in the shape of a horn having an inclined surface.

제 1경사판(111)은 제 1지지대(111a)에 의하여 토출본체(130)의 하부에 지지된다. 따라서, 제 1경사판(111)은 제 2공급관(121)으로부터 공급되는 공정가스를 제 1분사공(111b)을 통하여 제 2경사판(112)으로 분사하거나, 상부를 통해 샤워헤드(20)의 내부로 확산되도록 한다. The first inclined plate 111 is supported under the discharge body 130 by the first support 111a. Accordingly, the first inclined plate 111 injects the process gas supplied from the second supply pipe 121 to the second inclined plate 112 through the first injection hole 111b or through the upper portion of the shower head 20. To spread.

제 1지지대(111a)는 제 2공급관(121)으로부터 공급되는 공정가스의 일부가 토출본체(130)와 제 1경사판(111)의 이격된 사이를 통하여, 샤워헤드(20)의 내부로 확산되도록 브릿지 형태로 구비될 수 있다. 따라서, 토출본체(130)와 제 1경사판(111)의 이격된 사이를 통하여 확산되는 공정가스는 제 1지지대(111a)의 방해를 받지 않고 샤워헤드(20)의 내부로 용이하게 분사된다. The first support 111 a is such that a part of the process gas supplied from the second supply pipe 121 is diffused into the shower head 20 through a spaced distance between the discharge body 130 and the first inclined plate 111. It may be provided in the form of a bridge. Therefore, the process gas diffused between the discharge body 130 and the first inclined plate 111 is easily injected into the shower head 20 without being disturbed by the first support 111a.

제 1경사판(111)을 관통하여 형성되는 제 1분사공(111b)의 내경은 제 2공급관(121)의 내경에 비해 좁게 형성되어, 제 2공급관(121)으로부터 공급되는 공정가스의 일부가 토출본체(130)와 제 1경사판(111)의 이격된 사이에서 샤워헤드(20)의 내부로 확산되도록 한다. 또한, 토출본체(130)와 제 1경사판(111)의 이격된 사이에서 확산되지 않은 공정가스는 제 1분사공(111b)을 통하여 제 2경사판(112)으로 분사된다. 이와 같이, 제 1분사공(111b)의 내경에 의하여 토출본체(130)와 제 1경사판(111)의 이격된 사이에서 샤워헤드(20)의 내부로 확산되는 공정가스의 확산량 및 제 2경사판(112)으로 분사되는 공정가스의 양이 조절될 수 있다. 또한, 제 1경사판(111)의 면적에 의하여 샤워헤드(20)의 내부로 확산되는 공정가스의 확산범위가 조절될 수 있다.The inner diameter of the first injection hole 111b formed through the first inclined plate 111 is formed to be narrower than the inner diameter of the second supply pipe 121, so that a part of the process gas supplied from the second supply pipe 121 is discharged. The main body 130 is diffused into the shower head 20 between the spaced apart from the first inclined plate 111. In addition, the process gas that is not diffused between the discharge body 130 and the first inclined plate 111 is injected into the second inclined plate 112 through the first injection hole 111b. As such, the diffusion amount of the process gas diffused into the shower head 20 and the second inclined plate between the discharge main body 130 and the first inclined plate 111 by the inner diameter of the first injection hole 111b. The amount of process gas injected into 112 may be adjusted. In addition, the diffusion range of the process gas diffused into the shower head 20 may be controlled by the area of the first inclined plate 111.

제 2경사판(112)은 제 2지지대(112a)로 인하여 제 1경사판(111)의 하부에 지지된다. 따라서, 제 2경사판(112)은 제 1경사판(111)으로부터 분사되는 공정가스를 제 2분사공(112b)을 통하여 제 3경사판(113)으로 분사하거나, 상부를 통해 샤워헤드(20)의 내부로 확산되도록 한다. The second inclined plate 112 is supported under the first inclined plate 111 by the second support 112a. Therefore, the second inclination plate 112 may inject the process gas injected from the first inclination plate 111 to the third inclination plate 113 through the second injection hole 112b or through the inside of the shower head 20. To spread.

