KR20160053143A - Organic light emitting display device, organic light emitting display panel, and method for driving the organic light emitting display device - Google Patents

Organic light emitting display device, organic light emitting display panel, and method for driving the organic light emitting display device Download PDF

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Abstract

Embodiments of the present invention relate to an organic light emitting display device, an organic light emitting display panel, and a driving method which can reduce a sensing time by speeding up a voltage saturation speed of a sensing node to sense saturation voltage of the sensing node at a more earlier timing. The organic light emitting display device comprises: an organic light emitting display panel; a data drive unit; a gate drive unit; a timing controller; a sensor; and a compensator.

Description

유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE, ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY PANEL, AND METHOD FOR DRIVING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display panel,

본 발명은 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display, an organic light emitting display panel, and a driving method.

최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 큰 장점이 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, an organic light emitting diode (OLED) display device that has been spotlighted as a display device has advantages of high response speed, high luminous efficiency, high luminance and wide viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED)

이러한 유기발광표시장치는 유기발광다이오드가 포함된 서브픽셀을 매트릭스 형태로 배열하고 스캔 신호에 의해 선택된 화소들의 밝기를 제어한다. Such an organic light emitting display device arranges subpixels including organic light emitting diodes in a matrix form and controls brightness of pixels selected by a scan signal.

이러한 유기발광표시장치의 각 서브픽셀은, 유기발광다이오드 이외에도, 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 회로를 포함한다. Each sub-pixel of the organic light emitting display includes a driving circuit for driving the organic light emitting diode, in addition to the organic light emitting diode.

이러한 각 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 구동 회로는, 트랜지스터 및 스토리지 캐패시터 등을 포함한다. The drive circuit of each organic light emitting diode in each sub-pixel includes a transistor, a storage capacitor, and the like.

이러한 구동 회로 내 트랜지스터는 문턱전압, 이동도 등의 고유 특성치를 갖는다. Such transistors in the driving circuit have inherent characteristic values such as threshold voltage and mobility.

한편, 구동 회로 내 트랜지스터(특히, 유기발광다이오드로 전류를 공급하는 구동 트랜지스터)는 구동시간이 길어지게 되면, 열화(Degradation)가 진행되어, 트랜지스터의 고유 특성치가 변할 수 있다. 이에 따라, 각 트랜지스터 간의 고유 특성치의 편차가 발생한다. On the other hand, when the driving time of the transistor in the driving circuit (in particular, the driving transistor for supplying the current to the organic light emitting diode) becomes long, the degradation proceeds and the intrinsic characteristic value of the transistor can be changed. As a result, variations in the intrinsic characteristic values between the respective transistors occur.

이러한 트랜지스터 간의 고유 특성치의 편차는, 각 서브픽셀 간 휘도 편차를 발생시켜 화상 품질을 저하하는 주요 요인이 될 수 있다. Such a deviation of the intrinsic characteristic values between the transistors may cause a luminance deviation between the subpixels, which may be a major factor for lowering the image quality.

따라서, 각 서브픽셀 내 트랜지스터의 특성치를 센싱하여 이를 보상해줄 수 있는 기능이 개발되었다. Therefore, a function capable of sensing the characteristic value of each transistor in each sub-pixel and compensating for the characteristic value has been developed.

한편, 각 서브픽셀 내 트랜지스터의 문턱전압 등의 고유 특성치를 센싱하여 보상해주기 위해서, 각 서브픽셀에서의 특정 센싱 노드를 어떠한 전압 값으로 초기화시킨 이후, 변화시켜, 특정 센싱 노드의 포화한 전압을 센싱(측정) 하여 센싱 된 전압을 토대로 트랜지스터의 문턱전압 등의 고유 특성치를 보상해준다. In order to sense and compensate for intrinsic characteristic values such as threshold voltages of transistors in each sub-pixel, after a specific sensing node in each sub-pixel is initialized to a certain voltage value, the saturated voltage of a specific sensing node is sensed (Measured) and compensates for the intrinsic characteristics such as the threshold voltage of the transistor based on the sensed voltage.

이때, 각 서브픽셀의 센싱 노드의 전압이 포화하는데 상당히 긴 시간이 걸리게 된다. 따라서, 유기발광표시패널 상의 모든 서브픽셀에 대한 센싱 동작을 완료하는데 너무 많은 시간이 걸리는 문제점이 있다. At this time, it takes a considerably long time to saturate the voltage of the sensing node of each subpixel. Therefore, there is a problem that it takes too much time to complete the sensing operation for all the subpixels on the organic light emitting display panel.

본 실시예들의 목적은, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공하는 데 있다. It is an object of the present embodiments to provide an organic light emitting display, an organic light emitting display panel and a driving method capable of shortening the sensing time.

본 실시예들의 다른 목적은, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공하는 데 있다. It is another object of the present invention to provide an organic light emitting display device capable of shortening the sensing time by making the voltage saturation rate of the sensing node faster and sensing the saturation voltage of the sensing node at a later timing, Panel and a method of driving the same.

본 실시예들의 또 다른 목적은, 데이터 전압 조정을 통해, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공하는 데 있다. It is still another object of the present embodiments to provide a method of sensing a saturation voltage of a sensing node at a later timing by further increasing the voltage saturation rate of the sensing node through data voltage adjustment, Emitting display device, an organic light-emitting display panel, and a driving method.

본 실시예들의 또 다른 목적은, 구동전압 전압 조정을 통해, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공하는 데 있다. It is still another object of the present invention to provide a method of sensing a saturation voltage of a sensing node at a later timing by further increasing a voltage saturation rate of a sensing node through adjustment of a driving voltage, An organic light emitting display panel, and a driving method.

일 실시예는, 데이터 라인들, 게이트 라인들 및 구동전압 라인들이 배치되고, 서브픽셀들이 배치된 유기발광표시패널과, 데이터 라인들로 데이터 전압들을 공급하는 데이터 구동부와, 게이트 라인들로 스캔 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동부와, 데이터 구동부 및 게이트 구동부를 제어하는 타이밍 컨트롤러와, 센싱 모드 구간 동안 각 서브픽셀 내 센싱 노드의 전압을 센싱하여 센싱데이터를 전송하는 센서와, 센싱데이터를 토대로 보상 프로세스를 수행하는 보상기를 포함하는 유기발광표시장치를 제공한다. One embodiment includes an organic light emitting display panel in which data lines, gate lines, and driving voltage lines are arranged and in which subpixels are arranged, a data driver for supplying data voltages to the data lines, A timing controller for controlling the data driver and the gate driver, a sensor for sensing the voltage of a sensing node in each subpixel during a sensing mode and transmitting the sensing data, And a compensator for performing a compensation operation on the organic light emitting display.

이러한 유기발광표시장치에서, 데이터 구동부는, 센싱 모드 구간에서, 기준 데이터 전압 값에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강하는 데이터 전압을 공급할 수 있다. In such an organic light emitting display, the data driver may supply a data voltage that rises by the overshoot voltage value for a predetermined time from the reference data voltage value and falls again to the reference data voltage value in the sensing mode period.

다른 실시예는, 제1방향으로 배치되고 데이터 전압들을 공급하는 데이터 라인들과, 제1방향과 교차하는 제2방향으로 배치되고 스캔 신호를 순차적으로 게이트 라인들과, 매트릭스 타입으로 배치된 서브픽셀들을 포함하는 유기발광표시패널을 제공한다. Another embodiment provides a liquid crystal display device including a plurality of data lines arranged in a first direction and arranged in a second direction intersecting a first direction and supplying scan signals to the gate lines and the sub pixels And an organic light emitting display panel.

이러한 유기발광표시패널에서, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서, 각 데이터 라인을 통해 공급되는 데이터 전압은, 기준 데이터 전압 값에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강할 수 있다. In this OLED display panel, the data voltage supplied through each data line in the display mode section and the other section is raised by the overshooting voltage value for a predetermined time from the reference data voltage value, can do.

또 다른 실시예는, 센싱 모드가 인에이블 되면, 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제1노드 및 제2노드 각각에 데이터 전압 및 기준전압을 인가하는 단계와, 구동 트랜지스터의 제2노드를 플로팅시켜 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 상승시키는 단계와, 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압이 상승하다가 포화하면, 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 센싱하는 단계와, 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 센싱한 결과를 토대로, 해당 서브픽셀에 대한 데이터를 변경하는 단계와, 디스플레이 모드가 인에이블 되면, 변경된 데이터를 이용하여 해당 서브픽셀을 구동하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법에 제공한다. Another embodiment provides a method of driving a display device, comprising: applying a data voltage and a reference voltage to each of a first node and a second node of a driving transistor in a corresponding subpixel when the sensing mode is enabled; Sensing a voltage of a second node of the driving transistor when the voltage of the second node of the driving transistor rises and saturates when the voltage of the second node of the driving transistor is saturated; And driving the corresponding subpixel using the changed data when the display mode is enabled, based on the result of sensing the subpixel data, and driving the corresponding subpixel using the changed data if the display mode is enabled .

이러한 유기발광표시장치의 구동방법에서, 구동 트랜지스터의 제1노드에 인가되는 데이터 전압은, 기준 데이터 전압 값에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강할 수 있다. In the driving method of the OLED display device, the data voltage applied to the first node of the driving transistor may be increased by the overshoot voltage value for a predetermined time from the reference data voltage value, and may be decreased again to the reference data voltage value.

또 다른 실시예는, 데이터 라인들, 게이트 라인들 및 구동전압 라인들이 배치되고, 서브픽셀들이 배치된 유기발광표시패널과, 데이터 라인들로 데이터 전압들을 공급하는 데이터 구동부와, 게이트 라인들로 스캔 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동부와, 데이터 구동부 및 게이트 구동부를 제어하는 타이밍 컨트롤러와, 센싱 모드 구간 동안 각 서브픽셀 내 센싱 노드의 전압을 센싱하여 센싱데이터를 전송하는 센서와, 센싱데이터를 토대로 보상 프로세스를 수행하는 보상기를 포함하는 유기발광표시장치를 제공한다. According to another embodiment of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display device including: an organic light emitting display panel in which data lines, gate lines, and driving voltage lines are arranged and in which subpixels are arranged; a data driver for supplying data voltages to data lines; A timing controller for controlling the data driver and the gate driver, a sensor for sensing the voltage of the sensing node in each subpixel during a sensing mode and transmitting the sensing data, And a compensator for performing the process.

이러한 유기발광표시장치에서, 센싱 모드 구간에서 구동전압 라인들을 통해 공급되는 구동전압은, 디스플레이 모드 구간에서 구동전압 라인들을 통해 공급되는 구동전압보다 높을 수 있다. In such an organic light emitting display, the driving voltage supplied through the driving voltage lines in the sensing mode period may be higher than the driving voltage supplied through the driving voltage lines in the display mode period.

