KR20160053481A - 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 발광소자는 전도성 지지부재와, 상기 전도성 지지부재 상에 제2 전도성 반도체층, 상기 제2전도성 반도체층 상에 활성층, 상기 활성층 상에 제1 전도성 반도체층을 포함하는 발광구조물을 포함하고, 상기 전도성 지지부재 하부에 배치된 제1자성체를 포함한다.
Description
실시예는 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템에 관한 것이다.
발광소자(light emitting diode)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공이 결합하여 전도대(conduction band)와 가전대(valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하고, 상기 에너지가 빛으로 발산되면 발광소자가 된다.
질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(blue) 발광소자, 녹색(green) 발광소자, 및 자외선(UV) 발광소자는 상용화되어 널리 사용되고 있다.
발광소자는 전극의 위치에 따라 수평형 타입(lateral type)과 수직형 타입(vertical type)으로 구분할 수 있다. 수직형 발광소자에서 발광소자와 몸체를 본딩하기 위해 본딩 물질을 사용하고 있다.
실시예는 본딩 물질 없이 자성체를 이용하여 발광소자와 몸체를 연결하여 셀프 얼라인(self align)이 가능한 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 자성체를 발광소자와 몸체에 배치함으로써 커런트 스프레딩(current spreading) 효과가 개선된 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자는 전도성 지지부재와, 상기 전도성 지지부재 상에 제2 전도성 반도체층과, 상기 제2전도성 반도체층 상에 활성층과, 상기 활성층 상에 제1 전도성 반도체층을 포함하는 발광구조물을 포함하고, 상기 전도성 지지부재 하부에 배치된 제1자성체를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체와, 상기 몸체 상에 배치된 전극층과, 상기 전극층 상에 배치된 발광소자를 포함하고, 상기 발광소자는, 상기 전극층 상에 배치되는 제2자성체와 상기 제2자성체 상에 배치되며 전기적으로 연결되는 제1자성체와, 상기 제1자성체 상에 배치되는 전도성 지지부재와, 상기 전도성 지지부재 상에 배치되고, 제2 전도성 반도체층, 상기 제2전도성 반도체층 상에 활성층, 상기 활성층 상에 제1 전도성 반도체층을 포함하는 발광구조물을 포함할 수 있다.
실시예에 의하면 본딩 물질 없이 자성체를 이용하여 발광소자와 몸체를 연결하여 셀프 얼라인(self align)이 가능한 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
또한, 실시예는 자성체를 발광소자와 몸체에 배치함으로써 커런트 스프레딩 효과가 개선된 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지 단면도이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(20)와, 상기 몸체(20)에 설치된 제1전극층(31) 및 제2전극층(32)을 포함하는 전극층과, 상기 몸체(20)에 설치되어 상기 제1전극층(31) 및 제2전극층(32)과 전기적으로 연결되는 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100)를 둘러싸는 몰딩부재(40)를 포함한다.
상기 몸체(20)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1전극층(31) 및 제2전극층(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1전극층(31) 및 제2전극층(32)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광소자(100)는 상기 몸체(20) 상에 설치되거나 상기 제1전극층(31) 또는 제2전극층(32) 상에 설치될 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 제1전극층(31) 및 제2전극층(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 1과 도 2를 참조하면, 도 2는 도 1에 도시된 발광소자(100), 제1전극층(31), 및 제2전극층(32)에 대한 확대 단면도이다.
실시예에 따라, 상기 발광소자(100)는 제1자성체(191)과, 상기 제1자성체(191) 상에 전도성 지지부재(170)와, 상기 전도성 지지부재(170) 상에 반사층(160)과, 상기 반사층(160) 상에 오믹층(150)과, 상기 오믹층(150) 상에 제1도전형 반도체층(110), 활성층(120), 및 제2도전형 반도체층(130)을 포함하여 빛을 생성하는 발광구조물(140)과, 상기 발광구조물(140) 상에 제1전극(180)을 포함할 수 있다.
