KR20160102662A - 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 - Google Patents
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- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 124
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 124
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- -1 nitrate compound Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 125
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 4
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000011167 hydrochloric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 2
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 2
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 2
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 claims description 2
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 1
- 206010020710 Hyperphagia Diseases 0.000 description 1
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 235000020830 overeating Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
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Abstract
본 발명은 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 질산 또는 아질산, 염소 화합물, 질산염 화합물 및 물을 포함하는 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 질산 또는 아질산, 염소 화합물, 질산염 화합물 및 물을 포함하는 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
액정 표시 소자(liquid crystal display device, LCD device)는 뛰어난 해상도에 따른 선명한 영상을 제공하며 전기를 적게 소모하고, 디스플레이 화면을 얇게 만들 수 있게 하는 특성 때문에 평판 디스플레이 장치 중 가장 각광을 받고 있다. 오늘날 이러한 액정 표시 소자를 구동하는 전자 회로로서 대표적인 것은 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 회로로서 전형적인 박막 트랜지스터 액정표시(TFT-LCD) 소자는 디스플레이 화면의 화소(pixel)를 이루고 있다. TFT-LCD 소자에서 스위칭 소자로 작용하는 TFT는 매트릭스 형태로 배열한 TFT용 기판과 그 기판을 마주 보는 컬러 필터 기판 사이에 액정 물질을 채워 제조한 것이다. TFT-LCD의 전체 제조 공정은 크게 TFT 기판 제조 공정, 컬러 필터 공정, 셀 공정, 모듈 공정으로 나뉘는데, 정확하고 선명한 영상을 나타내는데 있어서 TFT 기판과 컬러 필터 제조 공정의 중요성은 매우 크다.
또한, 액정 표시 소자는 주사 신호를 전달하는 주사 신호 배선 또는 게이트 배선과, 화상 신호를 전달하는 화상 신호선 또는 데이터 배선이 형성되어 있고, 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등으로 이루어져 있다.
상기 액정 표시 소자의 제조는 기판 위에 게이트 배선 및 데이터 배선용 금속층을 적층시키고, 상기 금속층을 식각하는 단계를 거치며, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소전극이 적층되며, 포토레지스트를 도포하고 패터닝 하는 공정이 진행된다. 이때, 화소전극층과 접촉하거나 노출되어 있는 게이트 배선이나 소스/드레인 배선이 화소전극 패터닝 과정에서 변형이 될 수 있다.
따라서, 상기의 문제점을 개선하기 위해서 사용하는 화소전극의 재질은 게이트나 소스/드레인의 금속과 다른 종류를 사용하여야 한다. 즉, 화소전극의 재질은 투명한 광학적 특성을 가지면서 전기 전도도가 높은 a-ITO, IZO, IGZO 또는 ITZO와 같은 인듐산화막을 사용하여야 한다.
최근, 상기 인듐산화막은 표시장치의 고해상도 및 빠른 응답속도를 갖추기 위하여 점진적으로 미세패턴화되고 있으며, 두께가 두꺼워지고 있는 추세이다.
대한민국 공개특허 제10-2012-0093499호에는 인듐산화막 식각액 조성물이 게재되어 있으나, 상기 인듐산화막 식각액 조성물은 환경 규제 물질인 황산을 사용하며, 두께가 두꺼운 인듐산화막을 식각할 수 없는 문제점이 있다.
본 발명은 인듐산화막 하부의 금속막의 손상을 최소화시키면서 인듐산화막을 식각할 수 있는 인듐산화막 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 두께가 두꺼운 인듐산화막에 대한 우수한 식각 특성을 가져 미세 패턴을 형성할 수 있으며, 상기 인듐산화막의 편측 식각거리를 감소시켜 패턴의 과식각에 따른 배선의 유실을 방지할 수 있는 인듐산화막 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 인듐산화막 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 질산 또는 아질산 5 내지 12 중량%, 염소 화합물 0.01 내지 5 중량%, 질산염 화합물 0.01 내지 3 중량% 및 인듐산화막 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 인듐산화막 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 (1)기판 상에 인듐산화막을 형성하는 단계;
(2)상기 인듐산화막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(3)본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 상기 인듐산화막을 식각하는 단계를 포함하는 인듐산화막 식각방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 (1)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
(2)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
(3)상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;
(4)상기 산화물 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
(5)상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (5)단계는 인듐산화막을 형성하고, 상기 인듐산화막을 식각액 조성물로 식각하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 본 발명의 제조방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판을 제공한다.
