KR20160094213A - Light emitting device package and lighiting device - Google Patents

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Abstract

An embodiment relates to a light emitting device package and a lighting device. The light emitting device package of the embodiment includes a body which has a cavity of which the upper part is open, a light emitting device mounted on the inner bottom surface of the cavity, a protection film located on the body, and an adhesive which attaches the protection film onto the body. The protection film may include a transmission part which transmits an ultraviolet wavelength and a blocking part which blocks the ultraviolet wavelength and is located on the edge of the transmission part. So, combination failure between components can be prevented.

Description

발광 소자 패키지 및 조명 장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHITING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING DEVICE [0002]

실시 예는 발광 소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package and a lighting apparatus.

발광 소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.Light Emitting Device is a pn junction diode whose electrical energy is converted into light energy. It can be produced from compound semiconductor such as group III and group V on the periodic table and by controlling the composition ratio of compound semiconductor, It is possible.

GaN 계열의 발광 소자(LED)는 천연색 LED 표시소자, LED 교통 신호기, 백색 LED 등 다양한 응용에 사용되고 있다. 최근, 고효율 백색 LED의 발광 효율(luminous efficiency)은 통상의 형광램프의 효율보다 우수하여 일반 조명 분야에서도 형광 램프를 대체할 것으로 기대되고 있다.GaN-based light emitting devices (LEDs) are used in various applications such as color LED display devices, LED traffic signals, and white LEDs. In recent years, the luminous efficiency of a high efficiency white LED is superior to the efficiency of a conventional fluorescent lamp, and is expected to replace a fluorescent lamp in a general illumination field.

일반적인 자외선 파장을 갖는 발광 소자는 몸체의 캐비티 내에 자외선 발광 소자가 실장되고, 발광 소자를 보호하고 자외선 파장을 투과하는 쿼츠 필름을 덮는다. 상기 쿼츠 필름은 접착제를 이용하여 몸체와 결합된다.In a light emitting device having a general ultraviolet wavelength, an ultraviolet light emitting device is mounted in a cavity of the body, and the quartz film that covers the light emitting device and transmits ultraviolet light is covered. The quartz film is bonded to the body using an adhesive.

그러나, 일반적인 자외선 파장을 갖는 발광 소자는 발광 소자로부터의 자외선 파장의 광자가 쿼츠 필름의 가장자리를 따라 접착제의 손상을 으로 접착제가 손상되어 본체와 쿼츠 필름의 결합불량을 야기하는 문제가 있었다.However, in a light emitting device having a general ultraviolet wavelength, there is a problem that a photon having a wavelength of ultraviolet light from a light emitting device damages the adhesive along the edge of the quartz film, causing the adhesive to be damaged, resulting in poor bonding between the main body and the quartz film.

실시 예는 구성 간의 결합불량을 개선할 수 있는 발광 소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a lighting device that can improve bonding defects between components.

실시 예는 구성 간의 결합 신뢰도를 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package and a lighting device capable of improving the reliability of connection between components.

실시 예에 의한 발광 소재 패키지는 상부가 개방된 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티 내부 바닥면에 실장되는 발광 소자; 상기 몸체 상에 위치하는 보호 필름; 및 상기 몸체 상에 상기 보호 필름을 결합시키는 접착제를 포함하고, 상기 보호 필름은 자외선 파장을 투과하는 투과부 및 자외선 파장을 차단하고 상기 투과부의 가장자리에 위치한 차단부를 포함할 수 있다. A light emitting material package according to an embodiment includes: a body having a cavity with an open top; A light emitting element mounted on a bottom surface of the cavity; A protective film disposed on the body; And an adhesive for bonding the protective film on the body. The protective film may include a transmissive portion transmitting ultraviolet light and a blocking portion blocking ultraviolet wavelength and located at an edge of the transmissive portion.

실시 예에 따른 조명 장치는 상기 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device according to the embodiment may include the light emitting device package.

실시 예의 발광 소자 패키지는 자외선 파장을 투과하는 상기 투과부의 가장자리에 자외선 파장을 차단하는 차단부가 위치하고, 상기 접착제가 상기 차단부에 접착되어 자외선 파장의 광자에 의해 접착제의 손상을 개선할 수 있는 장점을 갖는다. The light emitting device package of the embodiment has an advantage that the blocking portion for blocking the ultraviolet wavelength is positioned at the edge of the transmitting portion that transmits the ultraviolet wavelength and the adhesive is bonded to the blocking portion to improve the damage of the adhesive by the photon having the ultraviolet wavelength .

따라서, 실시 예의 발광 소자 패키지는 접착제의 손상을 개선하여 몸체와 보호 필름의 결합 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.Therefore, the light emitting device package of the embodiment improves the bonding reliability of the body and the protective film by improving the damage of the adhesive, and has an advantage that the yield can be improved.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 3은 실시 예에 따른 도 1의 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package cut along the line I-I 'of FIG.
3 is a cross-sectional view illustrating the light emitting device of FIG. 1 according to an embodiment.
4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.
5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment.
6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment.
7 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 대해서 상세하게 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
Hereinafter, a light emitting device and a light emitting device package according to embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " include both being formed" directly "or" indirectly " Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package taken along a line I-I 'of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 몸체(230), 발광 소자(100) 및 보호 필름(210)을 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2, a light emitting device package 200 according to an embodiment includes a body 230, a light emitting device 100, and a protective film 210.

상기 발광 소자(100)는 UV-C 파장 즉, 100nm-280nm 범위의 자외선 파장을 발광할 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 파장은 이에 한정하지 않으며, 가시광선, 적외선 파장 중 적어도 하나의 파장을 발광할 수도 있다.The light emitting device 100 may emit UV-C wavelengths, that is, ultraviolet wavelengths ranging from 100 nm to 280 nm. The wavelength of the light emitting device 100 is not limited thereto, and it may emit at least one wavelength of visible light or infrared light.

상기 발광 소자(100)는 서브 프레임(110) 상에 실장되고, 상기 서브 프레임(110)은 상기 몸체(230)와 직접 접촉될 수 있다. 상기 서브 프레임(100)은 방열 기능을 포함할 수 있고, 발광 소자(100)의 전극과 접속되어 패드 기능을 포함할 수 있다.The light emitting device 100 may be mounted on the subframe 110 and the subframe 110 may be in direct contact with the body 230. The subframe 100 may include a heat dissipation function and may be connected to the electrodes of the light emitting device 100 to include a pad function.

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 발광 소자(100)는 종류에 따라 적어도 하나 이상의 와이어를 통해서 상기 몸체(230)와 전기적으로 접속될 수 있다.Although not shown in the drawing, the light emitting device 100 may be electrically connected to the body 230 through at least one wire depending on the type.

발광 소자(100)는 수평 타입으로 기판(11), 버퍼층(13), 발광 구조체(20), 제1 및 제2 전극 패드(51, 53)을 포함한다.The light emitting device 100 includes a substrate 11, a buffer layer 13, a light emitting structure 20, and first and second electrode pads 51 and 53 in a horizontal type.

상기 기판(11)은 질화갈륨계 반도체층을 성장시킬 수 있는 성장 기판으로서, 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3, 석영(quartz) 중 어느 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(11)의 상면에는 복수의 돌출부가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부는 상기 기판(11)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스(Roughness)와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. The substrate 11 is a growth substrate on which a gallium nitride-based semiconductor layer can be grown. The substrate 11 may be a light-transmissive, insulative or conductive substrate. Examples of the substrate include sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Any one of Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 , LiGaO 3 , and quartz may be used. A plurality of protrusions may be formed on the upper surface of the substrate 11, and the plurality of protrusions may be formed through etching of the substrate 11 or may be formed of a light extracting structure such as a separate roughness .

상기 돌출부는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 상기 기판(11) 상에 위치하고, 상기 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층 기능을 할 수 있다. The protrusions may include a stripe shape, a hemispherical shape, or a dome shape. The buffer layer 13 may be formed on the substrate 11 to mitigate the difference in lattice constant between the substrate 11 and the nitride based semiconductor layer and function as a defect control layer .

상기 버퍼층(13)은 상기 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The buffer layer 13 may have a value between a lattice constant between the substrate 11 and a nitride-based semiconductor layer. The buffer layer 13 may be formed of an oxide such as a ZnO layer, but is not limited thereto.

상기 발광 구조체(20)는 기판(11) 상에 위치한다. 상기 발광 구조체(20)는 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)을 포함한다.The light emitting structure 20 is located on the substrate 11. The light emitting structure 20 includes a first conductive semiconductor layer 21, an active layer 22, and a second conductive semiconductor layer 23.

상기 제1 도전형 반도체층(21)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(21)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체일 수 있다. 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(21)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(21)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 21 may be formed as a single layer or a multilayer. When the first conductive semiconductor layer 21 is an n-type semiconductor layer, the first conductive semiconductor layer 21 may be a Group III-V compound semiconductor doped with a first conductive dopant. The first conductive type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an n-type dopant, but is not limited thereto. The first conductive semiconductor layer 21 may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? . The first conductive semiconductor layer 21 may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP.

상기 활성층(22)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 어느 하나일 수 있다. 상기 활성층(22)은 질화갈륨계 반도체층으로 형성된 우물층 및 장벽층을 포함할 수 있다. The active layer 22 may be a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. The active layer 22 may include a well layer and a barrier layer formed of a gallium nitride-based semiconductor layer.

예를 들어, 상기 활성층(22)은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs, GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, InGaP/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.For example, the active layer 22 may include one or more of a pair of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs / AlGaAs, InGaAs / AlGaAs, GaInP / AlGaInP, GaP / AlGaP, But the present invention is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a band gap lower than the band gap of the barrier layer.

상기 활성층(22)의 장벽층 및 우물층은 활성층의 결정 품질을 향상시키기 위해 불순물이 도핑되지 않은 언도프트층으로 형성될 수 있으나, 순방향 전압을 낮추기 위해 일부 또는 전체 활성 영역 내에 불순물이 도핑될 수도 있다.The barrier layer and the well layer of the active layer 22 may be formed of undoped undoped layers to improve the crystal quality of the active layer, but impurities may be doped in some or all of the active regions to lower the forward voltage have.

상기 제2 도전형 반도체층(23)은 상기 활성층(22) 상에 위치하고, 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(23)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체일 수 있다. 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 상기 제2 도전형 반도체층(23)은 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The second conductive semiconductor layer 23 may be formed on the active layer 22 and may be a single layer or a multi-layer. When the second conductivity type semiconductor layer 23 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity type semiconductor layer 23 may be a Group III-V compound semiconductor doped with a second conductivity type dopant. The second conductive dopant may include, but is not limited to, Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant. The second conductive semiconductor layer 23 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and GaP.

상기 제1 전극 패드(51)은 상기 제1 도전형 반도체층(21) 상에 위치한다.The first electrode pad 51 is located on the first conductive semiconductor layer 21.

상기 제2 전극 패드(53)은 상기 제2 도전형 반도체층(23) 상에 위치한다.The second electrode pad 53 is located on the second conductive semiconductor layer 23.

상기 제1 전극 패드(51) 및 제2 전극 패드(53)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.The first electrode pad 51 and the second electrode pad 53 may be formed of a metal such as Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, ≪ / RTI >

상기 몸체(230)는 상부가 개방된 캐비티(231)를 포함하고, 상기 캐비티(231)의 바닥면에 상기 발광 소자(100)가 실장될 수 있다. The body 230 includes a cavity 231 having an open top and the light emitting device 100 may be mounted on a bottom surface of the cavity 231.

상기 몸체(230)는 복수의 절연층의 적층 구조로 형성될 수 있다.The body 230 may have a laminated structure of a plurality of insulating layers.

상기 몸체(230)의 재질은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, 또는 AlN일 수 있으고, 복수의 세라믹 층의 적층 구조를 포함할 수 있다.The material of the body 230 may be SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , or AlN, . ≪ / RTI >

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 몸체(230)가 전기 전도성 재질로 형성된 경우, 상기 몸체(230)는 표면에 절연층을 포함할 수 있다. Although not shown in the drawings, when the body 230 is formed of an electrically conductive material, the body 230 may include an insulating layer on its surface.

상기 절연층은 발광 소자(100)의 상이한 전극 사이의 쇼트(Short)를 방지할 수 있다.The insulating layer can prevent a short between the different electrodes of the light emitting device 100.

상기 몸체(230)는 복수의 리드 전극(미도시)을 포함할 수 있다. The body 230 may include a plurality of lead electrodes (not shown).

상기 리드 전극은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au) 등을 적어도 하나 포함하는 금속으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 복수의 리드 전극은 도금 방식, 증착 방식, 포토리소그래피 등을 이용하여 선택적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The lead electrode may be formed of a metal containing at least one of titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au) The plurality of lead electrodes may be selectively formed using a plating method, a deposition method, a photolithography method, or the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 다이오드 패키지(200)는 상기 보호 필름(210)과 본체를 결합하는 접착제(240)를 포함한다.The light emitting diode package 200 includes an adhesive 240 for bonding the protective film 210 to the body.

상기 접착제(240)는 상기 보호 필름(210)의 가장자리 하부면을 따라 끊어짐 없이 연장될 수 있다. The adhesive 240 may extend along the bottom surface of the protective film 210 without breaking.

상기 접착제(240)는 상기 캐비티(231)의 가장자리를 따라 형성되는 단차부(233) 상에 위치할 수 있다. The adhesive 240 may be positioned on a step 233 formed along the edge of the cavity 231.

즉, 상기 접착제(240)의 상부면은 상기 보호 필름(210)의 가장자리 하부면과 직접 접촉될 수 있고, 상기 접착제(240)의 하부면은 상기 단차부(233)의 표면과 직접 접촉될 수 있다.That is, the upper surface of the adhesive 240 may be in direct contact with the lower surface of the edge of the protective film 210, and the lower surface of the adhesive 240 may be in direct contact with the surface of the step 233 have.

상기 보호 필름(210)은 자외선 파장을 투과하는 투과부(211) 및 자외선 파장을 차단하는 차단부(213)를 포함한다.The protective film 210 includes a transmissive portion 211 that transmits ultraviolet wavelengths and a blocking portion 213 that blocks ultraviolet wavelengths.

상기 투과부(211)는 상기 발광 소자(100)로부터의 자외선 파장 투과율이 높은 광학 재료를 포함한다. 예컨대 상기 투과부(211)는 쿼츠(Quartz)를 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 차단부(213)에 노출된 투과부(211)의 하부면은 상기 캐비티(231)보다 좁은 너비를 가질 수 있다.The transmissive portion 211 includes an optical material having a high ultraviolet wavelength transmittance from the light emitting device 100. For example, the transmissive portion 211 may include, but is not limited to, quartz. The lower surface of the transmissive portion 211 exposed to the blocking portion 213 may have a narrower width than the cavity 231.

상기 차단부(213)는 상기 투과부(211)의 외측면을 감싸고, 상기 투과부(211)의 외측면으로부터 외측방향으로 연장될 수 있다. The blocking portion 213 may surround the outer surface of the transmissive portion 211 and may extend outward from the outer surface of the transmissive portion 211.

상기 차단부(213)는 상기 투과부(211)와 나란하게 위치할 수 있다.The blocking portion 213 may be positioned in parallel with the transmissive portion 211.

즉, 상기 차단부(213)는 상기 투과부(211)와 동일 평면상에 위치할 수 있다. 상기 차단부(213)는 상기 투과부(211)와 일체로 이루어질 수 있다.That is, the blocking portion 213 may be positioned on the same plane as the transmissive portion 211. The blocking portion 213 may be integrated with the transmissive portion 211.

상기 차단부(213)는 투명하고, 자외선 파장이 투과하지 못하는 글라스일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The blocking portion 213 may be a glass which is transparent and can not transmit ultraviolet wavelengths, but is not limited thereto.

상기 차단부(213)는 상기 발광 소자(100)로부터의 자외선 파장의 광자가 상기 투과부(211)를 통해서 상기 접착제(240)에 전달되는 경로를 차단하는 기능을 포함한다.The blocking unit 213 has a function of blocking a path through which the photons of the ultraviolet wavelength from the light emitting device 100 are transmitted to the adhesive 240 through the transmitting unit 211.

즉, 상기 차단부(213)는 상기 자외선 파장의 광자에 의해 상기 접착제(240)가 손상되는 결합 불량을 개선할 수 있다.That is, the blocking unit 213 can improve the bonding failure in which the adhesive 240 is damaged by the photons having the ultraviolet wavelength.

상기 차단부(213)는 상기 접착제(240)와 중첩된 영역을 포함할 수 있다. 구체적으로 상기 차단부(213)의 폭(W1)은 상기 접착제(240)의 폭(W2) 이상일 수 있다. The blocking portion 213 may include an area overlapped with the adhesive 240. Specifically, the width W1 of the blocking portion 213 may be greater than the width W2 of the adhesive 240.

상기 차단부(213)의 일부는 상기 접착제(240)와 접착되어 중첩되고, 상기 차단부(213)의 다른 일부는 캐비티(231) 내측으로 연장될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예컨대 상기 차단부(213)와 상기 접착제(240)는 서로 동일한 너비를 가지며, 전체가 중첩될 수도 있다.A portion of the blocking portion 213 may overlap with the adhesive 240 and another portion of the blocking portion 213 may extend into the cavity 231. However, For example, the blocking portion 213 and the adhesive 240 may have the same width and may be entirely overlapped.

여기서, 상기 접착제(240)는 상기 투과부(211)로부터 일정 간격 이격될 수 있다.Here, the adhesive 240 may be spaced apart from the transmissive portion 211 by a predetermined distance.

실시 예의 발광 소자 패키지(200)는 자외선 파장을 투과하는 상기 투과부(211)의 가장자리에 자외선 파장을 차단하는 차단부(213)가 위치하고, 상기 접착제(240)가 상기 차단부(213)에 접착되어 자외선 파장의 광자에 의해 접착제(240)의 손상을 개선할 수 있는 장점을 갖는다. In the light emitting device package 200 of the embodiment, the blocking portion 213 blocking the ultraviolet wavelength is positioned at the edge of the transmitting portion 211 transmitting the ultraviolet wavelength, and the adhesive 240 is adhered to the blocking portion 213 And has an advantage that the damage of the adhesive 240 can be improved by the photon of ultraviolet wavelength.

따라서, 실시 예의 발광 소자 패키지(200)는 상기 접착제(240)의 손상을 개선하여 몸체(230)와 보호 필름(210)의 결합 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.Therefore, the light emitting device package 200 of the embodiment has an advantage of improving the reliability of bonding between the body 230 and the protective film 210 by improving the damage of the adhesive 240, and improving the yield.

도 4를 참조하면, 다른 실시 예의 발광 소자(101)는 수직 타입으로 발광 구조체(20)와, 상기 발광 구조체(20) 상에 위치한 제1 전극 패드(51), 상기 발광 구조체(20) 아래에 위치한 제2 전극 패드(53), 상기 발광 구조체(20)와 제2 전극 패드(53) 사이에 위치하고, 제1 전극 패드(51)와 수직 방향으로 대응된 전류 차단층(40), 및 지지부재(60)를 포함한다.4, a light emitting device 101 according to another embodiment includes a light emitting structure 20 in a vertical type, a first electrode pad 51 disposed on the light emitting structure 20, A current blocking layer 40 positioned between the light emitting structure 20 and the second electrode pad 53 and vertically aligned with the first electrode pad 51, (60).

상기 발광 구조체(20)는 기판(11) 상에 위치한다. 상기 발광 구조체(20)는 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)을 포함한다.The light emitting structure 20 is located on the substrate 11. The light emitting structure 20 includes a first conductive semiconductor layer 21, an active layer 22, and a second conductive semiconductor layer 23.

상기 제2 전극 패드(53)는 발광 구조체(20)의 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 위치하는 접촉층(55), 반사층(56), 및 본딩층(57)을 포함할 수 있다. The second electrode pad 53 may include a contact layer 55, a reflective layer 56, and a bonding layer 57 positioned under the second conductive semiconductor layer 23 of the light emitting structure 20 .

상기 접촉층(55)은 상기 제2 도전형 반도체층(23)의 하부면에 접촉되며, 일부는 상기 전류 차단층(40)의 하부면으로 연장될 수 있다. 상기 접촉층(55)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 전도성 물질이거나 Ni, Ag의 금속을 이용할 수 있다.The contact layer 55 may be in contact with the lower surface of the second conductive type semiconductor layer 23 and may extend to the lower surface of the current blocking layer 40. The contact layer 55 may be a conductive material such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO, or may be a metal of Ni or Ag.

상기 접촉층(55) 아래에 반사층(56)이 형성될 수 있으며, 상기 반사층(56)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 또는 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 상기 반사층(56)은 상기 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 접촉될 수 있으며, 금속으로 오믹 접촉하거나 ITO와 같은 전도 물질로 오믹 접촉할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflective layer 56 may be formed under the contact layer 55. The reflective layer 56 may be formed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, And at least one layer made of a material selected from the group consisting of silicon nitride and silicon nitride. The reflective layer 56 may be in contact with the second conductive semiconductor layer 23 and may be in ohmic contact with a metal or ohmic contact with a conductive material such as ITO.

상기 반사층(56) 아래에는 본딩층(57)이 형성될 수 있으며, 상기 본딩층(57)은 베리어 금속 또는 본딩 금속으로 사용될 수 있으며, 그 물질은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. A bonding layer 57 may be formed under the reflective layer 56 and the bonding layer 57 may be used as a barrier metal or a bonding metal. Examples of the material include Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, and Ta and an optional alloy.

상기 발광 구조체(20) 아래에는 채널층(70)이 배치될 수 있다. 상기 채널층(70)은 상기 제2 도전형 반도체층(23)의 하부면 에지를 따라 형성되며, 링 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 채널층(70)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 채널층(70)의 내측부는 상기 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 배치되고, 외측부는 상기 발광 구조체(20)의 측면보다 더 외측에 위치할 수 있다. A channel layer 70 may be disposed under the light emitting structure 20. The channel layer 70 is formed along the lower surface of the second conductive semiconductor layer 23, and may be formed in a ring shape, a loop shape, or a frame shape. The channel layer 70 is an ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4, Al 2 O 3, TiO at least one of the 2 . The inner portion of the channel layer 70 may be disposed below the second conductive semiconductor layer 23 and the outer portion may be located further outward than the side surface of the light emitting structure 20. [

상기 본딩층(57) 아래에는 지지 부재(60)가 형성되며, 상기 지지 부재(60)는 전도성 부재로 형성될 수 있으며, 그 물질은 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)와 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. A supporting member 60 is formed below the bonding layer 57. The supporting member 60 may be formed of a conductive material such as copper-copper, gold-gold, nickel (Ni-nickel), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), and carrier wafers (e.g., Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC and the like).

상기 지지부재(60)는 다른 예로서, 전도성 시트로 구현될 수 있다. 상기 제2 전극 패드(53)는 상기 지지부재(60)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 전극 패드(53)의 층들 중 적어도 하나 또는 복수의 층은 상기 지지부재(60)와 동일한 너비로 형성될 수 있다. As another example, the support member 60 may be embodied as a conductive sheet. The second electrode pad 53 may include the support member 60 and at least one or a plurality of layers of the second electrode pad 53 may be formed to have the same width as the support member 60 .

상기 제1 도전형 반도체층(21)의 상부면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있다. 상기 제1 전극 패드(51)는 상기 제1 도전형 반도체층(21)의 상면 중 평탄한 면 상에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 구조체(20)의 측면 및 상면에는 절연층(미도시)이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A light extraction structure such as a roughness may be formed on the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 21. The first electrode pad 51 may be disposed on a flat surface of the upper surface of the first conductive semiconductor layer 21, but the present invention is not limited thereto. An insulating layer (not shown) may be further formed on side surfaces and top surfaces of the light emitting structure 20, but the present invention is not limited thereto.

상기 전류 차단층(40)은 제1 전극 패드(51)와 오버랩되고, 상기 제2 전극 패드(53)의 하부에 전류가 집중되는 것을 방지하는 기능을 갖는다. The current blocking layer 40 overlaps with the first electrode pad 51 and has a function of preventing current from concentrating on a lower portion of the second electrode pad 53.

상기 전류 차단층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물등의 절연물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 전류 차단층(40)은 SixOy, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 상기 전류 차단층(40)은 굴절률이 서로 상이한 층들을 교대로 적층한 분포 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The current blocking layer 40 may be formed of an insulating material such as oxide or nitride. For example, the current blocking layer 40 may be formed of at least one selected from the group consisting of Si x O y , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , and AlN But is not limited thereto. Alternatively, the current blocking layer 40 may include, but is not limited to, a distributed Bragg reflector (DBR) in which layers having different refractive indices are alternately laminated.

도 3 및 도 4의 발광 소자(100, 101)는 수평 및 수직 타입에 관해 기재하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 전극 패드가 하부에만 위치한 플립 타입도 포함될 수 있다.Although the light emitting devices 100 and 101 in FIGS. 3 and 4 are described in terms of the horizontal and vertical types, the present invention is not limited thereto, and a flip type in which the electrode pad is located only in the lower portion may be included.

도 5는 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment.

도 5를 참조하면, 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(300)는 보호 필름(310), 몸체(230), 발광 소자(100), 서브 프레임(110)을 포함한다.Referring to FIG. 5, a light emitting device package 300 according to another embodiment includes a protective film 310, a body 230, a light emitting device 100, and a subframe 110.

상기 몸체(230), 발광 소자(100) 및 서브 프레임(110)은 도 1의 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The body 230, the light emitting device 100, and the subframe 110 may adopt the technical features of the embodiment of FIG.

상기 보호 필름(310)은 자외선 파장을 투과하는 투과부(311) 및 자외선 파장을 차단하는 차단부(313)를 포함한다.The protective film 310 includes a transmissive portion 311 transmitting ultraviolet light and a blocking portion 313 blocking ultraviolet light.

상기 투과부(311)는 상기 발광 소자(100)로부터의 자외선 파장 투과율이 높은 광학 재료를 포함한다. 예컨대 상기 투과부(311)는 쿼츠(Quartz)를 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 차단부(313)에 노출된 투과부(311)의 하부면은 캐비티(231)보다 좁은 너비를 가질 수 있다.The transmissive portion 311 includes an optical material having a high ultraviolet wavelength transmittance from the light emitting device 100. For example, the transmissive portion 311 may include, but is not limited to, quartz. The lower surface of the transmitting portion 311 exposed to the blocking portion 313 may have a narrower width than the cavity 231.

상기 차단부(313)는 상기 투과부(311)의 가장자리 하부면에 위치할 수 있다. 상기 차단부(313)는 상기 투과부(311)의 가장자리 하부면를 따라 끊어짐 없이 연장될 수 있다. 상기 차단부(313)는 상기 투과부(311)와 일체로 이루어질 수 있다. 상기 차단부(313)는 상기 투과부(311)와 접착체(240) 사이에 위치한다.The blocking portion 313 may be positioned on a lower surface of the edge of the transmitting portion 311. The blocking portion 313 may extend along the bottom surface of the transmitting portion 311 without breaking. The blocking portion 313 may be formed integrally with the transmissive portion 311. The blocking portion 313 is located between the transmitting portion 311 and the adhesive body 240.

상기 차단부(313)는 투명하고, 자외선 파장이 투과하지 못하는 글라스일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The blocking portion 313 may be a transparent glass and a glass which can not transmit ultraviolet wavelengths, but the present invention is not limited thereto.

상기 차단부(313)는 상기 발광 소자(100)로부터의 자외선 파장의 광자가 상기 투과부(311)를 통해서 상기 접착제(240)에 전달되는 경로를 차단하는 기능을 포함한다. 즉, 상기 차단부(313)는 상기 자외선 파장의 광자에 의해 상기 접착제(240)가 손상되는 결합 불량을 개선할 수 있다.The blocking unit 313 includes a function of blocking a path through which the photons of the ultraviolet wavelength from the light emitting device 100 are transmitted to the adhesive 240 through the transmitting unit 311. That is, the blocking portion 313 can improve the bonding failure that the adhesive 240 is damaged by the photons having the ultraviolet wavelength.

상기 차단부(313)는 상기 투과부(311) 및 상기 접착제(240)와 중첩된 영역을 포함할 수 있다. 구체적으로 상기 차단부(313)의 폭(W1)은 상기 접착제(240)의 폭(W2) 이상일 수 있다. The blocking portion 313 may include an area overlapped with the transmissive portion 311 and the adhesive 240. Specifically, the width W1 of the blocking portion 313 may be greater than the width W2 of the adhesive 240.

상기 차단부(313)의 상부면은 상기 투과부(311)의 하부면과 직접 접착되고, 상기 차단부(313)의 하부면은 상기 접착제(240)와 직접 접착될 수 있다.The upper surface of the blocking portion 313 may be directly bonded to the lower surface of the transmitting portion 311 and the lower surface of the blocking portion 313 may be directly bonded to the adhesive 240.

상기 차단부(313)의 일부는 캐비티(231) 내측으로 연장될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예컨대 상기 차단부(313)와 상기 접착제(240)는 서로 동일한 너비를 가지며, 전체가 중첩될 수도 있다.A portion of the blocking portion 313 may extend into the cavity 231, but is not limited thereto. For example, the blocking portion 313 and the adhesive 240 may have the same width and may overlap each other.

여기서, 상기 접착제(240)는 상기 투과부(311)로부터 일정 간격 이격될 수 있다.Here, the adhesive 240 may be separated from the transmissive portion 311 by a predetermined distance.

다른 실시 예의 발광 소자 패키지(300)는 자외선 파장을 투과하는 상기 투과부(311)의 가장자리 하부면에 자외선 파장을 차단하는 차단부(313)가 위치하고, 상기 접착제(240)가 상기 차단부(313)에 접착되어 자외선 파장의 광자에 의해 접착제(240)의 손상을 개선할 수 있는 장점을 갖는다.In the light emitting device package 300 of another embodiment, the shielding portion 313 for blocking the ultraviolet wavelength is positioned on the lower surface of the edge of the transmitting portion 311 transmitting the ultraviolet wavelength, And it is possible to improve the damage of the adhesive 240 by the photon having the ultraviolet wavelength.

따라서, 실시 예의 발광 소자 패키지(300)는 상기 접착제(240)의 손상을 개선하여 몸체(230)와 보호 필름(310)의 결합 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.Accordingly, the light emitting device package 300 of the embodiment has an advantage of improving the reliability of bonding between the body 230 and the protective film 310 by improving the damage of the adhesive 240, and improving the yield.

도 6은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment.

도 6을 참조하면, 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(400)는 보호 필름(410), 몸체(230), 발광 소자(100), 서브 프레임(110)을 포함한다.Referring to FIG. 6, a light emitting device package 400 according to another embodiment includes a protective film 410, a body 230, a light emitting device 100, and a subframe 110.

상기 몸체(230), 발광 소자(100) 및 서브 프레임(110)은 도 1의 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The body 230, the light emitting device 100, and the subframe 110 may adopt the technical features of the embodiment of FIG.

상기 보호 필름(410)은 자외선 파장을 투과하는 투과부(311) 및 자외선 파장을 차단하는 차단부(413)를 포함한다.The protective film 410 includes a transmissive portion 311 that transmits ultraviolet wavelengths and a blocking portion 413 that blocks ultraviolet wavelengths.

상기 투과부(411)는 상기 발광 소자(100)로부터의 자외선 파장 투과율이 높은 광학 재료를 포함한다. 예컨대 상기 투과부(411)는 쿼츠(Quartz)를 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 차단부(413)에 노출된 투과부(411)의 하부면은 상기 캐비티(231)보다 좁은 너비를 가질 수 있다.The transmissive portion 411 includes an optical material having a high ultraviolet wavelength transmittance from the light emitting device 100. For example, the transmissive portion 411 may include, but is not limited to, quartz. The lower surface of the transmissive portion 411 exposed to the blocking portion 413 may have a narrower width than the cavity 231.

상기 차단부(413)는 상기 투과부(411)의 가장자리 하부면에 위치할 수 있다. 상기 차단부(413)는 상기 투과부(411)의 가장자리 하부면를 따라 끊어짐 없이 연장될 수 있다. 상기 차단부(413)는 상기 투과부(411)와 일체로 이루어질 수 있다. 상기 차단부(413)는 상기 투과부(411)와 접착체(240) 사이에 위치한다.The blocking portion 413 may be positioned on a lower surface of the edge of the transmission portion 411. The blocking portion 413 may extend along the bottom surface of the transmissive portion 411 without breaking. The blocking portion 413 may be formed integrally with the transmissive portion 411. The cut-off portion 413 is located between the transmissive portion 411 and the adhesive body 240.

상기 차단부(413)는 투명하고, 자외선 파장이 투과하지 못하는 ITO일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 차단부(413)은 상기 제1 투과부(411)의 하부면 상에 포토레지스트를 이용한 식각공정, 인쇄공정 등으로 형성될 수 있다.The blocking portion 413 may be transparent and may not be transparent to ultraviolet light, but is not limited thereto. The blocking portion 413 may be formed on the lower surface of the first transmissive portion 411 by an etching process using a photoresist, a printing process, or the like.

상기 차단부(413)는 상기 발광 소자(100)로부터의 자외선 파장의 광자가 상기 투과부(411)를 통해서 상기 접착제(240)에 전달되는 경로를 차단하는 기능을 포함한다. 즉, 상기 차단부(413)는 상기 자외선 파장의 광자에 의해 상기 접착제(240)가 손상되는 결합 불량을 개선할 수 있다.The blocking unit 413 includes a function of blocking a path through which the photons of the ultraviolet wavelength from the light emitting device 100 are transmitted to the adhesive 240 through the transmitting unit 411. That is, the blocking portion 413 can improve the bonding failure that the adhesive 240 is damaged by the photons having the ultraviolet wavelength.

상기 차단부(413)는 상기 투과부(411) 및 상기 접착제(240)와 중첩된 영역을 포함할 수 있다. 구체적으로 상기 차단부(413)의 폭(W1)은 상기 접착제(240)의 폭(W2) 이상일 수 있다. The blocking portion 413 may include a region overlapping the transmissive portion 411 and the adhesive 240. Specifically, the width W1 of the blocking portion 413 may be equal to or greater than the width W2 of the adhesive 240.

상기 차단부(413)의 상부면은 상기 투과부(411)의 하부면과 직접 접착되고, 상기 차단부(413)의 하부면은 상기 접착제(240)와 직접 접착될 수 있다.The upper surface of the blocking portion 413 may be directly bonded to the lower surface of the transmitting portion 411 and the lower surface of the blocking portion 413 may be directly bonded to the adhesive 240.

상기 차단부(413)의 일부는 캐비티(231) 내측으로 연장될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예컨대 상기 차단부(413)와 상기 접착제(240)는 서로 동일한 너비를 가지며, 전체가 중첩될 수도 있다.A part of the blocking portion 413 may extend inside the cavity 231, but is not limited thereto. For example, the blocking portion 413 and the adhesive 240 may have the same width and may be entirely overlapped.

여기서, 상기 접착제(240)는 상기 투과부(411)로부터 일정 간격 이격될 수 있다.Here, the adhesive 240 may be spaced apart from the transmissive portion 411 by a predetermined distance.

또 다른 실시 예의 발광 소자 패키지(400)는 자외선 파장을 투과하는 상기 투과부(411)의 가장자리 하부면에 자외선 파장을 차단하는 차단부(413)가 위치하고, 상기 접착제(240)가 상기 차단부(413)에 접착되어 자외선 파장의 광자에 의해 접착제(240)의 손상을 개선할 수 있는 장점을 갖는다.In the light emitting device package 400 of another embodiment, the blocking portion 413 blocking the ultraviolet wavelength is located on the lower surface of the edge of the transmitting portion 411 transmitting the ultraviolet wavelength, and the adhesive 240 covers the blocking portion 413 And thus the damage of the adhesive 240 can be improved by the photon having the ultraviolet wavelength.

따라서, 실시 예의 발광 소자 패키지(400)는 상기 접착제(240)의 손상을 개선하여 몸체(230)와 보호 필름(410)의 결합 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.
Therefore, the light emitting device package 400 of the embodiment improves the reliability of bonding between the body 230 and the protective film 410 by improving the damage of the adhesive 240, and has an advantage that the yield can be improved.

도 7은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 도시한 사시도이다.7 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.

도 7을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.7, the lighting apparatus according to the embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a heat discharger 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800 . Further, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device package according to an embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape in which the hollow is hollow and a part is opened. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the heat discharging body 2400. The cover 2100 may have an engaging portion that engages with the heat discharging body 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. The inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is for sufficiently diffusing and diffusing the light from the light source module 2200 and emitting it to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 2100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 2100 may be transparent so that the light source module 2200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 2100 may be formed by blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one side of the heat discharging body 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat discharger 2400. The light source module 2200 may include a light source unit 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the heat discharging body 2400 and has guide grooves 2310 through which the plurality of light source portions 2210 and the connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the substrate of the light source unit 2210 and the connector 2250.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects the light reflected by the inner surface of the cover 2100 toward the cover 2100 in the direction toward the light source module 2200. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact can be made between the heat discharging body 2400 and the connecting plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to prevent an electrical short circuit between the connection plate 2230 and the heat discharging body 2400. The heat discharger 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to dissipate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다. The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 housed in the insulating portion 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 has a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides the electrical signal to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is housed in the receiving groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500. The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide 2630, a base 2650, and an extension 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide portion 2630 may be inserted into the holder 2500. A plurality of components may be disposed on one side of the base 2650. The plurality of components include, for example, a DC converter for converting AC power supplied from an external power source into DC power, a driving chip for controlling driving of the light source module 2200, an ESD (ElectroStatic discharge) protective device, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension portion 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The extension portion 2670 is inserted into the connection portion 2750 of the inner case 2700 and receives an external electrical signal. For example, the extension portion 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700. One end of each of the positive wire and the negative wire is electrically connected to the extension portion 2670 and the other end of the positive wire and the negative wire are electrically connected to the socket 2800 .

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

100: 발광 소자 210, 310, 410: 보호 필름
211, 311, 411: 투과부 213, 313, 413: 차단부
240: 접착제100: light emitting device 210, 310, 410: protective film
211, 311, 411: Transmission parts 213, 313, 413:
240: Adhesive

Claims (12)

상부가 개방된 캐비티를 갖는 몸체;
상기 캐비티 내부 바닥면에 실장되는 발광 소자;
상기 몸체 상에 위치하는 보호 필름; 및
상기 몸체 상에 상기 보호 필름을 결합시키는 접착제를 포함하고,
상기 보호 필름은 자외선 파장을 투과하는 투과부 및 자외선 파장을 차단하고 상기 투과부의 가장자리에 위치한 차단부를 포함하는 발광 다이오드 패키지.A body having an upper opened cavity;
A light emitting element mounted on a bottom surface of the cavity;
A protective film disposed on the body; And
And an adhesive for bonding the protective film on the body,
Wherein the protective film comprises a transmissive portion that transmits ultraviolet light and a blocking portion that blocks ultraviolet light and is located at an edge of the transmissive portion. 제1 항에 있어서,
상기 접착제는 상기 차단부 하부에 위치하는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the adhesive is located below the blocking portion. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 투과부 및 상기 차단부는 동일 평면상에 나란하게 위치하는 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the transmissive portion and the shielding portion are disposed in parallel on the same plane. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 차단부는 상기 투과부의 외측면으로부터 상기 투과부의 외측방향으로 연장된 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the shielding portion extends from the outer side of the transmissive portion to the outer side of the transmissive portion. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 접착제는 상기 투과부로부터 일정 간격 이격된 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the adhesive is spaced a predetermined distance from the transmissive portion. 제1 또는 제2 항에 있어서,
상기 접착제의 폭은 상기 차단부의 폭 이하인 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1 or 2,
Wherein a width of the adhesive is equal to or less than a width of the blocking portion. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 차단부는 상기 투과부의 하부면 상에 위치하는 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the blocking portion is positioned on a lower surface of the transmissive portion. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 차단부로부터 노출된 상기 투과부의 하부면은 상기 캐비티보다 좁은 너비를 갖는 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
And the lower surface of the transmissive portion exposed from the blocking portion has a narrower width than the cavity. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 차단부는 상기 캐비티의 내측방향으로 연장된 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the blocking portion extends in an inner direction of the cavity. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 투과부는 쿼츠(Quartz)를 포함하는 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the transmissive portion comprises a quartz. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 차단부는 글라스 또는 ITO를 포함하는 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the blocking portion comprises glass or ITO. 제1 항 또는 제2 항의 발광 소자를 포함하는 조명 장치.A lighting device comprising the light-emitting element of claim 1 or claim 2.
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