상기 제1자성체(191)는 강자성의 물질일 수 있고, 예컨대 Fe, Co, Ni, Gd, Tb, Dy, Ho, Tm 및 이들의 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 물질일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
실시예에 따라, 상기 몸체(20)에 설치된 제1전극층(31)과 상기 제1전극(180)이 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예에 따라, 상기 몸체(20)에 설치된 제2전극층(32) 상에 제2자성체(193)가 배치될 수 있다. 상기 제2자성체(193)는 상기 제1자성체(191)와 다른 자성의 물질을 포함할 수 있고, 상기 제1자성체(191)보다 자성이 약한 물질일 수 있다. 상기 제2자성체(193)는 자발자화 물질을 포함할 수 있다.
즉, 발광소자(100)와 제2전극층(32)과 연결하는 경우, 본딩 물질 없이 통전 가능한 강자성체 물질을 포함하는 제1자성체(191)와 통전 가능한 자석물질을 포함하는 제2자성체(193)가 연결됨으로써, 셀프 얼라인이 가능하고 나아가 커런트 스프레딩 효과가 개선될 수 있다.
이하, 상기 발광 소자(100)의 각 구성 요소 및 그 작용에 대해 보다 상세히 설명한다.
상기 전도성 지지부재(170) 및 상기 제1전극(180)은 외부 전원으로부터 전원을 제공받아 상기 발광 구조물(140)에 전원을 전달할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(170)와 상기 제1전극(180)은 서로 수직 방향으로 일부 영역이 중첩되도록 배치되는 수직형 전극 구조를 이룰 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전도성 지지부재(170)는 상기 발광 구조물(140)을 지지할 수 있으며, 예를 들어, 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 또는 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN 등) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1전극(180)은 상기 발광 구조물(140)에 전류를 효과적으로 스프레딩 시킬 수 있도록 다양한 형상을 가질 수 있으며, 와이어 등이 용이하게 본딩될 수 있도록 패드(pad)를 포함할 수 있다. 상기 제1전극(180)은 예를 들어, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 전도성 지지부재(170) 상에는 상기 반사층(160)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(160)은 상기 발광 구조물(140)로부터 입사되는 빛을 반사시킴으로써 상기 발광 소자의 광 추출 효율을 향상시키는 역할을 한다.
상기 반사층(160)은 예를 들어, 은(Ag), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
상기 오믹층(150)은 화합물 반도체층인 상기 발광 구조물(140)과 상기 반사층(160) 사이의 오믹 접촉을 형성하기 위해서 형성될 수 있다. 다만, 상기 반사층(160)이 상기 발광 구조물(140)과 오믹 접촉을 형성하는 경우, 상기 오믹층(150)은 형성되지 않을 수도 있다.
상기 오믹층(150)은 빛을 투과하면서 상기 제2 도전형 반도체층(130)과 오믹 접촉을 형성하는 금속 산화물 또는/및 금속 질화물을 포함할 수 있으며, 예를 들어, ITO(Indium-Tin-Oxide),IZO(Indium-Zinc-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), MZO(Magnesium-Zinc-Oxide), GZO(Gallium-Zinc-Oxide), ZnO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 오믹층(150)은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링 등의 증착 방식에 형성되므로, 용이하게 두께 조절이 가능하다.
한편, 상기 오믹층(150) 및 상기 발광 구조물(140) 사이에는 전류 차단층(CBL : Current Blocking Layer)(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 전류 차단층(미도시)은 상기 제1전극(180)과 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되도록 형성될 수 있다. 상기 전류 차단층(미도시)은 상기 제1전극(180)과 상기 전도성 지지부재(170) 사이의 최단 거리로 전류가 편중되는 현상을 방지하여 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 오믹층(150) 상에는 상기 발광 구조물(140)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(140)은 예를 들어, 제2 도전형 반도체층(130), 상기 제2 도전형 반도체층(130) 상에 활성층(120), 상기 활성층(120) 상에 제1 도전형 반도체층(110)을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(110)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 활성층(120)은 상기 제1 도전형 반도체층(110)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(130)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(120)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다.
상기 활성층(120)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(120)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 활성층(120)이 상기 다중 양자 우물 구조로 형성된 경우, 상기 활성층(120)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 형성될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.
상기 활성층(120)의 위 및/또는 아래에는 n형 또는 p형 도펀트가 도핑된 클래드층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 상기 클래드층(미도시)은 AlGaN층 또는 InAlGaN층으로 구현될 수 있다.
