TW201523785A - 基板支撐系統 - Google Patents

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Abstract

一種用於基板處理腔室的基板支撐系統之方法與設備，該腔室包括封閉處理區域的腔室主體、至少部分設置在處理區域中的主要基板支撐件與次要基板支撐件，次要基板支撐件外接主要基板支撐件，其中該主要基板支撐件與該次要基板支撐件中的一個或兩個相對於另一個係線性可移動的，且該主要基板支撐件相對於該次要基板支撐件係可旋轉的。

Description

基板支撐系統
本發明揭露之實施例一般係關於用於處理腔室的基板支撐系統。更特定言之，本發明所述的實施例關於一種基板支撐系統，其中在基板上量測的非均勻性可藉由使用基板支撐系統而相對基座移動基板或相對基板移動基座中的一個或組合而得以平均(即更接近基準)。
積體電路經發展而成為可以在單一晶片上包含數以百萬計個元件(如電晶體、電容器、電阻器或其類似物)的複雜裝置。晶片設計的發展不斷地需要更快的電路以及更大的電路密度。更大電路密度的需求迫使積體電路元件尺寸減小。此等裝置特徵的最小尺寸在所屬領域中通常被稱為臨界尺寸。臨界尺寸一般包括特徵的最小寬度(如線、欄、開口、線之間的間隔與裝置/薄膜厚度)及其類似物。隨著此等臨界尺寸縮小，準確的量測與過程控制變得更為困難。
在受控制的環境中(如處理腔室，其中基板經傳遞用於處理)執行此等元件的形成。處理腔室通常包括在形成期間支撐基板的基座。基座可被加熱、冷卻、作為電極、可 以旋轉與(或)垂直位移與(或)角位移，及以上各者的組合。加熱、冷卻與(或)電偏壓(統稱「基板處理性質」)在跨基板的面應該係均勻的以利於跨基板的均勻狀況以及均勻處理(如沉積、蝕刻及其他過程)。
然而，基座可不確實地執行傳遞在基板上量測良好的基板處理性質。如一個示範例，基座的溫度可係非均勻的而導致跨基板的非均勻溫度。基座可包括具有獨立溫度控制方法的區域，而基座可不在跨基板的全部表面區域有效地傳遞熱能。因此，基板的一或多個區域可相較於基板的其他區域而在不同的溫度，導致基板的非均勻溫度與非均勻處理。非均勻的可能性亦可延伸到其他基板處理性質，如用於電漿處理的射頻(RF)或直流(DC)應用，以及在基板處理期間基座可提供的其他功能。
因此，在所屬領域中，對於可最小化在積體電路製造中的基板處理性質的非均勻性之基板支撐系統係有其需要的。
本發明揭露一般係關於用於在基板處理腔室使用的基板支撐系統之方法與設備。在一個實施例中，提供一處理腔室。該腔室包括封閉處理區域的腔室主體、至少部分設置在處理區域中的主要基板支撐件與次要基板支撐件，次要基板支撐件外接主要基板支撐件，其中該主要基板支撐件與該次要基板支撐件中的一個或兩個相對於另一個係線性可移動的，且該主要基板支撐件相對於該次要基板支撐件係可旋轉 的。
在另一個實施例中，提供一種基板處理腔室。腔室包括封閉處理區域的腔室主體、設置在處理區域中以支撐基板的主要表面之基座，及設置在處理區域中的邊緣支撐構件，當基板的主要表面不被基座支撐時，邊緣支撐構件用於間歇性地支撐基板的邊緣，其中基座相對於邊緣支撐構件係可旋轉的。
在另一個實施例中，提供一種用於在基板製造過程期間補償基板處理性質的非均勻性之方法。該方法包括將基板傳遞到設置在處理腔室中的基座，將基板定位在基座支撐表面上的第一位置，當監測基板上的基板處理性質時處理基板，及當基板處理性質在預期值之外時，將支撐表面上的基板重新定位到不同於第一位置的第二位置。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧基板支撐系統
104‧‧‧腔室主體
106‧‧‧蓋部組件
108‧‧‧處理空間
109‧‧‧機械葉片
110‧‧‧基板
112‧‧‧埠
113‧‧‧主要基板支撐件
114‧‧‧基座
115‧‧‧次要基板支撐件
116‧‧‧邊緣支撐構件
118‧‧‧支撐表面
120‧‧‧嵌入式元件
121‧‧‧軸
122‧‧‧基座主體
124‧‧‧感測器
126A‧‧‧致動器
126B‧‧‧致動器
128‧‧‧噴頭組件
130‧‧‧真空系統
132‧‧‧處理氣體源
134‧‧‧溫度控制元件
136‧‧‧冷卻劑源
138‧‧‧槽
140B‧‧‧電源元件
140‧‧‧電源元件
142‧‧‧銷
144‧‧‧線性驅動
146‧‧‧升舉環
147‧‧‧外周肩部區域
202‧‧‧基板支撐系統
203‧‧‧次要基板支撐件
204‧‧‧邊緣支撐構件
206‧‧‧切斷區域
208‧‧‧底表面
216A‧‧‧致動器
400‧‧‧次要基板支撐件
405‧‧‧致動器
500‧‧‧方法
本發明揭露之特徵已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之討論，可以藉由參考所附圖式中繪示之本發明實施例以作瞭解。然而，值得注意的是，所附圖式只繪示了本發明的典型實施例，而由於本發明可允許其他等效之實施例，所附圖式並不會視為本發明範圍之限制。
第1圖係具有基板處理系統的一個示範例設置於其中的處理腔室之側面截面圖。
第2圖係具有基板處理系統的另一個示範例設置於其中的處理腔室之側面截面圖。
第3圖係第2圖的基座之展開圖。
第4圖係圖示次要基板支撐件的另一個示範例之基座的部分之截面圖。
第5圖係圖示使用本發明所述基板支撐系統的方法之流程圖。
為便於理解，在可能的情況下，相同的元件符號用於代表圖示中相同的元件。可以考慮，一個實施例中揭露的元件可有效地用於其它實施例中而無需贅述。
本發明所述實施例係關於用於補償溫度、電偏壓、電磁能分佈的差異或可影響基板上均勻處理結果的其他非均勻性之基板支撐系統與相關之方法，其中基板由處理腔室中的基座支撐。在處理期間，溫度、電偏壓、電磁能分佈或可影響基座支撐的基板上均勻處理結果的其他非均勻現象被統稱為基板處理性質。在處理期間，非均勻基板處理性質的校正提供基板上的處理控制參數。在處理期間、在被處理基板的方位角均勻性的觀測期間，或兩者之組合，可藉由基板的監測而偵測非均勻性。發明系統與方法可在此等基板處理性質中的一或多個提供減少非均勻性，而在基板上結構的形成期間提供更有效率的處理控制。
第1圖係具有基板支撐系統102的一個實施例設置於其中的處理腔室100之側面截面圖。處理腔室100包括腔室主體104，腔室主體104含有側壁103、底部105與封閉處理空間108的蓋部組件106。基板支撐系統102至少部分設置在處理空間108中並支撐基板110，基板110已經透過形成於 腔室主體104中的埠112而被傳遞到處理空間108。
基板支撐系統102包括主要基板支撐件113(如基座114)與次要基板支撐件115(如邊緣支撐構件116)。次要基板支撐件115可用於間歇性地支撐主要基板支撐件113上的基板110。例如，基板110示於與第1圖中的基座114有一間隔的邊緣支撐構件116上。在處理期間，基板110靠近或接觸基座114。例如，基座114包括支撐表面118，在處理期間，支撐表面118經調整而接觸(或靠近)基板110的主要表面。因此，基座114作為用於處理腔室100中的基板110之主要支撐結構。
基座114與邊緣支撐構件116中的至少一個相對於其他一個係可移動的。在處理位置中，邊緣支撐構件116靠近於基座114且邊緣支撐構件116可外接(即圍繞)基座114使得基板110的下表面由基座114支撐。在一個實施例中，基座114可相對於邊緣支撐構件116移動。在一個示範例中，邊緣支撐構件116可至少固定在X-Z(水平)平面中，且基座114透過軸121與致動器126A旋轉地耦接，軸121提供垂直運動(在Z方向)、旋轉運動(繞軸A)中的一個或結合，及亦可提供角運動(相對於軸A)。可由致動器126A提供垂直運動以允許將基板110從邊緣支撐構件116傳遞到支撐表面118。在另一個實施例中，邊緣支撐構件116可透過一或多個支撐構件(以下有更詳盡之描述)與致動器126B耦接，而提供邊緣支撐構件116至少垂直的運動(Z方向)。因此，邊緣支撐構件116可相對於基座114移動。可由致動器126B提 供垂直運動以允許下降邊緣支撐構件116並將基板110傳遞到支撐表面118。在另一個實施例中，致動器126A與126B所提供運動的組合可被提供以利於支撐表面118與邊緣支撐構件116間基板110的傳遞。
處理腔室100可係沉積腔室、蝕刻腔室、離子植入腔室、電漿處理腔室，或熱處理腔室等等。在所示實施例中，處理腔室係沉積腔室且包括噴頭組件128。處理空間108可與真空系統130選擇性流體連接以控制其內部壓力。噴頭組件128可與處理氣體源132耦接而將處理氣體提供到處理空間108以將材料沉積在基板110上。噴頭組件128亦可包括溫度控制元件134以控制噴頭組件128的溫度。溫度控制元件134可係與冷卻劑源136以流體連接的流體通道。
邊緣支撐構件116作為暫時基板支撐構件的功能。如需要，邊緣支撐構件116以相對於基座114的支撐表面118之一間隔而用於支撐基板110(如第1圖所示)，可利於在需要時將基板110相對於基座114的支撐表面118而重新定位。邊緣支撐構件116可包括形成於其內的凹部或槽133，其經調整大小而容納機械葉片109以利於機械基板傳遞進出處理空間108。
基座114可包括設置在基座主體122內的至少一個嵌入式溫度控制元件120。在一個實施例中，嵌入式溫度控制元件120可係加熱或冷卻元件或通道，用於將被基板110所吸收的熱能施於基座主體122。其他元件可設置在基座主體122上或嵌入於基座主體122內，如一或多個電極與(或)真 空埠。基板110的溫度可被一或多個感測器124監測。嵌入式溫度控制元件120可作區域控制使得基座主體122不同區域處的溫度可被獨立加熱或冷卻。然而，由於情有可原的因素，如基座114的瑕疵與(或)基板110的非均勻性，使得嵌入式溫度控制元件120無法將熱能均勻地施於整個支撐表面118與(或)基板110。這些情有可原的因素產生基板110的非均勻溫度，而導致基板的非均勻處理。
為解決可能存在於基板110表面上的熱非均勻性(可由監測基板110的溫度決定)，基板110可相對於支撐表面118而被重新定位。存在於基板110表面上的熱點或冷點表示基座主體122的支撐表面118中或上的熱點或冷點。在一個示範例中，基板藉由致動器126A與126B所提供的運動之一個或組合而從支撐表面118被傳遞到邊緣支撐構件116。邊緣支撐構件116以相對於所示基座114上的一間隔暫時支撐基板110，以允許相對於基板110的基座114之旋轉。此運動可用於重新部署存在於基座主體122的支撐表面118中或支撐表面118上的熱點或冷點(如監測基板110的溫度而決定)。基座114可旋轉小於約360度的角位移，舉例來說小於約180度，如介於約1度到小於約180度，或在這之間增加。在藉由旋轉基座114而重新部署基座主體122的支撐表面118中或支撐表面118上的熱點或冷點之後，基板110可藉由致動器126A與126B所提供的運動中的一個或組合而被替換到基座114的支撐表面118上。一旦基板110被替換完成，基板110上的冷點可被定位得更靠近基座114的支撐 表面118上的熱點，反之亦然。因此，基板110表面上的任意局部非均勻溫度分佈得以平均而提供跨全部基板的實質均勻溫度分佈(即是，+/-些微攝氏溫度)。
在另一個實施例中，基座114可係靜電夾頭且基座114可包括一或多個電極121。例如，基座114可與電源元件140耦接，電源元件140可係提供電源到一或多個電極121的電壓源。電壓源可係射頻(RF)控制器或直流(DC)控制器。在另一個示範例中，基座114可由導電材料製成且作為來自電源元件140B的用於射頻電源的接地路徑之功用，電源元件140B由噴頭組件128所分配。因此，處理腔室100可使用RF或DC電漿而執行沉積或蝕刻過程。因為這些類型的電漿可能無法完美的同心或對稱，RF或DC熱點(即電磁熱點)可存在於基板110上。這些電磁熱點可產生在基板110表面上的非均勻的沉積或非均勻的蝕刻速率。
為解決可能存在於基板110表面上的電磁熱點(可由觀測電漿護套決定)，基板110可根據前述過程使用邊緣支撐構件116相對於支撐表面118而被重新定位。例如，非均勻電漿護套可指示電漿中的非均勻能量分佈。基板110的重新定位用於重新分配任意電磁熱點，且基板110表面上的任意局部非均勻能量分佈得以平均因而提供跨基板平衡的能量分佈。
在沉積或蝕刻過程的處理期間，基座114通常被旋轉。然而，當基板110的位置相對於支撐表面118被修正時，經決定存在於基板110上的溫度分佈、電偏壓或電磁能分佈 的任何異常被修正。然而，相對於支撐表面118的基板110之運動藉由將溫度、電偏壓、電磁能分佈的差異作平均來補償溫度、電偏壓、電磁能分佈的差異，導致基板110上實質均勻的溫度分佈、電偏壓或電磁能分佈。
在一個實施例中，除了基座114，基板支撐系統102包括由一或多個銷142支撐的邊緣支撐構件116。一或多個銷142的至少一個可與線性驅動144直接耦接或與升舉環146耦接，如所示。此外，邊緣支撐構件116可係沉積環，當不用於支撐基板110時，提供屏蔽功能。例如，當基板110被基座114的支撐表面118支撐及邊緣支撐構件116至少部分環繞基座114時，邊緣支撐構件116可為腔室元件屏蔽沉積或蝕刻副產品。在一個實施例中，邊緣支撐構件116可在基板110處理期間與基板110保持部分接觸。在一個態樣中，邊緣支撐構件116可在處理期間(在處理期間基座114不被旋轉時)用於支撐基板110的外周。在另一個態樣中，邊緣支撐構件116由導電材料製成，例如，可在電鍍過程中用於提供電偏壓到基板110。當邊緣支撐構件116所示與致動器126B耦接而提供相對於基座114的邊緣支撐構件116之運動時，邊緣支撐構件116可簡單地靜止在銷142的上表面上。在此實施例中，基座114可相對於邊緣支撐構件116移動以允許將基板110傳遞到支撐表面118。基座114在Z方向的連續運動接著允許邊緣支撐構件116由形成於基座114中的外周肩部區域147支撐。當邊緣支撐構件116被舉升到銷142的高度之上時，而允許基座114、基板110與邊緣支撐構件 116的旋轉運動。
第2圖係具有基板支撐系統202的另一個實施例設置於其中的處理腔室100的側面截面圖。如第1圖所述的實施例中，基板支撐系統202包括基座114與致動器126A以及相關的舉升與密封構件。然而，在此實施例中，基板支撐系統202的次要基板支撐件203包括在第1圖中所示的邊緣支撐構件116處的複數個支撐構件204。邊緣支撐構件204可係分散的指部，在使用時選擇性地支撐基板110的邊緣。在此實施例中，基座114包括對應於邊緣支撐構件204的各個之切斷區域206。各切斷區域206允許個別邊緣支撐構件204清理基座114的底表面208以當基板110被支撐在基板110的支撐表面118上時，允許基座114的自由旋轉。邊緣支撐構件204的舉升與下降可由致動器126B、升舉環146與關聯的銷142達成。
第3圖係第2圖的基座114之展開圖。三個邊緣支撐構件204示於個別的切斷區域206。當邊緣支撐構件204藉由使用編碼器或其他旋轉的感測(索引)量度而用於將基板110從基座114的支撐表面118隔開時，基座114的切斷區域206之各個可與邊緣支撐構件204的各個對準，編碼器或其他旋轉的感測(索引)量度與基座114及(或)致動器216A耦接(示於第2圖中)。雖然只圖示了三個邊緣支撐構件204，但次要基板支撐件203可包括至少兩個邊緣支撐構件204及多於三個邊緣支撐構件204。邊緣支撐構件204的數目可與相應數量的切斷區域206一致。可選地或額外地，額外 的切斷區域206(示於想像中)可加於基座114。切斷區域206可依需要而用於以120度的增加量、60度的增加量、30度的增加量以及小於30度的增加量提供基座114的旋轉，而利於與邊緣支撐構件204對準。亦可加入額外的切斷區域206而利於以大於120度的增加量與邊緣支撐構件204對準。
第4圖係基座114的部分之截面圖，圖示了次要基板支撐件400的另一個實施例。在此實施例中，邊緣支撐構件204與銷142耦接，銷142與致動器405耦接。與其他實施例相似，致動器405用於在Z方向上將基板110相對於基座114升起或下降。然而，在此實施例中，致動器405用於將邊緣支撐構件204相對於基座114橫向移動(在X方向)。雖然未圖示出，其他銷142可相似於第2圖所述的實施例而設置於基座114附近。在此實施例中，致動器405對於邊緣支撐構件204的各個係必要的。
第5圖係圖示在基板製造過程期間補償基板處理性質的非均勻性之方法500的流程圖。方法500可利用本發明所述的基板支撐系統102或202或其他合適的設備而實施。在方塊505，方法500包括將基板110傳遞到處理腔室100中的基座114。在方塊505的該方法亦可包括將基板110傳遞到機械葉片109上的處理腔室100以及將基板從機械葉片109傳遞到次要基板支撐件。在第1圖的實施例中，包含於方塊505的傳遞亦包括將邊緣支撐構件116(特別是槽133)排列在平面中經配置而容納機械葉片109，機械葉片109穿過傳遞埠112而延伸。一旦基板110與邊緣支撐構件116係實質同 心時，機械葉片109可穿過傳遞埠112而從處理腔室100收回。在第2圖或第4圖的實施例中，其中使用邊緣支撐構件204，方塊505所述的傳遞包括將基板110定位在基座114之上、與基座114實質同心且在由邊緣支撐構件204的周圍界定的區域之上。致動器126B(示於第2圖中)或致動器405(示於第4圖中)可接著用於將邊緣支撐構件204移動靠近基板110的邊緣。在此實施例中，邊緣支撐構件204可分隔而不干擾機械葉片109的移動路徑。當邊緣支撐構件204夾握基板110的邊緣時，基板110可被舉升離開機械葉片109且機械葉片109可收回。
在方塊510，使用第1圖的邊緣支撐構件116或第2圖與第4圖的邊緣支撐構件204將基板110下降到基座114的支撐表面118上。基板110可被定位在基座114的支撐表面118上的第一位置中。在第1圖的實施例中，邊緣支撐構件116可下降直到基座114的支撐表面118至少部分支撐基板110且邊緣支撐構件116可進一步下降到靠近外周肩部區域147。在第2圖的實施例中，邊緣支撐構件204可下降直到基座114的支撐表面118至少部分支撐基板110且邊緣支撐構件204可進一步下降以清除基座114的底表面208。在第4圖的實施例中，邊緣支撐構件204可在X方向致動以清除基座114的側壁。在此等實施例的任一個，基板110的主要表面(如底部或背側)由基座114的支撐表面118支撐且基板110可被處理。
在方塊515，當基板110的主要表面被基座114支 撐時，基座114與其所支撐的基板110可被旋轉、舉升、下降以及以上之組合以處理基板110。例如，當基板110被支撐在基座114上時，使用可產生於處理腔室100中的氣體或電漿來沉積或蝕刻處理。基板110的處理可包括相對於噴頭組件128舉升或下降基座114。基板110的處理亦可包括基座114的旋轉。
在方塊520，監測基板110上執行的處理過程。如基板溫度、電偏壓與(或)電磁能分佈(即基板處理性質)的量度可跨基板110的表面監測以決定其被預期參數或目標值之外的值所決定的非均勻性。預期參數或目標值可包括在處理參數的狹小範圍(即窗)內之基板110上的基板溫度、電偏壓與(或)電磁能分佈。相對於溫度，預期參數或目標值可包括在些微攝氏溫度內變化的溫度。如果此量度代表均勻的情況(即是在預期參數或目標值內)，則基板110的處理可繼續。如果存在非均勻性(量度在預期參數或目標值外)，則方法進行到方塊525，方塊525包括將基座114的支撐表面118上的基板110重新定位。
在方塊520所述的即時過程可係選擇性的。經處理的基板之監測可使用方法500以決定非均勻性的存在。非即時監測可用於決定使用特定方法的處理連續基板之定位參數。例如，非即時監測可用於決定基座114的旋轉角度、基座114上的基板110重新定位的量(即數目)、基座114上的基板110重新定位的時間，以及以上的組合。因此，一旦非均勻性被決定，不論藉由方塊520處所述的即時處理過程 與(或)非即時監測，監測可為了特定製造計畫而暫停。
在方塊525，在第1圖的實施例中，當基板110從基座114的支撐表面118分隔開時，第1圖的邊緣支撐構件116用於支撐基板110。在此隔開的關係中，基座114可以小於約360度的某些增量而旋轉。在第2圖與第4圖的實施例中，邊緣支撐構件204用於支撐基板110並將基板110從基座114的支撐表面118移開以允許基座114以小於約360度的某些增量旋轉。在基座114的旋轉之後，可再次如方塊510處所述將基板110置於基座114的支撐表面118上。可繼續在方塊515處所述的處理過程。在處理過程期間，過程可如方塊520與方塊525並接著方塊515所述而被監測，如需要可重複過程直到處理過程完成。當處理過程完成時，基板110可接著藉由如方塊525所述將基板110從基座114的支撐表面118分隔開以及將基板110從邊緣支撐構件116(第1圖)或邊緣支撐構件204(第2圖與第4圖)傳遞到機械葉片109的過程而將基板110從處理腔室100傳遞出。基板110到機械葉片109的傳遞可係方塊505所述過程的實質逆過程。
基板支撐系統102或202的實施例能夠使即時(內部腔室)過程用於補償基板處理性質的非均勻性。當基板處理性質可被補償而沒有將基板從處理腔室移除與(或)沒有為了使用機械葉片(或其他外周基板支撐機構)來暫時支撐基板而破壞真空時，如本說明書所述的發明基板支撐系統102或202可減少成本及增加產量。此外，由於基板處理性質中的非均勻性被最小化或減少，而提供基板全部部分上的均勻 沉積，所以可提升裝置品質與(或)產量。
雖然前面所述係針對本發明的實施例，然在不背離本發明基本範圍及以下申請專利範圍所界定之範圍下，可設計其他及進一步的本發明之實施例。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧基板支撐系統
104‧‧‧腔室主體
106‧‧‧蓋部組件
108‧‧‧處理空間
109‧‧‧機械葉片
110‧‧‧基板
112‧‧‧埠
113‧‧‧主要基板支撐件
114‧‧‧基座
115‧‧‧次要基板支撐件
116‧‧‧邊緣支撐構件
118‧‧‧支撐表面
120‧‧‧嵌入式元件
121‧‧‧軸
122‧‧‧基座主體
124‧‧‧感測器
126A‧‧‧致動器
126B‧‧‧致動器
128‧‧‧噴頭組件
130‧‧‧真空系統
132‧‧‧處理氣體源
134‧‧‧溫度控制元件
136‧‧‧冷卻劑源
138‧‧‧槽
140B‧‧‧電源元件
140‧‧‧電源元件
142‧‧‧銷
144‧‧‧線性驅動
146‧‧‧升舉環
147‧‧‧外周肩部區域

Claims (26)

  1. 一種基板處理腔室，包括：一腔室主體，該腔室主體封閉一處理區域；一主要基板支撐件及一次要基板支撐件，該主要基板支撐件及該次要基板支撐件至少部分設置在該處理區域中，該次要基板支撐件外接該主要基板支撐件，其中該主要基板支撐件及該次要基板支撐件中的一個或兩個相對於另一個係線性可移動的，且該主要基板支撐件相對於該次要基板支撐件係可旋轉的。
  2. 如請求項1所述之處理腔室，其中該主要基板支撐件包括：一基座；及一致動器，該致動器可操作地轉動該基座。
  3. 如請求項2所述之處理腔室，其中該次要基板支撐件包括：一單邊緣支撐構件，該單邊緣支撐構件用於支撐一基板的一邊緣。
  4. 如請求項3所述之處理腔室，其中該單邊緣支撐構件包括一或多個槽以容納一機械葉片的一部分。
  5. 如請求項2所述之處理腔室，其中該基座包括一外周肩部區域以至少部分容納該次要基板支撐件。
  6. 如請求項3所述之處理腔室，進一步包括：一致動器，該致動器可操作地垂直移動該單邊緣支撐構件。
  7. 如請求項2所述之處理腔室，其中該次要基板支撐組件包括：複數個邊緣支撐構件，該複數個邊緣支撐構件用於支撐一基板的一邊緣。
  8. 如請求項7所述之處理腔室，進一步包括：一致動器，該致動器可操作地垂直移動該複數個邊緣支撐構件。
  9. 如請求項7所述之處理腔室，進一步包括：一致動器，該致動器可操作地垂直移動或橫向移動該複數個邊緣支撐構件。
  10. 如請求項7所述之處理腔室，其中該基座包括：一外周邊緣，該外周邊緣具有複數個切斷區域以至少部分地容納該複數個邊緣支撐構件中的一個別邊緣支撐構件。
  11. 一種基板處理腔室，包括：一腔室主體，該腔室主體封閉一處理區域；一基座，該基座設置在該處理區域中以支撐一基板的一主要表面；及一邊緣支撐構件，該邊緣支撐構件設置在該處理區域中，當該基板的該主要表面不被該基座支撐時，該邊緣支撐構件用於間歇性地支撐該基板的一邊緣，其中該基座相對於該邊緣支撐構件係可旋轉的。
  12. 如請求項11所述之處理腔室，其中該邊緣支撐構件包括一環。
  13. 如請求項12所述之處理腔室，其中該環包括一或多個槽以容納一機械葉片的一部分。
  14. 如請求項12所述之處理腔室，進一步包括一致動器，該致動器可操作地垂直移動該環。
  15. 如請求項14所述之處理腔室，其中該基座包括：一外周肩部區域，該外周肩部區域至少部分地容納該環。
  16. 如請求項11所述之處理腔室，其中該邊緣支撐構件包括：複數個邊緣支撐構件。
  17. 如請求項16所述之處理腔室，進一步包括：一致動器，該致動器可操作地垂直移動該複數個邊緣支撐構件。
  18. 如請求項16所述之處理腔室，進一步包括：一致動器，該致動器垂直移動或橫向移動該複數個邊緣支撐構件。
  19. 如請求項16所述之處理腔室，其中該基座包括：一外周邊緣，該外周邊緣具有複數個切斷區域以至少部分地容納該複數個邊緣支撐構件中的一個別邊緣支撐構件。
  20. 一種用於在一基板製造過程期間補償基板處理性質的非均勻性之方法，該方法包括以下步驟：將一基板定位在一基座的一支撐表面上的一第一位置中，該基座設置在一處理腔室中；當該基板在該第一位置時，處理該基板；將該基板重新定位到不同於該第一位置的該基板表面上的一第二位置；及處理在該第二位置中的該基板。
  21. 如請求項20所述之方法，進一步包括以下步驟：將該基板從一機械葉片傳遞到設置在該處理腔室中的一邊緣支撐構件；及 當該基板被支撐在該邊緣支撐構件上而將該基板定位在該第一位置中時，將該基板下降到該基座的該支撐表面上。
  22. 如請求項20所述之方法，進一步包括以下步驟：在該第一位置或該第二位置中的處理期間，監測該基板上的一基板處理性質；及當該基板處理性質在一預期值之外時，將該支撐表面上的該基板重新定位。
  23. 如請求項20所述之方法，其中將該基板表面上的該基板定位到該第二位置的步驟包括以下步驟：使用一邊緣支撐構件將該基板從該支撐表面舉升；旋轉該基座；及當該基板被支撐在該邊緣支撐構件上而將該基板定位在該第二位置中時，將該基板下降到該基座的該支撐表面上。
  24. 如請求項23所述之方法，其中旋轉該基座的該步驟包括將該基座旋轉小於360度。
  25. 如請求項23所述之方法，其中旋轉該基座的該步驟包括將該基座旋轉小於180度。
  26. 如請求項23所述之方法，其中旋轉該基座的該步驟包括將該基座旋轉小於90度。
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