또 다른 실시예는, 제1방향으로 배치되고 데이터 전압들을 공급하는 데이터 라인들과, 제1방향과 교차하는 제2방향으로 배치되고 스캔 신호를 순차적으로 게이트 라인들과, 매트릭스 타입으로 배치된 서브픽셀들을 포함하는 유기발광표시패널을 제공한다. Another embodiment of the present invention is directed to a liquid crystal display device including a plurality of data lines arranged in a first direction and arranged in a second direction intersecting a first direction and supplying data voltages and sequentially supplying scan signals to gate lines and a sub- An organic light emitting display panel including pixels.

이러한 유기발광표시패널은, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서는, 디스플레이 구동 모드 구간에서보다, 높은 구동전압을 공급하는 구동전압 라인들을 포함할 수 있다. The organic light emitting display panel may include driving voltage lines for supplying a higher driving voltage than in the display driving mode period in a mode period different from the display mode period.

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공할 수 있다. According to the embodiments described above, it is possible to provide an organic light emitting display, an organic light emitting display panel, and a driving method that can shorten the sensing time.

또한, 본 실시예들에 의하면, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공할 수 있다. According to the embodiments, the voltage saturation rate of the sensing node can be further increased and the saturation voltage of the sensing node can be sensed at more timings, so that the sensing time can be shortened. A display panel and a driving method can be provided.

또한, 본 실시예들에 의하면, 데이터 전압 조정을 통해, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공할 수 있다. Further, according to the present embodiments, the voltage saturation rate of the sensing node can be made faster by adjusting the data voltage, and the saturation voltage of the sensing node can be sensed at more timings. Thus, A light emitting display, an organic light emitting display panel, and a driving method.

또한, 본 실시예들에 의하면, 구동전압 전압 조정을 통해, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공할 수 있다. Further, according to the embodiments, the voltage saturation rate of the sensing node can be made faster by adjusting the driving voltage, and the saturation voltage of the sensing node can be sensed at more timings, so that the sensing time can be shortened An organic light emitting display, an organic light emitting display, and a driving method.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀의 간략화된 등가회로도를 예시적으로 나타낸다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 보상 구성을 나타낸다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널의 구동 모드를 나타낸다.
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 모드 구간에서 센싱 동작 단계를 나타낸다.
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 모드 구간에서, 구동전압 및 데이터 전압의 기본적인 신호 파형과, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 모드 구간에서, 센싱 시간 단축을 위하여, 오버슈팅(Overshooting) 된 데이터 전압(vdata)의 신호 파형을 나타낸다.
도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 모드 구간에서, 오버슈팅(Overshooting) 된 데이터 전압(vdata)을 이용하는 경우, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 모드 구간에서, 센싱 시간 단축을 위하여, 상승 된 구동전압(EVDD)의 신호 파형을 나타낸다.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 모드 구간에서, 상승 된 구동전압(EVDD)을 이용하는 경우, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀의 등가회로도를 예시적으로 나타낸다.
도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동방법의 흐름도이다. FIG. 1 is a configuration diagram of an organic light emitting display according to the present embodiments.
FIG. 2 exemplarily shows a simplified equivalent circuit diagram of subpixels of an organic light emitting display according to the present embodiments.
FIG. 3 shows a compensation structure of the OLED display according to the present embodiments.
4 shows a driving mode of the organic light emitting display panel according to the present embodiments.
5 illustrates a sensing operation step in a sensing mode period of the OLED display according to the present embodiments.
6 is a diagram illustrating a basic signal waveform of a driving voltage and a data voltage and a voltage change of a sensing node in a sensing mode period of the OLED display according to the present embodiments.
FIG. 7 shows a signal waveform of an overshooting data voltage (vdata) in order to shorten the sensing time in the sensing mode period of the OLED display according to the present embodiments.
FIG. 8 is a diagram illustrating a voltage change of a sensing node when an overshooting data voltage (vdata) is used in a sensing mode period of the OLED display according to the present embodiments.
FIG. 9 shows a signal waveform of an increased driving voltage (EVDD) in order to shorten the sensing time in the sensing mode period of the OLED display according to the present embodiments.
10 is a diagram showing a voltage change of a sensing node when an increased driving voltage EVDD is used in a sensing mode period of the OLED display according to the present embodiments.
11 illustrates an equivalent circuit diagram of a subpixel of the organic light emitting diode display according to the present embodiments.
12 is a flowchart of a method of driving an organic light emitting display according to the present embodiments.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구성도이다. 1 is a configuration diagram of an organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments.

도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 유기발광표시패널(110), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130), 타이밍 컨트롤러(140) 등을 포함한다. 1, the OLED display 100 includes an OLED display panel 110, a data driver 120, a gate driver 130, a timing controller 140, and the like .

유기발광표시패널(110)에는, 제1방향으로 다수의 데이터 라인(DL: Data Line)이 배치되고, 제1방향과 교차하는 제2방향으로 다수의 게이트 라인(GL: Gate Line)이 배치되며, 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 매트릭스 타입으로 배치된다. 데이터 구동부(120)는, 데이터 라인들로 데이터 전압을 공급하여 데이터 라인들을 구동한다. 게이트 구동부(130)는, 게이트 라인들로 스캔 신호를 순차적으로 공급하여 게이트 라인들을 순차적으로 구동한다. 타이밍 컨트롤러(140)는, 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)로 제어신호를 공급하여, 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)를 제어한다. A plurality of data lines DL are arranged in a first direction and a plurality of gate lines GL are arranged in a second direction intersecting the first direction in the organic light emitting display panel 110 , And a plurality of sub pixels (SP: Sub Pixel) are arranged in a matrix type. The data driver 120 supplies the data voltages to the data lines to drive the data lines. The gate driver 130 sequentially supplies the scan signals to the gate lines to sequentially drive the gate lines. The timing controller 140 supplies control signals to the data driver 120 and the gate driver 130 to control the data driver 120 and the gate driver 130.

타이밍 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 호스트 시스템(160)에서 입력되는 영상 데이터(Data)를 데이터 구동부(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터(Data')를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The timing controller 140 starts scanning in accordance with the timing implemented in each frame and switches the image data Data input from the host system 160 according to the data signal format used by the data driver 120, And outputs the image data (Data ') and controls the data driving at a proper time according to the scan.

게이트 구동부(130)는, 타이밍 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 게이트 라인들로 순차적으로 공급하여 게이트 라인들을 순차적으로 구동한다. The gate driver 130 sequentially supplies the scan signals of the On voltage or the Off voltage to the gate lines sequentially according to the control of the timing controller 140 to sequentially drive the gate lines.

게이트 구동부(130)는, 구동 방식에 따라서, 도 1에서와 같이, 유기발광표시패널(110)의 양측에 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 한 측에만 위치할 수도 있다. 1, the gate driver 130 may be located on either side of the organic light emitting display panel 110, or may be located only on one side, depending on the driving method.

또한, 게이트 구동부(130)는, 다수의 게이트 드라이버 집적회로(Gate Driver IC, GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ... , GDIC #N', N: 1 이상의 자연수)를 포함할 수 있는데, 이러한 다수의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ... , GDIC #N')는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape AuTrmated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. The gate driver 130 includes a plurality of gate driver ICs GDIC # 1, ..., GDIC #N, GDIC # 1 ', ..., GDIC #N' (GDIC # 1, ..., GDIC #N, GDIC # 1 ', ..., GDIC #N') may include a tape automated bonding Or a GIP (Gate In Panel) type, which is directly connected to the organic light emitting display panel 110 by a TAP AuTrmated Bonding method or a chip on glass (COG) And may be integrated and disposed in the organic light emitting display panel 110, as the case may be.

위에서 언급한 다수의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ... , GDIC #N') 각각은 쉬프트 레지스터, 레벨 쉬프터 등을 포함할 수 있다. Each of the above-mentioned gate driver ICs GDIC # 1, ..., GDIC #N, GDIC # 1 ', ..., GDIC #N' may include a shift register, a level shifter, and the like.

데이터 구동부(120)는, 특정 게이트 라인이 열리면, 타이밍 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터(Data')를 아날로그 형태의 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 데이터 라인들로 공급함으로써, 데이터 라인들을 구동한다. When the specific gate line is opened, the data driver 120 converts the video data Data 'received from the timing controller 140 into analog data voltages Vdata and supplies the data voltages to the data lines, thereby driving the data lines do.

데이터 구동부(120)는, 다수의 소스 드라이버 집적회로(Source Driver IC, 데이터 드라이버 집적회로(Data Driver IC)라고도 함, SDIC #1, ... , SDIC #M, M: 1 이상의 자연수)를 포함할 수 있는데, 이러한 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC #1, ... , SDIC #M)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape AuTrmated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. The data driver 120 includes a plurality of source driver ICs (also referred to as a data driver IC, SDIC # 1, ..., SDIC #M, M: one or more natural numbers) The source driver ICs SDIC # 1, ..., and SDIC #M are connected to the organic light emitting display (OLED) through a tape automated bonding The organic light emitting display panel 110 may be connected to a bonding pad of the panel 110 or may be directly disposed on the organic light emitting display panel 110 and may be integrated and disposed on the organic light emitting display panel 110 as occasion demands.

위에서 언급한 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC #1, ... , SDIC #M) 각각은, 쉬프트 레지스터, 래치, 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital Analog Converter), 출력 버터 등을 포함하고, 경우에 따라서, 서브픽셀 보상을 위해 아날로그 전압 값을 센싱하여 디지털 값으로 변환하고 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. Each of the plurality of source driver integrated circuits (SDIC # 1, ..., SDIC #M) described above includes a shift register, a latch, a digital analog converter (DAC), an output buffer, Therefore, it is possible to further include an analog digital converter (ADC) that senses an analog voltage value for subpixel compensation and converts the analog voltage value to a digital value, and generates and outputs sensing data.

다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC #1, ... , SDIC #M)는, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC #1, ... , SDIC #M) 각각에서, 일 단은 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(Source Printed Circuit Board)에 본딩되고, 타 단은 유기발광표시패널(110)에 본딩된다. A plurality of source driver integrated circuits (SDIC # 1, ..., SDIC #M) can be implemented by a chip on film (COF) method. In each of the plurality of source driver integrated circuits (SDIC # 1, ..., SDIC #M), one end is bonded to at least one source printed circuit board and the other end is bonded to the organic light emitting display panel 110).

한편, 위에서 언급한 호스트 시스템(160)은 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(Data)와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 타이밍 컨트롤러(140)로 전송한다. In addition, the host system 160 includes a vertical synchronizing signal Vsync, a horizontal synchronizing signal Hsync, an input data enable (DE) signal, a clock And transmits various timing signals including the signal (CLK) and the like to the timing controller 140.

타이밍 컨트롤러(140)는, 호스트 시스템(160)으로부터 입력된 데이터(Data)를 데이터 구동부(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터(Data')를 출력하는 것 이외에, 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)로 출력한다. The timing controller 140 may switch the data Data inputted from the host system 160 according to the data signal format used by the data driver 120 and output the converted video data Data ' A timing signal such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, an input DE signal and a clock signal to control the driving unit 120 and the gate driving unit 130 to generate various control signals, To the driving unit 120 and the gate driving unit 130.