상기 활성층(120) 아래에는 상기 제2 도전형 반도체층(130)이 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(130)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 앞에서 설명한 것과는 달리, 상기 제1 도전형 반도체층(110)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(130)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(110) 상에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 제3 도전형 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있으며 이에 따라, 상기 발광 소자(100)는 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(110) 및 상기 제2 도전형 반도체층(130) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광 구조물(140)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 활성층(120)에서 생성된 빛은 전방향성(omni-directional)을 가진다. 따라서, 상기 활성층(120)에서 생성된 빛은 상기 발광 구조물(140)의 상면 또는 측면으로 향하거나 상기 발광 구조물(140) 아래로 향하여 상기 반사층(160)에 의해 반사된 후 상기 발광 구조물(140)의 상면 또는 측면으로 향할 수 있다.
이때, 다양한 방향성을 갖는 빛들은 서로 간섭(interference) 현상을 일으키기도 하는데, 이러한 간섭 현상은 빛의 세기가 커지는 보강(constructive) 간섭으로 나타날 수도 있고, 빛의 세기가 작아지는 상쇄(destructive) 간섭으로 나타날 수도 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 3을 참조하면, 도 2에 도시된 발광소자 패키지의 일부분의 변형 예이고, 본딩층(195)은 상기 제1자성체(195)와 제2자성체(193) 사이에 배치될 수 있다.
실시예에 따라, 상기 본딩층(195)은 상기 제1자성체(165)와 상기 제2자성체(193)를 본딩할 수 있고, 예컨대, Ga, Bi, In, Sn, Pb, Au, Al, Ag, Cu, Ni, PD, Si 및 Ge 중 적어도 하나를 포함하는 솔더링(soldering) 또는 브레이징(brazing) 합금 물질을 포함할 수 있다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 4를 참조하면, 도 2 내지 도 3에 도시된 발광소자 패키지의 일부분의 변형 예이고, 제2비자화층(199)은 상기 제2전극층(32) 상에 배치될 수 있고, 제1비자화층(197)은 상기 제2비자화층(199)과 전도성 지지부재(170) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1비자화층(197)과 상기 제2비자화층(199)은 전도성 비자화 물질을 포함할 수 있고, 예컨대, Au, Ag, Cu, Al 중 적어도 하나의 물질일 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 제1비자화층(197)은 상기 제1자성체(191)를 포함할 수 있고, 상기 제1자성체(191)는 상기 제1비자화층(197)의 일부 영역에 배치되고, 상기 전도성 지지부재(170)와 접촉할 수 있다.
실시예에 따라, 상기 제1자성체(191)의 수평폭은 상기 제1비자화층(197)의 수평폭보다 작을 수 있다.
상기 제2비자화층(199)은 상기 제2자성체(193)를 포함할 수 있고, 상기 제2자성체(193)는 상기 제2비자화층(199)의 일부 영역에 배치되고, 상기 제2전극층과 접촉할 수 있다.
실시예에 따라, 상기 제2자성체(193)의 수평폭은 상기 제2비자화층(199)의 수평폭보다 작을 수 있다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 5를 참조하면, 도 2 내지 도 4에 도시된 발광소자 패키지의 일부분의 변형 예이고, 본딩층(195)은 상기 제1비자화층(197)과 제2비자화층(199) 사이에 배치될 수 있다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 6을 참조하면, 도 2 내지 도 4에 도시된 발광소자 패키지의 일부분의 변형 예이고, 제1자성체(191)는 파우더 형태의 복수의 자성물질을 포함할 수 있다. 실시예에 따라 상기 제1비자화층(197)과 상기 제2비자화층(199) 사이에 본딩층을 더 포함할 수 있다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 7을 참조하면, 도 2 내지 도 4에 도시된 발광소자 패키지의 일부분의 변형 예이고, 제2자성체(193)는 파우더 형태의 복수의 자성물질을 포함할 수 있다. 실시예에 따라 상기 제1비자화층(197)과 상기 제2비자화층(199) 사이에 본딩층을 더 포함할 수 있다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 확대 단면도이다.
도 7을 참조하면, 도 2 내지 도 4에 도시된 발광소자 패키지의 일부분의 변형 예이고, 제1자성체(191)와 제2자성체(193)는 파우더 형태의 복수의 자성물질을 포함할 수 있다. 실시예에 따라 상기 제1비자화층(197)과 상기 제2비자화층(199) 사이에 본딩층을 더 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자는 발광소자 패키지에 설치될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몸체와, 상기 몸체에 배치된 제1 리드전극 및 제2 리드전극과, 상기 몸체에 제공되어 상기 제1 리드전극 및 제2 리드전극과 전기적으로 연결되는 발광소자와, 상기 발광소자를 포위하는 몰딩부재를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 위에 어레이될 수 있으며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 렌즈, 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다.
또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치, 지시장치, 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
또한, 조명 장치는 기판과 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 헤드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.
100; 발광소자
110; 제1도전형 반도체층
120; 활성층
130; 제2도전형 반도체층
140; 발광구조물
150; 오믹층
160; 반사층
170; 전도성 지지부재
180; 제1전극
191; 제1자성체
193; 제2자성체
195; 본딩층
197; 제1비자화층
199; 제2비자화층
110; 제1도전형 반도체층
120; 활성층
130; 제2도전형 반도체층
140; 발광구조물
150; 오믹층
160; 반사층
170; 전도성 지지부재
180; 제1전극
191; 제1자성체
193; 제2자성체
195; 본딩층
197; 제1비자화층
199; 제2비자화층
Claims (17)
- 전도성 지지부재;
상기 전도성 지지부재 상에 제2 전도성 반도체층, 상기 제2전도성 반도체층 상에 활성층, 상기 활성층 상에 제1 전도성 반도체층을 포함하는 발광구조물을 포함하고,
상기 전도성 지지부재 하부에 배치된 제1자성체를 포함하는 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1자성체는 Fe, Co, Ni 및 이들의 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 물질인 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 전도성 지지부재와 상기 제2전극층 사이에 비자화층을 더 포함하고,상기 비자화층은 상기 제1자성체을 포함하는 발광소자. - 제3항에 있어서,
상기 제1자성체는 상기 비자화층의 일부 영역에 배치되고, 상기 전도성 지지부재와 접촉하는 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1자성체는 파우더 형태의 복수의 자성물질을 포함하는 발광소자. - 몸체;
상기 몸체 상에 배치된 전극층; 및
상기 전극층 상에 배치된 발광소자를 포함하고,
상기 발광소자는,
상기 전극층 상에 배치되는 제2자성체;
상기 제2자성체 상에 배치되며 전기적으로 연결되는 제1자성체;
상기 제1자성체 상에 배치되는 전도성 지지부재; 및
상기 전도성 지지부재 상에 배치되고, 제2 전도성 반도체층, 상기 제2전도성 반도체층 상에 활성층, 상기 활성층 상에 제1 전도성 반도체층을 포함하는 발광구조물을 포함하는 발광소자 패키지. - 제6항에 있어서,
상기 제1자성체와 상기 제2자성체는 서로 다른 자성의 물질을 포함하는 발광소자 패키지. - 제6항에 있어서,
상기 제1자성체는 상기 제2자성체보다 강자성의 물질을 포함하는 발광소자 패키지. - 제6항에 있어서,
상기 제1자성체는 Fe, Co, Ni 및 이들의 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 물질인 발광소자 패키지. - 제6항에 있어서,
상기 전도성 지지부재와 상기 몸체 사이에 비자화층을 더 포함하는 발광소자 패키지. - 제10항에 있어서,
상기 비자화층은,
상기 제1자성체를 포함하는 제1비자화층과 상기 제2자성체를 포함하는 제2비자화층을 포함하는 발광소자 패키지. - 제11항에 있어서,
상기 제1자성체는 상기 제1비자화층의 일부 영역에 배치되고, 상기 전도성 지지부재와 접촉하고,
상기 제2자성체는 상기 제2비자화층의 일부 영역에 배치되고, 상기 몸체와 접촉하는 발광소자 패키지. - 제11항에 있어서,
상기 제1비자화층과 상기 제2비자화층 사이에 본딩층을 더 포함하는 발광소자 패키지. - 제6항에 있어서,
상기 제1자성체 또는 상기 제2자성체는 파우더 형태의 복수의 자성물질을 포함하는 발광소자 패키지. - 제6항에 있어서,
상기 전극층은 제1전극층과 제2전극층으로 이루어지고,
상기 발광소자가 상기 제2전극층 상에 배치된 발광소자 패키지. - 제15항에 있어서,
상기 제2자성체는 제2전극층 상에 배치되며 전기적으로 연결되는 발광소자 패키지. - 제15항에 있어서,
상기 발광구조물 상에 배치되고 상기 제1전극층과 전기적으로 연결되는 제1전극을 포함하는 발광소자 패키지.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020501370A (ja) * | 2016-12-09 | 2020-01-16 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | Ｌｅｄキャリアアセンブリを製造する方法 |
| WO2020159046A1 (en) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | Lg Electronics Inc. | Semiconductor light emitting element, manufacturing method thereof, and display device including the same |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004266026A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Sony Corp | チップ部品の製造方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法 |
