KR20160046364A - 기판 처리용 온도측정장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판을 처리하기 위해 기판의 온도를 측정하는 기판 처리용 온도측정장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치에 관한 것으로서, 기판을 가열하는 히터부와, 이 히터부에 의해 가열된 기판의 온도를 측정하도록 복수개의 측정유닛이 배치된 온도측정부와, 이 온도측정부를 보호하는 보호부와, 온도측정부의 측정결과에 따라 히터부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 기판의 하부에 온도측정부를 설치하고 온도측정부를 보호하도록 보호부를 설치하고 히터부의 가열온도를 제어함으로써, 기판의 처리시 고온상태를 측정하는 온도측정부를 고온에 의한 손상을 방지할 수 있고 기판의 가열온도를 제어하여 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
Description
본 발명은 기판 처리용 온도측정장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 처리하기 위해 기판의 온도를 측정하는 기판 처리용 온도측정장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 제조를 위해서는 기판 상에 다층의 박막을 형성하는데 있어 식각 및 세정 공정은 필수적이다.
매엽식 습식 식각 및 세정 장치 등과 같은 기판 액처리 장치는, 기판을 지지하는 척이 설치된 테이블을 회전시키면서, 처리액을 기판에 공급하여 식각, 세정 및 건조 공정을 수행하고, 테이블 둘레에 컵 구조를 갖는 처리액 회수부를 이용하여 처리액을 회수한다.
한편, 기판에 증착된 질화막, 산화막, 금속막 등의 박막이나 포토레지스트 등을 기판으로부터 제거함에 있어 처리 효율을 향상시키기 위한 목적으로, 기판의 상부 또는 테이블의 하부에 히터를 설치하거나, 처리액의 온도를 고온으로 가열하여 분사하거나, 가열 후 분사 직전에 처리액의 혼합으로 발생하는 반응열을 이용하는 방법으로 고온에서 액처리하였다.
그러나, 이러한 종래의 기판 액처리 장치는, 기판의 온도를 히터에 의해 고온으로 가열하며 기판의 가열온도를 센서로 측정하게 되며 기판의 고온상태를 측정하게 되므로, 센서가 고온에 의해 손상되거나 처리액에 의해 오염되어 측정효율이 저하되는 문제가 있었다.
또한, 기판의 가열온도에 대한 제어가 기판의 크기에 따라 적절하게 조절되지 않아 기판의 가열온도의 이상에 따라 기판의 처리불량이 발생하는 문제점이 있었다.
또한, 기판의 가열온도를 측정하기 위해 기판의 온도를 1곳에서만 측정하여 온도측정의 정밀도가 저하되어 기판의 온도가 불균일하게 되어 액처리 효율이 저하되는 문제점도 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출한 것으로서, 기판의 처리시 고온상태를 측정하는 온도측정부를 고온에 의한 손상을 방지할 수 있고 기판의 가열온도를 제어하여 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리용 온도측정장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 온도측정부의 열손상을 방지하는 동시에 온도측정의 정밀도를 향상시킬 수 있는 기판 처리용 온도측정장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 가열시간을 단축시키는 동시에 기판을 균일하게 가열하여 가열효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리용 온도측정장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 테이블부의 회전부위의 사이즈를 감소시켜 회전구동력을 절감하는 동시에 회전속도의 제어가 용이하게 되는 기판 처리용 온도측정장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 처리면의 다양한 부위에 대한 온도측정이 가능하게 되는 기판 처리용 온도측정장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 온도측정부의 미사용시 열손상을 방지하고 온도측정 전후에 세정하여 온도측정부의 수명을 연장시키는 동시에 온도측정효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리용 온도측정장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판을 처리하기 위해 기판의 온도를 측정하는 온도측정장치로서, 기판을 가열하는 히터부; 상기 히터부에 의해 가열된 기판의 온도를 측정하도록 복수개의 측정유닛이 배치된 온도측정부; 상기 온도측정부를 보호하는 보호부; 및 상기 온도측정부의 측정결과에 따라 상기 히터부를 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 히터부는 기판의 상부에 설치되어 있고, 상기 온도측정부는 기판의 하부에 설치되어 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 히터부는, 기판의 처리면 크기 이상의 대향면을 갖도록 형성되며, 상기 대향면에 복수개의 램프유닛이 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 온도측정부는, 기판의 하부에서 기판을 지지하는 테이블부에 설치되어 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 테이블부는, 기판을 지지하여 회전시키는 회전테이블; 및 상기 회전테이블의 중앙부위에 고정 설치되며 기판의 처리면 크기 보다 작은 대향면을 가지는 고정테이블;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 온도측정부는, 복수개의 측정유닛이 기판의 처리면 내에 위치하도록 상기 고정테이블의 대향면에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 보호부에는, 상기 측정유닛의 세정을 위한 세정노즐이 구비되어 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 보호부에는, 상기 측정유닛을 보호하도록 보호커버가 구비되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치로서, 기판을 지지하여 회전시키는 테이블부; 상기 기판에 처리액을 분사하는 분사부; 상기 기판에 분사된 처리액을 회수하는 회수부; 상기 기판을 가열하는 히터부; 상기 히터부에 의해 가열된 기판의 온도를 측정하는 온도측정부; 상기 온도측정부를 보호하는 보호부; 및 상기 온도측정부의 측정결과에 따라 상기 히터부를 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 테이블부는 상기 기판의 처리면을 상부로 향하도록 지지하고, 상기 분사부는 상기 기판의 처리면에 처리액을 분사하도록 상기 기판의 상부에 설치되어 있고, 상기 히터부는 상기 기판과 처리액을 가열하도록 상기 기판의 상부에 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 기판의 하부에 온도측정부를 설치하고 온도측정부를 보호하도록 보호부를 설치하고 히터부의 가열온도를 제어함으로써, 기판의 처리시 고온상태를 측정하는 온도측정부를 고온에 의한 손상을 방지할 수 있고 기판의 가열온도를 제어하여 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 기판의 상부에 히터부를 설치하고 기판의 하부에 온도측정부를 설치함으로써, 온도측정부의 열손상을 방지하는 동시에 온도측정의 정밀도를 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 히터부로서 기판의 크기 이상의 대향면에 복수개의 램프유닛을 배치함으로써, 기판의 가열시간을 단축시키는 동시에 기판을 균일하게 가열하여 가열효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 테이블부로서 회전테이블과 고정테이블을 구비하고 고정테이블에 온도측정부를 설치함으로써, 테이블부의 회전부위의 사이즈를 감소시켜 회전구동력을 절감하는 동시에 회전속도의 제어가 용이하게 된다.
또한, 온도측정부를 기판의 처리면 이하의 대향면에 복수개의 측정유닛을 배치함으로써, 기판의 처리면의 다양한 부위에 대한 온도측정이 가능하게 된다.
또한, 온도측정부의 보호부로서 세정노즐과 보호커버를 설치함으로써, 온도측정부의 미사용시 열손상을 방지하고 온도측정 전후에 세정하여 온도측정부의 수명을 연장시키는 동시에 온도측정효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 온도측정장치를 나타내는 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 온도측정장치를 나타내는 상세도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 온도측정장치의 커버부를 나타내는 상세도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 온도측정장치를 구비한 기판 액처리 장치를 나타내는 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 온도측정장치를 나타내는 상세도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 온도측정장치의 커버부를 나타내는 상세도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 온도측정장치를 구비한 기판 액처리 장치를 나타내는 구성도.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 더욱 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 온도측정장치를 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 온도측정장치를 나타내는 상세도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 온도측정장치의 커버부를 나타내는 상세도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 온도측정장치를 구비한 기판 액처리 장치를 나타내는 구성도이다.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 기판 처리용 온도측정장치는, 히터부(10), 온도측정부(20), 보호부(30) 및 제어부(40)를 포함하여 이루어져, 기판(W)을 처리하기 위해 기판(W)의 온도를 측정하는 기판 처리용 온도측정장치이다.
