KR20160043603A - 유기 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법 Download PDF

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Abstract

유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 스캔 라인에 연결된 게이트 전극, 데이터 라인에 연결된 일 전극 및 제1 노드에 연결된 타 전극을 포함하는 제1 트랜지스터, 상기 제1 노드와 연결된 게이트 전극, 제1 전원 전압에 연결된 일 전극 및 제2 노드에 연결된 타 전극을 포함하는 제2 트랜지스터, 센싱 제어 라인에 연결된 게이트 전극, 상기 스캔 라인에 연결된 일 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 타 전극을 포함하는 제3 트랜지스터 및 상기 제2 노드에 연결된 애노드 전극 및 제2 전원 전압에 연결된 캐소드 전극을 포함하는 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치.

Description

유기 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법{ORGAINIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND DRIVING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법에 관한 것이다.
차세대 디스플레이로 주목 받고 있는 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 자체 발광 소자를 구비하여 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 유기발광 표시장치는 자체 발광 소자인 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode : 이하, "OLED"라 함)를 가진다. OLED는 애노드 전극, 캐소드 전극 및 양 전극들 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 구비한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다. 애노드 전극과 캐소드 전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다.
유기 발광 소자는 사용 시간 경과에 따라 열화되어 표시 휘도를 떨어뜨린다. 유기 발광 소자의 열화 정도는 입력 영상의 밝기에 영향을 받는다. 밝은 영상을 많이 표시한 유기 발광 소자는 어두운 영상을 많이 표시한 유기 발광 소자에 비해 열화 정도가 심하다. 즉, 표시 패널에서 유기 발광 소자의 열화는 부분적으로 다르게 진행된다. 이에, 각 화소에 센싱 트랜지스터를 추가하여 센싱 전압에 따른 구동 트랜지스터의 구동 정보를 외부로 독출(리드 아웃, Readout)하고, 상기 구동 정보에 따라 각 화소에 공급되는 데이터 전압을 보상하는 기술이 제안되었다.
이러한, 구동 정보는 일반적으로 데이터 라인을 통해 독출될 수 있으며, 리드 아웃 회로부는 데이터 드라이버 IC에 통합될 수 있다. 유기 발광 표시 장치의 해상도가 증가함에 따라 보다 많은 수의 데이터 드라이버 IC가 필요하게 되며, 리드 아웃 회로부가 통합됨에 따라 전체적인 면적이 증가된 데이터 드라이버 IC를 한정된 공간에 배치하는 것은 용이하지 않을 수 있다. 또한, 데이터 라인을 따라 구동 정보가 독출됨에 따라 데이터 라인의 커패시턴스(Capacitance)는 증가할 수 있으며, 이에 따라 데이터 드라이버 IC의 발열량은 증가될 수 있다. 또한, 소스 전극에서 드레인 전극으로의 누설 경로가 형성될 수 있으므로 정확한 센싱이 어려울 수 있다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 데이터 라인이 아닌 다른 경로로 각 화소의 구동 정보를 보다 정확하게 측정할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 데이터 라인이 아닌 다른 경로로 각 화소의 구동 정보를 보다 정확하게 측정할 수 있는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 스캔 라인에 연결된 게이트 전극, 데이터 라인에 연결된 일 전극 및 제1 노드에 연결된 타 전극을 포함하는 제1 트랜지스터, 상기 제1 노드와 연결된 게이트 전극, 제1 전원 전압에 연결된 일 전극 및 제2 노드에 연결된 타 전극을 포함하는 제2 트랜지스터, 센싱 제어 라인에 연결된 게이트 전극, 상기 스캔 라인에 연결된 일 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 타 전극을 포함하는 제3 트랜지스터 및 상기 제2 노드에 연결된 애노드 전극 및 제2 전원 전압에 연결된 캐소드 전극을 포함하는 유기 발광 소자를 포함한다.
상기 데이터 라인과 상기 센싱 제어 라인은 제1 방향을 따라 나란히 연장될 수 있다.
상기 스캔 라인에 스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부를 더 포함할 수 있다.
상기 스캔 구동부는, 상기 스캔 신호를 생성하는 쉬프트 레지스터, 상기 제2 트랜지스터의 구동 정보를 측정하는 센싱부, 및 상기 쉬프트 레지스터와 상기 스캔 라인을 연결하는 제1 스위치 및 상기 센싱부와 상기 스캔 라인을 연결하는 제2 스위치를 포함할 수 있다.
상기 센싱부에서 측정한 제2 트랜지스터의 구동 정보를 반영하여 입력된 영상 신호를 보정하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 센싱 제어 라인에 센싱 제어 신호를 공급하는 센싱 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 스캔 구동부는 상기 제1 트랜지스터가 배치되는 제1 기판의 일변을 따라 배치되고, 상기 센싱 제어부는 상기 제1 기판의 타변을 따라 배치될 수 있다.
상기 일변과 상기 타변은 서로 수직할 수 있다.
상기 스캔 구동부와 상기 센싱 제어부는 상기 제1 트랜지스터가 배치되는 제1 기판의 일변을 따라 배치될 수 있다.
상기 제1 트랜지스터에 공급되는 스캔 신호의 게이트 온 전압의 펄스 폭과 상기 제3 트랜지스터에 공급되는 스캔 제어 신호의 게이트 온 전압의 펄스 폭은 서로 상이할 수 있다.
상기 제1 트랜지스터의 채널 폭과 채널 길이의 비와 상기 제3 트랜지스터의 채널 폭과 채널 길이의 비는 서로 상이할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는, 매트릭스 배열되고, 상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터 및 상기 유기 발광 소자가 각각 형성된 상기 복수의 화소를 포함하고, 상기 제3 트랜지스터는 상기 복수의 화소 중 어느 화소에만 형성될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터를 제어하는 제어 트랜지스터 및 센싱 트랜지스터를 포함하는 복수의 화소, 상기 제어 트랜지스터를 턴 온시키는 스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부 및 상기 센싱 트랜지스터를 턴 온시키는 센싱 제어 신호를 공급하는 센싱 제어부를 포함하되, 상기 턴 온된 제어 트랜지스터의 일 단을 통해 공급되는 센싱 전압에 따른 구동 전류가 상기 구동 트랜지스터의 채널에 형성되고, 상기 스캔 구동부는 상기 턴 온된 센싱 트랜지스터를 통해 상기 구동 전류를 측정하는 센싱부를 포함한다.
상기 스캔 구동부는 상기 복수의 화소가 형성되는 제1 기판의 일변을 따라 배치되고, 상기 센싱 제어부는 상기 제1 기판의 타변을 따라 배치될 수 있다.
상기 스캔 신호의 게이트 온 전압의 펄스 폭과 상기 스캔 제어 신호의 게이트 온 전압의 펄스 폭은 서로 상이할 수 있다.
상기 센싱부에서 측정한 상기 구동 트랜지스터의 구동 전류를 반영하여 입력된 영상 신호를 보정하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법은 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터를 제어하는 제어 트랜지스터 및 센싱 트랜지스터를 포함하는 복수의 화소 및 상기 제어 트랜지스터를 턴 온하는 스캔 구동부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 있어서, 상기 제어 트랜지스터를 통해 센싱 전압이 구동 트랜지스터의 게이트 단에 인가되는 단계 및 상기 센싱 전압에 따라 상기 구동 트랜지스터의 채널에 형성되는 구동 전류가 측정되는 단계를 포함하되, 상기 스캔 구동부는 상기 구동 전류를 측정하는 센싱부를 포함하고, 상기 센싱부는 턴 온된 센싱 트랜지스터를 통해 상기 구동 전류 측정한다.
상기 스캔 구동부는 상기 복수의 화소가 형성되는 제1 기판의 일변을 따라 배치되고, 상기 센싱 제어부는 상기 제1 기판의 타변을 따라 배치될 수 있다.
상기 스캔 신호의 게이트 온 전압의 펄스 폭과 상기 스캔 제어 신호의 게이트 온 전압의 펄스 폭은 서로 상이할 수 있다.
상기 측정된 구동 전류를 반영하여 입력된 영상 신호를 보정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
스캔 라인을 통해 구동 정보를 센싱함에 따라 데이터 구동부의 커패시턴스 증가를 방지할 수 있으며, 데이터 구동부를 보다 용이하게 구성할 수 있다.
또한, 스캔 라인을 통해 센싱함에 따라 누설 경로가 없어 보다 정확한 측정 데이터를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 일 예를 나타낸 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱 모드의 타이밍도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 스캔 구동부의 블록도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 스캔 구동 회로의 블록도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부의 블록도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 회로도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 블록도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 일 예를 나타낸 회로도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(10)는 표시 패널(110), 제어부(120), 데이터 구동부(130), 스캔 구동부(140), 센싱 제어부(150)를 포함한다.
표시 패널(110)은 화상의 영역일 수 있다. 복수의 스캔 라인(SL1, SL2, ..., SLn), 복수의 스캔 라인(SL1, SL2, ..., SLn)과 교차하는 복수의 데이터 라인(DL1, DL2, ..., DLm) 및 복수의 스캔 라인(SL1, SL2, ..., SLn) 중 하나와 및 복수의 데이터 라인(DL1, DL2, ..., DLm) 중 하나와 각각 연결되는 복수의 화소(PX)들을 포함할 수 있다. 여기서, n과 m은 서로 다른 자연수이다. 복수의 데이터 라인(DL1, DL2, ..., DLm) 각각은 복수의 스캔 라인(SL1, SL2, ..., SLn)과 교차할 수 있다. 즉, 복수의 데이터 라인(DL1, DL2, ..., DLm)은 제1 방향(d1)을 따라 연장될 수 있으며, 복수의 스캔 라인(SL1, SL2, ..., SLn)들은 제1 방향(d1)과 교차하는 제2 방향(d2)을 따라 연장될 수 있다. 여기서, 제1 방향(d1)은 열 방향일 수 있으며, 제2 방향(d2)은 행 방향일 수 있다. 복수의 스캔 라인(SL1, SL2, ..., SLn)은 제1 방향(d1)을 따라 순서대로 배치된 제1 내지 제n 스캔 라인(SL1, SL2, ..., SLn)을 포함할 수 있다. 복수의 데이터 라인들 (DL1, DL2, ..., DLm)은 제2 방향(d2)을 따라 순서대로 배치된 제1 내지 제m 데이터 라인(DL1, DL2, ..., DLm)을 포함할 수 있다.
복수의 화소(PX)는 매트릭스 형상으로 배치될 수 있다. 복수의 화소(PX) 각각은 복수의 스캔 라인(SL1, SL2, ..., SLn) 중 하나 및 복수의 데이터 라인(DL1, DL2, ..., DLm) 중 하나와 연결될 수 있다. 복수의 화소(PX) 각각은 연결된 스캔 라인(SL1, SL2, ..., SLn)으로부터 제공되는 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)에 대응하여 연결된 데이터 라인(DL1, DL2, ..., DLm)에 인가되는 데이터 전압(D1, D2, ..., Dm)을 수신할 수 있다. 즉, 스캔 라인(SL1, SL2, ..., SLn)은 각 화소(PX)에 인가되는 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)가 제공될 수 있으며, 데이터 라인(DL1, DL2, ..., DLm)에는 데이터 전압(D1, D2, ..., Dm)이 제공될 수 있다. 여기서, 제1 방향(d1)은 열 방향일 수 있으며, 제2 방향(d2)은 행 방향일 수 있다. 각 화소(PX)는 제1 전원 라인(미도시)을 통해 제1 전원 전압(ELVDD)을 공급받을 수 있으며, 제2 전원 라인(미도시)를 통해서 제2 전원 전압(ELVSS)를 공급받을 수 있다. 제1 전원 전압(ELVDD)과 제2 전원 전압(ELVSS)는 전원 공급부(미도시)에서 공급될 수 있다.
여기서, 표시 패널(110)은 복수의 데이터 라인(DL1, DL2, ..., DLm)과 동일한 방향으로 연장되는 복수의 센싱 제어 라인(SEL1, SEL2, ..., SELm)을 포함할 수 있다. 복수의 센싱 제어 라인(SEL1, SEL2, ..., SELm)은 제2 방향(d2)을 따라 순서대로 배치된 제1 센싱 제어 라인 내지 제m 센싱 라인(SEL1, SEL2, ..., SELm)을 포함할 수 있다. 여기서 제1 데이터 라인(DL1)과 제1 센싱 제어 라인(SEL1)은 동일한 화소 열 그룹과 연결될 수 있으며, 나머지 데이터 라인과 센싱 제어 라인들도 각각 동일한 화소 열 그룹과 연결될 수 있다. 여기서, 스캔 라인과 게이트 라인은 각 화소에 포함된 서로 다른 트랜지스터를 턴 온 하는 신호를 제공할 수 있다. 표시 패널(110)은 하나의 기판 상에 상술한 복수의 화소(PX), 데이터 라인(DL1, DL2, ..., DLm), 스캔 라인(SL1, SL2, ..., SLn) 및 센싱 제어 라인(SEL1, SEL2, ..., SELm)이 각각 배치되어 형성될 수 있다. 각 라인들은 서로 절연되어 형성될 수 있다.
제어부(120)는 외부 시스템으로부터 제어 신호(CS) 및 영상 신호(R, G, B)를 수신할 수 있다. 여기서, 영상 신호(R, G, B)는 복수의 화소(PX)의 휘도 정보를 담고 있다. 휘도는 정해진 수효, 예를 들어, 1024, 256 또는 64개의 계조(gray)를 가질 수 있다. 제어 신호(CS)는 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync) 및 데이터 인에이블 신호(DE) 및 클럭 신호(CLK)을 포함할 수 있다. 제어부(120)는 영상 신호(R, G, B) 및 제어 신호(CS)에 따라 제1 내지 제3 구동 제어 신호(CONT1 내지 CONT3) 및 영상 데이터(DATA)를 생성할 수 있다. 제어부(120)는 수직 동기 신호(Vsync)에 따라 프레임 단위로 영상 신호(R, G, B)를 구분하고, 수평 동기 신호(Hsync)에 따라 주사 라인 단위로 영상 신호(R, G, B)를 구분하여 영상 데이터(DATA)를 생성할 수 있다. 제어부(120)는 영상 데이터(DATA)를 보상할 수 있으며 보상 영상 데이터(DATA1)를 제1 구동 제어 신호(CONT1)와 함께 데이터 구동부(130)로 전달할 수 있다. 제어부(120)는 제2 구동 제어 신호(CONT2)를 스캔 구동부(140)로 전달할 수 있으며, 제3 구동 제어 신호(CONT3)를 센싱 제어부(150)로 전달할 수 있다.
스캔 구동부(140)는 표시 패널(110)의 복수의 스캔 라인에 연결되고, 제2 구동 제어 신호(CONT2)에 따라 복수의 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)을 생성할 수 있다. 스캔 구동부(140)는 복수의 스캔 라인에 게이트 온 전압의 복수의 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)을 순차적으로 인가할 수 있다.
데이터 구동부(130)는 표시 패널(110)의 복수의 데이터 라인에 연결되고, 제1 구동 제어 신호(CONT1)에 따라 입력된 보상 영상 데이터(DATA1)를 샘플링 및 홀딩하고 아날로그 전압으로 변경하여 복수의 데이터 전압(D1, D2, ..., Dm)을 생성할 수 있다. 데이터 구동부(130)는 복수의 데이터 전압(D1, D2, ..., Dm)을 복수의 데이터 라인 각각에 전달할 수 있다. 표시 패널(110)의 각 화소(PX)는 게이트 온 전압의 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)에 의해 턴 온될 수 있으며, 데이터 전압(D1, D2, ..., Dm)을 인가받을 수 있다.
센싱 제어부(150)는 제3 구동 제어 신호(CONT3)에 따라 활성화될 수 있다. 제3 구동 제어 신호(CONT3)는 센싱 모드의 활성화 또는 비활성화를 제어하는 신호일 수 있다. 여기서, 센싱 모드는 유기 발광 표시 장치(10)의 전체적인 전원이 턴 오프 또는 턴 온되는 경우 활성화될 수 있다. 즉, 전원이 턴 온 또는 턴 오프되는 대기 시간 동안 센싱 모드는 활성화될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 유기 발광 표시 장치(10)의 동작 중에 센싱 모드는 일정 주기 또는 사용자의 설정에 의해 활성화될 수도 있다.
센싱 제어부(150)는 제3 구동 제어 신호(CONT3)에 의해 소정 레벨의 센싱 전압(Vref)을 생성하고 이를 복수의 화소(PX)로 공급할 수 있다. 센싱 전압(Vref)은 각 화소(PX)에 포함된 유기 발광 소자(EL)를 소정의 계조로 구동시킬 수 있다. 센싱 제어부(150)는 센싱 전압(Vref)을 복수의 데이터 라인(DL1, DL2, ..., DLm)으로 제공할 수 있다. 즉, 센싱 전압(Vref)은 데이터 라인을 통해 각 화소에 제공할 수 있다. 여기서, 센싱 제어부(150)가 센싱 전압(Vref)을 제공하는 경우, 데이터 전압(D1, D2, ..., Dm)이 출력되는 배선들과 복수의 데이터 라인의 연결은 차단될 수 있다. 또한, 센싱 제어부(150)는 제3 구동 제어 신호(CONT3)에 따라 센싱 제어 신호(SE1, SE2, ..., SEn)의 레벨을 결정하여 복수의 화소(PX)에 연결된 센싱 제어 라인(SEL1, SEL2, ..., SELm)에 제공할 수 있다. 센싱 제어부(150)는 센싱 제어 신호(SE1, SE2, ..., SEn)을 연결된 센싱 제어 라인(SEL1, SEL2, ..., SELm)에 순차적으로 제공할 수 있다. 여기서, 센싱 제어부(150)는 센싱 전압(Vref)도 공급하고, 센싱 제어 신호(SE1, SE2, ..., SEn)도 공급하는 것으로 구성되었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 센싱 전압(Vref)과 센싱 제어 신호(SE1, SE2, ..., SEn)은 독립적인 구성부에서 각각 공급될 수 도 있다.
도 2는 표시 패널(110)에 포함되는 복수의 화소 중 어느 하나의 화소의 회로 구성을 개략적으로 표시한 도면이다. 즉, 제i 스캔 라인(SLi)와 제j 데이터 라인(DLj)에 연결된 화소(Pxij)를 예시적으로 나타낸 것으로, 각 화소의 회로 구성이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2를 참조하면, 화소(PXij)는 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제1 커패시터(C1) 및 유기 발광 소자(EL)을 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 스캔 라인(SLi)에 연결된 게이트 전극, 데이터 라인(DLj)에 연결된 일 전극 및 제1 노드(N1)에 연결된 타 전극을 포함할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 스캔 라인(SLi)에 인가되는 게이트 온 전압의 스캔 신호(Si)에 의해 턴 온되어 데이터 라인(DLj)에 인가되는 데이터 전압(Dj)를 제1 노드(N1)에 전달할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터에 데이터 전압(Dj)을 선택적으로 제공하는 스위칭 트랜지스터일 수 있다. 여기서, 제1 트랜지스터(T1)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 즉, 제1 트랜지스터(T1)는 하이 레벨 전압의 스캔 신호에 의해 턴 온(turn-on)될 수 있으며, 로우 레벨 전압의 스캔 신호에 의해 턴 오프(turn-off)될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 제1 노드(N1)와 연결된 게이트 전극, 제1 전원 전압(ELVDD)에 연결된 일 전극 및 제2 노드(N2)에 연결된 타 전극을 포함할 수 있다. 즉, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 타 전극과 연결될 수 있다. 또한, 제1 노드(N1)와 제1 전원 전압(ELVDD) 사이에는 제1 커패시터(C1)가 위치할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)로부터 제공된 데이터 전압은 제1 커패시터(C1)에 충전될 수 있으며, 충전된 데이터 전압은 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극으로 공급될 수 있다. 제2 노드(N2)에는 유기 발광 소자(EL)의 애노드 전극이 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터일 수 있으며, 제1 노드(N1)의 전압에 따라 제1 전원 전압(ELVDD)으로부터 유기 발광 소자(EL)에 공급되는 구동 전류를 제어할 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 센싱 제어 라인(SELi)에 연결된 게이트 전극, 스캔 라인(SLj)에 연결된 일 전극 및 제2 노드(N2)에 연결된 타 전극을 포함할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 센싱 제어 라인(SELi)에 인가되는 게이트 온 전압의 센싱 제어 신호(SEi)에 의해 턴 온 될 수 있다. 여기서, 제3 트랜지스터(T3)는 센싱 트랜지스터일 수 있다. 즉, 제3 트랜지스터(T3)는 구동 트랜지스터(T2)의 구동 특성에 관한 정보, 즉 구동 전류 또는 구동 전압을 센싱할 수 있다. 센싱 모드가 활성화된 상태에서, 구동 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에는 소정 레벨의 센싱 전압(Vref)이 인가될 수 있으며, 구동 트랜지스터(T2)의 채널에는 센싱 전압(Vref)에 의해 일정한 크기의 구동 전류가 생성될 수 있다. 또한, 센싱 트랜지스터(T3)는 센싱 모드가 활성화되는 경우 턴 온되어, 상기 구동 전류는 제3 트랜지스터(T3)의 타 전극에서 일 전극으로 흐를 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 일 전극은 스캔 라인(SLj)과 연결되어 있으며, 각 화소의 구동 정보는 스캔 라인(SLj)을 통해 리드 아웃될 수 있다. 이에 대해서는 보다 상세히 후술하도록 한다.
유기 발광 소자(EL)는 제2 노드(N3)에 연결된 애노드 전극, 제2 전원 전압(ELVSS)에 연결된 캐소드 전극 및 유기 발광층(미도시)을 포함할 수 있다. 유기 발광층은 기본색(primary color) 중 하나의 빛을 낼 수 있다. 여기서, 기본색은 적색, 녹색 또는 청색의 삼원색일 수 있다. 이들 삼원색의 공간적 합 또는 시간적 합으로 원하는 색상이 표시될 수 있다. 유기 발광층(미도시)은 각 색에 해당하는 저분자 유기물 또는 고분자 유기물을 포함할 수 있다. 유기 발광층(미도시)을 흐르는 전류량에 따라 각 색에 해당하는 유기물은 발광하여 빛을 발산할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱 모드의 타이밍도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 스캔 구동부의 블록도이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 스캔 구동 회로의 블록도이며, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부의 블록도이다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 센싱 모드(Sensing mode)는 제1 기간(T1)과 제2 기간(T2)를 포함할 수 있다. 여기서, 센싱 모드(Sensing mode)는 유기 발광 표시 장치(10)의 전체적인 전원이 턴 오프 또는 턴 온되는 경우 활성화될 수 있다. 즉, 전원이 턴 온 또는 턴 오프되는 대기 시간 동안 센싱 모드는 활성화될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 유기 발광 표시 장치(10)의 동작 중에 센싱 모드는 일정 주기 또는 사용자의 설정에 의해 활성화될 수도 있다.
제1 기간(T1)은 센싱 전압(Vref)가 인가되는 기간일 수 있으며, 제2 기간(T2)은 센싱 전압(Vref)에 따른 구동 전압을 센싱하는 기간일 수 있다. 제2 전원 전압(ELVSS)은 제1 기간(T1)과 제2 기간(T2) 동안 하이 레벨 전압으로 유지될 수 있다. 제2 전원 전압(ELVSS)의 하이 레벨 전압은 제1 전원 전압(ELVDD)의 하이 레벨 전압과 실질적으로 동일한 전압 레벨일 수 있다. 즉, 센싱 모드(Sensing mode)동안 제2 전원 전압(ELVSS)은 하이 레벨 전압을 유지하여 유기 발광 소자(EL)로 구동 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 센싱 모드 이후 정상 동작 모드로 전환된 경우, 제2 전원 전압(ELVSS)은 로우 레벨 전압으로 전환될 수 있다.
스캔 구동부(120)는 복수의 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)를 순차적으로 공급하여 각 화소의 제1 트랜지스터(T1)를 순차적으로 턴 온할 수 있다. 즉, 각 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)는 게이트 온 전압으로 인가되어 제1 트랜지스터(T1)를 턴 온 시킬 수 있다. 각 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)의 게이트 온 전압은 하이 레벨 전압일 수 있다. 스캔 구동부(120)는 복수의 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)를 각각 출력하는 복수의 스캔 신호 회로부(140_1, 140_2, ..., 140_n)를 포함할 수 있다. 복수의 스캔 신호 회로부(140_1, 140_2, ..., 140_n)는 선행하는 스캔 신호 회로부에서 출력되는 스캔 신호에 인에이블되어 스캔 신호를 생성하고 이를 연결된 스캔 라인과 후행하는 스캔 신호 회로부로 출력할 수 있다. 즉, 복수의 스캔 신호 회로부(140_1, 140_2, ..., 140_n)는 순차적으로 스캔 신호를 생성하여 이를 출력할 수 있다. 복수의 스캔 신호 회로부(140_1, 140_2, ..., 140_n)는 복수의 스캔 라인(SL1, SL2, ..., SLn)에 대응하여 연결될 수 있다. 따라서, 복수의 스캔 신호 회로부(140_1, 140_2, ..., 140_n)는 열 방향을 따라 배치될 수 있다.
각 스캔 신호 회로부(140_1, 140_2, ..., 140_n)는 쉬프트 레지스터(141), 센싱부(142), 제1 스위치(SW1) 및 제2 스위치(SW2)를 포함할 수 있다. 쉬프트 레지스터(141)는 상술한 스캔 신호를 생성하는 회로일 수 있다. 그리고, 센싱부(142)는 제2 기간(T2)에서 스캔 라인을 통해 각 화소의 구동 정보를 리드 아웃하는 회로일 수 있다. 그리고, 제1 스위치(SW1)는 쉬프트 레지스터(141)와 스캔 라인의 연결을 제어할 수 있으며, 제2 스위치(SW2)는 센싱부(142)와 스캔 라인의 연결을 제어할 수 있다. 제1 기간(T1) 동안 스캔 신호가 스캔 라인에 공급되어야 하므로 제1 스위치(SW1)에는 하이 레벨의 온 신호가 인가될 수 있으며, 제2 스위치(SW2)에는 로우 레벨의 오프 신호가 인가될 수 있다.
센싱 제어부(150)는 제1 기간(T1)에 센싱 전압(Vref)을 각 데이터 라인(DL1, DL2, ..., DLm)에 제공할 수 있다. 복수의 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)에 의해 턴 온된 제1 트랜지스터(T1)는 일 전극을 통해 공급되는 센싱 전압(Vref)을 타 전극에 연결된 제1 커패시터(C1)에 전달할 수 있다. 제1 커패시터(C1)에는 센싱 전압(Vref)이 충전될 수 있다. 제1 전원 전압(ELVDD)와 센싱 전압(Vref)이 형성하는 전압은 제2 구동 트랜지스터(T2)를 동작시킬 수 있는 전압 레벨일 수 있으며, 이에 따른 구동 전류가 제2 트랜지스터(T2)의 채널에 형성될 수 있다.
제2 기간(T2)은 상기 구동 전류를 센싱하는 기간일 수 있다. 이를 위해 센싱 트랜지스터인 제3 트랜지스터(T3)는 턴 온될 수 있다. 즉, 제2 기간(T2) 중 소정의 기간 동안 센싱 제어 신호(SE)는 하이 레벨 전압으로 순차적으로 제공되어 각 화소의 제3 트랜지스터(T3)를 턴 온시킬 수 있다. 센싱 제어부(150)는 센싱 제어 신호를 생성하기 위한 복수의 쉬프트 레지스터(미도시)를 포함할 수 있다. 각 쉬프트 레지스터들은 데이터 라인과 평행하게 연장된 복수의 센싱 제어 라인(SEL1, SEL2, ..., SELm)과 연결될 수 있다. 상기 쉬프트 레지스터들은 행 방향을 따라 나란히 배치될 수 있으며, 순차적으로 제1 내지 제m 센싱 제어 신호(SE1, SE2, ... SEm)를 행 방향을 따라 순차적으로 제공할 수 있다.
여기서, 센싱 제어부(150)는 표시 패널(110)을 형성하는 기판의 일변을 따라 배치될 수 있다. 즉, 센싱 제어부(150)는 제1 트랜지스터(T1)가 형성되는 기판의 일변을 따라 배치될 수 있다. 각 쉬프트 레지스터들은 일변을 따라 COG(Chip on glass) 방식으로 상기 기판의 일변을 따라 실장될 수 있다. 스캔 구동부(140)의 복수의 쉬프트 레지스터들은 상기 기판의 타변을 따라 실장될 수 있다. 여기서, 일변과 타변은 서로 수직한 두 변을 의미할 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 센싱 제어부(150)은 스캔 구동부(140)와 표시패널(110)의 평행한 일변과 타변을 따라 실장될 수 있다. 즉, 센싱 제어부(150)와 스캔 구동부(140)은 표시 패널(110)의 좌, 우에 배치될 수 있다. 여기서, 센싱 제어부(150)는 복수의 센싱 제어 라인(SEL1, SEL2, ..., SELm)과 각각 교차되는 복수의 연장 배선(미도시)을 통해 연결될 수 있다.
또한, 몇몇 실시예에서 센싱 제어부(150)와 스캔 구동부(140)은 표시 패널(110)의 동일한 변을 따라 배치될 수도 있다. 여기서, 센싱 제어부(150)는 복수의 센싱 제어 라인(SEL1, SEL2, ..., SELm)과 각각 교차되는 복수의 연장 배선(미도시)을 통해 연결될 수 있다.
각 화소는 복수의 센싱 제어 라인(SEL1, SEL2, ..., SELm)과 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 단을 연결하는 연장 라인(L)을 더 포함할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제공되는 센싱 제어 신호에 의해 소정 기간 턴 온될 수 있다. 구동 전류는 제3 트랜지스터(T3)를 통해 스캔 라인으로 흐를 수 있다. 이 때, 제2 스위치(SW2)에는 하이 레벨의 온 신호가 인가될 수 있다. 즉, 각 스캔 라인은 각 스캔 신호 회로부의 센싱부(142)와 연결될 수 있다. 센싱부(142)는 상기 구동 전류의 레벨을 측정할 수 있다. 또는 센싱부(142)는 상기 구동 전류를 전류 싱크부와 연결시키고, 이에 따른 전압 변화를 측정할 수도 있다. 즉, 센싱부(142)는 소정 레벨의 센싱 전압(Vref)에 따른 구동 트랜지스터(T2)의 구동 정보를 측정할 수 있다. 센싱부(142)는 아날로그 디지털 변환부를 더 포함할 수 있으며, 측정된 아날로그 형태의 전압을 디지털 값으로 변환할 수 있다. 각 화소에서 생성된 디지털 값은 메모리부(미도시)에 매핑될 수 있으며, 센싱 데이터(SD)로써 제어부(120)로 제공될 수 있다.
즉, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 데이터 라인 또는 별도의 센싱 라인이 아닌 스캔 라인을 이용하여 센싱 데이터를 리드 아웃할 수 있다. 이에 따라, 데이터 라인은 추가적인 커패시턴스가 발생되지 않을 수 있다. 또한, 센싱부(150)가 복잡한 구조의 데이터 구동 IC가 아닌 비교적 간단한 구조의 스캔 구동부에 통합되어 실장되기에, 고해상도에 대응한 데이터 구동 IC의 설계는 보다 용이해질 수 있다. 나아가, 스캔 라인은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 연결되어 있으므로, 제1 트랜지스터(T1)의 일 전극이 연결된 데이터 라인보다 누설 경로가 최소화될 수 있다. 따라서, 보다 정확한 측정값을 리드 아웃할 수 있다.
여기서, 센싱 제어 신호(SE)의 게이트 온 전압의 펄스 폭(P2)은 스캔 신호(S)의 게이트 온 전압의 펄스 폭(P1)과 상이할 수 있다. 예시적으로 센싱 제어 신호(SE)의 게이트 온 전압의 펄스 폭(P2)은 스캔 신호(S)의 게이트 온 전압의 펄스 폭(P1)보다 클 수 있다. 즉, 보다 정확한 센싱을 위해 제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)보다 오랜 시간 동안 턴 온될 상태일 수 있다. 또한, 제3 트랜지스터(T3)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비인 W/L은 제1 트랜지스터(T1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비인 W/L과 상이할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비인 W/L는 제1 트랜지스터(T1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비인 W/L보다 클 수 있다. 즉, 제3 트랜지스터(T3)은 채널 폭(W)이 크게 형성될 수 있으며, 낮은 크기의 전류라도 효율적으로 스캔 라인으로 전달할 수 있다. 예시적으로 제3 트랜지스터(T3)의 W/L는 제1 트랜지스터(T1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비보다 2 내지 3배 크게 설정될 수 있다.
제어부(120)는 제공된 센싱 데이터(SD)를 이용하여 영상 데이터(DATA)를 보상하여 보상 영상 데이터(DATA1)를 생성할 수 있다. 제어부(120)는 상술한 제1 내지 제3 구동 신호(CONT1 내지 CONT3)를 생성하는 신호 처리부(121), 영상 신호(R, G, B)를 처리하여 영상 데이터(DATA)를 생성하는 영상 처리부(122) 및 영상 데이터(DATA)를 보상하는 영상 보상부(123)을 포함할 수 있다. 영상 보상부(123)는 센싱부(150)에서 제공된 센싱 데이터(SD)와 영상 처리부(122)에서 제공된 영상 데이터(DATA)를 이용하여 보상 영상 데이터(DATA1)를 생성할 수 있다. 보상 영상 데이터(DATA1)는 각 구동 트랜지스터(T2)의 특성 편차 및 유기 발광 소자의 열화 편차가 보상된 데이터일 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 스캔 라인을 이용하여 보다 정확하게 리드 아웃된 센싱 데이터(SD)로서 보상 영상 데이터(DATA1)를 생성하고, 이에 따라 표시 패널(110)에 화상을 표시하므로, 보다 개선된 표시 품질을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대해 설명하도록 한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 회로도이다. 후술할 유기 발광 표시 장치의 구성에서 도 1 내지 도 6의 실시예에에 따른 유기 발광 표시 장치와 동일한 명칭을 갖는 구성은 실질적으로 동일한 것으로 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 매트릭스 배열된 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2) 및 유기 발광 소자(EL)은 복수의 화소(PX) 각각에 형성될 수 있다. 다만, 제3 트랜지스터(T3)는 복수의 화소 중 어느 화소에만 형성될 수 있다. 도 7은 복수의 화소 중 같은 데이터 라인에 연결된 제1 내지 제3 화소(PX1, PX2, PX3)로 구성된 화소 열을 표시한 것이다. 여기서, 제1 내지 제3 화소(PX1, PX2, PX3)은 모두 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2) 및 유기 발광 소자(EL)를 포함하나, 센싱 트랜지스터인 제3 트랜지스터(T3)는 제2 화소(PX2)에만 형성될 수 있다. 인접하게 배치된 화소들은 비슷한 계조의 영상을 함께 표시하는 경우에 많을 수 있으며, 이에 따라 화소의 열화 정도가 비슷할 수 있다. 따라서, 일부 화소에서 측정된 센싱 데이터는 상기 일부 화소와 인접하게 배치된 화소들의 열화 보상에도 동일하게 적용될 수 있다. 즉, 제2 화소(PX2)에서 측정된 센싱 데이터는 제1 화소(PX1) 및 제3 화소(PX3)를 보상하는 데이터로 활용될 수도 있다. 즉, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 복수의 화소는 비슷한 계조를 표현하는 화소 그룹이 정의될 수 있으며, 이러한 화소 그룹 중 어느 하나의 화소에만 센싱 트랜지스터가 형성될 수 있다. 이에 따라 데이터 보상에 따른 효과는 실질적으로 동일하게 제공하면서, 보상 트랜지스터를 형성함에 따른 제조 비용, 스캔 라인에 형성될 수 있는 커패시턴스가 최소화될 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 대해 설명하도록 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법은 센싱 전압 인가 단계(S110), 구동 전류 측정 단계(S120)를 포함한다.
여기서, 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자(EL), 유기 발광 소자(EL)를 구동하는 구동 트랜지스터(T2), 구동 트랜지스터(T2)를 제어하는 제어 트랜지스터(T1) 및 센싱 트랜지스터(T3)를 포함하는 복수의 화소(PX) 및 제어 트랜지스터(T1)를 턴 온하는 스캔 구동부(140)를 포함한다. 유기 발광 표시 장치는 상술한 도 1 내지 도 7의 유기 발광 표시 장치일 수 있으며, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다. 또한, 본 실시예의 설명을 위해 상기 도 1 내지 도 7이 참조될 수 있다.
먼저, 센싱 전압을 인가한다(S110).
센싱 전압 인가 단계(S110)는 센싱 모드(Sensing mode)의 제1 기간(T1)일 수 있다. 즉, 센싱 제어부(150)는 제3 구동 제어 신호(CONT3)에 따라 활성화될 수 있다. 제3 구동 제어 신호(CONT3)는 센싱 모드의 활성화 또는 비활성화를 제어하는 신호일 수 있다. 센싱 제어부(150)는 제3 구동 제어 신호(CONT3)에 의해 소정 레벨의 센싱 전압(Vref)을 생성하고 이를 복수의 화소(PX)로 공급할 수 있다. 센싱 전압(Vref)은 각 화소(PX)에 포함된 유기 발광 소자(EL)를 소정의 계조로 구동시킬 수 있다. 센싱 제어부(150)는 센싱 전압(Vref)을 복수의 데이터 라인(DL1, DL2, ..., DLm)으로 제공할 수 있다. 즉, 센싱 전압(Vref)은 데이터 라인을 통해 각 화소에 제공할 수 있다. 여기서, 센싱 제어부(150)가 센싱 전압(Vref)을 제공하는 경우, 데이터 전압(D1, D2, ..., Dm)이 출력되는 배선들과 복수의 데이터 라인의 연결은 차단될 수 있다. 센싱 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(T2)의 게이트 단으로 전달하기 위해 제어 트랜지스터(T1)은 스캔 신호에 의해 턴 온될 수 있다. 복수의 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)에 의해 턴 온된 제1 트랜지스터(T1)는 일 전극을 통해 공급되는 센싱 전압(Vref)을 타 전극에 연결된 제1 커패시터(C1)에 전달할 수 있다. 제1 커패시터(C1)에는 센싱 전압(Vref)이 충전될 수 있다. 제1 전원 전압(ELVDD)와 센싱 전압(Vref)이 형성하는 전압은 제2 구동 트랜지스터(T2)를 동작시킬 수 있는 전압 레벨일 수 있으며, 이에 따른 구동 전류가 제2 트랜지스터(T2)의 채널에 형성될 수 있다.
이어서, 센싱 전압에 의한 구동 전류를 측정한다(S120).
즉, 구동 전류 측정 단계(S120)는 센싱 모드(Sensing mode)의 제2 기간(T2)일 수 있다. 구동 전류를 측정하기 위해 센싱 트랜지스터인 제3 트랜지스터(T3)는 센싱 제어 신호에 의해 턴 온될 수 있다. 센싱 제어부(150)는 센싱 제어 신호(SE1, SE2, ..., SEn)을 연결된 센싱 제어 라인(SEL1, SEL2, ..., SELm)에 순차적으로 제공할 수 있다. 여기서, 제3 트랜지스터(T3)의 일 전극은 구동 전류가 흐르는 제2 트랜지스터의 타 전극과 연결될 수 있으며, 제3 트랜지스터(T3)의 타 전극은 스캔 라인과 연결될 수 있다. 즉, 스캔 구동부(140)는 상기 구동 전류를 측정하는 센싱부를 포함할 수 있다. 센싱부는 턴 온도니 센싱 트랜지스터를 통해 구동 전류를 측정할 수 있다. 센싱 전압을 제공하는 단계(S110)에서, 각 스캔 라인들은 스캔 구동부(140)의 쉬프트 레지스터와 연결되어 스캔 신호를 공급받을 수 있다. 구동 전류를 측정하는 단계(S120)에서, 각 스캔 라인들은 스캔 구동부(140)의 센싱부와 연결되어 구동 전류를 센싱부로 전달할 수 있다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법은 누설 경로가 최소화된 스캔 라인을 이용하여 센싱 데이터를 리드 아웃하므로, 보다 정확한 측정값을 제공할 수 있다. 또한, 데이터 라인의 커패시턴스 증가에 따른 부담을 경감할 수 있으며, 고해상도에 따른 데이터 구동 IC의 설계가 보다 용이해질 수 있다.
그 밖에 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 대한 다른 설명은 도 1 내지 도 7의 유기 발광 표시 장치에 포함된 동일한 명칭을 갖는 설명들과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 유기 발광 표시 장치
110: 표시 패널
120: 제어부
130: 데이터 구동부
140: 스캔 구동부
150: 센싱 제어부

Claims (20)

  1. 스캔 라인에 연결된 게이트 전극, 데이터 라인에 연결된 일 전극 및 제1 노드에 연결된 타 전극을 포함하는 제1 트랜지스터;
    상기 제1 노드와 연결된 게이트 전극, 제1 전원 전압에 연결된 일 전극 및 제2 노드에 연결된 타 전극을 포함하는 제2 트랜지스터;
    센싱 제어 라인에 연결된 게이트 전극, 상기 스캔 라인에 연결된 일 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 타 전극을 포함하는 제3 트랜지스터; 및
    상기 제2 노드에 연결된 애노드 전극 및 제2 전원 전압에 연결된 캐소드 전극을 포함하는 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 데이터 라인과 상기 센싱 제어 라인은 제1 방향을 따라 나란히 연장되는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 스캔 라인에 스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 스캔 구동부는,
    상기 스캔 신호를 생성하는 쉬프트 레지스터, 상기 제2 트랜지스터의 구동 정보를 측정하는 센싱부, 및 상기 쉬프트 레지스터와 상기 스캔 라인을 연결하는 제1 스위치 및 상기 센싱부와 상기 스캔 라인을 연결하는 제2 스위치를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 센싱부에서 측정한 제2 트랜지스터의 구동 정보를 반영하여 입력된 영상 신호를 보정하는 제어부를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 센싱 제어 라인에 센싱 제어 신호를 공급하는 센싱 제어부를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 스캔 구동부는 상기 제1 트랜지스터가 배치되는 제1 기판의 일변을 따라 배치되고,
    상기 센싱 제어부는 상기 제1 기판의 타변을 따라 배치되는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 일변과 상기 타변은 서로 수직한 유기 발광 표시 장치.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 스캔 구동부와 상기 센싱 제어부는 상기 제1 트랜지스터가 배치되는 제1 기판의 일변을 따라 배치되는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터에 공급되는 스캔 신호의 게이트 온 전압의 펄스 폭과 상기 제3 트랜지스터에 공급되는 스캔 제어 신호의 게이트 온 전압의 펄스 폭은 서로 상이한 유기 발광 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터의 채널 폭과 채널 길이의 비와 상기 제3 트랜지스터의 채널 폭과 채널 길이의 비는 서로 상이한 유기 발광 표시 장치
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 발광 표시 장치는,
    매트릭스 배열되고, 상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터 및 상기 유기 발광 소자가 각각 형성된 상기 복수의 화소를 포함하고,
    상기 제3 트랜지스터는 상기 복수의 화소 중 어느 화소에만 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  13. 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터를 제어하는 제어 트랜지스터 및 센싱 트랜지스터를 포함하는 복수의 화소;
    상기 제어 트랜지스터를 턴 온시키는 스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부; 및
    상기 센싱 트랜지스터를 턴 온시키는 센싱 제어 신호를 공급하는 센싱 제어부를 포함하되,
    상기 턴 온된 제어 트랜지스터의 일 단을 통해 공급되는 센싱 전압에 따른 구동 전류가 상기 구동 트랜지스터의 채널에 형성되고,
    상기 스캔 구동부는 상기 턴 온된 센싱 트랜지스터를 통해 상기 구동 전류를 측정하는 센싱부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 스캔 구동부는 상기 복수의 화소가 형성되는 제1 기판의 일변을 따라 배치되고,
    상기 센싱 제어부는 상기 제1 기판의 타변을 따라 배치되는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 스캔 신호의 게이트 온 전압의 펄스 폭과 상기 스캔 제어 신호의 게이트 온 전압의 펄스 폭은 서로 상이한 유기 발광 표시 장치.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 센싱부에서 측정한 상기 구동 트랜지스터의 구동 전류를 반영하여 입력된 영상 신호를 보정하는 제어부를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터를 제어하는 제어 트랜지스터 및 센싱 트랜지스터를 포함하는 복수의 화소 및 상기 제어 트랜지스터를 턴 온하는 스캔 구동부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
    상기 제어 트랜지스터를 통해 센싱 전압이 구동 트랜지스터의 게이트 단에 인가되는 단계; 및
    상기 센싱 전압에 따라 상기 구동 트랜지스터의 채널에 형성되는 구동 전류가 측정되는 단계를 포함하되,
    상기 스캔 구동부는 상기 구동 전류를 측정하는 센싱부를 포함하고,
    상기 센싱부는 턴 온된 센싱 트랜지스터를 통해 상기 구동 전류 측정하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 스캔 구동부는 상기 복수의 화소가 형성되는 제1 기판의 일변을 따라 배치되고,
    상기 센싱 제어부는 상기 제1 기판의 타변을 따라 배치되는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 스캔 신호의 게이트 온 전압의 펄스 폭과 상기 스캔 제어 신호의 게이트 온 전압의 펄스 폭은 서로 상이한 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 측정된 구동 전류를 반영하여 입력된 영상 신호를 보정하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
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