KR20160107116A - 연삭 휠, 연삭 장치 및 웨이퍼의 연삭 방법 - Google Patents

연삭 휠, 연삭 장치 및 웨이퍼의 연삭 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160107116A
KR20160107116A KR1020160025135A KR20160025135A KR20160107116A KR 20160107116 A KR20160107116 A KR 20160107116A KR 1020160025135 A KR1020160025135 A KR 1020160025135A KR 20160025135 A KR20160025135 A KR 20160025135A KR 20160107116 A KR20160107116 A KR 20160107116A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
grinding
wafer
wheel
grinding wheel
chuck table
Prior art date
Application number
KR1020160025135A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102343531B1 (ko
Inventor
겐지 다케노우치
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20160107116A publication Critical patent/KR20160107116A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102343531B1 publication Critical patent/KR102343531B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
    • B24D7/06—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor with inserted abrasive blocks, e.g. segmental
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/24—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding or polishing glass
    • B24B7/241—Methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • B24D3/285—Reaction products obtained from aldehydes or ketones
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D5/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting only by their periphery; Bushings or mountings therefor
    • B24D5/06—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting only by their periphery; Bushings or mountings therefor with inserted abrasive blocks, e.g. segmental
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Abstract

본 발명은 난삭재(難削材)로 형성된 웨이퍼 또는 금속을 포함하는 웨이퍼를 원활하게 연삭하는 것을 목적으로 한다.
연삭 휠(74)을, 다이아몬드 지립(P1)과 광촉매 입자인 산화티탄 입자(P2)를 혼재시켜 레진 바인더(B1)로 고정한 연삭 지석(74a)과, 연삭 지석(74a)을 자유 단부에 환형으로 배치하는 휠 베이스(74b)로 구성되는 것으로 하였다.

Description

연삭 휠, 연삭 장치 및 웨이퍼의 연삭 방법{GRINDING WHEEL, GRINDING APPARATUS, AND METHOD OF GRINDING A WAFER}
본 발명은 웨이퍼를 연삭하는 연삭 휠 및 연삭 휠을 구비하는 연삭 장치 및 웨이퍼의 연삭 방법에 관한 것이다.
IC, LSI, LED 및 SAW 디바이스 등의 디바이스가 분할 예정 라인(스트리트)에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 연삭 휠을 회전 가능하게 구비한 연삭 장치에 의해 웨이퍼 이면이 연삭되어 소정의 두께로 형성된 후, 다이싱 장치, 레이저 가공 장치 등의 분할 장치에 의해 개개의 디바이스로 분할되어, 각종 전자 기기 등에 이용되고 있다.
또한, 연삭 장치는, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 연삭하는 연삭 지석이 환형으로 배치된 연삭 휠을 회전 가능하게 장착한 연삭 수단과, 연삭 영역에 연삭수를 공급하는 연삭수 공급 수단과, 연삭 수단을 척 테이블에 접근 및 이격시키는 연삭 이송 수단으로 대략 구성되어 있으며, 웨이퍼를 고정밀도로 원하는 두께로 연삭할 수 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-284303호 공보
그러나, 웨이퍼가 질화갈륨(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 또는 갈륨비소(GaAs) 등의 난삭재(難削材)로 형성되어 있는 경우에는, 연삭 휠의 연삭 능력이 저하되어, 생산성이 저하된다고 하는 문제가 있다. 또한, 금속으로 형성된 웨이퍼 또는 금속 전극이 부분적으로 웨이퍼의 이면에 노출된 웨이퍼를 연삭하는 경우에는, 금속의 연성(延性)에 의해 연삭이 곤란해진다고 하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 난삭재로 형성된 웨이퍼 또는 금속을 포함하는 웨이퍼를 원활하게 연삭할 수 있는 연삭 휠 및 이 연삭 휠을 사용한 웨이퍼의 연삭 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 측면에 의하면, 연삭 휠로서, 하단부를 갖는 환형의 휠 베이스와, 이 휠 베이스의 상기 하단부의 외주에 고착된 지립과 광촉매를 혼재시켜 바인더로 고정한 복수의 연삭 지석을 구비한 연삭 휠이 제공된다.
상기 지립은 다이아몬드 지립이며, 상기 광촉매 입자는 산화티탄(TiO2) 입자이면 바람직하다.
본 발명의 제2 측면에 의하면, 웨이퍼의 연삭 방법으로서, 웨이퍼를 척 테이블로 유지하는 웨이퍼 유지 공정과, 상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼에, 지립과 광촉매를 혼재시켜 바인더로 고정한 복수의 연삭 지석을 밀어붙이고, 연삭수를 공급하면서 상기 연삭 지석 및 상기 척 테이블을 회전시켜 웨이퍼를 연삭하는 연삭 공정과, 웨이퍼의 연삭 중에, 상기 연삭 지석에 광촉매 입자를 여기시키는 광을 조사하여, 공급한 연삭수에 히드록시 라디칼에 의한 산화력을 부여하는 광 조사 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연삭 방법이 제공된다.
