KR20160006946A - 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박, 인쇄회로기판 및 그 제조방법 - Google Patents

인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박, 인쇄회로기판 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금속박의 표면에 나프탈렌계 에폭시 수지; 에폭시 수지 경화제; 및 끓는점이 150℃ 이하인 용제에 녹는 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지;를 포함하는 수지층이 형성된 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박, 이를 사용하여 제조된 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박, 인쇄회로기판 및 그 제조방법{Resin-coated metal foil for use in manufacturing of printed circuit board, printed circuit board and manufacturing method thereof}
본 발명은 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박, 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
인쇄회로기판은 절연재에 구리와 같은 전도성 재료로 회로 패턴을 형성한 것으로, 최근 전자 부품의 소형화, 경량화 추세에 따라 보다 고밀도의 미세 회로 패턴이 요구된다.
일본공개특허 제2006-070176호
본 발명의 일 실시형태는 회로 패턴을 형성하는 금속 도금층과의 밀착성이 우수하며, 내열성이 강한 수지층을 금속박에 코팅하여 미세 회로 패턴의 가공을 용이하게 하는 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박에 관한 것이다.
본 발명의 다른 일 실시형태는 상기 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박을 사용하여 제조된 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시형태는 금속박의 표면에 나프탈렌계 에폭시 수지; 에폭시 수지 경화제; 및 끓는점이 150℃ 이하인 용제에 녹는 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지;를 포함하는 수지층이 형성된 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박을 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 일 실시형태는 상기 수지 부착 금속박을 적층하는 단계; 상기 수지 부착 금속박 중 금속박을 제거하는 단계; 및 상기 금속박이 제거된 수지 부착 금속박의 수지층 상에 회로 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 인쇄회로기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 회로 패턴을 형성하는 금속 도금층과의 접착성이 우수한 수지층을 제공하여 일체화함으로써 필강도와 납내열성을 확보하면서도 미세 회로 패턴의 가공을 용이하게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박의 단면도이다.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태의 수지 부착 금속박(100)은 금속박(10)의 일 표면에 수지층(20)이 형성된다.
상기 수지층(20)은 나프탈렌계 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제 및 끓는점이 150℃ 이하인 용제에 녹는 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지를 포함한다.
상기 나프탈렌계 에폭시 수지는 상온, 예를 들어, 20±5℃에서 액상인 나프탈렌계 에폭시 수지인 것이 바람직하며, 나프탈렌계 에폭시 수지의 당량은 160 이하인 것이 바람직하다.
나프탈렌계 에폭시 수지의 당량이 160을 초과하면 수지층(20)이 균일하게 형성되지 못하여 납내열성이 저하된다.
상기 에폭시 수지 경화제는 페놀 아랄킬형 수지, 나프톨 아랄킬형 수지, 페닐형 노볼락 수지, 질소함유 노볼락 수지, 디사이클로펜타디엔형 페놀 수지, 비페닐형 페놀 수지 및 트리페닐형 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함한다.
에폭시 수지 경화제의 함량은 경화시키는 수지에 대한 반응 당량으로부터 도출되는 것으로, 특별히 양적인 한정을 필요로 하는 것은 아니며, 상기 나프탈렌계 에폭시 수지를 충분히 경화시킬 수 있을 정도로 함유하는 것이 바람직하다.
상기 끓는점이 150℃ 이하인 용제에 녹는 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지는 방향족을 갖는 벌키(bulky)한 디아민과 산 무수물을 반응시켜 제조할 수도 있다.
