KR20160015536A - 투명 도전체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광학표시장치 - Google Patents

투명 도전체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광학표시장치 Download PDF

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황오현
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Abstract

기재층, 및 상기 기재층 상에 형성되고 금속 나노와이어 및 전도성 고분자를 포함하는 투명도전층을 포함하고, 상기 투명도전층은 양이온 함유량이 100㎍/㎏ 내지 1000㎍/㎏인 투명도전체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광학표시장치가 제공된다.

Description

투명 도전체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광학표시장치{TRANSPARENT CONDUCTOR, METHOD FOR PREPARING THE SAME AND OPTICAL DISPLAY APPARATUS COMPRISING THE SAME}
본 발명은 투명 도전체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광학표시장치에 관한 것이다.
투명 도전체는 터치패널, 디스플레이 장치, E-paper, 태양전지 등에서 투명 전극 필름의 제조에 사용되고 있다. 투명 도전체는 기재층 상에 금속 나노와이어를 포함하는 투명 도전층용 조성물을 습식 박막 코팅하여 제조될 수 있다. 투명 도전체에 전도성 고분자를 포함시킴으로써 유연성(flexibility)과 전도도가 높아질 수 있다.
전도성 고분자로 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 폴리(스티렌술포네이트)(PEDOT:PSS)를 사용할 수 있다. 그런데, PEDOT:PSS는 술포네이트 음이온(SO3 -), 및 이에 결합된 수소 이온(H+)을 포함한다. 따라서, 전도성 고분자는 pH 약 1 내지 2로 산성을 나타내어 금속 나노와이어를 산화시킴으로써 투명 도전체의 면저항을 높일 수 있고, 전도도를 유지할 수 없게 하며, 투명 도전체의 내구성과 신뢰성을 저하시킬 수 있다. 또한, 전도성 고분자는 특유의 색상을 가져 노랗게 보일 수 있는데, 이는 투명 도전체를 사용하는데 문제가 될 수 있다.
본 발명의 배경기술은 한국공개특허 2012-0098140호에 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 금속 나노와이어와 전도성 고분자를 포함하더라도 금속 나노와이어가 산화되지 않아서 전도도는 높고 면저항이 낮은 투명 도전체를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 금속 나노와이어와 전도성 고분자를 포함하더라도 내구성과 신뢰성이 좋은 투명 도전체를 제공하는 것이다.
본 발명의 투명 도전체는 기재층 및 상기 기재층 상에 형성되고 금속 나노와이어 및 전도성 고분자를 포함하는 투명도전층을 포함하고, 상기 투명 도전층은 양이온 함유량이 100㎍/㎏ 내지 1000㎍/㎏이 될 수 있다.
본 발명의 투명 도전체는 기재층, 상기 기재층 상에 형성되고 금속 나노와이어 및 전도성 고분자를 포함하는 투명도전층, 및 상기 투명도전층 상에 형성된 오버코팅층을 포함하고, 상기 투명도전층과 오버코팅층 전체는 양이온 함유량이 100㎍/㎏ 내지 1000㎍/㎏이 될 수 있다.
본 발명의 투명 도전체의 제조방법은 H+ 이온 함유 전도성 고분자를 중화시켜 중화된 전도성 고분자를 제조하고, 상기 중화된 전도성 고분자와 금속 나노와이어를 함유하는 투명도전층용 조성물을 제조하고, 그리고 상기 투명도전층용 조성물을 기재층 상에 코팅하고 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 광학표시장치는 상기 투명 도전체를 포함할 수 있다.
본 발명은 금속 나노와이어와 전도성 고분자를 포함하더라도 금속 나노와이어가 산화되지 않아서 전도도는 높고 면저항은 낮은 투명 도전체를 제공하였다. 본 발명은 금속 나노와이어와 전도성 고분자를 포함하더라도 내구성과 신뢰성이 좋은 투명 도전체를 제공하였다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 투명 도전체의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예의 투명 도전체의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예의 광학표시장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예의 광학표시장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예의 광학표시장치의 단면도이다.
첨부한 도면을 참고하여 실시예에 의해 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
본 명세서에서, '상부'와 '하부'는 도면을 기준으로 정의한 것으로, 보는 시각에 따라 '상부'가 하부'로, '하부'가 '상부'로 변경될 수 있고, '(메트)아크릴레이트'는 아크릴레이트 및/또는 메타아크릴레이트를 의미할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예의 투명 도전체를 도 1을 참고하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예의 투명 도전체의 단면도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예의 투명 도전체(100)는 기재층(110), 및 기재층(110) 상에 형성되고 금속 나노와이어(121)와 전도성 고분자(도 1에서 도시되지 않음)를 포함하는 투명 도전층(120)을 포함하고, 투명 도전층(120)은 양이온 함유량이 100㎍/㎏ 내지 1000㎍/㎏이 될 수 있다. 상기 범위에서, 전도성 고분자의 수소 이온이 투명도전층에 많이 남아 투명도전층의 면저항을 높이고 신뢰성을 낮추는 문제점이 없고, 금속 나노와이어의 전도성을 방해하여 투명도전층의 전도도가 낮아지고 저항이 높아지는 문제점이 없을 수 있다. 구체적으로 투명 도전층 중 양이온 함유량은 200㎍/㎏ 내지 850㎍/㎏이 될 수 있다.
투명 도전층(120) 중 "양이온 함유량"은 투명 도전층 중 수소 이온(H+)과 금속 나노와이어를 구성하는 금속 양이온을 제외한 전체 양이온의 함유량을 의미한다. 이때 "금속 양이온"은 투명 도전층 중 양이온 함유량 측정시 투명 도전층에 플라즈마를 조사하게 되는데 이때 금속 나노와이어로부터 발생되는 금속 양이온을 의미할 수 있고, 예를 들면 금속 나노와이어로 은 나노와이어를 사용한 경우 Ag+ 이온을 의미한다. 예를 들면, 투명 도전층 중 "양이온 함유량"은 H+ 이온을 갖는 전도성 고분자의 H+ 이온을 중화시킬 수 있는 염기로부터 유래되는 양이온이라면 특별히 제한되지 않는다. 구체적으로, 양이온은 Na+, K+, Ca2+, Mg2+, NHR3 +(상기에서 R은 지방족 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기이다), NH4 + 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 또는 탄소수 7 내지 10의 아릴알킬기가 될 수 있다.
투명 도전층(120) 중 양이온 함유량은 ICP OES(inductively coupled plasma optical emission spectrometry)를 이용하여 측정할 수 있다.
투명 도전층(120)은 금속 나노와이어와 전도성 고분자를 포함하는 투명 도전층용 조성물로 형성되고, 이때 전도성 고분자는 중성 구체적으로 pH 6 내지 8을 갖는다. 따라서, 종래 H+ 이온을 포함하여 pH 1 내지 2로 산성을 갖는 전도성 고분자를 포함하는 투명 도전체 대비 투명 도전층의 전도도는 유지하되 면저항은 낮출 수 있고 신뢰성과 내구성을 높일 수 있다.
구체적으로, 투명 도전층(120) 중 전도성 고분자는 SO3 - 음이온에 양이온이 이온 결합된 폴리(스티렌술포네이트)가 도핑된 폴리티오펜계 고분자를 포함할 수 있다. 이때 양이온은 H+ 이온을 갖는 전도성 고분자의 H+ 이온을 중화시킬 수 있는 염기로부터 유래되는 양이온을 포함할 수 있다. 구체적으로, 양이온은 Na+, K+, Ca2+, Mg2+, NHR3 +(상기에서 R은 지방족 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기이다), NH4 + 중 하나 이상을 포함할 수 있다. R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 10의 아릴알킬기가 될 수 있다.
예를 들면, 폴리(스티렌술포네이트)의 SO3 - 음이온과 Na+ 양이온이 결합된 전도성 고분자는 하기 화학식 1의 단위를 포함할 수 있다:
<화학식 1>
Figure pat00001
(상기 화학식 1에서, *는 연결 부위이다).
H+ 이온을 갖는 전도성 고분자는 화학식 1에서 Na+ 이온 대신에 H+ 이온을 포함하지만, 본 발명의 투명도전층 중 전도성 고분자는 H+ 이온 대신에 Na+ 이온이 SO3 - 음이온에 이온 결합되어 있다.
폴리티오펜계 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜이 될 수 있다.
투명도전층(120) 중 전도성 고분자는 H+ 이온을 갖는 전도성 고분자를 염기를 사용하여 중화시켜 제조될 수 있다.
전도성 고분자는 투명 도전층(120) 중 0.1중량% 내지 50중량%, 구체적으로 0.1중량% 내지 5중량%, 예를 들면 1,2,3,4,5중량%로 포함될 수 있고, 상기 범위에서 투명도전층의 신뢰성, 내구성을 높이고 면저항을 낮추며 전도도를 유지하게 할 수 있다.
투명 도전층(120)은 H+ 이온이 결합된 폴리(스티렌술포네이트)가 도핑된 폴리티오펜계 고분자를 더 포함할 수 있고, 이때 폴리티오펜계 고분자는 투명도전층 중 0.1중량% 내지 5중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 H+ 이온으로 금속 나노와이어가 산화되는 것을 막고 저항이 높아지는 것을 막을 수 있다. 폴리티오펜계 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
금속 나노와이어(121)는 투명 도전층(120) 내에서 도전성 네트워크를 형성하여, 도전성, 유연성(flexibility) 및 굴곡성을 구현할 수 있다.
금속 나노와이어(121)는 단면의 직경(d)에 대한 나노와이어 길이(L)의 비(L/d, aspect ratio)는 10 내지 5,000이 될 수 있고, 상기 범위에서 낮은 나노와이어 밀도에서도 높은 도전성 네트워크를 구현할 수 있고, 면저항이 낮아질 수 있다. 예를 들면 aspect ratio는 500 내지 1,000, 예를 들면 500 내지 700이 될 수 있다.
금속 나노와이어(121)는 단면의 직경(d)이 0 초과 100nm 이하가 될 수 있다. 상기 범위에서, 높은 L/d를 확보하여 전도성이 높고 면저항이 낮은 투명 도전체를 구현할 수 있다. 예를 들면 10nm 내지 100nm, 예를 들면 10nm 내지 30nm가 될 수 있다.
금속 나노와이어(121)는 길이(L)가 20㎛ 이상이 될 수 있다. 상기 범위에서, 높은 L/d를 확보하여 전도성이 높고 면저항이 낮은 도전성 필름을 구현할 수 있다. 예를 들면 20㎛ 내지 50㎛가 될 수 있다.
금속 나노와이어(121)는 임의의 금속으로 제조된 나노와이어를 포함할 수 있다. 예를 들면, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 금 나노와이어 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다. 예를 들면 은 나노와이어 또는 이를 포함하는 혼합물을 사용할 수 있다.
금속 나노와이어(121)는 투명도전층 중 40중량% 이상, 구체적으로 60중량% 내지 99.9중량%로 포함될 수 있고, 상기 범위에서 충분한 도전성을 확보할 수 있고, 전도성 네트워크를 형성할 수 있다.
투명도전층용 조성물은 금속 나노와이어, 중화된 전도성 고분자 이외에 바인더, 개시제, 첨가제를 더 포함할 수 있고, 첨가제는 증점제, 분산제 등이 될 수 있다. 바인더는 특별히 제한되지 않지만 (메트)아크릴레이트계 단관능 또는 다관능 모노머 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 분산제는 금속 나노와이어, 바인더의 분산을 높일 수 있고, 증점제는 조성물의 점도를 높여 소정 범위로 투명도전층이 형성되도록 할 수 있다. 바인더, 개시제 및 첨가제의 총 합은 투명도전층용 조성물 중 고형분 기준 0.1중량% 내지 50중량%, 구체적으로 20중량% 내지 50중량%로 포함될 수 있고, 상기 범위에서 광특성 향상, 접촉저항증가방지, 내구성 및 내화학성 등의 효과가 있을 수 있다.
투명 도전층용 조성물은 코팅 용이성을 위해 용제를 더 포함할 수 있고, 용제는 물, 알코올, 유기 용매 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
투명 도전층(120)의 두께는 10nm 내지 1㎛, 구체적으로 20nm 내지 500nm, 보다 구체적으로 30nm 내지 150nm가 될 수 있고, 상기 범위에서, 투명 도전체를 터치패널용 필름 용도로 사용할 수 있다.
기재층(110)은 광학적으로 투명성을 갖는 고분자 필름으로서, 파장 550nm에서 투과율이 85% 이상 100% 이하, 구체적으로 88% 내지 99%인 필름이 될 수 있고, 굴절률이 1.4 내지 1.7인 필름이 될 수 있다. 상기 범위에서 투명 도전체의 광학특성이 개선될 수 있다. 구체예적으로, 기재층은 폴리카보네이트, 시클릭올레핀폴리머, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 등을 포함하는 폴리에스테르, 폴리올레핀, 폴리술폰, 폴리이미드, 실리콘(silicone), 폴리스티렌, 폴리아크릴, 폴리비닐클로라이드 수지 필름이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 기재층은 2종 이상의 수지 필름이 접착제 등에 의해 적층된 형태가 될 수도 있다.
기재층(110)의 두께는 10 내지 200㎛, 구체적으로 50 내지 150㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 투명도전체에 사용될 수 있다.
도 1에서 도시되지 않았지만, 기재층(110)의 일면 또는 양면에는 기능성 층이 더 적층될 수 있다. 기능성 층으로는 하드코팅층, 부식방지층, anti-glare 코팅층, 부착력증진층(adhesion promoter), 올리고머 용출 방지층 등이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
또한, 도 1에서 도시되지 않았지만, 기재층(110)의 하부면에 투명도전층(120)이 더 형성될 수 있다.
투명 도전체(100)는 투과 b*값이 1.5 이하, 구체적으로 0.1 내지 1.1이 될 수 있고, 상기 범위에서, 투명 도전체의 색의 왜곡 현상을 없게 할 수 있다. 투과 b*값은 폴리카보네이트 기재층(두께:100㎛)에 금속 나노와이어와 전도성 고분자 포함 투명 도전층(두께:10㎛)이 형성된 투명도전체(오버코팅층이 포함된 경우 오버코팅층 포함)에 파장 300nm 내지 780nm의 가시광선에서 색차 측정기 CM3600D(Konica Minolta社)를 사용하여 측정할 수 있지만, 기재층의 재질과 두께, 투명도전층의 두께, 측정 파장을 변경하더라도 본 발명의 범위에 포함될 수 있다.
투명 도전체(100)는 파장 400nm 내지 700nm에서 헤이즈 미터로 측정된 헤이즈가 0% 내지 1.5% 이하, 구체적으로 0.01% 내지 1.5%이고, 투과도가 90% 이상 100% 이하, 예를 들면 90% 내지 95%가 될 수 있다. 상기 범위에서 투명성이 좋아 투명 도전체 용도로 사용될 수 있다.
투명 도전체(100)는 4-프로브로 측정된 면저항이 100(Ω/□) 이하, 구체적으로 50(Ω/□) 내지 100(Ω/□), 또는 30(Ω/□) 내지 100(Ω/□)이 될 수 있다. 상기 범위에서, 면저항이 낮아 터치패널용 전극 필름으로 사용할 수 있고, 대면적 터치패널에 적용될 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예의 투명 도전체를 도 2를 참고하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 다른 실시예의 투명 도전체의 단면도이다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 다른 실시예의 투명 도전체(150)는 기재층(110), 기재층(110) 상에 형성되고 금속 나노와이어(121)와 전도성 고분자(도 2에서 도시되지 않음)를 포함하는 투명도전층(120) 및 투명도전층(120) 상에 형성된 오버코팅층(130)을 포함하고, 투명도전층(120)과 오버코팅층(130) 전체는 양이온 함유량이 100㎍/㎏ 내지 1000㎍/㎏이 될 수 있다. 투명 도전층(120) 대신에 오버코팅층(130)을 더 포함하고 투명 도전층(120)과 오버코팅층(130) 전체의 양이온 함유량이 100㎍/㎏ 내지 1000㎍/㎏인 것을 제외하고는 본 발명의 일 실시예의 투명 도전체와 실질적으로 동일하다.
투명 도전층(120)과 오버코팅층(130) 전체는 양이온 함유량이 100㎍/㎏ 내지 1000㎍/㎏ 구체적으로 200㎍/㎏ 내지 800㎍/㎏ 더 구체적으로 200㎍/㎏ 내지 500㎍/㎏이 될 수 있다. 상기 범위에서 투명도전층 중 금속나노와이어의 산화를 막아서 투명 도전층의 신뢰성, 내구성을 높이고 면저항을 낮추며 전도도를 유지하게 할 수 있다.
투명 도전층(120)과 오버코팅층(130) 전체 중 "양이온 함유량"은 투명 도전층과 오버코팅층 중 수소 이온(H+)과 금속 나노와이어를 구성하는 금속 양이온을 제외한 전체 양이온의 함유량을 의미하고, 이때 "금속 양이온"은 투명 도전층 중 양이온 함유량 측정시 투명 도전층과 오버코팅층에 플라즈마를 조사하게 되는데 이때 금속 나노와이어로부터 발생되는 금속 양이온을 의미할 수 있고, 예를 들어 금속 나노와이어로 은 나노와이어를 사용한 경우 Ag+ 이온을 의미한다. 예를 들면, 투명 도전층과 오버코팅층 중 "양이온 함유량"은 H+ 이온을 갖는 전도성 고분자의 H+ 이온을 중화시킬 수 있는 염기로부터 유래되는 양이온이라면 특별히 제한되지 않는다. 구체적으로, 양이온은 Na+, K+, Ca2+, Mg2+, NHR3 +(상기에서 R은 지방족 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기이다), NH4 + 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 10의 아릴알킬기가 될 수 있다.
오버코팅층(130)은 투명 도전층(120) 상에 형성되어, 투명 도전층 중 금속 나노와이어가 산화되는 것을 막을 수 있다. 또한, 오버코팅층(130)은 바인더; 개시제; 및 용제를 포함하는 오버코팅층용 조성물로 형성될 수 있는데, 금속 나노와이어와 전도성 고분자를 포함하는 투명도전층용 조성물을 기재층(110) 상에 코팅하고 건조시켜 투명 도전층용 도막을 형성하고 투명 도전층용 도막 위에 오버코팅층용 조성물을 다시 코팅하고 경화시켜 투명 도전체(150)를 제조한다. 그 결과 오버코팅층용 조성물은 투명 도전층용 도막의 금속 나노와이어 사이를 스며들게 된다. 따라서, 도 2에서 도시되어 있지 않지만 오버코팅층(130)은 투명 도전층(120) 내에 일부 형성될 수도 있고, 그 결과 오버코팅층(130)은 기재층(110)과 투명도전층(120) 간의 부착성 및 투명 도전체의 내구성을 높일 수도 있다. 오버코팅층(130)은 투명도전층(120)과 오버코팅층(130) 전체의 양이온 함유량에 영향을 주지 않는다.
따라서, 투명 도전층(120)과 오버코팅층(130)은 일체형으로 형성될 수 있다. 상기 '일체형'은 투명 도전층과 오버코팅층이 접착층 등에 의해 서로 접착되어 있지 않지만 독립적으로 분리되지 않은 형태를 의미할 수 있다.
바인더는 (메트)아크릴레이트계 단관능 또는 다관능 모노머 중 하나 이상을 포함할 수 있는데, 구체적으로 1관능 이상, 보다 구체적으로 3관능 내지 6관능의 모노머를 포함할 수 있다. 바인더는 우레탄기를 포함하지 않는 비-우레탄계 모노머를 포함할 수 있다. 구체적으로, 바인더는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트, 히드록시기를 갖는 탄소수 1 내지 20의 (메트)아크릴레이트, 탄소수 3 내지 20의 지환족기를 갖는 (메트)아크릴레이트, 탄소수 3-20의 다가 알코올의 다관능 (메트)아크릴레이트, 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
구체적으로, 바인더는 트리메틸올프로판디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디(트리메틸올프로판)테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트트리(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 헥산디올디(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 사이클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트 중 하나 이상을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않고, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
일 구체예에서, 바인더는 3관능 모노머와 6관능 모노머를 함께 포함할 수 있다. 3관능 모노머는 고형분 기준 오버코팅층용 조성물 중 3 내지 30중량% 구체적으로 20 내지 25중량%, 6관능 모노머는 고형분 기준 오버코팅층용 조성물 중 7 내지 70중량% 구체적으로 65 내지 70중량%로 포함될 수 있다.
바인더는 고형분 기준 오버코팅층용 조성물 중 50 내지 92중량% 예를 들면 85 내지 92중량%로 포함될 수 있다.
개시제는 통상의 광개시제를 사용할 수 있는데, 예를 들면 알파-히드록시케톤 계열로서, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 또는 이를 포함하는 혼합물을 사용할 수 있다. 개시제는 고형분 기준 오버코팅층용 조성물 중 1 내지 10중량%로 포함될 수 있다.
용제는 통상의 용제를 제한없이 사용할 수 있는데, 구체적으로 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 등을 사용할 수 있다.
오버코팅층용 조성물은 바인더 50 내지 92중량%, 개시제 1 내지 10중량% 및 잔량의 용제를 포함할 수 있고, 상기 범위에서 UV 경화 및 방습 등의 효과가 있을 수 있다.
오버코팅층용 조성물은 오버코팅층의 성능 개선을 위한 첨가제를 더 포함할 수 있는데, 첨가제로는 부착증진제, 산화방지제 등을 포함할 수 있고, 첨가제는 고형분 기준 오버코팅층용 조성물 중 0.01 내지 10중량% 예를 들면 0.01중량% 내지 5중량%로 포함될 수 있다.
일 구체예에서, 오버코팅층용 조성물은 고형분 기준 바인더 85 내지 92중량%, 개시제 1 내지 10중량%, 첨가제 0.01 내지 10중량%를 포함할 수 있다.
투명 도전층(120)과 오버코팅층(130) 전체는 두께가 10nm 내지 1㎛, 구체적으로 20nm 내지 500nm, 보다 구체적으로 30nm 내지 150nm가 될 수 있고, 상기 범위에서, 투명 도전체를 터치패널용 필름 용도로 사용할 수 있다.
투명 도전층(120)과 오버코팅층(130) 전체 중 금속 나노와이어(121)는 40중량% 이상, 구체적으로 40중량% 내지 99.9중량%로 포함될 수 있고, 상기 범위에서, 충분한 도전성을 확보할 수 있고, 전도성 네트워크를 형성할 수 있다.
투명 도전층(120)과 오버코팅층(130) 전체 중 전도성 고분자 즉 중화된 전도성 고분자는 0.1중량% 내지 50중량%, 구체적으로 0.1중량% 내지 5중량%로 포함될 수 있고, 상기 범위에서 투명도전층의 신뢰성, 내구성을 높이고 면저항을 낮추며 전도도를 유지하게 할 수 있다.
투명 도전층(120)과 오버코팅층(130)은 H+ 이온이 결합된 폴리(스티렌술포네이트)가 도핑된 폴리티오펜계 고분자를 더 포함할 수 있고, 이때 폴리티오펜계 고분자는 투명도전층과 오버코팅층 전체 중 0.1중량% 내지 5중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 H+ 이온으로 금속 나노와이어가 산화되는 것을 막고 저항이 높아지는 것을 막을 수 있다. 폴리티오펜계 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
도 2에서 도시되지 않았지만, 기재층(110)의 하부면에 투명도전층(120), 오버코팅층(130) 또는 투명도전층(120)과 오버코팅층(130)의 적층체가 더 형성될 수 있다.
본 발명 실시예들의 투명 도전체는 패턴화될 수도 있고, 패터닝 방법은 특별히 제한되지 않으며 공지의 방법을 사용할 수 있고, 예를 들면 습식 에칭 방법으로 패터닝될 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예의 투명 도전체의 제조 방법을 설명한다.
본 발명의 일 실시예의 투명 도전체의 제조방법은 H+ 이온 함유 전도성 고분자를 중화하여 중화된 전도성 고분자를 제조하고, 중화된 전도성 고분자와 금속 나노와이어를 함유하는 투명도전층용 조성물을 제조하고, 그리고 기재층 상에 투명도전층용 조성물을 코팅하고 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
중화된 전도성 고분자는 H+ 이온 함유 전도성 고분자에 염기성 용액을 첨가하고 중화시켜 제조될 수 있는데, 구체적으로 염기성 용액을 첨가하여 전도성 고분자의 pH를 6 내지 8로 조정함으로써 제조될 수 있다. 염기성 용액은 pH 10 내지 14의 용액으로서 예를 들면 NaOH, KOH, Mg(OH)2, Ca(OH)2, (NHR3)+(OH)-(상기에서 R은 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기 등 이다), NH4OH 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 10의 아릴알킬기가 될 수 있다.
H+ 이온 함유 전도성 고분자는 H+ 이온 결합된 폴리(스티렌술포네이트)로 도핑된 폴리티오펜계 고분자를 포함할 수 있다. 중화된 전도성 고분자는 중화에 의해 염기로부터 유래되는 양이온을 포함하게 된다.
투명도전층용 조성물은 중화된 전도성 고분자와 금속 나노와이어를 혼합하여 제조되는데, 이때 중화된 전도성 고분자는 1회에 금속 나노와이어와 혼합될 수도 있고 2 내지 4회로 나누어 금속 나노와이어와 혼합될 수도 있다.
투명도전층용 조성물을 기재층 상에 코팅하여 투명도전층용 도막을 형성하는데, 코팅 방법으로는 스핀 코팅, 바 코팅 방법 등 통상의 코팅 방법이 될 수 있고, 투명도전층용 조성물의 코팅 두께는 20nm 내지 200nm가 될 수 있고, 상기 범위에서 투명도전체에 사용될 수 있다.
투명도전층용 도막을 경화시켜 투명도전층을 형성할 수 있는데, 경화는 광경화, 열경화 중 하나 이상을 포함하고, 열경화는 60℃ 내지 150℃에서 1분 내지 30분 동안 처리, 광경화는 100mJ/cm2 내지 1000mJ/cm2에서 UV 조사 처리를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예의 투명 도전체의 제조방법은 H+ 이온 함유 전도성 고분자를 중화하여 중화된 전도성 고분자를 제조하고, 중화된 전도성 고분자와 금속 나노와이어를 함유하는 투명도전층용 조성물을 제조하고, 그리고 기재층 상에 투명도전층용 조성물을 코팅하여 투명도전층용 도막을 형성하고, 투명도전층용 도막에 오버코팅층용 조성물을 코팅하고, 경화시키는 단계를 포함할 수 있다. 투명도전층용 조성물을 코팅한 후 경화시키기 전에 오버코팅층용 조성물을 더 코팅하는 것을 제외하고는 본 발명의 일 실시예의 제조방법과 실질적으로 동일하다.
오버코팅층용 조성물은 투명도전층용 조성물과 동일한 방법으로 코팅될 수 있고, 오버코팅층용 조성물의 코팅 두께는 10nm 내지 200nm가 될 수 있고, 상기 범위에서 투명도전체에 사용될 수 있다.
본 발명의 장치는 본 발명 실시예들의 투명 도전체를 포함하고, 구체적으로 터치패널, 터치스크린패널, 플렉시블(flexible) 디스플레이 등을 포함하는 광학표시장치, E-paper, 또는 태양 전지 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 투명 도전체는 패턴화된 형태로 포함될 수도 있다.
도 3 내지 도 5는 본 발명 일 실시예의 광학표시장치의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예의 광학표시장치(200)는 기재층(110), 기재층(110)의 상부면에 형성된 제1전극(255)과 제2전극(260), 및 기재층(110)의 하부면에 형성된 제3전극(265)과 제4전극(270)을 포함하는 투명 전극체(230), 제1전극(255)과 제2전극(260)의 상부에 형성된 윈도우 글라스(205), 제3전극(265)과 제4전극(270)의 하부에 형성된 제1편광판(235), 제1편광판(235)의 하부면에 형성된 CF(COLOR FILTER) 글라스(240), CF 글라스(240)의 하부면에 형성되고 TFT(THIN FILM TRANSISTOR) 글라스를 포함하는 패널(245), TFT 글라스(245) 하부면에 형성된 제2편광판(250)을 포함하고, 투명 전극체(230)는 본 발명 실시예의 투명 도전체로 형성될 수 있다.
투명 전극체(230)는 본 발명의 실시예의 투명 도전체에서 투명 도전층을 각각 소정의 방법(예:에칭 등)으로 패터닝하여 제1전극, 제2전극, 제3전극, 제4전극을 형성함으로써 제조될 수 있다. 제1전극(255)과 제2전극(260)은 Rx 전극, 제3전극(265)과 제4전극(270)은 Tx 전극이 될 수 있고, 그 역의 경우도 본 발명의 범위에 포함될 수 있다. 윈도우 글라스(205)는 광학표시장치에서 화면 표시 기능을 수행하는 것으로, 통상의 유리 재질로 제조될 수 있다. 제1편광판(235), 제2편광판(250)은 광학표시장치에 편광 성능을 부여하기 위한 것으로, 외부광 또는 내부광을 편광시킬 수 있고, 편광자, 또는 편광자와 보호필름의 적층체를 포함할 수 있고, 편광자, 보호필름은 편광판 분야에서 알려진 통상의 것을 포함할 수 있다. 윈도우 글라스(205)와 투명 전극체(230) 사이 및 투명 전극체(230)와 제1 편광판(235) 사이에는 각각 점착 필름(210, 212)을 부가함으로써, 투명 전극체(230), 윈도우 글라스(205), 제1편광판(235) 간의 결합을 유지할 수 있다. 점착 필름(210, 212)은 통상의 점착 필름으로서, 예를 들면 OCA(optical clear adhesive) 필름이 될 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예의 광학표시장치(300)는 기재층(110), 기재층(110)의 상부면에 형성된 제3전극(265)과 제4전극(270)을 포함하는 투명 전극체(330), 제3전극(265)과 제4전극(270)의 상부에 형성되고 하부면에 제1전극(255)과 제2전극(260)이 형성된 윈도우 글라스(205), 투명 전극체(330)의 하부에 형성된 제1편광판(235), 제1편광판(235)의 하부면에 형성된 CF(COLOR FILTER) 글라스(240), CF 글라스(240)의 하부면에 형성된 TFT(THIN FILM TRANSISTOR) 글라스를 포함하는 패널(245), TFT 글라스(245) 하부면에 형성된 제2편광판(250)을 포함하고, 투명 전극체(330)는 본 발명 실시예의 투명 도전체로 형성될 수 있다.
투명 전극체(330)는 본 발명 실시예의 투명 도전체에서 투명 도전층을 소정의 방법으로 패터닝하여 제3전극(265), 제4전극(270)을 형성함으로써 제조될 수 있다. 제1전극(255)과 제2전극(260)은 통상의 전극 형성 방법을 채용하여 형성할 수 있다. 윈도우 글라스(205)와 투명 전극체(330) 사이 및 투명 전극체(330)와 제1 편광판(235) 사이에는 각각 점착 필름(210, 212)을 부가함으로써, 투명 전극체, 윈도우 글라스, 제1편광판 간의 결합을 유지할 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예의 광학표시장치(400)는 제1기재층(110a), 제1기재층(110a)의 상부면에 형성된 제1전극(255)과 제2전극(260)을 포함하는 제1투명 전극체(430a), 제1투명 전극체(430a)의 하부에 형성되고, 제2기재층(110b), 제2기재층(110b)의 상부면에 형성된 제3전극(265)과 제4전극(270)을 포함하는 제2투명 전극체(430b), 제2투명 전극체(330b)의 하부에 형성된 제1편광판(235), 제1편광판(235)의 하부면에 형성된 CF(COLOR FILTER) 글라스(240), CF 글라스(240)의 하부면에 형성된 TFT(THIN FILM TRANSISTOR) 글라스(245), TFT 글라스(245) 하부면에 형성된 제2편광판(250)을 포함하고, 제1투명 전극체(430a)와 제2투명 전극체(430b)는 본 발명 실시예의 투명 도전체로 형성될 수 있다.
제1투명 전극체(430a)와 제2투명 전극체(430b)는 본 발명 실시예의 투명 도전체에서 투명 도전층을 소정의 방법으로 패터닝하여 제1전극, 제2전극 제3전극, 제4전극을 형성함으로써 제조될 수 있다. 제1투명 전극체(430a)와 윈도우 글라스(205) 사이, 제1투명 전극체(430a)와 제2투명 전극체(430b) 사이, 및 제2 투명 전극체(430b)와 제1 편광판(235) 사이에는 각각 점착 필름(210, 212, 214)을 부가함으로써, 투명 전극체, 윈도우 글라스, 제1편광판 간의 결합을 유지할 수 있다. 점착 필름(210, 212, 214)은 통상의 점착 필름으로서, 예를 들면 OCA(optical clear adhesive) 필름이 될 수 있다. 또한, 도 3 내지 도 5에서 도시되지 않았지만, 제1기재층, 제2기재층 또는 기재층은 수지 필름이 접착제 등에 의해 적층된 형태가 될 수도 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
실시예 1
전도성 고분자(PH-1000, Heraeus 社, 전도성 고분자: 0.2중량%) 용액 1.013g에 pH 14의 NaOH 용액을 첨가하여 pH 6 내지 8의 중화된 전도성 고분자(mPH-1000) 용액 1.013g을 제조하고, 은 나노와이어 함유 용액(제품명:Clearohm ink, 금속 나노와이어와 바인더의 합 2.45중량%, 금속 나노와이어:바인더=1:1.45(중량비), 첨가제 포함) 5.43g을 혼합하여 투명도전층용 조성물을 제조하였다. 전도성 고분자 PH-1000은 SO3 - 음이온, 및 SO3 - 음이온에 결합된 H+ 양이온을 포함하고, 전도성 고분자 mPH-1000은 SO3 - 음이온 및 SO3 - 음이온에 결합된 Na+ 양이온을 포함한다. 고형분 기준 투명도전층용 조성물 중 중화된 전도성 고분자의 함량은 1.5중량%이었다.
기재층(폴리카보네이트 필름, 두께:50㎛)에 투명도전층용 조성물을 스핀 코팅 방법으로 코팅하여 투명도전층용 도막을 형성하고 80℃ 오븐에서 2분 이상 건조하고, UV 경화기에서 500mJ/cm2으로 경화시켜, 투명도전체를 제조하였다.
실시예 2
실시예 1에서 중화된 전도성 고분자 용액 2.025g을 사용하여 고형분 기준 투명도전층용 조성물 중 중화된 전도성 고분자의 함량을 3중량%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명도전체를 제조하였다.
실시예 3
전도성 고분자 (PH-1000, Heraeus 社, 전도성 고분자:0.2중량%) 용액 1.013g에 pH 14의 NaOH 용액을 첨가하여 pH 6 내지 8의 중화된 전도성 고분자(mPH-1000) 1.013g을 제조하고, 은 나노와이어 함유 용액(제품명:Clearohm ink, 금속 나노와이어와 바인더의 합 2.45중량%, 첨가제 포함, 금속 나노와이어:바인더=1:1.45(중량비)) 5.43g을 혼합하여 투명도전층용 조성물을 제조하였다. 고형분 기준 투명도전층용 조성물 중 중화된 전도성 고분자의 함량은 1.5중량%이었다.
프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 3관능 모노머인 TMPTA(트리메틸올프로판트리아크릴레이트) 2.41g, 6관능 모노머인 DPHA(디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트) 7.59g, 산화 방지제 Irganox 1010 0.5g, 개시제 Irgacure 184(CIBA사) 0.5g을 혼합하여 오버코팅층용 조성물을 제조하였다.
기재층(폴리카보네이트 필름, 두께:50㎛)에 투명도전층용 조성물을 스핀 코팅 방법으로 코팅하여 투명도전층용 도막을 형성하고 80℃ 오븐에서 2분 이상 건조시켰다. 투명도전층용 도막 위에 오버코팅층용 조성물을 스핀 코팅 방법으로 코팅하여 오버코팅층용 도막을 형성하고 80℃ 오븐에서 2분 이상 건조시키고, UV 경화기에서 500mJ/cm2으로 경화시켜, 투명도전체를 제조하였다.
실시예 4
실시예 3에서 중화된 전도성 고분자 용액 2.025g을 사용하여 고형분 기준 투명도전층용 조성물 중 중화된 전도성 고분자의 함량을 3중량%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명도전체를 제조하였다.
비교예 1
실시예 1에서 중화된 전도성 고분자를 포함하지 않은 것을 제외하고는 동일한 방법으로 투명 도전체를 제조하였다.
비교예 2
실시예 3에서 중화된 전도성 고분자를 포함하지 않은 것을 제외하고는 동일한 방법으로 투명 도전체를 제조하였다.
비교예 3
실시예 1에서 중화된 전도성 고분자 대신에 중화되지 않은 전도성 고분자 용액(PH-1000, Heraeus 社) 1.013g을 사용하여 투명도전층용 조성물을 제조한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 투명도전체를 제조하였다.
비교예 4
실시예 3에서 중화된 전도성 고분자 대신에 중화되지 않은 전도성 고분자 용액(PH-1000, Heraeus 社) 1.013g을 사용하여 투명도전층용 조성물을 제조한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 투명도전체를 제조하였다.
실시예와 비교예의 투명도전체에 대해 하기 물성을 평가하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
(1)면저항(Ω/□):비접촉식 면저항 측정기(제조사: NAPSON, 장치명: EC-80P)를 사용하여 투명 도전체 표면에 대한 면저항을 측정하였다.
(2)투과 b*:색차 측정기 CM3600D(Konica Minolta社)를 사용하고, 파장 300nm 내지 780nm에서 투명 도전체에 대해 측정하였다.
(3)헤이즈와 투과율(%):투명 도전체에 대해 투명 도전성 필름을 광원으로 향하게 하고 파장 400nm 내지 700nm에서 헤이즈미터(NDH-9000)를 사용하여 규격 K7361, K7136으로 헤이즈와 투과율을 측정하였다.
(4)양이온 함유량(㎍/㎏): ICP-OES(OPTIMA 7300DV, Perkin-Elmer 社)를 이용하여 하기 표 1의 측정 조건 및 실험 순서에 따라 분석하였다.
* 실험 순서
Parameter/system conditions
R.F. generator 40 MHz
R.F. power 1300 W
Coolant gas flow rate 17.0 L/min
Auxiliary gas flow rate 2.00 L/min
Nebulizer gas flow rate 0.8 L/min
Spray chamber Cyclonic type
Nebulizer Concentric type
Measurement Wavelength(nm) 589.592nm
1) 칼이나 가위 등을 이용하여 투명 도전체를 0.1 g 이하의 작은 시편으로 자른다. 2) 투명 도전체 약 0.5 g을 0.1 mg 수준까지 칭량한 후 DIW(deionized water)가 들어 있는 150 mL glass beaker에 옮긴다. 3) 시료가 들어있는 beaker를 200rpm에서 24시간 shaking 후에 용액을 수득한다. 4) 수득 용액을 하기 표 1의 측정 조건에 따라 ICP OES 분석을 수행한다.
(5)신뢰성: 신뢰성은 저항 변화율로 평가하는데, 실시예와 비교예의 투명도전층(폴리카보네이트 필름:두께50㎛, 투명도전층: 두께100nm, 오버코팅층: 두께:90nm)위에 두께 125㎛의 OCA 필름/PET 필름(3M)을 순차 합지한 상태로 상기 (1)과 동일한 방법으로 초기 면저항(a)을 측정하고 85℃, 85% 상대습도 조건에서 240시간 방치한 후 동일 방법으로 면저항(b)을 측정하고, │b-a│/a x 100으로 계산하였다. 10% 초과인 경우 NG, 10% 이하인 경우 OK로 평가한다.

 실시예 비교예
1 2 3 4 1 2 3 4
전도성 고분자의 함량*
(중량%)		 mPH-1000 1.5 3 0.6 1.2 - - - -
PH-1000 - - - - - - 1.5 0.6
오버코팅층 포함 여부 × × ○ ○ × ○ × ○
Haze(%) 0.97 1.03 1.05 0.93 0.96 1.02 0.95 1.01
투과율(%) 89.29 89.24 91.21 91.38 89.35 91.54 89.12 91.30
투과 b* 0.73 0.81 1.05 1.03 0.79 1.14 0.70 0.99
면저항(Ω/□) 50.37 41.72 49.57 51.61 54.10 54.98 49.25 51.21
양이온 함량**
(㎍/kg)		 512 849 247.8 406.4 3 5 5 7
증가율(%)/신뢰성 평가
(±10% OK)		 628/
(NG)		 650/
(NG)		 2.1/
(OK)		 5.2/
(OK)		 675
/(NG)		 5.4
/(OK)		 839
/(NG)		 478/
(NG)
*전도성 고분자의 함량: 실시예 1-2, 비교예 1,3은 투명도전층 중 전도성 고분자의 함량이고, 실시예 3-4, 비교예 2,4는 투명도전층과 오버코팅층 전체 중 전도성 고분자 함량이다.
**양이온 함량: 실시예 1-2, 비교예 1,3은 투명도전층 중 양이온 함량이고, 실시예 3-4, 비교예 2,4는 투명도전층과 오버코팅층 전체 중 양이온 함량이다.
상기 표 2에서와 같이, 본 발명의 투명 도전체는 헤이즈와 투과율이 좋아 광특성이 우수하고 면저항이 낮으며 신뢰성이 향상되다. 반면에, 염기성 용액으로 중화되지 않아 H+ 이온을 포함하는 전도성 고분자로 제조된 비교예 1 내지 4의 투명도전체는 면저항이 본 발명 대비 동등하나 신뢰성 측면에서 좋지 않았다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (12)

  1. 기재층, 및 상기 기재층 상에 형성되고 금속 나노와이어 및 전도성 고분자를 포함하는 투명도전층을 포함하고,
    상기 투명도전층은 양이온 함유량이 100㎍/㎏ 내지 1000㎍/㎏인 투명도전체.
  2. 기재층, 상기 기재층 상에 형성되고 금속 나노와이어 및 전도성 고분자를 포함하는 투명도전층, 및 상기 투명도전층 상에 형성된 오버코팅층을 포함하고,
    상기 투명도전층과 상기 오버코팅층 전체는 양이온 함유량이 100㎍/㎏ 내지 1000㎍/㎏인 투명도전체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 양이온은 Na+, K+, Ca2+, Mg2+, NHR3 +(상기에서 R은 지방족 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기이다), NH4 + 중 하나 이상을 포함하는 투명도전체.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 폴리(스티렌술포네이트)가 도핑된 폴리티오펜계 고분자를 포함하고, 상기 폴리(스티렌술포네이트)의 SO3 - 음이온과 상기 양이온은 이온 결합되어 있는 투명도전체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 상기 투명도전층 중 0.1중량% 내지 50중량%로 포함되는 투명도전체.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 투명도전층은 H+ 이온이 결합된 폴리(스티렌술포네이트)가 도핑된 폴리티오펜계 고분자를 더 포함하는 투명도전체.
  7. 제6항에 있어서, 상기 H+ 이온이 결합된 폴리(스티렌술포네이트)가 도핑된 폴리티오펜계 고분자는 상기 투명도전층 중 0.1중량% 내지 5중량%로 포함되는 투명도전체.
  8. 제2항에 있어서, 상기 오버코팅층은 비-우레탄계 바인더로 형성되는 투명도전체.
  9. 제2항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 상기 투명도전층과 상기 오버코팅층 전체 중 0.1중량% 내지 50중량%로 포함되는 투명도전체.
  10. H+ 이온 함유 전도성 고분자를 중화하여 중화된 전도성 고분자를 제조하고, 상기 중화된 전도성 고분자와 금속 나노와이어를 함유하는 투명도전층용 조성물을 제조하고, 그리고 상기 투명도전층용 조성물을 기재층 상에 코팅하고 경화시키는 단계를 포함하는 투명도전체의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 투명도전층용 조성물을 코팅한 후 경화시키기 전에, 오버코팅층용 조성물을 상기 투명도전층용 조성물의 코팅층에 코팅하는 단계를 더 포함하는 투명도전체의 제조방법.
  12. 제1항 또는 제2항의 투명 도전체를 포함하는 광학표시장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180135433A (ko) * 2016-09-29 2018-12-20 닛토덴코 가부시키가이샤 점착제층이 형성된 편광 필름 및 화상 표시 장치
CN115989141A (zh) * 2020-09-08 2023-04-18 凸版印刷株式会社 有机导电膜的制造方法、有机导电膜以及层叠体

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