본 발명의 제3 측면에 의하면, 연삭 장치로서, 웨이퍼를 흡인 유지하는 척 테이블과, 스핀들과, 이 스핀들의 하단부에 고정된 휠 마운트와, 환형의 베이스와 이 베이스의 하단부 외주에 고착된 복수의 연삭 지석을 갖고, 상기 휠 마운트에 착탈 가능하게 장착된 연삭 휠을 포함하는 연삭 유닛과, 상기 복수의 연삭 지석에 연삭수를 공급하는 연삭수 공급 수단과, 상기 연삭 휠의 상기 연삭 지석에 광촉매 입자를 여기시키는 광을 조사하여 공급한 연삭수에 히드록시 라디칼에 의한 산화력을 부여하는 광 조사 수단을 구비한 연삭 장치가 제공된다.
본 발명에 따른 연삭 휠은, 지립과 광촉매 입자를 혼재시켜 바인더로 고정한 복수의 연삭 지석과, 연삭 지석이 자유 단부에 환형으로 고착된 환형의 휠 베이스로 구성된다. 그 때문에, 예컨대, 본 발명에 따른 연삭 휠로, GaN, SiC 또는 GaAs 등의 난삭재로 형성된 웨이퍼에 대해 연삭 가공을 행하는 경우라도, 연삭 지석에 자외선 등의 광을 조사하여 광촉매 입자를 여기시키고, 연삭 지석에 공급한 연삭수와 연삭 지석 중의 여기한 광촉매 입자를 접촉시킴으로써, 연삭 지석에 공급한 연삭수에 히드록시 라디칼에 의한 산화력을 부여하고, 그 강한 산화력에 의해 웨이퍼의 연삭면을 산화시켜 취약화시키면서 연삭을 행할 수 있기 때문에, 웨이퍼의 원활한 연삭이 가능해진다. 또한, 본 발명에 따른 연삭 휠로, 금속으로 형성된 웨이퍼 또는 금속 전극이 부분적으로 웨이퍼의 이면에 노출된 웨이퍼를 연삭하는 경우라도, 히드록시 라디칼에 의한 강한 산화력에 의해 금속을 산화시켜 취약화시키면서 연삭을 행할 수 있기 때문에, 웨이퍼의 원활한 연삭이 가능해진다.
바람직하게는, 지립을 다이아몬드 지립으로 하고, 광촉매 입자를 산화티탄(TiO2) 입자로 함으로써, 연삭 지석에 자외선을 조사하여 산화티탄 입자를 여기시키고, 연삭 지석에 공급한 연삭수와 여기한 산화티탄 입자를 접촉시킴으로써, 연삭 지석에 공급한 연삭수에 히드록시 라디칼에 의한 보다 강한 산화력을 부여할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 상기 연삭 휠을 이용하는 웨이퍼의 연삭 공정에 있어서, 웨이퍼의 연삭해야 할 영역에 위치된 상기 연삭 지석에 연삭수를 공급하고, 상기 연삭 지석에 광촉매 입자를 여기시키는 광을 조사시킴으로써, 연삭 지석에 공급한 연삭수와 여기한 광촉매 입자를 접촉시켜, 연삭수에 히드록시 라디칼에 의한 높은 산화력을 부여한다. 그리고, 예컨대, 피가공물이 GaN, 또는 GaAs 등의 난삭재로 형성된 웨이퍼여도, 히드록시 라디칼의 강한 산화력에 의해 웨이퍼의 연삭면을 산화시켜 취약화시키면서 연삭을 행할 수 있기 때문에, 웨이퍼를 원활하게 연삭하는 것이 가능해진다. 또한, 피가공물이 금속으로 형성된 웨이퍼 또는 금속 전극이 부분적으로 웨이퍼의 이면에 노출된 웨이퍼여도, 히드록시 라디칼에 의한 강한 산화력에 의해 금속을 산화시켜 취약화시키면서 연삭을 행할 수 있기 때문에, 웨이퍼를 원활하게 연삭하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 따른 연삭 장치에서는, 상기 연삭 휠을 구비하는 연삭 수단과, 웨이퍼의 연삭해야 할 영역에 위치된 상기 연삭 휠의 연삭 지석에 연삭수를 공급하는 연삭수 공급 수단과, 상기 연삭 휠의 연삭 지석에 광촉매 입자를 여기시키는 광을 조사하여 공급한 연삭수에 히드록시 라디칼에 의한 산화력을 부여하는 광 조사 수단으로 적어도 구성되기 때문에, 연삭시에 연삭 지석에 광촉매 입자를 여기시키는 광을 조사시킴으로써, 연삭 지석에 공급한 연삭수와 여기한 광촉매 입자를 접촉시켜, 공급한 연삭수에 히드록시 라디칼에 의한 산화력을 부여할 수 있다. 그리고, 생성시킨 히드록시 라디칼에 의해, 예컨대, 피가공물이 GaN, 또는 GaAs 등의 난삭재로 형성된 웨이퍼여도, 히드록시 라디칼의 강한 산화력에 의해 웨이퍼의 연삭면을 산화시켜 취약화시키면서 연삭을 행할 수 있기 때문에, 웨이퍼를 원활하게 연삭하는 것이 가능해진다. 또한, 피가공물이 금속으로 형성된 웨이퍼 또는 금속 전극이 부분적으로 웨이퍼의 이면에 노출된 웨이퍼여도, 히드록시 라디칼에 의한 강한 산화력에 의해 금속을 산화시켜 취약화시키면서 연삭을 행할 수 있기 때문에, 웨이퍼를 원활하게 연삭하는 것이 가능해진다.
도 1은 연삭 휠의 사시도이다.
도 2는 연삭 휠이 구비하는 연삭 지석의 일부를 확대한 정면도이다.
도 3은 연삭 장치의 사시도이다.
도 4는 광 조사 수단이 일체로 된 연삭 휠의 일례를 도시한 단면도(端面圖)이다.
도 5는 웨이퍼 표면에 보호 테이프가 접착되는 상태를 도시한 사시도이다.
도 6은 웨이퍼 유지 공정에 있어서, 웨이퍼를 척 테이블에 유지하는 상태를 도시한 사시도이다.
도 7은 연삭 공정에 있어서, 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 대해 연삭 휠이 강하해 갈 때의 광 조사 수단의 위치를 도시한 사시도이다.
도 8은 연삭 공정에 있어서, 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 연삭 휠로 연삭하고 있는 상태를 도시한 사시도이다.
도 9는 연삭 공정에 있어서, 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 연삭 휠로 연삭하고 있는 상태를 도시한 단면도이다.
도 1에 도시된 연삭 휠(74)은, 환형의 휠 베이스(74b)와, 휠 베이스(74b)의 바닥면(자유 단부)에 환형으로 배치된 복수의 대략 직육면체 형상의 연삭 지석(74a)으로 구성된다. 또한, 휠 베이스(74b)의 상면에는 나사 구멍(74c)이 형성되어 있다. 연삭 지석(74a)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 다이아몬드 지립(P1)과 광촉매 입자인 산화티탄 입자(P2)를 혼재시키고, 페놀 수지의 레진 바인더(B1)로 성형·고정한 것이다. 한편, 연삭 지석(74a)의 형상은, 일체의 환형을 형성하고 있는 것이어도 좋다.
연삭 휠(74)의 제조 방법은, 예컨대 이하와 같다. 먼저, 레진 바인더(B1)가 되는 페놀 수지 중량비 100에 대해, 입자 직경 10 ㎛ 전후의 다이아몬드 지립(P1)을 중량비 30으로 혼입하고, 또한 입자 직경 10 ㎛ 전후의 산화티탄 입자(P2)를 중량비 40으로 혼입해서 교반하여 혼재시킨다. 계속해서, 이 혼합물을 약 160℃의 온도에서 가열하고, 10분∼20분 정도 프레스하여 소정의 형상으로 성형한다. 그 후, 180℃ 내지 200℃의 온도에서 수시간 소결시킴으로써, 연삭 지석(74a)을 제조한다. 그리고, 제조한 복수의 연삭 지석(74a)을 휠 베이스(74b)의 바닥면에 환형으로 배치하여 고착함으로써, 연삭 휠(74)을 제조한다. 한편, 레진 바인더(B1), 다이아몬드 지립(P1) 및 산화티탄 입자(P2)의 중량비는, 산화티탄 입자(P2)의 종류 등에 따라 적절히 변경 가능하다.
도 3에 도시된 웨이퍼(W)는, 예컨대, SiC로 형성되는 반도체 웨이퍼이며, 웨이퍼(W)의 웨이퍼 표면(Wa) 상에는, 도 5에 도시된 바와 같이 스트리트(S)에 의해 구획된 격자형의 영역에 다수의 디바이스(D)가 형성되어 있다. 그리고, 예컨대, 웨이퍼(W)의 웨이퍼 이면(Wb)이 연삭 휠(74)로 연삭된다. 한편, 웨이퍼(W)의 형상 및 종류는 특별히 한정되는 것은 아니며, 연삭 휠(74)과의 관계로 적절히 변경 가능하고, GaAs 또는 GaN 등의 난삭재로 형성되는 웨이퍼나, 금속으로 형성된 웨이퍼 또는 금속 전극이 부분적으로 웨이퍼의 이면에 노출된 웨이퍼도 포함된다.
도 3에 도시된 연삭 장치(1)는, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블(30)과, 회전축(70)의 선단에 연결된 마운트(73)에 도 1에 도시된 연삭 휠(74)을 장착하여 척 테이블(30)에 유지된 웨이퍼를 연삭하는 연삭 수단(7)과, 웨이퍼의 연삭해야 할 영역에 위치된 연삭 지석(74a)에 연삭수를 공급하는 연삭수 공급 수단(8)과, 연삭 휠(74)의 연삭 지석(74a)에 광촉매 입자를 여기시키는 광을 조사하여 공급한 연삭수에 히드록시 라디칼에 의한 산화력을 부여하는 광 조사 수단(9)으로 적어도 구성되어 있다. 그리고, 연삭 장치(1)의 베이스(10) 상의 전방은, 척 테이블(30)에 대해 웨이퍼(W)의 착탈이 행해지는 영역인 착탈 영역(A)으로 되어 있고, 베이스(10) 상의 후방은, 연삭 수단(7)에 의해 웨이퍼(W)의 연삭이 행해지는 영역인 연삭 영역(B)으로 되어 있다.
척 테이블(30)은, 예컨대, 그 외형이 원형 형상이며, 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착부(300)와, 흡착부(300)를 지지하는 프레임(301)을 구비한다. 흡착부(300)는 도시하지 않은 흡인원에 연통(連通)되고, 흡착부(300)의 노출면인 유지면(300a) 상에서 웨이퍼(W)를 흡인 유지한다. 척 테이블(30)은, 커버(31)에 의해 주위로부터 둘러싸이며, 도시하지 않은 회전 수단에 의해 회전 가능하게 지지되어 있다. 또한, 척 테이블(30)은, 커버(31) 아래에 배치된 도시하지 않은 Y축 방향 이송 수단에 의해, 착탈 영역(A)과 연삭 영역(B) 사이를 Y축 방향으로 왕복 이동 가능하게 되어 있다.
연삭 영역(B)에는, 칼럼(11)이 세워져 설치되어 있고, 칼럼(11)의 측면에는 연삭 이송 수단(5)이 배치되어 있다. 연삭 이송 수단(5)은, 연직 방향(Z축 방향)의 축심을 갖는 볼 나사(50)와, 볼 나사(50)와 평행하게 배치된 한 쌍의 가이드 레일(51)과, 볼 나사(50)의 상단에 연결되어 볼 나사(50)를 회동시키는 모터(52)와, 내부의 너트가 볼 나사(50)에 나사 결합되고 측부가 가이드 레일에 미끄럼 접촉하는 승강판(53)과, 승강판(53)에 연결되고 연삭 수단(7)을 유지하는 홀더(54)로 구성되며, 모터(52)가 볼 나사(50)를 회동시키면, 이에 따라 승강판(53)이 가이드 레일(51)에 가이드되어 Z축 방향으로 왕복 이동하여, 홀더(54)에 유지된 연삭 수단(7)이 Z축 방향으로 연삭 이송된다.
도 3에 도시된 연삭 수단(연삭 유닛)(7)은, 축 방향이 Z축 방향인 회전축(70)과, 회전축(70)을 회전 구동하는 모터(72)와, 회전축(70)의 선단에 연결된 마운트(73)와, 마운트(73)의 하면에 착탈 가능하게 장착된 연삭 휠(74)을 구비한다. 연삭 휠(74)은, 나사(73a)를 마운트(73)에 형성된 구멍에 통과시켜 연삭 휠(74)의 상면에 형성된 도 1에 도시된 나사 구멍(74c)에 나사 결합시킴으로써, 마운트(73)에 대해 장착된다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이 회전축(70)의 축심에는, 연삭수를 유통시키는 유로(70a)가 형성되어 있고, 유로(70a)는, 마운트(73)를 지나 연삭 휠(74)에 있어서 하방으로 개구되어 있으며, 연삭수 공급원(80)에 접속되는 배관(81)에 연통되어 있다.