예를 들어, 타이밍 컨트롤러(140)는, 게이트 구동부(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 게이트 제어 신호들(GCSs: Gate Control Signals)을 출력한다. 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 구동부(130)를 구성하는 게이트 드라이버 집적회로들(GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ... , GDIC #N')의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 게이트 드라이버 집적회로들(GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ... , GDIC #N')에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 게이트 드라이버 집적회로들(GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ... , GDIC #N')의 타이밍 정보를 지정하고 있다. For example, in order to control the gate driver 130, the timing controller 140 generates a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), a gate output enable signal GOE : Gate Output Enable) and the like. The gate start pulse GSP is applied to the gate driver ICs GDIC # 1, ..., GDIC #N, GDIC # 1 ', ..., GDIC #N' Timing. The gate shift clock GSC is a clock signal commonly input to the gate driver integrated circuits GDIC # 1, ..., GDIC #N, GDIC # 1 ', ..., GDIC #N' (Gate pulse). The gate output enable signal GOE specifies timing information of the gate driver integrated circuits GDIC # 1, ..., GDIC #N, GDIC # 1 ', ..., GDIC #N'.

타이밍 컨트롤러(140)는, 데이터 구동부(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Souce Output Enable) 등을 포함하는 데이터 제어 신호들(DCSs: Data Control Signals)을 출력한다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 구동부(120)를 구성하는 소스 드라이버 집적회로들(SDIC #1, ... , SDIC #M)의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로들(SDIC #1, ... , SDIC #M) 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 구동부(120)의 출력 타이밍을 제어한다. 경우에 따라서, 데이터 구동부(120)의 데이터 전압의 극성을 제어하기 위하여, 데이터 제어 신호들(DCSs)에 극성 제어 신호(POL)가 더 포함될 수 있다. 데이터 구동부(120)에 입력된 데이터(Data')가 mini LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스 규격에 따라 전송된다면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다. The timing controller 140 controls the data driver 120 such that a source start pulse SSP, a source sampling clock SSC, a source output enable signal SOE, (DCSs: Data Control Signals). The source start pulse SSP controls the data sampling start timing of the source driver integrated circuits SDIC # 1, ..., SDIC #M constituting the data driver 120. The source sampling clock SSC is a clock signal for controlling the sampling timing of data in each of the source driver integrated circuits (SDIC # 1, ..., SDIC #M). The source output enable signal SOE controls the output timing of the data driver 120. The polarity control signal POL may be further included in the data control signals DCSs in order to control the polarity of the data voltage of the data driver 120. [ The source start pulse SSP and the source sampling clock SSC may be omitted if the data Data 'input to the data driver 120 is transmitted according to the mini LVDS interface standard.

도 1을 참조하면, 유기발광표시장치(100)는, 유기발광표시패널(110), 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러(150)를 더 포함할 수 있다. 1, an organic light emitting display 100 includes a light emitting diode (OLED) display panel 110, a data driver 120, a gate driver 130, and the like. The OLED display 100 controls various voltages or currents And a power controller 150 for controlling the power supply.

이러한 전원 컨트롤러(150)는 전원 관리 집적회로(PMIC: Power Management IC)라고도 한다. The power controller 150 is also referred to as a power management IC (PMIC).

도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀의 간략화된 등가회로도를 예시적으로 나타낸다. 2 exemplarily shows a simplified equivalent circuit diagram of subpixels of the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments.

도 2를 참조하면, 유기발광표시장치(100)의 각 서브픽셀은, 기본적으로, 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 회로로 구성된다. Referring to FIG. 2, each sub-pixel of the organic light emitting display 100 is basically composed of an organic light emitting diode (OLED) and a driving circuit for driving the organic light emitting diode (OLED).

도 2를 참조하면, 구동 회로는, 기본적으로, 유기발광다이오드(OLED)로 전류를 공급하여 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving TransisTrr)를 포함한다. Referring to FIG. 2, the driving circuit basically includes a driving transistor (DRT) driving an organic light emitting diode (OLED) by supplying current to the organic light emitting diode (OLED).

이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는, 게이트 노드로서, V1 전압이 인가된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)는, 소스 노드 또는 드레인 노드로서, V2 전압이 인가된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는, 드레인 노드 또는 소스 노로서, 구동전압(EVDD: Driving Voltage)이 인가된다. 여기서, V1 전압은 해당 서브픽셀에 대응되는 데이터 전압(Vdata)일 수 있다. V2 전압은 V1 전압과 일정 전위차가 나는 전압으로서, 일 예로, 기준전압(Vref: Reference Voltage)일 수 있다. The first node N1 of the driving transistor DRT is applied with the voltage V1 as a gate node. The second node N2 of the driving transistor DRT is a source node or a drain node, and the voltage V2 is applied thereto. The driving voltage EVDD (Driving Voltage) is applied to the third node N3 of the driving transistor DRT as a drain node or source furnace. Here, the voltage V1 may be a data voltage Vdata corresponding to the corresponding subpixel. The voltage V2 is a voltage having a predetermined potential difference with the voltage V1, and may be, for example, a reference voltage (Vref).

도 2를 참조하면, 구동 회로는, 구동 트랜지스터(DRT)의 N1 노드와 N2 노드 사이에 연결되는 스토리지 캐패시터(Cstg: STrrage CapaciTrr)를 포함할 수 있다. 이러한 스토리지 캐패시터(Cstg)는 한 프레임 동안 일정 전압을 유지시켜 준다. Referring to FIG. 2, the driving circuit may include a storage capacitor (Cstg) connected between the node N1 and the node N2 of the driving transistor DRT. This storage capacitor Cstg maintains a constant voltage for one frame.

도 2는 각 서브픽셀의 회로적인 구성을 간략화하여 등가적으로 나타낸 것으로서, 실제적으로, 각 서브픽셀에서 유기발광다이오드(OELD)를 구동하는 구동 회로는, 구동 트랜지스터(DRT) 및 스토리지 캐패시터(Cstg) 이외에, 하나 이상의 트랜지스터를 더 포함할 수 있고, 경우에 따라서는, 하나 이상의 캐패시터를 더 포함할 수 있다. 2, a circuit configuration of each subpixel is simplified and simplified. Actually, a driving circuit for driving the organic light emitting diode (OLED) in each subpixel includes a driving transistor DRT and a storage capacitor Cstg. In addition, it may further include one or more transistors, and in some cases, it may further include one or more capacitors.

한편, 각 서브픽셀 내 트랜지스터, 특히, 구동 트랜지스터(DRT)는 문턱전압(Vth: Threshold Voltage), 이동도(μ: Mobility) 등의 고유한 특성치를 갖는다. On the other hand, the transistors in each sub-pixel, in particular, the driving transistor DRT have inherent characteristic values such as a threshold voltage (Vth) and a mobility (mu).

트랜지스터(특히, 구동 트랜지스터(DRT))는 구동시간이 길어지게 되면, 열화(Degradation)가 진행되어, 트랜지스터의 고유 특성치가 변할 수 있다. 이에 따라, 각 트랜지스터 간의 고유 특성치의 편차가 발생한다. When the driving time of the transistor (particularly, the driving transistor DRT) becomes longer, degradation proceeds and the intrinsic characteristic value of the transistor can be changed. As a result, variations in the intrinsic characteristic values between the respective transistors occur.

이러한 트랜지스터 간의 고유 특성치의 편차는, 각 서브픽셀 간 휘도 편차를 발생시켜 화상 품질을 저하하는 주요 요인이 될 수 있다. Such a deviation of the intrinsic characteristic values between the transistors may cause a luminance deviation between the subpixels, which may be a major factor for lowering the image quality.

이에, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀 간 휘도 편차를 보상해주기 위한 보상 기능을 제공하는 보상 구성을 포함한다. Accordingly, the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment includes a compensation structure for providing a compensation function for compensating a luminance deviation between subpixels.

도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 구성을 나타낸다. 3 shows a compensation structure of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 3을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 센서(310), 보상기(320) 등을 포함한다. Referring to FIG. 3, the OLED display 100 according to the present embodiment includes a sensor 310, a compensator 320, and the like.

센서(310)는, 각 서브픽셀(SP) 내 센싱 노드(SN: Sensing Node)의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsen)을 토대로, 센싱데이터(Dsen)를 보상기(320)로 전송한다. The sensor 310 senses the voltage of a sensing node (SN) in each subpixel SP and transmits the sensing data Dsen to the compensator 320 based on the sensed voltage Vsen.

이러한 센서(310)는, 일 예로, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog Digital Converter)일 수 있다. The sensor 310 may be, for example, an analog digital converter (ADC).

아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 각 서브픽셀에서의 센싱 노드(SN)와 센싱라인(SL: Sensing Line)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. The analog-to-digital converter (ADC) can be electrically connected through a sensing line (SN) and a sensing node (SN) in each sub-pixel.

아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 각 서브픽셀에서의 센싱 노드(SN)와 전기적으로 연결된 센싱라인(SL)을 통해, 센싱 노드(SN)의 센싱된 전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환하여, 변환된 디지털 값들을 포함하는 토대로, 센싱데이터(Dsen)를 생성한다. The analog digital converter ADC converts the sensed voltage Vsen of the sensing node SN to a digital value through a sensing line SL electrically connected to the sensing node SN in each sub pixel, And generates sensing data (Dsen) based on the digital values.

이러한 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 해당하는 센서(310)는, 다수 개가 있을 수 있으며, 하나의 센서(310), 즉 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 하나의 소스 드라이버 집적회로에 포함될 수 있다. There may be a plurality of sensors 310 corresponding to the analog digital converters (ADC), and one sensor 310, that is, one analog digital converter (ADC), may be included in one source driver integrated circuit.

보상기(320)는, 수신된 센싱데이터(Dsen)를 토대로 보상 프로세스를 수행한다. The compensator 320 performs a compensation process based on the received sensing data Dsen.

보상 프로세스는, 수신된 센싱데이터를 토대로, 다수의 서브픽셀 각각에 대한 데이터(Data)를 변경하기 위한 데이터 보상량(△Data)을 결정하여, 데이터 보상량을 메모리(미도시)에 저장하는 처리일 수 있다. The compensation process determines a data compensation amount (? Data) for changing data (Data) for each of a plurality of subpixels based on the received sensing data, and stores the data compensation amount in a memory (not shown) Lt; / RTI >

또한, 보상 프로세스는, 데이터 보상량(△Data)을 기초로, 호스 시스템(160)에서 출력된 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. 이러한 데이터 변경 처리는, 호스 시스템(160)에서 출력된 데이터(Data)에 데이터 보상량(△Data)을 더하여 변경 데이터(Data'=Data+△Data)로 변경할 수 있다. Further, the compensation process may include a process of changing the data Data output from the hose system 160, based on the data compensation amount? Data. This data changing process can be changed to the changed data (Data '= Data +? Data) by adding the data compensation amount? Data to the data Data output from the hose system 160.

보상기(320)는 타이밍 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있다. The compensator 320 may be included within the timing controller 140.

도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)의 구동 모드를 나타낸다. 4 shows a driving mode of the organic light emitting display panel 110 according to the present embodiments.

도 4를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)은, 디스플레이 모드(Display Mode) 및 센싱 모드(Sensing Mode) 등의 구동 모드(Driving Mode)로 동작할 수 있다. Referring to FIG. 4, the OLED display panel 110 according to the exemplary embodiments of the present invention may operate in a driving mode such as a display mode and a sensing mode.

디스플레이 모드(Display Mode)는, 유기발광표시패널(110)이 화상을 표시하기 위한 구동 모드이다. The display mode is a driving mode in which the organic light emitting display panel 110 displays an image.

센싱 모드(Sensing Mod)는, 전술한 보상 기능과 관련된 구동 모드로서, 유기발광표시패널(110)을 센싱하기 위한 구동 모드이다. 즉, 센싱 모드는, 유기발광표시패널(110) 상의 각 서브픽셀에서의 트랜지스터(특히, 구동 트랜지스터)의 고유 특성치를 센싱하기 위한 구동 모드로서, 이 센싱 모드에서는 각 서브픽셀에서의 센싱 노드의 전압이 센싱된다. The sensing mode is a driving mode for sensing the organic light emitting display panel 110 as a driving mode related to the compensation function described above. That is, the sensing mode is a driving mode for sensing the intrinsic characteristic value of the transistor (in particular, the driving transistor) in each subpixel on the OLED panel 110. In this sensing mode, the voltage of the sensing node in each subpixel Is sensed.

이러한 센싱 모드는, 일 예로, 유기발광표시패널(110)이 디스플레이 모드로 동작하는 도중에 실시간으로 이루어질 수도 있고, 전원 오프 신호(Power Off Signal) 발생 시, 이루어질 수도 있으며, 경우에 따라서, 전원 온 신호(Power On Signal) 발생 시 이루어질 수도 있다. For example, the sensing mode may be performed in real time during the operation of the organic light emitting display panel 110 in the display mode, or may occur when a power off signal occurs, (Power On Signal).

센싱 모드가 실시간으로 이루어지는 경우, 센싱 모드는 수직동기신호(Vsync)의 블랭크 타임(Blank Time) 마다 이루어질 수 있다. 이때, 블랭크 타임 마다 이루어지는 센싱 모드는 유기발광표시패널(110) 상의 각 서브픽셀에서의 트랜지스터(특히, 구동 트랜지스터)의 고유 특성치 중에서 상대적으로 센싱 시간이 적게 걸리는 이동도의 센싱 및 보상을 위한 센싱 모드일 수 있다. When the sensing mode is performed in real time, the sensing mode may be performed every blank time of the vertical synchronization signal Vsync. Here, the sensing mode for each blank time is a sensing mode for sensing and compensating the mobility, which takes relatively little sensing time, among the intrinsic characteristic values of transistors (in particular, driving transistors) in each subpixel on the OLED panel 110 Lt; / RTI >

센싱 모드가 전원 오프 신호 발생 시 이루어지는 경우, 센싱 모드는 유기발광표시패널(110) 상의 각 서브픽셀에서의 트랜지스터(특히, 구동 트랜지스터)의 고유 특성치 중에서 상대적으로 센싱 시간이 많이 걸리는 문턱전압의 센싱을 위한 센싱 모드일 수 있다. When the sensing mode is performed when a power-off signal is generated, the sensing mode is a mode in which sensing of a threshold voltage, which takes a relatively long sensing time, among the intrinsic characteristic values of transistors (particularly, driving transistors) in each subpixel on the organic light emitting display panel 110 Sensing mode.

유기발광표시패널(110) 상의 각 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 센싱하는 기본적인 방법 및 원리에 대하여, 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다. The basic method and principle of sensing the threshold voltage of the driving transistor DRT in each sub-pixel on the organic light emitting display panel 110 will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig.

도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서 센싱 동작 단계를 나타낸다. 도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서, 구동전압 및 데이터 전압의 기본적인 신호 파형과, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다. 5 shows a sensing operation step in a sensing mode period of the OLED display 100 according to the present embodiments. 6 is a diagram showing basic signal waveforms of a driving voltage and a data voltage and a voltage change of a sensing node in the sensing mode period of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서 센싱 동작 단계는, 초기화 단계(STEP 1), 센싱 노드 플로팅 단계(STEP 2) 및 센싱 노드 센싱 단계(STEP 3)로 이루어진다. 5 and 6, the sensing operation in the sensing mode period of the organic light emitting diode display 100 according to the exemplary embodiments of the present invention includes an initialization step (STEP 1), a sensing node floating step (STEP 2) And a sensing step (STEP 3).

도 5 및 도 6을 참조하면, 초기화 단계(STEP 1)에서, 센싱 모드가 인에이블(Enable) 된 이후, 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2) 각각에 데이터 전압(Vdata) 및 기준전압(Vref)이 인가된다. 여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드이고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드인 것으로 가정한다. 그리고, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드가 해당 서브픽셀에서의 센싱 노드인것으로 가정한다. 5 and 6, after the sensing mode is enabled in the initialization step STEP 1, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT in the corresponding sub- Are applied with the data voltage Vdata and the reference voltage Vref, respectively. It is assumed here that the first node N1 of the driving transistor DRT is the gate node of the driving transistor DRT and the second node N2 of the driving transistor DRT is the source node of the driving transistor DRT . It is assumed that the source node of the driving transistor DRT is a sensing node in the corresponding subpixel.

도 5 및 도 6을 참조하면, 센싱 노드 플로팅 단계(STEP 2)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드가 Tr 시점에서 플로팅(Floating) 된다. 5 and 6, in the sensing node floating step STEP 2, the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, the source node of the driving transistor DRT, do.

이때, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는, 초기화 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata)이 그대로 인가되어 있는 상태이다. At this time, the first node N1 of the driving transistor DRT is in a state in which the data voltage Vdata corresponding to the initialization voltage is directly applied.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드가 플로팅(Floating) 됨에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 상승(Boosting) 된다. The voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is boosted as the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, the source node of the driving transistor DRT floats, do.

이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압 상승은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata)을 향해 이루어지고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth) 만큼 차이가 날 때까지 이루어진다. The voltage rise of the source node of the driving transistor DRT is directed toward the data voltage Vdata corresponding to the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT, (Vdata) and the threshold voltage (Vth) corresponding to the voltage of the node N1.

이와 같이, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압이 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 향해 상승(Boosting) 하는 것을 "소스 팔로윙(Source Following)"이라고 한다. As described above, when the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, the source node of the driving transistor DRT, is boosted toward the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT Is referred to as "Source Following ".

도 5 및 도 6을 참조하면, 센싱 노드 센싱 단계(STEP 3)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 상승하다가 Tsat 시점에서 포화(Saturation) 하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 포화된 전압이 센싱 된다. 5 and 6, when the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT rises and saturates at a Tsat time in the sensing node sensing step STEP3, the driving transistor DRT is turned on, The saturated voltage of the second node N2 is sensed.

여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 포화된 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vdata-Vth=Vd-Vth)이 된다. 단, 도 6에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)이 포지티브 값인 경우를 도시한 것으로서, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)이 네거티브 값일 수도 있다. Here, the saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, the source node of the driving transistor DRT is the sum of the data voltage V1 corresponding to the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT (Vdata-Vth = Vd-Vth) obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT from the threshold voltage Vdata. 6, the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT is a positive value, and the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT may be a negative value.

도 5 및 도 6을 참조하면, 센싱 모드 구간에서, 데이터 전압(Vdata)은 일정한 전압(Vd)을 갖고, 구동전압(EVDD)도 일정한 전압(Ve)을 갖는다. 5 and 6, in the sensing mode period, the data voltage Vdata has a constant voltage Vd and the driving voltage EVDD has a constant voltage Ve.

도 5 및 도 6을 참조하면, 센싱 모드 구간에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 정확하게 센싱하기 위해서는, 해당 서브픽셀에서의 센싱 노드(SN), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 포화된 이후에, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 센서(310)에 해당하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 의해 샘플링되어 센싱(측정) 되어야 한다. 5 and 6, in order to accurately sense the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT in the sensing mode period, the sensing node SN of the corresponding sub pixel, that is, the driving transistor DRT After the second node N2 is saturated, the voltage at the second node N2 of the driving transistor DRT must be sampled and measured by an analog-to-digital converter (ADC) corresponding to the sensor 310 .

구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하는 데 걸리는 시간의 길이는, 해당 서브픽셀에서의 센싱 노드(SN), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가, 플로팅 된 시점(Tr)부터 포화되는 시점(Tsat)까지 걸리는 시간의 길이(TL)에 좌우된다. The length of time taken to sense the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT is set so that the sensing node SN in the subpixel, that is, the second node N2 of the driving transistor DRT, Depends on the length TL of the time from the point of time Tr to the point of saturation Tsat.

해당 서브픽셀에서의 센싱 노드(SN), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가, 플로팅되어 포화하는데 상당한 시간(TL=Tsat-Tr)이 걸리기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하는데 많은 시간이 걸리게 된다. Since the sensing node SN in the corresponding subpixel, that is, the second node N2 of the driving transistor DRT takes a considerable time (TL = Tsat-Tr) to float and saturate, It takes a lot of time to sense the threshold voltage Vth.

아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하는 데 필요한 시간, 즉, 센싱 시간을 단축시키기 위하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드를 더욱 빨리 포화시키는 몇 가지 방법에 대하여, 설명한다. In order to shorten the time required for sensing the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT, that is, the sensing time, the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, the driving transistor DRT, Some methods for saturating the source node of the source node more quickly will be described.

먼저, 데이터 전압(Vdata)을 조정하여, 센싱 노드를 더욱 빨리 포화시키는 방법에 대하여, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다. First, a method of adjusting the data voltage Vdata to saturate the sensing node more quickly will be described with reference to FIGS. 7 and 8. FIG.

도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서, 센싱 시간 단축을 위하여, 오버슈팅(Overshooting) 된 데이터 전압(vdata)의 신호 파형을 나타낸다. 도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서, 오버슈팅(Overshooting) 된 데이터 전압(vdata)을 이용하는 경우, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다. FIG. 7 shows a signal waveform of an overshooting data voltage (vdata) in order to shorten the sensing time in the sensing mode period of the OLED display 100 according to the present embodiments. FIG. 8 is a diagram illustrating a voltage change of a sensing node when an overshooting data voltage (vdata) is used in a sensing mode period of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 7 및 도 8을 참조하면, 센싱시간 단축을 위해, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압 포화를 더욱 빨리 시켜주기 위하여, 데이터 구동부(120)는, 도 6과 같이, 일정한 전압 값(Vd)의 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 공급해주는 것이 아니라, 오버슈팅(Overshooting) 된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 공급할 수 있다. 7 and 8, in order to accelerate the voltage saturation of the source node of the driving transistor DRT, that is, the second node N2 of the driving transistor DRT, The data driver 120 does not supply the data voltage Vdata of a constant voltage value Vd to the first node N1 of the driving transistor DRT as shown in FIG. It is possible to supply the voltage Vdata to the first node N1 of the driving transistor DRT.

도 7 및 도 8을 참조하면, 데이터 구동부(120)는, 센싱 모드 구간에서, 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 일정시간(△T) 동안 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강하는 데이터 전압(Vdata)을 공급할 수 있다. 7 and 8, in the sensing mode period, the data driver 120 increases the reference voltage Vd by the overshoot voltage value? Vd for a predetermined time? T, It is possible to supply the data voltage Vdata falling again to the voltage value Vd.

즉, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간, 즉, 센싱 모드 구간에서는, 각 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 데이터 전압(Vdata)은, 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 일정시간(△T) 동안 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강한다. That is, the data voltage (Vdata) supplied through each data line (DL) in the sensing period is different from the reference data voltage (Vd) during a certain time (AT) Is increased by the shooting voltage value (? Vd), and then falls again to the reference data voltage value (Vd).

도 7 및 도 8을 참조하면, 데이터 전압(Vdata)이 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 오버슈팅(Overshooting) 되는 시점은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 플로팅(Floating) 되는 시점(Tr)과 동일할 수 있다. 7 and 8, a time point at which the data voltage Vdata is overshooted at the reference data voltage value Vd is a time point when the second node N2 of the driving transistor DRT is floating And may be the same as the time Tr.

도 7 및 도 8을 참조하면, 데이터 전압(Vdata)이 데이터 전압(Vdata)이 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 오버슈팅(Overshooting)되는 오버슈팅 전압 값(△Vd)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 포화 시점이 충분히 빨라질 수 있도록 미리 설정된 값일 수 있다. 7 and 8, the overshoot voltage value DELTA Vd at which the data voltage Vdata is overshooted at the reference data voltage value Vd may be the same as the overshooting voltage value DELTA Vd, The voltage saturation point of the second node N2 of the second transistor Q2 may be set to a sufficiently high value.

도 7 및 도 8을 참조하면, 데이터 전압(Vdata)이 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 일시적으로 오버슈팅(Overshooting) 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 일시적으로 상승하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 연결된 스토리지 캐패시터(Cstg)의 양단의 전위차가 일시적으로 커져서, 스토리지 캐패시터(Cstg)의 충전 속도가 일시적으로 빨라진다. 7 and 8, when the data voltage Vdata temporarily overshoots at the reference data voltage value Vd, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT temporarily rises The potential difference between both ends of the storage capacitor Cstg connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT temporarily increases and the charging speed of the storage capacitor Cstg temporarily increases .

따라서, 도 8에 도시된 바와 같이, 데이터 전압(Vdata)에 대한 오버슈팅을 하는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압(V2)이 포화하는 시점(Tsat')은, 데이터 전압(Vdata)에 대한 오버슈팅을 하지 않는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압(V2)이 포화하는 시점(Tsat)보다 빨라진다. 8, the time point Tsat 'at which the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT saturates, when overshooting the data voltage Vdata, The voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes faster than the saturation point Tsat when the overshooting of the data voltage Vdata is not performed.

전술한 바와 같이, 센싱 모드 구간에서, 데이터 전압(Vdat)을 일시적으로 오버슈팅함으로써, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 빠르게 해줄 수 있다. As described above, in the sensing mode period, the voltage saturation rate of the sensing node can be increased by temporarily overshooting the data voltage Vdat.

한편, 도 7 및 도 8을 참조하면, 센싱 모드 구간에서, 데이터 전압(Vdata)이 Tr 시점에 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강하는 시점(Tf)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 포화 시점(Tsat')보다 빠를 수 있다. 7 and 8, in the sensing mode period, the data voltage Vdata is increased at the Tr time by the overshoot voltage value Vd at the reference data voltage value Vd, and then the reference data voltage value Vd may be earlier than the voltage saturation point Tsat 'of the second node N2 of the driving transistor DRT.

이로 인해, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간, 즉, 센싱 모드 구간에서, 데이터 전압(Vdata)이 Tr 시점에 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강하는 시점(Tf)은, 센서(310)가 센싱 노드의 전압을 센싱하는 시점(Tsat' 시점 또는 그 이후 시점)보다 빠를 수 있다. Therefore, the data voltage (Vdata) is increased from the reference data voltage value (Vd) by the overshooting voltage value (? Vd) at the Tr time point in the other mode interval, i.e., the sensing mode period, The time point Tf to fall back to the value Vd may be earlier than the time point at which the sensor 310 senses the voltage of the sensing node (time point Tsat 'or later).

이와 관련하여, 도 7 및 도 8을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압은, 최종적으로, 오버슈팅 된 전압 값(Vd+△Vd)을 향해 상승하는 것이 아니라, 기준 데이터 전압 값(Vd)을 향해 상승한다. 즉, 최종적으로, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압의 전압 상승 폭은, "Vd+△Vd-Vth-Vref"이 아니라, "Vd-Vth-Vref"이다. 7 and 8, the voltage at the second node N2 of the driving transistor DRT does not rise toward the overshooted voltage value Vd + DELTA Vd, And rises toward the data voltage value Vd. That is, finally, the voltage rising width of the voltage at the second node N2 of the driving transistor DRT is not "Vd + Vd-Vth-Vref" but "Vd-Vth-Vref".

다시 말해, 데이터 전압(Vdata)이 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 일시적으로 오버슈팅(Overshooting) 되었다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 복귀하기 때문에, 스토리지 캐패시터(Cstg)의 충전 속도를 일시적으로 빠르게 해주어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 포화 속도를 빠르게 해주면서도, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 포화를 위한 전압 상승폭을 그대로 유지시켜줄 수 있다. In other words, since the data voltage Vdata temporarily overshoots at the reference data voltage value Vd and then returns to the reference data voltage value Vd, the charging rate of the storage capacitor Cstg is temporarily The voltage rising rate for saturation of the voltage at the second node N2 of the driving transistor DRT can be maintained as it is while the voltage saturation rate of the second node N2 of the driving transistor DRT is increased.

즉, 최종적으로, 데이터 전압 조정이 있는 경우(도 6)와 데이터 전압 조정이 있는 경우 모두, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압은, 기준전압(Vref)에서 "Vd-Vth"까지 동일하게 상승한다. That is, finally, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes "Vd-Vth (Vref) at the reference voltage Vref both in the case of the data voltage adjustment ".

전술한 방식의 데이터 전압에 대한 오버슈팅을 통해, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압에 대한 포화 속도를 빠르게 하여 센싱 시간 단축을 가능하게 하면서도, 오버슈팅 된 데이터 전압의 하강 시점(Tf)을 센싱 노드 전압 포화 시(Tsat')점보다 빠르게 함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압에 대한 포화 전압을 데이터 전압(Vdata)의 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 문턱전압(Vth)를 뺀 전압(Vd-Vth)으로 동일하게 유지시켜줄 수 있다. Through the overshooting of the data voltage in the above-described manner, the saturation rate of the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT can be increased to shorten the sensing time, The saturation voltage with respect to the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is set to the reference data voltage value Vd of the data voltage Vdata by making the threshold voltage Tf faster than the sensing node voltage saturation Tsat ' (Vd-Vth) obtained by subtracting the threshold voltage (Vth) from the threshold voltage (Vth).

다음으로, 구동전압(EVDD)을 조정하여, 센싱 노드를 더욱 빨리 포화시키는 방법에 대하여, 도 9 및 도 10 참조하여 설명한다. Next, a method of adjusting the driving voltage EVDD to saturate the sensing node more quickly will be described with reference to Figs. 9 and 10. Fig.

도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서, 센싱 시간 단축을 위하여, 상승 된 구동전압(EVDD)의 신호 파형을 나타낸다. 도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서, 상승 된 구동전압(EVDD)을 이용하는 경우, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다. FIG. 9 shows a signal waveform of the increased driving voltage EVDD in order to shorten the sensing time in the sensing mode period of the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments. 10 is a diagram showing a voltage change of a sensing node when an elevated driving voltage EVDD is used in a sensing mode period of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 9를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 센싱 노드의 전압에 대한 포화 시점을 더욱 빠르게 하여 센싱 시간을 단축시키기 위하여, 구동전압(EVDD)을 조정할 수 있다. Referring to FIG. 9, the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment can adjust the driving voltage EVDD in order to shorten the sensing time by further increasing the saturation point with respect to the voltage of the sensing node.

도 9를 참조하면, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간, 즉, 센싱 모드 구간에서 구동전압 라인(DVL)들을 통해 공급되는 구동전압(EVDD)은, 디스플레이 모드 구간에서 구동전압 라인(DVL)들을 통해 공급되는 구동전압의 기준 구동전압 값(Ve)보다 일정 전압 값(△Ve)만큼 높은 전압 값(Ve+△Ve)일 수 있다. 여기서, 기준 구동전압 값(Ve)은 디스플레이 모드 구간에서 사용되는 구동전압(EVDD)의 전압 값일 수 있다.Referring to FIG. 9, the driving voltage EVDD supplied through the driving voltage lines DVL in the sensing period is different from the driving voltage DVL in the display mode period. (Ve + [Delta] Ve) higher than the reference drive voltage value Ve of the drive voltage by a constant voltage value [Delta] Ve. Here, the reference drive voltage value Ve may be a voltage value of the drive voltage EVDD used in the display mode section.

즉, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서는, 즉, 센싱 모드 구간에서는, 구동전압 라인들(DRLs)이, 디스플레이 구동 모드 구간에서보다, 더 높은 구동전압(EVDD)을 공급할 수 있다. That is, the driving voltage lines DRLs can supply a higher driving voltage EVDD in the display mode period than in the display mode period, that is, in the sensing mode period.

이러한 구동전압 제어는, 타이밍 컨트롤러(140)와 전원 컨트롤러(150)에 의해 이루어질 수 있다. This driving voltage control may be performed by the timing controller 140 and the power controller 150. [

구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1), 제2노드(N2) 및 제3노드(N3)가 게이트 노드, 소스 노드 및 드레인 노드일 때, 하기 수학식 1을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)로 인가되는 구동전압(EVDD)을 높이게 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 노드 및 소스 노드 간의 전압 차이, Vds가 커진다. When the first node N1, the second node N2 and the third node N3 of the driving transistor DRT are the gate node, the source node and the drain node, the driving transistor DRT The voltage difference (Vds) between the drain node and the source node of the driving transistor DRT becomes large.

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 수학식 1에서, id는 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 노드(N3)로 흐르는 전류이고, W은 구동 트랜지스터(DRT)의 채널(Channel)의 폭(Width)이며, L은 구동 트랜지스터(DRT)의 채널(Channel)의 길이(Length)이고, kn'는 트랜스컨덕턴스 파라미터(Transconductance Parameter)로서, μCox 이다. μ는 구동 트랜지스터(DRT)의 전자 이동도(Electron Mobility)이고, Cox는 옥사이드 캐패시턴스(Oxide Capacitance)이다. 그리고, Vgs는 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)와 소스 노드(N2)의 전압 차이이고, Vds는 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 노드(N3) 및 소스 노드(N2) 간의 전압 차이이다. 그리고, λ는 id가 Vds에 의존하는 관계를 나타내는 파라미터로서, 양(+)의 상수 값일 수 있으며, 일 예로, 0.005 내지 0.03 [1/V]일 수 있다. Id is the current flowing to the drain node N3 of the driving transistor DRT and W is the width of the channel of the driving transistor DRT and L is the width of the driving transistor DRT. Is the length of the channel of the input signal, and kn 'is a transconductance parameter, μCox. μ is the electron mobility of the driving transistor DRT, and Cox is the oxide capacitance. Vgs is the voltage difference between the gate node N1 and the source node N2 of the driving transistor DRT and Vds is the voltage difference between the drain node N3 and the source node N2 of the driving transistor DRT. Further,? Is a parameter indicating a relationship that id depends on Vds, and may be a positive constant value, and may be, for example, 0.005 to 0.03 [1 / V].

상기 수학식 1에서, (1+λVds) 항목에서, Vds가 커지면, id가 커지게 된다는 것을 알 수 있다. In Equation (1), in the item (1 +? Vds), it can be seen that when Vds becomes larger, id becomes larger.

이와 같이, 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 노드(N3)로 흐르는 전류 id가 커지게 되어, 스토리지 캐패시터(Cstg)가 더 빨리 충전된다. 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)의 전압이 더 빨리 포화한다. As described above, the current id flowing to the drain node N3 of the driving transistor DRT becomes large, and the storage capacitor Cstg is charged faster. That is, the voltage of the source node N2 of the driving transistor DRT is saturated more quickly.

다시 말해, 센싱 모드 구간에서 구동전압(EVDD)을 기준 구동전압 값(Ve)에서 일정 전압 값(△Ve)만큼 높여주는 경우(도 10), 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2, 예: 소스 노드)의 전압(V2)의 포화 시점(Tsat")은, 센싱 모드 구간에서 구동전압(EVDD)이 일정한 기준 구동전압 값(Ve)인 경우(도 6), 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2, 예: 소스 노드)의 전압(V2)의 포화 시점(Tsat)보다 빠르다. In other words, when the drive voltage EVDD is raised by the constant voltage value Ve from the reference drive voltage value Ve in the sensing mode period (FIG. 10), the second node N2 of the drive transistor DRT The saturation point Tsat "of the voltage V2 of the drive transistor DRT (source node) is equal to the reference drive voltage value Ve at which the drive voltage EVDD is constant in the sensing mode period Is faster than the saturation point (Tsat) of the voltage (V2) of the two nodes (N2, e.g., the source node).

이러한 구동전압 조정 방식, 즉, 센싱 모드 구간에서 구동전압 라인(DVL)들을 통해 공급되는 구동전압(EVDD)을 높이게 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 센싱 노드의 전압에 대한 포화 속도가 빨라져, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압의 센싱을 위해, 센싱 노드의 포화 전압을 더 빠른 시점(Tsat" 또는 그 이후 시점)에 센싱할 수 있는 상태로 만들어 줄 수 있다. When the driving voltage EVDD supplied through the driving voltage lines DVL is increased in this driving voltage adjusting mode, that is, in the sensing mode period, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, So that the saturation voltage of the sensing node can be sensed at a faster time point (Tsat "or later) for sensing the threshold voltage of the driving transistor DRT.

전술한 센싱시간 단축으로 위한 2가지 방식(데이터 전압 조정 방식, 구동전압 조정 방식)은, 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀 내 트랜지스터(특히, 구동 트랜지스터)의 고유 특성치를 센싱할 때, 이용될 수 있다. The two methods (data voltage adjusting method, driving voltage adjusting method) for shortening the sensing time described above are to sense intrinsic characteristic values of transistors (in particular, driving transistors) in each sub pixel disposed in the organic light emitting display panel 110 Can be used.

아래에서는 전술한 센싱시간 단축으로 위한 2가지 방식(데이터 전압 조정 방식, 구동전압 조정 방식)이 적용될 수 있는 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀의 구체적인 구조를 도 11을 참조하여 예시적으로 설명한다. Hereinafter, a specific structure of a sub-pixel of the OLED display 100 to which the two methods (data voltage adjustment method and driving voltage adjustment method) for shortening the sensing time described above can be applied will be described with reference to FIG. 11 do.

도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀의 등가회로도를 예시적으로 나타낸다. FIG. 11 exemplarily shows an equivalent circuit diagram of subpixels of the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments.

도 11에 예시된 서브픽셀(SP)은, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 회로가 3개의 트랜지스터(DRT, T1, T2)와 1개의 캐패시터(Cstg)를 포함하는 3T(Transistor)1C(Capacitor) 구조이다. 11, the driving circuit for driving the organic light emitting diode OLED includes a 3T transistor 1C including three transistors DRT, T1, and T2 and a capacitor Cstg, (Capacitor) structure.

도 11을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)는, 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 제1노드(N1)와, 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극)과 전기적으로 연결된 제2노드(N2)와, 구동전압 라인(DVL)과 전기적으로 연결되어 구동전압(EVDD)이 인가되는 제3노드(N3)를 갖는다. 11, the driving transistor DRT includes a first node N1 to which a data voltage Vdata is applied, and a second node N1 to which the first electrode N1 of the organic light emitting diode OLED, e.g., the anode electrode or the cathode electrode, And a third node N3 which is electrically connected to the driving voltage line DVL and to which a driving voltage EVDD is applied.

도 11을 참조하면, 제1트랜지스터(T1)는, 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(DLi)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 사이에 전기적으로 연결된다. Referring to FIG. 11, a first transistor T1 is electrically connected between a data line DLi for supplying a data voltage and a first node N1 of a driving transistor DRT.

이러한 제1트랜지스터(T1)의 게이트 노드는, 제1게이트 라인(GLj)을 통해 스캔 신호(Scan Signal)를 인가받는다. 제1트랜지스터(T1)의 드레인 노드 또는 소스 노드는 데이터 라인(DLi)으로부터 데이터 전압(Vdata)을 공급받는다. 제1트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 전기적으로 연결된다. The gate node of the first transistor T1 receives a scan signal through the first gate line GLj. A drain node or a source node of the first transistor T1 receives the data voltage Vdata from the data line DLi. The source node or the drain node of the first transistor T1 is electrically connected to the first node N1 of the driving transistor DRT.

제1트랜지스터(T1)는, 스캔 신호에 의해 턴 온 되면, 제1트랜지스터(T1)의 드레인 노드 또는 소스 노드로 공급된 데이터 전압(Vdata)을 제1트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 인가해준다. When the first transistor T1 is turned on by the scan signal, the first transistor T1 applies the data voltage Vdata supplied to the drain node or the source node of the first transistor T1 to the source node or the drain node of the first transistor T1 To the first node N1 of the electrically connected driving transistor DRT.

도 11을 참조하면, 제2트랜지스터(T2)는, 기준전압(Vref)을 공급하는 기준전압 라인(RVL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된다. Referring to FIG. 11, the second transistor T2 is electrically connected between the reference voltage line RVL for supplying the reference voltage Vref and the second node N2 of the driving transistor DRT.

이러한 제2트랜지스터(T2)의 게이트 노드는, 제2게이트 라인(GLj')을 통해 일종의 스캔 신호인 센스 신호(Sense Signal)를 인가받는다. 제2트랜지스터(T2)의 드레인 노드 또는 소스 노드는 기준전압 라인(RVL)으로부터 기준전압(Vref)을 공급받는다. 제2트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 전기적으로 연결된다. The gate node of the second transistor T2 receives a sense signal (Sense Signal), which is a kind of scan signal, through the second gate line GLj '. The drain node or the source node of the second transistor T2 is supplied with the reference voltage Vref from the reference voltage line RVL. The source node or the drain node of the second transistor T2 is electrically connected to the second node N2 of the driving transistor DRT.

도 11을 참조하면, 스토리지 캐패시터(Cstg)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된다. Referring to FIG. 11, the storage capacitor Cstg is electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.

도 11에 도시된 3T1C의 서브픽셀 구조는, 서브픽셀에 대한 센싱 및 보상이 가능한 구조이다. The sub-pixel structure of 3T1C shown in Fig. 11 is a structure capable of sensing and compensating for sub-pixels.

도 11을 참조하면, 센서(310)는, 기준전압 라인(RVL)을 통해, 센싱 노드에 해당하는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 센싱하여, 센싱된 전압을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 디지털 값을 포함하는 센싱 데이터를 보상기(320)로 전송해준다. 11, the sensor 310 senses the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT corresponding to the sensing node through the reference voltage line RVL and outputs the sensed voltage as a digital value And transmits the sensing data including the converted digital value to the compensator 320. [

이에 따라, 보상기(320)는, 수신한 센싱 데이터를 이용하여 보상 프로세스를 수행하여, 데이터 보상량(△Data)을 결정한다. 이에 따라, 데이터 변경부(1100)는, 외부에서 입력된 데이터(Data)를 데이터 보상량(△Data)에 근거하여 변경하고, 변경된 데이터(Data')를 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC #K, K=1, ... , M)로 전송해준다. Accordingly, the compensator 320 performs the compensation process using the received sensing data to determine the data compensation amount? Data. Accordingly, the data changing unit 1100 changes externally input data Data on the basis of the data compensation amount [Delta] Data and outputs the changed data Data 'to the corresponding source driver ICs SDIC #K, K = 1, ..., M).

이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC #K)는, 변경 데이터(Data')를 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여, 해당 데이터 라인(DLi)으로 공급해준다. Accordingly, the source driver integrated circuit SDIC #K converts the change data Data 'into data voltages Vdata and supplies the data voltages to the corresponding data lines DLi.

도 11의 예시에서는, 센서(310)가 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC #K, K=1, ... , M)에 포함된 아날로그 디지털 컨버터(ADC)이고, 보상기(320)가 타이밍 컨트롤러(140)에 포함된 경우이다. 11, the sensor 310 is an analog digital converter (ADC) included in the corresponding source driver IC (SDIC #K, K = 1, ..., M), and the compensator 320 is a timing controller 140).

전술한 바와 같이, 데이터 전압 및/또는 구동전압을 조정하여, 센싱 노드(SN), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 포화 속도를 빠르게 해주어, 센싱 시간을 단축할 수 있는 3T1C 서브픽셀 구조를 제공할 수 있다.As described above, by adjusting the data voltage and / or the driving voltage, the voltage saturation rate of the sensing node SN, that is, the second node N2 of the driving transistor DRT can be made faster and the sensing time can be shortened RTI ID = 0.0 > 3T1C < / RTI > subpixel structure.

도 11을 참조하면, 기준전압 라인(RVL)을 기준전압 공급 노드 또는 센서(310)에 연결해주는 스위치(SW)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 기준전압 공급 노드는, 전원 컨트롤러(150)에서 소스 드라이버 집적회로(SDIC #K)로 기준전압이 공급되는 노드로서, 스위치(SW)가 온(ON)이 되는 노드이다. Referring to FIG. 11, the apparatus may further include a switch SW for connecting the reference voltage line RVL to the reference voltage supply node or the sensor 310. Here, the reference voltage supply node is a node to which the reference voltage is supplied from the power supply controller 150 to the source driver IC (SDIC # K), and the switch SW is turned ON.

이러한 스위치(SW)는, 센싱 모드 구간의 초기화 단계(STEP 1 단계)에서 온(ON)이 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)로 기준전압(Vref)을 인가해준다. This switch SW is turned on in the initializing step of the sensing mode section (STEP 1) and applies the reference voltage Vref to the second node N2 of the driving transistor DRT.

단, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 플로팅은, 제2트랜지스터(T2)의 턴 오프(Turn Off)로 이루어질 수 있다. However, the floating of the second node N2 of the driving transistor DRT may be made by turning off the second transistor T2.

또는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 플로팅은, 스위치(SW)의 스위칭 동작을 온-오프(ON-OFF)의 2 단계가 아니라, 기준전압 공급 노드와 기준전압 라인(RVL)을 연결해주는 스위칭 단계, 센서(310)와 기준전압 라인(RVL)을 연결해주는 스위칭 단계, 기준전압 공급 노드 및 센서(310) 모두를 기준전압 라인(RVL)과 연결해주지 않는 스위칭 단계의 3 단계 스위칭 동작으로 구현하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 플로팅이 이루어지도록 해줄 수도 있다. Alternatively, the floating of the second node N2 of the driving transistor DRT may be performed not by the two steps of switching the switching operation of the switch SW ON-OFF, but by switching the reference voltage supply node and the reference voltage line RVL A switching step of connecting the sensor 310 and the reference voltage line RVL, a switching step of not connecting both the reference voltage supply node and the sensor 310 to the reference voltage line RVL, It is possible to realize the floating operation of the second node N2 of the driving transistor DRT.

또한, 스위치(SW)는, 센싱 모드 구간의 센싱 단계(STEP 3)에서 오프(OFF) 되어, 센서(310)가 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 센싱할 수 있도록 해준다. The switch SW is turned off in the sensing step STEP3 of the sensing mode section so that the sensor 310 can sense the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT .

전술한 바와 같은 스위치(SW)의 스위칭 동작 타이밍은, 타이밍 컨트롤러(140)에서 출력되는 제어 신호에 의해 제어될 수 있다. The switching operation timing of the switch SW as described above can be controlled by the control signal output from the timing controller 140. [

전술한 스위치(SW)를 통해, 센싱 동작에 맞게 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 대한 전압 인가 및 전압 센싱이 원하는 타이밍에 가능하도록 해줄 수 있다. The voltage application and the voltage sensing of the second node N2 of the driving transistor DRT can be made possible at a desired timing in accordance with the sensing operation through the switch SW described above.

도 11에서, 각 서브픽셀(SP) 내 센싱 노드(SN: Sensing Node)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)이다. 11, a sensing node (SN) in each subpixel SP is a second node N2 of the driving transistor DRT.

도 11에서, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서, 데이터 전압(Vdata)이 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강하는 시점(Tf)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압(V2)이 Tr 시점에서 상승하다가 포화하는 시점(Tsat')보다 빠르다. 11, when the data voltage Vdata rises from the reference data voltage value Vd by the overshooting voltage value Vd and falls again to the reference data voltage value Vd in a mode interval different from the display mode period The time point Tf is faster than the time point Tsat 'at which the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT rises at the Tr point and saturates.

전술한 데이터 전압에 대한 오버슈팅 방식을 통해, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압에 대한 포화 속도를 더욱 빠르게 하여 센싱 시간 단축을 가능하게 하면서도, 오버슈팅 된 데이터 전압의 하강 시점(Tf)을 센싱 노드 전압 포화 시(Tsat')점보다 빠르게 함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압에 대한 포화 전압을 데이터 전압(Vdata)의 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 문턱전압(Vth)를 뺀 전압(Vd-Vth)으로 동일하게 유지시켜줄 수 있다. It is possible to shorten the sensing time by further increasing the saturation rate with respect to the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT through the overshooting method for the data voltage, The saturation voltage with respect to the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is set to the reference data voltage value Vd of the data voltage Vdata by making the threshold voltage Tf faster than the sensing node voltage saturation Tsat ' (Vd-Vth) obtained by subtracting the threshold voltage (Vth) from the threshold voltage (Vth).

아래에서, 이상에서 설명한 센싱 시간 단축 방법(데이터 조정 방식, 구동전압 조정 방식)에 대하여, 간략하게 설명한다. Hereinafter, the sensing time shortening method (data adjustment method, drive voltage adjustment method) described above will be briefly described.

도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동방법의 흐름도이다. 12 is a flowchart of a driving method of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 12를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동방법은, 센싱 모드를 인에이블 하는 단계(S1210)와, 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(M2) 각각에 데이터 전압(Vdata) 및 기준전압(Vref)을 인가하는 단계(S1220)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)를 플로팅시켜, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 상승시키는 단계(S1230)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 상승하다가 포화하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 센싱하는 단계(S1240)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 센싱한 결과를 토대로, 해당 서브픽셀에 대한 데이터를 변경하는 단계(S1250)와, 디스플레이 모드가 인에이블 되면, 변경된 데이터를 이용하여 해당 서브픽셀을 구동하는 단계(S1260) 등을 포함한다. 12, the driving method of the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment includes a step S1210 of enabling a sensing mode, a step S1210 of driving a driving transistor DRT in the sub- A step S1220 of applying a data voltage Vdata and a reference voltage Vref to each of the first node N1 and the second node M2 and the second node N2 of the driving transistor DRT, A step S1230 of raising the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT when the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT rises and saturates; A step S1250 of sensing the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, a step S1250 of changing data of the subpixel based on a result of sensing the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, And driving the corresponding subpixel using the changed data (S1260) if the mode is enabled.

구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)은, 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강할 수 있다(도 8 및 도 9 참조)The data voltage Vdata applied to the first node N1 of the driving transistor DRT is increased by the overshooting voltage value? Vd for a predetermined time at the reference data voltage value Vd, Vd) (see Figures 8 and 9)

이러한 데이터 전압(Vdata)의 오버슈팅은, S1220 단계에서 이루어질 수 있다. Overshooting of the data voltage Vdata may be performed in step S1220.

즉, 데이터 전압(Vdata)의 오버슈팅 시점(Tr)은, S1220 단계에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 플로팅 시점(Tr)일 수 있다. 데이터 전압(Vdata)이 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강하는 시점(Tf), 즉, 오버슈팅 된 데이터 전압(Vdata)의 하강 시점(Tf)은, S1220 단계에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 포화 시점(Tsat') 이전이다. That is, the overshoot time Tr of the data voltage Vdata may be the floating point Tr of the second node N2 of the driving transistor DRT in step S1220. The time point Tf at which the data voltage Vdata rises by the overshooting voltage value? Vd and falls again to the reference data voltage value Vd, that is, the falling point Tf of the overshooted data voltage Vdata, Is before the voltage saturation point Tsat 'of the second node N2 of the driving transistor DRT in step S1220.

전술한 바와 같이, 센싱 모드 구간에서, 데이터 전압(Vdat)을 일시적으로 오버슈팅함으로써, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 빠르게 해줄 수 있다. As described above, in the sensing mode period, the voltage saturation rate of the sensing node can be increased by temporarily overshooting the data voltage Vdat.

한편, 센싱 모드를 인에이블 한 이후, 즉, S1210 단계 이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)에 인가되는 구동전압(EVDD)은, 디스플레이 모드 구간에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)에 인가되는 구동전압(EVDD)보다 높은 전압 값일 수 있다(도 9 및 도 10 참조). On the other hand, the driving voltage EVDD applied to the third node N3 of the driving transistor DRT after the sensing mode is enabled, that is, after the step S1210, May be a voltage value higher than the drive voltage EVDD applied to the third node N3 (see Figs. 9 and 10).

도 10에 도시된 바와 같이, 구동전압(EVDD)의 상승 시점은 S1210 단계 이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)가 초기화되는 단계(S1220) 이전일 수 있다. 10, the rising point of the drive voltage EVDD may be the number of days before the step S1220 in which the first node N1 and the second node N2 of the drive transistor DRT are initialized after the step S1210 have.

또한, 도 10에 도시된 바와 같이, 구동전압(EVDD)의 하강 시점은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 센싱하는 S1240 단계 이후일 수 있다. 10, the falling point of the driving voltage EVDD may be after the step S1240 of sensing the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT.

전술한 바와 같이, 센싱 모드 구간에서 구동전압 라인(DVL)들을 통해 공급되는 구동전압(EVDD)을 높임으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 센싱 노드의 전압에 대한 포화 속도를 빠르게 하여, 센싱 노드의 포화 전압을 더 빠른 시점(Tsat" 또는 그 이후 시점)에 센싱할 수 있는 상태로 만들어 줄 수 있다. As described above, by increasing the driving voltage EVDD supplied through the driving voltage lines DVL in the sensing mode period, the saturation of the voltage at the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, The speed of the sensing node can be increased to a state in which the saturation voltage of the sensing node can be sensed at a faster time point (Tsat "or later).

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치(100), 유기발광표시패널(110) 및 구동방법을 제공할 수 있다. According to the embodiments described above, it is possible to provide the organic light emitting display 100, the organic light emitting display panel 110, and the driving method that can shorten the sensing time.

또한, 본 실시예들에 의하면, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치(100), 유기발광표시패널(110) 및 구동방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the embodiments, the organic light emitting display 100 capable of shortening the sensing time by making the voltage saturation rate of the sensing node faster and sensing the saturation voltage of the sensing node at more timings, An organic light emitting display panel 110, and a driving method.

또한, 본 실시예들에 의하면, 데이터 전압 조정을 통해, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치(100), 유기발광표시패널(110) 및 구동방법을 제공할 수 있다. Further, according to the present embodiments, the voltage saturation rate of the sensing node can be further increased by adjusting the data voltage, and the saturation voltage of the sensing node can be sensed at more timings. Thus, A light emitting display 100, an organic light emitting display panel 110, and a driving method.

또한, 본 실시예들에 의하면, 구동전압 전압 조정을 통해, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치(100), 유기발광표시패널(110) 및 구동방법을 제공할 수 있다. Further, according to the embodiments, the voltage saturation rate of the sensing node can be made faster by adjusting the driving voltage, and the saturation voltage of the sensing node can be sensed at more timings, so that the sensing time can be shortened The OLED display 100, the organic light emitting display panel 110, and a driving method.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. , Separation, substitution, and alteration of the invention will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 데이터 구동부
130: 게이트 구동부
140: 타이밍 컨트롤러100: organic light emitting display
110: organic light emitting display panel
120: Data driver
130: Gate driver
140: Timing controller

Claims (14)

데이터 라인들, 게이트 라인들 및 구동전압 라인들이 배치되고, 서브픽셀들이 배치된 유기발광표시패널;
상기 데이터 라인들로 데이터 전압들을 공급하는 데이터 구동부;
상기 게이트 라인들로 스캔 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동부;
상기 데이터 구동부 및 상기 게이트 구동부를 제어하는 타이밍 컨트롤러;
센싱 모드 구간 동안 상기 각 서브픽셀 내 센싱 노드의 전압을 센싱하여 센싱데이터를 전송하는 센서; 및
상기 센싱데이터를 토대로 보상 프로세스를 수행하는 보상기를 포함하되,
상기 데이터 구동부는, 상기 센싱 모드 구간에서, 기준 데이터 전압 값에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 상기 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강하는 데이터 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치. An organic light emitting display panel in which data lines, gate lines, and driving voltage lines are arranged and subpixels are arranged;
A data driver for supplying data voltages to the data lines;
A gate driver sequentially supplying a scan signal to the gate lines;
A timing controller for controlling the data driver and the gate driver;
A sensor for sensing a voltage of a sensing node in each sub-pixel during a sensing mode period to transmit sensing data; And
And a compensator for performing a compensation process on the basis of the sensing data,
Wherein the data driver supplies a data voltage that rises by an overshooting voltage value for a predetermined time from a reference data voltage value and falls again to the reference data voltage value in the sensing mode period. 제1항에 있어서,
상기 센싱 모드 구간에서, 상기 데이터 전압이 상기 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 상기 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강하는 시점은, 상기 센서가 상기 센싱 노드의 전압을 센싱하는 시점보다 빠른 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치. The method according to claim 1,
Wherein a time point at which the data voltage rises by the overshooting voltage value and falls again to the reference data voltage value in the sensing mode period is faster than a time point at which the sensor senses the voltage of the sensing node. Emitting display device. 제1항에 있어서,
상기 센싱 모드 구간에서 상기 구동전압 라인들을 통해 공급되는 구동전압은, 디스플레이 모드 구간에서 상기 구동전압 라인들을 통해 공급되는 구동전압보다 높은 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치. The method according to claim 1,
Wherein the driving voltage supplied through the driving voltage lines in the sensing mode period is higher than the driving voltage supplied through the driving voltage lines in the display mode period. 제1항에 있어서,
상기 각 서브픽셀은,
유기발광다이오드와,
상기 데이터 전압이 인가되는 제1노드와, 상기 유기발광다이오드의 제1전극과 전기적으로 연결된 제2노드와, 상기 구동전압 라인과 전기적으로 연결된 제3노드를 갖는 구동 트랜지스터와,
상기 데이터 전압을 공급하는 상기 데이터 라인과 상기 구동 트랜지스터의 제1노드 사이에 전기적으로 연결된 제1트랜지스터와,
기준전압을 공급하는 기준전압 라인과 상기 구동 트랜지스터의 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 제2트랜지스터와,
상기 구동 트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터를 포함하는 유기발광표시장치. The method according to claim 1,
Each of the sub-
An organic light emitting diode,
A driving transistor having a first node to which the data voltage is applied, a second node electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node electrically connected to the driving voltage line,
A first transistor electrically connected between the data line supplying the data voltage and a first node of the driving transistor,
A second transistor electrically connected between a reference voltage line for supplying a reference voltage and a second node of the driving transistor,
And a capacitor electrically connected between the first node and the second node of the driving transistor. 제4항에 있어서,
상기 기준전압 라인을 기준전압 공급 노드 또는 상기 센서에 연결해주는 스위치를 더 포함하는 유기발광표시장치. 5. The method of claim 4,
Further comprising a switch for connecting the reference voltage line to a reference voltage supply node or the sensor. 제4항에 있어서,
상기 각 서브픽셀 내 센싱 노드는, 상기 구동 트랜지스터의 제2노드인 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치. 5. The method of claim 4,
And the sensing node in each sub-pixel is a second node of the driving transistor. 제1방향으로 배치되고 데이터 전압들을 공급하는 데이터 라인들;
상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 배치되고 스캔 신호를 순차적으로 게이트 라인들; 및
매트릭스 타입으로 배치된 서브픽셀들을 포함하되,
디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서, 상기 각 데이터 라인을 통해 공급되는 데이터 전압은,
기준 데이터 전압 값에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 상기 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. Data lines arranged in a first direction and supplying data voltages;
A plurality of gate lines arranged in a second direction intersecting with the first direction and sequentially supplying scan signals; And
Pixels arranged in a matrix type,
In a mode interval different from the display mode interval, a data voltage supplied through each of the data lines,
Wherein the organic light emitting display panel is raised by an overshooting voltage value for a predetermined time at a reference data voltage value and falls again to the reference data voltage value. 제7항에 있어서,
상기 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서는, 상기 디스플레이 구동 모드 구간에서보다, 높은 구동전압을 공급하는 구동전압 라인들을 포함하는 유기발광표시패널. 8. The method of claim 7,
And a driving voltage line for supplying a higher driving voltage than in the display driving mode period in a mode period other than the display mode period. 제7항에 있어서,
상기 각 서브픽셀은,
유기발광다이오드와,
상기 데이터 전압이 인가되는 제1노드와, 상기 유기발광다이오드의 제1전극과 연결된 제2노드와, 구동전압 라인과 전기적으로 연결된 제3노드를 갖는 구동 트랜지스터와,
상기 데이터 전압을 공급하는 상기 데이터 라인과 상기 구동 트랜지스터의 제1노드 사이에 전기적으로 연결된 제1트랜지스터와,
기준전압을 공급하는 기준전압 라인과 상기 구동 트랜지스터의 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 제2트랜지스터와,
상기 구동 트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터를 포함하는 유기발광표시패널. 8. The method of claim 7,
Each of the sub-
An organic light emitting diode,
A driving transistor having a first node to which the data voltage is applied, a second node connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node electrically connected to the driving voltage line,
A first transistor electrically connected between the data line supplying the data voltage and a first node of the driving transistor,
A second transistor electrically connected between a reference voltage line for supplying a reference voltage and a second node of the driving transistor,
And a capacitor electrically connected between the first node and the second node of the driving transistor. 제9항에 있어서,
상기 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서, 상기 데이터 전압이 상기 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 상기 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강하는 시점은,
상기 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압이 상승하다가 포화하는 시점보다 빠른 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. 10. The method of claim 9,
A time point at which the data voltage rises by the overshooting voltage value and falls again to the reference data voltage value in a mode interval different from the display mode interval,
Wherein a voltage of a second node of the driving transistor is higher than a rising point of the voltage of the second node of the driving transistor. 센싱 모드가 인에이블 되면, 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제1노드 및 제2노드 각각에 데이터 전압 및 기준전압을 인가하는 단계;
상기 구동 트랜지스터의 제2노드를 플로팅시켜 상기 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 상승시키는 단계; 및
상기 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압이 상승하다가 포화하면, 상기 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 센싱하는 단계;
상기 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 센싱한 결과를 토대로, 상기 해당 서브픽셀에 대한 데이터를 변경하는 단계; 및
디스플레이 모드가 인에이블 되면, 상기 변경된 데이터를 이용하여 상기 해당 서브픽셀을 구동하는 단계를 포함하고,
상기 구동 트랜지스터의 제1노드에 인가되는 데이터 전압은,
기준 데이터 전압 값에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 상기 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 구동방법. Applying a data voltage and a reference voltage to the first node and the second node of the driving transistor in the corresponding subpixel when the sensing mode is enabled;
Floating the second node of the driving transistor to raise the voltage at the second node of the driving transistor; And
Sensing a voltage of a second node of the driving transistor when the voltage of the second node of the driving transistor rises and saturates;
Changing data for the corresponding subpixel based on a result of sensing a voltage of a second node of the driving transistor; And
When the display mode is enabled, driving the corresponding subpixel using the changed data,
Wherein a data voltage applied to a first node of the driving transistor
Wherein the reference data voltage value is increased by an overshooting voltage value for a predetermined time at a reference data voltage value, and falls again to the reference data voltage value. 제11항에 있어서,
상기 센싱 모드 구간에서, 상기 구동 트랜지스터의 제3노드에 인가되는 구동전압은, 상기 디스플레이 모드 구간에서, 상기 구동 트랜지스터의 제3노드에 인가되는 구동전압보다 높은 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 구동방법. 12. The method of claim 11,
Wherein the driving voltage applied to the third node of the driving transistor in the sensing mode period is higher than the driving voltage applied to the third node of the driving transistor in the display mode period. Way. 데이터 라인들, 게이트 라인들 및 구동전압 라인들이 배치되고, 서브픽셀들이 배치된 유기발광표시패널;
상기 데이터 라인들로 데이터 전압들을 공급하는 데이터 구동부;
상기 게이트 라인들로 스캔 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동부;
상기 데이터 구동부 및 상기 게이트 구동부를 제어하는 타이밍 컨트롤러;
센싱 모드 구간 동안 상기 각 서브픽셀 내 센싱 노드의 전압을 센싱하여 센싱데이터를 전송하는 센서; 및
상기 센싱데이터를 토대로 보상 프로세스를 수행하는 보상기를 포함하되,
상기 센싱 모드 구간에서 상기 구동전압 라인들을 통해 공급되는 구동전압은, 디스플레이 모드 구간에서 상기 구동전압 라인들을 통해 공급되는 구동전압보다 높은 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.An organic light emitting display panel in which data lines, gate lines, and driving voltage lines are arranged and subpixels are arranged;
A data driver for supplying data voltages to the data lines;
A gate driver sequentially supplying a scan signal to the gate lines;
A timing controller for controlling the data driver and the gate driver;
A sensor for sensing a voltage of a sensing node in each sub-pixel during a sensing mode period to transmit sensing data; And
And a compensator for performing a compensation process on the basis of the sensing data,
Wherein the driving voltage supplied through the driving voltage lines in the sensing mode period is higher than the driving voltage supplied through the driving voltage lines in the display mode period. 제1방향으로 배치되고 데이터 전압들을 공급하는 데이터 라인들;
상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 배치되고 스캔 신호를 순차적으로 게이트 라인들;
매트릭스 타입으로 배치된 서브픽셀들; 및
디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서는, 상기 디스플레이 구동 모드 구간에서보다, 높은 구동전압을 공급하는 구동전압 라인들을 포함하는 유기발광표시패널. Data lines arranged in a first direction and supplying data voltages;
A plurality of gate lines arranged in a second direction intersecting with the first direction and sequentially supplying scan signals;
Subpixels arranged in a matrix type; And
And driving voltage lines for supplying a higher driving voltage in the display driving mode section than in the display mode section.
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