KR20160069067A - 발광소자 - Google Patents

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KR20160069067A
KR20160069067A KR1020140174217A KR20140174217A KR20160069067A KR 20160069067 A KR20160069067 A KR 20160069067A KR 1020140174217 A KR1020140174217 A KR 1020140174217A KR 20140174217 A KR20140174217 A KR 20140174217A KR 20160069067 A KR20160069067 A KR 20160069067A
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layer
light emitting
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electrode
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신찬섭
채종현
최규진
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서울바이오시스 주식회사
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Abstract

사파이어 기판을 통하여 광이 추출되는 형태의 발광소자에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 발광소자는 제1면과 제2면을 가지며, 제1면을 통하여 광이 외부로 추출되고, 제2면에 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 형태의 복수의 돌출부가 형성되어 있는 사파이어 기판; 상기 사파이어 기판의 제2면 상에 형성되는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 제1 도전형 반도체층이 노출되도록 형성된 메사 영역에 의해 서로 이격 형성되며, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 각각 포함하는 발광구조부; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되는 제2 전극; 상기 제2 전극 일부 및 상기 제1 도전형 반도체층 일부를 제외한, 상기 제2 전극이 형성된 상기 발광구조부 표면 및 상기 발광구조부 사이에 노출된 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되는 하부 절연층; 상기 하부 절연층 상에 형성되되, 상기 제1 도전형 반도체층에 접촉 형성되는 반사 도전층; 및 상기 반사 도전층의 일부와 상기 제2 전극의 일부를 제외한, 상기 반사 도전층 상에 형성되는 상부 절연층;을 포함하고, 상기 사파이어 기판의 상기 복수의 돌출부 각각의 폭을 d라 하고, 복수의 돌출부의 높이를 H라고 할 때, 0.3 < H/d < 0.6인 것을 특징으로 하는 발광소자.

Description

발광소자 {LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광소자 제조 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 사파이어 기판을 통하여 광이 추출되는 형태의 발광소자에 관한 것이다.
일반적인 발광소자는 사파이어 기판 상에, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 발광 구조체가 형성된 구조를 갖는다. 그리고, n형 반도체층과 p형 반도체층에 전기적으로 연결되는 n측 전극과 p측을 형성한다.
일반적으로, 발광소자는 사파이어 기판이 하부에 위치하고, n측 전극과 p측 전극이 와이어 본딩을 통하여 회로 기판에 연결되는 것이 일반적이다.
최근에는 와이어 본딩을 생략하고자, 사파이어 기판이 상부, 즉 광추출면에 위치하고, n측 전극과 p측 전극이 직접 회로 기판에 본딩되는 형태의 발광소자가 제안되어 있다. 이러한 형태의 발광소자의 경우, 사파이어 기판을 통하여 외부로 광이 추출된다. 따라서, 기판에서 광 투과율이 매우 중요하다.
본 발명의 목적은 기판을 통하여 광이 추출되는 형태의 발광소자에 있어서, 광 투과율이 우수한 발광소자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 발광소자는 제1면과 제2면을 가지며, 제1면을 통하여 광이 외부로 추출되고, 제2면에 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 형태의 복수의 돌출부가 형성되어 있는 사파이어 기판; 상기 사파이어 기판의 제2면 상에 형성되는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에, 제1 도전형 반도체층이 노출되도록 형성된 메사 영역에 의해 서로 이격 형성되며, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 각각 포함하는 발광구조부; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되는 제2 전극; 상기 제2 전극 일부 및 상기 제1 도전형 반도체층 일부를 제외한, 상기 제2 전극이 형성된 상기 발광구조부 표면 및 상기 발광구조부 사이에 노출된 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되는 하부 절연층; 상기 하부 절연층 상에 형성되되, 상기 제1 도전형 반도체층에 접촉 형성되는 반사 도전층; 및 상기 반사 도전층의 일부와 상기 제2 전극의 일부를 제외한, 상기 반사 도전층 상에 형성되는 상부 절연층;을 포함하고, 상기 사파이어 기판의 상기 복수의 돌출부 각각의 폭을 d라 하고, 복수의 돌출부의 높이를 H라고 할 때, 0.3 < H/d < 0.6인 것을 특징으로 한다.
이때, 2.9 ≤ d ≤ 3.3일 수 있다.
또한, 1.0 ≤ H ≤ 1.4일 수 있다.
또한, 인접한 2개의 돌출부 간 거리를 P라고 할 때, 2.8 ≤ P ≤ 3.6일 수 있다.
또한, 상기 사파이어 기판의 제1면에는 사파이어 기판보다 굴절률이 작은 수지(resin)로 수지층이 형성되어 있을 수 있다. 이 경우, 상기 수지층에는 형광체가 포함될 수 있다.
또한, 상기 메사 영역은 제1 도전형 반도체층이 스트라이프 형태로 노출되도록 제방(levee) 형태로 형성될 수 있다.
또한, 상기 스트라이프 형태로 노출되는 제1 도전형 반도체층 하부에, 상기 사파이어 기판의 복수의 돌출부 중 하나 이상의 돌출부 라인이 존재할 수 있다.
본 발명에 따른 발광소자의 경우, 사파이어 기판의 경우, 돌출부의 폭, 높이 및 주기 조절을 통하여, 우수한 광 투과율을 발휘할 수 있으며, 그 결과, 우수한 광 추출 효율을 갖는 발광소자를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 도 1의 A-A 단면을 나타낸 것이다.
도 3은 메사 식각 및 제2 전극이 형성된 상태를 나타낸 것이다.
도 4는 도 1에 도시된 발광소자에 이용되는 사파이어 기판을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 5은 실험에 이용된 발광소자 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 6 내지 도 10은 도 5에 도시된 발광소자에 대한 광추출 효율 측정 결과를 나타낸 것으로, 보다 상세하게는 사파이어 기판에 형성된 돌출부의 높이(H), 폭(d) 및 주기(P)에 따른 광추출 효율 측정 결과를 나타낸 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광소자에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이고, 도 2는 도 1의 A-A 단면을 나타낸 것이다.
본 발명에 따른 발광소자는 사파이어 기판의 제1면(도 1에서 하부면)을 통하여 광이 외부로 추출된다. 또한, 본 발명에 따른 발광소자는 사파이어 기판의 제2면(도 1에서 상부면) 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 형성된다.
본 발명에 이용되는 사파이어 기판(101)에 대하여는 도 4에서 설명하기로 한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 발광소자는 사파이어 기판(101)의 제2면 상에 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(113) 및 제2 도전형 반도체층(114)이 형성된다. 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(114) 중 하나는 n형 반도체층이고, 다른 하나는 p형 반도체층이다.
그리고, 제1 도전형 반도체층(112)이 노출되도록 활성층(113)과 제2 도전형 반도체층(114)이 식각되어 복수의 메사 영역이 형성된다.
도 2 및 도 3에 도시된 예와 같이, 복수의 메사 영역은 제1 도전형 반도체층(112)이 스트라이프 형태로 노출되도록 제방(levee) 형태로 형성될 수 있다. 이때, 도 2에 도시된 예와 같이, 스트라이프 형태로 노출되는 제1 도전형 반도체층(112) 하부에, 사파이어 기판(101)의 복수의 돌출부 중 일부가 존재할 수 있으며, 구체적으로는 하나 또는 2이상의 돌출부 라인이 될 수 있다.
또한, 식각 후 잔류하는 활성층(113) 및 제2 도전형 반도체층(114)은 상부로 향할수록 폭이 좁아지는 형태의 사다리꼴 단면을 가질 수 있다. 이하에서는 잔류하는 활성층(113) 및 제2 도전형 반도체층(114)을 발광 구조부(117)라 한다.
아울러, 도 2 및 도 3에 형성된 예와 같이, 제1 도전형 반도체층(112)의 가장자리를 식각할 수 있으며, 이에 따라 기판(101)의 제2면의 일부가 외부로 노출될 수 있다. 이때, 도 2에 도시된 예와 같이, 식각된 제1 도전형 반도체층(112)의 측면 역시 발광 구조부(117)와 마찬가지로 경사진 형태로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(114) 상에는 투명 도전층(115)이 형성된다. 투명 전극층(115)은 ITO(Indium Tin Oxide), ZITO (Zinc Indium Tin Oxide), ZIO (Zinc Indium Oxide), ZTO (Zinc Tin Oxide), GITO (Gallium Indium Tin Oxide), GIO (Gallium Indium Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), AZO(Aluminum doped Zinc Oxide), FTO (Fluorine Tin Oxide), ZnO, Ni/Au 등으로 형성될 수 있다.
전술한 메사 영역의 형성은 투명 도전층(115)까지 형성한 후에 실시될 수도 있다. 이 경우, 도 2와 같이 활성층(113), 제2 도전형 반도체층(114) 및 투명 도전층(115)의 측면이 동일면이 될 수 있다.
투명 도전층(115) 상에는, 투명 도전층(115)을 통하여 제2 도전형 반도체층(114)에 전기적으로 연결되는 제2 전극(120)이 형성된다. 본 발명에 따른 발광소자의 경우 사파이어 기판(101)을 통하여 광이 추출되는 점을 고려할 때, 제2 전극(120)은 반사체로서의 역할도 수행한다.
도 2에 도시된 예와 같이, 제2 전극(120)의 하면의 면적은 투명 전극층(115)의 상면의 면적보다 좁게 형성된다. 이에 따라, 제2 전극(120)은 가장자리와 투명 도전층(115)의 가장자리가 약간 이격된다.
제2 전극(120)은 투명 전극층(150) 상에 형성되는 반사 금속층(118)과, 반사 금속층(118)의 상부 및 측면을 커버하는 커버 금속층(119)을 포함할 수 있다. 커버 금속층(119)은 반사 금속층(118)의 용융에 의한 확산이나 오염되는 것을 방지하는 역할을 한다.
여기서, 반사 금속층(118)은 Ag, Al 등으로 형성되거나, Ni와 Ag, NiZn과 Ag, TiO와 Ag 적층 구조 등으로 형성될 수 있다. 커버 금속층(119)은 Ni, Cr, Ti, Pt, Rd, Ru, W, Mo, TiW 등으로 형성되거나, 이들 중 2종 이상의 적층 구조 등으로 형성될 수 있다.
제2 전극(120)이 형성된 발광 구조부(117) 표면 및 메사 영역의 제1 도전형 반도체층(112) 상부에는 하부 절연층(130)이 형성된다. 단, 후술하는 범프(136a, 136b)와의 전기적 연결을 위하여, 메사 영역의 제1 도전형 반도체층(112) 일부와 제2 전극(120)의 일부가 노출된다.
하부 절연층(130)은 SiO2, Si3N4, SiON 등으로 형성될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 발광소자의 경우 사파이어 기판(101)을 통하여 광이 추출되는 점을 고려할 때, 하부 절연층(130)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)로 형성될 수 있다.
하부 절연층(130) 상에는 반사 도전층(132)이 형성된다. 반사 도전층(132)은 Al, Ag 또는 Rh 등으로 형성될 수 있다.
아울러, 반사 도전층(132)은 노출된 제1 도전형 반도체층(112) 상에도 형성된다. 이를 통하여, 제1 도전형 반도체층(112)은 반사 도전층(132)을 통하여, 제1 범프(136a)와 전기적으로 연결된다.
반사 도전층(132) 상에는 상부 절연층(134)이 형성된다. 이때, 제1 범프(136a)와 반사 도전층(132) 간의 전기적 연결, 제2 범프(136b)와 제2전극(120) 간의 전기적 연결을 위하여, 반사 도전층(132) 일부 및 제2전극(120)의 일부가 노출된다.
상부 절연층(134) 상에는 범프(136a, 136b)가 형성된다. 범프는 발광소자를 서브마운트, 패키지 또는 PCB 기판 등 회로기판에 실장하기 위해 형성된다. 범프(136a, 136b)는 Al, Cu, Ag 또는 Au 등의 금속층과 Ti, Cr 또는 Ni 등의 접착층을 포함할 수 있다.
제1 범프(136a)는 반사 도전층(132)에 접촉하도록 형성되며, 반사 도전층(132)을 통하여 제1 도전형 반도체층(112)에 전기적으로 연결된다. 제2 범프(136b)는 제2 전극(120)에 접촉하도록 형성되며, 제2 전극(120)을 통하여 제2 도전형 반도체층(114)에 전기적으로 연결된다.
도 4는 도 1에 도시된 발광소자에 이용되는 사파이어 기판을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 4를 참조하면, 사파이어 기판(101)의 표면(제2면)에는 복수의 돌출부(105)가 형성되어 있다.
복수의 돌출부(105)는 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 형태로서, 피라미드 구조, 반구형 구조, 뿔 구조 등이 될 수 있다. 이러한 복수의 돌출부(105)는 질화물 반도체로 발광 구조체 형성시 전위 결함(dislocation)을 저감하는 역할을 한다.
한편, 도 1에 도시된 발광소자의 경우, 사파이어 기판(101)을 통하여 광이 외부로 추출되는 구조이므로, 사파이어 기판(101)에서 광 손실을 최대한 억제할 필요가 있다.
이때, 사파이어 기판의 상기 복수의 돌출부 각각의 폭을 d(단위 : ㎛)라 하고, 복수의 돌출부의 높이를 H(단위 : ㎛)라고 할 때, 0.3 < H/d < 0.6인 것이 바람직하다. 상기 돌출부 폭에 대한 높이의 비를 만족하는 경우, 결정 품질 향상과 더불어 광추출 효율을 최대한 높일 수 있다. 돌출부 폭(d)에 대하여 돌출부 높이(H)의 비가 0.3 미만일 경우, 광추출 효율이 다소 낮으며, 또한 질화물 반도체 성장시 전위 결함을 다량 형성함으로써 결정 품질을 저해할 수 있다. 반대로, 돌출부 폭(d)에 대하여 돌출부 높이(H)의 비가 0.6을 초과하는 경우, 광추출 효율이 급격히 저하될 수 있다.
한편, 복수의 돌출부 각각의 폭(d)은 2.9 ≤ d ≤ 3.3인 것이 보다 바람직하다. 도 6 내지 도 10에서 볼 수 있듯이, 상기 복수의 돌출부 각각의 폭(d)을 만족하는 경우, 전체적으로 높은 광추출 효율을 얻을 수 있었다.
또한, 복수의 돌출부 각각의 높이(H)는 1.0 ≤ H ≤ 1.4인 것이 보다 바람직하다. 마찬가지로, 도 6 내지 도 10에서 볼 수 있듯이, 상기 복수의 돌출부 각각의 높이(H)를 만족하는 경우, 전체적으로 높은 광추출 효율을 얻을 수 있었다.
인접한 2개의 돌출부 간 거리를 P(단위 : ㎛)라고 할 때, 2.8 ≤ P ≤ 3.6인 것이 바람직하다. 돌출부간 거리(P)가 2.8㎛ 미만으로 너무 작은 경우, 사파이어 기판의 제2면에서 돌출부가 형성되지 않은 평탄부의 면적이 너무 작은 관계로 질화물 반도체의 초기 성장이 어려워질 수 있다. 반대로, 돌출부간 거리(P)가 3.6㎛를 초과하여 너무 클 경우, 평탄부 면적이 커져 GaN과 사파이어의 큰 굴절률 차이로 인하여 내부 전반사가 커져 광 추출 효율이 감소한다.
한편, 도 5에서 볼 수 있는 바와 같이, 사파이어 기판(301)의 제1면에는 사파이어 기판보다 굴절률이 작은 수지(resin), 예를 들어 에폭시 수지 혹은 실리콘 수지로 수지층이 형성되어 있을 수 있다. 수지층(350)은 사파이어 기판(301)의 제1면 뿐만 아니라 측면에도 형성될 수 있다.
이러한 수지층(350)의 경우 굴절률이 사파이어와 공기 사이에 있으므로, 점진적을 굴절률 감소를 통하여 사파이어와 공기 계면의 경우보다 광 추출 효율을 보다 높일 수 있다.
이러한 수지층(350)에는 형광체가 포함되어, 수지층을 통하여 백색광이 출력될 수 있다.
실시예
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
도 5은 실험에 이용된 발광소자 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.
제2면에 돌출부가 형성된 사파이어 기판(301)의, 제2면 상에 n형 반도체층(310), 활성층(320), p형 반도체층(330) 및 Ag 반사층(340)을 형성하고, 사파이어 기판(301)의 제1면 및 측면에 에폭시 수지층(350)을 형성하였다.
각 발광소자의 경우, 사파이어 기판(301)의 돌출부 조건(폭, 높이, 주기)은 상이하며, 나머지 질화물 반도체층(310, 320, 330), 반사층(340), 수지층(350)의 경우 동일한 조건으로 형성되었다.
도 6 내지 도 10은 도 5에 도시된 발광소자에 대한 광추출 효율 측정 결과를 나타낸 것으로, 보다 상세하게는 사파이어 기판에 형성된 돌출부의 높이(H), 폭(d) 및 주기(P)에 따른 광추출 효율 측정 결과를 나타낸 것이다.
광추출 효율은 Maxwell 방정식을 적용한 FDTD(Finite Different Time Domain) 프로그램을 이용하여 전자기파 세기로 계산하였다.
광원은 MQW에서 생성되며 점 광원을 기준으로 하였으며, 점 광원에서 나오는 빛을 100%라 가정하였다.
도 6 내지 도 10을 참조하면, 돌출부 각각의 폭(d)에 대한 높이(H)의 비가 0.3 < H/d < 0.6을 만족하는 경우, 대략 74%에 근접한 광 추출 효율을 나타낼 수 있는 것을 볼 수 있다.
또한, 도 6 내지 도 10을 참조하면, 돌출부의 높이(H)가 1.0~1.4㎛에서 전체적으로 높은 광추출 효율을 나타내는 것을 볼 수 있다.
또한, 도 6 내지 도 10을 참조하면, 돌출부의 폭(d)가 2.9㎛ 이상인 경우, 돌출부 폭이 2.9㎛ 미만인 예들에 비하여, 상대적으로 높은 광추출 효율을 나타내는 것을 볼 수 있다.
또한, 도 6 내지 도 10을 참조하면, 돌출부 주기 2.8~3.6㎛ 전체에 대하여, 돌출부 주기(P)에 따른 광 추출 효율의 차이는 크게 나타나지 않은 것을 볼 수 있으며, 전반적으로는 주기가 작을수록 광 추출 효율이 약간 더 높은 것을 볼 수 있다. 이는 돌출부 주기가 작을수록 돌출부 밀도가 더 높으며, 이에 따라 질화물 반도체 결정 품질이 더 높았기 때문이라 볼 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
101, 301 : 사파이어 기판 105 : 돌출부
112, 310 : 제1 도전형 반도체층 113, 320 : 활성층
114, 330 : 제2 도전형 반도체층 115 : 투명 전극층
117 : 발광 구조부 118 : 반사 금속층
119 : 커버 금속층 120 : 제2 전극
130 : 하부 절연층 132 : 반사 도전층
134 : 상부 절연층 136a : 제1 범프
136b : 제2 범프 340 : 반사층
350 : 수지층 H : 돌출부 높이
P : 돌출부 주기 d : 돌출부 폭

Claims (8)

  1. 제1면과 제2면을 가지며, 제1면을 통하여 광이 외부로 추출되고, 제2면에 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 형태의 복수의 돌출부가 형성되어 있는 사파이어 기판;
    상기 사파이어 기판의 제2면 상에 형성되는 제1 도전형 반도체층;
    상기 제1 도전형 반도체층 상에, 제1 도전형 반도체층이 노출되도록 형성된 메사 영역에 의해 서로 이격 형성되며, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 각각 포함하는 발광구조부;
    상기 제 2도전형 반도체층 상에 형성되는 제2 전극;
    상기 제2 전극 일부 및 상기 제1 도전형 반도체층 일부를 제외한, 상기 제2 전극이 형성된 상기 발광구조부 표면 및 상기 발광구조부 사이에 노출된 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되는 하부 절연층;
    상기 하부 절연층 상에 형성되되, 상기 제1 도전형 반도체층에 접촉 형성되는 제1 전극; 및
    상기 제1 전극의 일부와 상기 제2 전극의 일부를 제외한, 상기 제1 전극 상에 형성되는 상부 절연층;을 포함하고,
    상기 사파이어 기판의 상기 복수의 돌출부 각각의 폭을 d라 하고, 복수의 돌출부의 높이를 H라고 할 때, 0.3 < H/d < 0.6인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    2.9 ≤ d ≤ 3.3인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    1.0 ≤ H ≤ 1.4인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    인접한 2개의 돌출부 간 거리를 P라고 할 때, 2.8 ≤ P ≤ 3.6인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 사파이어 기판의 제1면에는 사파이어 기판보다 굴절률이 작은 수지(resin)로 수지층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 수지층에는 형광체가 포함되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 메사 영역은 제1 도전형 반도체층이 스트라이프 형태로 노출되도록 제방(levee) 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 스트라이프 형태로 노출되는 제1 도전형 반도체층 하부에, 상기 사파이어 기판의 복수의 돌출부 중 하나 이상의 돌출부 라인이 존재하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
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