도 3에 도시된 연삭수 공급 수단(8)은, 예컨대, 수원이 되는 연삭수 공급원(80)과, 연삭수 공급원(80)에 접속되고 유로(70a)와 연통되는 배관(81)과, 배관(81)의 임의의 위치에 배치되고 연삭수의 유량을 조정하는 유량 조정 밸브(82)를 구비한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 예컨대, 광 조사 수단(9)은, 연삭 휠(74)과는 분리된 형태로 연삭 장치(1)에 구비된다. 광 조사 수단(9)은, 예컨대, 파장이 280 ㎚∼380 ㎚ 정도인 자외선을, 광 조사구(90)로부터 조사할 수 있는 대략 원호형의 자외선 조사 램프이며, 전원(91)에 접속되어 있다. 그리고 도 9에 도시된 바와 같이, 광 조사 수단(9)은, 연삭 휠(74)에 의해 웨이퍼(W)를 연삭하는 연삭 공정에 있어서, 휠 베이스(74b)의 바닥면(자유 단부)에 환형으로 배치된 연삭 지석(74a)의 내주측에 위치하도록 배치되고, 광 조사구(90)가 연삭 지석(74a)의 내주측에 대면하여, 연삭 지석(74a) 중의 산화티탄 입자(P2)를 여기시키는 자외선을 광 조사구(90)로부터 조사한다. 한편, 광 조사 수단(9)은, 산화티탄 입자(P2)의 종류에 따라서는, 자외선을 조사하는 자외선 조사 램프에 한정되는 것은 아니며, 예컨대, 산화티탄 입자(P2)가, 가시광선의 조사로 광촉매 활성을 발현하는 질소를 도핑한 질소 도핑형 산화티탄 입자 등이면, 파장 400 ㎚∼740 ㎚ 정도의 가시광선을 조사하는 크세논 램프나 형광등 등이어도 좋다. 또한, 광 조사 수단(9)은, 그 형상이 대략 원호형에 한정되지 않고 예컨대 환형이어도 좋으며, 연삭 휠(74)에 의한 웨이퍼(W)의 연삭 공정에 있어서, 휠 베이스(74b)의 바닥면(자유 단부)에 환형으로 배치된 연삭 지석(74a)의 외주측에 위치하도록 배치되어도 좋고, 광 조사구(90)로부터 조사된 자외선이 분산되지 않고 연삭 지석(74a)에 대해 직접 입사하는 위치에 배치되면 바람직하다.
또한, 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이, 광 조사 수단(9)은 연삭 휠(74)과 일체로 된 형태로 연삭 장치(1)에 구비되어 있어도 좋다. 도 4에 도시된 바와 같이, 연삭 휠(74)과 일체로 된 형태로 연삭 장치(1)에 구비되는 광 조사 수단(9)은, 예컨대, 파장이 280 ㎚∼380 ㎚ 정도인 자외선을, 광 조사구(90)로부터 조사할 수 있는 환형의 자외선 조사 램프이며, 휠 베이스(74b)의 바닥면이자 환형으로 배치된 연삭 지석(74a)의 내주측에 배치되고, 광 조사구(90)가 연삭 지석(74a)의 내주측에 대면하여, 마운트(73) 상에 배치된 전원(91)에 접속되어 있다. 마운트(73)에는, 회전축(70)에 형성된 유로(70a)에 연통되는 마운트 유로(73b)를 구비하고, 또한, 연삭 휠(74)을 구성하는 휠 베이스(74b)에는, 마운트 유로(73b)에 연통되고 휠 베이스(74b)의 하부의 개구부(74d)에 있어서 개구되는 휠 유로(74c)가 형성되어 있다. 휠 유로(74c)의 개구부(74d)는, 광 조사 수단(9)과 연삭 지석(74a) 사이에 연삭수를 분출할 수 있는 위치에 배치되어 있다.
이하에, 도 2 내지 도 3 및 도 5 내지 도 9를 이용하여, 도 3에 도시된 웨이퍼(W)를 연삭 장치(1)에 의해 연삭하는 경우의 연삭 장치(1)의 동작, 연삭 휠(74)을 구비하는 연삭 수단(7)의 동작 및 웨이퍼(W)의 가공 방법에 대해 설명한다.
(1) 웨이퍼 유지 공정
도 5에 도시된 바와 같이, 먼저, 웨이퍼 표면(Wa)의 전면(全面)에는, 연삭시에 웨이퍼 표면(Wa)을 보호하는 보호 테이프(T)가 접착된다. 계속해서, 도 6에 도시된 바와 같이, 보호 테이프(T)가 접착된 웨이퍼(W)의 보호 테이프(T)측과 척 테이블(30)의 유지면(300a)을 대향시켜 위치 맞춤을 행한 후, 웨이퍼(W)를 유지면(300a)에 배치한다. 그리고, 도시하지 않은 흡인원이 만들어내는 흡인력이 유지면(300a)에 전달됨으로써, 척 테이블(30)이 유지면(300a) 상에서 웨이퍼(W)를 흡인 유지한다.
(2) 연삭 공정
웨이퍼 유지 공정이 종료된 후, 웨이퍼 유지 공정에서 척 테이블(30)에 유지된 웨이퍼(W)를 연삭 수단(7)으로 연삭하는 연삭 공정을 개시한다. 연삭 공정에서는, 먼저, 척 테이블(30)이, 도시하지 않은 Y축 방향 이송 수단에 의해 도 3에 도시된 착탈 영역(A)으로부터 연삭 영역(B) 내의 연삭 수단(7) 아래까지 +Y 방향으로 이동한다.