제 2지지대(112a)는 제 1경사판(111)으로부터 분사되는 공정가스의 일부가 제 1경사판(111)과 제 2경사판(112)의 이격된 사이를 통하여 샤워헤드(20)의 내부로 확산되도록 브릿지 형태로 구비될 수 있다. 따라서, 제 1경사판(111)과 제 2경사판(112)의 이격된 사이를 통하여 확산되는 공정가스는 제 2지지대(112a)의 방해를 받지 않고 샤워헤드(20)의 내부로 용이하게 확산된다. The second support 112a is such that a part of the process gas injected from the first inclined plate 111 is diffused into the shower head 20 through the spaced apart between the first inclined plate 111 and the second inclined plate 112. It may be provided in the form of a bridge. Therefore, the process gas diffused through the spaced apart between the first inclined plate 111 and the second inclined plate 112 is easily diffused into the shower head 20 without being disturbed by the second support 112a.

제 2경사판(112)을 관통하여 형성되는 제 2분사공(112b)의 내경은 제 1분사공(111b)의 내경에 비해 좁게 형성되어, 제 1분사공(111b)으로부터 분사되는 공정가스의 일부가 제 1경사판(111)과 제 2경사판(112)의 이격된 사이에서 샤워헤드(20)의 내부로 확산되도록 한다. 또한, 제 1경사판(111)과 제 2경사판(112)의 이격된 사이에서 확산되지 않은 공정가스는 제 2분사공(112b)을 통하여 제 3경사판(113)으로 분사된다. 이와 같이, 제 2분사공(112b)의 내경에 의하여 제 1경사판(111)과 제 2경사판(112)의 이격된 사이에서 샤워헤드(20)의 내부로 확산되는 공정가스의 확산량 및 제 3경사판(113)으로 분사되는 공정가스의 양은 조절될 수 있다. 또한, 제 2경사판(112)의 면적에 의하여 샤워헤드(20)내부로 확산되는 공정가스의 확산범위가 조절될 수 있다.The inner diameter of the second injection hole 112b formed through the second inclined plate 112 is formed to be narrower than the inner diameter of the first injection hole 111b, and thus a part of the process gas injected from the first injection hole 111b. Is spread to the inside of the shower head 20 between the first inclined plate 111 and the second inclined plate 112 spaced apart. In addition, the process gas that is not diffused between the first inclined plate 111 and the second inclined plate 112 is injected to the third inclined plate 113 through the second injection hole 112b. As such, the diffusion amount of the process gas diffused into the shower head 20 between the first inclined plate 111 and the second inclined plate 112 by the inner diameter of the second injection hole 112b and the third The amount of process gas injected into the inclined plate 113 may be adjusted. In addition, the diffusion range of the process gas diffused into the shower head 20 may be controlled by the area of the second inclined plate 112.

제 3경사판(113)은 제 3지지대(113a)로 인하여 제 2경사판(112)의 하부에 지지된다. 따라서, 제 3경사판(113)은 제 2경사판(112)으로부터 분사되는 공정가스가 샤워헤드(20)의 내부로 분사되도록 한다. The third inclined plate 113 is supported under the second inclined plate 112 by the third support 113a. Accordingly, the third slope plate 113 allows the process gas injected from the second slope plate 112 to be injected into the shower head 20.

제 3지지대(113a)는 제 2분사공(112b)으로부터 분사되는 공정가스의 일부가 제 2경사판(112)과 제 3경사판(113)의 이격된 사이를 통하여 샤워헤드(20)의 내부로 확산될 수 있도록 브릿지 형태로 구비될 수 있다. 따라서, 제 2경사판(112)과 제 3경사판(113)의 이격된 사이를 통하여 확산되는 공정가스는 제 3지지대(113a)의 방해를 받지 않고 샤워헤드(20)의 내부로 용이하게 확산된다. In the third support 113a, a part of the process gas injected from the second spray hole 112b is diffused into the shower head 20 through the spaced apart between the second slope plate 112 and the third slope plate 113. It may be provided in the form of a bridge to be. Therefore, the process gas diffused between the second inclined plate 112 and the third inclined plate 113 is easily diffused into the shower head 20 without being disturbed by the third support 113a.