히터부(10)는, 기판 처리용 챔버의 내부에 설치된 테이블부에 지지되어 회전되는 기판(W)을 가열하는 가열수단으로서, 기판(W)의 상부에 설치되어 기판(W)의 처리면 크기 이상의 대향면을 갖도록 형성되며, 히터부(10)의 대향면에는 복수개의 램프유닛(11)이 배치되어 있는 것이 바람직하다.
이러한 램프유닛은, 적외선 파장을 방사하는 램프로서 칸탈 램프, 할로겐 램프, 텅스텐 램프 등과 같은 다양한 적외선 램프를 사용하는 것이 가능하지만, 본 실시예에서는 기판의 액처리를 위해 500℃ 이상으로 발열하는 텅스텐-할로겐 램프를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
온도측정부(20)는, 히터부(10)에 의해 가열된 기판(W)의 온도를 측정하도록 하나 이상의 측정유닛(21)이 배치된 온도측정수단으로서, 기판(W)의 하부에 설치되어 있는 것이 바람직하다.
이러한 측정유닛(21)은, 본 실시예에서 제1 온도센서(21a), 제2 온도센서(21b), 제3 온도센서(21c), 제4 온도센서(21d)와 같이 4개의 온도센서로 이루어져 있다.
측정유닛(21)의 온도센서는 수직방향에 해당하는 기판 위치의 온도를 측정하도록 설치된 비접촉식 온도센서로서, 적외선 온도센서, 서모파일 온도센서, 초전형 온도센서 등과 같이 다양한 비접촉식 온도센서를 사용하는 것이 가능하지만, 본 실시예에서는 기판의 액처리시 고온상태의 기판의 가열온도를 비접촉상태로 측정하도록 비접촉식 적외선 방사 온도계로서 파이로미터(pyrometer)와 같은 적외선 온도센서를 사용하는 것이 바람직하다.
이러한 복수개의 측정유닛(21)은, 기판(W)의 처리면 내에 위치하도록 테이블부의 대향면에 배치되어 있고, 테이블부의 대향면의 중심을 기준해서 이격거리가 서로 다르게 배치되어 있는 것이 바람직하다.
구체적으로, 테이블부의 대향면의 중심을 기준해서 제1 온도센서(21a)와의 제1 이격거리(r1)가 제2 온도센서(21b)의 제2 이격거리(r2)와 서로 다르도록 제1 온도센서(21a)와 제2 온도센서(21b)가 테이블부의 대향면에 배치되어 있다.
또한, 이러한 측정유닛(21)은, 측정유닛 사이의 이격거리가 측정유닛의 직경 보다 크게 배치되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로 제3 온도센서(21c)와 제4 온도센서(21d) 사이의 이격거리(d2)는 제4 온도센서(21d)의 직경(d1) 보다 크도록 제3 온도센서(21c)와 제4 온도센서(21d)가 테이블부의 대향면에 배치되어 있다.
또한, 이러한 온도센서는, 회전되는 기판(W)의 처리면 둘레를 따라 기판(W)의 가열온도를 측정하도록 테이블부의 대향면의 반경의 소정위치에 복수개가 어긋나게 배치되거나 반경을 따라 복수개가 등간격으로 일렬로 배치되는 것도 가능함은 물론이다.
또한, 본 실시예의 온도측정부(20)는, 기판(W)의 하부에서 기판(W)을 지지하도록 테이블부에 설치되어 있는 것이 바람직하다.
테이블부는, 기판 처리용 챔버의 내부에 설치되어 챔버의 내부에 기판(W)을 지지하여 회전시키는 회전지지부재로서, 회전테이블(110)과 고정테이블(120)로 이루어져 있다.
회전테이블(110)은, 기판을 지지하여 회전시키는 회전부재로서, 원판 형상의 반도체 웨이퍼로 이루어진 기판(W)을 지지하도록 원형으로 형성되어 외곽 둘레에 복수개의 고정핀(111)이 등간격으로 이격 설치되어 있다. 본 실시예의 고정핀(111)은, 원판 형상의 반도체 웨이퍼를 수평으로 유지하면서 3점 지지하도록 3개의 고정핀으로 이루어져 있는 것이 바람직하다.
이러한 회전테이블(110)에는 별도로 구비된 회전구동수단에 연결되어, 기판(W)을 일정속도로 회전시켜 유지하게 되며, 회전테이블(110)의 회전속도는 기판(W)에 분사되는 처리액의 투입량과 액처리 속도 등을 고려하여 소정값으로 유지하게 된다.
또한, 회전테이블(110)은, 기판(W)의 처리면을 상방으로 향하도록 척킹 지지하여 회전시키거나 기판(W)의 처리면을 하방으로 향하도록 척킹 지지하여 회전시키는 것도 가능함은 물론이다.
특히, 본 실시예의 회전테이블(110)은, 기판(W)의 상부에서 처리액을 분사하도록 기판(W)의 처리면을 상방으로 향하도록 척킹하여 지지하는 것이 바람직하다. 또한, 기판(W)의 사이즈에 따라 테이블부에서 회전테이블(110)을 교체하여 다양한 사이즈의 기판(W)의 액처리가 가능하게 되는 것도 가능함은 물론이다.
고정테이블(120)은, 회전테이블(110)의 중앙부위에 고정 설치되며 기판(W)의 처리면 크기 보다 작은 대향면을 가지는 고정부재로서, 원판 형상의 반도체 웨이퍼로 이루어진 기판(W)의 하부에 설치되도록 원형으로 형성되어 있다.
보호부(30)는, 온도측정부(20)의 둘레에 설치되어 온도측정부(20)를 보호하는 보호수단으로서, 측정유닛(21)의 미사용시 보호하고 측정유닛(21)을 사용후 세정하도록 보호커버(31)와 세정노즐(32)로 이루어져 있다.
보호커버(31)는, 도 3에 나타낸 바와 같이 온도측정부(20)의 측정유닛(21)의 측정부위에 설치되어, 측정유닛(21)의 미사용시에 측정유닛(21)을 보호하도록 측정유닛(21)의 측정부위를 커버링하게 된다.
본 실시예의 보호커버(31)는, 도 2에 나타낸 바와 같이 각각의 제1 내지 제4 온도센서(21a, 21b, 21c, 21d)를 보호하도록 각각에 대응되도록 제1 내지 제4 커버(31a, 31b, 31c, 31d)로 이루어져 있는 것이 바람직하다.
세정노즐(32)은, 측정유닛(21)의 온도측정 전후에 측정유닛(21)의 측정부위를 세정하거나 테이블부를 냉각시키도록 세정액 또는 냉각액이나 세정가스 또는 냉각가스, 미스트 등를 분사하는 측정유닛(21)의 보호수단으로서, 측정유닛(21)이나 테이블부에 세정액이나 냉각액을 분사하는 하나 이상의 액노즐과, 측정유닛(21)이나 테이블부에 세정가스, 냉각가스, 미스트 등을 분사하는 하나 이상의 가스노즐로 이루어지는 것도 가능함은 물론이다.
제어부(40)는, 온도측정부(20)의 측정결과에 따라 히터부(10)를 제어하는 제어수단으로서, 기판(W)에 처리액을 분사하기 전에 기판(W)을 소정온도로 가열시키거나, 기판(W)에 처리액을 분사한 후에 기판(W)과 처리액을 소정온도로 가열시키게 된다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 실시예의 기판 처리용 온도측정장치를 구비한 기판 액처리 장치를 더욱 상세히 설명한다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 기판 처리용 온도측정장치를 구비한 기판 액처리 장치는, 테이블부, 분사부(130), 회수부(140), 히터부(10), 온도측정부(20), 보호부(30) 및 제어부(40)를 포함하여 이루어져, 기판에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치이다.
본 실시예의 기판 액처리 장치의 테이블부, 히터부(10), 온도측정부(20), 보호부(30) 및 제어부(40)는, 상기 실시예의 기판 처리용 온도측정장치의 테이블부, 히터부(10), 온도측정부(20), 보호부(30) 및 제어부(40)와 동일한 구성이므로, 본 실시예에서는 동일한 도면번호를 부여하고 구체적인 설명을 생략한다.
분사부(130)는, 식각액이나 세정액 등과 같은 기판의 처리액을 액상이나 미스트로 기판(W)에 분사하는 공급수단으로서, 테이블부의 회전테이블(110)에 기판(W)의 처리면을 상방으로 향하도록 척킹하여 지지하는 경우에는 기판(W)의 상부에 설치되어 있고, 테이블부의 회전테이블(110)에 기판(W)의 처리면을 하방으로 향하도록 척킹하여 지지하는 경우에는 기판(W)의 하부에 설치되어 있는 것도 가능함은 물론이다.
이러한 본 실시예의 분사부(130)는, 테이블부의 고정테이블(120)에 기판(W)의 처리면을 상방으로 향하도록 척킹하여 지지하도록 기판(W)의 상부에서 처리액을 분사하여 공급하는 것이 바람직하다.
회수부(140)는, 테이블부(120)의 외곽 둘레에 설치되어 기판(W)에 분사된 처리액을 회수하는 회수수단으로서, 기판(W)의 처리면에 분사된 처리액이 기판(W)의 회전시 원심력에 의해 외곽둘레를 따라 배출되므로, 이를 회수하도록 원통형상의 컵형상으로 형성되어 있다.
또한, 이러한 회수부(140)는, 기판(W)의 처리면에 공급되는 처리액이 다양한 경우에 이들을 각각 회수하도록 동심원 형상으로 형성된 복수개의 컵형상으로 이루어져 있는 것도 가능함은 물론이다.
특히, 이러한 회수부(140)는, 테이블부와 서로 상대 이동하도록 설치되어 기판(W)에 분사되는 처리액이 다양한 경우에 서로 상대이동하여 처리액 별로 회수하도록 설치되어 있는 것이 더욱 바람직하다.
따라서, 본 실시예의 기판 액처리 장치는, 테이블부의 고정테이블(120)에 기판(W)의 처리면을 상부로 향하도록 지지하고, 분사부(130)가 기판(W)의 처리면에 처리액을 분사하도록 기판(W)의 상부에 설치되어 있고, 히터부가 기판(W)과 처리액을 가열하도록 기판(W)의 상부에 설치되어 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 기판의 하부에 온도측정부를 설치하고 온도측정부를 보호하도록 보호부를 설치하고 히터부의 가열온도를 제어함으로써, 기판의 처리시 고온상태를 측정하는 온도측정부를 고온에 의한 손상을 방지할 수 있고 기판의 가열온도를 제어하여 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 기판의 상부에 히터부를 설치하고 기판의 하부에 온도측정부를 설치함으로써, 온도측정부의 열손상을 방지하는 동시에 온도측정의 정밀도를 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 히터부로서 기판의 크기 이상의 대향면에 복수개의 램프유닛을 배치함으로써, 기판의 가열시간을 단축시키는 동시에 기판을 균일하게 가열하여 가열효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 테이블부로서 회전테이블과 고정테이블을 구비하고 고정테이블에 온도측정부를 설치함으로써, 테이블부의 회전부위의 사이즈를 감소시켜 회전구동력을 절감하는 동시에 회전속도의 제어가 용이하게 된다.
또한, 온도측정부를 기판의 처리면 이하의 대향면에 복수개의 측정유닛을 배치함으로써, 기판의 처리면의 다양한 부위에 대한 온도측정이 가능하게 된다.
또한, 온도측정부의 보호부로서 세정노즐과 보호커버를 설치함으로써, 온도측정부의 미사용시 열손상을 방지하고 온도측정 전후에 세정하여 온도측정부의 수명을 연장시키는 동시에 온도측정효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
이상 설명한 본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서 상기 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안 된다.
10: 히터부
20: 온도측정부
30: 보호부 40: 제어부
110: 회전테이블 120: 고정테이블
130: 분사부 140: 회수부
30: 보호부 40: 제어부
110: 회전테이블 120: 고정테이블
130: 분사부 140: 회수부
Claims (10)
- 기판을 처리하기 위해 기판의 온도를 측정하는 온도측정장치로서,
기판을 가열하는 히터부;
상기 히터부에 의해 가열된 기판의 온도를 측정하도록 복수개의 측정유닛이 배치된 온도측정부;
상기 온도측정부를 보호하는 보호부; 및
상기 온도측정부의 측정결과에 따라 상기 히터부를 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 온도측정장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 히터부는 기판의 상부에 설치되어 있고, 상기 온도측정부는 기판의 하부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 온도측정장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 히터부는, 기판의 처리면 크기 이상의 대향면을 갖도록 형성되며, 상기 대향면에 복수개의 램프유닛이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 온도측정장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 온도측정부는, 기판의 하부에서 기판을 지지하는 테이블부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 온도측정장치. - 제 4 항에 있어서
상기 테이블부는,
기판을 지지하여 회전시키는 회전테이블; 및
상기 회전테이블의 중앙부위에 고정 설치되며 기판의 처리면 크기 보다 작은 대향면을 가지는 고정테이블;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 온도측정장치. - 제 5 항에 있어서
상기 온도측정부는, 복수개의 측정유닛이 기판의 처리면 내에 위치하도록 상기 고정테이블의 대향면에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 온도측정장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 보호부에는, 상기 측정유닛의 세정을 위한 세정노즐이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 온도측정장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 보호부에는, 상기 측정유닛을 보호하도록 보호커버가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 온도측정장치. - 기판에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치로서,
기판을 지지하여 회전시키는 테이블부;
상기 기판에 처리액을 분사하는 분사부;
상기 기판에 분사된 처리액을 회수하는 회수부;
상기 기판을 가열하는 히터부;
상기 히터부에 의해 가열된 기판의 온도를 측정하는 온도측정부;
상기 온도측정부를 보호하는 보호부; 및
상기 온도측정부의 측정결과에 따라 상기 히터부를 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 테이블부는 상기 기판의 처리면을 상부로 향하도록 지지하고,
상기 분사부는 상기 기판의 처리면에 처리액을 분사하도록 상기 기판의 상부에 설치되어 있고,
상기 히터부는 상기 기판과 처리액을 가열하도록 상기 기판의 상부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
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Cited By (1)
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DE102017003670A1 (de) | 2016-04-15 | 2017-10-19 | Mando Corporation | Parkassistenzvorrichtung für ein Fahrzeug und Einparksteuerungsverfahren davon |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002203804A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、当該加熱装置を有する熱処理装置、及び、熱処理制御方法 |
KR100438639B1 (ko) * | 2002-05-14 | 2004-07-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 온도를 측정하기 위한 열전대 및 이를 갖는반도체 기판 온도 제어 장치 |
WO2014157179A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2014
- 2014-10-20 KR KR1020140141660A patent/KR102111980B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002203804A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、当該加熱装置を有する熱処理装置、及び、熱処理制御方法 |
KR100438639B1 (ko) * | 2002-05-14 | 2004-07-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 온도를 측정하기 위한 열전대 및 이를 갖는반도체 기판 온도 제어 장치 |
WO2014157179A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017003670A1 (de) | 2016-04-15 | 2017-10-19 | Mando Corporation | Parkassistenzvorrichtung für ein Fahrzeug und Einparksteuerungsverfahren davon |
DE102017003670B4 (de) | 2016-04-15 | 2024-03-28 | Hl Klemove Corp. | Parkassistenzvorrichtung für ein Fahrzeug und Einparksteuerungsverfahren davon |
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