사용 가능한 방향족 디아민은 특별히 한정되지는 않지만, 에테르(Ether)계로써 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-Bis(4-aminophenoxy)benzene), 1,3-비스(4-아미노페녹시)비페닐(1,3-Bis(4-aminophenoxy)biphenyl), 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로페인(2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인(2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane), 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰(Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone), 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]설폰(Bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sufone), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)디페닐 에테르(4,4'-Diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)diphenyl ether), 1,4-비스(4-아미노페녹시)-2,3,5-트리메틸벤젠(1,4-Bis(4-aminophenoxy)-2,3,5-trimethylbenzene), 1,4-비스(4-아미노페녹시)-2,5-디-t-부틸벤젠(1,4-Bis(4-aminophenoxy)-2,5-di-t-butylbenzene),1,4-비스[4-아미노-2-(트리플루오로메틸)페녹시]벤젠(1,4-Bis[4-amino-2-(trifluoromethyl)phenoxy]benzene), 2,2-비스[4-[4-아미노-2-(트리플루오로메틸)페닐]헥사플루오로프로페인(2,2-Bis[4-[4-amino-2-(trifluoromethyl)phenyl]hexafluoropropane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)프로페인(1,3-Bis(4-aminophenoxy)propane), 1,4-비스(4-아미노페녹시)부테인(1,4-Bis(4-aminophenoxy)butane), 1,5-비스(4-아미노페녹시)펜테인(1,5-Bis(4-aminophenoxy)pentane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)네오펜테인(1,3-Bis(4-aminophenoxy)neopentane), 2,5-비스(4-아미노페녹시)-비페닐(2,5-Bis(4-aminophenoxy)-biphenyl), 1,3-비스(4-아미노페녹시)-5-(2-페닐에티닐)벤젠(1,3-Bis(4-aminophenoxy)-5-(2-phenylethynyl)benzene), 1,3-비스(3-아미노페녹시)-5-(2-페닐에티닐)벤젠(1,3-Bis(3-aminophenoxy)-5-(2-phenylethynyl)benzene), 2,4-디아미노-4'-페닐에티닐디페닐 에테르(2,4-Diamino-4'-phenylethynyldiphenyl ether), 비페닐계로써 4,4'-디아미노-2.2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(4,4'-Diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl), 3,7-디아미노-2,8-디메틸디벤조싸이오펜-5,5-디옥사이드(3,7-Diamino-2,8-dimethyldibenzothiophene- 5,5-dioxide), 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐(4,4'-Bis(4-aminophenoxy)biphenyl), 4,4'-비스(4-아미노벤자미도)-3,3'-디하이드록시비페닐(4,4'-Bis(4-aminobenzamido)-3,3'-dihydroxybiphenyl), 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로페인(2,2-Bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane), 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌(9,9-Bis(4-aminophenyl)fluorene), 4,4'-디아미노디페닐케톤(4,4'-diaminodiphenyl ketone), 2,2-비스[4-{4-아미노-2-(트리플루오로메틸)페녹시}페닐]헥사플루오로프로페인(2,2-Bis[4-{4-amino-2-(trifluoromethyl)phenoxy}phenyl]hexafluoropropane), 비스{4-(4-아미노페녹시)페닐}케톤(Bis{4-(4-aminophenoxy)phenyl}ketone), 2,2-비스{4-(4-아미노페녹시)페닐}헥사플루오로프로페인(2,2-Bis{4-(4-aminophenoxy)phenyl}hexafluoropropane), 2,2-비스{4-(4-아미노페녹시)페닐}프로페인(2,2-Bis{4-(4-aminophenoxy)phenyl}propane), 설폰계로써 4,4'-디아미노디페닐 설폰(4,4'-Diaminodiphenyl sulfone), 비스{4-(4-아미노페녹시)페닐}설폰(Bis{4-(4-aminophenoxy)phenyl} sulfone), 비스{4-(3-아미노페녹시)페닐}설폰(Bis{4-(3-aminophenoxy)phenyl}sulfone), 3,7-디아미노-2,8-디메틸디벤조씨펜-5,5-디옥사이드(3,7-Diamino-2,8-dimethyldibenzothiphene-5,5-dioxide) 등을 사용할 수 있다.
산무수물로는 피로메리틱 디언하이드라이드(Pyromellitic Dianhydride), 3,3',4,4'-벤조페논데트라카복실릭 디언하이드라이드(3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride), 비페닐테트라카복실산 언하이드라이드(biphenyl tetracarboxylic acid dianhydride), 3,4,3',4'-디페닐 설폰 테트라-카복실릭 디언하이드라이드(3,4,3',4'-diphenyl sulfone tetra-carboxylic dianhydride), 3,3'4,4'-디페닐 에테르 테트라카복실산 디언하이드라이드(3,3',4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic acid dianhydride), 2,3,4-테트라하이드로 퓨란 테트라-카복실산 아세틱산 디어하이드라이드(2,3,4-tetrahydro furan tetra-carboxylic acid acetic acid dianhydride), 1,2,5,6-나프탈렌테트라카복실릭 디언하이드라이드(1,2,5,6-naphthalenetetracaboxylic dianhydride), 2,3,6,7-나프탈렌테트라카복실릭 디언하이드라이드(2,3,6,7-naphthalenetetracaboxylic dianhydride), 1,4,5,8-나프탈렌테트라카복실릭 디언하이드라이드(1,4,5,8-naphthalenetetracaboxylic dianhydride), 2,3,5,6-피리딘테트라카복실릭 디언하이드라이드(2,3,5,6-pyridinetetracaboxylic dianhydride), m-터페닐-3,3',4,4'-테트라카복실릭 디언하이드라이드(m-terphenyl-3,3',4,4'-tetracaboxylic dianhydride), p-터페닐-3,3',4,4'-테트라카복실릭 디언하이드라이드(p-terphenyl-3,3',4,4'-tetracaboxylic dianhydride), 4,4-옥시디프탈릭 디언하이드라이드(4,4-oxydiphthalic dianhydride), 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(2,3 or 3,4-디카복시페녹시)페닐프로페인 디언하이드라이드(1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis(2,3 or 3,4-dicarboxyphenoxy)phenylpropane dianhydride), 2,2,-비스[4-(2,3 or 3,4-디카복시페녹시)페닐프로페인 디언하이드라이드(2,2-bis[4-(2,3 or 3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride), 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스[4-(2,3 or 3,4-디카복시페녹시)페닐]프로페인 디언하이드라이드(1,1,1,3,3,3,-hexafluoro-2,2-bis[4-(2,3 or 3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride) 등을 사용할 수 있다.
끓는점이 150℃를 초과하는 용제에 녹는 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지의 경우 끓는점이 150℃를 초과하는 고비점 용제를 사용함으로 인해 잔존 용제가 많아 인쇄회로기판 제조 시 화학동 도금층과의 밀착력이 저하된다.
이때, 끓는점이 150℃ 이하의 범위에 있는 용제로는 메틸에틸케톤, 디메틸 아세트아미드, 디메틸 포름아미드 등이 있다.
상기 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지의 함량은, 상기 나프탈렌계 에폭시 수지와 에폭시 수지 경화제의 중량의 합을 100 중량부라고 할 때 5 내지 50 중량부가 바람직하다.
폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지의 함량이 5 중량부 미만일 경우 접착성이 저하되고, 50 중량부를 초과할 경우 성형성이 떨어지고, 수지층이 불균일하게 형성된다.
상기 수지 부착 금속박(100)은 나프탈렌계 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제 및 끓는점이 150℃ 이하인 용제에 녹는 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지를 포함하는 수지 조성물에 용제를 첨가하여 수지 바니시를 제조하고, 상기 수지 바니시를 금속박(10)의 조화면에 도포하여 수지층(20)을 형성함으로써 제조할 수 있다.
금속박(10)에 수지 바니시를 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 롤코터, 나이프 코터, 닥터 블레이드 코터, 그라비어 코터, 다이코터, 멀티다이코터, 리버스 코터, 리버스 롤코터 등으로 수지 바니시의 점도를 조절하여 금속박(10)의 표면에 수지층(20)을 형성할 수 있다.
상기 금속박(10)은 금박, 은박, 동박, 알루미늄박, 니켈박 또는 이들 중 하나 이상의 합금으로 이루어진 금속박(10)을 사용한다.
상기 금속박(10)의 평균 표면 조도(Ra)는 0.05㎛ 내지 0.2㎛일 수 있으며, 두께는 1.0㎛ 내지 5㎛일 수 있다.
상기 수지층(20)은 상기 금속박(10)의 표면에 0.5㎛ 내지 10㎛의 두께로 형성되며, 상기 수지층(20)의 경화도는 70% 이상이 바람직하다.
수지층(20)의 경화도가 70% 미만일 경우 상기 수지 부착 동박(100)을 회로 패턴을 형성할 절연층 상에 프레스 적층 시에 수지층(20)이 절연층과 혼합되어 인쇄회로기판 제조 시 화학동 도금층과의 밀착력이 저하되고, 납내열성도 감소하게 된다.
상기 수지 부착 금속박(100)을 이용해 제조되는 인쇄회로기판은 나프탈렌계 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제 및 끓는점이 150℃ 이하인 용제에 녹는 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지를 포함하는 수지층이 형성된다.
상기 수지 부착 금속박(100)을 사용하여 인쇄회로기판을 제조하면 필강도와 납내열성을 확보하면서도 미세 회로 패턴의 가공이 용이할 수 있다.
다음으로, 상기 수지 부착 금속박(100)을 이용해 미세 회로 패턴을 갖는 인쇄회로기판을 제조하는 방법을 설명한다.
