KR20160106746A - 용량성으로 커플링된 소스 전극을 갖는 압력 트랜스듀서 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예의 용량성 압력 트랜스듀서는, 기판(120) 상의 2개의 전극들을 다이어프램 전극과 용량성으로 커플링시킴으로써, 전극들 간의 물리적 접속을 필요로 함이 없이 트랜스듀싱 회로를 형성한다. 본 발명의 실시예들은, 커플링 전극(221) 및 감지 전극을 갖는 기판(120), 및 다이어프램 전극을 갖는 연결된 다이어프램(110)을 갖는다. 기판과 다이어프램 사이에 포지셔닝되는 스페이서(130)는, 감지 전극과 다이어프램 전극(241) 사이에 갭을 정의하는 캐비티를 제공한다. 커플링 전극(221)과 다이어프램 전극(241) 사이의 커패시턴스를 증가시키기 위해, 커플링 전극 위에 유전체 스페이서가 포지셔닝될 수 있다. 용량성 압력 트랜스듀서는, 기존의 용량성 압력 트랜스듀서들과 유사한 전기적 특성들을 가지며, 기계적 상호접속부들 및 부가적인 전도성 물질들의 제거에 의해, 제조하기가 더 용이하고, 장기적인 신뢰도 및 내구성 개선들이 초래된다.
Description
관련 출원들에 대한 상호-참조
[0001] 본 출원은, "Pressure Transducer with Capacitively Coupled Source Electrode"라는 명칭으로 2014년 1월 16일자로 출원된 미국 특허 출원 제 14/157,235호를 우선권으로 주장하며, 상기 미국 특허 출원은 그 전체가 인용에 의해 본원에 포함된다.
[0002] 용량성 압력 트랜스듀서(capacitive pressure transducer)는, 자신의 다이어프램(diaphragm)에 적용되는 압력에서의 변화들을 대응하는 커패시턴스 변화들로 변환하여 압력 측정들이 이루어지는 것을 가능하게 한다. 다이어프램의 뒤에는, 다이어프램에 대해 적용되는 압력으로 인한 스트레인(strain)을 검출하기 위한 가변 커패시터를 구성하는 평행 오프셋 전도성 플레이트(parallel offset conductive plate)들을 갖는 압력 캐비티(cavity)가 있으며, 여기서, 평행 오프셋 전도성 플레이트들 중 하나는 다이어프램에 관해 고정된 포지션에 있고, 다른 하나는 다이어프램에 부착(affix)된다.
[0003] 통상적인 압력 센서들은 2개의 주요 부분들을 포함하는데, 즉, (i) 압력 변화들에 의해 영향을 받는, 용량성 압력 트랜스듀서와 같은 엘리먼트, 및 (ii) 변조된(modulated) 전기 신호를 용량성 압력 트랜스듀서에 제공하고 그리고 용량성 압력 트랜스듀서에 의해 전달(imaprt)되는 변조된 신호 상에서의 효과들을 압력 변화들의 함수로써 검출하기 위한 전자기기(종종 신호 컨디셔너(conditioner)로서 지칭됨)를 포함한다.
[0004] 통상적인 용량성 압력 트랜스듀서들은, 하나의 평행 오프셋 전도성 플레이트가 연결(attach)되는 금속, 세라믹, 또는 실리콘 다이어프램을 사용한다. 다른 플레이트는 압력 변화들에 둔간함 기판에 연결된다. 압력 변화들은 다이어프램에서의 굴곡(flexion)을 유발하며, 이는, 평행 오프셋 전도성 플레이트들 사이의 거리를 변경함으로써 커패시턴스에서의 측정가능한 변화를 야기한다. 이러한 변화는, 선형일 수 있거나 또는 선형이 아닐 수 있으며, 통상적으로는, 50-100 피코패럿(pF)의 총 커패시턴스로부터 몇(a few) 피코패럿을 초과하여 벗어나지는 않는다. 커패시턴스에서의 이러한 변화는, 오실레이터의 주파수를 제어하거나 또는 AC 신호의 커플링을 변경하는데 사용될 수 있다. 신호 컨디셔닝(conditioning)을 위한 전자기기는 보통, 트랜스듀싱(transducing) 엘리먼트들에 가깝게 로케이팅됨으로써 부유(stray) 커패시턴스로 인한 에러들을 방지한다.
본 발명의 예시적인 실시예는, 감지 전극 및 커플링(소스) 전극 을 갖는 기판, 다이어프램 전극을 갖는 다이어프램, 및 기판과 다이어프램 사이에 포지셔닝되는 스페이서(spacer)를 포함하는 용량성 압력 트랜스듀서이다. 스페이서는 감지 전극과 다이어프램 전극 사이에 캐비티(cavity)를 제공하고, 커플링 전극과 다이어프램 전극 사이에 고정형(fixed) 용량성 갭(gap)을 그리고 감지 전극과 다이어프램 전극 사이에 동적(dynamic) 용량성 갭을 형성한다. 커플링 전극 및 다이어프램 전극은 함께 커플링 커패시턴스를 정의하고, 감지 전극 및 다이어프램 전극은 함께 감지 커패시턴스를 정의하며, 다이어프램 상에서의 압력 변화는 감지 커패시턴스에서 대응하는 변화를 야기한다. 커플링 전극, 다이어프램 전극, 및 감지 전극은 함께 직렬의 2개의 커패시터들로서 모델링될 수 있는 회로를 형성한다. 전극들은 평행 플레이트 커패시터들을 형성하도록 포지셔닝되는 전도성 플레이트 전극들일 수 있다.
[0006] 감지 전극 및 커플링 전극은 동심(concentric) 패턴으로 배열될 수 있고, 커플링 전극은 감지 전극의 외부에 배열될 수 있으며, 이에 의해, 커플링 전극은 적어도 부분적으로 감지 전극을 둘러싼다.
[0007] 본 발명의 일 실시예에서, 스페이서는 커플링 전극 위에 포지셔닝된다. 스페이서는, 커플링 전극과 다이어프램 전극 사이의 커패시턴스를 증가시키도록 커플링 전극 위에 배치되는 유전체 물질, 이를테면 유리일 수 있다. 대안적인 실시예에서, 유전체 물질이 커플링 전극 위에 배치될 수 있고, 스페이서는 커플링 전극 위에 포지셔닝되지 않는다.
[0008] 다른 실시예에서, 커플링, 다이어프램, 및 감지 전극들은 각각 2개의 커패시터들을 갖는 직렬 커패시터 회로를 형성하며, 직렬 커패시터 회로는 감지 커패시턴스와 거의 동일한 등가 커패시턴스를 갖는다. 용량성 커플링으로 인한 감지 신호 진폭 손실의 양을 감소시키기 위해, 커플링 커패시턴스는 감지 커패시턴스보다 최소 3배 더 클 수 있거나, 또는 대안적으로, 커플링 커패시턴스는 감지 커패시턴스보다 적어도 5배 더 클 수 있다.
[0009] 예시적인 실시예에서, 다이어프램 전극은 기판 상의 전극 리드(lead)와 물리적인 전기적 접촉을 하지 않는다.
[0010] 또 다른 실시예에서, 용량성 압력 트랜스듀서는, 커플링 전극과 전기 통신하는 변조된 신호 소스에 의해 구동되며, 변조된 신호 소스는, 커플링 전극을 통해 다이어프램 전극을 용량성으로 에너자이징(energize)한다. 변조된 신호 소스는 100 kHz 내지 1 MHz 사이, 또는 특정한 전극 구성을 구동하기에 적합한 다른 주파수 범위에 있는 AC 신호를 출력할 수 있다.
[0011] 다른 실시예에서, 용량성 압력 트랜스듀서는, 감지 전극으로부터 전기적 감지 신호를 수신하기 위해 신호 컨디셔너와 전기 통신한다. 신호는 변조된 신호 소스를 포함할 수 있다. 신호 컨디셔너는, 다이어프램 전극의 물리적 접촉 에너자이징과 비교하여 다이어프램 전극의 용량성 에너자이징으로 인한 민감도에서의 손실을 보상하기 위해, 전기적 감지 신호에 적용되는 이득을 증가시킬 수 있다.
