KR20160124220A - 음극 활물질 재료, 음극 및 전지 - Google Patents

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Abstract

질량당 방전 용량 및 충방전 사이클 특성을 개선 가능한 음극 활물질 재료를 제공한다. 본 실시형태의 음극 활물질 재료는, 재료 A 및 재료 B 중 적어도 1종과, 재료 C를 함유한다. 재료 A: 라만 스펙트럼에 있어서의, 1580cm-1의 피크 강도에 대한 1360cm-1의 피크 강도의 비가 0.5 이하인 탄소질 분말 재료. 재료 B: 라만 스펙트럼에 있어서의, 1580cm-1의 피크 강도에 대한 1360cm-1의 피크 강도의 비가 0.5 초과인 탄소질 분말 재료. 재료 C: 합금상으로 이루어지는 활물질을 주성분으로 하는 분말 재료. 이 합금상은, 금속 이온을 방출할 때 또는 상기 금속 이온을 흡장할 때에 열탄성형 무확산 변태한다.

Description

음극 활물질 재료, 음극 및 전지{NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE SUBSTANCE MATERIAL, NEGATIVE ELECTRODE, AND CELL}
본 발명은, 전극 활물질 재료에 관한 것이며, 더욱 상세하게는, 음극 활물질 재료에 관한 것이다.
최근, 가정용 비디오 카메라, 노트북, 및, 스마트폰 등의 소형 전자기기 등의 보급이 진행되어, 전지의 고용량화 및 장수명화(長壽命化)가 기술 과제로 되어 있다.
하이브리드 자동차, 플러그인 하이브리드차, 및, 전기 자동차를 더욱 보급하기 위해서, 전지의 컴팩트화도 기술 과제로 되어 있다.
현재, 리튬 이온 전지에는, 흑연계의 음극 활물질 재료가 이용되고 있다. 그러나, 흑연계의 음극 활물질 재료는, 상술한 기술 과제를 갖는다.
그래서, 흑연계 음극 활물질 재료보다도 고용량인 합금계 음극 활물질 재료가 주목되고 있다. 합금계 음극 활물질 재료로는, 실리콘(Si)계 음극 활물질 재료, 주석(Sn)계 음극 활물질 재료가 알려져 있다. 보다 컴팩트하고 장수명인 리튬 이온 전지의 실용화를 위해서, 상기 합금계 음극 활물질 재료에 대해 다양한 검토가 이루어지고 있다.
그러나, 합금계 음극 활물질 재료의 체적은, 충방전시에 큰 팽창 및 수축을 반복한다. 그 때문에, 합금계 음극 활물질 재료는 용량이 열화되기 쉽다. 예를 들면, 충전에 수반하는 흑연의 체적 팽창 수축률은, 12% 정도이다. 이에 대해, 충전에 수반하는 Si 단체(單體) 또는 Sn 단체의 체적 팽창 수축률은 400% 전후이다. 이 때문에, Sn 단체의 음극판이 충방전을 반복하면, 현저한 팽창 수축이 일어나, 음극판의 집전체에 도포된 음극 합제가 균열을 일으킨다. 그 결과, 음극판의 용량이 급격하게 저하된다. 이것은, 주로, 체적 팽창 수축에 의해 일부의 활물질이 유리(遊離)하여 음극판이 전자 전도성을 잃는 것에 기인한다.
미국 특허 출원 공개 제2008/0233479호(특허문헌 1)에는, 합금계 음극 활물질 재료의 상술한 과제의 해결책이 제안되어 있다. 구체적으로는, 특허문헌 1의 음극 재료는, Ti-Ni계 초탄성 합금과, 초탄성 합금 중에 형성되는 Si 입자를 구비한다. 리튬 이온의 흡장 및 방출에 수반하여 일어나는 실리콘 입자가 큰 팽창 수축 변화를, 초탄성 합금에 의해 억제할 수 있다고 특허문헌 1에는 기재되어 있다.
미국 특허 출원 공개 제2008/0233479호 그러나, 특허문헌 1에 개시된 수법으로 동 이차 전지의 충방전 사이클 특성이 충분히 향상되지 않을 가능성도 있다. 애당초, 특허문헌 1에서 제안된 음극 활물질 재료를 실제로 제조하는 것은 매우 곤란하다.
본 발명의 목적은, 리튬 이온 이차 전지로 대표되는 비수 전해질 이차 전지에 이용되고, 질량당 방전 용량 및/또는 충방전 사이클 특성을 개선 가능한 음극 활물질 재료를 제공하는 것이다.
본 실시형태의 음극 활물질 재료는, 재료 A와 재료 C를 함유한다.
재료 A: 라만 스펙트럼에 있어서의, 1580cm-1의 피크 강도에 대한 1360cm-1의 피크 강도의 비가 0.5 이하인 탄소질 분말 재료.
재료 C: 합금상으로 이루어지는 활물질을 주성분으로 하는 분말 재료. 이 합금상은, 금속 이온을 방출할 때 또는 상기 금속 이온을 흡장할 때에 열탄성형 무확산 변태한다.
음극 활물질 재료가 재료 A를 함유하는 경우에 있어서, 재료 A/재료 C의 질량비는, 0.01~7이다.
본 실시형태의 음극 활물질 재료는, 질량당 방전 용량 및/또는 충방전 사이클 특성을 개선할 수 있다.
도 1은, DO3 구조의 사시도이다.
도 2a는, 본 실시형태의 합금상의 모상의 DO3 구조의 모식도이다.
도 2b는, 마텐자이트상의 1종인 γ1'상의 2H 구조의 모식도이다.
도 2c는, DO3 구조로부터 2H 구조로의 열탄성형 무확산 변태를 설명하기 위한 결정면의 모식도이다.
도 2d는, 도 2c와 상이한 다른 결정면의 모식도이다.
도 2e는, 도 2c 및 도 2d와 상이한 다른 결정면의 모식도이다.
도 3은, 본 발명예 1의 합금상의 충방전 전후의 X선 회절 프로파일과, 리트벨트법에 의한 시뮬레이트 결과를 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태를 상세하게 설명한다. 도면 중 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 부여해 그 설명은 반복하지 않는다.
본 실시형태에 의한 음극 활물질 재료는, 재료 A와 재료 C를 함유한다.
재료 A: 라만 스펙트럼에 있어서의, 1580cm-1의 피크 강도에 대한 1360cm-1의 피크 강도의 비가 0.5 이하인 탄소질 분말 재료.
재료 C: 합금상으로 이루어지는 활물질을 주성분으로 하는 분말 재료. 이 합금상은, 금속 이온을 방출할 때 또는 상기 금속 이온을 흡장할 때에 열탄성형 무확산 변태한다.
음극 활물질 재료가 재료 A를 함유하는 경우에 있어서, 재료 A/재료 C의 질량비는, 0.01~7이다.
본 명세서에서 말하는 「음극 활물질 재료」는, 바람직하게는, 비수 전해질 이차 전지용 음극 활물질 재료이다. 본 명세서에서 말하는 「열탄성형 무확산 변태」는, 소위 열탄성형 마텐자이트 변태를 의미한다. 「금속 이온」은, 예를 들면, 리튬 이온, 마그네슘 이온, 나트륨 이온 등이다. 바람직한 금속 이온은, 리튬 이온이다.
재료 C는, 상기 합금상 이외의 다른 상을 함유해도 된다. 다른 상은 예를 들면, 실리콘(Si)상, 주석(Sn)상, 상기 합금상 이외의 다른 합금상(열탄성형 무확산 변태하지 않는 합금상) 등이다.
바람직하게는, 상기 합금상은, 재료 C의 주성분(주상)이다. 「주성분」이란, 50% 체적 이상을 차지하는 성분을 의미한다. 합금상은, 본 발명의 주지를 해치지 않는 범위에서 불순물을 함유해도 된다. 그러나, 불순물은 가능한 적은 편이 바람직하다.
본 실시형태의 음극 활물질 재료를 이용하여 형성된 음극은, 비수 전해질 이차 전지에 사용한 경우, 흑연으로 이루어지는 음극보다도 높은 방전 용량(질량당 방전 용량)을 갖는다. 또한, 본 실시형태의 음극 활물질 재료를 포함하는 음극을 이용한 비수 전해질 이차 전지는, 종래의 합금계 음극을 이용한 경우보다도, 용량 유지율이 높다. 따라서, 이 음극 활물질 재료는, 비수 전해질 이차 전지의 충방전 사이클 특성을 충분히 향상시킬 수 있을 가능성이 높다. 또, 본 실시형태의 음극 활물질 재료를 포함하는 음극을 이용한 비수 전해질 이차 전지는, 불가역 용량이 작다.
높은 용량 유지율을 나타내는 것은, 재료 C에 있어서 충방전시에 발생하는 팽창 수축에 의한 변형이, 열탄성형 무확산 변태에 의해서 완화되기 때문이라고 생각된다. 또, 재료 C에, 적어도 재료 A가 혼합되어 있는 것도, 용량 유지율을 향상시킨다고 생각된다. 또한, 재료 A가 재료 C와 혼합되어 있는 것은, 불가역 용량을 작게 한다(첫 회 쿨롬 효율을 높인다)고 생각된다. 상세한 것은 후술한다.
재료 A는, 흑연화도가 높은 탄소질 재료(즉, 흑연계 탄소질 재료)이다. 한편, 재료 B는, 저결정성의 탄소질 재료이다. 라만 스펙트럼의 1360cm-1의 피크는 저결정성 탄소질 재료의 피크이며, 1580cm-1의 피크는 흑연계 탄소질 재료의 피크이다. 탄소질 재료의 1360cm-1/1580cm-1 피크 강도비가 클수록, 그 재료는 흑연화도가 낮은(저결정성인) 것을 의미한다. 반대로 이 피크 강도비가 작을수록, 흑연화도가 높은 것을 의미한다.
상술한 음극 활물질 재료는 또한, 재료 B를 함유해도 된다.
재료 B: 라만 스펙트럼에 있어서의, 1580cm-1의 피크 강도에 대한 1360cm-1의 피크 강도의 비가 0.5 초과인 탄소질 분말 재료.
음극 활물질 재료가 재료 B를 함유하는 경우에 있어서, 재료 B/(재료 A+재료 B+재료 C)의 질량비는, 0.01~0.2인 것이 바람직하다.
재료 C에 있어서의 합금상은, 다음의 4개의 타입 1~타입 4 중 어느 타입이어도 된다.
타입 1의 합금상은, 금속 이온을 흡장할 때에 열탄성형 무확산 변태하고, 금속 이온을 방출할 때에 역변태한다. 이 경우, 합금상은, 상태(常態)에서 모상이다.
타입 2의 합금상은, 금속 이온을 흡장할 때에 역변태하고, 금속 이온을 방출할 때에 열탄성형 무확산 변태한다. 이 경우, 합금상은, 상태에서 마텐자이트상이다.
타입 3의 합금상은, 금속 이온을 흡장할 때에 보족 변형(미끄럼 변형 또는 쌍정 변형)하고, 금속 이온을 방출할 때에 원래의 마텐자이트상으로 되돌아온다. 이 경우, 합금상은, 상태에서 마텐자이트상이다.
타입 4의 합금상은, 금속 이온을 흡장할 때에 마텐자이트상으로부터 다른 마텐자이트상이 되고, 금속 이온을 방출할 때에 원래의 마텐자이트상으로 되돌아온다. 이 경우, 합금상은 상태에서 마텐자이트상이다.
타입 1의 합금상의 경우, 바람직하게는, 열탄성형 무확산 변태 후의 합금상의 결정 구조가 Ramsdell 표기로 2H, 3R, 6R, 9R, 18R, M2H, M3R, M6R, M9R 및 M18R 중 어느 하나이며, 역변태 후의 합금상의 결정 구조가 Strukturbericht 표기로 DO3이다. 더욱 바람직하게는, 열탄성형 무확산 변태 후의 합금상의 결정 구조는 상기 2H이며, 역변태 후의 합금상의 결정 구조는 상기 DO3이다.
타입 1의 합금상의 경우, 바람직하게는, 합금상은, Cu와 Sn을 함유하고, 열탄성형 무확산 변태 후에 상기 2H 구조를 함유하고, 역변태 후에 상기 DO3 구조를 함유한다.
상기 합금상은, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Al, Si, B 및 C로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상과, Sn을 함유하고, 잔부는 Cu 및 불순물이어도 된다.
상기 합금상은 또한, 사이트 결손을 포함하는, F-Cell 구조의 δ상과, 2H 구조의 ε상과, 단사정의 η'상과, DO3 구조를 갖는 상으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유해도 된다.
사이트 결손을 포함하는 이들 δ상, ε상, η'상, 및 DO3 구조를 갖는 상은 모두, 음극 활물질 재료 중에, 금속 이온(Li 이온 등)의 저장 사이트 및 확산 사이트를 형성한다. 그 때문에, 음극 활물질 재료의 방전 용량 및 사이클 특성이 더욱 개선된다.
상기 음극 활물질 재료에 있어서, 상기 합금상의 상 변태 전후의 단위포의 체적 팽창률 또는 체적 수축률은, 바람직하게는 20% 이하이며, 더욱 바람직하게는 10% 이하이다. 단위포의 체적 팽창률은 하기 식 (1)로 정의되고, 단위포의 체적 수축률은 하기 식 (2)로 정의된다.
(단위포의 체적 팽창률)=[(금속 이온 흡장시의 단위포의 체적)-(금속 이온 방출시의 단위포의 체적)]/(금속 이온 방출시의 단위포의 체적)×100…(1)
(단위포의 체적 수축률)=[(금속 이온 흡장시의 단위포의 체적)-(금속 이온 방출시의 단위포의 체적)]/(금속 이온 흡장시의 단위포의 체적)×100…(2)
식 (1) 및 식 (2) 중의 「금속 이온 방출시의 단위포의 체적」에는, 흡장시의 단위포의 결정 격자 범위에 대응하는 방출시의 단위포의 체적이 대입된다.
상술한 음극 활물질 재료는, 전극, 특히 비수 전해질 이차 전지의 전극을 구성하는 활물질로서 사용할 수 있다. 비수 전해질 이차 전지는 예를 들면, 리튬 이온 이차 전지이다.
이하, 본 실시형태에 의한 음극 활물질 재료에 대해서 상세하게 상세하게 서술한다.
<음극 활물질 재료>
본 발명의 실시형태에 따른 음극 활물질 재료는, 재료 A와 재료 C를 함유한다.
재료 A: 라만 스펙트럼에 있어서의, 1580cm-1의 피크 강도에 대한 1360cm-1의 피크 강도의 비가 0.5 이하인 탄소질 분말 재료.
재료 C: 합금상으로 이루어지는 활물질을 주성분으로 하는 분말 재료.
바람직하게는, 재료 C의 합금상은, 금속 이온을 방출할 때 또는 금속 이온을 흡장할 때에 열탄성형 무확산 변태한다.
열탄성형 무확산 변태는, 열탄성형 마텐자이트 변태라고도 불린다. 이하, 본 명세서에서는, 열탄성형 마텐자이트 변태를 단순히 「M변태」라고 하고, 마텐자이트상을 단순히 「M상」이라고 한다. 금속 이온을 흡장 또는 방출할 때에 M변태하는 합금상을, 「특정 합금상」이라고도 한다.
상술한 음극 활물질 재료는 또한, 재료 B를 함유해도 된다.
재료 B: 라만 스펙트럼에 있어서의, 1580cm-1의 피크 강도에 대한 1360cm-1의 피크 강도의 비가 0.5 초과인 탄소질 분말 재료.
(I) 재료 C에 대해서
바람직하게는, 재료 C는, 특정 합금상을 갖는 분말 재료이다. 특정 합금상은, M상 및 모상 중 적어도 한쪽을 주체로 한다. 특정 합금상은, 충방전시에 금속 이온의 흡장 및 방출을 반복한다. 그리고, 금속 이온의 흡장 및 방출에 따라, 특정 합금상은 M변태, 역변태, 보족 변형 등을 한다. 이들 변태 거동은, 금속 이온의 흡장 및 방출시에 합금상이 팽창 및 수축함으로써 발생하는 변형을 완화한다.
특정 합금상은, 상기 타입 1~타입 4 중 어느 타입이어도 된다. 바람직하게는, 특정 합금상은, 타입 1이다. 즉, 특정 합금상은 바람직하게는, 금속 이온을 흡장할 때에 M변태하고, 금속 이온을 방출할 때에 역변태한다.
특정 합금상의 결정 구조는, 특별히 한정되는 것은 아니다. 합금상이 타입 1이며, 역변태 후의 특정 합금상(즉, 모상)의 결정 구조가 β1상(DO3 구조)인 경우, M변태 후의 특정 합금상(즉, M상)의 결정 구조는 예를 들면, β1'상(단사정의 M18R1 구조, 또는, 사방정의 18R1 구조), γ1'상(단사정의 M2H 구조, 또는, 사방정의 2H 구조), β1''상(단사정의 M18R2 구조, 또는, 사방정의 18R2 구조), α1'상(단사정의 M6R 구조, 또는, 사방정의 6R 구조) 등이다.
특정 합금상의 모상의 결정 구조가 β2상(B2 구조)인 경우, 특정 합금상의 M상의 결정 구조는 예를 들면, β2'상(단사정의 M9R 구조, 또는, 사방정의 9R 구조), γ2'상(단사정의 M2H 구조, 또는, 사방정의 2H 구조), α2'상(단사정의 M3R 구조, 또는, 사방정의 3R 구조)이다.
합금상의 모상이 면심 입방 격자인 경우, 합금상의 M상의 결정 구조는 예를 들면, 면심 정방 격자, 체심 정방 격자이다.
상기 2H, 3R, 6R, 9R, 18R, M2H, M3R, M6R, M9R, M18R 등의 기호는, Ramsdell의 분류에 의한 적층 구조의 결정 구조의 표현법으로서 이용되는 것이다. H 및 R의 기호는, 적층면에 수직인 방향의 대칭성이 각각 육방 대칭 및 능면 대칭인 것을 의미한다. 선두에 M이 부기되어 있지 않은 경우, 그 결정 구조가 사방정인 것을 의미한다. 선두에 M이 부기되어 있는 경우, 그 결정 구조가 단사정인 것을 의미한다. 동일한 분류 기호여도 적층의 순번의 차이에 따라 구별하는 경우가 있다. 예를 들면, 2종류의 M상인 β1'상과 β1''상은, 적층 구조가 상이한 점으로부터, 각각 18R1, 18R2, 또는, M18R1, M18R2 등으로 표기하여, 구별되는 경우가 있다.
일반적으로, 통상의 형상 기억 효과나 의탄성 효과에 있어서의 M변태 및 역변태에는, 체적 수축 혹은 체적 팽창을 수반하는 일이 많다. 본 실시형태에 따른 음극 활물질 재료가 전기 화학적으로 금속 이온(예를 들면, 리튬 이온)을 방출 또는 흡장하는 경우, 각각의 변태의 방향에 있어서의 체적 수축 또는 체적 팽창의 현상과 정합적으로 결정 구조가 변화하는 경우가 많다고 생각된다.
그러나, 본 실시형태에 의한 음극 활물질 재료는, 특별히 그 제약으로 한정되지 않는다. 특정 합금상에 있어서, 금속 이온의 흡장 및 방출에 수반하여 M변태 혹은 역변태가 일어날 때, 통상의 형상 기억 효과나 의탄성 효과시에 나타나는 결정 구조 이외의 결정 구조가 생성되어도 된다.
특정 합금상이 타입 3인 경우, 금속 이온의 흡장 또는 방출에 수반해 특정 합금상이 미끄럼 변형 또는 쌍정 변형한다. 미끄럼 변형에서는, 격자 결함으로서 전위가 도입되므로, 가역적인 변형이 곤란하다. 따라서, 특정 합금상이 타입 3인 경우, 쌍정 변형이 주체적으로 일어나는 것이 바람직하다.
[재료 C의 화학 조성]
상술한 특정 합금상으로 이루어지는 활물질을 함유하는 재료 C의 화학 조성은, M변태 및 역변태시의 결정 구조가 상기 결정 구조를 함유하면, 특별히 한정되지 않는다.
특정 합금상이 타입 1인 경우, 특정 합금상의 화학 조성은 예를 들면, Cu(구리)와 Sn(주석)을 함유한다.
특정 합금상이 타입 1인 경우, 바람직하게는, 금속 이온의 방전에 의한 역변태 후의 특정 합금상의 결정 구조는 DO3 구조이며, 금속 이온의 흡장에 의한 M변태 후의 특정 합금상의 결정 구조는 2H 구조이다.
바람직하게는, 재료 C의 특정 합금상은, Sn을 함유하고, 잔부는 Cu 및 불순물이다. 더욱 바람직하게는, 특정 합금상은, 10~20at% 또는 21~27at%의 Sn을 함유하고, 잔부는 Cu 및 불순물로 이루어지고, M변태 후에 2H 구조를 함유하고, 역변태 후에 DO3 구조를 함유한다. 재료 C 중의 더욱 바람직한 Sn 함유량은, 13~16at%, 18.5~20at%, 또는, 21~27at%이다.
특정 합금상의 화학 조성은, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Al, Si, B 및 C로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상과 Sn을 함유하고, 잔부는 Cu 및 불순물이어도 된다.
바람직하게는, 이 경우의 특정 합금상의 화학 조성은, Sn: 10~35at%와, Ti: 9.0at% 이하, V: 49.0at% 이하, Cr: 49.0at% 이하, Mn: 9.0at% 이하, Fe: 49.0at% 이하, Co: 49.0at% 이하, Ni: 9.0at% 이하, Zn: 29.0at% 이하, Al: 49.0at% 이하, Si: 49.0at% 이하, B: 5.0at% 이하, 및, C: 5.0at% 이하로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하고, 잔부는 Cu 및 불순물로 이루어진다. 상기 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Al, Si, B 및 C는 임의 원소이다.
Ti 함유량의 바람직한 상한은, 상기한 바와 같이 9.0at%이다. Ti 함유량의 더욱 바람직한 상한은 6.0at%이며, 더욱 바람직하게는, 5.0at%이다. Ti 함유량의 바람직한 하한은, 0.1at%이며, 더욱 바람직하게는, 0.5at%이며, 더욱 바람직하게는 1.0at%이다.
V 함유량의 바람직한 상한은, 상기한 바와 같이, 49.0at%이다. V 함유량의 더욱 바람직한 상한은 30.0at%이며, 더욱 바람직하게는 15.0at%이며, 더욱 바람직하게는 10.0at%이다. V 함유량의 바람직한 하한은, 0.1at%이며, 더욱 바람직하게는 0.5at%이며, 더욱 바람직하게는, 1.0at%이다.
Cr 함유량의 바람직한 상한은, 상기한 바와 같이 49.0at%이다. Cr 함유량의 더욱 바람직한 상한은 30.0at%이며, 더욱 바람직하게는 15.0at%이며, 더욱 바람직하게는 10.0at%이다. Cr 함유량의 바람직한 하한은 0.1at%이며, 더욱 바람직하게는 0.5at%이며, 더욱 바람직하게는 1.0at%이다.
Mn 함유량의 바람직한 상한은, 상기한 바와 같이 9.0at%이다. Mn 함유량의 더욱 바람직한 상한은 6.0at%이며, 더욱 바람직하게는 5.0at%이다. Mn 함유량의 바람직한 하한은 0.1at%이며, 더욱 바람직하게는 0.5at%이며, 더욱 바람직하게는 1.0at%이다.
Fe 함유량의 바람직한 상한은, 상기한 바와 같이 49.0at%이다. Fe 함유량의 더욱 바람직한 상한은 30.0at%이며, 더욱 바람직하게는 15.0at%이며, 더욱 바람직하게는 10.0at%이다. Fe 함유량의 바람직한 하한은 0.1at%이며, 더욱 바람직하게는 0.5at%이며, 더욱 바람직하게는 1.0at%이다.
Co 함유량의 바람직한 상한은, 상기한 바와 같이 49.0at%이다. Co 함유량의 더욱 바람직한 상한은 30.0at%이며, 더욱 바람직하게는 15.0at%이며, 더욱 바람직하게는 10.0at%이다. Co 함유량의 바람직한 하한은 0.1at%이며, 더욱 바람직하게는 0.5at%이며, 더욱 바람직하게는 1.0at%이다.
Ni 함유량의 바람직한 상한은, 상기한 바와 같이 9.0at%이다. Ni 함유량의 더욱 바람직한 상한은 5.0at%이며, 더욱 바람직하게는 2.0at%이다. Ni 함유량의 바람직한 하한은 0.1at%이며, 더욱 바람직하게는 0.5at%이며, 더욱 바람직하게는 1.0at%이다.
Zn 함유량의 바람직한 상한은, 상기한 바와 같이 29.0at%이다. Zn 함유량의 더욱 바람직한 상한은 27.0at%이며, 더욱 바람직하게는 25.0at%이다. Zn 함유량의 바람직한 하한은 0.1at%이며, 더욱 바람직하게는 0.5at%이며, 더욱 바람직하게는 1.0at%이다.
Al 함유량의 바람직한 상한은, 상기한 바와 같이 49.0at%이다. Al 함유량의 더욱 바람직한 상한은 30.0at%이며, 더욱 바람직하게는 15.0at%이며, 더욱 바람직하게는 10.0at%이다. Al 함유량의 바람직한 하한은 0.1%이며, 더욱 바람직하게는 0.5at%이며, 더욱 바람직하게는 1.0at%이다.
Si 함유량의 바람직한 상한은, 상기한 바와 같이 49.0at%이다. Si 함유량의 더욱 바람직한 상한은 30.0at%이며, 더욱 바람직하게는 15.0at%이며, 더욱 바람직하게는 10.0at%이다. Si 함유량의 바람직한 하한은 0.1at%이며, 더욱 바람직하게는 0.5at%이며, 더욱 바람직하게는 1.0at%이다.
B 함유량의 바람직한 상한은 5.0at%이다. B 함유량의 바람직한 하한은 0.01at%이며, 더욱 바람직하게는 0.1at%이며, 더욱 바람직하게는 0.5at%이며, 더욱 바람직하게는 1.0at%이다.
C 함유량의 바람직한 상한은 5.0at%이다. C 함유량의 바람직한 하한은 0.01at%이며, 더욱 바람직하게는 0.1at%이며, 더욱 바람직하게는 0.5at%이며, 더욱 바람직하게는 1.0at%이다.
바람직하게는, 재료 C는 또한, 사이트 결손을 함유하는 F-Cell 구조의 δ상, 사이트 결손을 함유하는 2H 구조의 ε상, 사이트 결손을 함유하는 단사정의 η'상, 및, 사이트 결손을 함유하는 DO3 구조를 갖는 상으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유한다. 이하, 사이트 결손을 함유하는 이들 δ상, ε상, η'상, 및 DO3 구조를 갖는 상을, 「사이트 결손상」이라고도 한다. 여기서, 「사이트 결손」이란, 결정 구조 중의 특정의 원자 사이트에 있어서, 점유율이 1 미만의 상태인 것을 의미한다.
이들 사이트 결손상은, 결정 구조 중에 복수의 사이트 결손을 포함한다. 이들 사이트 결손은, 금속 이온(Li 이온 등)의 저장 사이트, 또는, 확산 사이트로서 기능한다. 그 때문에, 재료 C가, M변태 후에 2H 구조가 되고, 역변태 후에 DO3 구조가 되는 합금상과, 상기 사이트 결손상 중 적어도 1상을 함유하면, 음극 활물질 재료의 방전 용량 및 사이클 특성이 더욱 향상된다.
재료 C의 화학 조성은 또한, 방전 용량을 증대시키는 것을 목적으로 하여, 임의 원소로서, 제2족 원소 및/또는 희토류 원소(REM)를 함유해도 된다. 제2족 원소는 예를 들면, 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 등이다. REM은 예를 들면, 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd) 등이다.
재료 C는, 상기 특정 합금상으로 이루어지는 것이어도 되고, 상기 특정 합금상과, 금속 이온 활성인 다른 활물질상을 함유해도 된다. 다른 활물질상은 예를 들면, 주석(Sn)상, 실리콘(Si)상, 알루미늄(Al)상, Co-Sn계 합금상, Cu6Sn5 화합물상(η'상 또는 η상) 등이다.
[특정 합금상의 체적 팽창률 및 체적 수축률에 대해서]
상기 특정 합금상이 금속 이온의 흡장 및 방출에 수반하여 M변태 또는 역변태하는 경우, 특정 합금상의 단위포가 바람직한 체적 팽창 수축률은 20% 이하이다. 이 경우, 금속 이온의 흡장 및 방출에 수반하는 체적 변화에 의한 변형을 충분히 완화할 수 있다. 특정 합금상의 단위포의 더욱 바람직한 체적 팽창 수축률은 10% 이하이며, 더욱 바람직하게는 5% 이하이다.
특정 합금상의 체적 팽창 수축률은, 충방전 중의 in situ X선 회절에 의해, 측정할 수 있다. 구체적으로는, 수분이 이슬점 -80℃ 이하로 관리된 순아르곤 가스 분위기 중의 글로브박스 내에서, X선을 투과하는 베릴륨제의 창을 구비한 전용 충방전 셀에, 음극 활물질 재료의 전극판, 세퍼레이터, 대극 리튬 및 전해액을 실장하여 밀봉한다. 그리고, 이 충방전 셀을 X선 회절 장치에 장착한다. 장착 후, 충방전 과정에 있어서의 첫 회의 충전 상태와 첫 회의 방전 상태에 있어서의 특정 합금상의 X선 회절 프로파일을 얻는다. 이 X선 회절 프로파일로부터 특정 합금상의 격자상수를 구한다. 특정 합금상의 결정 격자 대응 관계를 고려한 후에, 이 격자상수로부터 체적 변화율을 산출할 수 있다.
충방전 사이클 과정에서, 반치폭 등에 의해 X선 회절 프로파일의 형상이 변화하는 경우 등은, 필요에 따라서 5~20회 정도의 충방전을 반복하고 나서 해석을 행한다. 그리고, 신뢰성이 높은 복수의 X선 회절 프로파일로부터 그 체적 변화율의 평균치를 구한다.
[음극 활물질 재료가 함유하는 합금상의 결정 구조의 해석 방법]
(1) 음극 활물질 재료 중의 재료 C가 함유하는 상(합금상을 포함한다)의 결정 구조는, X선 회절 장치를 이용하여 얻어진 X선 회절 프로파일에 의거해, 리트벨트법에 의해 해석 가능하다. 구체적으로는, 다음 방법에 의해, 결정 구조를 해석한다.
음극에 사용되기 전의 음극 활물질 재료에 대해서는, 재료 C에 대해 X선 회절 측정을 실시하여, X선 회절 프로파일의 실측 데이터를 얻는다. 얻어진 X선 회절 프로파일(실측 데이터)에 의거해, 리트벨트법에 의해, 재료 C 중의 상의 구성을 해석한다. 리드벨트법에 의한 해석에는, 범용의 해석 소프트인 「RIETAN2000」(프로그램명) 및 「RIETAN-FP」(프로그램명) 중 어느 하나를 사용한다.
(2) 전지 내의 충전 전의 음극 내의 음극 활물질 재료의 결정 구조에 대해서도, (1)과 동일한 방법에 의해 특정한다. 구체적으로는, 충전 전의 상태에서, 전지를 아르곤 분위기 중의 글로브박스 내에서 분해해, 전지로부터 음극을 취출한다. 취출된 음극을 마일러 포일로 싼다. 그 후, 마일러 포일의 주위를 열압착기로 밀봉한다. 마일러 포일로 밀봉된 음극을 글로브박스 밖으로 취출한다.
계속해서, 음극을 무반사 시료판(실리콘 단결정의 특정 결정면이 측정면에 평행이 되도록 잘라낸 판)에 헤어 스프레이로 부착하여 측정 시료를 제작한다. 측정 시료를 X선 회절 장치에 측정 시료를 세팅하여, 측정 시료의 X선 회절 측정을 행하고, X선 회절 프로파일을 얻는다. 얻어진 X선 회절 프로파일에 의거해, 리트벨트법에 의해 음극 내의 음극 활물질 재료의 결정 구조를 특정한다.
(3) 1~복수회의 충전 후 및 1~복수회의 방전 후의 음극 내의 음극 활물질 재료의 결정 구조에 대해서도, (2)와 동일한 방법에 의해 특정한다.
구체적으로는, 전지를 충방전 시험 장치에 있어서 만충전시킨다. 만충전된 전지를 글로브박스 내에서 분해하여, (2)와 동일한 방법으로 측정 시료를 제작한다. X선 회절 장치에 측정 시료를 세팅하여, X선 회절 측정을 행한다.
또, 전지를 완전 방전시켜, 완전 방전된 전지를 글로브박스 내에서 분해하여 (2)와 동일한 방법으로 측정 시료를 제작해, X선 회절 측정을 행한다.
<재료 C의 제조 방법>
상기 특정 합금상을 함유하는 재료 C의 제조 방법에 대해서 설명한다.
특정 합금상을 포함하는 재료 C의 원료의 용탕을 제조한다. 예를 들면, 상술한 화학 조성을 갖는 용탕을 제조한다. 용탕은, 아크 용해 또는 저항 가열 용해 등의 통상의 용해 방법으로 소재를 용해하여 제조된다. 다음에, 용탕을 이용하여 조괴(造塊)법에 의해 잉곳(벌크 합금)을 제조한다.
또는, 바람직하게는, 용탕을 급랭 응고시킴으로써, 박(薄)주편 또는 입자를 제조한다. 이 방법을 급랭 응고 방법이라고 한다. 급랭 응고 방법은 예를 들면, 스트립 캐스팅법, 멜트스핀법, 가스 아토마이즈법, 용탕 방사법, 워터 아토마이즈법, 오일 아토마이즈법 등이다.
용제에 의해서 얻어진 벌크 합금(잉곳)을 (1) 절단하거나, (2) 해머 밀 등으로 굵게 파쇄하거나, (3) 볼 밀이나, 아트라이터(attritor), 디스크 밀, 제트 밀, 핀 밀 등으로 기계적으로 미분쇄하거나 하여, 필요한 입도로 조정한다. 벌크 합금이 연성을 갖고, 통상의 분쇄가 곤란한 경우, 다이아몬드 연삭 입자를 매입한 그라인더 디스크 등에 의해, 벌크 합금을 절삭 분쇄해도 된다. 이들 분쇄 공정에 있어서, 응력 유기에 의한 M상이 생성되는 경우, 합금 설계나, 열처리, 분쇄 조건 등을 적절히 조합하여, 그 생성 비율을 필요에 따라서 조정한다. 아토마이즈법에 의한 분말이 용제인 채 혹은 열처리를 실시한 상태로 사용할 수 있는 경우에는, 특별히 분쇄 공정을 필요로 하지 않는 경우도 있다. 또, 스트립 캐스팅법에 의해 용제재를 얻는 경우에 있어서 그 연성에 의해 파쇄가 곤란한 경우에는, 셔링 등의 기계적인 재단에 의해서 그 용제재를 소정의 사이즈로 조정한다. 또, 이러한 경우, 필요한 단계에 있어서 그 용제재를 열처리 등 하여 M상이나 모상의 비율 등을 조정해도 된다.
열처리에 의해 특정 합금상의 구성 비율 등을 조정하는 경우에는, 재료를 필요에 따라서 불활성 분위기 중에서 소정의 온도 및 시간으로 유지한 후에 급랭해도 된다. 이 때, 재료의 사이즈에 따라 물, 빙염수(氷鹽水), 오일, 액체 질소 등의 담금질 매체를 선택하고, 그 담금질 매체를 소정의 온도로 설정함으로써, 냉각 속도를 조정해도 된다. 또, 물 등의 매체로의 담금질 후, 즉시 액체 질소 서브 제로 처리함으로써, 특정 합금상의 구성 비율을 조제하거나, 마텐자이트 변태 온도를 조정해도 된다.
(II) 재료 A 및 재료 B에 대해서
라만 스펙트럼의 1360cm-1의 피크는 저결정성 탄소질 재료의 피크이며, 1580cm-1의 피크는 흑연계 탄소질 재료의 피크이다. 따라서, 탄소질 재료의 1360cm-1/1580cm-1로 나타나는 피크 강도비(이하, 「피크 강도비」라고 한다)가 클수록, 그 재료는 흑연화도가 낮은(저결정성인) 것을 의미한다. 반대로 이 피크 강도비가 작을수록, 흑연화도가 높은 것을 의미한다.
피크 강도비가 0.5 이하로 작은 재료 A는, 흑연화도가 높은 탄소질 재료(즉, 흑연계 탄소질 재료)이다. 한편, 피크 강도비가 0.5 초과로 큰 재료 B는, 저결정성의 탄소질 재료이다.
재료 C는, 높은 방전 용량을 갖는 재료이다. 본 발명의 음극 활물질 재료는, 이 재료 C에, 적어도 재료 A를 함유하고, 더욱 바람직하게는 재료 B를 함유한다. 이에 의해, 음극 활물질 재료의 용량 유지율이 향상되어, 즉 사이클 특성이 향상된다. 이 혼합에 의해, 더욱 불가역 용량이 작아지는 효과도 있다.
흑연계 탄소질 재료인 재료 A는, 재료 C와 혼합함으로써, 음극 활물질 재료의 용량을 증대시킴과 더불어 용량 유지율을 향상시킨다.
구체적으로는, 흑연계 탄소질 재료인 재료 A가, 재료 C와 혼합하면, 음극 합제로서 음극판에 도포한 후에 프레스할 때에, 흑연성 탄소질 재료인 재료 A가 용이하게 변형되어, 경질의 재료 C의 표면과의 접촉성이 양호해진다. 그 때문에, 음극 활물질 재료의 전자 전도성이 높아진다. 그 때문에, 방전 용량이 증대한다. 또한, 충방전 사이클을 반복하는 과정에 있어서, 접촉면 영역에 전해액 유래의 절연성 피막이 형성되기 어렵다. 그 때문에, 용량 유지율이 향상된다. 이상과 같이, 재료 A는, 혼합 분말인 음극 활물질 재료의 방전 용량을 증대시키고, 또한, 용량 유지율을 향상시킨다. 이들 효과를 충분히 얻기 위해서, 재료 A의 피크 강도비는 0.5 이하이다. 재료 A의 피크 강도비는 바람직하게는 0.4 이하이다.
재료 A는 흑연계 탄소질 재료의 분말이며, 필요한 라만 스펙트럼의 피크 강도비를 나타내는 탄소질 재료의 분말이면, 특별히 제조 방법은 제한되지 않는다. 재료 A의 제조 방법으로는, 예를 들면, 구상화(球狀化) 천연 흑연에 피치 분말을 혼합해, 질소 기류 중에서 소성한다. 라만값의 측정에 있어서는, 사전에 흑연 입자 표면의 피치 코트층을 아르곤 스퍼터에 의해서 제거해, 벌크의 성질을 검출한다. 천연 흑연의 선택에 의해, 흑연화도나 평균 입경이 상이한 탄소질 재료를 조제할 수 있다.
재료 A의 분말의 비표면적은 1.5m2/g 이하인 것이 바람직하다. 비표면적이 1.5m2/g 이하이면, 1사이클째에 음극 표면에 부착되는 표면 피막의 양이 제한되어, 이 표면 피막의 형성에 의한 불가역 용량이 증대하는 것을 억제할 수 있다. 비표면적을 1.5m2/g 이하로 조정하려면, 분쇄를 흑연화 전에 행하면 된다. 분쇄 후에 흑연화를 행하면, 분쇄로 생성된 균열이나 표면 결함이 흑연화의 열처리시에 폐색되기 때문에, 비표면적이 작은 분말이 된다.
