KR20160067755A - Wafer processing tape - Google Patents

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KR20160067755A
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노보루 사꾸마
사또시 오따
가즈히로 기무라
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

An objective of the present invention is to provide a wafer processing tape which can reduce generation of a label stain, select a support member irrespective of a thickness of an adhesive layer, and reduce introduction of air between the adhesive layer and an adhesive film. The wafer processing tape is characterized in comprising: a lengthy releasing film (11); an adhesive layer (12) which has a predetermined planar shape and formed on a first surface of the releasing film (11); a label portion (13a) which has a predetermined planar shape, covers the adhesive layer (12), and is installed to touch the releasing film (11) around the adhesive layer (12); an adhesive film (13) which has a peripheral portion (13b) which surrounds an exterior of the label portion (13a); and a support member (14) which is formed on a second surface opposite to the first surface of the releasing film (11) and includes a portion corresponding to the adhesive layer (12), wherein the support member (14) is installed along a long direction of the releasing film (11) within an area which do not include a portion corresponding to an end portion in a short direction of the releasing film (11) of the label portion (13a).

Description

웨이퍼 가공용 테이프{WAFER PROCESSING TAPE}Wafer processing tape {WAFER PROCESSING TAPE}

본 발명은 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것으로, 특히 다이싱 테이프와 다이 본딩 필름의 2개의 기능을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer processing tape, and more particularly, to a wafer processing tape having two functions of a dicing tape and a die bonding film.

최근, 반도체 웨이퍼를 개개의 칩으로 절단 분리(다이싱)할 때에 반도체 웨이퍼를 고정하기 위한 다이싱 테이프와, 절단된 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착하기 위해, 또는, 스택드 패키지에 있어서는, 반도체 칩끼리를 적층, 접착하기 위한 다이 본딩 필름(다이 어태치 필름이라고도 함)의 2개의 기능을 겸비하는 다이싱·다이 본딩 테이프가 개발되어 있다.BACKGROUND ART [0002] In recent years, there have been proposed dicing tapes for fixing semiconductor wafers when semiconductor wafers are cut and separated (diced) into individual chips, for adhering a cut semiconductor chip to a lead frame or a package substrate, , And a die bonding film (also referred to as a die attach film) for laminating and bonding semiconductor chips to each other have been developed.

이러한 다이싱·다이 본딩 테이프로서는, 웨이퍼에의 접착이나, 다이싱 시의 링 프레임에의 설치 등의 작업성을 고려하여, 프리컷 가공이 실시된 것이 있다.Such a dicing / die bonding tape has been subjected to free cutting in consideration of workability such as adhesion to a wafer and mounting to a ring frame at the time of dicing.

프리컷 가공된 다이싱·다이 본딩 테이프의 예를, 도 4 및 도 5에 나타낸다. 도 4는 다이싱·다이 본딩 테이프를 롤 형상으로 권취한 상태를 도시하는 도면이며, 도 5의 (a)는 다이싱·다이 본딩 테이프의 평면도이며, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)의 선 B-B에 의한 단면도이다. 다이싱·다이 본딩 테이프(50)는, 이형 필름(51)과, 접착제층(52)과, 점착 필름(53)을 포함한다. 접착제층(52)은, 웨이퍼의 형상에 대응하는 원형으로 가공된 것이며, 원형 라벨 형상을 갖는다. 점착 필름(53)은, 다이싱용의 링 프레임의 형상에 대응하는 원형 부분의 주변 영역이 제거된 것이며, 도시와 같이, 원형 라벨부(53a)와, 그 외측을 둘러싸는 주변부(53b)를 갖는다. 접착제층(52)과 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)는, 그 중심을 맞추어 적층되고, 또한 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)는, 접착제층(52)을 덮고, 또한 그 주위에서 이형 필름(51)에 접촉하고 있다.Examples of the pre-cut dicing die bonding tape are shown in Figs. 4 and 5. Fig. Fig. 5 is a plan view of the dicing / die bonding tape. Fig. 5 (b) is a cross-sectional view taken along line sectional view taken along the line BB in FIG. The dicing / die bonding tape 50 includes a release film 51, an adhesive layer 52, and an adhesive film 53. The adhesive layer 52 is formed into a circular shape corresponding to the shape of the wafer, and has a circular label shape. The adhesive film 53 has a peripheral portion of a circular portion corresponding to the shape of the ring frame for dicing removed and has a circular label portion 53a and a peripheral portion 53b surrounding the circular label portion 53a as shown in the figure . The circular label portion 53a of the adhesive film 52 and the circular label portion 53a of the adhesive film 53 are stacked with their centers aligned and the circular label portion 53a of the adhesive film 53 covers the adhesive layer 52, And is in contact with the release film 51 in the periphery thereof.

웨이퍼를 다이싱할 때에는, 적층 상태의 접착제층(52) 및 점착 필름(53)으로부터 이형 필름(51)을 박리하고, 도 6에 도시하는 바와 같이, 접착제층(52) 상에 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 접착하고, 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)의 외주부에 다이싱용 링 프레임(R)을 점착 고정한다. 이 상태에서 반도체 웨이퍼(W)를 다이싱하고, 그 후, 점착 필름(53)에 자외선 조사 등의 경화 처리를 실시하여 반도체 칩을 픽업한다. 이때, 점착 필름(53)은, 경화 처리에 의해 점착력이 저하되어 있으므로, 접착제층(52)으로부터 용이하게 박리되고, 반도체 칩은 이면에 접착제층(52)이 부착된 상태에서 픽업된다. 반도체 칩의 이면에 부착된 접착제층(52)은, 그 후, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때에 다이 본딩 필름으로서 기능한다.The dicing film 51 is peeled from the adhesive layer 52 and the adhesive film 53 in the laminated state to dice the semiconductor wafer W And the dicing ring frame R is adhered and fixed to the outer peripheral portion of the circular label portion 53a of the adhesive film 53. [ In this state, the semiconductor wafer W is diced, and then the adhesive film 53 is subjected to a hardening treatment such as ultraviolet irradiation to pick up the semiconductor chips. At this time, since the adhesive force of the adhesive film 53 is lowered by the curing treatment, the adhesive film 53 is easily peeled off from the adhesive layer 52, and the semiconductor chip is picked up with the adhesive layer 52 adhered to the back surface. The adhesive layer 52 attached to the back surface of the semiconductor chip then functions as a die bonding film when the semiconductor chip is bonded to a lead frame, a package substrate, or another semiconductor chip.

그런데, 상기한 바와 같은 다이싱·다이 본딩 테이프(50)는, 접착제층(52)과 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)가 적층된 부분은, 점착 필름(53)의 주변부(53b)보다도 두껍다. 이로 인해, 제품으로서 롤 형상으로 권취되었을 때에, 접착제층(52)과 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)의 적층 부분과, 점착 필름(53)의 주변부(53a)의 단차가 겹치고, 유연한 접착제층(52) 표면에 단차가 전사되는 현상, 즉, 도 7에 도시하는 바와 같은 전사 자국(라벨 자국, 주름, 또는, 권취 자국이라고도 함)이 발생한다. 이러한 전사 자국의 발생은, 특히 접착제층(52)이 유연한 수지로 형성되는 경우나 두툼한 경우 및 테이프(50)의 권취수가 많은 경우 등에 현저하다. 그리고, 전사 자국이 발생하면, 접착제층과 반도체 웨이퍼의 접착 불량에 의해, 웨이퍼의 가공 시에 문제가 발생할 우려가 있다.The dicing and die bonding tape 50 as described above has a portion where the adhesive layer 52 and the circular label portion 53a of the adhesive film 53 are laminated on the peripheral portion 53b of the adhesive film 53 ). The stepped portion of the adhesive layer 52 and the laminated portion of the circular label portion 53a of the adhesive film 53 and the peripheral portion 53a of the adhesive film 53 overlap when the product is wound in the form of a roll, A phenomenon that a step is transferred onto the surface of the flexible adhesive layer 52, that is, a transfer mark (also referred to as a label mark, a wrinkle, or a winding mark) as shown in Fig. 7 occurs. The occurrence of such a transfer mark is conspicuous particularly when the adhesive layer 52 is formed of a flexible resin, when it is thick, and when the number of turns of the tape 50 is large. If a transfer mark occurs, there is a possibility that a problem may occur at the time of processing the wafer due to adhesion failure between the adhesive layer and the semiconductor wafer.