[0012] 본 발명의 다른 예시적인 실시예는 압력을 트랜스듀싱하는 방법이며, 상기 방법은, 커플링 전극을 다이어프램 전극과 그리고 감지 전극을 다이어프램 전극과 용량성 커플링시키는 단계, 다이어프램과 압력 소통(pressure communication)하는 유체와 연관된 압력 변화들에 대한 응답으로, 다이어프램 전극을 갖는 다이어프램을 편향시키는 단계, 및 다이어프램 편향의 함수로써 감지 커패시턴스를 변조하는 단계를 포함한다. 커플링 전극 및 다이어프램 전극은 커플링 커패시턴스를 갖는 커플링 커패시터를 형성하고, 감지 전극 및 다이어프램 전극은 감지 용량성을 갖는 감지 커패시터를 형성한다. 다른 실시예는, 직렬 커패시터 회로를 통해 감지 전극을 에너자이징하는 단계를 포함하며, 직렬 커패시터 회로는 커플링 커패시터 및 감지 커패시터를 포함하고, 직렬 커패시터 회로는, 감지 커패시턴스와 거의 동일한 등가 커패시턴스를 갖는다.
[0013] 다른 실시예에서, 유체와 연관된 압력 변화들에 대한 응답으로 다이어프램을 편향시키는 단계는, 상기 다이어프램의 내부 표면과 기판 사이의 갭 거리를 정의하는 스페이서를 이용하여 기판으로부터 떨어진 다이어프램의 간격을 유지하는 단계, 및 유체와 연관된 압력 변화들에 대한 응답으로 갭 거리를 변경하는 단계를 포함한다.
[0014] 또 다른 실시예에서, 스페이서를 이용하여 기판으로부터 떨어진 다이어프램의 간격을 유지하는 단계는, 유전체 물질로 이루어지는 스페이서를 이용하여 커플링 커패시턴스를 증가시키는 단계를 더 포함한다.
[0015] 용량성으로 커플링되는 커플링(소스) 전극을 갖는 압력 트랜스듀서는, 어셈블리 동안의 모든 로테이션 정렬 요건들의 제거로 인해 제조하기가 더 용이하고, 땜납 또는 전도성 에폭시(epoxy)들, 또는 다른 연결 물질들이 어셈블리에 대해 사용되지 않아서 그들 물질들의 연관된 고장 유형을 제거하기 때문에, 다이어프램 전극에 대한 물리적 접속을 이용하는 트랜스듀서들보다 더 내구성이 있다.
[0016] 본 발명의 다른 예시적인 실시예는 용량성 압력 트랜스듀서를 제조하는 방법이며, 상기 방법은, 커플링 전극 및 감지 전극을 기판의 표면에 부착(affix)하는 단계, 다이어프램 전극을 다이어프램의 내측 표면에 부착하는 단계, 기판에 그리고 다이어프램의 내측 표면에 스페이서를 부착하는 단계 ― 스페이서는, 상기 기판으로부터 떨어진 다이어프램의 간격을 유지하고, 상기 다이어프램의 내부 표면과 기판 사이의 갭 거리를 정의함 ―, 및 감지 커패시터 및 커플링 커패시터로 직렬 커패시터 회로를 형성하는 단계를 포함한다. 감지 커패시터는 감지 전극 및 다이어프램 전극을 포함하고, 커플링 커패시터는 커플링 커패시터 및 다이어프램 전극을 포함한다.
[0017] 전술한 것은, 첨부한 도면들에서 예시되는 바와 같은 본 발명의 예시적인 실시예들의 다음의 더 상세한 설명으로부터 더 명백해질 것이며, 첨부한 도면들에서, 동일한 참조 문자들은 상이한 도면들 전반에 걸쳐 동일한 파트들을 지칭한다. 도면들은 반드시 실척에 맞는 것은 아니며, 대신, 본 발명의 실시예들을 예시하는 것에 강조가 이루어진다.