재료 B는 저결정성 탄소질 재료의 분말이다. 재료 B는, 재료 A 및 재료 C와 혼합함으로써, 활물질 재료(활물질 합제) 중의 전자 전도성을 높여, 용량 유지율을 향상시킨다. 구체적으로는, 충방전 사이클을 반복하는 과정에 있어서, 재료 C의 활물질 입자끼리의 접촉면 영역에 도전성이 양호한 재료 B의 미세한 입자가 존재한다. 이 때문에, 전자 전도성을 유지해, 용량 유지율을 향상시킨다. 이들 효과를 충분히 얻기 위해서, 재료 B의 피크 강도비는 0.5 초과로 한다. 재료 B의 피크 강도비는, 바람직하게는 0.6 이상이다.
재료 B로서 사용하는데 적합한 탄소질 재료의 분말은, 카본 블랙이며, 그 중에서도 아세틸렌 블랙이나 케첸 블랙과 같은 도전성이 높은 카본 블랙이 바람직하다.
재료 A 및 재료 B는 다공질이다. 그 때문에, 이들 입자 내부의 공극에 전해액이 침투한다. 이에 의해, 재료 A 및 재료 B는, 금속 이온의 전도를 담당하는 기능도 갖는다. 그 때문에, 재료 A 및 재료 B는, 합금 활물질인 재료 C의 음극으로서의 전기 용량 포텐셜을 충분히 인출하여 이용할 수 있어, 방전 용량을 증대시킨다.
또한, 재료 C의 활물질 입자의 표면은 재료 A나 재료 B와 계면을 형성한다. 이 경우, 전해액과 직접 접하는 계면의 비율이 저감되어, 전해질 유래의 분해성 피막이 형성되기 어렵다. 그 때문에, 불가역 용량이 작아진다.
재료 A, 재료 B 모두, 입도는 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 특히 재료 A는 비표면적이 작은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 재료 A의 바람직한 평균 입도 D50은 5μm 이상이며, 더욱 바람직하게는 10μm 이상이다. 한편, 재료 B는, 특히 이것이 카본 블랙인 경우에는 일반적으로 매우 미세한 분말이지만, 그로 인해 지장은 없다. 후술하는 바와 같이 재료 C의 주변에 재료 A 및 재료 B를 존재시키려면, 재료 A 및 재료 B가 미분말인 편이 재료 C의 주변에 보다 균일하게 존재시킬 수 있어 바람직하다.
(III) 재료 A, B, C의 혼합 비율
본 발명에 따른 음극 활물질 재료(혼합 재료)는, 재료 C와, 재료 A 및 재료 B로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유한다. 각 재료의 바람직한 혼합 비율은 다음과 같다.
음극 활물질이 재료 B를 함유하는 경우, 재료 B/(재료 A+재료 B+재료 C)의 질량비는, 바람직하게는, 0.01~0.2이다. F1=재료 B/(재료 A+재료 B+재료 C)로 정의한다. F1 중의 「재료 A」, 「재료 B」 및 「재료 C」에는, 대응하는 재료의 질량이 대입된다.
F1이 0.01 이상이면, 재료 C의 팽창을 보다 충분히 흡수할 수 있어, 보다 양호한 사이클 특성이 얻어진다. 또, F1이 0.2 이하이면, 불가역 용량의 증대를 억제할 수 있다. F1의 더욱 바람직한 하한은 0.05이다. F1의 더욱 바람직한 상한은 0.08이다.
음극 활물질 재료가 재료 A 및 재료 C를 함유하는 경우, 재료 A/재료 C의 질량비는, 바람직하게는, 0.01~7이다. F2=재료 A/재료 C로 정의한다. F2 중의 「재료 A」 및 「재료 C」에는, 대응하는 재료의 질량이 대입된다.
F2가 0.01 이상이면, 불가역 용량의 증대를 억제할 수 있다. 또한, 재료 C의 비율이 보다 적절하기 때문에, 사이클 특성의 저하도 억제할 수 있다. F2가 7 이하이면, 보다 큰 음극 용량을 확보할 수 있다. F2의 더욱 바람직한 하한은 0.15이다. F2의 더욱 바람직한 상한은 0.25이다.
<음극 활물질 재료의 제조 방법>
상술한 재료 A(및 바람직하게는 또한 재료 B)와, 상술한 제조 방법에 의해 얻어진 재료 C의 분말을 혼합함으로써, 음극 활물질 재료를 제조한다. 혼합 방법은 특별히 한정되지 않는다.
<음극의 제조 방법>
본 발명의 실시형태에 따른 음극 활물질 재료를 이용한 음극은, 당업자에 의해 주지의 방법으로 제조할 수 있다.
예를 들면, 본 발명의 실시형태에 의한 음극 활물질 재료의 분말에 대해, 폴리불화비닐리덴(PVDF), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 스티렌부타디엔러버(SBR) 등의 바인더를 혼합하고, 또한 음극에 충분한 도전성을 부여하기 위해서 천연 흑연, 인조 흑연, 아세틸렌 블랙 등의 탄소 재료 분말을 혼합한다. 이것에 N-메틸피롤리돈(NMP), 디메틸포름아미드(DMF), 물 등의 용매를 추가해 바인더를 용해한 후, 필요하면 호모지나이저, 유리 비즈를 이용하여 충분히 교반하고, 슬러리상으로 한다. 이 슬러리를 압연 구리박, 전석 구리박 등의 활물질 지지체에 도포하여 건조한다. 그 후, 그 건조물에 프레스를 실시한다. 이상의 공정에 의해, 음극판을 제조한다.
혼합하는 바인더는, 음극의 기계적 강도나 전지 특성의 관점으로부터 5~10질량% 정도인 것이 바람직하다. 지지체는, 구리박으로 한정되지 않는다. 지지체는 예를 들면, 스테인리스, 니켈 등의 다른 금속의 얇은 박이나, 네트형상의 시트 펀칭 플레이트, 금속 소선 와이어로 엮은 메시 등이어도 된다.
음극 활물질 재료의 분말의 입경은, 전극 두께나 전극 밀도, 즉 전극 용량에 영향을 미친다. 전극의 두께는 얇으면 얇을수록 좋다. 전극의 두께가 얇으면, 전지 중에 포함되는 음극 활물질 재료의 총 면적을 크게 할 수 있기 때문이다. 그 때문에, 음극 활물질 재료의 분말의 평균 입경은 100μm 이하인 것이 바람직하다. 음극 활물질 재료의 분말의 평균 입경이 작을수록, 그 분말의 반응 면적이 증대해, 레이트 특성이 우수하다. 그러나, 음극 활물질 재료의 분말의 평균 입경이 너무 작으면, 산화 등으로 분말 표면의 성상이 변화해 리튬 이온이 그 분말에 진입하기 어려워진다. 이 경우, 경시적으로는 레이트 특성이나 충방전 효율이 저하되는 경우가 있다. 따라서, 음극 활물질 재료의 분말의 바람직한 평균 입경은 0.1~100μm이며, 더욱 바람직하게는, 1~50μm이다.
<전지의 제조 방법>
본 실시형태에 의한 비수 전해질 이차 전지는, 상술한 음극과, 양극과, 세퍼레이터와, 전해액 또는 전해질을 구비한다. 전지의 형상은, 원통형, 각형이어도 되고, 코인형, 시트형 등이어도 된다. 본 실시형태의 전지는, 폴리머 전지 등의 고체 전해질을 이용한 전지여도 된다.
본 실시형태의 전지의 양극은, 바람직하게는, 금속 이온을 함유하는 천이 금속 화합물을 활물질로서 함유한다. 더욱 바람직하게는, 양극은, 리튬(Li) 함유 천이 금속 화합물을 활물질로서 함유한다. Li 함유 천이 금속 화합물은 예를 들면, LiM1-xM'xO2, 또는, LiM2yM'O4이다. 여기서, 식 중, 0≤x, y≤1, M 및 M'는 각각, 바륨(Ba), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 바나듐(V), 철(Fe), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 인듐(In), 주석(Sn), 스칸듐(Sc) 및 이트륨(Y) 중 적어도 1종이다.
단, 본 실시형태의 전지는, 천이 금속 칼코겐화물; 바나듐 산화물 및 그 리튬(Li) 화합물; 니오브 산화물 및 그 리튬 화합물; 유기 도전성 물질을 이용한 공역계 폴리머; 셰브렐상 화합물; 활성탄, 활성 탄소 섬유 등과 같은 다른 양극 재료를 이용해도 된다.
본 실시형태의 전지의 전해액은, 일반적으로, 지지 전해질로서의 리튬염을 유기용매에 용해시킨 비수계 전해액이다. 리튬염은 예를 들면, LiClO4, LiBF4, LiPF6, LiAsF6, LiB(C6H5), LiCF3SO3, LiCH3SO3, Li(CF3SO2)2N, LiC4F9SO3, Li(CF2SO2)2, LiCl, LiBr, LiI 등이다. 이들은, 단독으로 이용되어도 되고 조합하여 이용되어도 된다. 유기용매는, 프로필렌카보네이트, 에틸렌카보네이트, 에틸메틸카보네이트, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트 등의 탄산 에스테르류가 바람직하다. 단, 카르본산 에스테르, 에테르를 비롯한 다른 각종의 유기용매도 사용 가능하다. 이들 유기용매는, 단독으로 이용되어도 되고, 조합하여 이용되어도 된다.
세퍼레이터는, 양극 및 음극 사이에 설치된다. 세퍼레이터는 절연체로서의 역할을 발휘한다. 세퍼레이터는 또한, 전해질의 유지에도 크게 기여한다. 본 실시형태의 전지는 주지의 세퍼레이터를 구비하면 된다. 세퍼레이터는 예를 들면, 폴리올레핀계 재질인 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 또는 그 양자의 혼합포, 혹은, 유리 필터 등의 다공체이다. 상술한 음극과, 양극과, 세퍼레이터와, 전해질이 용해되어 있는 전해액을 용기에 수납하여, 전지를 제조한다.
