JP4177323B2 - 透明導電体 - Google Patents
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Description
まず、本発明の透明導電体10の第1実施形態について説明する。
導電層14は、上述したように導電粒子11及び樹脂12を含有している。この導電粒子11は、隣合う導電粒子11同士が互いに接触するように、充填されている。このことにより、導電体としての機能を発揮する。
本実施形態におけるバリア層15は、基体13と導電層14との間に設けられており、基体13に水分や溶剤、有機性ガス等の化学物質が浸入することを抑制する作用を示す。
基体13は、後述する高エネルギー線及び可視光に対して透明な材料で構成されるものであれば特に限定されない。すなわち基体13としては公知の透明フィルムや板でよく、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステルフィルム、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィンフィルム、ポリカーボネートフィルム、アクリルフィルム、ノルボルネンフィルム(JSR(株)製、アートンなど)等が挙げられる。また、基体13は、樹脂のほか、シリカ等のフィラー成分等を含有してもよい。
次に、上述した導電粒子として酸化インジウムに錫をドープしたもの(以下、「ITO」という。)を用いた場合について本実施形態に係る透明導電体10の製造方法について説明する。
次に、本発明の透明導電体の第2実施形態について説明する。
上記透明導電体20の製造方法について説明する。
塩化インジウム四水和物(関東化学社製)19.9g及び塩化第二錫(関東化学社製)2.6gを水980gに溶解した水溶液と、アンモニア水(関東化学社製)を水で10倍に希釈したものとを調製しながら混合し、白色の沈殿物(共沈物)を生成させた。
50mm角のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(基体、帝人株式会社製、厚さ100μm)の一方の面にコロナ処理を行い、次いでRFスパッタリング法によりSiO2層を50nmの厚さで形成しバリア層とした。
50mm角のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(基体、帝人株式会社製、厚さ100μm)の一方の面にコロナ処理を行い、次いでRFスパッタリング法によりSiO2層を50nmの厚さで形成しバリア層とした。
50mm角のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(基体、帝人株式会社製、厚さ100μm)の両面にコロナ処理を行い、次いでRFスパッタリング法により両面にSiO2層を50nmの厚さで形成しバリア層とした。
50mm角のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(基体、帝人株式会社製、厚さ100μm)の一方の面にコロナ処理を行い、次いでSiO2粉(日本アエロジル社製、商品名:アエロジル300)を50体積%含むアクリルポリマー(平均分子量約5万、1分子当たりビニル基を平均50基、トリエトキシシランを平均25基含有)50質量部と、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート(新中村化学工業株式会社製、商品名:702A)10質量部と、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(新中村化学工業株式会社製、商品名A−DPH)10質量部と、ウレタン変性アクリレート(新中村化学工業株式会社製、商品名:UA−100H)30質量部と、UV重合開始剤(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製、商品名:IRGACURE907)1質量部と、メチルエチルケトン(MEK)50質量部と、を混合してペーストとした。これをスピンコート法により、コロナ処理を施した面にMEK揮発後の膜厚が5μmとなるように製膜した。さらにこれを窒素雰囲気中にて積算照度量200mJ/cm2の高圧水銀灯を光源とするUV照射を行うことにより、バリア層を形成した。
50mm角のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(基体、帝人株式会社製、厚さ100μm)の一方の面にコロナ処理を行い、次いでRFスパッタリング法によりSiO2層を50nmの厚さで形成した。更にSiO2粉(日本アエロジル社製、商品名:アエロジル300)を50体積%含むアクリルポリマー(平均分子量約5万、1分子当たりビニル基を平均50基、トリエトキシシランを平均25基含有)50質量部と、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート(新中村化学工業株式会社製、商品名:702A)10質量部と、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(新中村化学工業株式会社製、商品名A−DPH)10質量部と、ウレタン変性アクリレート(新中村化学工業株式会社製、商品名:UA−100H)30質量部と、UV重合開始剤(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製、商品名:IRGACURE907)1質量部と、メチルエチルケトン(MEK)50質量部と、を混合してペーストとした。これをスピンコート法により、SiO2層の上面にMEK揮発後の膜厚が5μmとなるように製膜した。さらにこれを窒素雰囲気中にて積算照度量1000mJ/cm2の高圧水銀灯を光源とするUV照射を行うことにより、バリア層を形成した。
50mm角のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(基体、帝人株式会社製、厚さ100μm)の両面にコロナ処理を行い、次いで一方の面にRFスパッタリング法によりSiO2層を50nmの厚さで形成した。次にSiO2粉(日本アエロジル社製、商品名:アエロジル300)を50体積%含むアクリルポリマー(平均分子量約5万、1分子当たりビニル基を平均50基、トリエトキシシランを平均25基含有)50質量部と、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート(新中村化学工業株式会社製、商品名:702A)10質量部と、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(新中村化学工業株式会社製、商品名A−DPH)10質量部と、ウレタン変性アクリレート(新中村化学工業株式会社製、商品名:UA−100H)30質量部と、UV重合開始剤(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製、商品名:IRGACURE907)1質量部と、メチルエチルケトン(MEK)50質量部と、を混合してペーストとした。これをスピンコート法により、SiO2層とは他方の面にMEK揮発後の膜厚が5μmとなるように製膜した。さらにこれを窒素雰囲気中にて積算照度量1000mJ/cm2の高圧水銀灯を光源とするUV照射を行うことにより、バリア層を形成した。
50mm角のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(基体、帝人株式会社製、厚さ100μm)の両面にコロナ処理を行い、次いで両面にRFスパッタリング法によりSiO2層を50nmの厚さで形成した。次にSiO2粉(日本アエロジル社製、商品名:アエロジル300)を50体積%含むアクリルポリマー(平均分子量約5万、1分子当たりビニル基を平均50基、トリエトキシシランを平均25基含有)50質量部と、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート(新中村化学工業株式会社製、商品名:702A)10質量部と、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(新中村化学工業株式会社製、商品名A−DPH)10質量部と、ウレタン変性アクリレート(新中村化学工業株式会社製、商品名:UA−100H)30質量部と、UV重合開始剤(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製、商品名:IRGACURE907)1質量部と、メチルエチルケトン(MEK)50質量部と、を混合してペーストとした。これをスピンコート法により、SiO2層が形成された基体の一方の面にMEK揮発後の膜厚が5μmとなるように製膜した。さらにこれを窒素雰囲気中にて積算照度量1000mJ/cm2の高圧水銀灯を光源とするUV照射を行うことにより、バリア層を形成した。
50mm角のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(基体、帝人株式会社製、厚さ100μm)の一方の面にコロナ処理を行った。
50mm角のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(基体、帝人株式会社製、厚さ100μm)の一方の面にコロナ処理を行った。
(透明導電体膜の抵抗評価)
上記のようにして得られた透明導電体A〜Iについて、以下のようにして電気抵抗の評価を行った。すなわち、上記のようにして得られた透明導電体の予め定められた測定点につき、四端子四探針式表面抵抗測定器(三菱化学社製MCP−T600)で電気抵抗の値を測定し、その測定値を初期電気抵抗値とした。その後、この透明導電体を60℃95%RH環境下で1000時間放置し、それを取り出した後、この透明導電体が室温まで下がったところで、加湿前に定めた測定点において再度電気抵抗の値を測定し、これを加湿後電気抵抗値とした。そして、下記式:
変化率=加湿後電気抵抗値/初期電気抵抗値
に基づいて変化率を算出した。得られた結果を、表1に示す。
Claims (7)
- 基体と、
導電粒子及び樹脂を含有する導電層と、
金属又は無機化合物を含有するバリア層と、
を備え、
前記バリア層が、前記基体と前記導電層との間、及び、前記基体に対し前記導電層と反対側、の少なくともいずれか一方に設けられており、
前記導電粒子の表面が、末端基が疎水基である表面処理剤で処理されている、透明導電体。 - 前記バリア層が、前記基体と前記導電層との間に設けられており、前記バリア層が金属単体又は導電性酸化物を含有する導電性連続層であり、かつ前記導電層中の前記導電粒子と前記バリア層とが接触している、請求項1記載の透明導電体。
- 前記バリア層が、SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、又はZrO2からなる群より選ばれる少なくとも1種の無機化合物を含有する、請求項1記載の透明導電体。
- 前記バリア層は、前記基体と前記導電層との間、及び、前記基体に対し前記導電層と反対側に設けられている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の透明導電体。
- 前記基体の一方の面にスパッタリング法により形成されたSiO 2 層からなる前記バリア層と、
前記基体の他方の面に、SiO 2 粉を含むアクリル樹脂から形成された前記バリア層と、
前記SiO 2 層の面に形成された前記導電層と、
を備える、請求項4に記載の透明導電体。 - 前記基体の両面にスパッタリング法により形成されたSiO 2 層からなる前記バリア層と、
前記SiO 2 層が形成された前記基体の一方の面に、SiO 2 粉を含むアクリル樹脂から形成された前記バリア層と、
前記SiO 2 層が露出している面に形成された前記導電層と、
を備える請求項4に記載の透明導電体。 - 前記導電層が、前記導電粒子を圧縮して形成された圧縮層である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の透明導電体。
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