먼저, 상기 수지 부착 금속박(100)의 수지층(20)이 회로 패턴을 형성할 절연층의 표면에 접하도록 수지 부착 금속박(100)을 적층한다. 적층 후에 금속박(10)을 에칭하여 제거하고, 남은 수지층(20) 상에 회로 패턴을 형성한다.
회로 패턴을 형성하는 방법은 특별히 제한되지는 않으나, 예를 들어, 상기 수지층(20) 상에 화학동 도금층을 형성하고, 패터닝된 도금 레지스트를 형성한 후, 전해 도금을 수행하여 회로 패턴을 형성하고, 상기 화학동 도금층을 에칭하여 제거한다.
이와 같이 회로 패턴을 형성할 절연층 상에 상기 수지 부착 금속박(100)을 이용하여 수지층(20)을 형성한 후 회로 패턴을 형성하게 되면 필강도와 납내열성을 확보하면서도 표면 조도를 작게 형성하여 과에칭을 방지하고 미세 회로 패턴을 용이하게 구현할 수 있다.
그러나, 상기 수지 부착 금속박(100)을 이용해 인쇄회로기판을 제조하는 방법은 이에 특별히 제한되지는 않으며, 당업계에 공지된 모든 제조방법을 사용할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기로 하지만, 하기 실시예가 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니며, 이는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 할 것이다.
<실시예 1>
7.2 중량부의 나프탈렌계 에폭시(SE-80, 신아티앤씨), 10.2 중량부의 페놀 아랄킬형 경화제(MEHC-7851S, Meiwa kasei), 7.5 중량부의 폴리아미드이미드(끓는 점 150℃ 이하의 용제에 녹음)(SORX-S(NKK)), 0.6 중량부의 이미다졸 경화촉진제로 이루어진 바니시를 제작하였다.
<실시예 2>
5.2 중량부의 나프탈렌계 에폭시(SE-80, 신아티앤씨), 2.3 중량부의 비스페놀 A계 에폭시(YD-128K, Kukdo Chemical), 9.9 중량부의 페놀 아랄킬형 경화제(MEHC-7851S, Meiwa fkasei), 7.5 중량부의 폴리아미드이미드(끓는 점 150℃ 이하의 용제에 녹음)(SORX-S(NKK)), 0.6 중량부의 이미다졸 경화촉진제로 이루어진 바니시를 제작하였다.
<실시예 3>
8.7 중량부의 나프탈렌계 에폭시(SE-80, 신아티앤씨), 8.8 중량부의 아미노 트리아진형 노볼락 경화제(PS6313, GUN EI Chem. Industry Co. Ltd.), 7.5 중량부의 폴리아미드이미드(끓는 점 150℃ 이하의 용제에 녹음)(SORX-S(NKK)), 0.2 중량부의 이미다졸 경화촉진제로 이루어진 바니시를 제작하였다.
<실시예 4>
7.1 중량부의 나프탈렌계 에폭시(SE-80, 신아티앤씨), 1.8 중량부의 비스페놀 A계 에폭시(YD-128K, Kukdo Chemical), 8.6 중량부의 아미노 트리아진형 노볼락 경화제(PS6313, GUN EI Chem. Industry Co. Ltd.), 7.5 중량부의 폴리아미드이미드(끓는 점 150℃ 이하의 용제에 녹음)(SORX-S(NKK)), 0.2 중량부의 이미다졸 경화촉진제로 이루어진 바니시를 제작하였다.
<실시예 5>
7.2 중량부의 나프탈렌계 에폭시(SE-80, 신아티앤씨), 10.2 중량부의 페놀 아랄킬형 경화제(MEHC-7851S, Meiwa kasei), 12.2 중량부의 폴리아미드이미드(끓는 점 150℃ 이하의 용제에 녹음)(SORX-S(NKK)), 0.6 중량부의 이미다졸 경화촉진제로 이루어진 바니시를 제작하였다.
<실시예 6>
5.6 중량부의 나프탈렌계 에폭시(SE-80, 신아티앤씨), 2.4 중량부의 NBR 변형 에폭시(Polydis3615, Schill+Seilacher "Struktol" GmbH), 9.5 중량부의 페놀 아랄킬형 경화제(MEHC-7851S, Meiwa kasei), 7.5 중량부의 폴리아미드이미드(끓는 점 150℃ 이하의 용제에 녹음)(SORX(NKK)), 0.6 중량부의 이미다졸 경화촉진제로 이루어진 바니시를 제작하였다.
<실시예 7>
7.3 중량부의 나프탈렌계 에폭시(SE-80, 신아티앤씨), 1.8 중량부의 NBR 변형 에폭시(Polydis3615, Schill+Seilacher "Struktol" GmbH), 8.3 중량부의 아미노 트리아진형 노볼락 경화제(PS6313, GUN EI Chem. Industry Co. Ltd.), 7.5 중량부의 폴리아미드이미드(끓는 점 150℃ 이하의 용제에 녹음)(SORX-S(NKK)), 0.2 중량부의 이미다졸 경화촉진제로 이루어진 바니시를 제작하였다.
<실시예 8>
7.2 중량부의 나프탈렌계 에폭시(SE-80, 신아티앤씨), 1.8중량부의 크레졸 노볼락형 에폭시(YDCN-500-8P, Kukdo Chemical), 8.5 중량부의 아미노 트리아진형 노볼락 경화제(PS6313, GUN EI Chem. Industry Co. Ltd.), 7.5 중량부의 폴리아미드이미드(끓는 점 150℃ 이하의 용제에 녹음)(SORX(NKK), 0.2 중량부의 이미다졸 경화촉진제로 이루어진 바니시를 제작하였다.
<비교예 1>
7.2 중량부의 나프탈렌계 에폭시(SE-80, 신아티앤씨), 10.2 중량부의 페놀 아랄킬형 경화제(MEHC-7851S, Meiwa kasei), 7.5 중량부의 폴리아미드이미드(끓는 점 150℃ 초과의 용제에 녹음)(SORX-OB(NKK)), 0.6 중량부의 이미다졸 경화촉진제로 이루어진 바니시를 제작하였다.
<비교예 2>
28 중량부의 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로페인, 19 중량부의 트리메리틱 언하이드라이드(Trimellitic anhydride)을 260 중량부의 N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone)에 녹이고 80℃에서 가열한 후 톨루엔(Toluene)을 넣고 3시간 동안 환류시키고 생성되는 수분을 제거하였다. 그 후 190℃에서 2 시간을 유지한 후 실온으로 냉각시키고, 25 중량부의 4,4'-디페닐메테인 디이소시아네이트(4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate)를 첨가하고 170℃에서 2시간 가열 후 실온으로 냉각시켜 방향족 폴리아미드이미드(PAI)를 합성하였다. 합성된 폴리아미드이미드의 평균 분자량(Mw)은 120,000이었다.
합성한 폴리아미드이미드 7.5 중량부와 7.2 중량부의 나프탈렌계 에폭시 (SE-80, 신아티앤씨), 10.2 중량부의 페놀 아랄킬형 경화제(MEHC-7851S, Meiwa kasei), 0.6 중량부의 이미다졸 경화촉진제로 이루어진 바니시를 제작하였다.
<코팅예 1>
상기 실시예 1 내지 8, 비교예 1 및 2의 바니시를, 각각 두께 20㎛, 폭 600 mm의 전기분해 동박(MT-EX, 미쯔이 금속)의 표면 처리 면에 다이코터를 이용하여 탈용제 후의 두께가 3㎛이 되도록 코팅하였다. 코팅된 동박을, 80℃, 110℃, 170℃, 170℃로 설정된 길이 2 m의 플로팅 방식의 건조로 4개를 2m/분의 속도로 통과시켰다. 얻어진 수지 부착 동박의 경화도는 90% 이상이었다.
<코팅예 2>
상기 실시예 1의 바니시를, 각각 두께 20㎛, 폭 600mm의 전기분해 동박(MT-EX, 미쯔이 금속)의 표면 처리 면에 다이코터를 이용하여 탈용제 후의 두께가 3㎛이 되도록 코팅하였다. 코팅된 동박을, 80℃, 110℃, 150℃, 150℃로 설정된 길이 2m의 플로팅 방식의 건조로 4개를 2m/분의 속도로 통과시켰다. 얻어진 수지 부착 동박의 경화도는 45%였다.
코팅예 2를 수행한 경우, 경화도가 45%로 낮아 프레스 적층 시에 수지 부착 동박의 수지층이 PPG의 수지와 혼합되어 화학동 도금과의 밀착력이 낮고, 납내열성이 떨어졌다.

<실험예>
상기 실시예 1 내지 8, 비교예 1 및 2의 바니시를 상기 코팅예 1로 수행하여 얻어진 10개의 수지 부착 동박을 CCL, PPG와 함께 210℃, 130분 간 3MPa의 하중으로 적층하였다. 적층 후 동박을 에칭하고 화학동(1㎛), 전기동(20㎛)을 도금하였다. 얻어진 기재의 동(Cu)-수지층의 밀착력(동(Cu)-수지층 사이의 90°박리강도를 UTM으로 측정; P/S)과 납내열성(300℃ 납조에서 샘플이 블리스터 없이 버티는 시간 측정, 최대 5분간 관찰; T-300)의 결과를 표 1에 나타내었다.

 나프탈렌계 에폭시
(중량부)
 에폭시 경화제
(중량부)
 폴리아미드 이미드
 경화 촉진제
 밀착력
(Kgf/cm )
 납내열성
(초)
(중량부) 끓는점 150℃ 이하의 용제에 녹는지 여부
실시예 1 7.2 10.2 7.5 O 0.6 0.6 300
실시예 2 5.2 9.9 7.5 O 0.6 0.7 300
실시예 3 8.7 8.8 7.5 O 0.2 0.6 300
실시예 4 7.1 8.5 7.5 O 0.2 0.5 300
실시예 5 7.2 10.2 12.2 O 0.6 0.64 300
실시예 6 5.6 9.5 7.5 O 0.6 0.7 67
실시예 7 7.3 8.6 7.5 O 0.2 0.6 43
실시예 8 7.2 8.7 7.5 O 0.2 0.5 63
비교예 1 7.2 10.2 7.5 X 0.6 0.5 10
비교예 2 7.2 10.2 7.5 X 0.6 - -
상기 표 1을 참조하면, 상기 실시예 1 내지 4는 우수한 밀착력 및 납내열성을 나타내었다.
반면, 비교예 1은 끓는점이 150℃를 초과하는 용제에 녹는 폴리아미드 이미드를 사용함으로써 코팅성이 나쁘고, 잔존 용매가 많아 화학동 도금과의 밀착력이 떨어졌다. 또한, 비교예 3은 끓는점이 150℃를 초과하는 용제에 녹는 폴리아미드 이미드를 사용하였으나, 에폭시 수지, 경화제가 균일하게 혼합되지 않아 바니시가 만들어지지 않았다.
한편, 실시예 5는 끓는점이 150℃ 이하의 용제에 녹는 폴리아미드 이미드를 사용하여 우수한 밀착력 및 납내열성을 나타내었다. 다만, 폴리아미드 이미드의 함량이 너무 높아 바니시의 점도가 상승하여 성형성이 떨어지고, 외관 불균일이 일어났다.
실시예 6 내지 8은 끓는점이 150℃ 이하의 용제에 녹는 폴리아미드 이미드를 사용하였으나, 에폭시 수지의 당량이 200을 넘어 수지층이 균일하게 형성되지 못하여 납내열성이 저하되었다.
100 : 수지 부착 금속박
10 : 금속박
20 : 수지층

Claims (10)

  1. 금속박의 표면에 수지층이 형성된 수지 부착 금속박에 있어서,
    상기 수지층은,
    나프탈렌계 에폭시 수지;
    에폭시 수지 경화제; 및
    끓는점이 150℃ 이하인 용제에 녹는 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지;
    를 포함하는 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 나프탈렌계 에폭시 수지는 20±5℃에서 액상인 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 나프탈렌계 에폭시 수지는 당량이 160 이하인 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 에폭시 수지 경화제는 페놀 아랄킬형 수지, 나프톨 아랄킬형 수지, 페닐형 노볼락 수지, 질소함유 노볼락 수지, 디사이클로펜타디엔형 페놀 수지, 비페닐형 페놀 수지 및 트리페닐형 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 나프탈렌계 에폭시 수지와 에폭시 수지 경화제의 중량의 합을 100 중량부라고 할 때, 상기 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지는 5 내지 50 중량부인 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 수지층은 0.5㎛ 내지 10㎛의 두께로 형성된 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 수지층은 경화도가 70% 이상인 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 금속박은 평균 표면 조도(Ra)가 0.05㎛ 내지 0.2㎛인 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 금속박.
  9. 절연층 상에 상기 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 기재된 수지 부착 금속박을 적층하는 단계;
    상기 수지 부착 금속박 중 금속박을 제거하는 단계; 및
    상기 금속박이 제거된 수지 부착 금속박의 수지층 상에 회로 패턴을 형성하는 단계;
    를 포함하는 인쇄회로기판의 제조방법.
  10. 나프탈렌계 에폭시 수지;
    에폭시 수지 경화제; 및
    끓는점이 150℃ 이하인 용제에 녹는 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지;
    를 포함하는 수지층이 형성된 인쇄회로기판.
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