이하, 실시예를 이용하여 상술한 본 실시형태의 음극 활물질 재료, 음극 및 전지를 보다 상세하게 설명한다. 또한, 본 실시형태의 음극 활물질 재료, 음극 및 전지는, 이하에 나타내는 실시예로 한정되지 않는다.
[실시예]
다음의 방법에 의해, 표 1에 나타내는 본 발명예 1~본 발명예 10 및 비교예 1~비교예 5의 분말상의 음극 활물질 재료, 음극, 코인 전지를 제조했다. 그리고, 음극 활물질 재료의 충방전에 의한 결정 구조의 변화를 확인했다. 또한, 전지의 방전 용량(질량당 방전 용량), 및, 사이클 특성을 조사했다.
Figure pct00001
[본 발명예 1]
[재료 C의 제조]
음극 활물질 재료의 최종적인 화학 조성이, 표 1 중의 「재료 C의 합금상 화학 조성」란에 기재된 화학 조성이 되도록, 복수의 소재(원소 단체 시약)의 혼합물을 아르곤 가스 분위기 중의 질화 붕소제의 노즐 중에서 고주파 용해시켜, 용탕을 제조했다.
회전하는 구리롤 상에 그 용탕을 분사하여, 급랭 응고 포일띠를 제조했다. 포일띠의 두께는 20~40μm였다. 이 포일띠를 그라인더(자동 유발)로 분쇄하여 45μm 이하의 합금 분말로 했다. 이 합금 분말을 재료 C로 했다. 이 재료 C의 화학 조성은, 표 1 중의 「재료 C의 합금상 화학 조성」란에 기재된 바와 같았다. 예를 들어, 표 1 중의 본 발명예 1의 「Cu-23at%Sn-5at%Si」는, 본 발명예 1의 재료 C의 화학 조성이, 23at%의 Sn과 5at%의 Si를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불순물인 것을 의미한다.
[재료 A의 제조]
재료 A는, 구상화 천연 흑연에 피치 분말을 2질량% 혼합하고, 질소 기류 중에서 1000℃에서 소성하여 제조했다. 얻어진 재료 A의 평균 입경(D50)은 20μm였다. 이 재료 A의 피크 강도비는, 표 1에 기재된 바와 같았다. 라만값의 측정에 있어서는, 사전에 흑연 입자 표면의 피치 코트층을 아르곤 스퍼터에 의해서 제거하고, 벌크의 성질을 검출했다.
[재료 B]
재료 B로서, 시판의 아세틸렌 블랙을 이용했다. 이 재료 B의 평균 입경(D50)은 35nm였다. 표 1 중의 「혼합비」란의 「B/(A+B+C)」란은 F1값이 기재되어 있고, 「A/C」란에는 F2값이 기재되어 있다.
[음극의 제조]
상술한 재료 A, 재료 B 및 재료 C를, 표 1에 기재된 비율로 혼합한 혼합물(음극 활물질 재료)과, 바인더로서의 스티렌부타디엔고무(SBR)(2배 희석액)와, 증점제로서의 카르복시메틸셀룰로오스(CMC)를, 질량비 85:10:5(배합량은 1g:0.134g:0.067g)로 혼합했다. 그리고, 혼련기를 이용하여, 슬러리 농도가 27.2%가 되도록 혼합물에 증류수를 추가해 음극 합제 슬러리를 제조했다. 스티렌부타디엔고무는 물로 2배로 희석된 것을 사용하고 있으므로, 칭량상, 0.134g의 스티렌부타디엔고무가 배합되었다.
제조된 음극 합제 슬러리를, 어플리케이터(150μm)를 이용하여 금속박 상에 도포했다. 슬러리가 도포된 금속박을, 100℃에서 20분간 건조시켰다. 건조 후의 금속박은, 표면에 음극 활물질 재료로 이루어지는 도막을 가졌다. 도막을 갖는 금속박에 대해 펀칭 가공을 실시하여, 직경 13mm인 원판형상의 금속박을 제조했다. 펀칭 가공 후의 금속박을, 프레스압 500kgf/cm2로 가압하여, 판형상의 음극을 제조했다. 결정 구조의 특정 이외의 음극 활물질 재료의 평가·측정에 이용하는 음극에서는, 금속박은 구리박으로 했다. 또한, 결정 구조의 특정에 이용하는 음극에서는, 금속박은 니켈박으로 했다.
[전지의 제조]
제조된 음극과, 전해액으로서 EC-DMC-EMC-VC-FEC와, 세퍼레이터로서 폴리올레핀제 세퍼레이터(φ17mm)와, 양극재로서 판형상의 금속 Li(φ19×1mmt)을 준비했다. 준비된 음극, 전해액, 세퍼레이터, 양극을 이용하여, 2016형의 코인 전지를 제조했다. 코인 전지의 조립을 아르곤 분위기 중의 글로브박스 내에서 행했다.
[결정 구조의 특정]
음극에 사용하기 전의 재료 C와, 첫 회 충전 전의 음극 중의 재료 C와, 1~5회 충방전한 후의 음극 중의 재료 C의 결정 구조를, 다음의 방법에 의해 특정했다. 대상이 되는 음극 활물질 재료에 대해 X선 회절 측정을 실시하여, 실측 데이터를 얻었다. 그리고, 얻어진 실측 데이터에 의거해, 리트벨트법에 의해, 대상이 되는 음극 활물질 재료에 포함되는 결정 구조를 특정했다. 더욱 구체적으로는, 다음의 방법에 의해 결정 구조를 특정했다.
(1) 음극에 사용되기 전의 재료 C의 결정 구조 해석
음극에 사용되기 전의 재료 C에 대해 X선 회절 측정을 실시하여, X선 회절 프로파일의 실측 데이터를 얻었다.
구체적으로는, Rigaku제 제품명 SmartLab(로터 타겟 최대 출력 9KW; 45kV-200mA)을 이용하여, 재료 C의 분말의 X선 회절 프로파일을 취득했다.
얻어진 X선 회절 프로파일(실측 데이터)에 의거해, 리트벨트법에 의해, 재료 C 중의 합금상의 결정 구조를 해석했다.
DO3 규칙 구조는, 도 1에 나타나는 규칙 구조이다. Cu-Sn계의 합금에서는, 도 1 중, 검은색 동그라미의 원자 사이트에 주로 Cu가 존재하고, 하얀색 동그라미의 원자 사이트에 주로 Sn이 존재한다. 제3 원소의 첨가에 의해서, 각각의 사이트가 치환되는 경우도 있다. 이와 같은 결정 구조는, 공간군의 분류상, International Table(Volume-A)의 No.225(Fm-3m)가 된다고 알려져 있다. 이 공간군 번호의 결정 구조의 격자상수나 원자 좌표는, 표 2에 나타나는 바와 같이 된다.
Figure pct00002
여기서, 이 공간군 번호의 구조 모델을 리트벨트 해석의 초기 구조 모델로 하여, 리트벨트 해석에 의해 이 화학 조성의 β1상(DO3 구조)의 회절 프로파일의 계산치(이하, 계산 프로파일이라고 함)를 구했다. 리트벨트 해석에는 RIETAN-FP(프로그램명)를 이용했다.
또한, γ1'상의 결정 구조의 계산 프로파일도 구했다. γ1'의 결정 구조는, Ramsdell 기호의 표기에서는 2H 구조이며, 공간군은 International Table(Volume-A)의 No.59-2(Pmmn)이다. No.59-2(Pmmn)의 격자상수 및 원자 좌표를 표 3에 나타낸다.
Figure pct00003
상기 표 3의 공간군 번호의 결정 구조를 리트벨트 해석의 초기 구조 모델로 하여, RIETAN-FP를 이용하여, 계산 프로파일을 구했다. 도 3 중의 (d)는 DO3 구조의 계산 프로파일이며, (c)는 2H 구조의 계산 프로파일이다.
해석의 결과, 본 발명예 1의 재료 C에는, M상의 1종인 γ1'상(2H 구조)의 모상인 β1상(DO3 구조)이 단독으로 존재했다.
(2) 음극 중의 음극 활물질 재료의 결정 구조 해석
충전 전의 음극 내의 음극 활물질 재료 중의 재료 C의 결정 구조에 대해서도, (1)과 동일한 방법에 의해 특정했다. 실측의 X선 회절 프로파일은, 다음과 같은 방법으로 측정했다.
충전 전의 상태에서, 상술한 코인 전지를 아르곤 분위기 중의 글로브박스 내에서 분해하고, 코인 전지로부터 판형상의 음극(니켈박을 포함한다)을 취출했다. 취출된 음극을 마일러 포일(Du Pont사제)로 쌌다. 그 후, 마일러 포일의 주위를 열 압착기로 밀봉했다. 마일러 포일로 밀봉된 음극을 글로브박스 밖으로 취출했다.
계속해서, 음극을 Rigaku제 무반사 시료판(실리콘 단결정의 특정 결정면이 측정면에 평행이 되도록 잘라낸 판)에 헤어 스프레이로 부착하여 측정 시료를 제작했다.
후술하는 (4)에 기재된 X선 회절 장치에 측정 시료를 세팅하여, 후술하는 (4)에 기재된 측정 조건으로, 측정 시료의 X선 회절 측정을 행했다.
(3) 충전 후 및 방전 후의 음극 중의 음극 활물질 재료의 결정 구조의 해석
1~5회의 충전 후 및 1~5회의 방전 후의 음극 내의 음극 활물질 재료 중의 재료 C의 결정 구조에 대해서도, (1)과 동일한 방법에 의해 특정했다. 실측의 X선 회절 프로파일은, 다음의 방법으로 측정했다.
상술한 코인 전지를 충방전 시험 장치에 있어서 만충전시켰다. 만충전된 코인 전지를 글로브박스 내에서 분해하여, (2)와 동일한 방법으로 측정 시료를 제작했다. 후술하는 (4)에 기재된 X선 회절 장치에 측정 시료를 세팅하여, 후술하는 (4)의 측정 조건으로 측정 시료의 X선 회절 측정을 행했다.
또, 상술한 코인 전지를 완전 방전시켰다. 완전 방전된 코인 전지를 글로브박스 내에서 분해하여 (3)과 동일한 방법으로 측정 시료를 제작했다. 후술하는 (4)에 기재된 X선 회절 장치에 이 측정 시료를 세팅하여, 후술하는 (4)의 측정 조건으로 측정 시료의 X선 회절 측정을 행했다.
코인 전지로 충방전을 반복한 후의 음극에 대해서도, 동일한 방법에 의해 X선 회절 측정을 행했다.
(4) X선 회절 장치와 측정 조건
·장치: Rigaku제 SmartLab
·X선 관구: Cu-Kα선
·X선 출력: 45kV, 200mA
·입사측 모노크로미터: 요한슨 소자(Cu-Kα2선 및 Cu-Kβ선을 컷팅)
·광학계: Bragg-Brentano Geometry
·입사 평행 슬릿: 5.0degree
·입사 슬릿: 1/2degree
·길이 제한 슬릿: 10.0mm
·수광 슬릿 1: 8.0mm
·수광 슬릿 2: 13.0mm
·수광 평행 슬릿: 5.0degree
·고니오미터: SmartLab 고니오미터
·X선원-미러 사이 거리: 90.0mm
·X선원-선택 슬릿 사이 거리: 114.0mm
·X선원-시료 사이 거리: 300.0mm
·시료-수광 슬릿 1 사이 거리: 187.0mm
·시료-수광 슬릿 2 사이 거리: 300.0mm
·수광 슬릿 1-수광 슬릿 2 사이 거리: 113.0mm
·시료-검출기 사이 거리: 331.0mm
·검출기: D/Tex Ultra
·스캔 범위: 10-120degrees, 또는, 10-90degrees
·스캔 스텝: 0.02degrees
·스캔 모드: 연속 스캔
·스캔 속도: 2degrees/min. 또는, 2.5degrees/min.
(5) X선 회절 측정 데이터의 해석 결과
(2) 및 (3)에서 얻어진 X선 회절 데이터를 도 3에 나타낸다. 도 3 중의 (e)는, (2)에서 구한 음극판의 X선 회절 프로파일이다. (f)는 1회째의 충전 후의 음극 활물질 재료의 X선 회절 프로파일이며, (g)는 1회째의 방전 후의 X선 회절 프로파일이다. 도 3 중의 (a)는, 마일러 포일 단독에 대해서 동일한 X선 회절을 행한, X선 회절 실측 프로파일이다. 도 3 중의 (b)는, 집전체에 이용한 Ni박의 회절선을 식별하기 위해서 계산한 Ni의 X선 회절 프로파일이다. 도 3 중의 (c)는, 본 실시예의 화학 조성에 있어서의 2H 구조의 계산 프로파일이며, 도 3 중의 (d)는, 본 실시예의 화학 조성에 있어서의 DO3 구조의 계산 프로파일이다.
(5-1)
(2) 및 (3)에서 얻어진 X선 회절 데이터로부터, 음극 활물질 재료와 전해액 사이에서 큰 화학 반응이 진행되고 있지 않음을 확인할 수 있었다.
(5-2)
충전 후의 음극 활물질 재료(도 3(f)), 및, 방전 후의 음극 활물질 재료(도 3(g))의 X선 회절 프로파일로부터, 회절각 2θ가 43.5° 근방(M상(γ1'상)에 기인하는 위치)의 위치(이하, M상의 최강 회절선이라 한다)에 있어서, 회절선이 반복해서 가역적으로 변화했다. 즉, 구조 변화가 시사되었다.
(5-3)
그래서, 「충전 후의 음극 활물질 재료」 및 「방전 후의 음극 활물질 재료」의 결정 구조를 리트벨트법을 이용하여 특정했다.
예를 들면, 음극 활물질 재료에 있어서, 도 1 및 도 2a에 나타내는 모상의 DO3 구조에서는, 도 2d에 나타내는 결정면(A)과, 도 2c에 나타내는 결정면(B)이 교대로 적층된다. DO3 구조와, M상의 1종인 γ1'상 사이에서 상 변태가 일어나는 경우, 도 2a 및 도 2b에 나타내는 바와 같이, 결정면(B)이 전단 응력에 의해 규칙적으로 셔플링을 일으켜 결정면(B')의 위치로 어긋난다. 이 경우, 호스트 격자의 확산을 수반하지 않고 상 변태(M변태)가 일어난다. M변태 후의 2H 구조에서는, 도 2d에 나타내는 결정면(A)과, 도 2e에 나타내는 결정면(B')이 교대로 적층된다.
여기서, 충전 후 및 방전 후의 음극 활물질 재료의 X선 회절 프로파일의 실측 데이터와, β1상(DO3 구조)의 계산 프로파일(도 3 (d): 대표적인 회절선의 2θ 각도 위치에 ●(검은색 동그라미)표시를 표기)과, γ1'상(2H 구조)의 계산 프로파일(도 3 (c): 대표적인 회절선의 2θ 각도 위치에 ■(검은색 사각)표시를 표기)을 대비하여, 본 실시예의 음극 중의 음극 활물질 재료의 결정 구조가 M변태를 수반하는 것인지, 그렇지 않은 것(즉, 충방전시에 호스트 격자의 확산을 수반하는 것)인지를 판단했다.
도 3 (f)를 참조하여, X선 회절 프로파일에서는, 첫 회의 충전에 의해, 43.5° 근방의 M상의 최강 회절선의 강도가 증가하고, 이어지는 방전에 의해, 그 강도가 저하되었다. 이 회절선은 RIETAN-FP의 계산 프로파일로부터, 다음에 설명하는 바와 같이, M변태에 의해 M상(γ1')이 형성되었던 것에 유래한다고 판단할 수 있었다.
구체적으로는, (f)에 나타내는 바와 같이, 2H 구조에서는, 1회째의 충전 후의 X선 회절 프로파일에는, 43.5°의 M상의 최강 회절선을 비롯한 도 3 (c)의 2H 구조에 대응하는 2θ 각도 위치(■(검은색 사각)표시) 중 몇 가지 피크 강도가 증가했다. 한편, DO3 구조에 대응하는 ●(검은색 동그라미)표시의 피크 강도 중 몇 가지는 감소했다. 특히, 43.5° 근방의 강도 피크는, 2H 이외의 다른 결정 구조의 X선 프로파일(시뮬레이트 결과)에 나타나는 것은 아니었다. 활물질 이외에 측정시에 나타나는 구성 부재의 X선 회절선에 대해서는, 도 3 중의 (a) 및 (b)에, 각각, 마일러 포일의 실측 회절 프로파일과, 집전체의 니켈의 계산 프로파일을 나타내고, 주요한 회절선의 2θ 각도 위치에는, 각각 ◇(흰색 마름모꼴)표시와 △(흰색 삼각)표시를 나타냈다. 도 3 (f) 및(g)의 실측 프로파일에는, 이들 부재에 유래하는 회절선이 나타나므로, 대응하는 위치에 ◇(흰색 마름모꼴)표시와 △(흰색 삼각)표시를 나타냈다. 또한, 본 발명예의 음극 활물질 재료는, 흑연과의 복합재이므로, 흑연에 유래하는 회절선이 나타나 있고, 도 3 중의 (e), (f), (g)에는, 그 취지를 기재하고 있다.
이상으로부터, 본 실시예의 음극은, 충전에 의해 M변태하여 M상(2H 구조)이 되어, 방전에 의해 모상(DO3 구조)이 되는 합금상을 함유했다. 즉, 본 실시예의 음극은, 금속 이온인 리튬 이온을 흡장할 때에 M변태하고, 리튬 이온을 방출할 때에 역변태하는 합금상을 함유했다. 본 실시예의 음극에서는, 충전시에 M변태, 방전시에 역변태가 반복되고 있었다.
충방전 사이클과 함께 회절선의 반치폭이 감소했다. 이것으로부터, 리튬 이온의 흡장 및 방출에 의해서, 음극 활물질 재료의 변형이 완화되었다고 생각된다.
[코인 전지의 충방전 성능 평가]
다음에, 본 발명예 1의 전지의 방전 용량, 사이클 특성 및 불가역 용량을 평가했다.
대극에 대해 전위차 0.005V가 될 때까지 0.1mA의 전류값(0.075mA/cm2의 전류값) 또는, 1.0mA의 전류값(0.75mA/cm2의 전류값)으로 코인 전지에 대해 정전류 도프(전극으로의 리튬 이온의 삽입, 리튬 이온 이차 전지의 충전에 상당)를 행했다. 그 후, 0.005V를 유지한 채로, 7.5μA/cm2가 될 때까지 정전압으로 대극에 대해 도프를 계속해, 도프 용량을 측정했다.
다음에, 0.1mA의 전류값(0.075mA/cm2의 전류값) 또는, 1.0mA의 전류값(0.75mA/cm2의 전류값)으로, 전위차 1.2V가 될 때까지 탈도프(전극으로부터의 리튬 이온의 이탈, 리튬 이온 이차 전지의 방전에 상당)를 행하여, 탈도프 용량을 측정했다.
도프 용량, 탈도프 용량은, 이 전극을 리튬 이온 이차 전지의 음극으로서 이용했을 때의 충전 용량, 방전 용량에 상당한다. 따라서, 측정된 도프 용량을 충전 용량으로 정의하고, 측정된 탈도프 용량을 방전 용량으로 정의했다.
「(1사이클째의 충전 용량-1사이클째의 방전 용량)/1사이클째의 방전 용량」을, 첫 회 쿨롬 효율(%)로서 산출했다.
상술과 동일 조건으로, 충방전을 20회 반복했다. 그리고, 「20사이클째의 탈도프시의 방전 용량」을 「1사이클째의 탈도프시의 방전 용량」으로 나누고 100을 곱한 것을, 용량 유지율(%)로 했다.
본 발명예 1의 코인 전지에 있어서, 첫 회 방전 용량, 20사이클째의 방전 용량, 용량 유지율, 및 첫 회 쿨롬 효율은, 표 1에 기재된 바와 같았다.
[본 발명예 2~6, 9 및 10, 비교예 1~2 및 5에 대해서]
본 발명예 2~6, 9 및 10과, 비교예 1 및 5에서는, 재료 A, 재료 B 및 재료 C의 혼합비를 표 1에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는, 본 발명예 1과 동일하게 하여, 음극 활물질 재료, 음극 및 코인 전지를 제조했다.
비교예 2에서는, 본 발명예 1에서 이용한 재료 C만을 음극 활물질로서 이용한 것 이외에는, 본 발명예 1과 동일하게 하여, 음극 활물질 재료, 음극 및 코인 전지를 제조했다.
본 발명예 1과 동일하게 하여, 결정 구조의 특정, 및, 코인 전지의 각종 충방전 성능 평가를 행했다. 결정 구조의 특정의 결과는, 본 발명예 1과 동일했다. 즉, 본 발명예 2~6, 9 및 10, 비교예 1~2 및 5의 재료 C의 합금상이, 리튬 이온을 흡장할 때에 M변태하고, 리튬 이온을 방출할 때에 역변태하는 결정 구조를 갖는 것이 확인되었다. 코인 전지의 각종 충방전 성능 평가의 결과는, 표 1에 나타내는 바와 같았다.
[본 발명예 7, 비교예 3에 대해서]
본 발명예 7에서는, 재료 C의 최종적인 화학 조성이, 표 1에 기재된 조성이 되도록 한 것 이외에는, 본 발명예 1과 동일하게 하여, 음극 활물질 재료, 음극 및 코인 전지를 제조했다.
비교예 3에서는, 본 발명예 7에서 이용한 재료 C만을 음극 활물질로서 이용한 것 이외에는, 본 발명예 1과 동일하게 하여, 음극 활물질 재료, 음극 및 코인 전지를 제조했다.
본 발명예 1과 동일하게 하여, 결정 구조의 특정, 및, 코인 전지의 각종 충방전 성능 평가를 행했다. 결정 구조의 특정의 결과는, 본 발명예 1과 동일했다. 즉, 본 발명예 7 및 비교예 3의 재료 C의 합금상이, 리튬 이온을 흡장할 때에 M변태하고, 리튬 이온을 방출할 경우에 역변태하는 결정 구조를 갖는 것이 확인되었다. 코인 전지의 각종 충방전 성능 평가의 결과는, 표 1에 나타낸 바와 같았다.
[본 발명예 8, 비교예 4에 대해서]
본 발명예 8에서는, 재료 C의 최종적인 화학 조성이, 표 1에 기재된 조성이 되도록 한 것 이외에는, 본 발명예 1과 동일하게 하여, 음극 활물질 재료, 음극 및 코인 전지를 제조했다.
비교예 4에서는, 본 발명예 8에서 이용한 재료 C만을 음극 활물질로서 이용한 것 이외에는, 본 발명예 1과 동일하게 하여, 음극 활물질 재료, 음극 및 코인 전지를 제조했다.
본 발명예 1과 동일하게 하여, 결정 구조의 특정, 및, 코인 전지의 각종 충방전 성능 평가를 행했다. 결정 구조의 특정에 의하면, 충방전에 수반해, 합금상은 다음과 같이 변화했다. 첫 회 충전 전에는 M상(2H 구조), 첫 회 충전 후에는 M상(2H 구조), 첫 회 방전 후에는 모상(DO3 구조)이 되고, 이후에는, 충전에 의해 M변태하여 M상(2H 구조)이 되고, 방전에 의해 모상(DO3 구조)이 되었다. 즉, 본 발명예 8 및 비교예 4의 음극은, 금속 이온인 리튬 이온을 흡장할 때에 M변태하고, 리튬 이온을 방출할 때에 역변태하는 합금상을 갖는 것이 확인되었다. 코인 전지의 각종 충방전 성능 평가의 결과는, 표 1에 나타낸 바와 같았다.
표 1을 참조하여, 본 발명예 1~10에서는, 적어도 재료 A와 재료 C를 함유하고, 또한, 혼합비도 적절했다. 그 때문에, 첫 회 방전 용량 및 20사이클시의 방전 용량이 95mAh/g 이상이며, 용량 유지율이 80% 이상이었다. 또한, 첫 회 쿨롬 효율은 50% 이상이었다.
또한, 본 발명예 1~3에서는, F2(=A/C)가 0.01~7이며, 또한, F1(=B/(A+B+C))이 0.01~0.2였다. 한편, 본 발명예 9 및 10에서는, F1이 0.01~0.2의 범위 밖이었다. 그 때문에, 방전 용량(첫 회 및 20사이클 후) 및 첫 회 쿨롬 효율은, 본 발명예 1~3이 본 발명예 9 및 10보다도 높았다.
한편, 비교예 1에서는 재료 A/재료 C의 질량비가 7을 초과했다. 그 때문에, 첫 회 및 20사이클시 방전 용량이 95mAh/g 미만이었다.
비교예 2~4의 음극 활물질 재료는, 재료 C를 함유하지만, 재료 A 및 재료 B를 함유하지 않았다. 그 때문에, 첫 회 및 20사이클시 방전 용량, 용량 유지율, 및, 첫 회 쿨롬 효율이 모두 낮았다.
비교예 5의 음극 활물질 재료에서는 F1(재료 A의 질량/재료 C의 질량)이 0.01% 미만이었다. 그 때문에, 첫 회 및 20사이클시 방전 용량 및 용량 유지율이 낮았다.
이상, 본 발명의 실시형태를 설명했다. 그러나, 상술한 실시형태는 본 발명을 실시하기 위한 예시에 지나지 않는다. 따라서, 본 발명은 상술한 실시형태로 한정되지 않고, 그 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서 상술한 실시형태를 적절히 변경하여 실시할 수 있다.

Claims (10)

  1. 음극 활물질 재료로서,
    재료 A와,
    재료 C를 함유하고,
    상기 음극 활물질 재료 중의, 상기 재료 C의 질량에 대한 상기 재료 A의 질량의 비가 0.01~7인, 음극 활물질 재료.
    재료 A: 라만 스펙트럼에 있어서의, 1580cm-1의 피크 강도에 대한 1360cm-1의 피크 강도의 비가 0.5 이하인 탄소질 분말 재료.
    재료 C: 금속 이온을 방출할 때 또는 상기 금속 이온을 흡장할 때에 열탄성형 무확산 변태하는 합금상으로 이루어지는 활물질을 주성분으로 하는 분말 재료.
  2. 청구항 1에 있어서,
    또한 상기 재료 B를 함유하고,
    상기 음극 활물질 재료 중의, 상기 재료 A, 상기 재료 B 및 상기 재료 C의 합계 질량에 대한 상기 재료 B의 질량의 비가 0.01~0.2인, 음극 활물질 재료.
    재료 B: 라만 스펙트럼에 있어서의, 1580cm-1의 피크 강도에 대한 1360cm-1의 피크 강도의 비가 0.5 초과인 탄소질 분말 재료.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 합금상은, 상기 금속 이온을 흡장할 때에 상기 열탄성형 무확산 변태하고, 상기 금속 이온을 방출할 때에 역변태하는, 음극 활물질 재료.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 열탄성형 무확산 변태 후의 상기 합금상은, Ramsdell 표기로 2H인 결정 구조를 함유하고,
    상기 역변태 후의 상기 합금상은, Strukturbericht 표기로 DO3인 결정 구조를 함유하는, 음극 활물질 재료.
  5. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
    상기 합금상은 Cu와 Sn을 함유하는, 음극 활물질 재료.
  6. 음극 활물질 재료로서.
    재료 A와,
    재료 C를 함유하고,
    상기 음극 활물질 재료 중의, 상기 재료 C의 질량에 대한 상기 재료 A의 질량의 비가 0.01~7인, 음극 활물질 재료.
    재료 A: 라만 스펙트럼에 있어서의, 1580cm-1의 피크 강도에 대한 1360cm-1의 피크 강도의 비가 0.5 이하인 탄소질 분말 재료.
    재료 C: 10~20at% 또는 21~27at%의 Sn을 함유하고, 잔부는 Cu 및 불순물로 이루어지는 합금상으로 이루어지는 활물질을 주성분으로 하는 분말 재료.
  7. 음극 활물질 재료로서,
    재료 A와,
    재료 C를 함유하고,
    상기 음극 활물질 재료 중의, 상기 재료 C의 질량에 대한 상기 재료 A의 질량의 비가 0.01~7인, 음극 활물질 재료.
    재료 A: 라만 스펙트럼에 있어서의, 1580cm-1의 피크 강도에 대한 1360cm-1의 피크 강도의 비가 0.5 이하인 탄소질 분말 재료.
    재료 C: Sn: 10~35at%와, Ti: 9.0at% 이하, V: 49.0at% 이하, Cr: 49.0at% 이하, Mn: 9.0at% 이하, Fe: 49.0at% 이하, Co: 49.0at% 이하, Ni: 9.0at% 이하, Zn: 29.0at% 이하, Al: 49.0at% 이하, Si: 49.0at% 이하, B: 5.0at% 이하, 및, C: 5.0at% 이하로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하고, 잔부는 Cu 및 불순물로 이루어지는 합금상으로 이루어지는 활물질을 주성분으로 하는 분말 재료.
  8. 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,
    또한 상기 재료 B를 함유하고,
    상기 음극 활물질 재료 중의, 상기 재료 A, 상기 재료 B 및 상기 재료 C의 합계 질량에 대한 상기 재료 B의 질량의 비가 0.01~0.2인, 음극 활물질 재료.
    재료 B: 라만 스펙트럼에 있어서의, 1580cm-1의 피크 강도에 대한 1360cm-1의 피크 강도의 비가 0.5 초과인 탄소질 분말 재료.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 음극 활물질 재료를 포함하는, 음극.
  10. 청구항 9에 기재된 음극을 구비하는, 전지.
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