KR20160098388A - 회전가능한 가열형 정전 척 - Google Patents

회전가능한 가열형 정전 척 Download PDF

Info

Publication number
KR20160098388A
KR20160098388A KR1020167018839A KR20167018839A KR20160098388A KR 20160098388 A KR20160098388 A KR 20160098388A KR 1020167018839 A KR1020167018839 A KR 1020167018839A KR 20167018839 A KR20167018839 A KR 20167018839A KR 20160098388 A KR20160098388 A KR 20160098388A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrostatic chuck
lamps
shaft
dielectric disk
disposed
Prior art date
Application number
KR1020167018839A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102243410B1 (ko
Inventor
아난타 케이. 서브라마니
아시쉬 골레
웨이 더블유. 왕
부하라스 스와미나탄
비자이 디. 파케
시아오시옹 유안
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20160098388A publication Critical patent/KR20160098388A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102243410B1 publication Critical patent/KR102243410B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

정전 척은: 기판을 지지하기 위한 지지 표면 및 대향하는(opposing) 제 2 표면을 갖는 유전체 디스크(dielectric disk) ― 적어도 하나의 척킹 전극(chucking electrode)이 유전체 디스크 내에 배치됨 ― ; 유전체 디스크 아래에 배치되는 무선 주파수(RF) 바이어스 플레이트; 유전체 디스크를 가열하기 위해 RF 바이어스 플레이트 아래에 배치되는 복수의 램프들; 램프들에 의해 발생되는 열을 흡수하기 위해, 램프들 아래에 배치되는 금속성 플레이트(metallic plate); 샤프트 ― 샤프트는, RF 바이어스 플레이트에 대해 이격된 관계(spaced apart relation)로 유전체 디스크를 지지하기 위해 샤프트의 제 1 단부에서 유전체 디스크의 제 2 표면에 커플링되고, 유전체 디스크로부터 RF 바이어스 플레이트 및 금속성 플레이트를 통해 연장함 ― ; 및 RF 바이어스 플레이트, 램프들 및 금속성 플레이트에 대해 샤프트 및 유전체 디스크를 회전시키기 위해, 샤프트에 커플링되는 회전 어셈블리를 포함한다.