본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물은 두께가 두꺼운 인듐산화막에 대한 식각 특성이 우수하여 미세 패턴을 형성할 수 있으며, 상기 인듐산화막의 과식각을 예방하여 배선의 유실을 방지할 수 있는 효과를 지니고 있다.
또한, 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물은 인듐산화막 하부의 금속막의 손상을 최소화시키면서 인듐산화막을 식각할 수 있다.
도 1은 인듐산화막의 편측 식각거리를 측정한 SEM 사진이다.
도 2는 인듐산화막에 잔사가 발생하지 않은 것을 나타낸 SEM 사진이다.
도 3은 인듐산화막의 잔사가 발생한 것을 나타낸 SEM 사진이다.
도 4는 인듐산화막 하부막인 알루미늄/몰리브덴 막이 손상되지 않은 것을 나타낸 SEM 사진이다.
도 5는 인듐산화막 하부막인 알루미늄/몰리브덴 막이 손상된 것을 나타낸 SEM 사진이다.
도 2는 인듐산화막에 잔사가 발생하지 않은 것을 나타낸 SEM 사진이다.
도 3은 인듐산화막의 잔사가 발생한 것을 나타낸 SEM 사진이다.
도 4는 인듐산화막 하부막인 알루미늄/몰리브덴 막이 손상되지 않은 것을 나타낸 SEM 사진이다.
도 5는 인듐산화막 하부막인 알루미늄/몰리브덴 막이 손상된 것을 나타낸 SEM 사진이다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
본 발명은 인듐산화막 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 질산 또는 아질산 5 내지 12 중량%, 염소 화합물 0.01 내지 5 중량%, 질산염 화합물 0.01 내지 3 중량% 및 인듐산화막 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 인듐산화막 식각액 조성물에 관한 것이다.
종래에는 액정 표시 장치에서 화소전극으로 사용되는 인듐산화막이 500Å 이하의 두께로 사용되었으나, 액정 표시 장치의 빠른 응답속도 및 고해상도가 요구됨에 따라 인듐산화막의 두께가 점점 두꺼워져 1300Å 이상의 두께로 변화하는 추세이다.
인듐산화막의 두께가 두꺼워짐에 따라 화소전극으로 형성되기 위한 인듐산화막의 식각 시간도 증가하게 되는데, 이 때 종방향 식각 뿐만 아니라, 횡방향 식각량도 증가하게 되고, 그에 따라 과식각 현상이 발생하여 고해상도를 구현하기 위한 미세한 패턴을 식각할 수 없어 미세한 화소전극을 형성하는데 어려움이 따른다.
따라서, 본 발명에서는 질산염 화합물을 인듐산화막 식각액 조성물에 포함함으로써, 상기의 문제점을 해결하고자 하였다.
즉, 종래보다 두께가 두꺼워진 인듐산화막에 대한 우수한 식각특성을 가져 인듐산화막의 편측 식각 정도를 감소시켜 과식각을 방지하고, 그에 따라 미세 패턴을 식각할 수 있어 액정표시장치의 고해상도를 구현할 수 있는 인듐산화막 식각액 조성물을 제공하고자 하였다.
뿐만 아니라, 질산염 화합물을 인듐산화막 식각액 조성물에 포함함으로써, 인듐산화막 식각시, 하부 금속막에 가해지는 손상을 최소화할 수 있다.
본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물로 식각되는 인듐산화막의 두께는 500 내지 1500Å 바람직하게는 900 내지 1500Å이다.
또한, 상기 인듐산화막은 인듐주석산화막(ITO), 인듐아연산화막(IZO), 인듐주석아연산화막(ITZO) 및 인듐갈륨아연산화막(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
또한, 상기 인듐산화막의 하부막은 그 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 일반적으로 몰리브덴계 금속막 또는 알루미늄계 금속막의 단일막; 또는 상기 단일막의 다층막이 주로 사용된다.
이하, 본 발명의 식각액 조성물의 각 성분을 설명하기로 한다.
본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물에 포함되는 질산(HNO3) 또는 아질산(HNO2)은 인듐산화막의 산화 및 치환 반응을 통한 주식각제 역할을 한다.
상기 질산 또는 아질산은 인듐산화막 식각액 조성물 총 중량에 대하여 5 내지 12 중량%로 포함되며, 바람직하게는 7 내지 10 중량%로 포함된다.
상기 질산 또는 아질산이 5 중량% 미만으로 포함되면, 인듐산화막의 식각이 원활하게 이루어지지 않아 식각 시간이 길어지며, 잔사 발생 및 식각 불량이 발생할 수 있다. 또한, 상기 질산 또는 아질산이 12 중량%를 초과하여 포함되면, 질소량의 증가에 따른 폐액이 증가하여 폐액 처리 비용 및 환경 오염에 따른 비용이 증가하게 된다.
본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물에 포함되는 염소 화합물은 인듐산화막의 치환 반응을 통한 보조식각제 역할을 한다. 또한, 인듐산화막의 경우 식각시 잔사가 많이 발생하는데, 이러한 잔사를 억제하는 역할도 수행한다.
상기 염소 화합물은 염산, 염화나트륨, 염화칼륨 및 염화암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
또한, 상기 염소 화합물은 인듐산화막 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 5 중량%로 포함되며, 바람직하게는 1 내지 3 중량%로 포함된다.
상기 염소 화합물이 0.01 중량% 미만으로 포함되면, 인듐산화막의 식각이 원활하게 이루어지지 않아 식각 시간이 길어지며, 잔사 발생 및 식각 불량이 발생할 수 있다. 또한, 상기 염소 화합물이 5 중량%를 초과하여 포함되면, 식각 속도가 지나치게 증가하여 과식각이 발생할 수 있으며, 그에 따라 화소 전극을 구동하기 위한 충분한 면적을 형성할 수 없게 된다.
본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물에 포함되는 질산염 화합물은 인듐산화막의 하부 금속막의 컨택홀 부위의 영역이 인듐산화막 식각액 조성물에 노출됨에 따라 발생할 수 있는 부식을 방지하는 역할을 한다.
또한, 500 내지 1500Å, 바람직하게는 900 내지 1500Å 두께의 인듐산화막 식각시, 식각 시간 증가에 따른 인듐산화막 편측의 과식각을 방지하는 역할을 한다.
상기 질산염 화합물은 질산나트륨, 질산암모늄 및 질산칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
또한, 상기 질산염 화합물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 3 중량%로 포함되며, 바람직하게는 1 내지 2.5 중량%로 포함된다.
상기 질산염 화합물이 0.01 중량% 미만으로 포함되면, 부식방지를 충분히 할 수 없어 하부 금속막에 손상이 발생할 수 있으며, 인듐산화막의 사이드 에치가 증가하여 인듐산화막을 미세한 패턴으로 형성하는데 어려움이 따를 수 있다. 또한, 상기 질산염 화합물이 3 중량%를 초과하여 포함되면, 부식방지의 역할은 수행할 수 있으나, 인듐산화막의 식각 속도가 느려지고, 그에 따른 잔사가 발생할 수 있다.
본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물에 포함되는 물은 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량으로 포함된다. 상기 물은 특별히 한정되지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 물은 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항값이 18㏁·㎝ 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물은 추가로 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 또한, 상기 첨가제는 이에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당 업계에 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들을 선택하여 첨가할 수도 있다.
본 발명의 식각액 조성물의 성분들은 통상적으로 공지된 방법에 의하여 제조 가능하며, 반도체 공정용의 순도로 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은
(1)기판 상에 인듐산화막을 형성하는 단계;
(2)상기 인듐산화막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(3)상기 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물을 사용하여 상기 인듐산화막을 식각하는 단계를 포함하는 인듐산화막 식각방법에 관한 것이다.
본 발명의 식각방법에서, 상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.
또한, 상기 인듐산화막은 단일막이며, 두께가 500 내지 1500Å, 바람직하게는 900 내지 1500Å이다.
상기 인듐산화막은 인듐주석산화막(ITO), 인듐아연산화막(IZO), 인듐주석아연산화막(ITZO) 및 인듐갈륨아연산화막(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
또한, 본 발명은
(1)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
(2)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
(3)상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;
(4)상기 산화물 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
(5)상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (5)단계는 인듐산화막을 형성하고, 상기 인듐산화막을 식각액 조성물로 식각하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은 상기 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
상기 인듐산화막은 단일막이며, 두께가 500 내지 1500Å, 바람직하게는 900 내지 1500Å이다.
상기 인듐산화막은 인듐주석산화막(ITO), 인듐아연산화막(IZO), 인듐주석아연산화막(ITZO) 및 인듐갈륨아연산화막(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물로 상기 인듐산화막을 식각하여, 상기 (5)단계의 화소 전극을 형성할 수 있다.
보다 자세하게는, 상기 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물은 액정 표시 장치의 빠른 응답속도 및 고해상도를 구현하기 위해 사용되는 500 내지 1500Å, 바람직하게는 900 내지 1500Å 두께의 인듐산화막을 편측 과식각 없이 미세한 패턴으로 식각할 수 있어, 고해상도의 구현이 가능한 화소 전극을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물은 인듐산화막 식각시, 하부 금속막의 손상을 방지할 수 있으므로, 하부 금속막의 손상없이 화소 전극을 형성할 수 있다.
또한, 상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 제조방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판에 관한 것이다.
상기 액정 표시 장치용 어레이 기판은 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물을 사용하여 식각된 화소 전극을 포함한다.
또한, 본 발명은 상기 액정 표시 장치용 어레이 기판 이외에, 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물을 사용하여 제조된 유기발광장치(OLED), 터치스크린(TS) 또는 그 외의 전자 장치 등을 제공할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
<
인듐산화막
식각액
조성물 제조>
실시예
1 내지 4 및
비교예
1 내지 7.
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 7의 식각액 조성물을 제조하였으며, 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하였다.
| 질산 | 염화나트륨 | 질산나트륨 | 질산칼륨 | 황산칼륨 | 초산암모늄 | |
| 실시예 1 | 8.5 | 3 | 2 | - | - | - |
| 실시예 2 | 8.5 | 3 | - | 2 | - | - |
| 실시예 3 | 8.5 | 3 | 0.5 | |||
| 실시예 4 | 8.5 | 3 | 3 | |||
| 비교예 1 | 7 | 1 | - | - | - | - |
| 비교예 2 | 8.5 | 3 | - | - | - | - |
| 비교예 3 | 8.5 | 3 | - | - | 2 | - |
| 비교예 4 | 8.5 | 3 | - | - | - | 2 |
| 비교예 5 | 14 | 3 | 2 | - | - | - |
| 비교예 6 | 8.5 | 7 | 2 | - | - | - |
| 비교예 7 | 8.5 | 3 | 5 | - | - | - |
실험예
1.
인듐산화막
식각액
조성물의 특성 평가
유리 기판(100mmⅩ100mm)상에 알루미늄/몰리브덴막을 증착시켜 소스/드레인을 형성한후, 상기 알루미늄/몰리브덴막 위에 실리콘을 적층하여 홀을 형성함으로써, 소스/드레인의 금속막인 알루미늄/몰리브덴을 노출시키게 하였다. 그 후, 1300Å 두께의 ITO막을 증착시킨 뒤, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통하여 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성되도록 한 후, 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 7의 인듐산화막 식각액 조성물을 각각 사용하여 ITO막에 대하여 식각공정을 실시하였다.
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명 : ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각공정시 식각액 조성물의 온도는 약 40℃ 내외로 하였으나, 적정온도는 다른 공정조건과 기타 요인에 의해 필요에 따라 변경될 수 있다. 식각시간은 식각 온도에 따라서 다를 수 있으나, LCD 에칭 공정에서 통상 50 내지 120초 정도로 진행하였다.
상기 식각공정에서 식각된 상기 ITO막의 프로파일을 단면 SEM(Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 검사하였으며, 사이드 에치, 잔사 발생 유무 및 하부 금속(Al/Mo) 손상(attack)을 관찰하였으며, 하기의 평가 기준으로 평가하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<편측 식각 거리>
◎ : 0.2㎛ 미만(우수)
○ : 0.2 이상 0.5㎛ 미만(양호)
X : 0.5㎛ 이상 또는 식각안됨(불량)
<잔사 발생>
○ : 잔사 미발생(도 2)
X : 잔사 발생(도 3)
<하부막(Al/Mo) 손상>
○ : 손상 미발생(도 4)
X : 손상 발생(도 5)
| 사이드 에치 (㎛) |
잔사 | 하부막 손상 | |
| 실시예 1 | ◎ | ○ | ○ |
| 실시예 2 | ○ | ○ | ○ |
| 실시예 3 | ○ | ○ | ○ |
| 실시예 4 | ○ | ○ | ○ |
| 비교예 1 | × | × | × |
| 비교예 2 | ○ | ○ | × |
| 비교예 3 | × | ○ | × |
| 비교예 4 | × | ○ | × |
| 비교예 5 | × | ○ | ○ |
| 비교예 6 | × | ○ | ○ |
| 비교예 7 | ○ | × | ○ |
상기 표 2의 결과에서, 질산염 화합물을 인듐산화막 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 3 중량%로 포함한 실시예 1 내지 4의 인듐산화막 식각액 조성물은 사이드 에치가 0.2μm 미만으로 관찰되었으며, 잔사 발생 및 하부막 손상도 발생하지 않았다.
반면, 질산염 화합물을 포함하지 않는 비교예 1의 인듐산화막 식각액 조성물은 사이드 에치가 불량하였으며, 잔사 발생 및 하부막의 손상이 관찰되었으며, 비교예 2의 인듐산화막 식각액 조성물은 하부막 손상이 관찰되었다.
또한, 질산염 화합물 대신에 황산칼륨 및 초산암모늄을 각각 포함한 비교예 3 및 4의 인듐산화막 식각액 조성물은 잔사는 발생하지 않았으나, 사이드 에치가 불량하였으며, 하부막이 손상되었다.
인듐산화막 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 질산을 12 중량% 초과하여 포함한 비교예 5 및 염소 화합물을 5 중량% 초과하여 포함한 비교예 6의 인듐산화막 식각액 조성물은 잔사 발생 및 하부막 손상이 관찰되지 않았지만, 사이드 에치가 불량한 결과를 보였다.
또한, 인듐산화막 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 질산염 화합물을 3 중량% 초과하여 포함한 비교예 7의 인듐산화막 식각액 조성물은 사이드 에치가 우수하였으며, 하부막에 손상이 발생하지 않았으나, 잔사가 발생이 관찰되었다.
따라서, 질산염 화합물을 인듐산화막 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 3 중량%로 포함하는 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물은 두께가 두꺼운 인듐산화막에 우수한 식각 특성을 가지며, 인듐산화막의 하부막에 손상을 가하지 않고 인듐산화막을 식각할 수 있다는 것을 확인할 수 있었다.
Claims (15)
- 인듐산화막 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 질산 또는 아질산 5 내지 12 중량%, 염소 화합물 0.01 내지 5 중량%, 질산염 화합물 0.01 내지 3 중량% 및 인듐산화막 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 인듐산화막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 염소 화합물은 염산, 염화나트륨, 염화칼륨 및 염화암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐산화막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 질산염 화합물은 질산나트륨, 질산암모늄 및 질산칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐산화막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 인듐산화막은 인듐주석산화막, 인듐아연산화막, 인듐주석아연산화막 및 인듐갈륨아연산화막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐산화막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 인듐산화막은 500 내지 1500Å의 두께인 것을 특징으로 하는 인듐산화막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 인듐산화막 식각액 조성물은 추가로 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐산화막 식각액 조성물.
- (1)기판 상에 인듐산화막을 형성하는 단계;
(2)상기 인듐산화막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(3)청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 식각액 조성물을 사용하여 상기 인듐산화막을 식각하는 단계를 포함하는 인듐산화막 식각방법. - 청구항 7에 있어서, 상기 광반응 물질은 포토레지스트 물질로, 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨지는 것임을 특징으로 하는 인듐산화막 식각방법.
- 청구항 7에 있어서, 상기 인듐산화막은 인듐주석산화막, 인듐아연산화막, 인듐주석아연산화막 및 인듐갈륨아연산화막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐산화막 식각방법.
- 청구항 7에 있어서, 상기 인듐산화막은 500 내지 1500Å의 두께인 것을 특징으로 하는 인듐산화막 식각방법.
- (1)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
(2)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
(3)상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;
(4)상기 산화물 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
(5)상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (5)단계는 인듐산화막을 형성하고, 상기 인듐산화막을 식각액 조성물로 식각하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 인듐산화막 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법. - 청구항 11에 있어서, 상기 인듐산화막은 인듐주석산화막, 인듐아연산화막, 인듐주석아연산화막 및 인듐갈륨아연산화막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 청구항 11에 있어서, 상기 인듐산화막은 500 내지 1500Å의 두께인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 청구항 11에 있어서, 상기 액정표시장치용 어레이 기판이 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 청구항 11의 제조방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150025012A KR102282955B1 (ko) | 2015-02-23 | 2015-02-23 | 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| TW105102697A TWI666302B (zh) | 2015-02-23 | 2016-01-28 | 用於氧化銦層的蝕刻劑組合物，蝕刻方法，使用它們的液晶顯示器陣列基板及其製造方法 |
| CN201610079267.3A CN105907396A (zh) | 2015-02-23 | 2016-02-04 | 用于氧化铟层的蚀刻剂组合物，蚀刻方法，使用它们的液晶显示器阵列基板及其制造方法 |
| CN201910679544.8A CN110484258B (zh) | 2015-02-23 | 2016-02-04 | 用于氧化铟层的蚀刻剂组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150025012A KR102282955B1 (ko) | 2015-02-23 | 2015-02-23 | 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160102662A true KR20160102662A (ko) | 2016-08-31 |
| KR102282955B1 KR102282955B1 (ko) | 2021-07-28 |
Family
ID=56744398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150025012A KR102282955B1 (ko) | 2015-02-23 | 2015-02-23 | 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102282955B1 (ko) |
| CN (2) | CN110484258B (ko) |
| TW (1) | TWI666302B (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108930038B (zh) * | 2017-05-22 | 2021-03-16 | 东友精细化工有限公司 | 银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法和金属图案的形成方法 |
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2015
- 2015-02-23 KR KR1020150025012A patent/KR102282955B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-01-28 TW TW105102697A patent/TWI666302B/zh active
- 2016-02-04 CN CN201910679544.8A patent/CN110484258B/zh active Active
- 2016-02-04 CN CN201610079267.3A patent/CN105907396A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120093499A (ko) | 2011-02-15 | 2012-08-23 | 삼성전자주식회사 | 인듐 산화막의 비할로겐성 식각액 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 |
| KR20130084717A (ko) * | 2012-01-18 | 2013-07-26 | 솔브레인 주식회사 | 식각 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 |
| KR20140044552A (ko) * | 2012-10-05 | 2014-04-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각 조성물, 금속 배선 및 표시 기판의 제조방법 |
| KR20140086669A (ko) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속 산화물막의 식각액 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110484258B (zh) | 2022-01-14 |
| CN105907396A (zh) | 2016-08-31 |
| TWI666302B (zh) | 2019-07-21 |
| CN110484258A (zh) | 2019-11-22 |
| KR102282955B1 (ko) | 2021-07-28 |
| TW201634666A (zh) | 2016-10-01 |
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