KR20160091485A - 웨이퍼형 태양전지 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 제1 반응가스를 이용하여 웨이퍼의 상면을 식각하여 상기 웨이퍼의 상면에 요철구조를 형성하는 공정; 및 제2 반응가스를 이용하여 상기 웨이퍼의 상면에 잔존하는 셀프 마스크를 제거하는 공정을 포함하여 이루어지며, 상기 셀프 마스크는 상기 제1 반응가스를 구성하는 적어도 하나의 물질을 포함하여 이루어지는 웨이퍼형 태양전지의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 웨이퍼형 태양전지에 관한 것이다.

Description

웨이퍼형 태양전지 및 그의 제조 방법{Wafer type Solar Cell and Method of manufacturing the same}
본 발명은 태양전지에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 웨이퍼형 태양전지에 관한 것이다.
태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다.
태양전지는 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN 접합 구조를 하고 있다. 이러한 구조의 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole)과 전자(electron)가 발생한다. 이때, 상기 PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생 되고, 그에 따라 전력을 생산할 수 있게 된다.
이와 같은 태양전지는 박막형 태양전지(thin film type solar cell)와 웨이퍼형 태양전지(wafer type solar cell)로 구분할 수 있다.
상기 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이고, 상기 웨이퍼형 태양전지는 실리콘 웨이퍼 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이다.
상기 웨이퍼형 태양전지는 상기 박막형 태양전지에 비하여 두께가 두껍고 고가의 재료를 이용해야 하는 단점이 있지만, 전지 효율이 우수한 장점이 있다.
이하에서는 도면을 참조로 종래의 웨이퍼형 태양전지에 대해서 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 웨이퍼형 태양전지의 단면도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 웨이퍼형 태양전지는 P형 반도체층(10), N형 반도체층(20), 반사 방지층(30), 전면 전극(40), P+형 반도체층(50), 및 후면 전극(60)으로 이루어진다.
상기 P형 반도체층(10) 및 상기 P형 반도체층(10) 위에 형성된 N형 반도체층(20)은 태양전지의 PN접합 구조를 이룬다.
상기 반사 방지층(30)은 상기 N형 반도체층(20)의 상면에 형성되어 입사되는 태양광의 반사를 방지하는 역할을 한다.
상기 P+형 반도체층(50)은 상기 P형 반도체층(10)의 하면에 형성되어 태양광에 의해서 형성된 캐리어(carrier)가 재결합하여 소멸되는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기 전면 전극(40)은 상기 반사 방지층(30)의 상부에서부터 상기 N형 반도체층(20)까지 연장되어 있고, 상기 후면 전극(60)은 상기 P+형 반도체층(50)의 하면에 형성된다.
이와 같은 종래의 웨이퍼형 태양전지는, 그 내부로 태양광이 입사되면 PN접합구조에서 전자(electron) 및 정공(hole)이 생성되고, 생성된 전자는 상기 N형 반도체층(20)을 통해 전면 전극(40)으로 이동하고, 생성된 정공은 상기 P+형 반도체층(50)을 통해 후면 전극(60)으로 이동하여 전력을 생산하게 된다.
이상 설명한 종래의 웨이퍼형 태양전지는 다음과 같은 공정을 통해서 제조된다.
도 2a 내지 도 2g는 종래의 웨이퍼형 태양전지의 제조공정을 보여주는 공정 단면도이다.
우선, 도 2a에서 알 수 있듯이, P형 웨이퍼(10a)를 준비한다.
다음, 도 2b에서 알 수 있듯이, 상기 P형 웨이퍼(10a)의 상면을 식각하여 상기 웨이퍼(10a)의 상면에 요철구조를 형성한다.
상기 P형 웨이퍼(10a)의 상면을 식각하는 공정은 건식 식각 공정, 구체적으로 반응성 이온 에칭법(Reactive Ion Etching:RIE)을 이용할 수 있다. 상기 반응성 이온 에칭법은 고압의 플라즈마 상태에서 소정의 반응가스를 이용하여 대상물을 식각하는 공정이다.
상기 반응성 이온 에칭법을 이용하여 P형 웨이퍼(10a)의 상면을 식각하게 되면, 상기 P형 웨이퍼(10a)의 상면에 반응가스 물질을 포함한 셀프 마스크(self mask)(1)가 생성된다.
상기 셀프 마스크(1)가 생성된 영역은 식각이 되지 않고 상기 셀프 마스크(1)가 생성되지 않은 영역은 식각이 되어 도시된 바와 같이 상기 웨이퍼(10a)의 상면에 요철구조가 형성된다.
이때, 상기 식각 공정이 완료된 상태에서 상기 P형 웨이퍼(10a)의 상면에 상기 셀프 마스크(1)의 일부가 잔존할 수 있다. 식각 공정이 진행되면서 상기 셀프 마스크(1)의 크기도 점차로 작아지게 되지만 식각 공정이 완료된 시점에서 상기 셀프 마스크(1)의 일부는 여전히 제거되지 않고 잔존하게 된다.
다음, 도 2c에서 알 수 있듯이, 상기 P형 웨이퍼(10a)의 상면에 잔존하는 셀프 마스크(1)를 제거한다.
상기 셀프 마스크(1)를 제거하는 공정은 습식 식각 공정을 이용하여 수행한다. 즉, 식각액을 이용하여 상기 셀프 마스크(1)를 제거하게 된다.
다음, 도 2d에서 알 수 있듯이, 상기 P형 웨이퍼(10a)의 상면에 N형 도펀트를 도핑하여 PN접합을 형성한다.
즉, 상기 P형 웨이퍼(10a)의 상면에 N형 도펀트를 도핑하면, 도펀트에 의해 도핑되지 않은 영역이 P형 반도체층(10)을 구성하게 되고, 도펀트에 의해 도핑된 영역이 N형 반도체층(20)을 구성하게 된다.
다음, 도 2e에서 알 수 있듯이, 상기 N형 반도체층(20)의 상면에 반사 방지층(30)을 형성한다.
이때, 확대도에서 알 수 있듯이, 상기 반사 방지층(30)의 일부가 상기 N형 반도체층(20)의 상면과 접하지 않을 수 있다.
상기 N형 반도체층(20)의 오목부 끝단(21)은 뾰족한 구조로 이루어져 있으며, 그로 인해서 상기 반사 방지층(30)이 상기 오목부 끝단(21) 영역까지 증착되지 못하게 될 수 있다. 그에 따라, 상기 N형 반도체층(20)의 오목부 끝단(21) 영역은 상기 반사 방지층(30)과 접하지 않게 된다.
다음, 도 2f에서 알 수 있듯이, 상기 반사 방지층(30)의 상면에 전면 전극 물질(40a)을 도포하고, 상기 P형 반도체층(10)의 하면에 후면 전극 물질(60a)을 도포한다.
다음, 도 2g에서 알 수 있듯이, 고온에서 열처리(firing)를 수행하여, 도 1과 같은 웨이퍼형 태양전지를 완성한다.
고온에서 열처리를 수행하면, 상기 전면 전극 물질(40a)이 상기 반사 방지층(30)을 뚫고 상기 N형 반도체층(20)까지 침투하여 전면 전극(40)이 형성된다.
또한, 고온에서 열처리를 수행하면, 상기 후면 전극 물질(60a)이 상기 P형 반도체층(10)의 하면으로 침투하여 상기 P형 반도체층(10)의 하면에 P+형 반도체층(50)이 형성되고 그 아래에 후면 전극(60)이 형성된다.
이와 같은 종래의 웨이퍼형 태양전지는 다음과 같은 단점이 있다.
우선, 전술한 도 2b 공정에서 알 수 있듯이 상기 웨이퍼(10a)의 상면을 식각하여 요철구조를 형성하게 되면 상기 P형 웨이퍼(10a)의 상면에 셀프 마스크(1)의 일부가 잔존하게 되고 그에 따라 도 2c에서 알 수 있듯이 상기 잔존하는 셀프 마스크(1)를 제거하는 공정을 추가로 수행하게 된다.
그런데, 상기 도 2b에 따른 웨이퍼(10a)의 상면의 식각 공정은 건식 식각 공정을 통해서 이루어지고, 상기 도 2c에 따른 셀프 마스크(1)의 제거 공정은 습식 식각 공정을 통해 이루어진다.
이와 같이, P형 웨이퍼(10a)의 상면에 요철구조를 형성하기 위해서 건식 식각 장비와 습식 식각 장비와 같은 총 2대의 장비가 필요하여 비용이 증가 되고, 또한 건식 식각 장비와 습식 식각 장비를 연속해서 이동하게 되므로 공정 시간이 증가되는 단점이 있다.
또한, 전술한 도 2e 공정에서 알 수 있듯이, N형 반도체층(20)의 오목부 끝단(21)이 뾰족한 구조로 이루어져 있기 때문에 상기 반사 방지층(30)이 상기 오목부 끝단(21) 영역까지 증착되지 못하게 되어, 상기 N형 반도체층(20)의 오목부 끝단(21) 영역과 상기 반사 방지층(30) 사이의 접촉 불량 문제가 발생할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 단점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 웨이퍼의 상면에 보다 효율적으로 요철구조를 형성할 수 있고 또한 N형 반도체층과 반사 방지층 사이의 접촉 불량 문제도 개선할 수 있는 웨이퍼형 태양전지 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 제1 반응가스를 이용하여 웨이퍼의 상면을 식각하여 상기 웨이퍼의 상면에 요철구조를 형성하는 공정; 및 제2 반응가스를 이용하여 상기 웨이퍼의 상면에 잔존하는 셀프 마스크를 제거하는 공정을 포함하여 이루어지며, 상기 셀프 마스크는 상기 제1 반응가스를 구성하는 적어도 하나의 물질을 포함하여 이루어지는 웨이퍼형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
상기 웨이퍼의 상면에 요철구조를 형성하는 공정은 상기 웨이퍼의 상면 오목부의 끝단이 뾰족한 단면 구조를 가지도록 형성하는 공정을 포함하고, 상기 셀프 마스크를 제거하는 공정은 상기 웨이퍼의 상면 오목부의 끝단이 둥근 단면 구조를 가지도록 변경하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 제1 반응가스는 SF6, Cl2, 및 O2의 혼합가스를 포함하고, 상기 제2 반응가스는 NF3가스를 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼의 상면에 요철구조를 형성하는 공정 및 상기 셀프 마스크를 제거하는 공정은 동일한 건식 식각 장비에서 연속 공정으로 수행할 수 있다.
상기 웨이퍼의 상면에 도펀트를 도핑하여, 상기 도펀트가 도핑되지 않은 제1 반도체층 및 상기 제1 반도체층의 상면에 상기 도펀트가 도핑된 제2 반도체층을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지고, 상기 제2 반도체층 상면의 볼록부의 끝단은 뾰족한 단면 구조로 이루어지고, 상기 제2 반도체층 상면의 오목부의 끝단은 둥근 단면 구조로 이루어질 수 있다.
상기 제2 반도체층의 상면에 반사 방지층을 형성하는 공정; 상기 반사 방지층의 상면에 제1 전극 물질을 형성하고, 상기 제1 반도체층의 하면에 제2 전극 물질을 형성하는 공정; 및 상기 제1 전극 물질 및 제2 전극 물질에 대해서 열처리를 수행하여, 상기 제1 전극 물질이 상기 반사 방지층을 뚫고 상기 제2 반도체층까지 침투하도록 하고 상기 제2 전극 물질을 상기 제1 반도체층의 하면으로 침투시키는 공정을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 웨이퍼로 이루어진 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층의 상면에 구비되며 웨이퍼로 이루어진 제2 반도체층; 및 상기 제2 반도체층의 상면에 구비된 반사 방지층을 포함하고, 상기 제2 반도체층의 상면은 오목부 및 볼록부를 구비한 요철구조로 이루어지고, 상기 제2 반도체층 상면의 오목부의 끝단은 둥근 단면 구조로 이루어진 웨이퍼형 태양전지를 제공한다.
상기 제2 반도체층 상면의 볼록부의 끝단은 뾰족한 단면 구조로 이루어질 수 있다.
상기 제1 반도체층 상면은 오목부 및 볼록부를 구비한 요철구조로 이루어지고, 상기 제1 반도체층 상면의 오목부의 끝단은 둥근 단면 구조로 이루어지고, 상기 제1 반도체층 상면의 볼록부의 끝단은 뾰족한 단면 구조로 이루어질 수 있다.
상기 제2 반도체층의 하면에 구비되며 웨이퍼로 이루어진 제3 반도체층; 상기 반사 방지층의 상부에서부터 상기 제2 반도체층까지 연장된 제1 전극; 및 상기 제3 반도체층의 하면에 구비된 제2 전극을 더 포함하여 이루어질 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 반도체층의 상면에 구비된 오목부 끝단이 둥근 단면 구조로 이루어져 있기 때문에 반사 방지층이 상기 오목부 끝단 영역까지 용이하게 증착될 수 있다. 따라서, 상기 제2 반도체층의 오목부 끝단 영역과 상기 반사 방지층 사이의 접촉 불량 문제가 해소될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 웨이퍼의 상면에 요철구조를 형성하는 공정 및 셀프 마스크를 제거하는 공정이 하나의 동일한 건식 식각 장비 내에서 연속 공정으로 수행할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 건식 식각 장비와 습식 식각 장비와 같은 총 2대의 장비가 필요하지 않기 때문에 비용이 감소되고, 또한 건식 식각 장비와 습식 식각 장비를 연속해서 이동할 필요가 없기 때문에 공정 시간이 단축될 수 있다.
도 1은 종래의 웨이퍼형 태양전지의 단면도이다.
도 2a 내지 도 2g는 종래의 웨이퍼형 태양전지의 제조공정을 보여주는 공정 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼형 태양전지의 단면도이다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조공정을 보여주는 공정단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼형 태양전지의 단면도이다.
도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼형 태양전지는 제1 반도체층(100), 제2 반도체층(200), 반사 방지층(300), 제1 전극(400), 제3 반도체층(500), 및 제2 전극(600)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 반도체층(100)은 P형 반도체, 보다 구체적으로 P형 웨이퍼로 이루어질 수 있다.
상기 제1 반도체층(100)의 상면은 요철구조로 이루어진다. 즉, 상기 제1 반도체층(100)의 상면은 오목부와 볼록부를 구비한다. 이때, 상기 제1 반도체층(100) 상면에 구비된 오목부의 끝단(101)은 둥근 단면 구조로 이루어지고, 상기 제1 반도체층(100) 상면에 구비된 볼록부의 끝단(102)은 뾰족한 단면 구조로 이루어질 수 있다.
상기 제2 반도체층(200)은 상기 제1 반도체층(100)의 상면에 형성되어 있다. 상기 제2 반도체층(200)은 N형 반도체, 보다 구체적으로 N형 웨이퍼로 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 P형 반도체로 이루어진 제1 반도체층(100)과 상기 N형 반도체로 이루어진 제2 반도체층(200)에 의해서 태양전지의 PN접합 구조가 이루어진다.
상기 제2 반도체층(200)의 상면은 전술한 제1 반도체층(100)의 상면과 마찬가지로 요철구조로 이루어진다. 즉, 상기 제2 반도체층(200)의 상면은 오목부와 볼록부를 구비한다. 이때, 상기 제2 반도체층(200) 상면에 구비된 오목부의 끝단(201)은 둥근 단면 구조로 이루어지고, 상기 제2 반도체층(200) 상면에 구비된 볼록부의 끝단(202)은 뾰족한 단면 구조로 이루어진다.
상기 제2 반도체층(200) 상면에 구비된 오목부의 끝단(201)은 상기 제1 반도체층(100) 상면에 구비된 오목부의 끝단(101)과 대응되는 위치에 형성되고, 상기 제2 반도체층(200) 상면에 구비된 볼록부의 끝단(202)은 상기 제1 반도체층(100) 상면에 구비된 볼록부의 끝단(102)과 대응되는 위치에 형성된다.
후술하는 제조 공정에서 알 수 있듯이, 요철구조의 P형 웨이퍼의 상면에 N형 도펀트를 도핑함으로써, 도펀트에 의해 도핑되지 않은 영역이 P형 반도체로 이루어진 제1 반도체층(100)을 구성하고 도펀트에 의해 도핑된 영역이 N형 반도체로 이루어진 제2 반도체층(200)을 구성하게 된다.
따라서, 상기 제1 반도체층(100)의 상면의 요철구조는 N형 도펀트의 도핑 정도에 따라 변경될 수 있다. 만약, N형 도펀트가 일정한 두께로 도핑되지 않을 경우에는 상기 제1 반도체층(100)의 상면의 요철구조가 상기 제2 반도체층(200)의 상면의 요철구조와 상이할 수 있다.
예로서, 상기 제1 반도체층(100) 상면에 구비된 오목부의 끝단(101)이 둥근 단면 구조로 이루어지지 않을 수도 있고, 상기 제1 반도체층(100) 상면에 구비된 볼록부의 끝단(102)이 뾰족한 단면 구조로 이루어지지 않을 수도 있다.
상기 반사 방지층(300)은 상기 제2 반도체층(200)의 상면에 형성되어 입사되는 태양광의 반사를 방지하는 역할을 한다. 상기 반사 방지층(300)은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 반도체층(200)의 상면에 구비된 오목부 끝단(201)이 둥근 단면 구조로 이루어져 있기 때문에 상기 반사 방지층(300)이 상기 오목부 끝단(201) 영역까지 용이하게 증착될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 반도체층(200)의 오목부 끝단(201) 영역과 상기 반사 방지층(300) 사이의 접촉 불량 문제가 해소될 수 있다.
상기 제3 반도체층(500)은 상기 제1 반도체층(100)의 하면에 형성된다. 상기 제3 반도체층(500)은 P+형 반도체, 보다 구체적으로 P+형 웨이퍼로 이루어질 수 있다. 상기 제3 반도체층(500)은 태양광에 의해서 형성된 정공 및 전자와 같은 캐리어(carrier)가 재결합하여 소멸되는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기 제1 전극(400)은 상기 제2 반도체층(200)에 연결되어 있다. 보다 구체적으로, 상기 제1 전극(400)은 상기 반사 방지층(300)의 상부에서부터 상기 제2 반도체층(200)까지 연장되어 있다. 상기 제1 전극(400)은 광이 입사하는 면에 형성되므로, 입사되는 광량을 증가시키기 위해서 적절한 크기로 패턴 형성되어 있다.
상기 제2 전극(600)은 상기 제3 반도체층(500)의 하면에 형성되어 상기 제3 반도체층(500)과 연결되어 있다. 상기 제2 전극(600)은 광이 입사하지 않은 면에 형성되므로 상기 제3 반도체층(500)의 하면 전체에 형성될 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 반사되는 광의 입사를 위해서 상기 제2 전극(600)도 전술한 제1 전극(400)과 마찬가지로 패턴 형성될 수 있다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조공정을 보여주는 공정단면도이다.
우선, 도 4a에서 알 수 있듯이, 웨이퍼(100a)를 준비한다.
상기 웨이퍼(100a)는 실리콘 웨이퍼, 예로서 P형 실리콘 웨이퍼를 이용할 수 있다.
상기 실리콘 웨이퍼로는 단결정실리콘 또는 다결정실리콘을 이용할 수 있는데, 단결정실리콘은 순도가 높고 결정결함밀도가 낮기 때문에 태양전지의 효율이 높으나 가격이 너무 높아 경제성이 떨어지는 단점이 있고, 다결정실리콘은 상대적으로 효율은 떨어지지만 저가의 재료와 공정을 이용하기 때문에 생산비가 적게 들어 대량생산에 적합하다.
다음, 도 4b에서 알 수 있듯이, 상기 웨이퍼(100a)의 상면을 식각하여 상기 웨이퍼(100a)의 상면에 요철구조를 형성한다.
상기 웨이퍼(100a)의 상면을 식각하는 공정은 건식 식각 공정, 구체적으로 반응성 이온 에칭법(Reactive Ion Etching:RIE)을 이용할 수 있다. 상기 반응성 이온 에칭법은 고압의 플라즈마 상태에서 소정의 반응가스를 이용하여 대상물을 식각하는 공정이다.
상기 반응성 이온 에칭법을 이용하여 웨이퍼(100a)의 상면을 식각하게 되면, 상기 웨이퍼(100a)의 상면에 반응가스를 구성하는 적어도 하나의 물질을 포함한 셀프 마스크(self mask)(1)가 생성된다.
상기 셀프 마스크(1)가 생성된 영역은 식각이 되지 않고 상기 셀프 마스크(1)가 생성되지 않은 영역은 식각이 되어 도시된 바와 같이 상기 웨이퍼(100a)의 상면에 요철구조가 형성된다.
이와 같이 상기 웨이퍼(100a)의 상면을 식각하여 상기 웨이퍼(100a)의 상면에 요철구조를 형성하는 공정은 별도의 마스크를 형성하지 않고 반응가스 물질을 포함한 셀프 마스크(1)를 이용하여 수행되므로 상기 셀프 마스크(1)를 형성할 수 있는 물질을 식각 공정을 위한 반응가스로 선택한다. 구체적으로, 상기 웨이퍼(100a)의 상면을 식각하기 위한 반응가스는 SF6, Cl2, 및 O2의 혼합가스를 포함한다.
이때, 상기 식각 공정이 완료된 상태에서 상기 웨이퍼(100a)의 상면에 상기 셀프 마스크(1)의 일부가 잔존할 수 있다. 식각 공정이 진행되면서 상기 셀프 마스크(1)의 크기도 점차로 작아지게 되지만 식각 공정이 완료된 시점에서 상기 셀프 마스크(1)의 일부는 여전히 제거되지 않고 잔존하게 된다.
다음, 도 4c에서 알 수 있듯이, 상기 웨이퍼(100a)의 상면에 잔존하는 셀프 마스크(1)를 제거한다.
상기 웨이퍼(100a)의 상면에 잔존하는 셀프 마스크(1)를 제거하는 공정은 전술한 도 4b 공정과 마찬가지로 건식 식각 공정, 구체적으로 반응성 이온 에칭법(RIE)을 이용한다.
이와 같은 도 4c 공정은 상기 웨이퍼(100a)의 상면에 잔존하는 셀프 마스크(1)를 제거하기 위한 것이므로, 전술한 도 4b와 동일한 반응가스를 이용할 수 없다. 즉, 전술한 도 4b 공정은 셀프 마스크(1)를 형성하고 식각을 수행할 수 있는 반응가스를 이용하지만, 도 4c 공정은 셀프 마스크(1)를 형성하지 않으면서 식각을 수행할 수 있는 반응가스를 이용해야 한다.
이와 같이 셀프 마스크를 형성하지 않으면서 식각을 수행할 수 있는 반응가스로는 NF3가스를 이용할 수 있다. 즉, NF3가스를 이용하여 건식 식각 공정을 수행하게 되면 추가적으로 셀프 마스크가 형성되지 않고 기존에 잔존하는 셀프 마스크(1)를 제거할 수 있다.
또한, NF3가스를 이용하여 건식 식각 공정을 수행하게 되면 요철구조의 웨이퍼(100a)의 상면이 추가적으로 식각될 수 있다.
구체적으로, 전술한 도 4b 공정에서 상기 웨이퍼(100a)의 상면 오목부의 끝단이 뾰족한 단면 구조를 가지도록 형성한 상태에서 도 4c 공정을 수행하게 되면, 상기 웨이퍼(100a) 상면의 오목부의 끝단이 추가 식각으로 인해서 둥근 단면 구조로 변경될 수 있다. 다만, 상기 셀프 마스크(1)이 위치하고 있던 상기 웨이퍼(100a) 상면의 볼록부의 끝단은 추가 식각이 되지 않아서 뾰족한 단면 구조를 유지할 수 있다.
이상과 같은 도 4b 및 도 4c 공정은 하나의 동일한 건식 식각 장비, 예로서 RIE 장비 내에서 공정 가스 등의 공정 조건만을 변경하면서 연속 공정으로 수행할 수 있다.
따라서, 종래와 같이 건식 식각 장비와 습식 식각 장비와 같은 총 2대의 장비가 필요하지 않기 때문에 비용이 감소되고, 또한 건식 식각 장비와 습식 식각 장비를 연속해서 이동할 필요가 없기 때문에 공정 시간이 단축될 수 있다.
다음, 도 4d에서 알 수 있듯이, 상기 웨이퍼(100a)의 상면에 도펀트를 도핑하여 제1 반도체층(100) 및 제2 반도체층(200)으로 이루어진 PN접합층을 형성한다.
상기 웨이퍼(100a)의 상면에 도펀트를 도핑하면, 도펀트에 의해 도핑되지 않은 영역이 제1 반도체층(100)을 구성하고, 도펀트에 의해 도핑된 영역이 제2 반도체층(200)을 구성하게 된다.
예로서, 상기 웨이퍼(100a)가 P형 웨이퍼로 이루어진 경우에는 N형 도펀트를 도핑함으로써, P형 웨이퍼로 이루어진 제1 반도체층(100) 및 상기 제1 반도체층(100)의 상면에 N형 웨이퍼로 이루어진 제2 반도체층(200)을 형성할 수 있다.
상기 제2 반도체층(200)의 상면은 전술한 도 4c에서와 같은 요철구조를 구비하게 된다. 즉, 상기 제2 반도체층(200) 상면의 오목부의 끝단은 둥근 단면 구조로 이루어지고, 상기 제2 반도체층(200) 상면의 볼록부의 끝단은 뾰족한 단면 구조로 이루어진다.
상기 도펀트가 동일한 두께로 도핑된 경우에는 상기 제1 반도체층(100)의 상면도 상기 제2 반도체층(200)의 상면과 동일한 요철구조를 구비할 수 있다.
즉, 상기 제1 반도체층(100) 상면의 오목부의 끝단은 둥근 단면 구조로 이루어지고, 상기 제1 반도체층(100) 상면의 볼록부의 끝단은 뾰족한 단면 구조로 이루어진다.
다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 만약 상기 도펀트가 동일한 두께로 도핑되지 않은 경우에는 상기 제1 반도체층(100)의 상면은 상기 제2 반도체층(200)의 상면과 상이한 요철구조를 구비할 수 있다.
상기 도펀트를 도핑하는 공정은 고온확산법 또는 플라즈마 이온도핑법을 이용하여 수행할 수 있다.
상기 고온확산법을 이용하여 N형 도펀트를 도핑하는 공정은, 상기 웨이퍼(100a)를 대략 800℃이상의 고온의 확산로에 안치시킨 상태에서 POCl3 또는 PH3 등과 같은 N형 도펀트 가스를 공급하여 N형 도펀트를 상기 웨이퍼(100a)의 표면으로 확산시키는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 플라즈마 이온도핑법을 이용하여 N형 도펀트를 도핑하는 공정은, 상기 웨이퍼(100a)을 플라즈마 발생장치에 안치시킨 상태에서 POCl3 또는 PH3 등과 같은 N형 도펀트 가스를 공급하면서 플라즈마를 발생시키는 공정으로 이루어질 수 있다. 이와 같이 플라즈마를 발생시키면 플라즈마 내부의 인(P) 이온이 RF전기장에 의해 가속되어 상기 웨이퍼(100a)의 상면으로 입사하여 이온 도핑될 수 있다.
다음, 도 4e에서 알 수 있듯이, 상기 제2 반도체층(200)의 상면에 반사 방지층(300)을 형성한다.
상기 제2 반도체층(200)의 상면이 요철구조로 형성됨에 따라 상기 반사 방지층(300)도 유사한 요철구조로 형성된다.
상기 반사 방지층(300)은 플라즈마 CVD법을 이용하여 실리콘질화물 또는 실리콘산화물로 형성할 수 있다.
이때, 도 4e의 확대도에서 알 수 있듯이, 제2 반도체층(200) 상면의 오목부의 끝단(201)이 둥근 단면 구조로 이루어져 있기 때문에, 상기 반사 방지층(300)이 상기 제2 반도체층(200) 상면의 오목부의 끝단(201) 영역에 용이하게 증착될 수 있다.
따라서, 상기 제2 반도체층(200) 상면의 오목부의 끝단(201) 영역과 상기 반사 방지층(300) 사이의 접촉 불량이 해소될 수 있다.
다음, 도 4f에서 알 수 있듯이, 상기 반사 방지층(300)의 상면에 제1 전극 물질(400a)을 형성하고, 상기 제1 반도체층(100)의 하면에 제2 전극 물질(600a)을 형성한다.
상기 제1 전극 물질(400a) 및 제2 전극 물질(600a)의 형성 공정은 Ag, Al, Ti, Mo, Ni, Cu, 이들의 2 이상의 혼합물, 또는 이들의 2 이상의 합금 페이스트(paste)를 이용한 인쇄 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 제1 전극 물질(400a)은 태양광이 입사되는 면에 형성되므로, 상기 반사 방지층(300)의 상면 전체에 형성하지 않고 소정 패턴으로 형성한다.
상기 제2 전극 물질(600a)은 태양광이 입사되는 면의 반대면에 형성되므로, 상기 제1 반도체층(100)의 하면 전체에 형성할 수 있다. 다만, 경우에 따라서, 반사되는 태양광이 태양전지 내부로 입사될 수 있도록 하기 위해서, 상기 제2 전극 물질(600a)을 소정 패턴으로 형성할 수도 있다.
다음, 도 4g에서 알 수 있듯이, 고온에서 열처리(firing)를 수행하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조를 완성한다.
고온에서 열처리를 수행하게 되면, 상기 제1 전극 물질(400a)이 상기 반사 방지층(300)을 뚫고 상기 제2 반도체층(200)까지 침투함으로써, 상기 제2 반도체층(200)과 접촉하는 제1 전극(400)이 형성될 수 있다.
또한, 고온에서 열처리를 수행하게 되면, 상기 제2 전극 물질(600a)이 상기 제1 반도체층(100)의 하면으로 침투함으로써 상기 제1 반도체층(100)의 도펀트 농도보다 높은 도펀트 농도를 가지는 제3 반도체층(500)이 상기 제1 반도체층(100)의 하면에 형성되고, 상기 제3 반도체층(500)의 하면에 제2 전극(600)이 형성된다.
예를 들어, 상기 제1 반도체층(100)이 P형 반도체로 이루어진 경우, 상기 제3 반도체층(500)은 P+형 반도체층으로 이루어지게 된다.
이상은 P형 웨이퍼에 N형 도펀트를 도핑시켜 PN접합구조를 형성한 후 이후 공정을 진행하는 방법에 대해서 설명하였는데, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, N형 웨이퍼에 P형 도펀트를 도핑시켜 PN접합구조를 형성한 후 이후 공정을 진행하는 방법도 포함한다.
1: 셀프 마스크 100a: 웨이퍼
100: 제1 반도체층 200: 제2 반도체층
101, 201: 오목부의 끝단 102, 202: 볼록부의 끝단
300: 반사 방지층 400a, 400: 제1 전극 물질, 제1 전극
500: 제3 반도체층 600a, 600: 제2 전극 물질, 제2 전극

Claims (10)

  1. 제1 반응가스를 이용하여 웨이퍼의 상면을 식각하여 상기 웨이퍼의 상면에 요철구조를 형성하는 공정; 및
    제2 반응가스를 이용하여 상기 웨이퍼의 상면에 잔존하는 셀프 마스크를 제거하는 공정을 포함하여 이루어지며,
    상기 셀프 마스크는 상기 제1 반응가스를 구성하는 적어도 하나의 물질을 포함하여 이루어지는 웨이퍼형 태양전지의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 상면에 요철구조를 형성하는 공정은 상기 웨이퍼의 상면 오목부의 끝단이 뾰족한 단면 구조를 가지도록 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 셀프 마스크를 제거하는 공정은 상기 웨이퍼의 상면 오목부의 끝단이 둥근 단면 구조를 가지도록 변경하는 공정을 포함하는 웨이퍼형 태양전지의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반응가스는 SF6, Cl2, 및 O2의 혼합가스를 포함하고, 상기 제2 반응가스는 NF3가스를 포함하는 웨이퍼형 태양전지의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 상면에 요철구조를 형성하는 공정 및 상기 셀프 마스크를 제거하는 공정은 동일한 건식 식각 장비에서 연속 공정으로 수행하는 웨이퍼형 태양전지의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 상면에 도펀트를 도핑하여, 상기 도펀트가 도핑되지 않은 제1 반도체층 및 상기 제1 반도체층의 상면에 상기 도펀트가 도핑된 제2 반도체층을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지고,
    상기 제2 반도체층 상면의 볼록부의 끝단은 뾰족한 단면 구조로 이루어지고, 상기 제2 반도체층 상면의 오목부의 끝단은 둥근 단면 구조로 이루어진 웨이퍼형 태양전지의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 반도체층의 상면에 반사 방지층을 형성하는 공정;
    상기 반사 방지층의 상면에 제1 전극 물질을 형성하고, 상기 제1 반도체층의 하면에 제2 전극 물질을 형성하는 공정; 및
    상기 제1 전극 물질 및 제2 전극 물질에 대해서 열처리를 수행하여, 상기 제1 전극 물질이 상기 반사 방지층을 뚫고 상기 제2 반도체층까지 침투하도록 하고 상기 제2 전극 물질을 상기 제1 반도체층의 하면으로 침투시키는 공정을 추가로 포함하는 웨이퍼형 태양전지의 제조방법.
  7. 웨이퍼로 이루어진 제1 반도체층;
    상기 제1 반도체층의 상면에 구비되며 웨이퍼로 이루어진 제2 반도체층; 및
    상기 제2 반도체층의 상면에 구비된 반사 방지층을 포함하고,
    상기 제2 반도체층의 상면은 오목부 및 볼록부를 구비한 요철구조로 이루어지고, 상기 제2 반도체층 상면의 오목부의 끝단은 둥근 단면 구조로 이루어진 웨이퍼형 태양전지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 반도체층 상면의 볼록부의 끝단은 뾰족한 단면 구조로 이루어진 웨이퍼형 태양전지.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제1 반도체층 상면은 오목부 및 볼록부를 구비한 요철구조로 이루어지고, 상기 제1 반도체층 상면의 오목부의 끝단은 둥근 단면 구조로 이루어지고, 상기 제1 반도체층 상면의 볼록부의 끝단은 뾰족한 단면 구조로 이루어진 웨이퍼형 태양전지.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제2 반도체층의 하면에 구비되며 웨이퍼로 이루어진 제3 반도체층;
    상기 반사 방지층의 상부에서부터 상기 제2 반도체층까지 연장된 제1 전극; 및
    상기 제3 반도체층의 하면에 구비된 제2 전극을 더 포함하여 이루어진 웨이퍼형 태양전지.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000101111A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
KR20040013200A (ko) * 2002-08-05 2004-02-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 요철형 스탬퍼 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법
KR20130068675A (ko) * 2011-12-16 2013-06-26 주성엔지니어링(주) 태양전지 및 그 제조 방법
KR20140062342A (ko) * 2012-11-14 2014-05-23 주성엔지니어링(주) 태양전지의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000101111A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
KR20040013200A (ko) * 2002-08-05 2004-02-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 요철형 스탬퍼 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법
KR20130068675A (ko) * 2011-12-16 2013-06-26 주성엔지니어링(주) 태양전지 및 그 제조 방법
KR20140062342A (ko) * 2012-11-14 2014-05-23 주성엔지니어링(주) 태양전지의 제조방법

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