KR20160004455A - 유기 발광 소자 - Google Patents

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KR20160004455A
KR20160004455A KR1020140082488A KR20140082488A KR20160004455A KR 20160004455 A KR20160004455 A KR 20160004455A KR 1020140082488 A KR1020140082488 A KR 1020140082488A KR 20140082488 A KR20140082488 A KR 20140082488A KR 20160004455 A KR20160004455 A KR 20160004455A
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Abstract

유기 발광 소자가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극, 제1 전극 상에 위치하는 제2 전극, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하는 제1 유기 발광층, 제1 유기 발광층 및 제2 전극 사이에 위치하는 제2 유기 발광층, 제1 유기 발광층 및 제2 유기 발광층 사이에 위치하는 제1 전하 생성층, 사기 제1 전하 생성층 및 제2 유기 발광층 사이에 위치하는 제2 전하 생성층, 및 제1 전하 생성층 및 제2 전하 생성층 사이에 위치하고, 풀러린(fullerene)을 포함하는 제1 버퍼층을 포함한다.

Description

유기 발광 소자 {Organic Light Emitting Device}
본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 복수의 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 애노드(anode), 캐소드(cathode), 및 애노드와 캐소드 사이에 위치하는 적어도 하나의 유기 발광층을 포함한다. 유기 발광 소자는 애노드 및 캐소드로부터 각각 정공(hole)과 전자(electron)를 유기 발광층 내로 주입시켜 정공과 전자의 결합에 따른 엑시톤(exciton)를 생성하고, 이 엑시톤이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 광이 발생하는 원리를 이용한 소자이다. 유기 발광 소자는 애노드와 캐소드 사이에 유기 발광층 외에도 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 및 전자 수송층 등을 포함할 수 있다.
이러한 유기 발광 소자 중 백색 광을 방출하는 유기 발광 소자를 일반적으로 백색 유기 발광 소자라고 한다. 백색 유기 발광 소자를 구현하는 방법은 대표적으로 두 가지가 있다. 첫 번째 방법은 적색 광, 녹색 광, 및 청색 광을 모두 방출하는 하나의 유기 발광층을 사용하는 방법이다. 두 번째 방법은 청색 광을 방출하는 제1 유기 발광층 및 적색 및 녹색을 발광하는 제2 유기 발광층을 분리하고, 그 사이에 전하 생성층(Charge Generation Layer, CGL)을 개재하는 방법이다.
최근에는, 상기 두 가지 방법 중 소자의 안정성과 공정성 측면에서 유리한 두 번째 방법이 많이 이용되고 있다. 이러한 두 번째 방법의 유기 발광 소자는 탠덤(tandem) 구조를 가진다고 한다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 효율 및 수명 특성의 저하가 없을 뿐만 아니라 구동 전압이 감소된 탠덤 구조의 유기 발광 소자를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극, 제1 전극 상에 위치하는 제2 전극, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하는 제1 유기 발광층, 제1 유기 발광층 및 제2 전극 사이에 위치하는 제2 유기 발광층, 제1 유기 발광층 및 제2 유기 발광층 사이에 위치하는 제1 전하 생성층, 사기 제1 전하 생성층 및 제2 유기 발광층 사이에 위치하는 제2 전하 생성층, 및 제1 전하 생성층 및 제2 전하 생성층 사이에 위치하고, 풀러린(fullerene)을 포함하는 제1 버퍼층을 포함한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 제1 전하 생성층은 n형 전하 생성층이고, 제2 전하 생성층은 p형 전하 생성층일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 제1 버퍼층은 C60, C70, C76, C78, C84, C60 유도체, C70 유도체, C76 유도체, C78 유도체, 및 C84 유도체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 제1 유기 발광층은 제1 파장의 광을 방출하고, 제2 유기 발광층은 제1 파장보다 긴 제2 파장의 광을 방출할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 제1 파장의 광 및 제2 파장의 광은 혼합되어 백색 광을 형성할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 제1 유기 발광층은 청색 광을 방출하고, 제2 유기 발광층은 노란색 광을 방출할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 제1 전극은 애노드이고, 제2 전극은 캐소드일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 제1 버퍼층은 제1 전하 생성층과 인접한 제1 서브층 및 제2 전하 생성층과 인접한 제2 서브층을 포함하고, 제1 서브층의 풀러린의 농도는 제2 서브층의 풀러린의 농도보다 높을 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 제1 버퍼층에서 풀러린의 농도는 제1 전하 생성층 방향으로 갈수록 높아질 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 제1 전하 생성층 및 제1 유기 발광층 사이에 위치하는 제2 버퍼층을 더 포함하되, 제2 버퍼층은 제1 버퍼층과 실질적으로 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 제2 버퍼층은 제1 전하 생성층과 직접적으로 접촉할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 제2 버퍼층의 두께는 제1 버퍼층의 두께보다 얇을 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극, 제1 전극 상에 위치하는 제2 전극, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하는 제1 유기 발광층, 제1 유기 발광층 및 제2 전극 사이에 위치하는 제2 유기 발광층, 제1 유기 발광층 및 제2 유기 발광층 사이에 위치하는 n형 전하 생성층, 및 n형 전하 생성층 및 제2 유기 발광층 사이에 위치하고, n형 전하 생성층과 직접적으로 접촉하며, 풀러린을 포함하는 버퍼층을 포함한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 버퍼층 및 제2 유기 발광층 사이에 위치하고, 버퍼층과 직접적으로 접촉하는 p형 전하 생성층을 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 버퍼층은 C60, C70, C76, C78, C84, C60 유도체, C70 유도체, C76 유도체, C78 유도체, 및 C84 유도체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 제1 유기 발광층은 제1 파장의 광을 방출하고, 제2 유기 발광층은 제1 파장보다 긴 제2 파장의 광을 방출하며, 제1 파장의 광 및 제2 파장의 광은 혼합되어 백색 광을 형성할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극, 제1 전극 상에 위치하는 제2 전극, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하는 제1 유기 발광층, 제1 유기 발광층 및 제2 전극 사이에 위치하는 제2 유기 발광층, 제1 유기 발광층 및 제2 유기 발광층 사이에 위치하는 p형 전하 생성층, 및 p형 전하 생성층 및 제1 유기 발광층 사이에 위치하고, p형 전하 생성층과 직접적으로 접촉하며, 풀러린을 포함하는 버퍼층을 포함한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 버퍼층 및 제1 유기 발광층 사이에 위치하고, 버퍼층과 직접적으로 접촉하는 n형 전하 생성층을 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 버퍼층은 C60, C70, C76, C78, C84, C60 유도체, C70 유도체, C76 유도체, C78 유도체, 및 C84 유도체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 제1 유기 발광층은 제1 파장의 광을 방출하고, 제2 유기 발광층은 제1 파장보다 긴 제2 파장의 광을 방출하며, 제1 파장의 광 및 제2 파장의 광은 혼합되어 백색 광을 형성할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 효율 및 수명 특성의 저하가 없을 뿐만 아니라 구동 전압이 감소된 탠덤 구조의 유기 발광 소자를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자(1000)의 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자(1000)는 제1 전극(100), 제2 전극(200), 제1 발광 유닛(300), 제2 발광 유닛(400), 전하 생성층(500), 및 버퍼층(600)을 포함할 수 있다.
제1 전극(100)은 절연 기판(미도시) 상에 위치할 수 있다. 제1 전극(100)은 애노드(anode)일 수 있다. 제1 전극(100)은 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 유기 발광 소자(1000)가 배면 발광형일 경우, 제1 전극(100)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 물질이나, 이들의 적층막으로 형성될 수 있다. 유기 발광 소자(1000)가 전면 발광형일 경우, 제1 전극(100)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, 또는 Ca 등으로 형성된 반사막을 더 포함할 수 있다. 제1 전극(100)은 이들 중 서로 다른 2 이상의 물질을 이용하여 2층 이상의 구조를 가질 수 있는 등의 다양한 변형이 가능하다. 이러한 제1 전극(100)은 예를 들어, 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask, FMM)을 이용한 스퍼터링 공정을 통하여 형성될 수 있다.
제2 전극(200)은 제1 전극(100) 상에 위치할 수 있다. 제2 전극(200)은 캐소드(cathode)일 수 있다. 제2 전극(200)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 전극(200)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, 또는 Ca 등으로 형성될 수 있다.
제1 발광 유닛(300)은 제1 전극(100) 및 제2 전극(200) 사이에 개재될 수 있다. 제1 발광 유닛(300)은 제1 전극(100)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제1 발광 유닛(300)은 제1 파장의 광을 방출할 수 있다. 여기에서, 제1 파장의 광은 청색 광일 수 있다.
제1 발광 유닛(300)은 제1 정공 주입층(310), 제1 정공 수송층(320), 제1 유기 발광층(330), 제1 전자 수송층(340), 및 제1 전자 주입층을 포함할 수 있다.
제1 정공 주입층(310)은 제1 전극(100) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제1 정공 주입층(310)은 제1 전극(100)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제1 정공 주입층(310)은 제1 전극(100)으로부터 정공을 제공받을 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 정공 주입층(310)은 생략될 수도 있다.
제1 정공 주입층(310)은 정공 주입 물질을 포함할 수 있다. 정공 주입 물질은 공지된 정공 주입 재료 중에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 정공 주입 물질은 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA 또는 m-MTDATA, 전도성 고분자인 Pani/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산) 또는 PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonic acid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS(Polyaniline)/Poly (4-styrene- sulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 정공 수송층(320)은 제1 정공 주입층(310) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제1 정공 수송층(320)은 제1 정공 주입층(310)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제1 정공 수송층(320)은 제1 정공 주입층(310)으로부터 정공을 제공받을 수 있다.
제1 정공 수송층(320)은 정공 수송 물질을 포함할 수 있다. 정공 수송 물질은 공지된 정공 수송 재료 중에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 정공 수송 물질은 1,3,5-트리카바졸릴벤젠, 4,4'-비스카바졸릴비페닐, 폴리비닐카바졸, m-비스카바졸릴페닐, 4,4'-비스카바졸릴-2,2'-디메틸비페닐, 4,4',4"-트리(N-카바졸릴)트리페닐아민, 1,3,5-트리(2-카바졸릴페닐)벤젠, 1,3,5-트리스(2-카바졸릴-5-메톡시페닐)벤젠, 비스(4-카바졸릴페닐)실란, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(NPD), N,N'-디페닐-N,N'-비스(1-나프틸)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민(NPB), 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-N-(4-부틸페닐)디페닐아민)(poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine) (TFB) 또는 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-비스-N,N-페닐-1,4-페닐렌디아민(poly(9,9-dioctylfluorene-co-bis-(4-butylphenyl-bis-N,N-phenyl-1,4-phenylenediamin) (PFB) 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 유기 발광층(330)은 제1 정공 수송층(320) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제1 유기 발광층(330)은 제1 정공 수송층(320)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제1 유기 발광층(330)은 제1 정공 수송층(320)으로부터 정공을 제공받을 수 있다. 또한, 제1 유기 발광층(330)은 제1 전자 수송층(340)으로부터 전자를 제공받을 수 있다. 제1 정공 수송층(320) 및 제1 전자 수송층(340)으로부터 각각 제공된 정공 및 전자는 제1 유기 발광층(330) 내에서 결합되어 엑시톤(exciton)이 될 수 있다. 이러한 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 에너지 준위가 변동될 때 변동된 에너지 준위에 대응하는 색을 가진 광이 방출될 수 있다.
제1 유기 발광층(330)은 제1 파장의 광을 방출할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 파장의 광은 청색 광일 수 있다. 즉, 제1 유기 발광층(330)은 청색 유기 발광층일 수 있다.
제1 유기 발광층(330)은 고유 발광색이 청색인 고분자 물질 또는 저분자 유기물질이나 고분자/저분자 혼합 물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 유기 발광층(330)은 청색 호스트 물질 및 청색 도펀트 물질을 포함할 수 있다. 여기에서, 청색 호스트 물질은 안트라센 유도체, 카바졸계 화합물 중에서 선택된 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기에서, 상기 안트라센 유도체로는, 9,10-(2-디나프틸)안트라센(ADN) 등을 사용할 수 있고, 상기 카바졸계 화합물로는 4,4'-(카바졸-9-일) 비페닐(CBP) 등을 사용할 수 있다. 또한, 청색 도펀트 물질은 F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-플루오렌(fluorene) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 전자 수송층(340)은 제1 유기 발광층(330) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제1 전자 수송층(340)은 제1 유기 발광층(330)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제1 전자 수송층(340)은 제1 전자 주입층(350)으로부터 전자를 제공받을 수 있다. 또한, 제1 전자 수송층(340)은 전하 수송층으로부터 제1 유기 발광층(330)을 보호하는 기능을 수행할 수도 있다. 즉, 제1 전자 수송층(340)은 청색 버퍼층(Blue Buffer Layer, BBL)일 수 있다.
제1 전자 수송층(340)은 전자 수송 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송 물질은 공지된 전자 수송 재료 중에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 전자 수송 물질은 파이렌 계열 물질, 트리아진 계열 물질, 및 안트라센 계열 물질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로, 전자 수송 물질은 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Balq 등과 같은 공지의 재료를 포함할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 전자 주입층(350)은 제1 전자 수송층(340) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제1 전자 주입층(350)은 제1 전자 수송층(340)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제1 전자 주입층(350)은 전하 생성층(500), 구체적으로는 후술하는 제1 전하 생성층(510)으로부터 전자를 제공받을 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 전자 주입층(350)은 생략될 수도 있다.
