KR20160065647A - 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판상에 구비되고 게이트 전극과 산화물 반도체층과 소스전극 및 드레인 전극을 포함하는 복수 개의 박막 트랜지스터; 및 상기 기판상에 배치되어 상기 박막 트랜지스터들과 오버랩되며, 상기 박막 트랜지스터들 중 하나와 전기적으로 접속된 광차단막을 포함하는 표시장치를 제공한다.
Description
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 특히 광차단막(light shielding layer)과 박막 트랜지스터 간 연결 구조를 개선하여 표시장치의 개구 면적을 증가시킬 수 있어 표시장치의 개구율을 향상시킬 수 있는 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시소자인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)를 대체하는 경량 박형 평판표시소자(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.
이러한 평판표시소자 분야에서, 유기전계 발광표시소자(Organic Light Emitting Diode Display device); OLED)는 자체 발광형이기 때문에 액정표시소자에 비해 시야각과 명암비 등이 우수하며 백라이트(backlight)가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르다는 장점이 있으며, 특히 제조비용 측면에서도 유리한 장점을 가지고 있다.
이와 같은 유기전계 발광표시소자의 제조 공정에는 액정표시소자나 플라즈마 표시패널(Plasma Display Display Panel; PDP)과는 달리 증착 및 봉지 (encapsula- tion) 공정이 공정의 전부라고 할 수 있기 때문에 제조 공정이 매우 단순하다. 또한, 각 화소마다 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 가지는 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 유기발광다이오드 표시소자를 구동하게 되면, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비 전력, 고정세 및 대형화가 가능한 장점을 가진다.
그러나, 최근에 유기전계 발광표시소자의 액티브층 물질로 사용되는 산화물 반도체(oxide semiconductor) 물질은 물성적 한계 때문에 빛의 의한 감광 특성이 뛰어나, 변함없이 일정한 성능이 요구되는 박막 트랜지스터로의 능력은 취약할 수 밖에 없다.
특히, 산화물 반도체로 박막 트랜지스터를 구성하기 위해서는 필연적으로 산화물 반도체(oxide semiconductor) 내로 유입되는 빛을 차단하기 위한 광차단막 (lightening shield layer)을 구성해야만 한다.
이와 같은 광차단막이 형성됨에 따라 공정 수가 증가하여 제조 비용이 추가로 소요되며, 막들 간에 단차가 형성되고, 배선과 배선을 구별하기 위한 일정 이상의 간격이 적용되어야 하기 때문에 설계 마진(margin)이 감소하게 된다. 특히, 고성능 기술로 갈수록 부족한 설계 마진(margin)은 개구율 감소로 이어지게 된다.
더욱이, 광차단막이 사용된 종래의 유기전계 발광표시소자인 경우, 박막 트랜지스터의 광차단막이 플로팅 효과(floating effect)를 배제시키기 위해 소스 노드(source node)에 연결시켜야 한다.
서로 다른 2개 이상의 박막 트랜지스터로 구성된 유기전계 발광표시소자 (OLED)의 경우, 광차단막(lightening shield layer)을 각각의 박막 트랜지스터의 소스 노드(source node)에 접촉시키기 위해서는 박막 트랜지스터(TFT) 수만큼 콘택홀들이 필요하기 때문에, 이에 따라 증가하는 콘택홀 수만큼 콘택홀에 필요한 면적이 증가하게 되어 개구율 면적은 감소하고 구조가 복잡해져 불량률이 증가하게 된다. 즉, 기존에는 복수의 박막 트랜지스터 각각의 하부에 광차단막이 분리되어 배치된 상태에서 박막 트랜지스터 각각의 소스전극이 광차단막과 연결되는 구조였기 때문에, 그만큼 박막 트랜지스터 각 각과 광차단막을 연결하기 위해서는 다수의 콘택홀을 필요로 한다.
따라서, 다수의 박막 트랜지스터 각 각의 하부에 광차단막을 분리 배치하는 경우에 유기전계 발광표시장치의 개구율 면적의 확장에는 한계가 있다.
본 발명의 목적은 광차단막(light shielding layer)과 박막 트랜지스터 간 연결 구조를 개선하여 제품의 개구율을 향상시킬 수 있는 표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
전술한 과제를 해결하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은, 기판상에 구비되고 게이트 전극과 산화물 반도체층과 소스전극 및 드레인 전극을 포함하는 복수 개의 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터들 하부의 기판상에 배치되어 상기 박막 트랜지스터들과 오버랩되며 상기 박막 트랜지스터들 중 하나와 연결된 광차단막을 포함하는 표시장치를 제공할 수 있다.
본 발명은, 광차단막을 포함한 박막 트랜지스터들 상부에 배치되고 상기 박막 트랜지스터 중 하나에 연결된 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 있는 유기발광층과, 상기 유기발광층 및 제1 전극의 전면에 있는 제2 전극을 더 포함하는 표시장치를 제공할 수 있다.
이러한 표시장치에 있어서, 상기 표시장치는 액정표시장치, 유기전계 발광표시장치, 전기영동표시장치를 포함하는 표시장치들 중에서 어느 하나일 수 있다.
이러한 표시장치에 있어서, 광차단막을 일체로 구성된 하나의 막으로 이루어질 수 있다.
이러한 표시장치에 있어서, 광차단막은 복수의 박막 트랜지스터와 오버랩될 수 있다.
이러한 표시장치에 있어서, 복수 개의 박막 트랜지스터는 적어도 2개 이상일 수 있다.
이러한 표시장치에 있어서, 광차단막은 하나의 콘택홀을 통해 복수 개의 박막 트랜지스터 중 하나와 전기적으로 접속될 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은, 다수의 박막 트랜지스터 영역이 정의된 기판을 제공하는 단계와, 다수의 상기 박막 트랜지스터 영역에 해당하는 기판 위에 광차단막을 형성하는 단계와, 상기 기판 전면에 상기 광차단막을 덮는 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터 영역들과 대응하는 상기 버퍼층 위에 박막 트랜지스터들을 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터들 중 하나와 상기 광차단막을 연결하는 단계를 포함하는 표시장치 제조방법을 제공할 수 있다.
본 발명은, 박막 트랜지스터들 중 하나와 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 전극 위에 유기 발광층을 형성하는 단계와, 상기 유기 발광층 및 제1 전극의 전면에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시장치 제조방법을 제공할 수 있다.
이러한 표시장치 제조방법에 있어서, 상기 표시장치 제조방법은 액정표시장치 제조방법, 유기전계 발광표시장치 제조방법, 전기영동표시장치 제조방법을 포함하는 표시장치 제조방법들 중에서 어느 하나에 적용할 수 있다.
이러한 표시장치 제조방법에 있어서, 다수의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는 다수의 박막 트랜지스터 영역 각 각에 대응하는 버퍼층 위에 산화물 반도체층을 각각 형성하는 단계와, 상기 산화물 반도체층 위에 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막과 게이트 전극 및 산화물 반도체층을 포함한 버퍼층의 전면에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막에 상기 산화물 반도체층 각각의 소스영역과 드레인 영역을 노출시키는 제1 콘택홀들과 함께 상기 광차단막을 노출시키는 제2 콘택홀을 동시에 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터 영역들 각각의 소스영역과 드레인 영역에 접촉되는 소스전극과 드레인 전극을 형성함과 동시에 박막 트랜지스터 영역들 중 하나의 소스전극과 광차단막을 연결하는 광차단막 연결패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명은 일체로 구성된 광차단막(light shielding layer)을 다수의 박막 트랜지스터 하부에 오버랩되도록 배치하여 이 광차단막을 복수의 박막 트랜지스터 중 하나의 소스전극과 연결시켜 줌으로써, 기존에 서로 분리된 복수의 광차단막을 복수의 박막 트랜지스터 하부에 배치한 상태에서 이들 광차단막을 박막 트랜지스터 각 각과 연결시켜 주기 위해 형성하였던 콘택홀들을 생략할 수 있어 그만큼 발광영역으로 사용할 수 있는 면적이 증가되므로 표시장치의 개구율을 향상시킬 수 있다.
특히, 본 발명은 기존의 서로 분리된 다수의 광차단막을 다수의 박막 트랜지스터 각각의 하부에 배치한 상태에서 각 각의 광차단막과 박막 트랜지스터를 연결시켜 주기 위해 필요로 하였던 다수의 콘택홀 대신에, 일체로 구성되는 광차단막을 하나의 콘택홀을 사용하여 다수의 박막 트랜지스터 중 하나와 연결되도록 함으로써 그만큼 기존의 콘택홀 형성 면적이 개구 면적으로 사용가능하게 되어 표시장치의 개구율을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 광차단막을 적용하였을 때 발생되는 사이드 효과(side effect), 즉 광차단막이 금속 물질로 형성하므로 인해 일정한 전위를 갖기 때문에 그 상부에 배치되는 액티브층의 전하량이 변동하는 효과를 최소화시켜 광차단막이 적용되더라도 설계 마진을 최대한 확보할 수 있다. 즉, 하나의 콘택홀을 통해 광차단막과 박막 트랜지스터 간의 연결 구조를 단순화함으로써, 광차단막을 적용하더라도 이에 따라 발생하는 설계 마진 (Margin) 감소를 최소화하여 고성능 제품을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 한 화소에 대한 등가 회로도를 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 한 화소의 개략적인 평면도이다.
도 2b는 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 한 화소를 구성하는 2개의 박막 트랜지스터의 배치 구성도이다.
도 3은 도 2a의 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 단면도로서, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 개략적인 단면도로서, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 박막 트랜지스터의 소스전극과 그 하부의 광차단막의 연결 상태를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4a 내지 4l은 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 제조방법을 개략적으로 나타낸 공정 단면도들이다.
도 2a는 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 한 화소의 개략적인 평면도이다.
도 2b는 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 한 화소를 구성하는 2개의 박막 트랜지스터의 배치 구성도이다.
도 3은 도 2a의 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 단면도로서, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 개략적인 단면도로서, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 박막 트랜지스터의 소스전극과 그 하부의 광차단막의 연결 상태를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4a 내지 4l은 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 제조방법을 개략적으로 나타낸 공정 단면도들이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 발명은 표시장치들 중에서 유기전계 발광표시소자(OLED; Organic Light Emmitted Diode display device)를 일 예로 들어 설명하겠지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 유기전계 발광표시소자 이외에도 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display device), 평판 디스플레이 장치, 전기영동표시장치 등에도 적용이 가능함을 밝혀 두기로 한다. 특히, 외부에서 광이 기판 내부로 입사되는 것을 방지하기 위해 사용하는 광차단막을 적용하는 표시장치라면 모두 해당한다고 볼 수 있다. 그리고, 본 발명은 한 화소에 적어도 2개 이상의 박막 트랜지스터를 구성하는 표시장치에 적용이 가능하다고 볼 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자에 있어, 하나의 화소에 대한 등가 회로도로서, 능동 매트릭스 방식의 유기전계 발광표시소자에 있어, 2개의 박막 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함하는 화소에 대한 등가 회로도를 나타내고 있다.
도 1을 참조하면, 능동 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시소자의 화소는 유기발광 다이오드(OLED), 서로 교차하는 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL), 스위칭 소자(Ts), 구동 소자(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.
상기 스위칭소자(Ts)는 게이트 배선(GL)으로부터의 스캔 펄스에 응답하여 턴-온(turn on) 됨으로써 자신의 소스전극과 드레인 전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 상기 스위칭소자(Ts)의 온-타임(On Time)기간 동안 데이터 배선(DL)으로부터의 데이터전압은 스위칭소자(Ts)의 소스전극과 드레인 전극을 경유하여 구동소자(Td)의 게이트 전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가된다.
상기 구동소자(Td)는 자신의 게이트 전극에 인가되는 데이터전압에 따라 상기 유기발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 그리고, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터전압과 저전위 전원전압(Vdd) 사이의 전압을 저장한 후, 한 프레임기간동안 일정하게 유지시킨다.
이와 같이 구성되는 유기전계 발광표시소자는 전류 구동을 하게 되며, 따라서 미세한 전류 값 보정을 위해 보상회로가 필요하며, 하나의 화소 내에 스위칭 소자나 구동소자 외에도 보상회로로 최소 2개 이상의 박막 트랜지스터(TFT)가 더 필요할 수도 있다.
도 2a는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 화소 구조를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 2는 2개의 박막 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함하는 서브-화소를 예를 들어 나타내고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 상기 박막 트랜지스터와 커패시터의 개수 및 배치 구조에 관계없이 적용 가능하다.
도 2b는 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 한 화소를 구성하는 2개의 박막 트랜지스터의 배치 구성도이다.
도 3은 도 2a의 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 단면도로서, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 개략적인 단면도로서, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 박막 트랜지스터의 소스전극과 그 하부의 광차단막의 연결 상태를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명에서는 한 화소에 두 개의 박막 트랜지스터를 적용한 경우를 토대로 설명하기로 한다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자(100)는 투명한 유리 또는 플라스틱 등의 절연물질로 이루어진 기판(101) 위에 외부 광에 의해 박막 트랜지스터(TFT)의 특성이 영향을 받는 것을 차단하기 위해 광차단막(103)이 형성되어 있다. 따라서, 본 발명은 기존의 서로 분리된 다수의 광차단막을 다수의 박막 트랜지스터 각각의 하부에 배치한 상태에서 각 각의 광차단막과 박막 트랜지스터를 연결시켜 주기 위해 필요로 하였던 다수의 콘택홀 대신에, 일체로 구성되는 광차단막(103)을 하나의 콘택홀(미도시; 도 4e의 115d 참조)을 사용하여 다수의 박막 트랜지스터 중 하나와 연결되도록 함으로써 그만큼 기존의 콘택홀 형성 면적이 개구 면적으로 사용가능하게 되어 표시장치의 개구율을 증가시킬 수 있다.
상기 광차단막(103)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금(Al alloy) 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti)과 같은 저저항 불투명 도전물질로 형성될 수 있다.
상기 기판(101) 상에는 상기 광차단막(103)을 덮는 버퍼층(105)이 형성되고, 그 위에는 산화물 반도체로 이루어진 제1 액티브층(107) 및 제2 액티브층(108)이 형성되어 있다. 상기 제1 액티브층(107) 및 제2 액티브층(108)은 상기 광차단막 (103)과 오버랩되도록 배치되어 있다. 즉, 상기 제1 액티브층(107) 및 제2 액티브층(108)은 상기 광차단막(103)과 대응되는 버퍼층(105) 위에 형성되어 있다.
상기 제1 액티브층(107)은 서로 이격된 제1 소스영역(107a)과 제1 드레인 영역(107b) 및, 이들 사이에 있는 제1 채널영역(107c)으로 이루어져 있으며, 상기 제2 액티브층(108)은 서로 이격된 제2 소스영역(108a)과 제2 드레인 영역(108b) 및, 이들 사이에 있는 제2 채널영역(108c)으로 이루어져 있다.
이와 같이 본 발명의 실시 예는 상기 제1 액티브층(107) 및 제2 액티브층 (108)이 상기 광차단막(103) 위에 위치하도록 형성된 것을 특징으로 하며, 상기 광차단막(103)은 일체화된 하나의 막으로 구성된 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제 1 액티브층(107)과 제 2 액티브층(108) 위에는 실리콘질화막(SiNx) 또는 실리콘산화막(SiO2) 등으로 이루어진 게이트절연막(109)이 형성되어 있으며, 그 위에 제 1 게이트 전극(111) 및 제2 게이트 전극(112)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 게이트 전극(111) 및 제 2 게이트 전극(112)은 각각 상기 제 1 액티브층(107) 및 제 2 액티브층(108) 상부에 위치한다.
상기 제 1, 2 게이트 전극(111, 112)과 제 1, 2 액티브층(107, 108)을 포함한 버퍼층(105) 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 층간 절연막(inter insulation layer)(113)이 형성되어 있다.
상기 층간 절연막(113) 중 상기 제1, 2 액티브층(107, 108)과 제1 게이트 전극(111) 및 광차단막(103)과 오버랩된 부위에는 이들 제1, 2 액티브층(107, 108)과 제1 게이트 전극(111) 및 광차단막(103) 일부를 각각 노출시키는 제1, 2, 3, 4, 5 콘택홀(미도시, 도 4e의 115a, 115b, 115c, 115d, 116a, 116b 참조)들이 형성되어 있다.
상기 층간 절연막(113) 위에는 상기 제1, 2 액티브층(107, 108)과 제1 게이트 전극(111) 및 광차단막(103)과 각각 전기적으로 연결되는 제1 소스전극(117a) 및 제1 드레인 전극(117b)과, 제2 소스전극(118a) 및 제2 드레인 전극(118b)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제1 소스전극(117a)은 제1 소스 콘택홀(미도시, 도 4e의 115a 참조)를 통해 제1 액티브층(107)의 제1 소스영역(107a)과 접속되어 있으며, 상기 제1 드레인 전극(117b)은 제1 드레인 콘택홀(미도시, 도 4e의 115b 참조)을 통해 제1 드레인 영역(107b)과 접속되어 있다.
또한, 상기 제1 소스전극(117a)은 광차단막 콘택홀(미도시, 도 4e의 115d 참조)을 통해 상기 광차단막(103)과도 접속되어 있다.
그리고, 상기 제2 소스전극(118a)은 제2 소스 콘택홀(미도시, 도 4e의 116a 참조)를 통해 제2 액티브층(108)의 제2 소스영역(108a)과 접속되어 있으며, 상기 제2 드레인 전극(118b)은 제2 드레인 콘택홀(미도시, 도 4e의 116b 참조)을 통해 제2 드레인 영역(108b)과 접속되어 있다.
또한, 상기 제2 소스전극(118a)은 제1 제1 게이트 콘택홀(미도시, 도 4e의 115c 참조)을 통해 상기 제1 게이트 전극(111)과 접속되어 있다.
따라서, 상기 제1 액티브층(107), 제1 게이트 전극(111), 제1 소스전극(117a) 및 제1 드레인 전극(117b)은 제1 박막 트랜지스터, 즉 스위칭소자(Ts)를 구성한다. 그리고, 상기 제2 액티브층(108), 제2 게이트 전극(112), 제2 소스전극(118a) 및 제2 드레인 전극(118b)은 제2 박막 트랜지스터, 즉 구동소자(Td)를 구성한다.
상기 기판(101) 전면에 상기 스위칭소자(Ts)와 구동소자(Td)를 덮는 평탄화막(121)이 형성되어 있다. 상기 평탄화막(121)은 유기 절연물질, 예를 들어 폴리 이미드(polyimid) 또는 포토 아크릴(Poto-Acryl) 재질로 형성된다.
상기 평탄화막(121)에는 상기 제2 드레인 전극(118b) 일부를 노출시키는 제2 드레인 콘택홀(미도시, 도 4h의 123 참조)이 형성되어 있다.
상기 평탄화막(121) 위에는 상기 제2 드레인 콘택홀을 통해 상기 제2 드레인 전극(118b)과 전기적으로 접속되는 애노드전극(125)이 형성되어 있다.
상기 평탄화막(121) 위에는 각 발광영역, 개구부(130)를 분리하여 정의해 주는 화소 정의막(127)이 형성되어 있다. 이때, 상기 화소 정의막(127)은 상기 애노드전극(125)의 가장자리부를 덮도록 형성되어 있다.
상기 개구부(130) 내의 애노드전극(125) 위에는 유기발광층(131)이 형성되어 있다. 상기 유기발광층(131)은 빛을 내는 발광층 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자수송층 및 정공수송층과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자주입층 및 정공주입층 등이 있다.
그리고, 상기 유기발광층(131) 및 화소 정의막(127)을 포함한 기판 전면에는 캐소드전극(133)이 형성되어 있다. 이때, 상기 캐소드전극(133)은 공통 전압을 인가 받으며, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 도전물질 또는 ITO, IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.
따라서, 상기 애노드전극(125), 유기발광층(131) 및 캐소드전극(133)은 유기발광 다이오드(140)를 이룬다.
이와 같이, 상기 애노드전극(125)은 제2 스위칭소자(Td)의 제2 드레인 전극(118b)과 연결되어 있어, 애노드전극(125)에 제2 드레인 전극(118b)으로부터 구동전압이 인가되면, 유기발광층(131)은 애노드전극(125)과 캐소드전극(133)을 통해 주입된 전자와 정공에 반응하여 소정 파장영역의 광을 발생시킨다. 즉, 화소 각각의 발광영역은 유기발광층(131)의 형성된 영역에 해당한다.
스위칭소자(Ts) 및 구동소자(Td)와 애노드전극(125)은 포함한 복수의 화소 각각에 대응하여 형성되며, 캐소드전극(133)은 복수의 화소에 공통으로 대응하여 형성될 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 일체로 구성된 광차단막(light shielding layer)을 다수의 박막 트랜지스터 하부에 오버랩되도록 배치하여 이 광차단막을 복수의 박막 트랜지스터 중 하나의 소스전극과 연결시켜 줌으로써, 기존에 서로 분리된 복수의 광차단막을 복수의 박막 트랜지스터 하부에 배치한 상태에서 이들 광차단막을 박막 트랜지스터 각 각과 연결시켜 주기 위해 형성하였던 콘택홀들을 생략할 수 있어 그만큼 발광영역으로 사용할 수 있는 면적이 증가되므로 표시장치의 개구율을 향상시킬 수 있다.
특히, 본 발명은 기존의 서로 분리된 다수의 광차단막을 다수의 박막 트랜지스터 각각의 하부에 배치한 상태에서 각 각의 광차단막과 박막 트랜지스터를 연결시켜 주기 위해 필요로 하였던 다수의 콘택홀 대신에, 일체로 구성되는 광차단막을 하나의 콘택홀을 사용하여 다수의 박막 트랜지스터 중 하나와 연결되도록 함으로써 그만큼 기존의 콘택홀 형성 면적이 개구 면적으로 사용가능하게 되어 표시장치의 개구율을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 광차단막을 적용하였을 때 발생되는 사이드 효과(side effect), 즉 광차단막이 금속 물질로 형성하므로 인해 일정한 전위를 갖기 때문에 그 상부에 배치되는 액티브층의 전하량이 변동하는 효과를 최소화시켜 광차단막이 적용되더라도 설계 마진을 최대한 확보할 수 있다. 즉, 하나의 콘택홀을 통해 광차단막과 박막 트랜지스터 간의 연결 구조를 단순화함으로써, 광차단막을 적용하더라도 이에 따라 발생하는 설계 마진 (Margin) 감소를 최소화하여 고성능 제품을 구현할 수 있다.
일 예로, 전술한 본 발명의 표시장치는 일체로 구성되는 광차단막을 하나의 콘택홀을 사용하여 다수의 박막 트랜지스터 중 하나와 연결되도록 함으로써 그만큼 기존의 콘택홀들 형성 면적이 개구 면적으로 사용가능하게 되어 표시장치의 개구율을 증가시킬 수 있는데, 이를 본 발명의 실시 예에 따른 유기전계 발광표시소자의 제조방법을 통해 상세히 설명한다.
본 발명에서는 유기전계 발광표시소자 제조방법에 대해 아래에서 설명하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 액정표시장치 제조방법, 전기영동표시장치 제조방법을 포함한 다른 표시장치 제조방법들에서도 적용 가능함을 밝혀 두기로 한다.
도 4a 내지 4l은 본 발명에 따른 유기전계 발광표시소자의 제조방법을 개략적으로 나타낸 공정 단면도들이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 투명한 유리 또는 플라스틱 등의 절연물질로 이루어진 기판(101) 위에 일체로 구성된 광차단막(103)을 형성한다. 상기 광차단막(103)은 외부 광에 의해 박막 트랜지스터(TFT)의 특성이 영향을 받는 것을 차단하기 위해 형성한다.
이때, 상기 광차단막(103)은 제 1 도전막(미도시)을 상기 기판(101) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정(제 1 마스크공정)을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성한다. 여기서, 상기 제 1 도전막으로 알루미늄이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄과 같은 저저항 불투명 도전물질을 이용할 수 있다.
다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 광차단막(103)이 형성된 기판(101) 위에 버퍼층(105)을 형성한다. 이때, 상기 버퍼층(105)은 상기 기판(101) 내에 존재하는 나트륨(natrium; Na) 등의 불순물이 공정 중에 상부 층으로 침투하는 것을 차단하는 역할을 하며, 실리콘산화막으로 이루어질 수 있다.
그리고, 도면에 도시하지 않았지만, 상기 버퍼층(105)이 형성된 기판(101) 위에 반도체 박막(미도시)을 형성한다. 상기 반도체 박막은 비정질 실리콘이나 다결정 실리콘, 또는 산화물 반도체로 형성할 수 있다.
이때, 상기 다결정 실리콘은 기판(101) 위에 비정질 실리콘을 증착한 후 여러 가지 결정화 방식을 이용하여 형성할 수 있으며, 반도체 박막으로 산화물 반도체를 이용하는 경우 산화물 반도체를 증착한 후에 소정의 열처리 공정을 진행할 수 있다.
이후, 포토리소그래피공정(제 2 마스크공정)을 통해 상기 반도체 박막을 선택적으로 제거함으로써 상기 반도체 박막으로 이루어진 제 1 액티브층(107)과 제 2 액티브층(108)을 형성한다. 이때, 상기 제1 액티브층(107)과 제 2 액티브층(108)은 상기 광차단막(103)과 오버랩되도록 형성한다. 즉, 상기 제1 액티브층(107)과 제 2 액티브층(108)은 외부 광에 의해 박막 트랜지스터(TFT)의 특성이 영향을 받는 것을 차단하기 위해 상기 광차단막(103)과 대응되는 영역 내에 위치하도록 형성한다.
다음으로, 상기 제 1 액티브층(107)과 제 2 액티브층(108)이 형성된 기판(101) 위에 절연막(미도시)과 제 2 도전막(미도시)을 형성한다. 이때, 상기 절연막은 상기 제 1 액티브층(107)과 제 2 액티브층(108)을 패터닝하기 전에 형성할 수도 있다.
상기 제 2 도전막은 게이트 배선을 형성하기 위해 알루미늄이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO 및 IZO와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 예를 들면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 만들어질 수 있다.
이후, 도 4c에 도시된 바와 같이, 포토리소그래피공정(제 3 마스크공정)을 통해 상기 절연막 및 제 2 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 제1 액티브층(107)과 제2 액티브층(108) 상에 제1 게이트 전극(111) 및 제2 게이트 전극(112)을 형성한다. 즉, 상기 제1 액티브층(107) 상에는 제1 게이트 전극(111)이 위치하고, 상기 제2 액티브층(108) 상에는 제2 게이트 전극(112)이 위치한다.
이때, 상기 제 1 액티브층(107)과 제1 게이트 전극(111) 사이 및, 제 2 액티브층(108)과 제2 게이트 전극(112) 사이에는 절연막으로 이루어진 게이트 절연막(109)이 형성된다.
그리고, 상기 게이트 절연막(109)과 제1 게이트 전극(111) 및 제2 게이트 전극(112) 형성시에, 상기 그 아래의 제1 액티브층(107) 및 제2 액티브층(108) 각 각에는 서로 이격되는 제1, 2 소스영역(107a, 108a)과 제1, 2 드레인 영역(미도시; 도 2b의 107b 참조, 108b) 및, 이들 사이에 제1, 2 채널영역(107c, 108c)이 정의된다. 이때, 반도체 박막으로 산화물 반도체를 이용하는 경우, 상기 절연막의 식각 시 상기 제 1, 2 액티브층(107, 108)의 노출된 소정영역이 플라즈마에 의해 도체화 되어 제1, 2 소스영역(107a, 108a)과 제1, 2 드레인 영역(107b, 108b)을 형성하게 된다.
다음으로, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 게이트 전극(111) 및 제2 게이트 전극(112)을 포함하는 기판(101) 전면에 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 층간 절연막(113)을 형성한다.
이후, 도 4e에 도시된 바와 같이, 포토리소그래피공정(제 4 마스크공정)을 통해 상기 층간 절연막(113)을 선택적으로 패터닝하여 상기 제 1 액티브층(107)의 제1 소스영역(107a) 및 제1 드레인 영역(107b)을 각각 노출시키는 제 1 소스 콘택홀(115a) 및 제1 드레인 콘택홀(115b)과, 상기 제 2 액티브층(108)의 제2 소스영역(108a) 및 제2 드레인 영역(108b)을 각각 노출시키는 제 2 소스 콘택홀(116a) 및 제2 드레인 콘택홀(116b)을 형성한다.
이때, 상기 제 1 소스 콘택홀(115a) 및 제1 드레인 콘택홀(115b)과, 제 2 소스 콘택홀(116a) 및 제2 드레인 콘택홀(116b) 형성시에, 상기 제1 게이트 전극(111) 일부를 노출시키는 제1 게이트 콘택홀(115c)과, 상기 광차단막(103)을 노출시키는 광차단막 콘택홀(115d)을 동시에 형성한다.
다음으로, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 층간 절연막(113)이 형성된 기판(101) 전면에 제3 도전막(미도시)을 형성한 후, 포토리소그래피공정(제 5 마스크공정)을 통해 상기 제 3 도전막을 선택적으로 제거함으로써, 도 4f에 도시된 바와 같이, 상기 제 4 도전막으로 이루어진 제1 소스전극(117a) 및 제1 드레인 전극(117b)과, 제2 소스전극(118a) 및 제2 드레인 전극(118b)를 각각 형성한다.
이때, 상기 제1 소스전극(117a) 및 제1 드레인 전극(117b) 각 각은 제1 소스 콘택홀(115a) 및 제1 드레인 콘택홀(115b)을 통해 제1 소스영역(107a) 및 제1 드레인 영역(107b)과 전기적으로 접속하며, 상기 제2 소스전극(118a) 및 제2 드레인 전극(118b) 각 각은 제2 소스 콘택홀(116a) 및 제2 드레인 콘택홀(116b)을 통해 상기 제2 소스 영역(108a) 및 제2 드레인 영역(108b)과 전기적으로 접속하게 된다.
그리고, 상기 제1 소스전극(117a)의 일단은 상기 광차단막 콘택홀(115d)을 통해 상기 광차단막(103)에 전기적으로 접속하며, 상기 제2 소스전극(118a)의 일단은 상기 제1 게이트 콘택홀(115c)을 통해 제1 게이트 전극(111)에 전기적으로 접속하게 된다.
이후, 도 4g에 도시된 바와 같이, 상기 제1 소스전극(117a) 및 제1 드레인 전극(117b)과, 제2 소스전극(118a) 및 제2 드레인 전극(118b)을 포함하는 층간 절연막(113) 위에 유기 절연물질, 예를 들어 폴리이미드(polyimide) 또는 포토 아크릴(Photo-Acryl) 등을 이용하여 평탄화막(121)을 형성한다.
다음으로, 도 4h에 도시된 바와 같이, 포토리소그래피공정(제 6 마스크공정)을 통해 상기 평탄화막(121)을 선택적으로 제거함으로써, 제2 드레인 전극(116b) 일부를 노출시키는 제2 드레인 콘택홀(123)을 형성한다.
이후, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 평탄화막(121) 전면에 제5 도전막(미도시)을 형성한 후, 포토리소그래피공정(제 7 마스크공정)을 통해 상기 제5 도전막(미도시)을 선택적으로 제거함으로써, 도 4i에 도시된 바와 같이, 상기 제2 드레인 콘택홀(123)을 통해 상기 제2 드레인 전극(118b)과 전기적으로 접속하는 애노드전극(125)을 형성한다. 이때, 제 5 도전막(미도시)으로 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 도전물질을 사용할 수 있다.
또한, 상기 제 5 도전막(미도시)으로 알루미늄이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO 및 IZO와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 예를 들면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 만들어질 수 있다.
다음으로, 도 4j에 도시된 바와 같이, 상기 애노드전극(125)이 형성된 평탄화막(121) 위에 각 화소 영역을 정의해 주는 화소 정의막(127)을 형성한다. 이때, 상기 화소 정의막(127)은 상기 애노드전극(125) 가장자리 주변을 둑처럼 둘러싸서 상기 애노드전극(125)을 노출시키는 개구부(130)를 정의하며, 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 만들어진다. 상기 화소 정의막(127)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 화소 정의막(127)은 차광부재의 역할을 하게 된다. 그리고, 상기 개구부(130)는 발광영역으로 정의할 수 있다.
이후, 도 4k에 도시된 바와 같이, 상기 화소 정의막(127) 사이의 애노드전극(125) 위에 유기발광층(131)을 형성한다. 이때, 상기 유기발광층(131)은 발광성의 유기물질과 같이 자발광 물질이면 어느 것으로든 형성될 수 있다.
다음으로, 도 4l에 도시된 바와 같이, 상기 유기발광층(131)과 화소 정의막 (127)을 포함한 기판(101) 전면에 캐소드전극(133)을 형성함으로써, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계 발광표시소자 제조공정을 완료한다. 이때, 상기 캐소드전극 (133)은 공통 전압을 인가받으며, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 도전물질 또는 ITO, IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.
따라서, 상기 애노드 전극(125), 캐소드전극(133) 및, 이들 전극(125, 133) 사이에 있는 유기발광층(131)은 유기발광 다이오드(140; OLED)를 이룬다.
이와 같이, 본 발명은 일체로 구성된 광차단막(light shielding layer)을 다수의 박막 트랜지스터 하부에 오버랩되도록 배치하여 이 광차단막을 복수의 박막 트랜지스터 중 하나의 소스전극과 연결시켜 줌으로써, 기존에 서로 분리된 복수의 광차단막을 복수의 박막 트랜지스터 하부에 배치한 상태에서 이들 광차단막을 박막 트랜지스터 각 각과 연결시켜 주기 위해 형성하였던 콘택홀들을 생략할 수 있어 그만큼 발광영역으로 사용할 수 있는 면적이 증가되므로 표시장치의 개구율을 향상시킬 수 있다.
특히, 본 발명은 기존의 서로 분리된 다수의 광차단막을 다수의 박막 트랜지스터 각각의 하부에 배치한 상태에서 각 각의 광차단막과 박막 트랜지스터를 연결시켜 주기 위해 필요로 하였던 다수의 콘택홀 대신에, 일체로 구성되는 광차단막을 하나의 콘택홀을 사용하여 다수의 박막 트랜지스터 중 하나와 연결되도록 함으로써 그만큼 기존의 콘택홀 형성 면적이 개구 면적으로 사용가능하게 되어 표시장치의 개구율을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 광차단막을 적용하였을 때 발생되는 사이드 효과(side effect), 즉 광차단막이 금속 물질로 형성하므로 인해 일정한 전위를 갖기 때문에 그 상부에 배치되는 액티브층의 전하량이 변동하는 효과를 최소화시켜 광차단막이 적용되더라도 설계 마진을 최대한 확보할 수 있다. 즉, 하나의 콘택홀을 통해 광차단막과 박막 트랜지스터 간의 연결 구조를 단순화함으로써, 광차단막을 적용하더라도 이에 따라 발생하는 설계 마진 (Margin) 감소를 최소화하여 고성능 제품을 구현할 수 있다.
이상 도면을 참조하여 실시 예들을 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 유기전계 발광표시소자
103: 광차단막
107: 제1 액티브층 108: 제2 액티브층
111: 제1 게이트 전극 112: 제2 게이트 전극
117a: 제1 소스전극 117b: 제1 드레인 전극
118a: 제2 소스전극 118b: 제2 드레인 전극
107: 제1 액티브층 108: 제2 액티브층
111: 제1 게이트 전극 112: 제2 게이트 전극
117a: 제1 소스전극 117b: 제1 드레인 전극
118a: 제2 소스전극 118b: 제2 드레인 전극
Claims (7)
- 기판상에 구비되고 게이트 전극과 산화물 반도체층과 소스전극 및 드레인 전극을 포함하는 복수 개의 박막 트랜지스터; 및
상기 박막 트랜지스터들 하부의 기판상에 배치되어 상기 박막 트랜지스터들과 오버랩되며, 상기 박막 트랜지스터들 중 하나와 전기적으로 접속된 광차단막을 포함하는 표시장치. - 제1 항에 있어서, 상기 광차단막을 포함한 박막 트랜지스터들 상부에 배치되고 상기 박막 트랜지스터들 중 다른 하나에 연결된 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 있는 유기발광층과, 상기 유기발광층 및 제1 전극의 전면에 있는 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 광차단막은 일체로 구성된 하나의 막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 광차단막과 복수 개의 박막 트랜지스터 중 하나는 하나의 콘택홀을 통해 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 표시장치.
- 다수의 박막 트랜지스터 영역이 정의된 기판을 제공하는 단계;
다수의 상기 박막 트랜지스터 영역에 해당하는 기판 위에 광차단막을 형성하는 단계;
상기 기판 전면에 상기 광차단막을 덮는 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 광차단막과 오버랩되는 상기 버퍼층 위에 박막 트랜지스터들을 형성하는 단계; 및
상기 박막 트랜지스터들 중 하나와 상기 광차단막을 전기적으로 접속하는 단계를 포함하는 표시장치 제조방법. - 제5항에 있어서, 상기 광차단막을 상기 박막 트랜지스터들 중 하나와 전기적으로 접속하는 단계 이후에,
상기 박막 트랜지스터들 중 다른 하나와 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계와,
상기 제1 전극 위에 유기 발광층을 형성하는 단계와,
상기 유기 발광층 및 제1 전극의 전면에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치 제조방법. - 제5항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터들을 형성하는 단계는,
다수의 박막 트랜지스터 영역 각 각에 대응하는 버퍼층 위에 산화물 반도체층을 각각 형성하는 단계와,
상기 산화물 반도체층 들 위에 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계와,
상기 게이트 절연막과 게이트 전극 및 산화물 반도체층을 포함한 버퍼층의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계와,
상기 층간 절연막에 상기 산화물 반도체층들 각각의 소스영역과 드레인 영역을 노출시키는 제1 콘택홀들과 함께 상기 광차단막을 노출시키는 제2 콘택홀을 동시에 형성하는 단계와,
상기 제1 콘택홀들을 통해 상기 박막 트랜지스터 영역들 각각의 소스영역과 드레인 영역에 접촉되는 소스전극과 드레인 전극을 형성함과 동시에, 상기 제2 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터 영역들 중 하나의 소스전극과 광차단막을 전기적으로 접속시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치 제조방법.
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