KR20160102447A - 형광체 및 발광 장치 - Google Patents
형광체 및 발광 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160102447A KR20160102447A KR1020167017488A KR20167017488A KR20160102447A KR 20160102447 A KR20160102447 A KR 20160102447A KR 1020167017488 A KR1020167017488 A KR 1020167017488A KR 20167017488 A KR20167017488 A KR 20167017488A KR 20160102447 A KR20160102447 A KR 20160102447A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- phosphor
- light
- light emitting
- wavelength
- emitting device
- Prior art date
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 62
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 6
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 239000011087 paperboard Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/7792—Aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/77928—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/77067—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/77068—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/77747—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/77748—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/77927—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 자외부터 근자외선의 파장 영역에서 효율적으로 여기되어 녹색에서 황색으로 발광하는 복합 산질화물 형광체 및 이러한 형광체를 이용한 발광 장치에 관한 것이다. 본 발명의 형광체는 일반식: M1aM2bRecSidOeNf로 나타나고, M1은 Y, Sc, La, Al에서 선택된 1종류 이상의 원소이며, M2는 Zn, Sr, Ba, Ca, Mg에서 선택된 1종류 이상의 원소이고, Re는 희토류 원소나 전이 금속 원소 중 Ce, Pr, Sm, Eu, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Cr, Mn에서 선택된 1종류 이상의 원소이며, 식 중의 a, b, c, d, e 및 f가 a+b+c=1, 0.20<b<0.50, 0.001<c<0.10, 2.5<d<4.1, 0.5<e<1.0, 3.5<f<5.6인 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 자외부터 근자외선의 파장 영역에서 효율적으로 여기되어 녹색에서 황색으로 발광하는 복합 산질화물 형광체 및 이러한 형광체를 이용한 발광 장치에 관한 것이다.
반도체 발광 소자와 형광체를 조합한 발광 장치는 저소비전력, 소형, 고휘도이고 광범위한 색재현성이 기대되는 차세대 발광 장치로서 주목받아 활발하게 연구, 개발이 이루어지고 있다. 이러한 형광체로서 발광 특성, 열 안정성, 화학적 안정성이 양호하다는 이유로부터 산질화물을 모체 재료로 하고 전이 금속 혹은 희토류 금속으로 부활(付活)된 산질화물 형광체가 널리 이용되고 있다. 산질화물 형광체를 대표하는 형광체로서는 β사이알론 형광체, α사이알론 형광체 등이 알려지고 널리 실용에 이르고 있다.
이러한 발광 장치의 연색성이나 휘도를 개선하기 위해 산질화물 형광체의 발광 특성을 개선하기 위한 여러 가지 시도가 이루어져 있다.
예를 들어, 특허문헌 1에는 종래의 녹색이나 황색 형광체의 발광 효율이 낮아 고휘도의 발광을 얻을 수 없는 것을 감안하여 산질화물 형광체의 조성을 특정 범위로 한정하여 Ce나 Eu 원자를 용이하게 치환할 수 있는 사이트를 가지고 화학적으로도 안정된 모체 구조를 구성함으로써, 넓고 평탄한 여기대를 가지며 넓은 발광 스펙트럼을 가지며 게다가 발광 효율이 우수한 형광체를 얻는 것이 제안되어 있다.
또한, 특허문헌 2에는 산질화물 형광체에 포함되는 원소 및 조성비를 변화시킴으로써 광범위한 발광색을 얻을 수 있고 결정성이나 발광 효율을 향상시킬 수 있는 것이 기재되어 있다.
나아가 특허문헌 3에는 산질화물 형광체의 조성을 특정 범위로 한정함으로써 온도 특성 및 발광 효율을 개선할 수 있는 것이 기재되어 있다.
그러나, 발광 광원으로부터의 여기광을 효율적으로 흡수하여 발광하는 것은 LED 용도에 한정되지 않고 모든 형광체 용도에 요구되는 특성이다. 이 때문에 형광체의 발광 효율을 더욱 개선하는 것이 요구된다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 복합 산질화물 형광체의 결정 구조 및 광학 특성에 대해 면밀히 검토한 결과, 형광체를 구성하는 원소의 조성비를 특정 범위로 함으로써 발광 효율을 현저하게 개선할 수 있음을 발견하여 본 발명에 이르렀다.