[0018] 도 1a 및 도 1b는 각각, 본 발명의 실시예에 따른 용량성 압력 트랜스듀서의 사시도 및 측면도이다.
[0019] 도 2a 및 도 2b는, 본 발명의 실시예의 엘리먼트들을 갖는 압력 트랜스듀서의 전도성 플레이트 전극들의 개략적 도면들이다.
[0020] 도 3a 및 도 3b는, 본 발명의 실시예들에 따른 예시적인 압력 센서의 회로도들이다.
[0021] 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 디젤 엔진의 개략도이다.
[0018] 도 1a 및 도 1b는 각각, 본 발명의 실시예에 따른 용량성 압력 트랜스듀서의 사시도 및 측면도이다.
[0019] 도 2a 및 도 2b는, 본 발명의 실시예의 엘리먼트들을 갖는 압력 트랜스듀서의 전도성 플레이트 전극들의 개략적 도면들이다.
[0020] 도 3a 및 도 3b는, 본 발명의 실시예들에 따른 예시적인 압력 센서의 회로도들이다.
[0021] 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 디젤 엔진의 개략도이다.
[0022] 본 발명의 예시적인 실시예들의 설명이 후속된다.
[0023] 도 1a 및 도 1b는 각각, 본 발명의 실시예에 따른 용량성 압력 트랜스듀서의 실시예의 사시도 및 측면도이다. 용량성 압력 트랜스듀서(100)는, 작은 내부 갭(123)에 의해 분리되는 강성(rigid) 기판(120) 및 플렉서블(flexible) 다이어프램(110)을 포함한다. 갭은, 다이어프램(110)을 기판(120)에 접합(join)시키는데 사용되는 스페이서(130)에 의해 형성된다. 전극 리드들(121, 122)은, 다이어프램(110) 상의 전도성 플레이트 전극(141) 및 기판(120) 상의 전도성 플레이트 전극(142)에 대한 전기적 접속을 제공한다. 전도성 플레이트 전극들(141, 142)은, 도 1b에 도시된 바와 같은 평행 플레이트 커패시터를 형성한다. 다이어프램(110)이 유체에 노출되는 경우, 유체에서의 압력 변화들로 인해 플렉서블 다이어프램(110)의 편향이 발생한다. 전도성 플레이트 전극들(141, 142) 사이의 갭(123) 거리는 다이어프램(110)의 편향에 대한 응답으로 변하고, 평행 플레이트 커패시터의 커패시턴스는 갭(123) 거리의 함수로써 변한다.
[0024] 도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예의 도면들이다. 실시예는, 기판 상의 전극 리드와 다이어프램 상의 전도성 플레이트 전극 사이의 물리적인 전기적 접속을 제거하기 위한 용량성 압력 트랜스듀서 및 동일한 용량성 압력 트랜스듀서에 대응하는 방법들을 가능하게 하며, 감소된 정렬 요건들을 통해 어셈블리를 더 용이하게 하고, 장기적인 내구성 및 신뢰성을 개선한다.
[0025] 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 스페이서(230)를 갖는 기판 어셈블리(201)가 도시된다. 스페이서(230)는, 다이어프램 어셈블리(202)를 기판 어셈블리(201)에 본딩(bond)하여 용량성 압력 트랜스듀서를 형성하고 그리고 강성 기판(220)과 플렉서블 다이어프램(210) 사이에 갭을 제공하도록 구성된다. 스페이서(230)는 일반적으로, 높은 온도에서 퓨징(fuse)되어 기판(220)과 다이어프램(210) 사이에 밀폐형 조인트(air-tight joint)를 생성하는, 유리와 같은 비-전도성 물질이다.
[0026] 기판 어셈블리(201)는, 3개의 전극 리드들(221, 222, 223)을 포함하는 기판(220)을 갖는다.
[0027] 커플링(소스) 전극 리드(221)는, 커플링(소스) 전도성 플레이트 전극(250)에 접속되어, 도 2b의 다이어프램 어셈블리(202)의 다이어프램 전도성 플레이트 전극(241)과 함께 커플링(소스) 커패시터(Cc)를 형성한다.
[0028] 감지 전극 리드(222)는, 기판(220)의 중앙에 배치되는 감지 전도성 플레이트 전극(242)에 접속되고, 도 2b의 동일한 다이어프램 어셈블리(202)의 다이어프램 전도성 플레이트 전극(241)과 함께 가변 압력 감지 커패시터(Cp)를 형성한다.
[0029] 기준 전극 리드(223)는, 기판(220)의 외경(outer diameter)에 근접하게 로케이팅되는 주변 기준 전도성 플레이트 전극(peripheral reference conductive plate electrode)(243)에 접속되어, 도 2b의 다이어프램 전도성 플레이트 전극(241)과 함께 비-가변 기준 커패시터(Cr)를 형성한다.
[0030] 압력 감지 커패시터들(Cx)의 커패시턴스 값들은, 통상적으로 피코패럿(10-12 F)의 범위에서 측정되고, 다음의 수학식에 의해 주어진다.
[0031] 
[0032] 여기서, ε는 갭 내의 매질(일반적으로는 에어(air))의 유전 상수이고, "A"는 중첩(overlapping) 전극들의 면적이며, "d"는 전극들 간의 거리 또는 갭이다.
[0033] 용량성 압력 센서들은, 전극들에 적용되는 시변(time-varying) 또는 교류 전압 또는 전류로 압력 감지 트랜스듀서 전극들을 에너자이징함으로써 작동한다. 커패시터들은 시변 전기 신호들에 대해 저 임피던스 컨덕터들로서 동작한다. 다른 커패시터(Cc)가 압력 감지 커패시터(Cp) 및 기준 커패시터(Cr)와 직렬로 연결될 수 있는데, 부가되는 커패시터(Cc)가 센서 커패시터들(Cp)과 비교하여 현저하게 더 높은 값을 가지면, 결합된 회로가 임피던스 관점에서 전기적으로 보일 총 커패시턴스 값을 현저하게 변경하지 않는다.
[0034] 본 발명의 실시예는, 부가되는 커패시터가 센서 커패시터(Cp)와 비교할 경우 현저하게 더 높은 값을 갖는다고 가정하면, 결합된 회로가 갖는 총 커패시턴스 값을 눈에 띄게 변경함이 없이 커플링 커패시터(Cc)가 Cp 및 Cr 커패시터들과 직렬로 접속되어 물리적 접속을 대체할 수 있다는 원리들을 이용한다. 이것은 다음의 회로 방정식에서 표현된다.
[0035] 
이면, 
.
[0038] 위에 도시된 바와 같이 직렬로 연결된 2개의 커패시터들의 커패시턴스는 다음에 의해 주어진다.
[0039] 
이면, 
.
[0040] 동일한 방정식이 Cr에 적용된다.
[0041] 도 2a 및 도 2b를 계속 참조하면, 다이어프램 전도성 플레이트 전극(241)은, 다이어프램(210) 상의 다이어프램 전도성 플레이트 전극(241)에 대한 물리적 접속을 필요로 함이 없이, 감지 커패시터(Cp) 및 선택적으로는 기준 커패시터(Cr)를 에너자이징하기 위해, 위의 원리를 사용한다. 감지 커패시터(Cp)를 에너자이징하는 것은, Cp 및 Cr 커패시터들과 직렬로 커플링 커패시터(Cc)를 부가함으로써 수행된다. 커플링 전도성 플레이트 전극(250)이 기판(220)에 부가되고, 기판(220) 상의 커플링 전도성 플레이트 전극(250)에 중첩되도록 다이어프램(210) 상의 다이어프램 전도성 플레이트 전극(241)의 직경을 연장함으로써, 제 3 커플링 커패시터(Cc)가 구현된다. 이러한 접근법은, 이러한 접근법이 다이어프램(210) 상의 접촉 패드에 대한 필요성을 제거하기 때문에, 기판(220)에 대한 다이어프램(210)의 로테이션 정렬에 대한 필요성을 제거한다.