| JP2008512253A (ja) * | 2004-09-03 | 2008-04-24 | イーストマン コダック カンパニー | 熱制御された自己組立の方法および支持体 |
| JP2008260073A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Sharp Corp | 微細構造体の配列方法及び微細構造体を配列した基板、並びに集積回路装置及び表示素子 |
| US20080265367A1 (en) * | 2005-08-24 | 2008-10-30 | Infineon Technologies Ag | Magnetically Alignable Integrated Circuit Device |
| US20080277677A1 (en) * | 2007-05-09 | 2008-11-13 | Foxsemicon Integrated Technology, Inc. | Light emitting diode assembly and light emitting diode display device |
| WO2012008253A1 (ja) * | 2010-07-14 | 2012-01-19 | シャープ株式会社 | 微細な物体の配置方法、配列装置、照明装置および表示装置 |
| US20120012868A1 (en) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting chip package module and light emitting chip package structure and manufacturing method thereof |
| JP2014090052A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子、発光装置及び発光装置の製造方法 |
| JP2015126137A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | アピックヤマダ株式会社 | リードフレーム、ｌｅｄパッケージ用基板、リフレクタ部材、ｌｅｄパッケージ、発光装置、発光システム、並びに、ｌｅｄパッケージ用基板及びｌｅｄパッケージの製造方法 |
-
2014
- 2014-11-05 KR KR1020140152535A patent/KR102249645B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004266026A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Sony Corp | チップ部品の製造方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法 |
| JP2008512253A (ja) * | 2004-09-03 | 2008-04-24 | イーストマン コダック カンパニー | 熱制御された自己組立の方法および支持体 |
| US20080265367A1 (en) * | 2005-08-24 | 2008-10-30 | Infineon Technologies Ag | Magnetically Alignable Integrated Circuit Device |
| JP2008260073A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Sharp Corp | 微細構造体の配列方法及び微細構造体を配列した基板、並びに集積回路装置及び表示素子 |
| US20080277677A1 (en) * | 2007-05-09 | 2008-11-13 | Foxsemicon Integrated Technology, Inc. | Light emitting diode assembly and light emitting diode display device |
| WO2012008253A1 (ja) * | 2010-07-14 | 2012-01-19 | シャープ株式会社 | 微細な物体の配置方法、配列装置、照明装置および表示装置 |
| US20130168708A1 (en) * | 2010-07-14 | 2013-07-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for disposing fine objects, apparatus for arranging fine objects, illuminating apparatus and display apparatus |
| US20120012868A1 (en) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting chip package module and light emitting chip package structure and manufacturing method thereof |
| JP2014090052A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子、発光装置及び発光装置の製造方法 |
| JP2015126137A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | アピックヤマダ株式会社 | リードフレーム、ｌｅｄパッケージ用基板、リフレクタ部材、ｌｅｄパッケージ、発光装置、発光システム、並びに、ｌｅｄパッケージ用基板及びｌｅｄパッケージの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020501370A (ja) * | 2016-12-09 | 2020-01-16 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | Ｌｅｄキャリアアセンブリを製造する方法 |
| WO2020159046A1 (en) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | Lg Electronics Inc. | Semiconductor light emitting element, manufacturing method thereof, and display device including the same |
| US11233169B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-01-25 | Lg Electronics Inc. | Semiconductor light emitting element with magnetic layer, manufacturing method thereof, and display device including the same |
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