KR20160059324A - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a light emitting device, comprising: a substrate; a light emitting unit placed on the substrate and configured to include a light emitting element and a wavelength conversion unit which is placed on the light emitting element; a bonding layer placed between the light emitting unit and the substrate and configured to bond the light emitting unit to the substrate; and a sidewall unit encompassing and coming into contact with a side surface of the light emitting unit. The bonding layer includes a metal sintered body, which comprises a metal particle. The purpose of the present invention is to provide the light emitting device with high heat dissipation efficiency and reliability.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

본 발명은 발광 장치에 관한 것으로, 특히, 열 방출 효율이 높고, 불량률이 낮아 신뢰성이 우수한 발광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device having a high heat emission efficiency and a low defect rate and thus having an excellent reliability.

발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합으로 발생하는 광을 발하는 무기 반도체 소자로서, 최근, 디스플레이, 자동차 램프, 일반 조명 등의 여러 분야에서 사용된다. 발광 다이오드는 수명이 길고, 소비 전력이 낮으며, 응답 속도가 빨라서, 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치는 종래의 광원을 대체할 것으로 기대된다.Light emitting diodes are inorganic semiconductor devices that emit light generated by the recombination of electrons and holes, and are recently used in various fields such as displays, automobile lamps, and general lighting. Since the light emitting diode has a long lifetime, low power consumption, and a high response speed, the light emitting device including the light emitting diode is expected to replace the conventional light source.

발광 다이오드는 전극의 위치 및 그 구조에 따라, 수평형 발광 다이오드, 플립칩형 발광 다이오드, 및 수직형 발광 다이오드로 구분될 수 있다. 이 중 플립칩형 발광 다이오드는 그 하부에 전극이 위치하여, 상기 전극을 별도의 기판 상에 실장하여 이용할 수 있다. 따라서 플립칩형 발광 다이오드는 수평 방향으로의 전류 분산이 우수하고, 열방출 효율이 뛰어나 고출력 발광 장치에 폭넓게 이용되고 있다.The light emitting diode may be classified into a horizontal type light emitting diode, a flip chip type light emitting diode, and a vertical type light emitting diode depending on the position of the electrode and its structure. Among these, the flip chip type light emitting diode may be used by mounting an electrode on a lower portion thereof and mounting the electrode on a separate substrate. Therefore, the flip chip type light emitting diode is excellent in current dispersion in the horizontal direction and is excellent in heat emission efficiency and widely used in high output light emitting devices.

이러한 플립칩형 발광 다이오드를 별도의 기판에 실장하기 위해서는, 전기적 도전성을 갖는 물질을 이용하여 상기 발광 다이오드를 기판에 접합하는 공정이 요구된다. 종래에, 플리칩형 발광 다이오드를 기판에 접합하는 방법으로, 도전성 페이스트를 이용하거나, 공정(Eutectic) 접합을 이용하거나, Au 범프 볼 본딩 방법등을 이용하였다.In order to mount such a flip chip type light emitting diode on a separate substrate, a process of bonding the light emitting diode to the substrate using a material having electrical conductivity is required. Conventionally, a conductive paste, an eutectic bonding method, an Au bump ball bonding method, or the like has been used as a method of bonding a flip chip type light emitting diode to a substrate.

도전성 페이스트를 이용하는 경우, 상기 페이스트의 점성으로 인하여 접착과정에서 퍼짐이 발생하여, n전극과 p전극이 서로 전기적으로 연결되어 발광 다이오드의 전기적 쇼트가 발생하는 문제가 발생한다. 또한, 공정 접합의 경우, 공정 접합된 구조 내에 기공(pore)이 발생하여 신뢰성에 문제가 발생할 수 있다. 또한, Au 범프 볼 본딩의 경우 접촉 면적이 상대적으로 작아 열 방출 효율이 낮으며, 기계적 신뢰성이 낮다.When the conductive paste is used, spreading occurs in the bonding process owing to the viscosity of the paste, and the n-electrode and the p-electrode are electrically connected to each other to cause electrical short-circuiting of the light emitting diode. Also, in the case of process bonding, pores may be generated in the process bonded structure, which may cause reliability problems. In the case of Au bump ball bonding, the contact area is relatively small, resulting in low heat emission efficiency and low mechanical reliability.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 열 방출 효율이 높고, 신뢰성이 높은 발광 장치를 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting device having high heat emission efficiency and high reliability.

본 발명의 일 측면에 따른 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 파장변환부를 포함하는 발광부; 상기 발광부와 상기 기판 사이에 위치하며, 상기 발광부를 상기 기판에 접합하는 접합층; 및 상기 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고, 상기 접합층은 금속 입자를 포함하는 금속 소결체를 포함한다.A light emitting device according to an aspect of the present invention includes: a substrate; A light emitting unit located on the substrate, the light emitting unit including a light emitting device and a wavelength converting unit located on the light emitting device; A bonding layer positioned between the light emitting portion and the substrate and bonding the light emitting portion to the substrate; And a sidewall portion surrounding the side surface of the light emitting portion and contacting the side surface of the light emitting portion, wherein the bonding layer includes a metal sintered body including metal particles.

상기 금속 입자는 Ag 입자를 포함할 수 있다.The metal particles may include Ag particles.

상기 발광 소자는 그 하면에 위치할 수 있으며, 서로 이격된 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 포함할 수 있다.The light emitting device may include a first pad electrode and a second pad electrode which are positioned on a lower surface thereof and are spaced apart from each other.

나아가, 상기 접합층은 제1 접합층 및 제2 접합층을 포함할 수 있고, 상기 제1 접합층은 상기 제1 패드 전극의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮을 수 있고, 상기 제2 접합층은 상기 제2 패드 전극의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮을 수 있다.Further, the bonding layer may include a first bonding layer and a second bonding layer, and the first bonding layer may cover the lower surface and at least a part of the side surface of the first pad electrode, And may cover the bottom surface and at least a part of the side surface of the second pad electrode.

또한, 상기 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극은 각각, 상기 제1 패드 전극과 상기 제2 패드 전극이 대향하는 측면을 포함할 수 있고, 상기 제1 접합층의 일 측면은 상기 제1 패드 전극의 상기 대향하는 측면과 나란하게 위치할 수 있으며, 상기 제2 접합층의 일 측면은 상기 제2 패드 전극의 상기 대향하는 측면과 나란하게 위치할 수 있다.Each of the first pad electrode and the second pad electrode may include a side surface where the first pad electrode and the second pad electrode face each other, And one side of the second bonding layer may be positioned in parallel to the opposite side of the second pad electrode.

상기 제1 접합층은 상기 제1 패드 전극의 상기 대향하는 측면을 제외한 다른 측면들을 덮을 수 있으며, 상기 제1 접합층의 타 측면들은 상기 발광 소자의 측면과 나란할 수 있고, 상기 제2 접합층은 상기 제2 패드 전극의 상기 대향하는 측면을 제외한 다른 측면들을 덮을 수 있으며, 상기 제2 접합층의 타 측면들은 상기 발광 소자의 측면과 나란하게 위치할 수 있다.The first bonding layer may cover the other side of the first pad electrode except for the opposite side of the first pad, the other side of the first bonding layer may be parallel to the side of the light emitting device, May cover the other side surfaces of the second pad electrode except for the opposite side surfaces and the other side surfaces of the second bonding layer may be positioned in parallel to the side surface of the light emitting device.

몇몇 실시예들에서, 상기 접합층은 제1 접합층 및 제2 접합층을 포함할 수 있고, 상기 제1 접합층은 상기 제1 패드 전극을 덮고, 상기 제2 접합층은 상기 제2 패드 전극을 덮을 수 있다.In some embodiments, the bonding layer may include a first bonding layer and a second bonding layer, wherein the first bonding layer covers the first pad electrode, the second bonding layer contacts the second pad electrode, .

상기 접합층은 10 내지 30㎛의 두께를 가질 수 있다.The bonding layer may have a thickness of 10 to 30 mu m.

상기 발광부 및 상기 접합층은 각각 복수로 형성될 수 있고, 상기 복수의 발광부들은 상기 복수의 접합층들에 의해 상기 기판 상에 접합될 수 있다.Each of the light emitting portion and the bonding layer may be formed in plurality, and the plurality of light emitting portions may be bonded onto the substrate by the plurality of bonding layers.

본 발명의 또 다른 측면에 따른 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 위치하고, 제1 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 제1 파장변환부를 포함하는 제1 발광부; 상기 기판 상에 위치하고, 상기 제1 발광부와 이격되며, 제2 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 제2 파장변환부를 포함하는 제2 발광부; 상기 제1 발광부와 상기 기판 사이에 위치하는 제1 접합층; 상기 제2 발광부와 상기 기판 사이에 위치하는 제2 접합층; 및 상기 제1 및 제2 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고, 상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부는 서로 다른 피크 파장을 갖는 광을 방출하고, 상기 제1 및 제2 접합층은 각각 금속 입자를 포함하는 금속 소결체를 포함한다.A light emitting device according to another aspect of the present invention includes: a substrate; A first light emitting unit located on the substrate, the first light emitting unit including a first light emitting device and a first wavelength converting unit located on the light emitting device; A second light emitting unit located on the substrate and spaced apart from the first light emitting unit and including a second light emitting device and a second wavelength converting unit located on the light emitting device; A first bonding layer positioned between the first light emitting portion and the substrate; A second bonding layer positioned between the second light emitting portion and the substrate; And a sidewall portion surrounding the side surfaces of the first and second light emitting portions and contacting sidewalls of the first and second light emitting portions, wherein the first light emitting portion and the second light emitting portion emit light having different peak wavelengths And the first and second bonding layers each include a metal sintered body including metal particles.

상기 금속 입자는 Ag 입자를 포함할 수 있다.The metal particles may include Ag particles.

상기 기판은 제1 내지 제4 전극을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 제1 발광부에 전기적으로 연결되고, 상기 제3 및 제4 전극은 제2 발광부에 전기적으로 연결될 수 있다.The substrate may include first to fourth electrodes, the first and second electrodes are electrically connected to the first light emitting portion, and the third and fourth electrodes are electrically connected to the second light emitting portion .

상기 제1 내지 제4 전극은 서로 절연될 수 있으며, 상기 제1 내지 제4 전극 각각은 상기 기판의 외부 표면에 노출될 수 있다.The first to fourth electrodes may be insulated from each other, and each of the first to fourth electrodes may be exposed to an outer surface of the substrate.

상기 제1 발광부는 백색광을 방출할 수 있다.The first light emitting unit may emit white light.

상기 제2 발광부는 엠버색광을 방출할 수 있다.The second light emitting unit may emit amber colored light.

상기 제1 및 제2 발광 소자는 각각 그 하면에 위치하는 패드 전극들을 포함할 수 있다.The first and second light emitting devices may include pad electrodes positioned on the lower surface of the first and second light emitting devices, respectively.

나아가, 상기 제1 접합층은 상기 제1 발광 소자 아래에 위치하는 패드 전극들의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮을 수 있고, 상기 제2 접합층은 상기 제2 발광 소자 아래에 위치하는 패드 전극들의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮을 수 있다.Further, the first bonding layer may cover the lower surface and at least a part of the side surfaces of the pad electrodes located under the first light emitting element, and the second bonding layer may cover the lower surface of the pad electrodes located below the second light emitting element. And at least some of the sides.

상기 제1 접합층의 일부 측면은 상기 제1 발광 소자의 측면과 나란할 수 있고, 상기 제2 접합층의 일부 측면은 상기 제2 발광 소자의 측면과 나란할 수 있다.A side surface of the first bonding layer may be parallel to a side surface of the first light emitting device and a side surface of the second bonding layer may be parallel to a side surface of the second light emitting device.

본 발명에 따르면, 금속 입자 소결체를 포함하는 접합층을 포함하는 발광 장치를 개시함으로써, 열 방출 효율이 우수하고, 전기적 쇼트 등을 효과적으로 방지할 수 있어 신뢰성이 높은 발광 장치가 제공될 수 있다.According to the present invention, by providing a light emitting device including a bonding layer including a sintered metal particle, it is possible to provide a light emitting device having excellent heat dissipation efficiency, effectively preventing electrical shorts, and the like, and having high reliability.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2a 및 도 2b 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치의 접합층을 설명하기 위한 확대 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도, 평면도, 저부 평면도 및 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 차량용 램프를 설명하기 위한 정면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
2A and 2B are enlarged sectional views for explaining a bonding layer of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
4 to 7 are a perspective view, a plan view, a bottom plan view, and a cross-sectional view for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
8 is a plan view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
9 is a front view for explaining a vehicle lamp according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can sufficiently convey the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. It is also to be understood that when an element is referred to as being "above" or "above" another element, But also includes the case where there are other components in between. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이고, 도 2a 및 도 2b 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치의 접합층을 설명하기 위한 확대 단면도들이다.FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2A and 2B are enlarged cross-sectional views illustrating a junction layer of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

먼저, 도 1을 참조하면, 발광 장치(10)는 발광 소자(110) 및 파장변환부(120)를 포함하는 발광부(100), 접합층(130), 측벽부(300), 및 기판(400)을 포함한다. 나아가, 발광 장치(10)는 보호 소자(미도시)를 더 포함할 수 있다.1, a light emitting device 10 includes a light emitting unit 100 including a light emitting device 110 and a wavelength converting unit 120, a bonding layer 130, a side wall unit 300, and a substrate 400). Further, the light emitting device 10 may further include a protection element (not shown).

기판(400)은 발광 장치(10)의 저부에 위치할 수 있으며, 발광 소자(110)와 측벽부(300)를 지지하는 역할을 할 수 있다. 기판(400)은 절연성 또는 도전성 기판일 수 있으며, 또한, 도전성 패턴을 포함하는 PCB일 수 있다. 기판(400)이 절연성 기판인 경우, 기판(400)은 폴리머 물질, 또는 세라믹 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, AlN와 같이 열전도성이 우수한 세라믹 물질을 포함할 수 있다.The substrate 400 may be positioned at the bottom of the light emitting device 10 and may support the light emitting device 110 and the side wall part 300. The substrate 400 may be an insulating or conductive substrate, and may also be a PCB including a conductive pattern. In the case where the substrate 400 is an insulating substrate, the substrate 400 may include a polymer material, or a ceramic material, and may include a ceramic material having excellent thermal conductivity, such as AlN.

또한, 기판(400)은 베이스(410)를 포함할 수 있고, 나아가, 제1 전극(421) 및 제2 전극(431)을 더 포함할 수 있다. 이때, 베이스(410)는 기판(400) 및 전극들(421, 431)을 전체적으로 지지하는 역할을 할 수 있으며, 전극들(421, 431)을 서로 절연시키기 위하여 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스(410)는 열전도성이 우수한 AlN과 같은 세라믹 물질을 포함할 수 있다.In addition, the substrate 400 may include a base 410, and may further include a first electrode 421 and a second electrode 431. The base 410 may support the substrate 400 and the electrodes 421 and 431 as a whole and may include an insulating material to insulate the electrodes 421 and 431 from each other. For example, the base 410 may comprise a ceramic material such as AlN with good thermal conductivity.

제1 전극(421)과 제2 전극(431)은 서로 절연될 수 있으며, 베이스(410)를 상하로 관통하여, 베이스(410) 상부 및 하부 상에 노출될 수 있다. 이에 따라, 전극들(421, 431)은 기판(400) 상에 위치하는 발광 소자(110)와 전기적으로 연결될 수 있고, 또한, 기판(400)의 하부에 노출된 부분을 통해 외부 전원과 전기적으로 연결되어 발광 소자(110)에 전원을 공급할 수 있다.The first electrode 421 and the second electrode 431 may be insulated from each other and may be exposed above and below the base 410 through the base 410. The electrodes 421 and 431 may be electrically connected to the light emitting device 110 located on the substrate 400 and may be electrically connected to the external power source through the exposed portion of the substrate 400 So that power can be supplied to the light emitting device 110.

다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제1 및 제2 전극(421, 431)의 형태는 다양하게 형성될 수 있으며, 각각의 제1 및 제2 전극(421, 431)은 복수로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(421, 431) 중 적어도 하나는 베이스(410)의 측면을 통해 노출될 수도 있다.The first and second electrodes 421 and 431 may be formed in various shapes, and each of the first and second electrodes 421 and 431 may be formed in a plurality of have. For example, at least one of the first and second electrodes 421, 431 may be exposed through a side of the base 410.

발광 소자(110)는 기판(400) 상에 위치할 수 있고, 발광 구조체(111)를 포함할 수 있다. 또한, 발광 소자(110)는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 더 포함할 수 있다. 발광 소자(110)는 접합층(130)에 의해 기판(400) 상에 실장될 수 있다. 발광 소자(110)의 구조적인 형태는 제한되지 않으며, 예를 들어, 패드 전극들이 발광 구조체(111)의 일면 상에 위치하는 플립칩형 반도체 발광 소자일 수 있다.The light emitting device 110 may be located on the substrate 400 and may include the light emitting structure 111. [ In addition, the light emitting device 110 may further include a first pad electrode and a second pad electrode. The light emitting device 110 may be mounted on the substrate 400 by the bonding layer 130. The structure of the light emitting device 110 is not limited. For example, the pad electrodes may be a flip-chip type semiconductor light emitting device on one surface of the light emitting structure 111.

발광 구조체(111)는 n형 반도체층, p형 반도체층 및 n형 반도체층과 p형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함할 수 있고, 이에 따라, 제1 발광 소자(110)에 전원이 공급되는 경우 광이 방출될 수 있다.The light emitting structure 111 may include an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and an active layer located between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, When supplied, light may be emitted.

접합층(130)은 발광 소자(110)와 기판(400)의 사이에 위치할 수 있고, 또한, 발광 소자(110)를 기판(400)에 접합하여 실장시킬 수 있다. 또한, 접합층(130)은 제1 접합층(131) 및 제2 접합층(133)을 포함할 수 있다. The bonding layer 130 may be disposed between the light emitting device 110 and the substrate 400 and may be mounted by bonding the light emitting device 110 to the substrate 400. [ In addition, the bonding layer 130 may include a first bonding layer 131 and a second bonding layer 133.

제1 및 제2 접합층(131, 133)은 서로 이격되어 절연되며, 각각 발광 구조체(111)의 서로 다른 극성의 반도체층에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 접합층(131, 133)은 기판(400)의 제1 전극(421) 및 제2 전극(431) 상에 위치할 수 있고, 전기적으로 연결될 수 있다.The first and second bonding layers 131 and 133 may be separated from each other to be insulated from each other and may be electrically connected to semiconductor layers of different polarities of the light emitting structure 111, respectively. The first and second bonding layers 131 and 133 may be positioned on the first electrode 421 and the second electrode 431 of the substrate 400 and may be electrically connected to each other.

접합층(130)은 전기적 도전성을 갖는 물질을 포함할 수 있으며, 특히, 금속 소결체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 접합층(130)은 Ag 입자들이 소결되어 형성된 Ag 소결체를 포함할 수 있다. 이러한 접합층(130)은 기판(400) 상에, 접합층(130)이 형성되는 영역에 대응하는 부분에 복수의 Ag 소결체 필름을 형성하고, 상기 Ag 소결체 필름 상에 발광 소자(110)를 배치한 후, 상기 Ag 소결체 필름에 저온 및/또는 압력을 가하여 경화시킴으로써 형성될 수 있다. 이에 따라, 접합층(130)에 의해 발광 소자(110)는 기판(400)과 접합될 수 있다.The bonding layer 130 may include a material having electrical conductivity, and in particular, may include a metal sintered body. For example, the bonding layer 130 may include an Ag sintered body formed by sintering Ag particles. The bonding layer 130 may be formed by forming a plurality of Ag-sintered film on the substrate 400 at a portion corresponding to the region where the bonding layer 130 is formed and arranging the light-emitting device 110 on the Ag-sintered film And then curing the Ag-sintered product film by applying low temperature and / or pressure thereto. Accordingly, the light emitting device 110 can be bonded to the substrate 400 by the bonding layer 130.

금속 소결체 필름으로부터 형성되는 접합층(130)은, 발광 소자(110)를 배치한 후 경화시키더라도 부피의 변화나 위치의 변화가 거의 없다. 따라서, 종래의 페이스트와 같이 발광 소자(110)를 실장하는 과정에서 제1 접합층(131)과 제2 접합층(133)이 접촉되어 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 미리 제조된 소결체 필름을 이용하므로, 발광 소자(110)의 실장 과정에서 접합층(130) 내에 공공 또는 기공이 발생하지 않으므로, 접합층(130)의 열 방출 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있고, 기계적 강도가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 접합층(130)으로 형성되는 소결체 필름의 두께를 자유롭게 조절할 수 있으므로, 상기 소결체 필름의 두께를 두껍게 하여 발광 소자(110) 구동 시 열 방출 효율을 향상 시킬 수 있다. 예를 들어, 접합층(130)의 두께는 약 10 내지 30㎛일 수 있다. 뿐만 아니라, 금속 소결체 필름을 경화하는 것은 상대적으로 낮은 압력과 낮은 온도에서 수행 가능하므로, 발광 소자(110)를 기판(400)에 접하는 과정에서 고온이나 고압에 의해 발광 소자(110)가 손상될 염려가 없다.The bonding layer 130 formed from the metal sintered film has almost no change in volume or position even when the light emitting device 110 is placed and cured. Accordingly, the first bonding layer 131 and the second bonding layer 133 are brought into contact with each other during the process of mounting the light emitting device 110 like the conventional paste, thereby preventing electrical short-circuiting. In addition, since the pre-manufactured sintered product film is used, no voids or pores are generated in the bonding layer 130 during the mounting process of the light emitting device 110, so that the heat dissipation efficiency of the bonding layer 130 can be prevented And it is possible to prevent the mechanical strength from being lowered. Furthermore, since the thickness of the sintered product film formed of the bonding layer 130 can be freely adjusted, the thickness of the sintered product film can be increased to improve heat dissipation efficiency when the light emitting device 110 is driven. For example, the thickness of the bonding layer 130 may be about 10 to 30 占 퐉. In addition, since the curing of the metal sintered product film can be performed at a relatively low pressure and a low temperature, the light emitting device 110 may be damaged due to high temperature or high pressure in the process of contacting the light emitting device 110 with the substrate 400 There is no.

한편, 발광 소자(110)는 발광 구조체(111)의 하면에 형성된 제1 패드 전극(113) 및 제2 패드 전극(115)을 더 포함할 수 있으며, 발광 소자(110)가 패드 전극들(113, 115)을 포함하는 경우 접합층(130)과의 관계를 도 2a 및 도 2b를 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.The light emitting device 110 may further include a first pad electrode 113 and a second pad electrode 115 formed on a lower surface of the light emitting structure 111. The light emitting device 110 may include a pad electrode 113 , 115, the relationship with the bonding layer 130 will be described in more detail with reference to FIGS. 2A and 2B.

제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)은 각각 n형 반도체층 및 p형 반도체층(또는 반대로)에 전기적으로 연결될 수 있다. 특히, 제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)은 발광 구조체(111)로부터 아래 방향으로 연장되어 형성될 수 있고, 이에 따라, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 제1 발광 소자(110)의 하부에 위치할 수 있다. 이와 달리, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 발광 구조체(111)의 하면과 대체로 동일한 평면상에 위치할 수도 있다. 나아가, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 발광 구조체(111)의 하면보다 높이 위치할 수도 있다. 이 경우, 발광 구조체(111)의 하면에는 홈들이 형성될 수 있고, 상기 홈에 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)가 노출될 수 있다. The first pad electrode 113 and the second pad electrode 115 may be electrically connected to the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer (or vice versa), respectively. The first pad electrode 113 and the second pad electrode 115 may be formed to extend downward from the light emitting structure 111 so that the first and second pad electrodes 113 and 115 And may be positioned below the first light emitting device 110. Alternatively, the first and second pad electrodes 113 and 115 may be positioned substantially on the same plane as the lower surface of the light emitting structure 111. Further, the first and second pad electrodes 113 and 115 may be positioned higher than the lower surface of the light emitting structure 111. In this case, grooves may be formed on the lower surface of the light emitting structure 111, and the first and second pad electrodes 113 and 115 may be exposed in the groove.

제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 각각 기판(400)의 제1 전극(421) 및 제2 전극(431)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 패드 전극들(113, 115)은 접합층(130)에 의해 전극들(421, 431)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first and second pad electrodes 113 and 115 may be electrically connected to the first electrode 421 and the second electrode 431 of the substrate 400, respectively. At this time, the pad electrodes 113 and 115 may be electrically connected to the electrodes 421 and 431 by the bonding layer 130.

구체적으로, 도 2a를 참조하면, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 각각 제1 접합층(131a)과 제2 접합층(133a)에 접촉될 수 있다. 제1 접합층(131a)은 제1 패드 전극(113)의 적어도 일부를 덮을 수 있고, 특히, 제1 접합층(131a)은 제1 패드 전극(113)의 하면 및 측면의 일부를 덮을 수 있다. 이와 유사하게, 제2 접합층(133a)은 제2 패드 전극(115)의 적어도 일부를 덮을 수 있고, 특히, 제2 접합층(133a)은 제2 패드 전극(115)의 하면 및 측면의 일부를 덮을 수 있다.Specifically, referring to FIG. 2A, the first and second pad electrodes 113 and 115 may be in contact with the first bonding layer 131a and the second bonding layer 133a, respectively. The first bonding layer 131a may cover at least a portion of the first pad electrode 113 and the first bonding layer 131a may cover a portion of the bottom surface and the side surface of the first pad electrode 113 . Similarly, the second bonding layer 133a may cover at least a portion of the second pad electrode 115, and in particular, the second bonding layer 133a may cover at least a portion of the lower surface of the second pad electrode 115, .

더욱 구체적으로, 제1 접합층(131a)과 제2 접합층(133a)은 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)이 서로 대향하는 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)의 측면을 제외한 다른 측면들을 모두 덮을 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 제1 접합층(131a)의 일 측면은, 제1 패드 전극(113)의 측면들 중 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)이 대향하는 측면을 덮지 않고, 상기 대향하는 측면과 나란하게 형성될 수 있다. 제2 접합층(133a) 역시, 제2 패드 전극(113)의 측면들 중 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)이 대향하는 측면을 덮지 않고, 상기 대향하는 측면과 나란하게 형성될 수 있다. 나아가, 제1 접합층(131a)의 일 측면을 제외한 다른 측면들은 발광 소자(110)의 측면과 나란하게 형성될 수 있고, 제2 접합층(133a)의 일 측면을 제외한 다른 측면들은 발광 소자(110)의 측면과 나란하게 형성될 수 있다.More specifically, the first bonding layer 131a and the second bonding layer 133a are formed on the side surfaces of the first and second pad electrodes 113 and 115, the first and second pad electrodes 113 and 115, But may cover all of the other aspects. That is, one side of the first bonding layer 131a does not cover the side surfaces of the first and second pad electrodes 113 and 115 of the side surfaces of the first pad electrode 113, And may be formed in parallel with the opposite side surfaces. The second bonding layer 133a may also be formed to be parallel to the opposite side surfaces of the side surfaces of the second pad electrode 113 without covering the opposite side surfaces of the first and second pad electrodes 113 and 115 have. Further, other side surfaces of the first bonding layer 131a may be parallel to the side surface of the light emitting device 110, and other side surfaces of the second bonding layer 133a may be formed of the light emitting device 110). ≪ / RTI >

제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)의 이격 영역에 접합층(130a)이 위치하지 않음으로써, 발광 소자(110) 실장 시 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.Since the bonding layer 130a is not located in a region where the first pad electrode 113 and the second pad electrode 115 are spaced apart from each other, it is possible to prevent electrical shorts from occurring when the light emitting device 110 is mounted.

또한, 도 2b에 도시된 바와 같이, 접합층(130b)은 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)의 하면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우, 접합층(130b)의 수평 단면적이 넓어질 수 있어, 발광 장치(10) 구동 시 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, as shown in FIG. 2B, the bonding layer 130b may be formed to cover the bottom surface and the side surfaces of the first and second pad electrodes 113 and 115. In this case, the horizontal cross-sectional area of the bonding layer 130b can be widened, and heat emission efficiency can be improved when the light emitting device 10 is driven.

다시 도 1을 참조하면, 파장변환부(120)는 발광 소자(110) 상에 위치할 수 있고, 적어도 발광 소자(110)의 상면의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 나아가, 파장변환부(120)는 발광 소자(110)의 상면과 대체로 동일한 면적으로 형성될 수 있고, 이와 달리, 도시된 바와 같이 파장변환부(120)의 면적은 발광 소자(110)의 상면 면적보다 더 클 수 있다. Referring again to FIG. 1, the wavelength converter 120 may be located on the light emitting device 110, and may cover at least a part of the upper surface of the light emitting device 110. Alternatively, the wavelength converter 120 may be formed to have substantially the same area as the upper surface of the light emitting device 110. Alternatively, as shown in the drawing, the area of the wavelength converter 120 may be equal to the upper surface area of the light emitting device 110 Lt; / RTI >

파장변환부(120)는 시트 형태를 가질 수 있으며, 상기 시트 형태의 파장변환부(120)는 발광 소자(110) 상에 접착될 수 있다. 시트 형태의 파장변환부(120)는, 예컨대, 접착제에 의해 접착될 수 있다.The wavelength conversion unit 120 may have a sheet shape, and the sheet-type wavelength conversion unit 120 may be adhered to the light emitting device 110. The sheet-form wavelength conversion section 120 can be adhered, for example, by an adhesive.

파장변환부(120)는 형광체 및 상기 형광체를 담지하는 담지부를 포함할 수 있다. 파장변환부(120)는 통상의 기술자에게 널리 알려진 다양한 종류의 형광체, 예를 들어, 가넷형 형광체, 알루미네이트 형광체, 황화물 형광체, 산질화물 형광체, 질화물 형광체, 불화물계 형광체, 규산염 형광체 등을 포함할 수 있고, 발광 소자(110)에서 방출된 광을 파장변환하여 다양한 색의 광을 방출하도록 할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(110)가 청색광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 경우, 파장변환부(120)는 청색광보다 긴 파장의 피크 파장을 갖는 광(예를 들어, 녹색광, 적색광 또는 황색광)을 방출시키는 형광체를 포함할 수 있다. 또는, 발광 소자(110)가 UV 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 경우, 파장변환부(120)는 UV광보다 긴 파장의 피크 파장을 갖는 광(예를 들어, 청색광, 녹색광, 적색광 또는 황색광)을 방출시키는 형광체를 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 장치(10)에서 백색광이 방출되도록 할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 특히, 본 실시예에 있어서, 파장변환부(120)는 1종의 형광체를 포함할 수 있다.The wavelength converting unit 120 may include a phosphor and a supporting unit for supporting the phosphor. The wavelength converter 120 may include various kinds of phosphors commonly known to those skilled in the art such as a garnet fluorescent material, an aluminate fluorescent material, a sulfide fluorescent material, an oxynitride fluorescent material, a nitride fluorescent material, a fluoride fluorescent material, a silicate fluorescent material And the light emitted from the light emitting device 110 can be wavelength-converted to emit light of various colors. For example, when the light emitting device 110 emits light having a peak wavelength in a blue light band, the wavelength converter 120 converts light having a peak wavelength of longer wavelength than blue light (for example, green light, Light) emitted from the phosphor. Alternatively, when the light emitting element 110 emits light having a peak wavelength in the UV band, the wavelength converting section 120 may convert light having a peak wavelength of longer wavelength than UV light (e.g., blue light, green light, Yellow light) emitted from the phosphor. Thus, the light emitting device 10 can emit white light. However, the present invention is not limited thereto, and in particular, in this embodiment, the wavelength converter 120 may include one kind of phosphor.

상기 담지부는 폴리머 수지, 유리와 같은 세라믹 등을 포함할 수 있다. 상기 형광체는 담지부 내에 무작위로 배치될 수 있다. The supporting portion may include a polymer resin, a ceramic such as glass, or the like. The phosphor may be randomly arranged in the support.

또한, 파장변환부(120)는 단결정 물질을 포함할 수도 있다. 단결정 물질을 포함하는 파장변환부(120)는 형광체 시트 형태로 제공될 수 있으며, 상기 시트 형태의 파장변환부(120) 자체가 단결정 형광체로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 상기 단결정 형광체는 단결정의 YAG:Ce일 수 있다. 단결정 형광체 시트를 포함하는 파장변환부(120)를 통과하는 광은 대체로 일정한 색좌표를 갖는 광을 방출시킬 수 있어, 상기 단결정 형광체 시트를 포함하는 파장변환부(120)가 복수의 발광 장치들에 적용되는 경우 상기 복수의 발광 장치들 간의 색좌표 편차를 감소시킬 수 있다.In addition, the wavelength converter 120 may include a single crystal material. The wavelength converter 120 including the single crystal material may be provided in the form of a phosphor sheet. The wavelength converter 120 itself may be formed of a single crystal phosphor. For example, the single crystal phosphor may be a single crystal YAG: Ce. The light passing through the wavelength converter 120 including the single crystal phosphor sheet can emit light having a substantially uniform color coordinate, and the wavelength converter 120 including the single crystal phosphor sheet can be applied to a plurality of light emitting devices The color coordinate deviation between the plurality of light emitting devices can be reduced.

측벽부(300)는 발광부(100)의 측면을 덮을 수 있고, 구체적으로 발광 소자(110)의 측면, 접착부(130)의 측면 및 파장변환부(120)의 측면을 덮을 수 있다. 나아가, 측벽부(300)의 일부는 발광 소자(110)의 하면의 일부를 더 덮을 수 있다. 이때, 패드 전극들(113, 115)의 측면은 측벽부(300)에 둘러싸일 수 있다.The side wall part 300 may cover the side surface of the light emitting part 100 and may specifically cover the side surface of the light emitting device 110, the side surface of the adhesive part 130, and the side surface of the wavelength conversion part 120. Furthermore, a part of the side wall part 300 may further cover a part of the lower surface of the light emitting element 110. At this time, the side surfaces of the pad electrodes 113 and 115 may be surrounded by the side wall part 300.

측벽부(300)는 발광 소자(110)를 지지할 수 있고, 또한, 외부 환경으로부터 발광 소자(110)를 보호할 수 있다. 나아가, 측벽부(300)는 광을 반사시키는 역할을 할 수 있다. 측벽부(300)가 발광 장치(10)의 외곽 측면에 형성됨으로써, 발광부(100)에서 방출되는 광을 상부로 집중시킬 수 있다. 특히, 접착부(130)가 발광 소자의(110)의 측면까지 연장되어 형성되고, 경사를 갖는 경우, 접착부(130)의 측면과 접하는 부분의 측벽부(300)는 경사질 수 있다. 따라서, 발광 장치(10)의 발광 효율이 더욱 향상될 수 있다.The side wall part 300 can support the light emitting element 110 and also protect the light emitting element 110 from the external environment. Further, the side wall part 300 may serve to reflect light. The side wall part 300 is formed on the outer side surface of the light emitting device 10, so that the light emitted from the light emitting part 100 can be concentrated on the upper side. Particularly, when the adhesive portion 130 is formed to extend to the side surface of the light emitting device 110 and has an inclination, the side wall portion 300 of the portion contacting the side surface of the adhesive portion 130 may be inclined. Therefore, the luminous efficiency of the light emitting device 10 can be further improved.

다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 측벽부(300)의 반사도, 광 투과도 등을 조절하여, 발광부(100)에서 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다.However, the present invention is not limited to this, and it is possible to adjust the directivity angle of light emitted from the light emitting portion 100 by adjusting the reflectivity, light transmittance, and the like of the side wall portion 300 as necessary.

측벽부(300)는 절연성의 폴리머 물질 또는 세라믹을 포함할 수 있고, 나아가, 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 필러를 더 포함할 수 있다. 측벽부(300)는 광투과성, 광 반투과성 또는 광 반사성을 가질 수 있다. 예를 들어, 측벽부(300)는 실리콘 수지, 또는 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 우레탄 수지 등과 같은 폴리머 수지를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 상기 측벽부(300)는 광 반사성을 갖는 백색 실리콘 수지를 포함할 수 있다.The sidewall portion 300 may include an insulating polymer material or ceramic, and may further include a filler capable of reflecting or scattering light. The sidewall portion 300 may have optical transparency, optical semipermeability, or light reflectivity. For example, the side wall portion 300 may include a silicone resin or a polymer resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, a urethane resin, or the like. In this embodiment, the side wall part 300 may include a white silicone resin having light reflectivity.

상기 필러는 측벽부(300) 내에 균일하게 분산 배치될 수 있다. 상기 필러는 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 물질이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 산화티탄(TiO2), 산화규소(SiO2), 또는 산화지르코늄(ZrO2) 등일 수 있다. 측벽부(300)는 상기 필러들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 필러의 종류 또는 농도 등을 조절함으로써, 측벽부(300)의 반사도 또는 광의 산란 정도 등을 조절할 수 있다.The filler can be uniformly dispersed in the side wall portion 300. The filler is not limited as long as it is a material capable of reflecting or scattering light, and may be, for example, titanium oxide (TiO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), zirconium oxide (ZrO 2 ) or the like. The sidewall portion 300 may include at least one of the fillers. By adjusting the type or concentration of the filler, the reflectivity of the side wall part 300, the degree of light scattering, and the like can be adjusted.

한편, 측벽부(300)의 상면과 발광부(100)의 상면은 서로 동일 높이를 이룰 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 측벽부(300)의 상면과 파장변환부(120)의 상면이 서로 나란하게(flush) 형성될 수 있다. On the other hand, the upper surface of the side wall 300 and the upper surface of the light emitting portion 100 may have the same height. That is, as shown in the drawing, the upper surface of the side wall 300 and the upper surface of the wavelength converting portion 120 may be flush with each other.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 3의 발광 장치(10b)는 도 1의 발광 장치와 비교하여 복수의 발광부(100)를 포함하는 점에서 차이가 있다. 3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention. The light emitting device 10b of FIG. 3 differs from the light emitting device of FIG. 1 in that it includes a plurality of light emitting portions 100. FIG.

상기 발광 장치(10b)는 기판(400) 상에 위치하는 복수의 발광부(100)들을 포함한다. 이때, 발광부(100)들은 접합층(130)에 의해 기판(400)에 접합될 수 있다.The light emitting device 10b includes a plurality of light emitting portions 100 positioned on a substrate 400. [ At this time, the light emitting portions 100 may be bonded to the substrate 400 by the bonding layer 130.

접합층(130)은 금속 소결체를 포함할 수 있다. 이에 따라, 복수의 발광부(100)들을 기판(400)에 접합하는 과정에서 접합층(130)이 페이스트와 같이 퍼지지 않고, 형태 및 위치를 거의 그대로 유지할 수 있다. 따라서, 접합층(130)에 의해 하나의 발광부(100)가 인접하는 다른 발광부(100)와 전기적으로 접촉되어 전기적 쇼트 및 불량이 발생할 확률을 현저하게 감소시킬 수 있다. 따라서, 제조된 발광 장치(10b)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 복수의 발광부(100)를 포함하는 발광 장치(10b)의 경우, 구동 시 고열이 발생할 수 있는데, 상기 발광 장치(10b)는 금속 소결체를 포함하는 접합층(130)을 포함함으로써 상기 열을 효과적으로 외부로 방출시킬 수 있다. 이에 따라, 발광 장치(10b)가 열로 인하여 손상되거나 발광 효율이 감소하는 것을 방지할 수 있다.The bonding layer 130 may include a metal sintered body. Accordingly, in the process of bonding the plurality of light emitting portions 100 to the substrate 400, the bonding layer 130 does not spread like a paste, and the shape and position of the bonding layer 130 can be substantially maintained. Therefore, the bonding layer 130 can electrically contact one light emitting portion 100 with another adjacent light emitting portion 100, thereby remarkably reducing the probability of electric short-circuiting and failure. Therefore, the reliability of the manufactured light emitting device 10b can be improved. In the case of the light emitting device 10b including a plurality of light emitting portions 100, a high temperature may be generated during driving. The light emitting device 10b includes a bonding layer 130 including a metal sintered body, Can be effectively released to the outside. Thus, it is possible to prevent the light emitting device 10b from being damaged due to heat or decreasing the luminous efficiency.

도 4 내지 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도, 평면도, 저부 평면도 및 단면도이다. 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이다.4 to 7 are a perspective view, a plan view, a bottom plan view, and a cross-sectional view for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 8 is a plan view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 7을 참조하여 설명하는 발광 장치(10c)는 도 1을 참조하여 설명한 발광 장치(10)와 비교하여, 복수의 발광부(100, 200)를 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하, 차이점을 중심으로 상기 발광 장치(10c)에 관하여 설명하며, 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.The light emitting device 10c described with reference to Figs. 4 to 7 differs from the light emitting device 10 described with reference to Fig. 1 in that it includes a plurality of light emitting portions 100 and 200. Fig. Hereinafter, the light emitting device 10c will be described with a focus on the differences, and a detailed description of the same configuration will be omitted.

도 4 내지 도 7을 참조하면, 발광 장치(10c)는 적어도 2 이상의 발광부를 포함할 수 있고, 구체적으로, 발광 장치(10c)는 제1 발광부(100), 제2 발광부(200), 제1 접합층(130), 제2 접합층(230), 측벽부(300) 및 기판(400)을 포함한다. 나아가, 발광 장치(10c)는 보호 소자(310)를 더 포함할 수 있다.4 to 7, the light emitting device 10c may include at least two light emitting portions. Specifically, the light emitting device 10c includes a first light emitting portion 100, a second light emitting portion 200, A first bonding layer 130, a second bonding layer 230, a sidewall portion 300, and a substrate 400. Further, the light emitting device 10c may further include a protection element 310. [

기판(400)은 발광 장치(10c)의 저부에 위치할 수 있으며, 제1 및 제2 발광부(100, 200)와 측벽부(300)를 지지하는 역할을 할 수 있다. 기판(400)은 베이스(410)를 포함할 수 있고, 나아가, 제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)을 더 포함할 수 있다.The substrate 400 may be positioned at the bottom of the light emitting device 10c and may support the first and second light emitting units 100 and 200 and the side wall unit 300. [ The substrate 400 may include a base 410 and may further include first to fourth electrodes 421, 431, 423, and 433.

제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)들은 서로 절연될 수 있으며, 베이스(410)를 상하로 관통하여, 베이스(410) 상부 및 하부 상에 노출될 수 있다. 이에 따라, 전극들(421, 431, 423, 433)은 기판(400) 상에 위치하는 제1 및 제2 발광부(100, 200)와 전기적으로 연결될 수 있고, 또한, 기판(400)의 하부에 노출된 부분을 통해 외부 전원과 전기적으로 연결되어 제1 및 제2 발광부(100, 200)에 전원을 공급할 수 있다.The first to fourth electrodes 421, 431, 423 and 433 may be insulated from each other and may be exposed above and below the base 410 through the base 410. Accordingly, the electrodes 421, 431, 423, and 433 can be electrically connected to the first and second light emitting units 100 and 200 located on the substrate 400, The first and second light emitting units 100 and 200 can be electrically connected to the external power source through the exposed portions of the first and second light emitting units 100 and 200. [

다만, 본 발명이 이에 한정되지 않으며, 제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)들의 형태는 다양하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)들 중 적어도 하나는 베이스(410)의 측면을 통해 노출될 수도 있으며, 또한, 제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)들 중 적어도 일부는 서로 전기적으로 연결될 수도 있다. 또한, 발광 장치(10c)에 포함된 발광부의 수에 따라, 발광 장치(10c)는 5개 이상의 전극을 포함할 수도 있다. 발광부들(100, 200)과 전극들의 전기적 연결 형태는 후술하여 상세하게 설명한다.However, the present invention is not limited thereto, and the shapes of the first to fourth electrodes 421, 431, 423, and 433 may be variously formed. For example, at least one of the first to fourth electrodes 421, 431, 423, and 433 may be exposed through the side surface of the base 410, and the first to fourth electrodes 421, 431, 423, and 433 may be electrically connected to each other. Further, depending on the number of light emitting portions included in the light emitting device 10c, the light emitting device 10c may include five or more electrodes. The electrical connection between the light emitting portions 100 and 200 and the electrodes will be described later in detail.

제1 발광부(100) 및 제2 발광부(200)는 기판(400) 상에 위치할 수 있다. 제1 발광부(100)는 제1 발광 소자(110), 제1 파장변환부(120) 및 제1 접착부(130)를 포함할 수 있다. 제2 발광부(200)는 제2 발광 소자(210), 제2 파장변환부(220) 및 제2 접착부(230)를 포함할 수 있다. 제1 발광부(100)는 제2 발광부(200)와 다른 파장대의 광을 방출할 수 있으며, 예를 들어, 각각 백색광 및 엠버색광을 방출할 수 있다.The first light emitting portion 100 and the second light emitting portion 200 may be disposed on the substrate 400. The first light emitting unit 100 may include a first light emitting device 110, a first wavelength converting unit 120, and a first bonding unit 130. The second light emitting unit 200 may include a second light emitting device 210, a second wavelength converting unit 220, and a second bonding unit 230. The first light emitting unit 100 may emit light of a different wavelength band from the second light emitting unit 200, and emit white light and ember light, respectively.

또한, 제1 발광부(100)는 발광 구조체(111), 제1 패드 전극(113) 및 제2 패드 전극(115)을 포함할 수 있고, 제2 발광부(200)는 발광 구조체(211), 제3 패드 전극(213) 및 제4 패드 전극(215)을 포함할 수 있다.The first light emitting portion 100 may include a light emitting structure 111, a first pad electrode 113 and a second pad electrode 115. The second light emitting portion 200 may include a light emitting structure 211, A third pad electrode 213, and a fourth pad electrode 215. The third pad electrode 213 and the fourth pad electrode 215 may be formed of the same material.

제1 접합층(130)은 제1 발광부(100)와 기판(400) 사이에 위치하여, 제1 발광부(100)를 기판(400)에 접합할 수 있다. 제2 접합층(230)는 제2 발광부(200)와 기판(400) 사이에 위치하여, 제2 발광부(200)를 기판(400)에 접합할 수 있다. 제1 및 제2 접합층(130, 230)는 금속 입자가 소결된 금속 소결체를 포함할 수 있고, 특히, Ag 입자가 소결된 Ag 소결체를 포함할 수 있다.The first bonding layer 130 may be disposed between the first light emitting portion 100 and the substrate 400 to bond the first light emitting portion 100 to the substrate 400. The second bonding layer 230 may be disposed between the second light emitting portion 200 and the substrate 400 to bond the second light emitting portion 200 to the substrate 400. The first and second bonding layers 130 and 230 may include a metal sintered body in which metal particles are sintered. In particular, the Ag particles may include a sintered Ag body.

제1 및 제2 파장변환부(120, 220)는 각각 제1 및 제2 발광 소자(110, 210) 상에 위치할 수 있고, 형광체를 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 파장변환부(120, 220)는 상기 형광체를 담지하는 담지부를 더 포함할 수 있다. 특히, 제1 및 제2 파장변환부(120, 220)는 단결정 형광체 시트를 포함할 수 있고, 상기 단결정 형광체 시트는, 예를 들어, 단결정 YAG:Ce일 수 있다.The first and second wavelength conversion units 120 and 220 may be disposed on the first and second light emitting devices 110 and 210, respectively, and may include phosphors. In addition, the first and second wavelength conversion units 120 and 220 may further include a support unit for supporting the phosphor. In particular, the first and second wavelength converters 120 and 220 may include a single crystal phosphor sheet, and the single crystal phosphor sheet may be, for example, single crystal YAG: Ce.

제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 각각 기판(400)의 제1 전극(421) 및 제2 전극(431)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 전극(421, 431)을 통해 제1 발광 소자(110)에 전원이 공급될 수 있다. 또한, 제3 패드 전극(213)은 제3 전극(423)에 전기적으로 연결되고, 제4 패드 전극(215)은 제4 전극(433)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제3 및 제4 전극(423, 433)을 통해 제2 발광 소자(210)에 전원이 공급될 수 있다. 이때, 패드 전극들(113, 115, 213, 215)은 접합층들(130, 230)에 의해 전극들(421, 423, 431, 433)과 접합 및 전기적으로 연결될 수 있다.The first and second pad electrodes 113 and 115 may be electrically connected to the first electrode 421 and the second electrode 431 of the substrate 400, respectively. Accordingly, power may be supplied to the first light emitting device 110 through the first and second electrodes 421 and 431. The third pad electrode 213 may be electrically connected to the third electrode 423 and the fourth pad electrode 215 may be electrically connected to the fourth electrode 433. Accordingly, power can be supplied to the second light emitting device 210 through the third and fourth electrodes 423 and 433. At this time, the pad electrodes 113, 115, 213, and 215 may be bonded and electrically connected to the electrodes 421, 423, 431, and 433 by the bonding layers 130 and 230.

이에 따라, 제1 발광 소자(110)와 제2 발광 소자(120)는 각각 별도의 전극들(421, 431, 423, 433)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극들(421, 431, 423, 433)에 공급되는 전원을 별개로 연결함으로써 제1 발광부(100)와 제2 발광부(200)를 독립적으로 구동시킬 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 전극들(421, 431, 423, 433)은 서로 전기적으로 상호 연결될 수도 있다. 나아가, 발광 장치(10c)는 별도의 제어부(미도시)를 더 포함할 수도 있고, 상기 제어부에 의하여 제1 발광부(100)와 제2 발광부(200)의 구동이 제어될 수 있다.Accordingly, the first light emitting device 110 and the second light emitting device 120 may be electrically connected to separate electrodes 421, 431, 423, and 433, respectively. The first light emitting unit 100 and the second light emitting unit 200 can be independently driven by separately connecting the power supplies to the electrodes 421, 431, 423, and 433. However, the present invention is not limited thereto, and the electrodes 421, 431, 423, and 433 may be electrically connected to each other. Further, the light emitting device 10c may further include a separate control unit (not shown), and the driving of the first light emitting unit 100 and the second light emitting unit 200 may be controlled by the control unit.

몇몇 실시예들에 있어서, 제2 파장변환부(220)는 형광체를 포함하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 제2 발광부(200)에서 방출시키고자 하는 광의 파장 대역이 제2 발광 소자(210)의 방출 광 파장 대역과 대체로 일치하는 경우, 제2 파장변환부(220)는 형광체를 포함하지 않을 수도 있다. 이 경우, 제2 파장변환부(220)는 TiO2와 같은 광 산란제를 포함할 수 있다.In some embodiments, the second wavelength converter 220 may not include a phosphor. For example, when the wavelength band of the light to be emitted from the second light emitting unit 200 is substantially equal to the wavelength band of emitted light from the second light emitting device 210, the second wavelength conversion unit 220 may include a phosphor It may not. In this case, the second wavelength converter 220 may include a light scattering agent such as TiO 2 .

측벽부(300)는 제1 및 제2 발광 소자(110, 210)의 측면을 덮을 수 있으며, 나아가, 제1 및 제2 파장변환부(120, 220)의 측면을 더 덮을 수 있다. 측벽부(300)는 제1 및 제2 발광부(100, 200)와 접촉될 수 있다. 또한, 측벽부(300)의 일부는 제1 및 제2 발광 소자(110, 210)의 하면의 일부를 더 덮을 수 있고, 이때, 패드 전극들(113, 115, 213, 215)의 측면은 측벽부(300)에 둘러싸일 수 있다.The side wall 300 may cover the side surfaces of the first and second light emitting devices 110 and 210 and further cover the side surfaces of the first and second wavelength converters 120 and 220. The side wall part 300 may be in contact with the first and second light emitting parts 100 and 200. A part of the side wall part 300 may further cover a part of the lower surface of the first and second light emitting devices 110 and 210. The side surfaces of the pad electrodes 113, As shown in FIG.

또한, 제1 발광부(100)와 제2 발광부(200)의 사이에 형성된 측벽부(300)의 두께는, 측벽부(300)의 외곽 측면 테두리 부분의 두께보다 작을 수 있다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 발광부(100)와 제2 발광부(200)의 이격 영역을 채우는 측벽부(300)의 두께 x는, 측벽부(300)의 외곽 측면으로부터 제1 및 제2 발광부(100, 200) 중 하나의 측면까지의 최단 거리에 대응하는 두께 y보다 작을 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 발광부(100, 200) 간의 이격 거리를 최소화하여 발광 장치(10c)를 더욱 소형화시킬 수 있고, 나아가, 제1 및 제2 발광부(100, 200)를 외부로부터 더욱 효과적으로 보호할 수 있다.The thickness of the side wall part 300 formed between the first light emitting part 100 and the second light emitting part 200 may be smaller than the thickness of the outer side edge part of the side wall part 300. 2, the thickness x of the sidewall 300 filling the gap between the first light emitting portion 100 and the second light emitting portion 200 is set so that the thickness x of the sidewall portion 300 from the outer sidewall of the sidewall portion 300 1 corresponding to the shortest distance to one side of one of the first and second light emitting units 100 and 200. [ Accordingly, the distance between the first and second light emitting units 100 and 200 can be minimized to further reduce the size of the light emitting device 10c. Further, the first and second light emitting units 100 and 200 can be separated from the outside More effective protection can be achieved.

또한, 본 실시예들에 따른 발광 장치(10c)는 보호 소자(310)를 더 포함할 수 있다. 보호 소자(310)는 측벽부(300) 내에 배치될 수 있으며, 예를 들어, 제너 다이오드를 포함할 수 있다. 보호 소자(310)는 제1 및 제2 발광 소자(110, 120) 중 적어도 하나에 전기적으로 연결되어, 제1 및 제2 발광 소자(110, 120)가 정전기 방전 등으로 인하여 파손되는 것을 방지할 수 있다. 보호 소자(310)는 제1 및 제2 발광 소자(110, 120) 각각에 별도로 연결될 수도 있고, 또는, 제1 및 제2 발광 소자(110, 120)에 동시에 연결될 수도 있다.In addition, the light emitting device 10c according to the present embodiments may further include a protection element 310. FIG. The protection element 310 may be disposed within the sidewall portion 300 and may include, for example, a Zener diode. The protection device 310 is electrically connected to at least one of the first and second light emitting devices 110 and 120 to prevent the first and second light emitting devices 110 and 120 from being damaged due to electrostatic discharge, . The protection element 310 may be separately connected to the first and second light emitting devices 110 and 120 or may be connected to the first and second light emitting devices 110 and 120 at the same time.

상술한 실시예들에 따르면, 발광 장치(10, 10a, 10b)는 기판(400) 상에 서로 이격되어 위치하는 제1 발광부(100) 및 제2 발광부(200)를 포함하고, 상기 제1 및 제2 발광부(100, 200)는 각각 서로 다른 전극들에 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 제1 발광부(100) 및 제2 발광부(200)는 서로 독립적으로 구동될 수 있으며, 필요에 따라 선택적으로 다른 색의 광을 방출하는 발광 장치(10a)가 제공될 수 있다. 따라서, 서로 다른 색의 광을 방출하는 적어도 둘 이상의 발광 장치를 별도로 제조하는 것을 생략할 수 있어, 제조 공정이 간소화 될 수 있다. 나아가, 하나의 발광 장치만으로도 복수 색의 광을 방출시킬 수 있으므로, 특정 응용 장치에서 발광 장치가 차지하는 공간적 비율을 감소시킬 수 있다. According to the above-described embodiments, the light emitting devices 10, 10a, and 10b include the first light emitting portion 100 and the second light emitting portion 200 that are spaced apart from each other on the substrate 400, 1 and the second light emitting units 100 and 200 are electrically connected to different electrodes, respectively. Accordingly, the first light emitting unit 100 and the second light emitting unit 200 can be driven independently of each other, and a light emitting device 10a that selectively emits different colors of light can be provided as needed. Therefore, it is possible to omit the manufacture of at least two light emitting devices that emit light of different colors, and the manufacturing process can be simplified. Further, since a plurality of colors of light can be emitted by only one light emitting device, the spatial ratio occupied by the light emitting device in a specific application device can be reduced.

한편, 본 발명에 따른 발광 장치는 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 셋 이상의 발광부를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 발광 장치(10d)는 복수의 제1 발광부(100) 및 복수의 제2 발광부(200)를 포함할 수 있다. 복수의 제1 발광부(100)들은 서로 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있고, 복수의 제2 발광부(200)들 역시 서로 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. 이와 같이 발광 장치(10d)가 셋 이상의 발광부들을 포함함으로써, 발광 장치(10d) 발광 강도를 향상시킬 수 있다.Meanwhile, the light emitting device according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may include three or more light emitting portions. For example, as shown in FIG. 8, the light emitting device 10d may include a plurality of first light emitting units 100 and a plurality of second light emitting units 200. FIG. The plurality of first light emitting units 100 may be connected to each other in series or in parallel, and the plurality of second light emitting units 200 may be connected to each other in series or in parallel. As described above, since the light emitting device 10d includes three or more light emitting portions, the light emitting intensity of the light emitting device 10d can be improved.

또한, 본 발명의 발광 장치는 세 종류 이상의 색의 광을 방출하는 발광부들을 포함할 수도 있다.Further, the light emitting device of the present invention may include light emitting portions that emit light of three or more colors.

상술한 실시예들에서 설명한 발광 장치는, 하나의 발광 장치로부터 둘 이상의 색의 광을 방출될 수 있다. 이러한 발광 장치는 복수의 발광 색이 요구되는 응용 장치 등에 적용될 수 있으며, 예를 들어, 차량용 램프에 적용될 수 있다. 이하, 도 9를 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치를 포함하는 차량용 램프에 관하여 설명한다.The light emitting device described in the above embodiments can emit light of two or more colors from one light emitting device. Such a light emitting device can be applied to an application device requiring a plurality of emission colors and the like, and can be applied, for example, to a vehicle lamp. Hereinafter, a vehicle lamp including the light emitting device according to the embodiments of the present invention will be described with reference to FIG.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 차량용 램프를 설명하기 위한 정면도이다.9 is a front view for explaining a vehicle lamp according to another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 차량용 램프(20)는 콤비네이션 램프(23)를 포함할 수 있고, 나아가, 메인 램프(21)를 더 포함할 수 있다. 상기 차량용 램프(20)는 헤드라이트, 백라이트, 또는 사이드 미러 라이트 등 차량의 다양한 부분에 적용될 수 있다.Referring to FIG. 9, the vehicle lamp 20 according to the present embodiment may include a combination lamp 23, and may further include a main lamp 21. The vehicle lamp 20 can be applied to various parts of a vehicle such as a headlight, a backlight, or a side mirror light.

메인 램프(21)는 차량용 램프(20)에 있어서 주 발광등일 수 있고, 예를 들어, 차량용 램프(20)가 헤드라이트로 이용되는 경우, 차량의 전방을 비추는 전조등 역할을 할 수 있다.The main lamp 21 may be a main light or the like in the on-vehicle lamp 20 and may serve as a headlamp for illuminating the front of the vehicle, for example, when the on-vehicle lamp 20 is used as a headlamp.

콤비네이션 램프(23)는 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치(10c)를 포함할 수 있다. 콤비네이션 램프(23)는 적어도 둘 이상의 기능을 할 수 있다. 예를 들어, 차량용 램프(20)가 헤드라이트로 이용되는 경우, 콤비네이션 램프(23)는 주간주행등(daytime running light; DRL) 및 방향 지시등의 기능을 할 수 있다.The combination lamp 23 may include the light emitting device 10c according to the embodiments of the present invention. The combination lamp 23 can perform at least two functions. For example, when the vehicle lamp 20 is used as a headlight, the combination lamp 23 may function as a daytime running light (DRL) and a turn signal lamp.

구체적으로, 본 실시예의 차량용 램프(20)를 포함하는 차량에 있어서, 상기 차량의 일반 주행 시, 콤비네이션 램프(23)의 발광 장치(10c)는 백색광을 방출하는 제1 발광부(100)에서 광을 방출한다. 이에 따라, 상기 콤비네이션 램프(23)는 백색광을 방출하여 주간주행등의 기능을 할 수 있다. 또한, 상기 차량의 방향 지시등을 턴-온(turn-on)하는 경우, 콤비네이션 램프(23)의 발광 장치(10c)는 제1 발광부(100)의 전원을 오프하고, 제2 발광부(200)에서 엠버색의 광을 방출한다. 이에 따라, 상기 콤비네이션 램프(23)는 엠버색의 광을 방출하여 방향 지시등의 기능을 할 수 있다. 이러한 콤비네이션 램프(23) 및 발광 장치(10c)는 별도의 제어부(미도시)에 의해 그 구동이 제어될 수 있다.Specifically, in the vehicle including the vehicle lamp 20 of the present embodiment, the light emitting device 10c of the combination lamp 23, when traveling on the vehicle, irradiates the light from the first light emitting portion 100 emitting white light, Lt; / RTI > Accordingly, the combination lamp 23 emits white light and can perform a function such as a weekly running or the like. The light emitting device 10c of the combination lamp 23 turns off the power of the first light emitting unit 100 and turns on the second light emitting unit 200 Emits light of amber color. Accordingly, the combination lamp 23 emits amber-colored light to function as a turn signal lamp. The driving of the combination lamp 23 and the light emitting device 10c can be controlled by a separate control unit (not shown).

이와 같이, 둘 이상의 색의 광을 방출하여 적어도 둘 이상의 기능을 할 수 있는 콤비네이션 램프(23)의 광원으로, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치(10c)를 이용할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치(10c)는 적어도 둘 이상의 서로 다른 파장의 광을 방출하는 발광부들을 포함하므로, 콤비네이션 램프(23)를 포함하는 차량용 램프(20) 제조 시, 별도의 둘 이상의 발광 장치를 실장하는 공정이 생략될 수 있다. 따라서 차량용 램프(20)의 불량률을 감소시킬 수 있고, 제조 공정을 단순화하여 공정 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 발광 장치(10c)의 부피가 상대적으로 작으므로, 콤비네이션 램프(23) 제조 시 공간적 제약이 감소될 수 있고, 콤비네이션 램프(23)의 다양한 변형 및 변경이 용이해질 수 있다.As described above, the light emitting device 10c according to the embodiments of the present invention can be used as a light source of the combination lamp 23 that can emit light of two or more colors and perform at least two functions. Since the light emitting device 10c according to the embodiments of the present invention includes light emitting portions that emit light of at least two or more different wavelengths, when manufacturing the lamp 20 for a vehicle including the combination lamp 23, The step of mounting the above light emitting device can be omitted. Therefore, the defective rate of the lamp 20 for a vehicle can be reduced, and the manufacturing process can be simplified to improve the process yield. Further, since the volume of the light emitting device 10c is relatively small, the spatial restriction in manufacturing the combination lamp 23 can be reduced, and various variations and modifications of the combination lamp 23 can be facilitated.

다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 발광 장치는 차량용 램프 외 다양한 다른 응용 기구에 적용될 수 있다. 또한, 상술한 다양한 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.
However, the present invention is not limited thereto, and the light emitting device can be applied to various other appliances other than a lamp for a vehicle. In addition, the present invention is not limited to the above-described various embodiments and features, and various modifications and changes may be made without departing from the technical idea of the present invention.

Claims (18)

기판;
상기 기판 상에 위치하며, 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 파장변환부를 포함하는 발광부;
상기 발광부와 상기 기판 사이에 위치하며, 상기 발광부를 상기 기판에 접합하는 접합층; 및
상기 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고,
상기 접합층은 금속 입자를 포함하는 금속 소결체를 포함하는 발광 장치.Board;
A light emitting unit located on the substrate, the light emitting unit including a light emitting device and a wavelength converting unit located on the light emitting device;
A bonding layer positioned between the light emitting portion and the substrate and bonding the light emitting portion to the substrate; And
And a side wall portion surrounding the side surface of the light emitting portion and contacting the side surface of the light emitting portion,
Wherein the bonding layer comprises a metal sintered body containing metal particles. 청구항 1에 있어서,
상기 금속 입자는 Ag 입자를 포함하는 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the metal particles comprise Ag particles. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 소자는 그 하면에 위치하며, 서로 이격된 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 포함하는 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting device includes a first pad electrode and a second pad electrode which are located on a lower surface thereof and are spaced apart from each other. 청구항 3에 있어서,
상기 접합층은 제1 접합층 및 제2 접합층을 포함하고,
상기 제1 접합층은 상기 제1 패드 전극의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮고,
상기 제2 접합층은 상기 제2 패드 전극의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮는 발광 장치.The method of claim 3,
Wherein the bonding layer includes a first bonding layer and a second bonding layer,
Wherein the first bonding layer covers the lower surface and at least a part of the side surface of the first pad electrode,
And the second bonding layer covers the bottom surface and at least a part of the side surface of the second pad electrode. 청구항 4에 있어서,
상기 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극은 각각, 상기 제1 패드 전극과 상기 제2 패드 전극이 대향하는 측면을 포함하고,
상기 제1 접합층의 일 측면은 상기 제1 패드 전극의 상기 대향하는 측면과 나란하게 위치하며,
상기 제2 접합층의 일 측면은 상기 제2 패드 전극의 상기 대향하는 측면과 나란하게 위치하는 발광 장치.The method of claim 4,
Wherein the first pad electrode and the second pad electrode each include a side surface where the first pad electrode and the second pad electrode face each other,
Wherein one side of the first bonding layer is located in parallel with the opposite side of the first pad electrode,
And one side of the second bonding layer is located in parallel with the opposite side of the second pad electrode. 청구항 5에 있어서,
상기 제1 접합층은 상기 제1 패드 전극의 상기 대향하는 측면을 제외한 다른 측면들을 덮으며, 상기 제1 접합층의 타 측면들은 상기 발광 소자의 측면과 나란하고,
상기 제2 접합층은 상기 제2 패드 전극의 상기 대향하는 측면을 제외한 다른 측면들을 덮으며, 상기 제2 접합층의 타 측면들은 상기 발광 소자의 측면과 나란하게 위치하는 발광 장치.The method of claim 5,
Wherein the first bonding layer covers other side surfaces of the first pad electrode except for the opposite side surfaces thereof, the other side surfaces of the first bonding layer are parallel to a side surface of the light emitting device,
Wherein the second bonding layer covers the other side surfaces of the second pad electrode except for the opposite side surfaces thereof and the other side surfaces of the second bonding layer are positioned in parallel with the side surface of the light emitting device. 청구항 3에 있어서,
상기 접합층은 제1 접합층 및 제2 접합층을 포함하고,
상기 제1 접합층은 상기 제1 패드 전극을 덮고, 상기 제2 접합층은 상기 제2 패드 전극을 덮는 발광 장치.The method of claim 3,
Wherein the bonding layer includes a first bonding layer and a second bonding layer,
Wherein the first bonding layer covers the first pad electrode, and the second bonding layer covers the second pad electrode. 청구항 1에 있어서,
상기 접합층은 10 내지 30㎛의 두께를 갖는 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the bonding layer has a thickness of 10 to 30 占 퐉. 청구항 1에 있어서,
상기 발광부 및 상기 접합층은 각각 복수로 형성되고,
상기 복수의 발광부들은 상기 복수의 접합층들에 의해 상기 기판 상에 접합되는 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting portion and the bonding layer are formed in plural numbers,
Wherein the plurality of light emitting portions are bonded onto the substrate by the plurality of bonding layers. 기판;
상기 기판 상에 위치하고, 제1 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 제1 파장변환부를 포함하는 제1 발광부;
상기 기판 상에 위치하고, 상기 제1 발광부와 이격되며, 제2 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 제2 파장변환부를 포함하는 제2 발광부;
상기 제1 발광부와 상기 기판 사이에 위치하는 제1 접합층;
상기 제2 발광부와 상기 기판 사이에 위치하는 제2 접합층; 및
상기 제1 및 제2 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고,
상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부는 서로 다른 피크 파장을 갖는 광을 방출하고,
상기 제1 및 제2 접합층는 각각 금속 입자를 포함하는 금속 소결체를 포함하는 발광 장치.Board;
A first light emitting unit located on the substrate, the first light emitting unit including a first light emitting device and a first wavelength converting unit located on the light emitting device;
A second light emitting unit located on the substrate and spaced apart from the first light emitting unit and including a second light emitting device and a second wavelength converting unit located on the light emitting device;
A first bonding layer positioned between the first light emitting portion and the substrate;
A second bonding layer positioned between the second light emitting portion and the substrate; And
And a sidewall portion surrounding the side surfaces of the first and second light emitting portions and contacting the side surfaces of the first and second light emitting portions,
Wherein the first light emitting portion and the second light emitting portion emit light having different peak wavelengths,
Wherein the first and second bonding layers each comprise a metal sintered body containing metal particles. 청구항 10에 있어서,
상기 금속 입자는 Ag 입자를 포함하는 발광 장치.The method of claim 10,
Wherein the metal particles comprise Ag particles. 청구항 11에 있어서,
상기 기판은 제1 내지 제4 전극을 포함하고,
상기 제1 및 제2 전극은 상기 제1 발광부에 전기적으로 연결되고, 상기 제3 및 제4 전극은 제2 발광부에 전기적으로 연결된 발광 장치.The method of claim 11,
Wherein the substrate includes first to fourth electrodes,
Wherein the first and second electrodes are electrically connected to the first light emitting unit and the third and fourth electrodes are electrically connected to the second light emitting unit. 청구항 12에 있어서,
상기 제1 내지 제4 전극은 서로 절연되며, 상기 제1 내지 제4 전극 각각은 상기 기판의 외부 표면에 노출된 발광 장치.The method of claim 12,
Wherein the first to fourth electrodes are insulated from each other, and each of the first to fourth electrodes is exposed to an outer surface of the substrate. 청구항 10에 있어서,
상기 제1 발광부는 백색광을 방출하는 발광 장치.The method of claim 10,
And the first light emitting unit emits white light. 청구항 14에 있어서,
상기 제2 발광부는 엠버색광을 방출하는 발광 장치.15. The method of claim 14,
And the second light emitting unit emits amber color light. 청구항 10에 있어서,
상기 제1 및 제2 발광 소자는 각각 그 하면에 위치하는 패드 전극들을 포함하는 발광 장치.The method of claim 10,
Wherein the first and second light emitting elements each include pad electrodes located on a lower surface thereof. 청구항 16에 있어서,
상기 제1 접합층은 상기 제1 발광 소자 아래에 위치하는 패드 전극들의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮고,
상기 제2 접합층은 상기 제2 발광 소자 아래에 위치하는 패드 전극들의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮는 발광 장치.18. The method of claim 16,
Wherein the first bonding layer covers at least a part of a side surface and a bottom surface of the pad electrodes located under the first light emitting element,
And the second bonding layer covers at least a part of the side surface and the bottom surface of the pad electrodes located under the second light emitting element. 청구항 17에 있어서,
상기 제1 접합층의 일부 측면은 상기 제1 발광 소자의 측면과 나란하고,
상기 제2 접합층의 일부 측면은 상기 제2 발광 소자의 측면과 나란한 발광 장치.18. The method of claim 17,
Wherein a side surface of the first bonding layer is parallel to a side surface of the first light emitting device,
And a side surface of the second bonding layer is parallel to a side surface of the second light emitting device.
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