KR20160009832A - Lighting device - Google Patents

Lighting device Download PDF

Info

Publication number
KR20160009832A
KR20160009832A KR1020140090159A KR20140090159A KR20160009832A KR 20160009832 A KR20160009832 A KR 20160009832A KR 1020140090159 A KR1020140090159 A KR 1020140090159A KR 20140090159 A KR20140090159 A KR 20140090159A KR 20160009832 A KR20160009832 A KR 20160009832A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wavelength conversion
conversion layer
light emitting
light
wavelength
Prior art date
Application number
KR1020140090159A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
토모히로 삼페이
슈헤이 마츠다
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020140090159A priority Critical patent/KR20160009832A/en
Publication of KR20160009832A publication Critical patent/KR20160009832A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Abstract

An embodiment relates to a light emitting device. The light emitting device according to the present invention includes a substrate; a light emitting element arranged on the substrate; a first wavelength conversion layer which is arranged on the light emitting element and converts part of a beam emitted from the light emitting element into a beam having a wavelength different from the wavelength of the beam emitted from the light emitting element; and a second wavelength conversion layer which is arranged on the first wavelength conversion layer and converts part of a beam emitted from the first wavelength conversion layer into a beam having a wavelength different from the wavelength of the beam emitted from the first wavelength conversion layer. The first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer include light transmission materials. At least one of the light transmission material of the first wavelength conversion layer and the light transmission material of the second wavelength conversion layer is ceramic.

Description

발광 장치{LIGHTING DEVICE}[0001] LIGHTING DEVICE [0002]

실시 형태는 발광 장치에 관한 것이다. An embodiment relates to a light emitting device.

발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 재래식 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor devices that convert electrical energy into light. The light emitting diode has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Therefore, much research has been conducted to replace conventional light sources with light emitting diodes. Light emitting diodes are increasingly used as light sources for various lamps used in indoor / outdoor, liquid crystal display devices, electric sign boards, streetlights, and the like .

종래에 발광 다이오드를 이용한 발광 장치 중에 발광 다이오드의 발광면 위에 하나의 파장 변환층을 사용한 발광 장치가 있다.Conventionally, there is a light emitting device using a single wavelength conversion layer on the light emitting surface of a light emitting diode among light emitting devices using light emitting diodes.

이러한 종래의 발광 장치에 있어서, 하나의 파장 변환층을 사용해서는 설계자가 원하는 색온도를 구현하기에는 다소 어렵고 번거로운 문제가 있다.In such a conventional light emitting device, there is a problem that it is somewhat difficult and cumbersome to implement a desired color temperature by a designer using one wavelength conversion layer.

실시 형태는 색온도 구현이 용이하고, 색온도의 범위를 확장시킬 수 있는 발광 장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device that can easily implement color temperature and can extend the range of color temperature.

또한, 실시 형태는 발광면에서의 얼룩을 제거할 수 있는 발광 장치를 제공한다.In addition, the embodiment provides a light emitting device capable of removing stains on the light emitting surface.

또한, 실시 형태는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 장치를 제공한다.Further, the embodiment provides a light emitting device capable of improving light extraction efficiency.

또한, 실시 형태는 방출되는 광의 연색성을 향상시킬 수 있는 발광 장치를 제공한다.Further, the embodiment provides a light emitting device capable of improving the color rendering property of emitted light.

실시 형태에 따른 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 발광 소자; 상기 발광 소자 상에 배치되고, 상기 발광 소자에서 방출된 광의 일부를 상기 발광 소자에서 방출된 광의 파장과 서로 다른 파장을 갖는 광으로 변환하는 제1 파장 변환층; 및 상기 제1 파장 변환층 상에 배치되고, 상기 제1 파장 변환층에서 방출된 광의 일부를 상기 제1 파장 변환층에서 방출된 광의 파장과 서로 다른 파장을 갖는 광으로 변환하는 제2 파장 변환층;을 포함하고, 상기 제1 파장 변환층과 상기 제2 파장 변환층은 투광성 물질을 포함하고, 상기 제1 파장 변환층의 투광성 물질과 상기 제2 파장 변환층의 투광성 물질 중 적어도 어느 하나는 세라믹이다.A light emitting device according to an embodiment includes: a substrate; A light emitting element disposed on the substrate; A first wavelength conversion layer disposed on the light emitting element and converting part of the light emitted from the light emitting element into light having a wavelength different from a wavelength of the light emitted from the light emitting element; And a second wavelength conversion layer disposed on the first wavelength conversion layer and converting part of the light emitted from the first wavelength conversion layer into light having a wavelength different from a wavelength of the light emitted from the first wavelength conversion layer, Wherein the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer comprise a transmissive material, and at least one of the transmissive material of the first wavelength conversion layer and the transmissive material of the second wavelength conversion layer is a ceramic to be.

실시 형태에 따른 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 발광 소자; 상기 발광 소자 상에 배치되고, 제1 형광 물질을 포함하는 제1 파장 변환층; 및 상기 제1 파장 변환층 상에 배치되고, 제2 형광 물질을 포함하는 제2 파장 변환층;을 포함하고, 상기 제1 파장 변환층은, 복수의 파장 변환층들을 포함하고, 상기 복수의 파장 변환층들 각각은 유리 또는 세라믹 중 어느 하나를 포함하고, 상기 제2 파장 변환층은 유리를 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes: a substrate; A light emitting element disposed on the substrate; A first wavelength conversion layer disposed on the light emitting element, the first wavelength conversion layer including a first fluorescent material; And a second wavelength conversion layer disposed on the first wavelength conversion layer and including a second fluorescent material, wherein the first wavelength conversion layer includes a plurality of wavelength conversion layers, and the plurality of wavelengths Each of the conversion layers includes either glass or ceramic, and the second wavelength conversion layer includes glass.

실시 형태에 따른 발광 장치를 사용하면, 색온도 구현이 용이하고, 색온도의 범위를 확장할 수 있는 이점이 있다.When the light emitting device according to the embodiment is used, the color temperature can be easily implemented and the range of the color temperature can be expanded.

또한, 발광면에서의 얼룩을 제거할 수 있는 이점이 있다.In addition, there is an advantage that stains on the light emitting surface can be removed.

또한, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.Further, there is an advantage that the light extraction efficiency can be improved.

또한, 방출되는 광의 연색성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.Further, there is an advantage that the color rendering property of emitted light can be improved.

도 1은 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 발광 장치의 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 발광 장치의 변형 예의 단면도
도 4는 도 1에 도시된 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 효과를 설명하기 위한 색좌표.
도 5 내지 도 6은 제1 파장 변환층(150)과 제2 파장 변환층(160)의 투광성 물질 중 적어도 하나 또는 모두가 세라믹인 경우의 효과를 설명하기 위한 도면.
도 7은 제2 실시 형태에 따른 발광 장치의 사시도.
도 8은 도 7에 도시된 발광 장치의 단면도.
도 9는 도 7에 도시된 제2 실시 형태에 따른 발광 장치의 효과를 설명하기 위한 색좌표.
1 is a perspective view of a light emitting device according to a first embodiment;
2 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in Fig.
3 is a cross-sectional view of a modification of the light emitting device shown in Fig. 2
4 is a color coordinate diagram for explaining the effect of the light emitting device according to the first embodiment shown in Fig.
5 to 6 are diagrams for explaining the effect when at least one or both of the transmissive materials of the first wavelength conversion layer 150 and the second wavelength conversion layer 160 are ceramics.
7 is a perspective view of a light emitting device according to a second embodiment;
8 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in Fig.
Fig. 9 is a color coordinate diagram for explaining the effect of the light emitting device according to the second embodiment shown in Fig. 7; Fig.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

본 발명에 따른 실시 형태의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments according to the present invention, in the case where an element is described as being formed "on or under" another element, the upper (upper) or lower (lower) (On or under) all include that the two elements are in direct contact with each other or that one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 따른 발광 장치를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

<제1 실시 형태>&Lt; First Embodiment >

도 1은 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 장치의 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device according to a first embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG.

도 1 내지 도 2를 참조하면, 제1 실시 형태에 따른 발광 장치는, 기판(110), 제1 전극층(120), 제2 전극층(130), 발광 소자(140), 제1 파장 변환층(150) 및 제2 파장 변환층(160)을 포함할 수 있다.1 and 2, a light emitting device according to the first embodiment includes a substrate 110, a first electrode layer 120, a second electrode layer 130, a light emitting element 140, a first wavelength conversion layer 150 and a second wavelength conversion layer 160. [

기판(110) 상에는 제1 전극층(120)과 제2 전극층(130), 발광 소자(140), 제1 파장 변환층(150) 및 제2 파장 변환층(160)이 배치될 수 있다.The first electrode layer 120 and the second electrode layer 130, the light emitting device 140, the first wavelength conversion layer 150, and the second wavelength conversion layer 160 may be disposed on the substrate 110.

기판(110)은 몸체 역할을 하는 것으로서 PCB (Printed Circuit Board), 실리콘 웨이퍼, 수지, 서브 마운트(sub-mount)와 같은 다양한 것이 될 수 있다. 또한, 기판(110)으로 사용된 소재에 따라 플라스틱 패키지, 세라믹 패키지, 금속 패키지 등으로 분류되기도 한다.The substrate 110 serves as a body and may be various types such as a printed circuit board (PCB), a silicon wafer, a resin, and a sub-mount. In addition, the substrate 110 may be classified into a plastic package, a ceramic package, a metal package, or the like depending on the material used.

기판(110)에는 절연층(미도시)이 배치될 수 있다. 절연층(미도시)은 기판(110)과 다른 구성요소 사이의 전기적 연결을 차단하는 역할을 한다. 다만, 기판(110)가 비전도성 물질로 이루어져 있는 경우에는 절연층(미도시)을 배치하지 않아도 무방하다.An insulating layer (not shown) may be disposed on the substrate 110. The insulating layer (not shown) serves to cut off the electrical connection between the substrate 110 and other components. However, if the substrate 110 is made of a nonconductive material, an insulating layer (not shown) may not be disposed.

제1 전극층(120)과 제2 전극층(130)은, 기판(110)의 상면에 배치된다. 제1 전극층(120)과 제2 전극층(130)은 기판(110)의 상면에서 서로 이격되도록 배치된다. 따라서, 제1 전극층(120)과 제2 전극층(130)은 전기적으로 분리된다. The first electrode layer 120 and the second electrode layer 130 are disposed on the upper surface of the substrate 110. The first electrode layer 120 and the second electrode layer 130 are spaced apart from each other on the upper surface of the substrate 110. Accordingly, the first electrode layer 120 and the second electrode layer 130 are electrically separated from each other.

제1 전극층(120)과 제2 전극층(130)은 전도성 물질로서, 발광 소자(140)와 전기적으로 연결된다. The first electrode layer 120 and the second electrode layer 130 are electrically conductive materials and are electrically connected to the light emitting device 140.

제1 전극층(120) 상에 발광 소자(140)가 배치된다. 제1 전극층(120)은 발광 소자(140)의 두 개의 전극 중 어느 하나의 전극과 전기적으로 연결된다.The light emitting device 140 is disposed on the first electrode layer 120. The first electrode layer 120 is electrically connected to one of the two electrodes of the light emitting device 140.

발광 소자(140)는, 기판(110) 상에 배치되고, 제1 전극층(120)의 상면에 배치될 수 있다.The light emitting device 140 may be disposed on the substrate 110 and disposed on the upper surface of the first electrode layer 120.

발광 소자(140)는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 구조물은 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층이 배치된 형태로 구비될 수 있다. The light emitting device 140 may include a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer. For example, the light emitting structure may include an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer.

제1 도전형 반도체층은 n형 반도체층을 포함할 수 있고 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. The first conductive semiconductor layer may include an n-type semiconductor layer and may be selected from among GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, An n-type dopant such as Se or Te can be doped.

활성층은 상기 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 활성층의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 활성층은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the active layer, electrons (or holes) injected through the first conductive type semiconductor layer and holes (or electrons) injected through the second conductive type semiconductor layer meet with each other to form an energy band corresponding to the formation material of the active layer, Is a layer which emits light due to a difference in band gap of the light emitting layer. The active layer may be formed of any one of a single well structure, a multi-well structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure, but is not limited thereto.

제2 도전형 반도체층은 p형 반도체층으로 구현될 수 있고 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer and may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, A p-type dopant such as Sr, Ba or the like may be doped.

한편 제1 도전형 반도체층이 p형 반도체층을 포함하고 제2 도전형 반도체층이 n형 반도체층을 포함할 수도있다. 또한 제2 도전형 반도체층 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, 및 p-n-p 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. Meanwhile, the first conductivity type semiconductor layer may include a p-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer may include an n-type semiconductor layer. Further, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed under the second conductive type semiconductor layer. Accordingly, the light emitting structure may include at least one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

발광 소자(140)는 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있고, 반도체 재질 고유의 색을 갖는 빛을 방출할 수 있다.The light emitting device 140 can selectively emit light in the range of the visible light band to the ultraviolet light band, and emit light having a color inherent to the semiconductor material.

발광 소자(140)는 하나 또는 복수로 제1 전극층(120)의 상면에 배치될 수 있다. 발광 소자(140)는 적색, 녹색, 청색 등의 가시광을 방출하는 발광 다이오드(Lighting Emitting Diode) 칩(chip)이거나 자외선 광(Ultraviolet light)를 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다. The light emitting devices 140 may be disposed on the upper surface of the first electrode layer 120 in a single or a plurality of layers. The light emitting device 140 may be a light emitting diode chip that emits visible light such as red, green, or blue light, or a light emitting diode chip that emits ultraviolet light.

발광 소자(140)는 제1 전극(미도시)과 제2 전극(147)을 가질 수 있다. 발광 소자(140)의 제1 전극(미도시)은 발광 소자(140)의 하면에 형성되어 제1 전극층(120)과 전기적으로 직접 연결되고, 제2 전극(147)은 제2 전극층(130)과 와이어(wire, W)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 140 may have a first electrode (not shown) and a second electrode 147. The first electrode (not shown) of the light emitting device 140 is formed on the lower surface of the light emitting device 140 and electrically connected to the first electrode layer 120 directly. The second electrode 147 is electrically connected to the second electrode layer 130, And may be electrically connected through wires W.

여기서, 도면에 도시된 바와 같이, 발광 소자(140)의 제2 전극(147)은 복수일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(147)은 두 개일 수 있다. 두 개의 제2 전극(147)은 두 개의 와이어를 통해 제2 전극층(130)과 각각 연결될 수 있다. 발광 소자(140)의 제2 전극(147)과 제2 전극층(130)의 복수의 와이어를 통해 연결되면, 하나의 와이어를 사용하는 발광 소자 또는 플립형 발광 소자보다 발광면의 휘도분포가 발광면 전체에 고르게 분포되는 장점이 있으며, 색편차가 줄어드는 장점도 있다. 이로써, 발광 소자의 신뢰성이 향상되고 발광에 의한 얼룩짐을 저감시킬 수 있는 장점도 있다.Here, as shown in the figure, the second electrode 147 of the light emitting device 140 may be plural. For example, the number of the second electrodes 147 may be two. The two second electrodes 147 may be connected to the second electrode layer 130 through two wires, respectively. When the second electrode 147 of the light emitting element 140 is connected to the second electrode layer 130 through a plurality of wires, the luminance distribution of the light emitting surface is higher than the light emitting element or the flip- And there is also an advantage that the color deviation is reduced. Thereby, there is an advantage that the reliability of the light emitting element is improved and the unevenness due to the light emission can be reduced.

발광 소자(140) 상에는 제1 파장 변환층(150)이 배치된다. 발광 소자(140)는 제1 파장 변환층(150)이 배치되는 상면(141)을 포함할 수 있다. The first wavelength conversion layer 150 is disposed on the light emitting device 140. The light emitting device 140 may include an upper surface 141 on which the first wavelength conversion layer 150 is disposed.

발광 소자(140)의 상면(141)은 실제로 광이 방출되는 발광면(145)을 포함하고, 와이어(W)와 연결되는 제2 전극(147)이 배치되는 부분을 포함할 수 있다. 여기서, 발광면(145)의 면적은 상면(141)의 면적보다 작다.The upper surface 141 of the light emitting device 140 may include a portion where the second electrode 147 connected to the wire W is disposed and includes a light emitting surface 145 through which light is actually emitted. Here, the area of the light emitting surface 145 is smaller than the area of the top surface 141.

제1 파장 변환층(150)은 발광 소자(140) 상에 배치된다. The first wavelength conversion layer 150 is disposed on the light emitting element 140.

제1 파장 변환층(150)은 발광 소자(140)의 상면(141)에 배치될 수 있다. 여기서, 제1 파장 변환층(150)은 발광 소자(140)의 제2 전극(147) 상에는 배치되지 않을 수 있다. 이는, 제2 전극(147)을 와이어(W)와 연결하기 위함이다. 따라서, 제1 파장 변환층(150)은 일 모서리 부분에 소정의 홈(157)이 형성될 수 있다.The first wavelength conversion layer 150 may be disposed on the upper surface 141 of the light emitting device 140. Here, the first wavelength conversion layer 150 may not be disposed on the second electrode 147 of the light emitting device 140. This is for connecting the second electrode 147 to the wire W. [ Therefore, the first wavelength conversion layer 150 may have a predetermined groove 157 at one corner.

제1 파장 변환층(150)의 하면(153)의 면적은, 발광 소자(140)의 상면(141)의 면적보다는 작을 수 있다. 이는, 발광 소자(140)의 제2 전극(147)이 발광 소자(140)의 상면(141)에 배치될 수 있기 때문이다.The area of the lower surface 153 of the first wavelength conversion layer 150 may be smaller than the area of the upper surface 141 of the light emitting device 140. This is because the second electrode 147 of the light emitting element 140 can be disposed on the upper surface 141 of the light emitting element 140.

제1 파장 변환층(150)의 하면(153)의 면적은, 발광 소자(140)의 발광면(145)의 면적보다는 클 수 있다. 이는, 발광면(145)에서 방출되는 모든 광이 제1 파장 변환층(150)을 통과하게 하기 위함이다.The area of the lower surface 153 of the first wavelength conversion layer 150 may be larger than the area of the light emitting surface 145 of the light emitting element 140. This is because all the light emitted from the light emitting surface 145 passes through the first wavelength conversion layer 150.

제1 파장 변환층(150)의 하면(153)은 발광 소자(140)의 발광면(145) 전체를 덮을 수 있다. 이는, 발광면(145)에서 방출되는 모든 광이 제1 파장 변환층(150)을 통과하게 하기 위함이다.The lower surface 153 of the first wavelength conversion layer 150 may cover the entire light emitting surface 145 of the light emitting device 140. This is because all the light emitted from the light emitting surface 145 passes through the first wavelength conversion layer 150.

제1 파장 변환층(150)의 두께는, 50um 이상 200um 이하일 수 있다. 제1 파장 변환층(150)의 두께는 실시 형태에 따른 발광 장치가 목표로 하는 색온도에 따라 달라진다.The thickness of the first wavelength conversion layer 150 may be 50um or more and 200um or less. The thickness of the first wavelength conversion layer 150 depends on the target color temperature of the light emitting device according to the embodiment.

제1 파장 변환층(150)은 발광 소자(140)에서 방출된 광의 일부를 발광 소자(140)에서 방출된 광의 파장과 서로 다른 파장을 갖는 광으로 변환할 수 있다. 구체적으로, 제1 파장 변환층(150)은 발광 소자(140)에서 방출되는 주 광(main light)의 일부를 주 광의 파장과 서로 다른 파장을 갖는 제1 광으로 변환하고, 주 광에서 제1 광으로 변환되지 않은 비 변환 주 광과 제1 광을 방출할 수 있다. The first wavelength conversion layer 150 may convert a part of the light emitted from the light emitting device 140 into light having a different wavelength from that of the light emitted from the light emitting device 140. Specifically, the first wavelength conversion layer 150 converts part of the main light emitted from the light emitting device 140 into first light having a different wavelength from the wavelength of the main light, It is possible to emit the non-converted primary light and the first light which are not converted to light.

제1 파장 변환층(150)은 발광 소자(140)에서 방출되는 주 광을 제1 광으로 변환할 수 있는 형광 물질을 포함할 수 있다. 형광 물질은 제2 파장 변환층(160)의 형광 물질과 함께 추후 설명하도록 한다.The first wavelength conversion layer 150 may include a fluorescent material capable of converting the primary light emitted from the light emitting device 140 into the first light. The fluorescent material is described later together with the fluorescent material of the second wavelength conversion layer 160.

제1 파장 변환층(150)은 상기 형광 물질과 투광성 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 투광성 물질은 유리(glass) 또는 세라믹(ceramic)일 수 있다.The first wavelength conversion layer 150 may include the fluorescent material and the light transmitting material. Here, the light transmitting material may be glass or ceramic.

제2 파장 변환층(160)은 제1 파장 변환층(150) 상에 배치된다. 제2 파장 변환층(160)의 하면(163)은 제1 파장 변환층(150)의 상면(151)에 배치된다. The second wavelength conversion layer 160 is disposed on the first wavelength conversion layer 150. The lower surface 163 of the second wavelength conversion layer 160 is disposed on the upper surface 151 of the first wavelength conversion layer 150.

제2 파장 변환층(160)의 폭은 제1 파장 변환층(150)의 폭보다 작을 수 있다. 또한, 제2 파장 변환층(160)의 하면(163)의 면적은 제1 파장 변환층(150)의 상면(151)의 면적보다 작을 수 있다. 그러나, 이에 한정하는 것은 아니며, 제2 파장 변환층(160)의 폭은 제1 파장 변환층(150)의 폭보다 클 수 있다. 도 3을 참조하여 설명하도록 한다.The width of the second wavelength conversion layer 160 may be smaller than the width of the first wavelength conversion layer 150. The area of the lower surface 163 of the second wavelength conversion layer 160 may be smaller than the area of the upper surface 151 of the first wavelength conversion layer 150. However, the width of the second wavelength conversion layer 160 may be larger than the width of the first wavelength conversion layer 150. Will be described with reference to FIG.

도 3은 도 2에 도시된 발광 장치의 변형 예의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a modification of the light emitting device shown in Fig.

도 3을 참조하면, 제2 파장 변환층(160’)의 하면(163’)은 제1 파장 변환층(150)의 상면(151)에 배치되고, 제2 파장 변환층(160’)의 폭이 제1 파장 변환층(150)의 폭보다 더 크면, 제1 파장 변환층(150)에서 방출되는 모든 광이 제2 파장 변환층(160’)으로 입사하기 때문에, 발광 장치를 외부에서 보았을 때 발광 장치의 발광면(161’)에 얼룩이 발생되지 않는 이점이 있다.3, the lower surface 163 'of the second wavelength conversion layer 160' is disposed on the upper surface 151 of the first wavelength conversion layer 150, and the width of the second wavelength conversion layer 160 ' Is larger than the width of the first wavelength conversion layer 150, all light emitted from the first wavelength conversion layer 150 is incident on the second wavelength conversion layer 160 '. Therefore, when the light emitting device is viewed from the outside There is an advantage that no unevenness is generated in the light emitting surface 161 'of the light emitting device.

제2 파장 변환층(160’)의 하면(163’)의 면적은, 제1 파장 변환층(150)의 상면(151)의 면적보다 더 크다. 제2 파장 변환층(160’)의 하면(163’)은 제1 파장 변환층(150)의 상면(151)에 배치되고, 제2 파장 변환층(160’)의 하면(163’)의 면적이, 제1 파장 변환층(150)의 상면(151)의 면적보다 더 크면, 제1 파장 변환층(150)에서 방출되는 모든 광이 제2 파장 변환층(160’)으로 입사하기 때문에, 발광 장치를 외부에서 보았을 때 발광 장치의 발광면에 얼룩이 발생되지 않는 이점이 있다. The area of the lower surface 163 'of the second wavelength conversion layer 160' is larger than the area of the upper surface 151 of the first wavelength conversion layer 150. The lower surface 163 'of the second wavelength conversion layer 160' is disposed on the upper surface 151 of the first wavelength conversion layer 150 and the area of the lower surface 163 'of the second wavelength conversion layer 160' Is larger than the area of the upper surface 151 of the first wavelength conversion layer 150, all the light emitted from the first wavelength conversion layer 150 is incident on the second wavelength conversion layer 160 ' There is an advantage that no unevenness is generated on the light emitting surface of the light emitting device when the device is viewed from the outside.

다시, 도 1 내지 도 2를 참조하면, 제2 파장 변환층(160)의 두께는, 50um 이상 200um 이하일 수 있다. 제2 파장 변환층(160)의 두께는 실시 형태에 따른 발광 장치가 타켓으로 하는 색온도에 따라 달라진다.Referring again to FIGS. 1 and 2, the thickness of the second wavelength conversion layer 160 may be 50um or more and 200um or less. The thickness of the second wavelength conversion layer 160 depends on the color temperature of the target of the light emitting device according to the embodiment.

제2 파장 변환층(160)은 제1 파장 변환층(150)에서 방출된 광의 일부를 제1 파장 변환층(150)에서 방출된 광의 파장과 서로 다른 파장을 갖는 광으로 변환할 수 있다. 구체적으로, 제2 파장 변환층(160)은 발광 소자(140)에서 방출되어 제1 파장 변환층(150)에서 제1 광으로 변환되지 않은 비 변환 주 광의 일부를 주 광의 파장 및 제1 광의 파장과 서로 다른 파장을 갖는 제2 광으로 변환하고, 비 변환 주 광에서 제2 광으로 변환되지 않은 나머지를 그대로 방출할 수 있다. 또한, 제2 파장 변환층(160)은 제1 파장 변환층(150)에서 방출된 제1 광을 그대로 방출한다. 따라서, 제2 파장 변환층(160)에서는 제2 광을 비롯하여 발광 소자(140)의 주 광과 제1 파장 변환층(150)의 제1 광이 혼합되어 방출될 수 있다.The second wavelength conversion layer 160 may convert part of the light emitted from the first wavelength conversion layer 150 into light having a different wavelength from that of the light emitted from the first wavelength conversion layer 150. Specifically, the second wavelength conversion layer 160 reflects a part of the non-converted main light emitted from the light emitting device 140 and not converted into the first light in the first wavelength conversion layer 150 by the wavelength of the main light and the wavelength of the first light The second light having different wavelengths from the non-converted main light, and the remaining unconverted main light can be emitted as it is. Also, the second wavelength conversion layer 160 emits the first light emitted from the first wavelength conversion layer 150 as it is. Accordingly, in the second wavelength conversion layer 160, the main light of the light emitting device 140 including the second light and the first light of the first wavelength conversion layer 150 can be mixed and emitted.

제2 파장 변환층(160)은 발광 소자(140)에서 방출되는 주 광을 제2 광으로 변환할 수 있는 형광 물질을 포함할 수 있다. 형광 물질은 제1 파장 변환층(150)의 형광 물질과 함께 추후 설명하도록 한다.The second wavelength conversion layer 160 may include a fluorescent material capable of converting the main light emitted from the light emitting device 140 into the second light. The fluorescent material will be described later together with the fluorescent material of the first wavelength conversion layer 150.

제2 파장 변환층(160)은 상기 형광 물질과 투광성 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 투광성 물질은 유리 또는 세라믹일 수 있다.The second wavelength conversion layer 160 may include the fluorescent material and the light transmitting material. Here, the light transmitting material may be glass or ceramic.

제1 파장 변환층(150)과 제2 파장 변환층(160)에 대해서 이하에서 구체적으로 설명하도록 한다.The first wavelength conversion layer 150 and the second wavelength conversion layer 160 will be described in detail below.

제1 실시 형태에 따른 발광 장치는, 제1 파장 변환층(150)과 제2 파장 변환층(160)을 포함하기 때문에, 색온도 조절이 용이하여 설계자 원하는 색온도를 용이하게 구현할 수 있으며, 색온도 범위를 확장시킬 수 있다. 구체적으로, 도 4를 참조하여 설명하도록 한다.Since the light emitting device according to the first embodiment includes the first wavelength conversion layer 150 and the second wavelength conversion layer 160, it is easy to adjust the color temperature to easily realize a desired color temperature of the designer, Can be expanded. This will be described in detail with reference to FIG.

도 4는 도 1에 도시된 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 효과를 설명하기 위한 색좌표이다.4 is a color coordinate diagram for explaining the effect of the light emitting device according to the first embodiment shown in Fig.

도 4에서, A 직선은 제1 파장 변환층(150)에 의한 색좌표 직선이고, B 직선은 제2 파장 변환층(160)에 의한 색좌표 직선이다.4, a straight line A is a straight line of a color coordinate system by the first wavelength conversion layer 150, and a straight line B is a straight line of a color coordinate system by the second wavelength conversion layer 160.

도 4를 참조하면, 파장 변환층이 한 개이면, 해당 색좌표 직선 위에서만 색온도가 변하기 때문에, 파장 변환층을 하나만 갖는 발광 장치는 색온도 조절이 매우 제한된다. 하지만, 제1 실시 형태에 따른 발광 장치와 같이, 파장 변환층이 두 개 이상이면, A 직선과 B 직선 사이의 범위에서 설계자가 원하는 색온도 조절이 용이하며, A 직선과 B 직선 사이의 범위에서 설계자는 원하는 색온도를 결정할 수 있어 색온도 범위가 확장되는 이점이 있다.Referring to FIG. 4, since there is only one wavelength conversion layer, the color temperature changes only on the straight line of the corresponding color coordinate. Therefore, the color temperature control of the light emitting device having only one wavelength conversion layer is very limited. However, as in the light emitting device according to the first embodiment, when the wavelength conversion layer is two or more, it is easy for the designer to adjust the desired color temperature in the range between the straight line A and the straight line B, The desired color temperature can be determined and the color temperature range is advantageously enlarged.

다시, 도 1 내지 도 2를 참조하면, 제1 파장 변환층(150)과 제2 파장 변환층(160) 각각은 형광 물질과 투광성 물질을 포함할 수 있다. 1 and 2, each of the first wavelength conversion layer 150 and the second wavelength conversion layer 160 may include a fluorescent material and a light transmitting material.

제1 파장 변환층(150)과 제2 파장 변환층(160) 각각의 투광성 물질은, 유리 및 세라믹 중 어느 하나일 수 있다. 투광성 물질이 유리이면, 2개 이상의 서로 다른 형광체들을 혼합할 수 있는 이점이 있다.The light transmitting material of each of the first wavelength conversion layer 150 and the second wavelength conversion layer 160 may be any one of glass and ceramics. If the light-transmitting material is glass, there is an advantage that two or more different phosphors can be mixed.

여기서, 제1 파장 변환층(150)과 제2 파장 변환층(160)의 투광성 물질 중 적어도 하나는 세라믹일 수 있다. 제1 파장 변환층(150)과 제2 파장 변환층(160)의 투광성 물질 중 적어도 하나가 세라믹이면, 발광 장치의 발광면에서 균일한 색온도 분포를 얻을 수 있다. 도 5 내지 도 6을 참조하여 설명하도록 한다.Here, at least one of the light transmitting materials of the first wavelength conversion layer 150 and the second wavelength conversion layer 160 may be a ceramic. If at least one of the light transmitting materials of the first wavelength conversion layer 150 and the second wavelength conversion layer 160 is a ceramic, a uniform color temperature distribution can be obtained on the light emitting surface of the light emitting device. Will be described with reference to Figs. 5 to 6. Fig.

도 5 내지 도 6은 제1 파장 변환층(150)과 제2 파장 변환층(160)의 투광성 물질 중 적어도 하나 또는 모두가 세라믹인 경우의 효과를 설명하기 위한 도면이다.5 to 6 are diagrams for explaining the effect when at least one or both of the transmissive materials of the first wavelength conversion layer 150 and the second wavelength conversion layer 160 are ceramics.

구체적으로, 도 5는 도 1에 도시된 발광 소자(140) 위에 유리와 형광체를 포함하는 제1 파장 변환층(150)만을 구성한 경우(제2 파장 변환층(160)은 제거함)에 제1 파장 변환층(150)에서 광이 방출되는 발광면의 모습을 보여주는 사진이다. 도 5를 참조하면, 제1 파장 변환층(150)의 상면, 즉 발광면의 색온도 분포가 다소 분균일함을 확인할 수 있다. 5 illustrates a case where only the first wavelength conversion layer 150 including glass and a phosphor is formed on the light emitting device 140 shown in FIG. 1 (the second wavelength conversion layer 160 is removed) And a light emitting surface on which light is emitted from the conversion layer 150. Referring to FIG. 5, it can be seen that the color temperature distribution on the upper surface of the first wavelength conversion layer 150, that is, the light emitting surface is somewhat uniform.

도 6의 (a)는 도 5의 제1 파장 변환층(150)의 발광면에서 임의로 복수 개의 지점(point)들을 선택한 후, 각 지점에서의 색온도 x 좌표와 색온도 y 좌표를 계산하고, 해당 좌표(x축) 별 개수(y축)를 그래프화 한 것이다. 여기서, △x는 목표로 하는 x 좌표에서 계산된 x 좌표를 뺀 것이고, △y는 목표로 하는 y 좌표에서 계산된 y 좌표를 뺀 것이다.6 (a) is a diagram illustrating a method of selecting a plurality of points arbitrarily from the light emitting surface of the first wavelength conversion layer 150 of FIG. 5, calculating the color temperature x coordinate and the color temperature y coordinate at each point, (x-axis) and the number of stars (y-axis). Here,? X is obtained by subtracting the x-coordinate calculated from the target x-coordinate, and? Y is obtained by subtracting the y-coordinate calculated from the target y-coordinate.

도 6의 (b)는 도 5의 제1 파장 변환층(150)의 유리를 세라믹으로 대체한 경우의 그래프이다.6 (b) is a graph when the glass of the first wavelength conversion layer 150 of FIG. 5 is replaced with a ceramic.

도 6의 (a)와 도 6의 (b)를 참조하면, 유리는 색온도 분포가 다소 넓게 퍼져있기 때문에 색온도 분포가 불균일한 것을 확인할 수 있고, 세라믹은 색온도 분포가 좁게 형성되어 있기 때문에 색온도 분포가 균일함을 확인할 수 있다. 6 (a) and 6 (b), it can be confirmed that the color temperature distribution is uneven because the color temperature distribution is somewhat wider in the glass, and since the ceramic color temperature distribution is narrow, Uniformity can be confirmed.

도 5 내지 도 6을 종합해 보면, 제1 파장 변환부(150)와 제2 파장 변환부(160) 중 어느 하나가 투광성 물질이 세라믹이면, 제2 파장 변환부(160)의 발광면에서의 색온도 분포가 균일해짐을 예상할 수 있다. 5 to 6, when any one of the first wavelength converter 150 and the second wavelength converter 160 is a ceramic material, the second wavelength converter 150 and the second wavelength converter 160 may be disposed on the light emitting surface of the second wavelength converter 160 It can be expected that the color temperature distribution becomes uniform.

따라서, 제1 파장 변환층(150)의 투광성 물질은 유리일 수 있고, 제2 파장 변환층(160)의 투광성 물질은 세라믹일 수도 있다. 또한, 제1 파장 변환층(150)의 투광성 물질은 세라믹일 수 있고, 제2 파장 변환층(160)의 투광성 물질은 유리일 수 있다. Accordingly, the light transmitting material of the first wavelength conversion layer 150 may be glass, and the light transmitting material of the second wavelength conversion layer 160 may be ceramic. In addition, the light transmitting material of the first wavelength conversion layer 150 may be ceramic, and the light transmitting material of the second wavelength conversion layer 160 may be glass.

여기서, 제2 파장 변환층(160)의 투광성 물질은 세라믹 보다는 유리인 것이 발광 장치의 광 추출 효율에 더 효과적이다. 구체적으로, 제1 파장 변환층(150)의 투광성 물질이 세라믹이고, 제2 파장 변환층(160)의 투광성 물질이 유리인 경우, 그 반대의 경우보다 발광 장치의 광 추출 효율이 더 향상될 수 있다. 그 이유는, 제1 파장 변환층(150)의 투광성 물질이 유리이고, 제2 파장 변환층(160)의 투광성 물질이 세라믹인 경우, 제2 파장 변환층(160)의 상면(161)이 공기와 직접 접촉한다. 제2 파장 변환층(160)이 유리인 경우와 대비하였을 때, 제2 파장 변환층(160)이 세라믹, 예를 들어 사파이어(sapphire, Al2O3)인 경우, 사파이어의 굴절률은 공기 또는 유리의 굴절률보다 더 크기 때문에 제1 파장 변환층(150)에서 제2 파장 변환층(160)으로 입사된 광 중 제2 파장 변환층(160)의 상면(161)을 투과하지 못하는 광의 양이 제2 파장 변환층(160)이 유리인 경우보다 더 클 수 있다. 따라서, 제1 파장 변환층(150)과 제2 파장 변환층(160) 중 어느 하나가 세라믹이고 다른 하나가 유리라면, 공기와 직접 접촉하는 제2 변환층(160)이 유리인 것이 광 추출 효율에 더 효과적이다.Here, the translucent material of the second wavelength conversion layer 160 is glass rather than ceramics, which is more effective in light extraction efficiency of the light emitting device. Specifically, when the light transmitting material of the first wavelength conversion layer 150 is ceramic and the light transmitting material of the second wavelength conversion layer 160 is glass, the light extraction efficiency of the light emitting device can be further improved have. The reason for this is as follows. When the light transmitting material of the first wavelength conversion layer 150 is glass and the light transmitting material of the second wavelength conversion layer 160 is ceramic, the upper surface 161 of the second wavelength conversion layer 160 is made of air . When the second wavelength conversion layer 160 is made of ceramics such as sapphire (Al 2 O 3), the refractive index of sapphire is higher than that of air or glass The amount of light that can not transmit the upper surface 161 of the second wavelength conversion layer 160 among the light incident on the second wavelength conversion layer 160 in the first wavelength conversion layer 150 is larger than the amount of light that is transmitted through the second wavelength conversion layer 160. [ May be greater than when glass 160 is glass. Therefore, if one of the first wavelength conversion layer 150 and the second wavelength conversion layer 160 is a ceramic and the other is a glass, the second conversion layer 160, which is in direct contact with air, .

제1 파장 변환층(150)과 제2 파장 변환층(160)의 형광 물질은, 형광체일 수 있다. The fluorescent material of the first wavelength conversion layer 150 and the second wavelength conversion layer 160 may be a phosphor.

형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. The phosphor may include at least one of a garnet system (YAG, TAG), a silicate system, a nitride system, and an oxynitride system.

형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체를 포함할 수 있다.The phosphor may include a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor.

황색 형광체는 500nm 이하의 광에 의해 여기되어 530nm부터 580nm 사이에서 주(peak) 파장을 갖는 광을 방출한다. 황색 형광체는 실리케이트계, 가넷계의 야그(YAG), 옥시나이트라이드계 형광체일 수 있다. 황색 형광체는 Y3Al5O12:Ce3+(Ce:YAG), CaAlSiN3:Ce3+, Eu2+-SiAlON 계열 중에서 선택된 형광체, 및/또는 BOSE 계열 중에서 선택된 것일 수 있다. 황색 형광체는 또한 원하는 파장의 광 출력을 제공하기 위해 임의의 적합한 레벨로 도핑될 수 있다. Ce 및/또는 Eu가 약 0.1% 내지 약 20% 범위의 도펀트 농도로 형광체에 도핑될 수 있다. The yellow phosphor is excited by light of 500 nm or less and emits light having a peak wavelength between 530 nm and 580 nm. The yellow phosphor may be a silicate-based, garnet-based YAG or oxynitride-based phosphor. The yellow phosphor may be selected from among phosphors selected from Y3Al5O12: Ce3 + (Ce: YAG), CaAlSiN3: Ce3 +, Eu2 + -SiAlON series, and / or BOSE series. The yellow phosphor may also be doped to any suitable level to provide light output of the desired wavelength. Ce and / or Eu may be doped into the phosphor at a dopant concentration ranging from about 0.1% to about 20%.

녹색 형광체는 400nm 이하의 광에 의해 여기되어 450nm부터 530nm 사이에서 주 파장을 갖는 광을 방출한다. 녹색 형광체는 실리케이트계, 나이트라이드계, 옥시나이트라이드계 형광체일 수 있다.The green phosphor is excited by light of 400 nm or less and emits light having a dominant wavelength between 450 nm and 530 nm. The green phosphor may be a silicate-based, nitride-based or oxynitride-based phosphor.

적색 형광체는 580nm 이하의 광에 의해 여기되어 600nm부터 650nm 사이에서 주 파장을 갖는 광을 방출한다. 적색 형광체는 나이트라이드계, 설파이드계 형광체일 수 있다. 적색 형광체는 CaAlSiN3:Eu2+및 Sr2Si5N8:Eu2+를 포함할 수 있다. 이 형광체는 양자 효율을 150℃ 이상의 온도에서 80% 이상으로 유지할 수 있다. 이용될 수 있는 다른 적색 형광체는 CaSiN2:Ce3+, CaSiN2:Eu2+는 물론 Eu2+-SiAlON 형광체 계열 중에서 선택된 형광체, 및/또는 (Ca,Si,Ba)SiO4:Eu2+(BOSE) 계열 중에서 선택된 형광체를 포함한다. The red phosphor is excited by light of 580 nm or less and emits light having a dominant wavelength between 600 nm and 650 nm. The red phosphor may be a nitride-based or sulfide-based phosphor. The red phosphors may include CaAlSiN3: Eu2 + and Sr2Si5N8: Eu2 +. This phosphor can maintain the quantum efficiency at 80% or higher at a temperature of 150 캜 or higher. Other red phosphors that may be used include phosphors selected from CaSiN2: Ce3 +, CaSiN2: Eu2 + as well as Eu2 + -SiAlON phosphor series, and / or phosphors selected from the (Ca, Si, Ba) SiO4: Eu2 + (BOSE) series.

제1 파장 변환층(150)은 황색 형광체를 포함하고, 제2 파장 변환층(160)은 적색 형광체를 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 제1 파장 변환층(150)은 적색 형광체를 포함하고, 제2 파장 변환층(160)은 황색 형광체를 포함할 수 있다. 제1 파장 변환층(150)이 적색 형광체를 포함하고, 제2 파장 변환층(160)이 황색 형광체를 포함하면, 그 반대의 경우보다 광 추출 효율이 향상될 수 있다. 만약, 제1 파장 변환층(150)이 황색 형광체를 포함하고, 제2 파장 변환층(160)이 적색 형광체를 포함하면, 제1 파장 변환층(150)의 황색 형광체에서 방출된 광(530nm ~ 580nm)이 제2 파장 변환층(160)의 적색 형광체를 여기시켜 제2 파장 변환층(160)을 통과하지 못하고 적색 형광체에 의해 흡수될 수 있기 때문이다.The first wavelength conversion layer 150 may include a yellow phosphor and the second wavelength conversion layer 160 may include a red phosphor. However, the present invention is not limited thereto, and the first wavelength conversion layer 150 may include a red phosphor and the second wavelength conversion layer 160 may include a yellow phosphor. When the first wavelength conversion layer 150 includes a red phosphor and the second wavelength conversion layer 160 includes a yellow phosphor, light extraction efficiency may be improved as compared with the opposite case. If the first wavelength conversion layer 150 includes a yellow phosphor and the second wavelength conversion layer 160 includes a red phosphor, the light emitted from the yellow phosphor of the first wavelength conversion layer 150 580 nm) excites the red phosphor of the second wavelength conversion layer 160 and can not be transmitted through the second wavelength conversion layer 160 and can be absorbed by the red phosphor.

다시, 도 1 내지 도 2를 참조하면, 제1 파장 변환부(150)의 두께는, 제2 파장 변환부(160)의 두께와 같을 수도 있고, 서로 다를 수도 있다. 제1 파장 변환부(150)의 두께와 제2 파장 변환부(160)의 두께가 서로 다른 경우 서로 다른 효과를 발휘할 수 있다. 구체적으로, 제2 파장 변환부(160)의 두께가 제1 파장 변환부(150)의 두께보다 더 두꺼우면, 제1 실시 형태에 따른 발광 장치는 백색의 광을 방출하는 형광등용으로 사용할 수 있다. 반대로 제1 파장 변환부(150)의 두께가 제2 파장 변환부(160)의 두께보다 더 두꺼우면, 제1 실시 형태에 따른 발광 장치는 주황색의 광을 방출하는 백열등용으로 사용할 수 있다.Referring again to FIGS. 1 and 2, the thickness of the first wavelength converter 150 may be equal to or different from the thickness of the second wavelength converter 160. When the thickness of the first wavelength converter 150 and the thickness of the second wavelength converter 160 are different from each other, different effects can be obtained. Specifically, if the thickness of the second wavelength converter 160 is larger than the thickness of the first wavelength converter 150, the light emitting device according to the first embodiment can be used for a fluorescent lamp that emits white light . Conversely, if the thickness of the first wavelength converter 150 is larger than the thickness of the second wavelength converter 160, the light emitting device according to the first embodiment can be used for an incandescent lamp that emits orange light.

발광 소자(140)와 제1 파장 변환층(150), 및 제1 파장 변환층(150)과 제2 파장 변환층(160)은 접착재(미도시)를 통해 접착될 수 있다. 접착재(미도시)는 제1 파장 변환층(150)와 발광 소자(140) 사이 및 제2 파장 변환층(160)과 제1 파장 변환층(150) 사이의 틈으로 빛이 새는 것을 방지할 수 있다. 제1 파장 변환층(150)이 발광 소자(140)에 접착되는 것과 제2 파장 변환층(160)이 제1 파장 변환층(150)에 접착되는 것에 의하여, 제1 및 제2 파장 변환층(150, 160)는 발광 소자(140)의 광을 안정적으로 도광할 수 있다.The light emitting device 140 and the first wavelength conversion layer 150 and the first and second wavelength conversion layers 150 and 160 may be bonded to each other through an adhesive (not shown). It is possible to prevent light from leaking into a gap between the first wavelength conversion layer 150 and the light emitting device 140 and between the second wavelength conversion layer 160 and the first wavelength conversion layer 150 have. The first wavelength conversion layer 150 is bonded to the light emitting device 140 and the second wavelength conversion layer 160 is bonded to the first wavelength conversion layer 150 to form the first and second wavelength conversion layers 150, and 160 can stably light the light from the light emitting device 140. [

접착재(미도시)는 내열, 내광성의 재료를 사용할 수 있다. 예를 들면, 실리콘(silicon), 불소 수지, 무기(유리) 페이스트(paste) 일 수 있다. 접착재(미도시)가 내열, 내광성이 높아지면 발광 장치의 신뢰성이 향상되므로, 광속 유지율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The adhesive material (not shown) may be made of heat-resistant or light-resistant material. For example, it may be silicon, fluorine resin, or inorganic (glass) paste. When the adhesive material (not shown) has high heat resistance and high light resistance, the reliability of the light emitting device is improved, and the light flux maintaining rate can be improved.

와이어(W)는 제품의 신뢰성, 생산성, 원가, 성능 등을 고려하여 선택될 수 있다. 와이어(W)의 소재로는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등의 금속이 사용될 수 있다.The wire W can be selected in consideration of the reliability, productivity, cost, and performance of the product. As the material of the wire W, metals such as gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), and aluminum (Al)

<제2 실시 형태>&Lt; Second Embodiment >

도 7은 제2 실시 형태에 따른 발광 장치의 사시도이고, 도 8은 도 7에 도시된 발광 장치의 단면도이다.Fig. 7 is a perspective view of the light emitting device according to the second embodiment, and Fig. 8 is a sectional view of the light emitting device shown in Fig.

도 7 내지 도 8을 참조하면, 제2 실시 형태에 따른 발광 장치는, 기판(110), 제1 전극층(120), 제2 전극층(130), 발광 소자(140), 제2 파장 변환층(250), 제2 파장 변환층(260) 및 제3 파장 변환층(270)을 포함할 수 있다.7 to 8, the light emitting device according to the second embodiment includes a substrate 110, a first electrode layer 120, a second electrode layer 130, a light emitting element 140, a second wavelength conversion layer 250, a second wavelength conversion layer 260, and a third wavelength conversion layer 270.

기판(110), 제1 전극층(120), 제2 전극층(130) 및 발광 소자(140)는 도 1 내지 도 2에 도시된 제1 실시 형태에 따른 발광 장치와 동일하므로, 이에 대한 설명은 앞서 설명한 것으로 대체하고, 이하에서는 제1 내지 제3 파장 변환층(250, 260, 270)에 대해서 구체적으로 살펴보도록 한다.Since the substrate 110, the first electrode layer 120, the second electrode layer 130, and the light emitting device 140 are the same as those of the light emitting device according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2, And the first to third wavelength conversion layers 250, 260, and 270 will be described in detail below.

제1 파장 변환층(250)은 발광 소자(140) 상에 배치되고, 제2 파장 변환층(260)은 제1 파장 변환층(250) 상에 배치되고, 제3 파장 변환층(270)은 제2 파장 변환층(260) 상에 배치된다.The first wavelength conversion layer 250 is disposed on the light emitting device 140 and the second wavelength conversion layer 260 is disposed on the first wavelength conversion layer 250. The third wavelength conversion layer 270 is disposed on the first wavelength conversion layer 250, And is disposed on the second wavelength conversion layer 260.

제1 파장 변환층(250)은 도 1 내지 도 2에 도시된 발광 장치의 제1 파장 변환층(150)과 동일하고, 제3 파장 변환층(270)은 도 1 내지 도 2에 도시된 발광 장치의 제2 파장 변환층(160)과 동일한 것일 수 있다. 따라서, 제2 실시 형태에 따른 발광 장치는, 제1 실시 형태에 따른 발광 장치에 제2 파장 변환층(260)을 더 포함한 것일 수 있다.The first wavelength conversion layer 250 is the same as the first wavelength conversion layer 150 of the light emitting device shown in FIGS. 1 and 2, and the third wavelength conversion layer 270 is the same as the first May be the same as the second wavelength conversion layer 160 of the device. Therefore, the light emitting device according to the second embodiment may further include the second wavelength conversion layer 260 in the light emitting device according to the first embodiment.

제3 파장 변환층(270)은 제2 파장 변환층(260)에서 방출된 광의 일부를 제2 파장 변환층(260)에서 방출된 광의 파장과 서로 다른 파장을 갖는 광으로 변환할 수 있다.The third wavelength conversion layer 270 may convert part of the light emitted from the second wavelength conversion layer 260 into light having a different wavelength from that of the light emitted from the second wavelength conversion layer 260.

도면에는, 제1 파장 변환층(250)과 제2 파장 변환층(260)이 동일한 크기를 갖고, 제3 파장 변환층(270)이 제2 파장 변환층(260)보다 작은 크기를 갖는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 도 3에 도시된 변형 예와 같이, 제2 파장 변환층(260)이 제1 파장 변환층(250)보다 더 클 수 있고, 제3 파장 변환층(270)이 제2 파장 변환층(260)보다 더 클 수 있다. 따라서, 제1 내지 제3 파장 변환층(250, 260, 270)의 크기는 다양하게 설계 및 변경될 수 있다.In the figure, the first wavelength conversion layer 250 and the second wavelength conversion layer 260 have the same size, and the third wavelength conversion layer 270 has a smaller size than the second wavelength conversion layer 260 But is not limited thereto. 3, the second wavelength conversion layer 260 may be larger than the first wavelength conversion layer 250, and the third wavelength conversion layer 270 may be larger than the second wavelength conversion layer 250. For example, Layer 260 may be larger. Accordingly, the sizes of the first to third wavelength conversion layers 250, 260, and 270 can be variously designed and changed.

제1 내지 제3 파장 변환층(250, 260, 270) 각각은 형광 물질과 투광성 물질을 포함한다.Each of the first to third wavelength conversion layers 250, 260, and 270 includes a fluorescent material and a light transmitting material.

제1 내지 제3 파장 변환층(250, 260, 270) 각각의 투광성 물질은 유리 또는 세라믹일 수 있다.Transparent materials of each of the first to third wavelength conversion layers 250, 260, and 270 may be glass or ceramic.

제1 내지 제3 파장 변환층(250, 260, 270)의 투광성 물질 중 적어도 하나는 세라믹일 수 있다. 구체적으로, 아래의 Example 1) 내지 6)과 같은 조합이 가능하다.At least one of the light-transmitting materials of the first to third wavelength conversion layers 250, 260, and 270 may be a ceramic. Concretely, a combination like the following Examples 1) to 6) is possible.

Example. 1) 제1 파장 변환층(250)의 투광성 물질은 유리, 제2 파장 변환층(260)의 투광성 물질은 유리, 제3 파장 변환층(270)의 투광성 물질은 세라믹일 수 있다.Example. 1) The transmissive material of the first wavelength conversion layer 250 may be glass, the transmissive material of the second wavelength conversion layer 260 may be glass, and the transmissive material of the third wavelength conversion layer 270 may be ceramics.

Example. 2) 제1 파장 변환층(250)의 투광성 물질은 유리, 제2 파장 변환층(260)의 투광성 물질은 세라믹, 제3 파장 변환층(270)의 투광성 물질은 유리일 수 있다.Example. 2) The transmissive material of the first wavelength conversion layer 250 may be glass, the transmissive material of the second wavelength conversion layer 260 may be ceramics, and the transmissive material of the third wavelength conversion layer 270 may be glass.

Example. 3) 제1 파장 변환층(250)의 투광성 물질은 세라믹, 제2 파장 변환층(260)의 투광성 물질은 유리, 제3 파장 변환층(270)의 투광성 물질은 유리일 수 있다.Example. 3) The transmissive material of the first wavelength conversion layer 250 may be ceramic, the transmissive material of the second wavelength conversion layer 260 may be glass, and the transmissive material of the third wavelength conversion layer 270 may be glass.

Example. 4) 제1 파장 변환층(250)의 투광성 물질은 유리, 제2 파장 변환층(260)의 투광성 물질은 세라믹, 제3 파장 변환층(270)의 투광성 물질은 세라믹일 수 있다.Example. 4) The transmissive material of the first wavelength conversion layer 250 may be glass, the transmissive material of the second wavelength conversion layer 260 may be ceramics, and the transmissive material of the third wavelength conversion layer 270 may be ceramics.

Example. 5) 제1 파장 변환층(250)의 투광성 물질은 세라믹, 제2 파장 변환층(260)의 투광성 물질은 유리, 제3 파장 변환층(270)의 투광성 물질은 세라믹일 수 있다.Example. 5) The transmissive material of the first wavelength conversion layer 250 may be ceramic, the transmissive material of the second wavelength conversion layer 260 may be glass, and the transmissive material of the third wavelength conversion layer 270 may be ceramics.

Example. 6) 제1 파장 변환층(250)의 투광성 물질은 세라믹, 제2 파장 변환층(260)의 투광성 물질은 세라믹, 제3 파장 변환층(270)의 투광성 물질은 유리일 수 있다.Example. 6) The transmissive material of the first wavelength conversion layer 250 may be ceramic, the transmissive material of the second wavelength conversion layer 260 may be ceramics, and the transmissive material of the third wavelength conversion layer 270 may be glass.

위 Example 1) 내지 6)에 있어서, 제3 파장 변환층(270)이 유리인 Example 2), 3) 및 6)은, 제3 파장 변환층(270)이 세라믹인 Example. 1), 4) 및 5)과 대비하여 광 추출 효율이 더 좋다. 그 이유는, 세라믹은 공기 또는 유리보다 굴절률이 더 크기 때문에, 제3 파장 변환층(270)이 세라믹인 경우보다 제3 파장 변환층(270)이 유리인 경우가 추출되는 광의 양이 더 많기 때문이다. Example 2), 3) and 6) in which the third wavelength conversion layer 270 is glass in the above Examples 1) to 6) are the same as Example 3) and 6) in which the third wavelength conversion layer 270 is a ceramic. 1), 4) and 5). The reason is that since the refractive index of ceramics is larger than that of air or glass, the amount of light extracted is larger when the third wavelength conversion layer 270 is glass than when the third wavelength conversion layer 270 is a ceramic to be.

제1 내지 제3 파장 변환층(250, 260, 270)이 서로 다른 형광 물질을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 파장 변환층(250)의 형광 물질은 황색 형광체를 포함하고, 제2 파장 변환층(260)의 형광 물질은 녹색 형광체를 포함하고, 제3 파장 변환층(270)의 형광 물질은 적색 형광체를 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 제1 파장 변환층(250)의 형광 물질이 황색, 녹색 및 적색 형광체 중 하나이고, 제2 파장 변환층(260)의 형광 물질이 나머지 두 개의 형광체 중 하나이고, 제3 파장 변환층(270)의 형광 물질이 나머지 하나일 수 있다.The first to third wavelength conversion layers 250, 260, and 270 may have different fluorescent materials. For example, the fluorescent material of the first wavelength conversion layer 250 includes a yellow fluorescent material, the fluorescent material of the second wavelength conversion layer 260 includes a green fluorescent material, and the fluorescent material of the third wavelength conversion layer 270 The material may comprise a red phosphor. However, the present invention is not limited to this. The fluorescent material of the first wavelength conversion layer 250 is one of the yellow, green, and red phosphors, the fluorescent material of the second wavelength conversion layer 260 is one of the remaining two phosphors, And the fluorescent material of the third wavelength conversion layer 270 may be the other one.

이와 같이, 도 7 내지 도 8에 도시된 제2 실시 형태에 따른 발광 장치의 제1 내지 제3 파장 변환층(250, 260, 270)이 서로 다른 형광 물질을 가지면, 제2 실시 형태에 따른 발광 장치는 도 1 내지 도 2에 도시된 제1 실시 형태에 따른 발광 장치보다 더 넓은 색온도 범위를 가질 수 있다. 구체적으로, 도 9를 참조하여 설명하도록 한다.Thus, if the first to third wavelength conversion layers 250, 260, and 270 of the light emitting device according to the second embodiment shown in Figs. 7 to 8 have different fluorescent materials, the light emission according to the second embodiment The device may have a wider color temperature range than the light emitting device according to the first embodiment shown in Figs. More specifically, the description will be made with reference to Fig.

도 9는 도 7에 도시된 제2 실시 형태에 따른 발광 장치의 효과를 설명하기 위한 색좌표이다.9 is a color coordinate diagram for explaining the effect of the light emitting device according to the second embodiment shown in Fig.

도 9에서, A 직선은 제1 파장 변환층(250)에 의한 색좌표 직선이고, B 직선은 제2 파장 변환층(260)에 의한 색좌표 직선이고, C 직선은 제3 파장 변환층(270)에 의한 색좌표 직선이다.9, a straight line A is a straight line of a color coordinate by the first wavelength conversion layer 250, a straight line B is a straight line of a color coordinate by the second wavelength conversion layer 260, and a straight line C is a straight line by a third wavelength conversion layer 270 Is a straight line of color coordinates.

도 9를 참조하면, 파장 변환층이 세 개 이상이면, A 직선, B 직선 및 C 직선 사이의 범위에서 설계자가 원하는 색온도 조절이 용이하며, A 직선, B 직선 및 C 직선 사이의 범위에서 설계자는 원하는 색온도를 결정할 수 있어 색온도 범위가 도 4에 도시된 것보다 더 확장되는 이점이 있다.9, it is easy to control the designer's desired color temperature in the range between A straight line, B straight line and C straight line when there are three or more wavelength conversion layers. In the range between A straight line, B straight line and C straight line, The desired color temperature can be determined, and the color temperature range is further enlarged than that shown in Fig.

또한, 도 7 내지 도 8 에 도시된 제2 실시 형태에 따른 발광 장치는, 제1 내지 제3 파장 변환층(250, 260, 270)이 서로 다른 형광 물질을 갖기 때문에, 도 1 내지 도 2에 도시된 제1 실시 형태에 따른 발광 장치보다 방출되는 광의 연색성이 더 좋은 광을 방출할 수 있는 이점이 있다.In the light emitting device according to the second embodiment shown in Figs. 7 to 8, since the first to third wavelength conversion layers 250, 260, and 270 have different fluorescent materials, There is an advantage that light having better color rendering property can be emitted from the light emitting device according to the first embodiment shown in the drawing.

이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

110: 기판
120: 제1 전극층
130: 제2 전극층
140: 발광 소자
150: 제1 파장 변환층
160, 160’: 제2 파장 변환층
110: substrate
120: first electrode layer
130: second electrode layer
140: Light emitting element
150: first wavelength conversion layer
160, 160 ': a second wavelength conversion layer

Claims (10)

기판;
상기 기판 상에 배치된 발광 소자;
상기 발광 소자 상에 배치되고, 상기 발광 소자에서 방출된 광의 일부를 상기 발광 소자에서 방출된 광의 파장과 서로 다른 파장을 갖는 광으로 변환하는 제1 파장 변환층; 및
상기 제1 파장 변환층 상에 배치되고, 상기 제1 파장 변환층에서 방출된 광의 일부를 상기 제1 파장 변환층에서 방출된 광의 파장과 서로 다른 파장을 갖는 광으로 변환하는 제2 파장 변환층;을 포함하고,
상기 제1 파장 변환층과 상기 제2 파장 변환층은 투광성 물질을 포함하고,
상기 제1 파장 변환층의 투광성 물질과 상기 제2 파장 변환층의 투광성 물질 중 적어도 어느 하나는 세라믹인, 발광 장치.
Board;
A light emitting element disposed on the substrate;
A first wavelength conversion layer disposed on the light emitting element and converting part of the light emitted from the light emitting element into light having a wavelength different from a wavelength of the light emitted from the light emitting element; And
A second wavelength conversion layer disposed on the first wavelength conversion layer and converting part of the light emitted from the first wavelength conversion layer into light having a wavelength different from a wavelength of the light emitted from the first wavelength conversion layer; / RTI &gt;
Wherein the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer comprise a light-transmitting material,
Wherein at least one of the light transmitting material of the first wavelength conversion layer and the light transmitting material of the second wavelength conversion layer is a ceramic.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 파장 변환층의 투광성 물질은 유리인, 발광 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the light-transmitting material of the second wavelength conversion layer is glass.
제 2 항에 있어서,
상기 제1 내지 제2 파장 변환층 각각은 형광 물질을 포함하고,
상기 제1 내지 제2 파장 변환층 각각의 형광 물질은 서로 다른, 발광 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein each of the first and second wavelength conversion layers includes a fluorescent material,
Wherein the fluorescent materials of the first and second wavelength conversion layers are different from each other.
제 3 항에 있어서,
상기 제1 파장 변환층의 형광 물질은 적색 형광체를 포함하고,
상기 제2 파장 변환층의 형광 물질은 황색 형광체를 포함하는, 발광 장치.
The method of claim 3,
Wherein the fluorescent material of the first wavelength conversion layer comprises a red phosphor,
And the fluorescent material of the second wavelength conversion layer comprises a yellow phosphor.
제 1 항에 있어서,
상기 발광 장치는, 상기 제2 파장 변환층 상에 배치되고, 상기 제2 파장 변환층에서 방출된 광의 일부를 상기 제2 파장 변환층에서 방출된 광의 파장과 서로 다른 파장을 갖는 광으로 변환하는 제3 파장 변환층을 더 포함하고,
상기 제3 파장 변환층은 투광성 물질을 포함하고,
상기 제3 파장 변환층의 투광성 물질은 유리 또는 세라믹인, 발광 장치.
The method according to claim 1,
The light emitting device includes a second wavelength conversion layer disposed on the second wavelength conversion layer and configured to convert part of the light emitted from the second wavelength conversion layer into light having a wavelength different from a wavelength of the light emitted from the second wavelength conversion layer 3 wavelength conversion layer,
Wherein the third wavelength conversion layer comprises a light-transmitting material,
Wherein the light-transmitting material of the third wavelength conversion layer is glass or ceramic.
제 5 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 파장 변환층 각각은 형광 물질을 포함하고,
상기 제1 내지 제3 파장 변환층 각각의 형광 물질은 서로 다른, 발광 장치.
6. The method of claim 5,
Wherein each of the first through third wavelength conversion layers includes a fluorescent material,
Wherein the fluorescent materials of the first to third wavelength conversion layers are different from each other.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 소자는 광을 방출하는 발광면을 포함하는 상면을 포함하고,
상기 제1 파장 변환층의 하면의 면적은, 상기 발광 소자의 발광면의 면적보다 더 크고, 상기 발광 소자의 상면의 면적보다 더 작은, 발광 장치.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the light emitting element includes an upper surface including a light emitting surface for emitting light,
The area of the lower surface of the first wavelength conversion layer is larger than the area of the light emitting surface of the light emitting element and is smaller than the area of the upper surface of the light emitting element.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 장치는, 상기 기판 상에 배치된 제1 전극층과 제2 전극층을 포함하고,
상기 발광 소자는 상기 제1 전극층 상에 배치되고,
상기 발광 소자와 상기 제2 전극층은 적어도 둘 이상의 와이어를 통해 전기적으로 연결된, 발광 장치.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the light emitting device includes a first electrode layer and a second electrode layer disposed on the substrate,
Wherein the light emitting element is disposed on the first electrode layer,
Wherein the light emitting element and the second electrode layer are electrically connected through at least two wires.
기판;
상기 기판 상에 배치된 발광 소자;
상기 발광 소자 상에 배치되고, 제1 형광 물질을 포함하는 제1 파장 변환층; 및
상기 제1 파장 변환층 상에 배치되고, 제2 형광 물질을 포함하는 제2 파장 변환층;을 포함하고,
상기 제1 파장 변환층은, 복수의 파장 변환층들을 포함하고,
상기 복수의 파장 변환층들 각각은 유리 또는 세라믹 중 어느 하나를 포함하고,
상기 제2 파장 변환층은 유리를 포함하는, 발광 장치.
Board;
A light emitting element disposed on the substrate;
A first wavelength conversion layer disposed on the light emitting element, the first wavelength conversion layer including a first fluorescent material; And
And a second wavelength conversion layer disposed on the first wavelength conversion layer and including a second fluorescent material,
Wherein the first wavelength conversion layer includes a plurality of wavelength conversion layers,
Wherein each of the plurality of wavelength conversion layers includes one of glass and ceramic,
Wherein the second wavelength conversion layer comprises glass.
제 9 항에 있어서,
상기 제1 형광 물질은, 상기 제2 형광 물질과 서로 다른, 발광 장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the first fluorescent material is different from the second fluorescent material.
KR1020140090159A 2014-07-17 2014-07-17 Lighting device KR20160009832A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140090159A KR20160009832A (en) 2014-07-17 2014-07-17 Lighting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140090159A KR20160009832A (en) 2014-07-17 2014-07-17 Lighting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160009832A true KR20160009832A (en) 2016-01-27

Family

ID=55309193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140090159A KR20160009832A (en) 2014-07-17 2014-07-17 Lighting device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20160009832A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20190165226A1 (en) Semiconductor element package
KR102007405B1 (en) Light emitting module
KR102255214B1 (en) Light emitting diode
KR20150129356A (en) Lighting device
KR102189133B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR20170009242A (en) Light emitting device package, and light emitting apparatus including the package
KR102401828B1 (en) Light emitting device package
KR20160037471A (en) Light Emitting Device Package
US10541351B2 (en) Light emitting diode having a current blocking layer
KR102523240B1 (en) Light emitting device package
KR20160024533A (en) Phosphor composition and light emitting device package including the same
KR100712880B1 (en) White light emitting diode capable of reducing correlated color temperature variation
KR102201186B1 (en) Lighting device
KR20170058775A (en) Light emitting device package
KR102346157B1 (en) Light emitting device package
KR102515609B1 (en) Light emitting device package
KR20160009832A (en) Lighting device
KR102507444B1 (en) Light emitting device and display device including the same
KR20150083248A (en) Package for light emitting device
KR101607400B1 (en) Light emitting device
KR102131309B1 (en) Phosphor and light emitting device package including the same
KR102598476B1 (en) Light emitting device package
KR102470302B1 (en) Semiconductor device package
KR102282944B1 (en) Lighting device
KR102305837B1 (en) Lighting device

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X601 Decision of rejection after re-examination