계속해서, 도 7에 도시된 바와 같이, 회전축(70)이 회전하여 연삭 휠(74)을 예컨대 회전수 6000 rpm으로 회전시키고, 동시에 연삭 수단(7)이 -Z 방향으로 보내지며, 연삭 수단(7)에 구비하는 연삭 휠(74)이 -Z 방향으로 강하해 간다. 또한, 광 조사 수단(9)이, 연삭 중에 휠 베이스(74b)의 바닥면에 환형으로 배치된 연삭 지석(74a)의 내주측에 있고, 광 조사구(90)가 연삭 지석(74a)의 내주측에 대면하도록 위치된다. 그리고, 도 8에 도시된 바와 같이, 고속 회전하는 연삭 휠(74)의 연삭 지석(74a)이 웨이퍼(W)의 웨이퍼 이면(Wb)에 접함으로써, 웨이퍼(W)에 대한 연삭이 행해진다. 또한, 연삭 중에는, 도시하지 않은 회전 수단이 척 테이블(30)을 예컨대 회전수 300 rpm으로 회전시킴에 따라, 유지면(300a)에 유지된 웨이퍼(W)도 회전하기 때문에, 연삭 지석(74a)이 웨이퍼 이면(Wb) 전면의 연삭 가공을 행한다. 또한, 본 연삭 공정 중에는, 도 9에 도시된 바와 같이, 연삭 지석(74a)이 웨이퍼 이면(Wb)에 접촉할 때에, 연삭수 공급 수단(8)으로부터 공급된 연삭수가 스핀들(70) 중의 유로(70a), 마운트 유로(73b) 및 휠 유로(74c)를 지나, 휠 유로(74c)의 개구부(74d)로부터 분출되어, 연삭 지석(74a)에 대해 5 L/분∼10 L/분의 비율로 공급된다.
또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 본 연삭 공정 중에는, 고속 회전하는 연삭 휠(74)의 연삭 지석(74a)에 대해, 광 조사 수단(9)이, 예컨대 파장 365 ㎚ 정도의 자외선을, 적어도 연삭 지석(74a)이 웨이퍼 이면(Wb)을 연삭하기 직전으로부터 연삭 지석(74a)이 웨이퍼(W)로부터 이격되기까지의 동안에 조사하여, 도 2에 도시된 연삭 지석(74a)에 혼재하는 산화티탄 입자(P2)를 여기시킨다. 즉, 연삭 지석(74a)에 혼재하는 산화티탄 입자(P2)의 표면에 자외선을 조사하여, 산화티탄 입자(P2)의 가전자대의 전자를 여기시켜 전자와 정공의 2개의 캐리어를 발생시킨다.
연삭 지석(74a)에 혼재하는 산화티탄 입자(P2)에 발생한 정공은, 산화티탄 입자(P2)의 표면에 있는 연삭수에 산화력이 높은 히드록시 라디칼을 생성한다. 그 때문에, 연삭수 공급 수단(8)으로부터 공급되어 연삭 지석(74a)과 접촉한 연삭수는, 적어도 웨이퍼 이면(Wb) 상에서 히드록시 라디칼에 의한 산화력이 부여된다. 그리고, SiC로 형성된 웨이퍼 이면(Wb)이, 생성된 히드록시 라디칼에 의해 산화되어 취약화되기 때문에, 웨이퍼(W)를 연삭 휠(74)로 용이하게 연삭하는 것이 가능해진다. 또한, 생성된 히드록시 라디칼의 존재 시간은 매우 짧기 때문에, 연삭수에 의한 웨이퍼 이면(Wb) 이외의 산화는 발생하지 않는다. 또한, 분사된 연삭수는, 연삭 지석(74a)과 웨이퍼 이면(Wb)의 접촉 부위를 냉각하고 또한 웨이퍼 이면(Wb)에 발생한 연삭 부스러기의 제거도 행한다.
한편, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 웨이퍼(W)가 금속으로 형성된 웨이퍼이고, 광 조사 수단(9)이 연삭 휠(74)과 일체로 된 형태로 연삭 장치(1)에 구비되어 있는 경우에도, 히드록시 라디칼에 의한 강한 산화력에 의해 금속을 산화시켜 취약화시키면서 연삭을 행할 수 있기 때문에, 웨이퍼를 원활하게 연삭하는 것이 가능해진다.