제1 전자 주입층(350)은 전자 주입 물질을 포함할 수 있다. 전자 주입 물질은 공지된 전자 주입 재료 중에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 전자 주입 물질은 LiF, LiQ, 및 NaQ 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로, 전자 주입 물질은 NaCl, CsF, Li2O, BaO 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 발광 유닛(400)은 제1 발광 유닛(300) 및 제2 전극(200) 사이에 개재될 수 있다. 제2 발광 유닛(400)은 제2 전극(200)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제2 발광 유닛(400)은 제1 파장보다 긴 제2 파장의 광을 방출할 수 있다. 여기에서, 제2 파장의 광은 노란색 광일 수 있다. 이와 같이, 제1 발광 유닛(300)에서 방출되는 제1 파장의 광 및 제2 발광 유닛(400)에서 방출되는 제2 파장의 광은 서로 혼합되어 백색 광을 형성할 수 있다.
제2 발광 유닛(400)은 제2 정공 주입층(410), 제2 정공 수송층(420), 제2 유기 발광층(430), 제2 전자 수송층(440), 및 제2 전자 주입층(450)을 포함할 수 있다.
제2 정공 주입층(410)은 전하 생성층(500) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제2 정공 주입층(410)은 후술하는 제2 전하 생성층(520)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제2 정공 주입층(410)은 제2 전하 생성층(520)으로부터 정공을 제공받을 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 정공 주입층(410)은 생략될 수도 있다.
제2 정공 주입층(410)은 정공 주입 물질을 포함할 수 있다. 정공 주입 물질은 공지된 정공 주입 재료 중에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 정공 주입 물질은 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA 또는 m-MTDATA, 전도성 고분자인 Pani/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산) 또는 PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonic acid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS(Polyaniline)/Poly (4-styrene- sulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 예시적인 실시예에서, 제2 정공 주입층(410)은 제1 정공 주입층(310)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제2 정공 수송층(420)은 제2 정공 주입층(410) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제2 정공 수송층(420)은 제2 정공 주입층(410)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제2 정공 수송층(420)은 제2 정공 주입층(410)으로부터 정공을 제공받을 수 있다.
제2 정공 수송층(420)은 정공 수송 물질을 포함할 수 있다. 정공 수송 물질은 공지된 정공 수송 재료 중에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 정공 수송 물질은 1,3,5-트리카바졸릴벤젠, 4,4'-비스카바졸릴비페닐, 폴리비닐카바졸, m-비스카바졸릴페닐, 4,4'-비스카바졸릴-2,2'-디메틸비페닐, 4,4',4"-트리(N-카바졸릴)트리페닐아민, 1,3,5-트리(2-카바졸릴페닐)벤젠, 1,3,5-트리스(2-카바졸릴-5-메톡시페닐)벤젠, 비스(4-카바졸릴페닐)실란, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(NPD), N,N'-디페닐-N,N'-비스(1-나프틸)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민(NPB), 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-N-(4-부틸페닐)디페닐아민)(poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine) (TFB) 또는 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-비스-N,N-페닐-1,4-페닐렌디아민(poly(9,9-dioctylfluorene-co-bis-(4-butylphenyl-bis-N,N-phenyl-1,4-phenylenediamin) (PFB) 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제2 정공 수송층(420)은 제1 정공 수송층(320)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제2 유기 발광층(430)은 제2 정공 수송층(420) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제2 유기 발광층(430)은 제2 정공 수송층(420)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제2 유기 발광층(430)은 제2 정공 수송층(420)으로부터 정공을 제공받을 수 있다. 또한, 제2 유기 발광층(430)은 제2 전자 수송층(440)으로부터 전자를 제공받을 수 있다. 제2 정공 수송층(420) 및 제2 전자 수송층(440)으로부터 각각 제공된 정공 및 전자는 제2 유기 발광층(430) 내에서 결합되어 엑시톤(exciton)이 될 수 있다. 이러한 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 에너지 준위가 변동될 때 변동된 에너지 준위에 대응하는 색을 가진 광이 방출될 수 있다.
제2 유기 발광층(430)은 제1 파장보다 긴 제2 파장의 광을 방출할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 파장의 광은 노란색 광일 수 있다. 즉, 제2 유기 발광층(430)은 노란색 유기 발광층일 수 있다. 이러한 노란색 유기 발광층은 노란색 광을 직접 방출할 수도 있지만, 적색 광 및 녹색 광을 각각 방출한 후, 이들을 혼합시킴으로써, 노란색 광을 방출할 수도 있다.
제2 유기 발광층(430)은 고유 발광색이 노란색인 고분자 물질 또는 저분자 유기물질이나 고분자/저분자 혼합 물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 유기 발광층(430)은 노란색 호스트 물질 및 노란색 도펀트 물질을 포함할 수 있다. 여기에서, 노란색 호스트 물질은 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3)일 수 있고, 노란색 도펀트 물질은 루브레네 또는 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl-4H-pyran(DCM1)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또는, 제2 유기 발광층(430)은 고유 발광색이 적색인 물질과 고유 발광색이 녹색인 물질의 혼합 물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 유기 발광층(430)은 적색 호스트 물질, 적색 도펀트 물질, 녹색 호스트 물질, 및 녹색 도펀트 물질을 포함할 수 있다. 여기에서, 적색 호스트 물질은 비스{2-(2-하이드록시페닐)벤조티아졸레이트}아연 {Bis(2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolato) zinc (Zn(BTZ)2)}, 비스-(2-메틸-8-퀴놀리노에이트)-4-(페닐페노에이트)알루미늄{Bis-(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolate)aluminium}로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 적색 도펀트 물질은 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac), DCJTB 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 녹색 호스트 물질은 안트라센 유도체, 카바졸계 화합물 중에서 선택된 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기에서, 상기 안트라센 유도체로는, 9,10-(2-디나프틸)안트라센(ADN) 등을 사용할 수 있고, 상기 카바졸계 화합물로는 4,4'-(카바졸-9-일) 비페닐(CBP) 등을 사용할 수 있다. 또한, 녹색 도펀트 물질은 Ir(ppy)3 (ppy = 페닐피리딘), Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3, C545T 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 몇몇 실시예에서, 적색 호스트 물질은 생략될 수 있다.
제2 전자 수송층(440)은 제2 유기 발광층(430) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제2 전자 수송층(440)은 제2 유기 발광층(430)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제2 전자 수송층(440)은 제2 전자 주입층(450)으로부터 전자를 제공받을 수 있다.
제2 전자 수송층(440)은 전자 수송 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송 물질은 공지된 전자 수송 재료 중에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 전자 수송 물질은 파이렌 계열 물질, 트리아진 계열 물질, 및 안트라센 계열 물질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로, 전자 수송 물질은 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Balq 등과 같은 공지의 재료를 포함할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제2 전자 수송층(440)은 제1 전자 수송층(340)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제2 전자 주입층(450)은 제2 전자 수송층(440) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제2 전자 주입층(450)은 제2 전자 수송층(440)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제2 전자 주입층(450)은 제2 전극(200)으로부터 전자를 제공받을 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 전자 주입층(450)은 생략될 수도 있다.
제2 전자 주입층(450)은 전자 주입 물질을 포함할 수 있다. 전자 주입 물질은 공지된 전자 주입 재료 중에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 전자 주입 물질은 LiF, LiQ, 및 NaQ 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로, 전자 주입 물질은 NaCl, CsF, Li2O, BaO 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제2 전자 주입층(450)은 제1 전자 주입층(350)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
전하 생성층(500)은 제1 발광 유닛(300) 및 제2 발광 유닛(400) 사이에 위치할 수 있다. 전하 생성층(500)은 제1 발광 유닛(300)의 제1 전자 주입층(350) 및 제2 발광 유닛(400)의 제1 정공 주입층(310)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 전하 생성층(500)은 전하를 생성하여 제1 발광 유닛(300) 및 제2 발광 유닛(400)에 전달하는 기능을 수행할 수 있다.
전하 생성층(500)은 제1 전하 생성층(510) 및 제2 전하 생성층(520)을 포함할 수 있다.
제1 전하 생성층(510)은 제1 발광 유닛(300)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제1 전하 생성층(510)은 제1 발광 유닛(300)의 제1 전자 주입층(350)에 전자를 제공할 수 있다. 제1 전하 생성층(510)은 n형 전하 생성층일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 전하 생성층(510)은 일반적으로 사용되는 전자 수송 물질에 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 도핑한 것일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 전하 생성층(510)은 일반적으로 사용되는 전자 수송 물질에 n형 유기 물질을 도핑한 것일 수 있다. 여기에서, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 및 n형 유기 물질을 n형 도펀트라고 칭한다.
제2 전하 생성층(520)은 제2 발광 유닛(400)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제2 전하 생성층(520)은 제2 발광 유닛(400)의 제2 정공 주입층(410)에 정공을 제공할 수 있다. 제2 전하 생성층(520)은 p형 전하 생성층일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 전하 생성층(520)은 HATCN으로 이루어진 단일 유기물일 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서, 제2 전하 생성층(520)은 WO3로 이루어진 단일 무기물일 수 있다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 제2 전하 생성층(520)은 일반적인 정공 수송 물질에 p형 유기 물질을 도핑한 것일 수 있다.
버퍼층(600)은 제1 전하 생성층(510) 및 제2 전하 생성층(520) 사이에 위치할 수 있다. 버퍼층(600)은 제1 전하 생성층(510) 및 제2 전하 생성층(520)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 버퍼층(600)은 풀러린(fullerene)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 버퍼층(600)은 C60, C70, C76, C78, C84, C60 유도체, C70 유도체, C76 유도체, C78 유도체, 및 C84 유도체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상술한 제1 전극(100), 제2 전극(200), 제1 발광 유닛(300), 제2 발광 유닛(400), 전하 생성층(500), 및 버퍼층(600)을 형성한 후, 소자의 안정성을 위하여 최종적인 열처리를 할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상술한 층들을 적층한 후에 약 100℃에서 약 1시간 동안 열처리를 할 수 있다. 그러나, 이때, 제1 전하 생성층(510) 내에 포함되고, 분자량이 작은 n형 도펀트가 상부 및 하부로 확산될 수 있다. 이와 같이, n형 도펀트가 제1 전하 생성층(510) 주변으로 확산된다면 소자의 효율 및 수명 특성이 감소될 수 있다. 특히, n형 도펀트가 제2 전하 생성층(520)으로 확산된다면, 소자의 기능을 전혀 발휘할 수 없게 될 수 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자(1000)는 제1 전하 생성층(510) 및 제2 전하 생성층(520) 사이에 위치하는 버퍼층(600)을 포함함으로써, 제1 전하 생성층(510)의 n형 도펀트가 제2 전하 생성층(520)으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 풀러린을 포함하는 버퍼층(600)은 열처리 과정에서 제1 전하 생성층(510)의 n형 도펀트가 제2 전하 생성층(520)으로 확산되는 것을 방지하여, 소자의 효율 및 수명 특성의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 버퍼층(600)은 유기 발광 소자(1000)의 구동 전압을 감소시킬 수도 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자(1001)의 단면도이다. 설명의 편의 상, 도 1에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 2를 참조하면, 버퍼층(601)은 제1 서브층(601a) 및 제2 서브층(601b)을 포함할 수 있다. 여기에서, 제1 서브층(601a)은 제1 전하 생성층(510)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 제2 서브층(601b)은 제2 전하 생성층(520)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 또한, 제1 서브층(601a)에 포함된 풀러린의 농도는 제2 서브층(601b)에 포함된 풀러린의 농도보다 높을 수 있다.
이와 같이, 높은 농도의 풀러린을 포함하는 제1 서브층(601a)을 제1 전하 생성층(510)과 인접하게 배치함으로써, 열처리 과정에서 n형 도펀트가 제1 전하 생성층(510)으로부터 제2 전하 생성층(520)으로 확산되는 것을 더욱 잘 방지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자(1002)의 단면도이다. 설명의 편의 상, 도 1에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 3을 참조하면, 버퍼층(602) 내에서 풀러린은 농도 구배를 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 버퍼층(602)에서 풀러린의 농도는 제1 전하 생성층(510) 방향으로 갈수록 높아질 수 있다.
이와 같이, 상대적으로 높은 농도의 풀러린을 제1 전하 생성층(510)과 인접하게 배치함으로써, 열처리 과정에서 n형 도펀트가 제1 전하 생성층(510)으로부터 제2 전하 생성층(520)으로 확산되는 것을 더욱 잘 방지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자(1003)의 단면도이다. 설명의 편의 상, 도 1에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 4를 참조하면, 버퍼층(603)은 제1 버퍼층(603a) 및 제2 버퍼층(603b)을 포함할 수 있다. 여기에서, 제1 버퍼층(603a)은 상술한 버퍼층(600)과 실질적으로 동일할 수 있다. 제2 버퍼층(603b)은 제1 전하 생성층(510) 및 제1 발광 유닛(300) 사이에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제2 버퍼층(603b)은 제1 전하 생성층(510) 및 제1 전자 주입층(350)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 여기에서, 제2 버퍼층(603b)은 제1 버퍼층(603a)과 실질적으로 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 제2 버퍼층(603b) 역시 풀러린을 포함할 수 있다. 또한, 제2 버퍼층(603b)의 두께는 제1 버퍼층(603a)의 두께보다 얇을 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 버퍼층(603b)의 두께는 약 10 내지 20Å일 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자(1003)는 제1 전하 생성층(510)의 상부뿐만 아니라 하부에도 풀러린을 포함하는 버퍼층(603)을 포함함으로써, 제1 전하 생성층(510)의 n형 도펀트가 제1 전하 생성층(510)의 상부 및 하부로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 다만, 제1 전하 생성층(510)의 하부에 위치하는 제2 버퍼층(603b)은 제1 전하 생성층(510)으로부터 제1 전자 주입층(350)으로 전자가 전달되는 것을 방해하면 안 되기 때문에, 얇은 두께로 형성될 수 있다. 즉, 상술한 바와 같이, 제2 버퍼층(603b)의 두께가 약 10 내지 20Å일 경우, 제1 전하 생성층(510)의 n형 도펀트의 확산을 방지할 뿐만 아니라, 제1 전하 생성층(510)의 전자 전달 특성을 저하시키지 않을 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자(1000)와, 기존의 유기 발광 소자를 비교해 보도록 한다. 후술하는 실시예는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자(1000)에 대한 것이고, 비교예는 상기 실시예와 비교하기 위한 대조 실험예이다.
[실시예]
절연 기판 상에 제1 전극(100)으로 ITO를 형성하였다. 그 위에, 제1 정공 주입층(310) 및 제1 정공 수송층(320)으로 각각 TCTA 및 1,3,5-트리카바졸릴벤젠을 형성하였다. 그 위에, 제1 유기 발광층(330)으로 9,10-(2-디나프틸)안트라센(ADN) 및 F2Irpic을 형성하였다. 그 위에, 제1 전자 수송층(340) 및 제1 전자 주입층(350)으로 각각 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3) 및 LiQ를 형성하였다. 그 위에, 제1 전하 생성층(510)으로, 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3)에 알칼리 금속을 도핑하였다. 그 위에, 버퍼층(600)으로 풀러린(C60)을 형성하였다. 그 위에, 제2 전하 생성층(520)으로 HATCN을 형성하였다. 그 위에, 제2 정공 주입층(410) 및 제2 정공 수송층(420)을 각각 상술한 제1 정공 주입층(310) 및 제1 정공 수송층(320)과 동일한 물질로 형성하였다. 그 위에, 제2 유기 발광층(430)으로 9,10-(2-디나프틸)안트라센(ADN), Ir(piq)3, 및 Ir(ppy)3를 형성하였다. 그 위에, 제2 전자 수송층(440) 및 제2 전자 주입층(450)을 각각 상술한 제1 전자 수송층(340) 및 제1 전자 주입층(350)과 동일한 물질로 형성하였다. 그 위에 제2 전극(200)으로 Ag을 형성하였다.
[비교예]
상술한 실시예와 동일하되, 버퍼층(600)을 생략하였다.
이와 같은 실시예 및 비교예를 100℃에서 1시간 동안 열처리를 한 후 구동시켜 보았다. 하기 표 1은 실시예 및 비교예를 동일 휘도(3000nit)로 구동한 결과값들이고, 하기 표 2는 실시예 및 비교예를 동일 전류 밀도(5J)로 구동한 결과값들이다. 하기 표에서, OP.V는 구동 전압이고, J는 전류 밀도이며, L은 휘도이고, cd/A는 소자 효율이며, lm/W는 파워 효율이고, EQE는 외부 양자 효율이며, x 및 y는 색좌표이다.
Figure pat00001
Figure pat00002
상기 표 1 및 2와 같이 실시예에 따른 유기 발광 소자(1000)는 비교예에 따른 유기 발광 소자 대비 효율 특성의 저하가 없을 뿐만 아니라, 구동 전압이 감소되었다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1000, 1001, 1002, 1003: 유기 발광 소자
100: 제1 전극
200: 제2 전극
300: 제1 발광 유닛
310: 제1 정공 주입층
320: 제1 정공 수송층
330: 제1 유기 발광층
340: 제1 전자 수송층
350: 제1 전자 주입층
400: 제2 발광 유닛
410: 제2 정공 주입층
420: 제2 정공 수송층
430: 제2 유기 발광층
440: 제2 전자 수송층
450: 제2 전자 주입층
500: 전하 생성층
510: 제1 전하 생성층
520: 제2 전하 생성층
600, 601, 602, 603: 버퍼층
601a: 제1 서브층
601b: 제2 서브층
603a: 제1 버퍼층
603b: 제2 버퍼층

Claims (20)

  1. 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 위치하는 제2 전극;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치하는 제1 유기 발광층;
    상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 전극 사이에 위치하는 제2 유기 발광층;
    상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층 사이에 위치하는 제1 전하 생성층;
    사기 제1 전하 생성층 및 상기 제2 유기 발광층 사이에 위치하는 제2 전하 생성층; 및
    상기 제1 전하 생성층 및 상기 제2 전하 생성층 사이에 위치하고, 풀러린(fullerene)을 포함하는 제1 버퍼층을 포함하는 유기 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 전하 생성층은 n형 전하 생성층이고,
    상기 제2 전하 생성층은 p형 전하 생성층인 유기 발광 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 버퍼층은 C60, C70, C76, C78, C84, C60 유도체, C70 유도체, C76 유도체, C78 유도체, 및 C84 유도체 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 유기 발광층은 제1 파장의 광을 방출하고,
    상기 제2 유기 발광층은 상기 제1 파장보다 긴 제2 파장의 광을 방출하는 유기 발광 소자.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 파장의 광 및 상기 제2 파장의 광은 혼합되어 백색 광을 형성하는 유기 발광 소자.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 유기 발광층은 청색 광을 방출하고,
    상기 제2 유기 발광층은 노란색 광을 방출하는 유기 발광 소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 애노드이고,
    상기 제2 전극은 캐소드인 유기 발광 소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 버퍼층은 상기 제1 전하 생성층과 인접한 제1 서브층 및 상기 제2 전하 생성층과 인접한 제2 서브층을 포함하고,
    상기 제1 서브층의 상기 풀러린의 농도는 상기 제2 서브층의 상기 풀러린의 농도보다 높은 유기 발광 소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 버퍼층에서 상기 풀러린의 농도는 상기 제1 전하 생성층 방향으로 갈수록 높아지는 유기 발광 소자.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 전하 생성층 및 상기 제1 유기 발광층 사이에 위치하는 제2 버퍼층을 더 포함하되,
    상기 제2 버퍼층은 상기 제1 버퍼층과 실질적으로 동일한 물질로 이루어지는 유기 발광 소자.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제2 버퍼층은 상기 제1 전하 생성층과 직접적으로 접촉하는 유기 발광 소자.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 제2 버퍼층의 두께는 상기 제1 버퍼층의 두께보다 얇은 유기 발광 소자.
  13. 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 위치하는 제2 전극;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치하는 제1 유기 발광층;
    상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 전극 사이에 위치하는 제2 유기 발광층;
    상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층 사이에 위치하는 n형 전하 생성층; 및
    상기 n형 전하 생성층 및 상기 제2 유기 발광층 사이에 위치하고, 상기 n형 전하 생성층과 직접적으로 접촉하며, 풀러린을 포함하는 버퍼층을 포함하는 유기 발광 소자.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 버퍼층 및 상기 제2 유기 발광층 사이에 위치하고, 상기 버퍼층과 직접적으로 접촉하는 p형 전하 생성층을 더 포함하는 유기 발광 소자.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 버퍼층은 C60, C70, C76, C78, C84, C60 유도체, C70 유도체, C76 유도체, C78 유도체, 및 C84 유도체 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 소자.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 제1 유기 발광층은 제1 파장의 광을 방출하고,
    상기 제2 유기 발광층은 상기 제1 파장보다 긴 제2 파장의 광을 방출하며,
    상기 제1 파장의 광 및 상기 제2 파장의 광은 혼합되어 백색 광을 형성하는 유기 발광 소자.
  17. 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 위치하는 제2 전극;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치하는 제1 유기 발광층;
    상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 전극 사이에 위치하는 제2 유기 발광층;
    상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층 사이에 위치하는 p형 전하 생성층; 및
    상기 p형 전하 생성층 및 상기 제1 유기 발광층 사이에 위치하고, 상기 p형 전하 생성층과 직접적으로 접촉하며, 풀러린을 포함하는 버퍼층을 포함하는 유기 발광 소자.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 버퍼층 및 상기 제1 유기 발광층 사이에 위치하고, 상기 버퍼층과 직접적으로 접촉하는 n형 전하 생성층을 더 포함하는 유기 발광 소자.
  19. 제 17항에 있어서,
    상기 버퍼층은 C60, C70, C76, C78, C84, C60 유도체, C70 유도체, C76 유도체, C78 유도체, 및 C84 유도체 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 소자.
  20. 제 17항에 있어서,
    상기 제1 유기 발광층은 제1 파장의 광을 방출하고,
    상기 제2 유기 발광층은 상기 제1 파장보다 긴 제2 파장의 광을 방출하며,
    상기 제1 파장의 광 및 상기 제2 파장의 광은 혼합되어 백색 광을 형성하는 유기 발광 소자.
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