[0042] 부가하여, 커플링 전도성 플레이트 전극(250)은 유리 스페이서(230) 아래의 영역에 인쇄(print)될 수 있다. 통상적인 유리 스페이서(230)의 4 내지 10의 유전 상수는, 1.0006인 에어의 유전 상수보다 현저하게 더 높으며, 유리 스페이서의 존재는, 전극들 사이에 부가적인 유전체 물질(예컨대, 유리)의 존재 없이 동일한 커패시터보다 현저하게 더 높은 값을 갖는 커플링 커패시터 Cc를 생성한다. 이것은, 센서 커패시터 Cp 및 기준 커패시터 Cr 둘 모두에 대해서도 해당된다. 커플링 커패시터 Cc에서 유리 스페이서를 사용하는 경우, 커플링 커패시터 Cc 및 직렬 접속된 감지 커패시터 Cp 또는 기준 커패시터 Cr를 관측하는 전자 디바이스에 의해 보여지는 전체 커패시턴스는, 어느 회로가 고려되고 있는지에 의존하여, 오리지널(original) Cp 또는 Cr 커패시턴스에 근접한 전체 회로 커패시턴스이다.
[0043] 도 3a 및 도 3b는, 본 발명의 실시예들에 따른 도 3a 및 도 3b의 용량성 압력 센서의 회로도들이다. 도 3a는, 도 2a 및 도 2b의 용량성 압력 트랜스듀서(201, 202)의 개략도이고, 도 3b는, 다이어프램 전도성 플레이트(341) 전극이 기판 상의 전극 리드들(361, 362, 및 363)로부터 어떻게 물리적으로 분리되는지를 도시하도록 재배열된 도 3a의 도면이다.
[0044] 도 3a에서, 신호 소스(360)는, 전극 리드들(361, 362, 및 363)에 적용되는 시변 또는 교류 전압(또는 교류 전류)(Vm)을 제공한다.
[0045] 신호(Vm)는 100 kHz와 1 MHz 사이에 있을 수 있거나, 또는 이용되고 있는 특정한 커패시턴스 구성에 적용되는 다른 주파수에 있을 수 있다. 신호는, 다이어프램 전도성 플레이트 전극(341)과의 용량성 접속(350)을 통해 제공된다. 커패시터들이 시변 전기 신호들에 대해 저 임피던스 컨덕터들로서 동작하기 때문에, 다이어프램 전도성 플레이트 전극(341)과 센서 전도성 플레이트 전극(342) 사이의 커패시턴스(즉, Cp 커패시터)에서의 변화가 측정될 수 있다.
[0046] 도 3a 및 도 3b를 계속 참조하면, 기준 커패시터(Cr 커패시터)는, 다이어프램 전도성 플레이트 전극(341)과 기준 전도성 플레이트 전극(343) 사이에 형성되고, 당업계에 알려져 있는 바와 같이, Cc 및 Cp 커패시터들 둘 모두에 영향을 미치는 전자기 간섭 또는 온도 효과들을 정정하기 위해 포함될 수 있고, 그리고 그러한 것들을 정정하도록 구성될 수 있거나 또는 사용될 수 있다. 용량성 접속(350)으로 인한 임의의 신호 이득 손실은, Cc 및 Cp 커패시터들의 커패시턴스의 함수로써 증가된 이득을 출력 신호(362)에 제공하는 신호 컨디셔너(361)에 의해 정정될 수 있다. 이득 함수가 증가함에 따른 잡음 증가는 대단하지 않으며, 용량성으로 커플링된 소스 전극을 갖는 압력 트랜스듀서의 감소된 제조의 이점 및 증가된 신뢰도의 이점이 감지 신호의 잡음에서의 임의의 경미한 증가보다 선호된다.
[0047] 도 4는, 본 발명의 실시예들에 따른 도 2a 및 도 2b의 압력 트랜스듀서를 갖는 디젤 내부 연소 엔진(400)의 도면이다. 본 발명의 특성들은, 다이어프램 및 기판을 포함하고 그리고 기판 및 다이어프램 상에서 하나 또는 그 초과의 전극들을 사용하는 임의의 용량성 압력 센서에 적용된다. 이들과 같은 용량성 압력 센서들은, 자동차, 항공우주, 공업, 의료, 및 다른 애플리케이션들에서 사용된다. 용량성 압력 센서들에 대한 통상적인 애플리케이션은 디젤 엔진(400)에서이며, 여기서, 본 발명의 실시예들을 갖는 용량성 압력 센서(410)로부터의 압력 신호(411)는 엔진의 동작 유체(working fluid)(413)의 압력을 측정하는데 사용된다.
[0048] 도 4에서, 용량성 압력 센서(410)는 배기 다지관(manifold)(420)과 유체 연통(fluid communication)한다. 용량성 압력 센서(410)는 압력 신호(411)(통상적으로 0.5 볼트 내지 4.5 볼트 사이에 있음)를 엔진 제어기(499)에 제공한다. 엔진 제어기(499)는, 스로틀(throttle) 서브시스템(402)과의 전기 통신(401)을 제어하기 위한 피드백으로서 압력 신호(411)를 사용한다.
[0049] 용량성 압력 센서(410)에서의 세라믹 다이어프램의 사용은, 다이어프램을 보호하기 위한 용량성 압력 센서(410)에서의 압력-전달 유체, 이를테면 오일을 필요로 함이 없이, 용량성 압력 센서(410)의 용량성 트랜스듀서가 배기 다지관(420)에서의 유체(413)와 직접적으로 압력 소통하는 것을 허용한다.
[0050] 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 본 발명이 구체적으로 도시되고 설명되었지만, 첨부된 청구항들에 의해 포괄되는 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 예시적인 실시예들에서 형태들 및 세부사항들의 다양한 변경들이 이루어진다는 것이 당업자들에 의해 이해될 것이다.
Claims (20)
- 용량성 압력 트랜스듀서(capacitive pressure transducer)로서,
상부에 커플링(coupling) 전극 및 감지 전극을 갖는 기판;
상부에 다이어프램(diaphragm) 전극을 갖는 다이어프램;
상기 기판과 상기 다이어프램 사이에 포지셔닝(position)되는 스페이서(spacer)를 포함하며,
상기 스페이서는, 상기 커플링 전극과 상기 다이어프램 전극 사이 및 상기 감지 전극과 상기 다이어프램 전극 사이의 갭(gap)을 포함하는 캐비티(cavity)를 제공하고,
상기 커플링 전극 및 상기 다이어프램 전극은 커플링 커패시턴스를 정의하고, 상기 감지 전극 및 상기 다이어프램 전극은 감지 커패시턴스를 정의하며,
상기 다이어프램 상에서의 압력 변화는 상기 감지 커패시턴스에서 대응하는 변화를 야기하는, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 1 항에 있어서,
상기 커플링 전극 및 상기 감지 전극은 동심형(concentric)인, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 2 항에 있어서,
상기 커플링 전극은 상기 감지 전극의 외부에 배열되는, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 1 항에 있어서,
상기 스페이서는 추가로, 상기 커플링 전극 위에(over) 포지셔닝되는, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 4 항에 있어서,
상기 스페이서는 유전적으로(dielectrically) 안정한 물질로 이루어지는, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 1 항에 있어서,
상기 커플링 전극 위에 배치되는 유전체 물질을 더 포함하는, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 1 항에 있어서,
상기 커플링 전극, 상기 다이어프램 전극, 및 상기 감지 전극은 각각, 직렬 커패시터 회로를 형성하며,
상기 직렬 커패시터 회로는 상기 감지 커패시턴스와 거의 동일한 등가 커패시턴스를 갖는, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 1 항에 있어서,
상기 커플링 커패시턴스는 상기 감지 커패시턴스보다 적어도 3배 더 큰, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 1 항에 있어서,
상기 커플링 커패시턴스는 상기 감지 커패시턴스보다 적어도 5배 더 큰, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 1 항에 있어서,
상기 다이어프램 전극은, 상기 기판 상의 전극과, 물리적으로 전기적 전도성인 접촉을 하고 있지 않은, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 1 항에 있어서,
상기 다이어프램 전극은, 상기 감지 전극 및 상기 커플링 전극과 물리적으로 전기적 접촉을 하고 있지 않은, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 1 항에 있어서,
상기 커플링 전극과 변조된(modulated) 신호 소스(AC)가 전기 통신하고,
상기 변조된 신호 소스는 상기 다이어프램 전극을 용량성으로 에너자이징(energize)하는, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 12 항에 있어서,
상기 변조된 신호 소스는 100 kHz 내지 1 Mhz 사이의 AC 신호를 출력하는, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 1 항에 있어서,
상기 감지 전극과 신호 컨디셔너(conditioner)가 전기 통신하는, 용량성 압력 트랜스듀서. - 제 14 항에 있어서,
상기 신호 컨디셔너는, 상기 다이어프램 전극의 물리적 접촉 에너자이징과 비교하여 상기 다이어프램 전극의 용량성 에너자이징으로 인한 민감도에서의 손실을 보상하기 위해, 상기 감지 전극으로부터 수신되는 감지 신호에 적용되는 이득을 증가시키는, 용량성 압력 트랜스듀서. - 압력을 트랜스듀싱(transduce)하는 방법으로서,
커플링 전극 및 다이어프램 전극을 용량성으로 커플링시키는 단계 ― 상기 커플링 전극 및 상기 다이어프램 전극은, 커플링 커패시턴스를 갖는 커플링 커패시터를 정의함 ―;
감지 전극 및 상기 다이어프램 전극을 용량성으로 커플링시키는 단계 ― 상기 감지 전극 및 상기 다이어프램 전극은, 감지 용량성을 갖는 감지 커패시터를 정의함 ―;
상기 다이어프램 전극을 갖는 다이어프램과 압력 소통(pressure communication)하는 유체와 연관된 압력 변화들에 대한 응답으로 상기 다이어프램을 편향시키는 단계; 및
다이어프램 편향의 함수로써 감지 커패시턴스를 변조하는 단계를 포함하는, 압력을 트랜스듀싱하는 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 유체와 연관된 압력 변화들에 대한 응답으로 상기 다이어프램을 편향시키는 단계는,
기판으로부터 떨어진 상기 다이어프램의 간격을 스페이서로 유지하는 단계 ― 상기 스페이서는, 상기 다이어프램의 내부 표면과 상기 기판 사이의 갭 거리를 정의함 ―; 및
상기 유체와 연관된 압력 변화들에 대한 응답으로 상기 갭 거리를 변경하는 단계를 포함하는, 압력을 트랜스듀싱하는 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 기판으로부터 떨어진 상기 다이어프램의 간격을 스페이서로 유지하는 단계는, 유전체 물질로 이루어지는 스페이서로 상기 커플링 커패시턴스를 증가시키는 단계를 더 포함하는, 압력을 트랜스듀싱하는 방법. - 제 16 항에 있어서,
직렬 커패시터 회로를 통해 상기 감지 전극을 에너자이징하는 단계를 더 포함하며,
상기 직렬 커패시터 회로는 커플링 커패시터 및 감지 커패시터를 포함하고, 상기 직렬 커패시터 회로는 상기 감지 커패시턴스와 거의 동일한 등가 커패시턴스를 갖는, 압력을 트랜스듀싱하는 방법. - 용량성 압력 트랜스듀서를 제조하는 방법으로서,
커플링 전극 및 감지 전극을 기판의 표면에 부착(affix)하는 단계;
다이어프램 전극을 다이어프램의 내측 표면에 부착하는 단계;
상기 다이어프램의 내측 표면 및 상기 기판에 스페이서를 부착하는 단계 ― 상기 스페이서는, 상기 기판으로부터 떨어진 상기 다이어프램의 간격을 유지하고, 상기 다이어프램의 내부 표면과 상기 기판 사이의 갭 거리를 정의함 ―;
상기 감지 전극 및 상기 다이어프램 전극으로 감지 커패시터를 형성하는 단계;
상기 커플링 전극 및 상기 다이어프램 전극으로 커플링 커패시터를 형성하는 단계; 및
상기 감지 커패시터 및 상기 커플링 커패시터로 직렬 커패시터 회로를 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
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