즉, 본 발명은 일반식: M1aM2bRecSidOeNf로 나타나고, M1은 Y, Sc, La, Al에서 선택된 1종류 이상의 원소이며, M2는 Zn, Sr, Ba, Ca, Mg에서 선택된 1종류 이상의 원소이고, Re는 희토류 원소나 전이 금속 원소 중 Ce, Pr, Sm, Eu, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Cr, Mn에서 선택된 1종류 이상의 원소이며, 식 중의 a, b, c, d, e 및 f가
a+b+c=1,
0.20<b<0.50,
0.001<c<0.10,
2.5<d<4.1,
0.5<e<1.0,
3.5<f<5.6
인 형광체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상술한 형광체와 발광 소자를 구비하는 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 형광체는 형광체를 구성하는 원소의 조성비를 제어함으로써 종전의 사이알론 형광체보다 높은 발광 효율을 실현할 수 있다. 또한, 본 발명의 발광 장치는 상술한 바와 같은 높은 발광 효율의 형광체를 이용함으로써 휘도가 우수한 발광 장치를 실현할 수 있다.
도 1은 실시예 11, 12, 13의 형광체의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
<형광체>
본 발명에 관한 형광체는 일반식: M1aM2bRecSidOeNf로 나타난다. 이러한 일반식은 형광체의 조성식을 나타내고, a~f는 원소의 몰비이다. 본 명세서 중에서 특별히 기재하지 않는 한 조성비 a, b, c, d, e 및 f는 a+b+c=1이 되도록 산출한 경우의 수치를 나타낸다. 말할 필요도 없지만 a~f에 양의 임의의 수치를 곱한 원소의 몰비도 동일한 조성식을 부여한다.
M1은 Y, Sc, La, Al 중에서 선택된 1종류 이상의 원소이고, 바람직하게는 La이다.
M2는 Zn, Sr, Ba, Ca, Mg에서 선택된 1종류 이상의 원소이고, 바람직하게는 Ca이다.
Re는 희토류 원소나 전이 금속 원소 중 Ce, Pr, Sm, Eu, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Cr, Mn에서 선택된 1종류 이상의 원소이고, 바람직하게는 Eu이다.
그 중에서도 M1이 La를 포함하고 M2가 Ca를 포함하며 Re가 Eu를 포함하는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 M1이 La만으로 이루어지고 M2가 Ca만으로 이루어지며 Re가 Eu만으로 이루어진다. 이는 La와 Ca의 이온 반경이 근사하기 때문에 La와 Ca가 공존하는 경우에 극히 안정된 결정 구조를 구성하기 때문이라고 생각된다.
a+b+c=1이 되도록 산출한 경우의 조성비 a, b, c, d, e 및 f는 a+b+c=1, 0.20<b<0.50, 0.001<c<0.10, 2.5<d<4.1, 0.5<e<1.0, 3.5<f<5.6이다.
조성비 a~f가 상기 범위를 벗어나면 형광체의 결정 구조가 불안정화되고 제2상의 형성이 조장됨으로써 발광 효율이 저하되는 경향이 있다.
특히, 발광 원소인 Re의 이온 농도를 나타내는 c의 값은 너무 작으면 발광 원소 이온의 원자수가 부족하여 형광체로서 충분한 발광 강도를 얻을 수 없는 경향이 있다. 한편, c의 값이 너무 크면 발광 원소 이온의 원자수가 과잉이 되어 인접하는 발광 이온끼리에 의한 여기 에너지의 재흡수 효과인 농도 소광이라고 불리는 현상을 일으켜 발광 강도가 저하되는 경향이 있다. 이 때문에 c의 값은 0.001<c<0.10의 범위이고, 특히 바람직하게는 0.005<c<0.02의 범위이다.
또한, M2의 조성비 b는 0.20<b<0.50이고, 바람직하게는 0.25<b<0.35이다. b의 값이 이러한 범위 밖이 되면 결정 구조가 현저하게 불안정해지고 상기 형광체를 얻을 수 없어 제2상의 형성이 조장되는 경향이 있다.
나아가 형광체에서의 Si의 조성비 d에 대한 M2의 조성비 b의 비율(b/d)은 0.07<b/d<0.17을 만족하는 것이 바람직하다. b/d가 이 범위를 만족하는 경우에는 높은 결정성을 얻을 수 있고 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
형광체의 모체 결정의 구조로서는 7개의 결정계(입방정계, 정방정계, 사방정계, 삼방정계, 육방정계, 단사정계, 삼사정계)를 생각할 수 있지만, 상기 조건을 만족시킴으로써 형광체의 모체 결정이 단사정계가 된다.
본 발명에 관한 형광체는 파장 350~480nm의 광에 의해 여기되었을 때에 발광 스펙트럼에서의 피크 파장이 490~600nm, 보다 바람직하게는 545~565nm의 범위에 있다. 인간의 명소시 표준 비시감도의 극대값인 555nm 부근에 발광 피크를 가지기 때문에 고휘도의 실현에 유리하다.
또한, 본 발명에 관한 형광체는 상술한 조성적 특징을 만족시키는 것 외에 파장 700~800nm에서 확산 반사율의 평균값이 90% 이상인 것이 바람직하고, 95% 이상인 것이 보다 바람직하다.
상기 파장 영역의 확산 반사율을 소정의 범위로 제어함으로써 발광 효율이 향상되는 이유로서는 주로 이하의 것을 생각할 수 있다.
즉, 형광체의 발광은 발광 중심이 되는 Re 이온의 전자 전이에 의해 발생하기 때문에 일반적으로 모체 결정에 의한 흡수가 적고 광의 투과성이 높을수록 발광 중심에 의한 발광 효율은 향상된다. 확산 반사율은 형광체 분말 내에서의 광확산 과정에서 광의 흡수에 의해 저하되기 때문에 확산 반사율이 높은 것은 광의 투과성이 높은 것을 의미한다.
본 발명과 같이 일반식: M1aM2bRecSidOeNf로 나타나는 형광체는 300~500nm의 범위의 광에 의해 여기되므로 파장 700nm보다 큰 발광 영역에서의 확산 반사율은 형광체 중 Re 이외의 흡수, 즉 모체 결정의 흡수를 나타낸다. 그리고, 결정성이 낮으면 결정 중의 결함 농도가 증가하여 모체 결정에 의한 흡수가 늘어나고 상기 영역의 확산 반사율이 저하된다. 이 때문에 파장 700~800nm에서의 평균 확산 반사율이 높을수록 모체 결정에 의한 흡수가 적고 광 취출 효율이 우수하다고 생각된다.
확산 반사율은 형광체에서의 결정 결함, 제2상, 가시광을 흡수하는 불순물의 존재와 밀접하게 관련되어 있고, 이들을 저감함으로써 상기 범위로 제어할 수 있다. 예를 들어, 형광체를 제조할 때에 어닐 처리나 산처리를 행함으로써 결정 결함이나 제2상을 저감할 수 있기 때문에 이들 공정을 행함으로써 확산 반사율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 형광체는 원료를 혼합하는 혼합 공정과, 혼합 공정 후의 원료를 소성하는 소성 공정을 포함하는 산질화물 형광체의 일반적인 제법에 따라 제조할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이 소성 공정 후에 어닐 처리나 산처리를 추가로 행하는 것이 바람직하다.
<발광 장치>
본 발명의 발광 장치는 발광 소자와 본 발명의 형광체를 포함한다. 이러한 발광 장치에는 발광 장치에 요구되는 휘도나 연색성 등에 따라 본 발명 이외의 형광체 1종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
발광 소자는 파장 350~480nm의 발광을 가지는 무기 발광 소자 또는 유기 발광 소자이다. 발광 소자는 레이저 다이오드 소자나 LED 소자가 바람직하다. 발광 소자의 발광 파장이 너무 작으면 발광 소자의 에너지가 열 등으로 변환되기 쉬워지고 소비전력 증가로 이어진다. 한편, 발광 파장이 너무 크면 형광체의 변환 효율이 저하된다.
발광 장치는 모니터용 백라이트, 프로젝터의 광원 장치, 영상 표시 장치, 조명 장치, 교통신호기 또는 도로표지 등으로 할 수 있다.
실시예
본 발명을 이하에 나타내는 실시예에 의해 더욱 자세하게 설명한다. 표 1은 각 실시예 및 비교예의 형광체 조성비, 확산 반사율, 상대 발광 효율을 나타낸 것이다.
<실시예 1>
1. 형광체 제조
실시예 1의 형광체를 이하의 방법에 의해 제조하였다.
원료로서 산화 란탄(La2O3), 산화 칼슘(CaO), 질화 규소(Si3N4) 및 산화 유로퓸(Eu2O3)을 이용하였다. 원료를 표 1과 같이 칭량하고 마노제 유발과 유봉에 의해 건식 혼합을 30분간 행하였다. 표 1의 원료란의 수치는 각 원료의 중량(그램)을 나타낸다.
