KR20160047602A - Light emitting device and method of fabricating the same - Google Patents

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KR20160047602A
KR20160047602A KR1020140143003A KR20140143003A KR20160047602A KR 20160047602 A KR20160047602 A KR 20160047602A KR 1020140143003 A KR1020140143003 A KR 1020140143003A KR 20140143003 A KR20140143003 A KR 20140143003A KR 20160047602 A KR20160047602 A KR 20160047602A
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Abstract

Provided is a light emitting device, comprising: a first conductivity-type first semiconductor layer on a substrate; an active layer on the first semiconductor layer; a second conductivity-type second semiconductor layer on the active layer; a first light extraction unit arranged on the second semiconductor layer and including a first metal and a second metal; and a second light extraction unit arranged on the first light extraction unit and including the first metal and the second metal, wherein the content of the second metal in the second light extraction unit is lower than the content of the second metal in the first light extraction unit. The present invention provides a light emitting device with high reliability.

Description

발광 소자 및 그 제조 방법{Light emitting device and method of fabricating the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a light emitting device,

본 발명은 발광 소자 및 그 제조 방법에 관련된 것으로, 보다 상세하게는, 서로 다른 금속 함량을 갖는 광 추출부들을 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관련된 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a light emitting device including light extracting parts having different metal contents and a manufacturing method thereof.

발광 다이오드(light-emitting diode; LED)는 p-n 접합 다이오드의 일종으로, 순방향으로 전압이 걸릴 때 단파장광(monochromatic light)이 방출되는 현상인 전기발광효과(electroluminescence)를 이용한 반도체 소자로서, 발광 다이오드로부터 방출되는 빛의 파장은 사용되는 소재의 밴드 갭 에너지(bandgap energy, Eg)에 의해 결정된다. 특히, 최근에는, 질화물계 반도체 물질로 제조된 발광 소자들이 상용화되고 있는 추세이다. 2. Description of the Related Art A light-emitting diode (LED) is a kind of pn junction diode, which is a semiconductor device using electroluminescence, which is a phenomenon in which a monochromatic light is emitted when a voltage is applied in a forward direction. The wavelength of the emitted light is determined by the bandgap energy (Eg) of the material used. Particularly, in recent years, light emitting devices made of a nitride based semiconductor material are being commercialized.

이러한 발광 소자의 광 추출 효율을 향상시키기 위해, 다양한 기술들이 개발되고 있다. 예를 들어, 대한민국 특허 공개 공보 10-2007-0075592(출원번호 10-2006-0004013)에는 요철된 일면을 갖는 모기판 위에 성장된 후 모기판으로부터 분리된 상면이 모기판의 요철된 일면의 역상으로 요철된 제1 반도체층을 포함하는 발광 다이오드를 제조하여, 내부 반사에 의한 광 손실을 방지하고 광 추출 효율을 향상시키는 기술이 개시되어 있다. In order to improve the light extraction efficiency of such a light emitting device, various techniques have been developed. For example, in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2007-0075592 (Application No. 10-2006-0004013), an upper surface separated from a mother substrate after being grown on a mother substrate having an uneven surface has an inverted phase of the uneven surface of the mother substrate Discloses a technique for fabricating a light emitting diode including an uneven first semiconductor layer to prevent light loss due to internal reflection and to improve light extraction efficiency.

다른 예를 들어, 대한민국 특허 공개 공보 10-2012-0080957(출원번호 10-2011-0002446)에는 반도체층 또는 투명 전극 상에 나노 단위의 두께와 폭을 가지는 나노 금속 패턴을 형성하여 표면 플라즈몬 공진 현상을 발생시켜 광의 산란 및 회절을 유도하여 광 추출 효율을 향상시키는 기술이 개시되어 있다. For example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2012-0080957 (Application No. 10-2011-0002446) discloses a method of forming a nano-metal pattern having a thickness and width of nano units on a semiconductor layer or a transparent electrode to generate surface plasmon resonance Thereby inducing scattering and diffraction of light to improve light extraction efficiency.

대한민국 특허 공개 공보 10-2007-0075592Korean Patent Publication No. 10-2007-0075592 대한민국 특허 공개 공보 10-2012-0080957Korean Patent Publication No. 10-2012-0080957

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 고신뢰성의 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a highly reliable light emitting device and a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 광 추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. It is another object of the present invention to provide a light emitting device having improved light extraction efficiency and a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 제조 비용이 감소된 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. It is another object of the present invention to provide a light emitting device with reduced manufacturing cost and a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 아니한다.The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 발광 소자를 제공한다. In order to solve the above technical problem, the present invention provides a light emitting device.

일 실시 예에 따르면, 상기 발광 소자는, 기판 상의 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상의 활성층, 상기 활성층 상의 제2 도전형의 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 상에 배치되고, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하는 제1 광 추출부, 및 상기 제1 광 추출부 상에 배치되고, 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속을 포함하되, 상기 제1 광 추출부보다 상기 제2 금속의 함량이 낮은 제2 광 추출부를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the light emitting device includes a first semiconductor layer of a first conductivity type on a substrate, an active layer on the first semiconductor layer, a second semiconductor layer of a second conductivity type on the active layer, A first light extracting portion disposed on the first light extracting portion, the first light extracting portion including a first metal and a second metal, and a first metal and a second metal disposed on the first light extracting portion, And a second light extracting unit having a lower content of the second metal than the second light extracting unit.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 광 추출부의 굴절률이 상기 제1 광 추출부의 굴절률보다 낮은 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the refractive index of the second light extracting portion may be lower than that of the first light extracting portion.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부는 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속의 산화물을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the first light extractor and the second light extractor may include an oxide of the first metal and the second metal.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속은 아연(Zn)을 포함하고, 상기 제2 금속은 주석(Sn)을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the first metal may include zinc (Zn), and the second metal may include tin (Sn).

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부는 막(layer) 형태로 제공되는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the first light extractor and the second light extractor may be provided in the form of a layer.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부는, 패턴 형태로 제공되고, 상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부는 서로 동일한 폭을 갖는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the first light extracting unit and the second light extracting unit are provided in a pattern form, and the first light extracting unit and the second light extracting unit may include ones having the same width.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부 중에서 어느 하나는 막 형태로 제공되고, 상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부 중에서 다른 하나는 패턴 형태로 제공되는 것을 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment, one of the first light extracting unit and the second light extracting unit is provided in a film form, and the other of the first light extracting unit and the second light extracting unit is provided in a pattern form ≪ / RTI >

일 실시 예에 따르면, 상기 발광 소자는, 상기 제2 광 추출부 상에 배치되고, 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속을 포함하되, 상기 제2 광 추출부보다 상기 제2 금속의 함량이 낮은 제3 광 추출부를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the light emitting element is disposed on the second light extracting portion and includes the first metal and the second metal, wherein the content of the second metal is lower than that of the second light extracting portion And a third light extracting unit.

일 실시 예에 따르면, 상기 제3 광 추출부의 굴절률이 상기 제2 광 추출부의 굴절률보다 낮은 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the refractive index of the third light extracting portion may be lower than that of the second light extracting portion.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 발광 소자의 제조 방법을 제공한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device.

일 실시 예에 따르면, 상기 발광 소자의 제조 방법은, 기판 상에 제1 도전형의 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형의 제2 반도체층을 차례로 형성하는 단계, 상기 제2 반도체층 상에 제1 금속 산화물 및 제2 금속 산화물을 이용하여, 제1 광 추출부를 형성하는 단계, 및 상기 제1 광 추출부 상에 상기 제1 금속 산화물 및 상기 제2 금속 산화물을 이용하여, 상기 제1 광 추출부보다 상기 제2 금속의 함량이 낮은 제2 광 추출부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. According to one embodiment, a method of manufacturing a light emitting device includes sequentially forming a first semiconductor layer of a first conductivity type, an active layer, and a second semiconductor layer of a second conductivity type on a substrate, Forming a first light extracting portion by using a first metal oxide and a second metal oxide on the first light extracting portion and using the first metal oxide and the second metal oxide on the first light extracting portion, And forming a second light extracting portion having a lower content of the second metal than the first light extracting portion.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부를 형성하는 단계는, 상기 제2 반도체층 상에, 상기 제1 금속 산화물 및 상기 제2 금속 산화물을 이용하여 제1 물질막(first material layer)을 형성하는 단계, 및 상기 제1 물질막 상에, 상기 제1 금속 산화물 및 상기 제2 금속 산화물을 이용하여, 상기 제1 물질막보다 상기 제2 금속의 함량이 낮은 제2 물질막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the forming the first light extracting portion and the second light extracting portion may include forming a first material layer on the second semiconductor layer using the first metal oxide and the second metal oxide, forming a first material layer on the first material layer; and forming a second material layer on the first material layer using the first metal oxide and the second metal oxide, And forming a material film.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부를 형성하는 단계는, 상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막을 패터닝하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to an embodiment, the step of forming the first light extracting part and the second light extracting part may further include patterning the first material film and the second material film.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막을 패터닝하는 단계는, 상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막을 식각하거나, 또는 스탬프(stamp)하는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, patterning the first material film and the second material film may include etching or stamping the first material film and the second material film.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부를 형성하는 단계는, 상기 제2 물질막을 선택적으로 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the step of forming the first light extracting part and the second light extracting part may include selectively patterning the second material film.

본 발명의 실시 예에 따른 발광 소자는 제1 및 제2 금속을 포함하는 제1 광 추출부, 및 상기 제1 및 제2 금속을 포함하되 상기 제1 광 추출부보다 상기 제2 금속의 함량이 낮은 제2 광 추출부를 포함한다. 이로 인해, 상기 제2 광 추출부의 굴절률이 사기 제1 광 추출부의 굴절률보다 낮을 수 있고, 이에 따라, 광 추출 효율이 향상된 고신뢰성의 발광 소자가 제공될 수 있다. A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a first light extracting portion including first and second metals, and a second light extracting portion including the first and second metals, wherein the content of the second metal is higher than that of the first light extracting portion And a low second light extracting portion. Therefore, the refractive index of the second light extracting portion can be lower than the refractive index of the first light extracting portion, thereby providing a highly reliable light emitting device with improved light extraction efficiency.

또한, 상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부가 동일한 소스를 이용하여 제조되어, 제조 공정이 간소화되고, 제조 비용이 감소된 발광 소자의 제조 방법이 제공될 수 있다. In addition, a method of manufacturing a light emitting device in which the first light extracting portion and the second light extracting portion are manufactured using the same source, the manufacturing process is simplified, and the manufacturing cost is reduced can be provided.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예의 변형 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시 예의 변형 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 강도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 강도를 본 발명의 실시 예에 대한 비교 예에 따른 발광 소자의 발광 강도와 비교한 것이다. 1 is a view for explaining a light emitting device according to a first embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same.
2 is a view for explaining a light emitting device and a method of manufacturing the same according to a modification of the first embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining a light emitting device and a method of manufacturing the same according to a second embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining a light emitting device according to a modification of the second embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same.
5 is a view for explaining a light emitting device and a method of manufacturing the same according to a third embodiment of the present invention.
6 is a view for explaining a light emitting device and a method of manufacturing the same according to a modification of the third embodiment of the present invention.
7 is a graph illustrating the light emission intensity of the light emitting device according to the embodiment of the present invention.
8 compares the light emission intensity of the light emitting device according to the embodiment of the present invention with the light emission intensity of the light emitting device according to the comparative example of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when an element is referred to as being on another element, it may be directly formed on another element, or a third element may be interposed therebetween. Further, in the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective explanation of the technical content.

또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Also, while the terms first, second, third, etc. in the various embodiments of the present disclosure are used to describe various components, these components should not be limited by these terms. These terms have only been used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as a first component in any one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and exemplified herein also includes its complementary embodiment. Also, in this specification, 'and / or' are used to include at least one of the front and rear components.

명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. The singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. It is also to be understood that the terms such as " comprises "or" having "are intended to specify the presence of stated features, integers, Should not be understood to exclude the presence or addition of one or more other elements, elements, or combinations thereof.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 1 is a view for explaining a light emitting device according to a first embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 소자는, 기판(100), 상기 기판(100) 상의 도핑되지 않은 반도체층(105), 상기 도핑되지 않은 반도체층(105) 상의 제1 반도체층(110), 상기 제1 반도체층(110) 상의 활성층(115), 상기 활성층(115) 상의 제2 반도체층(120), 및 상기 제2 반도체층(120) 상의 광 추출부(130)를 포함할 수 있다. 1, a light emitting device according to a first embodiment of the present invention includes a substrate 100, an undoped semiconductor layer 105 on the substrate 100, a semiconductor layer 105 on the undoped semiconductor layer 105, A first semiconductor layer 110, an active layer 115 on the first semiconductor layer 110, a second semiconductor layer 120 on the active layer 115, and a light extracting portion 130 on the second semiconductor layer 120 ).

상기 기판(100)은, 반도체 기판(예를 들어, 실리콘 기판, 화합물 반도체 기판), 유리 기판, 또는 금속 기판 중에서 어느 하나일 수 있다. 또는, 상기 기판(100)은 GaN, SiC, Si, ZnO, GaAs, InP, Ge, Ga2O3, ZrB2 또는 GaP 중에서 어느 하나로 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 기판(100)은 유연(flexible)할 수 있다.The substrate 100 may be any one of a semiconductor substrate (for example, a silicon substrate or a compound semiconductor substrate), a glass substrate, or a metal substrate. Alternatively, the substrate 100 may be formed by any one from among GaN, SiC, Si, ZnO, GaAs, InP, Ge, Ga 2 O 3, ZrB 2 or GaP. According to one embodiment, the substrate 100 may be flexible.

상기 도핑되지 않은 반도체층(105)은 도펀트가 도핑되지 않은 반도체층일 수 있다. 예를 들어, 상기 도핑되지 않은 반도체층(105)은 질화 갈륨층(undoped-GaN, U-GaN)으로 형성될 수 있다. The undoped semiconductor layer 105 may be a semiconductor layer that is not doped with a dopant. For example, the undoped semiconductor layer 105 may be formed of a gallium nitride layer (undoped-GaN, U-GaN).

도면에 도시되지 않았으나, 상기 기판(100)과 상기 도핑되지 않은 반도체층(105) 사이의 스트레스를 완화하기 위한 버퍼층이 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층은 AlN으로 형성될 수 있다.Although not shown in the drawing, a buffer layer for relieving stress between the substrate 100 and the undoped semiconductor layer 105 may be further disposed. For example, the buffer layer may be formed of AlN.

상기 제1 반도체층(110)은 제1 도전형의 도펀트가 도핑된 반도체층일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 반도체층(110)은 N형 도펀트로 도핑된 N형 반도체일 수 있다. 예를 들어, 상기 N형 도펀트는, 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 또는 텔루륨(Te), 셀레늄(Se) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 제1 반도체층(110)은, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, 또는 AlInN 중에서 적어도 어느 하나에 상기 N형 도펀트가 도핑된 것을 포함할 수 있다.The first semiconductor layer 110 may be a semiconductor layer doped with a first conductivity type dopant. According to one embodiment, the first semiconductor layer 110 may be an N-type semiconductor doped with an N-type dopant. For example, the N-type dopant may include at least one of silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), tellurium (Te), and selenium (Se) 110 may include at least one of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, and AlInN doped with the N-type dopant.

상기 활성층(115)은 다양자웰(multi-quantum well: MQW), 단일 양자웰(single quantum well: SQW), 또는 양자점(Quantum Dot) 등의 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(115)은 InGaN 막, 아연(Zn) 또는 실리콘(Si)이 도핑된 InGaN 막 일 수 있다. The active layer 115 may have a multi-quantum well (MQW) structure, a single quantum well structure (SQW), or a quantum dot structure. For example, the active layer 115 may be an InGaN film, an InGaN film doped with zinc (Zn), or silicon (Si).

상기 제2 반도체층(120)은 제2 도전형의 도펀트가 도핑된 반도체층일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 반도체층(120)은 P형 도펀트로 도핑된 P형 반도체일 수 있다. 예를 들어, 상기 P형 도펀트는, 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 바륨(Ba), 또는 칼슘(Ca) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 제2 반도체층(120)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, 또는 AlInN 중에서 적어도 어느 하나에 상기 P형 도펀트가 도핑된 것을 포함할 수 있다. The second semiconductor layer 120 may be a semiconductor layer doped with a dopant of a second conductivity type. According to one embodiment, the second semiconductor layer 120 may be a P-type semiconductor doped with a P-type dopant. For example, the P-type dopant may include at least one of magnesium (Mg), zinc (Zn), barium (Ba), and calcium (Ca), and the second semiconductor layer 120 may include at least one of GaN, AlN , AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, or AlInN doped with the P-type dopant.

상기 광 추출부(130)는, 상기 제2 반도체층(120) 상의 제1 광 추출부(130a) 및 상기 제1 광 추출부(130b) 상의 제2 광 추출부(130b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 광 추출부(130a) 및 상기 제2 광 추출부(130b)는 도 1에 도시된 것과 같이, 막(layer) 형태로 상기 제2 반도체층(120) 상에 제공될 수 있다. The light extracting unit 130 may include a first light extracting unit 130a on the second semiconductor layer 120 and a second light extracting unit 130b on the first light extracting unit 130b . The first light extracting portion 130a and the second light extracting portion 130b may be provided on the second semiconductor layer 120 in the form of a layer as shown in FIG.

상기 제1 광 추출부(130a) 및 상기 제2 광 추출부(130b)는 제1 금속 및 제2 금속을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속은 아연(Zn)을 포함할 수 있고, 상기 제2 금속은 주석(Sn)을 포함할 수 있다. 상기 제2 광 추출부(130b)는 상기 제1 광 추출부(130a)보다 상기 제2 금속의 함량이 더 낮을 수 있다.The first light extracting unit 130a and the second light extracting unit 130b may include a first metal and a second metal. According to one embodiment, the first metal may include zinc (Zn), and the second metal may include tin (Sn). The second light extracting unit 130b may have a lower content of the second metal than the first light extracting unit 130a.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광 추출부(130a), 및 제2 광 추출부(130b)는 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속의 산화물을 포함할 수 있다. 상술된 바와 같이, 상기 제1 금속이 아연(Zn)을 포함하고, 상기 제2 금속이 주석(Sn)을 포함하는 경우, 상기 제1 광 추출부(130a) 및 상기 제2 광 추출부(130b)는 아연 주석 산화물(zinc tin oxide; ZTO)로 형성되되, 상기 제1 광 추출부(130a)의 주석(Sn) 함량이 상기 제2 광 추출부(130b)의 주석(Sn) 함량보다 높을 수 있다. 아연 주석 산화물에서 주석(Sn)의 함량이 감소될수록, 아연 주석 산화물의 굴절률이 감소될 수 있다. 이로 인해, 상기 제2 광 추출부(130b)의 굴절률이 상기 제1 광 추출부(130a)의 굴절률보다 낮을 수 있다. 이에 따라, 상기 활성층(115)에서 방출된 광이 효율적으로, 외부로 방출될 수 있다. According to one embodiment, the first light extracting unit 130a and the second light extracting unit 130b may include an oxide of the first metal and the second metal. As described above, when the first metal includes zinc (Zn) and the second metal includes tin (Sn), the first light extracting unit 130a and the second light extracting unit 130b ) Is formed of zinc tin oxide (ZTO), and the tin (Sn) content of the first light extracting portion 130a may be higher than the tin (Sn) content of the second light extracting portion 130b have. As the content of tin (Sn) in the zinc tin oxide is reduced, the refractive index of the zinc tin oxide can be reduced. Therefore, the refractive index of the second light extracting unit 130b may be lower than that of the first light extracting unit 130a. Accordingly, the light emitted from the active layer 115 can be efficiently emitted to the outside.

만약, 상기 광 추출부(130)가 생략되어, 상기 활성층(115)에서 방출된 광이 상기 제2 반도체층(120)을 투과하여 바로 외부 공기로 제공되는 경우, 상기 제2 반도체층(120)과 외부 공기의 굴절률 차이(예를 들어, 상기 제2 반도체층(120)이 질화갈륨으로 형성되는 경우 약 2.5, 외부 공기 1, 굴절률의 차이 1.5)에 의한 스넬의 법칙(Snell's law)에 따라, 상기 활성층(115)에서 방출된 광의 일부가 내부 전반사될 수 있다. 이로 인해, 상기 활성층(115)에서 방출된 광이 효율적으로 외부로 방출되지 못하는 문제점이 있다. If the light extracting part 130 is omitted and the light emitted from the active layer 115 is transmitted through the second semiconductor layer 120 and is directly supplied to the outside air, According to Snell's law due to a difference in refractive index between the first semiconductor layer 120 and the external air (for example, about 2.5 when the second semiconductor layer 120 is formed of gallium nitride, and the external air 1 and the difference in refractive index 1.5) A part of the light emitted from the active layer 115 may be totally internally reflected. Accordingly, the light emitted from the active layer 115 can not efficiently be emitted to the outside.

하지만, 상술된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 활성층(115)에서 방출된 광이, 굴절률이 점차적으로 감소되는 상기 제1 광 추출부(130a) 및 상기 제2 광 추출부(130b)를 차례로 투과함에 따라, 광의 반사가 감소되어, 광 추출 효율이 향상된 고발광의 발광 소자가 제공될 수 있다. However, as described above, according to the embodiment of the present invention, the light emitted from the active layer 115 is incident on the first light extracting part 130a and the second light extracting part 130b ), The reflection of light is reduced, and a light emitting device with high light emission with improved light extraction efficiency can be provided.

이하, 계속해서 도 1을 참조하여 상술된 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 소자의 제조 방법이 설명된다. Hereinafter, a method of manufacturing the light emitting device according to the first embodiment of the present invention described above with reference to Fig. 1 will be described.

도 1을 참조하면, 상기 기판(100) 상에, 상기 도핑되지 않은 반도체층(105), 상기 제1 반도체층(110), 상기 활성층(115), 및 상기 제2 반도체층(120)이 차례로 형성될 수 있다. 1, the undoped semiconductor layer 105, the first semiconductor layer 110, the active layer 115, and the second semiconductor layer 120 are sequentially formed on the substrate 100 .

일 실시 예에 따르면, 상기 도핑되지 않은 반도체층(105)은 액상 성장법(liquid phase epitaxy, LPE), 기상 성장법(vapor phase epitaxy, VPE), 분자빔 성장법(molecular beam epitaxy, MBE), 또는 유기금속 화학기상증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 중에서 어느 하나의 방법을 이용하여 형성될 수 있다. According to one embodiment, the undoped semiconductor layer 105 may be formed using a liquid phase epitaxy (LPE), a vapor phase epitaxy (VPE), a molecular beam epitaxy (MBE) Or a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 반도체층(110)은 상기 도핑되지 않은 반도체층(105)을 씨드층(seed layer)으로 사용한 에피택시얼 공정으로 형성될 수 있다.According to one embodiment, the first semiconductor layer 110 may be formed by an epitaxial process using the undoped semiconductor layer 105 as a seed layer.

일 실시 예에 따르면, 상기 활성층(115) 및 상기 제2 반도체층(120)은 액상 성장법, 기상 성장법, 분자빔 성장법, 또는 유기금속 화학기상 증착법으로 형성될 수 있다.According to one embodiment, the active layer 115 and the second semiconductor layer 120 may be formed by a liquid crystal growth method, a vapor phase growth method, a molecular beam growth method, or an organic metal chemical vapor deposition method.

일 실시 예에 따르면, 상기 광 추출부(130)는, 상기 제2 반도체층(120) 및 상기 활성층(115)을 식각하여, 상기 제1 반도체층(110)이 노출된 후, 상기 제2 반도체층(120) 상에 형성될 수 있다. 또는, 다른 실시 예에 따르면, 상기 광 추출부(130)가 상기 제2 반도체층(120) 상에 형성된 후, 상기 광 추출부(130), 상기 제2 반도체층(120), 및 상기 활성부(115)가 식각되어, 상기 제1 반도체층(110)이 노출될 수 있다.The light extracting unit 130 may etch the second semiconductor layer 120 and the active layer 115 to expose the first semiconductor layer 110, Layer 120 may be formed. Alternatively, according to another embodiment, after the light extracting unit 130 is formed on the second semiconductor layer 120, the light extracting unit 130, the second semiconductor layer 120, The first semiconductor layer 110 may be etched to expose the first semiconductor layer 110.

상기 광 추출부(130)를 형성하는 단계는, 상기 제2 반도체층(120) 상에 상기 제1 광 추출부(130a)를 형성하는 단계, 및 상기 제2 광 추출부(130b)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. The step of forming the light extracting part 130 may include forming the first light extracting part 130a on the second semiconductor layer 120 and forming the second light extracting part 130b Step < / RTI >

상기 제1 광 추출부(130a)를 형성하는 단계는, 상기 제2 반도체층(120) 상에 제1 금속 산화물(예를 들어, 아연 산화물), 및 제2 금속 산화물(예를 들어, 주석 산화물)을 이용하여 졸-겔 반응으로 제1 및 제2 금속 산화물(예를 들어, 아연 주석 산화물)을 제조하는 단계, 및 상기 제1 및 제2 금속 산화물을 상기 제2 반도체층(120) 상에 제공하여 제1 물질막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 금속 산화물은 스핀 코팅(spin coating) 방법으로 상기 제2 반도체층 상에 제공될 수 있다. The step of forming the first light extracting part 130a may include forming a first metal oxide (for example, zinc oxide) and a second metal oxide (for example, tin oxide Preparing a first and a second metal oxide (e.g., zinc tin oxide) in a sol-gel reaction using the first and second metal oxides on the second semiconductor layer 120; To form a first material film. The first and second metal oxides may be provided on the second semiconductor layer by a spin coating method.

상기 제2 광 추출부(130b)는 상기 제1 광 추출부(130a)의 형성 공정에 사용된 소스(상기 제1 금속 산화물 및 상기 제2 금속 산화물)과 동일한 소스를 이용하여 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 광 추출부(130b)를 형성하는 단계는, 상기 제1 광 추출부(130a) 상에 상기 제1 금속 산화물 및 상기 제2 금속 산화물을 이용하여 졸-겔 반응으로 제1 및 제2 금속 산화물을 제조하는 단계, 및 상기 제1 및 제2 금속 산화물을 상기 제1 광 추출부(130a) 상에 제공하여 제2 물질막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제2 광 추출부(130b)를 형성하기 위해 제조된 상기 제1 및 제2 금속 산화물의 상기 제2 금속의 함량이, 상기 제1 광 추출부(130a)를 형성하기 위해 제조된 상기 제1 및 제2 금속 산화물의 상기 제2 금속의 함량보다, 낮을 수 있다. 이로 인해, 상기 제1 광 추출부(130a) 및 상기 제2 광 추출부(130b)가 상기 제1 및 제2 금속 산화물로 형성되되, 상기 제2 광 추출부(130b)의 상기 제2 금속의 함량이 상기 제1 광 추출부(130a)의 상기 제2 금속의 함량보다 낮을 수 있다. The second light extracting unit 130b may be formed using the same source as the source (the first metal oxide and the second metal oxide) used in the process of forming the first light extracting unit 130a. Specifically, the step of forming the second light extracting part 130b may include forming a first light extracting part 130a using a first metal oxide and a second metal oxide on the first light extracting part 130a, And a second metal oxide, and forming the second material film by providing the first and second metal oxides on the first light extracting portion 130a. In this case, the content of the second metal of the first and second metal oxides formed to form the second light extracting portion 130b may be different from that of the first light extracting portion 130a May be lower than the content of the second metal of the first and second metal oxides. Accordingly, the first light extracting part 130a and the second light extracting part 130b are formed of the first and second metal oxides, and the second light extracting part 130b and the second light extracting part 130b are formed of the first and second metal oxides. The content of the second metal may be lower than the content of the second metal of the first light extracting unit 130a.

상술된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 광 추출부(130a) 및 상기 제2 광 추출부(130b)가 서로 동일한 소스를 이용하여 제조될 수 있다. 이에 따라, 상기 광 추출부(130)를 형성하기 위한 소스의 관리가 용이해지고, 제조 공정이 간소화되어, 제조 비용이 감소된 발광 소자의 제조 방법이 제공될 수 있다.
As described above, according to the embodiment of the present invention, the first light extracting unit 130a and the second light extracting unit 130b can be manufactured using the same source. Accordingly, it is possible to provide a method of manufacturing a light emitting device in which the source for forming the light extracting unit 130 is easily managed, the manufacturing process is simplified, and the manufacturing cost is reduced.

상술된 본 발명의 제1 실시 예와 달리, 본 발명의 제1 실시 예의 변형 예에 따르면, 3개 이상의 광 추출부들이 상기 제2 반도체층(120) 상에 배치될 수 있다. 이하, 도 2를 참조하여, 본 발명의 제1 실시 예의 변형 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법이 설명된다. In contrast to the first embodiment of the present invention described above, according to a modification of the first embodiment of the present invention, three or more light extracting portions may be disposed on the second semiconductor layer 120. Hereinafter, a light emitting device and a manufacturing method thereof according to a modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 2는 본 발명의 제1 실시 예의 변형 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 2 is a view for explaining a light emitting device and a method of manufacturing the same according to a modification of the first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 도 1을 참조하여 설명된 기판(100), 도핑되지 않은 반도체층(105), 제1 반도체층(110), 활성층(115), 및 제2 반도체층(120)이 제공된다. Referring to FIG. 2, the substrate 100, the undoped semiconductor layer 105, the first semiconductor layer 110, the active layer 115, and the second semiconductor layer 120 described with reference to FIG. 1 are provided do.

상기 제2 반도체층(120) 상에 광 추출부(130)가 제공될 수 있다. 상기 광 추출부(130)는, 상기 제2 반도체층(120) 상에 차례로 적층된 제1 내지 제n 광 추출부(130a~130n)을 포함할 수 있다. n은 3 이상의 자연수 일 수 있다. A light extractor 130 may be provided on the second semiconductor layer 120. The light extracting unit 130 may include first to nth light extracting units 130a to 130n sequentially stacked on the second semiconductor layer 120. [ n may be a natural number of 3 or more.

상기 제1 내지 제n 광 추출부(130a~130n)은 제1 금속(예를 들어, 아연) 및 제2 금속(예를 들어, 주석)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제n 광 추출부(130a~130n) 중에서 상대적으로 상기 제2 반도체층(120)에 인접한 것의 상기 제2 금속의 함량이, 상대적으로 상기 제2 반도체층(120)과 이격된 것의 상기 제2 금속의 함량보다 높을 수 있다. 다시 말하면, 상기 제2 반도체층(120)과의 거리가 멀수록, 상기 제1 내지 제n 광 추출부(130a~130n)의 상기 제2 금속의 함량이 감소될 수 있다. 이에 따라, 상기 활성층(115)에서 생성된 광이 점차적으로 굴절률이 감소되는 매질을 따라 이동하여, 광 추출 효율이 향상될 수 있다. The first to nth light extracting units 130a to 130n may include a first metal (for example, zinc) and a second metal (for example, tin). The content of the second metal relatively adjacent to the second semiconductor layer 120 among the first to nth light extracting parts 130a to 130n is relatively larger than that of the second semiconductor layer 120 May be higher than the content of the second metal. In other words, as the distance from the second semiconductor layer 120 increases, the content of the second metal in the first through the n-th light extracting units 130a through 130n may be reduced. Accordingly, the light generated in the active layer 115 may move along the medium in which the refractive index is gradually decreased, so that the light extraction efficiency can be improved.

상기 제1 내지 제n 광 추출부(130a~130n)는 도 1을 참조하여 설명된 것과 같이, 제1 금속 산화물 및 제2 금속 산화물을 이용하여 제조될 수 있다.
The first to n-th light extracting units 130a to 130n may be manufactured using the first metal oxide and the second metal oxide, as described with reference to FIG.

상술된 본 발명의 실시 예들과 달리, 본 발명의 제2 실시 예에 따르면, 상기 광 추출부들은 패턴 형태로 제공될 수 있다. 이하, 도 3을 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법이 설명된다.Unlike the embodiments of the present invention described above, according to the second embodiment of the present invention, the light extractors may be provided in a pattern form. Hereinafter, a light emitting device and a manufacturing method thereof according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining a light emitting device and a method of manufacturing the same according to a second embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 도 1을 참조하여 설명된 기판(100), 도핑되지 않은 반도체층(105), 제1 반도체층(110), 활성층(115), 및 제2 반도체층(120)이 제공된다.Referring to FIG. 3, the substrate 100, the undoped semiconductor layer 105, the first semiconductor layer 110, the active layer 115, and the second semiconductor layer 120 described with reference to FIG. 1 are provided do.

상기 제2 반도체층(120) 상에 광 추출부(132)가 배치될 수 있다. 상기 광 추출부(132)는, 상기 제2 반도체층(120) 상의 제1 광 추출부(132a) 및 상기 제1 광 추출부(132a) 상의 제2 광 추출부(132b)를 포함할 수 있다. 도 1 및 도 2를 참조하여 설명된 광 추출부(130)와 달리, 상기 광 추출부(132)는 패턴(pattern) 형태로 제공될 수 있다. 상기 제1 광 추출부(132a)의 폭(width)과 상기 제2 광 추출부(132b)의 폭은 실질적으로(substantially) 서로 동일할 수 있다. 패턴 형태의 상기 광 추출부(132)에 의해, 상기 활성층(115)에서 방출된 광이 산란되어, 광 추출 효율이 향상된 발광 소자가 제공될 수 있다. The light extracting unit 132 may be disposed on the second semiconductor layer 120. The light extracting unit 132 may include a first light extracting unit 132a on the second semiconductor layer 120 and a second light extracting unit 132b on the first light extracting unit 132a . Unlike the light extracting unit 130 described with reference to FIGS. 1 and 2, the light extracting unit 132 may be provided in the form of a pattern. The width of the first light extracting part 132a and the width of the second light extracting part 132b may be substantially identical to each other. The light extracting unit 132 of the pattern shape can provide a light emitting device in which light emitted from the active layer 115 is scattered to improve light extraction efficiency.

상기 제1 광 추출부(132a) 및 상기 제2 광 추출부(132b)는 제1 금속 및 제2 금속을 포함할 수 있다. 상기 제2 광 추출부(132b)는 상기 제1 광 추출부(132a)보다 상기 제2 금속의 함량이 더 낮을 수 있다. 이로 인해, 상기 제2 광 추출부(132b)의 굴절률이 상기 제1 광 추출부(132a)의 굴절률보다 낮을 수 있다. 이에 따라, 상기 활성층(115)에서 방출된 광이 효율적으로 외부로 방출될 수 있다. The first light extracting unit 132a and the second light extracting unit 132b may include a first metal and a second metal. The second light extracting unit 132b may have a lower content of the second metal than the first light extracting unit 132a. Accordingly, the refractive index of the second light extracting unit 132b may be lower than that of the first light extracting unit 132a. Accordingly, the light emitted from the active layer 115 can be efficiently emitted to the outside.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광 추출부(132a) 및 상기 제2 광 추출부(132b)는 상기 제1 금속 및 제2 금속의 산화물을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속이 아연이고, 상기 제2 금속이 주석인 경우, 상기 제1 광 추출부(132a) 및 상기 제2 광 추출부(132b)는 아연 주석 산화물로 형성될 수 있다. According to an exemplary embodiment, the first light extracting unit 132a and the second light extracting unit 132b may include an oxide of the first metal and the second metal. When the first metal is zinc and the second metal is tin, the first light extracting part 132a and the second light extracting part 132b may be formed of zinc tin oxide.

이하, 계속해서 도 3을 참조하여 상술된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 소자의 제조 방법이 설명된다. Hereinafter, a method of manufacturing the light emitting device according to the second embodiment of the present invention described above with reference to Fig. 3 will be described.

도 3을 참조하면, 도 1을 참조하여 설명된 방법으로, 상기 기판(100) 상에 상기 도핑되지 않은 반도체층(105), 상기 제1 반도체층(110), 상기 활성층(115), 및 상기 제2 반도체층(120)이 차례로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, the undoped semiconductor layer 105, the first semiconductor layer 110, the active layer 115, and the second semiconductor layer 110 are formed on the substrate 100, And the second semiconductor layer 120 may be sequentially formed.

일 실시 예에 따르면, 상기 광 추출부(132)는, 상기 제2 반도체층(120) 및 상기 활성층(115)을 식각하여, 상기 제1 반도체층(110)이 노출된 후, 상기 제2 반도체층(120) 상에 형성될 수 있다. 또는, 다른 실시 예에 따르면, 상기 광 추출부(132)가 상기 제2 반도체층(120) 상에 형성된 후, 상기 광 추출부(132), 상기 제2 반도체층(120), 및 상기 활성부(115)가 식각되어, 상기 제1 반도체층(110)이 노출될 수 있다.According to one embodiment, the light extracting unit 132 etches the second semiconductor layer 120 and the active layer 115 to expose the first semiconductor layer 110, Layer 120 may be formed. Alternatively, according to another embodiment, after the light extracting unit 132 is formed on the second semiconductor layer 120, the light extracting unit 132, the second semiconductor layer 120, The first semiconductor layer 110 may be etched to expose the first semiconductor layer 110.

상기 제1 광 추출부(132a) 및 상기 제2 광 추출부(132b)를 형성하는 단계는, 상기 제2 반도체층(120) 상에 제1 금속 산화물(예를 들어, 아연 산화물), 및 제2 금속 산화물(예를 들어, 주석 산화물)을 이용하여 졸-겔 반응으로 제1 및 제2 금속 산화물(예를 들어, 아연 주석 산화물)을 제조하는 단계, 상기 제1 및 제2 금속 산화물을 상기 제2 반도체층(120) 상에 제공하여 제1 물질막을 형성하는 단계, 상기 제1 금속 산화물 및 상기 제2 금속 산화물을 이용하여 졸-겔 반응으로 제1 및 제2 금속 산화물을 제조하는 단계, 상기 제1 및 제2 금속 산화물을 상기 제1 물질막 상에 제공하여 제2 물질막을 형성하는 단계, 및 상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 패터닝된 상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막이 상기 제1 광 추출부(132a) 및 상기 제2 광 추출부(132b)에 각각 대응될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막을 패터닝하는 단계는, 상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막을 식각하거나, 또는 상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막을 스탬프(stamp)하는 것을 포함할 수 있다.The forming of the first light extracting portion 132a and the second light extracting portion 132b may include forming a first metal oxide (for example, zinc oxide) on the second semiconductor layer 120, Preparing a first and a second metal oxide (e.g., zinc tin oxide) in a sol-gel reaction using a bimetallic oxide (e. G., Tin oxide) Providing on the second semiconductor layer 120 to form a first material film, preparing first and second metal oxides in a sol-gel reaction with the first metal oxide and the second metal oxide, Providing the first and second metal oxides on the first material film to form a second material film, and patterning the first material film and the second material film. The patterned first material layer and the second material layer may correspond to the first light extracting portion 132a and the second light extracting portion 132b, respectively. According to one embodiment, the step of patterning the first material film and the second material film may include etching the first material film and the second material film, or stamping the first material film and the second material film stamping.

상기 제2 물질막을 형성하기 위해 제조된 상기 제1 및 제2 금속 산화물의 상기 제2 금속의 함량이, 상기 제1 물질막을 형성하기 위해 제조된 상기 제1 및 제2 금속 산화물의 상기 제2 금속의 함량보다, 낮을 수 있다. 이로 인해, 상기 제1 광 추출부(132a) 및 상기 제2 광 추출부(132b)가 상기 제1 및 제2 금속 산화물로 형성되되, 상기 제2 광 추출부(132b)의 상기 제2 금속의 함량이 상기 제1 광 추출부(132a)의 상기 제2 금속의 함량보다 낮을 수 있다.
Wherein the content of the second metal of the first and second metal oxides produced to form the second material film is greater than the content of the second metal of the first and second metal oxides prepared to form the first material film. May be lower than the content of The first light extracting unit 132a and the second light extracting unit 132b are formed of the first and second metal oxides and the second light extracting unit 132b and the second light extracting unit 132b are formed of the first and second metal oxides, The content may be lower than the content of the second metal of the first light extracting portion 132a.

상술된 본 발명의 제2 실시 예와 달리, 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예에 따르면, 3개 이상의 광 추출부들이 상기 제2 반도체층(120) 상에 배치될 수 있다. 이하, 도 4를 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법이 설명된다. In contrast to the second embodiment of the present invention described above, according to a modification of the second embodiment of the present invention, three or more light extracting portions may be disposed on the second semiconductor layer 120. Hereinafter, with reference to FIG. 4, a light emitting device and a manufacturing method thereof according to a modification of the second embodiment of the present invention will be described.

도 4는 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 4 is a view for explaining a light emitting device according to a modification of the second embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same.

도 4를 참조하면, 도 1을 참조하여 설명된 기판(100), 도핑되지 않은 반도체층(105), 제1 반도체층(110), 활성층(115), 및 제2 반도체층(120)이 제공된다. Referring to FIG. 4, the substrate 100, the undoped semiconductor layer 105, the first semiconductor layer 110, the active layer 115, and the second semiconductor layer 120 described with reference to FIG. 1 are provided do.

상기 제2 반도체층(120) 상에 광 추출부(132)가 제공될 수 있다. 상기 광 추출부(132)는, 상기 제2 반도체층(120) 상에 차례로 적층된 제1 내지 제n 광 추출부(132a~132n)을 포함할 수 있다. n은 3 이상의 자연수 일 수 있다. A light extracting portion 132 may be provided on the second semiconductor layer 120. The light extracting unit 132 may include first through n-th light extracting units 132a through 132n that are sequentially stacked on the second semiconductor layer 120. n may be a natural number of 3 or more.

상기 제1 내지 제n 광 추출부(132a~132n)은 제1 금속(예를 들어, 아연) 및 제2 금속(예를 들어, 주석)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제n 광 추출부(132a~132n) 중에서 상대적으로 상기 제2 반도체층(120)에 인접한 것의 상기 제2 금속의 함량이, 상대적으로 상기 제2 반도체층(120)과 이격된 것의 상기 제2 금속의 함량보다 높을 수 있다. 다시 말하면, 상기 제2 반도체층(120)과의 거리가 멀수록, 상기 제1 내지 제n 광 추출부(132a~132n)의 상기 제2 금속의 함량이 감소될 수 있다. The first to n-th light extracting units 132a to 132n may include a first metal (for example, zinc) and a second metal (for example, tin). The content of the second metal relatively adjacent to the second semiconductor layer 120 among the first to nth light extracting parts 132a to 132n is relatively larger than that of the second semiconductor layer 120 May be higher than the content of the second metal. In other words, as the distance from the second semiconductor layer 120 increases, the content of the second metal of the first through the n-th light extracting units 132a through 132n may be reduced.

상기 제1 내지 제n 광 추출부(132a~132n)는 도 3을 참조하여 설명된 것과 같이, 제1 금속 산화물 및 제2 금속 산화물을 이용하여 물질막들을 제조하고, 상기 물질막들을 패터닝하여 제조될 수 있다.
As described with reference to FIG. 3, the first to n-th light extracting units 132a to 132n may be fabricated by using the first metal oxide and the second metal oxide to pattern the material films, .

상술된 본 발명의 실시 예들과 달리, 본 발명의 제3 실시 예에 따르면, 광 추출부는 막 형태로 제공되는 제1 광 추출부 및 패턴 형태로 제공되는 제2 광 추출부를 포함할 수 있다. 이하, 도 5를 참조하여, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법이 설명된다. According to the third embodiment of the present invention, the light extracting unit may include a first light extracting unit provided in a film form and a second light extracting unit provided in a pattern form, unlike the embodiments of the present invention described above. Hereinafter, with reference to FIG. 5, a light emitting device and a manufacturing method thereof according to a third embodiment of the present invention will be described.

도 5는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 5 is a view for explaining a light emitting device and a method of manufacturing the same according to a third embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 도 1을 참조하여 설명된 기판(100), 도핑되지 않은 반도체층(105), 제1 반도체층(110), 활성층(115), 및 제2 반도체층(120)이 제공된다.Referring to FIG. 5, the substrate 100, the undoped semiconductor layer 105, the first semiconductor layer 110, the active layer 115, and the second semiconductor layer 120 described with reference to FIG. 1 are provided do.

상기 제2 반도체층(120) 상에 광 추출부(136)가 배치될 수 있다. 상기 광 추출부(136)난, 상기 제2 반도체층(120) 상의 제1 광 추출부(130a), 상기 제1 광 추출부(130a) 상의 제2 광 추출부(132b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 광 추출부(130a)는 막(layer) 형태로 제공되고, 상기 제2 광 추출부(132b)는 패턴(pattern) 형태로 제공될 수 있다. The light extracting unit 136 may be disposed on the second semiconductor layer 120. The light extracting unit 136 may include a first light extracting unit 130a on the second semiconductor layer 120 and a second light extracting unit 132b on the first light extracting unit 130a . The first light extracting unit 130a may be provided in the form of a layer and the second light extracting unit 132b may be provided in the form of a pattern.

상기 제1 광 추출부(130a) 및 상기 제2 광 추출부(132b)는 제1 금속 및 제2 금속을 포함할 수 있다. 상기 제2 광 추출부(132b)는 상기 제1 광 추출부(130a)보다 상기 제2 금속의 함량이 더 낮을 수 있다. 이로 인해, 상기 제2 광 추출부(132b)의 굴절률이 상기 제1 광 추출부(130a)의 굴절률보다 낮을 수 있다.The first light extracting unit 130a and the second light extracting unit 132b may include a first metal and a second metal. The second light extracting unit 132b may have a lower content of the second metal than the first light extracting unit 130a. Accordingly, the refractive index of the second light extracting unit 132b may be lower than that of the first light extracting unit 130a.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광 추출부(130a) 및 상기 제2 광 추출부(132b)는 상기 제1 금속 및 제2 금속의 산화물을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속이 아연이고, 상기 제2 금속이 주석인 경우, 상기 제1 광 추출부(130a) 및 상기 제2 광 추출부(132b)는 아연 주석 산화물로 형성될 수 있다. According to an exemplary embodiment, the first light extracting unit 130a and the second light extracting unit 132b may include an oxide of the first metal and the second metal. If the first metal is zinc and the second metal is tin, the first light extracting part 130a and the second light extracting part 132b may be formed of zinc tin oxide.

이하, 계속해서, 도 5를 참조하여 상술된 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 소자의 제조 방법이 설명된다.Hereinafter, a method of manufacturing the light emitting device according to the third embodiment of the present invention described above with reference to Fig. 5 will be described.

도 5를 참조하면, 도 1을 참조하여 설명된 방법으로, 상기 기판(100) 상에 상기 도핑되지 않은 반도체층(105), 상기 제1 반도체층(110), 상기 활성층(115), 및 상기 제2 반도체층(120)이 차례로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5, the non-doped semiconductor layer 105, the first semiconductor layer 110, the active layer 115, and the second semiconductor layer 110 are formed on the substrate 100, And the second semiconductor layer 120 may be sequentially formed.

일 실시 예에 따르면, 상기 광 추출부(136)는, 상기 제2 반도체층(120) 및 상기 활성층(115)을 식각하여, 상기 제1 반도체층(110)이 노출된 후, 상기 제2 반도체층(120) 상에 형성될 수 있다. 또는, 다른 실시 예에 따르면, 상기 광 추출부(136)가 상기 제2 반도체층(120) 상에 형성된 후, 상기 광 추출부(136), 상기 제2 반도체층(120), 및 상기 활성부(115)가 식각되어, 상기 제1 반도체층(110)이 노출될 수 있다.According to an embodiment, the light extracting unit 136 may etch the second semiconductor layer 120 and the active layer 115 to expose the first semiconductor layer 110, Layer 120 may be formed. Alternatively, according to another embodiment, after the light extracting unit 136 is formed on the second semiconductor layer 120, the light extracting unit 136, the second semiconductor layer 120, The first semiconductor layer 110 may be etched to expose the first semiconductor layer 110.

상기 광 추출부(136)를 형성하는 단계는, 상기 제2 반도체층(120) 상에 상기 제1 광 추출부(130a)를 형성하는 단계, 및 상기 제1 광 추출부(130a) 상에 제2 광 추출부(132b)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the light extracting part 136 may include forming the first light extracting part 130a on the second semiconductor layer 120 and forming the first light extracting part 130b on the first light extracting part 130a. 2 light extracting unit 132b.

상기 제1 광 추출부(130a)를 제조하는 단계는, 도 1을 참조하여 설명된 것과 같이, 제1 금속 산화물 및 제2 금속 산화물을 이용하여 제1 및 제2 금속 산화물을 제조하는 단계, 및 상기 제1 및 제2 금속 산화물을 이용하여 상기 제2 반도체층(120) 상에 제1 물질막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. The step of fabricating the first light extracting portion 130a may include the steps of manufacturing the first and second metal oxides using the first metal oxide and the second metal oxide, as described with reference to FIG. 1, and And forming a first material layer on the second semiconductor layer 120 using the first and second metal oxides.

상기 제2 광 추출부(132b)를 형성하는 단계는, 상기 제1 광 추출부(130a) 상에 상기 제1 금속 산화물 및 상기 제2 금속 산화물을 이용하여 제1 및 제2 금속 산화물을 제조하는 단계, 상기 제1 및 제2 금속 산화물을 이용하여 상기 제1 물질막(상기 제1 광 추출부(130a)) 상에 제2 물질막을 형성하는 단계, 및 상기 제2 물질막을 선택적으로(selectively) 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 패터닝된 상기 제2 물질막이 상기 제2 광 추출부(132b)에 대응될 수 있다. 상기 제2 물질막은 식각 공정, 또는 스탬프 공정에 의해 선택적으로 패터닝될 수 있다.
The forming of the second light extracting portion 132b may include forming the first and second metal oxides using the first metal oxide and the second metal oxide on the first light extracting portion 130a Forming a second material layer on the first material layer (the first light extracting portion 130a) using the first and second metal oxides, and selectively forming a second material layer on the first material layer, And patterning. The patterned second material layer may correspond to the second light extracting portion 132b. The second material film may be selectively patterned by an etching process or a stamp process.

상술된 본 발명의 제3 실시 예와 달리, 본 발명의 제3 실시 예의 변형 예에 따르면, 복수의 막 형태의 광 추출부들 및 복수의 패턴 형태의 광 추출부들이 상기 제2 반도체층(120) 상에 배치될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여, 본 발명의 제3 실시 예의 변형 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법이 설명된다. According to a modification of the third embodiment of the present invention, a plurality of film-shaped light extractors and a plurality of pattern-shaped light extractors are formed on the second semiconductor layer 120, Lt; / RTI > Hereinafter, with reference to FIG. 6, a light emitting device and a manufacturing method thereof according to a modification of the third embodiment of the present invention will be described.

도 6은 본 발명의 제3 실시 예의 변형 예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 6 is a view for explaining a light emitting device and a method of manufacturing the same according to a modification of the third embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 도 1을 참조하여 설명된 기판(100), 도핑되지 않은 반도체층(105), 제1 반도체층(110), 활성층(115), 및 제2 반도체층(120)이 제공된다. Referring to FIG. 6, the substrate 100, the undoped semiconductor layer 105, the first semiconductor layer 110, the active layer 115, and the second semiconductor layer 120 described with reference to FIG. 1 are provided do.

상기 제2 반도체층(120) 상에 광 추출부(136)가 제공될 수 있다. 상기 광 추출부(136)는, 상기 제2 반도체층(120) 상에 배치된 막 형태의 광 추출부들(130a~130n), 및 상기 막 형태의 광 추출부들(130a~130n) 상에 배치된 패턴 형태의 광 추출부들(132a~132n)을 포함할 수 있다. A light extracting portion 136 may be provided on the second semiconductor layer 120. The light extracting unit 136 may include a plurality of film light extracting units 130a to 130n disposed on the second semiconductor layer 120 and a plurality of light extracting units 130a to 130n disposed on the film light extracting units 130a to 130n And may include pattern-shaped light extracting units 132a to 132n.

상기 막 형태의 광 추출부들(130a~130n) 및 상기 패턴 형태의 광 추출부들(132a~132n)은 제1 금속(예를 들어, 아연) 및 제2 금속(예를 들어, 주석)을 포함할 수 있다. 상기 막 형태의 광 추출부들(130a~130n) 및 상기 패턴 형태의 광 추출부들(132a~132n) 중에서 상대적으로 상기 제2 반도체층(120)에 인접한 것의 상기 제2 금속의 함량이, 상대적으로 상기 제2 반도체층(120)과 이격된 것의 상기 제2 금속의 함량보다 높을 수 있다. 다시 말하면, 상기 제2 반도체층(120)과의 거리가 멀수록, 상기 막 형태의 광 추출부들(130a~130n) 및 상기 패턴 형태의 광 추출부들(132a~132n)의 상기 제2 금속의 함량이 감소될 수 있다. The film-shaped light extractors 130a to 130n and the pattern-shaped light extractors 132a to 132n include a first metal (for example, zinc) and a second metal (for example, tin) . The content of the second metal of the film-type light extracting parts 130a to 130n and the pattern-type light extracting parts 132a to 132n, which are relatively adjacent to the second semiconductor layer 120, May be higher than the content of the second metal of the second semiconductor layer (120). In other words, as the distance from the second semiconductor layer 120 increases, the amount of the second metal in the film-shaped light extracting portions 130a to 130n and the pattern-shaped light extracting portions 132a to 132n Can be reduced.

상기 막 형태의 광 추출부들(130a~130n) 및 상기 패턴 형태의 광 추출부들(132a~132n)은 도 5를 참조하여 설명된 것과 같이, 제1 금속 산화물 및 제2 금속 산화물을 이용하여 물질막들을 제조하고, 상기 물질막들을 선택적으로 패터닝하여 제조될 수 있다.
The film-shaped light extracting units 130a to 130n and the pattern-shaped light extracting units 132a to 132n are formed by using the first metal oxide and the second metal oxide, as described with reference to FIG. 5, , And selectively patterning the material films.

이하, 상술된 본 발명의 실시 예들에 따른 발광 소자의 특성 평가 결과가 설명된다. Hereinafter, characteristics evaluation results of the light emitting device according to the embodiments of the present invention described above will be described.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 강도를 설명하기 위한 그래프이다. 7 is a graph illustrating the light emission intensity of the light emitting device according to the embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 질화 갈륨계 발광 다이오드를 준비하고, 상기 발광 다이오드 상에 아연 주석 산화물(ZnSnO) 박막을 형성한 후, 발광 강도를 측정하였다. Referring to FIG. 7, a gallium nitride-based light emitting diode was prepared, and a zinc tin oxide (ZnSnO) thin film was formed on the light emitting diode, and then the light emission intensity was measured.

아연 주석 산화물 박막을 형성하지 않은 reference와 비교하여, 아연 주석 산화물 박막을 형성한 경우, 발광 다이오드의 EL 강도(intensity)가 현저하게 증가되는 것을 확인할 수 있다. 즉, 발광 다이오드 상에 아연 주석 산화물 박막을 형성하는 것이 광 추출 효과를 향상시킬 수 있는 효과적인 방법임을 확인할 수 있다. It can be seen that the EL intensity of the light emitting diode is remarkably increased when zinc tin oxide thin film is formed as compared with a reference not forming the zinc tin oxide thin film. That is, it is confirmed that forming a zinc-tin oxide thin film on the light-emitting diode is an effective method for improving the light extraction effect.

도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 강도를 본 발명의 실시 예에 대한 비교 예에 따른 발광 소자의 발광 강도와 비교한 것이다.8 compares the light emission intensity of the light emitting device according to the embodiment of the present invention with the light emission intensity of the light emitting device according to the comparative example of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예로, 발광 다이오드 상에 차례로 배치된 제1 및 제2 광 추출부를 갖는 발광 소자를 준비하였다. 상기 제1 광 추출부는 제1 금속(아연) 및 제2 금속(주석) 산화물 막으로 형성하였다. 상기 제2 광 추출부는 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속 산화물 막으로 형성되되, 상기 제1 광 추출부보다 상기 제2 금속의 함량이 낮도록 형성하였다. 이에 따라, 제1 실시 예에 따른 발광 소자의 제2 광 추출부의 굴절률(2.3)이 상기 제1 광 추출부의 굴절률(2.4)보다 낮도록 구성되었다. Referring to FIG. 8, in a first embodiment of the present invention, a light emitting device having first and second light extracting portions arranged in turn on a light emitting diode is prepared. The first light extractor was formed of a first metal (zinc) and a second metal (tin) oxide film. The second light extracting portion is formed of the first metal and the second metal oxide film and has a lower content of the second metal than the first light extracting portion. Accordingly, the refractive index (2.3) of the second light extracting portion of the light emitting device according to the first embodiment is configured to be lower than the refractive index (2.4) of the first light extracting portion.

본 발명의 제2 실시 예로, 발광 다이오드 상에 차례로 배치된 제1 내지 제3 광 추출부를 갖는 발광 소자를 준비하였다. 상기 제1 광 추출부는 제1 금속(아연) 및 제2 금속(주석) 산화물 막으로 형성하였다. 상기 제2 광 추출부는 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속 산화물 막으로 형성되되, 상기 제1 광 추출부보다 상기 제2 금속의 함량이 낮도록 형성하였다. 상기 제3 광 추출부는 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속 산화물 막으로 형성되되, 상기 제2 광 추출부보다 상기 제2 금속의 함량이 낮도록 형성하였다. 이에 따라, 제2 실시 예에 따른 발광 소자의 제3 광 추출부의 굴절률(2.2)은 상기 제2 광 추출부의 굴절률(2.3)보다 낮고, 상기 제2 광 추출부의 굴절률(2.3)은 상기 제1 광 추출부의 굴절률(2.1)보다 낮도록 구성되었다. In a second embodiment of the present invention, a light emitting device having first to third light extracting portions arranged in turn on a light emitting diode is prepared. The first light extractor was formed of a first metal (zinc) and a second metal (tin) oxide film. The second light extracting portion is formed of the first metal and the second metal oxide film and has a lower content of the second metal than the first light extracting portion. The third light extracting portion is formed of the first metal and the second metal oxide film and has a lower content of the second metal than the second light extracting portion. Accordingly, the refractive index (2.2) of the third light extracting portion of the light emitting device according to the second embodiment is lower than the refractive index (2.3) of the second light extracting portion, and the refractive index (2.3) (2.1) of the extraction section.

본 발명의 제3 실시 예로, 발광 다이오드 상에 차례로 배치된 제1 내지 제5 광 추출부들을 갖는 발광 소자를 준비하였다. 제3 실시 예에 따른 상기 제1 내지 제5 광 추출부들은 제1 금속(아연) 및 제2 금속(주석) 산화물의 패턴(pattern) 형태로 형성되었다. 제3 실시 예에 따른 제1 내지 제5 광 추출부들은, 차례로 상기 제2 금속의 함량이 낮아지도록 형성되었다. 이에 따라, 제3 실시 예에 따른 제1 내지 제5 광 추출부들의 굴절률은 각각 2.4, 2.3, 2.2, 2.1, 및 2.0으로, 점차적으로 감소되도록 구성되었다. In a third embodiment of the present invention, a light emitting device having first to fifth light extracting portions arranged in turn on a light emitting diode is prepared. The first through fifth light extractors according to the third embodiment are formed in a pattern of a first metal (zinc) and a second metal (tin) oxide. The first to fifth light extracting parts according to the third embodiment are formed such that the content of the second metal is sequentially lowered. Accordingly, the refractive indexes of the first to fifth light extracting units according to the third embodiment are gradually reduced to 2.4, 2.3, 2.2, 2.1, and 2.0, respectively.

상술된 제1 내지 제3 실시 예들에 대한, 제1 비교 예로 광 추출부가 생략된 발광 다이오드를 준비하고, 제2 비교 예로 아연 주석 산화물 단일막이 형성된 발광 다이오드를 준비하였다.As a first comparative example, a light emitting diode in which the light extracting section was omitted was prepared for the first to third embodiments, and as a second comparative example, a light emitting diode having a zinc tin oxide single film was prepared.

도 8에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제1 내지 제3 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 강도가, 제1 및 제2 비교 예에 따른 발광 소자의 발광 강도보다 높은 것을 확인할 수 있다. 다시 말하면, 금속(예를 들어, 주석)의 함량을 조절하여, 굴절률이 점차적으로 감소되는 광 추출부들을 이용하는 것이, 발광 소자의 광 추출 효율을 향상시키는 효과적인 방법임을 확인할 수 있다.
As can be seen from FIG. 8, the light-emitting intensity of the light-emitting device according to the first to third embodiments of the present invention is higher than that of the light-emitting device according to the first and second comparative examples. In other words, it can be confirmed that it is an effective method to improve the light extraction efficiency of the light emitting device by using the light extracting portions whose refractive index is gradually decreased by adjusting the content of the metal (for example, tin).

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will also be appreciated that many modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

100: 기판
105: 도핑되지 않은 반도체층
110: 제1 반도체층
115: 활성층
120: 제2 반도체층
130a, 130b: 제1 및 제2 광 추출부
132a, 132b: 제1 및 제2 광 추출부
130, 132: 광 추출부100: substrate
105: undoped semiconductor layer
110: first semiconductor layer
115:
120: second semiconductor layer
130a and 130b: the first and second light-
132a and 132b: first and second light extracting units
130, 132: Light extracting unit

Claims (14)

기판 상의 제1 도전형의 제1 반도체층;
상기 제1 반도체층 상의 활성층;
상기 활성층 상의 제2 도전형의 제2 반도체층;
상기 제2 반도체층 상에 배치되고, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하는 제1 광 추출부; 및
상기 제1 광 추출부 상에 배치되고, 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속을 포함하되, 상기 제1 광 추출부보다 상기 제2 금속의 함량이 낮은 제2 광 추출부를 포함하는 발광 소자.
A first semiconductor layer of a first conductivity type on a substrate;
An active layer on the first semiconductor layer;
A second semiconductor layer of a second conductivity type on the active layer;
A first light extracting portion disposed on the second semiconductor layer, the first light extracting portion including a first metal and a second metal; And
And a second light extracting portion disposed on the first light extracting portion, the second light extracting portion including the first metal and the second metal, the second light extracting portion having a lower content of the second metal than the first light extracting portion.
제1 항에 있어서,
상기 제2 광 추출부의 굴절률이 상기 제1 광 추출부의 굴절률보다 낮은 것을 포함하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
And the refractive index of the second light extracting portion is lower than the refractive index of the first light extracting portion.
제1 항에 있어서,
상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부는 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속의 산화물을 포함하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first light extracting portion and the second light extracting portion comprise an oxide of the first metal and the second metal.
제1 항에 있어서,
상기 제1 금속은 아연(Zn)을 포함하고,
상기 제2 금속은 주석(Sn)을 포함하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first metal comprises zinc (Zn)
And the second metal comprises tin (Sn).
제1 항에 있어서,
상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부는 막(layer) 형태로 제공되는 것을 포함하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first light extracting portion and the second light extracting portion are provided in a form of a layer.
제1 항에 있어서,
상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부는, 패턴 형태로 제공되고,
상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부는 서로 동일한 폭을 갖는 것을 포함하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first light extracting unit and the second light extracting unit are provided in a pattern form,
Wherein the first light extracting portion and the second light extracting portion have the same width.
제1 항에 있어서,
상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부 중에서 어느 하나는 막 형태로 제공되고,
상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부 중에서 다른 하나는 패턴 형태로 제공되는 것을 포함하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein one of the first light extracting unit and the second light extracting unit is provided in a film form,
And the other of the first light extracting part and the second light extracting part is provided in a pattern form.
제1 항에 있어서,
상기 제2 광 추출부 상에 배치되고, 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속을 포함하되, 상기 제2 광 추출부보다 상기 제2 금속의 함량이 낮은 제3 광 추출부를 더 포함하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
And a third light extracting unit disposed on the second light extracting unit, the third light extracting unit including the first metal and the second metal, the third light extracting unit having a lower content of the second metal than the second light extracting unit.
제8 항에 있어서,
상기 제3 광 추출부의 굴절률이 상기 제2 광 추출부의 굴절률보다 낮은 것을 포함하는 발광 소자.
9. The method of claim 8,
And the refractive index of the third light extracting portion is lower than the refractive index of the second light extracting portion.
기판 상에 제1 도전형의 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형의 제2 반도체층을 차례로 형성하는 단계;
상기 제2 반도체층 상에 제1 금속 산화물 및 제2 금속 산화물을 이용하여, 제1 광 추출부를 형성하는 단계; 및
상기 제1 광 추출부 상에 상기 제1 금속 산화물 및 상기 제2 금속 산화물을 이용하여, 상기 제1 광 추출부보다 상기 제2 금속의 함량이 낮은 제2 광 추출부를 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
Sequentially forming a first semiconductor layer of a first conductivity type, an active layer, and a second semiconductor layer of a second conductivity type on a substrate;
Forming a first light extracting portion using a first metal oxide and a second metal oxide on the second semiconductor layer; And
And forming a second light extracting portion having a lower content of the second metal than the first light extracting portion using the first metal oxide and the second metal oxide on the first light extracting portion / RTI >
제10 항에 있어서,
상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부를 형성하는 단계는,
상기 제2 반도체층 상에, 상기 제1 금속 산화물 및 상기 제2 금속 산화물을 이용하여 제1 물질막(first material layer)을 형성하는 단계;
상기 제1 물질막 상에, 상기 제1 금속 산화물 및 상기 제2 금속 산화물을 이용하여, 상기 제1 물질막보다 상기 제2 금속의 함량이 낮은 제2 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the forming the first light extracting portion and the second light extracting portion comprises:
Forming a first material layer on the second semiconductor layer using the first metal oxide and the second metal oxide;
Forming a second material film having a lower content of the second metal than the first material film on the first material film by using the first metal oxide and the second metal oxide; Gt;
제11 항에 있어서,
상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부를 형성하는 단계는,
상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the forming the first light extracting portion and the second light extracting portion comprises:
And patterning the first material layer and the second material layer.
제12 항에 있어서,
상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막을 패터닝하는 단계는,
상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막을 식각하거나, 또는 스탬프(stamp)하는 것을 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein patterning the first material film and the second material film comprises:
And etching or stamping the first material film and the second material film.
제12 항에 있어서,
상기 제1 광 추출부 및 상기 제2 광 추출부를 형성하는 단계는,
상기 제2 물질막을 선택적으로 패터닝하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the forming the first light extracting portion and the second light extracting portion comprises:
And selectively patterning the second material layer.
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