1: 연삭 장치 10: 베이스
11: 칼럼 30: 척 테이블
300: 흡착부 300a: 유지면
301: 프레임 31: 커버
5: 연삭 이송 수단 50: 볼 나사
51: 가이드 레일 52: 모터
53: 승강판 54: 홀더
7: 연삭 수단 70: 회전축
70a: 유로 72: 모터
73: 마운트 73a: 나사
74: 연삭 휠 74a: 연삭 지석
74b: 휠 베이스 74c: 나사 구멍
8: 연삭수 공급 수단 80: 연삭수 공급원
81: 배관 82: 유량 조정 밸브
9: 광 조사 수단 90: 광 조사구
91: 전원 P1: 다이아몬드 지립
P2: 산화티탄 입자 B1: 레진 바인더
W: 웨이퍼 Wa: 웨이퍼 표면
Wb: 웨이퍼 이면 T: 보호 테이프
S: 스트리트 D: 디바이스
A: 착탈 영역 B: 연삭 영역

Claims (4)

  1. 연삭 휠로서,
    하단부를 갖는 환형의 휠 베이스; 및
    상기 휠 베이스의 상기 하단부의 외주에 고착된 지립(砥粒)과 광촉매를 혼재시켜 바인더로 고정한 복수의 연삭 지석
    을 포함하는, 연삭 휠.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지립은 다이아몬드 지립이며, 상기 광촉매의 입자는 산화티탄(TiO2) 입자인 것인, 연삭 휠.
  3. 웨이퍼의 연삭 방법으로서,
    웨이퍼를 척 테이블로 유지하는 웨이퍼 유지 공정;
    상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼에, 지립과 광촉매를 혼재시켜 바인더로 고정한 복수의 연삭 지석을 밀어붙이고, 연삭수를 공급하면서 상기 연삭 지석 및 상기 척 테이블을 회전시켜 웨이퍼를 연삭하는 연삭 공정; 및
    웨이퍼의 연삭 중에, 상기 연삭 지석에 광촉매 입자를 여기시키는 광을 조사하여, 공급한 연삭수에 히드록시 라디칼에 의한 산화력을 부여하는 광 조사 공정
    을 포함한 것을 특징으로 하는, 웨이퍼의 연삭 방법.
  4. 연삭 장치로서,
    웨이퍼를 흡인 유지하는 척 테이블;
    스핀들과, 이 스핀들의 하단부에 고정된 휠 마운트와, 환형의 베이스와 이 베이스의 하단부 외주에 고착된 복수의 연삭 지석을 갖고, 상기 휠 마운트에 착탈 가능하게 장착된 연삭 휠을 포함하는 연삭 유닛;
    상기 복수의 연삭 지석에 연삭수를 공급하는 연삭수 공급 수단; 및
    상기 연삭 휠의 상기 연삭 지석에 광촉매 입자를 여기시키는 광을 조사하여 공급한 연삭수에 히드록시 라디칼에 의한 산화력을 부여하는 광 조사 수단
    을 포함한, 연삭 장치.
KR1020160025135A 2015-03-03 2016-03-02 연삭 휠, 연삭 장치 및 웨이퍼의 연삭 방법 KR102343531B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015041175A JP6475518B2 (ja) 2015-03-03 2015-03-03 ウエーハの加工方法
JPJP-P-2015-041175 2015-03-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160107116A true KR20160107116A (ko) 2016-09-13
KR102343531B1 KR102343531B1 (ko) 2021-12-28

Family

ID=56739072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160025135A KR102343531B1 (ko) 2015-03-03 2016-03-02 연삭 휠, 연삭 장치 및 웨이퍼의 연삭 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10076825B2 (ko)
JP (1) JP6475518B2 (ko)
KR (1) KR102343531B1 (ko)
CN (1) CN105935912B (ko)
DE (1) DE102016203319A1 (ko)
SG (1) SG10201600958UA (ko)
TW (1) TWI680033B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190026590A (ko) * 2017-09-05 2019-03-13 가부시기가이샤 디스코 가공 방법

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWD179095S (zh) * 2015-08-25 2016-10-21 荏原製作所股份有限公司 基板保持環
JP6803187B2 (ja) * 2016-10-05 2020-12-23 株式会社ディスコ 研削砥石のドレッシング方法
JP6912284B2 (ja) * 2017-06-23 2021-08-04 株式会社ディスコ 研削装置
JP6974979B2 (ja) * 2017-08-22 2021-12-01 株式会社ディスコ 研削装置
JP6951152B2 (ja) * 2017-08-22 2021-10-20 株式会社ディスコ 研削装置
JP7049848B2 (ja) * 2018-02-08 2022-04-07 株式会社ディスコ 保持面の研削方法
CN109822454B (zh) * 2019-03-27 2023-11-10 西南交通大学 一种模块化设计的自供紫外光源的绿色节能抛光头装置
CN112792669A (zh) * 2020-12-30 2021-05-14 浙江工业大学 一种氧化钛光催化剂辅助金属结合剂超硬砂轮在线修锐方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284303A (ja) 2000-03-29 2001-10-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP2003334762A (ja) * 2002-05-17 2003-11-25 Isel Co Ltd 砥石ならびに該砥石を用いた研削加工法および研削盤
JP2004055732A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Noritake Co Ltd 研磨体およびその研磨体を用いた研磨加工方法
KR20120040106A (ko) * 2010-10-18 2012-04-26 가부시기가이샤 디스코 연삭 휠
