KR20160078874A - Method and apparatus for mounting semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 지지용의 점착 테이프를 개재하여 링 프레임의 중앙에 반도체 웨이퍼(이하, 적절히 「웨이퍼」라 한다)를 마운트하는 반도체 웨이퍼의 마운트 방법 및 반도체 웨이퍼의 마운트 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
이면 연삭에 의해 강성이 저하되는 웨이퍼를 보강하기 위해서, 이면 외주를 남기고 중앙 부분만을 연삭하고 있다. 즉, 웨이퍼의 이면 외주에 환상 볼록부를 형성하고 있다. 웨이퍼를 다이싱 처리하기 전에, 지지용의 점착 테이프를 개재하여 링 프레임의 중앙에 그 웨이퍼를 마운트하고 있다.In order to reinforce the wafer whose rigidity is lowered by the back side grinding, only the central portion is ground while leaving the outer periphery of the back side. That is, an annular convex portion is formed on the outer periphery of the back surface of the wafer. Before the wafer is diced, the wafer is mounted on the center of the ring frame via the adhesive tape for support.
예를 들어, 상하 한 쌍의 하우징의 하측 하우징에 설치된 보유 지지 테이블에 웨이퍼를 적재 보유 지지하고, 하측 하우징을 바깥으로 둘러싸는 프레임 보유 지지 테이블에 링 프레임을 보유 지지한다. 그 링 프레임에 점착 테이프를 부착한 후에, 양쪽 하우징에 의해 링 프레임의 내측 점착 테이프를 끼워 넣어서 챔버 구성한다. 이때, 점착 테이프와 웨이퍼 이면이 근접 대향되어 있으므로, 점착 테이프로 구획된 2개의 공간에 차압을 발생시킴과 함께, 반구형의 탄성체로 점착 테이프의 중앙으로부터 외향 방사형으로 점착 테이프를 가압하여 웨이퍼 이면에 부착해 간다.For example, a wafer is loaded and held on a holding table provided on a lower housing of upper and lower pairs of housings, and a ring frame is held on a frame holding table surrounding the lower housing. After the adhesive tape is attached to the ring frame, the inner adhesive tape of the ring frame is sandwiched by both housings to form a chamber. At this time, since the adhesive tape and the back face of the wafer face each other, differential pressure is generated in the two spaces partitioned by the adhesive tape, and the adhesive tape is pressed from the center of the adhesive tape to the outward radial shape with the hemispherical elastic body I'll go.
점착 테이프의 부착 완료 후에, 환상 볼록부의 내측의 코너부에서 완전히 접착되지 못하고 들떠 있는 점착 테이프에 제1 가압 부재로부터 기체를 분사하여 2회째의 부착 처리를 행하고 있다(특허문헌 1을 참조).After the completion of the attachment of the adhesive tape, the second adhesive treatment is performed by spraying the gas from the first pressing member onto the adhesive tape which is not fully adhered at the corner portion inside the annular convex portion.
종래의 점착 테이프 부착 방법에서는, 환상 볼록부의 내측의 코너부에 점착 테이프를 밀착시킬 수 있다. 그러나, 점착 테이프를 부착하고 나서 시간이 경과함에 따라서, 그 코너부로부터 웨이퍼 중심을 향하여 점착 테이프가 박리되어 간다고 하는 문제가 발생하였다.In the conventional adhesive tape applying method, the adhesive tape can be brought into close contact with the inner corner portion of the annular convex portion. However, there has been a problem that the adhesive tape peels off from the corner portion toward the center of the wafer as time elapses after the adhesive tape is attached.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 이면에 환상 볼록부가 형성된 반도체 웨이퍼의 그 이면에 점착 테이프를 효율적으로 부착함과 함께, 그 점착 테이프가 반도체 웨이퍼의 이면으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있는 반도체 웨이퍼의 마운트 방법 및 반도체 웨이퍼의 마운트 장치를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor wafer in which an adhesive tape is efficiently attached to the back surface of a semiconductor wafer having an annular convex portion formed on its back surface, And a main object thereof is to provide a mounting method of a wafer and a mounting apparatus for a semiconductor wafer.
본 발명은 이와 같은 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다.In order to achieve the above object, the present invention adopts the following configuration.
즉, 지지용의 점착 테이프를 개재하여 링 프레임에 반도체 웨이퍼를 마운트하는 반도체 웨이퍼의 마운트 방법으로서,That is, a semiconductor wafer mounting method for mounting a semiconductor wafer on a ring frame via a supporting adhesive tape,
상기 반도체 웨이퍼는, 이면 외주에 환상 볼록부를 갖고,Wherein the semiconductor wafer has an annular convex portion on the outer periphery of the back surface,
상기 링 프레임에 부착된 점착 테이프와 반도체 웨이퍼의 이면을 근접 대향시킨 상태에서, 한 쌍의 하우징 한쪽에 구비된 보유 지지 테이블로 그 반도체 웨이퍼를 보유 지지함과 함께, 점착 테이프를 양쪽 하우징에 의해 물어서 챔버를 형성하는 과정과,The semiconductor wafer is held by a holding table provided on one of the pair of housings in a state in which the back surface of the semiconductor wafer and the adhesive tape adhered to the ring frame are opposed to each other, Forming a chamber,
상기 점착 테이프에 의해 구획된 하우징 내의 2개의 공간에 차압을 발생시킴과 함께, 그 점착 테이프를 가열하면서 요입 만곡시켜서 반도체 웨이퍼의 이면에 부착하는 제1 부착 과정과,A first attaching step of generating a differential pressure in two spaces in the housing defined by the adhesive tape and attaching the adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer while heating and curving the adhesive tape while heating;
상기 챔버에서의 차압 및 가열을 해소시킨 후에, 점착 테이프를 재가열하면서 점착 테이프를 부착하는 제2 부착 과정A second adhering step of adhering the adhesive tape while reheating the adhesive tape after dissolving the differential pressure and the heating in the chamber;
을 구비한 것을 특징으로 한다.And a control unit.
(작용·효과) 상기 방법에 의하면, 가열하여 점착 테이프를 연화시키고 있다. 이 상태에서 챔버 내의 2개의 공간에 차압을 발생시킴으로써, 점착 테이프를 웨이퍼 이면을 향하여 요입 만곡시킬 수 있다. 즉, 반도체 웨이퍼의 중앙으로부터 외주를 향하여 방사형으로 점착 테이프를 연신하면서 부착해 간다. 따라서, 점착 테이프와 반도체 웨이퍼의 접착 계면에서의 에어의 말려듦을 억제할 수 있다.(Action / Effect) According to the above method, the adhesive tape is softened by heating. In this state, the pressure difference is generated in the two spaces in the chamber, so that the adhesive tape can be curved in the recess toward the back surface of the wafer. That is, the adhesive tape is radially attached from the center of the semiconductor wafer toward the outer periphery while being stretched. Therefore, curling of the air at the interface between the adhesive tape and the semiconductor wafer can be suppressed.
또한, 점착 테이프의 요입 만곡에 수반하여, 반도체 웨이퍼의 외주를 향함에 따라서 점착 테이프에 작용하는 텐션이 커진다. 그 때문에, 제1 부착 과정에서 반도체 웨이퍼에 부착된 점착 테이프는, 환상 볼록부의 내측의 코너부 및 그 근방에 있어서 전체면에서 접촉 또는 부분적으로 접촉하고 완전히 밀착되어 있지는 않다.Further, along with the curling of the adhesive tape, the tension acting on the adhesive tape increases toward the outer periphery of the semiconductor wafer. Therefore, the adhesive tape adhered to the semiconductor wafer in the first attaching process is in contact with or partially in contact with the inner corner portion of the annular convex portion and the entire surface in the vicinity thereof, and is not completely in close contact with the corner portion.
그 후, 챔버 내를 대기 상태로 되돌리는 것에 의해 차압이 해소되면, 부착 시의 텐션에 의해 점착 테이프에 축적되어 있는 인장 응력이 그 점착 테이프에 작용하여 시간의 경과와 함께 코너부로부터 박리되게 된다. 그 제1 부착 과정에서의 박리의 원인은, 텐션에 의한 탄성 변형을 주로 한 점착 테이프의 신장 및 충분히 연화되지 못한 점착제 중 적어도 한쪽에 기인하고 있다.Thereafter, when the differential pressure is released by returning the chamber to the standby state, a tensile stress accumulated on the adhesive tape by the tension at the time of attaching acts on the adhesive tape and is peeled from the corner portion with the elapse of time . The cause of peeling in the first attaching process is attributable to at least one of elongation of the adhesive tape mainly due to elastic deformation by tension and an adhesive which is not sufficiently softened.
그러나, 제1 부착 과정 후의 제2 부착 과정에서 점착 테이프를 재가열함으로써, 코너부 근방의 점착 테이프에 대하여 소성 변형을 주로 한 변형 및 점착제를 충분히 연화시키는 것 중 적어도 한쪽을 작용시킬 수 있으므로, 반도체 웨이퍼로부터 점착 테이프가 박리되는 것을 억제시킬 수 있다.However, by reheating the adhesive tape in the second attaching process after the first attaching process, at least one of the deformation mainly involving plastic deformation and the softening of the pressure-sensitive adhesive sufficiently can be applied to the adhesive tape in the vicinity of the corner, It is possible to prevent the adhesive tape from peeling off.
또한, 상기 방법에 있어서, 제1 부착 과정의 챔버로부터 반출되어 서로 다른 보유 지지 테이블에 반도체 웨이퍼를 반송하면서 점착 테이프를 실온의 대기에 노출시킨 후에, 그 보유 지지 테이블 상에서 반도체 웨이퍼를 가열하면서 점착 테이프를 부착하는 제2 부착 과정을 행하는 것이 바람직하다.In the above method, the adhesive tape is exposed to the room temperature while being transported from the chamber of the first deposition process to the different holding tables, and the semiconductor wafer is heated on the holding table, It is preferable to perform the second attaching process.
이 방법에 의하면, 반도체 웨이퍼는, 다른 보유 지지 테이블로의 반송 과정에서 실온의 대기에 점착 테이프가 노출되므로, 점착 테이프의 기재가 약간 냉각되어서 경화된다. 따라서, 반도체 웨이퍼에 밀착한 부분의 점착 테이프가 고착되기 쉬워진다.According to this method, since the adhesive tape is exposed to the atmosphere at room temperature in the process of transporting the semiconductor wafer to another holding table, the substrate of the adhesive tape is slightly cooled and hardened. As a result, the adhesive tape in the portion in close contact with the semiconductor wafer can be easily fixed.
또한, 본 발명은 이와 같은 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다.In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration.
즉, 지지용의 점착 테이프를 개재하여 링 프레임에 반도체 웨이퍼를 마운트하는 반도체 웨이퍼의 마운트 장치로서,That is, as a semiconductor wafer mounting apparatus for mounting a semiconductor wafer on a ring frame via a supporting adhesive tape,
이면 외주에 환상 볼록부를 갖는 상기 반도체 웨이퍼를 보유 지지하는 제1 보유 지지 테이블과,A first holding table for holding the semiconductor wafer having an annular convex portion on its outer periphery,
상기 점착 테이프가 부착된 링 프레임을 보유 지지하는 프레임 보유 지지부와,A frame holding portion for holding the ring frame to which the adhesive tape is attached,
상기 제1 보유 지지 테이블을 수납함과 함께, 링 프레임에 부착된 점착 테이프를 무는 한 쌍의 하우징을 포함하는 챔버와,A chamber for housing the first holding table and including a pair of housings for holding an adhesive tape attached to the ring frame;
상기 챔버 내의 점착 테이프를 가열하는 제1 가열기와,A first heater for heating the adhesive tape in the chamber,
상기 점착 테이프에 의해 구획된 챔버 내의 2개의 공간에 차압을 발생시켜서, 가열되어 있는 점착 테이프를 요입 만곡시키면서 반도체 웨이퍼의 이면에 부착시키는 제어부를 포함하는 제1 부착 기구와,A first attaching mechanism including a control section for generating a differential pressure in two spaces in a chamber defined by the adhesive tape and attaching the heated adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer while bending the adhesive tape;
상기 제1 부착 기구로 점착 테이프에 반도체 웨이퍼를 부착하여 이루어지는 마운트 프레임을 보유 지지하는 제2 보유 지지 테이블과,A second holding table for holding a mount frame formed by attaching a semiconductor wafer to an adhesive tape with the first attaching mechanism,
상기 제2 보유 지지 테이블 상에서 점착 테이프를 재가열하는 제2 가열기와,A second heater for reheating the adhesive tape on the second holding table,
상기 제1 부착 기구로부터 제2 보유 지지 테이블로 상기 마운트 프레임을 반송하는 반송 기구And a transport mechanism for transporting the mount frame from the first attachment mechanism to the second holding table
를 구비한 것을 특징으로 한다.And a control unit.
(작용·효과) 이 구성에 의하면, 제1 부착 기구에 의해 반도체 웨이퍼의 이면 전체에 점착 테이프를 부착할 수 있다. 그 후, 제2 보유 지지 테이블 상에서 이미 링 프레임에 마운트된 반도체 웨이퍼는, 환상 볼록부의 내측의 코너부 근방부터 코너부에 걸친 점착 테이프가 재가열된다. 즉, 반도체 웨이퍼에 완전히 밀착되지 않은 부분만을 웨이퍼에 밀착시킬 수 있다. 따라서, 상기 방법을 바람직하게 실시할 수 있다.(Operation and Effect) According to this structure, the adhesive tape can be attached to the entire back surface of the semiconductor wafer by the first attachment mechanism. Thereafter, in the semiconductor wafer already mounted on the ring frame on the second holding table, the adhesive tape extending from the vicinity of the inner corner of the annular convex portion to the corner portion is reheated. That is, only the portion not completely adhered to the semiconductor wafer can be brought into close contact with the wafer. Therefore, the above method can preferably be carried out.
또한, 상기 구성에 있어서, 제1 부착 기구는, 링 프레임을 피복하는 크기의 점착 테이프를 공급하는 테이프 공급부와,In addition, in the above configuration, the first attachment mechanism may include a tape supply unit for supplying the adhesive tape of a size covering the ring frame,
상기 링 프레임과 하우징의 한쪽 접합부에 점착 테이프를 부착하는 테이프 부착 기구와,A tape attaching mechanism for attaching an adhesive tape to one of the joining portions of the ring frame and the housing,
상기 링 프레임 상에서 점착 테이프를 절단하는 절단 기구와,A cutting mechanism for cutting the adhesive tape on the ring frame,
원형으로 오려내진 점착 테이프를 박리하는 박리 기구와,A peeling mechanism for peeling off the circularly cut adhesive tape,
박리 후의 상기 점착 테이프를 회수하는 테이프 회수부A tape recovering part for recovering the adhesive tape after peeling,
를 구비하는 것이 바람직하다..
이 구성에 의하면, 챔버 내에서 점착 테이프를 반도체 웨이퍼의 이면에 부착하고 있는 과정에서, 그 점착 테이프를 절단할 수 있다. 따라서, 점착 테이프의 부착 시간을 단축할 수 있다.According to this configuration, in the process of attaching the adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer in the chamber, the adhesive tape can be cut. Therefore, the time for attaching the adhesive tape can be shortened.
본 발명의 반도체 웨이퍼의 마운트 방법 및 반도체 웨이퍼의 마운트 장치에 의하면, 이면 외주에 환상 볼록부가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에 부착한 지지용의 점착 테이프가, 그 환상 볼록부의 내측의 코너부로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다.According to the mounting method of the semiconductor wafer and the mounting apparatus of the semiconductor wafer of the present invention, the adhesive tape for supporting attached to the back surface of the semiconductor wafer having the annular convex portion formed on the outer periphery of the back surface is peeled from the inner corner portion of the annular convex portion .
도 1은 반도체 웨이퍼의 일부 파단 사시도이다.
도 2는 반도체 웨이퍼의 이면측의 사시도이다.
도 3은 반도체 웨이퍼의 부분 종단면도이다.
도 4는 반도체 웨이퍼의 마운트 장치의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 5는 반도체 웨이퍼의 마운트 장치의 정면도이다.
도 6은 웨이퍼 반송 기구의 일부를 도시하는 정면도이다.
도 7은 웨이퍼 반송 기구의 일부를 도시하는 평면도이다.
도 8은 웨이퍼 반송 장치의 정면도이다.
도 9는 웨이퍼 반송 장치의 이동 구조를 도시하는 평면도이다.
도 10은 프레임 반송 장치의 정면도이다.
도 11은 반전 유닛의 정면도이다.
도 12는 반전 유닛의 평면도이다.
도 13은 푸셔의 정면도이다.
도 14는 푸셔의 평면도이다.
도 15는 제1 부착 유닛의 정면도이다.
도 16은 테이프 부착부의 개략 구성을 도시하는 부분 단면도이다.
도 17은 챔버의 종단면도이다.
도 18은 테이프 절단 기구의 평면도이다.
도 19는 점착 테이프의 부착 동작을 도시하는 모식도이다.
도 20은 점착 테이프의 부착 동작을 도시하는 모식도이다.
도 21은 점착 테이프의 부착 동작을 도시하는 모식도이다.
도 22는 점착 테이프의 부착 동작을 도시하는 모식도이다.
도 23은 점착 테이프의 부착 동작을 도시하는 모식도이다.
도 24는 마운트 프레임의 사시도이다.
도 25는 제2 부착 처리의 모식도이다.
도 26은 실시예 장치와 비교예 장치에서 실시한 박리 측정 결과의 비교를 도시하는 도면이다.
도 27은 점착 테이프의 이완을 측정하는 모식도이다.
도 28은 실시예 장치와 비교예 장치에서 실시한 이완 측정 결과의 비교를 도시하는 도면이다.1 is a partially cutaway perspective view of a semiconductor wafer.
2 is a perspective view of the back surface side of the semiconductor wafer.
3 is a partial longitudinal cross-sectional view of a semiconductor wafer.
4 is a plan view showing a configuration of a mounting apparatus for a semiconductor wafer.
5 is a front view of a mounting apparatus for a semiconductor wafer.
6 is a front view showing a part of the wafer transport mechanism.
7 is a plan view showing a part of the wafer transport mechanism.
8 is a front view of the wafer transfer apparatus.
9 is a plan view showing the moving structure of the wafer transfer apparatus.
10 is a front view of the frame transportation device.
11 is a front view of the inverting unit.
12 is a plan view of the inverting unit.
13 is a front view of the pusher.
14 is a plan view of the pusher.
15 is a front view of the first attachment unit.
16 is a partial cross-sectional view showing a schematic configuration of the tape attaching portion.
17 is a longitudinal sectional view of the chamber.
18 is a plan view of the tape cutting mechanism.
19 is a schematic diagram showing an attaching operation of the adhesive tape.
20 is a schematic diagram showing an attaching operation of the adhesive tape.
21 is a schematic diagram showing an attaching operation of the adhesive tape.
22 is a schematic view showing an attaching operation of the adhesive tape.
23 is a schematic diagram showing an attaching operation of the adhesive tape.
24 is a perspective view of the mount frame.
25 is a schematic view of the second attachment process.
26 is a view showing a comparison of peel measurement results performed in the apparatus of the embodiment and the apparatus of the comparative example.
Fig. 27 is a schematic diagram for measuring relaxation of the adhesive tape. Fig.
28 is a diagram showing a comparison of the results of relaxation measurement performed in the apparatus of the embodiment and the apparatus of the comparative example.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
<반도체 웨이퍼><Semiconductor wafer>
반도체 웨이퍼 W(이하, 간단히 「웨이퍼 W」라 한다)는 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 패턴이 형성된 표면에 보호 테이프 PT가 부착되어서 표면이 보호된 상태에서 백그라인드 처리된 것이다. 그 이면은, 외주부를 직경 방향으로 약 2mm를 남기고 연삭(백그라인드)되어 있다. 즉, 이면에 편평 오목부 b가 형성됨과 함께, 그 외주를 따라서 환상 볼록부 r이 잔존된 형상으로 가공된 것이 사용된다. 예를 들어, 편평 오목부 b의 깊이 d가 수백㎛, 연삭 영역의 웨이퍼 두께 t가 수십㎛가 되도록 가공되어 있다. 따라서, 이면 외주에 형성된 환상 볼록부 r은, 웨이퍼 W의 강성을 높이는 환상 리브로서 기능하여, 핸들링이나 기타의 처리 공정에서의 웨이퍼 W의 휨 변형을 억제한다.1 to 3, the semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as " wafer W ") is a back-grind treated state in which the protective tape PT is attached to the surface on which the pattern is formed and the surface is protected. The back surface is ground (back grinded) while leaving the outer peripheral portion of about 2 mm in the radial direction. That is, a flat concave portion b is formed on the back surface and a shape in which the annular convex portion r remains along the outer periphery is used. For example, the depth d of the flattened concave portion b is made to be several hundred micrometers, and the wafer thickness t of the grinding region is made several tens micrometers. Therefore, the annular convex portion r formed on the outer circumference of the back surface functions as an annular rib for increasing the rigidity of the wafer W, and suppresses the warpage of the wafer W in handling and other processing steps.
<반도체 웨이퍼의 마운트 장치>≪ Mounting Device of Semiconductor Wafer &
도 4에 반도체 웨이퍼의 마운트 장치의 평면도가 도시되어 있다.Fig. 4 is a plan view of the mounting apparatus of the semiconductor wafer.
이 마운트 장치는, 도 4에 도시한 바와 같이, 가로로 긴 직사각형부 A와 이 직사각형부 A의 중앙부에서 연접하여 상측으로 돌출된 돌출부 B를 포함하는 볼록형으로 구성된 기본 유닛과, 돌출부 B의 좌측 옆의 스페이스에서 기본 유닛에 연결된 마킹 유닛 C를 구비한 구성이 되어 있다. 또한, 이후의 설명에 있어서, 직사각형부 A의 길이 방향을 좌우 방향, 이것과 직교하는 수평 방향을 하측 및 상측이라 호칭한다.As shown in Fig. 4, this mounting apparatus is composed of a basic unit formed in a convex shape including a horizontally elongated rectangular portion A and a protruding portion B projected upward by being joined at a central portion of the rectangular portion A, And a marking unit C connected to the base unit in the space of the marking unit C. In the following description, the longitudinal direction of the rectangular portion A is referred to as a left-right direction, and the horizontal direction orthogonal thereto is referred to as a lower side and an upper side.
직사각형부 A의 우측에 웨이퍼 반송 기구(1)가 배치되어 있다. 직사각형부 A의 하측의 오른쪽에 웨이퍼 W를 수용한 2개의 용기(2)가 병렬로 적재되어 있다. 직사각형부 A의 하측의 좌측 단부에는, 웨이퍼 W의 마운트를 완료한 도 24에 도시하는 마운트 프레임 MF를 회수하는 회수부(3)가 배치되어 있다.The
직사각형부 A의 상측의 우측으로부터 얼라이너(4), 제1 보유 지지 테이블(5), 프레임 공급부(6) 및 반전 유닛(7)의 순서로 배치되어 있다. 반전 유닛(7)의 하방에 후술하는 제2 보유 지지 테이블(8)이 배치되어 있다. 또한, 반전 유닛(7)의 상방에서 슬라이드 이동하는 푸셔(9)가 배치되어 있다.The
돌출부 B는, 지지용의 점착 테이프 T(다이싱 테이프)를 링 프레임 f에 부착함과 함께, 그 점착 테이프 T를 웨이퍼 W에 부착하는 제1 부착 유닛(10)으로 되어 있다.The protruding portion B is a first attaching
웨이퍼 반송 기구(1)에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 직사각형부 A의 상부에 좌우 수평으로 가설된 안내 레일(14)의 우측에 좌우 왕복 이동 가능하게 지지된 웨이퍼 반송 장치(15)와, 안내 레일(14)의 좌측에 좌우 이동 가능하게 지지된 프레임 반송 장치(16)가 구비되어 있다.5, the
웨이퍼 반송 장치(15)는 용기(2)의 어느 한쪽으로부터 취출한 웨이퍼 W를 좌우 및 전후로 반송함과 함께, 웨이퍼 W의 자세를 표리 반전할 수 있도록 구성되어 있다.The
웨이퍼 반송 장치(15)는 도 6 및 도 8에 도시한 바와 같이, 안내 레일(14)을 따라 좌우 이동 가능한 좌우 이동 가동대(18)가 장비되어 있다. 이 좌우 이동 가동대(18)에 구비된 안내 레일(19)을 따라 전후 이동 가능하게 전후 이동 가동대(20)가 장비되어 있다. 또한, 이 전후 이동 가동대(20)의 하부에 웨이퍼 W를 보유 지지하는 보유 지지 유닛(21)이 상하 이동 가능하게 장비되어 있다.As shown in Figs. 6 and 8, the
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 안내 레일(14)의 우측 단부 부근에는 모터(22)로 정역전 구동되는 구동 풀리(23)가 축지지됨과 함께, 안내 레일(14)의 중앙측에는 공전 풀리(24)가 축지지되어 있다. 이들 구동 풀리(23)와 공전 풀리(24)에 걸쳐서 감긴 벨트(25)에, 좌우 이동 가동대(18)의 슬라이드 걸림 결합부(18a)가 연결되어, 벨트(25)의 정역회전에 의해 좌우 이동 가동대(18)가 좌우로 이동되게 되어 있다.6 and 7, a
도 9에 도시한 바와 같이, 좌우 이동 가동대(18)의 상단부 부근에는 모터(26)로 정역전 구동되는 구동 풀리(27)가 축지지됨과 함께, 좌우 이동 가동대(18)의 하단부 부근에는 공전 풀리(28)가 축지지되어 있다. 이들 구동 풀리(27)와 공전 풀리(28)에 걸쳐서 감긴 벨트(29)에, 전후 이동 가동대(20)의 슬라이드 걸림 결합부(20a)가 연결되어, 벨트(29)의 정역회전에 의해 전후 이동 가동대(20)가 전후로 이동되게 되어 있다.9, a
도 8에 도시한 바와 같이, 보유 지지 유닛(21)은 전후 이동 가동대(20)의 하부에 연결된 역L자형의 지지 프레임(30), 이 지지 프레임(30)의 세로 프레임부를 따라 모터(31)로 나사 이송 승강되는 승강대(32), 승강대(32)에 회동축(33)을 통하여 세로 방향 지지축 p 둘레로 선회 가능하게 축지지된 회동대(34), 회동축(33)에 벨트(35)를 통하여 감기 연동된 선회용 모터, 회동대(34)의 하부에 회동축(37)을 통하여 수평 방향 지지축 q 둘레에 반전 회동 가능하게 축지지된 보유 지지 아암(38), 회동축(37)에 벨트(39)를 통하여 감기 연동된 반전용 모터(40) 등으로 구성되어 있다.8, the holding
보유 지지 아암(38)은 말굽형을 하고 있다. 보유 지지 아암(38)의 보유 지지면에는, 약간 돌출된 복수개의 흡착 패드(41)가 설치되어 있다. 또한, 보유 지지 아암(38)은 그 내부에 형성된 유로와, 이 유로의 기단부 측에서 연접된 접속 유로를 통하여 압축 공기 장치에 연통 접속되어 있다.The holding
상기한 가동 구조를 이용함으로써, 흡착 보유 지지한 웨이퍼 W를 보유 지지 아암(38)에 의해 전후 이동, 좌우 이동, 및 세로 방향 지지축 p 주위로 선회 이동함과 함께, 도 8에 도시하는 수평 방향 지지축 q 둘레의 반전 회동에 의해 웨이퍼 W를 표리 반전시킬 수 있게 되어 있다.By using the above-described movable structure, the wafer W held and held by the holding
프레임 반송 장치(16)는 도 10에 도시한 바와 같이, 전후 이동 가동대(43)의 하부에 연결된 세로 프레임(44), 이 세로 프레임(44)을 따라 슬라이드 승강 가능하게 지지된 승강 프레임(45), 승강 프레임(45)을 상하 이동시키는 굴신 링크 기구(46), 이 굴신 링크 기구(46)를 정역 굴신 구동하는 모터(47), 승강 프레임(45)의 하단부에 장비된 웨이퍼 W를 흡착하는 흡착 플레이트(48) 및 링 프레임 f를 흡착하기 위하여 그 흡착 플레이트(48)의 둘레에 배치된 복수개의 흡착 패드(49) 등으로 구성되어 있다. 따라서, 프레임 반송 장치(16)는 제1 보유 지지 테이블(5)에 적재 보유 지지된 링 프레임 f 및 마운트 프레임 MF를 흡착 보유 지지하여, 승강 및 전후 좌우로 반송할 수 있다. 흡착 패드(49)는 링 프레임 f의 사이즈에 대응하여 수평 방향으로 슬라이드 조절 가능하게 되어 있다.10, the
제1 보유 지지 테이블(5)은 도 15 내지 도 17에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W와 동일 형상 이상의 크기를 갖는 금속제의 척 테이블이며, 유로(94)를 통하여 외부의 진공 장치(95)와 연통 접속되어 있다. 또한, 제1 보유 지지 테이블(5)은 복수개의 지지용 핀(50)을 장비하고 있다.15 to 17, the first holding table 5 is a metal chuck table having a size equal to or larger than that of the wafer W and communicates with an
핀(50)은 제1 보유 지지 테이블(5)의 소정의 원주 상에 등간격을 두고 배치되어 있다. 즉, 핀(50)은 실린더 등의 액추에이터에 의해 제1 보유 지지 테이블(5)의 보유 지지면에서 진퇴 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한, 핀(50)의 선단은, 절연물로 구성되어 있거나, 또는 절연물로 피복되어 있다.The pins (50) are arranged on a predetermined circumference of the first holding table (5) at regular intervals. That is, the
이 제1 보유 지지 테이블(5)은 웨이퍼 W의 외주 영역만을 접촉 지지하는 환상 볼록부가 형성되어 있다. 또한, 내부에 히터(107)가 매설되어 있다. 또한, 제1 보유 지지 테이블(5)은 후술하는 챔버(11)를 구성하는 하측 하우징(11A)에 수납되어 있다. 하측 하우징(11A)은, 그 하측 하우징(11A)을 바깥으로 둘러싸는 프레임 보유 지지부(51)를 구비하고 있다. 프레임 보유 지지부(51)는 링 프레임 f를 적재했을 때, 링 프레임 f와 하측 하우징(11A)의 원통 정상부가 평탄하게 되도록 구성되어 있다.The first holding table 5 is formed with an annular convex portion for contacting and supporting only the outer peripheral region of the wafer W. Further, a
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 보유 지지 테이블(5)은 도시하지 않은 구동 기구에 의해 직사각형부 A의 웨이퍼 W를 세트하는 위치와 돌출부 B의 제1 테이프 부착 유닛(10)의 부착 위치 사이에 부설된 레일(58)을 따라 왕복 이동 가능하게 구성되어 있다.4, the first holding table 5 is moved to a position where the wafer W is set in the rectangular portion A by a drive mechanism (not shown) and a position where the first
프레임 공급부(6)는 소정 매수의 링 프레임 f를 적층 수납한 인출식의 카세트를 수납한다.The
반전 유닛(7)은 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 세워 설치 고정된 세로 레일(59)을 따라 승강 가능한 승강대(60)에, 회전 액추에이터(61)에 의해 수평 지지축 r 둘레로 회동 가능한 수납 프레임(62)이 외팔보형으로 장착됨과 함께, 수납 프레임(62)의 기초부와 선단부에 척 갈고리(63)가 각각 지지축 s 둘레로 회동 가능하게 장비되어 있다. 반전 유닛(7)은 회로면이 하향의 마운트 프레임 MF를 프레임 반송 장치(16)로부터 수취하여 반전한 후, 회로 패턴면을 상향으로 한다.11 and 12, the reversing
제2 보유 지지 테이블(8)은 반전 유닛(7)의 바로 아래의 마운트 프레임 MF의 수취 위치와 마킹 유닛 C의 인자 위치의 사이를 레일(58C)을 따라 왕복 이동한다. 제2 보유 지지 테이블(8)은 도 25에 도시한 바와 같이, 마운트 프레임 MF의 이면 전체를 흡착 보유 지지 가능한 크기의 척 테이블이다. 그 제2 보유 지지 테이블(8)은. 금속제 또는 세라믹의 다공질로 형성되어 있다. 또한, 제2 보유 지지 테이블(8)에는 히터가 매설되어 있다.The second holding table 8 reciprocates along the
푸셔(9)는, 제2 보유 지지 테이블(8)에 적재된 마운트 프레임 MF를 마운트 프레임 회수부(3)에 수납시킨다. 그 구체적인 구성은, 도 13 및 도 14에 도시되어 있다.The
푸셔(9)는, 레일(64)을 따라 좌우 수평하게 이동하는 가동대(65)의 상부에, 고정 수납편(66)과 실린더(67)로 개폐되는 척편(68)을 구비하고 있다. 이들 고정 수납편(66)과 척편(68)으로 마운트 프레임 MF의 일단부를 상하로부터 끼움 지지하도록 구성되어 있다. 또한, 모터(69)로 회동되는 벨트(70)에 가동대(65)의 하부가 연결되어 있고, 모터(69)의 정역 작동에 의해 가동대(65)를 좌우로 왕복 이동시키게 되어 있다.The
제1 부착 유닛(10)은 도 15에 도시한 바와 같이, 테이프 공급부(71), 세퍼레이터 회수부(72), 테이프 부착부(73) 및 테이프 회수부(74) 등으로 구성되어 있다. 이하, 각 구성에 대하여 상세하게 설명한다.The
테이프 공급부(71)는 지지용의 점착 테이프 T가 권회된 원단 롤이 장전된 공급 보빈으로부터 그 점착 테이프 T를 부착 위치에 공급하는 과정에서 박리 롤러(75)에 의해 세퍼레이터 S를 박리하도록 구성되어 있다. 또한, 공급 보빈은, 전자 브레이크에 연동 연결되어서 적합한 회전 저항이 가해지고 있다. 따라서, 공급 보빈으로부터 과잉의 테이프의 풀어내짐이 방지되고 있다.The tape supply unit 71 is configured to peel the separator S by the peeling roller 75 in the process of supplying the adhesive tape T from the supply bobbin loaded with the roll having the support rolls T wound thereon to the attachment position . Further, the supply bobbin is connected to the electromagnetic brake in an interlocked manner, and a suitable rotational resistance is applied thereto. Thus, the excess tape is prevented from being unwound from the supply bobbin.
또한, 테이프 공급부(71)는 실린더(76)에 연결된 요동 아암(77)을 요동시킴으로써 선단의 댄서 롤러(78)로 점착 테이프 T를 하방으로 밀어 내려서 텐션을 부여하도록 구성되어 있다.The tape supply unit 71 is configured to pivot the swinging arm 77 connected to the cylinder 76 so as to push the adhesive tape T downward by the dancer roller 78 at the front end to impart tension thereto.
세퍼레이터 회수부(72)는 점착 테이프 T로부터 박리된 세퍼레이터 S를 권취하는 회수 보빈이 구비되어 있다. 이 회수 보빈은, 모터에 의해 정역으로 회전 구동 제어되게 되어 있다.The separator recovery section 72 is provided with a recovery bobbin for recovering the separator S peeled off from the adhesive tape T. The recovery bobbin is rotationally driven and controlled by a motor in the forward and reverse directions.
테이프 부착부(73)는 챔버(11), 테이프 부착 기구(81) 및 테이프 절단 기구(82) 등으로 구성되어 있다. 또한, 테이프 부착 기구(81)는 본 발명의 부착 기구에, 테이프 절단 기구(82)는 절단 기구에 각각 상당한다.The
챔버(11)는 직사각형부 A와 테이프 부착부(73)를 왕복 이동하는 하측 하우징(11A)과 돌출부 B에서 승강 가능하게 구성된 상측 하우징(11B)으로 구성되어 있다. 양쪽 하우징(11A, 11B)은, 점착 테이프 T의 폭보다도 작은 내경을 갖는다. 또한, 하측 하우징(11A)의 원통 상부는, 라운딩부를 가짐과 함께, 불소 가공 등의 이형 처리가 실시되어 있다.The
상측 하우징(11B)은, 도 16에 도시한 바와 같이, 승강 구동 기구(84)에 구비되어 있다. 이 승강 구동 기구(84)는 종벽(85)의 배면부에 세로 방향으로 배치된 레일(86)을 따라 이동 가능한 승강대(87), 이 승강대(87)에 높이 조절 가능하게 지지된 가동 프레임(88), 이 가동 프레임(88)부터 전방을 향하여 연장된 아암(89)을 구비하고 있다. 이 아암(89)의 선단부로부터 하방으로 연장하는 지지축(90)에 상측 하우징(11B)이 장착되어 있다.As shown in Fig. 16, the
승강대(87)는 나사축(91)을 모터(92)에 의해 정역 회전함으로써 나사 이송 승강되도록 되어 있다.The
양쪽 하우징(11A, 11B)에는, 도 17에 도시한 바와 같이, 유로(94)를 통하여 진공 장치(95)와 연통 접속되어 있다. 또한, 상측 하우징(11B)측의 유로(94)에는, 전자 밸브(96)를 구비하고 있다. 또한, 양쪽 하우징(11A, 11B)에는, 대기 개방용의 전자 밸브(97, 98)를 구비한 유로(99)가 각각 연통 접속되어 있다. 또한, 상측 하우징(11B)에는, 일단 감압한 내압을 누설에 의해 조정하는 전자 밸브(100)를 구비한 유로(101)가 연통 접속되어 있다. 또한, 이들 전자 밸브(96, 97, 98, 100)의 개폐 조작 및 진공 장치(95)의 작동은, 제어부(102)에 의해 행하여지고 있다.As shown in Fig. 17, the
도 15로 돌아가서, 테이프 부착 기구(81)는 제1 보유 지지 테이블(5)을 끼워서 장치 베이스(103)에 세워 설치된 좌우 한 쌍의 지지 프레임(104)에 가설된 안내 레일(105), 안내 레일(105)을 따라 좌우 수평하게 이동하는 가동대(106), 이 가동대(106)에 구비된 실린더의 선단에 연결된 브래킷에 축지지된 부착 롤러(109), 테이프 회수부(72)측에 배치된 닙 롤러(110)로 구성되어 있다.15, the tape attaching mechanism 81 includes a guide rail 105 mounted on a pair of right and left support frames 104 installed on the apparatus base 103 with the first holding table 5 inserted therebetween, An attaching
가동대(106)는 장치 베이스(103)에 고정 배치된 구동 장치에 축지지된 정역회전시키는 구동 풀리(111)와 지지 프레임(104)측에 축지지된 공전 풀리(112)에 감긴 벨트(113)에 의해 구동 전달되어, 안내 레일(105)을 따라 좌우 수평 이동하도록 구성되어 있다.The movable base 106 is rotatably supported by a driving device fixed to the apparatus base 103 and a belt 113 wound around the idler pulley 112 pivotally supported on the supporting frame 104 side So as to horizontally move left and right along the guide rails 105. As shown in Fig.
닙 롤러(110)는 모터에 의해 구동하는 이송 롤러(114)와 실린더에 의해 승강하는 핀치 롤러(115)로 구성되어 있다.The nip roller 110 is composed of a conveying
테이프 절단 기구(82)는 도 16에 도시한 바와 같이, 상측 하우징(11B)을 승강시키는 승강 구동 기구(84)에 배치되어 있다. 즉, 베어링(116)을 통하여 지지축(90) 주위로 회전하는 보스부(117)를 구비하고 있다. 이 보스부(117)에, 도 18에 도시한 바와 같이, 중심에 직경 방향으로 연신하는 4개의 지지 아암(118 내지 121)을 구비하고 있다.The
한쪽 지지 아암(118)의 선단에, 원판형의 커터(122)를 수평 축지지한 커터 브래킷(123)이 상하 이동 가능하게 장착됨과 함께, 다른 지지 아암(119 내지 121)의 선단에 가압 롤러(124)가 요동 아암(125)을 통하여 상하 이동 가능하게 장착되어 있다.A
보스부(117)의 상부에는 연결부(126)를 갖고, 이 연결부(126)에 아암(89)에 구비된 모터(127)의 회전축과 구동 연결되어 있다.The
테이프 회수부(74)는 도 15에 도시한 바와 같이, 절단 후에 박리된 불필요한 점착 테이프 T를 권취하는 회수 보빈이 구비되어 있다. 이 회수 보빈은, 도시되어 있지 않은 모터에 의해 정역으로 회전 구동 제어되게 되어 있다.As shown in Fig. 15, the tape recovery section 74 is provided with a recovery bobbin for recovering unwanted adhesive tape T peeled off after cutting. This recovery bobbin is rotationally driven and controlled in normal and reverse directions by a motor not shown.
마킹 유닛 C는, 웨이퍼 W에 각인되어 있는 ID를 광학 센서 등의 리더로 판독하고 그 ID를 예를 들어 2차원 또는 3차원으로 바코드화하고, 그 바코드를 인쇄하여 부착하도록 구성되어 있다.The marking unit C is configured to read the ID imprinted on the wafer W by a reader such as an optical sensor, to barcode the ID into two or three dimensions, for example, and to print and attach the barcode.
회수부(3)는 도 5에 도시한 바와 같이, 마운트 프레임 MF를 적재하여 회수하는 카세트(130)가 배치되어 있다. 이 카세트(130)는 장치 프레임(131)에 연결 고정된 세로 레일(132)과, 이 세로 레일(132)을 따라 모터(133)로 나사 이송 승강되는 승강대(134)가 구비되어 있다. 따라서, 회수부(3)는 마운트 프레임 MF를 승강대(134)에 적재하여 피치 이송 하강하도록 구성되어 있다.As shown in Fig. 5, the collecting
이어서, 상기 실시예 장치를 사용해 점착 테이프 T를 개재하여 링 프레임 f에 웨이퍼 W를 마운트하는 동작에 대하여 설명한다.Next, an operation of mounting the wafer W to the ring frame f via the adhesive tape T using the apparatus of the embodiment will be described.
프레임 공급부(6)로부터 하측 하우징(11A)의 프레임 보유 지지부(51)에의 링 프레임 f의 반송과 용기(2)로부터 제1 보유 지지 테이블(5)에의 웨이퍼 W의 반송이 동시에 실행된다.The transfer of the ring frame f from the
한쪽 프레임 반송 장치(16)는 프레임 공급부(6)로부터 링 프레임 f를 흡착하여 프레임 보유 지지부(51)로 이동 탑재한다. 프레임 보유 지지부(51)가 흡착을 해제하여 상승하면, 지지 핀에 의해 링 프레임 f의 위치 정렬을 행한다. 즉, 링 프레임 f는, 프레임 보유 지지부(51)에 세트된 상태에서 웨이퍼 W가 반송되어 올 때까지 대기하고 있다.The
다른 쪽 반송 장치(15)는 다단으로 수납된 웨이퍼 W의 끼리 사이에 보유 지지 아암(38)을 삽입하고, 웨이퍼 W의 회로 형성면으로부터 보호 테이프 PT를 개재하여 흡착 보유 지지하여 반출하고, 얼라이너(4)로 반송한다.The
얼라이너(4)는 그 중앙으로부터 돌출되었던 흡착 패드에 의해 웨이퍼 W의 중앙을 흡착한다. 동시에, 반송 장치(15)는 웨이퍼 W의 흡착을 해제하여 상방으로 퇴피한다. 얼라이너(4)는 흡착 패드로 웨이퍼 W를 보유 지지하여 회전시키면서 노치 등에 기초하여 위치 정렬을 행한다.The aligner (4) adsorbs the center of the wafer (W) by the adsorption pad protruding from the center thereof. At the same time, the
위치 정렬이 완료되면, 웨이퍼 W를 흡착한 흡착 패드를 얼라이너(4)의 면으로부터 돌출시킨다. 그 위치로 반송 장치(15)가 이동하고, 웨이퍼 W를 표면측으로부터 흡착 보유 지지한다. 흡착 패드는, 흡착을 해제하여 하강한다.When the positioning is completed, the adsorption pad sucking the wafer W is projected from the surface of the
반송 장치(15)는 제1 보유 지지 테이블(5) 상으로 이동하고, 보호 테이프 부착된 면을 하향으로 한 채 제1 보유 지지 테이블(5)로부터 돌출되어 있는 지지용의 핀(50)에 웨이퍼 W를 주고 받는다. 핀(50)은 웨이퍼 W를 수취하면 하강한다.The
제1 보유 지지 테이블(5) 및 프레임 보유 지지부(51)가 웨이퍼 W를 흡착하고, 프레임 보유 지지부(51)가 링 프레임 f를 흡착 보유 지지하면, 하측 하우징(11A)은 레일(58)을 따라 테이프 부착 기구(82)측으로 이동한다.When the first holding table 5 and the
도 19에 도시한 바와 같이, 하측 하우징(11A)이 테이프 부착 기구(82)의 테이프 부착 위치에 달하면 부착 롤러(109)가 하강하고, 도 20에 도시한 바와 같이, 점착 테이프 T 상을 전동하면서 링 프레임 f와 하측 하우징(11A)의 정상부에 걸쳐 점착 테이프 T를 부착한다. 이 부착 롤러(109)의 이동에 연동하여 테이프 공급부(71)로부터 소정량의 점착 테이프 T가 세퍼레이터 S가 박리되면서 풀어내진다.19, when the
링 프레임 f에의 점착 테이프 T의 부착이 완료되면, 도 21에 도시한 바와 같이, 상측 하우징(11B)이 하강한다. 이 하강에 수반하여, 웨이퍼 W의 외주로부터 링 프레임 f의 내경의 사이에 점착면이 노출되어 있는 점착 테이프 T를 상측 하우징(11B)과 하측 하우징(11A)에 의해 끼움 지지하여 챔버(11)를 구성한다. 이때, 점착 테이프 T가 시일재로서 기능함과 함께, 상측 하우징(11B)측과 하측 하우징(11B)측을 분할하여 2개의 공간을 형성한다.When the attachment of the adhesive tape T to the ring frame f is completed, the
하측 하우징(11A) 내에 위치하는 웨이퍼 W는, 점착 테이프 T와 소정의 클리어런스를 갖고서 근접 대향하고 있다.The wafer W positioned in the
제어부(102)는 히터(107)를 작동시켜서 하측 하우징(11A) 측으로부터 점착 테이프 T를 가열함과 함께, 도 16에 도시하는 전자 밸브(97, 98, 100)를 폐쇄한 상태에서, 진공 장치(95)를 작동시켜서 상측 하우징(11B) 내와 하측 하우징(11A) 내를 감압한다. 이때, 양쪽 하우징(11A, 11B) 내가 동일한 속도로 감압되어 가도록, 전자 밸브(96)의 개방도를 조정한다.The
양쪽 하우징(11A, 11B) 내가 소정의 기압까지 감압되면, 제어부(102)는 전자 밸브(96)를 폐쇄함과 함께, 진공 장치(95)의 작동을 정지한다.When both
제어부(102)는 전자 밸브(100)의 개방도를 조정하여 누설시키면서 상측 하우징(11B) 내를 소정의 기압까지 서서히 높인다. 이때, 하측 하우징(11A) 내의 기압이 상측 하우징(11B) 내의 기압보다도 낮아져 그 차압에 의해, 도 22에 도시한 바와 같이, 점착 테이프 T가 그 중심으로부터 하측 하우징(11A) 측으로 인입되어 간다. 즉, 점착 테이프 T는, 요입 만곡하면서 웨이퍼 W의 중심부터 외주를 향하여 방사형으로 부착되어 간다. 이때, 환상 볼록부 r의 내측의 코너부의 에어는 배기되어, 간극이 찌부러 뜨려진 상태에서 점착 테이프 T가 접착되고 있다.The
미리 설정된 기압에 상측 하우징(11B) 내가 도달하면, 제어부(102)는 전자 밸브(98)의 개방도를 조정하여 하측 하우징(11A) 내의 기압을 상측 하우징(11B) 내의 기압과 동일하게 한다. 그 후, 제어부(102)는 도 23에 도시한 바와 같이, 상측 하우징(11B)을 상승시켜서 상측 하우징(11B) 내를 대기 개방함과 함께, 전자 밸브(98)를 완전 개방으로 하여 하측 하우징(11A) 측도 대기 개방한다.When the
또한, 챔버(11) 내에서 점착 테이프 T를 웨이퍼 W에 부착하고 있는 동안에, 테이프 절단 기구(82)가 작동한다. 이때, 도 21 및 도 22에 도시한 바와 같이, 커터(122)가 링 프레임 f에 부착된 점착 테이프 T를 링 프레임 f의 형상으로 절단함과 함께, 가압 롤러(124)가 커터(122)에 추종하여 링 프레임 f 상의 테이프 절단 부위를 전동하면서 가압해 간다. 즉, 상측 하우징(11B)이 하강하여 하측 하우징(11A)에 의해 챔버(11)를 구성했을 때, 도 15에 도시한 바와 같이, 테이프 절단 기구(82)의 커터(122)와 가압 롤러(124)도 절단 작용 위치에 도달하고 있다.While the adhesive tape T is attached to the wafer W in the
상측 하우징(11B)을 상승시킨 시점에서 웨이퍼 W에의 점착 테이프 T의 제1 부착 및 점착 테이프 T의 절단은 완료되어 있으므로, 핀치 롤러(115)를 상승시켜서 점착 테이프 T의 닙을 해제한다. 그 후, 닙 롤러(115)를 이동시켜서 테이프 회수부(74)를 향하여 절단 후의 불필요한 점착 테이프 T를 권취하여 회수해 감과 함께, 테이프 공급부(71)로부터 소정량의 점착 테이프 T를 풀어낸다.Since the first attachment of the adhesive tape T to the wafer W and the cutting of the adhesive tape T have been completed at the time when the
점착 테이프 T의 박리가 완료되고, 닙 롤러(115) 및 부착 롤러(109)가 초기 위치로 복귀되면, 도 23에 도시한 바와 같이, 링 프레임 f와 이면에 점착 테이프 T가 접착되어 있는 마운트 프레임 MF를 보유 지지한 채, 하측 하우징(11A)은 직사각형부 A측의 반출 위치로 이동한다.When the peeling of the adhesive tape T is completed and the
반출 위치에 도달한 마운트 프레임 MF는, 프레임 반송 장치(16)로부터 반전 유닛(7)으로 전달된다. 반전 유닛(7)은 마운트 프레임 MF를 보유 지지한 상태에서 상하를 반전한다. 즉, 회로 패턴면이 상향이 된다. 반전 유닛(7)은 도 25에 도시한 바와 같이, 마운트 프레임 MF를 상하 반전한 상태에서 제2 보유 지지 테이블(8)에 적재한다.The mount frame MF reaching the unloading position is transferred from the
웨이퍼 W는, 제2 보유 지지 테이블(8)에 매설된 히터(108)에 의해 재가열에 의한 제2 부착 처리가 실행된다. 이 처리 시간은, 챔버(11)에 의해 제1 부착 처리를 행하고 있는 시간과 동일하게 설정되어 있다. 제2 부착 처리가 완료되면, 제2 보유 지지 테이블(8)은 레일(58C)을 따라 마킹 유닛 C의 인자 위치(라벨 부착 위치)로 이동한다. 부착 위치에 제2 보유 지지 테이블(8)이 도달하면 광학 센서 또는 카메라 등에 의해 웨이퍼 W에 각인되어 있는 ID를 판독한다. 마킹 유닛 C는, 그 ID에 따른 라벨을 제작하여 웨이퍼 W에 부착한다.The wafer W is subjected to the second attachment process by reheating by the
라벨의 부착이 완료되면, 제2 보유 지지 테이블(8)은 직사각형부 A측의 반출 위치로 이동한다. 제2 보유 지지 테이블(8)이 반출 위치에 도달하면, 푸셔(9)가 마운트 프레임 MF를 파지하고, 마운트 프레임 MF를 회수부(3)로 반송한다.When the attachment of the label is completed, the second holding table 8 moves to the take-out position on the side of the rectangular portion A. When the second holding table 8 reaches the unloading position, the
이상으로 점착 테이프 T를 개재하여 링 프레임 f에 웨이퍼 W를 마운트하는 일순의 동작이 종료된다. 이후, 마운트 프레임 MF가 소정수에 도달할 때까지 상기 처리가 반복된다.Thus, the ordinary operation of mounting the wafer W on the ring frame f via the adhesive tape T is terminated. Thereafter, the process is repeated until the mount frame MF reaches a predetermined number.
상기 실시예 장치를 사용하여 제1 부착 유닛(10)에 의해 점착 테이프를 가열하지 않고 제1 부착 처리를 행한 비교예와, 제1 부착 유닛(10)으로 점착 테이프를 가열하면서의 제1 부착 처리를 행한 후에 제2 보유 지지 테이블(8)로 재가열에 의한 제2 부착 처리를 행한 실시예의 비교 실험을 행하였다.A comparative example in which the first adhering process was performed without heating the adhesive tape with the first adhering
이용한 웨이퍼 W는, 상술한 바와 같이 이면에 환상 볼록부 r을 형성한 200mm의 것을 이용하였다. 또한, 웨이퍼 W의 표면에는 보호 테이프 PT가 부착 설치되어 있다. 점착 테이프에는, 닛토덴코(주)의 WS-01을 이용하였다. 본 실시예에 있어서의 부착 조건은, 제1 부착 과정으로서 챔버(11) 내에서 차압 및 가열을 이용하고, 제2 부착 과정으로서 제2 보유 지지 테이블(8)에서 웨이퍼 W에의 재가열만을 이용하였다. 제1 및 제2 부착 과정에서는 차압을 가하면서 80℃에서 1분간의 가열을 하였다. 비교예의 부착 조건은, 챔버(11)에서 가열하지 않고 1분간의 차압을 걸어서 점착 테이프 T를 웨이퍼 W에 부착하였다.As the wafer W used, a wafer having a diameter of 200 mm formed with a ring-shaped convex portion r on the back surface thereof was used. A protective tape PT is attached to the surface of the wafer W. For the adhesive tape, WS-01 manufactured by Nitto Denko Corporation was used. The attachment conditions in this embodiment use differential pressure and heating in the
상기 조건에서 점착 테이프 T를 부착한 후에 발생하는 점착 테이프의 박리 결과가, 도 26에 도시되어 있다. 즉, 부착 처리의 완료 직후부터 실온에서 72시간 경과할 때까지 발생하는 박리를 측정하였다. 또한, 박리는, 볼록부 내측의 코너부로부터 웨이퍼 중심을 향하여 박리되어서 형성된 도 25에 도시하는 공극(200)의 거리로서 측정하였다.The peeling result of the adhesive tape which is generated after the adhesive tape T is adhered under the above conditions is shown in Fig. That is, the peeling occurred immediately after the completion of the adhering treatment until the passage of 72 hours at room temperature was measured. The peeling was measured as the distance of the
측정의 결과, 부착 직후에는, 본 실시예 및 비교예 모두 점착 테이프가 밀착하지 않고 발생되어 있는 공극이 0.05mm였다. 그러나, 비교예는, 시간이 경과함에 따라서, 점착 테이프 T의 박리가 확대되어, 최종의 72시간 후에는 0.6mm에 달하고 있다.As a result of the measurement, immediately after attachment, the voids generated without adhesion of the adhesive tape in this example and the comparative example were 0.05 mm. However, in the comparative example, the peeling of the pressure-sensitive adhesive tape T expands with time, and reaches 0.6 mm after the final 72 hours.
이에 비해, 본 실시예에서는, 박리는 48시간 후에 수렴해서 0.3mm로 되어 있다. 따라서, 비교예에 비하여 50%나 개선되어 있다.In contrast, in the present embodiment, the peeling is converged to be 0.3 mm after 48 hours. Therefore, it is improved by 50% as compared with the comparative example.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 의하면, 제2 보유 지지 테이블에서 재가열하면서 제2 부착 처리를 행함으로써, 환상 볼록부 r의 내측의 코너부 근방에서 완전히 밀착되지 못한 점착 테이프 T를 연화시켜서 밀착시킬 수 있다. 따라서, 부착 처리 후에 점착 테이프 T가 코너부로부터 박리되어서 확대되는 것을 억제할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the adhesive tape T which has not completely adhered to the inner corner portion of the annular convex portion r can be softened and brought into close contact by performing the second attaching process while reheating the second holding table . Therefore, it is possible to prevent the adhesive tape T from being peeled from the corner portion and enlarged after the attaching process.
또한, 동일 조건에서 3회의 실험을 행한 후에 점착 테이프 T의 이완을 각각 측정하였다. 구체적으로는, 도 27에 도시한 바와 같이, 마운트 프레임 MF의 링 프레임 f를 적재하고, 웨이퍼 W의 자중에 의해 밑으로 처지는 거리를 점착 테이프의 이완으로서 측정하였다. 구체적으로는, 이완이 없는 기준 거리를 H1로 하고, 그 H1로부터 더욱 하강한 H2의 거리를 가산하여 구하였다. 또한, 측정은, 웨이퍼 W의 중심에서 행하였다.After three experiments under the same conditions, the relaxation of the adhesive tape T was measured. Specifically, as shown in Fig. 27, the ring frame f of the mount frame MF was loaded, and the distance that the wafer W was sagged down by its own weight was measured as the relaxation of the adhesive tape. Specifically, the reference distance without any relaxation was taken as H1, and the distance of H2 further lowered from H1 was added to obtain the reference distance. The measurement was performed at the center of the wafer W. [
그 결과가, 도 28에 도시되어 있다. 즉, 비교예의 가열 없이 차압만으로 1회의 부착 처리를 행한 경우의 이완 평균이 3.7mm가 되었다. 이에 비해, 본 실시예의 차압과 가열 및 재가열에 의한 2회의 부착 처리를 행한 경우의 이완 평균이 1.3mm가 되었다. 즉, 본 실시예와 같이 2회의 부착 처리를 행함으로써, 1회째의 부착 시에 발생한 점착 테이프 T의 이완이, 2회째의 부착 시의 가열에 의해 개선되었다. 즉, 상하 한 쌍의 하우징으로 물려서 탄성 변형된 것에 의해 발생한 이완은, 가열에 의해 탄성 변형이 원래의 상태 부근까지 복귀되었다. 따라서, 그 이완을 개선시킴으로써 후속 공정의 다이싱 처리에 있어서, 고정밀도로 칩으로 분단할 수 있다.The results are shown in Fig. That is, the average of the loosening in the case of performing the adhesion treatment once only with the differential pressure without heating in the comparative example was 3.7 mm. On the other hand, when the differential pressure of the present embodiment and the two attaching treatments by heating and reheating were performed, the average of the loosening became 1.3 mm. That is, by performing the attachment processing twice as in the present embodiment, the relaxation of the adhesive tape T that occurred at the first attachment was improved by heating at the second attachment. In other words, the relaxation caused by the elastic deformation due to being pinched by the upper and lower pairs of housings was returned to the vicinity of the original state by elastic deformation by heating. Therefore, by improving the relaxation thereof, it is possible to divide the chip into chips with high precision in the dicing process of the subsequent process.
또한, 본 실시예 장치에서는, 제1 부착 처리와 제2 부착 처리를 서로 다른 위치에서 행하고 있으므로, 동일 1개소에서 처리하는 것에 비하여 효율적으로 처리할 수 있다.In the apparatus of this embodiment, since the first attaching process and the second attaching process are performed at different positions, the process can be efficiently performed as compared with the case where the process is performed at the same position.
또한, 본 발명은 이하와 같은 형태로 실시하는 것도 가능하다.The present invention can also be implemented in the following manner.
상기 실시예 장치에 있어서, 상측 하우징(11B)에 히터를 매설하고, 점착 테이프 T를 상하로부터 가열하도록 구성해도 된다.In the above-described embodiment, a heater may be embedded in the
1: 반송 기구
5: 제1 보유 지지 테이블
6: 프레임 공급부
7: 반전 유닛
8: 제2 보유 지지 테이블
9: 푸셔
10: 제1 부착 유닛
11: 챔버
11A: 하측 하우징
11B: 상측 하우징
81: 테이프 부착 기구
82: 테이프 절단 기구
102: 제어부
W: 반도체 웨이퍼
f: 링 프레임
T: 점착 테이프
PT: 보호 테이프1:
5: first holding table
6:
7: Reverse unit
8: second holding table
9: Pusher
10: first attachment unit
11: chamber
11A: Lower housing
11B: upper housing
81: tape attaching mechanism
82: tape cutting mechanism
102:
W: Semiconductor wafer
f: ring frame
T: Adhesive tape
PT: Protective tape
Claims (4)
상기 반도체 웨이퍼는, 이면 외주에 환상 볼록부를 갖고,
상기 링 프레임에 부착된 점착 테이프와 반도체 웨이퍼의 이면을 근접 대향시킨 상태에서, 한 쌍의 하우징 한쪽에 구비된 보유 지지 테이블로 그 반도체 웨이퍼를 보유 지지함과 함께, 점착 테이프를 양쪽 하우징에 의해 물어서 챔버를 형성하는 과정과,
상기 점착 테이프에 의해 구획된 하우징 내의 2개의 공간에 차압을 발생시킴과 함께, 그 점착 테이프를 가열하면서 요입 만곡시켜서 반도체 웨이퍼의 이면에 부착하는 제1 부착 과정과,
상기 챔버에서의 차압 및 가열을 해소시킨 후에, 점착 테이프를 재가열하면서 점착 테이프를 부착하는 제2 부착 과정
을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 마운트 방법.A semiconductor wafer mounting method for mounting a semiconductor wafer on a ring frame via a supporting adhesive tape,
Wherein the semiconductor wafer has an annular convex portion on the outer periphery of the back surface,
The semiconductor wafer is held by a holding table provided on one of the pair of housings in a state in which the back surface of the semiconductor wafer and the adhesive tape adhered to the ring frame are opposed to each other, Forming a chamber,
A first attaching step of generating a differential pressure in two spaces in the housing defined by the adhesive tape and attaching the adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer while heating and curving the adhesive tape while heating;
A second adhering step of adhering the adhesive tape while reheating the adhesive tape after dissolving the differential pressure and the heating in the chamber;
And mounting the semiconductor wafer on the semiconductor wafer.
상기 제1 부착 과정의 챔버로부터 반출하여 다른 보유 지지 테이블에 반도체 웨이퍼를 반송하면서 점착 테이프를 실온의 대기에 노출시킨 후에, 그 보유 지지 테이블 상에서 반도체 웨이퍼를 가열하면서 점착 테이프를 부착하는 제2 부착 과정을 행하는
것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 마운트 방법.The method according to claim 1,
A second attaching step of attaching the adhesive tape while heating the semiconductor wafer on the holding table after exposing the adhesive tape to the room temperature while transporting the semiconductor wafer from the chamber of the first attaching step to the other holding table, Do
Wherein the semiconductor wafer is mounted on the semiconductor wafer.
이면 외주에 환상 볼록부를 갖는 상기 반도체 웨이퍼를 보유 지지하는 제1 보유 지지 테이블과,
상기 점착 테이프가 부착된 링 프레임을 보유 지지하는 프레임 보유 지지부와,
상기 제1 보유 지지 테이블을 수납함과 함께, 링 프레임에 부착된 점착 테이프를 무는 한 쌍의 하우징을 포함하는 챔버와,
상기 챔버 내의 점착 테이프를 가열하는 제1 가열기와,
상기 점착 테이프에 의해 구획된 챔버 내의 2개의 공간에 차압을 발생시켜서, 가열되어 있는 점착 테이프를 요입 만곡시키면서 반도체 웨이퍼의 이면에 부착시키는 제어부를 포함하는 제1 부착 기구와,
상기 제1 부착 기구로 점착 테이프에 반도체 웨이퍼를 부착하여 이루어지는 마운트 프레임을 보유 지지하는 제2 보유 지지 테이블과,
상기 제2 보유 지지 테이블 상에서 점착 테이프를 재가열하는 제2 가열기와,
상기 제1 부착 기구로부터 제2 보유 지지 테이블로 상기 마운트 프레임을 반송하는 반송 기구
를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 마운트 장치.A semiconductor wafer mounting apparatus for mounting a semiconductor wafer on a ring frame via a supporting adhesive tape,
A first holding table for holding the semiconductor wafer having an annular convex portion on its outer periphery,
A frame holding portion for holding the ring frame to which the adhesive tape is attached,
A chamber for housing the first holding table and including a pair of housings for holding an adhesive tape attached to the ring frame;
A first heater for heating the adhesive tape in the chamber,
A first attaching mechanism including a control section for generating a differential pressure in two spaces in a chamber defined by the adhesive tape and attaching the heated adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer while bending the adhesive tape;
A second holding table for holding a mount frame formed by attaching a semiconductor wafer to an adhesive tape with the first attaching mechanism,
A second heater for reheating the adhesive tape on the second holding table,
And a transport mechanism for transporting the mount frame from the first attachment mechanism to the second holding table
And a mounting section for mounting the semiconductor wafer.
상기 제1 부착 기구는, 링 프레임을 피복하는 크기의 점착 테이프를 공급하는 테이프 공급부와,
상기 링 프레임과 하우징의 한쪽 접합부에 점착 테이프를 부착하는 테이프 부착 기구와,
상기 링 프레임 상에서 점착 테이프를 절단하는 절단 기구와,
원형으로 오려내진 점착 테이프를 박리하는 박리 기구와,
박리 후의 상기 점착 테이프를 회수하는 테이프 회수부
를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 마운트 장치.The method of claim 3,
The first attachment mechanism includes a tape supply part for supplying an adhesive tape of a size covering the ring frame,
A tape attaching mechanism for attaching an adhesive tape to one of the joining portions of the ring frame and the housing,
A cutting mechanism for cutting the adhesive tape on the ring frame,
A peeling mechanism for peeling off the circularly cut adhesive tape,
A tape recovering part for recovering the adhesive tape after peeling,
And a mounting section for mounting the semiconductor wafer.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220129510A (en) * | 2019-12-10 | 2022-09-23 | 정라파엘 | Tape mounting apparatus |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6813367B2 (en) * | 2017-01-13 | 2021-01-13 | 株式会社ディスコ | Frame unit transport system |
CN116435236A (en) * | 2017-08-28 | 2023-07-14 | 琳得科株式会社 | Substrate processing system and substrate processing method |
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JP2021027070A (en) | 2019-07-31 | 2021-02-22 | 日東電工株式会社 | Sheet material pasting method and sheet material pasting device |
JP7451028B2 (en) | 2019-12-27 | 2024-03-18 | 株式会社ディスコ | How to place the protective sheet |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013232582A (en) | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Nitto Denko Corp | Method of applying adhesive tape and adhesive tape applying apparatus |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4841355B2 (en) * | 2006-08-08 | 2011-12-21 | 日東電工株式会社 | Method for holding semiconductor wafer |
JP5055509B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-10-24 | 株式会社タカトリ | Device for attaching adhesive sheets to substrates |
JP5417131B2 (en) * | 2009-11-20 | 2014-02-12 | 日東電工株式会社 | Adhesive tape attaching apparatus and adhesive tape attaching method |
JP5542582B2 (en) * | 2010-08-26 | 2014-07-09 | リンテック株式会社 | Sheet sticking device and sticking method |
JP6059921B2 (en) * | 2012-08-31 | 2017-01-11 | 日東電工株式会社 | Adhesive tape application method and adhesive tape application device |
JP5589045B2 (en) * | 2012-10-23 | 2014-09-10 | 日東電工株式会社 | Semiconductor wafer mounting method and semiconductor wafer mounting apparatus |
JP5992803B2 (en) | 2012-11-07 | 2016-09-14 | リンテック株式会社 | Sheet sticking device and sticking method |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013232582A (en) | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Nitto Denko Corp | Method of applying adhesive tape and adhesive tape applying apparatus |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220129510A (en) * | 2019-12-10 | 2022-09-23 | 정라파엘 | Tape mounting apparatus |
Also Published As
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Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |