KR102520025B1 - Organic light emitting display device, base voltage control circuit and power management integrated circuit - Google Patents
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Abstract
본 실시예들은 유기발광표시장치의 서브픽셀 내 유기발광다이오드에 공급되는 기저전압을 생성하는 전원 관리 집적회로와 기저전압의 공급을 제어하는 기저전압 제어 회로에 관한 것이다. 본 실시예들에 의하면, 기저전압 제어 회로는 기저전압 제어 신호에 따라 센싱용 기저전압이 유기발광다이오드에 공급되도록 하며, 전원 관리 집적회로는 기저전압 제어 회로로 입력되는 기저전압 제어 신호와 동일한 신호를 입력받고 센싱 구간에서만 센싱용 기저전압을 생성하고 출력한다. 이를 통해, 센싱 구간에서 서브픽셀 특성치 센싱의 정확도를 향상시키면서 센싱용 기저전압의 생성, 출력에 의한 불필요한 전력 소모를 방지할 수 있도록 한다.The present embodiments relate to a power management integrated circuit that generates a base voltage supplied to an organic light emitting diode in a subpixel of an organic light emitting display device and a base voltage control circuit that controls supply of the base voltage. According to the present embodiments, the base voltage control circuit supplies the base voltage for sensing to the organic light emitting diode according to the base voltage control signal, and the power management integrated circuit generates the same signal as the base voltage control signal input to the base voltage control circuit. is input, and base voltage for sensing is generated and output only in the sensing period. Through this, it is possible to prevent unnecessary power consumption due to the generation and output of the base voltage for sensing while improving the accuracy of sensing the characteristic value of the subpixel in the sensing period.
Description
본 실시예들은 유기발광표시장치와 유기발광표시장치에 포함된 기저전압 제어 회로 및 전원 관리 집적회로에 관한 것이다.The present embodiments relate to an organic light emitting display device and a base voltage control circuit and a power management integrated circuit included in the organic light emitting display device.
최근 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 명암비, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다.An organic light emitting display device that has recently been in the limelight as a display device uses an organic light emitting diode (OLED) that emits light by itself, and has advantages such as fast response speed, high contrast ratio, luminous efficiency, luminance, and viewing angle.
이러한 유기발광표시장치는 유기발광다이오드(OLED)와 이를 구동하는 구동 트랜지스터가 포함된 서브픽셀을 매트릭스 형태로 배열하고 스캔 신호에 의해 선택된 서브픽셀들의 밝기를 데이터의 계조에 따라 제어한다.Such an organic light emitting display device arranges organic light emitting diodes (OLEDs) and subpixels including driving transistors for driving them in a matrix form, and controls brightness of subpixels selected by a scan signal according to grayscale of data.
이러한 유기발광표시장치에서 각 서브픽셀 내 포함된 유기발광다이오드(OLED)와 구동 트랜지스터 등의 회로 소자는 각각 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등)를 갖는다. 그리고 회로 소자의 고유한 특성치는 구동 시간에 따라 열화(Degradation)가 진행되어 변할 수 있다.In such an organic light emitting display device, circuit elements such as organic light emitting diodes (OLEDs) and driving transistors included in each subpixel each have unique characteristic values (eg, threshold voltage, mobility, etc.). In addition, a unique characteristic value of a circuit element may change as degradation progresses according to driving time.
이러한 특성치의 변화에 따라 해당 서브픽셀의 휘도 특성이 변경될 수 있으며, 회로 소자 간의 특성치 또는 특성치 변화가 서로 다른 경우 서브픽셀 간의 휘도 편차를 유발시켜 유기발광표시패널의 휘도 균일도를 나빠지게 하는 문제점이 존재한다.The luminance characteristics of the corresponding sub-pixel may be changed according to the change in the characteristic value, and when the characteristic value or characteristic value change between circuit elements is different, the luminance deviation between the sub-pixels is caused to deteriorate the luminance uniformity of the organic light emitting display panel. exist.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 각 서브픽셀 내 회로 소자에 대한 특성치를 센싱하고 보상하는 기술이 개발되고 있으나, 회로 소자의 특성치를 정확하게 센싱하는 데 많은 어려움이 존재한다.In order to solve this problem, technologies for sensing and compensating the characteristic values of circuit elements in each subpixel have been developed, but many difficulties exist in accurately sensing the characteristic values of circuit elements.
본 실시예들의 목적은, 유기발광표시패널에 배치된 각 서브픽셀 내 회로 소자의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있도록 하는 유기발광표시장치를 제공하는 데 있다.An object of the present embodiments is to provide an organic light emitting display device capable of accurately sensing characteristic values of circuit elements in each subpixel disposed on an organic light emitting display panel.
본 실시예들의 목적은, 각 서브픽셀 내 회로 소자의 특성치를 센싱하는 구간에서 각 서브픽셀의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있도록 각 서브픽셀에 공급되는 기저전압을 제어하는 기저전압 제어 회로를 제공하는 데 있다.An object of the present embodiments is to provide a base voltage control circuit that controls a base voltage supplied to each sub-pixel so that the characteristic value of each sub-pixel can be accurately sensed in a period of sensing the characteristic value of a circuit element in each sub-pixel. there is.
본 실시예들의 목적은, 기저전압 제어 회로에 의해 공급되는 기저전압의 생성, 출력에 소비되는 전력을 감소시키며 기저전압을 제공하는 전원 관리 집적회로를 제공하는 데 있다.An object of the present embodiments is to provide a power management integrated circuit that generates a base voltage supplied by a base voltage control circuit and provides a base voltage while reducing power consumed for output.
일 측면에서, 본 실시예들은, 서브픽셀에 공급되는 기저전압을 제어하는 기저전압 제어 회로와 기저전압 제어 회로에 의해 출력되는 기저전압을 생성, 공급하는 전원 관리 집적회로를 포함하는 유기발광표시장치를 제공한다.In one aspect, the present embodiments are an organic light emitting display device including a base voltage control circuit for controlling a base voltage supplied to subpixels and a power management integrated circuit for generating and supplying a base voltage output by the base voltage control circuit. provides
이러한 유기발광표시장치에 포함된 전원 관리 집적회로는, 기저전압 제어 회로로 입력되는 기저전압 제어 신호와 동일한 기저전압 제어 신호를 입력받고 입력받은 기저전압 제어 신호에 따라 구동되어 제1 기저전압(센싱용 기저전압)을 출력할 수 있다.The power management integrated circuit included in the organic light emitting display device receives the same base voltage control signal as the base voltage control signal input to the base voltage control circuit and is driven according to the received base voltage control signal to generate the first base voltage (sensing). base voltage) can be output.
예를 들어, 전원 관리 집적회로는, 입력받은 기저전압 제어 신호가 하이 레벨이면 제1 기저전압을 생성하고 생성된 제1 기저전압을 기저전압 제어 회로로 출력할 수 있다.For example, the power management integrated circuit may generate a first base voltage when the received base voltage control signal is at a high level and output the generated first base voltage to the base voltage control circuit.
이러한 전원 관리 집적회로는, 기저전압 제어 신호를 입력받는 기저전압 제어 신호 수신부와, 입력받은 기저전압 제어 신호가 하이 레벨이면 제1 기저전압을 생성하는 기저전압 생성부와, 생성된 제1 기저전압을 출력하는 기저전압 출력부를 포함할 수 있으며, 기저전압 출력부를 통해 출력되는 제1 기저전압이 공급되는 서브픽셀의 특성치를 센싱하는 구간에서 하이 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호를 입력받고 제1 기저전압을 출력할 수 있다.The power management integrated circuit includes: a base voltage control signal receiver receiving a base voltage control signal; a base voltage generator generating a first base voltage when the received base voltage control signal is at a high level; It may include a base voltage output unit that outputs a base voltage output unit, receives a base voltage control signal having a high level in a section sensing a characteristic value of a subpixel to which the first base voltage output through the base voltage output unit is supplied, and receives the first base voltage can output
유기발광표시장치에 포함된 기저전압 제어 회로는, 기저전압 제어 신호에 따라 동작하며, 기저전압 제어 신호가 하이 레벨이면 전원 관리 집적회로로부터 출력된 제1 기저전압을 출력하고, 기저전압 제어 신호가 로우 레벨이면 제1 기저전압보다 낮은 제2 기저전압을 출력할 수 있다.The base voltage control circuit included in the organic light emitting display device operates according to the base voltage control signal, and outputs the first base voltage output from the power management integrated circuit when the base voltage control signal is at a high level, and the base voltage control signal is If it is a low level, a second base voltage lower than the first base voltage may be output.
이러한 기저전압 제어 회로는, 게이트 노드가 기저전압 제어 신호의 입력단과 연결된 제1 트랜지스터와, 게이트 노드가 제1 트랜지스터의 드레인 노드와 연결된 제2 트랜지스터를 포함할 수 있으며, 제2 트랜지스터의 제1 노드는 기저전압의 출력단과 연결되고 제2 트랜지스터의 제2 노드는 제2 기저전압의 입력단과 연결되며 제2 트랜지스터의 제1 노드와 기저전압의 출력단 사이에 제1 기저전압의 입력단이 연결된 구조일 수 있다.The base voltage control circuit may include a first transistor having a gate node connected to an input terminal of the base voltage control signal, a second transistor having a gate node connected to a drain node of the first transistor, and a first node of the second transistor. is connected to the output terminal of the base voltage, the second node of the second transistor is connected to the input terminal of the second base voltage, and the input terminal of the first base voltage is connected between the first node of the second transistor and the output terminal of the base voltage. there is.
전술한 구조의 기저전압 제어 회로는, 기저전압 제어 신호가 하이 레벨이면 제1 트랜지스터가 턴 온 되고, 제1 트랜지스터가 온 상태이면 제2 트랜지스터가 턴 오프 되며, 제2 트랜지스터가 오프 상태이면 전원 관리 집적회로로부터 출력된 제1 기저전압을 출력할 수 있다.In the base voltage control circuit having the above structure, the first transistor is turned on when the base voltage control signal is at a high level, the second transistor is turned off when the first transistor is on, and power management is performed when the second transistor is off. The first base voltage output from the integrated circuit may be output.
또한, 기저전압 제어 신호가 로우 레벨이면 제1 트랜지스터가 턴 오프 되고, 제1 트랜지스터가 오프 상태이면 제2 트랜지스터가 턴 온 되며, 제2 트랜지스터가 온 상태이면 제2 기저전압을 출력할 수 있다.In addition, when the base voltage control signal is at a low level, the first transistor is turned off, when the first transistor is off, the second transistor is turned on, and when the second transistor is on, a second base voltage may be output.
본 실시예들에 의하면, 유기발광표시패널에 배치된 서브픽셀의 특성치를 센싱하는 구간에서 센싱용 기저전압을 공급해줌으로써, 서브픽셀의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있도록 한다.According to the present embodiments, by supplying a base voltage for sensing in a period in which the characteristic values of the subpixels disposed on the organic light emitting display panel are sensed, the characteristic values of the subpixels can be accurately sensed.
본 실시예들에 의하면, 기저전압 제어 신호에 따라 동작하는 기저전압 제어 회로를 통해 서브픽셀의 특성치를 센싱하는 구간에서 센싱용 기저전압의 공급이 용이하도록 한다.According to the present embodiments, the supply of the base voltage for sensing is facilitated in the section where the characteristic value of the subpixel is sensed through the base voltage control circuit that operates according to the base voltage control signal.
본 실시예들에 의하면, 전원 관리 집적회로가 기저전압 제어 신호에 의해 구동되어 센싱용 기저전압을 생성하고 출력함으로써, 소비 전력을 감소시키며 센싱용 기저전압을 공급할 수 있도록 한다.According to the present embodiments, the power management integrated circuit is driven by the base voltage control signal to generate and output the base voltage for sensing, thereby reducing power consumption and supplying the base voltage for sensing.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널에 배치된 서브픽셀 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널에 배치된 서브픽셀의 특성치를 센싱하는 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 4와 도 5는 본 실시예들에 따른 기저전압 제어 회로와 서브픽셀의 연결 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 실시예들에 따른 전원 관리 집적회로와 기저전압 제어 회로의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 실시예들에 따른 기저전압 제어 회로의 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 8 내지 도 11은 본 실시예들에 따른 전원 관리 집적회로와 기저전압 제어 회로의 동작을 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram showing a schematic configuration of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
2 is a diagram showing an example of a sub-pixel structure disposed on an organic light emitting display panel according to the present embodiments.
3 is a diagram for explaining a method of sensing characteristic values of sub-pixels disposed on an organic light emitting display panel according to the present embodiments.
4 and 5 are diagrams illustrating an example of a connection structure between a base voltage control circuit and a subpixel according to the present embodiments.
6 is a diagram showing a schematic configuration of a power management integrated circuit and a base voltage control circuit according to the present embodiments.
7 is a diagram showing an example of the structure of a base voltage control circuit according to the present embodiments.
8 to 11 are diagrams for explaining operations of the power management integrated circuit and the base voltage control circuit according to the present embodiments.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Some embodiments of the present invention are described in detail below with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same numerals as much as possible even if they are displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.
또한, 본 발명의 구성요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 "개재"되거나, 각 구성요소가 다른 구성요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the corresponding component is not limited by the term. When an element is described as being “connected,” “coupled to,” or “connected” to another element, that element is or may be directly connected to that other element, but intervenes between each element. It will be understood that may be "interposed", or each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다.1 is a schematic system configuration diagram of an organic light
도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 다수의 게이트 라인(GL) 및 다수의 데이터 라인(DL)이 배치되고, 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 배치된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(120)와, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(130)와, 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함한다.Referring to FIG. 1 , an organic light
게이트 드라이버(120)는, 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다.The
데이터 드라이버(130)는, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급함으로써 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다.The
컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)를 제어한다.The
이러한 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하며, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 제어한다.The
게이트 드라이버(120)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라 온(ON) 전압 또는 오프(OFF) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인(GL)으로 순차적으로 공급하여 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다.The
게이트 드라이버(120)는, 구동 방식에 따라 유기발광표시패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고, 양 측에 위치할 수도 있다.The
또한, 게이트 드라이버(120)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로(Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.In addition, the
각 게이트 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수 있다.Each gate driver integrated circuit is connected to a bonding pad of the organic light
또한, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있으며, 유기발광표시패널(110)과 연결된 필름 상에 실장되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다.In addition, the organic light
데이터 드라이버(130)는, 특정 게이트 라인이 열리면 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)에 공급함으로써 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다.When a specific gate line is opened, the
데이터 드라이버(130)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인(DL)을 구동할 수 있다.The
각 소스 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다.Each source driver integrated circuit is connected to a bonding pad of the organic light
또한, 각 소스 드라이버 집적회로는, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 소스 드라이버 집적회로의 일 단은 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(Source Printed Circuit Board)에 본딩되고, 타 단은 유기발광표시패널(110)에 본딩된다.In addition, each source driver integrated circuit may be implemented in a Chip On Film (COF) method. In this case, one end of each source driver integrated circuit is bonded to at least one source printed circuit board, and the other end is bonded to the organic light
컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다.The
컨트롤러(140)는, 외부로부터 입력된 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하는 것 이외에, 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블 신호(DE), 클럭 신호(CLK) 등의 타이밍 신호를 입력받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)로 출력한다.The
예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다.For example, in order to control the
여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다.Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the
또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다.In addition, the
여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(130)의 출력 타이밍을 제어한다.Here, the source start pulse SSP controls data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the
컨트롤러(140)는, 소스 드라이버 집적회로가 본딩된 소스 인쇄회로기판과 연성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 또는 연성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit) 등의 연결 매체를 통해 연결된 컨트롤 인쇄회로기판(Control Printed Circuit Board)에 배치될 수 있다.The
이러한 컨트롤 인쇄회로기판에는, 유기발광표시패널(110), 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러(미도시)가 더 배치될 수 있다. 이러한 전원 컨트롤러는 전원 관리 집적회로(Power Management IC)라고도 한다.On such a control printed circuit board, a power controller (not shown) supplies various voltages or currents to the organic light emitting
유기발광표시장치(100)에서 유기발광표시패널(110)에 배치되는 각 서브픽셀은 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode), 둘 이상의 트랜지스터, 적어도 하나의 캐패시터 등의 회로 소자로 구성될 수 있다.In the organic light emitting
각 서브픽셀을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.The type and number of circuit elements constituting each sub-pixel may be variously determined according to a provided function and a design method.
유기발광표시패널(110)에서 각 서브픽셀은 유기발광다이오드(OLED)의 특성치(예: 문턱전압 등), 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터의 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등) 등의 서브픽셀 특성치를 보상하기 위한 회로 구조를 포함할 수 있다.In the organic light emitting
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널에 배치된 서브픽셀 구조의 예시를 나타낸 것이고, 도 3은 서브픽셀 특성치를 센싱하는 방식을 설명하기 위한 것이다.FIG. 2 illustrates an example of a subpixel structure disposed on an organic light emitting display panel according to the present embodiments, and FIG. 3 is for explaining a method of sensing subpixel characteristic values.
도 2를 참조하면, 각 서브픽셀은, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)를 포함한다.Referring to FIG. 2 , each subpixel includes an organic light emitting diode (OLED) and a driving transistor (DRT) for driving the organic light emitting diode (OLED).
또한, 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 A(NA)와 노드 B(NB) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터(Cst)와, 스캔 신호에 의해 제어되며 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 A(NA)와 해당 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터(SWT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 B(NB)와 해당 센싱 라인(SL) 사이에 전기적으로 연결된 센싱 트랜지스터(SENT) 등을 포함할 수 있다.In addition, the storage capacitor Cst is electrically connected between the node A (N A ) and the node B (N B ) of the driving transistor DRT, and is controlled by the scan signal and is controlled by the node A (N A ) of the driving transistor DRT. ) and the corresponding data line DL, and the sensing transistor SENT electrically connected between the node B (N B ) of the driving transistor DRT and the corresponding sensing line SL, etc. can include
유기발광다이오드(OLED)는, 제1 전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기층 및 제2 전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극)으로 이루어진다.An organic light emitting diode (OLED) is composed of a first electrode (eg, an anode electrode or a cathode electrode), an organic layer, and a second electrode (eg, a cathode electrode or an anode electrode).
일 예로, 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 B(NB)가 연결되고, 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극은 기저전압(EVSS)이 인가될 수 있다.For example, the first electrode of the organic light emitting diode OLED may be connected to the node B (N B ) of the driving transistor DRT, and the base voltage EVSS may be applied to the second electrode of the organic light emitting diode OLED. there is.
구동 트랜지스터(DRT)는, 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급하여 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 트랜지스터로서, 소스 노드 또는 드레인 노드에 해당하는 노드 B(NB), 게이트 노드에 해당하는 노드 A(NA)와, 드레인 노드 또는 소스 노드에 해당하는 노드 C(NC)를 갖는다.The driving transistor DRT is a transistor that drives the organic light emitting diode (OLED) by supplying a driving current to the organic light emitting diode (OLED), and corresponds to a node B (N B ) corresponding to a source node or a drain node and a gate node. and a node A (N A ) corresponding to a drain node or a source node, and a node C (N C ) corresponding to the source node.
스위칭 트랜지스터(SWT)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 A(NA)로 데이터 전압을 전달해주는 트랜지스터로서, 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 A(NA)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드에 인가되는 스캔 신호에 의해 턴 온 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 A(NA)로 데이터 전압을 전달해줄 수 있다.The switching transistor SWT is a transistor that transfers a data voltage to the node A (N A ) of the driving transistor DRT, and is electrically connected between the node A (N A ) of the driving transistor DRT and the data line DL. connected, turned on by a scan signal applied to the gate node, and may transfer a data voltage to the node A (N A ) of the driving transistor DRT.
스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 A(NA)와 노드 B(NB) 사이에 전기적으로 연결되어 한 프레임 동안 일정 전압을 유지해준다.The storage capacitor Cst is electrically connected between the node A (N A ) and the node B (N B ) of the driving transistor DRT to maintain a constant voltage for one frame.
센싱 트랜지스터(SENT)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 B(NB)와 센싱 라인(SL) 사이에 전기적으로 연결되고 게이트 노드에 인가되는 스캔 신호에 의해 제어될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)는, 턴 온 되어 센싱 라인(SL)을 통해 공급된 기준전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 B(NB)에 인가해줄 수 있다.The sensing transistor SENT is electrically connected between the node B (N B ) of the driving transistor DRT and the sensing line SL and may be controlled by a scan signal applied to a gate node. The sensing transistor SENT may be turned on and apply the reference voltage Vref supplied through the sensing line SL to the node B N B of the driving transistor DRT.
한편, 각 구동 트랜지스터(DRT)는 문턱전압(Vth: Threshold Voltage), 이동도(Mobility) 등의 고유한 특성치를 갖는다. 또한, 각 구동 트랜지스터(DRT)는 구동 시간에 따라 열화(Degradation)가 진행되어 고유한 특성치가 변할 수 있다.Meanwhile, each driving transistor DRT has unique characteristic values such as threshold voltage (Vth) and mobility. In addition, each driving transistor DRT may undergo degradation according to driving time, and thus a unique characteristic value may change.
따라서, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT) 간의 구동 시간의 차이에 따라 구동 트랜지스터(DRT) 간의 열화 정도의 차이가 발생하고, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차도 발생할 수 있다.Therefore, a difference in deterioration degree between the driving transistors DRT may occur according to a difference in driving time between the driving transistors DRT in each subpixel, and characteristic value deviation may also occur between the driving transistors DRT.
이러한 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차는 각 서브픽셀 간 휘도 편차를 야기하여 화질 저하를 발생시키는 주요 요인이 될 수 있다.The characteristic value deviation between the driving transistors DRT may cause a luminance deviation between subpixels, which may be a major factor in deteriorating image quality.
구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차(예: 문턱전압 편차, 이동도 편차)뿐만 아니라, 유기발광다이오드(OLED) 간의 특성치 편차(예: 문턱전압 편차)도 존재할 수 있다.Differences in characteristic values (eg, threshold voltage deviation, mobility deviation) between driving transistors DRT and characteristic values between organic light emitting diodes (OLEDs) (eg, threshold voltage deviation) may exist.
따라서, 화상 품질을 향상시키기 위해서 서브픽셀 특성치 편차에 대한 보상이 필요하다.Therefore, in order to improve image quality, compensation for subpixel characteristic value deviation is required.
이에, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 서브픽셀 특성치 편차를 센싱하고 보상해줄 수 있도록 하는 서브픽셀 구조를 갖는다.Accordingly, the organic light emitting
또한, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 각 서브픽셀에 대한 서브픽셀 특성치 편차를 센싱하기 위한 센싱 구성과, 센싱 구성에 의해 센싱된 결과를 이용하여 서브픽셀 특성치 편차를 보상해주는 보상 구성을 포함할 수 있다.In addition, the organic light emitting
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배치된 서브픽셀의 특성치를 보상하는 방식의 예시를 설명하기 위한 것이다.FIG. 3 is to explain an example of a method of compensating characteristic values of subpixels disposed on the organic light emitting
도 3을 참조하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하고 특성치 편차를 보상하는 방식을 설명하면, 센싱 구간에서 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 A(NA)와 노드 B(NB)를 각각 센싱 구동용 데이터 전압과 기준전압(Vref)으로 초기화한다.Referring to FIG. 3, a method of sensing characteristic values of the driving transistor DRT and compensating for characteristic value deviations will be described. In a sensing period, node A (N A ) and node B (N B ) of the driving transistor DRT are respectively sensed. It is initialized with the driving data voltage and the reference voltage (Vref).
그리고, 센싱 라인(SL)을 통해 기준전압(Vref)이 공급되는 경로의 스위치를 오프 시킴으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 B(NB)를 플로팅시킨다.And, by turning off the switch of the path through which the reference voltage Vref is supplied through the sensing line SL, the node B (N B ) of the driving transistor DRT is floated.
이때, 스위칭 트랜지스터(SWT)를 턴 오프 함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 A(NA)도 함께 플로팅될 수 있다.At this time, by turning off the switching transistor SWT, the node A (N A ) of the driving transistor DRT may also be floated.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 노드 B(NB)의 전압이 상승하기 시작하며, 센싱 라인(SL)을 통해 노드 B(NB)의 전압을 센싱하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 측정하기 위한 데이터로 변환한다.Accordingly, the voltage of the node B (N B ) of the driving transistor DRT starts to rise, and the characteristic value of the driving transistor DRT is measured by sensing the voltage of the node B (N B ) through the sensing line SL. convert it into data for
구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 구성은, 일 예로, 데이터 드라이버(130)에 위치할 수 있다.A component for sensing the characteristic value of the driving transistor DRT may be located, for example, in the
센싱된 특성치에 기초하여 보상값을 산출하고 산출된 보상값을 적용하여 데이터 전압을 공급함으로써, 특성치 편차에 대한 보상이 이루어질 수 있도록 한다.A compensation value is calculated based on the sensed characteristic value and a data voltage is supplied by applying the calculated compensation value, thereby compensating for the characteristic value deviation.
특성치 편차에 대한 보상을 수행하는 구성은, 일 예로, 컨트롤러(140)에 위치할 수 있다.A component for compensating for a characteristic value deviation may be located in the
이때, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 구간 동안 유기발광다이오드(OLED)의 영향을 최소화하기 위하여, 즉, 유기발광다이오드(OLED)에 전류가 흐르지 않도록 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극(예: 캐소드 전극)에 인가되는 기저전압(EVSS)을 제어해줄 수 있다.At this time, in order to minimize the influence of the organic light emitting diode (OLED) during the period of sensing the characteristic value of the driving transistor DRT, that is, the second electrode of the organic light emitting diode (OLED) so that current does not flow through the organic light emitting diode (OLED). The base voltage (EVSS) applied to (e.g., cathode electrode) can be controlled.
도 4는 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극에 기저전압(EVSS)의 공급을 제어하는 기저전압 제어 회로(400)가 연결된 경우를 나타낸 것이다.FIG. 4 shows a case in which a base
도 4를 참조하면, 서브픽셀 내 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극에 기저전압 제어 회로(400)가 연결되고, 기저전압 제어 회로(400)는 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극에 공급되는 기저전압(EVSS)을 제어한다.Referring to FIG. 4 , the base
기저전압 제어 회로(400)는, 서브픽셀이 영상을 표시하는 경우 등과 같은 일반 구동을 하는 경우에는 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극으로 그라운드 전압(0V)과 같은 낮은 기저전압(EVSS)을 공급한다.The base
기저전압 제어 회로(400)는, 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 경우 등과 같이 센싱 구동을 하는 경우에는 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극으로 일반 구동 시 인가되는 기저전압(EVSS)보다 높은 기저전압(EVSS)을 공급한다.The base
따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 구간에서 유기발광다이오드(OLED)로 전류가 흐르지 않도록 함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 센싱에 유기발광다이오드(OLED)가 미치는 영향을 최소화할 수 있다.Therefore, the influence of the organic light emitting diode (OLED) on the sensing of the characteristic value of the driving transistor DRT can be minimized by preventing the current from flowing to the organic light emitting diode (OLED) in the period where the characteristic value of the driving transistor DRT is sensed. .
도 5는 도 4의 기저전압 제어 회로(400)의 구조의 예시를 나타낸 것으로서, 기저전압 제어 회로(400)는 센싱 구간에서 온(ON) 상태가 되는 트랜지스터 A(TRA)와 일반 구동 구간에서 온(ON) 상태가 되는 트랜지스터 B(TRB)를 포함할 수 있다.FIG. 5 shows an example of the structure of the base
기저전압 제어 회로(400)는, 전원 관리 집적회로(500)와 연결되며 전원 관리 집적회로(500)로부터 출력되는 제1 기저전압(EVSS1)을 공급받을 수 있다.The base
제1 기저전압(EVSS1)은 구동 트랜지스터(DRT)의 센싱 구간에서 공급되는 기저전압(EVSS)으로서, 일 예로, 6V의 전압일 수 있다.The first ground voltage EVSS1 is the ground voltage EVSS supplied in the sensing period of the driving transistor DRT, and may be, for example, 6V.
구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 센싱 구간에서 트랜지스터 A(TRA)가 온(ON) 상태가 되면, 전원 관리 집적회로(500)로부터 출력되는 제1 기저전압(EVSS1)을 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극으로 공급하여 유기발광다이오드(OLED)가 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 센싱에 영향을 미치지 않도록 한다.When the transistor A (TR A ) is turned on in the characteristic value sensing period of the driving transistor DRT, the first base voltage EVSS1 output from the power management integrated
일반 구동 구간에서는, 트랜지스터 B(TRB)가 온(ON) 상태가 되며 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극으로 그라운드 전압과 같은 제2 기저전압(EVSS2)이 공급된다.In the normal driving period, the transistor B (TR B ) is turned on and the second base voltage EVSS2 equal to the ground voltage is supplied to the second electrode of the organic light emitting diode OLED.
따라서, 본 실시예들에 의하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 구간에서 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극에 인가되는 기저전압(EVSS)을 높여줌으로써 특성치 센싱의 정확도를 향상시킬 수 있도록 한다.Therefore, according to the present embodiments, the accuracy of sensing the characteristic value can be improved by increasing the base voltage EVSS applied to the second electrode of the organic light emitting diode OLED in the period of sensing the characteristic value of the driving transistor DRT. let it be
그러나, 도 5에 도시된 기저전압 제어 회로(400)와 전원 관리 집적회로(500)의 구조는 기저전압 제어 회로(400)에서 제1 기저전압(EVSS1)의 출력만 제어하는 구조로서, 전원 관리 집적회로(500)는 항상 제1 기저전압(EVSS1)을 출력하고 있는 상태이다.However, the structure of the base
따라서, 일반 구동 구간에서는 제1 기저전압(EVSS1)이 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극으로 인가되지 않음에도 불구하고, 전원 관리 집적회로(500)에서 제1 기저전압(EVSS1)이 출력되고 있어 불필요한 전력 소모가 발생한다.Therefore, in the normal driving period, the first ground voltage EVSS1 is output from the power management integrated
본 실시예들은, 전원 관리 집적회로(500)의 불필요한 전력 소모를 방지하며 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 센싱의 정확도를 향상시킬 수 있도록 개선된 기저전압 제어 회로(400)의 구조와 전원 관리 집적회로(500)의 제1 기저전압(EVSS1) 출력 방식을 제공한다.In the present embodiments, the structure and power management integrated circuit of the base
도 6은 본 실시예들에 따른 기저전압 제어 회로(400)와 전원 관리 집적회로(500)의 개략적인 구성을 나타낸 것이다.6 shows a schematic configuration of a base
도 6을 참조하면, 본 실시예들에 따른 기저전압 제어 회로(400)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 구간에서 기저전압 제어 신호(EVSS Control Signal)을 수신한다.Referring to FIG. 6 , the base
기저전압 제어 회로(400)는, 기저전압 제어 신호를 수신하면 수신된 기저전압 제어 신호에 따라 전원 관리 집적회로(500)로부터 출력되는 제1 기저전압(EVSS1) 또는 제2 기저전압(EVSS2)을 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극으로 출력한다.When receiving the base voltage control signal, the base
이때, 기저전압 제어 회로(400)로 입력되는 기저전압 제어 신호와 동일한 기저전압 제어 신호가 전원 관리 집적회로(500)로 입력된다.At this time, the same base voltage control signal as the base voltage control signal input to the base
이러한 전원 관리 집적회로(500)는, 기저전압 제어 신호를 수신하는 기저전압 제어 신호 수신부(510)와, 기저전압을 생성하는 기저전압 생성부(520)와, 생성된 기저전압을 기저전압 제어 회로(400)로 출력하는 기저전압 출력부(530)를 포함한다.The power management integrated
기저전압 제어 신호 수신부(510)는, 센싱 구간 또는 일반 구동 구간에서 기저전압 제어 회로(400)로 입력되는 기저전압 제어 신호와 동일한 기저전압 제어 신호를 수신한다.The base voltage control
기저전압 제어 신호 수신부(510)는, 센싱 구간에서 하이 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호를 수신하고 일반 구동 구간에서 로우 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호를 수신할 수 있다.The base voltage control
기저전압 제어 신호 수신부(510)는, 수신된 기저전압 제어 신호를 기저전압 생성부(520)로 전달한다.The base voltage
기저전압 생성부(520)는, 기저전압 제어 신호 수신부(510)로부터 전달받은 기저전압 제어 신호에 따라 구동되고 센싱 구간에서 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극에 인가되는 센싱용 기저전압인 제1 기저전압(EVSS1)을 생성한다.The
일 예로, 기저전압 생성부(520)의 입력단에 And Gate를 삽입하여 And Gate로 입력되는 기저전압 제어 신호에 따라 기저전압 생성부(520)가 동작하도록 할 수 있다.For example, an AND gate may be inserted into an input terminal of the
기저전압 생성부(520)로 로우 레벨의 기저전압 제어 신호가 입력되면 기저전압 생성부(520)는 활성화되지 않아 제1 기저전압(EVSS1)을 생성하지 않는다.When a low-level ground voltage control signal is input to the
기저전압 생성부(520)는, 하이 레벨의 기저전압 제어 신호가 입력되면 활성화되고, 제1 기저전압(EVSS1)을 생성하여 기저전압 출력부(530)로 전달한다.The
기저전압 출력부(530)는, 기저전압 생성부(520)에 의해 생성된 제1 기저전압(EVSS1)을 기저전압 제어 회로(400)로 출력하여, 제1 기저전압(EVSS1)이 기저전압 제어 회로(400)를 통해 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극으로 인가되도록 한다.The base
따라서, 전원 관리 집적회로(500)는, 센싱 구간에서 입력되는 하이 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호를 수신하면 구동되어 센싱용 기저전압인 제1 기저전압(EVSS1)을 생성한다.Accordingly, the power management integrated
이를 통해, 전원 관리 집적회로(500)가 일반 구동 구간에서는 제1 기저전압(EVSS1)을 생성하는 구성이 비활성화되어 제1 기저전압(EVSS1)을 생성하지 않음으로써, 센싱용 기저전압인 제1 기저전압(EVSS1)으로 인한 전원 관리 집적회로(500)의 불필요한 전력 소모를 방지할 수 있도록 한다.Through this, the power management integrated
또한, 센싱 구간에서는 전원 관리 집적회로(500)에 의한 제1 기저전압(EVSS1) 생성과 기저전압 제어 회로(400)에 의한 제1 기저전압(EVSS1)의 인가가 수행되도록 함으로써, 센싱의 정확도를 향상시킬 수 있도록 한다.In addition, in the sensing period, the generation of the first ground voltage EVSS1 by the power management integrated
도 7은 본 실시예들에 따른 기저전압 제어 회로(400)와 전원 관리 집적회로(500)에서 기저전압 제어 회로(400)의 구조의 예시를 나타낸 것이다.7 illustrates an example of the structure of the base
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 기저전압 제어 회로(400)는, 제1 트랜지스터(TR1)와 제2 트랜지스터(TR2)를 포함한다.Referring to FIG. 7 , the base
제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 노드는 기저전압 제어 신호의 입력단과 연결되고, 제1 트랜지스터(TR1)의 드레인 노드는 제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 노드와 연결된다.The gate node of the first transistor TR1 is connected to the input terminal of the base voltage control signal, and the drain node of the first transistor TR1 is connected to the gate node of the second transistor TR2.
제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 노드는 V1 전압의 입력단과 제1 트랜지스터(TR1)의 드레인 노드와 연결된다.The gate node of the second transistor TR2 is connected to the input terminal of the voltage V1 and the drain node of the first transistor TR1.
제2 트랜지스터(TR2)의 제1 노드(N1)는 전원 관리 집적회로(500)로부터 출력되는 제1 기저전압(EVSS1)의 입력단과 연결되고, 제2 노드(N2)는 제1 기저전압(EVSS1)보다 낮은 제2 기저전압(EVSS2)의 입력단과 연결된다.The first node N1 of the second transistor TR2 is connected to an input terminal of the first ground voltage EVSS1 output from the power management integrated
여기서, 일 예로, 제1 기저전압(EVSS1)은 6V이고 제2 기저전압(EVSS2)은 0V일 수 있다.Here, as an example, the first ground voltage EVSS1 may be 6V and the second ground voltage EVSS2 may be 0V.
제2 트랜지스터(TR2)의 제1 노드(N1)와 제1 기저전압(EVSS1)의 입력단 사이에는 기저전압(EVSS)의 출력단이 연결된다.An output terminal of the ground voltage EVSS is connected between the first node N1 of the second transistor TR2 and the input terminal of the first ground voltage EVSS1.
본 실시예들에 따르면, 기저전압 제어 신호에 따라 전원 관리 집적회로(500)가 제1 기저전압(EVSS1)을 생성하도록 함으로써, 센싱 구간 이외의 구간에서 제1 기저전압(EVSS1)의 생성, 출력으로 인한 불필요한 전력 소모를 방지하도록 한다.According to the present embodiments, the power management integrated
또한, 기저전압 제어 신호에 의해 기저전압 제어 회로(400)의 제1 기저전압(EVSS1) 또는 제2 기저전압(EVSS2)의 출력을 제어함으로써, 센싱 구간에서 센싱의 정확도를 향상시킬 수 있도록 한다.In addition, by controlling the output of the first ground voltage EVSS1 or the second ground voltage EVSS2 of the ground
이하에서는, 도 8 내지 도 11을 참조하여, 본 실시예들에 따른 기저전압 제어 회로(400)와 전원 관리 집적회로(500)의 동작을 설명한다.Hereinafter, operations of the base
도 8과 도 9는 일반 구동 구간에서 기저전압 제어 회로(400)와 전원 관리 집적회로(500)의 동작과 신호 파형을 나타낸 것이다.8 and 9 show operations and signal waveforms of the base
도 8과 도 9를 참조하면, 일반 구동 구간에서 기저전압 제어 회로(400)의 기저전압 제어 신호 입력단으로 로우 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호가 입력된다.Referring to FIGS. 8 and 9 , a base voltage control signal having a low level is input to the base voltage control signal input terminal of the base
또한, 전원 관리 집적회로(500)의 기저전압 제어 신호 수신부(510)로 로우 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호가 입력된다.In addition, a base voltage control signal having a low level is input to the base voltage
전원 관리 집적회로(500)는, 로우 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호를 수신하면 기저전압 생성부(520)가 비활성화되어 제1 기저전압(EVSS1)을 생성하지 않고, 기저전압 제어 회로(400)로 제1 기저전압(EVSS1)을 출력하지 않는다.When the power management integrated
기저전압 제어 회로(400)는, 기저전압 제어 회로(400)의 기저전압 제어 신호 입력단으로 로우 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호가 입력되면, 제1 트랜지스터(TR1)가 턴 오프 된다.In the base
제1 트랜지스터(TR1)가 오프(OFF) 상태가 되면, V1 전압이 제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 노드에 인가되고 제2 트랜지스터(TR2)가 턴 온 된다.When the first transistor TR1 is turned off, the voltage V1 is applied to the gate node of the second transistor TR2 and the second transistor TR2 is turned on.
제2 트랜지스터(TR2)가 온(ON) 상태가 되면, 제2 트랜지스터(TR2)의 제2 노드(N2)에 연결된 제2 기저전압 입력단으로 입력되는 제2 기저전압(EVSS2)이 기저전압 제어 회로(400)의 기저전압 출력단을 통해 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극으로 인가된다.When the second transistor TR2 is in an on state, the second base voltage EVSS2 input to the second base voltage input terminal connected to the second node N2 of the second transistor TR2 is applied to the base voltage control circuit. It is applied to the second electrode of the organic light emitting diode (OLED) through the base voltage output terminal of 400 .
따라서, 일반 구동 구간에서 로우 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호가 전원 관리 집적회로(500)로 입력되어 전원 관리 집적회로(500)는 제1 기저전압(EVSS1)을 생성, 출력하지 않는다.Therefore, in the normal driving period, the base voltage control signal having a low level is input to the power management integrated
그리고, 기저전압 제어 회로(400)는, 로우 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호에 따라 동작하여 기저전압 출력단으로 제2 기저전압(EVSS2)을 출력하게 된다.The base
이를 통해, 일반 구동 구간에서 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극으로 제1 기저전압(EVSS1)보다 낮은 제2 기저전압(EVSS2, 예: 0V)이 인가되도록 하며, 전원 관리 집적회로(500)는 제1 기저전압(EVSS1)을 생성하지 않아 불필요한 전력 소모를 방지할 수 있도록 한다.Through this, the second base voltage EVSS2 (eg, 0V) lower than the first base voltage EVSS1 is applied to the second electrode of the organic light emitting diode (OLED) in the normal driving period, and the power management integrated
도 10과 도 11은 센싱 구간에서 기저전압 제어 회로(400)와 전원 관리 집적회로(500)의 동작과 신호 파형을 나타낸 것이다.10 and 11 show operations and signal waveforms of the base
도 10과 도 11을 참조하면, 센싱 구간에서는 기저전압 제어 회로(400)의 기저전압 제어 신호 입력단으로 하이 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호가 입력된다.Referring to FIGS. 10 and 11 , in the sensing period, a base voltage control signal having a high level is input to the base voltage control signal input terminal of the base
또한, 하이 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호가 전원 관리 집적회로(500)의 기저전압 제어 신호 수신부(510)로 입력된다.In addition, the base voltage control signal having a high level is input to the base voltage
전원 관리 집적회로(500)는, 하이 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호를 수신하면 기저전압 생성부(520)가 활성화되어 제1 기저전압(EVSS1)을 생성하고 생성된 제1 기저전압(EVSS1)을 기저전압 제어 회로(400)로 출력한다.When receiving a base voltage control signal having a high level, the power management integrated
기저전압 제어 회로(400)는, 기저전압 제어 신호 입력단으로 하이 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호가 입력되면, 제1 트랜지스터(TR1)가 턴 온 된다.In the base
제1 트랜지스터(TR1)가 온(ON) 상태가 되면, V1 전압이 제1 트랜지스터(TR1)로 인가되게 되고 제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 노드에는 V1 전압이 인가되지 않게 된다.When the first transistor TR1 is turned on, the voltage V1 is applied to the first transistor TR1 and the voltage V1 is not applied to the gate node of the second transistor TR2.
제2 트랜지스터(TR2)는 게이트 노드에 V1 전압이 인가되지 않으므로, 턴 오프 된다.Since the voltage V1 is not applied to the gate node of the second transistor TR2, it is turned off.
제2 트랜지스터(TR2)가 오프(OFF) 상태가 되면, 제2 트랜지스터(TR2)의 제2 노드(N2)에 연결된 제2 기저전압 입력단으로부터 입력되는 제2 기저전압(EVSS2)이 기저전압 출력단으로 전달되지 않는다.When the second transistor TR2 is in an off state, the second base voltage EVSS2 input from the second base voltage input terminal connected to the second node N2 of the second transistor TR2 is output to the base voltage output terminal. not delivered
그리고, 전원 관리 집적회로(500)로부터 출력된 제1 기저전압(EVSS1)이 기저전압 제어 회로(400)의 기저전압 출력단으로 출력되게 된다.Also, the first base voltage EVSS1 output from the power management integrated
따라서, 센싱 구간에서는 제2 기저전압(EVSS2)보다 높은 제1 기저전압(EVSS1, 예: 6V)이 기저전압 제어 회로(400)로부터 출력되어 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극으로 인가되도록 함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 센싱에 유기발광다이오드(OLED)가 미치는 영향을 방지하고 센싱의 정확도를 향상시킬 수 있도록 한다.Therefore, in the sensing period, the first ground voltage EVSS1 (eg, 6V) higher than the second ground voltage EVSS2 is output from the ground
또한, 전원 관리 집적회로(500)는, 센싱 구간에서만 하이 레벨을 갖는 기저전압 제어 신호에 의해 활성화되고 제1 기저전압(EVSS1)을 생성, 출력함으로써, 일반 구동 구간에서 제1 기저전압(EVSS1)을 생성, 출력함으로 인한 불필요한 전력 소모를 방지할 수 있도록 한다.In addition, the power management integrated
또한, 기저전압 제어 회로(400)의 구동에 필요한 회로 소자 수를 감소시키며 센싱 구간에서 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극으로 인가되는 기저전압(EVSS)을 제어할 수 있도록 한다.In addition, the number of circuit elements required to drive the base
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an example of the technical idea of the present invention, and various modifications and variations can be made to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. In addition, since the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are intended to explain, the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed according to the claims below, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.
100: 유기발광표시장치 110: 유기발광표시패널
120: 게이트 드라이버 130: 데이터 드라이버
140: 컨트롤러 400: 기저전압 제어 회로
500: 전원 관리 집적회로 510: 기저전압 제어 신호 수신부
520: 기저전압 생성부 530: 기저전압 출력부100: organic light emitting display device 110: organic light emitting display panel
120: gate driver 130: data driver
140: controller 400: base voltage control circuit
500: power management integrated circuit 510: base voltage control signal receiver
520: base voltage generator 530: base voltage output unit
Claims (13)
상기 기저전압 제어 회로로 입력되는 상기 기저전압 제어 신호와 동일한 기저전압 제어 신호를 입력받고 상기 입력받은 기저전압 제어 신호에 의해 구동되며, 상기 입력받은 기저전압 제어 신호가 하이 레벨이면 상기 제1 기저전압을 생성하여 상기 생성된 제1 기저전압을 상기 기저전압 제어 회로로 출력하고, 상기 입력받은 기저전압 제어 신호가 로우 레벨이면 비활성화되어 상기 제1 기저전압을 생성하지 않는 전원 관리 집적회로
를 포함하는 유기발광표시장치.
A base voltage that operates according to a base voltage control signal and outputs a first base voltage when the base voltage control signal is at a high level and outputs a second base voltage lower than the first base voltage when the base voltage control signal is at a low level control circuit; and
When a base voltage control signal identical to the base voltage control signal input to the base voltage control circuit is received and driven by the received base voltage control signal, and the received base voltage control signal is at a high level, the first base voltage a power management integrated circuit that generates and outputs the generated first base voltage to the base voltage control circuit, and is deactivated when the received base voltage control signal is at a low level and does not generate the first base voltage
An organic light emitting display device comprising a.
상기 기저전압 제어 회로는,
게이트 노드가 상기 기저전압 제어 신호의 입력단과 연결된 제1 트랜지스터와, 게이트 노드가 상기 제1 트랜지스터의 드레인 노드와 연결된 제2 트랜지스터를 포함하며,
상기 제2 트랜지스터의 제1 노드는 상기 기저전압의 출력단과 연결되고 상기 제2 트랜지스터의 제2 노드는 제2 기저전압의 입력단과 연결되며, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제1 노드와 상기 기저전압의 출력단 사이에 상기 제1 기저전압의 입력단이 연결된 유기발광표시장치.
According to claim 1,
The base voltage control circuit,
a first transistor having a gate node connected to an input terminal of the base voltage control signal, and a second transistor having a gate node connected to a drain node of the first transistor;
The first node of the second transistor is connected to the output terminal of the base voltage, the second node of the second transistor is connected to the input terminal of the second base voltage, and the first node of the second transistor is connected to the base voltage. An organic light emitting display device in which an input terminal of the first base voltage is connected between output terminals.
상기 기저전압 제어 신호가 하이 레벨이면 상기 제1 트랜지스터가 턴 온 되고 상기 제1 트랜지스터가 온 상태이면 상기 제2 트랜지스터가 턴 오프 되며 상기 제2 트랜지스터가 오프 상태이면 상기 전원 관리 집적회로로부터 출력된 상기 제1 기저전압을 출력하는 유기발광표시장치.
According to claim 2,
When the base voltage control signal is at a high level, the first transistor is turned on, when the first transistor is on, the second transistor is turned off, and when the second transistor is off, the output from the power management integrated circuit An organic light emitting display device outputting a first base voltage.
상기 기저전압 제어 신호가 로우 레벨이면 상기 제1 트랜지스터가 턴 오프 되고 상기 제1 트랜지스터가 오프 상태이면 상기 제2 트랜지스터가 턴 온 되며 상기 제2 트랜지스터가 온 상태이면 상기 제2 기저전압을 출력하는 유기발광표시장치.
According to claim 2,
When the base voltage control signal is at a low level, the first transistor is turned off, when the first transistor is off, the second transistor is turned on, and when the second transistor is on, the second base voltage is output. light emitting display.
상기 기저전압 제어 회로는,
상기 기저전압 제어 신호가 로우 레벨이면 그라운드 전압을 출력하는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
The base voltage control circuit,
An organic light emitting display device that outputs a ground voltage when the base voltage control signal is at a low level.
게이트 노드가 상기 제1 트랜지스터의 드레인 노드와 연결되고, 제1 노드가 제1 기저전압의 입력단과 연결되며 제2 노드가 제2 기저전압의 입력단과 연결된 제2 트랜지스터; 및
상기 제2 트랜지스터의 제1 노드와 상기 제1 기저전압의 입력단 사이에 연결된 기저전압 출력단
을 포함하는 기저전압 제어 회로.
a first transistor having a gate node connected to an input terminal of a base voltage control signal;
a second transistor having a gate node connected to the drain node of the first transistor, a first node connected to an input terminal of a first ground voltage, and a second node connected to an input terminal of a second ground voltage; and
A base voltage output terminal connected between the first node of the second transistor and the input terminal of the first base voltage.
A base voltage control circuit comprising a.
상기 제1 트랜지스터는 상기 기저전압 제어 신호가 하이 레벨이면 턴 온 되고 상기 제1 트랜지스터가 온 상태이면 상기 제2 트랜지스터가 턴 오프 되며 상기 제2 트랜지스터가 오프 상태이면 상기 제1 기저전압의 입력단을 통해 입력된 상기 제1 기저전압을 상기 기저전압 출력단으로 출력하는 기저전압 제어 회로.
According to claim 7,
The first transistor is turned on when the base voltage control signal is at a high level, the second transistor is turned off when the first transistor is in an on state, and through an input terminal of the first base voltage when the second transistor is in an off state. A base voltage control circuit for outputting the input first base voltage to the base voltage output terminal.
상기 제1 트랜지스터는 상기 기저전압 제어 신호가 로우 레벨이면 턴 오프 되고 상기 제1 트랜지스터가 오프 상태이면 상기 제2 트랜지스터가 턴 온 되며 상기 제2 트랜지스터가 온 상태이면 상기 제2 기저전압의 입력단을 통해 입력된 상기 제2 기저전압을 상기 기저전압 출력단으로 출력하는 기저전압 제어 회로.
According to claim 7,
The first transistor is turned off when the base voltage control signal is at a low level, the second transistor is turned on when the first transistor is off, and the second transistor is turned on through an input terminal of the second base voltage. A base voltage control circuit for outputting the input second base voltage to the base voltage output terminal.
상기 기저전압 제어 신호가 하이 레벨일 때 상기 제1 기저전압의 입력단을 통해 상기 제1 기저전압을 입력받는 기저전압 제어 회로.
According to claim 7,
The base voltage control circuit receiving the first base voltage through an input terminal of the first base voltage when the base voltage control signal is at a high level.
상기 기저전압 출력단에 의해 출력된 기저전압이 공급되는 화소의 특성치를 센싱하는 구간에서 하이 레벨을 갖는 상기 기저전압 제어 신호를 입력받는 기저전압 제어 회로.
According to claim 7,
A base voltage control circuit receiving the base voltage control signal having a high level in a section for sensing a characteristic value of a pixel to which the base voltage output from the base voltage output terminal is supplied.
상기 입력받은 기저전압 제어 신호가 하이 레벨이면 센싱용 기저전압을 생성하고, 상기 입력받은 기저전압 제어 신호가 로우 레벨이면 비활성화되어 센싱용 기저전압을 생성하지 않는 기저전압 생성부; 및
상기 기저전압 제어 신호가 하이 레벨인 경우 상기 생성된 센싱용 기저전압을 출력하는 기저전압 출력부를 포함하고,
상기 기저전압 출력부를 통해 출력되는 센싱용 기저전압이 공급되는 화소의 특성치를 센싱하는 구간에서 하이 레벨을 갖는 상기 기저전압 제어 신호를 입력받는 전원 관리 집적회로.
a base voltage control signal receiver receiving a base voltage control signal;
a base voltage generator that generates a base voltage for sensing when the received base voltage control signal is at a high level, and is deactivated when the received base voltage control signal is at a low level and does not generate a base voltage for sensing; and
a base voltage output unit configured to output the generated base voltage for sensing when the base voltage control signal is at a high level;
A power management integrated circuit that receives the base voltage control signal having a high level in a section sensing a characteristic value of a pixel to which the base voltage for sensing output through the base voltage output unit is supplied.
상기 기저전압 제어 신호 수신부는,
상기 센싱용 기저전압의 공급을 제어하는 기저전압 제어 회로로 입력되는 기저전압 제어 신호와 동일한 기저전압 제어 신호를 입력받는 전원 관리 집적회로.According to claim 12,
The base voltage control signal receiving unit,
A power management integrated circuit receiving a base voltage control signal identical to a base voltage control signal input to the base voltage control circuit controlling supply of the base voltage for sensing.
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