JP2014151425A (ja) * 2013-02-13 2014-08-25 Showa Denko Kk 単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10217189A (ja) * 1996-09-30 1998-08-18 Takashi Ono スライス装置およびブレード
US6435947B2 (en) * 1998-05-26 2002-08-20 Cabot Microelectronics Corporation CMP polishing pad including a solid catalyst
JP4028163B2 (ja) * 1999-11-16 2007-12-26 株式会社デンソー メカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置
JP4345746B2 (ja) * 1999-11-16 2009-10-14 株式会社デンソー メカノケミカル研磨装置
US6364744B1 (en) * 2000-02-02 2002-04-02 Agere Systems Guardian Corp. CMP system and slurry for polishing semiconductor wafers and related method
JP2003113370A (ja) * 2001-07-30 2003-04-18 Toshiba Corp 化学的機械的研磨用スラリー、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及び化学的機械的研磨用スラリーの取り扱い方法
JP4823142B2 (ja) * 2001-07-30 2011-11-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP3737787B2 (ja) * 2002-07-16 2006-01-25 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
TWI231523B (en) * 2003-06-18 2005-04-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Method of cleaning surface of semiconductor wafer
JP4631021B2 (ja) * 2004-03-12 2011-02-16 株式会社ディスコ 研磨装置
TWI382893B (zh) * 2005-07-07 2013-01-21 Univ Kumamoto Nat Univ Corp 基板及其研磨方法、和研磨裝置
JP4791774B2 (ja) * 2005-07-25 2011-10-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び研削装置
JP4752072B2 (ja) * 2005-11-30 2011-08-17 国立大学法人埼玉大学 研磨方法及び研磨装置
JP2007243112A (ja) * 2006-03-13 2007-09-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの凹状加工方法及び凹凸吸収パッド
JPWO2008108463A1 (ja) * 2007-03-07 2010-06-17 大西　一正 研磨具及び研磨装置
JP3174409U (ja) * 2011-11-29 2012-03-22 株式会社フォーエバー ダイアモンド粒子含有刃物
CN103286694B (zh) * 2012-03-03 2015-08-26 兰州理工大学 紫外光诱导纳米颗粒胶体射流进行超光滑表面加工的方法
JP5836992B2 (ja) * 2013-03-19 2015-12-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284303A (ja) 2000-03-29 2001-10-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP2003334762A (ja) * 2002-05-17 2003-11-25 Isel Co Ltd 砥石ならびに該砥石を用いた研削加工法および研削盤
JP2004055732A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Noritake Co Ltd 研磨体およびその研磨体を用いた研磨加工方法
KR20120040106A (ko) * 2010-10-18 2012-04-26 가부시기가이샤 디스코 연삭 휠
JP2014151425A (ja) * 2013-02-13 2014-08-25 Showa Denko Kk 単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190026590A (ko) * 2017-09-05 2019-03-13 가부시기가이샤 디스코 가공 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US10076825B2 (en) 2018-09-18
CN105935912B (zh) 2020-05-15
KR102343531B1 (ko) 2021-12-28
CN105935912A (zh) 2016-09-14
US20160256981A1 (en) 2016-09-08
DE102016203319A1 (de) 2016-09-08
TW201707848A (zh) 2017-03-01
JP2016162915A (ja) 2016-09-05
TWI680033B (zh) 2019-12-21
SG10201600958UA (en) 2016-10-28
JP6475518B2 (ja) 2019-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160107116A (ko) 연삭 휠, 연삭 장치 및 웨이퍼의 연삭 방법
JP6912284B2 (ja) 研削装置
CN106505012B (zh) 磨削磨轮以及被加工物的磨削方法
TWI647771B (zh) Device wafer evaluation method
CN106409762B (zh) 被加工物的加工方法
JP6417227B2 (ja) 切削ブレード及び切削装置並びにウエーハの加工方法
JP5632215B2 (ja) 研削加工ツール
CN109420947B (zh) 磨削装置
CN109420971B (zh) 磨削装置
JP6814574B2 (ja) テープ貼着方法
JP2012006123A (ja) 洗浄方法
JP2019042886A (ja) 加工方法
TW202109640A (zh) 複數之裝置晶片之製造方法
CN111438580A (zh) 被加工物的加工方法
JP2020001123A (ja) 研削ホイール

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant