KR20160071160A - Semiconductor device - Google Patents

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KR20160071160A
KR20160071160A KR1020140178536A KR20140178536A KR20160071160A KR 20160071160 A KR20160071160 A KR 20160071160A KR 1020140178536 A KR1020140178536 A KR 1020140178536A KR 20140178536 A KR20140178536 A KR 20140178536A KR 20160071160 A KR20160071160 A KR 20160071160A
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백승근
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Abstract

The present invention relates to a semiconductor device, which can check whether or not a probe is correctly connected to a pad prepared on a chip through a sensing pad in performing a wafer test. The semiconductor device includes: the sensing pad applied with a voltage for testing the contact with the probe in a touch down test; and a pad change control unit detecting a level of the voltage applied from the sensing pad to perform the touch down test, and connecting the sensing pad to an input and output circuit in response to a reset signal after the touch down test to be used as a normal pad.

Description

반도체 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor device,

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 웨이퍼 테스트의 수행시 칩에 구비되어 있는 패드에 프로브가 정확하게 연결되어 있는지를 센싱 패드를 통해 확인할 수 있도록 하는 기술이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor device, and is a technique for confirming whether a probe is accurately connected to a pad provided on a chip through a sensing pad during a wafer test.

경량화, 소형화 및/또는 낮은 코스트(cost) 등의 장점으로 인하여, 반도체 장치는 전자기기, 자동차 및/또는 선박 등의 다양한 산업 분야에서 활용되고 있다. 반도체 장치의 신뢰성 및 집적도는 반도체 장치가 포함된 전자 제품의 성능을 결정하는 중요한 요소이다. Due to advantages such as weight reduction, miniaturization and / or low cost, semiconductor devices are being utilized in various industrial fields such as electronic devices, automobiles and / or ships. The reliability and integration of a semiconductor device are important factors that determine the performance of an electronic device containing the semiconductor device.

전자 산업이 고도 발전함에 따라, 반도체 장치의 집적도 및 신뢰성에 대한 요구가 증가되고 있다. 이에 따라, 고신뢰성을 갖는 반도체 장치 및 그 검사 방법에 대한 연구들이 진행중이다As the electronics industry develops, there is a growing demand for the integration and reliability of semiconductor devices. Accordingly, researches on semiconductor devices having high reliability and inspection methods thereof are underway

반도체 메모리 장치의 테스트 공정은 반도체 메모리 장치의 패드들에 전기적 신호를 인가한 후 출력되는 데이터가 정상적인지를 확인함으로써 이루어진다.The testing process of the semiconductor memory device is performed by checking whether the output data is normal after applying an electrical signal to the pads of the semiconductor memory device.

패드들에 전기적 신호를 인가하고 출력 데이터를 전기적 신호로 출력하기 위해서는 각각의 패드에 프로브가 접촉되어야 한다. 웨이퍼 테스트의 수행 과정 중 칩에 구비되어 있는 패드에 프로브가 정확하게 연결되어 있는지 확인하는 것을 필수적이다. In order to apply an electrical signal to the pads and to output the output data as an electrical signal, the probe must be in contact with each pad. During the wafer test, it is essential to verify that the probes are correctly connected to the pads on the chip.

그러나, 최근 반도체 메모리 장치들이 고 용량을 가짐에 따라 전기적 신호를 입출력하는 패드들은 매우 증가하고 있다. 또한, 테스트 시간을 단축하기 위해 프로브들을 동시에 다수의 패드 들과 접촉시켜 테스트를 수행한다. However, as the semiconductor memory devices have a high capacity in recent years, pads for inputting and outputting electric signals are greatly increasing. Also, in order to shorten the test time, the probes are simultaneously tested with a plurality of pads.

즉, 각각의 프로브가 동시에 접촉해야 할 패드들이 증가함에 따라 각각의 패드에 각각의 프로브가 정확한 위치에 접촉하기 어렵다. 더욱이, 테스트 공정은 1회 진행되는 것이 아니라 수회 진행되므로 각각의 패드에 각각의 프로브가 반복적으로 정확한 위치에 접촉하기는 더욱 어렵다. That is, as the number of pads to which the probes are to be in contact at the same time increases, it is difficult for each of the probes to contact the respective probes at the correct positions. Moreover, since the test process is not performed once but is repeated several times, it is more difficult for each probe to repeatedly contact the correct position on each pad.

만일, 프로브가 정확한 위치에 접촉되지 못하고 패드의 에지(edge) 부위에 접촉하게 되면 심각한 품질 불량을 유발하게 된다. 이에 따라, 패드의 정확한 위치에 프로브를 접촉(Touch-down) 시키기 위하여 센싱 패드(sensing pad)를 사용하는 방법이 있다.If the probe comes into contact with the edge of the pad without touching the correct position, a serious quality defect is caused. Accordingly, there is a method of using a sensing pad to touch-down the probe at an accurate position of the pad.

그런데, 센싱 패드는 테스트 이전 단계에서 프로브의 접촉 여부만을 판별하기 위해 사용되며, 그 이후 칩의 동작에 아무런 역할을 하지 못한다. 이에 따라, 센싱 패드를 사용하는 경우 프로브 센싱 용도로만 사용되는 추가적인 패드를 구비해야 하므로 넷 다이 사이즈(Net die size)를 증가시키는 요인이 된다. However, the sensing pad is used only to determine whether or not the probe is in contact with the probe in the pre-test stage, and does not play a role in the operation of the chip thereafter. Accordingly, when a sensing pad is used, it is necessary to provide an additional pad which is used only for probe sensing, which is a cause of increasing the net die size.

본 발명의 실시예는 웨이퍼 테스트용 센싱 패드를 노말 패드로 전환하여 사용함으로써 웨이퍼 테스트 신뢰성을 증가시키고 다이 사이즈를 감소시킬 수 있도록 하는데 그 특징이 있다. The embodiment of the present invention is characterized in that it is possible to increase wafer test reliability and reduce die size by using a sensing pad for wafer testing as a normal pad.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는, 터치 다운 테스트시 프로브와의 접촉 여부를 테스트하기 위한 전압이 인가되는 센싱 패드 및 센싱 패드로부터 인가되는 전압 레벨을 검출하여 터치 다운 테스트를 수행하고, 터치 다운 테스트 이후에 리셋신호에 대응하여 센싱 패드를 입출력회로와 연결하여 노말 패드로 사용하는 패드 전환 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. A semiconductor device according to an embodiment of the present invention performs a touchdown test by detecting a voltage level applied from a sensing pad and a sensing pad to which a voltage for testing contact with a probe is applied in a touchdown test, And a pad switching control unit for connecting the sensing pad to the input / output circuit corresponding to the reset signal after the test and using the sensing pad as a normal pad.

본 발명의 실시예는 웨이퍼 테스트용 센싱 패드를 노말 패드로 전환하여 사용함으로써 패드의 수를 줄일 수 있고 웨이퍼 테스트 신뢰성을 증가시키며 다이 사이즈를 감소시킬 수 있도록 하는 효과를 제공한다. Embodiments of the present invention provide the effect of reducing the number of pads, increasing wafer test reliability, and reducing die size by using a sensing pad for wafer testing as a normal pad.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 구성도.
도 2는 도 1의 반도체 장치에서 패스 동작시 각 신호의 파형도.
도 3은 도 1의 반도체 장치에서 패일 동작시 각 신호의 파형도. 1 is a configuration diagram of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention;
2 is a waveform diagram of each signal in a pass operation in the semiconductor device of FIG.
3 is a waveform diagram of each signal in a fail operation in the semiconductor device of FIG.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate a person skilled in the art to easily carry out the technical idea of the present invention.

본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지와 무관한 공지의 구성은 생략될 수 있다. 각 도면의 구성요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 참조 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.In describing the present invention, known configurations irrespective of the gist of the present invention may be omitted. It should be noted that, in the case of adding the reference numerals to the constituent elements of each drawing, the same constituent elements have the same reference numerals as much as possible even if they are displayed on different drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 구성도이다. 1 is a configuration diagram of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예는 센싱 패드(10), 패드 전환 제어부(100)를 포함한다. 여기서, 패드 전환 제어부(100)는 스위칭 제어부(110), 스위칭부(120), 노말 패드(130), 입출력회로(140), 리셋 제어부(150) 및 전원공급부(160)를 포함한다. An embodiment of the present invention includes a sensing pad (10) and a pad switching control section (100). The pad switching control unit 100 includes a switching control unit 110, a switching unit 120, a normal pad 130, an input / output circuit 140, a reset control unit 150, and a power supply unit 160.

먼저, 센싱 패드(10)는 웨이퍼의 터치 다운(Touch down) 테스트시 패드의 정확한 위치에 프로브를 접촉(Touch-down) 시키기 위하여 사용된다. First, the sensing pad 10 is used to touch-down the probe to the correct position of the pad in a touch down test of the wafer.

본 발명의 실시예에서는 프로브가 센싱 패드(10)에 접촉(Touch down) 되는지의 여부를 판별한 이후에, 센싱 패드(10)가 입출력 회로(130)와 연결되어 노말 패드로 사용된다.The sensing pad 10 is connected to the input / output circuit 130 and is used as a normal pad after determining whether the probe is touch down to the sensing pad 10 in the embodiment of the present invention.

웨이퍼 테스트는 웨이퍼 상태에서 테스트를 하기 때문에 다이에 있는 센싱패드(10)를 직접 접촉할 수 있어야 한다. 이렇게 웨이퍼 위의 센싱패드(10)를 직접 접촉하는 기구를 프로브(탐침) 이라고 하고, 가장 널리 사용되고 있는 탐침은 가늘고 긴 바늘 모양의 핀 여러 개를 센싱패드(10) 들의 간격에 맞도록 고정하여 사용한다.The wafer test must be able to directly contact the sensing pad 10 on the die because it is being tested in the wafer state. In this way, a mechanism for directly contacting the sensing pad 10 on the wafer is referred to as a probe, and the most widely used probe is fixed by fixing several elongated needle-like pins to fit the spacing of the sensing pads 10 do.

즉, 프로브 카드의 복수 개의 탐침들을 반도체 장치의 복수의 센싱패드(10)에 동시에 접촉시킴으로써, 필요한 테스트 신호의 입력 및 출력 신호의 검출을 행한다. 그리고, 이 출력 신호의 관측 결과에 기초하여, 반도체 장치의 동작이 불량인지의 여부를 판정한다.That is, a plurality of probes of the probe card are simultaneously brought into contact with the plurality of sensing pads 10 of the semiconductor device to detect the input and output signals of the necessary test signals. Then, based on the observation result of the output signal, it is determined whether or not the operation of the semiconductor device is defective.

그리고, 스위칭 제어부(110)는 리셋신호 RESET와 제어신호 CON에 대응하여 스위칭 제어신호 SWCON를 스위칭부(120)에 출력한다. 그리고, 스위칭부(120)는 스위칭 제어신호 SWCON에 따라 터치 다운 테스트 동작시에는 센싱패드(10)와 노말 패드(130)를 연결하고, 터치 다운 테스트 동작 이후에는 센싱패드(10)와 입출력회로(140)를 연결한다. The switching control unit 110 outputs the switching control signal SWCON to the switching unit 120 in response to the reset signal RESET and the control signal CON. The switching unit 120 connects the sensing pad 10 and the normal pad 130 in the touchdown test operation according to the switching control signal SWCON and connects the sensing pad 10 and the input / output circuit 140).

노말 패드(130)는 터치 다운 테스트 동작시 스위칭부(120)의 스위칭 동작에 대응하여 센싱패드(10)로부터 특정 전위를 갖는 센싱 전압을 인가받는다. 그리고, 노말 패드(130)는 터치 다운 테스트 동작 이후에는 스위칭부(120)의 스위칭 동작에 대응하여 센싱패드(10)와의 연결 경로가 차단된다. The normal pad 130 receives a sensing voltage having a specific potential from the sensing pad 10 corresponding to the switching operation of the switching unit 120 during the touchdown test operation. After the touchdown test operation, the normal pad 130 is disconnected from the sensing pad 10 in response to the switching operation of the switching unit 120.

또한, 입출력회로(140)는 터치 다운 테스트 동작시 센싱 패드(10)와의 연결 경로가 차단된다. 그리고, 입출력회로(140)는 터치 다운 테스트 동작 이후에 스위칭부(120)의 스위칭 동작에 대응하여 센싱 패드(10)와 연결된다. 이에 따라, 입출력회로(140)는 터치 다운 이후의 노말 테스트 동작시 센싱 패드(10)를 이용하여 신호를 입출력한다. Also, the input / output circuit 140 is disconnected from the connection path to the sensing pad 10 during the touchdown test operation. The input / output circuit 140 is connected to the sensing pad 10 in response to the switching operation of the switching unit 120 after the touchdown test operation. Accordingly, the input / output circuit 140 inputs and outputs the signal using the sensing pad 10 during the normal test operation after the touchdown.

또한, 리셋 제어부(150)는 노말 패드(130)의 출력과 리셋신호 RESET에 대응하여 전원공급부(160)의 동작 상태를 제어하기 위한 제어신호 CON를 출력한다. 이러한 리셋 제어부(150)는 앤드게이트 AND와, 낸드게이트 ND와, 인버터 IV1, IV2를 포함한다. The reset control unit 150 outputs a control signal CON for controlling the operation state of the power supply unit 160 in response to the output of the normal pad 130 and the reset signal RESET. The reset controller 150 includes an AND gate AND, a NAND gate ND, and inverters IV1 and IV2.

여기서, 앤드게이트 AND는 노말패드(130)의 출력과 노드 NODE1의 출력을 앤드연산한다. 그리고, 낸드게이트 ND는 앤드게이트 AND의 출력과 리셋신호 RESET를 낸드연산하여 노드 NODE1에 출력한다. Here, AND gate AND counts the output of the normal pad 130 and the output of the node NODE1. The NAND gate ND performs the NAND operation on the output of the AND gate AND and the reset signal RESET and outputs it to the node NODE1.

또한, 인버터 IV1는 앤드게이트 AND의 출력을 반전 구동하여 노드 NODE2에 출력한다. 그리고, 인버터 IV2는 노드 NODE2의 출력을 반전 구동하여 제어신호 CON를 전원공급부(160)에 출력한다. The inverter IV1 inverts the output of the AND gate AND and outputs it to the node NODE2. The inverter IV2 inverts the output of the node NODE2 and outputs the control signal CON to the power supply unit 160. [

또한, 전원공급부(160)는 제어신호 CON에 대응하여 전원전압 VDD을 스위칭부(120), 센싱패드(10)에 선택적으로 공급한다. The power supply unit 160 selectively supplies the power supply voltage VDD to the switching unit 120 and the sensing pad 10 in response to the control signal CON.

이러한 전원공급부(160)는 다이오드 형태의 PMOS 트랜지스터 P1를 포함한다. PMOS 트랜지스터 P1는 전원전압 VDD 인가단과 센싱 패드(10), 스위칭부(120)의 사이에 연결되어 게이트 단자를 통해 제어신호 CON가 인가된다. 이에 따라, PMOS 트랜지스터 P1는 제어신호 CON가 로우 레벨인 경우 턴 온 되고, 제어신호 CON가 하이 레벨인 경우 턴 오프 된다. The power supply unit 160 includes a PMOS transistor P1 in the form of a diode. The PMOS transistor P1 is connected between the power supply voltage VDD application terminal and the sensing pad 10 and the switching unit 120, and the control signal CON is applied through the gate terminal. Accordingly, the PMOS transistor P1 is turned on when the control signal CON is at the low level and turned off when the control signal CON is at the high level.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 동작 과정을 도 2 및 도 3의 신호 파형도를 참조하여 설명하면 다음과 같다. The operation of the present invention having such a configuration will be described with reference to the signal waveform diagrams of FIGS. 2 and 3. FIG.

도 2는 도 1의 반도체 장치에서 패스 동작시 각 신호의 파형도이다. 2 is a waveform diagram of each signal in a pass operation in the semiconductor device of FIG.

먼저, 터치 다운 테스트 이전의 동작에서는 리셋신호 RESET가 로우 레벨이다. 그리고, 노드 NODE1가 하이 레벨이고, 노말 패드(120)와 노드 NODE2가 로우 레벨을 유지하게 된다. First, in the operation before the touchdown test, the reset signal RESET is at a low level. Then, the node NODE1 is at the high level, and the normal pad 120 and the node NODE2 are maintained at the low level.

이후에, 리셋신호 RESET 하이 레벨로 천이하게 된다. 리셋신호 RESET가 하이 레벨인 구간에서는 터치 다운 테스트 동작이 수행되어 프로브 접촉 상태의 이상 유무를 확인하게 된다. Thereafter, the reset signal RESET transits to the high level. In the interval where the reset signal RESET is at the high level, the touchdown test operation is performed to check whether or not the probe contact state is abnormal.

그리고, 센싱패드(10)에는 로우 레벨의 전압이 인가되고 스위칭부(120)를 통해 노말패드(120)에 로우 레벨의 신호가 입력된다. 이후에, 스위칭부(120)는 스위칭 제어신호 SWCON에 의해 센싱 패드(10)와 노말 패드(130)를 연결한다. A low level voltage is applied to the sensing pad 10 and a low level signal is input to the normal pad 120 through the switching unit 120. Thereafter, the switching unit 120 connects the sensing pad 10 and the normal pad 130 by the switching control signal SWCON.

이때, 스위칭 제어부(110)는 리셋신호 RESET가 하이 레벨이고 제어신호 CON가 로우 레벨인 경우 스위칭 제어신호 SWCON를 제 1레벨(예를 들면, 로우 레벨)로 출력하게 되다. 스위칭 제어신호 SWCON가 제 1레벨인 경우 스위칭부(120)는 센싱 패드(10)와 노말 패드(130)를 연결한다.At this time, the switching controller 110 outputs the switching control signal SWCON at a first level (e.g., a low level) when the reset signal RESET is at a high level and the control signal CON is at a low level. When the switching control signal SWCON is at the first level, the switching unit 120 connects the sensing pad 10 and the normal pad 130.

그러면, 노드 NODE1가 로우 레벨로 천이하고, 노드 NODE2가 하이 레벨로 천이하게 된다. 그리고, 전원공급부(160)는 턴 온 상태가 되어 전원전압 VDD가 센싱패드(10)를 통해 방전되어 접지전압 VSS 레벨로 천이하게 된다. Then, the node NODE1 transits to the low level, and the node NODE2 transits to the high level. Then, the power supply unit 160 is turned on, and the power supply voltage VDD is discharged through the sensing pad 10 to transition to the ground voltage VSS level.

즉, 터치 다운 테스트시 센싱 패드(10)를 통해 접지전압을 인가하고 전원공급부(160)를 통해 반대전압(전원전압)을 인가하여 프로브가 센싱 패드(10)에 정상적으로 접촉되어 있는지의 여부를 판별한다. That is, in the touchdown test, a ground voltage is applied through the sensing pad 10 and a reverse voltage (power supply voltage) is applied through the power supply 160 to determine whether the probe is normally in contact with the sensing pad 10 do.

이에 따라, 프로브가 센싱 패드(10)와 정확히 접촉(Touch down) 되는 경우 노말 패드(120)가 로우 레벨 상태를 유지하게 된다. 즉, 프로브를 통해 센싱패드(10)에 접지전압 VSS 레벨을 인가하는 경우 노말 패드(130)가 이 접지전압 VSS 레벨을 그대로 감지하게 된다. Accordingly, when the probe is brought into contact with the sensing pad 10 (touch down), the normal pad 120 maintains the low level state. That is, when the ground voltage VSS level is applied to the sensing pad 10 through the probe, the normal pad 130 senses the ground voltage VSS level as it is.

본 발명의 실시예에서는 터치 다운 테스트시 센싱패드(10)에 접지전압 VSS을 인가하는 것을 그 일 예로 설명하였다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 전원전압 VDD 레벨을 센싱패드(10)에 인가할 수도 있다.In the embodiment of the present invention, the ground voltage VSS is applied to the sensing pad 10 during the touchdown test. However, the present invention is not limited thereto, and the power supply voltage VDD level may be applied to the sensing pad 10.

이후에, 터치 다운 테스트 이후의 동작에서는 리셋신호 RESET가 로우 레벨로 다시 천이하게 된다. 그리고, 노드 NODE1가 하이 레벨로 천이하고, 노드 NODE2가 로우 레벨로 천이하게 된다. 이에 따라, 제어신호 CON가 하이 레벨로 천이하여 (A)와 같이 전원공급부(160)가 턴 오프 상태가 된다. Thereafter, in the operation after the touchdown test, the reset signal RESET transits to the low level again. Then, the node NODE1 transits to the high level, and the node NODE2 transits to the low level. As a result, the control signal CON transitions to the high level and the power supply unit 160 is turned off as shown in (A).

이때, 스위칭 제어부(110)는 리셋신호 RESET가 로우 레벨이고 제어신호 CON가 하이 레벨로 천이하는 경우 스위칭 제어신호 SWCON를 제 2레벨(예를 들면, 하이 레벨)로 출력하게 되다. 여기서, 스위칭 제어부(110)는 리셋신호 RESET가 로우 레벨로 천이하는 폴링 타이밍을 감지하여 스위칭 제어신호 SWCON를 제 2레벨로 출력한다. At this time, the switching controller 110 outputs the switching control signal SWCON at a second level (for example, a high level) when the reset signal RESET is at a low level and the control signal CON transits to a high level. Here, the switching controller 110 senses the polling timing at which the reset signal RESET transits to the low level and outputs the switching control signal SWCON to the second level.

다음에, 스위칭 제어신호 SWCON가 제 2레벨인 경우 스위칭부(120)는 센싱 패드(10)와 노말 패드(130)의 연결경로를 차단하고 센싱 패드(10)와 입출력회로(140)를 연결한다. When the switching control signal SWCON is at the second level, the switching unit 120 disconnects the connection path between the sensing pad 10 and the normal pad 130 and connects the sensing pad 10 and the input / output circuit 140 .

그리고, 리셋신호 RESET가 다시 로우 레벨로 천이하는 경우 전원공급부(160)를 턴 오프 시켜 센싱 패드(10)에 더 이상의 전원이 공급되지 않도록 한다. 그리고, 프로브를 통해 센싱패드(10)로 일반적인 칩 제어신호를 인가할 수 있다. 이에 따라, 센싱 패드(10)를 노말 패드용으로 사용하여 일반적인 신호를 입출력하게 된다. When the reset signal RESET transits to the low level again, the power supply unit 160 is turned off so that no further power is supplied to the sensing pad 10. Then, a general chip control signal can be applied to the sensing pad 10 through the probe. Accordingly, the sensing pad 10 is used as a normal pad for inputting and outputting a general signal.

도 3은 도 1의 반도체 장치에서 패일 동작시 각 신호의 파형도이다. 3 is a waveform diagram of each signal in a fail operation in the semiconductor device of FIG.

먼저, 터치 다운 테스트 이전의 동작에서는 리셋신호 RESET가 로우 레벨이다. 그리고, 노드 NODE1가 하이 레벨이고, 노말 패드(120)와 노드 NODE2가 로우 레벨을 유지하게 된다. First, in the operation before the touchdown test, the reset signal RESET is at a low level. Then, the node NODE1 is at the high level, and the normal pad 120 and the node NODE2 are maintained at the low level.

이때, 프로브가 센싱 패드(10)와 정확히 접촉(Touch down) 되지 않은 경우 센싱 패드(10)에 접지전압을 인가하여도 노말 패드(130)에 이 전압이 전달되지 않는다. 이에 따라, 전원공급부(160)에 의해 노말 패드(120)가 하이 레벨 상태를 유지하게 된다. At this time, even if a ground voltage is applied to the sensing pad 10, the voltage is not transmitted to the normal pad 130 when the probe is not in contact with the sensing pad 10. Accordingly, the power supply unit 160 maintains the normal pad 120 at a high level.

즉, 프로브를 통해 센싱패드(10)에 접지전압 VSS 레벨을 인가하여도 노말 패드(130)가 이 접지전압 VSS 레벨을 그대로 감지하지 못하고 노말 패드(130)를 통해 하이 전압 레벨이 감지된다. 이때, 터치 다운에 이상이 있는 경우 프로브의 위치를 수정하고 리셋신호 RESET를 다시 인가할 수 있다. That is, even if the ground voltage VSS level is applied to the sensing pad 10 through the probe, the normal pad 130 does not sense the ground voltage VSS level as it is, and the high voltage level is sensed through the normal pad 130. At this time, if the touchdown is abnormal, the position of the probe can be corrected and the reset signal RESET can be applied again.

이후에, 리셋신호 RESET 하이 레벨로 천이한다. 리셋신호 RESET가 하이 레벨인 구간에서는 터치 다운 테스트 동작을 수행하게 된다. Thereafter, the reset signal RESET transits to the high level. The touchdown test operation is performed in a period where the reset signal RESET is at the high level.

그리고, 센싱패드(10)에는 로우 레벨의 전압이 인가되지만 스위칭부(120)를 통해 노말패드(120)에 하이 레벨의 신호가 입력된다. 이후에, 스위칭부(120)는 스위칭 제어신호 SWCON에 의해 센싱 패드(10)와 노말 패드(130)를 연결한다. A low-level voltage is applied to the sensing pad 10, but a high-level signal is input to the normal pad 120 through the switching unit 120. Thereafter, the switching unit 120 connects the sensing pad 10 and the normal pad 130 by the switching control signal SWCON.

그러면, 노드 NODE1가 하이 레벨을 유지하게 되고, 노드 NODE2가 로우 레벨을 유지하게 된다. 그리고, 전원공급부(160)는 계속 턴 온 상태가 되어 노말 패드(120)에 하이 전압 레벨이 계속 인가된다. Then, the node NODE1 is kept at the high level, and the node NODE2 is kept at the low level. Then, the power supply unit 160 is continuously turned on, and the high voltage level is continuously applied to the normal pad 120.

이후에, 터치 다운 테스트 이후의 동작에서는 리셋신호 RESET가 로우 레벨로 다시 천이하게 된다. 하지만, 노드 NODE1, 노드 NODE2의 레벨이 변화되지 않고 제어신호 CON의 레벨이 변하지 않게 되어 전원공급부(160)가 계속 턴 온 상태가 된다. 이에 따라, 터치 다운 테스트의 패일시에는 센싱 패드(10)를 노말 패드용으로 사용하지 못하게 된다. Thereafter, in the operation after the touchdown test, the reset signal RESET transits to the low level again. However, the levels of the nodes NODE1 and NODE2 are not changed, the level of the control signal CON is not changed, and the power supply unit 160 is continuously turned on. As a result, the sensing pad 10 can not be used for a normal pad at the time of the touchdown test.

본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 알 수 있을 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible in light of the above teachings.

Claims (20)

터치 다운 테스트시 프로브와의 접촉 여부를 테스트하기 위한 전압이 인가되는 센싱 패드; 및
상기 센싱 패드로부터 인가되는 전압 레벨을 검출하여 상기 터치 다운 테스트를 수행하고, 상기 터치 다운 테스트 이후에 리셋신호에 대응하여 상기 센싱 패드를 입출력회로와 연결하여 노말 패드로 사용하는 패드 전환 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. A sensing pad to which a voltage for testing contact with the probe is applied during a touchdown test; And
And a pad switching controller for performing the touchdown test by detecting a voltage level applied from the sensing pad and connecting the sensing pad to the input / output circuit in response to a reset signal after the touchdown test, . 제 1항에 있어서, 상기 센싱 패드는
상기 터치 다운 테스트시 접지전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. The method of claim 1, wherein the sensing pad
Wherein a ground voltage is applied during the touchdown test. 제 2항에 있어서, 상기 패드 전환 제어부는
상기 터치 다운 테스트시 패스 상태인 경우 노말 패드를 통해 상기 접지전압이 검출되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 3. The apparatus of claim 2, wherein the pad switching control unit
And the ground voltage is detected through the normal pad when the touchdown test is in the pass state. 제 2항에 있어서, 상기 패드 전환 제어부는
상기 터치 다운 테스트시 패일 상태인 경우 노말 패드를 통해 전원전압이 검출되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.3. The apparatus of claim 2, wherein the pad switching control unit
And a power supply voltage is detected through the normal pad when the pad is in the touchdown test. 제 1항에 있어서, 상기 센싱 패드는
상기 터치 다운 테스트시 전원전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. The method of claim 1, wherein the sensing pad
Wherein a power supply voltage is applied during the touchdown test. 제 1항에 있어서, 상기 패드 전환 제어부는
상기 리셋신호와 제어신호에 대응하여 스위칭 제어신호를 출력하는 스위칭 제어부;
상기 스위칭 제어부에 의해 스위칭 동작이 제어되는 스위칭부;
상기 스위칭부에 의해 상기 센싱패드와 선택적으로 연결되는 패드;
상기 리셋신호와 상기 노말 패드의 출력에 대응하여 상기 제어신호를 출력하는 리셋 제어부; 및
상기 제어신호에 의해 선택적으로 턴 온 되어 상기 스위칭부에 전원전압을 공급하는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. The apparatus of claim 1, wherein the pad switching control unit
A switching controller for outputting a switching control signal in response to the reset signal and the control signal;
A switching unit for controlling the switching operation by the switching control unit;
A pad selectively connected to the sensing pad by the switching unit;
A reset control unit for outputting the control signal corresponding to the reset signal and the output of the normal pad; And
And a power supply unit that is selectively turned on by the control signal to supply a power supply voltage to the switching unit. 제 6항에 있어서, 상기 스위칭 제어부는
상기 리셋신호가 로우 레벨로 천이하는 폴링 시점을 검출하여 상기 스위칭 제어신호를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 7. The apparatus of claim 6, wherein the switching controller
And controls the switching control signal by detecting a polling time at which the reset signal transits to a low level. 제 6항에 있어서, 상기 스위칭 제어부는
상기 리셋신호가 하이 레벨이고 상기 제어신호가 로우 레벨인 경우 상기 스위칭 제어신호를 제 1레벨로 출력하고,
상기 리셋신호가 로우 레벨이고 상기 제어신호가 하이 레벨인 경우 상기 스위칭 제어신호를 제 2레벨로 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 7. The apparatus of claim 6, wherein the switching controller
And outputs the switching control signal to a first level when the reset signal is at a high level and the control signal is at a low level,
And outputs the switching control signal as a second level when the reset signal is at a low level and the control signal is at a high level. 제 6항에 있어서, 상기 스위칭부는
상기 터치 다운 테스트시 상기 센싱 패드와 상기 노말 패드를 연결하고, 상기 터치 다운 테스트 이후에 상기 센싱 패드와 상기 입출력회로를 연결하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 7. The apparatus of claim 6, wherein the switching unit
And connects the sensing pad and the normal pad in the touchdown test, and connects the sensing pad and the input / output circuit after the touchdown test. 제 6항에 있어서, 상기 노말 패드는
상기 터치 다운 테스트시 패스 상태에서는 로우 레벨을 유지하고, 패일 상태에서는 하이 레벨을 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. The apparatus of claim 6, wherein the normal pad
Wherein the touchdown test maintains a low level in a path state and a high level in a pass state in the touchdown test. 제 6항에 있어서, 상기 리셋 제어부는
상기 리셋신호가 하이 레벨인 구간에서 상기 터치 다운 테스트 동작이 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 7. The apparatus of claim 6, wherein the reset control unit
And the touchdown test operation is performed in an interval in which the reset signal is at a high level. 제 6항에 있어서, 상기 리셋 제어부는
상기 리셋신호가 하이 레벨인 경우 상기 제어신호를 로우 레벨로 출력하고, 상기 리셋신호가 로우 레벨인 경우 상기 제어신호를 하이 레벨로 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 7. The apparatus of claim 6, wherein the reset control unit
And outputs the control signal to a low level when the reset signal is at a high level and outputs the control signal to a high level when the reset signal is at a low level. 제 6항에 있어서, 상기 리셋 제어부는
상기 리셋신호가 제 1레벨인 경우 상기 제어신호를 제 1레벨로 출력하여 상기 전원구동부를 턴 온 시키도록 제어하고, 상기 리셋신호가 제 2레벨로 천이하는 경우 상기 제어신호를 제 2레벨로 출력하여 상기 전원구동부를 턴 오프 시키도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 7. The apparatus of claim 6, wherein the reset control unit
When the reset signal is at the first level, the control signal is output to the first level to turn on the power source driver, and when the reset signal transits to the second level, the control signal is output to the second level So as to turn off the power source driver. 제 13항에 있어서, 상기 리셋 제어부는 상기 터치 다운 테스트 이후에 상기 제어신호를 제 2레벨로 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 14. The semiconductor device according to claim 13, wherein the reset control unit outputs the control signal to the second level after the touchdown test. 제 6항에 있어서, 상기 리셋 제어부는
상기 노말 패드의 출력과 제 1출력신호를 앤드연산하는 앤드게이트;
상기 리셋신호와 상기 앤드게이트의 출력을 낸드연산하여 상기 제 1출력신호를 출력하는 낸드게이트;
상기 앤드게이트의 출력을 반전하는 제 1인버터; 및
상기 제 1인버터의 출력을 반전하여 상기 제어신호를 출력하는 제 2인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 7. The apparatus of claim 6, wherein the reset control unit
An AND gate for ANDing the output of the normal pad and the first output signal;
A NAND gate for NANDing the reset signal and the output of the AND gate and outputting the first output signal;
A first inverter for inverting the output of the AND gate; And
And a second inverter for inverting the output of the first inverter and outputting the control signal. 제 6항에 있어서, 상기 전원구동부는
상기 터치 다운 테스트시 턴 온 되어 상기 노말 패드에 전원전압을 공급하고, 상기 터치 다운 테스트 이후에 턴 오프 되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 7. The apparatus of claim 6, wherein the power driver
Wherein the power supply voltage is supplied to the normal pad during the touchdown test, and is turned off after the touchdown test. 제 6항에 있어서, 상기 전원구동부는
상기 리셋신호가 로우 레벨로 천이하는 폴링 시점에서 턴 오프 되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 7. The apparatus of claim 6, wherein the power driver
And the reset signal is turned off at a polling time at which the reset signal transits to a low level. 제 6항에 있어서, 상기 전원구동부는
상기 터치 다운 테스트시 결과가 패일인 경우 상기 리셋신호와 무관하게 턴 온 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 7. The apparatus of claim 6, wherein the power driver
And maintains a turn-on state regardless of the reset signal when the result of the touchdown test is a pile. 제 6항에 있어서, 상기 전원구동부는
상기 센싱 패드가 상기 노말 패드로 사용되는 경우 턴 오프 상태가 되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 7. The apparatus of claim 6, wherein the power driver
Wherein the sensing pad is turned off when the sensing pad is used as the normal pad. 제 6항에 있어서, 상기 전원구동부는
전원전압 인가단과 상기 스위칭부 사이에 연결되어 게이트 단자를 통해 상기 제어신호가 인가되는 PMOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 7. The apparatus of claim 6, wherein the power driver
And a PMOS transistor connected between the power supply voltage applying terminal and the switching unit and receiving the control signal through a gate terminal.
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