KR102171175B1 - Substrate Processing Apparatus - Google Patents

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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Abstract

기판처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판처리장치는, 리드와 제1플레이트 사이의 공간인 확산공간에 설치된 제2플레이트가 제1플레이트를 지지하는 지지부재에 지지되어 처지는 것이 방지된다. 그러면, 리드와 제2플레이트 사이의 간격 및 제2플레이트와 제1플레이트 사이의 간격이 각각 균일하므로, 제2플레이트에서 분사되는 공정가스가 균일하다. 따라서, 제1플레이트에서 분사되는 공정가스도 더욱 균일하므로, 기판에 균일한 막이 형성되는 효과가 있다.A substrate processing apparatus is disclosed. In the substrate processing apparatus according to the present invention, a second plate installed in a diffusion space, which is a space between the lead and the first plate, is supported by a support member supporting the first plate and is prevented from sagging. Then, since the gap between the lead and the second plate and the gap between the second plate and the first plate are uniform, respectively, the process gas injected from the second plate is uniform. Therefore, since the process gas injected from the first plate is more uniform, there is an effect of forming a uniform film on the substrate.

Description

기판처리장치 {Substrate Processing Apparatus}Substrate Processing Apparatus}

본 발명은 하나의 지지부재를 이용하여 공정가스를 확산시키는 제1플레이트와 제2플레이트를 지지한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus supporting a first plate and a second plate for diffusing process gas using one support member.

반도체 소자 또는 평판디스플레이 장치를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 막을 증착하는 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그래피(Photolithography) 공정, 선택된 영역의 막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각 공정 등을 수행한다.In order to manufacture a semiconductor device or a flat panel display device, a deposition process in which a film of a specific material is deposited on a substrate, a photolithography process in which a selected region of these films is exposed or concealed using a photosensitive material, and a film in the selected region are removed. Etching process of patterning is performed as desired.

그리고, 증착 공정 등은 원료물질의 종류나 막의 특성에 따라 다양한 방식으로 진행되며, 각 공정의 특성에 맞게 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치에서 진행된다.In addition, the deposition process is performed in various ways depending on the type of raw material or the characteristics of the film, and is performed in a substrate processing apparatus designed in an optimal environment according to the characteristics of each process.

기판에 막을 증착하는 기판처리장치는, 증착하기 위한 빔이나 가스의 흐름을 만들어내면서 물질을 증발시키거나, 때려서 기판 상에 막을 형성하는 물리 기상 증착(PVD: Physical Vapor Deposition) 장치와 기체 상태의 원료 물질을 가열한 기판 상에 공급하고 기판 표면에서의 화학 반응에 의하여 막을 형성하는 화학 기상 증착(CVD: Chemical Vapor deposition) 장치로 대별된다.A substrate processing device that deposits a film on a substrate is a physical vapor deposition (PVD) device that forms a film on a substrate by evaporating or striking a material while creating a flow of a beam or gas for deposition and a gaseous raw material. It is classified as a chemical vapor deposition (CVD) apparatus in which a material is supplied onto a heated substrate and a film is formed by a chemical reaction on the substrate surface.

최근에는 저온 공정이 가능하고, 막의 질 및 공정 특성이 우수한 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Depostion) 공정이 많이 사용되고 있다.Recently, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process has been widely used, which enables low-temperature processes and has excellent film quality and process characteristics.

종래의 기판처리장치에 대하여, 플라즈마 화학 기상 장치를 예로 들어 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 종래의 기판처리장치의 구성을 보인 개략 단면도이다.A conventional substrate processing apparatus will be described with reference to FIG. 1 taking a plasma chemical vapor phase apparatus as an example. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a conventional substrate processing apparatus.

도시된 바와 같이, 종래의 기판처리장치는 기판(50)이 투입되어 처리되는 공간인 챔버를 형성하는 본체(11)를 포함할 수 있고, 본체(11)는 상면이 개방된 하부본체(11a)와 하면이 개방되며 하부본체(11a)의 상단면(上端面)에 하단면(下端面)이 결합되는 상부본체(11b)를 포함할 수 있다.As shown, the conventional substrate processing apparatus may include a main body 11 forming a chamber that is a space in which the substrate 50 is input and processed, and the main body 11 includes a lower main body 11a with an open upper surface. It may include an upper body (11b) that is open and the lower surface of the lower body (11a) is coupled to the lower end (下端面).

하부본체(11a)의 내부에는 기판(50)이 탑재 지지되는 지지유닛(13)이 승강가능하게 설치되고, 상부본체(11b)의 상면에는 본체(11)의 내부로 공정가스를 공급하기 위한 가스공급관(15)이 설치된다.A support unit 13 on which the substrate 50 is mounted and supported is installed in the lower body 11a so as to be elevating, and a gas for supplying the process gas into the body 11 on the upper surface of the upper body 11b The supply pipe 15 is installed.

상부본체(11b)에는 백킹 플레이트(Backing Plate)(21)가 설치되고, 백킹 플레이트(21)에는 연결부재(23)를 매개로 샤워 헤드(25)가 지지 설치된다. 이때, 백킹 플레이트(21)와 샤워 헤드(25) 사이에는 공정가스가 확산되는 확산공간(22)이 형성된다.A backing plate 21 is installed on the upper body 11b, and a shower head 25 is supported and installed on the backing plate 21 via a connecting member 23. At this time, a diffusion space 22 through which the process gas is diffused is formed between the backing plate 21 and the shower head 25.

상세히 설명하면, 가스공급관(15)의 상측 부위는 상부본체(11b)를 관통하여 상부본체(11b)의 외측에 위치되고, 하측 부위는 백킹 플레이트(21)를 관통하여 확산공간(22)과 연통된다. 그러면, 공정가스가 가스공급관(15)을 통하여 확산공간(22)으로 유입되고, 확산공간(22)으로 유입된 공정가스는 확산되어 샤워 헤드(25)에 형성된 복수의 분사공(25a)을 통하여 기판(50)측으로 균일하게 공급된다.In detail, the upper part of the gas supply pipe 15 penetrates the upper body 11b and is located outside the upper body 11b, and the lower part penetrates the backing plate 21 to communicate with the diffusion space 22. do. Then, the process gas is introduced into the diffusion space 22 through the gas supply pipe 15, and the process gas introduced into the diffusion space 22 is diffused through a plurality of injection holes 25a formed in the shower head 25. It is uniformly supplied to the substrate 50 side.

그리고, 기판(50)의 면적이 커짐에 따라 샤워 헤드(25)의 면적도 커지고, 이로 인해 샤워 헤드(25)의 중앙부측이 자중 등에 의하여 처지게 된다. 그러면, 기판(50)의 상면과 샤워 헤드(25) 사이의 간격이 기판(50)의 상면 부위에 따라 상이하므로, 기판(50)에 형성되는 막의 균일도가 저하된다.In addition, as the area of the substrate 50 increases, the area of the shower head 25 increases, and as a result, the central portion of the shower head 25 sags due to its own weight or the like. Then, since the distance between the upper surface of the substrate 50 and the shower head 25 is different depending on the upper surface portion of the substrate 50, the uniformity of the film formed on the substrate 50 is lowered.

샤워 헤드(25)의 중앙부측이 하측으로 처지는 것을 방지하기 위하여, 지지부재(27)를 이용하여 샤워 헤드(25)의 중앙부측을 백킹 플레이트(21)측으로 당겨서 지지한다.In order to prevent the central portion of the shower head 25 from sagging downward, the central portion of the shower head 25 is pulled toward the backing plate 21 using the support member 27 and supported.

그리고, 확산공간(22)으로 유입된 공정가스가 더욱 확산되어 샤워 헤드(25)의 분사공(25a)을 통하여 공급될 수 있도록, 확산공간(22)에는 배플 플레이트(미도시)가 설치될 수 있다.In addition, a baffle plate (not shown) may be installed in the diffusion space 22 so that the process gas introduced into the diffusion space 22 can be further diffused and supplied through the spray hole 25a of the shower head 25. have.

그러나, 상기와 같은 종래의 기판처리장치는, 상기 배플 플레이트가 하측으로 처지는 것을 방지하는 아무런 수단이 없으므로, 백킹 플레이트(21)와 상기 배플 플레이트 사이의 간격 및 상기 배플 플레이트와 샤워 헤드(23) 사이의 간격이 상기 배플 플레이트의 부위에 따라 상이하다.However, the conventional substrate processing apparatus as described above does not have any means for preventing the baffle plate from sagging downward, so the gap between the backing plate 21 and the baffle plate and the gap between the baffle plate and the shower head 23 The spacing of the baffle plate is different depending on the portion of the baffle plate.

그러면, 상기 배플 플레이트에서 분사되는 공정가스가 불균일하게 되고, 이로 인해 샤워 헤드(25)에서 분사되는 공정가스가 불균일하게 되므로, 기판(50)에 형성되는 막의 균일도가 저하되는 단점이 있다.Then, the process gas injected from the baffle plate becomes non-uniform, and the process gas injected from the shower head 25 becomes non-uniform. Accordingly, there is a disadvantage in that the uniformity of the film formed on the substrate 50 is lowered.

기판처리장치와 관련한 선행기술은 한국공개특허공보 제10-2013-0120787호 등에 개시되어 있다.Prior art related to the substrate processing apparatus is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2013-0120787.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 하나의 지지부재를 이용하여 공정가스를 확산시키는 제1플레이트와 제2플레이트가 처지는 것을 방지함으로써, 기판에 균일한 막을 형성할 수 있는 기판처리장치를 제공함에 있다.The present invention was conceived to solve the problems of the prior art as described above, and an object of the present invention is to prevent sagging of the first plate and the second plate for diffusing the process gas using a single support member. It is to provide a substrate processing apparatus capable of forming a uniform film.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상면이 개방된 본체; 상기 본체의 개방된 상면에 결합된 리드; 상기 리드의 내부 상면과 이격되어 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제1플레이트; 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제2플레이트; 상기 리드에 지지되어 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트를 지지하는 하나 이상의 지지부재를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object comprises: a main body with an open top surface; A lead coupled to the open upper surface of the main body; A first plate installed to be spaced apart from the inner upper surface of the lead and having a plurality of injection holes formed thereon; A second plate installed between the lead and the first plate and having a plurality of injection holes; It may include one or more support members supported by the lid to support the second plate and the first plate.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상면이 개방된 본체; 상기 본체의 개방된 상면에 결합된 리드; 상기 리드의 내부 상면과 이격되어 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제1플레이트; 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제2플레이트; 상기 리드에 지지되어 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트를 지지함과 동시에 상기 리드와 상기 제2플레이트 사이의 간격 또는 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트 사이의 간격을 조절하는 하나 이상의 지지부재를 포함할 수 있다.In addition, a substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object includes: a main body with an open top surface; A lead coupled to the open upper surface of the main body; A first plate installed to be spaced apart from the inner upper surface of the lead and having a plurality of injection holes formed thereon; A second plate installed between the lead and the first plate and having a plurality of injection holes; One or more support members supported by the lead to support the second plate and the first plate, and at the same time adjusting the distance between the lead and the second plate or the distance between the second plate and the first plate. Can include.

상기와 같은 본 발명에 따른 기판처리장치는, 리드와 제1플레이트 사이의 공간인 확산공간에 설치된 제2플레이트가 제1플레이트를 지지하는 지지부재에 지지되어 처지는 것이 방지된다. 그러면, 리드와 제2플레이트 사이의 간격 및 제2플레이트와 제1플레이트 사이의 간격이 각각 균일하므로, 제2플레이트에서 분사되는 공정가스가 균일하다. 따라서, 제1플레이트에서 분사되는 공정가스도 더욱 균일하므로, 기판에 균일한 막이 형성되는 효과가 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention as described above, the second plate installed in the diffusion space, which is a space between the lead and the first plate, is supported by a support member supporting the first plate and is prevented from sagging. Then, since the gap between the lead and the second plate and the gap between the second plate and the first plate are uniform, respectively, the process gas injected from the second plate is uniform. Therefore, since the process gas injected from the first plate is more uniform, there is an effect of forming a uniform film on the substrate.

도 1은 종래의 기판처리장치의 구성을 보인 개략 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보인 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 리드, 제1플레이트 및 제2플레이트의 확대도.
도 4는 도 3에 도시된 "A"부 확대도.
도 5는 도 3에 도시된 지지부재의 분해 사시도.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 요부 단면도.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 요부 단면도.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 지지부재의 사시도.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보인 단면도.1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a conventional substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is an enlarged view of a lid, a first plate, and a second plate shown in FIG. 2;
FIG. 4 is an enlarged view of part “A” shown in FIG. 3;
Figure 5 is an exploded perspective view of the support member shown in Figure 3;
6 is a cross-sectional view of a main part of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view of a main part of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
8 is a perspective view of a support member of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. The meaning of the terms described in this specification should be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.Singular expressions should be understood as including plural expressions unless clearly defined differently in context, and terms such as “first” and “second” are used to distinguish one element from other elements, The scope of rights should not be limited by these terms.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It is to be understood that terms such as "comprise" or "have" do not preclude the presence or addition of one or more other features or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.The term “at least one” is to be understood as including all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of “at least one of the first item, the second item, and the third item” means 2 among the first item, the second item, and the third item as well as the first item, the second item, and the third item. It means a combination of all items that can be presented from more than one.

"위에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우 뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.The term "on" is meant to include not only a case where a certain structure is formed directly on top of another structure, but also a case where a third structure is interposed between these elements.

이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 기판처리장치에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보인 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 상호 결합되어 기판(50)이 투입되어 처리되는 공간인 챔버(111a)를 형성하는 본체(111)와 리드(Lid)(115)를 포함할 수 있다. 이때, 챔버(111a)는 진공상태로 유지되어 기판(50)이 처리된다.As shown, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention is coupled to each other to form a chamber 111a, which is a space in which the substrate 50 is input and processed, and a main body 111 and a lid 115 It may include. At this time, the chamber 111a is maintained in a vacuum state so that the substrate 50 is processed.

본체(111)는 상면이 개방되고, 리드(115)는 하면이 개방되며, 본체(111)의 상단면(上端面)과 리드(115)의 하단면(下端面)이 상호 결합된다. 이때, 본체(111)와 상단면(上端面)과 리드(115)의 하단면(下端面) 사이에는 진공이 누설되는 것을 방지하는 실링부재(117)가 개재될 수 있다.The upper surface of the main body 111 is open, the lower surface of the lid 115 is open, and the upper end surface of the main body 111 and the lower end surface of the lid 115 are mutually coupled. In this case, a sealing member 117 for preventing vacuum leakage may be interposed between the main body 111 and the upper surface and the lower surface of the lid 115.

본체(111)에는 기판(50)을 투입 및 배출하기 위한 투입구(미도시)가 형성될 수 있으며, 상기 투입구는 선택적으로 개폐될 수 있다.In the main body 111, an inlet (not shown) for inputting and discharging the substrate 50 may be formed, and the inlet may be selectively opened and closed.

본체(111)의 내부에는 기판(50)이 탑재 지지되는 지지유닛(120)이 승강가능하게 설치될 수 있다. 지지유닛(120)은 서셉터(121)를 포함할 수 있으며, 서셉터(121)의 내부에는 기판(50)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 설치될 수 있다. 그리고, 리드(115)의 상면에는 챔버(111a)로 공정가스를 주입하기 위한 가스공급관(130)이 설치될 수 있다.A support unit 120 on which the substrate 50 is mounted and supported may be installed in the body 111 to be elevating. The support unit 120 may include a susceptor 121, and a heater (not shown) for heating the substrate 50 may be installed inside the susceptor 121. In addition, a gas supply pipe 130 for injecting a process gas into the chamber 111a may be installed on the upper surface of the lid 115.

도 2의 미설명 부호 180은 리드(115)의 상측에 설치되어 가스공급관(130) 등을 보호하는 커버이다. 이때, 리드(115)와 커버(180) 사이의 공간은 대기압 상태임은 당연하다.Reference numeral 180 of FIG. 2 is a cover installed on the upper side of the lid 115 to protect the gas supply pipe 130 and the like. At this time, it is natural that the space between the lid 115 and the cover 180 is at atmospheric pressure.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에는 가스공급관(130)을 통하여 챔버(111a)로 유입된 공정가스가 기판(50)의 전면(全面)에 걸쳐서 균일하게 공급될 수 있도록 안내하는 제1플레이트(141) 및 제2플레이트(145)가 리드(115)측에 지지 설치된다.In the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, a first guide that guides the process gas flowing into the chamber 111a through the gas supply pipe 130 to be uniformly supplied over the entire surface of the substrate 50. The plate 141 and the second plate 145 are supported and installed on the lid 115 side.

제1플레이트(141) 및 제2플레이트(145)의 지지구조에 대하여 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한다. 도 3은 도 2에 도시된 리드, 제1플레이트 및 제2플레이트의 확대도이고, 도 4는 도 3에 도시된 "A"부 확대도이며, 도 5는 도 3에 도시된 지지부재의 분해 사시도이다.The supporting structures of the first plate 141 and the second plate 145 will be described with reference to FIGS. 2 to 5. FIG. 3 is an enlarged view of the lid, the first plate and the second plate shown in FIG. 2, FIG. 4 is an enlarged view of the “A” part shown in FIG. 3, and FIG. 5 is an exploded view of the support member shown in FIG. It is a perspective view.

도시된 바와 같이, 제1플레이트(141)는 리드(115)의 내부 상면에 결합되며, 리드(115)와 제1플레이트(141) 사이에는 가스공급관(130)을 통하여 유입된 공정가스가 확산되는 확산공간(142)이 형성된다. 확산공간(142)이 형성될 수 있도록, 제1플레이트(141)의 테두리부에는 수직으로 기립된 측벽(141a)이 형성될 수 있다.As shown, the first plate 141 is coupled to the inner upper surface of the lid 115, and between the lid 115 and the first plate 141, the process gas introduced through the gas supply pipe 130 is diffused. A diffusion space 142 is formed. In order to form the diffusion space 142, a sidewall 141a which is vertically erected may be formed at an edge of the first plate 141.

제1플레이트(141)에는 복수의 분사공(141b)이 형성될 수 있으며, 리드(115)의 상면측을 통하여 공급된 공정가스는 확산공간(142)에서 확산된 후, 분사공(141b)을 통하여 챔버(111a)로 균일하게 분사된다. 따라서, 기판(50)의 전면(全面)에 걸쳐서 공정가스가 균일하게 분사된다.A plurality of injection holes 141b may be formed in the first plate 141, and after the process gas supplied through the upper surface side of the lid 115 is diffused in the diffusion space 142, the injection hole 141b is It is uniformly sprayed into the chamber 111a through. Accordingly, the process gas is uniformly sprayed over the entire surface of the substrate 50.

평판디스플레이의 면적이 대형화됨에 따라 기판처리장치도 대형화되며, 이에 따라 기판(50)의 면적과 대응되게 제1플레이트(141)의 면적도 넓어진다. 그런데, 기판(50)이 처리되는 챔버(111a)의 압력은 대단히 고압이므로, 제1플레이트(141)가 압력 및 자중 등에 의하여 하측으로 처질 수 있다. 특히, 제1플레이트(141)의 중앙부측이 하측으로 많이 처질 수 있다.As the area of the flat panel display increases, the substrate processing apparatus also increases, and accordingly, the area of the first plate 141 increases to correspond to the area of the substrate 50. However, since the pressure in the chamber 111a in which the substrate 50 is processed is very high, the first plate 141 may be drooped downward due to the pressure and its own weight. In particular, the central side of the first plate 141 may droop a lot downward.

제1플레이트(141)가 처져서, 기판(50)의 상면과 제1플레이트(141) 사이의 간격이 기판(50)의 상면 부위에 따라 상이하면, 기판(50)으로 분사되는 공정가스가 불균일하므로, 기판(50)에 형성되는 막의 균일도가 저하된다.If the first plate 141 is sagging, and the distance between the upper surface of the substrate 50 and the first plate 141 is different depending on the upper surface of the substrate 50, the process gas injected to the substrate 50 is non-uniform. , The uniformity of the film formed on the substrate 50 is lowered.

제1플레이트(141)가 처지는 것을 방지하기 위하여, 지지부재(150)가 마련된다.In order to prevent the first plate 141 from sagging, a support member 150 is provided.

상세히 설명하면, 지지부재(150)의 상단부측은 리드(115)의 상면에 지지되고, 하단부측은 제1플레이트(141)에 결합되어, 제1플레이트(141)가 처지는 것을 방지한다.In detail, the upper end side of the support member 150 is supported on the upper surface of the lid 115, and the lower end side is coupled to the first plate 141 to prevent the first plate 141 from sagging.

지지부재(150)는 제1플레이트(141)의 중심을 기준으로 방사상으로 설치될 수도 있고, 제1플레이트(141)의 부위 중, 많이 처지는 제1플레이트(141)의 부위에 설치될 수 있다.The support member 150 may be installed radially with respect to the center of the first plate 141, or may be installed on a portion of the first plate 141 that sags a lot among the portions of the first plate 141.

그리고, 지지부재(150)는 제1플레이트(141)의 부위 중, 많이 처지는 제1플레이트(141)의 부위가 리드(115)와 더 가까이 위치될 수 있도록 조절할 수 있다. 이는 후술한다.In addition, the support member 150 may be adjusted so that a portion of the first plate 141 that sags a lot among the portions of the first plate 141 may be positioned closer to the lid 115. This will be described later.

리드(115)에 의하여 제1플레이트(141)가 견고하게 지지될 수 있도록, 리드(115)는 제1플레이트(141) 보다 고강성을 가지는 것이 바람직하다.It is preferable that the lid 115 has a higher rigidity than the first plate 141 so that the first plate 141 can be firmly supported by the lid 115.

지지부재(150)는 상호 결합된 제1지지부재(151)와 제2지지부재(155)를 포함할 수 있다.The support member 150 may include a first support member 151 and a second support member 155 coupled to each other.

상세히 설명하면, 제1지지부재(151)는 원기둥 형상으로 형성되며 하측 부위가 리드(115)를 관통하는 제1몸체(152), 제1몸체(152)의 상단부에 형성되며 제1몸체(152)의 직경보다 큰 직경으로 형성되어 리드(115)의 상면 부위에 걸리는 머리부(153) 및 제1몸체(152)의 하측 부위 외주면에 형성되며 제2지지부재(155)에 삽입 결합되는 복수의 걸림돌기(154)를 포함할 수 있다.In detail, the first support member 151 is formed in a cylindrical shape, and the lower portion is formed at the upper end of the first body 152 and the first body 152 through the lead 115, and the first body 152 ) Is formed on the outer peripheral surface of the lower portion of the head portion 153 and the first body 152 that is formed on the upper surface of the lead 115, and is inserted into the second support member 155 It may include a locking protrusion 154.

제2지지부재(155)는 하면이 밀폐된 원통형의 제2몸체(156), 제2몸체(156)의 상면에서 상측으로 돌출 형성되며 제1몸체(152)의 하측 부위가 삽입 지지되는 지지관(157), 제2몸체(156)의 하면에서 하측으로 돌출 형성되며 제1플레이트(141)에 결합되는 결합바(158)를 포함할 수 있다.The second support member 155 is formed to protrude upward from the upper surface of the cylindrical second body 156, the upper surface of the second body 156, and the lower part of the first body 152 is inserted and supported. (157), the second body 156 is formed to protrude downward from the lower surface and may include a coupling bar 158 coupled to the first plate 141.

제1지지부재(151)와 제2지지부재(155)를 상호 결합할 수 있도록, 제2몸체(156)의 외경은 지지관(157)의 외경 보다 크게 형성되며, 제2몸체(156)의 내주면과 지지관(157)의 외주면이 접하는 형태로 지지관(157)이 상측으로 연장 형성된다. 그리고, 지지관(157)에는 지지관(157)의 길이방향으로 따라 출입로(157a)가 형성되고, 제2몸체(156)의 상면에는 출입로(157a)의 하단부와 연통된 삽입홈(156a)이 형성된다. 또한, 제2몸체(156)의 내부에는 삽입홈(156a)과 연통되며 제1몸체(152)의 하측 부위 및 걸림돌기(154)가 삽입되는 삽입공간(156b)(도 4 참조)이 형성된다.The outer diameter of the second body 156 is larger than the outer diameter of the support pipe 157 so that the first support member 151 and the second support member 155 can be coupled to each other. The support pipe 157 is formed to extend upward in a form in which the inner peripheral surface and the outer peripheral surface of the support pipe 157 contact each other. In addition, the support pipe 157 has an access path 157a formed in the longitudinal direction of the support pipe 157, and an insertion groove 156a communicating with the lower end of the access path 157a on the upper surface of the second body 156 ) Is formed. In addition, an insertion space 156b (refer to FIG. 4) in which the second body 156 communicates with the insertion groove 156a and into which the lower portion of the first body 152 and the locking protrusion 154 are inserted is formed. .

그리하여, 제1몸체(152) 및 걸림돌기(154)를 지지관(157)의 내부 및 출입로(157a)와 각각 대향되게 위치시킨 상태에서, 제1지지부재(151)를 하강시키면 걸림돌기(154)가 삽입홈(156a)에 삽입된다. 이러한 상태에서, 제1지지부재(151)를 더 하강시켜 회전시키면, 걸림돌기(154)가 삽입공간(156b)을 형성하는 제2몸체(156)의 상면 부위 또는 지지관(157)의 하단면(下端面)에 걸리므로, 제1지지부재(151)와 제2지지부재(155)가 상호 결합되는 것이다.Thus, in a state in which the first body 152 and the locking protrusion 154 are positioned to face the inside of the support pipe 157 and the entrance passage 157a, respectively, when the first support member 151 is lowered, the locking protrusion ( 154 is inserted into the insertion groove (156a). In this state, when the first support member 151 is further lowered and rotated, the locking protrusion 154 forms the upper surface of the second body 156 forming the insertion space 156b or the lower surface of the support pipe 157 Since it is caught on the bottom, the first support member 151 and the second support member 155 are coupled to each other.

제1지지부재(151)와 제2지지부재(155)를 분리하고자 할 경우에는, 걸림돌기(154)가 삽입홈(156a)에 위치되도록 제1지지부재(151)를 회전시킨 다음, 제1지지부재(151)를 상측으로 이동시키면 된다.In the case of separating the first support member 151 and the second support member 155, the first support member 151 is rotated so that the locking protrusion 154 is positioned in the insertion groove 156a, and then the first Just move the support member 151 upward.

지지관(157)에 제1몸체(152)의 하측 부위가 삽입 지지되므로, 제1지지부재(151)는 제2지지부재(155)에 안정되게 삽입 결합된다. 그리고, 걸림돌기(154)는 제1지지부재(151)가 승강함에 따라, 출입로(157a)를 출입한다.Since the lower portion of the first body 152 is inserted and supported in the support pipe 157, the first support member 151 is stably inserted and coupled to the second support member 155. In addition, the locking protrusion 154 enters and exits the entrance path 157a as the first support member 151 moves up and down.

제1플레이트(141)에는 결합바(158)가 결합되는 결합공(141c)이 형성될 수 있고, 결합바(158)의 외주면 및 결합공(141c)의 내주면에는 상호 맞물리는 나사선이 형성될 수 있다. 그러면, 제2지지부재(155)를 정역회전시킴에 따라 결합공(141c)에 삽입 결합되는 결합바(158)의 삽입 깊이를 조절할 수 있다. 그러므로, 전술한 바와 같이, 필요에 따라 제1플레이트(141)의 소정 부위를 리드(115)와 더 가까이 위치시킬 수 있고, 리드(115)와 제1플레이트(141)이 사이의 간격을 조절할 수 있다.The first plate 141 may be formed with a coupling hole (141c) to which the coupling bar 158 is coupled, and a screw thread that meshes with each other may be formed on the outer peripheral surface of the coupling bar 158 and the inner peripheral surface of the coupling hole (141c). have. Then, as the second support member 155 is rotated forward and backward, the insertion depth of the coupling bar 158 inserted into the coupling hole 141c can be adjusted. Therefore, as described above, a predetermined portion of the first plate 141 can be positioned closer to the lid 115 as necessary, and the gap between the lid 115 and the first plate 141 can be adjusted. have.

확산공간(142)에는 공정가스가 챔버(111a)로 더욱 균일하게 분사되도록 안내하는 복수의 분사공(145a)이 형성된 제2플레이트(145)가 설치될 수 있다.In the diffusion space 142, a second plate 145 having a plurality of injection holes 145a for guiding the process gas to be sprayed more uniformly into the chamber 111a may be installed.

즉, 확산공간(142)으로 공급된 공정가스가 제2플레이트(145)에 의하여 균일하게 확산되어 제1플레이트(141)측으로 공급되므로, 제1플레이트(141)에서 챔버(111a)로 분사되는 공정가스는 더욱 확산된다. 따라서, 기판(50)의 전면(全面)에 걸쳐서 공정가스가 더욱 균일하게 분사된다. 전술한, 평판디스플레이의 대형화 및 기판(50)이 처리되는 챔버(111a) 내부의 압력이 고압인 이유로 제2플레이트(145)도 압력 및 자중에 의하여 처질 수 있다.That is, since the process gas supplied to the diffusion space 142 is uniformly diffused by the second plate 145 and supplied to the first plate 141, the process is sprayed from the first plate 141 to the chamber 111a. The gas is further diffused. Accordingly, the process gas is sprayed more uniformly over the entire surface of the substrate 50. As described above, the second plate 145 may also sag due to the pressure and its own weight due to the increase in the size of the flat panel display and the pressure inside the chamber 111a in which the substrate 50 is processed is high.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 지지부재(150)를 이용하여 제2플레이트(145)가 처지는 것을 방지한다.The substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention uses the support member 150 to prevent the second plate 145 from sagging.

상세히 설명하면, 제2플레이트(145)에는 제2지지부재(155)의 지지관(157)이 관통하는 관통공(145b)이 형성되고, 관통공(145b)과 접하는 제2플레이트(145)의 부위는 지지관(157) 보다 큰 직경으로 형성된 제2몸체(156)의 상면에 접촉 지지된다. 제2몸체(156)로 인하여, 제2플레이트(145)가 처지는 것이 방지되므로, 리드(115)와 제2플레이트(145) 사이의 간격 및 제2플레이트(145)와 제1플레이트(141) 사이의 간격은 제2플레이트(145)의 전체면에 걸쳐서 균일하다. 따라서, 제2플레이트(145)에서 제1플레이트(141)의 분사공(141b)측으로 분사되는 공정가스가 균일하므로, 제1플레이트(141)에서 기판(50)측으로 분사되는 공정가스도 균일하다.Specifically, a through hole 145b through which the support pipe 157 of the second support member 155 passes is formed in the second plate 145, and the second plate 145 in contact with the through hole 145b is The portion is supported in contact with the upper surface of the second body 156 formed with a larger diameter than the support pipe 157. Due to the second body 156, since sagging of the second plate 145 is prevented, the gap between the lid 115 and the second plate 145 and between the second plate 145 and the first plate 141 The spacing of is uniform over the entire surface of the second plate 145. Therefore, since the process gas injected from the second plate 145 toward the injection hole 141b of the first plate 141 is uniform, the process gas injected from the first plate 141 toward the substrate 50 is also uniform.

제2플레이트(145)는 제1플레이트(141)와 동심을 이루면서 배치되고, 전술한 바와 같이, 지지부재(150)는 제1플레이트(141) 및 제2플레이트(145)의 중심을 기준으로 방사상으로 설치될 수 있다. 그리고, 제1플레이트(141) 및 제2플레이트(145)의 부위 중, 많이 처지는 부위에 지지부재(150)가 설치될 수 있다.The second plate 145 is disposed concentrically with the first plate 141, and as described above, the support member 150 is radially based on the center of the first plate 141 and the second plate 145 Can be installed as In addition, among the portions of the first plate 141 and the second plate 145, the support member 150 may be installed at a portion that sags a lot.

제2지지부재(155)의 제2몸체(156)의 두께를 적절하게 조절하거나, 제2지지부재(156)의 길이를 적절하게 조절하면, 제2플레이트(145)와 제1플레이트(141) 사이의 간격 및 제2플레이트(145)와 리드(115) 사이의 간격을 조절할 수 있다.If the thickness of the second body 156 of the second support member 155 is properly adjusted or the length of the second support member 156 is appropriately adjusted, the second plate 145 and the first plate 141 It is possible to adjust the spacing between the second plate 145 and the lead 115.

도 2에 도시된 바와 같이, 리드(115)에는 전원(151)이 접속될 수 있으며, 리드(115)는 제1플레이트(141)와 전기적으로 접속될 수 있다. 그리고, 지지유닛(120)의 서셉터(121)는 전기적으로 접지되어 양극의 기능을 할 수 있다.As shown in FIG. 2, a power source 151 may be connected to the lead 115, and the lead 115 may be electrically connected to the first plate 141. In addition, the susceptor 121 of the support unit 120 may be electrically grounded to function as an anode.

그러면, 제1플레이트(141)와 서셉터(121)의 사이의 챔버(111a)의 영역에 전기장이 형성되고, 챔버(111a)에 형성된 전기장에 의해 가속된 전자가 중성기체와 충돌하면서 플라즈마가 형성되어 기판(50)에 증착되는 것이다.Then, an electric field is formed in the region of the chamber 111a between the first plate 141 and the susceptor 121, and the electrons accelerated by the electric field formed in the chamber 111a collide with the neutral gas to form plasma. It will be deposited on the substrate 50.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는, 리드(115)와 제1플레이트(141) 사이의 공간인 확산공간(142)에 설치된 제2플레이트(145)가 지지부재(150)에 지지되어 처지는 것이 방지된다. 그러므로, 리드(115)와 제2플레이트(145) 사이의 간격 및 제2플레이트(145)와 제1플레이트(141) 사이의 간격이 각각 균일하므로, 제2플레이트(145)에서 분사되는 공정가스가 균일하다. 따라서, 제1플레이트(141)에서 분사되는 공정가스도 균일하므로, 기판(50)에 균일한 막이 형성된다.In the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, the second plate 145 installed in the diffusion space 142, which is a space between the lid 115 and the first plate 141, is supported by the support member 150. It is prevented from sagging. Therefore, since the gap between the lid 115 and the second plate 145 and the gap between the second plate 145 and the first plate 141 are uniform, respectively, the process gas injected from the second plate 145 is Uniform. Therefore, since the process gas injected from the first plate 141 is also uniform, a uniform film is formed on the substrate 50.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 요부 단면도로서, 도 5와의 차이점만을 설명한다.6 is a cross-sectional view of a main portion of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and only differences from FIG. 5 are described.

도시된 바와 같이, 지지관(257)이 관통하는 제2플레이트(245)의 내주면측에는 계단진 단면(段面)(245c)이 형성될 수 있다. 단면(245c)은 제2플레이트(245)에 수직하는 수직면(245ca)과 수직면(245ca)의 상면에서 내측으로 연장 형성되어 제2플레이트(245)와 평행하는 수평면(245cb)을 포함할 수 있다. 수직면(245ca)은 제2몸체(256)의 외면에 접촉 지지되고, 수평면(245cb)은 제2몸체(256)의 상면에 접촉 지지될 수 있다. 따라서, 제2플레이트(245)가 제2몸체(256)에 견고하게 지지된다.As shown, a stepped cross section 245c may be formed on the inner peripheral surface side of the second plate 245 through which the support pipe 257 passes. The cross-section 245c may include a vertical surface 245ca perpendicular to the second plate 245 and a horizontal surface 245cb that is formed extending inward from an upper surface of the vertical surface 245ca and parallel to the second plate 245. The vertical surface 245ca may be supported in contact with the outer surface of the second body 256, and the horizontal surface 245cb may be supported in contact with the upper surface of the second body 256. Accordingly, the second plate 245 is firmly supported on the second body 256.

도 6에 도시된 상태에서는, 수평면(245cb)의 내주면에 의하여 형성되는 공간이 관통공(245b)이다.In the state shown in FIG. 6, the space formed by the inner circumferential surface of the horizontal plane 245cb is the through hole 245b.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 요부 단면도로서, 도 4와의 차이점만을 설명한다.7 is a cross-sectional view of a main portion of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and only differences from FIG. 4 are described.

도시된 바와 같이, 본 발명의 또 실시예에 따른 기판처리장치는, 제2플레이트(345)의 하면과 제2지지부재(355)의 제2몸체(356)의 상면 사이에는 스페이서(360)가 개재될 수 있다.As shown, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, a spacer 360 is provided between the lower surface of the second plate 345 and the upper surface of the second body 356 of the second support member 355 May be intervened.

스페이서(360)는 제2플레이트(345)가 설치되는 위치를 조절할 수 있다. 즉, 리드(311)와 제2플레이트(345) 사이의 간격 또는 제2플레이트(345)와 제1플레이트(341) 사이의 간격을 조절할 수 있다. 그리고, 제2플레이트(345)의 부위 중, 많이 처지는 제2플레이트(345)의 부위에 국부적으로 설치될 수 있다. 스페이서(360)는 복수개가 적층된 형태로 개재될 수 있음은 당연하다.The spacer 360 may adjust a position where the second plate 345 is installed. That is, the distance between the lid 311 and the second plate 345 or the distance between the second plate 345 and the first plate 341 may be adjusted. In addition, among the portions of the second plate 345, it may be installed locally on the portion of the second plate 345 that sags a lot. It is natural that a plurality of spacers 360 may be interposed in a stacked form.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 지지부재의 사시도로서, 도 5와의 차이점만을 설명한다.8 is a perspective view of a support member of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and only differences from FIG. 5 are described.

도시된 바와 같이, 지지부재(450)의 제1지지부재(451)의 제1몸체(452)의 하단부측 외주면 및 제2지지부재(455)의 지지관(457)의 내주면에는 상호 맞물리는 나사선이 형성될 수 있다. 그러면, 제1지지부재(451)를 정역회전시킴에 따라 상호 삽입 결합되는 제1지지부재(451)와 제2지지부재(455)에 삽입 길이를 조절할 수 있으므로, 전술한 상기 제1플레이트 및 상기 제2플레이트의 위치를 간편하게 조절할 수 있다. 따라서, 상기 제1플레이트 및 상기 제2플레이트의 부위 중, 많이 처지는 부위를 상기 리드측과 가까이 위치시킬 수 있다.As shown, the outer peripheral surface of the lower end side of the first body 452 of the first support member 451 of the support member 450 and the inner peripheral surface of the support pipe 457 of the second support member 455 are mutually engaged screw lines Can be formed. Then, as the first support member 451 is rotated forward and backward, the insertion length of the first support member 451 and the second support member 455, which are inserted and coupled to each other, can be adjusted, so that the aforementioned first plate and the The position of the second plate can be easily adjusted. Accordingly, among the portions of the first plate and the second plate, a portion that sags a lot may be positioned close to the lead side.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보인 단면도로서, 이를 설명한다.9 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and will be described.

도시된 바와 같이, 제1지지부재(551)의 머리부(553)와 리드(515) 사이에는 스페이서(560)가 개재될 수 있다. 그러면, 제1플레이트(541) 및 제2플레이트(545)의 부위 중, 많이 처지는 부위를 리드(515)과 가까이 위치시킬 수 있다.As shown, a spacer 560 may be interposed between the head 553 of the first support member 551 and the lead 515. Then, among the portions of the first plate 541 and the second plate 545, a portion that sags a lot may be positioned close to the lead 515.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and that various substitutions, modifications, and changes are possible within the scope of the technical spirit of the present invention. It will be obvious to those who have the knowledge of. Therefore, the scope of the present invention is indicated by the claims to be described later, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

111: 본체
115: 리드
120: 지지유닛
130: 가스공급관
141: 제1플레이트
145: 제2플레이트
150: 지지부재111: main body
115: lead
120: support unit
130: gas supply pipe
141: first plate
145: second plate
150: support member

Claims (10)

상면이 개방된 본체;
상기 본체의 개방된 상면에 결합된 리드;
상기 리드의 내부 상면과 이격되어 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제1플레이트;
상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제2플레이트;
상기 리드에 지지되어 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트를 지지하는 하나 이상의 지지부재를 포함하며,
상기 지지부재는 복수개 마련되고,
상부측은 상기 리드에 지지되고, 하부측은 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 위치된 제1지지부재;
상부측은 상기 제1지지부재의 하측 부위에 결합되고, 중앙부측은 상기 제2플레이트를 관통하면서 상기 제2플레이트를 지지하며, 하부측은 상기 제1플레이트를 지지하는 제2지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A main body with an open top surface;
A lead coupled to the open upper surface of the main body;
A first plate installed to be spaced apart from the inner upper surface of the lead and having a plurality of injection holes formed thereon;
A second plate installed between the lead and the first plate and having a plurality of injection holes;
And one or more support members supported by the lead to support the second plate and the first plate,
The support member is provided in plurality,
An upper side is supported by the lead, and a lower side is a first support member positioned between the lead and the first plate;
An upper side is coupled to a lower portion of the first support member, a central side side supports the second plate while penetrating the second plate, and a lower side includes a second support member supporting the first plate. A substrate processing device. 상면이 개방된 본체;
상기 본체의 개방된 상면에 결합된 리드;
상기 리드의 내부 상면과 이격되어 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제1플레이트;
상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제2플레이트;
상기 리드에 지지되어 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트를 지지함과 동시에 상기 리드와 상기 제2플레이트 사이의 간격 또는 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트 사이의 간격을 조절하는 하나 이상의 지지부재를 포함하며,
상기 지지부재는 복수개 마련되고,
상부측은 상기 리드에 지지되고, 하부측은 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 위치된 제1지지부재;
상부측은 상기 제1지지부재의 하측 부위에 결합되고, 중앙부측은 상기 제2플레이트를 관통하면서 상기 제2플레이트를 지지하며, 하부측은 상기 제1플레이트를 지지하는 제2지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A main body with an open top surface;
A lead coupled to the open upper surface of the main body;
A first plate installed to be spaced apart from the inner upper surface of the lead and having a plurality of injection holes formed thereon;
A second plate installed between the lead and the first plate and having a plurality of injection holes;
One or more support members supported by the lead to support the second plate and the first plate, and at the same time adjusting the distance between the lead and the second plate or the distance between the second plate and the first plate. Includes,
The support member is provided in plurality,
An upper side is supported by the lead, and a lower side is a first support member positioned between the lead and the first plate;
An upper side is coupled to a lower portion of the first support member, a central side side supports the second plate while penetrating the second plate, and a lower side includes a second support member supporting the first plate. A substrate processing device. 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1지지부재는 제1몸체와 상기 제1몸체의 상면에 상기 제1몸체의 직경보다 큰 직경으로 형성되어 상기 리드에 걸려서 지지되는 머리부를 포함하고,
상기 제2지지부재는, 내부에 상기 제1몸체의 하측 부위가 삽입 결합되는 제2몸체; 상기 제2몸체의 외경 보다 작은 외경을 가지면서 상기 제2몸체의 상면에서 연장 형성되고, 상기 제2플레이트를 관통하며, 상기 제1몸체의 하측 부위가 삽입되는 지지관; 상기 제2몸체의 하면에서 연장 형성되어 상기 제1플레이트에 결합되는 결합바를 포함하며,
상기 지지관을 관통하는 상기 제2플레이트의 부위는 상기 제2몸체의 상면에 접촉 지지된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1 or 2,
The first support member includes a first body and a head formed on an upper surface of the first body to have a diameter larger than the diameter of the first body and supported by the lead,
The second support member may include a second body into which a lower portion of the first body is inserted and coupled; A support pipe extending from an upper surface of the second body while having an outer diameter smaller than that of the second body, penetrating through the second plate, and into which a lower portion of the first body is inserted; It includes a coupling bar extending from the lower surface of the second body and coupled to the first plate,
A substrate processing apparatus, wherein a portion of the second plate penetrating the support tube is contact-supported with an upper surface of the second body. 제4항에 있어서,
상기 제1몸체의 하측 부위 외면에는 복수의 걸림돌기가 형성되고,
상기 지지관에는 상기 걸림돌기가 출입하는 출입로가 형성되며,
상기 제2몸체의 상면에는 상기 출입로와 연통된 삽입홈이 형성되고, 내부에는 상기 삽입홈과 연통되며 상기 걸림돌기가 삽입되어 걸리는 삽입공간이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 4,
A plurality of locking protrusions are formed on the outer surface of the lower portion of the first body,
The support pipe is formed with an access path through which the locking protrusion enters and exits,
The substrate processing apparatus, characterized in that an insertion groove in communication with the access path is formed on an upper surface of the second body, and an insertion space in which the locking protrusion is inserted is formed in the interior. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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