건식 혼합 후의 원료를 질화 붕소제 도가니에 충전하고 도가니와 동일한 재질로 이루어지는 덮개를 덮어 카본 히터의 전기로에 세트하여 소성하였다. 전기로 내의 분위기는 질소 가스를 채용하였다. 질소 가스는 실온에서 전기로 안을 로터리 펌프로 고진공 상태로 유지하고 나서 로내 온도가 300℃에 도달하였을 때에 대기압이 될 때까지 도입하였다.
소성물을 마노제 유발 및 유봉을 이용하여 수동으로 분쇄하였다. 분쇄 후에 얻어진 분체를 강산성 액에 담그고 불순물을 용융 제거하여 실시예 1의 형광체를 얻었다.
2. 결정상 확인
실시예 1의 형광체에 대해 X선 회절 측정에 의해 결정상의 동정(同定)을 행하였다. 측정 장치는 CuKα선의 관구(管球)를 탑재한 Rigaku제 Ultima-IV를 이용하였다. 형광체 분말은 단사정계를 가지는 결정상이 단상으로 존재하고 그 이외의 결정상은 존재하지 않았다.
3. 파장 700~800nm에서 확산 반사율의 평균값
형광체의 확산 반사율의 측정을 JIS P 8152: 2005 「종이, 판지 및 펄프-확산 반사율 계수의 측정 방법」에 따라 측정하였다. 표준 백색판으로서 Labsphere사 제품 스펙트라론 확산 반사판 SRT-99-020을 이용하고, 형광체 시료를 셀에 채우고 니혼 분광 주식회사 제품 자외 가시 분광 광도계 V-550에 적분구 ISV-469를 탑재한 장치에 의해 측정을 행하였다.
표 1의 파장 700~800nm에서 확산 반사율의 평균값은 이 측정에 의해 얻은 파장 500~800nm의 범위의 확산 반사율 중에서 파장 700~800nm의 확산 반사율의 평균값을 산출한 것이다.
4. 상대 발광 효율
Xe 램프로부터 방사되는 광을 분광기에 의해 분광한 파장 455nm의 광을 여기광으로 하고, 이 여기광을 광섬유를 이용하여 적분구 내에 세트된 형광체 시료에 조사하고, 여기광에 의한 형광체의 발광을 오츠카 전자 주식회사 제품 순간 멀티 측광 시스템(고감도 타입) MCPD-7000을 이용하여 발광 효율을 구하였다. 후술하는 비교예 1의 형광체의 발광 효율을 100%로 하는 상대값으로서 상대 발광 효율을 구하였다.
실시예 1의 형광체 조성은 표 1에 나타내는 바와 같이 La0.660Ca0.330Eu0.010Si4.10O0.80N5.60의 형광체이었다. 실시예 1의 형광체는 파장 700~800nm에서 확산 반사율의 평균값이 93%이며 상대 발광 효율이 107%이었다.
<비교예 1>
비교예 1은 표 1에 나타내는 원소 조성으로 한 것 이외에는 실시예 1과 같이 제조하였다. 비교예 1의 형광체는 La0 . 670Ca0 . 320Eu0 . 010Si4 . 60O0 . 80N6 .60이었다. 비교예 1의 형광체는 d, f 및 b/d의 값이 본 발명에 규정하는 범위 밖이며, 파장 700~800nm에서 확산 반사율의 평균값은 높지만 발광 효율이 충분하지는 않았다.
<실시예 2~13>
실시예 2~13은 표 1에 나타내는 원소 조성으로 한 것 이외에는 실시예 1과 같이 제조하였다. 모든 실시예가 비교예 1의 형광체에 비해 높은 평균 확산 반사율 및 상대 발광 효율을 나타내었다.
도 1에 Xe 램프로부터 방사되는 광을 분광기에 의해 분광한 파장 455nm의 광을 여기광으로 하고, 이 여기광을 광섬유를 이용하여 적분구 내에 세트된 실시예 11, 12 및 13의 형광체에 조사하고, 그 여기광에 의한 형광체의 발광을 오츠카 전자 주식회사 제품 순간 멀티 측광 시스템(고감도 타입) MCPD-7000을 이용하여 관측한 경우의 발광 강도를 나타낸다. 발광 강도의 수치는 최대 발광 강도가 1이 되도록 규격화한 값이다. 발광 중심 이온인 Eu의 농도를 바꾸어도 높은 발광 강도는 유지되고 발광 피크 파장이 연속적으로 시프트되는 것을 확인하였다.
또한, 표 1에는 기재하지 않았지만, 실시예 1의 형광체에 대해 M1로서 La 이외의 Y, Sc, Al를 이용한 경우, M2로서 Ca 이외의 Zn, Sr, Ba, Mg를 이용한 경우, Re로서 Eu 이외의 Ce, Pr, Sm, Eu, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Cr, Mn을 이용한 경우에도 실시예 1과 같이 높은 발광 효율을 얻을 수 있는 것이 확인되었다.
<실시예 14>
봉지재에 혼합한 실시예 1의 형광체와, 발광 소자로서 파장 455nm의 발광을 가지는 발광 다이오드를 이용하여 발광 장치를 제조하였다. 이 발광 장치는 비교예 1의 형광체를 이용하여 마찬가지로 제조한 발광 장치에 비해 높은 휘도를 나타내었다.
Claims (8)
- 일반식: M1aM2bRecSidOeNf로 나타나고, M1은 Y, Sc, La, Al에서 선택된 1종류 이상의 원소이며, M2는 Zn, Sr, Ba, Ca, Mg에서 선택된 1종류 이상의 원소이고, Re는 희토류 원소나 전이 금속 원소 중 Ce, Pr, Sm, Eu, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Cr, Mn에서 선택된 1종류 이상의 원소이며, 식 중의 a, b, c, d, e 및 f가
a+b+c=1,
0.20<b<0.50,
0.001<c<0.10,
2.5<d<4.1,
0.5<e<1.0,
3.5<f<5.6
인 형광체. - 청구항 1에 있어서,
모체 결정이 단사정계인 형광체. - 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
b 및 d가 0.07<b/d<0.17의 조건을 만족시키는 형광체. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
M1이 La를 포함하고, M2가 Ca를 포함하며, Re가 Eu를 포함하는 형광체. - 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
파장 350~480nm의 광에 의해 여기되었을 때에 발광 스펙트럼에서의 피크 파장이 490~600nm의 범위인 형광체. - 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
파장 700~800nm에서의 확산 반사율의 평균값이 90% 이상인 형광체. - 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 형광체와 발광 소자를 가지는 발광 장치.
- 청구항 7에 있어서,
발광 소자가 파장 350~480nm의 발광을 가지는 발광 장치.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2013-269044 | 2013-12-26 | ||
| JP2013269044 | 2013-12-26 | ||
| PCT/JP2014/083863 WO2015098814A1 (ja) | 2013-12-26 | 2014-12-22 | 蛍光体及び発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160102447A true KR20160102447A (ko) | 2016-08-30 |
| KR102295679B1 KR102295679B1 (ko) | 2021-08-30 |
Family
ID=53478668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167017488A KR102295679B1 (ko) | 2013-12-26 | 2014-12-22 | 형광체 및 발광 장치 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10093854B2 (ko) |
| JP (1) | JP6406550B2 (ko) |
| KR (1) | KR102295679B1 (ko) |
| CN (1) | CN105899641B (ko) |
| DE (1) | DE112014006040B4 (ko) |
| TW (1) | TWI648374B (ko) |
| WO (1) | WO2015098814A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109075235B (zh) * | 2016-02-23 | 2021-11-12 | 亮锐控股有限公司 | 用于发光器件的波长转换材料 |
| JP6785333B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-11-18 | デンカ株式会社 | 蛍光体粉末、複合体および発光装置 |
| JP7252186B2 (ja) * | 2020-10-26 | 2023-04-04 | デンカ株式会社 | 蛍光体粉末、複合体および発光装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093298A (ja) | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Japan Atom Energy Res Inst | 粘土層間にインターカレーションした鉄イオンの磁性化方法 |
| JP2007037059A (ja) | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sony Corp | スピーカ装置及びオーディオ信号の再生方法 |
| JP2007105631A (ja) | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Sumiju Kankyo Engineering Kk | 有機性排水の処理方法及び装置 |
| JP2009096823A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | National Institute For Materials Science | 蛍光体と発光器具 |
| KR20120110216A (ko) * | 2011-03-29 | 2012-10-10 | 순천대학교 산학협력단 | 산질화물계 형광체 |
| JP2013142134A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 蛍光体及び発光装置 |
| JP2013142135A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 蛍光体及び発光装置 |
| JP2013177511A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体の製造方法、およびその製造方法により得られる蛍光体 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3576756A (en) | 1968-06-12 | 1971-04-27 | Mallinckrodt Chemical Works | Fluocomplexes of titanium, silicon, tin and germanium, activated by tetravalent manganese |
| JPS5889680A (ja) | 1981-11-20 | 1983-05-28 | Kasei Optonix Co Ltd | 耐湿性および耐水性の向上した硫化カルシウム螢光体およびその製造方法 |
| JPH04178486A (ja) | 1990-11-09 | 1992-06-25 | Sumitomo Chem Co Ltd | 耐水性蛍光体の製造方法 |
| US6020067A (en) | 1997-09-09 | 2000-02-01 | Kasei Optonix, Ltd. | Phosphor having surface coated with a quaternary salt-containing compound |
| US7497973B2 (en) | 2005-02-02 | 2009-03-03 | Lumination Llc | Red line emitting phosphor materials for use in LED applications |
| EP1867697B1 (en) | 2005-03-04 | 2014-05-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Fluorescent substance and process for producing the same, and light emitting device using said fluorescent substance |
| KR101331392B1 (ko) | 2005-09-27 | 2013-11-20 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 형광체 및 그 제조방법, 및 상기 형광체를 사용한 발광장치 |
| EP2308946B1 (en) | 2006-03-10 | 2013-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Luminescent material and light-emitting device |
| US20090110285A1 (en) | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Technion Research And Development Foundation Ltd | Apparatus and method for improving image resolution using fuzzy motion estimation |
| TWI438262B (zh) | 2008-02-07 | 2014-05-21 | Mitsubishi Chem Corp | A semiconductor light emitting device, a backlight, a color image display device, and a phosphor |
| JPWO2009110285A1 (ja) | 2008-03-03 | 2011-07-14 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| US8057706B1 (en) | 2010-07-27 | 2011-11-15 | General Electric Company | Moisture-resistant phosphor and associated method |
| MY167700A (en) | 2011-04-08 | 2018-09-21 | Shinetsu Chemical Co | Preparation of complex fluoride and complex fluoride phosphor |
| JP5418548B2 (ja) | 2011-07-06 | 2014-02-19 | 日亜化学工業株式会社 | フッ化物蛍光体及びそのフッ化物蛍光体を用いた発光装置 |
| EP2663611B1 (en) | 2011-12-16 | 2014-07-23 | Koninklijke Philips N.V. | Mn-activated hexafluorosilicates for led applications |
| JP2013249375A (ja) | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体 |
| JP6015851B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-10-26 | 宇部興産株式会社 | 酸窒化物蛍光体粉末およびその製造方法 |
| JP6102640B2 (ja) | 2013-08-29 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | フッ化物蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いる発光装置 |
| US9909060B2 (en) * | 2013-11-29 | 2018-03-06 | National Institute For Materials Science | Phosphor, light-emitting device, image display device, pigment, and ultraviolet absorber |
| JP6155382B2 (ja) | 2014-02-26 | 2017-06-28 | デンカ株式会社 | 蛍光体、発光素子及び発光装置 |
| WO2015129743A1 (ja) | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 電気化学工業株式会社 | 蛍光体、発光素子及び発光装置 |
-
2014
- 2014-12-22 JP JP2015554868A patent/JP6406550B2/ja active Active
- 2014-12-22 KR KR1020167017488A patent/KR102295679B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-22 WO PCT/JP2014/083863 patent/WO2015098814A1/ja active Application Filing
- 2014-12-22 DE DE112014006040.2T patent/DE112014006040B4/de active Active
- 2014-12-22 CN CN201480070743.4A patent/CN105899641B/zh active Active
- 2014-12-22 US US15/106,780 patent/US10093854B2/en active Active
- 2014-12-23 TW TW103144906A patent/TWI648374B/zh active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093298A (ja) | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Japan Atom Energy Res Inst | 粘土層間にインターカレーションした鉄イオンの磁性化方法 |
| JP2007037059A (ja) | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sony Corp | スピーカ装置及びオーディオ信号の再生方法 |