Description

회전가능한 가열형 정전 척{ROTATABLE HEATED ELECTROSTATIC CHUCK}
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 마이크로전자 디바이스 제조 프로세스들에서 기판들을 유지(retain)하는 데에 사용되는 정전 척(electrostatic chuck)들에 관한 것이다.
[0002] 기판들 상에서의 몇몇 디바이스들(예를 들어, STT-RAM)의 형성은, 물리 기상 증착(PVD) 챔버와 같은 증착 챔버에서 증착되는 얇은 필름들의 다수의 층들을 필요로 한다. 몇몇 실시예들에서, 기판은, 우수한 필름 균일성을 달성하기 위해 증착 프로세스 동안 회전될 필요가 있다. 몇몇 층들의 증착은 또한, 기판이 가열될 것을 필요로 할 수 있다. 또한, 증착 프로세스는 높은 진공 압력을 필요로 한다. 정전 척은, 증착 프로세스 동안 기판 지지부 상에 기판을 정전기적으로 유지하기 위해 종종 사용된다. 통상적으로, 정전 척은, 하나 또는 그 초과의 전극들이 내부에 배치된 세라믹 본체를 포함한다. 전형적인 정전 척들은, 기판 이송들을 용이하게 하기 위해 위아래로 수직으로만 움직인다. 하지만, 본 발명자들은, 이러한 이동 제한은, 기판 상에서의 불-균일한 증착으로 인해, 탈축(off-axis) 증착에 대해 이러한 통상의 정전 척들을 사용하지 못하게 한다는 것을 관찰하였다.
[0003] 따라서, 본 발명자들은 개선된 회전가능한 가열형 정전 척의 실시예들을 제공하였다.
[0004] 회전가능한 가열형 정전 척들의 실시예들이 본원에서 제공되었다. 몇몇 실시예들에서, 정전 척은: 기판을 지지하기 위한 지지 표면 및 대향하는(opposing) 제 2 표면을 갖는 유전체 디스크(dielectric disk) ― 적어도 하나의 척킹 전극(chucking electrode)이 유전체 디스크 내에 배치됨 ― ; 유전체 디스크 아래에 배치되는 무선 주파수(RF) 바이어스 플레이트; 유전체 디스크를 가열하기 위해 RF 바이어스 플레이트 아래에 배치되는 복수의 램프들; 복수의 램프들에 의해 발생되는 열을 흡수하기 위해, 복수의 램프들 아래에 배치되는 금속성 플레이트(metallic plate); 샤프트 ― 샤프트는, RF 바이어스 플레이트에 대해 이격된 관계(spaced apart relation)로 유전체 디스크를 지지하기 위해 샤프트의 제 1 단부에서 유전체 디스크의 제 2 표면에 커플링되고, 유전체 디스크로부터 RF 바이어스 플레이트 및 금속성 플레이트를 통해 연장함 ― ; 및 RF 바이어스 플레이트, 복수의 램프들 및 금속성 플레이트에 대해 샤프트 및 유전체 디스크를 회전시키기 위해, 샤프트에 커플링되는 회전 어셈블리를 포함한다.
[0005] 몇몇 실시예들에서, 정전 척은: 기판을 지지하기 위한 지지 표면 및 대향하는 제 2 표면을 갖는 유전체 디스크 ― 적어도 하나의 척킹 전극이 유전체 디스크 내에 배치됨 ― ; 유전체 디스크 아래에 배치되는 무선 주파수(RF) 바이어스 플레이트; 적어도 하나의 척킹 전극과의 RF 간섭을 최소화하기 위해, 적어도 하나의 척킹 전극에 커플링된 컨덕터 내에 배치되는 인덕터 필터(inductor filter); 유전체 디스크를 가열하기 위해 RF 바이어스 플레이트 아래에 배치되는 복수의 램프들; 복수의 램프들에 의해 발생되는 열을 흡수하기 위해, 복수의 램프들 아래에 배치되는 금속성 플레이트; 샤프트 ― 샤프트는, RF 바이어스 플레이트에 대해 이격된 관계로 유전체 디스크를 지지하기 위해 샤프트의 제 1 단부에서 유전체 디스크의 제 2 표면에 커플링되고, 유전체 디스크로부터 RF 바이어스 플레이트 및 금속성 플레이트를 통해 연장함 ― ; 및 RF 바이어스 플레이트, 복수의 램프들 및 금속성 플레이트에 대해, 샤프트 및 유전체 디스크를 회전시키기 위해, 샤프트에 커플링되는 자기 회전 어셈블리(magnetic rotation assembly)를 포함하며, 자기 회전 어셈블리는, 샤프트의 제 1 단부 반대편의 제 2 단부에 근접하게, 샤프트의 하부 부분에 부착되는 내측 자석(inner magnet), 및 내측 자석의 회전을 구동시키기 위해 내측 자석 둘레에 배치되는 외측 자석(outer magnet)을 포함한다.
[0006] 몇몇 실시예들에서, 정전 척은: 기판을 지지하기 위한 지지 표면 및 대향하는 제 2 표면을 갖는 유전체 디스크 ― 적어도 하나의 척킹 전극이 유전체 디스크 내에 배치됨 ― ;유전체 디스크 아래에 배치되는 무선 주파수(RF) 바이어스 플레이트; 유전체 디스크를 가열하기 위해 RF 바이어스 플레이트 아래에 배치되는 복수의 램프들; 복수의 램프들에 의해 발생되는 열을 흡수하기 위해, 복수의 램프들 아래에 배치되는 금속성 플레이트; RF 바이어스 플레이트, 복수의 램프들, 및 금속성 플레이트를 포함하는 하우징(housing); 금속성 플레이트의 외측 직경과 하우징의 내측 표면 사이에 배치되는 갭 ― 갭은, 금속성 플레이트가 복수의 램프들로부터 열을 흡수할 때, 금속성 플레이트의 열 팽창이 금속성 플레이트의 외측 직경으로 하여금 하우징의 내측 표면을 접촉하게 하도록, 크기설정됨(sized) ― ; 샤프트 ― 샤프트는, RF 바이어스 플레이트에 대해 이격된 관계로 유전체 디스크를 지지하기 위해 샤프트의 제 1 단부에서 유전체 디스크의 제 2 표면에 커플링되고, 유전체 디스크로부터 RF 바이어스 플레이트 및 금속성 플레이트를 통해 연장함 ― ; 및 RF 바이어스 플레이트, 복수의 램프들 및 금속성 플레이트에 대해, 샤프트 및 유전체 디스크를 회전시키기 위해, 샤프트에 커플링되는 자기 회전 어셈블리를 포함한다.
[0007] 본 개시내용의 다른 및 추가의 실시예들이 하기에서 설명된다.
[0008] 앞서 간략히 요약되고 하기에서 더 상세히 논의되는 본 개시내용의 실시예들은, 첨부된 도면들에 도시된 본 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조로 하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 정전 척과 함께 사용하기에 적합한 프로세스 챔버를 도시한다.
[0010] 도 2는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 정전 척의 횡단면도를 도시한다.
[0011] 도 3은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 정전 척의 상부 부분의 횡단면도를 도시한다.
[0012] 도 4는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 무선 주파수(RF) 바이어스 플레이트 및 기판 가열 장치의 평면도를 도시한다.
[0013] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에서 공통되는 동일한 요소들을 표시하기 위해 가능한 한 동일한 참조번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 그려지지 않았으며, 명료함을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유리하게 통합될 수 있음이 고려된다.
[0014] 회전가능한 가열형 정전 척들의 실시예들이 본원에서 제공된다. 본 발명의 정전 척들은 유익하게는, (그 위에 배치된 기판의 급속한 가열 및 냉각과 동시에) 급속하게 가열 및 냉각될 수 있으며, 그에 의해, 기판 프로세싱에 있어서 증가된 처리량 및 프로세스 유연성을 제공할 수 있다. 본 발명의 정전 척의 실시예들은 또한 유익하게는, 프로세싱 동안 기판과 정전 척의 열 팽창들의 차이들로 인한 마찰로부터 야기되는, 기판에 대한 손상들을 감소시키거나 제거할 수 있다.
[0015] 도 1은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 플라즈마 프로세싱 챔버의 개략적인 횡단면도이다. 몇몇 실시예들에서, 플라즈마 프로세싱 챔버는 물리 기상 증착(PVD) 프로세싱 챔버이다. 하지만, 다른 타입들의 프로세싱 챔버들이 또한, 본원에서 설명되는 본 발명의 정전 척의 실시예들을 이용할 수 있거나, 또는 그러한 실시예들과 함께 이용하도록 변경될 수 있다.
[0016] 챔버(100)는, 기판 프로세싱 동안 챔버 내부 볼륨(chamber interior volume)(120) 내에서 부압(sub-atmospheric pressure)들을 유지하도록 적합하게 적응되는 진공 챔버이다. 챔버(100)는, 챔버 내부 볼륨(120)의 상부 절반에 위치되는 프로세싱 볼륨(119)을 둘러싸는 리드(lid)(104)에 의해 커버되는 챔버 본체(106)를 포함한다. 챔버(100)는 또한, 다양한 챔버 컴포넌트들을 외접하는(circumscribing) 하나 또는 그 초과의 실드(shield)들(105)을 포함하여, 이러한 컴포넌트들과 이온화된 프로세스 재료 사이의 원치않는 반응을 막을 수 있다. 챔버 본체(106) 및 리드(104)는 금속, 이를 테면 알루미늄으로 제조될 수 있다. 챔버 본체(106)는 접지(115)로의 커플링을 통해 접지될 수 있다.
[0017] 기판(S), 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 또는 정전기적으로 유지될 수 있는 다른 그러한 기판을 지지하고 유지하기 위해, 기판 지지부(124)가 챔버 내부 볼륨(120) 내에 배치된다. 기판 지지부(124)는 일반적으로, (도 2 내지 4와 관련하여 하기에서 더 상세히 설명되는) 정전 척(150) 및 정전 척(150)을 지지하기 위한 중공형 지지 샤프트(hollow support shaft)(112)를 포함할 수 있다. 중공형 지지 샤프트(112)는, 예를 들어, 프로세스 가스들, 유체들, 냉각수들, 전력 등을 정전 척(150)에 제공하기 위한 도관을 제공한다.
[0018] 몇몇 실시예들에서, 중공형 지지 샤프트(112)는 리프트 메커니즘(113)에 커플링되며, 리프트 메커니즘(113)은, (도 1에 도시된 바와 같은) 상부의 프로세싱 포지션과 하부의 이송 포지션(미도시) 사이에서 정전 척(150)의 수직 이동을 제공한다. 벨로우즈 어셈블리(110)가 중공형 지지 샤프트(112) 둘레에 배치되고, 정전 척(150)과 챔버(100)의 바닥 표면(126) 사이에 커플링되어, 챔버(100) 내로부터의 진공의 손실을 막으면서 정전 척(150)의 수직 이동을 허용하는 가요성 시일(flexible seal)을 제공한다. 벨로우즈 어셈블리(110)는 또한, 챔버 진공의 손실을 막는 것을 돕기 위해 바닥 표면(126)과 접촉하는, o-링(165) 또는 다른 적합한 밀봉 엘리먼트와 접촉하는 하부 벨로우즈 플랜지(164)를 포함한다.
[0019] 중공형 지지 샤프트(112)는, 유체 소스(142), 가스 공급부(141), 척킹 전력 공급부(140), 및 RF 소스들(예를 들어, RF 플라즈마 전력 공급부(170) 및 RF 바이어스 전력 공급부(117))를 정전 척(150)에 커플링시키기 위한 도관을 제공한다. 몇몇 실시예들에서, RF 플라즈마 전력 공급부(170) 및 RF 바이어스 전력 공급부(117)는, 각각의 RF 매치 네트워크들(RF 매치 네트워크(116) 만이 도시됨)을 통해 정전 척에 커플링된다.
[0020] 기판 리프트(130)는, 샤프트(111)에 연결된 플랫폼(108) 상에 장착되는 리프트 핀들(109)을 포함할 수 있으며, 샤프트(111)는, 기판 "S"가 정전 척(150) 상에 배치되거나 정전 척(150)으로부터 제거될 수 있도록 기판 리프트(130)를 상승 및 하강시키기 위해 제 2 리프트 메커니즘(132)에 커플링된다. 정전 척(150)은 리프트 핀들(109)을 수용하기 위한 (하기 설명되는) 쓰루홀(thru-hole)들을 포함한다. 벨로우즈 어셈블리(131)가 기판 리프트(130)와 바닥 표면(126) 사이에 커플링되어, 기판 리프트(130)의 수직 이동 동안 챔버 진공을 유지하는 가요성 시일을 제공한다.
[0021] 챔버(100)는 진공 시스템(114)에 연결되어 그러한 진공 시스템(114)과 유체 소통(fluid communication)하며, 진공 시스템(114)은 챔버(100)를 배기시키는 데에 사용되는, 스로틀 밸브(미도시) 및 진공 펌프(미도시)를 포함한다. 챔버(100) 내의 압력은 스로틀 밸브 및/또는 진공 펌프를 조정함으로써 조정될 수 있다. 챔버(100)는 또한, 챔버(100) 내에 배치된 기판을 프로세싱하기 위해 챔버(100)에 하나 또는 그 초과의 프로세스 가스들을 공급할 수 있는 프로세스 가스 공급부(118)에 연결되어 그러한 프로세스 가스 공급부(118)와 유체 소통한다.
[0022] 동작에 있어서, 예를 들어, 하나 또는 그 초과의 프로세스들을 수행하기 위해 챔버 내부 볼륨(120)에서 플라즈마(102)가 생성될 수 있다. 프로세스 가스를 점화시키고(ignite) 플라즈마(102)를 생성하기 위해, 챔버 내부 볼륨(120)에 근접하는 또는 챔버 내부 볼륨(120) 내의 하나 또는 그 초과의 전극들을 통해, 플라즈마 전력 소스(예를 들어, RF 플라즈마 전력 공급부(170))로부터의 전력을 프로세스 가스에 커플링시킴으로써, 플라즈마(102)가 생성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 플라즈마로부터의 이온들을 기판(S) 쪽으로 끌어당기기 위해, 바이어스 전력 공급부(예를 들어, RF 바이어스 전력 공급부(117))로부터의 바이어스 전력이 또한, (하기 설명되는) 용량성으로 커플링된 바이어스 플레이트를 통해, 정전 척(150) 내에 배치된 (하기 설명되는) 하나 또는 그 초과의 전극들에 제공될 수 있다.
[0023] 몇몇 실시예들에서, 예를 들어, 챔버(100)가 PVD 챔버인 경우, 기판(S) 상에 증착될 소스 재료를 포함하는 타겟(166)이, 기판 보다 위에 그리고 챔버 내부 볼륨(120) 내에 배치될 수 있다. 타겟(166)은 챔버(100)의 접지된 전도성 부분에 의해, 예를 들어, 유전체 격리기(dielectric isolator)를 통해 알루미늄 어댑터(aluminum adapter)에 의해 지지될 수 있다. 다른 실시예들에서, 챔버(100)는, 동일한 챔버를 사용하여 서로 상이한 재료의 층들을 증착하기 위한 다중-캐소드 배열에서 복수의 타겟들을 포함할 수 있다.
[0024] 타겟(166)에 음 전압, 또는 바이어스를 인가하기 위해, 제어가능한 DC 전력 소스(168)가 챔버(100)에 커플링될 수 있다. RF 바이어스 전력 공급부(117)는, 기판(S) 상에서 음의 DC 바이어스를 유도하기 위해, 기판 지지부(124)에 커플링될 수 있다. 또한, 몇몇 실시예들에서, 음의 DC 셀프-바이어스가 프로세싱 동안 기판(S) 상에 형성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판(S) 상에서의 증착 레이트의 방사상 분포의 제어를 용이하게 하도록 타겟(166)에 RF 전력을 인가하기 위해, RF 플라즈마 전력 공급부(170)가 또한, 챔버(100)에 커플링될 수 있다. 동작에 있어서, 챔버(100) 내에서 생성되는 플라즈마(102)에서의 이온들은 타겟(166)으로부터의 소스 재료와 반응한다. 이러한 반응은 타겟(166)으로 하여금 소스 재료의 원자들을 방출(eject)하게 하며, 이러한 원자들은 이후 기판(S)을 향해 지향되며, 그에 따라, 재료를 증착한다.
[0025] 도 2는 본 개시내용의 실시예들에 따른, 정전 척(척(200))의 횡단면도를 도시한다. 척(200)은, 디스크(202), 디스크(202)의 바닥으로부터 연장하는 샤프트(204), 및 하우징(206)을 포함하며, 하우징(206)은, 디스크(202), 샤프트(204), 및 척(200)의 (하기 설명되는) 모든 컴포넌트들을 둘러싼다.
[0026] 디스크(202)는 유전체 재료, 이를 테면 세라믹 재료, 예를 들어, 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 질화 붕소, 산화 티타늄으로 도핑된 알루미나 등으로 형성된다. 디스크(202)는, 디스크(202)의 상부 표면 근방에 배치되는 하나 또는 그 초과의 척킹 전극들(208)을 포함한다. 하나 또는 그 초과의 척킹 전극들(208)은 적합한 전도성 재료, 이를 테면 몰리브덴, 티타늄 등으로 제조된다. 하나 또는 그 초과의 척킹 전극들(208)은, 프로세싱 동안 디스크의 상부 표면에 기판을 충분하게 고정시키게(secure) 될 임의의 구성으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 하나 또는 그 초과의 척킹 전극들(208)은 단일 전극 정전 척, 바이폴라 정전 척 등을 제공하도록 배열될 수 있다.
[0027] 상기 주목한 바와 같이, 디스크(202)는 또한, 하나 또는 그 초과의 RF 바이어스 전극들(210)을 포함할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 RF 바이어스 전극들(210)은, 플라즈마로부터의 이온들을, 디스크(202) 상에 배치된 기판 쪽으로 끌어당기기 위해, RF 전력에 용량성으로 커플링된다. 외부 RF 전력 소스(예를 들어, RF 바이어스 전력 공급부(117))로부터 전력을 받는, 디스크(202) 아래에 배치된 RF 바이어스 플레이트(212)를 통해, RF 바이어스 전극들(210)에 전력이 전달된다. RF 바이어스 플레이트(212)는 RF 바이어스 전극들(210)에 용량성으로 커플링되며, 그에 의해, 컨덕터를 통한 임의의 직접적인 전기적 커플링을 제거한다. 따라서, 디스크(202)가 회전하고 있는 동안, RF 바이어스 전극들(210)에 전력이 전달될 수 있다.
[0028] 디스크(202), 및 그 위에 배치되는 경우 기판의 가열을 용이하게 하기 위해, 척(200)은 RF 바이어스 플레이트(212) 아래에 배치되는 램프 하우징(216)을 포함하며, 램프 하우징(216)은 복수의 램프들(214)을 포함한다. 램프 하우징(216)은 복수의 램프들(214)의 열(heat)을 견딜 수 있는 재료로 형성된다. 예를 들어, 램프 하우징(216)은 세라믹 재료로 형성될 수 있다. 복수의 램프들(214)은, 복사(radiation)를 통해 디스크(202)를 가열하기에 충분한 열을 방출할(emitting) 수 있는 임의의 타입의 램프를 포함한다. 예를 들어, 복수의 램프들(214)은 할로겐 램프들을 포함할 수 있다. 복수의 램프들(214)에 의해 발생되는 열이 디스크(202)에 도달하도록 허용하기 위해, 도 4에서 보다 상세히 도시되는 바와 같이, RF 바이어스 플레이트(212)는 복수의 램프들(214)의 포지션들에 대응하는 포지션들에 슬롯들을 포함한다.
[0029] 척(200)은 또한, 회전 동안 척(200)에 증가된 강성(rigidity)을 제공하기 위해, 디스크(202)에 근접하게 (예를 들어, 디스크(202)의 약 3 인치 내에) 위치되는 베어링(218)을 포함할 수 있다. 베어링(218)은, 예를 들어, 크로스 롤러 베어링(cross roller bearing) 등을 포함할 수 있다. 베어링(218)으로부터 열을 전도시키기 위해(만일 그렇지 않으면, 이러한 열은 베어링을 팽창시켜서, 결국 시징(seize)되게 할 수 있다), 금속성 플레이트(220)가 램프 하우징(216) 아래에 배치된다. 금속성 플레이트(220)는, 예를 들어, 알루미늄과 같은, 임의의 프로세스 호환성(compatible) 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. 금속성 플레이트(220)는, 금속성 플레이트(220)의 외측 에지와 하우징(206)의 내측 표면 사이에 갭이 배치되도록, 크기설정된다. 척(200)의 동작 동안, 복수의 램프들(214)에 의해 발생되는 열이 금속성 플레이트(220)를 가열하여 금속성 플레이트(220)를 팽창시키며, 그에 따라, 금속성 플레이트(220)의 외측 직경 또는 에지가 하우징(206)의 내측 표면을 접촉하게 된다. 하우징(206)의 내측 표면을 접촉하게 되면, 금속성 플레이트(220)는 전도를 통해 하우징(206)에 쉽게 열을 전달한다. 하우징(206)을 냉각시키기 위한 열 전달 유체(예를 들어, 냉각수)를 유동시키기 위해, (하기 설명되는) 유체 채널들이 하우징(206) 내에 배치될 수 있다.
[0030] 척(200)은, 디스크(202)를 회전시키기 위한 자기 구동 어셈블리(magnetic drive assembly)(222)를 더 포함한다. 자기 구동 어셈블리(222)는 내측 자석(inner magnet)(222A) 및 외측 자석(outer magnet)(222B)을 포함한다. 내측 자석(222A)은 샤프트(204)에 부착되거나 고정된다. 몇몇 실시예들에서, 내측 자석(222A)은, 디스크(202) 반대편의, 샤프트(204)의 단부에 근접하게, 샤프트(204)의 하부 부분에 부착된다. 외측 자석(222B)은, 내측 자석(222A)에 근접하게, 하우징(206) 바깥쪽에 배치된다. 외측 자석(222B)은, 내측 자석(222A), 샤프트(204) 및 디스크(202)를 구동시키기 위해, 적합한 메커니즘에 의해, 예를 들어 벨트 구동(belt drive) 또는 모터에 의해 구동될 수 있다. 내측 자석(222A)은 하우징(206) 내에 배치되기 때문에, 진공 압력에 있으며, 그리고 외측 자석(222B)은 하우징(206) 바깥쪽에 배치되기 때문에, 대기압에 있다. 하지만, 그 대신에, 내측 자석(222A) 및 외측 자석(222B) 모두가, 하우징(206) 내에 배치될 수 있다. 따라서, 자기 구동 어셈블리(222)는, 디스크(202) 및 샤프트(204)를, 프로세스 챔버, 및 정지된 채로 유지되는, 척(200)의 나머지 컴포넌트들(예를 들어, 하우징(206), 램프 하우징(216), 금속성 플레이트(220), RF 바이어스 플레이트(212) 등)에 대해 회전시킨다. 대안적으로, 자기 구동 어셈블리(222)는 디스크(202) 및 샤프트(204)를 회전시키기 위한 다른 구성들을 사용할 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 내측 자석(222A) 및 외측 자석(222B)은 각각 회전자 및 고정자로서 기능할 수 있는 바, 회전자를 전자기적으로 구동시키기 위해 고정자 둘레에 컨덕터가 감겨져있다.
[0031] 척(200)은 또한, 디스크(202) 반대편의, 샤프트(204)의 단부에 위치되는 베어링 어셈블리(224)를 포함한다. 베어링 어셈블리(224)는 샤프트(204)를 지지하고, 샤프트(204)의 회전을 용이하게 한다. 또한, 본 발명자들은, 척(200)을 회전시키는 동안 척킹 전극들(208)에 전력을 제공하는 것을 용이하게 하기 위해, 베어링 어셈블리(224)를 통해 척킹 전극들(208)에 전력을 라우팅(route)하기 위한 개선된 방법을 제공하였다. DC 전력 소스(226)로부터 하우징(206) 내의 연결들을 통해 전력이 끌어당겨져서(drawn), 베어링 어셈블리(224)로 라우팅된다. 전류는 베어링 어셈블리(224)를 통해 유동하며, 이후, 샤프트(204)의 내부에 배치된 척킹 전력 라인들(228)을 통해 척킹 전극들(208)에 라우팅된다. 척킹 전력 공급부(예를 들어, DC 전력 소스(226))와의 임의의 간섭을 피하기 위해, 베어링 어셈블리는, 하우징(206)의 내부에 커플링되는 절연체(230)에 커플링될 수 있다.
[0032] 도 3에서의 척(200)의 횡단면도를 참조하여, 복수의 램프들(214)이, 세라믹 플레이트와 같은 유전체 플레이트(302)에 배치된 복수의 컨덕터들(304)로부터 전력을 받는다. 컨덕터들(304)은, 히터 전력 라인들(예를 들어, 컨덕터들)(320)을 통해 DC 전력 소스(226)로부터 또는 다른 전력 공급부(미도시)로부터 전력을 받을 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 컨덕터들(304)을 보호하기 위해, 그리고 컨덕터들(304)과 척(200)의 임의의 다른 전도성 엘리먼트들 간의 의도하지 않은 접촉을 막기 위해, 유전체 층(306)이 유전체 플레이트(302) 정상에 배치될 수 있다. 컨덕터들(304)을 각각의 램프들(214)에 커플링시키는 것을 용이하게 하기 위해, 유전체 층(306) 내에 개구들이 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 복수의 램프들은, 복수의 구역들, 예를 들어, 도 4에 예시된 바와 같이, 램프들의 내측 어레이(inner array), 및 독립적으로 제어가능한, 램프들의 외측 어레이(outer array)로 분할될 수 있다.
[0033] 상기 설명된 바와 같이, 복수의 램프들(214)이 활성화되면, 열이 발생되고, 디스크(202)가 가열된다. 열은 디스크(202) 쪽으로만 방출되는 것이 아니라 모든 방향으로 방출되기 때문에, 열을 흡수하기 위해, 금속성 플레이트(220)가 램프 하우징(216) 아래에 배치된다. 흡수 프로세스 동안, 금속성 플레이트(220)는 확장하고, 하우징(206)과 금속성 플레이트(220)의 외측 에지 간의 갭(316)으로 연장하기 시작한다. 하우징(206)을 접촉하게 되면, 금속성 플레이트(220)는 하우징(206)에 열을 전달한다. 하우징(206)을 차갑게(cool) 유지하기 위해, 복수의 유체 채널들(308)이 하우징(206) 내에 형성된다. 하우징(206)을 냉각시키기 위해, 임의의 적합한 냉각수(예를 들어, 물, 프로필렌 글리콜 등)가 유체 채널들(308)을 통해 유동될 수 있다.
[0034] RF 바이어스 플레이트(212)는, RF 바이어스 전력 공급부(117)로부터, 또는 RF 전력 라인들(예를 들어, 컨덕터들)(310)을 통해 다른 전력 소스(미도시)로부터 그 전력을 받을 수 있다. 척킹 전력 공급부와 RF 파(wave)들의 간섭을 막기 위해, 척(200)은 인덕터 필터(312)를 포함한다. 인덕터 필터(312)는 RF 파들을 필터링하기 위해 척킹 전력 라인들(228)을 둘러싼다.
[0035] 디스크(202) 상에서의 기판의 배치 및 제거를 용이하게 하기 위해, 척(200)은 또한, 디스크(202)로부터 또는 디스크(202) 상으로 기판을 상승 및 하강시키기 위한 복수의 리프트 핀들(314)을 포함하는 리프트 핀 어셈블리를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 복수의 리프트 핀들(314) 중 적어도 하나는 디스크(202)의 온도를 측정하기 위한 고온계(pyrometer)를 포함할 수 있다. 리프트 핀들(314) 반대편에 배치된, 디스크(202)의 영역은, 고온계에 의해 디스크(202)의 온도를 모니터링하는 것을 용이하게 하기 위해, 매우 높은 방사율(emissivity)을 갖도록 처리될 수 있다.
[0036] 몇몇 실시예들에서, 샤프트(204)는 또한, 프로세싱 동안 디스크(202) 상에 배치되는 경우 기판의 이면측(backside)에, 디스크(202)를 통해 이면측 가스(backside gas)들을 제공하기 위한 도관(318)을 포함할 수 있다. 도관(318)은, 도 1과 관련하여 상기 설명된, 가스 공급부(141)에 유체적으로 커플링될 수 있다.
[0037] 도 4는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, RF 바이어스 플레이트 및 기판 가열 장치의 평면도를 도시한다. 도 4는, 복수의 램프들(214)의 포지션들에 대응하는 복수의 개구들(404)을 포함하는 RF 바이어스 플레이트(212)를 예시한다. 상기 설명된 바와 같이, 복수의 개구들(404)은 복수의 램프들(214)에 의해 발생되는 열이 디스크(202)를 가열하도록 허용한다. RF 바이어스 플레이트(212) 및 램프 하우징(216)은 또한, 샤프트(204)가 관통하여 통과하도록 허용하기 위한 중앙 홀(central hole)(402) 및 복수의 리프트 핀들(314)이 관통하여 통과하도록 허용하기 위한 복수의 홀들(406)을 포함한다. 비록 특정 구성으로 배열된 슬롯들로서 도시되어 있지만, 개구들의 형상 및 개수 뿐만 아니라, 램프들의 형상 및 개수는, 디스크(202) 상에서 요구되는 열 프로파일을 제공하도록 달라질 수 있다.
[0038] 상기 내용이 본 개시내용의 실시예들에 대한 것이지만, 본 개시내용의 다른 실시예들 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본 범위를 벗어나지 않으면서 고안될 수 있다.

Claims (15)

  1. 정전 척으로서,
    기판을 지지하기 위한 지지 표면 및 대향하는(opposing) 제 2 표면을 갖는 유전체 디스크(dielectric disk) ― 적어도 하나의 척킹 전극(chucking electrode)이 상기 유전체 디스크 내에 배치됨 ― ;
    상기 유전체 디스크 아래에 배치되는 무선 주파수(RF) 바이어스 플레이트;
    상기 유전체 디스크를 가열하기 위해 상기 RF 바이어스 플레이트 아래에 배치되는 복수의 램프들;
    상기 복수의 램프들에 의해 발생되는 열을 흡수하기 위해, 상기 복수의 램프들 아래에 배치되는 금속성 플레이트(metallic plate);
    샤프트 ― 상기 샤프트는, 상기 RF 바이어스 플레이트에 대해 이격된 관계(spaced apart relation)로 상기 유전체 디스크를 지지하기 위해 상기 샤프트의 제 1 단부에서 상기 유전체 디스크의 상기 제 2 표면에 커플링되고, 상기 유전체 디스크로부터 상기 RF 바이어스 플레이트 및 상기 금속성 플레이트를 통해 연장함 ― ; 및
    상기 RF 바이어스 플레이트, 상기 복수의 램프들 및 상기 금속성 플레이트에 대해 상기 샤프트 및 상기 유전체 디스크를 회전시키기 위해, 상기 샤프트에 커플링되는 회전 어셈블리를 포함하는,
    정전 척.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 정전 척은 바이폴라 정전 척인,
    정전 척.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF 바이어스 플레이트, 상기 복수의 램프들, 및 상기 금속성 플레이트를 포함하는 하우징을 더 포함하는,
    정전 척.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 금속성 플레이트의 외측 직경과 상기 하우징의 내측 표면 사이에 배치되는 갭을 더 포함하고,
    상기 갭은, 상기 금속성 플레이트가 상기 복수의 램프들로부터 열을 흡수할 때, 상기 금속성 플레이트의 열 팽창이 상기 금속성 플레이트의 외측 직경으로 하여금 상기 하우징의 내측 표면을 접촉하게 하도록, 크기설정되는(sized),
    정전 척.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF 바이어스 플레이트는, 상기 유전체 디스크와 상기 복수의 램프들 사이에 배치되는,
    정전 척.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 바이어스 플레이트는, 상기 복수의 램프들로부터 방출되는(emitted) 열이 상기 유전체 디스크를 가열하도록 허용하기 위한 복수의 개구들을 포함하는,
    정전 척.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 램프들은 할로겐 램프(halogen lamp)들을 포함하는,
    정전 척.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 램프들은, 램프들의 내측 어레이(inner array), 및 독립적으로 제어가능한, 램프들의 외측 어레이(outer array)를 포함하는,
    정전 척.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회전 어셈블리는 자기 회전 어셈블리인,
    정전 척.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 자기 회전 어셈블리는, 상기 샤프트의 상기 제 1 단부 반대편의 제 2 단부에 근접하게, 상기 샤프트의 하부 부분에 부착되는 내측 자석(inner magnet), 및 상기 내측 자석의 회전을 구동시키기 위해 상기 내측 자석 둘레에 배치되는 외측 자석(outer magnet)을 포함하는,
    정전 척.
  11. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 샤프트 둘레에 배치되는 베어링 어셈블리(bearing assembly)를 더 포함하는,
    정전 척.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 척킹 전극에 전력을 제공하기 위해 상기 베어링 어셈블리를 통해 전력이 공급될 수 있도록, 상기 베어링 어셈블리는 상기 척킹 전극에 전기적으로 커플링되는,
    정전 척.
  13. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 척킹 전극과의 RF 간섭을 최소화하기 위해, 상기 적어도 하나의 척킹 전극에 커플링된 컨덕터 내에 배치되는 인덕터 필터(inductor filter)를 더 포함하는,
    정전 척.
  14. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유전체 디스크의 상기 지지 표면을 통해 이동가능하게 배치되는 복수의 리프트 핀들을 포함하는 리프트 핀 어셈블리를 더 포함하는,
    정전 척.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 복수의 리프트 핀들 중 적어도 하나는 상기 유전체 디스크의 온도를 측정하기 위한 고온계(pyrometer)를 포함하는,
    정전 척.
KR1020167018839A 2013-12-18 2014-12-08 회전가능한 가열형 정전 척 KR102243410B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361917921P 2013-12-18 2013-12-18
US61/917,921 2013-12-18
US14/560,744 2014-12-04
US14/560,744 US9853579B2 (en) 2013-12-18 2014-12-04 Rotatable heated electrostatic chuck
PCT/US2014/069040 WO2015094750A1 (en) 2013-12-18 2014-12-08 Rotatable heated electrostatic chuck

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160098388A true KR20160098388A (ko) 2016-08-18
KR102243410B1 KR102243410B1 (ko) 2021-04-21

Family

ID=53369382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167018839A KR102243410B1 (ko) 2013-12-18 2014-12-08 회전가능한 가열형 정전 척

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9853579B2 (ko)
EP (1) EP3084819B1 (ko)
JP (1) JP6530755B2 (ko)
KR (1) KR102243410B1 (ko)
CN (2) CN105874585B (ko)
SG (1) SG11201604062WA (ko)
TW (1) TWI649833B (ko)
WO (1) WO2015094750A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180061421A (ko) * 2015-10-28 2018-06-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 바이어스가능한 회전가능 정전 척
CN110050334A (zh) * 2016-12-16 2019-07-23 应用材料公司 具有背部气源的可旋转静电吸盘

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9888528B2 (en) 2014-12-31 2018-02-06 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple heating zones
JP6655310B2 (ja) * 2015-07-09 2020-02-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US10460969B2 (en) * 2016-08-22 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck and method for using the same
US10573498B2 (en) * 2017-01-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus including annular lamp assembly
US20180213608A1 (en) * 2017-01-20 2018-07-26 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with radio frequency isolated heaters
KR102371870B1 (ko) * 2017-03-09 2022-03-07 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 정전식 기판 홀더
JP6605061B2 (ja) * 2017-07-07 2019-11-13 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
US10811296B2 (en) * 2017-09-20 2020-10-20 Applied Materials, Inc. Substrate support with dual embedded electrodes
US11149345B2 (en) 2017-12-11 2021-10-19 Applied Materials, Inc. Cryogenically cooled rotatable electrostatic chuck
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
CN113169026B (zh) 2019-01-22 2024-04-26 应用材料公司 用于控制脉冲电压波形的反馈回路
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
KR20200122486A (ko) 2019-04-18 2020-10-28 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치
USD893441S1 (en) 2019-06-28 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Base plate for a processing chamber substrate support
KR102640172B1 (ko) 2019-07-03 2024-02-23 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법
CN113832450A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 拓荆科技股份有限公司 用于晶圆自动升降旋转的方法及设备
US11462389B2 (en) 2020-07-31 2022-10-04 Applied Materials, Inc. Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
USD947914S1 (en) 2020-11-23 2022-04-05 Applied Materials, Inc. Base plate for a processing chamber substrate support
US11815816B2 (en) * 2021-02-15 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake of photoresist
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US20220384194A1 (en) * 2021-05-28 2022-12-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for generating magnetic fields on substrates during semiconductor processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US20220399185A1 (en) 2021-06-09 2022-12-15 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
WO2023091629A2 (en) * 2021-11-22 2023-05-25 Cvd Equipment Corporation Improvements in chemical vapor deposition systems
US20230282506A1 (en) * 2022-03-02 2023-09-07 Applied Materials, Inc. Biasable rotating pedestal
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07263528A (ja) * 1994-03-18 1995-10-13 Hitachi Ltd ウエハ保持装置および保持方法
JP2002514010A (ja) * 1998-05-01 2002-05-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 加工片処理システム内の加工片をバイアスし、保持する装置
JP2003133233A (ja) * 2001-10-23 2003-05-09 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20120222618A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Dual plasma source, lamp heated plasma chamber

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0478133A (ja) * 1990-07-20 1992-03-12 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US6074512A (en) * 1991-06-27 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners
JPH05198390A (ja) * 1992-01-22 1993-08-06 Jeol Ltd 高周波プラズマ装置
JP3089150B2 (ja) * 1993-10-19 2000-09-18 キヤノン株式会社 位置決めステージ装置
JP4335981B2 (ja) * 1998-01-16 2009-09-30 キヤノンアネルバ株式会社 高温リフロースパッタリング方法及び高温リフロースパッタリング装置
JP2000150394A (ja) * 1998-11-17 2000-05-30 Toshiba Corp 基板処理装置及び基板位置合わせ装置
US6462928B1 (en) * 1999-05-07 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved electrical connector and method
JP4493756B2 (ja) * 1999-08-20 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6554905B1 (en) 2000-04-17 2003-04-29 Asm America, Inc. Rotating semiconductor processing apparatus
JP4554065B2 (ja) * 2000-12-19 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR100427459B1 (ko) * 2001-09-05 2004-04-30 주성엔지니어링(주) 아크 방지용 정전척
US20030154922A1 (en) * 2002-02-19 2003-08-21 Nathan House C-chuck insulator strip
US6875927B2 (en) * 2002-03-08 2005-04-05 Applied Materials, Inc. High temperature DC chucking and RF biasing cable with high voltage isolation for biasable electrostatic chuck applications
JP4031691B2 (ja) * 2002-09-20 2008-01-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
JP5069452B2 (ja) * 2006-04-27 2012-11-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体
US20080084650A1 (en) * 2006-10-04 2008-04-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for substrate clamping in a plasma chamber
WO2008069259A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device
US8941037B2 (en) * 2006-12-25 2015-01-27 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, focus ring heating method, and substrate processing method
JP4833143B2 (ja) * 2007-04-19 2011-12-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置
US8194384B2 (en) * 2008-07-23 2012-06-05 Tokyo Electron Limited High temperature electrostatic chuck and method of using
JP5280459B2 (ja) * 2008-12-25 2013-09-04 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
JP5451895B2 (ja) * 2010-10-07 2014-03-26 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
JP2012186245A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Tokyo Electron Ltd 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US9793144B2 (en) 2011-08-30 2017-10-17 Evatec Ag Wafer holder and temperature conditioning arrangement and method of manufacturing a wafer
KR20140108267A (ko) * 2011-12-15 2014-09-05 캐논 아네르바 가부시키가이샤 기판 홀더 장치 및 진공 처리 장치
WO2013111363A1 (ja) * 2012-01-26 2013-08-01 京セラ株式会社 静電チャック
US9048190B2 (en) * 2012-10-09 2015-06-02 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing substrates using an ion shield
US8906810B2 (en) * 2013-05-07 2014-12-09 Lam Research Corporation Pulsed dielectric etch process for in-situ metal hard mask shape control to enable void-free metallization
JP6088346B2 (ja) * 2013-05-09 2017-03-01 新光電気工業株式会社 静電チャック及び半導体製造装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07263528A (ja) * 1994-03-18 1995-10-13 Hitachi Ltd ウエハ保持装置および保持方法
JP2002514010A (ja) * 1998-05-01 2002-05-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 加工片処理システム内の加工片をバイアスし、保持する装置
JP2003133233A (ja) * 2001-10-23 2003-05-09 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20120222618A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Dual plasma source, lamp heated plasma chamber

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180061421A (ko) * 2015-10-28 2018-06-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 바이어스가능한 회전가능 정전 척
CN110050334A (zh) * 2016-12-16 2019-07-23 应用材料公司 具有背部气源的可旋转静电吸盘
KR20190088078A (ko) * 2016-12-16 2019-07-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 후면 가스 공급부를 갖는 회전가능 정전 척
CN110050334B (zh) * 2016-12-16 2023-09-05 应用材料公司 具有背部气源的可旋转静电吸盘

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201604062WA (en) 2016-07-28
CN109585252A (zh) 2019-04-05
US20150170952A1 (en) 2015-06-18
KR102243410B1 (ko) 2021-04-21
US9853579B2 (en) 2017-12-26
TWI649833B (zh) 2019-02-01
EP3084819B1 (en) 2018-08-15
JP2017502514A (ja) 2017-01-19
CN109585252B (zh) 2021-05-07
EP3084819A4 (en) 2017-05-17
WO2015094750A1 (en) 2015-06-25
EP3084819A1 (en) 2016-10-26
CN105874585A (zh) 2016-08-17
TW201528424A (zh) 2015-07-16
CN105874585B (zh) 2019-01-04
JP6530755B2 (ja) 2019-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102243410B1 (ko) 회전가능한 가열형 정전 척
EP3369109B1 (en) Biasable rotatable electrostatic chuck
EP3555910B1 (en) Rotatable electrostatic chuck having backside gas supply
JP2023517716A (ja) 基板処理チャンバにおける処理キットのシース及び温度制御
US10978276B2 (en) Substrate processing apparatus including top reflector above annular lamp assembly
KR20210089787A (ko) 온도에 민감한 프로세스들을 위해 열적 커플링이 개선된 정전 척
CN118265809A (zh) 用于pvd腔室的高温可拆卸特高频(vhf)静电卡盘(esc)

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant