KR20160103584A

KR20160103584A - Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: KR20160103584A
Application number: KR1020150025810A
Authority: KR
Inventors: 전수근; 백승호; 이혜지
Original assignee: 주식회사 세미콘라이트
Priority date: 2015-02-24
Filing date: 2015-02-24
Publication date: 2016-09-02
Also published as: KR101663128B1

Abstract

The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same. The semiconductor light emitting device includes a semiconductor light emitting part which generates light by the recombination of electrons and holes; at least one electrode which is electrically connected to the semiconductor light emitting part; and a sealing material which surrounds the semiconductor light emitting part to expose the at least one electrode and transmits light, and has an identification part to distinguish the direction of the semiconductor light emitting part. So, a heat radiation area can be increased.

Description

Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and a method of manufacturing the same,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자, 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 특히 칩 스케일(chip scale)의 반도체 발광소자, 및 이의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates generally to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor light emitting device having a chip scale and a method of manufacturing the same.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The Group III nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

반도체 발광소자(semiconductor light emitting device)는 에피(EPI) 공정, 칩 형성(Fabrication) 공정 및 패키지(Package) 공정 등을 거쳐 제조된다.BACKGROUND ART Semiconductor light emitting devices are manufactured through an EPI process, a chip forming process, and a package process.

도 1은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 LED의 일 예를 나타내는 도면으로서, LED는 성장 기판(100)에 복수의 반도체층(300,400,500)이 순차로 증착되어 있다. 제2 반도체층(500) 위에 금속 반사막(950)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 전극(800)이 형성되어 있다. 봉지재(1000)는 형광체를 함유하며, 성장 기판(100) 및 반도체층(300,400,500)을 둘러싸도록 형성된다. LED는 전기적 콘택(820,960)이 구비된 기판(1200)에 도전성 접착제(830,970)에 의해 접합된다.FIG. 1 is a diagram illustrating an example of an LED shown in U.S. Patent No. 6,650,044. In an LED, a plurality of semiconductor layers 300, 400, and 500 are sequentially deposited on a growth substrate 100. A metal reflection film 950 is formed on the second semiconductor layer 500 and an electrode 800 is formed on the exposed first semiconductor layer 300. The encapsulant 1000 contains a phosphor and is formed so as to surround the growth substrate 100 and the semiconductor layers 300, 400 and 500. The LEDs are bonded to the substrate 1200 having the electrical contacts 820 and 960 by conductive adhesives 830 and 970.

도 2는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 기판(1200) 위에 복수의 LED(2A-2F)를 배치한다. 기판(1200)은 실리콘으로 이루어지며, 각 LED의 성장 기판(100; 도 1 참조)은 사파이어 또는 실리콘 카바이드로 이루어진다. 기판(1200)에는 전기적 콘택(820,960; 도 1 참조)이 형성되어 있고, 각 LED는 전기적 콘택(820,960)에 접합된다. 이후, 각 LED에 대응하는 개구(8A-8F)가 형성된 스텐실(6)을 기판(1200)에 구비한 후, 전기적 콘택(820,960)의 일부가 노출되도록 봉지재(1000; 도 1 참조)를 형성한다. 이후, 스텐실(6)을 제거하고, 큐어링 공정을 수행한 후에, 기판(1200)을 쏘잉(sawing) 또는, 스크라이빙(scribing)해서 개별 반도체 발광소자로 분리한다.FIG. 2 is a view showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044. First, a plurality of LEDs 2A-2F are arranged on a substrate 1200. The substrate 1200 is made of silicon, and the growth substrate 100 (see FIG. 1) of each LED is made of sapphire or silicon carbide. Electrical contacts 820 and 960 (see FIG. 1) are formed on the substrate 1200, and each LED is bonded to the electrical contacts 820 and 960. After the stencil 6 having openings 8A-8F corresponding to the respective LEDs is formed on the substrate 1200, a sealing material 1000 (see FIG. 1) is formed to expose a part of the electrical contacts 820 and 960 do. After the stencil 6 is removed and the curing process is performed, the substrate 1200 is sawed or scribed and separated into individual semiconductor light emitting devices.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부; 반도체 발광부에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 전극; 그리고 적어도 하나의 전극이 노출되도록 반도체 발광부를 둘러싸며, 빛이 투과하는 봉지재;로서, 반도체 발광부의 방향을 구분할 수 있도록 식별부가 형성된 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor light emitting device including: a semiconductor light emitting portion that generates light by recombination of electrons and holes; At least one electrode electrically connected to the semiconductor light emitting portion; And a sealing material surrounding the semiconductor light emitting portion so that at least one electrode is exposed, the sealing material being transparent to light, wherein the sealing material has an identification portion for distinguishing the direction of the semiconductor light emitting portion .

본 개시에 따른 다른 하나의 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 베이스 위에 개구가 형성된 댐과 개구로 노출된 베이스 위에, 반도체 발광칩(semiconductor light emitting chip)을 구비하는 단계;로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부와, 반도체 발광부에 각각 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 반도체 발광칩을 개구에 구비하는 단계; 그리고 제1 전극 및 제2 전극이 노출되도록 반도체 발광부를 둘러싸는 봉지재를 개구에 형성하는 단계;로서, 제1 전극 측 및 제2 전극 측을 구분할 수 있도록, 식별부가 형성된 봉지재를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising the steps of: forming a semiconductor light emitting chip on a base exposed through a dam and an opening, emitting semiconductor chip including a semiconductor light emitting chip having a first electrode and a second electrode electrically connected to the semiconductor light emitting portion, ; Forming an encapsulating material surrounding the semiconductor light emitting portion in the opening so that the first electrode and the second electrode are exposed; forming an encapsulating material having an identification portion so as to distinguish the first electrode side and the second electrode side; The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present invention includes the steps of:

도 1은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자(100)의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면,
도 6 내지 도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 예들을 설명하기 위한 도면들,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 10 및 도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면들,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044,
2 is a view showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044,
3 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
4 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view for explaining still another example of the semiconductor light emitting device 100 according to the present disclosure,
6 to 8 are views for explaining examples of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view for explaining another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method of manufacturing the same,
10 and 11 are views for explaining still another example of a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same according to the present disclosure,
12 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 반도체 발광소자(100)는 반도체 발광칩(101), 및 봉지재(180)를 포함한다. 반도체 발광칩(101)은 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부(105; 도 3c 참조)와, 반도체 발광부(105)에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 전극(80,70)을 포함한다. 봉지재(180)는 적어도 하나의 전극(80,70)이 노출되도록 반도체 발광부(105)를 둘러싼다. 반도체 발광칩(101)의 방향을 구분할 수 있도록, 봉지재(180)에는 식별부(C1,C2,C11,C22)가 형성되어 있다. 식별부(C1,C2,C11,C22)는 봉지재(180)의 윤곽(outline)의 일부로서, 식별부(C1,C2,C11,C22)는 봉지재(180)의 윤곽의 나머지와 다른 형상을 가진다. 봉지재(180)는 투명한 재질(예: 실리콘)이거나, 투명한 재질에 형광체가 함유될 수 있다.FIG. 3 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. The semiconductor light emitting device 100 includes a semiconductor light emitting chip 101 and an encapsulating material 180. The semiconductor light emitting chip 101 includes a semiconductor light emitting portion 105 (see FIG. 3C) that generates light by recombination of electrons and holes and at least one electrode 80 and 70 electrically connected to the semiconductor light emitting portion 105 . The encapsulant 180 surrounds the semiconductor light emitting portion 105 so that at least one electrode 80, 70 is exposed. Identifiers C1, C2, C11 and C22 are formed on the sealing material 180 so that the semiconductor light emitting chip 101 can be distinguished from each other. The identification portions C1, C2, C11 and C22 are part of the outline of the sealing material 180, and the identification portions C1, C2, C11 and C22 are different from the rest of the contour of the sealing material 180 . The encapsulant 180 may be a transparent material (e.g., silicon) or may include a phosphor in a transparent material.

본 예에서, 반도체 발광칩(101)은 플립 칩 소자(도 3c 참조)로서, 반도체 발광부(105)는 성장 기판(10), 복수의 반도체층(30,40,50), 및 광반사층(R)을 포함하며, 2개의 전극(80,70)은 광반사층(R) 위에 위치한다. 본 개시에서 반도체 발광칩(101)은 플립칩에 한정되지 않으며, 레터럴칩(lateral chip)이나 수직형칩(vertical chip)도 사용가능하다. In this example, the semiconductor light emitting chip 101 is a flip chip element (see FIG. 3C), and the semiconductor light emitting portion 105 includes a growth substrate 10, a plurality of semiconductor layers 30, 40, 50, R), and the two electrodes 80, 70 are located on the light reflection layer R. [ In the present disclosure, the semiconductor light emitting chip 101 is not limited to a flip chip, and a lateral chip or a vertical chip can be used.

3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들면, 성장 기판(10)으로 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 성장 기판(10)은 최종적으로 제거될 수도 있다. 복수의 반도체층(30,40,50)은 성장 기판(10) 위에 형성된 버퍼층(도시되지 않음), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: Mg 도핑된 GaN) 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예: InGaN/(In)GaN 다중양자우물구조)을 포함한다. 복수의 반도체층(30,40,50) 각각은 다층으로 이루어질 수 있고, 버퍼층은 생략될 수 있다. 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다.As an example of the III-nitride semiconductor light emitting device, sapphire, SiC, Si, GaN or the like is mainly used as the growth substrate 10, and the growth substrate 10 may be finally removed. The plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may include a buffer layer (not shown) formed on the growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity (e.g., Si-doped GaN) A second semiconductor layer 50 (e.g., Mg-doped GaN) having another second conductivity, and a second semiconductor layer 50 interposed between the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 to generate light through recombination of electrons and holes. An active layer 40 (e.g., InGaN / (In) GaN multiple quantum well structure). Each of the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may have a multi-layer structure, and the buffer layer may be omitted. The positions of the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 may be changed, and they are mainly composed of GaN in the III-nitride semiconductor light emitting device.

제1 전극(80)은 제1 반도체층(30)과 전기적으로 연통되어 전자를 공급한다. 제2 전극(70)은 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연통되어 정공을 공급한다. 도 4a에 제시된 바와 같이, 제2 반도체층(50)과 전극(70,80) 사이에는 광반사층(R)이 개재되며, 제2 반도체층(50)과 광반사층(R) 사이에는 투광성 도전막(60)이 개재될 수 있다. 광반사층(R)은 SiO₂와 같은 절연층, DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni-Directional Reflector)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 다른 예로서, 제2 반도체층(50) 위에 금속 반사막이 구비되고, 전극(70)이 금속 반사막 위에 구비되며, 메사식각으로 노출된 제1 반도체층(50)과 다른 전극(80)이 연통될 수 있다. The first electrode (80) is in electrical communication with the first semiconductor layer (30) to supply electrons. The second electrode 70 is in electrical communication with the second semiconductor layer 50 to supply holes. 4A, a light reflection layer R is interposed between the second semiconductor layer 50 and the electrodes 70 and 80, and a transparent conductive film R is formed between the second semiconductor layer 50 and the light reflection layer R. [ (60) may be interposed. The light reflection layer R may have a multilayer structure including an insulating layer such as SiO ₂ , a DBR (Distributed Bragg Reflector), or an ODR (Omni-Directional Reflector). As another example, a metal reflection film is provided on the second semiconductor layer 50, an electrode 70 is provided on the metal reflection film, and the first semiconductor layer 50 exposed by the mesa etching is in communication with the other electrode 80 .

본 예에서, 반도체 발광소자(100)는 봉지재(180)에 형성된 식별부(C1,C2,C11,C22)로부터 제1 전극(80) 측과 제2 전극(70) 측을 구분할 수 있다. 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)의 반대 측에서 볼 때, 도 3b에 제시된 바와 같이, 봉지재(180)는 4개의 모퉁이(a plurality of corners; C1,C2,C3,C4)를 가진다. In this example, the semiconductor light emitting device 100 can distinguish the first electrode 80 side from the second electrode 70 side from the identification portions C1, C2, C11, and C22 formed on the sealing member 180. [ 3C, the encapsulant 180 has a plurality of corners C1, C2, C3 and C4, as viewed from the opposite side of the first electrode 80 and the second electrode 70. In this case, .

본 예에서 식별부(C1,C2,C11,C22)는 적어도 하나의 모퉁이(C1,C2,C11,C22)로서, 제1 전극(80) 측 및 제2 전극(70) 측을 구분할 수 있도록, 2개의 모퉁이(C1,C2)가 나머지 2개의 모퉁이(C3,C4)와 다른 윤곽을 가지도록 형성된다. 2개의 모퉁이(C1,C2)는 라운드진(rounded) 윤곽을 가지며, 나머지 모퉁이(C3,C4)는 각진(angulated) 윤곽을 가진다. 라운드진 모퉁이(C1,C2)는 제1 전극(80) 측에 대응하고, 각진 모퉁이(C3,C4)는 제2 전극(70) 측에 대응한다. 따라서 도 3b와 같이 평면도로 볼 때, 봉지재(180)의 형상 또는 윤곽만으로 제1 전극(80)과 제2 전극(70)의 방향을 구분할 수 있다. 본 예에서, 도 3d에 제시된 바와 같이, 전극(80,70) 측에서 볼 때에도 봉지재(180)는 2개의 라운드진 모퉁이(C11,C22)와, 2개의 각진 모퉁이(C33,C44)를 가진다. 따라서, 봉지재(180)의 형상 또는 윤곽만으로도 제1 전극(80) 측 및 제2 전극(70) 측의 방향을 구분할 수 있다. In this example, the identification portions C1, C2, C11, and C22 are at least one corner (C1, C2, C11, C22), and the first electrode 80 side and the second electrode 70 side, The two corners C1 and C2 are formed to have a different contour from the other two corners C3 and C4. The two corners (C1, C2) have a rounded contour and the remaining corners (C3, C4) have an angled contour. The rounded corners C1 and C2 correspond to the first electrode 80 side and the angled corners C3 and C4 correspond to the second electrode 70 side. Therefore, the first electrode 80 and the second electrode 70 can be distinguished from each other only by the shape or outline of the sealing material 180 in plan view as shown in FIG. 3B. In this example, as shown in Fig. 3D, the sealant 180 also has two rounded corners C11 and C22 and two angled corners C33 and C44 when viewed from the electrodes 80 and 70 side . Therefore, the first electrode 80 side and the second electrode 70 side can be distinguished from each other only by the shape or outline of the sealing material 180. [

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 반도체 발광소자(100)는 반도체 발광부(105), 전극(80,70), 및 봉지재(180)를 포함한다. 본 예에서, 식별부(181)는 봉지재(180)에 형성된 적어도 하나의 홈(181)이다. 제1 전극(80) 측 및 제2 전극(70) 측을 구분할 수 있도록, 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)의 반대 측에서 볼 때, 봉지재(180)에는 적어도 하나의 홈(181)이 형성된다. 전극(80,70)의 반대 측에서 볼 때, 봉지재(180)는 복수의 변을 가지며, 홈(181)은 복수의 변 중 적어도 하나의 변에 형성된다. 본 예에서, 도 4b에 제시된 바와 같이, 하나의 변에 홈(181)이 형성되어 있고, 측면을 따라 홈(181)이 연장되어 있다. 도 4d에 제시된 바와 같이, 홈(181)은 제1 전극(80)과 제2 전극(70) 중 어느 하나에 더 가깝게 형성된다. 4 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. The semiconductor light emitting device 100 includes a semiconductor light emitting portion 105, electrodes 80 and 70, and an encapsulant 180 . In this example, the identification portion 181 is at least one groove 181 formed in the encapsulant 180. The sealing member 180 is provided with at least one groove 80 on the opposite side of the first electrode 80 and the second electrode 70 so that the first electrode 80 side and the second electrode 70 side can be distinguished from each other. (181) are formed. Seen from the opposite side of the electrodes 80 and 70, the sealing material 180 has a plurality of sides, and the grooves 181 are formed on at least one side of the plurality of sides. In this example, as shown in Fig. 4B, a groove 181 is formed on one side, and a groove 181 extends along the side. As shown in FIG. 4D, the groove 181 is formed closer to either the first electrode 80 or the second electrode 70.

따라서, 도 4e를 참조하면, 기판(1)에 실장된 복수의 반도체 발광소자(100)의 봉지재(180)의 형상을 보면 제1 전극(80)과 제2 전극(70)이 올바르게 실장되었는지, 또는 외부 전극이나 검사용 전극에 올바른 방향으로 접촉되었는지 쉽게 확인할 수 있다. 도 4e에서 점선 원으로 표시된 반도체 발광소자(100)는 제1 전극(80)과 제2 전극(70)이 반대로 실장된 것을 봉지재(180) 형상을 보고 알 수 있다.4E, the shape of the encapsulant 180 of the plurality of semiconductor light emitting devices 100 mounted on the substrate 1 shows that the first electrode 80 and the second electrode 70 are correctly mounted , Or whether it is in contact with the external electrode or the test electrode in the correct direction. The semiconductor light emitting device 100 shown in a dotted circle in FIG. 4E can be seen from the shape of the encapsulant 180 that the first electrode 80 and the second electrode 70 are reversely mounted.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면으로서, 제1 전극(80) 측과 제2 전극(70) 측을 구분하기 위해, 봉지재(180)의 복수의 모서리 중에서 도 5a와 같이 하나의 모퉁이(C2; 식별부)만 라운드진 형상을 가지거나, 도 5b와 같이 하나의 모퉁이(C2; 식별부)가 인근의 변과 각도를 이루는 선형으로 형성되거나, 도 5c에 제시된 바와 같이, 하나의 모퉁이(C2; 식별부)가 오목한 윤곽을 가지고 나머지 모퉁이들이 각진 형상을 가질 수 있다. 또한, 도 5d에 제시된 바와 같이, 하나의 장변에 라운드진 홈(181; 식별부) 및 돌기(183; 식별부)가 형성되거나, 도 5e와 같이 하나의 단변에 라운드진 홈(181; 식별부)이 형성되거나, 도 5f에 제시된 바와 같이, 장변에 볼록한 돌기(183; 식별부)가 형성될 수 있다. 5 is a view for explaining still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. In order to distinguish the side of the first electrode 80 from the side of the second electrode 70, Only one corner (C2) (identification part) has a rounded shape as shown in FIG. 5A, or one corner (C2) (identification part) has a linear shape as shown in FIG. 5B, , One corner (C2) can have a concave contour, and the remaining corners can have an angular shape, as shown in Fig. 5D, a rounded groove 181 (identification part) and a projection 183 (identification part) are formed on one long side, or rounded grooves 181 (an identification part) are formed on one short side as shown in FIG. 5E , Or a convex projection 183 (identification part) may be formed on the long side as shown in FIG. 5F.

도 6 내지 도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 예들을 설명하기 위한 도면들로서, 반도체 발광소자(100)의 제조방법에 있어서, 먼저, 도 6a에 제시된 바와 같이, 베이스(201) 위에 개구(305)가 형성된 댐(301; 마스크)을 구비한다. 베이스(201)는 플렉시블한 테이프이거나 필름이거나 딱딱한 플레이트일 수 있다. 댐(301)으로는 Al, Cu, Ag, Cu-Al 합금, Cu-Ag 합금, Cu-Au 합금, SUS(스테인리스스틸) 등이 사용될 수 있으며, 도금된 부재 또는 표면에 막이 형성된 부재도 물론 사용 가능하다. 댐(301)은 비금속일 수도 있으며, 예를 들어, 플라스틱이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광반사율을 선택할 수 있다. 댐(301)에 형성되는 개구(305)는 다양하게 변경이 가능하다. 즉, 도 3 내지 도 5에서 설명된 봉지재(180)의 윤곽 또는 형상에 대응하도록 개구(305)가 형성될 수 있다. 6 to 8 are diagrams for explaining examples of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. In the method for manufacturing the semiconductor light emitting device 100, first, as shown in FIG. 6A, And a dam 301 (mask) on which an opening 305 is formed. The base 201 may be a flexible tape, a film, or a rigid plate. The dam 301 may be made of Al, Cu, Ag, Cu-Al alloy, Cu-Ag alloy, Cu-Au alloy or SUS (stainless steel) It is possible. The dam 301 may be a non-metal, for example, plastic may be used, and various colors or light reflectance may be selected. The openings 305 formed in the dam 301 can be variously changed. That is, the opening 305 may be formed so as to correspond to the contour or shape of the encapsulant 180 described in Figs. 3 to 5.

베이스(201) 자체로 접착성 또는 점착성을 가지는 테이프로서 댐(301)에 접착될 수 있다. 또는, 도 7b에 제시된 바와 같이, 클램프(503)를 사용하여 외력에 의해 베이스(201)와 댐(301)을 간편하게 접촉 및 분리시킬 수 있다. The base 201 itself can be adhered to the dam 301 as a tape having adhesiveness or adhesiveness. Alternatively, as shown in Fig. 7B, the base 201 and the dam 301 can be easily brought into contact with and separated from each other by an external force using the clamp 503.

이후, 개구(305)로 노출된 베이스(201) 위에 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)이 베이스(201)를 향하도록 반도체 발광칩(101)을 구비한다. 예를 들어, 도 7c에 제시된 바와 같이, 소자 이송장치(501)는 고정부(13; 예: 테이프) 위의 각 반도체 발광칩(101)을 전기적 흡착 또는 진공 흡착 방식으로 픽업(pick-up)하여, 도 6b, 및 도 7d와 같이, 댐(301)의 개구(305)로 노출된 베이스(201) 위에 놓는다. 소자 이송장치(501)는 빈 곳(14; 도 7c 참조)을 인식하고 다음 위치의 반도체 발광칩(101)을 픽업할 수 있다. 소자 이송장치(501)의 일 예로, 다이본더와 유사하게, 패턴 또는 형상을 인식하며, 이송할 위치나 대상물의 각도를 보정할 수 있는 장치라면 그 명칭에 무관하게 사용 가능할 것이다.The semiconductor light emitting chip 101 is provided so that the first electrode 80 and the second electrode 70 face the base 201 on the base 201 exposed to the opening 305. 7C, the element transferring apparatus 501 picks up each semiconductor light emitting chip 101 on the fixing portion 13 (e.g., tape) by electro-absorption or vacuum adsorption, And is placed on the base 201 exposed to the opening 305 of the dam 301, as shown in Figs. 6B and 7D. The element transferring apparatus 501 can recognize the empty space 14 (see FIG. 7C) and pick up the semiconductor light emitting chip 101 at the next position. As an example of the device transferring apparatus 501, a device capable of recognizing a pattern or a shape and correcting the position to be transferred or the angle of the object, similar to the die bonder, may be used irrespective of the name.

예를 들어, 베이스(201)와 댐(301)은 광반사율에 차이가 있도록 재질이나 색상이 선택되거나, 표면이 처리될 수도 있다. 소자 이송장치(501)는 카메라나 광학센서 등을 이용하여, 댐(301)과 베이스(201)의 명암의 차이, 광반사율 차이 또는, 반사광의 차이를 감지하거나, 전극(80,70)의 패턴(예: 전극 분리선), 개구(305)의 형상 및 위치를 인식할 수 있다. 이에 의해 소자 이송장치(501)는 반도체 발광칩(1)의 위치나 각도를 보정할 수 있고, 개구(305)로 인한 댐(301)의 면, 에지, 및 점 중 적어도 하나로부터 지시된 거리 또는 좌표에 해당하는 베이스(201) 상의 위치에 반도체 발광부(105)를 놓을 수 있다. 특히, 도 6에 제시된 예에서는 개구(305)의 모퉁이들 중 일부(예: C1, C2)가 나머지(예: C3,C4)와 다른 형상을 가지므로, 소자 이송장치(501)개구(305)의 모퉁이 형상을 인식하여 반도체 발광칩(101)의 각도나 위치를 보정하여 베이스(201)에 놓을 수 있다.For example, the base 201 and the dam 301 may be made of materials or colors so that there is a difference in light reflectance, or the surface may be treated. The element transferring apparatus 501 can detect the difference in light and darkness of the dam 301 and the base 201 or the difference in light reflectance or the difference in the reflected light by using a camera or an optical sensor, (For example, an electrode separation line) and the shape and position of the opening 305 can be recognized. The element transferring apparatus 501 can correct the position or angle of the semiconductor light emitting chip 1 and can control the distance or the distance indicated from at least one of the face, edge and point of the dam 301 due to the opening 305, The semiconductor light emitting portion 105 may be placed at a position on the base 201 corresponding to the coordinates. 6, since some of the corners (e.g., C1 and C2) of the opening 305 have shapes different from the others (for example, C3 and C4), the opening 305 of the element transfer apparatus 501, So that the angle and position of the semiconductor light emitting chip 101 can be corrected and placed on the base 201.

도 8은 댐의 개구의 다른 예들을 설명하기 위한 도면으로서, 도 8a에 제시된 바와 같이, 개구(305)로 인한 댐(301)의 측면(307)에 봉지재(180)의 홈(181; 도 4a 참조)에 대응하는 돌기(308)가 형성될 수 있다. 또는, 도 8b에 제시된 바와 같이, 개구의 모퉁이(C2)가 선형으로 형성될 수도 있다. 이와 같이, 개구의 형상을 따라 봉지재(180)의 형상이 결정되므로 개구의 형상을 다양하게 변경하여 봉지재(180)의 형상을 만들 수 있다. 개구(305)의 돌기(308)나 모퉁이 형상(예: C2)이 반도체 발광칩(101)의 방향, 각도, 위치 등을 가이드하는 데에 사용될 수 있음은 물론이다.8 is a view for explaining another example of the opening of the dam. As shown in Fig. 8A, a groove 181 (see Fig. 8A) of the sealing material 180 is formed on the side surface 307 of the dam 301 due to the opening 305 4A) may be formed on the outer circumferential surface of the protrusion 308. Alternatively, as shown in Fig. 8B, the corner C2 of the opening may be formed linearly. Since the shape of the sealing material 180 is determined along the shape of the opening, the shape of the sealing material 180 can be formed by variously changing the shape of the opening. It is needless to say that the protrusion 308 or the corner shape (for example, C2) of the opening 305 can be used to guide the direction, angle, position, and the like of the semiconductor light emitting chip 101.

개구(305)에 투명 실리콘 또는 형광체를 함유한 수지 또는 실리콘을 개구(305)에 도팅하거나 프린팅하는 방법으로 봉지재(180)를 형성한다. 이후, 댐(301)으로부터 반도체 발광소자(100)를 분리할 수 있다.The encapsulant 180 is formed by dipping or printing a resin or silicon containing transparent silicon or a fluorescent material in the opening 305 to the opening 305. Thereafter, the semiconductor light emitting device 100 can be separated from the dam 301.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 도 9a에 제시된 바와 같이, 개구(305)에 반도체 발광칩(101)을 구비한 후에 개구(305)에 봉지재(180)를 형성한다. 평면도로 볼 때, 개구(305)의 형상은 도 3 내지 도5에서 설명된 봉지재(180)의 평면도로 볼 때 형상과 대응할 수 있다. 측면으로 볼 때 도 9에 제시된 바와 같이, 개구(305)로 인한 측면(307)의 하단은 라운드진 형상을 가져서 이후 개구(305)에 형성될 봉지재(180)의 모퉁이(C11,C22)가 라운드지게 형성되어 측면에서도 제1 전극(80) 측과 제2 전극(70) 측을 구분할 수 있다.9A to 9C are views for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method of manufacturing the same. The semiconductor light emitting chip 101 is provided in the opening 305, The sealing material 180 is formed. In the plan view, the shape of the opening 305 may correspond to the shape in plan view of the encapsulant 180 illustrated in Figs. 3-5. 9, the lower ends of the side surfaces 307 due to the openings 305 have a rounded shape so that the corners C11 and C22 of the encapsulant 180 to be formed in the openings 305 thereafter So that the first electrode 80 side and the second electrode 70 side can be distinguished from the side surface.

봉지재(180)는 도 9b에 제시된 바와 같이, 전극(80,70)을 노출하도록 반도체 발광부(105)를 둘러싼다. 이후, 봉지재(180)를 큐어링한 후에 도 9d에 제시된 바와 같이, 반도체 발광부(105), 전극(80,70), 및 봉지재(180)를 포함하는 반도체 발광소자(100)를 베이스(201) 및 댐(301)과 분리할 수 있다. 바(bar)로 전극(80,70) 측으로부터 반도체 발광소자(100)를 밀어내거나, 도 9d에 제시된 바와 같이, 양각 패턴(1007)이 형성된 판(1005)으로 반도체 발광소자(100)를 밀어내는 방법으로 댐(301)으로부터의 반도체 발광소자(100)를 분리할 수 있다. 분리를 용이하게 하기 위해 댐(301)의 측면에 이형코팅층(release coating layer)을 형성할 수 있다. 댐(301)으로부터 반도체 발광소자(100)를 분리하기 전에 도 9c에 제시된 바와 같이, 전극(80,70)에 각각 접촉하는 도전부(141,142)를 형성하여 접촉면적, 및 방열면적을 증가시킬 수도 있다.The encapsulant 180 surrounds the semiconductor light emitting portion 105 to expose the electrodes 80 and 70, as shown in Fig. 9B. 9D, the semiconductor light emitting device 100 including the semiconductor light emitting portion 105, the electrodes 80 and 70, and the sealing material 180 is cured after the sealing material 180 is cured, (201) and the dam (301). The semiconductor light emitting device 100 is pushed out of the electrode 80 or 70 side by the bar or the plate 1005 in which the relief pattern 1007 is formed as shown in Fig. The semiconductor light emitting device 100 from the dam 301 can be separated. A release coating layer may be formed on the side surface of the dam 301 to facilitate separation. Before the semiconductor light emitting device 100 is separated from the dam 301, as shown in FIG. 9C, conductive portions 141 and 142, which contact the electrodes 80 and 70, respectively, may be formed to increase the contact area and the heat radiation area have.