제 3경사판(113)을 관통하여 형성되는 제 3분사공(113b)의 내경은 제 2분사공(112b)의 내경에 비해 좁게 형성되어, 제 2분사공(112b)으로부터 분사되는 공정가스의 일부가 제 2경사판(112)과 제 3경사판(113)의 이격된 사이에서 확산되도록 한다. 또한, 제 2경사판(112)과 제 3경사판(113)의 이격된 사이에서 샤워헤드(20)의 내부로 확산되지 않은 공정가스는 제 3분사공(113b)을 통하여 샤워헤드(20)의 내부로 분사된다. 이와 같이, 제 3분사공(113b)의 내경에 의하여 제 2경사판(112)과 제 3경사판(113)의 이격된 사이에서 샤워헤드(20)의 내부로 확산되는 공정가스의 확산량 및 제 3분사공(113b)에 의하여 샤워헤드(20)의 내부로 분사되는 공정가스의 양은 조절될 수 있다. 또한, 제 3경사판(113)의 면적에 의하여 샤워헤드(20)의 내부로 확산되는 공정가스의 확산범위가 조절될 수 있다.The inner diameter of the third injection hole 113b formed through the third inclined plate 113 is formed to be narrower than the inner diameter of the second injection hole 112b, so that a part of the process gas is injected from the second injection hole 112b. To diffuse between the spaced apart of the second slope plate 112 and the third slope plate 113. In addition, the process gas that is not diffused into the shower head 20 between the second slope plate 112 and the third slope plate 113 is spaced inside the shower head 20 through the third spray hole 113b. Is sprayed on. As such, the diffusion amount of the process gas diffused into the shower head 20 between the second inclined plate 112 and the third inclined plate 113 by the inner diameter of the third injection hole 113b and the third amount. The amount of process gas injected into the shower head 20 by the injection hole 113b may be adjusted. In addition, the diffusion range of the process gas diffused into the shower head 20 may be controlled by the area of the third inclined plate 113.

상기 실시예에서 토출부(100)는 토출본체(130)에 지지대는 제 1경사판(111) 내지 제 3경사판(113)을 통하여 샤워헤드(20)의 내부로 공정가스를 확산시키는 실시예를 설명하였으나, 토출본체(130)에 지지대는 경사판(110)의 수는 분사 대상 및 작업 환경을 고려하여 변화될 수 있다.
In the above embodiment, the discharge unit 100 is an embodiment in which a process gas is diffused into the shower head 20 through the first inclined plate 111 to the third inclined plate 113 supported by the discharge body 130. However, the number of the inclined plate 110 of the support body on the discharge body 130 may be changed in consideration of the injection target and the working environment.

이하, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치의 작동에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, the operation of the substrate processing apparatus according to the present embodiment will be described.

도 1 내지 도 2를 참조하면, 기판(S)은 챔버(10)의 내부로 반입되어, 서셉터(30)에 안착된다. 서셉터(30)에 기판(S)이 안착되면 챔버(10)는 밀폐되어, 기판(S)의 처리 공간을 제공한다.1 to 2, the substrate S is loaded into the chamber 10 and seated on the susceptor 30. When the substrate S is seated on the susceptor 30, the chamber 10 is sealed to provide a processing space of the substrate S.

이어, 공정가스는 제 1공급관(120)과 연통되는 제 2공급관(121)을 통해 샤워헤드(20)의 내부로 공급된다. 샤워헤드(20)의 내부로 공급되는 공정가스는 제 2공급관(121)의 출구에 지지되어 있는 토출부(100)로 공급된다. Subsequently, the process gas is supplied into the shower head 20 through the second supply pipe 121 communicating with the first supply pipe 120. The process gas supplied into the shower head 20 is supplied to the discharge part 100 supported at the outlet of the second supply pipe 121.

공급되는 공정가스는 토출본체(130)의 하부에 지지되어 있는 제 1경사판(111)으로 향하게 된다. 이때, 제 2공급관(121)의 내경에 비해 좁게 형성되는 제 1분사공(111b)의 내경에 의하여 공정가스의 일부는 제 2경사판(112)으로 분사되기 이전에 토출본체(130)와 제 1경사판(111)의 이격된 공간에서 샤워헤드(20)의 내부로 확산된다. 이와 같이, 토출본체(130)와 제 1경사판(111)의 사이에서 확산되는 공정가스는 토출본체(130)와 제 1경사판(111)의 간격에 의하여 확산량이 조절되고 제 1경사판(111)의 면적에 의하여 확산범위가 조절될 수 있다.The supplied process gas is directed to the first inclined plate 111 which is supported under the discharge body 130. At this time, a part of the process gas is injected into the second inclined plate 112 by the inner diameter of the first injection hole 111b that is narrower than the inner diameter of the second supply pipe 121 before the discharge main body 130 and the first. In the spaced space of the inclined plate 111 is diffused into the shower head 20. As such, the process gas diffused between the discharge main body 130 and the first inclined plate 111 is controlled by the interval between the discharge main body 130 and the first inclined plate 111 and the diffusion amount of the first inclined plate 111 is increased. The diffusion range can be adjusted by the area.

이어, 제 1분사공(111b)에 의하여 제 2경사판(112)으로 분사되는 공정가스의 일부는 제 1분사공(111b)의 내경에 비해 좁게 형성되는 제 2분사공(112b)의 내경에 의하여 제 3경사판(113)으로 분사되기 이전에 제 1경사판(111)과 제 2경사판(112)의 이격된 공간에서 샤워헤드(20)의 내부로 확산된다. 이와 같이, 제 1경사판(111)과 제 2경사판(112)의 사이에서 확산되는 공정가스는 제 1경사판(111)과 제 2경사판(112)의 간격에 의하여 확산량이 조절되고 제 2경사판(112)의 면적에 의하여 확산범위가 조절될 수 있다.Subsequently, a part of the process gas injected into the second inclined plate 112 by the first injection hole 111b is formed by the inner diameter of the second injection hole 112b that is narrower than the internal diameter of the first injection hole 111b. Before being injected into the third inclined plate 113, the first inclined plate 111 and the second inclined plate 112 are spaced apart from each other and diffused into the shower head 20. As such, the process gas diffused between the first inclined plate 111 and the second inclined plate 112 is controlled by the interval between the first inclined plate 111 and the second inclined plate 112 and the second inclined plate 112. Diffusion range can be adjusted by the area of).

이어, 제 2분사공(112b)에 의하여 제 3경사판(113)로 분사되는 공정가스의 일부는 제 2분사공(112b)의 내경에 비해 좁게 형성되는 제 3분사공(113b)의 내경에 의하여 제 3분사공(113b)을 통해 샤워헤드(20)의 내부로 분사되기 이전에 제 2경사판(112)과 제 3경사판(113)의 이격된 공간에서 샤워헤드(20)의 내부로 확산된다. 이와 같이, 제 2경사판(112)과 제 3경사판(113)의 사이에서 확산되는 공정가스는 제 2경사판(112)과 제 3경사판(113)의 간격에 의하여 확산량이 조절되고 제 3경사판(113)의 면적에 의하여 확산범위가 조절될 수 있다. 또한, 제 2경사판(112)과 제 3경사판(113)의 사이에서 확산되지 않은 공정가스는 제 3분사공(113b)을 통하여 샤워헤드(20)의 내부로 분사된다.Subsequently, a part of the process gas injected into the third inclined plate 113 by the second injecting hole 112b is formed by the inner diameter of the third injecting hole 113b that is narrower than the inner diameter of the second injecting hole 112b. Before being injected into the shower head 20 through the third spray hole 113b, the shower head 20 is diffused into the shower head 20 in a space spaced apart from the second slope plate 112 and the third slope plate 113. As such, the process gas diffused between the second inclination plate 112 and the third inclination plate 113 is controlled by the interval between the second inclination plate 112 and the third inclination plate 113 and the third inclination plate 113. Diffusion range can be adjusted by the area of). In addition, the process gas that is not diffused between the second slope plate 112 and the third slope plate 113 is injected into the shower head 20 through the third injection hole 113b.

이와 같이, 외부로부터 샤워헤드(20)의 내부로 공급되는 공정가스는 토출부(100)를 통하여 샤워헤드(20)의 내부에서 균일하게 확산된다. 따라서, 샤워헤드(20)의 내부에서 균일하게 확산되는 공정가스는 토출공(22)을 통하여 하부에 위치하는 기판(S)으로 고르게 분사된다. As such, the process gas supplied from the outside into the shower head 20 is uniformly diffused in the shower head 20 through the discharge part 100. Therefore, the process gas uniformly diffused in the shower head 20 is evenly injected through the discharge hole 22 to the substrate S positioned below.

이상의 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서, 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.The above embodiment of the present invention should not be construed as limiting the technical idea of the present invention. The scope of protection of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art will be able to modify the technical idea of the present invention in various forms. Therefore, such improvements and modifications will fall within the protection scope of the present invention as long as it will be apparent to those skilled in the art.

10 : 챔버
20 : 샤워헤드
30 : 서셉터
100 : 토출부
110 : 경사판10: chamber
20: shower head
30: susceptor
100: discharge part
110: inclined plate

Claims (12)

공정가스가 공급되는 제 1공급관이 구비되는 챔버;
상기 챔버의 내부에서 기판을 지지하는 서셉터; 및
상기 서셉터에 마주하도록 배치되며 적어도 하나 이상의 토출공이 형성된 본체와, 상기 본체의 내부에 배치되어 상기 제 1공급관으로부터 상기 공정가스가 공급되는 제 2공급관과, 상기 제 2공급관으로부터 공급되는 상기 공정가스를 분사공이 형성된 경사판의 상부면과 상기 분사공을 통해 상기 본체의 내부로 확산시키는 토출부를 포함하는 샤워헤드를 구비하되,
상기 경사판은 상기 제 2공급관의 하측에 배치되는 제 1경사판과, 상기 제 1경사판의 하측에 배치되는 제 2경사판을 포함하고, 상기 제 2경사판의 분사공은 상기 제 1경사판의 분사공의 비해 하측에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A chamber having a first supply pipe for supplying a process gas;
A susceptor for supporting a substrate in the chamber; And
A main body disposed to face the susceptor and having at least one discharge hole formed therein; a second supply pipe disposed inside the main body to supply the process gas from the first supply pipe; and the process gas supplied from the second supply pipe. Is provided with a shower head including an upper surface of the inclined plate in which the injection hole is formed and a discharge portion for diffusing into the main body through the injection hole,
The inclined plate includes a first inclined plate disposed below the second supply pipe, and a second inclined plate disposed below the first inclined plate, wherein the injection hole of the second inclined plate is compared with that of the injection hole of the first inclined plate. The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned arrangement. 제 1항에 있어서,
상기 제 2공급관과 상기 토출부는 복수개로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And the second supply pipe and the discharge part are provided in plurality. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 공정가스는,
복수개의 상기 경사판 사이로 확산되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1, wherein the process gas,
Substrate processing apparatus characterized in that the diffusion between a plurality of the inclined plate. 제 1항에 있어서,
복수개의 상기 경사판에 형성되는 상기 분사공의 내경은 상기 제 2공급관의 내경에 비해 점차 좁게 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method of claim 1,
The inner diameter of the injection hole formed in the plurality of inclined plate is gradually narrower than the inner diameter of the second supply pipe. 적어도 하나 이상의 토출공이 형성되는 본체;
상기 본체의 내부로 공정가스를 유입하는 공급관; 및
상기 본체의 내부에서 상기 공급관으로부터 공급되는 상기 공정가스를 분사공이 형성된 경사판의 상부면과 상기 분사공을 통해 상기 본체의 내부로 확산시키는 토출부를 포함하되,
상기 경사판은 상기 공급관의 하측에 배치되는 제 1경사판과, 상기 제 1경사판의 하측에 배치되는 제 2경사판을 포함하고, 상기 제 2경사판의 분사공은 상기 제 1경사판의 분사공에 비해 하측에 배치되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드. A body in which at least one discharge hole is formed;
A supply pipe for introducing a process gas into the body; And
Including the discharge portion to diffuse the process gas supplied from the supply pipe in the interior of the main body through the injection hole and the upper surface of the inclined plate formed with the injection hole,
The inclined plate includes a first inclined plate disposed below the supply pipe, and a second inclined plate disposed below the first inclined plate, and the injection hole of the second inclined plate is lower than the injection hole of the first inclined plate. A showerhead, characterized in that arranged. 제 7항에 있어서,
상기 공급관과 상기 토출부는 복수개로 구비되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드.8. The method of claim 7,
And a plurality of supply pipes and the discharge part. 삭제delete 삭제delete 제 7항에 있어서, 상기 공정가스는,
복수개의 상기 경사판 사이로 확산되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드.The method of claim 7, wherein the process gas,
Shower head, characterized in that the diffusion between a plurality of the inclined plate. 제 7항에 있어서,
복수개의 상기 경사판에 형성되는 상기 분사공의 내경은 상기 공급관의 내경에 비해 점차 좁게 형성되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드.
8. The method of claim 7,
The inner diameter of the injection hole formed in the plurality of inclined plate is a shower head, characterized in that gradually formed narrower than the inner diameter of the supply pipe.
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