KR20160038706A - Block copolymer - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a block copolymer and uses thereof. Provided in the present invention are: a block copolymer having excellent self-assembling properties, which can be effectively used for various purposes; and uses thereof. The block copolymer comprises a first block having a branched chain, and a second block different from the first block. The block copolymer has a range of 2.5 to 10 of X followed by formula 1, X = 1 + (D×M)/(K×L).

Description

블록 공중합체{BLOCK COPOLYMER}BLOCK COPOLYMER < RTI ID = 0.0 >

본 출원은 블록 공중합체 및 그 용도에 관한 것이다.The present application relates to block copolymers and uses thereof.

블록 공중합체는 화학적 구조가 서로 다른 고분자 블록들이 공유 결합을 통해 연결되어 있는 분자 구조를 가지고 있다. 블록 공중합체는 상분리에 의해서 스피어(sphere), 실린더(cylinder) 또는 라멜라(lamella) 등과 같은 구조를 형성할 수 있다. 블록 공중합체의 자기 조립 현상에 의해 형성된 구조의 도메인의 크기는 조절될 수 있으며, 다양한 형태의 구조의 제작이 가능하여 고밀도 자기저장매체, 나노선 제작, 양자점 또는 금속점 등과 같은 다양한 차세대 나노 소자나 자기 기록 매체 또는 리소그라피 등에 의한 패턴 형성 등에 응용될 수 있다.The block copolymer has a molecular structure in which polymer blocks having different chemical structures are linked through covalent bonds. The block copolymer can form a structure such as a sphere, a cylinder or a lamella by phase separation. The size of the domain of the structure formed by the self-assembling phenomenon of the block copolymer can be controlled and various types of structures can be manufactured. Thus, various next generation nano devices such as high density magnetic storage media, nanowire fabrication, Magnetic recording media or pattern formation by lithography or the like.

본 출원은 블록 공중합체, 고분자막, 고분자막의 형성 방법 및 패턴 형성 방법 등을 제공한다.The present application provides a method of forming a block copolymer, a polymer film, a polymer film, a pattern forming method, and the like.

예시적인 블록 공중합체는, 제 1 블록과 상기 제 1 블록과는 다른 제 2 블록을 포함할 수 있다. 블록 공중합체의 각 블록들은 일종의 단량체만에 의해 형성되거나, 혹은 2종 이상의 단량체에 의해 형성될 수 있다. 블록 공중합체는 하나의 제 1 블록과 하나의 제 2 블록만을 포함하는 디블록 공중합체이거나, 제 1 및 제 2 블록 중 하나 이상을 2개 이상 포함하거나, 혹은 제 1 및 제 2 블록 외에 다른 블록을 추가로 포함하는 트리블록 이상의 블록 공중합체일 수 있다.An exemplary block copolymer may comprise a first block and a second block different from the first block. Each block of the block copolymer may be formed of only one type of monomer, or may be formed of two or more kinds of monomers. The block copolymer may be a diblock copolymer containing only one first block and one second block, or may include at least one of the first and second blocks, or may include at least two blocks other than the first and second blocks, Or a block copolymer of a triblock or more.

블록 공중합체는 공유 결합으로 연결된 2개 또는 그 이상의 고분자 사슬을 포함하기 때문에 상분리가 일어나게 된다. 하기 기술하는 본 출원의 블록 공중합체는, 미세상분리(microphase seperation)에 의한 나노 스케일의 구조를 형성할 수 있다. 상기 나노 스케일의 구조의 형태 또는 크기는, 예를 들면, 분자량 등과 같은 블록 공중합체의 크기나, 블록간의 상대적 비율의 조절을 통해 조절할 수 있다. 본 발명자들은, 하기 기술하는 본 출원의 블록 공중합체는 특히 자기 조립에 의해 실린더 구조를 효율적으로 형성할 수 있는 점을 확인하였다. Since the block copolymer contains two or more chains of chains linked by covalent bonds, phase separation occurs. The block copolymer of the present invention described below can form a nanoscale structure by microphase seperation. The shape or size of the nanoscale structure can be controlled, for example, by controlling the size of a block copolymer such as a molecular weight or the relative ratio between blocks. The present inventors have confirmed that the block copolymer of the present application described below can efficiently form a cylinder structure by self-assembly.

본 출원의 블록 공중합체는, 예를 들면, 하기 수식 1로 계산되는 X의 범위가 2.5 내지 10이거나 혹은 1.1 내지 1.7일 수 있다.The block copolymer of the present application may have, for example, a range of X calculated from the following formula 1: 2.5 to 10, or 1.1 to 1.7.

[수식 1][Equation 1]

X = 1 + (D×M)/(K×L)X = 1 + (D x M) / (K x L)

수식 1에서 D는 제 1 블록의 밀도(D1)와 제 2 블록의 밀도(D2)의 비율(D2/D1)이고, M은, 제 1 블록의 몰질량(M1)과 제 2 블록의 몰질량(M2)의 비율(M1/M2)이며, K는 1H-NMR에서 제 2 블록에 기인하여 나타나는 피크의 면적(A2)과 제 1 블록에 기인하여 나타나는 피크의 면적(A2)의 비율(A2/A1)이고, L은 제 1 블록 반복 단위 1몰이 가지는 수소 원자의 수(H1)와 제 2 블록 반복 단위 1몰이 가지는 수조 원자의 수(H2)의 비율(H1/H2)이다.D is the ratio of the density D1 of the first block to the density D2 of the second block and D is the ratio of the molar mass M1 of the first block to the molar mass of the second block K is the ratio of the area A2 of the peak due to the second block in the 1 H-NMR to the area A2 of the peak due to the first block A2 / A1), and L is the ratio (H1 / H2) of the number (H1) of hydrogen atoms having 1 mole of the first block repeating unit to the number (H2) of water atoms having 1 mole of the second block repeating unit.

수식 1에 적용되는 K값을 구하기 위한 1H-NMR의 측정 방식은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방식으로 진행할 수 있다. 상기 측정 방식의 일 예는 하기 실시예에 기술되어 있다. NMR 측정 결과로부터 피크의 면적을 계산하는 방식은 공지이며, 예를 들어, NMR 측정 결과 제 1 블록과 제 2 블록 각각에서 유래하는 피크가 서로 겹치지 않는 경우에 해당 피크의 면적을 통해 구할 수 있고, 피크가 서로 겹치는 경우에는 상기 겹쳐지는 부분을 감안하여 비율을 구할 수 있다. 1H-NMR 스펙트럼을 해석하여 피크의 면적을 구할 수 있는 해석 프로그램들이 다양하게 알려져 있으며, 예를 들면, MestReC 프로그램을 사용하여 피크의 면적을 계산할 수 있다. The 1 H-NMR measurement method for obtaining the K value to be applied to the formula (1) is not particularly limited and can be carried out by a known method. An example of the above measurement method is described in the following embodiments. The method of calculating the area of the peak from the NMR measurement results is known. For example, when the peaks derived from the first block and the second block do not overlap with each other as a result of NMR measurement, they can be obtained through the area of the peak, When the peaks overlap each other, the ratio can be determined in consideration of the overlapped portion. Analysis programs capable of analyzing 1 H-NMR spectrum and obtaining the area of a peak are variously known. For example, the area of a peak can be calculated using the MestReC program.

수식 1에 적용되는 D값을 구하기 위한 블록 공중합체의 각 블록의 밀도는 공지의 부력법을 이용하여 측정할 수 있다. 예를 들면, 에탄올과 같이 공기 중에서의 질량과 밀도를 알고 있는 용매 내에서의 블록 공중합체의 질량을 분석하여 밀도를 측정할 수 있다. 상기 각 블록의 밀도는, 예를 들면, 그 블록을 형성하는 단량체만으로 제조된 단독 중합체를 부력법에 적용하여 측정할 수 있다. The density of each block of the block copolymer to obtain the D value to be applied to Equation 1 can be measured by a known buoyancy method. For example, the density can be measured by analyzing the mass of the block copolymer in a solvent, such as ethanol, in which the mass and density in air are known. The density of each of the above-mentioned blocks can be measured, for example, by applying a homopolymer produced only by the monomers forming the block to the buoyancy method.

수식 1에 적용되는 M값은 전술한 바와 같이 블록 공중합체의 각 블록의 반복 단위의 몰질량의 비율이다. 이러한 몰질량은, 공지의 방식으로 구할 수 있고, 예를 들면, 블록 공중합체의 각 블록을 형성하는 단량체의 몰질량의 비율로도 상기 M값을 구할 수 있다. 이러한 경우, 블록 공중합체의 어느 한 블록이 2종 이상의 단량체로 형성되는 경우에 상기 M값을 계산하기 위한 몰질량은 상기 2종 이상의 단량체 중에서 그 블록에 가장 많은 몰수로 포함되어 있는 단량체의 몰질량을 대입할 수 있다.The M value applied to Formula 1 is the ratio of the molar mass of the repeating units of each block of the block copolymer as described above. Such a molar mass can be obtained by a known method, and for example, the above-mentioned M value can be obtained by the ratio of the molar mass of the monomers forming each block of the block copolymer. In this case, when one block of the block copolymer is formed of two or more kinds of monomers, the molar mass for calculating the M value is the molar mass of the monomers contained in the block most frequently among the two or more kinds of monomers Can be substituted.

수식 1에 적용되는 L값은 전술한 바와 같이 블록 공중합체의 각 블록의 반복 단위 1몰이 가지는 수소 원자의 수의 비율이다. 이러한 비율 역시 각 반복 단위의 화학 구조에 기반하여 구할 수 있고, 예를 들면, 블록 공중합체의 각 블록을 형성하는 단량체의 화학 구조에서의 수소 원자의 수 또는 1H-NMR에 의해 구할 수 있다. 이 경우도, 블록 공중합체의 어느 한 블록이 2종 이상의 단량체로 형성되는 경우에 상기 L값을 계산하기 위한 몰질량은 상기 2종 이상의 단량체 중에서 그 블록에 가장 많은 몰수로 포함되어 있는 단량체의 몰질량을 대입할 수 있다.The L value applied to Equation 1 is the ratio of the number of hydrogen atoms of one mole of the repeating unit of each block of the block copolymer as described above. These ratios can also be obtained based on the chemical structure of each repeating unit, and can be obtained, for example, by the number of hydrogen atoms in the monomers constituting each block of the block copolymer or by 1 H-NMR. Also in this case, when one block of the block copolymer is formed of two or more kinds of monomers, the molar mass for calculating the L value is the molar amount of the monomer contained in the block in the largest number of moles among the two or more kinds of monomers Mass can be substituted.

본 출원에서 밀도 등과 같이 온도에 의해 변할 수 있는 물성은, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 상온에서 측정한 수치이다. 용어 상온은, 가온되거나, 감온되지 않은 자연 그대로의 온도이고, 약 10℃ 내지 30℃, 약 25℃ 또는 약 23℃의 온도를 의미할 수 있다. In the present application, physical properties such as density and the like which can be changed by temperature are values measured at room temperature unless otherwise specified. The term ambient temperature is a natural, non-warming or non-warming temperature and may refer to a temperature of about 10 ° C to 30 ° C, about 25 ° C, or about 23 ° C.

수식 1에서 X는, 블록 공중합체 내의 제 1 및 제 2 블록의 비율을 대표하는 수치이다. 일반적으로 블록 공중합체 내의 각 블록의 비율은 GPC 등을 통해 얻어지는 분자량에 기반하여 확인되고 있으나, 본 발명자들은 이러한 방식은 블록간의 비율을 정확하게 반영하지 못하고, 따라서 설계된 대로의 블록 공중합체가 얻어지지 않는 점을 확인하였다. 예를 들어, 후술하는 바와 같이 블록 공중합체의 어느 한 블록을 거대개시제로 하여 블록 공중합체를 합성하는 경우에 거대 개시제와 단량체의 반응성에 따라서는 목적하는 수준으로 각 블록을 포함하는 블록 공중합체가 합성되지 않는 경우가 있는데, GPC만으로는 이러한 점이 정확하게 확인될 수 없다. In the formula (1), X is a numerical value representative of the ratio of the first and second blocks in the block copolymer. Generally, the ratio of each block in the block copolymer is confirmed based on the molecular weight obtained through GPC or the like. However, the present inventors have found that this method does not accurately reflect the ratio between the blocks, . For example, when a block copolymer is synthesized by using one block of a block copolymer as a macromonomer as described later, depending on the reactivity of the macromonomer and the monomer, a block copolymer containing each block at a desired level In some cases, GPC alone can not confirm this point.

수식 1에 따른 X는 다른 예시에서 2.5 내지 6.7, 2.5 내지 5, 2.8 내지 5 또는 3.3 내지 5의 범위일 수 있다. X according to Formula 1 may range from 2.5 to 6.7, 2.5 to 5, 2.8 to 5, or 3.3 to 5 in another example.

수직 1에 따른 X는 또 다른 예시에서 1.1 내지 1.45, 1.1 내지 1.35, 1.1 내지 1.33 또는 1.1 내지 1.25 정도일 수 있다.X according to Vertical 1 may be in the range of 1.1 to 1.45, 1.1 to 1.35, 1.1 to 1.33 or 1.1 to 1.25 in another example.

예를 들어, 상기 제 1 블록이 후술하는 바와 같이, 할로겐 원자로 치환된 방향족 구조를 포함하는 제 2 블록과 함께 포함되는 할로겐 원자를 가지지 않는 방향족 구조를 포함하는 블록이거나, 할로겐 원자를 포함하는 제 2 블록과 함께 포함되는 측쇄 사슬을 가지는 블록인 경우에 상기 X가 2.5 내지 10의 범위 내인 블록 공중합체는 상기 제 1 블록에 의해 형성된 도메인 내에서 제 2 블록이 실린더 형상으로 존재하는 구조를 형성할 수 있으며, 상기 X가 1.1 내지 1.7의 범위 내인 블록 공중합체는, 상기 제 2 블록에 의해 형성되는 도메인 내에서 상기 제 1 블록이 실린더 형상으로 존재하는 구조를 형성할 수 있다.For example, the first block may be a block including an aromatic structure having no halogen atom included together with a second block including an aromatic structure substituted with a halogen atom, or a second block including a halogen atom The block copolymer having X in the range of 2.5 to 10 in the case of a block having a side chain included with the block can form a structure in which the second block is present in the form of a cylinder within the domain formed by the first block And X is in the range of 1.1 to 1.7 can form a structure in which the first block is present in a cylinder shape in a domain formed by the second block.

본 출원에서 용어 측쇄 사슬은, 고분자의 주쇄에 연결된 사슬을 의미하고, 용어 사슬 형성 원자는, 블록 공중합체에 결합되어 있는 상기 측쇄 사슬을 형성하는 원자로서, 상기 사슬의 직쇄 구조를 형성하는 원자를 의미한다. 상기 측쇄 사슬은 직쇄형 또는 분지형일 수 있으나, 사슬 형성 원자의 수는 가장 긴 직쇄를 형성하고 있는 원자의 수만으로 계산되며, 상기 사슬 형성 원자에 결합되어 있는 다른 원자(예를 들면, 사슬 형성 원자가 탄소 원자인 경우에 그 탄소 원자에 결합하고 있는 수소 원자 등)는 계산되지 않는다. 예를 들어, 분지형 사슬인 경우에 상기 사슬 형성 원자의 수는 가장 긴 사슬 부위를 형성하고 있는 사슬 형성 원자의 수로 계산될 수 있다. 예를 들어, 측쇄 사슬이 n-펜틸기인 경우에 사슬 형성 원자는 모두 탄소로서 그 수는 5이고, 측쇄 사슬이 2-메틸펜틸기인 경우에도 사슬 형성 원자는 모두 탄소로서 그 수는 5이다. 상기 사슬 형성 원자로는, 탄소, 산소, 황 또는 질소 등이 예시될 수 있고, 적절한 사슬 형성 원자는 탄소, 산소 또는 질소이거나, 탄소 또는 산소일 수 있다. 상기 사슬 형성 원자의 수는 8 이상, 9 이상, 10 이상, 11 이상 또는 12 이상일 수 있다. 상기 사슬 형성 원자의 수는, 또한 30 이하, 25 이하, 20 이하 또는 16 이하일 수 있다.As used herein, the term " side chain chain " means a chain connected to the main chain of the polymer, and the term " chain forming atom " means an atom forming the side chain chain bonded to the block copolymer, it means. The side chain may be linear or branched, but the number of chain-forming atoms is calculated by the number of atoms forming the longest straight chain, and other atoms bonded to the chain-forming atoms (for example, A hydrogen atom bonded to the carbon atom in the case of a carbon atom, etc.) is not calculated. For example, in the case of a branched chain, the number of chain forming atoms may be calculated as the number of chain forming atoms forming the longest chain region. For example, when the side chain is an n-pentyl group, all of the chain-forming atoms are carbon atoms, and the number of the chain-forming atoms is 5 even when the side chain is a 2-methylpentyl group. The chain-forming atom may be exemplified by carbon, oxygen, sulfur or nitrogen, and a suitable chain-forming atom may be carbon, oxygen or nitrogen, or carbon or oxygen. The number of chain-forming atoms may be 8 or more, 9 or more, 10 or more, 11 or more, or 12 or more. The number of the chain-forming atoms may be 30 or less, 25 or less, 20 or less, or 16 or less.

상기 블록 공중합체의 수평균분자량(Mn (Number Average Molecular Weight))은, 예를 들면, 3,000 내지 300,000의 범위 내에 있을 수 있다. 본 명세서에서 용어 수평균분자량은, GPC(Gel Permeation Chromatograph)를 사용하여 측정한 표준 폴리스티렌에 대한 환산 수치이고, 본 명세서에서 용어 분자량은 특별히 달리 규정하지 않는 한 수평균분자량을 의미한다. 분자량(Mn)은 다른 예시에서는, 예를 들면, 3000 이상, 5000 이상, 7000 이상, 9000 이상, 11000 이상, 13000 이상 또는 15000 이상일 수 있다. 분자량(Mn)은 또 다른 예시에서 250000 이하, 200000 이하, 180000 이하, 160000이하, 140000이하, 120000이하, 100000이하, 90000이하, 80000이하, 70000이하, 60000이하, 50000이하, 40000이하, 30000 이하 또는 25000 이하 정도일 수 있다. 블록 공중합체는, 1.01 내지 1.60의 범위 내의 분산도(polydispersity, Mw/Mn)를 가질 수 있다. 분산도는 다른 예시에서 약 1.1 이상, 약 1.2 이상, 약 1.3 이상 또는 약 1.4 이상일 수 있다.The number average molecular weight (Mn) of the block copolymer may be, for example, in the range of 3,000 to 300,000. In the present specification, the term number average molecular weight refers to a value converted to standard polystyrene measured using GPC (Gel Permeation Chromatograph). In the present specification, the term molecular weight refers to a number average molecular weight unless otherwise specified. The molecular weight (Mn) may be, for example, 3000 or more, 5000 or more, 7000 or more, 9000 or more, 11000 or more, 13000 or more, or 15000 or more in other examples. In another example, the molecular weight (Mn) is not more than 250,000, less than 200,000, less than or equal to 180,000, less than or equal to 160,000, less than or equal to 140000, less than or equal to 120000, less than or equal to 100000, less than or equal to 90000, less than or equal to 80000, less than or equal to 70000, Or 25,000 or less. The block copolymer may have a polydispersity (Mw / Mn) in the range of 1.01 to 1.60. In another example, the degree of dispersion may be at least about 1.1, at least about 1.2, at least about 1.3, or at least about 1.4.

이러한 범위에서 블록 공중합체는 적절한 자기 조립 특성을 나타낼 수 있다. 블록 공중합체의 수평균 분자량 등은 목적하는 자기 조립 구조 등을 감안하여 조절될 수 있다. In this range, the block copolymer can exhibit proper self-assembling properties. The number average molecular weight of the block copolymer and the like can be adjusted in consideration of the desired self-assembling structure and the like.

상기 블록 공중합체는 적절한 자기 조립성 내지는 상분리 특성의 확보를 위하여 제어된 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 언급된 파라미터 중 하나 이상을 만족시키는 블록 공중합체의 제 1 블록과 제 2 블록 중 적어도 하나 또는 모두는 적어도 방향족 구조를 포함할 수 있다. 제 1 블록과 제 2 블록은 모두 방향족 구조를 포함할 수 있으며, 이러한 경우에 제 1 및 제 2 블록에 포함되는 방향족 구조는 동일하거나 상이할 수 있다. 또한, 상기 언급된 파라미터 중 하나 이상을 만족시키는 블록 공중합체의 제 1 및 제 2 블록 중에서 적어도 하나는 전술한 측쇄 사슬을 포함하거나, 후술하는 하나 이상의 할로겐 원자를 포함할 수 있는데, 이러한 측쇄 사슬과 할로겐 원자는 상기 방향족 구조에 치환되어 있을 수 있다. 본 출원의 블록 공중합체는 2개의 블록을 포함하거나, 그 이상의 블록을 포함할 수 있다.The block copolymer may have a controlled structure to ensure proper self-assembly or phase separation characteristics. For example, at least one or both of the first block and the second block of the block copolymer satisfying at least one of the above-mentioned parameters may comprise at least an aromatic structure. The first block and the second block may all include an aromatic structure, and in this case, the aromatic structures included in the first and second blocks may be the same or different. In addition, at least one of the first and second blocks of the block copolymer satisfying at least one of the above-mentioned parameters may contain the above-described side chain chain or may include at least one halogen atom described later, The halogen atom may be substituted in the aromatic structure. The block copolymer of the present application may comprise two blocks or may comprise more blocks.

기술한 바와 같이 상기 블록 공중합체의 제 1 블록 및/또는 제 2 블록은 방향족 구조를 포함할 수 있다. 이러한 방향족 구조는 제 1 및 제 2 블록 중에서 어느 하나의 블록에만 포함되거나, 양 블록에 모두 포함될 수 있다. 양 블록이 모두 방향족 구조를 포함하는 경우에 각 블록이 포함하는 방향족 구조는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.As described above, the first block and / or the second block of the block copolymer may include an aromatic structure. The aromatic structure may be included in only one of the first and second blocks, or may be included in both blocks. When both blocks include an aromatic structure, the aromatic structures included in each block may be the same or different from each other.

본 명세서에서 용어, 방향족 구조, 아릴기 또는 아릴렌기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 벤젠 고리를 가지거나, 2개 이상의 벤젠 고리가 하나 또는 2개의 탄소 원자를 공유하면서 연결되어 있거나, 또는 임의의 링커에 의해 연결되어 있는 구조를 포함하는 화합물 또는 그 유도체로부터 유래하는 구조, 1가 잔기 또는 2가 잔기를 의미할 수 있다. 상기 아릴기 또는 아릴렌기는, 예를 들면, 탄소수 6 내지 30, 탄소수 6 내지 25, 탄소수 6 내지 21, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 13의 아릴기일 수 있다. 아릴기 또는 아릴렌기로는, 벤젠(benzene) 등이나, 나프탈렌(naphthalene), 아조벤젠(azobenzene), 안트라센(anthracene), 페난스렌(phenanthrene), 테트라센(tetracene), 파이렌(pyrene) 또는 벤조파이렌(benzopyrene) 등으로부터 유래된 1가 또는 2가 잔기 등도 예시될 수 있다.As used herein, the term aromatic structure, aryl group or arylene group, unless otherwise specified, includes a benzene ring, or two or more benzene rings are linked together sharing one or two carbon atoms, A structure derived from a compound including a structure linked by a linker or a derivative thereof, a monovalent residue or a divalent residue. The aryl group or arylene group may be, for example, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, 6 to 25 carbon atoms, 6 to 21 carbon atoms, 6 to 18 carbon atoms, or 6 to 13 carbon atoms. Examples of the aryl group or the arylene group include benzene and the like, naphthalene, azobenzene, anthracene, phenanthrene, tetracene, pyrene, A monovalent or divalent residue derived from benzopyrene or the like may be exemplified.

상기 방향족 구조는 블록 주쇄에 포함되어 있는 구조이거나, 혹은 블록 주쇄에 측쇄 형태로 연결되어 있는 구조일 수 있다. 각 블록이 포함할 수 있는 방향족 구조의 적절한 제어를 통해 전술한 파라미터의 조절이 가능할 수 있다.The aromatic structure may be a structure contained in a block main chain or a structure in which a block main chain is connected in a side chain form. Adjustment of the above-described parameters may be possible through appropriate control of the aromatic structure that each block may contain.

예를 들어, 전술한 파라미터의 조절을 위하여 블록 공중합체의 제 1 블록에는 사슬 형성 원자가 8개 이상인 사슬이 측쇄에 연결되어 있을 수 있다. 본 명세서에서 용어 사슬과 측쇄 사슬은 서로 동일한 대상을 지칭할 수 있다. 제 1 블록이 방향족 구조를 포함하는 경우에, 상기 사슬은 상기 방향족 구조에 연결되어 있을 수 있다.For example, in order to control the above-mentioned parameters, the first block of the block copolymer may have chains with more than eight chain forming atoms connected to the side chains. In the present specification, the term chain and side chain chain may refer to the same object. When the first block comprises an aromatic structure, the chain may be connected to the aromatic structure.

측쇄 사슬은, 상기 언급한 바와 같이 8개 이상, 9개 이상, 10개 이상, 11개 이상 또는 12개 이상의 사슬 형성 원자를 포함하는 사슬일 수 있다. 상기 사슬 형성 원자의 수는, 또한 30개 이하, 25개 이하, 20개 이하 또는 16개 이하일 수 있다. 사슬 형성 원자는, 탄소, 산소, 질소 또는 황 원자일 수 있고, 적절하게는 탄소 또는 산소일 수 있다.The side chain chain may be a chain containing at least 8, at least 9, at least 10, at least 11 or at least 12 chain forming atoms as mentioned above. The number of chain-forming atoms may also be not more than 30, not more than 25, not more than 20, or not more than 16. The chain forming atom may be a carbon, oxygen, nitrogen or sulfur atom, and may suitably be carbon or oxygen.

측쇄 사슬로는, 알킬기, 알케닐기 또는 알키닐기와 같은 탄화수소 사슬이 예시될 수 있다. 상기 탄화 수소 사슬의 탄소 원자 중에서 적어도 하나는 황 원자, 산소 원자 또는 질소 원자로 대체되어 있을 수 있다. As the branched chain, a hydrocarbon chain such as an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group can be exemplified. At least one of the carbon atoms of the hydrocarbon chain may be replaced by a sulfur atom, an oxygen atom or a nitrogen atom.

측쇄 사슬이 방향족 구조에 연결되는 경우에 상기 사슬은 방향족 구조에 직접 연결되어 있거나, 혹은 링커를 매개로 연결되어 있을 수 있다. 상기 링커로는, 산소 원자, 황 원자, -NR1-, -S(=O)2-, 카보닐기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)- 등 예시될 수 있고, 상기에서 R1은 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기일 수 있으며, X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR2-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기일 수 있고, 상기에서 R2는, 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기일 수 있다. 적절한 링커로는 산소 원자가 예시될 수 있다. 측쇄 사슬은, 예를 들면, 산소 원자 또는 질소 원자를 매개로 방향족 구조에 연결되어 있을 수 있다.When the side chain is connected to an aromatic structure, the chain may be directly connected to the aromatic structure or may be connected via a linker. The linker is an oxygen atom, a sulfur atom, -NR 1 -, -S (= O) 2 -, a carbonyl group, an alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) - and the like can be exemplified, and in the above R 1 may be hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or an aryl date, X 1 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom , -NR 2 -, -S (═O) 2 -, an alkylene group, an alkenylene group or an alkynylene group, and R 2 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, have. Suitable linkers may be exemplified by oxygen atoms. The side chain may be connected to the aromatic structure via, for example, an oxygen atom or a nitrogen atom.

방향족 구조가 블록의 주쇄에 측쇄 형태로 연결되어 있는 경우에 상기 방향족 구조도 상기 주쇄에 직접 연결되어 있거나, 링커를 매개로 연결되어 있을 수 있다. 이 경우 링커로는, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 카보닐기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)- 등이 예시될 수 있고, 상기에서 X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기일 수 있다. 방향족 구조를 주쇄에 연결하는 적절한 링커로는, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)- 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.When the aromatic structure is connected to the main chain of the block in the form of a side chain, the aromatic structure may be directly connected to the main chain or may be connected via a linker. In this case, linker, oxygen atom, sulfur atom, -S (= O) 2 - , a carbonyl group, an alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 - C (= O) - and the like can be exemplified, wherein X 1 may be a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, -S (= O) 2 -, an alkylene group, an alkenylene group or an alkynylene group. Suitable linkers connecting the aromatic structure to the backbone include, but are not limited to, -C (= O) -O- or -OC (= O) -.

다른 예시에서 블록 공중합체의 제 1 및/또는 제 2 블록에 포함되는 방향족 구조는 1개 이상, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상 또는 5개 이상의 할로겐 원자를 포함할 수 있다. 할로겐 원자의 수는, 예를 들면, 30개 이하, 25개 이하, 20개 이하, 15개 이하 또는 10개 이하일 수 있다. 할로겐 원자로는, 불소 또는 염소 등이 예시될 수 있고, 불소 원자의 사용이 유리할 수 있다. 이와 같이 할로겐 원자를 포함하는 방향족 구조를 가지는 블록은 다른 블록과의 적절한 상호 작용을 통해 효율적으로 상분리 구조를 구현할 수 있다.In another example, the aromatic structure included in the first and / or second block of the block copolymer may comprise one or more, two or more, three or more, four or more, or five or more halogen atoms. The number of halogen atoms may be, for example, 30 or less, 25 or less, 20 or less, 15 or less, or 10 or less. Examples of the halogen atom include fluorine or chlorine, and the use of a fluorine atom may be advantageous. As described above, a block having an aromatic structure containing a halogen atom can efficiently realize a phase separation structure through proper interaction with other blocks.

할로겐 원자를 포함하는 방향족 구조로는, 탄소수 6 내지 30, 탄소수 6 내지 25, 탄소수 6 내지 21, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 13의 방향족 구조를 예시할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. Examples of the aromatic structure containing a halogen atom include, but are not limited to, aromatic structures having 6 to 30 carbon atoms, 6 to 25 carbon atoms, 6 to 21 carbon atoms, 6 to 18 carbon atoms, or 6 to 13 carbon atoms.

블록 공중합체에서 제 1 및 제 2 블록이 모두 방향족 구조를 포함하는 경우에, 적절한 상분리 구조의 구현을 위하여 제 1 블록은 할로겐 원자를 포함하지 않는 방향족 구조를 포함하고, 제 2 블록은 할로겐 원자를 포함하는 방향족 구조를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 블록의 방향족 구조에는 상기 언급한 측쇄 사슬이 직접 또는 산소나 질소를 포함하는 링커를 매개로 연결되어 있을 수 있다. In the case where both the first and second blocks in the block copolymer include an aromatic structure, the first block includes an aromatic structure not containing a halogen atom and the second block contains a halogen atom Containing aromatic structure. The aromatic structure of the first block may be linked to the above-mentioned side chain chain directly or via a linker including oxygen or nitrogen.

블록 공중합체가 측쇄 사슬을 가지는 블록을 포함하는 경우에 이 블록은 예를 들면, 하기 화학식 1로 표시되는 블록일 수 있다. When the block copolymer comprises a block having a side chain chain, this block may be, for example, a block represented by the following general formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

화학식 1에서 R은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, X는 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 카보닐기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이고, 상기에서 X1은 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이고, Y는 8개 이상의 사슬 형성 원자를 가지는 사슬이 연결된 고리 구조를 포함하는 1가 치환기이다.Wherein R is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and X is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, -S (= O) 2 -, a carbonyl group, an alkylene group, an alkenylene group, C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) -, wherein X 1 represents an oxygen atom, a sulfur atom, -S (═O) 2 -, an alkylene group, And Y is a monovalent substituent group comprising a ring structure having a chain having 8 or more chain forming atoms linked thereto.

본 출원에서 용어 단일 결합은 그 부위에 별도의 원자가 존재하지 않는 것을 의미한다. 예를 들어, 화학식 1에서 X가 단일 결합이라면, Y가 직접 고분자 사슬에 연결된 구조가 구현될 수 있다.The term single bond in the present application means that no separate atom is present at that site. For example, when X in the general formula (1) is a single bond, a structure in which Y is directly connected to a polymer chain can be realized.

본 명세서에서 용어 알킬기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형의 알킬기일 수 있으며, 이는 임의로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다(단, 전술한 측쇄 사슬이 알킬기인 경우에 상기 알킬기는, 8개 이상, 9개 이상, 10개 이상, 11개 이상 또는 12개 이상의 탄소 원자를 포함할 수 있고, 이 알킬기의 탄소 원자의 수는, 30개 이하, 25개 이하, 20개 이하 또는 16개 이하일 수 있다.).As used herein, unless otherwise specified, the alkyl group may be a straight, branched or cyclic alkyl group of 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms Which may optionally be substituted by one or more substituents, provided that when the side chain is an alkyl group, the alkyl group may have 8 or more, 9 or more, 10 or more, 11 or 12 or more carbons Atoms, and the number of carbon atoms of the alkyl group may be 30 or less, 25 or less, 20 or less, or 16 or less).

본 명세서에서 용어 알케닐기 또는 알키닐기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형의 알케닐기 또는 알키닐기일 수 있으며, 이는 임의로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다(단, 전술한 측쇄 사슬로서의 알케닐기 또는 알키닐기는, 8개 이상, 9개 이상, 10개 이상, 11개 이상 또는 12개 이상의 탄소 원자를 포함할 수 있고, 이 알케닐기 또는 알키닐기의 탄소 원자의 수는, 30개 이하, 25개 이하, 20개 이하 또는 16개 이하일 수 있다.).As used herein, the term alkenyl or alkynyl group means a straight, branched or cyclic alkyl group having 2 to 20 carbon atoms, 2 to 16 carbon atoms, 2 to 12 carbon atoms, 2 to 8 carbon atoms or 2 to 4 carbon atoms, Alkenyl group or alkynyl group which may optionally be substituted by one or more substituents, provided that the above-mentioned alkenyl or alkynyl group as the side chain is at least 8, at least 9, at least 10, at least 11, Or more than 12 carbon atoms, and the number of carbon atoms of the alkenyl group or alkynyl group may be 30 or less, 25 or less, 20 or less, or 16 or less).

본 명세서에서 용어 알킬렌기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형의 알킬렌기일 수 있으며, 이는 임의로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.The term alkylene group as used herein includes, unless otherwise specified, a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms Which may optionally be substituted by one or more substituents.

본 명세서에서 용어 알케닐렌기 또는 알키닐렌기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형의 알킬렌기일 수 있으며, 이는 임의로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.The term alkenylene group or alkynylene group as used herein means a straight chain, branched chain or ring having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms or 1 to 4 carbon atoms, Lt; / RTI > alkylene group, which may optionally be substituted by one or more substituents.

또한, 화학식 1에서 X는 다른 예시에서 -C(=O)O- 또는 -OC(=O)-일 수 있다.Further, X in the general formula (1) may be -C (= O) O- or -OC (= O) - in another example.

화학식 1에서 Y는 전술한 사슬을 포함하는 치환기이고, 상기는, 예를 들면, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 12의 방향족 구조를 포함하는 치환기일 수 있다. 상기에서 사슬은, 예를 들면, 8개 이상, 9개 이상, 10개 이상, 11개 이상 또는 12개 이상의 탄소 원자를 포함하는 직쇄 알킬기일 수 있다. 이 알킬기는, 30개 이하, 25개 이하, 20개 이하 또는 16개 이하의 탄소 원자를 포함할 수 있다. 이러한 사슬은, 상기 방향족 구조에 직접 또는 상기 언급한 링커를 매개로 연결되어 있을 수 있다.In the general formula (1), Y is a substituent containing the above-mentioned chain, and may be, for example, a substituent containing an aromatic structure having 6 to 18 carbon atoms or 6 to 12 carbon atoms. The chain may be, for example, a straight chain alkyl group containing at least 8, at least 9, at least 10, at least 11, or at least 12 carbon atoms. The alkyl group may contain up to 30, up to 25, up to 20 or up to 16 carbon atoms. Such a chain may be directly connected to the aromatic structure or via the above-mentioned linker.

제 1 블록은 다른 예시에서 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.The first block may be represented by the following formula (2) in another example.

[화학식 2](2)

Figure pat00002
Figure pat00002

화학식 2에서 R은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, X는 -C(=O)-O-이고, P는 탄소수 6 내지 12의 아릴렌기이고, Q는 산소 원자이며, Z는 사슬 형성 원자가 8개 이상인 상기 사슬이다.R is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X is -C (= O) -O-, P is an arylene group having 6 to 12 carbon atoms, Q is an oxygen atom, Z is a chain- Lt; RTI ID = 0.0 > 8 < / RTI >

화학식 3에서 P는 다른 예시에서 페닐렌일 수 있고, Z는 다른 예시에서 탄소수 9 내지 20, 탄소수 9 내지 18 또는 탄소수 9 내지 16의 직쇄 알킬기일 수 있다. 상기에서 P가 페닐렌인 경우에 Q는 상기 페닐렌의 파라 위치에 연결되어 있을 수 있다. 상기에서 알킬기, 아릴렌기, 페닐렌기 및 사슬은 임의로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.In Formula (3), P may be phenylene in another example, and Z may be a straight chain alkyl group having 9 to 20 carbon atoms, 9 to 18 carbon atoms, or 9 to 16 carbon atoms in another example. In the above, when P is phenylene, Q may be connected to the para position of the phenylene. In the above, the alkyl group, arylene group, phenylene group and chain may be optionally substituted with one or more substituents.

블록 공중합체가 할로겐 원자를 포함하는 방향족 구조를 가지는 블록을 포함하는 경우에 상기 블록은 예를 들면, 하기 화학식 3으로 표시되는 블록일 수 있다.When the block copolymer includes a block having an aromatic structure containing a halogen atom, the block may be, for example, a block represented by the following formula (3).

[화학식 3] (3)

Figure pat00003
Figure pat00003

화학식 3에서 X2는, 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이고, 상기에서 X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이고, W는 적어도 1개의 할로겐 원자를 포함하는 아릴기이다.In formula 3 X 2 is a single bond, an oxygen atom, sulfur atom, -S (= O) 2 - , alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) - and, in the X 1 is a single bond, oxygen atom, sulfur atom, -S (= O) 2 - , alkylene group, alkenyl group or alkynyl group, and W is at least one halogen Is an aryl group containing an atom.

화학식 3에서 X2는 다른 예시에서 단일 결합이거나, 알킬렌기일 수 있다.X 2 in Formula (3) may be a single bond or an alkylene group in another example.

화학식 3에서 W의 아릴기는, 탄소수 6 내지 12의 아릴기이거나, 페닐기일 수 있고, 이러한 아릴기 또는 페닐기는 1개 이상, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상 또는 5개 이상의 할로겐 원자를 포함할 수 있다. 상기에서 할로겐 원자의 수는, 예를 들면, 30개 이하, 25개 이하, 20개 이하, 15개 이하 또는 10개 이하일 수 있다. 할로겐 원자로는 불소 원자가 예시될 수 있다.In formula (3), the aryl group of W may be an aryl group having 6 to 12 carbon atoms or may be a phenyl group, and the aryl group or phenyl group may have one or more, two or more, three or more, four or five or more halogen atoms . The number of halogen atoms in the above may be, for example, 30 or less, 25 or less, 20 or less, 15 or less, or 10 or less. As the halogen atom, a fluorine atom may be exemplified.

화학식 3의 블록은 다른 예시에서 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.The block of formula (3) may be represented by the following formula (4) in another example.

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

화학식 4에서 X2는, 화학식 3에서 정의한 바와 같고, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 할로알킬기 또는 할로겐 원자이고, R1 내지 R5가 포함하는 할로겐 원자의 수는 1개 이상이다.In formula (4), X 2 is as defined in formula (3), R 1 to R 5 are each independently hydrogen, an alkyl group, a haloalkyl group or a halogen atom, and the number of halogen atoms contained in R 1 to R 5 is 1 or more to be.

화학식 4에서 R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 할로알킬기 또는 할로겐일 수 있고, 상기에서 할로겐은 염소 또는 불소일 수 있다.In formula (4), R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or halogen, wherein the halogen may be chlorine or fluorine.

화학식 4에서 R1 내지 R5의 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상, 5개 이상 또는 6개 이상은 할로겐을 포함할 수 있다. 상기 할로겐수의 상한은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 12개 이하, 8개 이하 또는 7개 이하일 수 있다.In Formula 4, at least 2, at least 3, at least 4, at least 5 or at least 6 of R 1 to R 5 may contain a halogen. The upper limit of the number of halogen atoms is not particularly limited and may be, for example, 12 or less, 8 or less, or 7 or less.

블록 공중합체는 상기와 같은 2종의 블록 중 어느 하나 또는 모두를 다른 블록과 함께 포함하거나, 상기 2종의 블록만을 포함하는 블록 공중합체일 수 있다.The block copolymer may be a block copolymer containing either one or both of the above two types of blocks together with another block or containing only the two types of blocks.

블록 공중합체를 제조하는 방식은 특별히 제한되지 않는다. 블록 공중합체는, 예를 들면, LRP(Living Radical Polymerization) 방식으로 중합할 있고, 그 예로는 유기 희토류 금속 복합체를 중합 개시제로 사용하거나, 유기 알칼리 금속 화합물을 중합 개시제로 사용하여 알칼리 금속 또는 알칼리토금속의 염 등의 무기산염의 존재 하에 합성하는 음이온 중합, 유기 알칼리 금속 화합물을 중합 개시제로 사용하여 유기 알루미늄 화합물의 존재 하에 합성하는 음이온 중합 방법, 중합 제어제로서 원자 이동 라디칼 중합제를 이용하는 원자이동 라디칼 중합법(ATRP), 중합 제어제로서 원자이동 라디칼 중합제를 이용하되 전자를 발생시키는 유기 또는 무기 환원제 하에서 중합을 수행하는 ARGET(Activators Regenerated by Electron Transfer) 원자이동 라디칼 중합법(ATRP), ICAR(Initiators for continuous activator regeneration) 원자이동 라디칼 중합법(ATRP), 무기 환원제 가역 부가-개열 연쇄 이동제를 이용하는 가역 부가-개열 연쇄 이동에 의한 중합법(RAFT) 또는 유기 텔루륨 화합물을 개시제로서 이용하는 방법 등이 있으며, 이러한 방법 중에서 적절한 방법이 선택되어 적용될 수 있다. The manner of producing the block copolymer is not particularly limited. The block copolymer is polymerized by, for example, an LRP (Living Radical Polymerization) method. Examples thereof include an organic rare earth metal complex as a polymerization initiator or an organic alkali metal compound as a polymerization initiator to form an alkali metal or alkaline earth metal , An anion polymerization method in which an organic alkali metal compound is used as a polymerization initiator and synthesized in the presence of an organoaluminum compound, an anion polymerization method using an atom transfer radical polymerization agent as a polymerization initiator, (ATRP), Atomic Transfer Radical Polymerization (ATRP), and ICAR (Atomization Transfer), which perform polymerization under an organic or inorganic reducing agent that generates electrons using an atom transfer radical polymerization agent as a polymerization initiator. Initiators for continuous activator regeneration) Atom Transfer Radical Polymerization (ATRP) (RAFT) using a reversible addition-cleavage chain transfer agent using a reducing agent addition-cleavage chain transfer agent, or a method using an organic tellurium compound as an initiator. Among these methods, an appropriate method can be selected and applied.

예를 들면, 상기 블록 공중합체는, 라디칼 개시제 및 리빙 라디칼 중합 시약의 존재 하에, 상기 블록을 형성할 수 있는 단량체들을 포함하는 반응물을 리빙 라디칼 중합법으로 중합하는 것을 포함하는 방식으로 제조할 수 있다. 블록공중합체의 제조 과정은, 예를 들면 상기 과정을 거쳐서 생성된 중합 생성물을 비용매 내에서 침전시키는 과정을 추가로 포함할 수 있다. For example, the block copolymer can be prepared in a manner that includes polymerizing a reactant containing monomers capable of forming the block in the presence of a radical initiator and a living radical polymerization reagent by living radical polymerization . The preparation of the block copolymer may further include, for example, a step of precipitating the polymerization product produced through the above process in the non-solvent.

라디칼 개시제의 종류는 특별히 제한되지 않고, 중합 효율을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, AIBN(azobisisobutyronitrile) 또는 2,2'-아조비스-2,4-디메틸발레로니트릴(2,2'-azobis-(2,4-dimethylvaleronitrile)) 등의 아조 화합물이나, BPO(benzoyl peroxide) 또는 DTBP(di-t-butyl peroxide) 등과 같은 과산화물 계열을 사용할 수 있다.The kind of the radical initiator is not particularly limited and may be appropriately selected in consideration of the polymerization efficiency. For example, AIBN (azobisisobutyronitrile) or 2,2'-azobis-2,4-dimethylvaleronitrile (2,2 ' -azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), and peroxides such as benzoyl peroxide (BPO) or di-t-butyl peroxide (DTBP).

리빙 라디칼 중합 과정은, 예를 들면, 메틸렌클로라이드, 1,2-디클로로에탄, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 벤젠,톨루엔, 아세톤, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 디옥산, 모노글라임, 디글라임, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드 또는 디메틸아세트아미드 등과 같은 용매 내에서 수행될 수 있다.The living radical polymerization process can be carried out in the presence of a base such as, for example, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, benzene, toluene, acetone, chloroform, tetrahydrofuran, dioxane, monoglyme, diglyme, Amide, dimethylsulfoxide or dimethylacetamide, and the like.

비용매로는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 노르말 프로판올 또는 이소프로판올 등과 같은 알코올, 에틸렌글리콜 등의 글리콜, n-헥산, 시클로헥산, n-헵탄 또는 페트롤리움 에테르 등과 같은 에테르 계열이 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of the non-solvent include ethers such as alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol or isopropanol, glycols such as ethylene glycol, n-hexane, cyclohexane, n-heptane or petroleum ether, But is not limited thereto.

본 출원은 또한 상기 블록 공중합체를 포함하는 고분자 막에 대한 것이다. 상기 고분자 막은 다양한 용도에 사용될 수 있으며, 예를 들면, 다양한 전자 또는 전자 소자, 상기 패턴의 형성 공정 또는 자기 저장 기록 매체, 플래쉬 메모리 등의 기록 매체 또는 바이오 센서 등에 사용될 수 있다. The present application is also directed to a polymer membrane comprising said block copolymer. The polymer membrane can be used for various purposes, for example, various electronic or electronic devices, a process of forming the pattern, a recording medium such as a magnetic storage medium, a flash memory, or a biosensor.

하나의 예시에서 상기 고분자 막에서 상기 블록 공중합체는, 자기 조립을 통해 실린더(cylinder) 구조를 포함하는 주기적 구조를 구현하고 있을 수 있다. 예를 들면, 블록 공중합체에서 상기 제 1 또는 제 2 블록 또는 그와 공유 결합된 다른 블록의 세그먼트 내에서 다른 세그먼트가 실린더 형태 등과 같은 규칙적인 구조를 형성하고 있을 수 있다.In one example, the block copolymer in the polymer membrane may be embodied in a periodic structure including a cylinder structure through self-assembly. For example, in a block copolymer, other segments within the segments of the first or second block or another block covalently bonded thereto may form a regular structure such as a cylinder shape or the like.

본 출원은 또한 상기 블록 공중합체를 사용하여 고분자 막을 형성하는 방법에 대한 것이다. 상기 방법은 상기 블록 공중합체를 포함하는 고분자막을 자기 조립된 상태로 기판상에 형성하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 방법은 상기 블록 공중합체 또는 그를 포함하는 코팅액을 도포하여 층을 형성하고, 이를 숙성하는 과정을 포함할 수 있다. 상기에서 숙성 공정은 열적 숙성(thermal annealing) 공정이거나, 용매 숙성(solvent annealing) 공정일 수 있다.The present application also relates to a method for forming a polymer film using the block copolymer. The method may include forming a polymer membrane including the block copolymer on a substrate in a self-assembled state. For example, the method may include coating the block copolymer or a coating solution containing the block copolymer to form a layer, and then aging the layer. The aging process may be a thermal annealing process or a solvent annealing process.

열적 숙성은, 예를 들면, 블록 공중합체의 상전이온도 또는 유리전이온도를 기준으로 수행될 수 있고, 예를 들면, 상기 유리전이온도 또는 상전이온도 이상의 온도에서 수행될 수 있다. 이러한 열적 숙성이 수행되는 시간은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 약 1분 내지 72시간의 범위 내에서 수행될 수 있지만, 이는 필요에 따라서 변경될 수 있다. 열적 숙성 과정에서 열처리 온도는, 예를 들면, 100℃ 내지 250℃ 정도일 수 있으나, 이는 사용되는 블록 공중합체를 고려하여 변경될 수 있다.Thermal aging can be performed based on, for example, the phase transition temperature or the glass transition temperature of the block copolymer, and can be performed at, for example, a temperature above the glass transition temperature or the phase transition temperature. The time at which such thermal aging is performed is not particularly limited, and can be performed within a range of, for example, about 1 minute to 72 hours, but this can be changed as required. The heat treatment temperature in the thermal aging process may be, for example, about 100 ° C to 250 ° C, but may be changed in consideration of the block copolymer to be used.

상기 용매 숙성 공정은, 적절한 상온의 비극성 용매 및/또는 극성 용매 내에서, 약 1분 내지 72 시간 동안 수행될 수도 있다.The solvent aging process may be performed in a non-polar solvent and / or a polar solvent at a suitable room temperature for about 1 minute to 72 hours.

본 출원은 또한 패턴 형성 방법에 대한 것이다. 상기 방법은, 예를 들면, 기판 및 상기 기판의 표면에 형성되어 있고, 자기 조립된 상기 블록 공중합체를 포함하는 고분자막을 가지는 적층체에서 상기 블록 공중합체의 제 1 또는 제 2 블록을 선택적으로 제거하는 과정을 포함할 수 있다. 상기 방법은 상기 기판에 패턴을 형성하는 방법일 수 있다. 예를 들면 상기 방법은, 상기 블록 공중합체를 포함하는 고분자 막을 기판에 형성하고, 상기 막 내에 존재하는 블록 공중합체의 어느 하나 또는 그 이상의 블록을 선택적으로 제거한 후에 기판을 식각하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 예를 들면, 나노 스케일의 미세 패턴의 형성이 가능하다. 또한, 고분자 막 내의 블록 공중합체의 형태에 따라서 상기 방식을 통하여 나노 로드 또는 나노 홀 등과 같은 다양한 형태의 패턴을 형성할 수 있다. 필요하다면, 패턴 형성을 위해서 상기 블록 공중합체와 다른 공중합체 혹은 단독 중합체 등이 혼합될 수 있다. 이러한 방식에 적용되는 상기 기판의 종류는 특별히 제한되지 않고, 필요에 따라서 선택될 수 있으며, 예를 들면, 산화 규소 등이 적용될 수 있다. The present application also relates to a method of pattern formation. The above method is a method for selectively removing the first or second block of the block copolymer in a laminate having a substrate and a polymer film formed on the surface of the substrate and self-assembled with the block copolymer . ≪ / RTI > The method may be a method of forming a pattern on the substrate. For example, the method may include forming a polymeric film comprising the block copolymer on a substrate, selectively removing one or more blocks of the block copolymer present in the film, and then etching the substrate . In this way, it is possible to form, for example, a nanoscale fine pattern. In addition, various patterns such as nano-rods, nano-holes, and the like can be formed through the above-described method depending on the type of the block copolymer in the polymer film. If necessary, the block copolymer may be mixed with another copolymer or homopolymer for pattern formation. The type of the substrate to be applied to this method is not particularly limited and may be selected as required. For example, silicon oxide or the like may be applied.

예를 들면, 상기 방식은 높은 종횡비를 나타내는 산화 규소의 나노 스케일의 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들면, 산화 규소 상에 상기 고분자막을 형성하고, 상기 고분자막 내의 블록 공중합체가 소정 구조를 형성하고 있는 상태에서 블록 공중합체의 어느 한 블록을 선택적으로 제거한 후에 산화 규소를 다양한 방식, 예를 들면, 반응성 이온 식각 등으로 에칭하여 나노로드 또는 나노 홀의 패턴 등을 포함한 다양한 형태를 구현할 수 있다. 또한, 이러한 방법을 통하여 종횡비가 큰 나노 패턴의 구현이 가능할 수 있다.For example, the method can form a nanoscale pattern of silicon oxide that exhibits a high aspect ratio. For example, the polymer film is formed on silicon oxide, and one block of the block copolymer is selectively removed while the block copolymer in the polymer film forms a predetermined structure. Thereafter, the silicon oxide is removed in various ways, for example, , Reactive ion etching, or the like to form various patterns including patterns of nano-rods or nano holes. In addition, it is possible to realize a nano pattern having a large aspect ratio through such a method.

예를 들면, 상기 패턴은, 수십 나노미터의 스케일에서 구현될 수 있으며, 이러한 패턴은, 예를 들면, 차세대 정보전자용 자기 기록 매체 등을 포함한 다양한 용도에 활용될 수 있다.For example, the pattern can be implemented in a scale of several tens of nanometers, and such a pattern can be utilized for various purposes including, for example, a next-generation information electronic magnetic recording medium and the like.

예를 들면, 상기 방식에 의하면 약 10 nm 내지 40 nm의 폭을 가지는 나노 구조물, 예를 들면, 나노 선들이 약 20 nm 내지 80 nm의 간격을 두고 배치되어 있는 패턴을 형성할 수 있다. 다른 예시에서는 약 10 nm 내지 40 nm의 너비, 예를 들면 직경을 가지는 나노 홀들이 약 20 nm 내지 80 nm의 간격을 형성하면 배치되어 있는 구조의 구현도 가능하다.For example, the method can form a pattern in which nanostructures having a width of about 10 nm to 40 nm, for example, nanowires are disposed at intervals of about 20 nm to 80 nm. In another example, it is possible to implement a structure in which a width of about 10 nm to 40 nm, for example, nano holes having a diameter of about 20 nm to 80 nm is formed.

또한, 상기 구조에서 나노 선이나 나노 홀들이 큰 종횡비(aspect ratio)를 가지도록 할 수 있다.Also, in the above structure, the nanowires and nano holes can have a large aspect ratio.

상기 방법에서 블록 공중합체의 어느 한 블록을 선택적으로 제거하는 방식은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 고분자막에 적정한 전자기파, 예를 들면, 자외선 등을 조사하여 상대적으로 소프트한 블록을 제거하는 방식을 사용할 수 있다. 이 경우 자외선 조사 조건은 블록 공중합체의 블록의 종류에 따라서 결정되며, 예를 들면, 약 254 nm 파장의 자외선을 1분 내지 60 분 동안 조사하여 수행할 수 있다.The method of selectively removing one block of the block copolymer in the above method is not particularly limited. For example, a method of removing a relatively soft block by irradiating an appropriate electromagnetic wave, for example, ultraviolet light, Can be used. In this case, the ultraviolet ray irradiation conditions are determined depending on the type of the block of the block copolymer, and can be performed, for example, by irradiating ultraviolet light having a wavelength of about 254 nm for 1 minute to 60 minutes.

자외선 조사에 이어서 고분자 막을 산 등으로 처리하여 자외선에 의해 분해된 세그먼트를 추가로 제거하는 단계를 수행할 수도 있다.Following the ultraviolet irradiation, the polymer membrane may be treated with an acid or the like to further remove the segment decomposed by ultraviolet rays.

선택적으로 블록이 제거된 고분자막을 마스크로 하여 기판을 에칭하는 단계는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, CF4/Ar 이온 등을 사용한 반응성 이온 식각 단계를 통해 수행할 수 있고, 이 과정에 이어서 산소 플라즈마 처리 등에 의해 고분자막을 기판으로부터 제거하는 단계를 또한 수행할 수 있다.The step of selectively etching the substrate using the polymer film from which the block is removed is not particularly limited and may be performed by, for example, a reactive ion etching step using CF 4 / Ar ions, etc., followed by an oxygen plasma Removing the polymer membrane from the substrate by treatment or the like.

본 출원은, 자기 조립 특성 내지는 상분리 특성이 우수하여 다양한 용도에서 효과적으로 사용될 수 있는 블록 공중합체 및 그 용도를 제공할 수 있다.The present application can provide a block copolymer and its use that can be used effectively in various applications because of its excellent self-assembly property or phase separation property.

도 1 내지 4는 실시예 또는 비교예의 블록 공중합체의 NMR 스펙트럼이다.
도 5 내지 7은 실시예 또는 비교예의 블록 공중합체의 자기 조립막에 대한 SEM 또는 AFM 이미지이다.
도 8은 수식 1의 K값을 계산하기 위한 방식을 예시적으로 보여주는 도면이다.
1 to 4 are NMR spectra of block copolymers of Examples and Comparative Examples.
5-7 are SEM or AFM images of self-assembled membranes of block copolymers of the Examples or Comparative Examples.
FIG. 8 is a diagram illustrating an exemplary method for calculating the K value in Equation 1. FIG.

이하 본 출원에 따르는 실시예 및 비교예를 통하여 본 출원을 보다 상세히 설명하나, 본 출원의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present application will be described in detail by way of examples and comparative examples according to the present application, but the scope of the present application is not limited by the following examples.

1. One. NMRNMR 측정 Measure

NMR 분석은 삼중 공명 5 mm 탐침(probe)을 가지는 Varian Unity Inova(500 MHz) 분광계를 포함하는 NMR 분광계를 사용하여 상온에서 수행하였다. NMR 측정용 용매(CDCl3)에 분석 대상 물질을 약 10 mg/ml 정도의 농도로 희석시켜 사용하였고, 화학적 이동은 ppm으로 표현하였다. NMR analysis was performed at room temperature using an NMR spectrometer including a Varian Unity Inova (500 MHz) spectrometer with a triple resonance 5 mm probe. The analytes were diluted to a concentration of about 10 mg / ml in a solvent for NMR measurement (CDCl 3 ), and chemical shifts were expressed in ppm.

<적용 약어><Application Abbreviation>

br = 넓은 신호, s = 단일선, d = 이중선, dd = 이중 이중선, t = 삼중선, dt = 이중 삼중선, q = 사중선, p = 오중선, m = 다중선.br = broad signal, s = singlet, d = doublet, dd = doublet, t = triplet, dt = double triplet, q = quartet, p = octet, m = polyline.

2. GPC(2. GPC ( GelCome PermeationPermeation ChromatographChromatograph ))

수평균분자량(Mn) 및 분자량 분포는 GPC(Gel permeation chromatography)를 사용하여 측정하였다. 5 mL 바이얼(vial)에 실시예 또는 비교예의 블록 공중합체 또는 거대 개시제 등의 분석 대상 물일을 넣고, 약 1 mg/mL 정도의 농도가 되도록 THF(tetrahydro furan)에 희석한다. 그 후, Calibration용 표준 시료와 분석하고자 하는 시료를 syringe filter(pore size: 0.45 ㎛)를 통해 여과시킨 후 측정하였다. 분석 프로그램은 Agilent technologies 사의 ChemStation을 사용하였으며, 시료의 elution time을 calibration curve와 비교하여 중량평균분자량(Mw) 및 수평균분자량(Mn)을 각각 구하고, 그 비율(Mw/Mn)로 분자량분포(PDI)를 계산하였다. GPC의 측정 조건은 하기와 같다.The number average molecular weight (Mn) and molecular weight distribution were measured using GPC (Gel Permeation Chromatography). Add a sample to be analyzed such as a block copolymer or a macroinitiator of the example or comparative example into a 5 mL vial and dilute with tetrahydrofuran (THF) to a concentration of about 1 mg / mL. After that, the calibration standard sample and the sample to be analyzed were filtered through a syringe filter (pore size: 0.45 μm) and then measured. The analytical program used was a ChemStation from Agilent Technologies. The elution time of the sample was compared with a calibration curve to determine the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn), and the molecular weight distribution (PDI ) Were calculated. The measurement conditions of GPC are as follows.

<GPC 측정 조건>&Lt; GPC measurement condition >

기기: Agilent technologies 사의 1200 series Devices: 1200 series from Agilent Technologies

컬럼: Polymer laboratories 사의 PLgel mixed B 2개 사용Column: Using PLgel mixed B from Polymer laboratories

용매: THFSolvent: THF

컬럼온도: 35℃Column temperature: 35 ° C

샘플 농도: 1mg/mL, 200L 주입Sample concentration: 1 mg / mL, 200 L injection

표준 시료: 폴리스티렌(Mp : 3900000, 723000, 316500, 52200, 31400, 7200, 3940, 485)Standard samples: Polystyrene (Mp: 3900000, 723000, 316500, 52200, 31400, 7200, 3940, 485)

3. 수식 1에 따른 X의 측정3. Measurement of X according to Equation 1

수식 1에 적용되는 각 변수인 D, M, K 및 L은 각각 하기의 방식으로 구할 수 있다. The variables D, M, K and L applied to Equation 1 can be obtained by the following methods, respectively.

우선 D는 공기 중에서의 질량과 밀도를 알고 있는 용매(에탄올) 내에 분석하고자 하는 시료(제 1 블록을 형성하는 단량체만으로 제조된 단독 중합체 또는 제 2 블록을 형성하는 단량체만으로 제조된 단독 중합체)를 넣고, 그 질량을 통해 각각의 블록의 밀도를 얻고, 그들의 비율을 계산하여 구할 수 있다.First, the sample to be analyzed (a homopolymer produced only from the monomer forming the first block or a homopolymer made from only the monomer forming the second block) is put into a solvent (ethanol) in which mass and density in air are known , The densities of the respective blocks are obtained through the masses, and their ratios are calculated.

또한, M은, 블록 공중합체의 각 블록을 형성하는 단량체의 몰질량의 비율로 구할 수 있는데, 예를 들어, 실시예의 각 블록 공중합체의 경우에 후술하는 제 1 블록을 형성하는 단량체인 제조예 1의 단량체의 몰질량은 346.5 g/mol이고, 제 2 블록을 형성하는 펜타플루오로스티렌의 몰질량은 194.1 g/mol이므로, 그 비율로부터 상기 M은 약 1.79로 계산될 수 있다.M can be determined by the ratio of the molar mass of the monomers forming each block of the block copolymer. For example, in the case of each of the block copolymers in Examples, M is a monomer forming the first block 1 is 346.5 g / mol, and the molar mass of pentafluorostyrene forming the second block is 194.1 g / mol. From the ratio, the M can be calculated to be about 1.79.

또한, L은, 블록 공중합체의 각 블록을 형성하는 단량체의 수소 원자의 수의 비율로 구할 수 있는데, 예를 들어, 실시예의 각 블록 공중합체의 경우에 후술하는 제 1 블록을 형성하는 단량체인 제조예 1의 단량체의 수소 원자의 수는 34이고, 제 2 블록을 형성하는 펜타플루오로스티렌의 수소 원자의 수는 3이므로, 그 비율로부터 상기 L은, 약 11.3으로 계산될 수 있다.L can be obtained by the ratio of the number of hydrogen atoms of the monomers forming each block of the block copolymer. For example, in the case of each of the block copolymers in Examples, L is a monomer which forms the first block The number of hydrogen atoms in the monomer of Production Example 1 is 34, and the number of hydrogen atoms of pentafluorostyrene forming the second block is 3, and from the ratio, L can be calculated to be about 11.3.

마지막으로 K는 전술한 NMR 측정 방식에 의해 얻어진 스펙트럼의 면적을 통해 계산할 수 있는데, 이러한 경우에 블록 공중합체의 각 블록으로부터 유래하는 피크들이 중첩되지 않을 경우에는 각 블록에서 유래하는 피크의 면적을 단순히 얻고, 그 비율을 통해 K를 구할 수 있다.Finally, K can be calculated through the area of the spectrum obtained by the NMR measurement method described above. In this case, when the peaks derived from each block of the block copolymer do not overlap, the area of the peak derived from each block is simply And K can be obtained through the ratio.

그렇지만, 블록 공중합체의 각 블록에서 유래하는 피크가 중첩되는 부분이 있을 경우에는 이를 감안하여 상기 K를 구하여야 한다. 예를 들어, 첨부된 도 8은, 하기 실시예 및 비교예에서 적용한 제조예 1의 화학식 A의 화합물 유래의 단위와 펜타플루오로스티렌 유래의 단위를 포함하는 블록 공중합체의 예시적인 NMR 스펙트럼인데, 그 도면에서 e로 표시되는 부분과 d로 표시되는 부분은 제 2 블록, 즉 상기 펜타플루오로스티렌 유래 단위에서 기인하는 피크이고, 나머지 a, b, c, f, g, h, i 및 j는 제조예 1의 화학식 A의 화합물 유래의 단위에서 기인하는 피크이다. 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, e 및 g로 표시되는 피크와 d 및 f로 표시되는 피크가 중첩되고 있고, 이러한 경우에 상기 중첩 여부를 감안하여 상기 K값을 구하여야 한다. However, when there is a portion where peaks derived from each block of the block copolymer overlap, the K should be obtained in consideration of this. For example, FIG. 8 is an exemplary NMR spectrum of a block copolymer comprising a unit derived from a compound of the formula (A) and a unit derived from pentafluorostyrene in Production Example 1 applied in the following examples and comparative examples, In the figure, the portion represented by e and the portion represented by d are peaks derived from the second block, that is, the pentafluorostyrene derived unit, and the remaining a, b, c, f, g, Is a peak originating from a unit derived from the compound of the formula (A) in Production Example 1. As can be seen from the figure, the peaks indicated by e and g are overlapped with the peaks indicated by d and f, and in such a case, the K value should be obtained in consideration of the overlapping.

이러한 경우에 상기 중첩 여부 등을 감안하여 K값을 구하는 방식은 공지이며, 예를 들면, MestReC 프로그램 등과 같은 NMR 해석 프로그램 등을 적용하여 상기를 구할 수 있다.In this case, a method of obtaining the K value in consideration of the overlapping is known. For example, the above can be obtained by applying an NMR analysis program such as a MestReC program or the like.

제조예Manufacturing example 1. 단량체(A)의 합성 1. Synthesis of monomer (A)

하기 화학식 A의 화합물(DPM-C12)은 다음의 방식으로 합성하였다. 250 mL의 플라스크에 히드로퀴논(hydroquinone)(10.0g, 94.2 mmol) 및 1-브로모도데칸(1-Bromododecane)(23.5 g, 94.2 mmol)을 넣고, 100 mL의 아세토니트릴(acetonitrile)에 녹인 후 과량의 포타슘 카보네이트(potassium carbonate) 첨가하고, 75oC에서 약 48시간 동안 질소 조건하에서 반응시켰다. 반응 후 잔존하는 포타슘 카보네이트를 필터링하여 제거하고 반응에 사용한 아세토니트릴도 제거하였다. 여기에 DCM(dichloromethane)과 물의 혼합 용매를 첨가하여 워크업하고, 분리한 유기층을 모아서 MgSO4에 통과시켜 탈수하였다. 이어서, 컬럼 크로마토그래피에서 DCM(dichloromethane)을 사용하여 흰색 고체상의 목적물(4-도데실옥시페놀)(9.8 g, 35.2 mmol)을 약 37%의 수득률로 얻었다.The compound (DPM-C12) shown below was synthesized in the following manner. Hydroquinone (10.0 g, 94.2 mmol) and 1-bromododecane (23.5 g, 94.2 mmol) were placed in a 250-mL flask and dissolved in 100 mL of acetonitrile. Potassium carbonate was added and reacted at 75 ° C for about 48 hours under nitrogen. After the reaction, the remaining potassium carbonate was filtered off and acetonitrile used in the reaction was removed. A mixed solvent of DCM (dichloromethane) and water was added thereto to work up, and the separated organic layers were collected and dehydrated by passing through MgSO 4 . Subsequently, the title compound (4-dodecyloxyphenol) (9.8 g, 35.2 mmol) as white solid was obtained in a yield of about 37% using dichloromethane in column chromatography.

<< NMRNMR 분석 결과>  Analysis results>

1H-NMR(CDCl3): d6.77(dd, 4H); d4.45(s, 1H); d3.89(t, 2H); d1.75(p, 2H); d1.43(p, 2H); d1.33-1.26(m, 16H); d0.88(t, 3H). 1 H-NMR (CDCl 3) : d6.77 (dd, 4H); d4.45 (s, 1 H); d3.89 (t, 2H); d 1.75 (p, 2H); d1.43 (p, 2H); d 1.33-1.26 (m, 16H); d 0.88 (t, 3 H).

플라스크에 합성된 4-도데실옥시페놀(9.8 g, 35.2 mmol), 메타크릴산(6.0 g, 69.7 mmol), DCC(dicyclohexylcarbodiimide)(10.8 g, 52.3 mmol) 및 DMAP(p-dimethylaminopyridine)(1.7 g, 13.9 mmol)을 넣고, 120 mL의 메틸렌클로라이드를 첨가한 후, 질소 하 실온에서 24시간 동안 반응시켰다. 반응 종료 후에 반응 중에 생성된 염(urea salt)을 필터로 제거하고 잔존하는 메틸렌클로라이드도 제거하였다. 컬럼 크로마토그래피에서 헥산과 DCM(dichloromethane)을 이동상으로 사용하여 불순물을 제거하고, 다시 얻어진 생성물을 메탄올과 물의 혼합 용매(1:1 혼합)에서 재결정하여 흰색 고체상의 목적물(7.7 g, 22.2 mmol)을 63%의 수득률로 얻었다.(9.8 g, 35.2 mmol), methacrylic acid (6.0 g, 69.7 mmol), DCC (dicyclohexylcarbodiimide) (10.8 g, 52.3 mmol) and DMAP (p-dimethylaminopyridine) , 13.9 mmol), 120 mL of methylene chloride was added, and the reaction was allowed to proceed at room temperature under nitrogen for 24 hours. After completion of the reaction, the salt (urea salt) formed during the reaction was removed by filtration and the remaining methylene chloride was removed. The resulting product was recrystallized in a mixed solvent of methanol and water (1: 1 mixture) to obtain the title compound (7.7 g, 22.2 mmol) as a white solid. 1H-NMR (DMSO-d6) 63%. &Lt; / RTI &gt;

<< NMRNMR 분석 결과>  Analysis results>

1H-NMR(CDCl3): d7.02(dd, 2H); d6.89(dd, 2H); d6.32(dt, 1H); d5.73(dt, 1H); d3.94(t, 2H); d2.05(dd, 3H); d1.76(p, 2H); d1.43(p, 2H); 1.34-1.27(m, 16H); d0.88(t, 3H). 1 H-NMR (CDCl 3) : d7.02 (dd, 2H); d 6.89 (dd, 2 H); d6.32 (dt, 1 H); d5.73 (dt, 1 H); d 3.94 (t, 2 H); d 2.05 (dd, 3H); d, 1.76 (p, 2H); d1.43 (p, 2H); 1.34-1.27 (m, 16H); d 0.88 (t, 3 H).

[화학식 A](A)

Figure pat00005
Figure pat00005

화학식 A에서 R은 탄소수 12의 직쇄 알킬기이다.In formula (A), R is a straight chain alkyl group having 12 carbon atoms.

실시예Example 1. One.

제조예 1의 단량체(A) 5.0 g과 RAFT(Reversible Addition?ragmentation chain Transfer) 시약(시아노이소프로틸디티오벤조에이트) 165 mg, 라디칼 개시제인 AIBN(Azobisisobutyronitrile) 79 mg 및 아니솔 11.9 mL를 25 mL Schlenk flask에 넣고 질소 분위기 하에서 상온에서 30분 동안 교반한 후 70℃에서 4시간 동안 RAFT(Reversible Addition?ragmentation chain Transfer) 중합 반응을 수행하였다. 중합 후 반응 용액을 추출 용매인 메탄올 250 mL 에 침전시킨 후, 감압 여과하여 건조시켜, 분홍색의 거대개시제를 제조하였다. 상기 거대 개시제의 수득률은 약 57.0 중량%였고, 수평균 분자량(Mn) 및 분자량분포(Mw/Mn)는 각각 10300 및 1.21이었다. 5.0 g of the monomer (A) of Production Example 1, 165 mg of RAFT (cyanoisoproyldithiobenzoate) reagent, 79 mg of azobisisobutyronitrile (AIBN) as a radical initiator and 11.9 mL of anisole The mixture was stirred in a 25 mL Schlenk flask under nitrogen atmosphere at room temperature for 30 minutes, and then subjected to Reversible Addition Ratio Transfer (RAFT) polymerization at 70 ° C for 4 hours. After the polymerization, the reaction solution was precipitated in 250 mL of methanol, which was an extraction solvent, and dried under reduced pressure to give a giant initiator of pink color. The yield of the macro initiator was about 57.0 wt.%, And the number average molecular weight (Mn) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) were 10300 and 1.21, respectively.

상기 거대개시제 0.35 g, 펜타플루오로스티렌(제 2 블록을 형성하는 단량체) 3.2 g 및 아니졸 1.2 mL를 10 mL Schlenk flask에 넣고 질소 분위기 하에서 상온에서 30분 동안 교반한 후 115℃에서 4시간 동안 RAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer) 중합 반응을 수행하였다. 중합 후 반응 용액을 추출 용매인 메탄올 250 mL 에 침전시킨 다음, 감압 여과하여 건조시켜 연한 분홍색의 블록공중합체를 제조하였다. 상기 블록 공중합체의 수득률은 약 13 중량%였고, 수평균분자량(Mn) 및 분자량분포(Mw/Mn)는 각각 15,600 및 1.15이었다. 상기 블록 공중합체는 제조예 1의 단량체(A)에서 유래된 제 1 블록과 상기 펜타플루오로스티렌 단량체에서 유래된 제 2 블록을 포함한다. 실시예 1에서 제조된 블록 공중합체의 1H NMR의 분석 결과는 도 1에 기재하였다.0.35 g of the macro initiator, 3.2 g of pentafluorostyrene (monomer forming the second block) and 1.2 mL of anisole were placed in a 10 mL Schlenk flask, stirred at room temperature for 30 minutes under a nitrogen atmosphere, and then heated at 115 DEG C for 4 hours Reversible Addition Fragmentation Chain Transfer (RAFT) polymerization reaction was carried out. After the polymerization, the reaction solution was precipitated in 250 mL of methanol, which was an extraction solvent, and then dried under reduced pressure to obtain a pale pink block copolymer. The yield of the block copolymer was about 13% by weight, the number average molecular weight (Mn) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) were 15,600 and 1.15, respectively. The block copolymer includes a first block derived from the monomer (A) of Production Example 1 and a second block derived from the pentafluorostyrene monomer. The results of &lt; 1 &gt; H NMR analysis of the block copolymer prepared in Example 1 are shown in Fig.

실시예Example 2. 2.

제조예 1의 단량체(A) 5.0 g과 RAFT(Reversible Addition?ragmentation chain Transfer) 시약인 시아노이소프로틸디티오벤조에이트 106.5 mg, 라디칼 개시제인 AIBN(Azobisisobutyronitrile) 79 mg 및 아니졸 11.9 mL를 25 mL Schlenk flask에 넣고 질소 분위기 하에서 상온에서 30분 동안 교반한 후 70℃에서 4시간 동안 RAFT(Reversible Addition?ragmentation chain Transfer) 중합 반응을 수행하였다. 중합 후 반응 용액을 추출 용매인 메탄올 250 mL 에 침전시킨 후, 감압 여과하여 건조시켜, 분홍색의 거대개시제를 제조하였다. 상기 거대 개시제의 수득률은 약 57.0 중량%였고, 수평균 분자량(Mn) 및 분자량분포(Mw/Mn)는 각각 10,400 및 1.19이었다. 거대개시제 0.3 g, 펜타플루오로스티렌 단량체 3.3 g 및 벤젠 1.2 mL를 10 mL Schlenk flask에 넣고 질소 분위기 하에서 상온에서 30분 동안 교반한 후 115℃에서 4시간 동안 RAFT(Reversible Addition?ragmentation chain Transfer) 중합 반응을 수행하였다. 중합 후 반응 용액을 추출 용매인 메탄올 250 mL 에 침전시킨 다음, 감압 여과하여 건조시켜 연한 분홍색의 블록공중합체를 제조하였다. 상기 블록 공중합체의 수득률은 약 18 중량%였고, 수평균분자량(Mn) 및 분자량분포(Mw/Mn)는 각각 17,800 및 1.14이었다. 상기 블록 공중합체는 제조예 1의 단량체(A)에서 유래된 제 1 블록과 상기 펜타플루오로스티렌 단량체에서 유래된 제 2 블록을 포함한다. 실시예 2의 블록 공중합체의 1H NMR의 분석 결과는 도 2에 기재하였다.5.0 g of the monomer (A) of Preparation Example 1, 106.5 mg of cyanoisoproyldithiobenzoate as a reversible addition polymerization chain transfer (RAFT) reagent, 79 mg of azobisisobutyronitrile as a radical initiator and 11.9 mL of anisole were dissolved in 25 mL Schlenk flask and stirred at room temperature for 30 minutes under a nitrogen atmosphere. Reversible addition ramentation chain transfer (RAFT) polymerization was carried out at 70 ° C for 4 hours. After the polymerization, the reaction solution was precipitated in 250 mL of methanol, which was an extraction solvent, and dried under reduced pressure to give a giant initiator of pink color. The yield of the macro initiator was about 57.0 wt%, and the number average molecular weight (Mn) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) were 10,400 and 1.19, respectively. 0.3 g of macroinitiator, 3.3 g of pentafluorostyrene monomer and 1.2 mL of benzene were placed in a 10 mL Schlenk flask and stirred at room temperature for 30 minutes under a nitrogen atmosphere. Reversible addition ramentation chain transfer (RAFT) polymerization The reaction was carried out. After the polymerization, the reaction solution was precipitated in 250 mL of methanol, which was an extraction solvent, and then dried under reduced pressure to obtain a pale pink block copolymer. The yield of the block copolymer was about 18% by weight, the number average molecular weight (Mn) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) were 17,800 and 1.14, respectively. The block copolymer includes a first block derived from the monomer (A) of Production Example 1 and a second block derived from the pentafluorostyrene monomer. The results of &lt; 1 &gt; H NMR analysis of the block copolymer of Example 2 are shown in Fig.

실시예Example 3. 3.

제조예 1의 단량체(A) 5.0 g과 RAFT(Reversible Addition?ragmentation chain Transfer) 시약인 시아노이소프로틸디티오벤조에이트 456 mg, 라디칼 개시제인 AIBN(Azobisisobutyronitrile) 34 mg 및 아니졸 12.8 mL를 25 mL Schlenk flask에 넣고 질소 분위기 하에서 상온에서 30분 동안 교반한 후 70℃에서 4시간 동안 RAFT(Reversible Addition?ragmentation chain Transfer) 중합 반응을 수행하였다. 중합 후 반응 용액을 추출 용매인 메탄올 250 mL 에 침전시킨 후, 감압 여과하여 건조시켜, 분홍색의 거대개시제를 제조하였다. 상기 거대 개시제의 수득률은 약 60.0 중량%였고, 수평균 분자량(Mn) 및 분자량분포(Mw/Mn)는 각각 5,700 및 1.18이었다. 거대개시제 0.2 g, 펜타플루오로스티렌 단량체 3.4 g 및 아니졸 1.2 mL를 10 mL Schlenk flask에 넣고 질소 분위기 하에서 상온에서 30분 동안 교반한 후 115℃에서 15시간 동안 RAFT(Reversible Addition?ragmentation chain Transfer) 중합 반응을 수행하였다. 중합 후 반응 용액을 추출 용매인 메탄올 250 mL 에 침전시킨 다음, 감압 여과하여 건조시켜 연한 분홍색의 블록공중합체를 제조하였다. 상기 블록 공중합체의 수득률은 약 16 중량%였고, 수평균분자량(Mn) 및 분자량분포(Mw/Mn)는 각각 59,000 및 1.22이었다. 상기 블록 공중합체는 제조예 1의 단량체(A)에서 유래된 제 1 블록과 상기 펜타플루오로스티렌 단량체에서 유래된 제 2 블록을 포함한다. 실시예 3의 블록 공중합체의 1H NMR의 분석 결과는 도 3에 기재하였다. , 5.0 g of the monomer (A) of Preparation Example 1, 456 mg of cyanoisoproyldithiobenzoate (RAFT), 34 mg of azobisisobutyronitrile as a radical initiator and 12.8 mL of anisole were added to 25 mL Schlenk flask and stirred at room temperature for 30 minutes under a nitrogen atmosphere. Reversible addition ramentation chain transfer (RAFT) polymerization was carried out at 70 ° C for 4 hours. After the polymerization, the reaction solution was precipitated in 250 mL of methanol, which was an extraction solvent, and dried under reduced pressure to give a giant initiator of pink color. The yield of the macro initiator was about 60.0 wt%, and the number average molecular weight (Mn) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) were 5,700 and 1.18, respectively. 0.2 g of a macroinitiator, 3.4 g of pentafluorostyrene monomer, and 1.2 mL of anisole were placed in a 10 mL Schlenk flask and stirred at room temperature for 30 minutes under a nitrogen atmosphere, and then subjected to RAFT (Reversible Addition Ratio Transfer) Polymerization reaction was carried out. After the polymerization, the reaction solution was precipitated in 250 mL of methanol, which was an extraction solvent, and then dried under reduced pressure to obtain a pale pink block copolymer. The yield of the block copolymer was about 16% by weight, the number average molecular weight (Mn) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) were 59,000 and 1.22, respectively. The block copolymer includes a first block derived from the monomer (A) of Production Example 1 and a second block derived from the pentafluorostyrene monomer. The results of &lt; 1 &gt; H NMR analysis of the block copolymer of Example 3 are shown in Fig.

비교예Comparative Example 1. One.

제조예 1의 단량체(A) 5.0 g과 RAFT(Reversible Addition?ragmentation chain Transfer) 시약인 시아노이소프로틸디티오벤조에이트 106.5 mg, 라디칼 개시제인 AIBN(Azobisisobutyronitrile) 79 mg 및 아니졸 11.9 mL를 25 mL Schlenk flask에 넣고 질소 분위기 하에서 상온에서 30분 동안 교반한 후 70℃에서 4시간 동안 RAFT(Reversible Addition?ragmentation chain Transfer) 중합 반응을 수행하였다. 중합 후 반응 용액을 추출 용매인 메탄올 250 mL 에 침전시킨 후, 감압 여과하여 건조시켜, 노란색의 거대개시제를 제조하였다. 상기 거대 개시제의 수득률은 약 52.0 중량%였고, 수평균 분자량(Mn) 및 분자량분포(Mw/Mn)는 각각 9,100 및 1.20이었다. 거대개시제 0.5 g, 펜타플루오로스티렌 단량체 4.5 g 및 아니졸 1.7 mL를 10 mL Schlenk flask에 넣고 질소 분위기 하에서 상온에서 30분 동안 교반한 후 115℃에서 4시간 동안 RAFT(Reversible Addition?ragmentation chain Transfer) 중합 반응을 수행하였다. 중합 후 반응 용액을 추출 용매인 메탄올 250 mL 에 침전시킨 다음, 감압 여과하여 건조시켜 연한 노란색의 블록공중합체를 제조하였다. 상기 블록 공중합체의 수득률은 약 15 중량%였고, 수평균분자량(Mn) 및 분자량분포(Mw/Mn)는 각각 23,200 및 1.12이었다. 상기 블록 공중합체는 제조예 1의 단량체(A)에서 유래된 제 1 블록과 상기 펜타플루오로스티렌 단량체에서 유래된 제 2 블록을 포함한다. 비교예 1의 블록 공중합체의 1H NMR의 분석 결과는 도 4에 기재하였다.5.0 g of the monomer (A) of Preparation Example 1, 106.5 mg of cyanoisoproyldithiobenzoate as a reversible addition polymerization chain transfer (RAFT) reagent, 79 mg of azobisisobutyronitrile as a radical initiator and 11.9 mL of anisole were dissolved in 25 mL Schlenk flask and stirred at room temperature for 30 minutes under a nitrogen atmosphere. Reversible addition ramentation chain transfer (RAFT) polymerization was carried out at 70 ° C for 4 hours. After the polymerization, the reaction solution was precipitated in 250 mL of methanol, which was an extraction solvent, and then dried under reduced pressure to obtain a yellow giant initiator. The yield of the macro initiator was about 52.0 wt%, and the number average molecular weight (Mn) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) were 9,100 and 1.20, respectively. 0.5 g of a macroinitiator, 4.5 g of pentafluorostyrene monomer and 1.7 mL of anisole were placed in a 10 mL Schlenk flask and stirred at room temperature for 30 minutes under a nitrogen atmosphere. Reversible addition ramentation chain transfer (RAFT) Polymerization reaction was carried out. After the polymerization, the reaction solution was precipitated in 250 mL of methanol, which was an extraction solvent, and dried under reduced pressure to obtain a pale yellow block copolymer. The yield of the block copolymer was about 15% by weight, and the number average molecular weight (Mn) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) were 23,200 and 1.12, respectively. The block copolymer includes a first block derived from the monomer (A) of Production Example 1 and a second block derived from the pentafluorostyrene monomer. The results of &lt; 1 &gt; H NMR analysis of the block copolymer of Comparative Example 1 are shown in Fig.

실시예 및 비교예의 각 거대 개시제 및 제조된 블록 공중합체에 대한 GPC 측정 결과를 하기 표 1에 정리하여 기재하였고, 실시예 1 내지 3 및 비교예 1의 각 블록 공중합체의 X값을 하기 표 2에 정리하여 기재하였다.The results of GPC measurement of each of the macro initiators and the prepared block copolymers in Examples and Comparative Examples are summarized in Table 1 below and the X values of the respective block copolymers of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 are shown in Table 2 .


실시예Example 비교예Comparative Example
1One 22 33 1One MI
MI
MnMn 1030010300 1040010400 57005700 91009100
PDIPDI 1.211.21 1.191.19 1.181.18 1.201.20 BCP
BCP
MnMn 1560015600 1780017800 5900059000 2320023200
PDIPDI 1.151.15 1.141.14 1.221.22 1.121.12 MI: 거대 개시제
BCP: 블록 공중합체
Mn: 수평균분자량
PDI: 분자량 분포
MI:
BCP: block copolymer
Mn: number average molecular weight
PDI: molecular weight distribution

실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 비교예1Comparative Example 1 X값X value 44 3.23.2 1.181.18 22 DD 1.571.57 1.571.57 1.571.57 1.571.57 MM 약 1.79Approximately 1.79 약 1.79Approximately 1.79 약 1.79Approximately 1.79 약 1.79Approximately 1.79 KK 약 0.080.08 약 0.110.11 약 1.37Approximately 1.37 약 0.250.25 LL 약 11.3Approximately 11.3 약 11.3Approximately 11.3 약 11.3Approximately 11.3 약 11.3Approximately 11.3 D: 제 1 블록의 밀도(D1)와 제 2 블록의 밀도(D2)의 비율(D2/D1)
M: 제 1 블록을 형성하는 단량체인 제조예 1의 화학식 A의 단량체의 몰질량(346.5 g/mol, M1)과 제 2 블록을 형성하는 단량체인 펜타플루오로스티렌의 몰질량(194.1 g/mol, M2)의 비율(M1/M2)
K: 1H-NMR에서 제 2 블록에 기인하여 나타나는 피크의 면적(A2)과 제 1 블록에 기인하여 나타나는 피크의 면적(A2)의 비율(A2/A1)
L: 제 1 블록을 형성하는 단량체인 제조예 1의 화학식 A의 단량체의 수소 원자의 수(34, H1)와 제 2 블록을 형성하는 단량체인 펜타플루오로스티렌의 수소 원자의 수(3, H2)의 비율(H1/H2)
D: a ratio (D2 / D1) of the density (D1) of the first block to the density (D2)
M: The molar mass (346.5 g / mol, M1) of the monomer of the formula (A) in Production Example 1, which is the monomer forming the first block, and the molar mass of the monomers, pentafluorostyrene, , M2) (M1 / M2)
K: A ratio (A2 / A1) of an area (A2) of a peak appearing in the second block in the 1 H-NMR and an area (A2) of a peak appearing in the first block,
L: The number of hydrogen atoms (34, H1) of the monomer of formula (A) in Production Example 1, which is the monomer forming the first block, and the number of hydrogen atoms of pentafluorostyrene, ) (H1 / H2)

시험예Test Example 1. 자기 조립 특성의 평가 1. Evaluation of Self-Assembly Characteristics

실시예 또는 비교예의 블록 공중합체를 플루오로벤젠(fluorobezene)에 0.7 중량%의 고형분 농도로 희석시켜 제조한 코팅액을 실리콘 웨이퍼상에 약 5 nm의 두께로 스핀 코팅(코팅 면적: 가로×세로 = 1.5cm×1.5cm)하고, 상온에서 약 1시간 동안 건조시킨 후에 다시 약 160°C의 온도에서 약 1 시간 동안 열적 숙성(thermal annealing)하여 자기 조립된 막을 형성하였다. 형성된 막에 대하여 SEM(Scanning electron microscope) 이미지를 촬영하였다. 도 5는 실시예 1 에 대하여 촬영한 AFM 이미지이고, 도 6은, 실시예 2 에 대하여 촬영한 SEM 이미지이다. 도면으로부터 확인되는 바와 같이 실시예의 블록 공중합체의 경우, 실린더 구조의 고분자막이 효과적으로 형성되었고, 실시예 3의 경우도 역시 실린더 구조의 고분자막이 형성되었다. 이에 대하여 비교예 1 의 경우, 실린더 구조에 적절한 상분리가 유도되지 않았다. 도 7은, 비교예 1에 대한 SEM 결과이고, 이로부터 효과적인 실린더 구조의 상분리가 유도되지 않았음을 확인할 수 있다.The coating solution prepared by diluting the block copolymer of Example or Comparative Example to a solid content concentration of 0.7% by weight in fluorobenzene was spin-coated (coating area: width × length = 1.5) on the silicon wafer to a thickness of about 5 nm cm x 1.5 cm), dried at room temperature for about 1 hour, and then thermally annealed at about 160 ° C for about 1 hour to form a self-assembled film. Scanning electron microscope (SEM) images were taken of the formed film. FIG. 5 is an AFM image taken in the first embodiment, and FIG. 6 is a SEM image taken in the second embodiment. As can be seen from the figure, in the case of the block copolymer of the Example, the polymer membrane of the cylinder structure was effectively formed, and also in the case of Example 3, the polymer membrane of the cylinder structure was also formed. In contrast, in Comparative Example 1, proper phase separation was not induced in the cylinder structure. FIG. 7 shows the SEM results for Comparative Example 1. From this, it can be confirmed that an effective phase separation of the cylinder structure was not induced.

Claims (15)

측쇄 사슬을 가지는 제 1 블록과 상기 제 1 블록과는 다른 제 2 블록을 포함하고, 하기 수식 1에 따른 X의 범위가 2.5 내지 10인 블록 공중합체:
[수식 1]
X = 1 + (D×M)/(K×L)
수식 1에서 D는 제 1 블록의 밀도(D1)와 제 2 블록의 밀도(D2)의 비율(D2/D1)이고, M은, 제 1 블록의 몰질량(M1)과 제 2 블록의 몰질량(M2)의 비율(M1/M2)이며, K는 1H-NMR에서 제 2 블록에 기인하여 나타나는 피크의 면적(A2)과 제 1 블록에 기인하여 나타나는 피크의 면적(A2)의 비율(A2/A1)이고, L은 제 1 블록 반복 단위 1몰이 가지는 수소 원자의 수(H1)와 제 2 블록 반복 단위 1몰이 가지는 수조 원자의 수(H2)의 비율(H1/H2)이다.
A block copolymer having a first block having a branched chain and a second block different from the first block and having an X range of 2.5 to 10 according to the following formula:
[Equation 1]
X = 1 + (D x M) / (K x L)
D is the ratio of the density D1 of the first block to the density D2 of the second block and D is the ratio of the molar mass M1 of the first block to the molar mass of the second block K is the ratio of the area A2 of the peak due to the second block in the 1 H-NMR to the area A2 of the peak due to the first block A2 / A1), and L is the ratio (H1 / H2) of the number (H1) of hydrogen atoms having 1 mole of the first block repeating unit to the number (H2) of water atoms having 1 mole of the second block repeating unit.
측쇄 사슬을 가지는 제 1 블록 및 상기 제 1 블록과는 다른 제 2 블록을 포함하고, 하기 수식 1에 따른 X의 범위가 1.1 내지 1.7인 블록 공중합체:
[수식 1]
X = 1 + (D×M)/(K×L)
수식 1에서 D는 제 1 블록의 밀도(D1)와 제 2 블록의 밀도(D2)의 비율(D2/D1)이고, M은, 제 1 블록의 몰질량(M1)과 제 2 블록의 몰질량(M2)의 비율(M1/M2)이며, K는 1H-NMR에서 제 2 블록에 기인하여 나타나는 피크의 면적(A2)과 제 1 블록에 기인하여 나타나는 피크의 면적(A2)의 비율(A2/A1)이고, L은 제 1 블록 반복 단위 1몰이 가지는 수소 원자의 수(H1)와 제 2 블록 반복 단위 1몰이 가지는 수조 원자의 수(H2)의 비율(H1/H2)이다.
A block copolymer having a first block having a branched chain and a second block different from the first block and having an X range of 1.1 to 1.7 according to the following formula 1:
[Equation 1]
X = 1 + (D x M) / (K x L)
D is the ratio of the density D1 of the first block to the density D2 of the second block and D is the ratio of the molar mass M1 of the first block to the molar mass of the second block K is the ratio of the area A2 of the peak due to the second block in the 1 H-NMR to the area A2 of the peak due to the first block A2 / A1), and L is the ratio (H1 / H2) of the number (H1) of hydrogen atoms having 1 mole of the first block repeating unit to the number (H2) of water atoms having 1 mole of the second block repeating unit.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 실린더 구조를 형성하는 블록 공중합체.3. The block copolymer according to claim 1 or 2, wherein the block copolymer forms a cylinder structure. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제 1 블록 또는 제 2 블록은 방향족 구조를 포함하는 블록 공중합체.3. The block copolymer according to claim 1 or 2, wherein the first block or the second block comprises an aromatic structure. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제 1 블록은 측쇄 사슬이 연결되어 있는 방향족 구조를 포함하는 블록 공중합체.3. The block copolymer according to claim 1 or 2, wherein the first block comprises an aromatic structure to which side chain chains are connected. 제 5 항에 있어서, 측쇄 사슬은 방향족 구조에 산소 원자 또는 질소 원자를 매개로 연결되어 있는 블록 공중합체.6. The block copolymer according to claim 5, wherein the side chain is linked to the aromatic structure through an oxygen atom or a nitrogen atom. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 측쇄 사슬의 사슬 형성 원자는 8개 이상인 블록 공중합체.The block copolymer according to claim 1 or 2, wherein the chain-forming atoms of the side chain chain are 8 or more. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제 1 블록은 측쇄 사슬이 연결되어 있는 방향족 구조를 포함하고, 제 2 블록은 할로겐 원자를 포함하는 방향족 구조를 포함하는 블록 공중합체.3. The block copolymer according to claim 1 or 2, wherein the first block includes an aromatic structure to which side chain chains are connected and the second block includes an aromatic structure including a halogen atom. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제 1 블록은, 하기 화학식 1로 표시되는 단위를 포함하는 블록인 블록 공중합체:
[화학식 1]
Figure pat00006

화학식 1에서 R은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, X는 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 카보닐기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이고, 상기에서 X1은 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이고, Y는 8개 이상의 사슬 형성 원자를 가지는 사슬이 연결된 고리 구조를 포함하는 1가 치환기이다.
The block copolymer according to claim 1 or 2, wherein the first block is a block containing a unit represented by the following formula (1):
[Chemical Formula 1]
Figure pat00006

Wherein R is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and X is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, -S (= O) 2 -, a carbonyl group, an alkylene group, an alkenylene group, C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) -, wherein X 1 represents an oxygen atom, a sulfur atom, -S (═O) 2 -, an alkylene group, And Y is a monovalent substituent group comprising a ring structure having a chain having 8 or more chain forming atoms linked thereto.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제 2 블록은 하기 화학식 3으로 표시되는 단위를 포함하는 블록 공중합체:
[화학식 3]
Figure pat00007

화학식 3에서 X2는, 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이고, 상기에서 X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이고, W는 적어도 1개의 할로겐 원자를 포함하는 아릴기이다.
3. The block copolymer according to claim 1 or 2, wherein the second block comprises a block copolymer represented by the following formula (3): &lt; EMI ID =
(3)
Figure pat00007

In formula 3 X 2 is a single bond, an oxygen atom, sulfur atom, -S (= O) 2 - , alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) - and, in the X 1 is a single bond, oxygen atom, sulfur atom, -S (= O) 2 - , alkylene group, alkenyl group or alkynyl group, and W is at least one halogen Is an aryl group containing an atom.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 수평균분자량이 3,000 내지 300,000의 범위 내에 있는 블록 공중합체.3. The block copolymer according to claim 1 or 2, wherein the number average molecular weight is in the range of 3,000 to 300,000. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 분산도(Mw/Mn)가 1.01 내지 1.60의 범위 내에 있는 블록 공중합체.3. The block copolymer according to claim 1 or 2, wherein the dispersion degree (Mw / Mn) is in the range of 1.01 to 1.60. 자기 조립된 제 1 항 또는 제 2항의 블록 공중합체를 포함하는 고분자막.A polymer membrane comprising the self-assembled block copolymer of claim 1 or claim 2. 자기 조립된 제 1 항 또는 제 2 항의 블록 공중합체를 포함하는 고분자막을 기판상에 형성하는 것을 포함하는 고분자막의 형성 방법.A method of forming a polymer membrane, which comprises forming a polymer membrane including the block copolymer of claim 1 or 2 on a substrate. 기판의 표면에 형성되어 있는 자기 조립된 제 1 항 또는 제 2 항의 블록 공중합체를 포함하는 고분자막에서 상기 블록 공중합체의 제 1 또는 제 2 블록을 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.And removing the first or second block of the block copolymer from the polymer membrane comprising the self-assembled block copolymer of claim 1 or 2 formed on the surface of the substrate.
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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6402867B2 (en) 2013-12-06 2018-10-10 エルジー・ケム・リミテッド Block copolymer
US10227436B2 (en) 2013-12-06 2019-03-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
EP3078690B1 (en) 2013-12-06 2021-01-27 LG Chem, Ltd. Block copolymer
EP3078693B1 (en) 2013-12-06 2021-01-27 LG Chem, Ltd. Block copolymer
WO2015084124A1 (en) 2013-12-06 2015-06-11 주식회사 엘지화학 Block copolymer
EP3101043B1 (en) 2013-12-06 2021-01-27 LG Chem, Ltd. Block copolymer
CN105980342B (en) 2013-12-06 2019-02-15 株式会社Lg化学 Monomer and block copolymer
JP6483695B2 (en) 2013-12-06 2019-03-13 エルジー・ケム・リミテッド Block copolymer
WO2015084126A1 (en) 2013-12-06 2015-06-11 주식회사 엘지화학 Block copolymer
JP6419820B2 (en) 2013-12-06 2018-11-07 エルジー・ケム・リミテッド Block copolymer
JP6334706B2 (en) 2013-12-06 2018-05-30 エルジー・ケム・リミテッド Block copolymer
WO2015084133A1 (en) 2013-12-06 2015-06-11 주식회사 엘지화학 Block copolymer
EP3078694B1 (en) 2013-12-06 2021-01-27 LG Chem, Ltd. Block copolymer
WO2016053007A1 (en) 2014-09-30 2016-04-07 주식회사 엘지화학 Method for producing patterned substrate
JP6532941B2 (en) 2014-09-30 2019-06-19 エルジー・ケム・リミテッド Block copolymer
WO2016053010A1 (en) 2014-09-30 2016-04-07 주식회사 엘지화학 Block copolymer
US10633533B2 (en) 2014-09-30 2020-04-28 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10703897B2 (en) 2014-09-30 2020-07-07 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10240035B2 (en) 2014-09-30 2019-03-26 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
EP3214102B1 (en) 2014-09-30 2022-01-05 LG Chem, Ltd. Block copolymer
JP6394798B2 (en) 2014-09-30 2018-09-26 エルジー・ケム・リミテッド Block copolymer
US10287429B2 (en) 2014-09-30 2019-05-14 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
JP6637495B2 (en) 2014-09-30 2020-01-29 エルジー・ケム・リミテッド Manufacturing method of patterned substrate
KR102096271B1 (en) * 2016-11-30 2020-05-27 주식회사 엘지화학 Block copolymer
KR102071914B1 (en) * 2016-11-30 2020-01-31 주식회사 엘지화학 Block copolymer
JP6822561B2 (en) 2016-11-30 2021-01-27 エルジー・ケム・リミテッド Laminate
CN110023384B (en) * 2016-11-30 2022-06-07 株式会社Lg化学 Laminate
US11155666B2 (en) 2016-11-30 2021-10-26 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
KR101946775B1 (en) 2016-11-30 2019-02-12 주식회사 엘지화학 Block copolymer
KR102184394B1 (en) * 2016-11-30 2020-11-30 주식회사 엘지화학 Polymer composition
CN109983044B (en) * 2016-11-30 2021-10-22 株式会社Lg化学 Polymer composition
KR102183698B1 (en) 2016-11-30 2020-11-26 주식회사 엘지화학 Preparation method for polymer layer
KR102097819B1 (en) * 2016-11-30 2020-04-07 주식회사 엘지화학 Block copolymer
KR102308953B1 (en) 2017-03-10 2021-10-05 주식회사 엘지화학 Preparation method of patterened substrate
JP7027668B2 (en) * 2017-07-14 2022-03-02 エルジー・ケム・リミテッド Neutral layer composition
KR102277770B1 (en) * 2017-07-14 2021-07-15 주식회사 엘지화학 Method for planarization of block copolymer layer and method for forming pattern
KR102159495B1 (en) * 2017-07-14 2020-09-25 주식회사 엘지화학 Block copolymer
KR102096270B1 (en) * 2017-07-14 2020-04-02 주식회사 엘지화학 Compositon for neural layer
KR102325779B1 (en) * 2017-08-22 2021-11-12 에스케이이노베이션 주식회사 Random copolymer for forming neutral layer and laminate for forming pattern comprising the same, method for patterning using the same
KR102396957B1 (en) * 2017-08-22 2022-05-13 에스케이이노베이션 주식회사 Random copolymer for forming neutral layer and laminate for forming pattern comprising the same, method for patterning using the same
JP6328306B1 (en) 2017-09-04 2018-05-23 株式会社マコエンタープライズ Menu display method, menu display device, and menu display program
EP3665531B1 (en) * 2017-09-13 2023-12-13 LG Chem, Ltd. Preparation method of patterned substrate
TWI805617B (en) * 2017-09-15 2023-06-21 南韓商Lg化學股份有限公司 Laminate
TWI695860B (en) * 2017-11-07 2020-06-11 南韓商Lg化學股份有限公司 Polymer composition
KR102399191B1 (en) * 2017-11-09 2022-05-18 주식회사 엘지화학 Laminate
KR102550419B1 (en) * 2018-08-16 2023-07-04 주식회사 엘지화학 Block copolymer
KR102522250B1 (en) * 2018-08-16 2023-04-17 주식회사 엘지화학 Preparation method of substrate
KR102484627B1 (en) * 2018-08-16 2023-01-04 주식회사 엘지화학 Pinning layer composition
KR20220045446A (en) 2020-10-05 2022-04-12 주식회사 엘지화학 Purification Method
KR102549753B1 (en) * 2021-11-01 2023-06-30 한국화학연구원 BOTTOM-UP PATTERN MANUFACTURING METHOD, Complex Structure Fabricated therefrom and Semiconductor Device comprising the Complex Structure

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3121116B2 (en) * 1992-05-21 2000-12-25 出光興産株式会社 Styrene block copolymer and method for producing the same
JP4625901B2 (en) 2000-11-08 2011-02-02 独立行政法人産業技術総合研究所 Syndiotactic aromatic vinyl block copolymer and process for producing the same
US7098525B2 (en) * 2003-05-08 2006-08-29 3M Innovative Properties Company Organic polymers, electronic devices, and methods
US8097175B2 (en) * 2008-10-28 2012-01-17 Micron Technology, Inc. Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure
US8147914B2 (en) * 2007-06-12 2012-04-03 Massachusetts Institute Of Technology Orientation-controlled self-assembled nanolithography using a block copolymer
JP5150327B2 (en) * 2007-08-03 2013-02-20 東京応化工業株式会社 Resist composition for immersion exposure and method for forming resist pattern
KR101291223B1 (en) * 2007-08-09 2013-07-31 한국과학기술원 Method of forming fine pattern using block copolymer
JP5081560B2 (en) * 2007-09-28 2012-11-28 富士フイルム株式会社 Positive resist composition and pattern forming method using the same
US8425982B2 (en) * 2008-03-21 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids
US8658258B2 (en) * 2008-10-21 2014-02-25 Aculon, Inc. Plasma treatment of substrates prior to the formation a self-assembled monolayer
JP2010115832A (en) * 2008-11-12 2010-05-27 Panasonic Corp Method for promoting self-formation of block copolymer and method for forming self-formation pattern of block copolymer using the method for promoting self-formation
CN102317333B (en) * 2009-02-18 2015-06-10 Lg化学株式会社 Acrylic resin composition, and optical film comprising same
SG10201404909UA (en) * 2010-03-18 2015-06-29 Univ Texas Surface Treatments For Alignment Of Block Copolymers
JP5555111B2 (en) * 2010-09-27 2014-07-23 株式会社日立製作所 Polymer thin film having silsesquioxane, microstructure and production method thereof
US9000115B2 (en) * 2011-01-27 2015-04-07 Lg Chem, Ltd. Olefin block copolymers and production methods thereof
US8691925B2 (en) * 2011-09-23 2014-04-08 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Compositions of neutral layer for directed self assembly block copolymers and processes thereof
JP5887244B2 (en) * 2012-09-28 2016-03-16 富士フイルム株式会社 Self-assembled composition for pattern formation, pattern formation method by self-assembly of block copolymer using the same, self-assembled pattern, and method for producing electronic device

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