도 10 및 도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면들로서, 본 예에서 반도체 발광소자(100)는 반도체 발광칩(101), 벽(170), 및 봉지재(180)를 포함한다. 예를 들어, 도 10a에 제시된 바와 같이, 개구(305)로 인한 측면(307)은 베이스(201)에 대해 기울어진 경사면이다. 바람직하게는 광 투과도가 낮은 물질, 또는 비투광성 물질(예: 광반사 물질)을 디스펜서로 개구(305)에 공급하면, 비투광성 물질은 댐(301)의 측면(307)과 반도체 발광부(105)의 측면을 따라 자연스럽게 개구(305)에 퍼지면서 벽(170)이 형성된다. 10 and 11 are diagrams for explaining still another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method of manufacturing the same. In this example, the semiconductor light emitting device 100 includes a semiconductor light emitting chip 101, a wall 170, And an encapsulant 180. For example, as shown in FIG. 10A, the side surface 307 due to the opening 305 is an inclined surface inclined with respect to the base 201. The non-transmissive material is absorbed by the side surface 307 of the dam 301 and the semiconductor light emitting portion 105 (not shown) by supplying the opening 305 with a dispenser, preferably a material having low light transmittance or a non- The wall 170 is formed while naturally spreading along the side surface of the opening 305.

벽(170)은 수지(실리콘계, 에폭시계 등) 등 다양한 물질이 사용될 수 있으며, 그 물질의 반사율이 50% 이상인 경우에는 리플렉터(reflector)로 사용이 가능하다. 한편, 벽(170)은 전자기 간섭을 방지하기 위해 EMC(electro magnetic compatibility) 물질로 이루어질 수 있다. 벽(170)의 재질이 투광성인 경우를 배제하는 것은 아니다.The wall 170 may be made of various materials such as resin (silicone, epoxy, etc.), and may be used as a reflector when the reflectance of the material is 50% or more. Meanwhile, the wall 170 may be made of an electro-magnetic compatibility (EMC) material to prevent electromagnetic interference. It is not excluded that the material of the wall 170 is translucent.

도 10a에 제시된 바와 같이, 댐(301)의 측면(307)과 반도체 발광부(105)의 측면 사이에 공급된 비투광성 물질이 표면장력에 의해 댐(301)의 측면(307)을 따라 상승하여 반도체 발광칩(101)보다 높이가 높게 벽(170)의 상단이 형성된다. 표면장력에 의해 상승하도록, 비투광성 물질은 점성이 낮은 것이 바람직하다. 비투광성 물질의 점성을 적절히 선택하면, 벽(170)의 상단의 형상을 조절할 수 있다. 한편, 도 10b에 제시된 바와 같이 개구(305)로 인한 측면(307)에는 돌출부(315)가 형성되어 있다. The non-transparent material supplied between the side surface 307 of the dam 301 and the side surface of the semiconductor light emitting portion 105 rises along the side surface 307 of the dam 301 by surface tension The upper end of the wall 170 is formed to be higher than the semiconductor light emitting chip 101. It is preferable that the non-light-transmitting substance has a low viscosity so as to be increased by the surface tension. By appropriately selecting the viscosity of the non-light-transmitting material, the shape of the top of the wall 170 can be adjusted. On the other hand, as shown in FIG. 10B, a protrusion 315 is formed on the side surface 307 due to the opening 305.

벽(170)을 형성한 이후, 도 11a에 제시된 바와 같이, 벽(170)과 반도체 발광칩(101)이 형성하는 보울(bowl)에 봉지재(180)를 형성한다. 이후, 댐(301) 및 베이스(201)로부터 반도체 발광소자(100)를 분리한다. 돌출부(315)로 인해 벽(170)의 외측면에 도 11b에 제시된 바와 같이 홈(183)이 형성될 수 있다. 또는, 돌출부(315)로 인해 봉지재(180)의 일부가 돌출부(315)와 직접 접촉하도록 형성되는 경우 도 11c와 같이 벽(170)과 봉지재(180)에 함께 홈(183,181)이 형성될 수 있다.After the wall 170 is formed, an encapsulant 180 is formed in a bowl formed by the wall 170 and the semiconductor light emitting chip 101, as shown in FIG. 11A. Thereafter, the semiconductor light emitting device 100 is separated from the dam 301 and the base 201. The protrusion 315 may form a groove 183 on the outer surface of the wall 170 as shown in FIG. 11B. Alternatively, when a part of the sealing material 180 is formed to be in direct contact with the protrusion 315 due to the protrusion 315, grooves 183 and 181 are formed in the wall 170 and the sealing material 180 together as shown in FIG. 11C .

도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 봉지재(180)는 도 12a에 제시된 바와 같이 원형으로 형성되고, 봉지재(180)의 측면에 식별부(181)가 형성되거나, 봉지재(180)는 도 12b에 제시된 바와 같이 삼각형으로 형성되고, 봉지재(180)의 하나의 모퉁이가 식별부(181)로서 다른 모퉁이와 달리 꼭지점이 잘려나간 형상을 가진다. 이외에도 봉지재의 형상에 대응하도록 댐(301)의 개구(305)의 형상을 변경하여 다각형 등 다양한 형상의 봉지재를 형성하고 식별부를 형성할 수 있다.12A is a diagram for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present invention in which the encapsulant 180 is formed in a circular shape as shown in Fig. 12A, and the identification part 181 Or the sealing material 180 is formed into a triangle as shown in FIG. 12B, and one corner of the sealing material 180 has the shape of the identification portion 181, in which the vertex is cut off unlike the other corners. The shape of the opening 305 of the dam 301 may be changed so as to correspond to the shape of the sealing material to form an encapsulating material having various shapes such as a polygonal shape to form an identification part.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부; 반도체 발광부에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 전극; 그리고 적어도 하나의 전극이 노출되도록 반도체 발광부를 둘러싸며, 빛이 투과하는 봉지재;로서, 반도체 발광부의 방향을 구분할 수 있도록 식별부가 형성된 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a semiconductor light emitting portion generating light by recombination of electrons and holes; At least one electrode electrically connected to the semiconductor light emitting portion; And an encapsulant encapsulating the semiconductor light emitting unit so that at least one electrode is exposed, the encapsulant being transparent to light, the encapsulant having an identification unit for distinguishing the direction of the semiconductor light emitting unit.

(2) 반도체 발광부는: 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;을 포함하며, 적어도 하나의 전극은: 복수의 반도체층의 일 측에 구비되며, 제1 반도체층에 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극; 그리고 복수의 반도체층의 일 측에 구비되며, 제2 반도체층에 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) The semiconductor light emitting portion includes: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and a second semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, And at least one electrode is provided on one side of the plurality of semiconductor layers, and the first semiconductor layer is provided with one of electrons and holes A first electrode; And a second electrode provided on one side of the plurality of semiconductor layers and supplying a remaining one of electrons and holes to the second semiconductor layer.

(3) 제1 전극 및 제2 전극의 반대 측에서 볼 때, 봉지재는 복수의 모퉁이(a plurality of corners)를 가지며, 식별부는 복수의 모퉁이 적어도 하나의 모퉁이로서, 제1 전극 측 및 제2 전극 측을 구분할 수 있도록, 적어도 하나의 모퉁이가 나머지 모퉁이와 다른 윤곽을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) As seen from the opposite side of the first electrode and the second electrode, the sealing member has a plurality of corners, and the identification part has at least one corner of the plurality of corners, Wherein at least one corner has a contour different from that of the remaining corners so as to distinguish the sides of the semiconductor light emitting device.

(4) 식별부는 제1 전극 및 제2 전극의 반대 측에서 볼 때, 제1 전극 측 및 제2 전극 측을 구분할 수 있도록, 봉지재에 형성된 적어도 하나의 홈 또는 돌기인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) The identification part is at least one groove or protrusion formed on the sealing material so that the first electrode side and the second electrode side can be distinguished from the opposite side of the first electrode and the second electrode. device.

(5) 적어도 하나의 모퉁이는 라운드진(rounded) 윤곽, 오목한 윤곽, 및 선형 윤곽 중 하나를 가지며, 나머지 모퉁이는 각진(angulated) 윤곽을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) at least one corner has one of a rounded contour, a concave contour, and a linear contour, and the remaining corners have an angled contour.

(6) 봉지재는 복수의 변을 가지며, 홈 또는 돌기는 복수의 변 중 적어도 하나의 변에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) The semiconductor light emitting device according to (6), wherein the sealing member has a plurality of sides, and the groove or the protrusion is formed on at least one side of the plurality of sides.

(7) 복수의 반도체층과 제1 전극 및 제2 전극의 사이에 개재된 절연성 반사막; 절연성 반사막을 관통하여 제1 전극과 제1 반도체층을 전기적으로 연결하는 제1 전기적 연결; 그리고 절연성 반사막을 관통하여 제2 전극과 제2 반도체층을 전기적으로 연결하는 제2 전기적 연결;을 포함하며, 봉지재는 제1 전극 및 제2 전극 주변의 절연성 반사막까지 덮는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) an insulating reflective film interposed between the plurality of semiconductor layers and the first and second electrodes; A first electrical connection for electrically connecting the first electrode and the first semiconductor layer through the insulating reflection film; And a second electrical connection for electrically connecting the second electrode and the second semiconductor layer through the insulating reflection film, wherein the sealing material covers the first electrode and the insulating reflection film around the second electrode. .

(8) 봉지재의 측면에서 볼 때, 봉지재는 복수의 모퉁이(a plurality of corners)를 가지며, 식별부는 복수의 모퉁이 중 적어도 하나의 모퉁이로서, 제1 전극 측 및 제2 전극 측을 구분할 수 있도록, 적어도 하나의 모퉁이가 나머지 모퉁이와 다른 윤곽(outline line)을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) In view of the side surface of the encapsulant, the encapsulant has a plurality of corners, and the identification part is at least one corner of the plurality of corners, Wherein at least one corner has an outline line different from the rest of the corners.

(9) 반도체 발광부의 측면에 위치하는 벽(wall);으로서, 벽의 상단이 표면장력에 의해 상승된(elevated) 벽;을 포함하며, 봉지재는 벽의 상단과 반도체 발광부가 형성하는 보울(bowl)에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) A wall positioned at a side surface of the semiconductor light emitting portion, wherein the upper end of the wall is elevated by surface tension, ).

(10) 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 베이스 위에 개구가 형성된 댐과 개구로 노출된 베이스 위에, 반도체 발광칩(semiconductor light emitting chip)을 구비하는 단계;로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부와, 반도체 발광부에 각각 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 반도체 발광칩을 개구에 구비하는 단계; 그리고 제1 전극 및 제2 전극이 노출되도록 반도체 발광부를 둘러싸는 봉지재를 개구에 형성하는 단계;로서, 제1 전극 측 및 제2 전극 측을 구분할 수 있도록, 식별부가 형성된 봉지재를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(10) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, the method comprising the steps of: providing a semiconductor light emitting chip on a base exposed through a dam and an opening with an opening formed on the base, A semiconductor light emitting chip having a first electrode and a second electrode electrically connected to the semiconductor light emitting portion, the semiconductor light emitting chip having an opening; Forming an encapsulating material surrounding the semiconductor light emitting portion in the opening so that the first electrode and the second electrode are exposed; forming an encapsulating material having an identification portion so as to distinguish the first electrode side and the second electrode side; And forming a second electrode on the semiconductor layer.

(11) 반도체 발광칩을 구비하는 단계에서, 평면도로 볼 때, 개구의 윤곽은 복수의 모퉁이(a plurality of corners)를 가지며, 복수의 모퉁이 중 적어도 하나의 모퉁이가 나머지 모퉁이와 다른 형상을 가지고, 봉지재를 형성하는 단계에서, 봉지재는 댐의 윤곽을 따라 복수의 모퉁이(a plurality of corners)를 가지며, 식별부는 복수의 모퉁이 중 적어도 하나의 모퉁이로서, 나머지 모퉁이와 다른 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(11) In the step of providing the semiconductor light emitting chip, in a plan view, the outline of the opening has a plurality of corners, at least one of the plurality of corners has a shape different from the rest of the corners, In the step of forming the sealing material, the sealing material has a plurality of corners along the contour of the dam, and the identification part has at least one corner of the plurality of corners, and has a shape different from the rest of the corners A method of manufacturing a semiconductor light emitting device.

(12) 반도체 발광칩을 구비하는 단계에서, 평면도로 볼 때, 개구의 윤곽은 적어도 하나의 돌출부 또는 홈을 가지며, 봉지재를 형성하는 단계에서, 식별부는 댐의 적어도 하나의 돌출부 또는 홈에 대응하여 봉지재에 형성된 적어도 하나의 홈 또는 돌출부인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(12) In the step of providing the semiconductor light emitting chip, in the plan view, the contour of the opening has at least one protrusion or groove, and in the step of forming the sealing material, the identification portion corresponds to at least one protrusion or groove of the dam And at least one groove or protrusion formed on the sealing material.

본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법에 의하면, 봉지재의 외관만 보고 반도체 발광소자의 제1 전극 및 제2 전극의 방향을 알 수 있고, 이를 활용하면 제1 전극 및 제2 전극의 방향이 반대로 실장되는 불량이나, 검사 공정에서 잘못된 배열을 쉽게 찾을 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor light emitting device and the method of manufacturing the same according to the present disclosure, the directions of the first electrode and the second electrode of the semiconductor light emitting device can be known only by the appearance of the encapsulant. In contrast, there is an advantage in that the defect is mounted, and the wrong arrangement is easily found in the inspection process.

100: 반도체 발광소자 181: 홈 301: 댐
80,70: 전극 170: 벽 180: 봉지재 C1,C2,C3,C4: 모퉁이100: Semiconductor light emitting device 181: Groove 301: Dam
80, 70: electrode 170: wall 180: sealing material C1, C2, C3, C4: corner

Claims

In the semiconductor light emitting device,
A semiconductor light emitting portion that generates light by recombination of electrons and holes;
At least one electrode electrically connected to the semiconductor light emitting portion; And
And an encapsulant for encapsulating the semiconductor light emitting portion so that at least one electrode is exposed, the encapsulant having light-permeable sealing material, wherein the encapsulant has a discriminating portion for distinguishing the direction of the semiconductor light emitting portion.

The method according to claim 1,
The semiconductor light-
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer interposed between the first and second semiconductor layers, wherein light is generated by recombination of electrons and holes And a plurality of semiconductor layers having active layers,
The at least one electrode comprises:
A first electrode provided on one side of the plurality of semiconductor layers and supplying one of electrons and holes to the first semiconductor layer; And
And a second electrode provided on one side of the plurality of semiconductor layers and supplying the remaining one of electrons and holes to the second semiconductor layer.

The method of claim 2,
As seen from the opposite side of the first electrode and the second electrode, the encapsulant has a plurality of corners,
Wherein the identification unit has at least one corner of a plurality of corners, wherein at least one corner has a contour different from the rest of the corners so that the first electrode side and the second electrode side can be distinguished.

The method of claim 2,
Wherein the identification portion is at least one groove or protrusion formed on the sealing material so as to distinguish the first electrode side and the second electrode side when viewed from the opposite side of the first electrode and the second electrode.

The method of claim 3,
At least one corner has one of a rounded contour, a concave contour, and a linear contour,
And the remaining corners have an angled outline.

The method of claim 4,
The encapsulant has a plurality of sides,
And the groove or protrusion is formed on at least one side of the plurality of sides.

The method of claim 2,
An insulating reflective film interposed between the plurality of semiconductor layers and the first and second electrodes;
A first electrical connection for electrically connecting the first electrode and the first semiconductor layer through the insulating reflection film; And
And a second electrical connection for electrically connecting the second electrode and the second semiconductor layer through the insulating reflection film,
Wherein the sealing material covers the first electrode and the insulating reflective film around the second electrode.

The method of claim 2,
As seen from the side of the encapsulant, the encapsulant has a plurality of corners,
Wherein at least one corner has an outline line different from the remaining corners so that the first electrode side and the second electrode side can be distinguished from each other, at least one corner of the plurality of corners.

The method according to claim 1,
A wall positioned on a side surface of the semiconductor light emitting portion, wherein the top of the wall is elevated by surface tension,
Wherein the sealing material is formed on a top of the wall and a bowl formed by the semiconductor light emitting portion.

A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising the steps of: providing a semiconductor light emitting chip on a base exposed through a dam and an opening formed on a base, the semiconductor light emitting device comprising: a semiconductor light emitting portion that generates light by recombination of electrons and holes; Providing a semiconductor light emitting chip in the opening, the semiconductor light emitting chip having a first electrode and a second electrode electrically connected to each other; And
Forming an encapsulant surrounding the semiconductor light emitting portion in the opening so that the first electrode and the second electrode are exposed, the method comprising: forming an encapsulant having an identification portion so that the first electrode side and the second electrode side can be distinguished; And a second electrode layer formed on the second electrode layer.

The method of claim 10,
In the step of providing the semiconductor light emitting chip, in the plan view, the outline of the opening has a plurality of corners, at least one of the plurality of corners has a shape different from the rest of the corners,
In the step of forming the sealing material, the sealing material has a plurality of corners along the contour of the dam, and the identification part has at least one corner of the plurality of corners, and has a shape different from the rest of the corners A method of manufacturing a semiconductor light emitting device.

The method of claim 10,
In the step of providing the semiconductor light emitting chip, in the plan view, the outline of the opening has at least one protrusion or groove,
Wherein the identification portion is at least one groove or protrusion formed in the sealing material corresponding to at least one protrusion or groove of the dam in the step of forming the sealing material.