이러한 문제를 해결하기 위해, 이형 필름의, 접착제층 및 점착 필름이 설치된 제1면과는 반대인 제2면 상이며, 또한 이형 필름의 짧은 방향 양단부에 지지 부재를 설치한 웨이퍼 가공용 테이프가 개발되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이러한 웨이퍼 가공용 테이프는, 지지 부재가 설치되어 있으므로, 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취하였을 때에, 테이프에 가해지는 권취압을 분산하거나, 혹은, 지지 부재에 모을 수 있으므로, 접착제층에의 전사 자국의 형성을 억제할 수 있다.In order to solve such a problem, a wafer processing tape having a support member on both sides in the short direction on the second surface opposite to the first surface provided with the adhesive layer and the adhesive film of the release film has been developed (See, for example, Patent Document 1). Since the wafer processing tape is provided with the supporting member, when the wafer processing tape is wound in the form of a roll, the winding pressure applied to the tape can be dispersed or collected in the supporting member, Can be suppressed.

일본 특허 제4360653호 공보Japanese Patent No. 4360653

그러나, 상기 특허문헌 1에 기재된 웨이퍼 가공용 테이프에서는, 접착제층에의 전사 자국의 형성을 충분히 억제하기 위해서는, 지지 부재의 두께를 접착제층의 두께 이상으로 할 필요가 있으므로, 지지 부재의 선정에 제약이 있다고 하는 문제가 있었다. 또한, 점착 필름은, 접착제층을 덮고, 또한 그 주위에서 이형 필름에 접촉하고 있지만, 접착제층의 두께에 의해, 이형 필름과 점착 필름 사이에 극히 근소한 공극이 발생하고, 공기(에어)가 남는 경우가 있다. 상기 특허문헌 1에 기재된 웨이퍼 가공용 테이프는, 이형 필름의 짧은 방향 양단부에 지지 부재가 설치되어 있으므로, 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취한 상태에서는, 라벨부와 그 위에 권취된 이형 필름 사이가 중공 구조로 되므로, 상기 공기(에어)가 이동하여 접착제층과 점착 필름 사이에 침입할 가능성이 있다고 하는 문제가 있었다. 접착제층과 점착 필름 사이에 침입한 공기(에어)는, 보이드라고도 불리고, 반도체 웨이퍼(W)에 대한 접합 불량을 발생시키고, 그 후의 반도체 웨이퍼(W)의 다이싱 공정이나 칩의 픽업 공정, 본딩 공정에서의 수율의 저하를 초래할 우려가 있다.However, in the wafer processing tape described in Patent Document 1, in order to sufficiently suppress the formation of transfer marks on the adhesive layer, it is necessary to make the thickness of the supporting member equal to or larger than the thickness of the adhesive layer. There was a problem that said. In addition, although the adhesive film covers the adhesive layer and contacts the release film around the adhesive layer, extremely small voids are generated between the release film and the adhesive film depending on the thickness of the adhesive layer, and air (air) remains . In the wafer processing tape described in Patent Document 1, since the support members are provided at both end portions in the short direction of the release film, in the state that the wafer processing tape is wound in a roll form, the gap between the label portion and the release film wound thereon is a hollow structure There is a problem that the air (air) moves and may invade between the adhesive layer and the adhesive film. Air (air) penetrating between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film is also referred to as a void, which causes defective bonding to the semiconductor wafer W and causes the subsequent dicing of the semiconductor wafer W, The yield in the process may be lowered.

따라서, 본 발명은 라벨 자국의 발생을 저감시킬 수 있고, 또한 접착제층의 두께에 관계없이 지지 부재를 선정할 수 있음과 함께, 접착제층과 점착 필름 사이에 공기(에어)를 말려 들어가게 하는 것을 저감시킬 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것을 과제로 한다.Therefore, the present invention can reduce the occurrence of the label marks, and can select the support member regardless of the thickness of the adhesive layer, and reduce the air (air) being entrained between the adhesive layer and the adhesive film And a tape for processing a wafer.

이상의 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는, 장척의 이형 필름과, 상기 이형 필름의 제1면 상에 형성된 소정의 평면 형상을 갖는 접착제층과, 상기 접착제층을 덮고, 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 이형 필름에 접촉하도록 설치된 소정의 평면 형상을 갖는 라벨부와, 상기 라벨부의 외측을 둘러싸는 주변부를 갖는 점착 필름과, 상기 이형 필름의, 상기 접착제층 및 상기 점착 필름이 설치된 제1면과는 반대인 제2면 상이며, 또한 상기 접착제층에 대응하는 부분을 포함하고 상기 라벨부의 상기 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분을 포함하지 않는 영역 내에, 상기 이형 필름의 긴(길이) 방향을 따라 설치된 지지 부재를 갖는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, a wafer processing tape according to the present invention comprises: a long release film; an adhesive layer having a predetermined planar shape formed on the first surface of the release film; An adhesive film having a label portion having a predetermined planar shape provided to contact the release film at the periphery of the adhesive layer and a peripheral portion surrounding the outside of the label portion; and an adhesive layer In a region on the second surface opposite to the first surface and including a portion corresponding to the adhesive layer and not including a portion corresponding to an end portion of the label portion in the short direction of the release film, And a supporting member provided along the long (length) direction of the film.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 지지 부재가, 상기 이형 필름의 짧은 방향의 중앙부에 설치되어 있는 것이 바람직하다.In the semiconductor processing tape, it is preferable that the support member is provided at a central portion in the short direction of the release film.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 지지 부재가, 상기 이형 필름의 짧은 방향의 폭이 10∼50㎜인 것이 바람직하다.In the semiconductor processing tape, it is preferable that the width of the support member in the short direction of the release film is 10 to 50 mm.

본 발명에 따르면, 라벨 자국의 발생을 저감시킬 수 있고, 또한 접착제층의 두께에 관계없이 지지 부재를 선정할 수 있음과 함께, 접착제층과 점착 필름 사이에 공기를 말려 들어가게 하는 것을 저감시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to reduce the occurrence of a label mark, to select a support member regardless of the thickness of the adhesive layer, and to reduce air entrainment between the adhesive layer and the adhesive film .

도 1의 (a)는 본 발명의 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 평면도이며, (b)는 (a)의 선 A-A에 의한 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 단면도.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 단면도.
도 4는 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 사시도.
도 5의 (a)는 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 평면도이며, (b)는 (a)의 선 B-B에 의한 단면도.
도 6은 웨이퍼 가공용 테이프와 다이싱용 링 프레임이 접합된 상태를 도시하는 단면도.
도 7은 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 문제를 설명하기 위한 모식도.Fig. 1 (a) is a plan view of a wafer processing tape according to an embodiment of the present invention, and Fig. 1 (b) is a sectional view taken along the line AA in Fig.
2 is a sectional view of a wafer processing tape according to another embodiment of the present invention.
3 is a sectional view of a wafer processing tape according to another embodiment of the present invention.
4 is a perspective view of a conventional wafer processing tape.
FIG. 5A is a plan view of a conventional wafer processing tape, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
6 is a cross-sectional view showing a state in which a wafer processing tape and a dicing ring frame are joined;
7 is a schematic view for explaining a problem of a conventional wafer processing tape.

이하에 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 도 1의 (a)는 본 발명의 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프(다이싱·다이 본딩 테이프)의 평면도, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 선 A-A에 의한 단면도이다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Fig. 1 (a) is a plan view of a wafer processing tape (dicing and die bonding tape) according to an embodiment of the present invention, and Fig. 1 (b) is a sectional view taken along line A-A in Fig.

도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 장척의 이형 필름(11)과, 접착제층(12)과, 점착 필름(13)과, 지지 부재(14)를 갖는다.1 (a) and 1 (b), the wafer processing tape 10 includes a long release film 11, an adhesive layer 12, an adhesive film 13, And a support member (14).

접착제층(12)은, 이형 필름의 제1면 상에 형성되고, 웨이퍼의 형상에 대응한 원형 라벨 형상을 갖고 있다. 점착 필름(13)은, 접착제층(12)을 덮고, 또한 접착제층(12)의 주위에서 이형 필름에 접촉하도록 설치된 원형 라벨부(13a)와, 이 원형 라벨부(13a)의 외측을 둘러싸는 주변부(13b)를 갖는다. 주변부(13b)는, 원형 라벨부(13a)의 외측을 완전히 둘러싸는 형태와, 도시와 같은 완전히 둘러싸지는 않는 형태를 포함한다. 원형 라벨부(13a)는, 다이싱용의 링 프레임에 대응하는 형상을 갖는다. 그리고, 지지 부재(14)는, 이형 필름(11)의, 접착제(12) 및 점착 필름(13)이 설치된 제1면(11a)과는 반대인 제2면(11b)이며, 또한 접착제층(12)에 대응하는 부분을 포함하고 원형 라벨부(13a)의 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분을 포함하지 않는 영역 r에 설치되어 있다.The adhesive layer 12 is formed on the first surface of the release film and has a circular label shape corresponding to the shape of the wafer. The adhesive film 13 has a circular label portion 13a covering the adhesive layer 12 and provided so as to come into contact with the release film around the adhesive layer 12 and a circular label portion 13b surrounding the circular label portion 13a And a peripheral portion 13b. The peripheral portion 13b includes a shape that completely surrounds the outside of the circular label portion 13a and a shape that is not completely surrounded as shown in the figure. The circular label portion 13a has a shape corresponding to the ring frame for dicing. The support member 14 is a second surface 11b opposite to the first surface 11a of the release film 11 on which the adhesive 12 and the adhesive film 13 are provided, 12 and is provided in a region r which does not include a portion corresponding to the end portion of the circular label portion 13a in the short direction of the release film 11. [

이하, 본 실시 형태의 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 각 구성 요소에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, each component of the wafer processing tape 10 of the present embodiment will be described in detail.

(이형 필름)(Release film)

본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 사용되는 이형 필름(11)으로서는, 폴리에스테르(PET, PBT, PEN, PBN, PTT)계, 폴리올레핀(PP, PE)계, 공중합체(EVA, EEA, EBA)계, 또한 이들 재료를 일부 치환하여, 접착성이나 기계적 강도를 더 향상시킨 필름을 사용할 수 있다. 또한, 이들 필름의 적층체여도 된다.Examples of the release film 11 used for the wafer processing tape 10 of the present invention include polyesters (PET, PBT, PEN, PBN, PTT), polyolefins (PP, PE), copolymers (EVA, EEA, EBA ), Or a film in which these materials are partially substituted to further improve the adhesiveness and mechanical strength can be used. Further, these films may be laminated.

이형 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 적절하게 설정해도 되지만, 25∼50㎛가 바람직하다.The thickness of the release film is not particularly limited and may be appropriately set, but it is preferably 25 to 50 占 퐉.

(접착제층)(Adhesive layer)

본 발명의 접착제층(12)은, 상술한 바와 같이, 이형 필름(11)의 제1면(11a) 상에 형성되고, 웨이퍼의 형상에 대응하는 원형 라벨 형상을 갖는다.The adhesive layer 12 of the present invention is formed on the first surface 11a of the release film 11 as described above and has a circular label shape corresponding to the shape of the wafer.

접착제층(12)은, 반도체 웨이퍼 등이 접합되어 다이싱된 후, 칩을 픽업할 때에, 칩 이면에 부착되어 있고, 칩을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용되는 것이다. 접착제층(12)으로서는, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 페놀계 수지로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 점접착제 등을 바람직하게 사용할 수 있다. 이 밖에, 폴리이미드계 수지나 실리콘계 수지를 사용할 수도 있다. 그 두께는 적절히 설정해도 되지만, 5∼100㎛ 정도가 바람직하다.The adhesive layer 12 is attached to the back surface of the chip when the semiconductor wafer or the like is bonded and diced and then picked up, and is used as an adhesive for fixing the chip to the substrate or the lead frame. As the adhesive layer 12, a point adhesive containing at least one kind selected from an epoxy resin, an acrylic resin and a phenol resin can be preferably used. In addition, a polyimide resin or a silicone resin may be used. The thickness may be appropriately set, but it is preferably about 5 to 100 mu m.

(점착 필름)(Adhesive film)

본 발명의 점착 필름(13)은, 상술한 바와 같이, 다이싱용의 링 프레임의 형상에 대응하는 원형 라벨부(13a)와, 그 외측을 둘러싸는 주변부(13b)를 갖는다. 이러한 점착 필름은, 프리컷 가공에 의해, 필름 형상 점착제로부터 원형 라벨부(13a)의 주변 영역을 제거함으로써 형성할 수 있다.As described above, the adhesive film 13 of the present invention has a circular label portion 13a corresponding to the shape of the ring frame for dicing and a peripheral portion 13b surrounding the circular label portion 13a. Such a pressure-sensitive adhesive film can be formed by removing the peripheral area of the circular label portion 13a from the film-shaped pressure-sensitive adhesive by free cutting.

점착 필름(13)으로서는, 특별히 제한은 없고, 웨이퍼를 다이싱할 때에는 웨이퍼가 박리되지 않도록 충분한 점착력을 갖고, 다이싱 후에 칩을 픽업할 때에는 용이하게 접착제층으로부터 박리될 수 있도록 낮은 점착력을 나타내는 것이면 된다. 예를 들어, 기재 필름에 점착제층을 형성한 것을 적절하게 사용할 수 있다.As the adhesive film 13, there is no particular limitation, and when the wafer is diced, it has a sufficient adhesive force not to peel the wafer, and when the chip is picked up after dicing, the adhesive film 13 exhibits a low adhesive force so as to be easily peeled off from the adhesive layer do. For example, a substrate having a pressure-sensitive adhesive layer formed thereon can be suitably used.

점착 필름(13)의 기재 필름으로서는, 종래 공지의 것이라면 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있지만, 후술하는 점착제층으로서 방사선 경화성의 재료를 사용하는 경우에는, 방사선 투과성을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다.The base film of the adhesive film 13 is not particularly limited as long as it is conventionally known and can be used. When a radiation curable material is used as a pressure sensitive adhesive layer described later, it is preferable to use a material having radiation permeability.

예를 들어, 그 재료로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 또는 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머, 및 이들의 혼합물을 열거할 수 있다. 또한, 기재 필름은 이들 군으로부터 선택되는 2종 이상의 재료가 혼합된 것이어도 되고, 이들이 단층 또는 복층화된 것이어도 된다.Examples of the material include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- Homopolymers or copolymers of? -Olefins such as methyl acrylate, methyl acrylate, ethylene-acrylic acid copolymer and ionomer, or mixtures thereof; Thermoplastic elastomers, and mixtures thereof. The base film may be a mixture of two or more kinds of materials selected from these groups, or may be a single layer or a multi-layered film.

기재 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 적절하게 설정해도 되지만, 50∼200㎛가 바람직하다.The thickness of the base film is not particularly limited and may be appropriately set, but it is preferably 50 to 200 占 퐉.

점착 필름(13)의 점착제층에 사용되는 수지로서는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 점착제에 사용되는 공지의 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.The resin used for the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film 13 is not particularly limited, and known chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin and the like used for the pressure-sensitive adhesive can be used.

점착제층(13)의 수지에는, 아크릴계 점착제, 방사선 중합성 화합물, 광 중합 개시제, 경화제 등을 적절히 배합하여 점착제를 조제하는 것이 바람직하다. 점착제층(13)의 두께는 특별히 한정되는 것이 아니라 적절하게 설정해도 되지만, 5∼30㎛가 바람직하다.A pressure-sensitive adhesive is preferably prepared by appropriately blending an acrylic pressure-sensitive adhesive, a radiation-polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a curing agent and the like into the resin of the pressure-sensitive adhesive layer 13. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 13 is not particularly limited and may be appropriately set, but it is preferably 5 to 30 占 퐉.

방사선 중합성 화합물을 점착제층에 배합하여 방사선 경화에 의해 접착제층으로부터 박리되기 쉽게 할 수 있다. 그 방사선 중합성 화합물은, 예를 들어 광 조사에 의해 삼차원 망상화할 수 있는 분자 내에 광 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 갖는 저분량 화합물이 사용된다.The radiation-polymerizable compound can be mixed with the pressure-sensitive adhesive layer and easily peeled from the adhesive layer by radiation curing. As the radiation polymerizing compound, for example, a low-molecular compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in molecules capable of three-dimensionally retreating by light irradiation is used.

구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타 아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트나, 올리고에스테르아크릴레이트 등이 적용 가능하다.Specific examples include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene Glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, and the like are applicable.

또한, 상기와 같은 아크릴레이트계 화합물 외에, 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 사용할 수도 있다. 우레탄아크릴레이트계 올리고머는, 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들어, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄프리폴리머에, 히드록실기를 갖는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들어, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어진다.In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers may also be used. The urethane acrylate oligomer is obtained by reacting a polyol compound such as polyester type or polyether type with a polyisocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene Acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2 (meth) acrylate, 2-ethylhexyl acrylate or 2-ethylhexyl acrylate) is added to a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a diisocyanate, Hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate) .

점착제층에는, 상기한 수지로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것이어도 된다.The pressure-sensitive adhesive layer may be a mixture of two or more kinds selected from the above-mentioned resins.

광 중합 개시제를 사용하는 경우, 예를 들어 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탈, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등을 사용할 수 있다. 이들 광 중합 개시제의 배합량은 아크릴계 공중합체 100질량부에 대해 0.01∼5질량부가 바람직하다.When a photopolymerization initiator is used, for example, isopropylbenzoin ether, isobutylbenzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone , Benzyl dimethyl ketal,? -Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl propane and the like can be used. The blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass relative to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.

(지지 부재)(Supporting member)

지지 부재(14)는, 이형 필름(11)의, 접착제층(12) 및 점착 필름(13)이 설치된 제1면(11a)과는 반대인 제2면(11b)이며, 또한 접착제층(12)에 대응하는 부분을 포함하고 원형 라벨부(13a)의 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분을 포함하지 않는 영역 r 내에, 이형 필름(11)의 긴 방향을 따라 설치되어 있다. 이러한 지지 부재(14)를 설치함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 롤 형상으로 권취하였을 때에, 지지 부재(14)가 존재하는 부분에 압력이 가해지므로, 접착제층(12)과 점착 필름(13)의 원형 라벨부(13a)의 적층 부분과, 점착 필름(13)의 주변부(13a)의 단차가 겹쳐 접착제층(12) 표면에 단차가 라벨 자국으로서 전사되는 일이 없다. 또한, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 롤 형상으로 권취한 상태에서는, 지지 부재(14)가 존재하는 부분에 압력이 가해지고, 원형 라벨부(13a)의 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 단부는 구속되어 있지 않으므로, 접착제층(12)의 두께에 의해, 이형 필름(11)과 원형 라벨부(13a) 사이에 발생한 간극에 남은 공기(에어)가 원형 라벨부(13a)의 외측으로 배출된다.The support member 14 is a second surface 11b opposite to the first surface 11a of the release film 11 on which the adhesive layer 12 and the adhesive film 13 are provided and the adhesive layer 12 In the longitudinal direction of the release film 11 in a region r which includes a portion corresponding to the release label 11 and does not include the portion of the circular label portion 13a corresponding to the end portion in the short direction of the release film 11 . By providing such a support member 14, pressure is applied to the portion where the support member 14 is present when the wafer 10 is wound in a roll shape, so that the adhesive layer 12 and the adhesive film 13 The stepped portion of the laminated portion of the circular label portion 13a of the adhesive film 13 and the peripheral portion 13a of the adhesive film 13 overlap and the step is not transferred as a label mark on the surface of the adhesive layer 12. In the state in which the wafer processing tape 10 is wound in the form of a roll, pressure is applied to a portion where the support member 14 is present, and the pressure in the short direction of the release film 11 of the circular label portion 13a The air remaining in the gap generated between the release film 11 and the circular label portion 13a is discharged to the outside of the circular label portion 13a due to the thickness of the adhesive layer 12, do.

지지 부재(14)를 설치하는 위치는, 영역 r 내이면 되고, 도 1에 도시하는 바와 같이, 영역 r의 전역에 설치해도 되고, 영역 r의 일부의 임의의 위치에 설치해도 된다. 영역 r의 일부에 설치하는 경우에는, 도 2, 3에 도시하는 바와 같이, 이형 필름의 짧은 방향의 중앙부에 지지 부재(14＇, 14＂)를 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 영역 r의 일부에 지지 부재(14)를 설치한 경우, 접착제층(12)에 지지 부재(14)의 전사 자국이 발생하는 경우가 있지만, 이 경우의 전사 자국은, 이형 필름(11)의 긴 방향으로 직선상으로 발생하므로, 웨이퍼 접합 시에 보이드를 말려 들어가게 한 경우라도 접합 롤러에 의해 훑어져, 보이드가 라벨 밖으로 배출되므로, 랜덤하게 발생하는 라벨 자국과는 달리, 문제가 되지는 않는다.The support member 14 may be provided at any position within the region r, and may be provided over the entire region r as shown in Fig. 1, or may be provided at an arbitrary portion of the region r. In the case of providing a part of the area r, it is preferable to provide the support members 14 ', 14 "at the center in the short direction of the release film as shown in Figs. When the support member 14 is provided in a part of the region r, a transfer mark of the support member 14 may occur in the adhesive layer 12. In this case, Even if the void is curled at the time of wafer bonding, it is not a problem, unlike the randomly occurring label marks, since the void is scratched by the bonding roller and the void is ejected out of the label .

또한, 영역 r은, 도 1에 도시하는 것보다도 외측, 즉, 원형 라벨부(13a)의 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분의 근방까지 포함되어 있어도 되지만, 접착제층(12)의 두께에 의해, 이형 필름(11)과 원형 라벨부(13a) 사이에 발생한 간극에 남은 공기(에어)를 원형 라벨부(13a)의 외측으로 보다 신속하게 배출되기 쉽게 하기 위해서는, 접착제층(12)으로부터 지나치게 이격되지 않는 쪽이 좋다.The region r may be located outside the portion shown in Fig. 1, that is, near the portion corresponding to the end portion of the circular label portion 13a in the short direction of the release film 11, In order to allow the air (air) remaining in the gaps generated between the release film 11 and the circular label portion 13a to be discharged to the outside of the circular label portion 13a more quickly due to the thickness of the circular label portion 13, It is preferable not to be excessively separated from the layer 12.

이형 필름의 짧은 방향의 폭은, 영역 r 내에 상당하는 크기이면 되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 10∼50㎜인 것이 바람직하다.The width of the release film in the short direction may be a size corresponding to the area r, and is not particularly limited, but is preferably 10 to 50 mm.

지지 부재(14)의 두께는, 접착제층(12)과 점착 필름(13)의 원형 라벨부(13a)의 적층 부분과 점착 필름(13)의 주변부(13b)의 단차에 상당하는 두께, 즉, 접착제층(12)과 동일하거나, 또는, 그 이상으로 할 필요는 없고, 적절히 선택할 수 있다. 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 롤 형상으로 권취하였을 때에는, 지지 부재(14)가 존재하는 부분에 압력이 가해지므로, 지지 부재(14)와 접촉하지 않는 라벨 부분에는 압력이 가해지지 않고, 중공 상태로 되어 있으므로, 접착제층(12)의 두께에 관계없이, 라벨 자국을 방지할 수 있다. 단, 접착제층(12)과 동일하거나, 또는, 그 이상의 두께로 할 수도 있다. 또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 얇은 점착 테이프를 적층시킨 지지 부재(14＂)를 설치해도 된다.The thickness of the support member 14 is set to a thickness corresponding to a step between the laminated portion of the adhesive layer 12 and the circular label portion 13a of the adhesive film 13 and the peripheral portion 13b of the adhesive film 13, It is not necessary to be equal to or larger than that of the adhesive layer 12, and it can be appropriately selected. When the wafer 10 is wound in a roll form, pressure is applied to a portion where the support member 14 is present, so that no pressure is applied to the label portion that does not contact the support member 14, It is possible to prevent the label marks irrespective of the thickness of the adhesive layer 12. However, the thickness may be the same as or larger than that of the adhesive layer 12. Further, as shown in Fig. 3, a support member 14 "in which thin adhesive tapes are laminated may be provided.

지지 부재(14)는, 이형 필름(11)의 긴 방향을 따라, 단속적 또는 연속적으로 설치할 수 있지만, 전사 자국의 발생을 보다 효과적으로 억제하는 관점에서는, 기재 필름(11)의 긴 방향을 따라 연속적으로 설치하는 것이 바람직하다.The support member 14 may be provided intermittently or continuously along the longitudinal direction of the release film 11 but may be continuously provided along the longitudinal direction of the base film 11 in order to more effectively suppress the occurrence of the transfer- It is desirable to install it.

또한, 지지 부재(14)는, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 어긋남을 방지하는 관점에서, 점착 필름(13)에 대해 어느 정도의 마찰 계수를 갖는 재질의 것이 바람직하다. 이에 의해, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 어긋남을 방지할 수 있고, 고속 권취나 권취수를 증대시킬 수 있는 것과 같은 효과가 얻어진다.The supporting member 14 is preferably made of a material having a certain degree of friction coefficient with respect to the adhesive film 13 from the viewpoint of preventing the winding off of the wafer 10 for tape processing. As a result, it is possible to prevent winding displacement of the tape 10 for wafer processing, and to achieve high-speed winding and increasing the number of windings.

지지 부재(14)와 점착 필름(13)의 기재 필름 사이의 정지 마찰 계수는, 0.2∼2.0인 것이 바람직하고, 0.6∼1.6인 것이 보다 바람직하다. 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취하면, 이형 필름(11)의 제1면(11a)측에 설치된 점착 필름(13)의 원형 라벨부(13a)와, 이형 필름(11)의 제2면(11b)측에 설치된 지지 부재(14)가 접촉하므로, 지지 부재(14)와 점착 필름(13)의 기재 필름 사이의 정지 마찰 계수가 0.2 미만으로 작은 경우에는, 제조 시나 사용 시에 권취 어긋남이 발생하기 쉬워져 핸들링성이 악화된다. 한편, 2.0보다 큰 경우에는, 점착 필름(13)의 기재 필름과 지지 부재(14) 사이의 저항이 지나치게 커서, 제조 공정에서의 핸들링성이 악화되거나, 고속 권취 시 등에 사행(蛇行)하는 원인으로 된다. 따라서, 양자간의 정지 마찰 계수를 상기 범위로 설정함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 어긋남을 방지할 수 있고, 고속 권취를 가능하게 하고, 권취수를 증대시킬 수 있는 것과 같은 효과가 얻어진다.The coefficient of static friction between the support member 14 and the base film of the adhesive film 13 is preferably 0.2 to 2.0, more preferably 0.6 to 1.6. The round label portion 13a of the adhesive film 13 provided on the first face 11a side of the release film 11 and the circular label portion 13b of the release film 11 on the second face 11b When the static friction coefficient between the supporting member 14 and the base film of the adhesive film 13 is as small as less than 0.2, the winding deviation occurs at the time of manufacture or use The handling becomes worse. On the other hand, if it is larger than 2.0, the resistance between the base film and the supporting member 14 of the adhesive film 13 becomes excessively large, which leads to deterioration of the handling property in the manufacturing process, do. Therefore, by setting the coefficient of static friction therebetween within the above range, it is possible to prevent winding deviation of the wafer 10 for tape processing, to achieve high-speed winding and to increase the number of windings.

본 발명에 있어서, 지지 부재(14)와 점착 필름(13)의 기재 필름 사이의 정지 마찰 계수는, JIS K7125에 준거하고, 이하와 같은 측정 방법에 의해 얻을 수 있다.In the present invention, the coefficient of static friction between the support member 14 and the base film of the adhesive film 13 can be obtained by the following measurement method in accordance with JIS K7125.

25㎜(폭)×100㎜(길이)로 각각 커트된 점착 필름(13)의 기재 필름과 지지 부재(14)의 양 필름 샘플을 겹치고, 하측의 필름을 고정한다. 이어서, 적층된 필름 상에 중량 200g의 추를 하중 W로서 얹고, 상측의 필름을 200㎜/min의 속도로 잡아당기고, 미끄러져 나올 때의 힘 Fd(g)를 측정하고, 이하의 식으로부터 정지 마찰 계수(μd)를 구한다.The base film of the adhesive film 13 and the both film samples of the support member 14, which are respectively cut to 25 mm (width) x 100 mm (length), are overlapped and the lower film is fixed. Subsequently, a weight of 200 g in weight was placed as a load W on the laminated film, and the upper film was pulled at a speed of 200 mm / min, and the force Fd (g) at the time of slipping was measured. The friction coefficient (μd) is obtained.

μd＝Fd/Wμd = Fd / W

지지 부재(14)로서는, 예를 들어 수지 필름 기재에 점접착제를 도포한 점접착 테이프를 적절하게 사용할 수 있다. 이러한 점접착 테이프를, 이형 필름(11)의 제2면(11b)의 소정 위치에 접착함으로써, 본 실시 형태의 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 형성할 수 있다.As the support member 14, for example, a dicing tape in which a point adhesive is applied to a resin film base can be suitably used. By bonding such a viscous adhesive tape to a predetermined position of the second surface 11b of the release film 11, the wafer processing tape 10 of the present embodiment can be formed.

점접착 테이프의 기재 수지로서는, 상기 선팽창 계수의 범위를 충족시키고, 또한 권취압에 견딜 수 있는 것이라면 특별히 한정은 없지만, 내열성, 평활성 및 입수 용이성의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌 및 고밀도 폴리에틸렌으로부터 선택되는 것이 바람직하다.The base resin of the viscous adhesive tape is not particularly limited as long as it meets the range of the linear expansion coefficient and can withstand the winding pressure. However, from the viewpoints of heat resistance, smoothness and availability, polyethylene terephthalate (PET) And high-density polyethylene.

점접착 테이프의 점착제의 조성 및 물성에 대해서는, 특별히 한정은 없고, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 공정 및 보관 공정에 있어서, 이형 필름(11)으로부터 박리되지 않는 것이면 된다.The composition and physical properties of the pressure-sensitive adhesive of the pressure-sensitive adhesive tape are not particularly limited and may be those that can not be peeled off from the release film 11 in the winding process and the storage process of the wafer for processing tape 10.

또한, 지지 부재(14)로서는, 착색된 지지 부재를 사용해도 된다. 이러한 착색 지지 부재를 사용함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취하였을 때에, 테이프의 종류를 명확하게 식별할 수 있다. 예를 들어, 착색 지지 부재(14)의 색을, 웨이퍼 가공용 테이프의 종류나 두께에 따라 다르게 함으로써, 용이하게 테이프의 종류나 두께를 식별할 수 있고, 인위적인 미스의 발생을 억제, 방지할 수 있다.As the support member 14, a colored support member may be used. By using such a coloring and supporting member, the type of tape can be clearly identified when the wafer for processing tape is wound in a roll form. For example, by changing the color of the coloring supporting member 14 according to the type and thickness of the wafer processing tape, it is possible to easily identify the type and thickness of the tape and suppress or prevent the occurrence of an artificial mist .

[실시예][Example]

다음으로, 본 발명의 실시예에 대해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Next, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples.

(1) 점착 필름의 제작(1) Production of adhesive film

[점착 필름 1A][Adhesive film 1A]

용매의 톨루엔 400g 중에, n-부틸아크릴레이트 128g, 2-에틸헥실아크릴레이트 307g, 메틸메타아크릴레이트 67g, 메타크릴산 1.5g, 중합 개시제로서 벤조일퍼옥시드의 혼합액을, 적절히, 적하량을 조정하고, 반응 온도 및 반응 시간을 조정하고, 관능기를 갖는 화합물 (1)의 용액을 얻었다.A mixed solution of 128 g of n-butyl acrylate, 307 g of 2-ethylhexyl acrylate, 67 g of methyl methacrylate, 1.5 g of methacrylic acid and benzoyl peroxide as a polymerization initiator was added dropwise to 400 g of toluene as a solvent, , The reaction temperature and the reaction time were adjusted to obtain a solution of the compound (1) having a functional group.

다음으로 이 폴리머 용액에, 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 갖는 화합물 (2)로서, 별도로 메타크릴산과 에틸렌글리콜로부터 합성한 2-히드록시에틸메타크릴레이트 2.5g, 중합 금지제로서 히드로퀴논을 적절히 적하량을 조정하여 첨가하고 반응 온도 및 반응 시간을 조정하여, 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물 (A)의 용액을 얻었다. 계속해서, 화합물 (A) 용액 중의 화합물 (A) 100질량부에 대해 폴리이소시아네이트 (B)로서 니혼 폴리우레탄사제:코로네이트 L을 1질량부를 첨가하고, 광 중합 개시제로서 니혼 시바 가이기사제:이르가큐어 184를 0.5질량부, 용매로서 아세트산에틸 150질량부를 화합물 (A) 용액에 첨가하여 혼합하여, 방사선 경화성의 점착제 조성물을 조제하였다.Next, 2.5 g of 2-hydroxyethyl methacrylate synthesized from methacrylic acid and ethylene glycol as a compound (2) having a radiation-curable carbon-carbon double bond and a functional group was added to this polymer solution, and hydroquinone And the reaction temperature and the reaction time were adjusted to obtain a solution of the compound (A) having a radiation-curable carbon-carbon double bond. Subsequently, 1 part by mass of Coronate L manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd. as a polyisocyanate (B) was added to 100 parts by mass of the compound (A) in the compound (A) solution, , 0.5 part by mass of Cure 184 and 150 parts by mass of ethyl acetate as a solvent were added to and mixed with the compound (A) solution to prepare a radiation-curable pressure-sensitive adhesive composition.

계속해서, 조제한 점착제층 조성물을 두께 100㎛의 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 기재 필름에, 건조 막 두께가 20㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조하고, 점착 필름 1A를 제작하였다.Subsequently, the prepared pressure-sensitive adhesive layer composition was applied to an ethylene-vinyl acetate copolymer base film having a thickness of 100 占 퐉 so as to have a dry film thickness of 20 占 퐉 and dried at 110 占 폚 for 3 minutes to prepare an adhesive film 1A.

(2) 이형 필름(2) Release film

이하에 나타내는 이형 필름 2A를 사용하였다.The release film 2A shown below was used.

이형 필름 2A:두께 38㎛의 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름Release film 2A: A polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 mu m and subjected to release treatment

(3) 접착제층의 형성(3) Formation of adhesive layer

(접착제층 3A)(Adhesive layer 3A)

에폭시 수지로서 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량 197, 분자량 1200, 연화점 70℃) 50질량부, 실란 커플링제로서 γ-머캅토프로필트리메톡시실란 1.5질량부, γ-우레이도프로필트리에톡시실란 3질량부, 평균 입경 16㎚의 실리카 필러 30질량부를 포함하는 조성물에, 시클로헥사논을 첨가하여 교반 혼합하고, 또한 비즈 밀을 사용하여 90분 혼련하였다.50 parts by mass of a cresol novolak epoxy resin (epoxy equivalent: 197, molecular weight: 1200, softening point: 70 占 폚) as an epoxy resin, 1.5 parts by mass of? -Mercaptopropyltrimethoxysilane as a silane coupling agent,? -Ureidopropyltriethoxy 3 parts by mass of silane, and 30 parts by mass of a silica filler having an average particle diameter of 16 nm, cyclohexanone was added, and the mixture was stirred and kneaded for 90 minutes using a bead mill.

이것에 아크릴 수지(질량 평균 분자량:80만, 유리 전이 온도 －17℃) 100질량부, 6관능 아크릴레이트 모노머로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 5질량부, 경화제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 어덕트체 0.5질량부, 큐어졸 2PZ[시꼬꾸 가세이(四國化成)(주)제 상품명, 2-페닐이미다졸] 2.5질량부를 첨가하고, 교반 혼합하고, 진공 탈기하고, 접착제를 얻었다.100 parts by mass of an acrylic resin (mass average molecular weight: 80,000, glass transition temperature-17 占 폚), 5 parts by mass of dipentaerythritol hexaacrylate as a hexafunctional acrylate monomer, 5 parts by mass of hexamethylene diisocyanate as a curing agent And 2.5 parts by mass of Cure Sol 2PZ (trade name, 2-phenylimidazole available from Shikoku Chemicals Co., Ltd.) were added, stirred and mixed, and vacuum degassed to obtain an adhesive.

상기 접착제를 이형 필름 2A 상에 도포하고, 110℃에서 1분간 가열 건조하여, 막 두께가 20㎛인 B 스테이지 상태(열경화성 수지의 경화 중간 상태)의 도막을 형성하고, 이형 필름 2A 상에 접착제층 3A를 형성하고, 냉장 보관하였다.The adhesive was applied onto the release film 2A and heated and dried at 110 DEG C for 1 minute to form a coating film in a B-stage state (intermediate state of curing of the thermosetting resin) having a thickness of 20 mu m, 3A was formed and stored in the refrigerator.

(접착제층 3B)(Adhesive layer 3B)

상기 접착제를 이형 필름 2A 상에 도포하고, 110℃에서 1분간 가열 건조하여, 막 두께가 60㎛인 B 스테이지 상태(열경화성 수지의 경화 중간 상태)의 도막을 형성하고, 이형 필름 2A 상에 접착제층 3B를 형성하고, 냉장 보관하였다.The adhesive was applied onto the release film 2A and heated and dried at 110 DEG C for 1 minute to form a coating film in a B-stage state (intermediate state of curing of the thermosetting resin) having a thickness of 60 mu m, 3B were formed and stored in the refrigerator.

(접착제층 3C)(Adhesive layer 3C)

상기 접착제를 이형 필름 2A 상에 도포하고, 110℃에서 1분간 가열 건조하여, 막 두께가 120㎛인 B 스테이지 상태(열경화성 수지의 경화 중간 상태)의 도막을 형성하고, 이형 필름 2A 상에 접착제층 3C를 형성하고, 냉장 보관하였다.The adhesive was applied onto the release film 2A and heated and dried at 110 DEG C for 1 minute to form a coating film in a state of B stage (curing intermediate state of the thermosetting resin) having a thickness of 120 mu m, 3C were formed and stored in a refrigerator.

(4) 지지 부재의 제작(4) Production of Supporting Member

(지지 부재 4A)(Supporting member 4A)

아크릴 수지(질량 평균 분자량:60만, 유리 전이 온도 －20℃) 100질량부, 경화제로서 폴리이소시아네이트 화합물(니혼 폴리우레탄(주)제, 상품명:코로네이트 L) 10질량부를 혼합하여 점착제 조성물을 얻었다., 100 parts by mass of an acrylic resin (mass average molecular weight: 600,000, glass transition temperature -20 占 폚) and 10 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name: Coronate L, trade name; manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as a curing agent were mixed to obtain a pressure- .

상기 점착제 조성물을 두께 40㎛의 저밀도 폴리에틸렌 필름에, 건조 막 두께가 20㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조하고, 얻어진 점접착 테이프를 폭 10㎜로 절단하여, 지지 부재 4A를 제작하였다.The pressure-sensitive adhesive composition was coated on a low-density polyethylene film having a thickness of 40 占 퐉 to a dry film thickness of 20 占 퐉 and dried at 110 占 폚 for 3 minutes. The resulting viscous tape was cut into a width of 10 mm, Respectively.

(지지 부재 4B)(Supporting member 4B)

상기 점착제 조성물을 두께 100㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에, 건조 막 두께가 30㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조하고, 얻어진 점접착 테이프를 폭 25㎜로 절단하여, 지지 부재 4B를 제작하였다.The pressure-sensitive adhesive composition was coated on a polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 占 퐉 so as to have a dry film thickness of 30 占 퐉 and dried at 110 占 폚 for 3 minutes. The resulting viscous tape was cut into a width of 25 mm, Respectively.

(지지 부재 4C)(Supporting member 4C)

얻어진 점접착 테이프를 폭 25㎜로 절단한 것 이외는, 지지 부재 4A와 마찬가지로 하여, 지지 부재 4C를 제작하였다.A supporting member 4C was produced in the same manner as in the supporting member 4A except that the obtained viscous adhesive tape was cut to a width of 25 mm.

(지지 부재 4D)(Supporting member 4D)

얻어진 점접착 테이프를 폭 50㎜로 절단한 것 이외는, 지지 부재 4A와 마찬가지로 하여, 지지 부재 4D를 제작하였다.A supporting member 4D was produced in the same manner as the supporting member 4A except that the obtained viscous adhesive tape was cut into a width of 50 mm.

(실시예 1)(Example 1)

냉장 보관하고 있었던 접착제층 3A가 형성된 이형 필름 2A를 상온으로 되돌리고, 접착제층에 대해, 이형 필름에의 절입 깊이가 10㎛ 이하로 되도록 조정하여 직경 220㎜의 원형 프리컷 가공을 행하였다. 그 후, 접착제층의 불필요 부분을 제거하고, 점착 필름 1A를 그 점착제층이 접착제층과 접하도록, 이형 필름 2A를 실온에서 라미네이트하였다. 그리고, 점착 필름 1A에 대해, 이형 필름에의 절입 깊이가 10㎛ 이하로 되도록 조절하여 접착제층과 동심원 형상으로 직경 290㎜의 원형 프리컷 가공을 행하였다. 다음으로, 이형 필름 2A의 접착제층 및 점착 필름이 설치된 제1면과는 반대인 제2면이며, 또한 이형 필름 2A의 짧은 방향 중앙부에 지지 부재 4A를 접합하여, 도 2에 도시하는 구조를 갖는 실시예 1의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.The releasing film 2A on which the adhesive layer 3A that had been kept in the refrigerator was formed was returned to room temperature and the adhesive layer was adjusted so that the depth of insertion into the releasing film was 10 mu m or less and circular cut-off processing with a diameter of 220 mm was carried out. Thereafter, the unnecessary portion of the adhesive layer was removed, and the release film 2A was laminated at room temperature so that the pressure-sensitive adhesive film 1A was in contact with the adhesive layer. Then, the pressure-sensitive adhesive film 1A was adjusted so that the infeed depth into the release film was 10 占 퐉 or less, and the circular free-cut processing was performed in a concentric circle shape with a diameter of 290 mm. Next, the second surface opposite to the first surface provided with the adhesive layer and the adhesive film of the release film 2A, and the support member 4A bonded to the center in the short direction of the release film 2A, A wafer processing tape of Example 1 was produced.

(실시예 2)(Example 2)

지지 부재 4A 대신에 지지 부재 4B를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.A wafer processing tape of Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that the support member 4B was used instead of the support member 4A.

(실시예 3)(Example 3)

접착제층 3A 대신에 접착제층 3B를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.A tape for wafer processing of Example 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive layer 3B was used instead of the adhesive layer 3A.

(실시예 4)(Example 4)

접착제층 3A 대신에 접착제층 3B를 사용한 것 이외는 실시예 2와 마찬가지로 하여, 실시예 4의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.A wafer processing tape of Example 4 was produced in the same manner as in Example 2 except that the adhesive layer 3B was used instead of the adhesive layer 3A.

(실시예 5)(Example 5)

접착제층 3A 대신에 접착제층 3C를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 5의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.A wafer processing tape of Example 5 was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive layer 3C was used instead of the adhesive layer 3A.

(실시예 6)(Example 6)

접착제층 3A 대신에 접착제층 3C를 사용한 것 이외는 실시예 2와 마찬가지로 하여, 실시예 6의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.A tape for wafer processing of Example 6 was produced in the same manner as in Example 2 except that the adhesive layer 3C was used instead of the adhesive layer 3A.

(실시예 7)(Example 7)

지지 부재 4A 대신에 지지 부재 4C를 사용한 것 이외는 실시예 3과 마찬가지로 하여, 실시예 7의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다. A wafer processing tape of Example 7 was produced in the same manner as in Example 3 except that the support member 4C was used instead of the support member 4A.

(실시예 8)(Example 8)

지지 부재 4C 대신에 지지 부재 4D를 사용한 것 이외는 실시예 7과 마찬가지로 하여, 실시예 8의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.A wafer processing tape of Example 8 was produced in the same manner as in Example 7 except that the support member 4D was used instead of the support member 4C.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

냉장 보관하고 있었던 접착제층 3A가 형성된 이형 필름 2A를 상온으로 되돌리고, 접착제층에 대해, 이형 필름에의 절입 깊이가 10㎛ 이하로 되도록 조정하여 직경 220㎜의 원형 프리컷 가공을 행하였다. 그 후, 접착제층의 불필요 부분을 제거하고, 점착 필름 1A를 그 점착제층이 접착제층과 접하도록, 이형 필름 2A를 실온에서 라미네이트하였다. 그리고, 점착 필름 1A에 대해, 이형 필름에의 절입 깊이가 10㎛ 이하로 되도록 조절하여 접착제층과 동심원 형상으로 직경 290㎜의 원형 프리컷 가공을 행하고, 원형 라벨부 및 주변부를 남기고, 그 밖의 불필요 부분을 제거하였다. 다음으로, 이형 필름 2A의 접착제층 및 점착 필름이 설치된 제1면과는 반대인 제2면이며, 또한 이형 필름 2A의 짧은 방향 양단부에 지지 부재 4A를 접합하여, 선행 특허문헌 1의 도 1에 도시하는 구조를 갖는 비교예 1의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.The releasing film 2A on which the adhesive layer 3A that had been kept in the refrigerator was formed was returned to room temperature and the adhesive layer was adjusted so that the depth of insertion into the releasing film was 10 mu m or less and circular cut-off processing with a diameter of 220 mm was carried out. Thereafter, the unnecessary portion of the adhesive layer was removed, and the release film 2A was laminated at room temperature so that the pressure-sensitive adhesive film 1A was in contact with the adhesive layer. Then, the pressure-sensitive adhesive film 1A was subjected to circular cut-off processing with a diameter of 290 mm in a concentric manner with the adhesive layer by adjusting the infeed depth into the release film to 10 m or less, leaving the circular label portion and peripheral portion, Lt; / RTI > Next, the adhesive layer of the release film 2A and the second surface opposite to the first surface provided with the adhesive film, and the support member 4A is bonded to both end portions of the release film 2A in the short direction, A wafer processing tape of Comparative Example 1 having a structure shown in FIG.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

지지 부재 4A 대신에 지지 부재 4B를 사용한 것 이외는 비교예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.A wafer processing tape of Comparative Example 2 was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that the support member 4B was used instead of the support member 4A.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

접착제층 3A 대신에 접착제층 3B를 사용한 것 이외는 비교예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.A wafer processing tape of Comparative Example 3 was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that the adhesive layer 3B was used instead of the adhesive layer 3A.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

지지 부재 4A 대신에 지지 부재 4B를 사용한 것 이외는 비교예 3과 마찬가지로 하여, 비교예 4의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.A wafer processing tape of Comparative Example 4 was produced in the same manner as in Comparative Example 3 except that the support member 4B was used instead of the support member 4A.

(비교예 5)(Comparative Example 5)

접착제층 3A 대신에 접착제층 3C를 사용한 것 이외는 비교예 2와 마찬가지로 하여, 비교예 5의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.A wafer processing tape of Comparative Example 5 was produced in the same manner as in Comparative Example 2 except that the adhesive layer 3C was used instead of the adhesive layer 3A.

(비교예 6)(Comparative Example 6)

지지 부재를 설치하지 않은 것 이외는 비교예 3과 마찬가지로 하여, 비교예 6의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.A wafer processing tape of Comparative Example 6 was produced in the same manner as in Comparative Example 3 except that no supporting member was provided.

(비교예 7)(Comparative Example 7)

지지 부재를 설치하지 않은 것 이외는 비교예 5와 마찬가지로 하여, 비교예 7의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.A wafer for processing tape of Comparative Example 7 was produced in the same manner as in Comparative Example 5 except that no supporting member was provided.

[라벨 자국의 억제성의 평가][Assessment of inhibition of label marks]

실시예 및 비교예의 웨이퍼 가공용 테이프를, 원형 형상의 점착 필름의 수가 300매로 되도록, 롤 형상으로 권취하고, 웨이퍼 가공용 테이프 롤을 제작하였다. 얻어진 웨이퍼 가공용 테이프 롤을 1개월간 냉장고 내(5℃)에서 보관하였다. 그 후, 웨이퍼 가공용 테이프 롤을 실온으로 되돌리고 나서 롤을 풀고, 육안으로 라벨 자국의 유무를 관찰하고, 이하의 평가 기준에 따라, ○, △, ×의 3단계로 웨이퍼 가공용 테이프의 전사 자국의 억제성을 평가하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.The wafer processing tapes of the examples and the comparative examples were wound into rolls so that the number of circular adhesive films became 300 pieces to prepare a tape roll for wafer processing. The obtained tape roll for wafer processing was stored in a refrigerator (5 캜) for one month. Thereafter, the tape roll for wafer processing was returned to room temperature, the roll was released, the presence or absence of a label mark was observed with the naked eye, and in accordance with the following evaluation criteria, the transfer marks of the wafer processing tape were inhibited The sex was evaluated. The results are shown in Tables 1 and 2.

○(우량품):다양한 각도에서 육안 관찰해도 라벨 자국을 확인할 수 없다○ (good product): label marks can not be confirmed even by visual observation from various angles

△(허용품):라벨 자국은 확인할 수 있지만 반도체 장치의 가공 공정에 영향을 미치는 정도는 아니다△ (False goods): The label mark can be confirmed, but it does not affect the processing process of the semiconductor device

×(불량품):반도체 장치의 가공 공정에 영향을 미치는 라벨 자국을 확인할 수 있다× (defective product): It is possible to identify the label mark which affects the processing process of the semiconductor device

[에어의 말려 들어감의 억제성의 평가][Evaluation of inhibition of air entrainment]

실시예 및 비교예의 웨이퍼 가공용 테이프를, 원형 형상의 점착 필름의 수가 200매로 되도록, 롤 형상으로 권취하고, 웨이퍼 가공용 테이프 롤을 제작하였다. 얻어진 웨이퍼 가공용 테이프 롤을 포장 주머니에 넣고, 1개월간 냉장고 내(5℃)에서 보관 후, 테이프 표면이 －50℃로 되는 드라이아이스 분위기하에서 3일간 보관하였다. 그 후, 웨이퍼 가공용 테이프 롤을 상온으로 되돌리고 나서 포장 주머니를 개봉하고, 롤을 풀고, 육안으로 접착제층과 점착 필름의 원형 라벨부 사이에 에어의 말려 들어감이 있는지의 여부를 관찰하고, 에어의 말려 들어감이 없는 것을 ○(우량품), 에어의 말려 들어감이 있는 것을 ×(불량품)로 하여, 웨이퍼 가공용 테이프의 에어의 말려 들어감의 억제성의 평가를 하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.The wafer processing tapes of Examples and Comparative Examples were wound in rolls so that the number of circular adhesive films became 200 pieces to prepare a tape roll for wafer processing. The resulting wafer processing tape roll was placed in a packaging bag, stored in a refrigerator (5 ° C) for one month, and then stored in a dry ice atmosphere at -50 ° C for 3 days. Thereafter, the tape roll for wafer processing was returned to room temperature, the packaging bag was opened, the roll was loosened, and visually observed whether there was air entrapment between the adhesive layer and the circular label portion of the adhesive film was observed, The evaluation of inhibition of the air entrapment of the wafer processing tape was made by taking the results of those with no entrances and those with air entrainment as x (defective products). The results are shown in Tables 1 and 2.

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼8에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는, 이형 필름의 제1면과는 반대인 제2면 상이며, 또한 접착제층에 대응하는 부분을 포함하고 라벨부의 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분을 포함하지 않는 영역 내에, 이형 필름의 긴 방향을 따라 지지 부재가 설치되어 있으므로, 라벨 자국의 억제성, 에어의 말려 들어감의 억제성 모두 우수한 결과로 되었다.As shown in Table 1, the wafer processing tapes according to Examples 1 to 8 were formed on the second surface opposite to the first surface of the release film, and also had a portion corresponding to the adhesive layer, Since the support member is provided along the longitudinal direction of the release film in the region not including the portion corresponding to the end portion in the short direction, the suppression of the label mark and the suppression of the air entrainment were all excellent.

이에 반해, 지지 부재가 이형 필름의 양단부에 설치되어 있는 비교예 1∼4에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는, 표 2에 나타내는 바와 같이, 에어의 말려 들어감의 억제성이 떨어지는 결과로 되었다. 지지 부재가 설치되어 있지 않은 비교예 6, 7에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는, 에어의 말려 들어감의 억제성은 우수한 결과로 되었지만, 라벨 자국의 억제성에 있어서 떨어지는 결과로 되었다.On the contrary, as shown in Table 2, the tape for wafer processing according to Comparative Examples 1 to 4, in which the support members were provided at both end portions of the release film, was inferior in suppressing air entrainment. The tape for wafer processing according to Comparative Examples 6 and 7, in which no supporting member was provided, exhibited an excellent suppression of air entrainment, but was inferior in inhibition of label marks.

또한, 접착제층과 지지 부재의 두께가 동일한 비교예 3에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는, 반도체 장치의 가공 공정에 영향을 미치는 정도는 아니지만 라벨 자국이 확인되었다. 이에 반해, 실시예 3에 따른 웨이퍼 가공용 테이프에서는, 접착제층과 지지 부재의 두께가 동일하여도, 라벨 자국이 발생하지 않았다.In addition, the tape for wafer processing according to Comparative Example 3 having the same thickness of the adhesive layer and the supporting member had no influence on the processing steps of the semiconductor device, but the label mark was confirmed. On the other hand, in the wafer for processing tape according to Example 3, even if the thicknesses of the adhesive layer and the supporting member were the same, a label mark was not generated.

10 : 웨이퍼 가공용 테이프
11 : 이형 필름
12 : 접착제층
13 : 점착 필름
13a : 원형 라벨부
13b : 주변부
14, 14＇, 14＂ : 지지 부재10: Wafer processing tape
11: release film
12: adhesive layer
13: Adhesive film
13a: circular label portion
13b: peripheral portion
14, 14 ', 14 ": supporting member

Claims (3)

장척의 이형 필름과,
상기 이형 필름의 제1면 상에 형성된 소정의 평면 형상을 갖는 접착제층과,
상기 접착제층을 덮고, 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 이형 필름에 접촉하도록 형성된 소정의 평면 형상을 갖는 라벨부와, 상기 라벨부의 외측을 둘러싸는 주변부를 갖는 점착 필름과,
상기 이형 필름의, 상기 접착제층 및 상기 점착 필름이 형성된 제1면과는 반대인 제2면 상이며, 또한 상기 접착제층에 대응하는 부분을 포함하고 상기 라벨부의 상기 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분을 포함하지 않는 영역 내에, 상기 이형 필름의 긴 방향을 따라 형성된 지지 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.A long release film,
An adhesive layer having a predetermined planar shape formed on the first surface of the release film,
An adhesive film covering the adhesive layer and having a label portion having a predetermined planar shape formed to contact the release film around the adhesive layer and a peripheral portion surrounding the outer side of the label portion;
And a second surface of the release film opposite to the first surface on which the adhesive layer and the adhesive film are formed and having a portion corresponding to the adhesive layer, And a support member formed along a longitudinal direction of the release film in a region not including a portion corresponding to the end portion. 제1항에 있어서,
상기 지지 부재는, 상기 이형 필름의 짧은 방향의 중앙부에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.The method according to claim 1,
Wherein the support member is formed at a central portion in a short direction of the release film. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 지지 부재는, 상기 이형 필름의 짧은 방향의 폭이 10∼50㎜인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the support member has a width of 10 to 50 mm in the short direction of the release film.
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