KR20160067754A - Wafer processing tape - Google Patents

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노보루 사꾸마
지로우 스기야마
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention provides a wafer processing tape capable of reducing the generation of a label mark and also reducing the mixing of air between a release film and an adhesive layer. The present invention includes: a long release film (11); an adhesive layer (12) installed on a first surface of the release film (11) and having a predetermined plane shape; a label part (13a) covering the adhesive layer (12), installed to touch the release film (11) around the adhesive layer (12), and having a predetermined plane shape; an adhesive film (13) including a neighboring part (13b) surrounding the outer part of the label part (13a); and a support member (14) installed to hang on an area on a second surface, which is opposite to the first surface of the release film (11), corresponds to an end part of the adhesive layer (12) in a lateral direction of the release film (11), and is both lateral ends of the release film (12).

Description

웨이퍼 가공용 테이프 {WAFER PROCESSING TAPE}Wafer processing tape {WAFER PROCESSING TAPE}

본 발명은 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것으로, 특히 다이싱 테이프와 다이 본딩 필름의 2개의 기능을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer processing tape, and more particularly, to a wafer processing tape having two functions of a dicing tape and a die bonding film.

최근, 반도체 웨이퍼를 개개의 칩으로 절단 분리(다이싱)할 때에 반도체 웨이퍼를 고정하기 위한 다이싱 테이프와, 절단된 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착하기 위해, 또는 스택드 패키지에 있어서는, 반도체 칩끼리를 적층, 접착하기 위한 다이 본딩 필름(다이 어태치 필름이라고도 함)의 2개의 기능을 겸비하는 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프가 개발되고 있다.BACKGROUND ART [0002] In recent years, in order to adhere a dicing tape for fixing a semiconductor wafer when a semiconductor wafer is cut and separated (diced) into individual chips, for adhering a cut semiconductor chip to a lead frame or a package substrate, A dicing / die bonding tape having two functions of a die bonding film (also referred to as a die attach film) for laminating and bonding semiconductor chips to each other has been developed.

이와 같은 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프로서는, 웨이퍼로의 부착이나, 다이싱 시의 링 프레임의 설치 등의 작업성을 고려하여, 프리컷 가공이 실시된 것이 있다.Such a dicing / die bonding tape has been subjected to free cutting in consideration of workability such as attachment to a wafer and installation of a ring frame at the time of dicing.

프리컷 가공된 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프의 예를, 도 4 및 도 5에 도시한다. 도 4는 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프를 롤 형상으로 권취한 상태를 도시하는 도면이고, 도 5의 (a)는 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프의 평면도이고, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)의 선 B-B에 의한 단면도이다. 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프(50)는 이형 필름(51)과, 접착제층(52)과, 점착 필름(53)을 포함한다. 접착제층(52)은 웨이퍼의 형상에 대응하는 원형으로 가공된 것이고, 원형 라벨 형상을 갖는다. 점착 필름(53)은 다이싱용의 링 프레임의 형상에 대응하는 원형 부분의 주변 영역이 제거된 것이고, 도시한 바와 같이, 원형 라벨부(53a)와, 그 외측을 둘러싸는 주변부(53b)를 갖는다. 접착제층(52)과 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)는 그 중심을 정렬시켜 적층되고, 또한 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)는 접착제층(52)을 덮고, 또한 그 주위에서 이형 필름(51)에 접촉하고 있다.Examples of the pre-cut dicing and die bonding tapes are shown in Figs. 4 and 5. Fig. Fig. 5 is a plan view of the dicing / die bonding tape, Fig. 5 (b) is a cross-sectional view taken along line sectional view taken along the line BB in FIG. The dicing / die bonding tape 50 includes a release film 51, an adhesive layer 52, and an adhesive film 53. The adhesive layer 52 is formed into a circular shape corresponding to the shape of the wafer and has a circular label shape. The adhesive film 53 is formed by removing the peripheral region of the circular portion corresponding to the shape of the ring frame for dicing. As shown in the figure, the adhesive film 53 has the circular label portion 53a and a peripheral portion 53b surrounding the circular label portion 53a . The circular label portion 53a of the adhesive film 52 and the circular label portion 53a of the adhesive film 53 are laminated by aligning their centers and the circular label portion 53a of the adhesive film 53 covers the adhesive layer 52, And is in contact with the release film 51 at the periphery thereof.

웨이퍼를 다이싱할 때에는, 적층 상태의 접착제층(52) 및 점착 필름(53)으로부터 이형 필름(51)을 박리하고, 도 6에 도시한 바와 같이, 접착제층(52) 위에 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 부착하고, 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)의 외주부에 다이싱용 링 프레임 R을 점착 고정한다. 이 상태에서 반도체 웨이퍼(W)를 다이싱하고, 그 후, 점착 필름(53)에 자외선 조사 등의 경화 처리를 실시하여 반도체 칩을 픽업한다. 이때, 점착 필름(53)은 경화 처리에 의해 점착력이 저하되어 있으므로, 접착제층(52)으로부터 용이하게 박리되고, 반도체 칩은 이면에 접착제층(52)이 부착된 상태에서 픽업된다. 반도체 칩의 이면에 부착된 접착제층(52)은, 그 후, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때에, 다이 본딩 필름으로서 기능한다.The dicing film 51 is peeled off from the adhesive layer 52 and the adhesive film 53 in the laminated state to dice the semiconductor wafer W on the adhesive layer 52 as shown in Fig. And the dicing ring frame R is adhered and fixed to the outer peripheral portion of the circular label portion 53a of the adhesive film 53. [ In this state, the semiconductor wafer W is diced, and then the adhesive film 53 is subjected to a hardening treatment such as ultraviolet irradiation to pick up the semiconductor chips. At this time, since the adhesive force of the adhesive film 53 is lowered by the curing treatment, the adhesive film 53 is easily peeled off from the adhesive layer 52, and the semiconductor chip is picked up with the adhesive layer 52 adhered to the back surface. The adhesive layer 52 attached to the back surface of the semiconductor chip then functions as a die bonding film when the semiconductor chip is bonded to a lead frame, a package substrate, or another semiconductor chip.

그런데, 상기와 같은 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프(50)는 접착제층(52)과 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)가 적층된 부분은 점착 필름(53)의 주변부(53b)보다도 두껍다. 이로 인해, 제품으로서 롤 형상으로 권취되었을 때에, 접착제층(52)과 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)의 적층 부분과, 점착 필름(53)의 주변부(53a)의 단차가 겹치고, 유연한 접착제층(52) 표면에 단차가 전사되는 현상, 즉 도 7에 도시한 바와 같은 전사 자국(라벨 자국, 주름, 또는 권취 자국이라고도 함)이 발생한다. 이와 같은 전사 자국의 발생은, 특히, 접착제층(52)이 유연한 수지로 형성되는 경우나 두께가 있는 경우 및 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프(50)의 권취수가 많은 경우 등에 현저하다. 그리고, 전사 자국이 발생하면, 접착제층과 반도체 웨이퍼의 접착 불량에 의해, 웨이퍼의 가공 시에 문제가 생길 우려가 있다.In the dicing and die bonding tape 50 as described above, the portion where the adhesive layer 52 and the circular label portion 53a of the adhesive film 53 are laminated is thicker than the peripheral portion 53b of the adhesive film 53 . The stepped portion of the adhesive layer 52 and the laminated portion of the circular label portion 53a of the adhesive film 53 and the peripheral portion 53a of the adhesive film 53 overlap when the product is wound in the form of a roll, A phenomenon in which a step is transferred to the surface of the flexible adhesive layer 52, that is, a transfer mark (also referred to as a label mark, a wrinkle, or a winding mark) occurs as shown in Fig. The generation of such a transfer mark is conspicuous particularly when the adhesive layer 52 is formed of a flexible resin, when it has a thickness, and when the number of dicing / die bonding tapes 50 is large. If a transfer mark occurs, there is a possibility that a problem may occur at the time of processing the wafer due to poor adhesion between the adhesive layer and the semiconductor wafer.

이와 같은 문제를 해결하기 위해, 이형 필름의, 접착제층 및 점착 필름이 설치된 제1 면과는 반대의 제2 면 위이며, 또한 이형 필름의 짧은 방향 양단부에 지지 부재를 설치한 웨이퍼 가공용 테이프가 개발되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이와 같은 웨이퍼 가공용 테이프는 지지 부재가 설치되어 있으므로, 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취했을 때에, 테이프에 가해지는 권취압을 분산하거나, 혹은 지지 부재에 모을 수 있으므로, 접착제층으로의 전사 자국의 형성을 억제할 수 있다.In order to solve such a problem, a wafer processing tape having a supporting member provided on both sides of the release film on the second surface opposite to the first surface provided with the adhesive layer and the adhesive film, (See, for example, Patent Document 1). Since such a wafer for processing tapes is provided with a supporting member, the winding pressure applied to the tape can be dispersed or collected in the supporting member when the wafer for processing tape is wound in a roll form. Therefore, Can be suppressed.

일본 특허 제4360653호 공보Japanese Patent No. 4360653

그런데, 일반적으로 점착 필름(53)은 접착제층(52)을 덮고, 또한 그 주위에서 이형 필름(51)에 접촉하고 있지만, 접착제층(52)의 두께에 의해, 접착제층(52)의 주연부에는 이형 필름(51)과 점착 필름(53) 사이에 극히 약간의 공극이 생겨, 공기(에어)가 남는 경우가 있다. 이와 같은 이형 필름(51)과 점착 필름(53) 사이의 에어는 이동하여 원형 라벨부(53a)의 외측으로 릴리프되는 경우도 있고, 그와 같은 경우에는 물성에는 큰 영향은 미치지 않는다.In general, the adhesive film 53 covers the adhesive layer 52 and contacts the release film 51 around the adhesive layer 52. However, depending on the thickness of the adhesive layer 52, An extremely small gap may be formed between the release film 51 and the adhesive film 53, and air (air) may remain. The air between the releasing film 51 and the adhesive film 53 may be moved to the outside of the circular label portion 53a to relieve it. In such a case, the physical properties are not greatly affected.

그러나, 특허문헌 1의 웨이퍼 가공용 테이프와 같이 전사 자국을 방지하기 위해, 접착제층의 두께 이상의 두께를 갖는 지지 부재를 설치한 경우, 접착제층의 외측의 쪽이 큰 두께를 갖게 되므로, 접착제층 주연부의 에어를 접착제층의 내측으로 유인하기 쉬워진다는 리스크가 있다.However, in the case where a support member having a thickness equal to or greater than the thickness of the adhesive layer is provided to prevent transfer marks as in the case of the wafer processing tape of Patent Document 1, since the outer side of the adhesive layer has a large thickness, There is a risk that air can be easily attracted to the inside of the adhesive layer.

따라서, 본 발명은 라벨 자국의 발생을 저감시킬 수 있고, 또한 접착제층과 점착 필름 사이에 공기(에어)가 혼입(말려 들어가는 것)하는 것을 저감할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것을 과제로 한다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a wafer processing tape capable of reducing occurrence of a label mark, and capable of reducing air entrainment (entrainment) between an adhesive layer and an adhesive film .

이상의 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는 장척의 이형 필름과, 상기 이형 필름의 제1 면 위에 설치된 소정의 평면 형상을 갖는 접착제층과, 상기 접착제층을 덮고, 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 이형 필름에 접촉하도록 설치된 소정의 평면 형상을 갖는 라벨부와, 상기 라벨부의 외측을 둘러싸는 주변부를 갖는 점착 필름과, 상기 이형 필름의, 상기 접착제층 및 점착 필름이 설치된 제1 면과는 반대의 제2 면 위이며, 또한 상기 이형 필름의 짧은 방향 양단부이며, 상기 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 상기 접착제층의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 설치된 지지 부재를 갖는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, a wafer processing tape according to the present invention comprises a long release film, an adhesive layer having a predetermined planar shape provided on a first surface of the release film, and a second adhesive layer covering the adhesive layer, An adhesive film having a label portion having a predetermined planar shape provided to contact the release film around the periphery of the label portion and a peripheral portion surrounding the outside of the label portion; And a support member provided on the second face opposite to the first face and opposite to both ends in the short direction of the release film so as to be caught in a region corresponding to an end portion of the adhesive layer in a short direction of the release film .

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 상기 지지 부재의 폭의 합계를 sD, 상기 접착제층의 직경을 aφ, 상기 이형 필름의 짧은 방향의 길이를 L로 했을 때, 0㎜<[(sD+aφ)-L]<20㎜인 것이 바람직하다.When the sum of the widths of the support members in the short direction of the release film is sD, the diameter of the adhesive layer is a?, And the length of the release film in the short direction is L, <[(sD + a?) -L] <20 mm.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 지지 부재의 선팽창 계수가 300ppm/℃ 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the semiconductor processing tape has a linear expansion coefficient of 300 ppm / 占 폚 or less.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 지지 부재의 선팽창 계수와 상기 이형 필름의 선팽창 계수의 차가 250ppm/℃ 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the difference between the linear expansion coefficient of the support member and the linear expansion coefficient of the release film is 250 ppm / 占 폚 or less in the semiconductor processing tape.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프의 상기 점착 필름은 점착제층과 기재 필름을 갖고, 상기 기재 필름과 상기 지지 부재 사이의 정지 마찰 계수가 0.2 내지 2.0인 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive film of the tape for semiconductor processing has a pressure-sensitive adhesive layer and a base film, and a coefficient of static friction between the base film and the support member is 0.2 to 2.0.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 지지 부재는 상기 이형 필름의 긴 (길이)방향을 따라 연속적으로 설치되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the semiconductor processing tape is provided such that the supporting members are continuously provided along the long (length) direction of the release film.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 지지 부재가, 상기 접착제층의 두께 이상의 두께를 갖는 것이 바람직하다.In the semiconductor processing tape, it is preferable that the support member has a thickness equal to or greater than the thickness of the adhesive layer.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 지지 부재가, 착색되어 있어도 된다. 이때, 지지 부재는 웨이퍼 가공용 테이프의 종류에 따라 착색되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 웨이퍼 가공용 테이프의 두께에 따라 착색되어 있어도 된다.In the semiconductor processing tape, the supporting member may be colored. At this time, it is preferable that the supporting member is colored depending on the kind of the wafer processing tape. It may also be colored depending on the thickness of the wafer processing tape.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 지지 부재가 2층 이상의 적층 구조를 갖는 것이 바람직하다.In the semiconductor processing tape, it is preferable that the support member has a laminated structure of two or more layers.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 지지 부재는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌 및 고밀도 폴리에틸렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 수지 필름 기재에 점접착제를 도포한 점접착 테이프인 것이 바람직하다.It is preferable that the above-mentioned semiconductor processing tape is a dicing tape in which the support member is coated with a point-adhesive on a resin film base material selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polypropylene and high-density polyethylene.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 23℃에 있어서의 상기 점착 필름의 인장 저장 탄성률 Eb와, 23℃에 있어서의 상기 이형 필름의 인장 저장 탄성률 Ea의 비 Eb/Ea가 0.001 내지 100인 것이 바람직하다.The semiconductor processing tape preferably has a ratio Eb / Ea of the tensile storage elastic modulus Eb of the pressure-sensitive adhesive film at 23 ° C and the tensile storage elastic modulus Ea of the release film at 23 ° C of from 0.001 to 100.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 이형 필름의 두께 Ta와, 상기 점착 필름의 두께 Tb의 비 Ta/Tb가 0.07 내지 2.5인 것이 바람직하다.In the semiconductor processing tape, the ratio Ta / Tb of the thickness Ta of the release film to the thickness Tb of the adhesive film is preferably 0.07 to 2.5.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 온도 23±2℃, 박리 속도 300㎜/min의 조건 하에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 상기 접착제층과 상기 이형 필름 사이의 박리력 F1이 0.025 내지 0.075N/100㎜이고, 상기 접착제층과 상기 점착 필름 사이의 박리력 F2가 0.08 내지 10N/100㎜이고, F1<F2인 것이 바람직하다.The peeling force F1 between the adhesive layer and the release film in the T-type peeling test under the condition of the temperature of 23 占 폚 and the peeling speed of 300 mm / min is 0.025 to 0.075 N / 100 mm , And the peeling force F2 between the adhesive layer and the adhesive film is 0.08 to 10 N / 100 mm, and F1 < F2 is preferable.

본 발명에 따르면, 라벨 자국의 발생을 저감할 수 있고, 또한 접착제층과 점착 필름 사이에 공기(에어)가 혼입하는 것을 저감할 수 있다.According to the present invention, it is possible to reduce the occurrence of label marks and to reduce the mixing of air (air) between the adhesive layer and the adhesive film.

도 1의 (a)는 본 발명의 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 평면도이고, (b)는 (a)의 선 A-A에 의한 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 단면도.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 단면도.
도 4는 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 사시도.
도 5의 (a)는 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 평면도이고, (b)는 (a)의 선 B-B에 의한 단면도.
도 6은 웨이퍼 가공용 테이프와 다이싱용 링 프레임이 접합된 상태를 도시하는 단면도.
도 7은 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 문제를 설명하기 위한 모식도.Fig. 1 (a) is a plan view of a wafer processing tape according to an embodiment of the present invention, and Fig. 1 (b) is a sectional view taken along the line AA in Fig.
2 is a sectional view of a wafer processing tape according to another embodiment of the present invention.
3 is a sectional view of a wafer processing tape according to another embodiment of the present invention.
4 is a perspective view of a conventional wafer processing tape.
FIG. 5A is a plan view of a conventional wafer processing tape, and FIG. 5B is a sectional view taken along the line BB in FIG.
6 is a cross-sectional view showing a state in which a wafer processing tape and a dicing ring frame are joined;
7 is a schematic view for explaining a problem of a conventional wafer processing tape.

이하에 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 도 1의 (a)는 본 발명의 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프(다이싱ㆍ다이 본딩 테이프)의 평면도, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 선 A-A에 의한 단면도이다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Fig. 1 (a) is a plan view of a wafer processing tape (dicing and die bonding tape) according to an embodiment of the present invention, and Fig. 1 (b) is a sectional view taken along the line A-A in Fig.

도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 장척의 이형 필름(11)과, 접착제층(12)과, 점착 필름(13)과, 지지 부재(14)를 갖는다.1 (a) and 1 (b), the wafer processing tape 10 comprises a long release film 11, an adhesive layer 12, an adhesive film 13, Member (14).

접착제층(12)은 이형 필름의 제1 면 위에 설치되고, 웨이퍼의 형상에 대응한 원형 라벨 형상을 갖고 있다. 점착 필름(13)은 접착제층(12)을 덮고, 또한 접착제층(12)의 주위에서 이형 필름에 접촉하도록 설치된 원형 라벨부(13a)와, 이 원형 라벨부(13a)의 외측을 둘러싸는 주변부(13b)를 갖는다. 주변부(13b)는 원형 라벨부(13a)의 외측을 완전히 둘러싸는 형태와, 도시한 바와 같은 완전히 둘러싸지는 않은 형태를 포함한다. 원형 라벨부(13a)는 다이싱용의 링 프레임에 대응하는 형상을 갖는다. 그리고, 지지 부재(14)는 이형 필름(11)의, 접착제(12) 및 점착 필름(13)이 설치된 제1 면(11a)과는 반대의 제2 면(11b)이며, 또한 이형 필름(11)의 짧은 방향 양단부이며, 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 설치되어 있다.The adhesive layer 12 is provided on the first surface of the release film and has a circular label shape corresponding to the shape of the wafer. The adhesive film 13 has a circular label portion 13a covering the adhesive layer 12 and provided so as to contact the release film around the adhesive layer 12 and a peripheral label portion 13b surrounding the outer side of the circular label portion 13a. (13b). The peripheral portion 13b includes a shape that completely surrounds the outside of the circular label portion 13a and a shape that is not completely surrounded as shown. The circular label portion 13a has a shape corresponding to the ring frame for dicing. The support member 14 is a second surface 11b of the release film 11 opposite to the first surface 11a on which the adhesive 12 and the adhesive film 13 are provided and also the release film 11 And is provided so as to hang in a region corresponding to the end portion of the adhesive layer 12 in the short direction of the release film 11. [

이하, 본 실시 형태의 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 각 구성 요소에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, each component of the wafer processing tape 10 of the present embodiment will be described in detail.

(이형 필름)(Release film)

본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 사용되는 이형 필름(11)으로서는, 폴리에스테르(PET, PBT, PEN, PBN, PTT)계, 폴리올레핀(PP, PE)계, 공중합체(EVA, EEA, EBA)계, 또한 이들 재료를 일부 치환하여, 접착성이나 기계적 강도를 더욱 향상시킨 필름을 사용할 수 있다. 또한, 이들 필름의 적층체여도 된다.Examples of the release film 11 used for the wafer processing tape 10 of the present invention include polyesters (PET, PBT, PEN, PBN, PTT), polyolefins (PP, PE), copolymers (EVA, EEA, EBA ) Or a film in which these materials are partially substituted to further improve the adhesiveness and mechanical strength can be used. Further, these films may be laminated.

이형 필름의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니고, 적절히 설정해도 되지만, 25 내지 50㎛가 바람직하다.The thickness of the release film is not particularly limited and may be appropriately set, but it is preferably 25 to 50 占 퐉.

(접착제층)(Adhesive layer)

본 발명의 접착제층(12)은, 상술한 바와 같이 이형 필름(11)의 제1 면(11a) 위에 형성되고, 웨이퍼의 형상에 대응하는 원형 라벨 형상을 갖는다.The adhesive layer 12 of the present invention is formed on the first surface 11a of the release film 11 as described above and has a circular label shape corresponding to the shape of the wafer.

접착제층(12)은 반도체 웨이퍼 등이 접합되어 다이싱된 후, 칩을 픽업할 때에, 칩 이면에 부착되어 있고, 칩을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용되는 것이다. 접착제층(12)으로서는, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 페놀계 수지로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 점접착제 등을 바람직하게 사용할 수 있다. 이밖에, 폴리이미드계 수지나 실리콘계 수지를 사용할 수도 있다. 그 두께는 적절히 설정해도 되지만, 5 내지 100㎛ 정도가 바람직하다.The adhesive layer 12 is attached to the back surface of the chip when the semiconductor wafer or the like is bonded and diced and then picked up, and is used as an adhesive for fixing the chip to the substrate or the lead frame. As the adhesive layer 12, a point adhesive containing at least one kind selected from an epoxy resin, an acrylic resin and a phenol resin can be preferably used. In addition, a polyimide resin or a silicone resin may be used. The thickness may be appropriately set, but it is preferably about 5 to 100 mu m.

(점착 필름)(Adhesive film)

본 발명의 점착 필름(13)은, 상술한 바와 같이 다이싱용의 링 프레임의 형상에 대응하는 원형 라벨부(13a)와, 그 외측을 둘러싸는 주변부(13b)를 갖는다. 이와 같은 점착 필름은 프리컷 가공에 의해, 필름 형상 점착제로부터 원형 라벨부(13a)의 주변 영역을 제거함으로써 형성할 수 있다.The adhesive film 13 of the present invention has the circular label portion 13a corresponding to the shape of the ring frame for dicing as described above and the peripheral portion 13b surrounding the circular label portion 13a. Such an adhesive film can be formed by removing the peripheral region of the circular label portion 13a from the film-shaped pressure-sensitive adhesive by free cutting.

점착 필름(13)으로서는, 특별히 제한은 없고, 웨이퍼를 다이싱할 때에는 웨이퍼가 박리되지 않도록 충분한 점착력을 갖고, 다이싱 후에 칩을 픽업할 때에는 용이하게 접착제층으로부터 박리될 수 있도록 낮은 점착력을 나타내는 것이면 된다. 예를 들어, 기재 필름에 점착제층을 형성한 것을 적절히 사용할 수 있다.As the adhesive film 13, there is no particular limitation, and when the wafer is diced, it has a sufficient adhesive force not to peel the wafer, and when the chip is picked up after dicing, the adhesive film 13 exhibits a low adhesive force so as to be easily peeled off from the adhesive layer do. For example, a material having a pressure-sensitive adhesive layer formed on a base film may suitably be used.

점착 필름(13)의 기재 필름으로서는, 종래 공지의 것이면 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있지만, 후술하는 점착제층으로서 방사선 경화성의 재료를 사용하는 경우에는, 방사선 투과성을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다.The base film of the adhesive film 13 is not particularly limited as far as it is conventionally known and can be used. When a radiation curable material is used as a pressure sensitive adhesive layer described later, it is preferable to use a material having radiation permeability.

예를 들어, 그 재료로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 혹은 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머 및 이들의 혼합물을 열거할 수 있다. 또한, 기재 필름은 이들 군으로부터 선택되는 2종 이상의 재료가 혼합된 것이어도 되고, 이들이 단층 또는 복층화된 것이어도 된다.Examples of the material include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- Homopolymers or copolymers of? -Olefins such as methyl acrylate, methyl acrylate, methyl acrylate, methyl acrylate, methyl acrylate, methyl acrylate, methyl acrylate, methyl acrylate, Thermoplastic elastomers, and mixtures thereof. The base film may be a mixture of two or more kinds of materials selected from these groups, or may be a single layer or a multi-layered film.

기재 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 적절히 설정해도 되지만, 50 내지 200㎛가 바람직하다.The thickness of the base film is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 50 to 200 占 퐉.

점착 필름(13)의 점착제층에 사용되는 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 점착제에 사용되는 공지의 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.The resin used for the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film (13) is not particularly limited, and known chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin and the like used for the pressure-sensitive adhesive can be used.

점착제층(13)의 수지에는 아크릴계 점착제, 방사선 중합성 화합물, 광중합 개시제, 경화제 등을 적절히 배합하여 점착제를 제조하는 것이 바람직하다. 점착제층(13)의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니고, 적절히 설정해도 되지만, 5 내지 30㎛가 바람직하다.A pressure sensitive adhesive is preferably prepared by appropriately blending an acrylic pressure sensitive adhesive, a radiation polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a curing agent and the like to the resin of the pressure sensitive adhesive layer (13). The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 13 is not particularly limited and may be appropriately set, but it is preferably 5 to 30 占 퐉.

방사선 중합성 화합물을 점착제층에 배합하여 방사선 경화에 의해 접착제층으로부터 박리되기 쉽게 할 수 있다. 그 방사선 중합성 화합물은, 예를 들어 광조사에 의해 삼차원 그물 형상화할 수 있는 분자 내에 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 갖는 저분량 화합물이 사용된다.The radiation-polymerizable compound can be mixed with the pressure-sensitive adhesive layer and easily peeled from the adhesive layer by radiation curing. As the radiation polymerizing compound, for example, a low-molecular compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in molecules capable of forming a three-dimensional network by light irradiation is used.

구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트나, 올리고에스테르아크릴레이트 등이 적용 가능하다.Specific examples include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene Glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, and the like are applicable.

또한, 상기와 같은 아크릴레이트계 화합물 외에, 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 사용할 수도 있다. 우레탄아크릴레이트계 올리고머는 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들어, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌이소시아네이트, 1,4-크실릴렌이소시아네이트, 디페닐메탄(4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 예비 중합체에, 히드록실기를 갖는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들어, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어진다.In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers may also be used. The urethane acrylate oligomer is obtained by reacting a polyol compound such as polyester type or polyether type with a polyisocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene Acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (e.g., an isocyanate group-containing urethane prepolymer, a urethane prepolymer, a urethane prepolymer, a urethane prepolymer, or a urethane prepolymer) is reacted with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting isocyanate, 1,4-xylylene isocyanate, Hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate) Loses.

점착제층에는 상기의 수지로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것이어도 된다.The pressure-sensitive adhesive layer may be a mixture of two or more kinds selected from the above-mentioned resins.

광중합 개시제를 사용하는 경우, 예를 들어 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티옥산톤, 도데실티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 디에틸티옥산톤, 벤질디메틸케탈, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등을 사용할 수 있다. 이들 광중합 개시제의 배합량은 아크릴계 공중합체 100질량부에 대해 0.01 내지 5질량부가 바람직하다.When a photopolymerization initiator is used, for example, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, Benzyl dimethyl ketal,? -Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl propane and the like can be used. The blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass relative to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.

(지지 부재)(Supporting member)

지지 부재(14)는 이형 필름(11)의, 접착제(12) 및 점착 필름(13)이 설치된 제1 면(11a)과는 반대의 제2 면(11b)이며, 또한 이형 필름(11)의 짧은 방향 양단부이며, 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 설치되어 있다. 이와 같이, 지지 부재(14)를 설치함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 롤 형상으로 권취했을 때에, 테이프에 가해지는 권취압을 분산하거나, 혹은 지지 부재(14)에 모을 수 있으므로, 접착제층(12)으로의 전사 자국의 형성을 억제하는 것이 가능해진다.The support member 14 is a second surface 11b of the release film 11 opposite to the first surface 11a on which the adhesive 12 and the adhesive film 13 are provided and the second surface 11b of the release film 11 And is provided so as to be caught in a region corresponding to an end portion of the adhesive layer 12 in the short direction of the release film 11. [ As described above, by providing the support member 14, the winding pressure applied to the tape can be dispersed or collected in the support member 14 when the wafer for processing tape 10 is wound in the form of a roll, 12 can be suppressed.

또한, 지지 부재(14)가 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 설치되어 있으므로, 접착제층(12)과 점착 필름(13)의 원형 라벨부(13a) 사이에 공기(에어)가 혼입하는 것을 저감할 수 있다. 즉, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 롤 형상으로 권취되기 때문에, 에어는 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부 주연의 이형 필름(11)과 원형 라벨부(13a) 사이에 집중되기 쉽다. 본원 발명에서는 웨이퍼 가공용 테이프(10)가 롤 형상으로 권취되었을 때, 라벨부(13a)를 통해, 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부에 지지 부재(14)가 걸려 있으므로, 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부의 대응하는 웨이퍼 가공용 테이프(10) 전체의 두께가, 접착제층(12)의 외측의 부분에 대응하는 웨이퍼 가공용 테이프(10) 전체의 두께보다도, 접착제층(12)의 두께 분만큼 두껍게 되어 있다. 따라서, 에어가 접착제층(12)의 내측의 영역이며 접착제층(12)과 점착 필름(13)의 원형 라벨부(13a) 사이에 침입하는 것을 방지할 수 있다.Since the support member 14 is provided so as to hang in the region corresponding to the end portion of the adhesive layer 12 in the short direction of the release film 11, It is possible to reduce mixing of air (air) between the label portions 13a. That is, since the wafer for processing tape 10 is wound in a roll shape, the air is adhered to the mold release film 11 and the circular label portion 13a at the peripheral edge of the adhesive layer 12 in the short direction of the release film 11, Lt; / RTI &gt; In the present invention, when the wafer processing tape 10 is wound in a roll form, the support member 14 is attached to the end of the adhesive layer 12 in the short direction of the release film 11 through the label portion 13a The thickness of the entire wafer processing tape 10 at the end portion of the adhesive layer 12 in the short direction of the release film 11 is smaller than the thickness of the wafer processing tape 10 corresponding to the portion outside the adhesive layer 12, The thickness of the adhesive layer 12 is thicker than the entire thickness of the adhesive layer 12. [ Therefore, it is possible to prevent air from entering the space between the adhesive layer 12 and the circular label portion 13a of the adhesive film 13, which is an area inside the adhesive layer 12. [

또한, 지지 부재를 접착제(12) 및 점착 필름(13)이 설치된 제1 면(11a)에 형성하는 경우에는, 지지층의 폭에 제한이 있는 것에 비해, 본 실시 형태의 구성에서는 지지 부재(14)의 폭을 넓게 확보할 수 있어, 보다 효과적으로 전사 자국의 발생을 억제할 수 있다.In the case where the support member is formed on the first surface 11a provided with the adhesive 12 and the adhesive film 13, the width of the support layer is limited, It is possible to secure a wide width of the magnetic recording medium and to suppress the occurrence of the transfer mark more effectively.

또한, 지지 부재(14)를 이형 필름(11)의 제2 면(11b)에 설치함으로써, 지지 부재(14)의 위치 어긋남에 대한 허용도가 커진다는 효과가 얻어진다.In addition, by providing the support member 14 on the second surface 11b of the release film 11, there is obtained an effect that the allowance for the positional deviation of the support member 14 is increased.

또한, 지지 부재(14)를 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 설치함으로써, 접착제층(12)의 단부에 지지 부재(14)에 의한 전사 자국이 발생할 가능성이 있지만, 접착제층(12)은 일반적으로 웨이퍼(W)로의 접합 마진을 고려하여, 웨이퍼(W)보다 크게 되어 있고, 접착제층(12)의 단부에는 웨이퍼(W)가 접합되지 않으므로, 문제가 되지 않는다. 또한, 지지 부재(14)에 의한 전사 자국이 발생하는 경우에는, 이형 필름(11)의 길이 방향을 따라 발생하지만, 이형 필름(11)의 길이 방향은 웨이퍼(W)에 접합될 때의 진행 방향으로 되므로, 접착제층(12)의 단부에 웨이퍼(W)가 접합되는 경우라도, 지지 부재(14)에 의한 전사 자국에 기인하는 에어는 접합 시에 빠지기 쉽고, 웨이퍼(W)와의 계면에 보이드로서 남기 어렵다.The supporting member 14 is provided so as to hang in the region corresponding to the end portion of the adhesive layer 12 in the short direction of the release film 11 so that the end portion of the adhesive layer 12 is supported by the supporting member 14 The adhesive layer 12 is generally larger than the wafer W in consideration of the bonding margin to the wafer W and the wafer W is attached to the end of the adhesive layer 12 Since it is not bonded, it is not a problem. When the transfer material is generated by the support member 14, the release film 11 is formed along the longitudinal direction of the release film 11, but the longitudinal direction of the release film 11 is the direction of progression in joining the wafer W Even if the wafer W is adhered to the end of the adhesive layer 12, the air caused by the transfer traces by the support member 14 is likely to fall off during bonding, and as a void at the interface with the wafer W It is hard to leave.

이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 지지 부재(14)의 폭이나 개수는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 지지 부재(14)의 폭의 합계를 sD, 접착제층(12)의 직경을 aφ, 이형 필름(11)의 짧은 방향의 길이를 L로 했을 때, 0㎜<[(sD+aφ)-L]<20㎜인 것이 바람직하고, 상한값이 15㎜ 이내인 것이 보다 바람직하고, 또한 상한값이 10㎜ 이내인 것이 보다 바람직하다. [(sD+aφ)-L]<20㎜로 함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프(10)가 롤 형상으로 권취되었을 때에, 접착제층(12)에 있어서 라벨부(13a)를 통해 지지 부재(14)가 권취되어 있던 영역에는, 일반적으로는 웨이퍼(W)가 접합되지 않게 된다. 지지 부재(14)의 폭의 합계 sD는 각 지지 부재의 폭 d1, d2, d3…의 합계값이다. 또한, 각 지지 부재의 폭 D는 5㎜ 이상 45㎜ 이내인 것이 바람직하다.Although the width and the number of the support members 14 in the short direction of the release film 11 are not particularly limited, the total width of the support members 14 may be sD, the diameter of the adhesive layer 12 may be a, When the length of the film 11 in the short direction is L, it is preferable that 0 mm <(sD + a?) -L <20 mm, more preferably the upper limit is 15 mm or less, Mm or less. when the wafer processing tape 10 is wound in the form of a roll, the support member 14 is wound around the label portion 13a in the adhesive layer 12, In general, the wafer W is not bonded to the region where the wafer W was formed. The sum sD of the widths of the support members 14 is the widths d1, d2, d3, ... of the respective support members. . It is preferable that the width D of each supporting member is within 5 mm or more and 45 mm or less.

지지 부재(14)의 두께로서는, 이형 필름(11) 위에 있어서의, 접착제층(12)과 점착 필름(13)의 원형 라벨부(13a)의 적층 부분과, 점착 필름(13)의 주변부(13b)의 단차에 상당하는 두께, 즉 접착제층(12)과 동일하거나, 또는 그 이상인 것이 바람직하고, 접착제층(12)의 1.0배 이상 4.0배 이하인 것이 보다 바람직하다. 지지 부재(14)가 접착제층(12)의 1.0배 이상의 두께를 가짐으로써, 테이프(10)를 권취했을 때에, 점착 필름(13)과 그 표면에 겹치는 이형 필름(11)의 제2 면(11b)이 접촉하거나, 또는 접촉하지 않고 이들 사이에 공간이 형성되므로, 점착 필름(13)을 통해 유연한 접착제층(12)에 이형 필름(11)의 제2 면(11b)이 강하게 가압되는 경우가 없다. 따라서, 전사 자국의 발생을 한층 효과적으로 억제할 수 있다. 한편, 지지 부재가 접착제층의 4.0배 이하의 두께를 가짐으로써, 상기 공간의 크기를 제어하여, 공간이 지나치게 커짐으로써, 접착제층(12), 점착 필름(13), 이형 필름(11)의 각 층 사이에 대해, 공기의 침입을 초래하기 쉬워지는 상태를 방지할 수 있다. 도 2는 접착제층(12)보다도 두꺼운 지지 부재(14')의 예를 도시하는 단면도이다.The thickness of the support member 14 is preferably set such that the laminated portion of the adhesive layer 12 and the circular label portion 13a of the adhesive film 13 on the release film 11 and the peripheral portion 13b of the adhesive film 13 , That is, the same or larger than that of the adhesive layer 12, and more preferably 1.0 times or more and 4.0 times or less of the adhesive layer 12. The support member 14 has a thickness of 1.0 times or more the thickness of the adhesive layer 12 so that the adhesive film 13 and the second surface 11b of the release film 11 overlapping the surface thereof when the tape 10 is wound up The second surface 11b of the release film 11 is not strongly pressed to the flexible adhesive layer 12 through the adhesive film 13 because a space is formed between the first surface 11b and the second surface 11b . Therefore, the occurrence of the transferring marks can be suppressed more effectively. On the other hand, since the support member has a thickness of 4.0 times or less the thickness of the adhesive layer, the size of the space is controlled to make the space excessively large so that the adhesive layer 12, the adhesive film 13, It is possible to prevent a state in which it is easy to cause intrusion of air between the layers. 2 is a sectional view showing an example of a support member 14 'which is thicker than the adhesive layer 12. In Fig.

지지 부재(14)는 이형 필름(11)의 긴 방향을 따라, 단속적 또는 연속적으로 설치할 수 있지만, 전사 자국의 발생을 보다 효과적으로 억제하는 관점에서는, 기재 필름(11)의 긴 방향을 따라 연속적으로 설치하는 것이 바람직하다.The support member 14 may be provided intermittently or continuously along the longitudinal direction of the release film 11 but may be continuously installed along the longitudinal direction of the base film 11 from the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of transfer marks .

본 발명의 지지 부재(14)는 300ppm/℃ 이하의 선팽창 계수를 갖는 것이 바람직하다. 웨이퍼 가공용 테이프는, 예를 들어 보관 시나 운송 시에는, -20℃ 내지 5℃ 정도로 저온 상태가 유지되고, 또한 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 웨이퍼에 접합할 때에는, 접착제를 가열 연화시켜 접착성을 높이기 위해, 히터 테이블에서 70 내지 80℃ 정도의 가열 접합이 행해지는 등, 웨이퍼 가공용 테이프는 온도 변화가 큰 환경 하에 놓인다. 온도 변화에 따라 지지 부재(14)의 치수가 변화되면, 이형 필름(11)과 점착 필름(13) 사이 및 접착제층(12)과 점착 필름(13) 사이에 공기가 침입하여 보이드가 발생하고, 웨이퍼에 대한 접합 불량이 발생하여, 그 후의 웨이퍼의 다이싱 공정이나 테이프의 익스팬드 공정, 또한 칩의 픽업 공정이나 마운트 공정에서의 수율의 저하를 초래할 우려가 있다. 본 발명에 있어서는, 300ppm/℃ 이하의 선팽창 계수가 낮은 지지 부재를 사용함으로써, 접착제층(12)으로의 전사 자국의 발생을 충분히 억제함과 함께, 온도 변화가 큰 사용 환경 하에 있어서도 지지 부재(13)의 치수 변화가 적어, 보이드의 발생을 억제할 수 있다.The support member 14 of the present invention preferably has a linear expansion coefficient of 300 ppm / DEG C or less. When the wafer processing tape is maintained at a low temperature, for example, at -20 to 5 캜 during storage or transportation, and when bonding the adhesive layer of the wafer processing tape to the wafer, the adhesive is heat- , The heating tape is heated to about 70 to 80 DEG C on the heater table, and the wafer processing tape is placed in an environment with a large temperature change. When the size of the support member 14 changes with the temperature change, air enters between the release film 11 and the adhesive film 13 and between the adhesive layer 12 and the adhesive film 13, Bonding failure to the wafer occurs, which may lead to a decrease in the yield in the subsequent dicing step of the wafer, the expanding step of the tape, and the pick-up step or mounting step of the chip. In the present invention, by using the support member having a low coefficient of linear expansion of 300 ppm / 占 폚 or less, generation of transfer marks on the adhesive layer 12 is sufficiently suppressed, and even under a use environment with a large temperature change, ) Is small and the occurrence of voids can be suppressed.

전사 자국의 발생 및 보이드의 발생을 보다 효과적으로 억제하기 위해서는, 지지 부재(14)의 선팽창 계수는 150ppm/℃ 이하인 것이 바람직하고, 70ppm/℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 선팽창 계수의 하한은 특별히 제한은 없고, 통상 0.1ppm/℃이다.The coefficient of linear expansion of the support member 14 is preferably 150 ppm / ° C or less, and more preferably 70 ppm / ° C or less, in order to more effectively suppress the generation of transfer marks and generation of voids. The lower limit of the coefficient of linear expansion is not particularly limited, and is usually 0.1 ppm / 占 폚.

또한, 지지 부재(14)의 선팽창 계수와 이형 필름(11)의 선팽창 계수의 차는 250ppm/℃ 이하인 것이 바람직하다. 선팽창 계수의 차가 250ppm/℃보다 큰 경우에는 보관 시 및 운송 시의 저온 상태와 사용 시의 상온 상태의 온도 변화에 따라, 지지 부재(14)와 이형 필름(11)의 치수의 차가 발생하므로, 이하와 같은 다양한 문제가 있다.The difference between the linear expansion coefficient of the support member 14 and the linear expansion coefficient of the release film 11 is preferably 250 ppm / ° C or less. When the difference in coefficient of linear expansion is larger than 250 ppm / 占 폚, a difference in dimension between the support member 14 and the release film 11 occurs depending on a low temperature state during storage and transportation and a temperature change in a normal temperature state during use. And the like.

(1) 온도 변화에 따라 치수차가 발생하면, 상술한 바와 같은, 이형 필름(11)과 점착 필름(13) 사이 및 접착제층(12)과 점착 필름(13) 사이에 보이드가 발생할 우려가 있다.(1) When a dimensional difference occurs in accordance with the temperature change, voids may occur between the release film 11 and the adhesive film 13 and between the adhesive layer 12 and the adhesive film 13 as described above.

(2) 유저가 롤 형상으로 핸들링할 때에 권취가 무너질 가능성이 증가한다. 보다 상세하게는, 예를 들어 제조, 출하 시에 정상적으로 권취되어 있어도, 유저측에서의 냉장 보관으로부터 상온 사용 시 및 상온 사용으로부터 냉장 보관 시에 치수차가 발생하여, 권취가 무너질 가능성이 증가한다.(2) When the user handles in a roll shape, the possibility of collapse of the winding increases. More specifically, for example, even when normally wound at the time of manufacture and shipping, there is a possibility that a dimensional difference occurs at the time of use at room temperature from refrigeration storage at the user side and at refrigeration storage at the time of use at room temperature, and the possibility of collapse of winding is increased.

(3) 치수차에 의해 롤 형상으로 권취된 시트 사이에 간극이 생겨, 롤 측면으로부터의 이물 혼입의 가능성이 증가한다.(3) A clearance is formed between the sheets wound in a roll shape by the dimensional difference, and the possibility of contamination of the foreign matters from the roll side is increased.

(4) 웨이퍼 가공용 테이프의 권취수가 많은 경우나 제품 폭이 넓은 경우에는, 상온으로부터 냉장 보관할 때에, 롤 중심측과 롤 외주측에서는 냉각 속도가 상이하이다. 이로 인해, 롤 중심측과 롤 외주측에서 선팽창차에 기인하는 지지 부재(14)와 이형 필름(11)의 치수차가 상이하여, 롤 전체에서의 형상이 변화될 가능성이 높다.(4) In the case where the tape for wafer processing has a large number of windings or a wide product width, the cooling speed is lower than or equal to the cooling rate on the roll center side and the outer peripheral side of the roll when refrigerated from room temperature. As a result, the difference in dimension between the support member 14 and the release film 11 due to the linear expansion difference on the roll center side and the roll outer circumferential side is different, and the shape of the entire roll is likely to change.

본 발명에 있어서, 선팽창 계수란, 정압 하에서 온도를 바꾸었을 때에 물체의 공간적 확대의 증가하는 비율을 말한다. 온도를 T, 그 고체의 길이를 L로 하면, 그 선팽창 계수 α는 이하의 식으로 주어진다.In the present invention, the coefficient of linear expansion refers to an increasing rate of spatial expansion of an object when the temperature is changed under static pressure. When the temperature is T and the length of the solid is L, the coefficient of linear expansion? Is given by the following equation.

α=(1/L)ㆍ(∂L/∂T)? = (1 / L) (? L /? T)

또한, 본 발명에 있어서의 선팽창 계수의 측정은, 예를 들어 JIS K7197, 플라스틱의 열기계 분석에 의한 선팽창률 시험 방법에 준거하여, 열기계적 분석 장치(TMA)를 사용하여, 길이 15㎜, 폭 5㎜, 척간 거리 10㎜로 절단한 시료를 설치하여, 인장 하중 10g, 승온 속도 5℃/min, N2 가스 분위기 하에서, 측정 온도 범위 -20℃ 내지 50℃의 조건으로 측정할 수 있다.The coefficient of linear expansion in the present invention can be measured using a thermomechanical analyzer (TMA), for example, according to JIS K7197, a linear expansion coefficient test method by thermomechanical analysis of plastic, 5 mm and a distance between the chucks of 10 mm. The sample can be measured under the conditions of a tensile load of 10 g, a temperature rise rate of 5 ° C / min, an N 2 gas atmosphere, and a measurement temperature range of -20 ° C to 50 ° C.

또한, 지지 부재(14)는 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 어긋남을 방지하는 관점에서, 점착 필름(13)에 대해 어느 정도의 마찰 계수를 갖는 재질의 것이 바람직하다. 이에 의해, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 어긋남을 방지할 수 있고, 고속 권취나 권취수를 증대시킬 수 있는 등의 효과가 얻어진다.The supporting member 14 is preferably made of a material having a certain degree of friction coefficient with respect to the adhesive film 13 from the viewpoint of preventing the winding off of the tape 10 for wafer processing. As a result, it is possible to prevent the wafer processing tape 10 from being wrapped around, and to achieve high-speed winding and increasing the number of windings.

지지 부재(14)와 점착 필름(13)의 기재 필름과의 사이의 정지 마찰 계수는 0.2 내지 2.0인 것이 바람직하고, 0.6 내지 1.6인 것이 보다 바람직하다. 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취하면, 이형 필름(11)의 제1 면(11a)측에 설치된 점착 필름(13)의 주변부(13a)와, 이형 필름(11)의 제2 면(11b)측에 설치된 지지 부재(14)가 접촉하므로, 지지 부재(14)와 점착 필름(13)의 기재 필름과의 사이의 정지 마찰 계수가 0.2 미만으로 작은 경우에는, 제조 시나 사용 시에 권취 어긋남이 발생하기 쉬워져 핸들링성이 악화된다. 한편, 2.0보다 큰 경우에는, 점착 필름(13)의 기재 필름과 지지 부재(14) 사이의 저항이 지나치게 커서, 제조 공정에서의 핸들링성이 악화되거나, 고속 권취 시 등에 사행되는 원인이 된다. 따라서, 양자간의 정지 마찰 계수를 상기 범위로 설정함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 어긋남을 방지할 수 있고, 고속 권취를 가능하게 하여, 권취수를 증대시킬 수 있는 등의 효과가 얻어진다.The coefficient of static friction between the support member 14 and the base film of the adhesive film 13 is preferably 0.2 to 2.0, more preferably 0.6 to 1.6. The peripheral portion 13a of the adhesive film 13 provided on the first surface 11a side of the release film 11 and the peripheral portion 13b of the release film 11 on the second surface 11b side If the coefficient of static friction between the supporting member 14 and the base film of the adhesive film 13 is as small as less than 0.2, a winding deviation occurs at the time of manufacture or use The handling becomes worse. On the other hand, if it is larger than 2.0, the resistance between the base film and the supporting member 14 of the adhesive film 13 becomes excessively large, which leads to deterioration of the handling property in the manufacturing process, Therefore, by setting the coefficient of static friction between them to the above range, it is possible to prevent winding deviation of the wafer for processing tape 10, enable high-speed winding, and increase the number of windings.

본 발명에 있어서, 지지 부재(14)와 점착 필름(13)의 기재 필름과의 사이의 정지 마찰 계수는 JIS K7125에 준거하며, 이하와 같은 측정 방법에 의해 얻을 수 있다.In the present invention, the coefficient of static friction between the support member 14 and the base film of the pressure-sensitive adhesive film 13 conforms to JIS K7125 and can be obtained by the following measurement method.

25㎜(폭)×100㎜(길이)로 각각 컷트된 점착 필름(13)의 기재 필름과 지지 부재(14)의 양 필름 샘플을 중첩하여, 하측의 필름을 고정한다. 계속해서, 적층된 필름 위에 중량 200g의 추를 하중 W로서 얹고, 상측의 필름을 200㎜/min의 속도로 인장하여, 미끄러져 나올 때의 힘 Fd(g)를 측정하고, 이하의 식으로부터 정지 마찰 계수(μd)를 구한다.The lower film is fixed by superposing both the base film of the adhesive film 13 cut with 25 mm (width) x 100 mm (length) and both film samples of the support member 14. Subsequently, a weight of 200 g in weight was placed as a load W on the laminated film, and the upper film was pulled at a speed of 200 mm / min to measure the force Fd (g) at the time of slipping out, The friction coefficient (μd) is obtained.

μd=Fd/Wμd = Fd / W

지지 부재(14)로서는, 예를 들어 수지 필름 기재에 점접착제를 도포한 점접착 테이프를 적절히 사용할 수 있다. 이와 같은 점접착 테이프를, 이형 필름(11)의 제2 면(11b)의 양단부 부분의 소정 위치에 부착함으로써, 본 실시 형태의 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 형성할 수 있다.As the support member 14, for example, a dicing tape in which a point adhesive is applied to a resin film base can be suitably used. By attaching such a viscous adhesive tape to predetermined positions of both end portions of the second surface 11b of the release film 11, the wafer processing tape 10 of the present embodiment can be formed.

점접착 테이프의 기재 수지로서는, 상기 선팽창 계수의 범위를 만족시키고, 또한 권취압에 견딜 수 있는 것이면 특별히 한정은 없지만, 내열성, 평활성 및 입수의 용이의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌 및 고밀도 폴리에틸렌으로부터 선택되는 것이 바람직하다.The base resin of the viscous adhesive tape is not particularly limited as long as it satisfies the range of the linear expansion coefficient and can withstand the winding pressure. However, from the viewpoints of heat resistance, smoothness and easy accessibility, polyethylene terephthalate (PET) And high-density polyethylene.

점접착 테이프의 점착제의 조성 및 물성에 대해서는, 특별히 한정은 없고, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 공정 및 보관 공정에 있어서, 이형 필름(11)으로부터 박리되지 않는 것이면 된다.The composition and physical properties of the pressure-sensitive adhesive of the pressure-sensitive adhesive tape are not particularly limited and may be those that can not be peeled off from the release film 11 in the winding process and the storage process of the wafer for processing tape 10.

또한, 지지 부재(14)로서는, 착색된 지지 부재를 사용해도 된다. 이와 같은 착색 지지 부재를 사용함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취했을 때에, 테이프의 종류를 명확하게 식별할 수 있다. 예를 들어, 착색 지지 부재(14)의 색을, 웨이퍼 가공용 테이프의 종류나 두께에 따라 상이하게 함으로써, 용이하게 테이프의 종류나 두께를 식별할 수 있고, 인위적인 미스의 발생을 억제, 방지할 수 있다.As the support member 14, a colored support member may be used. By using such a coloring supporting member, the kind of the tape can be clearly identified when the wafer processing tape is wound into a roll shape. For example, by making the color of the coloring supporting member 14 different depending on the type and thickness of the wafer processing tape, it is possible to easily identify the type and thickness of the tape and to suppress or prevent the occurrence of an artificial mist have.

또한, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 23℃에 있어서의 점착 필름(13)의 인장 저장 탄성률 Eb와, 23℃에 있어서의 이형 필름(11)의 인장 저장 탄성률 Ea의 비 Eb/Ea가 0.001 내지 100의 범위 내인 것이 바람직하다.The tape 10 for wafer processing has a ratio Eb / Ea of the tensile storage elastic modulus Eb of the adhesive film 13 at 23 ° C to the tensile storage elastic modulus Ea of the release film 11 at 23 ° C of from 0.001 to 100 Is preferable.

상기 Eb/Ea는 값이 클수록 상대적으로 점착 필름(13)이 단단하고, 이형 필름(11)이 유연하다. 한편, 상기 Eb/Ea는 값이 작을수록 상대적으로 점착 필름(13)이 유연하고, 이형 필름(11)이 단단하다. 상기 구성에 의하면, Eb/Ea가 0.001 이상이기 때문에, 점착 필름의 경도(인장 저장 탄성률 Eb)는 일정 이상으로 된다. 따라서, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 구성하는 접착제층(12)에 전사 자국이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 상기 Eb/Ea가 0.001 이상이고, 점착 필름(13)의 경도(인장 저장 탄성률 Eb)는 일정 이상으로 되기 때문에, 반도체 웨이퍼(W)로의 접합 시에, 점착 필름(13)과 이형 필름(11)을 적절히 박리할(픽킹할) 수 있다.As the value of Eb / Ea is larger, the adhesive film 13 is relatively hard and the release film 11 is flexible. On the other hand, the smaller the value of Eb / Ea, the more flexible the adhesive film 13 and the harder the release film 11. According to the above constitution, since the Eb / Ea is 0.001 or more, the hardness (tensile storage modulus of elasticity Eb) of the pressure-sensitive adhesive film becomes constant or higher. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of transfer marks on the adhesive layer 12 constituting the wafer 10 for tape processing. The Eb / Ea is 0.001 or more, and the hardness (tensile storage modulus of elasticity Eb) of the adhesive film 13 is equal to or more than a certain value. Therefore, when the adhesive film 13 and the release film 11) can be adequately peeled (picked).

또한, 상기 Eb/Ea가 100 이하이기 때문에, 이형 필름(11)의 경도(인장 저장 탄성률 Ea)는 일정 이상으로 되는 한편, 점착 필름(13)의 경도(인장 저장 탄성률 Eb)는 일정 이하로 된다. 따라서, 접착제층(12)의 이형 필름(11)으로의 접합 시에 이형 필름(11)에 꺾임이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 접착제층(12) 표면을 손상시키거나, 필름 사이에 기포가 혼입되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 이형 필름(11)의 필름 들뜸이나 반도체 웨이퍼(W)의 마운트 시에 접착제층(12)과 반도체 웨이퍼(W) 사이에서 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다.Since the Eb / Ea is not more than 100, the hardness (tensile storage elastic modulus Ea) of the release film 11 becomes a certain value or more and the hardness (tensile storage elastic modulus Eb) of the adhesive film 13 becomes constant or less . Therefore, it is possible to prevent the release film 11 from being bent when the adhesive layer 12 is bonded to the release film 11, and the surface of the adhesive layer 12 can be damaged, It can be prevented that it is mixed. As a result, occurrence of voids between the adhesive layer (12) and the semiconductor wafer (W) at the time of lifting the film of the release film (11) or mounting the semiconductor wafer (W) can be suppressed.

이와 같이, 상기 구성에 의하면, 롤 형상으로 권취했을 때에, 전사 자국이 접착제층(12)에 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 이형 필름(11)의 필름 들뜸이나, 반도체 웨이퍼(W)의 마운트 시에 접착제층(12)과 반도체 웨이퍼(W) 사이에서 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다.As described above, according to the above constitution, it is possible to suppress the occurrence of the transfer-causing mark on the adhesive layer 12 when the film is rolled up. It is also possible to suppress the occurrence of voids between the adhesive layer 12 and the semiconductor wafer W when the film of the release film 11 is lifted or when the semiconductor wafer W is mounted.

상기 구성에 있어서, 이형 필름(11)의 두께는 10 내지 100㎛인 것이 바람직하고, 점착 필름(13)의 두께는 25 내지 180㎛인 것이 바람직하다.In the above configuration, the thickness of the release film 11 is preferably 10 to 100 占 퐉, and the thickness of the adhesive film 13 is preferably 25 to 180 占 퐉.

또한, 상기 구성에 있어서, 23℃에 있어서의 점착 필름(13)의 인장 저장 탄성률 Eb는 1 내지 500㎫인 것이 바람직하고, 23℃에 있어서의 이형 필름(11)의 인장 저장 탄성률 Ea는 1 내지 5000㎫인 것이 바람직하다.In the above constitution, the tensile storage elastic modulus Eb of the pressure-sensitive adhesive film 13 at 23 ° C is preferably 1 to 500 MPa, and the tensile storage elastic modulus Ea of the release film 11 at 23 ° C is 1 to 100 MPa. 5000 MPa.

또한, 상기 구성에 있어서, 접착제층(12)은 유리 전이 온도가 0 내지 100℃의 범위 내이고, 또한 경화 전 23℃에 있어서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 내지 5000㎫의 범위인 것이 바람직하다. 접착제층(12)의 유리 전이 온도를 0℃ 이상으로 함으로써, B 스테이지 상태에서의 접착제층(12)의 점착성이 커지는 것을 억제하여, 양호한 취급성을 유지할 수 있다. 또한, 다이싱 시에, 접착제층(12)의 일부가 용융되어 점착제가 반도체 칩에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 반도체 칩의 양호한 픽업성을 유지할 수 있다. 한편, 유리 전이 온도를 100℃ 이하로 함으로써, 접착제층(12)의 유동성의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(W)와의 양호한 접착성도 유지할 수 있다. 또한, 접착제층(12)이 열경화형인 경우, 접착제층(12)의 유리 전이 온도란, 열경화 전의 것을 말한다. 또한, 접착제층(12)의 경화 전 23℃에 있어서의 인장 저장 탄성률을 50㎫ 이상으로 함으로써, 다이싱 시에, 접착제층(12)의 일부가 용융되어 점착제가 반도체 칩에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 인장 저장 탄성률을 5000㎫ 이하로 함으로써, 반도체 웨이퍼(W)나 기판과의 양호한 접착성도 유지할 수 있다.In the above configuration, it is preferable that the adhesive layer 12 has a glass transition temperature in the range of 0 to 100 占 폚 and a tensile storage modulus at 23 占 폚 before curing of 50 to 5000 MPa. By setting the glass transition temperature of the adhesive layer 12 to 0 占 폚 or more, the adhesiveness of the adhesive layer 12 in the B-stage state can be prevented from being increased, and good handling properties can be maintained. Further, at the time of dicing, it is possible to prevent a part of the adhesive layer 12 from melting and adhering the adhesive to the semiconductor chip. As a result, good pickup performance of the semiconductor chip can be maintained. On the other hand, by lowering the glass transition temperature to 100 占 폚 or less, the fluidity of the adhesive layer 12 can be prevented from lowering. In addition, good adhesion with the semiconductor wafer W can be maintained. When the adhesive layer 12 is of a thermosetting type, the glass transition temperature of the adhesive layer 12 refers to that before the thermosetting. Further, by setting the tensile storage modulus of the adhesive layer 12 at 23 占 폚 before curing to 50 Mpa or more, it is possible to prevent the adhesive layer 12 from being partially melted and sticking to the semiconductor chip during dicing . On the other hand, when the tensile storage elastic modulus is 5000 MPa or less, good adhesion with the semiconductor wafer W and the substrate can be maintained.

또한, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 이형 필름(11)의 두께를 Ta로 하고, 점착 필름(13)의 두께를 Tb로 했을 때, Ta/Tb가 0.07 내지 2.5의 범위 내인 것이 바람직하다.The wafer processing tape 10 preferably has a Ta / Tb ratio within the range of 0.07 to 2.5 when the thickness of the release film 11 is Ta and the thickness of the adhesive film 13 is Tb.

상기 Ta/Tb는, 예를 들어 이형 필름(11)의 두께 Ta를 일정하게 하면, 값이 작을수록, 점착 필름(13)이 두꺼워진다. 상기 구성에 의하면, Ta/Tb가 0.07 이상이므로, 점착 필름(13)이 적층되어 있는 부분과, 적층되어 있지 않은 부분의 단차는 일정 이하이다. 따라서, 전사 자국의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 상기 Ta/Tb가 0.07 이상이고, 이형 필름(11)에 비해 점착 필름(13)의 두께가 두껍기 때문에, 이형 필름(11)의 두께에 따라 응력을 흡수할 수 있어, 전사 자국의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 상기 Ta/Tb가 0.07 이상이고, 이형 필름(11)에 비해 점착 필름(13)의 두께가 두껍기 때문에, 반도체 웨이퍼(W)로의 접합 시에, 점착 필름(13)과 이형 필름(11)을 적절히 박리할(픽킹할) 수 있다. 또한, 상기 Ta/Tb는, 예를 들어 점착 필름(13)의 두께 Tb를 일정하게 하면, 값이 작을수록, 이형 필름(11)의 두께는 얇아진다. 상기 Ta/Tb가 2.5 이하이므로, 이형 필름(11)의 두께는 일정 이하이다. 따라서, 점착 필름(13)이 적층되어 있는 부분과, 적층되어 있지 않은 부분의 단차로의 추종성이 양호하다. 또한, 상기 Ta/Tb가 2.5 이하이고, 이형 필름(11)의 두께는 일정 이하이므로, 점착 필름(13)을 이형 필름에 라미네이트할 때의 압력을 균일하게 할 수 있어, 기포의 혼입을 방지할 수 있다. 이와 같이, 상기 구성에 의하면, 점착 필름(13) 위에 접착제층(12) 및 이형 필름(11)이 순차 적층된 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 롤 형상으로 권취했을 때에, 전사 자국이 접착제층(12)에 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해진다.When the thickness Ta of the release film 11 is made constant, the Ta / Tb becomes thicker as the value becomes smaller, for example, and the adhesive film 13 becomes thicker. According to the above configuration, since Ta / Tb is 0.07 or more, the step difference between the portion where the adhesive film 13 is laminated and the portion where the adhesive film 13 is not laminated is a certain level or less. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of transfer marks. In addition, since the Ta / Tb is 0.07 or more and the thickness of the adhesive film 13 is thicker than that of the release film 11, stress can be absorbed according to the thickness of the release film 11, . The adhesive film 13 and the release film 11 are bonded to each other at the time of bonding to the semiconductor wafer W because the Ta / Tb is 0.07 or more and the thickness of the adhesive film 13 is thicker than that of the release film 11, (Pecking) the substrate W. Further, when the thickness Tb of the adhesive film 13 is kept constant, the thickness of the release film 11 becomes thinner as the value becomes smaller. Since the Ta / Tb is 2.5 or less, the thickness of the release film 11 is a certain value or less. Therefore, the step coverage of the portion where the adhesive film 13 is laminated and the portion where the adhesive film 13 is not laminated is favorable. Further, since the thickness of the release film 11 is less than or equal to the Ta / Tb of 2.5 or less, the pressure at the time of laminating the pressure-sensitive adhesive film 13 on the release film can be made uniform, . Thus, when the wafer processing tape 10, in which the adhesive layer 12 and the release film 11 are sequentially laminated on the adhesive film 13, is rolled up in the form of a roll, Can be suppressed.

상기 구성에 있어서는, 온도 23±2℃, 박리 속도 300㎜/min의 조건 하에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 접착제층(12)과 이형 필름(11) 사이의 박리력 F1은 0.025 내지 0.075N/100㎜의 범위 내이고, 접착제층(12)과 점착 필름(13) 사이의 박리력 F2는 0.08 내지 10N/100㎜의 범위 내이고, 상기 F1과 상기 F2는 F1<F2의 관계를 만족시키는 것이 바람직하다.The peel force F1 between the adhesive layer 12 and the release film 11 in the T-type peel test under the condition of a temperature of 23 占 폚 and a peeling speed of 300 mm / min is 0.025 to 0.075 N / And the peeling force F2 between the adhesive layer 12 and the adhesive film 13 is in the range of 0.08 to 10 N / 100 mm, and F1 and F2 satisfy the relationship of F1 < F2 desirable.

웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 이완이나 권취 어긋남, 위치 어긋남, 보이드(기포) 등의 발생 방지의 관점에서, 점착 필름(13)이나 접착제층(12), 이형 필름(11)에 인장 장력을 가하면서 제조된다. 그 결과, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 그것을 구성하는 필름 중 어느 하나에 인장 잔류 변형이 존재한 상태에서 제조된다. 이 인장 잔류 변형은, 예를 들어 -30 내지 10℃의 저온 상태에서 수송하거나 장시간 보관했을 경우에, 각 필름에서 수축을 일으킨다. 또한, 각 필름은 물성이 상위하므로 수축의 정도도 상위하다. 예를 들어, 점착 필름(13)은 각 필름 중에서 가장 수축의 정도가 크고, 이형 필름(11)은 가장 수축의 정도가 작다. 그 결과, 점착 필름(13)과 접착제층(12) 사이에서 계면 박리를 발생시키거나, 이형 필름(11)의 필름 들뜸 현상을 일으킨다.The wafer processing tape 10 is subjected to tensile stress to the adhesive film 13, the adhesive layer 12 and the release film 11 from the viewpoints of relaxation, winding displacement, positional deviation, . As a result, the wafer processing tape 10 is produced in the state where tensile residual deformation exists in any of the films constituting the tape. This tensile residual strain causes shrinkage in each film when it is transported at a low temperature of, for example, -30 to 10 DEG C or stored for a long time. In addition, the degree of shrinkage is also different because each film has a different physical property. For example, the adhesive film 13 has the greatest degree of shrinkage among the respective films, and the release film 11 has the smallest degree of shrinkage. As a result, interfacial peeling may occur between the adhesive film 13 and the adhesive layer 12, or film peeling of the release film 11 may occur.

상기 구성은 접착제층(12)과 이형 필름(11) 사이의 박리력 F1을 0.025 내지 0.075N/100㎜의 범위로 하고, 또한 접착제층(12)과 점착 필름(13) 사이의 박리력 F2를 0.08 내지 10N/100㎜의 범위 내로 한 후, F1<F2의 관계를 만족시키는 구성으로 하는 것이다. 전술한 바와 같이, 각 필름에 있어서의 수축은 점착 필름이 가장 크기 때문에, 접착제층(12)과 이형 필름(11) 사이의 박리력 F1보다도, 접착제층(12)과 점착 필름(13) 사이의 박리력 F2를 크게 함으로써, 가장 수축률이 큰 점착 필름(13)의 수축을 억제하여, 점착 필름(13)과 접착제층(12) 사이의 계면 박리나, 이형 필름(11)의 필름 들뜸 현상을 방지하는 것이다. 또한, 접착제층(12)의 일부 또는 전부가 이형 필름(11)에 전사하는 것도 방지할 수 있다.In the above-described constitution, the peeling force F1 between the adhesive layer 12 and the release film 11 is set in the range of 0.025 to 0.075 N / 100 mm, and the peeling force F2 between the adhesive layer 12 and the adhesive film 13 is set to 0.08 to 10 N / 100 mm, then the relationship of F1 < F2 is satisfied. As described above, the shrinkage in each of the films is the largest in the adhesive film, so that the peeling force F1 between the adhesive layer 12 and the release film 11 is greater than the peeling force F1 between the adhesive layer 12 and the release film 11. [ It is possible to suppress shrinkage of the adhesive film 13 having the greatest shrinkage percentage and to prevent peeling of the interface between the adhesive film 13 and the adhesive layer 12 and peeling of the film of the release film 11 by increasing the peeling force F2 . It is also possible to prevent part or all of the adhesive layer 12 from being transferred to the release film 11. [

[실시예][Example]

다음에, 본 발명의 실시예에 대해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples.

(1) 이형 필름(1) Release film

이하에 나타내는 이형 필름을 준비하였다.The following release films were prepared.

이형 필름 A1: 두께 25㎛, 폭 390㎜의 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(인장 저장 탄성률은 4070㎫, 선팽창 계수는 60ppm)Release film A1: A polyethylene terephthalate film having a thickness of 25 占 퐉 and a width of 390 mm and having a silicon release treatment (tensile storage modulus 4070 MPa, coefficient of linear expansion 60 ppm)

이형 필름 A2: 두께 100㎛, 폭 390㎜의 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(인장 저장 탄성률은 3910㎫, 선팽창 계수는 60ppm)Release film A2: A polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 占 퐉 and a width of 390 mm and having a silicon release treatment (tensile storage modulus of 3910 MPa, coefficient of linear expansion of 60 ppm)

이형 필름 A3: 두께 12㎛, 폭 390㎜의 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(인장 저장 탄성률은 4020㎫, 선팽창 계수는 60ppm)Release film A3: A polyethylene terephthalate film (having a tensile storage modulus of 4020 MPa and a coefficient of linear expansion of 60 ppm) having a thickness of 12 탆 and a width of 390 mm,

이형 필름 A4: 두께 38㎛, 폭 390㎜의 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(인장 저장 탄성률은 4020㎫, 선팽창 계수는 60ppm)Release film A4: A polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 占 퐉 and a width of 390 mm and having a silicone release treatment (tensile storage modulus of 4020 MPa, coefficient of linear expansion of 60 ppm)

이형 필름 A5: 두께 25㎛, 폭 390㎜의 실리콘 이형 처리한 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름(인장 저장 탄성률은 105㎫, 선팽창 계수는 230ppm)Release film A5: Low density polyethylene (LDPE) film having a thickness of 25 占 퐉 and a width of 390 mm and a silicon release treatment (tensile storage modulus of 105 MPa, coefficient of linear expansion of 230 ppm)

(2) 점착 필름의 제작(2) Production of adhesive film

<점착 필름 B1><Adhesive Film B1>

관능기를 갖는 아크릴계 공중합체로서, 2-에틸헥실아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트 및 메타크릴산을 포함하고, 2-에틸헥실아크릴레이트의 비율이 60몰%, 질량 평균 분자량 70만의 공중합체를 제조하였다. 다음에, 요오드가가 20으로 되도록, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트를 첨가하고, 유리 전이 온도 -50℃, 수산기값 10㎎KOH/g, 산가 5㎎KOH/g의 아크릴계 공중합체 (b-1)을 제조하였다.A copolymer having 2-ethylhexyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and methacrylic acid, a ratio of 2-ethylhexyl acrylate of 60 mol% and a weight average molecular weight of 70,000, as an acrylic copolymer having a functional group . Next, 2-isocyanate ethyl methacrylate was added so that the iodine value was 20, and an acrylic copolymer (b-1) having a glass transition temperature of -50 占 폚, a hydroxyl value of 10 mgKOH / g and an acid value of 5 mgKOH / ).

아크릴계 공중합체 (b-1) 100질량부에 대해, 폴리이소시아네이트로서 코로네이트 L(닛본 폴리우레탄제)을 5질량부 가하고, 광중합 개시제로서 Esacure KIP 150(Lamberti사제)을 3질량부 가한 혼합물을, 아세트산에틸에 용해시키고, 교반하여 점착제 조성물을 제조하였다.5 parts by mass of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as polyisocyanate and 3 parts by mass of Esacure KIP 150 (manufactured by Lamberti) as a photopolymerization initiator were added to 100 parts by mass of the acrylic copolymer (b-1) Dissolved in ethyl acetate, and stirred to prepare a pressure-sensitive adhesive composition.

다음에, 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 이 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 에틸렌ㆍ아세트산 비닐 공중합체(도소 1제, 울트라 센서 636)를 포함하는 기재 필름(두께 50㎛)과 접합하여, 두께 60㎛의 점착 필름 B1을 제작하였다. 인장 저장 탄성률은 40㎫이었다.Next, the pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner including a release-treated polyethylene terephthalate film so that the thickness after drying became 10 占 퐉, dried at 110 占 폚 for 3 minutes and then stuck to an ethylene / vinyl acetate copolymer 1, Ultra sensor 636), and an adhesive film B1 having a thickness of 60 m was produced. The tensile storage modulus was 40 MPa.

<점착 필름 B2><Adhesive film B2>

이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 5㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE, 이형 처리 없음)을 포함하는 기재 필름(두께 40㎛)과 접합하여, 두께 45㎛의 점착 필름 B2를 제작하였다. 인장 저장 탄성률은 105㎫이었다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner including a release-treated polyethylene terephthalate film so that the thickness after drying was 5 占 퐉, dried at 110 占 폚 for 3 minutes, and then covered with low density polyethylene (LDPE, no release treatment) (Having a thickness of 40 mu m) to prepare a pressure-sensitive adhesive film B2 having a thickness of 45 mu m. The tensile storage modulus was 105 MPa.

<점착 필름 B3>&Lt; Adhesive film B3 &

이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 에틸렌ㆍ메타크릴산 공중합체의 아이오노머(미츠이ㆍ듀퐁 폴리케미컬제, 하이밀란 1554)를 포함하는 기재 필름(두께 150㎛)과 접합하여, 두께 160㎛의 점착 필름 B3을 제작하였다. 인장 저장 탄성률은 301㎫이었다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner including a release-treated polyethylene terephthalate film so that the thickness after drying became 10 占 퐉, dried at 110 占 폚 for 3 minutes, and then washed with an ionomer of an ethylene / methacrylic acid copolymer (150 占 퐉 in thickness), which had a thickness of 120 占 퐉 and a thickness of 30 占 퐉 and a thickness of 30 占 퐉, manufactured by Mitsui DuPont Polychemicals Co., Ltd., High Milan 1554). The tensile storage modulus was 301 MPa.

<점착 필름 B4>&Lt; Adhesive Film B4 &

이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 에틸렌ㆍ메타크릴산 공중합체의 아이오노머(미츠이ㆍ듀퐁 폴리케미컬제, 하이밀란 1554)를 포함하는 기재 필름(두께 110㎛)과 접합하여, 두께 120㎛의 점착 필름 B4를 제작하였다. 인장 저장 탄성률은 289㎫이었다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner including a release-treated polyethylene terephthalate film so that the thickness after drying became 10 占 퐉, dried at 110 占 폚 for 3 minutes, and then washed with an ionomer of an ethylene / methacrylic acid copolymer (110 占 퐉 in thickness) including a polyethylene terephthalate film (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., High Milan 1554). Thus, an adhesive film B4 having a thickness of 120 占 퐉 was produced. The tensile storage modulus was 289 MPa.

<점착 필름 B5><Adhesive film B5>

이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 에틸렌ㆍ프로필렌 블록 공중합체(프라임 중합체 1제, 프라임 폴리프로 F707W)를 포함하는 기재 필름(두께 110㎛)과 접합하여, 두께 120㎛의 점착 필름 B5를 제작하였다. 인장 저장 탄성률은 980㎫이었다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner including a release-treated polyethylene terephthalate film so that the thickness after drying became 10 占 퐉 and dried at 110 占 폚 for 3 minutes. Then, an ethylene / propylene block copolymer , Prime Polypro F707W) to prepare an adhesive film B5 having a thickness of 120 mu m. The tensile storage elastic modulus was 980 MPa.

(3) 접착제층의 형성(3) Formation of adhesive layer

<접착제층 C1><Adhesive Layer C1>

에폭시 수지 「YX4000」(미츠비시 가가쿠제, 비페닐 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 185) 15.0질량부, 페놀 수지 「LF-6161」(DIC제, 노볼락 페놀 수지, 수산기 당량 118) 40.0질량부, 에폭시 수지 「에피코트 828」(미츠비시 가가쿠제, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량 190) 45.0중량부, 실리카 필러인 「에어로실 R972」(닛본 에어로실제, 1차 입경의 평균 입경 0.016㎛) 5질량부를 포함하는 조성물에 MEK를 가하고, 교반 혼합하여, 균일한 조성물로 하였다., 15.0 parts by mass of an epoxy resin "YX4000" (biphenyl novolak type epoxy resin, epoxy equivalent 185), 40.0 parts by mass of a phenol resin "LF-6161" (DIC made by Nippon Kayaku Co., 45.0 parts by weight of an epoxy resin "Epicoat 828" (bisphenol A epoxy resin, epoxy equivalent 190, Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), "Aerosil R972" , MEK was added to the composition and stirred to obtain a uniform composition.

이것에, 관능기를 포함하는 중합체로서 글리시딜아크릴레이트 또는 글리시딜메타크릴레이트에서 유래하는 단량체 단위를 포함하는 아크릴 공중합체(중량 평균 분자량 85만, Tg20℃) 66.7질량부, 커플링제로서 「KBM-802」(신에츠 실리콘제, 머캅토프로필트리메톡시실란) 0.6질량부 및 경화 촉진제로서의 「큐어졸 2PHZ-PW」(시코쿠 가세이제, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 분해 온도 230℃) 0.1질량부를 가하여, 균일해질 때까지 교반 혼합하였다. 또한, 이것을 100메쉬의 필터로 여과하여, 진공 탈포함으로써, 접착제 조성물의 바니시 (c-1)을 얻었다.To this was added 66.7 parts by mass of an acrylic copolymer (weight average molecular weight: 8,500,000, Tg of 20 占 폚) containing monomer units derived from glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as a polymer containing a functional group, 0.6 part by mass of KBM-802 (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., mercaptopropyltrimethoxysilane) and "Cure Sol 2PHZ-PW" (available from Shikoku Chemicals Inc .; 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimide Sol, decomposition temperature 230 占 폚), and the mixture was stirred and mixed until homogeneous. Further, this was filtered with a filter of 100 mesh, and vacuum degassing was carried out to obtain a varnish (c-1) of an adhesive composition.

이 바니시 (c-1)을, 이형 필름 A1 위에 코터로 건조 막 두께가 30㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 5분간 건조하여, 두께 30㎛의 접착제층 C1을 제작하였다.The varnish (c-1) was coated on the release film A1 by a coater so as to have a dry film thickness of 30 占 퐉 and dried at 120 占 폚 for 5 minutes to produce an adhesive layer C1 having a thickness of 30 占 퐉.

<접착제층 C2><Adhesive Layer C2>

바니시 (c-1)을, 이형 필름 A2 위에 코터로 건조 막 두께가 30㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 5분간 건조하여, 두께 30㎛의 접착제층 C2를 제작하였다.The varnish (c-1) was coated on the release film A2 with a coater so as to have a dry film thickness of 30 占 퐉 and dried at 120 占 폚 for 5 minutes to prepare an adhesive layer C2 having a thickness of 30 占 퐉.

<접착제층 C3><Adhesive Layer C3>

바니시 (c-1)을, 이형 필름 A1 위에 코터로 건조 막 두께가 60㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 8분간 건조하여, 두께 60㎛의 접착제층 C3을 제작하였다. 그 후, 접착제층 C3을 이형 필름 A1로부터 이형 필름 A3으로 전사하였다.The varnish (c-1) was coated on the release film A1 by a coater so as to have a dry film thickness of 60 占 퐉 and dried at 120 占 폚 for 8 minutes to prepare an adhesive layer C3 having a thickness of 60 占 퐉. Thereafter, the adhesive layer C3 was transferred from the release film A1 to the release film A3.

<접착제층 C4><Adhesive Layer C4>

바니시 (c-1)을, 이형 필름 A4 위에 코터로 건조 막 두께가 60㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 8분간 건조한 것을 2매 준비하고, 그들을 70℃에서 적층함으로써, 두께 120㎛의 접착제층 C4를 제작하고, 한쪽의 이형 필름 A4는 박리하였다.The varnish (c-1) was coated on the release film A4 with a coater so as to have a dry film thickness of 60 占 퐉 and dried at 120 占 폚 for 8 minutes. Two sheets of the varnish Layer C4 was produced, and one release film A4 was peeled off.

<접착제층 C5><Adhesive Layer C5>

바니시 (c-1)을, 이형 필름 A4 위에 코터로 건조 막 두께가 60㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 8분간 건조하여, 두께 60㎛의 접착제층 C5를 제작하였다.The varnish (c-1) was coated on the release film A4 by a coater so as to have a dry film thickness of 60 탆, and dried at 120 캜 for 8 minutes to prepare an adhesive layer C5 having a thickness of 60 탆.

<접착제층 C6><Adhesive Layer C6>

바니시 (c-1)을, 이형 필름 A4 위에 코터로 건조 막 두께가 60㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 8분간 건조하여, 두께 60㎛의 접착제층 C6을 제작하였다. 그 후, 이형 필름 A4로부터 전사하고, 이형 필름 A5와 접착제층 C6의 조합을 얻었다.The varnish (c-1) was coated on the release film A4 by a coater so as to have a dry film thickness of 60 탆 and dried at 120 캜 for 8 minutes to form an adhesive layer C6 having a thickness of 60 탆. Thereafter, the film was transferred from the releasing film A4 to obtain a combination of the releasing film A5 and the adhesive layer C6.

<접착제층 C7><Adhesive Layer C7>

바니시 (c-1)을, 이형 기재 A1 위에 코터로 건조 막 두께가 30㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 5분간 건조하여, 두께 20㎛의 접착제층 C7을 제작하였다.The varnish (c-1) was coated on the release substrate A1 with a coater so as to have a dry film thickness of 30 占 퐉 and dried at 120 占 폚 for 5 minutes to prepare an adhesive layer C7 having a thickness of 20 占 퐉.

<접착제층 C8><Adhesive Layer C8>

에폭시 수지 「1002」(미츠비시 가가쿠제, 고형 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량 600) 40질량부, 에폭시 수지 「806」(미츠비시 가가쿠제, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 에폭시 당량 160, 비중 1.20) 100질량부, 경화제 「Dyhard 100SF」(데구사제, 디시안디아미드) 5질량부, 실리카 필러 「SO-C2」(애드마파인제, 평균 입경 0.5㎛) 200질량부 및 실리카 필러인 「에어로실 R972」(닛본 에어로실제, 1차 입경의 평균 입경 0.016㎛) 3질량부를 포함하는 조성물에 MEK를 가하고, 교반 혼합하여, 균일한 조성물로 하였다.40 parts by mass of epoxy resin "1002" (solid bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent 600), 100 parts by mass of epoxy resin "806" (bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent 160, specific gravity 1.20) , 5 parts by mass of a curing agent &quot; Dyhard 100SF &quot; (Degussa, dicyandiamide), 200 parts by mass of a silica filler &quot; SO-C2 &quot; (Admafine, average particle diameter 0.5 탆) MEK was added to a composition containing 3 parts by mass of an average particle diameter of primary particle diameter of 0.016 mu m, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) and stirred to prepare a uniform composition.

이것에, 페녹시 수지 「PKHC」(INCHEM제, 질량 평균 분자량 43,000, 유리 전이 온도 89℃) 100질량부, 커플링제로서 「KBM-802」(신에츠 실리콘제, 머캅토프로필트리메톡시실란) 0.6질량부 및 경화 촉진제로서의 「큐어졸 2PHZ-PW」(시코쿠 가세이제, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 분해 온도 230℃) 0.5질량부를 가하여, 균일해질 때까지 교반 혼합하였다. 또한 이것을 100메쉬의 필터로 여과하여, 진공 탈포함으로써, 접착제 조성물의 바니시 (c-2)를 얻었다.100 parts by mass of a phenoxy resin &quot; PKHC &quot; (product of INCHEM, weight average molecular weight: 43,000, glass transition temperature: 89 占 폚), 100 parts by mass of KBM-802 (manufactured by Shinsei Silicone Co., Ltd., mercaptopropyltrimethoxysilane) And 0.5 parts by mass of "Cure Sol 2PHZ-PW" (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, decomposition temperature: 230 ° C., Shikoku Chemicals Co., Ltd.) as a mass part and a curing accelerator were added and stirred Respectively. This was further filtered through a 100-mesh filter and vacuum degassed to obtain a varnish (c-2) of an adhesive composition.

이 바니시 (c-2)를, 이형 필름 A4 위에 코터로 건조 막 두께가 60㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 8분간 건조하여, 두께 60㎛의 접착제층 C8을 제작하였다.The varnish (c-2) was coated on the release film A4 by a coater so as to have a dry film thickness of 60 占 퐉 and dried at 120 占 폚 for 8 minutes to prepare an adhesive layer C8 having a thickness of 60 占 퐉.

(4) 지지 부재의 제작(4) Production of Supporting Member

<지지 부재 D1><Support member D1>

이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 5㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이형 처리 없음)를 포함하는 수지 필름 기재(두께 25㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 30㎛, 폭 36㎜의 지지 부재 D1을 제작하였다. 선팽창 계수는 60ppm이었다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner including a release-treated polyethylene terephthalate film so that the thickness after drying was 5 占 퐉 and dried at 110 占 폚 for 3 minutes. Thereafter, a polyethylene terephthalate (without release treatment) (25 mu m in thickness), and transferred to prepare a support member D1 having a thickness of 30 mu m and a width of 36 mm. The linear expansion coefficient was 60 ppm.

<지지 부재 D2><Support member D2>

이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 폴리프로필렌(OPP, 이형 처리 없음)을 포함하는 수지 필름 기재(두께 50㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 75㎛, 폭 36㎜의 지지 부재 D2를 제작하였다. 선팽창 계수는 120ppm이었다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner including a release-treated polyethylene terephthalate film so that the thickness after drying became 25 占 퐉 and dried at 110 占 폚 for 3 minutes, and then polypropylene (OPP, no release treatment) (Having a thickness of 50 mu m), and transferred to prepare a support member D2 having a thickness of 75 mu m and a width of 36 mm. The linear expansion coefficient was 120 ppm.

<지지 부재 D3>&Lt; Support member D3 >

클린룸용의 시판의 클린 라인 테이프인 TW-PLT(다니무라제)를 폭 36㎜로 슬릿하여 지지 부재 D3으로서 사용하였다. 두께 75㎛의 폴리염화비닐층과 두께 12㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트층이 적층되어 이루어지는 수지 필름 기재를 갖고, 총 두께 142㎛, 선팽창 계수는 80ppm이었다.A commercially available clean line tape TW-PLT (manufactured by Denimura) for a clean room was slit to a width of 36 mm and used as the support member D3. A resin film base material in which a polyvinyl chloride layer having a thickness of 75 占 퐉 and a polyethylene terephthalate layer having a thickness of 12 占 퐉 were laminated and had a total thickness of 142 占 퐉 and a coefficient of linear expansion of 80 ppm.

<지지 부재 D4><Support member D4>

이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE, 이형 처리 없음)을 포함하는 수지 필름 기재(두께 50㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 75㎛, 폭 36㎜의 지지 부재 D4를 제작하였다. 선팽창 계수는 230ppm이었다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner including a release-treated polyethylene terephthalate film so that the thickness after drying was 25 占 퐉 and dried at 110 占 폚 for 3 minutes, followed by the addition of low density polyethylene (LDPE, no release treatment) (Having a thickness of 50 mu m) and transferred to produce a support member D4 having a thickness of 75 mu m and a width of 36 mm. The coefficient of linear expansion was 230 ppm.

<지지 부재 D5>&Lt; Support member D5 >

이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이형 처리 없음)를 포함하는 수지 필름 기재(두께 50㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 75㎛, 폭 44㎜의 지지 부재 D5를 제작하였다. 선팽창 계수는 60ppm이었다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner including a release-treated polyethylene terephthalate film so that the thickness after drying became 25 占 퐉, dried at 110 占 폚 for 3 minutes, and then passed through a polyethylene terephthalate film Was bonded to a resin film substrate (thickness: 50 mu m) and transferred to prepare a support member D5 having a thickness of 75 mu m and a width of 44 mm. The linear expansion coefficient was 60 ppm.

<지지 부재 D6>&Lt; Support member D6 >

이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이형 처리 없음)를 포함하는 수지 필름 기재(두께 50㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 75㎛, 폭 40㎜의 지지 부재 D6을 제작하였다. 선팽창 계수는 60ppm이었다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner including a release-treated polyethylene terephthalate film so that the thickness after drying became 25 占 퐉, dried at 110 占 폚 for 3 minutes, and then passed through a polyethylene terephthalate film Was bonded to a resin film substrate (thickness: 50 mu m) and transferred to produce a support member D6 having a thickness of 75 mu m and a width of 40 mm. The linear expansion coefficient was 60 ppm.

<지지 부재 D7>&Lt; Support member D7 >

이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이형 처리 없음)를 포함하는 수지 필름 기재(두께 75㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 100㎛, 폭 40㎜의 지지 부재 D7을 제작하였다. 선팽창 계수는 60ppm이었다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner including a release-treated polyethylene terephthalate film so that the thickness after drying became 25 占 퐉, dried at 110 占 폚 for 3 minutes, and then passed through a polyethylene terephthalate film Was bonded to a resin film substrate (thickness 75 mu m) and transferred to produce a support member D7 having a thickness of 100 mu m and a width of 40 mm. The linear expansion coefficient was 60 ppm.

<지지 부재 D8>&Lt; Support member D8 &

이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이형 처리 없음)를 포함하는 수지 필름 기재(두께 75㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 100㎛, 폭 35㎜의 지지 부재 D8을 제작하였다. 선팽창 계수는 60ppm이었다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner including a release-treated polyethylene terephthalate film so that the thickness after drying became 25 占 퐉, dried at 110 占 폚 for 3 minutes, and then passed through a polyethylene terephthalate film Was bonded to a resin film substrate (thickness: 75 mu m) and transferred to produce a support member D8 having a thickness of 100 mu m and a width of 35 mm. The linear expansion coefficient was 60 ppm.

(실시예 1) (Example 1)

냉장 보관하고 있던 이형 필름 A1 위에 형성된 접착제층 C1을 상온으로 복귀시키고, 접착제층 C1에 대해, 이형 필름 A1의 두께의 1/2 이하의 컷팅(절입) 깊이가 되도록 조정하여 직경 320㎜의 원형 프리컷 가공을 행하였다. 그 후, 접착제층 C1의 불필요 부분을 제거하여, 점착 필름 B1을 그 점착제층이 접착제층 C1과 접하도록, 이형 필름 A1에 실온에서 라미네이트하였다. 그리고, 점착 필름 B1에 대해, 이형 필름 A1의 두께의 1/2 이하의 컷팅 깊이가 되도록 조절하여 접착제층 C1과 동심원 형상으로 직경 370㎜의 원형 프리컷 가공을 행하여, 15N의 장력으로 300매를 권취하였다. 다음에, 이형 필름 A1 위의 접착제층 C1 및 점착 필름 B1이 설치된 면과는 반대의 면이며, 또한 이형 필름 A1의 짧은 방향 양단부에 지지 부재 D1을 접합하여, 실시예 1의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다. 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 지지 부재의 폭의 합계를 sD, 접착제층의 직경을 aφ, 이형 필름의 짧은 방향의 길이를 L로 했을 때, [(sD+aφ)-L]=2㎜이고, 지지 부재가, 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 접착제층의 단부에 대응하는 영역에 2㎜ 걸리도록 설치하였다.The adhesive layer C1 formed on the release film A1 kept in the refrigerator was returned to room temperature and the adhesive layer C1 was adjusted so as to have a cut (infeed) depth of not more than 1/2 of the thickness of the release film A1, And cut processing was performed. Thereafter, an unnecessary portion of the adhesive layer C1 was removed, and the adhesive film B1 was laminated to the release film A1 at room temperature so that the pressure-sensitive adhesive layer was in contact with the adhesive layer C1. Then, the adhesive film B1 was adjusted so as to have a cutting depth equal to or less than 1/2 of the thickness of the release film A1, and circular cut-off processing was performed in a concentric circular form with a diameter of 370 mm to obtain 300 sheets at a tension of 15 N . Next, the supporting member D1 was bonded to both end portions of the release film A1 in the short direction, which is opposite to the side on which the adhesive layer C1 on the release film A1 and the adhesive film B1 were provided, and the wafer processing tape of Example 1 was produced Respectively. (SD + a?) -L] = 2 mm when the sum of the widths of the support members in the short direction of the release film is sD, the diameter of the adhesive layer is a?, And the length in the short direction of the release film is L , And the support member was placed so as to take 2 mm in a region corresponding to the end portion of the adhesive layer in the short direction of the release film.

(실시예 2 내지 8, 비교예 1)(Examples 2 to 8 and Comparative Example 1)

실시예 1과 동일한 방법으로, 표 1의 조합으로, 실시예 2 내지 8 및 비교예 1의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다. 또한, 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 접착제층의 단부에 대응하는 영역에 지지 부재가 걸리는 양은 겹침 A(㎜)로 하여 표 2에 기재하였다.The wafer processing tapes of Examples 2 to 8 and Comparative Example 1 were produced by the combination of Table 1 in the same manner as in Example 1. The amount by which the support member is caught in the region corresponding to the end portion of the adhesive layer in the short direction of the release film is shown in Table 2 with the overlap A (mm).

Figure pat00001
Figure pat00001

[공기의 침입과 전사 자국의 유무의 평가][Evaluation of intrusion of air and existence of warp marks]

실시예 및 비교예의 웨이퍼 가공용 테이프를 폴리에틸렌제의 주머니에 수납하고, 탈기 후, 히트 시일하여 폴리프로필렌제의 측판을 양단부에 설치하였다. 또한, PP 밴드 2개가 십자로 되도록 걸고 융착하여 접합하였다. 그 후, 각 곤포체를 1개월간 냉장고 내(5℃)에서 보관 후, 냉장고로부터 취출하여, 판 형상의 드라이 아이스와 함께 곤포 상자에 수납하고, 수송용 트랙에 적재하여 히라츠카부터 아키타 사이를 왕복하였다(약 1000㎞). 이때, 곤포 상자의 최저 온도는 -43℃, 최고 온도는 7℃였다. 그 후, 각 곤포체를 곤포 개방하고, 롤을 상온으로 복귀시킨 후 포장 주머니를 개봉하여 롤을 풀고, 육안으로 접착제층과 점착 필름 사이로의 공기의 침입 및 MD, TD 각 방향으로의 전사 자국의 유무를 관찰하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.The tapes for wafer processing of the examples and comparative examples were stored in a bag made of polyethylene, deaerated and then heat-sealed to provide side plates made of polypropylene at both ends. Further, two PP bands were placed so as to be crossed and fused and bonded. Then, each garnets were stored in a refrigerator (5 ° C) for one month, taken out of the refrigerator, stored in a packing box together with plate-shaped dry ice, loaded on a transport track, and transported from Hiratsuka to Akita (About 1000 km). At this time, the minimum temperature of the packing box was -43 ° C, and the maximum temperature was 7 ° C. Then, the rolls were unpacked by opening the packaging bag after returning the rolls to a normal temperature, and the air was introduced into the adhesive layer and the adhesive film with the naked eye, and the infiltration of air into the adhesive layer and the adhesive film, Respectively. The results are shown in Table 2.

[마운트 후의 보이드의 억제성 평가][Evaluation of inhibition of voids after mounting]

실시예 및 비교예의 웨이퍼 가공용 테이프를 폴리에틸렌제의 주머니에 수납하고, 탈기 후, 히트 시일하여 폴리프로필렌제의 측판을 양단부에 설치하였다. 또한, PP 밴드 2개가 십자로 되도록 걸고 융착하여 접합하였다. 그 후, 각 곤포체를 1개월간 냉장고 내(5℃)에서 보관 후, 냉장고로부터 취출하여, 판 형상의 드라이 아이스와 함께 곤포 상자에 수납하고, 수송용 트랙에 적재하여 히라츠카부터 아키타 사이를 왕복하였다(약 1000㎞). 이때, 곤포 상자의 최저 온도는 -43℃, 최고 온도는 7℃였다. 그 후, 각 곤포체를 곤포 개방하고, 롤을 상온으로 복귀시킨 후 포장 주머니를 개봉하여, 반도체 웨이퍼로의 마운트를 행하였다. 반도체 웨이퍼로서는 크기가 12인치, 두께 50㎛인 것을 사용하였다. 반도체 웨이퍼의 마운트 조건은 하기와 같다.The tapes for wafer processing of the examples and comparative examples were stored in a bag made of polyethylene, deaerated and then heat-sealed to provide side plates made of polypropylene at both ends. Further, two PP bands were placed so as to be crossed and fused and bonded. Then, each garnets were stored in a refrigerator (5 ° C) for one month, taken out of the refrigerator, stored in a packing box together with plate-shaped dry ice, loaded on a transport track, and transported from Hiratsuka to Akita (About 1000 km). At this time, the minimum temperature of the packing box was -43 ° C, and the maximum temperature was 7 ° C. Thereafter, each gum body was opened for packing, the roll was returned to room temperature, and the packaging bag was opened to mount it on the semiconductor wafer. As the semiconductor wafer, a wafer having a size of 12 inches and a thickness of 50 탆 was used. Mounting conditions of the semiconductor wafer are as follows.

<접합 조건>&Lt; Bonding condition &

부착 장치: 웨이퍼 마운터 DAM-812M(가부시키가이샤 타카트리제)Attachment device: Wafer mounter DAM-812M (manufactured by Takashimaya Co., Ltd.)

부착 속도계: 50㎜/secAttachment speed meter: 50mm / sec

부착 압력: 0.1㎫Mounting pressure: 0.1 MPa

부착 온도: 60℃, 90℃Mounting temperature: 60 ° C, 90 ° C

계속해서, 웨이퍼 가공용 테이프와 반도체 웨이퍼의 접합면의 보이드(기포)의 유무를, 현미경에 의해 확인하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.Subsequently, the presence or absence of voids (bubbles) on the bonding surface between the wafer for wafer processing and the semiconductor wafer was confirmed by a microscope. The results are shown in Table 2.

Figure pat00002
Figure pat00002

표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는 지지 부재가, 이형 필름의 짧은 방향 양단부이며 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 접착제층의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 설치되어 있으므로, 접착제층의 내측으로의 공기의 침입은 보이지 않았다. 또한, TD 방향으로 지지 부재에 기인하는 전사 자국은 보였지만, MD 방향, TD 방향으로 랜덤하게 발생하는 라벨 자국은 보이지 않았다. 또한, TD 방향으로 지지 부재에 기인하는 전사 자국은 발생하였지만, 웨이퍼 접합 영역의 외측이었으므로, 웨이퍼 접합 시에 보이드가 발생하는 일은 없었다.As shown in Table 2, in the wafer processing tape according to the embodiment, since the support member is provided so as to be caught at both end portions in the short direction of the release film and in a region corresponding to the end portion of the adhesive layer in the short direction of the release film, No intrusion of air into the interior of the layer was seen. In addition, a transcription mark caused by the support member in the TD direction was seen, but no label mark was generated randomly in the MD direction and the TD direction. In addition, although a transfer mark caused by the support member occurred in the TD direction, since it was outside the wafer bonding area, voids did not occur at the time of wafer bonding.

이에 비해, 비교예에 관한 웨이퍼 가공용 테이프는 지지 부재가, 이형 필름의 짧은 방향 양단부이며 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 접착제층의 단부에 대응하는 영역에 걸리지 않도록 설치되어 있으므로, MD 방향, TD 방향 모두 전사 자국은 보이지 않았지만, 접착제층의 내측으로 공기가 침입해 버려, 웨이퍼 접합 시에 일부에 보이드가 발생하였다.On the other hand, in the wafer processing tape according to the comparative example, since the support member is provided so as not to be caught in the region corresponding to the end portion of the adhesive layer in the short direction at both ends in the short direction of the release film, Although no transfer traces were seen, air entered into the adhesive layer, and voids were formed in part at the time of wafer bonding.

10 : 웨이퍼 가공용 테이프
11 : 이형 필름
12 : 접착제층
13 : 점착 필름
13a : 원형 라벨부
13b : 주변부
14, 14', 14" : 지지 부재10: Wafer processing tape
11: release film
12: adhesive layer
13: Adhesive film
13a: circular label portion
13b: peripheral portion
14, 14 ', 14 ": supporting member

Claims (15)

장척의 이형 필름과,
상기 이형 필름의 제1 면 위에 형성된 소정의 평면 형상을 갖는 접착제층과,
상기 접착제층을 덮고, 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 이형 필름에 접촉하도록 형성된 소정의 평면 형상을 갖는 라벨부와, 상기 라벨부의 외측을 둘러싸는 주변부를 갖는 점착 필름과,
상기 이형 필름의, 상기 접착제층 및 점착 필름이 형성된 제1 면과는 반대인 제2 면 위이며, 또한 상기 이형 필름의 짧은 방향 양단부이며, 상기 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 상기 접착제층의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 형성된 지지 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.A long release film,
An adhesive layer having a predetermined planar shape formed on the first surface of the release film,
An adhesive film covering the adhesive layer and having a label portion having a predetermined planar shape formed to contact the release film around the adhesive layer and a peripheral portion surrounding the outer side of the label portion;
Wherein the release film is on a second surface opposite to the first surface on which the adhesive layer and the adhesive film are formed and both ends of the release film are in the short direction of the release film, And a support member formed so as to be caught in a region corresponding to the wafer. 제1항에 있어서, 상기 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 상기 지지 부재의 폭의 합계를 sD, 상기 접착제층의 직경을 aφ, 상기 이형 필름의 짧은 방향의 길이를 L로 했을 때, 0㎜<[(sD+aφ)-L]<20㎜인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.2. The film according to claim 1, wherein when the sum of the widths of the support members in the short direction of the release film is sD, the diameter of the adhesive layer is a, and the length of the release film in the short direction is L, [(sD + a?) -L] < 20 mm. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지 부재의 선팽창 계수가 300ppm/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.The tape for wafer processing according to claim 1 or 2, wherein the support member has a linear expansion coefficient of 300 ppm / ° C or less. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 부재의 선팽창 계수와 상기 이형 필름의 선팽창 계수의 차가 250ppm/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.4. The tape for wafer processing according to any one of claims 1 to 3, wherein the difference between the linear expansion coefficient of the support member and the linear expansion coefficient of the release film is 250 ppm / 占 폚 or less. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 점착 필름은, 점착제층과 기재 필름을 갖고,
상기 기재 필름과 상기 지지 부재 사이의 정지 마찰 계수가 0.2 내지 2.0인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of claims 1 to 4, wherein the pressure-sensitive adhesive film comprises a pressure-sensitive adhesive layer and a base film,
Wherein a coefficient of static friction between the base film and the supporting member is 0.2 to 2.0. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 부재는 상기 이형 필름의 긴 방향을 따라 연속적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.The tape for wafer processing according to any one of claims 1 to 5, wherein the support member is formed continuously along the longitudinal direction of the release film. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 부재는 상기 접착제층의 두께 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.The tape for wafer processing according to any one of claims 1 to 6, wherein the support member has a thickness equal to or greater than the thickness of the adhesive layer. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 부재는 착색되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.8. The tape for wafer processing according to any one of claims 1 to 7, wherein the support member is colored. 제8항에 있어서, 상기 지지 부재는 웨이퍼 가공용 테이프의 종류에 따라 착색되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.The wafer processing tape according to claim 8, wherein the support member is colored depending on the type of the wafer processing tape. 제8항에 있어서, 상기 지지 부재는 웨이퍼 가공용 테이프의 두께에 따라 착색되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.The tape for wafer processing according to claim 8, wherein the support member is colored depending on the thickness of the wafer processing tape. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 부재는 2층 이상의 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.11. The tape for wafer processing according to any one of claims 1 to 10, wherein the support member has a laminated structure of two or more layers. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 부재는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌 및 고밀도 폴리에틸렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 수지 필름 기재에 점접착제를 도포한 점접착 테이프인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.12. The method according to any one of claims 1 to 11, wherein the support member is a pressure-sensitive adhesive tape on which a point-adhesive is applied to a resin film base material selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polypropylene and high-density polyethylene Wafer processing tape. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 23℃에 있어서의 상기 점착 필름의 인장 저장 탄성률 Eb와, 23℃에 있어서의 상기 이형 필름의 인장 저장 탄성률 Ea의 비 Eb/Ea가 0.001 내지 100인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.The adhesive sheet according to any one of claims 1 to 12, wherein the ratio Eb / Ea of the tensile storage elastic modulus Eb of the pressure-sensitive adhesive film at 23 ° C to the tensile storage elastic modulus Ea of the release film at 23 ° C is from 0.001 to 100. &lt; / RTI &gt; 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이형 필름의 두께 Ta와, 상기 점착 필름의 두께 Tb의 비 Ta/Tb가 0.07 내지 2.5인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.14. The tape for wafer processing according to any one of claims 1 to 13, wherein the ratio Ta / Tb of the thickness Ta of the release film to the thickness Tb of the adhesive film is 0.07 to 2.5. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 온도 23±2℃, 박리 속도 300㎜/min의 조건 하에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 상기 접착제층과 상기 이형 필름 사이의 박리력 F1이 0.025 내지 0.075N/100㎜이고, 상기 접착제층과 상기 점착 필름 사이의 박리력 F2가 0.08 내지 10N/100㎜이고, F1<F2인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.15. The method according to any one of claims 1 to 14, wherein the peeling force F1 between the adhesive layer and the release film in a T-type peel test under the conditions of a temperature of 23 占 폚 and a peeling speed of 300 mm / 0.025 to 0.075 N / 100 mm, and the peeling force F2 between the adhesive layer and the adhesive film is 0.08 to 10 N / 100 mm, and F1 < F2.
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