| JP2007105631A (ja) | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Sumiju Kankyo Engineering Kk | 有機性排水の処理方法及び装置 |
| JP2009096823A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | National Institute For Materials Science | 蛍光体と発光器具 |
| KR20120110216A (ko) * | 2011-03-29 | 2012-10-10 | 순천대학교 산학협력단 | 산질화물계 형광체 |
| JP2013142134A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 蛍光体及び発光装置 |
| JP2013142135A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 蛍光体及び発光装置 |
| JP2013177511A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体の製造方法、およびその製造方法により得られる蛍光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE112014006040T5 (de) | 2016-09-15 |
| CN105899641A (zh) | 2016-08-24 |
| DE112014006040B4 (de) | 2019-08-29 |
| KR102295679B1 (ko) | 2021-08-30 |
| US20180163128A1 (en) | 2018-06-14 |
| US10093854B2 (en) | 2018-10-09 |
| CN105899641B (zh) | 2019-05-14 |
| TW201531553A (zh) | 2015-08-16 |
| JPWO2015098814A1 (ja) | 2017-03-23 |
| TWI648374B (zh) | 2019-01-21 |
| WO2015098814A1 (ja) | 2015-07-02 |
| JP6406550B2 (ja) | 2018-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Liu et al. | High efficiency and high color purity blue-emitting NaSrBO 3: Ce 3+ phosphor for near-UV light-emitting diodes | |
| Zhou et al. | Temperature dependence of energy transfer in tunable white light-emitting phosphor BaY 2 Si 3 O 10: Bi 3+, Eu 3+ for near UV LEDs | |
| Sakuma et al. | Red-shift of emission wavelength caused by reabsorption mechanism of europium activated Ca-α-SiAlON ceramic phosphors | |
| Xu et al. | Full color control and white emission from CaZnOS: Ce 3+, Na+, Mn 2+ phosphors via energy transfer | |
| JP5970534B2 (ja) | 酸窒化物蛍光体 | |
| Xiao et al. | An efficient blue phosphor Ba2Lu5B5O17: Ce3+ stabilized by La2O3: Photoluminescence properties and potential use in white LEDs | |
| Wang et al. | Synthesis, crystal structure, and photoluminescence of a novel blue-green emitting phosphor: BaHfSi 3 O 9: Eu 2+ | |
| Ding et al. | Luminescence properties of new Ca10 (Si2O7) 3Cl2: Eu2+ phosphor | |
| KR20130106394A (ko) | 청색 발광 형광체 및 그 청색 발광 형광체를 사용한 발광 장치 | |
| Xiao et al. | Y4MgSi3O13: RE3+ (RE= Ce, Tb and Eu) nanophosphors for a full-color display | |
| Hu et al. | Tunable luminescence properties and energy transfer of single-phase Ca4 (PO4) 2O: Dy3+, Eu2+ multi-color phosphors for warm white light | |
| KR102295679B1 (ko) | 형광체 및 발광 장치 | |
| Zhao et al. | Effect of SiO2 introduction on luminescence properties of LuAG: Mn2+ phosphors | |
| JP2005179498A (ja) | 赤色蛍光体材料、赤色蛍光体材料を用いた白色発光ダイオードおよび白色発光ダイオードを用いた照明機器 | |
| EP3015530B1 (en) | Fluorescent powder and light emitting apparatus comprising same | |
| Bian et al. | White-light emission in a single-phase Ca9. 3Mg0. 7K (PO4) 7: Eu2+, Tb3+, Mn2+ phosphor for light-emitting diodes | |
| CN107163934B (zh) | 四价锰离子掺杂氟氧化铝锂红色荧光粉及其制备方法 | |
| CN107163943B (zh) | 一种适于近紫外激发的光谱可调控的荧光粉及其制备方法 | |
| Xie et al. | Blue and red luminescence from Mn2+–Ce3+ co-doped MgYSi2O5N phosphors | |
| Nien et al. | Effects of HfO2 dopant on characteristics of Li2MgTiO4-based red phosphors: Thermal stability, photoluminescence intensity and quantum efficiency improvement | |
| TWI521046B (zh) | 螢光體、其製造方法及發光裝置 | |
| KR101362185B1 (ko) | 형광체 및 이를 포함하는 발광장치 | |
| KR20120033421A (ko) | 산질화물 형광체 | |
| WO2023063251A1 (ja) | 蛍光体、発光装置、照明装置、画像表示装置及び車両用表示灯 | |
| CN116120922B (zh) | 一种Eu2+掺杂硅酸盐荧光材料及其制备方法与应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |